JPS63184320A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63184320A JPS63184320A JP1654887A JP1654887A JPS63184320A JP S63184320 A JPS63184320 A JP S63184320A JP 1654887 A JP1654887 A JP 1654887A JP 1654887 A JP1654887 A JP 1654887A JP S63184320 A JPS63184320 A JP S63184320A
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- gaas
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- Recrystallisation Techniques (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、Ｓｉ基板上に単結晶化合物半導体を成長させ
た半導体装置の改良に関し、特にＳｉ基板と化合物半導
体との間に中間層を設けて成長層の転位密度の低減を図
った半導体装置に関するものである。
た半導体装置の改良に関し、特にＳｉ基板と化合物半導
体との間に中間層を設けて成長層の転位密度の低減を図
った半導体装置に関するものである。
〈従来の技術〉
最近、Ｓｉ基板上へのＧａＡｓ等の化合物半導体成長技
術が非常に注目されており、このような形態の材料が開
発されれば、低価格なＧａＡｓデバイス（レーザー、Ｌ
ＥＤ等）等の化合物半導体装置を作製できるだけでなく
、ＧａＡｓ系デバイス等の化合物半導体デバイスとＳｉ
系デバイスを同一基板上に集積することが可能となる。
術が非常に注目されており、このような形態の材料が開
発されれば、低価格なＧａＡｓデバイス（レーザー、Ｌ
ＥＤ等）等の化合物半導体装置を作製できるだけでなく
、ＧａＡｓ系デバイス等の化合物半導体デバイスとＳｉ
系デバイスを同一基板上に集積することが可能となる。
ＧａＡｓ等の化合物半導体層の成長法には、有機金属気
相成長法（ＭＯＣＶＤ）や分子ビームエピタキシャル成
長法（ＭＢＥ）等があり、化合物半導体、例えばＧａＡ
ｓを直接Ｓｉ基板上に成長する方法として、例えば第２
図に示しだように、Ｓｉ基板１１とＧａＡｓ層１２の間
に、Ｇｅ等の中間層１３を狭む場合と、第３図に示すよ
うにＳｉ基板１１上に中間層を狭まないで直接ＧａＡｓ
層１２を形成する場合がある。
相成長法（ＭＯＣＶＤ）や分子ビームエピタキシャル成
長法（ＭＢＥ）等があり、化合物半導体、例えばＧａＡ
ｓを直接Ｓｉ基板上に成長する方法として、例えば第２
図に示しだように、Ｓｉ基板１１とＧａＡｓ層１２の間
に、Ｇｅ等の中間層１３を狭む場合と、第３図に示すよ
うにＳｉ基板１１上に中間層を狭まないで直接ＧａＡｓ
層１２を形成する場合がある。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記のような従来の構成においては、ＧａＡｓ及びＧｅ
の格子定数及び熱膨張係数はほぼ同等であるが、Ｓｉと
異なるため％ＧａＡｓ層１２及びＧｅ層１３には、転位
１６が発生し、ＧａＡｓ層１２の表面近傍での転位密度
（ＥＰＤ）は、成長条件によりいく分異なるが、１０〜
１０ ｃｍ のオーダーとなる。
の格子定数及び熱膨張係数はほぼ同等であるが、Ｓｉと
異なるため％ＧａＡｓ層１２及びＧｅ層１３には、転位
１６が発生し、ＧａＡｓ層１２の表面近傍での転位密度
（ＥＰＤ）は、成長条件によりいく分異なるが、１０〜
１０ ｃｍ のオーダーとなる。
第２図及び第３図に示したＧａＡｓ層１２にレーザー素
子等を形成するためには、表面近傍のＥＰＤを〜１０
ｃ＋ｎ 以下に抑制する必要がある。
子等を形成するためには、表面近傍のＥＰＤを〜１０
ｃ＋ｎ 以下に抑制する必要がある。
第２図及び第３図に示すように、転位には、発生機構に
より２種類存在する。
より２種類存在する。
第１種の転位１４はＧａＡｓ （又はＧｅ）とＳｉの格
子定数の差（〜４ｑ６）に基づくものであり、ＧａＡｓ
（又はＧｅ）とＳｉの界面から発生する。
子定数の差（〜４ｑ６）に基づくものであり、ＧａＡｓ
（又はＧｅ）とＳｉの界面から発生する。
このような転位はＧａＡｓ（又はＧｅ）の成長と同時に
発生する（ＭＯＣＶＤによるＧａＡｓの成長温度は〜７
００℃であり、イオンクラスタービーム法によるＧｅの
成長温度は〜４５０℃である）第１種の転位１４はＳｉ
基板１１の表面から発生するが、その密度は、ＧａＡｓ
層１２の中間に、例えば第４図に示したように、厚みが
〜１００ＡのＩｎｘＧａ、−ｘＡｓ（ｘ”０．１５）１
７を複数層形成することにより、ＧａＡｓ層１２の表面
への伝播を抑制することができる。
発生する（ＭＯＣＶＤによるＧａＡｓの成長温度は〜７
００℃であり、イオンクラスタービーム法によるＧｅの
成長温度は〜４５０℃である）第１種の転位１４はＳｉ
基板１１の表面から発生するが、その密度は、ＧａＡｓ
層１２の中間に、例えば第４図に示したように、厚みが
〜１００ＡのＩｎｘＧａ、−ｘＡｓ（ｘ”０．１５）１
７を複数層形成することにより、ＧａＡｓ層１２の表面
への伝播を抑制することができる。
一方、第２種の転位１５の発生機構は第１種の転位１４
と異なり、ＧａＡｓ層１２の成長後、温度を減少させる
過程で発生する。
と異なり、ＧａＡｓ層１２の成長後、温度を減少させる
過程で発生する。
ＧａＡｓ（又はＧｅ）とＳｉＯ熱膨張係数は異なるので
、冷却に伴ない、ＧａＡｓ層１２（又はＧｅ層１３）に
内部応力が発生し、転位が発生する。
、冷却に伴ない、ＧａＡｓ層１２（又はＧｅ層１３）に
内部応力が発生し、転位が発生する。
本発明者は、このような点について不純物を添加しない
ＧａＡｓを用い、内部応力と転位置の関係を調べた。
ＧａＡｓを用い、内部応力と転位置の関係を調べた。
厚みが〜４００μｍ程度のＧａＡｓ基板に曲げ応力を与
え、ＧａＡｓのＥＰＤを測定した。ＧａＡｓ基板の曲げ
の曲率半径から、内部応力は計算できる。
え、ＧａＡｓのＥＰＤを測定した。ＧａＡｓ基板の曲げ
の曲率半径から、内部応力は計算できる。
このようにして測定したＧａＡｓ基板表面に発生したＥ
ＰＤと内部応力の関係を第５図に示す。
ＰＤと内部応力の関係を第５図に示す。
次に、Ｓｉ基板上にＧａＡｓを成長し、その後、室温に
戻しだ場合、ＧａＡｓ内部の応力（σ）はで与えられる
。ここで、ＥはＧａＡｓのヤング率でαＧａＡｓ（Ｔ’
）及びα５１（Ｔ′）は温度Ｔ′でのＧａＡｓ及びＳｉ
Ｏ熱膨張係数である。［１１式を用いて、σを求め、さ
らに成長温度とσとの関係を第６図に示している（なお
、第６図に示した結果は第５図にリプロットしている）
。この第５図及び第６図から明らかなように、例えば７
００ ’ＣでＳｉ基板上に成長したＧａＡｓを室温に戻
すと、〜３．５×１ｏ９ｄｙｎ／ｃＪのオーダーの内部
応力が発生する。この応力を緩和するためには、〜５Ｘ
１０６ｃｍ−２のＥＰＤの発生が必要である。現実的に
は、内部応力はＥＰＤにより常に緩和されるとは限らな
いし、又、ＥＰＤは成長条件により微妙に異なるので、
第５図は単にＥＰＤのオーダーを与えるものである。
戻しだ場合、ＧａＡｓ内部の応力（σ）はで与えられる
。ここで、ＥはＧａＡｓのヤング率でαＧａＡｓ（Ｔ’
）及びα５１（Ｔ′）は温度Ｔ′でのＧａＡｓ及びＳｉ
Ｏ熱膨張係数である。［１１式を用いて、σを求め、さ
らに成長温度とσとの関係を第６図に示している（なお
、第６図に示した結果は第５図にリプロットしている）
。この第５図及び第６図から明らかなように、例えば７
００ ’ＣでＳｉ基板上に成長したＧａＡｓを室温に戻
すと、〜３．５×１ｏ９ｄｙｎ／ｃＪのオーダーの内部
応力が発生する。この応力を緩和するためには、〜５Ｘ
１０６ｃｍ−２のＥＰＤの発生が必要である。現実的に
は、内部応力はＥＰＤにより常に緩和されるとは限らな
いし、又、ＥＰＤは成長条件により微妙に異なるので、
第５図は単にＥＰＤのオーダーを与えるものである。
以上の検討結果より、仮りに、ＧａＡｓ表面での第１種
の転位密度を無くしても、〜１０６ｃｍ−２のオーダー
の第２種の転位が残ることになる。
の転位密度を無くしても、〜１０６ｃｍ−２のオーダー
の第２種の転位が残ることになる。
この第２種の転位密度を低減することが特に重要である
が、現時点では、転位密度の少ない（例えば１０ ｃｍ
以下）ＧａＡｓ等の化合物半導体の成長技術は確立
されていない。
が、現時点では、転位密度の少ない（例えば１０ ｃｍ
以下）ＧａＡｓ等の化合物半導体の成長技術は確立
されていない。
本発明は上記の点に鑑みて創案されたものであり、Ｓｉ
基板上へ高品位ＧａＡｓあるいはその他の化合物半導体
の成長を可能々らしめる構造の半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
基板上へ高品位ＧａＡｓあるいはその他の化合物半導体
の成長を可能々らしめる構造の半導体装置を提供するこ
とを目的としている。
〈問題点を解決するだめの手段〉
上記の目的を達成するため、本発明はＳｉ基板上に単結
晶化合物半導体層を成長させた半導体装置において、上
記の単結晶化合物半導体層と上記のＳｉ基板との間にＺ
ｎＳｅ以外の物質よりなる化合物半導体中間層を設け、
この化合物半導体中間層を、この中間層を構成する原子
（又はイオン）間の最大の結合エネルギーが上記の単結
晶化合物半導体層を構成する原子（又はイオン）間の最
大結合エネルギーより小さい物質で構成するように成し
ている。
晶化合物半導体層を成長させた半導体装置において、上
記の単結晶化合物半導体層と上記のＳｉ基板との間にＺ
ｎＳｅ以外の物質よりなる化合物半導体中間層を設け、
この化合物半導体中間層を、この中間層を構成する原子
（又はイオン）間の最大の結合エネルギーが上記の単結
晶化合物半導体層を構成する原子（又はイオン）間の最
大結合エネルギーより小さい物質で構成するように成し
ている。
また、本発明の実施の態様として単結晶化合物半導体層
をＧａＡｓで構成する場合、上記の中間層をＧａＳｂ
、 ＩｎＡｓ 、 ＩｎＳｂ 、ＺｎＳ 、ＺｎＴｅ
、ＣｄＳ 。
をＧａＡｓで構成する場合、上記の中間層をＧａＳｂ
、 ＩｎＡｓ 、 ＩｎＳｂ 、ＺｎＳ 、ＺｎＴｅ
、ＣｄＳ 。
ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅのいずれかにより構成するのが好ま
しく、また単結晶化合物半導体層をＩｎＰで構成する場
合、上記の中間層をＧａＡｓ 、ＡｌＳｂ 、ＧａＰ
。
しく、また単結晶化合物半導体層をＩｎＰで構成する場
合、上記の中間層をＧａＡｓ 、ＡｌＳｂ 、ＧａＰ
。
ＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、Ｃ
ｄＳ。
ｄＳ。
ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅのいずれかにより構成するのが好ま
しい。
しい。
〈実施例〉
本発明は物質の結合力を利用して成長層の転位密度の低
減を図ったものであり、以下、図面を参照して本発明を
実施例を挙げて詳細に説明する。
減を図ったものであり、以下、図面を参照して本発明を
実施例を挙げて詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図であり、１はシ
リコン（Ｓｉ）基板、２はＳｉ基板１上にＭＯＣＶＤ法
あるいはＭＢＥ法等により数百へ〜１μｍ程度の厚さに
堆積した結合力の弱い中間層であり、上認狼長させる化
合物半導体層がＧａＡ・である場合、ＧａＡｓ中のＧａ
イオンとＡｓイオンの結合力（１，６３ｅＶ）より小さ
い結合力を有する他の物質を用いる。次にこの中間層２
上に従来公知の方法でＧａＡｓ層３を２〜３μｍ程度の
厚さに成長させ、また必要に応じてＧａＡｓ層３中に厚
みが〜１００Ａ程度のＩｎｘＧａ１．−ｘＡｓ（ｘ＝０
．１５）層４を複数層介在させ、更にＧａＡｓ層３上に
ＧａＡｓ活性層５を形成した構造となしている。
リコン（Ｓｉ）基板、２はＳｉ基板１上にＭＯＣＶＤ法
あるいはＭＢＥ法等により数百へ〜１μｍ程度の厚さに
堆積した結合力の弱い中間層であり、上認狼長させる化
合物半導体層がＧａＡ・である場合、ＧａＡｓ中のＧａ
イオンとＡｓイオンの結合力（１，６３ｅＶ）より小さ
い結合力を有する他の物質を用いる。次にこの中間層２
上に従来公知の方法でＧａＡｓ層３を２〜３μｍ程度の
厚さに成長させ、また必要に応じてＧａＡｓ層３中に厚
みが〜１００Ａ程度のＩｎｘＧａ１．−ｘＡｓ（ｘ＝０
．１５）層４を複数層介在させ、更にＧａＡｓ層３上に
ＧａＡｓ活性層５を形成した構造となしている。
上記のように本発明の一実施例では、ＧａＡｓ中のＧａ
イオンとＡｓイオンの結合力（１，６３ｅＶ）より小さ
い結合力を有する他の物質よりなる層２を第１図に示す
ように、Ｓｉ基板１とＧａＡｓ層３の中間に挟む。
イオンとＡｓイオンの結合力（１，６３ｅＶ）より小さ
い結合力を有する他の物質よりなる層２を第１図に示す
ように、Ｓｉ基板１とＧａＡｓ層３の中間に挟む。
各物質のボンド当りの結合力を表１に示している０
表１ 各物質のボンド当りの結合エネルギー（注１）Ｚ
Ｂ＝閃亜鉛鉱形 ＷＺ＝ウルツ鉱形 結合力の小さい物質は、転位が発生し易いので成長温度
から室温に降温した場合、第２種の転位は第１図に示す
ように、結合力の弱い中間層２に ゛集中して発
生し、結晶性が乱れる。それに伴ない、ＧａＡｓ層３の
内部応力は、減少するので、ＧａＡｓ層３内の第２種の
転位７の密度が低減する。表１に示すように、ＧａＡｓ
成長の場合、有効な中間層２の材料として、ＧａＳｂ、
ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＺｎＳ 。
Ｂ＝閃亜鉛鉱形 ＷＺ＝ウルツ鉱形 結合力の小さい物質は、転位が発生し易いので成長温度
から室温に降温した場合、第２種の転位は第１図に示す
ように、結合力の弱い中間層２に ゛集中して発
生し、結晶性が乱れる。それに伴ない、ＧａＡｓ層３の
内部応力は、減少するので、ＧａＡｓ層３内の第２種の
転位７の密度が低減する。表１に示すように、ＧａＡｓ
成長の場合、有効な中間層２の材料として、ＧａＳｂ、
ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＺｎＳ 。
ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅがあ
る。これらの物質の格子定数はＧａＡｓと異なるので、
これらの中間層２とＧａＡｓ層３との界面８から新たに
、第１種の転位が発生するが、これらは、 ＧａＡｓ層
３内にＩ ｎＸＧａ 、−ＸＡｓ層４等を形成すること
により、ＧａＡｓ表面への伝播を抑制することができる
。
る。これらの物質の格子定数はＧａＡｓと異なるので、
これらの中間層２とＧａＡｓ層３との界面８から新たに
、第１種の転位が発生するが、これらは、 ＧａＡｓ層
３内にＩ ｎＸＧａ 、−ＸＡｓ層４等を形成すること
により、ＧａＡｓ表面への伝播を抑制することができる
。
次に、上記中間層２の厚みに関しては、材料によりいく
分異なるが、ＧａＡｓ層３に比べ機械的に弱くするため
、一般には、ＧａＡｓ層３の厚みより小さくすることが
望ましい。なお、ＧａＡｓ系デバイスはＧａＡｓ層３上
に形成したＧａＡｓ活性層５に作製するとよい。
分異なるが、ＧａＡｓ層３に比べ機械的に弱くするため
、一般には、ＧａＡｓ層３の厚みより小さくすることが
望ましい。なお、ＧａＡｓ系デバイスはＧａＡｓ層３上
に形成したＧａＡｓ活性層５に作製するとよい。
なお、表１より選んだ上記の中間層のうち、ＺｎＳｅは
下記理由により、有効でないことが判った。即ち、Ｚｎ
Ｓｅの成長にはジエチル亜鉛とＨ２Ｓｅの混合ガスを使
用したが、成長温度（＞ ５００℃）では、ＳｅがＳｉ
基板表面に偏析し、高品位ＧａＡｓを得ることが出来な
かった。これに対しＺｎＳｅ以外は良好な結果を与えた
。
下記理由により、有効でないことが判った。即ち、Ｚｎ
Ｓｅの成長にはジエチル亜鉛とＨ２Ｓｅの混合ガスを使
用したが、成長温度（＞ ５００℃）では、ＳｅがＳｉ
基板表面に偏析し、高品位ＧａＡｓを得ることが出来な
かった。これに対しＺｎＳｅ以外は良好な結果を与えた
。
以上の説明では、ＧａＡｓを実施例としたが、本発明の
基本原理はＧａＡｓ以外の化合物半導体（例えばＩｎＰ
及び混晶半導体）にも適用できる。ＩｎＰの場合、有効
な中間層としては表１より明らかなように、ＧａＡｓ
、Ａｔ’Ｓｂ 、ＧａＰ 、ＧａＳｂ 、 ＩｎＡｓ
。
基本原理はＧａＡｓ以外の化合物半導体（例えばＩｎＰ
及び混晶半導体）にも適用できる。ＩｎＰの場合、有効
な中間層としては表１より明らかなように、ＧａＡｓ
、Ａｔ’Ｓｂ 、ＧａＰ 、ＧａＳｂ 、 ＩｎＡｓ
。
ＩｎＳｂ 、ＺｎＳ 、ＺｎＴｅ 、ＣｄＳ 、ＣｄＳ
ｅ 、ＣｄＴｅがおる０ また、本発明の他の実施例としてＳｉ基板の表面にｐｎ
接合を設けた場合も同様の効果がある。
ｅ 、ＣｄＴｅがおる０ また、本発明の他の実施例としてＳｉ基板の表面にｐｎ
接合を設けた場合も同様の効果がある。
従って、ＧａＡｓ層（又はＩｎＰ層）にｐｎ接合を構け
、且つ、Ｓｉ基板表面にｐｎ接合を有するタンデム型太
陽電池を構成することにより特性の優れた太陽電池を得
ることが出来る。
、且つ、Ｓｉ基板表面にｐｎ接合を有するタンデム型太
陽電池を構成することにより特性の優れた太陽電池を得
ることが出来る。
〈発明の効果〉
以上のように本発明により、低価格のＳｉ基板上に成長
したＧａＡｓ層又はＩｎＰ層等の化合物半導体表面の転
位密度ＥＰＤを≦１０３ｃＩ＋＋−２に低減することが
可能となり、低価格のＳｉ基板上に高品位な化合物半導
体を成長することが出来るので、低価格化合物半導体を
提供することが出来る。
したＧａＡｓ層又はＩｎＰ層等の化合物半導体表面の転
位密度ＥＰＤを≦１０３ｃＩ＋＋−２に低減することが
可能となり、低価格のＳｉ基板上に高品位な化合物半導
体を成長することが出来るので、低価格化合物半導体を
提供することが出来る。
第１図は本発明の一実施例装置の構造を示す断面図、第
２図及び第３図はそれぞれ、従来の方法により、Ｓｉ基
板上に成長したＧａＡｓ層内の転位を説明する図、第４
図はＧａＡｓ層内に介挿したＩｎＧａＡｓ層により、第
１種の転位の伝播を抑制することを説明する図、第５図
は内部応力と第２種転位の密度の関係を示す図、第６図
は成長温度と内部応力の関係を示す図である。 １・・・シリコン（Ｓｌ）基板、２・・・結合力の弱い
中間層、３−ＧａＡｓ層％４−１ｎｘＧａ １−ｘＡｓ
層（Ｘ’：： ０．１５ ）、５・・−ＧａＡｓ活性層
、６・・・第１種の転位。 ７・・・第２種の転位、８・・・中間層２とＧａＡｓ層
３との界面。
２図及び第３図はそれぞれ、従来の方法により、Ｓｉ基
板上に成長したＧａＡｓ層内の転位を説明する図、第４
図はＧａＡｓ層内に介挿したＩｎＧａＡｓ層により、第
１種の転位の伝播を抑制することを説明する図、第５図
は内部応力と第２種転位の密度の関係を示す図、第６図
は成長温度と内部応力の関係を示す図である。 １・・・シリコン（Ｓｌ）基板、２・・・結合力の弱い
中間層、３−ＧａＡｓ層％４−１ｎｘＧａ １−ｘＡｓ
層（Ｘ’：： ０．１５ ）、５・・−ＧａＡｓ活性層
、６・・・第１種の転位。 ７・・・第２種の転位、８・・・中間層２とＧａＡｓ層
３との界面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｓｉ基板上に単結晶化合物半導体層を成長させた半
導体装置において、 上記単結晶化合物半導体層と上記Ｓｉ基板との間にＺｎ
Ｓｅ以外の物質よりなる化合物半導体中間層を設け、 該化合物半導体中間層を、当該中間層を構成する原子（
又はイオン）間の最大の結合エネルギーが上記単結晶化
合物半導体層を構成する原子（又はイオン）間の最大結
合エネルギーより小さい物質で構成してなることを特徴
とする半導体装置。 ２、前記単結晶化合物半導体層がＧａＡｓで構成されて
成り、前記中間層がＧａＳｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、Ｚ
ｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅのいずれ
かより構成されて成ることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置。 ３、前記単結晶化合物半導体層がＩｎＰで構成されて成
り、前記中間層がＧａＡｓ、ＡｌＳｂ、ＧａＰ、ＧａＳ
ｂ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＺｎＳ、ＺｎＴｅ、ＣｄＳ、
ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅのいずれかにより構成されて成るこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置
。 ４、前記Ｓｉ基板はｐｎ接合を有してなることを特徴と
する特許請求の範囲第１項、第２項もしくは第３項記載
の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1654887A JPS63184320A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1654887A JPS63184320A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63184320A true JPS63184320A (ja) | 1988-07-29 |
Family
ID=11919323
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1654887A Pending JPS63184320A (ja) | 1987-01-27 | 1987-01-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63184320A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5183778A (en) * | 1989-11-20 | 1993-02-02 | Fujitsu Limited | Method of producing a semiconductor device |
| US5834362A (en) * | 1994-12-14 | 1998-11-10 | Fujitsu Limited | Method of making a device having a heteroepitaxial substrate |
| US6188090B1 (en) | 1995-08-31 | 2001-02-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a heteroepitaxial substrate |
| JP2011518443A (ja) * | 2008-06-19 | 2011-06-23 | インテル・コーポレーション | シリコン上にバッファ層構造を形成する方法および当該方法により形成された構造 |
-
1987
- 1987-01-27 JP JP1654887A patent/JPS63184320A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5183778A (en) * | 1989-11-20 | 1993-02-02 | Fujitsu Limited | Method of producing a semiconductor device |
| US5834362A (en) * | 1994-12-14 | 1998-11-10 | Fujitsu Limited | Method of making a device having a heteroepitaxial substrate |
| US6188090B1 (en) | 1995-08-31 | 2001-02-13 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having a heteroepitaxial substrate |
| JP2011518443A (ja) * | 2008-06-19 | 2011-06-23 | インテル・コーポレーション | シリコン上にバッファ層構造を形成する方法および当該方法により形成された構造 |
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