JP2004345887A - 化合物半導体単結晶の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法により、連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の化合物半導体単結晶を歩留良く育成する。
【解決手段】結晶成長容器3内の最下部に種結晶6を、その上部に原料融液4を配置し、結晶成長容器3内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる縦型成長法による化合物半導体単結晶の製造方法において、種結晶6の溶解速度を0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲に設定し、種結晶を溶解する時の熱ショックを抑制する。
【選択図】 図1
【解決手段】結晶成長容器3内の最下部に種結晶6を、その上部に原料融液4を配置し、結晶成長容器3内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる縦型成長法による化合物半導体単結晶の製造方法において、種結晶6の溶解速度を0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲に設定し、種結晶を溶解する時の熱ショックを抑制する。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶成長容器内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる縦型成長法、すなわち垂直ブリッジマン法(VB法)又は垂直温度勾配凝固法(VGF法)による化合物半導体結晶の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
Siの単結晶の製造技術にはチョクラルスキー法がある。このチョクラルスキー法において、ネッキング法を用いることにより、現在Siの無転位結晶が得られている。
【0003】
ネッキング法とは、種結晶から伝播する転位や、種付け時の熱ショック等で発生する転位が引き上げ方向に対して斜めに伝播することを利用して、種付け作業時に結晶を直径2〜3mm程度にまで細く絞ることによって固液界面形状が融液に対して凸になり、転位は界面に垂直に伸びるので、この細く絞った部分で転位を結晶の表面に逃がして、それ以降に成長する結晶に転位が伝播するのを防ぐ方法である。
【0004】
III−V族化合物半導体単結晶の製造方法には、融液が分解するのを防ぐために液体封止材を用いる液体封止引上法(LEC法)がある。LEC法では、成長中の高温下では、結晶からV族が解離するという問題があるため、液体封止材から露出する部分の温度をある温度以下にしなければならない。そのため、結晶成長界面近傍の温度勾配が大きくなり、熱応力による転位が細くしぼった箇所以降に発生してしまうため、低転位結晶にならない。
【0005】
一方、近年では、直径φ3インチを超える大型で、しかも転位密度の低い化合物半導体単結晶が得られる方法として、液体封止引上法に代わって、半導体原料融液を結晶成長容器内に収納し、結晶成長容器の底部に予め配置した種結晶より徐々に上方に固化させることにより単結晶を成長する縦型成長法、すなわち垂直ブリッジマン法(VB法)や垂直温度勾配凝固法(VGF法)が注目されている。垂直ブリッジマン法も垂直温度勾配凝固法も、結晶成長容器内の最下部に種結晶を、その上部に原料融液を配置し、結晶成長容器内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる点で共通する。ただし、垂直ブリッジマン法(VB法)では成長容器を相対的に降下させて成長させるのに対し、垂直温度勾配凝固法(VGF法)では温度降下のみで成長させる点で、両者に違いがある。垂直ブリッジマン法および垂直温度勾配凝固法では、いずれも成長中の結晶からのV族の解離を防止できるため、LEC法に比べて低温度勾配下で成長が可能となり、熱応力が低減されて、転位密度が大幅に低減した化合物半導体単結晶を製造することができる。
【0006】
しかし、垂直ブリッジマン法および垂直温度勾配凝固法での低温度勾配下での成長によっても、種付け部近傍より育成結晶中に転位が伝播してしまい、無転位もしくは極低転位密度の単結晶を得ることは困難であった。そこで、Si単結晶の製造技術で用いられているネッキング法に類似した考えで、連通細管を有する挿入部品を、種結晶載置部に配置することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0007】
この特許文献1の技術は、具体的には、図2に示すように、成長用容器12の種結晶載置部にGaAs種結晶11をセットし、その上に蛇行した連通細管を有する焼結窒化ホウ素製の挿入部品13を載置するものであり、これによって、種付け部近傍より伝播する転位が遮蔽されて、無転位もしくは極低転位密度の単結晶が得られるようになるとされている。なお、14は育成結晶、18は原料である。
【0008】
【特許文献1】
特開平6−298588号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1のような技術による場合、連通細管と種結晶載置部の隙間が常に適正でないと、隙間に原料融液が流れ込み、種結晶からの成長よりも先に隙間に流れ込んだ融液から固化することにより、多結晶化する恐れがある。
【0010】
そこで、本発明の目的は、垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法において、上記連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の単結晶を歩留良く育成する化合物半導体結晶の製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【0012】
請求項1の発明に係る化合物半導体単結晶の製造方法は、結晶成長容器内の最下部に種結晶を、その上部に原料融液を配置し、結晶成長容器内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる縦型成長法による化合物半導体単結晶の製造方法において、種結晶の溶解速度を0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲に設定することを特徴とする。
【0013】
請求項2の発明は、請求項1記載の化合物半導体単結晶の製造方法において、固液界面の温度勾配を所定値(例えば約5℃/cm)に保持しながら、種結晶の溶解速度が0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲となるように炉内温度を昇温させてから、種付けを行うことを特徴とする。
【0014】
請求項3の発明は、請求項1又は2記載の化合物半導体単結晶の製造方法において、前記化合物半導体単結晶がGaAs単結晶であることを特徴とする。
【0015】
<発明の要点>
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、種付部近傍に発生し伝播する転位の多くは、種結晶を溶解する時の熱ショックであることを発見した。その熱ショックを抑制することで、種付部近傍から発生し伝播する転位を少なくできることを見出し、本発明に到達した。
【0016】
すなわち、本発明は、結晶成長容器内の最下部に種結晶を、その上部に原料融液を配置し、結晶成長容器内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる縦型成長法、すなわち垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法による化合物半導体単結晶の製造方法において、種結晶の溶解速度を0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲にするものであり、本発明のこの範囲に種結晶の溶解速度を設定するだけで、種結晶を溶解する時の熱ショックを抑制して、種付部近傍に発生する転位を少なくすることができ、低転位密度の単結晶を歩留良く製造することができる。
【0017】
上記種結晶の溶解速度の設定は、固液界面の温度勾配を所定値(例えば約5℃/cm)に保持しながら、種結晶の溶解速度が0.5mm/hr〜3.0mm/hrの範囲となるように炉内温度を昇温させることで行い、その後に種付けを実施する。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【0019】
図1に示す化合物半導体単結晶の製造装置は、チャンバ1内の不活性ガス2中でグラファイト製加熱手段(ヒーター8、9)で加熱処理する成長炉として構成されている。結晶成長容器としては、下部に形成した直径が小さい円形の種結晶収容部たる種結晶部3aと、これに続く上方に徐々に直径が増大する増径部(断面積増大部)3bと、これに続く円形の直径が大きくほぼ一定の直胴部(結晶育成部)3cとを有するPBN製るつぼ3が用いられる。
【0020】
[実施例1]
この図1の装置を用いて化合物半導体単結晶の一つであるGaAs単結晶を育成した。
【0021】
PBN製るつぼ3に、GaAs多結晶原料4を6100gと、n型ドーパントとしてSiを1.4gと、液体封止材である三酸化ホウ素(B2O3)5を400gと、種結晶6とを収容した。その後、グラファイト製結晶受け台7に載せた状態で、炉内にPBN製るつぼ3をセットする。セット完了後、炉内を真空引きし、不活性ガスで置換し、下部ヒーター8と上部ヒーター9により昇温して、固液界面の温度勾配が所定値の約5℃/cmとなるように多結晶原料をのみ完全に融解した。
【0022】
その後、固液界面の温度勾配を所定値の約5℃/cmに保持しながら、種結晶6の溶解速度が3.0mm/hrとなるように炉内温度を昇温させてから、種付けを行った。種付け後、PBN製るつぼ3を2.0mm/hrの速度で下方に移動して結晶成長を行った。
【0023】
この方法で、直径φ3インチ、結晶長200mmの全長単結晶が得られた。
【0024】
上記のようにして得られた単結晶の定径部(直胴部3cに対応する部分)の種側、中央部および尾部側より(001)面のウェハを切りだし、溶融KOHエッチングにより転位密度の評価を行った所、全ての試料において平均500個/cm2であった。
【0025】
また、上記のようにして得られた単結晶の溶解した種結晶部より(001)面のウェハを切りだして、同様に転位密度の評価を行った所、平均500個/cm2以下であった。
【0026】
また、同じ条件で20回成長を行った結果、単結晶歩留は80%以上であった。
【0027】
[実施例2、3]
種結晶の溶解速度が0.5mm/hr(実施例2)、2.0mm/hr(実施例3)となるように炉内温度を昇温させてから、種付けを行った以外は、上記実施例1と同様な条件でGaAs単結晶の成長を行った。成長を行った単結晶について、上記実施例1と同様に、定径部の種側、中央部および尾部側より(001)面のウェハを切りだし、溶融KOHエッチングにより転位密度の評価を行った所、全ての試料において平均500個/cm2以下であった。
【0028】
また、同じ条件で20回の成長を行った結果、単結晶歩留は80%以上であった。
【0029】
上記実施例1〜実施例3では、GaAsの単結晶成長について述べたが、GaAsの他に、例えばInP、GaP等の化合物半導体単結晶成長に応用することも可能である。
【0030】
[比較例1]
種結晶の溶解速度を3.0mm/hrより大きくした以外は、上記実施例1と同様な条件でGaAs単結晶の成長を行った。成長を行った単結晶について、上記実施例1と同様に、定径部の種側、中央部および尾部側より(001)面のウェハを切りだし、溶融KOHエッチングにより転位密度の評価を行った所、平均500個/cm2以上であった。
【0031】
また、同じ条件で20回成長を行った結果、単結晶歩留は70%と上記実施例1より低下した。
【0032】
[比較例2]
種結晶の溶解速度を0.5mm/hrより小さくした以外は、上記(実施例1)と同様な条件でGaAs単結晶の成長を行った。成長を行った単結晶について、上記(実施例1)と同様に、定径部の種側、中央部および尾部側より(001)面のウェハを切りだし、溶融KOHエッチングにより転位密度の評価を行った所、全ての試料において平均500個/cm2以下であったが、種結晶の溶解時間が60時間以上と上記(実施例1)の溶解時間の10時間より非常に長くなり、経済性が悪くなった。
【0033】
以上の実施例1〜3及び比較例1、2より、種結晶の溶解速度を0.5mm/hr〜3.0mm/hrの範囲に設定すると、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の単結晶を歩留良く製造することが判る。
【0034】
上述の実施例では垂直ブリッジマン法によるGaAs単結晶について記述したが、本発明はこれに限定されるものではなく、垂直温度勾配凝固法によるGaAsやInP、GaP等の化合物半導体単結晶の成長についても適用することができ、同様の効果を得ることができる。
【0035】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、結晶成長容器内の最下部に種結晶を、その上部に原料融液を配置し、結晶成長容器内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる縦型成長法、すなわち垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法による化合物半導体単結晶の製造方法において、種結晶の溶解速度を0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲にするものであり、本発明により、この範囲に種結晶の溶解速度を設定するだけで、種結晶を溶解する時の熱ショックを抑制して、種付部近傍から発生し伝播する転位を少なくできることができ、低転位密度の単結晶を歩留良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の化合物半導体結晶の製造方法を実施した製造装置の概略図である。
【図2】従来の化合物半導体結晶製造装置における結晶成長容器の断面略図である。
【符号の説明】
3 PBN製るつぼ(結晶成長容器)
3a 種結晶部
3c 直胴部
4 GaAs多結晶原料
5 三酸化ホウ素(液体封止材)
6 種結晶
【発明の属する技術分野】
本発明は、結晶成長容器内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる縦型成長法、すなわち垂直ブリッジマン法(VB法)又は垂直温度勾配凝固法(VGF法)による化合物半導体結晶の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
Siの単結晶の製造技術にはチョクラルスキー法がある。このチョクラルスキー法において、ネッキング法を用いることにより、現在Siの無転位結晶が得られている。
【0003】
ネッキング法とは、種結晶から伝播する転位や、種付け時の熱ショック等で発生する転位が引き上げ方向に対して斜めに伝播することを利用して、種付け作業時に結晶を直径2〜3mm程度にまで細く絞ることによって固液界面形状が融液に対して凸になり、転位は界面に垂直に伸びるので、この細く絞った部分で転位を結晶の表面に逃がして、それ以降に成長する結晶に転位が伝播するのを防ぐ方法である。
【0004】
III−V族化合物半導体単結晶の製造方法には、融液が分解するのを防ぐために液体封止材を用いる液体封止引上法(LEC法)がある。LEC法では、成長中の高温下では、結晶からV族が解離するという問題があるため、液体封止材から露出する部分の温度をある温度以下にしなければならない。そのため、結晶成長界面近傍の温度勾配が大きくなり、熱応力による転位が細くしぼった箇所以降に発生してしまうため、低転位結晶にならない。
【0005】
一方、近年では、直径φ3インチを超える大型で、しかも転位密度の低い化合物半導体単結晶が得られる方法として、液体封止引上法に代わって、半導体原料融液を結晶成長容器内に収納し、結晶成長容器の底部に予め配置した種結晶より徐々に上方に固化させることにより単結晶を成長する縦型成長法、すなわち垂直ブリッジマン法(VB法)や垂直温度勾配凝固法(VGF法)が注目されている。垂直ブリッジマン法も垂直温度勾配凝固法も、結晶成長容器内の最下部に種結晶を、その上部に原料融液を配置し、結晶成長容器内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる点で共通する。ただし、垂直ブリッジマン法(VB法)では成長容器を相対的に降下させて成長させるのに対し、垂直温度勾配凝固法(VGF法)では温度降下のみで成長させる点で、両者に違いがある。垂直ブリッジマン法および垂直温度勾配凝固法では、いずれも成長中の結晶からのV族の解離を防止できるため、LEC法に比べて低温度勾配下で成長が可能となり、熱応力が低減されて、転位密度が大幅に低減した化合物半導体単結晶を製造することができる。
【0006】
しかし、垂直ブリッジマン法および垂直温度勾配凝固法での低温度勾配下での成長によっても、種付け部近傍より育成結晶中に転位が伝播してしまい、無転位もしくは極低転位密度の単結晶を得ることは困難であった。そこで、Si単結晶の製造技術で用いられているネッキング法に類似した考えで、連通細管を有する挿入部品を、種結晶載置部に配置することが提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0007】
この特許文献1の技術は、具体的には、図2に示すように、成長用容器12の種結晶載置部にGaAs種結晶11をセットし、その上に蛇行した連通細管を有する焼結窒化ホウ素製の挿入部品13を載置するものであり、これによって、種付け部近傍より伝播する転位が遮蔽されて、無転位もしくは極低転位密度の単結晶が得られるようになるとされている。なお、14は育成結晶、18は原料である。
【0008】
【特許文献1】
特開平6−298588号公報
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記特許文献1のような技術による場合、連通細管と種結晶載置部の隙間が常に適正でないと、隙間に原料融液が流れ込み、種結晶からの成長よりも先に隙間に流れ込んだ融液から固化することにより、多結晶化する恐れがある。
【0010】
そこで、本発明の目的は、垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法において、上記連通細管を用いることなしに、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の単結晶を歩留良く育成する化合物半導体結晶の製造方法を提供することにある。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成したものである。
【0012】
請求項1の発明に係る化合物半導体単結晶の製造方法は、結晶成長容器内の最下部に種結晶を、その上部に原料融液を配置し、結晶成長容器内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる縦型成長法による化合物半導体単結晶の製造方法において、種結晶の溶解速度を0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲に設定することを特徴とする。
【0013】
請求項2の発明は、請求項1記載の化合物半導体単結晶の製造方法において、固液界面の温度勾配を所定値(例えば約5℃/cm)に保持しながら、種結晶の溶解速度が0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲となるように炉内温度を昇温させてから、種付けを行うことを特徴とする。
【0014】
請求項3の発明は、請求項1又は2記載の化合物半導体単結晶の製造方法において、前記化合物半導体単結晶がGaAs単結晶であることを特徴とする。
【0015】
<発明の要点>
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、種付部近傍に発生し伝播する転位の多くは、種結晶を溶解する時の熱ショックであることを発見した。その熱ショックを抑制することで、種付部近傍から発生し伝播する転位を少なくできることを見出し、本発明に到達した。
【0016】
すなわち、本発明は、結晶成長容器内の最下部に種結晶を、その上部に原料融液を配置し、結晶成長容器内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる縦型成長法、すなわち垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法による化合物半導体単結晶の製造方法において、種結晶の溶解速度を0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲にするものであり、本発明のこの範囲に種結晶の溶解速度を設定するだけで、種結晶を溶解する時の熱ショックを抑制して、種付部近傍に発生する転位を少なくすることができ、低転位密度の単結晶を歩留良く製造することができる。
【0017】
上記種結晶の溶解速度の設定は、固液界面の温度勾配を所定値(例えば約5℃/cm)に保持しながら、種結晶の溶解速度が0.5mm/hr〜3.0mm/hrの範囲となるように炉内温度を昇温させることで行い、その後に種付けを実施する。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を図示の実施形態に基づいて説明する。
【0019】
図1に示す化合物半導体単結晶の製造装置は、チャンバ1内の不活性ガス2中でグラファイト製加熱手段(ヒーター8、9)で加熱処理する成長炉として構成されている。結晶成長容器としては、下部に形成した直径が小さい円形の種結晶収容部たる種結晶部3aと、これに続く上方に徐々に直径が増大する増径部(断面積増大部)3bと、これに続く円形の直径が大きくほぼ一定の直胴部(結晶育成部)3cとを有するPBN製るつぼ3が用いられる。
【0020】
[実施例1]
この図1の装置を用いて化合物半導体単結晶の一つであるGaAs単結晶を育成した。
【0021】
PBN製るつぼ3に、GaAs多結晶原料4を6100gと、n型ドーパントとしてSiを1.4gと、液体封止材である三酸化ホウ素(B2O3)5を400gと、種結晶6とを収容した。その後、グラファイト製結晶受け台7に載せた状態で、炉内にPBN製るつぼ3をセットする。セット完了後、炉内を真空引きし、不活性ガスで置換し、下部ヒーター8と上部ヒーター9により昇温して、固液界面の温度勾配が所定値の約5℃/cmとなるように多結晶原料をのみ完全に融解した。
【0022】
その後、固液界面の温度勾配を所定値の約5℃/cmに保持しながら、種結晶6の溶解速度が3.0mm/hrとなるように炉内温度を昇温させてから、種付けを行った。種付け後、PBN製るつぼ3を2.0mm/hrの速度で下方に移動して結晶成長を行った。
【0023】
この方法で、直径φ3インチ、結晶長200mmの全長単結晶が得られた。
【0024】
上記のようにして得られた単結晶の定径部(直胴部3cに対応する部分)の種側、中央部および尾部側より(001)面のウェハを切りだし、溶融KOHエッチングにより転位密度の評価を行った所、全ての試料において平均500個/cm2であった。
【0025】
また、上記のようにして得られた単結晶の溶解した種結晶部より(001)面のウェハを切りだして、同様に転位密度の評価を行った所、平均500個/cm2以下であった。
【0026】
また、同じ条件で20回成長を行った結果、単結晶歩留は80%以上であった。
【0027】
[実施例2、3]
種結晶の溶解速度が0.5mm/hr(実施例2)、2.0mm/hr(実施例3)となるように炉内温度を昇温させてから、種付けを行った以外は、上記実施例1と同様な条件でGaAs単結晶の成長を行った。成長を行った単結晶について、上記実施例1と同様に、定径部の種側、中央部および尾部側より(001)面のウェハを切りだし、溶融KOHエッチングにより転位密度の評価を行った所、全ての試料において平均500個/cm2以下であった。
【0028】
また、同じ条件で20回の成長を行った結果、単結晶歩留は80%以上であった。
【0029】
上記実施例1〜実施例3では、GaAsの単結晶成長について述べたが、GaAsの他に、例えばInP、GaP等の化合物半導体単結晶成長に応用することも可能である。
【0030】
[比較例1]
種結晶の溶解速度を3.0mm/hrより大きくした以外は、上記実施例1と同様な条件でGaAs単結晶の成長を行った。成長を行った単結晶について、上記実施例1と同様に、定径部の種側、中央部および尾部側より(001)面のウェハを切りだし、溶融KOHエッチングにより転位密度の評価を行った所、平均500個/cm2以上であった。
【0031】
また、同じ条件で20回成長を行った結果、単結晶歩留は70%と上記実施例1より低下した。
【0032】
[比較例2]
種結晶の溶解速度を0.5mm/hrより小さくした以外は、上記(実施例1)と同様な条件でGaAs単結晶の成長を行った。成長を行った単結晶について、上記(実施例1)と同様に、定径部の種側、中央部および尾部側より(001)面のウェハを切りだし、溶融KOHエッチングにより転位密度の評価を行った所、全ての試料において平均500個/cm2以下であったが、種結晶の溶解時間が60時間以上と上記(実施例1)の溶解時間の10時間より非常に長くなり、経済性が悪くなった。
【0033】
以上の実施例1〜3及び比較例1、2より、種結晶の溶解速度を0.5mm/hr〜3.0mm/hrの範囲に設定すると、種付部近傍に発生する転位を少なくして、低転位密度の単結晶を歩留良く製造することが判る。
【0034】
上述の実施例では垂直ブリッジマン法によるGaAs単結晶について記述したが、本発明はこれに限定されるものではなく、垂直温度勾配凝固法によるGaAsやInP、GaP等の化合物半導体単結晶の成長についても適用することができ、同様の効果を得ることができる。
【0035】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、結晶成長容器内の最下部に種結晶を、その上部に原料融液を配置し、結晶成長容器内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる縦型成長法、すなわち垂直ブリッジマン法や垂直温度勾配凝固法による化合物半導体単結晶の製造方法において、種結晶の溶解速度を0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲にするものであり、本発明により、この範囲に種結晶の溶解速度を設定するだけで、種結晶を溶解する時の熱ショックを抑制して、種付部近傍から発生し伝播する転位を少なくできることができ、低転位密度の単結晶を歩留良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の化合物半導体結晶の製造方法を実施した製造装置の概略図である。
【図2】従来の化合物半導体結晶製造装置における結晶成長容器の断面略図である。
【符号の説明】
3 PBN製るつぼ(結晶成長容器)
3a 種結晶部
3c 直胴部
4 GaAs多結晶原料
5 三酸化ホウ素(液体封止材)
6 種結晶
Claims (3)
- 結晶成長容器内の最下部に種結晶を、その上部に原料融液を配置し、結晶成長容器内で種結晶から成長を開始し、徐々に上方に向けて結晶を成長させる縦型成長法による化合物半導体単結晶の製造方法において、
種結晶の溶解速度を0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲に設定することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。 - 請求項1記載の化合物半導体単結晶の製造方法において、
固液界面の温度勾配を所定値に保持しながら、種結晶の溶解速度が0.5mm/hr以上、3.0mm/hr以下の範囲となるように炉内温度を昇温させてから、種付けを行うことを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。 - 請求項1又は2記載の化合物半導体単結晶の製造方法において、
前記化合物半導体単結晶がGaAs単結晶であることを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。
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