JPH07193331A - 発光素子用ＧａＡｓ基板 - Google Patents
発光素子用ＧａＡｓ基板Info
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- JPH07193331A JPH07193331A JP33245393A JP33245393A JPH07193331A JP H07193331 A JPH07193331 A JP H07193331A JP 33245393 A JP33245393 A JP 33245393A JP 33245393 A JP33245393 A JP 33245393A JP H07193331 A JPH07193331 A JP H07193331A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 活性層の表面欠陥密度の低い発光素子すなわ
ち発光効率が高く且つ劣化が生じにくい発光素子を安価
に得ることができる発光素子用ＧａＡｓ基板を提供す
る。 【構成】 基板上にエピタキシャル成長させた四元混晶
または三元混晶を活性層として用いる発光素子の前記基
板として使用される発光素子用ＧａＡｓ基板において、
キャリア濃度を１×１０17〜３×１０18ｃｍ-3とする。 【効果】 発光素子用ＧａＡｓ基板の上に四元混晶また
は三元混晶をエピタキシャル成長させることによって活
性層を形成した場合に、この活性層の表面欠陥密度を低
下させることができる。
ち発光効率が高く且つ劣化が生じにくい発光素子を安価
に得ることができる発光素子用ＧａＡｓ基板を提供す
る。 【構成】 基板上にエピタキシャル成長させた四元混晶
または三元混晶を活性層として用いる発光素子の前記基
板として使用される発光素子用ＧａＡｓ基板において、
キャリア濃度を１×１０17〜３×１０18ｃｍ-3とする。 【効果】 発光素子用ＧａＡｓ基板の上に四元混晶また
は三元混晶をエピタキシャル成長させることによって活
性層を形成した場合に、この活性層の表面欠陥密度を低
下させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばレーザ・ダイオ
ードや発光ダイオード等の発光素子に使用する発光素子
用ＧａＡｓ基板に関するものである。
ードや発光ダイオード等の発光素子に使用する発光素子
用ＧａＡｓ基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＧａＡｓで形成した導電性のウエ
ハが知られてる。ＧａＡｓウエハは、通常Ｓｉをドーパ
ントとして使用し、水平ブリッジマン(Horizonial Brid
geman)法等を用いて育成される。また、かかるＧａＡｓ
ウエハのキャリア濃度は、通常、７×１０17〜５×１０
18ｃｍ-3程度である。
ハが知られてる。ＧａＡｓウエハは、通常Ｓｉをドーパ
ントとして使用し、水平ブリッジマン(Horizonial Brid
geman)法等を用いて育成される。また、かかるＧａＡｓ
ウエハのキャリア濃度は、通常、７×１０17〜５×１０
18ｃｍ-3程度である。
【０００３】また、このような導電性ＧａＡｓウエハを
基板として用いた発光素子（レーザ・ダイオードや発光
ダイオード）が、検討されている。かかる発光素子で
は、導電性ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓバッファ層を形成
し、さらに、このＧａＡｓバッファ層上にヘテロ・エピ
タキシャル成長によって四元混晶または三元混晶の活性
層を形成する。ここで、四元混晶としてはＩｎＧａＡｌ
ＰやＩｎＧａＡｓＰ等が、三元混晶としてはＧａＡｌＡ
ｓやＧａＡｌＰ等が、それぞれ使用される。
基板として用いた発光素子（レーザ・ダイオードや発光
ダイオード）が、検討されている。かかる発光素子で
は、導電性ＧａＡｓ基板上にＧａＡｓバッファ層を形成
し、さらに、このＧａＡｓバッファ層上にヘテロ・エピ
タキシャル成長によって四元混晶または三元混晶の活性
層を形成する。ここで、四元混晶としてはＩｎＧａＡｌ
ＰやＩｎＧａＡｓＰ等が、三元混晶としてはＧａＡｌＡ
ｓやＧａＡｌＰ等が、それぞれ使用される。
【０００４】このような構成の発光素子においては、活
性層の表面欠陥密度を１×１０5 ｃｍ-2未満にする必要
がある。これは、活性層の表面欠陥密度が１×１０5 ｃ
ｍ-2以上となると、発光効率が悪くなってしまい、ま
た、劣化が生じやすくなるからである。
性層の表面欠陥密度を１×１０5 ｃｍ-2未満にする必要
がある。これは、活性層の表面欠陥密度が１×１０5 ｃ
ｍ-2以上となると、発光効率が悪くなってしまい、ま
た、劣化が生じやすくなるからである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の発光素子には、製造工程中に、活性層の表面
欠陥密度が高い発光素子（１×１０5 〜１×１０6 ｃｍ
-2）が突然連続して製造され始め、そして、原因不明の
まま再び表面欠陥密度の低い発光素子が突然製造され始
めるという問題があった。
うな構成の発光素子には、製造工程中に、活性層の表面
欠陥密度が高い発光素子（１×１０5 〜１×１０6 ｃｍ
-2）が突然連続して製造され始め、そして、原因不明の
まま再び表面欠陥密度の低い発光素子が突然製造され始
めるという問題があった。
【０００６】図３は、エピタキシャル成長によって活性
層を形成する際の表面欠陥密度の変化をバッチごとに示
すグラフである。同図において、縦軸は表面欠陥密度
（単位ｃｍ-2）であり、横軸はバッチ番号である。同図
からわかるように、活性層の表面欠陥密度はバッチ番号
が＃４のあたりから突然増加し、バッチ番号が＃６〜＃
７のあたりから突然減少する。そして、バッチ番号が＃
１０〜＃１１のあたりから、再度、突然増加する。
層を形成する際の表面欠陥密度の変化をバッチごとに示
すグラフである。同図において、縦軸は表面欠陥密度
（単位ｃｍ-2）であり、横軸はバッチ番号である。同図
からわかるように、活性層の表面欠陥密度はバッチ番号
が＃４のあたりから突然増加し、バッチ番号が＃６〜＃
７のあたりから突然減少する。そして、バッチ番号が＃
１０〜＃１１のあたりから、再度、突然増加する。
【０００７】これに対して、本願発明者は、活性層をエ
ピタキシャル成長させる際の成長温度、キャリアガス流
量等の成長条件を適当に設定することにより、表面欠陥
密度の低下および安定化を図ることを試みたが、これら
の設定条件の変更によっては表面欠陥密度の低下や安定
化を図ることはできなかった。
ピタキシャル成長させる際の成長温度、キャリアガス流
量等の成長条件を適当に設定することにより、表面欠陥
密度の低下および安定化を図ることを試みたが、これら
の設定条件の変更によっては表面欠陥密度の低下や安定
化を図ることはできなかった。
【０００８】また、本願発明者は、表面欠陥密度が突然
増加する原因が導電性ＧａＡｓ基板にあるのではないか
と考え、この導電性ＧａＡｓ基板の作製に使用するＧａ
Ａｓウエハとしてエッチピット濃度(Etch Pits Densit
y) の低いものを使用したり、研磨加工を再度行ったも
のを使用したりすることを試みたが、いずれも表面欠陥
密度の低下や安定化を図ることはできなかった。
増加する原因が導電性ＧａＡｓ基板にあるのではないか
と考え、この導電性ＧａＡｓ基板の作製に使用するＧａ
Ａｓウエハとしてエッチピット濃度(Etch Pits Densit
y) の低いものを使用したり、研磨加工を再度行ったも
のを使用したりすることを試みたが、いずれも表面欠陥
密度の低下や安定化を図ることはできなかった。
【０００９】このため、従来は、発光効率が高く且つ劣
化が生じにくい発光素子を得ようとすると、製造歩留ま
りが非常に悪くなり、製造コストが上昇する原因となっ
ていた。
化が生じにくい発光素子を得ようとすると、製造歩留ま
りが非常に悪くなり、製造コストが上昇する原因となっ
ていた。
【００１０】本発明は、このような従来技術の欠点に鑑
みてなされたものであり、活性層の表面欠陥密度の低い
発光素子、すなわち発光効率が高く且つ劣化が生じにく
い発光素子を安価に得ることができる発光素子用ＧａＡ
ｓ基板を提供することを目的とする。
みてなされたものであり、活性層の表面欠陥密度の低い
発光素子、すなわち発光効率が高く且つ劣化が生じにく
い発光素子を安価に得ることができる発光素子用ＧａＡ
ｓ基板を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明に係わる発光素子
用ＧａＡｓ基板は、基板上にエピタキシャル成長させた
四元混晶または三元混晶を活性層として用いる発光素子
の前記基板として使用される発光素子用ＧａＡｓ基板に
おいて、キャリア濃度を１×１０17〜３×１０18ｃｍ-3
としたことを特徴とする。
用ＧａＡｓ基板は、基板上にエピタキシャル成長させた
四元混晶または三元混晶を活性層として用いる発光素子
の前記基板として使用される発光素子用ＧａＡｓ基板に
おいて、キャリア濃度を１×１０17〜３×１０18ｃｍ-3
としたことを特徴とする。
【００１２】
【作用】本発明者が検討した結果によれば、発光素子用
ＧａＡｓ基板のキャリア濃度を３×１０18ｃｍ-3以下と
することにより、この発光素子用ＧａＡｓ基板の上に四
元混晶または三元混晶をエピタキシャル成長させること
によって形成された活性層の表面欠陥密度を低下させる
ことができる。
ＧａＡｓ基板のキャリア濃度を３×１０18ｃｍ-3以下と
することにより、この発光素子用ＧａＡｓ基板の上に四
元混晶または三元混晶をエピタキシャル成長させること
によって形成された活性層の表面欠陥密度を低下させる
ことができる。
【００１３】また、活性層の電気抵抗を十分に低く抑え
るためには、発光素子用ＧａＡｓ基板のキャリア濃度は
１×１０17ｃｍ-3以上であることが望ましい。
るためには、発光素子用ＧａＡｓ基板のキャリア濃度は
１×１０17ｃｍ-3以上であることが望ましい。
【００１４】したがって、発光効率が高く且つ劣化が生
じにくい発光素子を提供するためには、発光素子用Ｇａ
Ａｓ基板のキャリア濃度は１×１０17〜３×１０18ｃｍ
-3とするのが最適である。
じにくい発光素子を提供するためには、発光素子用Ｇａ
Ａｓ基板のキャリア濃度は１×１０17〜３×１０18ｃｍ
-3とするのが最適である。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の一実施例に係わる発光素子に
ついて、従来の発光素子と比較しつつ説明する。
ついて、従来の発光素子と比較しつつ説明する。
【００１６】最初に、以下のようにして、本実施例に係
わる発光素子および従来の発光素子に相当するサンプル
を作製した。 まず、インゴットヘッドのｎ型キャリア濃度が７×１
０17ｃｍ-3となるようにＳｉドーパントを調合し、水平
ブリッジマン法を用いて単結晶インゴットを作製した。
このとき、ＧａＡｓ単結晶のｎ型キャリア濃度は、イン
ゴットヘッド部に近い部分ほど低くなり、テイル部に近
い部分ほど高くなる。 そして、この単結晶インゴットの固化率が０．１〜
０．８までの部位からウエハを切り出し、複数枚の導電
性ＧａＡｓウエハを得た。このようにして得られた導電
性ＧａＡｓウエハのキャリア濃度をＶＤＰ法により測定
したところ、キャリア濃度のばらつきは７×１０17〜５
×１０18ｃｍ-3であった。また、このときのエッチピッ
ト濃度は、平均で１×１０4 ｃｍ-2以下とした。 次に、これらの導電性ＧａＡｓウエハ上に、それぞ
れ、ＧａＡｓバッファ層をエピタキシャル成長させた。
このときの成長条件は、温度６５０℃、ガス圧１００To
rr、Ｖ族／III 族比１００とした。 その後、ＩｎＧａＡｌＰ層およびＧａＡｌＡｓ層（発
光素子の活性層に相当する）を、それぞれＭＯＣＶＤ法
を用いてエピタキシャル成長させた。このとき、これら
の層の厚さは、ともに３μｍとした。 続いて、インゴットヘッドのｎ型キャリア濃度が１×
１０18ｃｍ-3となるようにＳｉドーパントを調合した場
合について、〜と同様の工程を行った。
わる発光素子および従来の発光素子に相当するサンプル
を作製した。 まず、インゴットヘッドのｎ型キャリア濃度が７×１
０17ｃｍ-3となるようにＳｉドーパントを調合し、水平
ブリッジマン法を用いて単結晶インゴットを作製した。
このとき、ＧａＡｓ単結晶のｎ型キャリア濃度は、イン
ゴットヘッド部に近い部分ほど低くなり、テイル部に近
い部分ほど高くなる。 そして、この単結晶インゴットの固化率が０．１〜
０．８までの部位からウエハを切り出し、複数枚の導電
性ＧａＡｓウエハを得た。このようにして得られた導電
性ＧａＡｓウエハのキャリア濃度をＶＤＰ法により測定
したところ、キャリア濃度のばらつきは７×１０17〜５
×１０18ｃｍ-3であった。また、このときのエッチピッ
ト濃度は、平均で１×１０4 ｃｍ-2以下とした。 次に、これらの導電性ＧａＡｓウエハ上に、それぞ
れ、ＧａＡｓバッファ層をエピタキシャル成長させた。
このときの成長条件は、温度６５０℃、ガス圧１００To
rr、Ｖ族／III 族比１００とした。 その後、ＩｎＧａＡｌＰ層およびＧａＡｌＡｓ層（発
光素子の活性層に相当する）を、それぞれＭＯＣＶＤ法
を用いてエピタキシャル成長させた。このとき、これら
の層の厚さは、ともに３μｍとした。 続いて、インゴットヘッドのｎ型キャリア濃度が１×
１０18ｃｍ-3となるようにＳｉドーパントを調合した場
合について、〜と同様の工程を行った。
【００１７】そして、各ウエハの表面を２００倍の微分
干渉顕微鏡で観察し、表面欠陥密度を調べた。
干渉顕微鏡で観察し、表面欠陥密度を調べた。
【００１８】図１は、導電性ＧａＡｓウエハのキャリア
濃度と表面欠陥密度との関係を示すグラフである。図１
からわかるように、活性層の表面欠陥密度は、キャリア
濃度３×１０18ｃｍ-3を境にして大きく変化した。すな
わち、表面欠陥密度は、キャリア濃度が３×１０18ｃｍ
-3以下の場合は１×１０3 〜１×１０4 個／ｃｍ2 程度
であるが、キャリア濃度が３×１０18ｃｍ-3を越えると
急激に増加して、１×１０5 〜１×１０6 個／ｃｍ2 と
なった。
濃度と表面欠陥密度との関係を示すグラフである。図１
からわかるように、活性層の表面欠陥密度は、キャリア
濃度３×１０18ｃｍ-3を境にして大きく変化した。すな
わち、表面欠陥密度は、キャリア濃度が３×１０18ｃｍ
-3以下の場合は１×１０3 〜１×１０4 個／ｃｍ2 程度
であるが、キャリア濃度が３×１０18ｃｍ-3を越えると
急激に増加して、１×１０5 〜１×１０6 個／ｃｍ2 と
なった。
【００１９】また、同図において、白丸で示した測定点
はインゴットヘッドのｎ型キャリア濃度が１×１０18ｃ
ｍ-3となるようにＳｉドーパントを調合した単結晶イン
ゴットのものであり、黒丸で示した測定点はインゴット
ヘッドのｎ型キャリア濃度が７×１０17ｃｍ-3となるよ
うにＳｉドーパントを調合した単結晶インゴットのもの
である。両者の比較により、表面欠陥の異常発生（表面
欠陥密度が１×１０5〜１×１０6 個／ｃｍ2 の場合）
がインゴットヘッドのキャリア濃度ではなく、ウエハ自
身のキャリア濃度によるものであることが明らかになっ
た。
はインゴットヘッドのｎ型キャリア濃度が１×１０18ｃ
ｍ-3となるようにＳｉドーパントを調合した単結晶イン
ゴットのものであり、黒丸で示した測定点はインゴット
ヘッドのｎ型キャリア濃度が７×１０17ｃｍ-3となるよ
うにＳｉドーパントを調合した単結晶インゴットのもの
である。両者の比較により、表面欠陥の異常発生（表面
欠陥密度が１×１０5〜１×１０6 個／ｃｍ2 の場合）
がインゴットヘッドのキャリア濃度ではなく、ウエハ自
身のキャリア濃度によるものであることが明らかになっ
た。
【００２０】図２は、本実施例に係わるウエハを用いた
発光素子（すなわち、キャリア濃度が３×１０18ｃｍ-3
以下の導電性ＧａＡｓウエハを基板として用いた発光素
子）の表面欠陥密度の変化をバッチごとに示すグラフで
あり、従来例の図３に対応するものである。同図からわ
かるように、本実施例によれば、表面欠陥密度のバッチ
ごとの変動を非常に小さくすることができた。
発光素子（すなわち、キャリア濃度が３×１０18ｃｍ-3
以下の導電性ＧａＡｓウエハを基板として用いた発光素
子）の表面欠陥密度の変化をバッチごとに示すグラフで
あり、従来例の図３に対応するものである。同図からわ
かるように、本実施例によれば、表面欠陥密度のバッチ
ごとの変動を非常に小さくすることができた。
【００２１】また、本願発明者が行った実験によれば、
この表面欠陥密度は、エッチピット濃度には依存しない
ことが判明した。さらに、上述したような水平ブリッジ
マン法を用いて作製した導電性ＧａＡｓウエハを複数の
ウエハメーカーから購入して工程，を施し、キャリ
ア濃度と表面欠陥密度との関係を調べたところ、図１と
同様の結果を得た。ただし、キャリア濃度が３×１０18
ｃｍ-3を越える場合については、各メーカーによってキ
ャリア濃度の表面欠陥密度との関係に差異があった。
この表面欠陥密度は、エッチピット濃度には依存しない
ことが判明した。さらに、上述したような水平ブリッジ
マン法を用いて作製した導電性ＧａＡｓウエハを複数の
ウエハメーカーから購入して工程，を施し、キャリ
ア濃度と表面欠陥密度との関係を調べたところ、図１と
同様の結果を得た。ただし、キャリア濃度が３×１０18
ｃｍ-3を越える場合については、各メーカーによってキ
ャリア濃度の表面欠陥密度との関係に差異があった。
【００２２】これにより、表面欠陥密度は導電性ＧａＡ
ｓウエハのキャリア濃度のみに依存し、ウエハ製造時の
他の条件には依存しないことが確認された。
ｓウエハのキャリア濃度のみに依存し、ウエハ製造時の
他の条件には依存しないことが確認された。
【００２３】続いて、他の三元混晶および四元混晶を用
いて活性層を形成する場合について、これと同様の実験
を行った。その結果、導電性ＧａＡｓウエハのキャリア
濃度と表面欠陥密度との関係は、図１と同様であった。
また、インゴットヘッドのキャリア濃度、エッチピット
濃度には依存せず、いずれのウエハメーカーから購入し
たものも同じ結果が得られた。
いて活性層を形成する場合について、これと同様の実験
を行った。その結果、導電性ＧａＡｓウエハのキャリア
濃度と表面欠陥密度との関係は、図１と同様であった。
また、インゴットヘッドのキャリア濃度、エッチピット
濃度には依存せず、いずれのウエハメーカーから購入し
たものも同じ結果が得られた。
【００２４】加えて、ドーパントとしてＴｅやＺｎを使
用した場合についても同様の実験を行ったが、導電性Ｇ
ａＡｓウエハのキャリア濃度と表面欠陥密度との関係は
図１と同様であり、インゴットヘッドのキャリア濃度、
エッチピット濃度には依存せず、また、いずれのウエハ
メーカーから購入したものも同じ結果が得られた。
用した場合についても同様の実験を行ったが、導電性Ｇ
ａＡｓウエハのキャリア濃度と表面欠陥密度との関係は
図１と同様であり、インゴットヘッドのキャリア濃度、
エッチピット濃度には依存せず、また、いずれのウエハ
メーカーから購入したものも同じ結果が得られた。
【００２５】さらに、導電性ＧａＡｓウエハを液体封止
(Liquid Encapsulation)法を用いて作製した場合につい
て、同様の実験を行った。その結果、導電性ＧａＡｓウ
エハのキャリア濃度と表面欠陥密度との関係は、図１に
しめした水平ブリッジマン法の場合と同様であった。ま
た、インゴットヘッドのキャリア濃度には依存せず、い
ずれのウエハメーカーから購入したものも同し結果が得
られた。さらに、この場合には、ウエハ間のエッチピッ
ト濃度のばらつきが１×１０3 〜５×１０4 であった
が、表面欠陥密度の依存性はなかった。
(Liquid Encapsulation)法を用いて作製した場合につい
て、同様の実験を行った。その結果、導電性ＧａＡｓウ
エハのキャリア濃度と表面欠陥密度との関係は、図１に
しめした水平ブリッジマン法の場合と同様であった。ま
た、インゴットヘッドのキャリア濃度には依存せず、い
ずれのウエハメーカーから購入したものも同し結果が得
られた。さらに、この場合には、ウエハ間のエッチピッ
ト濃度のばらつきが１×１０3 〜５×１０4 であった
が、表面欠陥密度の依存性はなかった。
【００２６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、活性層の表面欠陥密度の低い発光素子、すなわち
発光効率が高く且つ劣化が生じにくい発光素子を安価に
得ることができる発光素子用ＧａＡｓ基板を提供でき
る。
れば、活性層の表面欠陥密度の低い発光素子、すなわち
発光効率が高く且つ劣化が生じにくい発光素子を安価に
得ることができる発光素子用ＧａＡｓ基板を提供でき
る。
【図１】発光素子用ＧａＡｓウエハのキャリア濃度と表
面欠陥密度との関係を示すグラフである。
面欠陥密度との関係を示すグラフである。
【図２】本実施例に係わるＧａＡｓ基板を用いた発光素
子の表面欠陥密度の変化をバッチごとに示すグラフであ
る。
子の表面欠陥密度の変化をバッチごとに示すグラフであ
る。
【図３】従来のＧａＡｓ基板を用いた発光素子の表面欠
陥密度の変化をバッチごとに示すグラフである。
陥密度の変化をバッチごとに示すグラフである。
Claims (2)
- 【請求項１】基板上にエピタキシャル成長させた四元混
晶または三元混晶を活性層として用いる発光素子の前記
基板として使用される発光素子用ＧａＡｓ基板におい
て、 キャリア濃度を１×１０17〜３×１０18ｃｍ-3としたこ
とを特徴とする発光素子用ＧａＡｓ基板。 - 【請求項２】Ｓｉをドーパントとしたｎ型導電性ＧａＡ
ｓ基板であることを特徴とする請求項１記載の発光素子
用ＧａＡｓ基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33245393A JPH07193331A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 発光素子用ＧａＡｓ基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33245393A JPH07193331A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 発光素子用ＧａＡｓ基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07193331A true JPH07193331A (ja) | 1995-07-28 |
Family
ID=18255153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33245393A Pending JPH07193331A (ja) | 1993-12-27 | 1993-12-27 | 発光素子用ＧａＡｓ基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07193331A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7492803B2 (en) | 2005-06-10 | 2009-02-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fiber-coupled single photon source |
| US8552533B2 (en) | 2007-09-12 | 2013-10-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | Compound semiconductor substrate and method for manufacturing the same |
-
1993
- 1993-12-27 JP JP33245393A patent/JPH07193331A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7492803B2 (en) | 2005-06-10 | 2009-02-17 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fiber-coupled single photon source |
| US8552533B2 (en) | 2007-09-12 | 2013-10-08 | Asahi Kasei Emd Corporation | Compound semiconductor substrate and method for manufacturing the same |
| EP3029716A1 (en) | 2007-09-12 | 2016-06-08 | Asahi Kasei EMD Corporation | Process for producing compound semiconductor substrate and semiconductor device |
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