CN101261395B - 液晶显示器 - Google Patents

液晶显示器 Download PDF

Info

Publication number
CN101261395B
CN101261395B CN2008100955816A CN200810095581A CN101261395B CN 101261395 B CN101261395 B CN 101261395B CN 2008100955816 A CN2008100955816 A CN 2008100955816A CN 200810095581 A CN200810095581 A CN 200810095581A CN 101261395 B CN101261395 B CN 101261395B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
liquid crystal
substrate
electrode
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2008100955816A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101261395A (zh
Inventor
吉田秀史
田坂泰俊
田代国广
大室克文
镰田豪
上田一也
柴崎正和
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AU Optronics Corp
Original Assignee
Fujitsu Ltd
AU Optronics Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd, AU Optronics Corp filed Critical Fujitsu Ltd
Publication of CN101261395A publication Critical patent/CN101261395A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101261395B publication Critical patent/CN101261395B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1337Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
    • G02F1/133707Structures for producing distorted electric fields, e.g. bumps, protrusions, recesses, slits in pixel electrodes

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明涉及一种在透射和反射模式下均能显示的透反射式液晶显示器,并提供一种在透射和反射模式下均能实现高显示特性的透反射式液晶显示器。采用这样的结构,该结构包括:彼此相对设置的一对基板;密封于该对基板之间的垂直对齐型液晶层;像素区域,透射从该对基板的一个基板的侧面进入的光;以及用于反射光的具有视差校正功能的反射部分,该光已从该对基板的所述一个基板的侧面进入该像素区域,并且已被该区域透射,由此使得该光从该对基板的另一基板的侧面再次进入该像素区域。

Description

液晶显示器
本申请为申请号为2004100850939、申请日为2004年10月12日、发明名称为“液晶显示器及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器及其制造方法,特别地涉及一种在透射和反射模式下均能显示的透反射式(transflective)液晶显示器及其制造方法。
背景技术
近来,在每个像素处具有薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵液晶显示器在各个应用领域广泛地用作显示器。在这样的环境下,在反射和透射模式下均能显示的透反射式显示器已经投入使用,作为用于移动终端或笔记本型个人计算机的显示器。
图47A和47B表示按照非专利文件1中所公开的相关现有技术的透反射式液晶显示器的结构。图47A表示透反射式液晶显示器的像素结构,图47B表示沿着图47A中X-X线所得的透反射式液晶显示器的截面结构。如图47A和47B所示,像素区域划分为透射区域T和反射区域R。在TFT基板102上的反射区域R中,绝缘体(树脂层)130这样形成,使得反射区域R具有透射区域T的晶元(cell)厚度一半的晶元厚度。具有不规则表面的反射电极116形成于绝缘体130上。在相对基板104上的透射区域T的中部形成有凸起132,用于调整垂直对齐型液晶106的对齐。一对1/4波板(wave plate)120设置于构成面板(panel)外部的TFT基板102和相对基板104的各侧面上。一对偏光板122分别设置于1/4波板120外。该透反射式液晶显示器需要用于形成和图案化绝缘体130的步骤,以使反射区域R的晶元厚度小于透射区域T的晶元厚度。这造成液晶显示器的制造成本由于制造步骤复杂性增大而增加的问题。
作为解决该问题的一种方案,具有如图48所示结构的透反射式液晶显示器由申请人在日本专利申请(第2003-95329号)中提出。如图48所示,在图中水平方向延伸的多条栅极总线150彼此基本平行地形成于液晶显示器的TFT基板上。在图中垂直方向上延伸的多条漏极总线152彼此基本平行地这样形成,使得它们与栅极总线150相交,其间插置有图中未示出的绝缘膜。TFT154形成于栅极总线150与漏极总线152之间的每个交点附近。栅极总线150和漏极总线152所包围的区域构成像素区域。基本平行于栅极总线150的存储电容器总线156这样形成,使得它们基本在像素区域中部延伸穿过像素区域。存储电容器电极158形成于每个像素区域的存储电容器总线156上。
由透明导电膜所构成的像素电极形成于像素区域。像素电极具有矩形周边,并且具有小于像素区域的多个电极单元162、形成于邻接电极单元162之间的电极空白部分(切口)164、以及用于将由切口164所分隔的电极单元162彼此电连接的连接电极166。多个空隙(space)168形成于电极单元162的外围,这些空隙在与栅极总线150或漏极总线152基本平行地延伸的各侧缘上被挖切。用于为像素区域之外的区域遮光的黑色矩阵(BM)170形成于相对基板上。
在该结构中,存储电容器电极158用作反射体,并且圆形反射体172单独地形成于像素区域中。反射体172由与TFT154的栅极或源极和漏极的材料相同的材料形成,并且设置为当在垂直于基板表面的方向上观察时,它们基本重叠于电极单元162的中心。反射体172处于电漂移状态。
在该结构中,反射区域的晶元厚度与透射区域的晶元厚度相同。因此,反射区域的双折射是透射区域的折射的两倍,因为光两次穿过同一液晶层以进出晶元。因此出现问题的是,当同一电压施加到透射区域和反射区域时,在反射区域中显示黄色,而在透射区域中显示白色。抑制双折射所采取的措施是通过降低所施加的电压,在反射模式下的显示期间,减少液晶分子的倾角(tilt)。
尽管如图48所示的结构允许制造步骤比如图47A和47B所示结构的制造步骤更简单,但是它需要为透射模式下的显示和反射模式下的显示调节所施加的电压。出现的另一问题是,当外部强光在透射模式下的显示期间进入时,反射区域所反射的光的色彩会大大不同于透射区域所透射的光的色彩。
如下是相关现有技术的描述:
专利文件1:日本专利公开第JP-A-H11-183892号;
专利文件2:日本专利公开第JP-A-2002-341366号;
专利文件3:日本专利公开第JP-A-2001-166289号;
专利文件4:日本专利第3380482号;
专利文件5:日本专利公开第JP-A-S57-155582号;
专利文件6:日本专利公开第JP-A-2001-242452号;
专利文件7:日本专利公开第JP-A-2002-350853号;
专利文件8:日本专利公开第JP-A-2000-47215号;
专利文件9:日本专利公开第JP-A-2000-111902号;
专利文件10:日本专利公开第JP-A-H11-242226号;
专利文件11:日本专利公开第JP-A-H11-281972号;
非专利文件1:Asia Display/IDW’01,p.133(2001);
非专利文件2:SID 96 Digest,pp.618-621。
发明内容
本发明的目的是提供一种在反射和透射模式下均能实现高显示特性的透反射式液晶显示器及其制造方法。
上述目的通过一种液晶显示器实现,其特征在于具有:彼此相对设置的一对基板;密封于该对基板之间的液晶层;像素区域,包括反射区域和透射区域,该反射区域具有反射体,用于反射从该对基板的一基板的侧面(side)入射的光,该透射区域用于向着该对基板的该基板透射从该对基板的另一基板入射的光;用于反射光的反射部分,该光已从该对基板的该基板的侧面进入该透射区域,并且已被该透射区域透射,并且该反射部分用于使得该光从该对基板的另一基板的侧面再次进入该透射区域;以及仅形成于该像素区域的透射区域中的滤色层。
本发明使得可以提供一种在反射和透射模式下均能实现高显示特性的透反射式液晶显示器。
附图说明
图1A和1B表示用于实现本发明的第一模式下液晶显示器的结构;
图2A和2B是表示用于实现本发明的第一模式下液晶显示器结构的截面图;
图3表示按照用于实现本发明的第一模式下实施例1-1的液晶显示器结构;
图4A和4B表示按照用于实现本发明的第一模式下实施例1-1的液晶显示器的截面结构;
图5是表示计算透明树脂层最适宜厚度的处理的曲线图;
图6表示按照用于实现本发明的第一模式下实施例1-2的液晶显示器的截面结构;
图7表示按照用于实现本发明的第一模式下实施例1-2的液晶显示器改型的截面结构;
图8表示按照用于实现本发明的第一模式下实施例1-3的液晶显示器的结构;
图9A和9B表示按照用于实现本发明的第一模式下实施例1-3的液晶显示器的截面结构;
图10A和10B表示按照用于实现本发明的第一模式下实施例1-3的液晶显示器的改型;
图11表示按照用于实现本发明的第一模式下实施例1-4的液晶显示器的截面结构;
图12A和12B表示按照用于实现本发明的第一模式下实施例1-4的液晶显示器的改型;
图13表示按照用于实现本发明的第一模式下实施例1-5的液晶显示器的截面结构;
图14表示按照用于实现本发明的第一模式下实施例1-6的液晶显示器的结构;
图15A和15B表示用于实现本发明的第二模式下液晶显示器的结构;
图16是表示用于实现本发明的第二模式下液晶显示器的结构的截面图;
图17是表示用于实现本发明的第二模式下液晶显示器的结构改型的截面图;
图18表示按照用于实现本发明的第二模式下实施例2-1的液晶显示器的结构;
图19表示按照用于实现本发明的第二模式下实施例2-1的液晶显示器的结构;
图20表示按照用于实现本发明的第二模式下实施例2-1的液晶显示器的结构改型;
图21是表示按照用于实现本发明的第二模式下实施例2-2的液晶显示器结构的截面图;
图22是表示按照用于实现本发明的第二模式下实施例2-3的液晶显示器结构的截面图;
图23表示按照用于实现本发明的第二模式下实施例2-3的液晶显示器的结构;
图24是表示按照用于实现本发明的第二模式下实施例2-4的液晶显示器结构的截面图;
图25表示按照用于实现本发明的第二模式下实施例2-4的液晶显示器的结构;
图26表示按照用于实现本发明的第二模式下实施例2-4的液晶显示器的结构;
图27表示按照用于实现本发明的第二模式下实施例2-5的液晶显示器的结构;
图28是表示按照用于实现本发明的第二模式下实施例2-5的液晶显示器结构的截面图;
图29表示按照相关现有技术的反射式液晶显示器的结构;
图30A和30B表示按照相关现有技术的透反射式液晶显示器的结构;
图31表示按照相关现有技术的透反射式液晶显示器的结构;
图32表示用于实现本发明的第三模式下液晶显示器的结构;
图33A和33B是表示用于实现本发明的第三模式下液晶显示器结构的截面图;
图34表示按照用于实现本发明的第三模式下实施例3-2的液晶显示器的结构;
图35是表示按照用于实现本发明的第三模式下实施例3-2的液晶显示器结构的截面图;
图36表示按照用于实现本发明的第三模式下实施例3-3的液晶显示器的结构;
图37是表示按照用于实现本发明的第三模式下实施例3-3的液晶显示器结构的截面图;
图38A至38D表示用于实现本发明的第三模式下液晶显示器CF层的结构实例;
图39A至39C表示用于实现本发明的第三模式下液晶显示器CF层的结构实例;
图40是表示按照相关现有技术的透反射式液晶显示器结构的截面图;
图41是表示按照相关现有技术的透反射式液晶显示器结构的截面图;
图42表示用于实现本发明的第四模式下液晶显示器的基本结构;
图43表示用于实现本发明的第四模式下液晶显示器的基本结构;
图44表示按照用于实现本发明的第四模式下实施例4-1的液晶显示器的结构;
图45表示按照用于实现本发明的第四模式下实施例4-1的液晶显示器的结构;
图46A至46C表示反射板的截面结构;
图47A和47B表示按照相关现有技术的透反射式液晶显示器的结构;
图48表示透反射式液晶显示器的结构。
具体实施方式
[用于实现本发明的第一模式]
现在将参照图1A至14,描述用于实现本发明的第一模式下的液晶显示器及其制造方法。图1A表示用于实现本发明的在本模式下液晶显示器TFT基板的像素结构,图1B表示像素区域的概念图。图2A表示沿着图1A中A-A线所得的液晶显示器的截面结构,图2B表示沿着图1A中B-B线所得的液晶显示器的截面结构。如图1A至2B所示,例如是垂直对齐型的液晶6密封在彼此相对设置的TFT基板2和相对基板4之间。TFT基板2形成于玻璃基板10上,并且它具有在图1A中水平方向上延伸的栅极总线12和存储电容器总线18。例如,由氮化硅膜(SiN膜)所构成的绝缘膜30形成于栅极总线12和存储电容器总线18之上的整个基板。在图1A中垂直方向上延伸的漏极总线14形成于绝缘膜30上,漏极总线14具有由铝(Al)层50和钼(Mo)层52所构成的多层结构,该铝层具有较高的光反射率,该钼层具有较低的光反射率。保护膜32形成于漏极总线14之上的整个基板。
TFT20形成于栅极总线12和漏极总线14彼此相交的位置附近。TFT20的栅极由与栅极总线12的材料相同的材料形成。TFT的源极和漏极由与漏极总线14的材料相同的材料形成。
像素区域一般划分为三个区域,如图1B所示,它具有在形成存储电容器电极(中间电极)之处的中心部分中所设置的反射区域R与分别在图中反射区域R之上和之下所设置的两个透射区域T。由与漏极总线14的材料相同的材料所形成的反射体54形成于反射区域R中的保护膜32上。由透明导电膜比如ITO所构成的像素电极16形成于反射区域R和透射区域T中的保护膜32上。一个像素中反射区域R和透射区域T的像素电极16彼此电连接。确切地说,其中形成反射体54的区域构成反射区域R。
像素电极16经过开口电连接于反射体54,该开口通过利用蚀刻去除反射体54上的保护膜32来设置。此外,反射体54的Mo层52通过蚀刻随同保护膜32一起来去除。因此,反射体54具有反射表面55,该反射表面是由此露出的具有较高光反射率的Al层50的一部分。反射体54也起到一个存储电容器电极的作用。
相对基板4具有在至少一部分反射区域R中形成的透明树脂层(透明层)56。用于每个像素的滤色(CF)层40形成于透明树脂层56上。在形成透明树脂层56的区域中,由于CF层40的厚度小于其他区域中的厚度,所以可抑制CF层40对光的吸收,并且反射区域R比透射区域T具有更高的光透射率。由透明导电膜比如ITO所构成的公共电极42在整个基板的显示区域形成于CF层40上。透明树脂层(透明介电层)58在反射区域R中形成于公共电极42上,以在反射区域R中降低施加到液晶6的有效电压。用于控制液晶6对齐的对齐控制凸起44由树脂形成于透明树脂层58上。
现在将描述构成用于实现本发明的本模式下液晶显示器的TFT基板2的制造方法。首先,一金属层形成于玻璃基板10的整个表面上,并且被图案化以形成栅极总线12和存储电容器总线18。接着,一SiN膜形成于栅极总线12和存储电容器总线18之上的整个基板,以提供绝缘膜30。用于TFT20的有源半导体层和沟道保护膜形成于绝缘膜30上,然后,Al层50和Mo层52以列出的次序形成于整个基板上,并且被图案化以形成TFT20的源极和漏极、漏极总线14和反射体54。接着,保护膜32形成于整个源极、漏极、漏极总线14和反射体54。然后,通过蚀刻,去除TFT20的源极上的保护膜32,以形成接触孔。在用于实现本发明的本模式下,在形成接触孔的同时,通过蚀刻,去除反射体54上的保护膜32。该步骤利用融化SiN和Mo但不融化Al的蚀刻剂。因此,连同反射体54上的保护膜32一起,去除Mo层52,以露出Al层50,并且由此形成具有高反射率的反射表面50。随后,像素电极16形成于像素区域的透射区域T和反射区域R中。像素电极16通过接触孔电连接于TFT20的源极。
在用于实现本发明的本模式下,反射率通过抑制反射区域R的CF层40处的光吸收来改善。
在用于实现本发明的本模式下,基本施加于反射区域R中液晶6的电压通过形成于反射区域R中公共电极42上的透明树脂层58来降低。因此,施加于液晶6的电压在各透射区域T与反射区域R之间变化。结果,即使当透射区域T中的液晶分子非常大地倾斜时,反射区域R中的液晶分子并不会这么大地倾斜。因此,在光一次穿过的透射区域T和光两次穿过的反射区域R中实现基本相等的光学效果,并且透射率和反射率经受响应于施加电压的相似变化。因此,在透射区域T和反射区域R中基本等效地完成显示。
而且,在用于实现本发明的本模式下,形成于公共电极42上的对齐控制凸起(堆积)44具有使电场方向弯曲的功能。由于液晶分子倾向于变得垂直于电场方向,因此液晶分子会这样对齐,它们向着对齐控制凸起44倾斜。
在用于实现本发明的本模式下,反射体54由与TFT20的源极和漏极以及漏极总线14的材料相同的材料形成,并且反射体具有反射表面55,这些反射表面是具有高反射率的金属Al层50的露出部分。在图案化保护膜32以形成接触孔的同时,形成反射表面55。因此,具有高反射率的反射体55能够无需附加的制造步骤即可获得。反射体54可由与TFT20的栅极和栅极总线12的材料相同的材料形成。
而且,在用于实现本发明的本模式下,形成由ITO制成的像素电极16,以便覆盖反射表面55,并且分别形成于基板2和4上的所有电极的顶表面由ITO构成。这些基板因而电性对称,因此不容易产生图像后滞(persistence)。
现在将参照优选实施例具体地描述用于实现本发明的本模式下的液晶显示器。
(实施例1-1)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例1-1的液晶显示器。图3表示本实施例的液晶显示器的像素结构。TFT基板2的结构如图3的左侧所示,图3表示TFT基板2以及在其右侧彼此成重叠关系的相对基板4。图4A表示沿着图3中C-C线所得的截面结构,图4B表示沿着图3中D-D线所得的截面结构。如图3、4A和4B所示,一个像素区域在图3中被划分为设置于其中部的反射区域R与分别设置于图3的反射区域R之上和之下的两个透射区域T。
在透射区域T中,像素电极16形成为基本矩形的形状(例如正方形)。在像素电极16的外围,为了稳定液晶6的对齐,多个空隙60通过与栅极总线12和漏极总线14成对角地切割电极的侧缘来形成,这些空隙被图案化为微刺(microscope spine)的形式。对齐控制凸起44在透明区域T的中部的相对基板4上由光阻剂形成,这些凸起44在它们的平面结构中为菱形,并且具有从1到2μm范围的高度。
在反射区域R中,透明树脂层56在相对基板4的部分中例如由PC403或PC441(JSR公司制造)形成。形成CF层40,以覆盖透明树脂层56。反射率在形成透明树脂层56的区域中被改善,因为CF层40具有较小的厚度,因此吸收较少量的光。透明树脂层58还形成于公共电极42上,以降低基本施加于反射区域R中液晶层的电压。透明树脂层58例如也由PC403形成。透明树脂层58的厚度设定于如下将描述的从大约1到1.5μm范围中的优选厚度。对齐控制凸起44在反射区域R的中部的透明树脂层58上由光阻剂形成,该凸起在它的平面结构中为菱形,并且具有与透射区域T中的凸起相似的从1到2μm范围中的厚度。
图5是表示相对于透明树脂层58厚度的亮度/电压特性的曲线图。图5的横坐标轴表示电极16与42之间所施加的电压(V),纵坐标轴表示透射光和反射光的亮度的相对强度。如图5所示,当未形成透明树脂层58时,亮度在提供透射区域T高亮度的电压处有所减少。相反地,可以理解,当透明树脂层58形成为具有0.1到2.0μm范围中的厚度时,能够实现与透射显示相似的特性。特别地,当透明树脂层58具有1.5μm厚度时,亮度被最大化,并且能够在大约5V的施加电压处实现更接近于透射显示的特性。
反射区域R中的反射体54通过堆叠Al层50和作为上层的Mo层52来形成,该Al层由与TFT20的源极和漏极以及漏极总线14的材料相同的材料形成。反射体54具有反射表面55,该反射表面是通过去除上面Mo层52而露出的Al层50。在形成保护膜(SiN膜)32之后,在通过去除保护膜32完成用于形成连接TFT20的源极和像素电极16的接触孔34的步骤同时,通过去除Mo层52形成反射表面55。该步骤利用融化SiN和Mo但不融化Al的蚀刻剂。在形成反射表面55之后,像素电极16同时形成于反射区域R和透射区域T中。像素电极16这样形成,它覆盖反射表面55,以防止Al层50接触液晶6。
(实施例1-2)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例1-2的液晶显示器。图6表示本实施例的液晶显示器的像素截面结构。尽管在上述实施例1-1中CF层40形成于透明树脂层56上,但是在图6所示的本实施例中透明树脂层56和CF层40以相反的次序形成。具体地,在完全在CF层40的厚度方向上去除该层的一部分(例如反射区域R的中心部分)之后,在该部分上形成透明树脂层56。因此,不具有CF层40的透明区域形成于反射区域R的一部分中,以改善该部分的反射率。而且,公共电极42、用于降低施加于液晶6的有效电压的透明树脂层58、以及对齐控制凸起44相继地形成于透明树脂层56上。在本实施例中,因为透明树脂层56形成于CF层40上,所以有助于平坦化(leveling)。
图7表示本实施例的液晶显示器的结构改型。在本实施例中,在去除CF层40的一部分之后形成公共电极42。然后,在公共电极42上已经去除CF层40以形成对齐控制凸起44的区域中形成透明树脂层57。透明树脂层57既具有改善反射区域R中反射率的透明树脂层56的的功能,也具有降低施加于液晶6的有效电压的透明树脂层58的功能。结果,利用简化的工艺,能够制造具有与图6所示结构的功能相同的功能的液晶显示器。
(实施例1-3)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例1-3的液晶显示器。图8表示本实施例的液晶显示器的像素结构。图9A表示沿着图8中E-E线所得的液晶显示器的截面结构,图9B表示沿着图8中F-F线所得的液晶显示器的截面结构。在本实施例中,详述图7所示的结构,并且采取改善去除CF层40的区域的措施。首先,在TFT基板2上形成CF层40,从该CF层中已经去除将要形成反射体54的完整区域(反射区域R)。随后,公共电极42形成于CF层42上。然后,形成透明树脂层57,以填充已经去除CF层40的区域,并且对齐控制凸起44形成于透明树脂层57上。可选地,将要形成反射表面55的完整区域(在整体上小于反射区域R)可从CF层40中去除。
在本实施例的结构中,由于CF层40未形成于反射区域R中,由反射体54所反射的光将基本无色。因此,透射区域T用于反射模式下的彩色显示。已进入透射区域T的外部光从背光源的侧面部分地反射。因为光穿过CF层40,所以光被着色。通过利用穿过透射区域T的有色的(colored)反射光和穿过反射区域R的无色反射光,能够在反射模式下实现高亮度的彩色显示。
图10A表示本实施例的结构改型。如图10A所示,该改型的CF基板4具有CF层40’作为透明介电层,取代图9A所示的透明树脂层57。在同一像素中,CF层40’的色调与CF层40的色调相同。具体地,当CF层40是红色时,CF层40’也是红色;当CF层40是绿色时,CF层40’也是绿色;以及当CF层40是蓝色时,CF层40’也是蓝色。由于CF层40’设置于反射区域R中,光同样两次穿过CF层40’,即在光进入该层时和在光射出该层时。因此,所用CF层40’具有低的色纯度和淡的色彩。从而,使得透射区域T和反射区域R在显示状态下具有相同的色彩。
图10B表示本实施例的结构的另一改型。如图10B所示,与图9A所示透明树脂层相似的透明树脂层57用于该改型中,并且对CF层40进行改进。CF层40在该层的厚度方向上被部分地(halfway)去除,从而使CF层40的厚度在其关联于透明树脂层57的部分中变小,以允许色彩调整。而且,透明树脂层57的厚度被调整为使得液晶层的厚度基本一致。由于反射区域R形成有CF层40厚度较小的区域59,所以也能够对反射区域R着色。参照提供图10B所示结构的方法,利用负性抗蚀剂形成CF层40,并且利用半曝光技术,以这样的光照射该CF层关联于区域59的部分,该光的强度小于其他部分中的光强度。
(实施例1-4)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例1-4的液晶显示器。图11表示本实施例的液晶显示器的截面结构。如图11所示,透明树脂层57在本实施例中具有光散射性。具有光散射性的透明树脂层57散射已在倾斜方向上进入该层的光,并且光到达反射体54以由其反射,当光射出时再次被散射。由此,已在倾斜方向上进入的光在与该方向成直角的方向上射出显示屏。结果,能够高亮度地进行反射显示。可选地,施加到相对基板4的观察者一侧的偏光板70可具有光散射性。而且,具有光散射性的扩散胶可选地应用于偏光板70。
图12A和12B表示本实施例的改型。这些改型具有这样的结构,在该结构中,CF层40保持于反射区域R中,并且液晶层6的晶元厚度在反射区域R中变小。
在图12A所示实例中,首先,透明树脂层56形成于一部分或整个反射区域R中,并且CF层40形成于该反射区域中。CF层40在透明树脂层56上的厚度等于或小于CF层40在其他区域中的厚度。ITO所构成的公共电极42形成于该区域的顶表面上。结果,提供这样一种结构,在该结构中,反射区域R中的晶元厚度等于或小于透射区域T中的晶元厚度,并且CF层40在反射区域R中的透射率大于CF层40在透射区域T中的透射率。
在图12B所示实例中,首先形成CF层40,然后将该层图案化,以部分或完整地去除它位于反射区域R中的部分。随后,透明树脂层56形成于部分或整个反射区域R中。也就是说,透明树脂层56形成于CF层40上和一部分CF层40中(以及该部分上)。透明树脂层56的厚度被调整为使得形成透明树脂层56的区域中的晶元厚度将等于或小于透射区域T中的晶元厚度。结果,提供这样一种结构,在该结构中,反射区域R中的晶元厚度等于或小于透射区域T中的晶元厚度,并且CF层40在反射区域R中的透射率大于CF层40在透射区域T中的透射率。
(实施例1-5)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例1-5的液晶显示器。图13表示本实施例的液晶显示器的截面结构。如图13所示,在本实施例中,柱形间隔物(spacer)72通过以列出的次序堆叠三色的CF层40G、40R、40B、公共电极42、由与透明树脂层57的材料相同的材料所形成的树脂层57’、以及由与对齐控制凸起44的材料相同的材料所形成的树脂层44’来形成。由于树脂层57’和44’形成于公共电极42上,所以能够防止公共电极42与设置于TFT基板2上的像素电极16之间短路。
(实施例1-6)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例1-6的液晶显示器。图14示意地示出本实施例的液晶显示器的结构。如图14所示,棱镜板82、扩散板84和背光单元88设置于液晶显示面板80的后面,这些元件以它们与该面板的接近程度的次序列出。背光单元88具有荧光管92、设置于扩散板84后面用于引导来自荧光管92的光的导光板86、以及设置于导光板86后面并且具有高的光反射率的反射体(反射部分)90。反射体90将已经穿过液晶显示面板80的透射区域T的外部光向着观察者反射。因此,即使在CF层40未形成于反射区域R的结构中,通过利用已经穿过形成有CF层40的透射区域T的有色的反射光,能够在反射模式下进行彩色显示。特别地,通过利用具有镀银表面(银反射体)的所谓的反射体作为反射体90,能够实现高反射特性。
如上所述,用于实现本发明的本模式使得可以提供一种透反射式液晶显示器,该透反射式液晶显示器即使在反射模式下仍能够实现高亮度,并且在反射和透射模式下均能实现高显示特性。
[用于实现本发明的第二模式]
现在将参照图15至28,描述用于实现本发明的第二模式下的液晶显示器及其制造方法。
在如图1A至2B所示用于实现本发明的第一模式下液晶显示器中,反射表面55是平的。因此,反射光具有强的方向性,造成反射模式下显示的视角(viewing angle)特性的下降。而且,由于当在与显示屏成直角的方向上观察已经在倾斜于显示屏的方向上进入的外部光时的反射率很低,所以会出现在反射模式下无法获得优选的显示特性的问题。
图15A表示用于实现本发明的本模式下液晶显示器TFT基板的像素结构,其中上述问题在该结构得到解决。图15B是像素区域的概念图。图16表示沿着图15A中G-G线所得的液晶显示器的截面结构。如图15A、15B和16所示,由与TFT20的栅极的材料相同的材料所形成的存储电容器总线18具有多个凸起18a,这些凸起基本平行于例如在所示反射区域R的下部分中的漏极总线14而延伸,并且被图案化为梳状的形式。存储电容器总线18还具有多个开口,这些开口基本平行于例如在所示反射区域R的下部分中的栅极总线12而延伸。反射区域R中的存储电容器总线18用作形成不规则变化(irregularity)的图案。
绝缘膜30形成于存储电容器总线18之上的整个基板,并且反射体54形成于在反射区域R中的绝缘膜30上。按照不规则形成图案的形状的不规则变化形成于反射体54的反射表面55上,并且至少一部分反射表面55相对于基板表面有所倾斜。尽管不规则形成图案在本实例中由与TFT20的栅极的材料相同的材料形成,但是形成TFT20的a-Si层或SiN层可选地用作该图案。
图17表示用于实现本发明的本模式下液晶显示器的结构改型。如图17所示,本改型采用具有与如图16所示结构相似的结构的TFT基板2和如图12B所示结构的改型的CF基板4的组合。CF基板4上的CF层40被图案化,使得它在一部分反射区域R中被去除。CF层40的空白部分的大小被设定为等于或小于反射区域R的大小。透明树脂层56设置于CF层40和反射区域R中的空白部分上。透明树脂层56的厚度被调整为,使得反射区域R中的晶元厚度变为透射区域T中晶元厚度的一半。由ITO构成的公共电极42形成于透明树脂层56和CF层40的顶表面上。而且,对齐控制凸起(堆积(bank))45形成于公共电极42上。对齐控制凸起45形成为具有大约2μm的高度,从而它还用作间隔物。在TFT基板2上,存储电容器总线18被图案化以形成不规则形成图案,比如凸起18a或开口18b(在图17中未示出)。结果,按照不规则形成图案的形状的不规则变化形成于反射体54的反射表面55上。该结构使得可以无需在用于制造透反射式液晶显示器的普通步骤中进行任何变化而提供具有最高等级显示质量的透反射式液晶显示器。
在用于实现本发明的本模式中,至少反射体54的一部分反射表面55能够形成为倾斜于基板表面。因此,已在倾斜于显示屏的方向上进入的外部光能够在与显示屏成直角的方向上被反射。这可改进反射率和视角特性。
现在将参照其实施例,具体地描述用于实现本发明的本模式下的液晶显示器及其制造方法。
(实施例2-1)
首先,将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例2-1的液晶显示器。图18表示本实施例的液晶显示器的像素结构。如图18所示,在像素区域中部的反射区域R中,在形成TFT20的栅极和存储电容器总线18的同时,两个不规则形成图案62形成于存储电容器总线18的两侧上,这些图案由与该栅极和存储电容器总线18的材料相同的材料形成。不规则形成图案62和存储电容器总线18具有在它们之间所留下的预定间隙(由符号*表示),以使它们彼此电性隔离。也就是说,不规则形成图案62处于电漂移状态。不规则形成图案62形成有基本矩形的轮廓,并且它们具有多个圆形开口64。
图19表示本实施例的液晶显示器的结构改型。如图19所示,在像素区域中部的反射区域R中,用于形成不规则变化的多个圆形图案62由与TFT20的栅极的材料相同的材料形成。多个不规则形成图案62与存储电容器总线18电性隔离,并且处于电漂移状态。
图20表示本实施例的液晶显示器另一改型的主要部分的结构。在本该型中,形成具有与图19中结构相似的结构的多个独立不规则形成图案62d。具有与图18中结构相似的结构的多个开口62e形成于一部分存储电容器总线18中。被图案化以形成开口62e的存储电容器总线18的区域还用作不规则形成图案。为了保持存储电容器总线18的阻抗恒定,被图案化以形成开口62e的存储电容器总线18的区域的宽度18d大于存储电容器总线18在其他区域中的宽度18c。而且,为了防止干涉,每个不规则形成图案62d和开口62e不规则地对齐。由于即使在存储电容器总线18之上的区域中,不规则变化仍能这样形成于反射体54的表面上,所以能够在反射模式下以更高亮度进行显示。
(实施例2-2)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例2-2的液晶显示器及其制造方法。图21表示本实施例的液晶显示器的反射区域R的截面结构。如图21所示,本实施例的液晶显示器具有在结构上与图15A、15B和16中所示结构相似的不规则形成图案62。不规则形成图案62具有:金属层(导体层)62a,由与TFT20的栅极和存储电容器总线18的材料相同的材料形成;a-Si层(半导体层)62b,设置于金属层62a上(二者之间插置有绝缘膜30),并且由与TFT20的有源半导体层的材料相同的材料形成;以及SiN膜(介电层)62c,利用与TFT20的沟道保护膜的材料相同的材料形成于a-Si层62b上。可选地,不规则形成图案62可由金属层62a和SiN膜62c构成。金属层62a、a-Si层62b和SiN膜62c都具有基本相同的平面结构。
参照用于形成本实施例的不规则形成图案62的步骤,首先,一金属层形成于玻璃基板10的整个表面上,并且被图案化以随同栅极和存储电容器总线18一起同时形成金属层62a。接着,绝缘膜30形成于金属层62a之上的整个基板。然后,a-Si层和SIN膜以列出的次序,形成于绝缘膜30的整个顶表面上。然后,将抗蚀剂施加于SiN膜的整个顶表面上,并且利用金属层62a作为掩模,进行背部曝光(back exposure)。随后,进行显影以形成一具有与金属层62a的形状相同的形状的抗蚀图案。接着,利用该抗蚀图案作为掩模,仅蚀刻SiN膜或者蚀刻SiN膜和a-Si层,以(可能与a-Si层62b一起)形成具有与金属层62a的形状相同的形状的SiN膜62c。如上所述,在本实施例中,通过进行背部曝光,(可能与a-Si层62b一起)形成SiN膜62c。在本实施例中,由于不规则形成图案62可具有更大的实际(substantial)厚度,所以能够在反射体55上提供更大的不规则变化。
(实施例2-3)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例2-3的液晶显示器及其制造方法。图22表示本实施例的液晶显示器的反射区域R的截面结构。如图22所示,在本实施例的液晶显示器中,构成不规则形成图案62的金属层62a、a-Si层62b和SiN膜62c在平面结构上彼此不同。可选地,不规则形成图案62可由金属层62a和SiN膜62c构成。
参照用于形成本实施例的不规则形成图案62的步骤,首先,一金属层形成于玻璃基板10的整个表面上,并且被图案化,以随同栅极和存储电容器总线18一起,同时形成金属层62a。接着,绝缘膜30形成于金属层62a之上的整个基板。然后,a-Si层和SiN膜以列出的次序,形成于绝缘膜30的整个顶表面上。然后,将抗蚀剂施加于SiN膜的整个顶表面,并且利用预定光掩模,从基板上方进行曝光。随后,进行显影以形成具有预定形状的抗蚀图案。
接着,利用该抗蚀图案作为掩模,仅蚀刻SiN膜或者蚀刻SiN膜和a-Si层,以(与a-Si层62b)一起形成具有预定形状的SiN膜62c。如上所述,在本实施例中,通过从基板上方进行曝光,而非背部曝光,(与a-Si层62b一起)形成SiN膜62c。
图23表示按照本实施例的液晶显示器的不规则形成图案62的结构实例。如图23所示,多个同心金属层62a形成于像素中部的反射区域R中。基本平行于栅极总线12延伸的多个SiN膜62c和a-Si层62b形成于一部分反射区域R中,该部分位于图中存储电容器总线18之上,并且基本平行于漏极总线14延伸的多个SiN膜62c和a-Si层62b形成于一部分反射区域R中,该部分位于图中存储电容器总线18之下。因此,不规则形成图案62由在平面结构上彼此不同的金属层62a、a-Si层62b和SiN膜62c构成。
(实施例2-4)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例2-4的液晶显示器及其制造方法。图24表示本实施例的液晶显示器的反射区域R的截面结构。如图24所示,在本实施例的液晶显示器中,不规则形成图案62具有金属层62a、a-Si层62b和SiN膜62c,a-Si层62b和SiN膜62c仅形成于金属层62a上,并且被图案化为小于金属层62a。可选地,不规则形成图案62可通过金属层62a和SiN膜62c构成。
参照用于形成本实施例的不规则形成图案62的步骤,首先,一金属层形成于玻璃基板10的整个表面上,并且被图案化以随同栅极和存储电容器总线18一起同时形成金属层62a。接着,绝缘膜30形成于金属层62a之上的整个基板。然后,a-Si层和SiN膜以列出的次序,形成于绝缘膜30的整个顶表面上。然后,将抗蚀剂施加于SiN膜的整个顶表面,并且利用金属层62a作为掩模进行背部曝光。相继地,利用预定光掩模,从基板上方进行曝光和显影,以形成一抗蚀图案,该抗蚀图案仅设置于金属层62a上,并且被图案化为小于金属层62a。接着,利用该抗蚀图案作为掩模,仅蚀刻SiN膜或者蚀刻SiN膜和a-Si层,以(与a-Si层62b一起)形成SiN膜62c,该SiN膜仅设置于金属层62a上,并且被图案化为小于金属层62a。如上所述,在本实施例中,通过进行背部曝光和从基板上方进行曝光,(与a-Si层62b一起)形成SiN膜62c。
图25和26表示按照本实施例的液晶显示器的不规则形成图案62的结构实例。如图25所示,两个金属层62a形成于像素中部的反射区域R中,所述金属层设置于存储电容器总线18的两侧上。两个金属层62a均具有基本矩形的轮廓。多个圆形开口64形成于位于图中存储电容器总线18之上的金属层62a中。而且,形成有多个SiN膜62c和a-Si层62b,它们以与金属层62a相重叠的关系,仅设置于金属层62a之上,并且被图案化以小于金属层62a。多个SiN膜62c和a-Si层62b基本同心地形成。因此,不规则形成图案62由金属层62a、a-Si层62b和SiN膜62c构成。
(实施例2-5)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例2-5的液晶显示器。图27表示本实施例的液晶显示器一个像素的像素电极的结构。图28表示沿着图27中H-H线所得的液晶显示器的截面结构。如图27和28所示,例如,由PC403制成的透明树脂层26形成于TFT20上。在透明树脂层26的一部分表面中(用作反射区域R的区域附近)形成不规则变化。利用下述任一种方法形成不规则变化,在一种方法中,利用紫外线照射透明树脂层以改变其表面,并且随后进行退火以在该表面上形成褶皱,在另一种方法中,利用预定光掩模进行图案化曝光(包括半曝光),以在透明树脂层26上形成不规则图案。用于露出TFT20的源极22的接触孔34形成于透明树脂层26中。由ITO构成的像素电极16在透明树脂层26上形成为预定形状。按照透明树脂层26表面上不规则变化的不规则变化形成于像素电极16表面上待用作反射区域R的区域附近。由Al制成的反射电极24形成于像素电极16上的反射区域R中。如图27所示,反射电极24设置于基本为方形的像素电极16的图案中部。按照像素电极16表面上不规则变化的不规则变化形成于反射电极24的表面上,并且至少一部分的该表面(反射表面)相对于基板表面有所倾斜。
在相对于上述元件而设置的相对基板4的玻璃基板11上,CF层40形成于形成有反射电极24的反射区域R之外的区域中。公共电极42形成于CF层40之上的整个基板。透明树脂层57形成于反射区域R中的公共电极42上。
在本实施例中,反射电极24的至少一部分表面能够形成为倾斜于基板表面。因此,已在倾斜于显示屏的方向上进入的外部光能够在与显示屏成直角的方向上被反射。这可改善反射率和视角特性。
如上所述,用于实现本发明的本模式使得可以提供一种液晶显示器,该液晶显示器即使在反射模式下仍能够实现高亮度,并且在反射和透射模式下均能实现高显示特性。
[用于实现本发明的第三模式]
现在将参照图29至39C,描述用于实现本发明的第三模式下的液晶显示器。
图29表示按照非专利文件2中所公开的相关现有技术的反射式液晶显示器的结构。如图29所示,液晶106密封于彼此相对设置的一对基板102与104之间。液晶106的对齐状态是弯曲对齐,也称为“ROCB”。具有镜面形式的平坦反射表面的反射电极116形成于面向液晶106的基板102的表面上。由透明导电膜所构成的公共电极142形成于面向液晶106的另一基板104的表面上。相差(phase difference)膜(1/4波板)120、偏光板122和光路径控制膜124以列出的次序,设置于构成面板外部(exterior)的基板104一侧(观察者一侧)上。
外部入射光的光路径通过光路径控制膜124弯曲。然后,光到达反射电极116,并且被该反射电极反射以向着观察者射出该面板。由于存在可透射光并且同时扩散光的光路径控制膜124,所以在光路径控制膜124的表面上反射的光束具有与穿过光路径控制膜124并且在反射电极116表面反射的光束不同的光路径。因此,当观察者观察屏幕时,显示屏上的显示将不会与外部光重叠,这允许更清楚地观察显示图像。
然而,如图29所示反射式液晶显示器的结构尚未与透射式成功地组合。其原因在于,基于光在反射式中两次穿过液晶106的假设,液晶106被定向为混合对齐。混合对齐具有这样的问题,因为双折射小得无法使用于透射式中,使得白色无法充分地显示。还有另一问题是该对齐所提供的视角特性对于透射式来说太低。
如图47A和47B所示的透反射式液晶显示器与如图29所示的反射式液晶显示器的相似之处在于,反射电极116形成于液晶显示器面板内部,但不同的是在反射电极116的反射表面上形成不规则变化。图30A和30B是表示如图47A和47B所示透反射式液晶显示器的操作的截面图。图30A表示无电压施加于液晶106的状态,图30B表示预定电压施加于液晶106的状态。如图30A所示,因为液晶分子垂直于基板表面对齐,所以当无电压作用时,液晶106对光不产生光学效果。当进行反射显示时,已穿过偏光板122的光在穿过1/4波板120之后进入液晶106,并且光在被反射电极116反射之后再次穿过1/4波板120。也就是说,因为光两次穿过1/4波板120,光的极化方向旋转90°。因此,光被偏光板122吸收。这样,在反射模式下显示黑色。
当进行透射显示时,已穿过背光单元188侧面上的偏光板122的光在穿过1/4波板120之后进入液晶106,并且光穿过观察者一侧上的1/4波板120。也就是说,因为光两次穿过1/4波板120,所以光的极化方向旋转90°。因此,光被观察者一侧上的偏光板122吸收。这样,在透射模式下显示黑色。
在施加预定电压的状态下,由于液晶分子相对于基板表面倾斜,所以液晶106对光施加预定的光学效果。如图30B所示,已穿过偏光板122的光的极化方向由液晶106改变。结果,在反射和透射模式下均显示白色。
在该结构中,需要提供不规则的反射电极116。除用于制造透射式液晶显示器的普通工艺之外,不规则反射电极116的形成使得形成和图案化树脂层以及形成反射电极116等制造工艺成为必要。这造成液晶显示器制造成本的显著增加。
图31表示按照专利文件4中所述相关现有技术的透反射式液晶显示器的结构。如图31所示,在透反射式液晶显示器中,像素区域被划分为反射区域R和透射区域T。反射电极116形成于反射区域R中,透明像素电极117形成于透射区域T中。反射区域R中的晶元厚度小于透射区域T中的晶元厚度,因为绝缘膜118形成于TFT基板102上。在透射区域T中,来自背光单元188的光在一次穿过液晶层106之后向着观察者射出。在反射区域R中,已从其顶表面进入液晶面板的光被反射电极116反射,并且光在两次穿过液晶层106之后向着观察者射出。因此,如果反射区域R中的晶元厚度等于透射区域T中的晶元厚度,反射区域R中的延迟将是透射区域T中的延迟的两倍。结果,当反射电极116和像素电极117在同一电压时,反射区域R和透射区域T具有彼此完全不同的颜色层次(gradation)。例如,当在透射模式下显示白色时,反射模式下的显示具有黄色的色彩。为了防止这一点,在图31所示的结构中,使反射区域R中的晶元厚度小于透射区域T中的晶元厚度,以使得反射区域R和透射区域T在延迟上彼此尽可能地接近。在消除反射区域R与透射区域T中的颜色层次差异方面,最有效的是使得反射区域R中的晶元厚度小于透射区域T中的晶元厚度。
然而,需要形成用于减小反射区域R中晶元厚度的结构(绝缘膜118),以使得反射区域R中的晶元厚度小于透射区域T中的晶元厚度。该结构会在构成反射区域R与透射区域T之间边界的部分中降低液晶106的对齐稳定性。特别地,当液晶106处于垂直对齐(其消除对摩擦步骤的需要)时,液晶106的对齐通过该结构来调整。由此使得不能够进行正确的对齐定向,这会造成显示粗糙和对齐缺陷。
专利文件9公开一种与上述不同的透反射式液晶显示器。该透反射式液晶显示器与如图31所示结构相似的是,一个像素被划分为反射区域R和透射区域T,但不同的是反射区域R中的CF层的结构。反射区域R包括具有CF层的部分和不具有CF层的部分,这比CF层形成于整个反射区域R的情况能够提供更高的亮度,尽管色度有所减少。
然而在该结构中,由于CF层在一部分反射区域中被去除,所以在上面形成有CF层的基板表面上形成台阶(step)。该台阶会产生恶化显示特性的晶元厚度变化或者液晶对齐的不规则。
用于实现本发明的本模式可解决上述问题,其采取这样的措施,通过减少反射区域R与透射区域T中颜色层次之间的差异,以改进液晶在垂直对齐中的对齐稳定性,并且通过使得反射区域R与透射区域T之间所形成的台阶很小,以改进液晶在垂直对齐时的对齐稳定性。
图32表示用于实现本发明的本模式下液晶显示器的TFT基板上的像素结构。图33A表示沿着图32中I-I线所得的液晶显示器的截面结构,图33B表示沿着图32中J-J线所得的液晶显示器的截面结构。如图32、33A和33B所示,用于实现本发明的本模式下的液晶显示器具有:相对基板4,其上形成公共电极42;TFT基板2,其上形成像素电极16;以及垂直对齐型液晶6,密封于彼此相对设置的基板2与4之间。TFT基板2上像素的结构如下所述。
栅极总线12、漏极总线14和TFT20形成于TFT基板2上。第一绝缘树脂层36,比如透明树脂层或滤色层,形成于三者上。反射体53形成于绝缘树脂层36上的反射区域R中。其中形成有反射体53的反射区域R设置于像素区域的外围,该像素区域包括栅极总线12、漏极总线14和TFT20之上的区域。反射体53处于电漂移状态,或者处于与公共电极42相同的电势或处于地(ground)电势。第二绝缘树脂层37形成于反射体53的整个顶表面上。具有由透明金属层比如ITO构成的预定形状的像素电极16形成于绝缘树脂层37上的透射区域T(和部分反射区域R)中。透射区域T设置于反射区域R内像素的中心部分。形成于透射区域T中的像素电极16设置于与反射体53的开口相对应的区域中,并且位于反射体53之上的一层中,从层结构的观点来看,绝缘膜树脂层37插置于像素电极16和反射体53之间。
液晶显示器面板被夹入在一对圆形偏光板之间,每个圆形偏光板由偏光板和1/4波板构成。这些偏光板的光轴彼此成直角。光路径控制膜被应用于位于观察者一侧的偏光板。背光源设置于液晶显示器面板的背部。
当无电压作用时,液晶分子垂直于基板表面对齐。首先,当外部光进入时,光在反射区域R中被反射体53反射。由于设置有圆形偏光板,反射的光被偏光板吸收。因而显示黑色。已从背光源进入的光穿过其中未形成反射体53的透射区域T。因为液晶是垂直对齐的,所以已穿过液晶显示器面板背部上圆形偏光板的光被透射,而其极化状态不会产生变化。透射的光被观察者一侧上的圆形偏光板吸收。因而显示黑色。
当施加电压时,由于液晶分子倾斜,所以液晶层表现出作为光学效果的双折射,由此产生光极化状态的变化。外部入射光的极化状态因而改变,并且反射的光穿过观察者一侧上的圆形偏光板。因而显示灰色或白色。类似地,已从背光源进入的光还经历极化状态的变化,并且穿过观察者一侧上的圆形偏光板。因而显示灰色或白色。
现在将描述反射区域R和透射区域T中的液晶对齐状态和显示颜色层次。由于像素电极16形成于透射区域T中,图33A的区域α中的液晶分子基于在像素电极16与公共电极42之间施加的电压来驱动。因此。透明区域T表现出与按照相关现有技术的结构相似的电压/颜色层次特性。需要对反射区域R进行考虑。图33A的区域β中的液晶分子仅由透射区域T中的像素电极16驱动。像素电极16仅形成于反射区域R的一部分外围部分中。在反射区域R中,液晶分子因此由像素电极16的外围部分所产生的倾斜电场来驱动。在反射区域R中,颜色层次仅由倾斜电场所造成的液晶分子的倾斜来表示。结果,作用于整个反射区域R中液晶层的有效电压低于透射区域T中的电压。因此能够减少在光两次穿过液晶层的反射区域R与光仅一次穿过的透射区域T之间的颜色层次显示差异。
当CF层设置于TFT基板2上的反射体53之下时,CF层仅对透射区域T施加其效果。这样的结构可消除对这样的步骤的需要,该步骤用于在反射区域R的相对基板4上所设置的CF层40上提供开口。
而且,当为反射模式下的显示而最优化的CF层设置于反射体53之上或相对基板4上时,由于去除一部分CF层40的结果不会在像素区域中形成台阶,所以各反射区域R和透射区域T中的滤色条件都能够最优化。
反射区域R中的光扩散性能够通过在设置于反射体53之下的CF层中提供孔来加以改善。而且,用于散射在预定方向上进入的光的膜(光散射层)可设置于相对基板4的观察者一侧上。
在用于实现本发明的本模式下,无需使得反射区域R中的晶元厚度小于透射区域T中的晶元厚度。反射区域R中的晶元厚度基本等于或大于透射区域T中的晶元厚度。
现在将参照优选实施例,具体地描述用于实现本发明的本模式下的液晶显示器。
(实施例3-1)
首先,参照图32、33A和33B,描述按照实施例3-1的液晶显示器。本实施例的液晶显示器的像素间距在纵向方向(漏极总线14延伸的方向;这在如下描述中也适用)上为300μm,在横向方向(栅极总线12延伸的方向;这在如下描述中也适用)上为100μm。均具有7μm宽度的漏极总线14和栅极总线12形成于TFT基板2上。漏极总线14和栅极总线12彼此交叉,其间插入有绝缘膜30。绝缘膜30由主要由SiO2组成的薄膜层构成。TFT20形成于漏极总线14和栅极总线12彼此交叉的位置附近。TFT20的源极22向上延伸到关联像素的开口部分,该电极由与漏极总线14相同的层构成。在该像素中部,存储电容器由平行于栅极总线12延伸的存储电容器总线18与形成于每个像素的存储电容器电极19形成。
具有大约2μm厚度和大约3.5的相对介电常数的第一绝缘树脂层36形成于TFT基板2上,如上所述,在该TFT基板上已形成有TFT20、漏极总线14和栅极总线12。绝缘树脂层36由具有高透明度的树脂比如丙烯酸树脂形成。用于露出源极22衬垫(pad)部分的接触孔34形成于绝缘树脂层36中。接触孔34的大小为10×10μm2
反射体53形成于绝缘树脂层36上。反射体53通过将Al薄膜喷溅到绝缘树脂层36的整个顶表面上和利用照相平版印刷术(photolithography)喷溅Al薄膜来形成,从而使该膜被留置在延伸到每个像素之中、与每条总线12和14的边缘相距7μm的区域中。经过接触孔34连接于源极22的连接电极53’可在形成反射体53的同时形成。
具有大约2.5μm厚度和大约3.5的相对介电常数的第二绝缘膜37形成于反射体53之上的整个基板。与绝缘树脂层36相似,绝缘树脂层37由具有高透明度的树脂比如丙烯酸树脂形成。与绝缘树脂层36的接触孔相似的10×10μm2的接触孔34形成于绝缘树脂层37中,用于露出源极22的衬垫部分。
像素电极16形成于绝缘树脂层37上。像素电极16通过在绝缘树脂层37的整个顶表面上喷溅ITO以在其上形成透明导电膜和通过利用照相平版印刷术将透明导电膜图案化来设置。像素电极16形成于反射体53的开口处,并且被图案化为使得它们与反射体53的边缘位置对齐。像素电极16和反射体53彼此电性独立。像素电极16经过接触孔34电连接于源极22。
一个像素中的像素电极16通过组合彼此电连接的多个电极单元17来构成。例如,如图32所示像素电极16由对齐于像素区域纵向方向上的六个电极单元17构成。每个电极单元17的大小为35×78μm2,并且邻接电极单元17之间的切口具有8μm的宽度。除像素区域的外围部分之外,反射体53还可形成于这些切口中。
电极单元17具有:设置于其中部的固体(solid)电极17a;以及梳形电极17b,从固体电极17a的外围向着电极单元17的外围延伸。固体电极17a为25×60μm2的矩形形式。梳形电极17b包括具有5μm宽度和15μm长度的电极17c(随后称为“中枢电极”),该电极17c从固体电极17a周围每侧中心向着电极单元17的外围延伸,基本垂直于该固体电极的各侧边。除固体电极17a之外的区域因而在构成边界的中枢电极17c处被划分为四个对齐区域。起始于固体电极17a外围和终止于电极单元17外围的线状电极17d形成于每个对齐区域中,这些电极在每个对齐区域中在不同方向上延伸。具体地,每个对齐区域中的线状电极17d彼此平行,并且线状电极17d在从电极单元17的中心部分向着电极单元17周围各顶点的方向上对角地延伸。线状电极17d具有3μm的宽度,并且邻接线状电极17d之间的切口具有3μm的宽度。电极单元17外围的梳形电极17b的末端形成为看起来它们好像是依从电极单元17周围侧边而切割的。当垂直于基板表面观察时,梳形电极17b与反射体53部分地重叠,并且梳形电极17b的一些末端位于反射体53的开口边缘外。
一个像素中的像素单元17必须彼此电连接。为此,连接电极15通过使面向另一电极单元17的每个中枢电极17c延伸穿过从固体电极17a延伸的中枢电极17c之间的切口来形成。也就是说,连接电极15连接于电极单元17周围侧边的中心部分,这些电极单元与其他电极单元17相邻,其间插入有切口。在本实施例中,由于在像素区域横向方向上仅有一个电极单元17,所以连接电极15仅设置于纵向方向上。
没有黑色矩阵设置于相对基板4上。设置于TFT基板2上的反射体53用作透射区域T中黑色矩阵的替代物。红色、绿色和蓝色的CF层40(在图33A和33B中未示出)形成于相对基板4上。CF层40仅设置于透射区域T即反射区域R的开口中,并且未设置于反射区域R中。具有基本等于或小于CF层40厚度的厚度的透明树脂层57(图中未示出)形成于反射区域R中。由ITO构成的公共电极42形成于CF层40和透明树脂层57的整个表面上。由丙烯酸树脂制成、具有10μm直径和2μm厚度的对齐控制凸起44形成于公共电极42上与TFT基板2上的电极单元17的中心部分相对应的区域中。提供对齐控制凸起44使得形成于TFT基板2上电极单元17中心部分的奇点(singular points)S=+1更明显。
对齐膜形成于基板2和4的顶表面上。对齐膜在正常状态下具有垂直对齐属性,并且在垂直于基板表面(对齐膜表面)的方向上对齐液晶分子。用于实现本发明的本模式下的液晶显示器是通过注入和密封在晶元中具有负介电常数各向异性的液晶6来制造的,该液晶通过组合上述TFT基板2和相对基板4来提供。
当正常地驱动本实施例中的液晶显示器时,将如下所述实现对齐划分。在设置有梳形电极17b的区域中,液晶分子在由梳形电极17b所形成的切口延伸的方向上对齐。在剩余区域或形成固体电极17a的区域中,液晶向着电极单元17中心对齐,因为固体电极17a外围处的倾斜电场或者梳形电极17b从外部施加的液晶定向。因此,能够实现四个大致方向上的对齐划分。
(实施例3-2)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例3-2的液晶显示器。图34表示本实施例的液晶显示器TFT基板上的像素结构。图35表示沿着图34中K-K线所得的液晶显示器的截面结构。如图34和35所示,本实施例的液晶显示器的特征在于,没有(或基本没有)像素电极16和反射体53彼此重叠的区域,并且当垂直于基板表面观察时,反射体53中的开口边缘和像素电极16的边缘基本彼此对齐,这与实施例3-1不同。像素电极16的边缘可位于反射体53中的开口边缘内。本实施例的液晶显示器的特征在于,电极单元17仅由固体电极17a构成,并且未形成有梳形电极17b。
在本实施例的液晶显示器中,由于反射区域R中的液晶分子由像素电极16边缘处的倾斜电场驱动,所以在驱动过程中能够使作用于液晶6的有效电压小于作用于透射区域T的电压。结果,对于反射模式下的显示而最理想的电压能够被施加于反射区域R中的液晶6,这使得在反射模式下实现较佳显示成为可能。
(实施例3-3)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例3-3的液晶显示器。图36表示本实施例的液晶显示器TFT基板上的像素结构。图37表示沿着图36L-L线所得的液晶显示器的截面结构。如图36和37所示,在本实施例中,仅电极单元17的固体电极17a形成于透射区域T中,并且仅电极单元17的梳形电极17b形成于反射区域R中。
在本实施例的液晶显示器中,由于反射区域R中的液晶分子由梳形电极17b驱动,所以在驱动过程中能够使作用于液晶分子6的有效电压小于作用于透射区域T的有效电压。结果,对于反射模式下的显示而最理想的电压能够被施加于反射区域R中的液晶6,这使得在反射模式下实现较佳显示成为可能。
固体电极17a和梳形电极17b可形成于透射区域T中,并且包括在数量上比在透射区域T中少的线状电极17d的梳形电极17b可形成于反射区域R中。可选地,可使得在反射区域R中邻接梳形电极17b之间的每个间隙(邻接线状电极17d之间的间隙)大于透射区域T中邻接梳形电极17b之间的每个间隙。
尽管已经在实施例3-1至3-3的实例中引用具有固体电极17a和梳形电极17b的电极单元17,但是还可使用不具有固体电极17a的电极单元17。这样的电极单元17具有包括多个线状电极17d的梳形电极17b,这些线状电极从电极单元17的中心部分向着电极单元17的外围延伸。同样在这种情况下,反射区域R中线状电极17d的数量可小于透射区域T中线状电极17d的数量。可选地,可使反射区域R中邻接梳形电极17b之间的每个间隙大于透射区域T中邻接梳形电极17b之间的每个间隙。
现在将描述用于实现本发明的本模式下液晶显示器CF层的结构。图38A至39C表示用于实现本发明的本模式下液晶显示器CF层的结构实例。
图38A表示CF层结构的第一实例。如图38A所示,CF层40R、40G和40B仅形成于相对基板4上。在本实例中,绝缘树脂层36形成于TFT基板2上的漏极总线14上,并且Al薄膜形成于绝缘树脂层36上,并被图案化以形成反射体53。然后,绝缘树脂层37形成于反射体53上,并且像素电极16形成于绝缘树脂层37上。在该结构中,利用构成单层的CF层40R、40G和40B,在透射区域T和反射区域R中进行着色。当在透射区域T中恰当地进行着色时,在光两次穿过CF层40R、40G和40B的反射区域R中会出现过度着色。
图38B表示CF层结构的第二实例。如图38B所示,在本实例中,CF层41R、41G和41B设置于TFT基板2上的漏极总线14上。当不同色彩的CF层41R、41G和41B形成于邻接像素中时,这些层会以一定的重叠宽度重叠。其原因在于反射体53设置于CF层41R、41G和41B的观察者一侧上,并且在透射和反射模式下的显示期间,CF层41R、41G和41B之间的重叠因此不可见。在形成CF层41R、41G和41B之后,由Al薄膜构成的反射体53形成于栅极总线12和漏极总线14上。由透明树脂制成的绝缘树脂层37设置于反射体53上,并且由ITO构成的像素电极16设置于绝缘树脂层37上。在本实例中,由于反射体53形成于CF层41R、41G和41B的观察者一侧上,所以实现这样一种结构,在该结构中,CF层41R、41G和41B仅出现在透射区域T中,并且CF层41R、41G和41B基本不出现在反射区域R中。尽管这允许对透射模式下的显示进行恰当的着色,但是对于反射模式下的显示会降低色纯度。
图38C表示CF层结构的第三实例。如图38C所示,在本实例中,CF层40R、40G和40B设置于相对基板4上,并且CF层41R、41G和41B设置于TFT基板2上。TFT基板2的结构与第二实例中的相似,并且相对基板4的结构与第一实例中的类似。在透射区域T中,通过TFT基板2上的CF层41R、41G和41B与相对基板4上的CF层40R、40G和40B进行着色。在反射区域R中,仅通过相对基板4上的CF层40R、40G和40B进行着色。也就是说,对于透射区域T和反射区域R均适合的色彩特性能够通过调节每个CF层40R、40G和40B与CF层41R、41G和41B的厚度来实现。
图38D表示CF层结构的第四实例。如图38D所示,在本实例中,分别包括一组CF层40R、40G和40B与一组CF层41R、41G和41B的两个层形成于基板2上。具有与第三实例中CF层40R、40G和40B的光学特性相似的光学特性的CF层40R、40G和40B设置于TFT基板2上的反射体54之上,这可消除对于在相对基板4上形成CF层的需要。需要设置于相对基板4上的仅仅是公共电极42(连同对齐控制凸起44一起)。
图39A表示CF层结构的第五实例。如图39A所示,在本实例中,绝缘树脂层37形成于TFT基板2上的CF层40R、40G和40B上。结果,由于CF层在TFT基板2的表面上将不露出,所以能够防止液晶层6的污染。然而在这种情况下,需要在TFT基板2上形成包括两组CF层的三个树脂层。
图39B表示CF层结构的第六实例。尽管反射体53形成为它在第一至第五实例中的邻接像素之间连续,但是在如图39B所示的该实例中,反射体53被分开以用于每个像素。
图39C表示CF层结构的第七实例。如图39C所示,本实例为第一实例的改型,其中,相对基板4上的CF层40R、40G和40B仅形成于透射区域T中。在未形成CF层的反射区域R中,形成具有基本等于或小于CF层40R、40G和40B厚度的厚度的透明树脂层38。尽管与第二实例一样,这在反射模式下的显示过程中造成色纯度的降低,但是相反地增加了反射亮度。
如上所述,在用于实现本发明的本模式下,通过向其提供不同的光学效果,能够使得透射区域T和反射区域R均恰当地工作。这使得减少透射区域T与反射区域R之间的颜色层次差异成为可能。因此,能够提供一种在反射和透射模式下均能实现高显示特性的液晶显示器。
[用于实现本发明的第四模式]
现在将参照图40至46C,描述用于实现本发明的第四模式下的液晶显示器。
透反射式液晶显示器在明亮环境中利用外部光进行反射显示,并且在黯淡环境中利用来自背光源的光进行透射显示,以在任一环境中实现高可见度的显示。
图40表示按照专利文件10中所公开的相关现有技术的透反射式液晶显示器的截面结构。如图40所示,在该液晶显示器中,形成有反射电极116的像素区域的反射区域R中的晶元厚度小于形成有像素电极117的透射区域T中的晶元厚度。在一对基板中至少任一个的显示区域中设置一对齐单元,用于向液晶层界面处的对齐施加至少两个不同的对齐方向。在该结构中,由于反射区域R和透射区域T中的相位差能够彼此匹配,所以能够进行无色差的显示。
图41表示按照专利文件11中所公开相关现有技术的透反射式液晶显示器的截面结构。在该液晶显示器中,像素电极117和反射电极116在一个基板上分别形成于透射区域T和反射区域R中。反射电极116的顶表面形成为好像一连串波浪。在该结构中,由于反射区域R具有光分散能力,所以能够实现高反射特性。
然而,专利文件11中公开的透反射式液晶显示器使得附加工艺成为必要,这些附加工艺包括:形成有机绝缘膜118以使反射区域R中的晶元厚度小于透射区域T中的晶元厚度;以及向液晶层界面处的对齐施加至少两个不同的对齐方向。因而,用于制造液晶显示器的步骤变得复杂。
专利文件11中公开的透反射式液晶显示器也使得这样一附加工艺成为必要,该工艺为在反射电极116之下形成凸起119,以在反射电极116的表面上形成一连串波形不规则变化。而且,由于当施加时,反射电极116的不规则变化起导电凸起的作用,所以当用于垂直对齐型液晶显示器(其中,利用形成于电极上的对齐控制结构或介电结构,调整液晶的斜向)中时,由该凸起所确定的液晶斜向将与由电场所确定的液晶斜向相反,这将造成不稳定的对齐。
在用于实现本发明的本模式下,能够解决上述问题,并且采取这样的措施,使得即使在垂直对齐型液晶显示器中,也能以简单的工艺实现对齐的稳定状态。
图42表示用于实现本发明的本模式下液晶显示器的第一基本结构。如图42所示,液晶层6被夹入一对基板2与4之间。液晶分子在无电压作用时垂直地对齐,并且在有电压作用时倾斜地对齐,因为形成于电极16和42上的对齐控制结构44和46造成电场的变形。具有平滑表面的反射体54形成于一部分像素区域中。具有光分散能力的对齐控制结构46形成于反射体54上。
更优选地,利用源(或漏)极层或栅极层,形成反射体54,并且至少像素电极16形成于反射体54与对齐控制结构46之间。此外,对齐控制结构46在像素区域中形成为好像一个框架,并且点式对齐控制结构44形成于与该框架的内部相对应的相对基板4上的区域。
图43表示用于实现本发明的本模式下液晶显示器的第二基本结构。如图43所示,液晶分子在无电压作用时垂直地对齐,并且在有电压作用时倾斜地对齐,因为形成于电极上的对齐控制结构44和切口48造成电场的变形。具有视差校正功能的反射板(反射部分)91设置于导光板86后面。反射板91表面上的不规则变化以与像素图案的间距不同的间距形成。
更优选地,反射板91表面上的不规则变化具有连续的锥或楔形式的截面形状。在基板4与偏光板71之间设置视角控制板96,用于散射以预定角度进入的光。在用于实现本发明的本模式下,液晶面板被夹入到一对1/4波板94与偏光板70、71之间。
对齐控制结构46具有弧形式的一般截面形状。因此,反射区域R包括:晶元厚度等于透射区域T中晶元厚度的区域;以及晶元厚度逐步变得小于透射区域T中晶元厚度的区域。然而,由于施加于反射区域R中液晶的电压通过对齐控制结构46来衰减,所以可预见这些区域的组合能够提供与反射区域R中较小晶元厚度所能实现的效果基本相似的效果。而且,通过提供具有光分散能力的对齐控制结构46,入射光能够在反射区域R中被分散,以实现高亮度的反射显示。由于反射体54的表面能够因此变得平坦,所以利用源极层或栅极层能够形成反射体54。因此,能够简化用于制造液晶显示器的工艺。当像素电极(透明电极)16形成于反射体54与对齐控制结构46之间时,反射区域R能够由像素电极16切换,而无需将电压作用于反射体54。此外,当对齐控制结构46形成为好像一框架时,总线12与14之间以及TFT20与像素电极16之间产生的水平电场能够被抑制,以稳定像素区域中的液晶对齐。
对齐控制结构44和46是用于提供不同对齐方向的对齐单元。在专利文件10所公开的结构中,利用界面对齐工艺比如摩擦(rubbing),向液晶层的界面施加对齐控制力。在用于实现本发明的本模式下,利用施加电压时在对齐控制结构44和46的附近出现的电场变形,将对齐控制力作用于包括大量层的整个液晶层。专利文件10公开了该专利的特征在于,液晶在反射区域R中的对齐和液晶在透射区域T中的对齐在同一时间点上能够处于不同的状态。因此,用于实现的本发明的本模式下的对齐控制结构44和46(其允许反射区域R或透射区域T中有不同的对齐状态)与专利文件10中公开的对齐处理有所不同。
当具有视差校正功能的反射板91设置于导光板86之下时,在液晶显示器面板中不提供反射体54即可进行反射显示,并且因为像素区域的利用已最大化,所以能够实现高亮度的透射显示。由于光在反射显示过程中四次穿过偏光板70和71,所以每单位面积的亮度低于反射体54设置于液晶显示器面板的结构中的亮度。然而,因为像素区域的利用可最大化,所以能够改进每像素的亮度。
因为反射层与液晶层相分离造成视差(重象),所以反射板91具有视差校正功能。反射板91与像素图案之间出现的任何干涉能够通过使得反射板91表面上的不规则变化不同于像素图案来抑制。此外,当表面不规则变化具有连续的锥形式的截面形状时,在斜向上进入的光能够经受回射。当表面不规则变化具有楔式截面形状时,在斜向上进入的光能够倾斜地被反射到视野之外。因此,视差的出现能够被有效地抑制。通过将液晶显示器面板夹入到该对1/4波板94与偏光板70和71之间,已进入液晶显示器面板的光能够都经受圆形极化,使得消除液晶对齐所依赖的定向与实现高亮度的反射显示和透射显示成为可能。
现在将参照优选实施例,具体地描述实现本发明的本模式下的液晶显示器。
(实施例4-1)
首先,将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例4-1的液晶显示器。图44表示本实施例的液晶显示器的像素结构。如图44所示,利用栅极层,在像素区域中形成框架形式的反射体54(图44中未示出)。由透明导电层制成的像素电极16形成于像素区域中,从而它与反射体54重叠,在像素电极16与反射体54之间插入有栅极绝缘膜。反射体54处于电漂移状态,并且与栅极总线12和存储电容器总线18电性绝缘。尽管像素电极16覆盖于反射体54上(其间插入有栅极绝缘膜),但是为了改进反射率,像素电极例如可形成为类似切口,从而它仅与一部分反射体54重叠。由白树脂(包括亚微米级的氧化铝微粒)制成的框架形式的对齐控制结构46形成于与反射体54相关联的像素电极16上的区域中。为了比较,制造出由透明树脂制成的框架形式的对齐控制结构46。
由透明树脂制成的公共电极42和点式对齐控制结构44形成于相对基板4上。一对1/4波板94和偏光板70、71分别设置于液晶显示器面板的基板2和4之外。导光板86和反射板90设置于TFT基板2上的偏光板70之下,以提供透反射式液晶显示器。在透射显示和反射显示过程中液晶显示器的颜色层次特性的比较未表现出很大差异。这表明如下事实。即使反射区域R包括:晶元厚度基本等于透射区域T中晶元厚度的区域;以及晶元厚度逐步变得小于透射区域T中晶元厚度的区域,但是,如果作用于反射区域R中液晶的电压通过对齐控制结构46来衰减,则可预见这些区域的组合能够提供与反射区域R中较小晶元厚度所能实现的效果基本相似的效果。
当反射体54上的对齐控制结构46由透明树脂形成时,反射显示在规则反射方向之外的方向上具有低亮度。相反地,当对齐控制结构46由白树脂形成时,即使在规则反射方向之外的方向上,仍可进行高亮度的反射显示。这表明通过对齐控制结构46的光分散能力能分散反射的光。
(实施例4-2)
现在将描述按照用于实现本发明的本模式下实施例4-2的液晶显示器。图45表示本实施例的液晶显示器的像素结构。如图45所示,在本实施例中,具有用于控制对齐的切口48的像素电极16形成于像素区域中,而未在像素区域中形成反射体54。由透明树脂制成的公共电极42和点式对齐控制结构44形成于相对基板4上。一对1/4波板94和偏光板70、71以列出的次序,设置于液晶显示器面板的基板2和4之外。导光板86和其后将要描述的三种类型的反射板91设置于基板2上的偏光板70下面。用于分散在特定方向上进入的光的视角控制板96设置于相对基板4上的偏光板71与1/4波板94之间,以提供透反射式液晶显示器。为了比较,制造出无视角控制板96的透反射式液晶显示器和既无1/4波板94也无视角控制板96的透反射式液晶显示器。
图46A、46B和46C表示三种类型的反射板91的截面结构。如图46A所示反射板91a具有与相关现有技术中的反射板相似的平滑表面。如图46B所示的反射板91b具有连续的锥形截面形状,并且具有等于或小于像素间距的尺寸。如图46C所示反射板91c具有连续的楔形截面形状,并且具有等于或小于像素间距的尺寸。
来自反射板91(在位置上与液晶层相分离)的反射光在与显示器成直角的方向上基本没有可感知的视差。然而,在斜方向上,由于反射位置的大的偏离,出现视差所造成的重象。在反射板91a的情况下,由于入射光在其表面上经受规则反射。所以当在斜向上观察时出现重象。然而在反射板91b的情况下,由于入射光经受回射,基本无重象出现。在反射板91c的情况下,由于入射光被反射到观察者视野之外,基本无重象出现。尽管反射板91b具有尺寸等于或小于像素间距的连续的锥形截面形状,但它可具有多个三面直角棱镜。反射板91可由回射材料形成。
尽管在本实施例中在透射显示与反射显示之间未进行相位差调节,但是因为用作反射层的反射板91设置于偏光板70外,以在反射显示和透射显示过程中实现相似的极化特性,所以无需相位差调节,在两种显示模式下可实现相似的颜色层次特性。尽管当无视角控制板96设置于相对基板4上时和当既不设置1/4波板94也不设置视角控制板96时反射显示具有低亮度,但是当视角控制板96设置于相对基板4上时,即使在规则反射方向之外的方向也能进行高亮度的反射显示。当既不设置1/4波板94也不设置视角控制板96时,反射显示的亮度最低。
用于实现本发明的本模式使得以简化工艺制造一种具有反射和透射式显示特性的透反射式液晶显示器成为可能。因此,能够低成本地提供透反射式液晶显示器。
本发明并不限于用于实现本发明的上述模式,并且能够以各种方式加以改型。
例如,尽管具有形成于相对基板4上CF层的液晶显示器已经在用于实现本发明的第一和第二模式中作为实例加以描述,但是本发明并不限于此,并且可应用于具有所谓“CF在TFT上(CF-on-TFT)”结构的液晶显示器,在该结构中,CF形成于TFT基板2上。

Claims (3)

1.一种透反射式液晶显示器,包括:
彼此相对设置的一对基板;
密封于该对基板之间的垂直对齐型液晶层;
像素区域,透射从该对基板的一个基板的侧面进入的光;以及
用于反射光的具有视差校正功能的反射部分,该光已从该对基板的所述一个基板的侧面进入该像素区域,并且已被该区域透射,由此使得该光从该对基板的另一基板的侧面再次进入该像素区域;
其中该反射部分具有一表面,在该表面上以与像素图案的间距不同的间距形成不规则变化;以及
其中所述不规则变化具有连续的锥形式的截面形状。
2.如权利要求1所述的透反射式液晶显示器,还包括设置于该对基板的另一基板的侧面上的背光单元,其中该背光单元具有导光板和设置于该导光板后面的所述反射部分。
3.如权利要求1所述的透反射式液晶显示器,包括设置于该对基板的任一基板与偏光板之间的视角控制板,用于散射在预定方向上进入的光。
CN2008100955816A 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器 Active CN101261395B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003410742 2003-12-09
JP2003410742A JP2005173037A (ja) 2003-12-09 2003-12-09 液晶表示装置及びその製造方法
JP2003-410742 2003-12-09

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100850939A Division CN100395640C (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器及其制造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101261395A CN101261395A (zh) 2008-09-10
CN101261395B true CN101261395B (zh) 2011-09-28

Family

ID=34631840

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100850939A Active CN100395640C (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器及其制造方法
CN2008100955816A Active CN101261395B (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器
CN200810095577XA Active CN101261394B (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器
CN200810095575A Active CN100587564C (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器
CN2008100955820A Active CN101261396B (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器
CN200810095583A Active CN100592162C (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器制造方法
CN2008100955801A Active CN101261415B (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100850939A Active CN100395640C (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器及其制造方法

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN200810095577XA Active CN101261394B (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器
CN200810095575A Active CN100587564C (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器
CN2008100955820A Active CN101261396B (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器
CN200810095583A Active CN100592162C (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器制造方法
CN2008100955801A Active CN101261415B (zh) 2003-12-09 2004-10-12 液晶显示器制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US7250996B2 (zh)
JP (1) JP2005173037A (zh)
KR (2) KR100680100B1 (zh)
CN (7) CN100395640C (zh)
TW (1) TWI296345B (zh)

Families Citing this family (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4519251B2 (ja) * 1999-10-13 2010-08-04 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその制御方法
US7480022B2 (en) * 2003-12-10 2009-01-20 Seiko Epson Corporation Liquid crystal display device, method of manufacturing liquid crystal display device, and electronic apparatus
KR101031669B1 (ko) * 2003-12-30 2011-04-29 엘지디스플레이 주식회사 강유전성 액정배향막을 구비한 반투과형 평면구동모드액정표시소자
WO2006028194A1 (en) * 2004-09-09 2006-03-16 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate for liquid crystal display panel
JP4427436B2 (ja) * 2004-11-25 2010-03-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4744156B2 (ja) 2005-01-19 2011-08-10 シャープ株式会社 液晶表示装置
DE102005003632A1 (de) 2005-01-20 2006-08-17 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Katheter für die transvaskuläre Implantation von Herzklappenprothesen
JP4127272B2 (ja) 2005-03-02 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器
JP4363339B2 (ja) * 2005-03-03 2009-11-11 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置および電子機器
GB0506899D0 (en) * 2005-04-05 2005-05-11 Plastic Logic Ltd Multiple conductive layer TFT
JP4716782B2 (ja) * 2005-05-24 2011-07-06 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
JP4799926B2 (ja) * 2005-06-28 2011-10-26 三菱電機株式会社 半透過型tftアレイ基板、および半透過型液晶表示装置
KR101165751B1 (ko) * 2005-07-14 2012-07-18 삼성전자주식회사 액정표시장치와 그 제조방법
KR20070010550A (ko) * 2005-07-19 2007-01-24 삼성전자주식회사 공통 전극 표시판, 이를 포함하는 액정 표시 장치 및 그제조 방법
JP4926063B2 (ja) * 2005-08-03 2012-05-09 シャープ株式会社 液晶表示装置およびそれを備えた電子機器
JP4677851B2 (ja) * 2005-08-10 2011-04-27 ソニー株式会社 液晶装置および電子機器
JP4684808B2 (ja) * 2005-08-29 2011-05-18 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置及びそれを備えた情報端末機器
JP2007102164A (ja) * 2005-09-06 2007-04-19 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
JP4919644B2 (ja) * 2005-10-04 2012-04-18 三菱電機株式会社 液晶表示装置
US7612859B2 (en) 2005-10-31 2009-11-03 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Ultra-violet radiation absorbing grid
US7876400B2 (en) 2005-10-31 2011-01-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical modulation system
JP4766673B2 (ja) * 2005-11-29 2011-09-07 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
KR101219042B1 (ko) 2005-12-06 2013-01-07 삼성디스플레이 주식회사 반투과형 액정 표시 장치
US20070213813A1 (en) 2005-12-22 2007-09-13 Symetis Sa Stent-valves for valve replacement and associated methods and systems for surgery
US7821613B2 (en) * 2005-12-28 2010-10-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN101351742A (zh) * 2005-12-28 2009-01-21 夏普株式会社 液晶显示装置
TWI315424B (en) * 2005-12-30 2009-10-01 Au Optronics Corp Display panel and pixel element thereof
JP2007206557A (ja) * 2006-02-03 2007-08-16 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
TWI337272B (en) * 2006-02-06 2011-02-11 Ind Tech Res Inst Transflective liquid crystal displays and fabrication methods thereof
KR20070087395A (ko) * 2006-02-23 2007-08-28 삼성전자주식회사 표시판
WO2007108268A1 (ja) 2006-03-23 2007-09-27 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
JP5010585B2 (ja) * 2006-05-01 2012-08-29 シャープ株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
US8294854B2 (en) * 2006-05-01 2012-10-23 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display comprising a reflection region having first, second and third recesses and method for manufacturing the same
JP4207982B2 (ja) * 2006-06-15 2009-01-14 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶表示パネル
JP2008009199A (ja) * 2006-06-30 2008-01-17 Sony Corp 液晶表示装置
CN101484839B (zh) * 2006-06-30 2012-07-04 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
JP2008020669A (ja) * 2006-07-13 2008-01-31 Hitachi Displays Ltd 半透過型液晶表示装置
US8111356B2 (en) 2006-09-12 2012-02-07 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display panel provided with microlens array, method for manufacturing the liquid crystal display panel, and liquid crystal display device
JP5255758B2 (ja) * 2006-10-13 2013-08-07 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置及びその製造方法
TWI333110B (en) * 2006-10-16 2010-11-11 Au Optronics Corp Multi-domain vertically alignment liquid crystal display panel
TWI339302B (en) * 2006-10-16 2011-03-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel
EP2085814A4 (en) * 2006-10-18 2010-05-19 Sharp Kk Liquid crystal display arrangement and method for producing a liquid crystal display
JPWO2008047517A1 (ja) * 2006-10-18 2010-02-18 シャープ株式会社 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法
US8243237B2 (en) * 2006-11-07 2012-08-14 Sony Mobile Communications Ab Transmissive and transflective device display
CN101558350B (zh) * 2006-12-14 2011-08-03 夏普株式会社 液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法
WO2008087777A1 (ja) * 2007-01-18 2008-07-24 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
CN101589331B (zh) * 2007-01-24 2011-06-22 夏普株式会社 液晶显示装置
WO2008093467A1 (ja) * 2007-01-31 2008-08-07 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
WO2008102508A1 (ja) * 2007-02-20 2008-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
JP5032157B2 (ja) 2007-03-05 2012-09-26 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 液晶表示装置
US8659726B2 (en) 2007-04-13 2014-02-25 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display and method of manufacturing liquid crystal display
US7896915B2 (en) 2007-04-13 2011-03-01 Jenavalve Technology, Inc. Medical device for treating a heart valve insufficiency
TWI363912B (en) * 2007-06-20 2012-05-11 Au Optronics Corp Display panel and fabricating method thereof, electro-optical device comprising said display panel, and fabricating method thereof
TWI329228B (en) * 2007-06-23 2010-08-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel and pixel structure array thereof
EP2166403A4 (en) * 2007-06-26 2011-05-25 Sharp Kk Liquid crystal display arrangement and method for producing a liquid crystal display
KR101484297B1 (ko) * 2007-08-31 2015-01-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시장치 및 표시장치의 제작방법
WO2009041129A1 (ja) * 2007-09-25 2009-04-02 Sharp Kabushiki Kaisha 赤外線通信妨害抑制用放電管、表示装置用照明装置及び液晶表示装置
JP2009294633A (ja) * 2007-09-26 2009-12-17 Nec Lcd Technologies Ltd 液晶表示装置
WO2009060657A1 (ja) * 2007-11-08 2009-05-14 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
KR20090063761A (ko) * 2007-12-14 2009-06-18 삼성전자주식회사 표시 장치
US20100295756A1 (en) * 2008-01-31 2010-11-25 Keisuke Yoshida Display device and active matrix substrate
US9044318B2 (en) 2008-02-26 2015-06-02 Jenavalve Technology Gmbh Stent for the positioning and anchoring of a valvular prosthesis
WO2011104269A1 (en) 2008-02-26 2011-09-01 Jenavalve Technology Inc. Stent for the positioning and anchoring of a valvular prosthesis in an implantation site in the heart of a patient
CN101571654A (zh) * 2008-04-28 2009-11-04 上海天马微电子有限公司 液晶显示装置
TWI361306B (en) * 2008-07-11 2012-04-01 Au Optronics Corp Multidomain-vertical-alignment transreflective lcd
TWI374325B (en) * 2008-08-19 2012-10-11 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel and pixel structure thereof
US20110227817A1 (en) * 2008-11-28 2011-09-22 Katsunori Misaki Liquid crystal display device and method for manufacturing liquid crystal display device tft substrate
JP5322059B2 (ja) 2009-09-30 2013-10-23 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
CA2799459A1 (en) 2010-05-25 2011-12-01 Jenavalve Technology Inc. Prosthetic heart valve and transcatheter delivered endoprosthesis comprising a prosthetic heart valve and a stent
JP5545068B2 (ja) * 2010-06-25 2014-07-09 ソニー株式会社 光源デバイスおよび立体表示装置
WO2012002197A1 (en) 2010-07-02 2012-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP6003192B2 (ja) * 2012-04-27 2016-10-05 ソニー株式会社 液晶表示装置
CN102736324B (zh) * 2012-06-25 2014-06-25 深圳市华星光电技术有限公司 框胶固化之光罩及液晶显示面板制作方法
KR101973009B1 (ko) * 2012-11-13 2019-04-29 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20150007565A (ko) * 2013-07-11 2015-01-21 삼성전자주식회사 투과반사형 영상표시장치 및 그 제어방법
CN105491978A (zh) 2013-08-30 2016-04-13 耶拿阀门科技股份有限公司 用于假体瓣膜的径向可折叠框架及其制造方法
CN104183200A (zh) * 2014-07-31 2014-12-03 中国电子科技集团公司第五十五研究所 提高液晶屏抗振和耐冲击性能的方法及产品
JP2016038433A (ja) 2014-08-06 2016-03-22 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US9659534B2 (en) * 2014-12-29 2017-05-23 Amazon Technologies, Inc. Reducing visual artifacts and reducing power consumption in electrowetting displays
US10709555B2 (en) 2015-05-01 2020-07-14 Jenavalve Technology, Inc. Device and method with reduced pacemaker rate in heart valve replacement
CN106200140A (zh) * 2015-05-05 2016-12-07 上海纪显电子科技有限公司 光电显示用基板、制作方法及光电显示装置
CN105259707A (zh) * 2015-11-27 2016-01-20 武汉华星光电技术有限公司 一种液晶显示面板及液晶显示装置
EP4183371A1 (en) 2016-05-13 2023-05-24 JenaValve Technology, Inc. Heart valve prosthesis delivery system and method for delivery of heart valve prosthesis with introducer sheath and loading system
US9983432B1 (en) * 2016-08-11 2018-05-29 Oculus Vr, Llc Liquid crystal display including dielectric mirror for recycling light
EP3573579B1 (en) 2017-01-27 2023-12-20 JenaValve Technology, Inc. Heart valve mimicry
JP2023084048A (ja) * 2021-12-06 2023-06-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6130733A (en) * 1998-09-16 2000-10-10 International Business Machines Corporation Light scattering display having a structured solid state selectivity reflective layer formed inside the display cell
JP2000330110A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Hitachi Ltd 反射型液晶表示装置及びそれを備えた機器
CN2468123Y (zh) * 2001-02-27 2001-12-26 凌巨科技股份有限公司 半反射式液晶显示器

Family Cites Families (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57155582A (en) 1981-03-20 1982-09-25 Tokyo Shibaura Electric Co Liquid crystal display unit
JPH01173650A (ja) * 1987-12-26 1989-07-10 Seikosha Co Ltd 非晶質シリコン薄膜トランジスタの製造方法
US5130263A (en) 1990-04-17 1992-07-14 General Electric Company Method for photolithographically forming a selfaligned mask using back-side exposure and a non-specular reflecting layer
JP2990046B2 (ja) * 1995-08-16 1999-12-13 日本電気株式会社 反射型液晶表示装置及びその製造方法
JP2865618B2 (ja) * 1996-05-31 1999-03-08 嶋田プレシジョン株式会社 導光板および導光板アセンブリ
JP3284187B2 (ja) 1998-01-29 2002-05-20 シャープ株式会社 液晶表示装置およびその製造方法
JP3482827B2 (ja) * 1997-08-04 2004-01-06 凸版印刷株式会社 半透過型液晶表示装置
JP2000047215A (ja) 1998-07-27 2000-02-18 Sharp Corp 液晶表示装置
JP3738549B2 (ja) 1997-12-22 2006-01-25 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
US6281952B1 (en) * 1997-12-26 2001-08-28 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display
US6215538B1 (en) 1998-01-26 2001-04-10 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display including both color filter and non-color filter regions for increasing brightness
JP3335130B2 (ja) * 1998-01-26 2002-10-15 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR20010053599A (ko) * 1998-07-29 2001-06-25 모리시타 요이찌 산란형 표시소자와 그 구동방법
JP3293589B2 (ja) * 1999-04-13 2002-06-17 松下電器産業株式会社 液晶表示装置
TW548484B (en) 1999-07-16 2003-08-21 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device, electronic apparatus and substrate for liquid crystal device
KR100312327B1 (ko) * 1999-07-31 2001-11-03 구본준, 론 위라하디락사 반사투과형 액정 표시장치
US6697135B1 (en) * 1999-10-27 2004-02-24 Lg. Philips Lcd Co., Ltd. Transflective liquid crystal display device having reflective and transmissive mode parity
JP4196505B2 (ja) 1999-12-13 2008-12-17 ソニー株式会社 表示装置及びその製造方法とカラーフィルタ
US6812978B2 (en) * 2000-02-29 2004-11-02 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Method for fabricating transflective color LCD device and the transflective color LCD device with thick and thin regions of color filter layer
JP3649075B2 (ja) 2000-02-29 2005-05-18 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP2001337320A (ja) * 2000-05-24 2001-12-07 Toshiba Corp 半透過型の液晶表示素子
JP4315268B2 (ja) * 2000-11-09 2009-08-19 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
EP1229379A3 (en) * 2001-01-31 2007-02-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Active matrix liquid crystal display element
KR100397399B1 (ko) * 2001-02-22 2003-09-13 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과형 액정 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP2002328396A (ja) 2001-04-26 2002-11-15 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
CN1275078C (zh) * 2001-05-08 2006-09-13 奇美电子股份有限公司 粗糙面反射板的制造方法
JP2002341366A (ja) 2001-05-18 2002-11-27 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP3767419B2 (ja) 2001-05-28 2006-04-19 ソニー株式会社 液晶表示素子
JP3700611B2 (ja) * 2001-06-07 2005-09-28 セイコーエプソン株式会社 半透過反射型電気光学装置及び電子機器
JP2003043239A (ja) 2001-07-27 2003-02-13 Seiko Epson Corp カラーフィルタ基板及びその製造方法並びに液晶表示装置
JP3895952B2 (ja) * 2001-08-06 2007-03-22 日本電気株式会社 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
JP2003058073A (ja) * 2001-08-08 2003-02-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、および電子機器
JP4345270B2 (ja) * 2001-08-09 2009-10-14 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置および電子機器
JP3675404B2 (ja) * 2001-09-25 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器
JP2003095392A (ja) 2001-09-25 2003-04-03 Kirin Brewery Co Ltd 缶内液体排出装置
JP3675427B2 (ja) * 2001-09-25 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器
JP4050119B2 (ja) * 2001-10-02 2008-02-20 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP3675397B2 (ja) * 2001-12-07 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 反射板、液晶表示装置、電子機器
TWI227354B (en) * 2001-12-12 2005-02-01 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device, substrate assembly for liquid crystal display device, and electronic apparatus
JP4126907B2 (ja) * 2001-12-26 2008-07-30 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置及び電子機器
JP2003203792A (ja) * 2002-01-07 2003-07-18 Sony Corp ランプ駆動装置および投射型表示装置
JP4165069B2 (ja) * 2002-01-10 2008-10-15 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置、電子機器
TW562962B (en) * 2002-01-15 2003-11-21 Chi Mei Optoelectronics Corp Liquid crystal display device
JP2003222854A (ja) * 2002-01-31 2003-08-08 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2003243661A (ja) * 2002-02-14 2003-08-29 Hitachi Ltd 薄膜トランジスタとその製造方法
KR100813472B1 (ko) 2002-02-15 2008-03-13 삼성전자주식회사 반사-투과형 액정 표시 장치
KR100787815B1 (ko) * 2002-02-27 2007-12-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법
JP4039087B2 (ja) * 2002-03-06 2008-01-30 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板及びその製造方法、電気光学パネル並びに電子機器
JP2003255346A (ja) * 2002-03-06 2003-09-10 Seiko Epson Corp 電気光学装置、および電子機器
JP3788421B2 (ja) * 2002-04-02 2006-06-21 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器
JP2004093752A (ja) * 2002-08-30 2004-03-25 Fujitsu Display Technologies Corp 液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置
JP2003222856A (ja) * 2003-02-07 2003-08-08 Seiko Epson Corp 反射板、液晶表示装置、電子機器
JP3966221B2 (ja) * 2003-05-01 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置、及び電子機器
JP4184216B2 (ja) * 2003-09-29 2008-11-19 シャープ株式会社 液晶表示装置
US7253872B2 (en) 2003-09-29 2007-08-07 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display apparatus comprising wall portions formed in a plurality of openings or cut-out portions of an electrode

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6130733A (en) * 1998-09-16 2000-10-10 International Business Machines Corporation Light scattering display having a structured solid state selectivity reflective layer formed inside the display cell
JP2000330110A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Hitachi Ltd 反射型液晶表示装置及びそれを備えた機器
CN2468123Y (zh) * 2001-02-27 2001-12-26 凌巨科技股份有限公司 半反射式液晶显示器

Also Published As

Publication number Publication date
TW200519459A (en) 2005-06-16
CN101261415A (zh) 2008-09-10
US7751003B2 (en) 2010-07-06
CN101261393A (zh) 2008-09-10
CN101261394A (zh) 2008-09-10
CN101261382A (zh) 2008-09-10
CN101261396B (zh) 2010-07-21
KR20060103411A (ko) 2006-09-29
CN100592162C (zh) 2010-02-24
CN101261395A (zh) 2008-09-10
CN100587564C (zh) 2010-02-03
CN101261394B (zh) 2010-06-02
KR100680100B1 (ko) 2007-02-09
CN101261415B (zh) 2010-06-02
JP2005173037A (ja) 2005-06-30
US20090153779A1 (en) 2009-06-18
US20050122452A1 (en) 2005-06-09
US7250996B2 (en) 2007-07-31
CN100395640C (zh) 2008-06-18
CN101261396A (zh) 2008-09-10
TWI296345B (en) 2008-05-01
US7486361B2 (en) 2009-02-03
US20070273813A1 (en) 2007-11-29
KR20050056121A (ko) 2005-06-14
KR100710770B1 (ko) 2007-04-24
CN1627164A (zh) 2005-06-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101261395B (zh) 液晶显示器
CN100407013C (zh) 液晶显示装置
CN101828142B (zh) 液晶设备
CN100409088C (zh) 具有改变的电极排列的液晶显示器
US8289458B2 (en) Display
US7453086B2 (en) Thin film transistor panel
TWI421576B (zh) 可調整視角之液晶顯示面板
CN102890357A (zh) 液晶显示装置和电子设备
CN101276116B (zh) 液晶显示装置
CN100394277C (zh) 液晶显示器件
KR20090041043A (ko) 반투과형 액정표시장치
EP1451637B1 (en) Colour liquid crystal display device
JP2000111891A (ja) 液晶表示器
JP2001154185A (ja) 反射型カラー液晶装置及びこれを用いた電子機器
JP2003149622A (ja) 液晶装置及びこれを用いた電子機器
JP2001174800A (ja) 反射型カラー液晶装置及びこれを用いた電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: YOUDA OPTOELECTRONIC CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUJITSU LTD.

Effective date: 20111221

Free format text: FORMER OWNER: YOUDA OPTOELECTRONIC CO., LTD.

Effective date: 20111221

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: ADDRESS; TO: TAIWAN, CHINA

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20111221

Address after: Hsinchu City, Taiwan, China

Patentee after: AU Optronics Corporation

Address before: Kawasaki, Kanagawa, Japan

Co-patentee before: AU Optronics Corporation

Patentee before: Fujitsu Ltd.