JPS60211912A - 低転位半絶縁性基板 - Google Patents
低転位半絶縁性基板Info
- Publication number
- JPS60211912A JPS60211912A JP6763284A JP6763284A JPS60211912A JP S60211912 A JPS60211912 A JP S60211912A JP 6763284 A JP6763284 A JP 6763284A JP 6763284 A JP6763284 A JP 6763284A JP S60211912 A JPS60211912 A JP S60211912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semi
- substrate
- low
- insulation substrate
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は化合物単結晶基板に係り、特に基板表面近傍を
利用して得る素子作製に好適な低転位の半絶縁性基板に
関する。
利用して得る素子作製に好適な低転位の半絶縁性基板に
関する。
高速素子を目的としたＧ ａ Ａ ｓ Ｉ Ｃや、半導
体レーザ、ホト・ディテクタ、ＦＥＴなどをモノリシッ
クに集積化した光・電気集積素子の作製には、半絶縁性
のＧ ａ Ａ ｓやＩｎＰ基板が使用される。
体レーザ、ホト・ディテクタ、ＦＥＴなどをモノリシッ
クに集積化した光・電気集積素子の作製には、半絶縁性
のＧ ａ Ａ ｓやＩｎＰ基板が使用される。
しかし、従来の半絶縁性基板は、転位密度がエッチ・ピ
ット密度（Ｅ、Ｐ、Ｄ）にして１０３〜１０’ｃｍ−”
と高かったので、該基板上に直接作りつけた素子や、該
基板上に成長したエピタキシャル層を設けて得た素子で
は、基板中の転位あるいは、基板よりエピタキシャル層
に伝播した転位が素子特性に悪影響を及ぼす欠点があっ
た。
ット密度（Ｅ、Ｐ、Ｄ）にして１０３〜１０’ｃｍ−”
と高かったので、該基板上に直接作りつけた素子や、該
基板上に成長したエピタキシャル層を設けて得た素子で
は、基板中の転位あるいは、基板よりエピタキシャル層
に伝播した転位が素子特性に悪影響を及ぼす欠点があっ
た。
本発明の目的は、低転位の半絶縁性化合物単結晶基板を
提供することにある。
提供することにある。
化合物バルク単結晶は、その作製時に、不純物を添加す
ることにより低転位化が図られることはよく知られてい
る。しかし、該不純物添加のバルク単結晶は多くの場合
半絶縁性にならない。そこで、該バルク単結晶より得る
ウェーハ上にエピタキシャル成長のより半絶縁性を設け
れば、デバイスに適用できる低転位の半絶縁性基板が得
られる。
ることにより低転位化が図られることはよく知られてい
る。しかし、該不純物添加のバルク単結晶は多くの場合
半絶縁性にならない。そこで、該バルク単結晶より得る
ウェーハ上にエピタキシャル成長のより半絶縁性を設け
れば、デバイスに適用できる低転位の半絶縁性基板が得
られる。
（実施例１）
第１図の如く、水平ブリッジマン法で得たＥ −Ｐ 、
Ｄ ＜ ５００ ｃｍ −”以下のＳｉドープＧａＡｓ
半導体（１００）ウェーハ１上に、ＭＯ−ＣＶＤ法でバ
ナジウムドープのＧ ａ Ａ ｓ層２を５０μｍ厚に成
長した。ＭＯ−ＣＶＤ法原料ガスにはＧ ａ （ＣＨ３
） ３＝ Ａ ｓ Ｈ３，Ｖ Ｏ（○Ｃ２Ｈｓ ）３を
用い、Ｈ２をキャリアガスとして、７００℃で成長を行
なった。エピタキシャル成長層のＥ、Ｐ、Ｄは基板のＥ
、Ｐ、Ｄより低く、比抵抗５Ｘ１０’ｏｈ＋＋ｒｃｍ以
上で、低転位の半絶縁性基板として、デバイス使用に十
分耐え得るものであった。
Ｄ ＜ ５００ ｃｍ −”以下のＳｉドープＧａＡｓ
半導体（１００）ウェーハ１上に、ＭＯ−ＣＶＤ法でバ
ナジウムドープのＧ ａ Ａ ｓ層２を５０μｍ厚に成
長した。ＭＯ−ＣＶＤ法原料ガスにはＧ ａ （ＣＨ３
） ３＝ Ａ ｓ Ｈ３，Ｖ Ｏ（○Ｃ２Ｈｓ ）３を
用い、Ｈ２をキャリアガスとして、７００℃で成長を行
なった。エピタキシャル成長層のＥ、Ｐ、Ｄは基板のＥ
、Ｐ、Ｄより低く、比抵抗５Ｘ１０’ｏｈ＋＋ｒｃｍ以
上で、低転位の半絶縁性基板として、デバイス使用に十
分耐え得るものであった。
（実施例２）
第２図の如＜ＬＥＣ法で作製したＥ、Ｐ、Ｄ＜５００
ｃｍ −”以下のＳドープＩｎＰ半導体（１００）ウェ
ーハ３上に、液相エピタキシーで、鉄ドープのＩｎＰ層
４を３０μｍ厚に成長した。成長用原料にはＩｎ、Ｉｎ
Ｐ、Ｆｅを用い、Ｈ２雰囲気中で６５０℃の温度で成長
した。該成長層のＥ、Ｐ、Ｄは基板のＥ、Ｐ、Ｄより低
く、比抵抗１０’ ｏｈｍ−ｃｍ以上でデバイス作製に
十分使用できるものであった。
ｃｍ −”以下のＳドープＩｎＰ半導体（１００）ウェ
ーハ３上に、液相エピタキシーで、鉄ドープのＩｎＰ層
４を３０μｍ厚に成長した。成長用原料にはＩｎ、Ｉｎ
Ｐ、Ｆｅを用い、Ｈ２雰囲気中で６５０℃の温度で成長
した。該成長層のＥ、Ｐ、Ｄは基板のＥ、Ｐ、Ｄより低
く、比抵抗１０’ ｏｈｍ−ｃｍ以上でデバイス作製に
十分使用できるものであった。
本発明によれば、低転位（Ｅ、Ｐ、Ｄ＜５００印−２）
の半絶縁性基板が得られので、ウェーハ面内で特性の揃
ったＧ ａ Ａ ｓ Ｉ Ｃや、転位による素子特性劣
化の少ない光・電圧集積化素子を得られる効果がある。
の半絶縁性基板が得られので、ウェーハ面内で特性の揃
ったＧ ａ Ａ ｓ Ｉ Ｃや、転位による素子特性劣
化の少ない光・電圧集積化素子を得られる効果がある。
第１図は低転位Ｇ ａ Ａ ｓ半導体ウェーハ上にＧ
ａ Ａ ｓ半絶縁層を設けた基板の断面図、第２図は低
転位ＩｎＰ半導体ウェーハ上にＩｎＰ半絶縁層を設けた
基板の断面図である。 １．３・・・Ｇ ａ Ａ ｓ半導体ウェーハ、２，４・
・・エピ１図 ２図
ａ Ａ ｓ半絶縁層を設けた基板の断面図、第２図は低
転位ＩｎＰ半導体ウェーハ上にＩｎＰ半絶縁層を設けた
基板の断面図である。 １．３・・・Ｇ ａ Ａ ｓ半導体ウェーハ、２，４・
・・エピ１図 ２図
Claims (1)
- 低転位化合物単結晶ウェーハ上に、エピタキシャル成長
により低転位半絶縁性化合物単結晶層を設けたことを特
徴とする低転位半絶縁性基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6763284A JPS60211912A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 低転位半絶縁性基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6763284A JPS60211912A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 低転位半絶縁性基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60211912A true JPS60211912A (ja) | 1985-10-24 |
Family
ID=13350551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6763284A Pending JPS60211912A (ja) | 1984-04-06 | 1984-04-06 | 低転位半絶縁性基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60211912A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0694967A3 (en) * | 1994-07-29 | 1998-01-21 | Motorola, Inc. | Microwave integrated circuit passive element structure and method for reducing signal propagation losses |
| JPH1051075A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-02-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011114146A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
-
1984
- 1984-04-06 JP JP6763284A patent/JPS60211912A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0694967A3 (en) * | 1994-07-29 | 1998-01-21 | Motorola, Inc. | Microwave integrated circuit passive element structure and method for reducing signal propagation losses |
| JPH1051075A (ja) * | 1996-08-05 | 1998-02-20 | Fuji Xerox Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011114146A (ja) * | 2009-11-26 | 2011-06-09 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体発光素子 |
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