WO2022202647A1 - ネガ型感光性樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス - Google Patents

ネガ型感光性樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス Download PDF

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享平 崎田
健太 山▲ざき▼
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富士フイルム株式会社
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    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers

Definitions

  • the present invention relates to a negative photosensitive resin composition, a cured product, a laminate, a method for producing a cured product, and a semiconductor device.
  • Cyclized resins such as polyimide are used in a variety of applications due to their excellent heat resistance and insulating properties.
  • the use is not particularly limited, but in the case of a semiconductor device for mounting, use as a material for an insulating film or a sealing material, or as a protective film can be mentioned. It is also used as a base film or coverlay for flexible substrates.
  • the cyclized resin such as polyimide is used in the form of a negative photosensitive resin composition containing at least one of a cyclized resin such as polyimide and a precursor of the cyclized resin.
  • a negative photosensitive resin composition is applied to a substrate, for example, by coating or the like to form a photosensitive film, and then, if necessary, exposure, development, heating, and the like are performed to form a cured product on the substrate. can be formed on.
  • a precursor of the cyclized resin such as a polyimide precursor is cyclized, for example, by heating, and becomes a cyclized resin such as polyimide in the cured product.
  • the negative photosensitive resin composition can be applied by a known coating method or the like, for example, the degree of freedom in designing the shape, size, application position, etc. when the negative photosensitive resin composition to be applied is applied. It can be said that it is excellent in adaptability in terms of manufacturing, such as high In addition to the high performance possessed by cyclized resins such as polyimide, from the viewpoint of such excellent applicability in production, the development of industrial applications of the negative photosensitive resin composition is increasingly expected.
  • Patent Document 1 describes a negative photosensitive resin composition
  • a negative photosensitive resin composition comprising (A) a polyamic acid ester having a specific structure, (B) a naphthoquinone diazide compound, and (C) a photopolymerization initiator as essential components. .
  • Patent Document 2 discloses (A) a polyimide precursor which is a polyamic acid and/or a polyamic acid ester having a neutral functional group in a side chain which is a substitute for an acidic functional group or a basic functional group, polyhydroxy At least one resin selected from the group consisting of an amide polyoxazole precursor, polyaminoamide, polyamide, polyamideimide, polyimide, polybenzoxazole, polybenzimidazole, and polybenzthiazole: 100 parts by mass, and ( B) A resin composition containing 1 to 50 parts by mass of a compound having an aromatic sulfonate structure is described.
  • the present invention provides a negative photosensitive resin composition which is excellent in the resolution of the obtained pattern and suppresses a decrease in film thickness due to development, a cured product obtained by curing the negative photosensitive resin composition, It aims at providing the laminated body containing the said hardened
  • Condition i The composition further contains a nitrogen-containing cyclic compound as a component different from the resin, compound A, and photopolymerization initiator.
  • Condition ii The resin includes a resin having a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members.
  • the compound A contains a naphthoquinone diazide compound.
  • the negative photosensitive resin composition according to . ⁇ 5> Resin, a naphthoquinone diazide compound, and containing a photoinitiator, A negative photosensitive resin composition that satisfies at least one of the following conditions iii and iv.
  • the composition further contains a nitrogen-containing cyclic compound as a component different from the resin, the naphthoquinone diazide compound and the photoinitiator.
  • the resin includes a resin having a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members.
  • ⁇ 8> The negative photosensitive resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 7>, further comprising a silane coupling agent.
  • ⁇ 9> The negative photosensitive resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 8>, further comprising a polymerization inhibitor.
  • ⁇ 10> The negative photosensitive resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 9>, further comprising a base generator.
  • ⁇ 11> The negative photosensitive resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 10>, wherein the photopolymerization initiator is a photoradical polymerization initiator.
  • ⁇ 12> The negative photosensitive resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>, which is used for forming an interlayer insulating film for a rewiring layer.
  • ⁇ 13> A cured product obtained by curing the negative photosensitive resin composition according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 12>.
  • ⁇ 14> A laminate comprising two or more layers made of the cured product according to ⁇ 13> and a metal layer between any of the layers made of the cured product.
  • a semiconductor device comprising the cured product according to ⁇ 13> or the laminate according to ⁇ 14>.
  • a negative photosensitive resin composition that provides excellent pattern resolution and suppresses reduction in film thickness due to development, and a cured product obtained by curing the negative photosensitive resin composition.
  • a product, a laminate containing the cured product, a method for producing the cured product, and a semiconductor device containing the cured product or the laminate are provided.
  • a numerical range represented by the symbol "to” means a range including the numerical values before and after "to” as lower and upper limits, respectively.
  • the term "process” is meant to include not only independent processes, but also processes that are indistinguishable from other processes as long as the desired effects of the process can be achieved.
  • a description that does not describe substitution or unsubstituted includes a group (atomic group) having no substituent as well as a group (atomic group) having a substituent.
  • alkyl group includes not only alkyl groups without substituents (unsubstituted alkyl groups) but also alkyl groups with substituents (substituted alkyl groups).
  • exposure includes not only exposure using light but also exposure using particle beams such as electron beams and ion beams, unless otherwise specified.
  • Light used for exposure includes actinic rays or radiation such as emission line spectra of mercury lamps, far ultraviolet rays represented by excimer lasers, extreme ultraviolet rays (EUV light), X-rays, and electron beams.
  • (meth)acrylate means both or either of “acrylate” and “methacrylate”
  • (meth)acrylic means both “acrylic” and “methacrylic”
  • (meth)acryloyl means either or both of “acryloyl” and “methacryloyl”.
  • Me in the structural formulas represents a methyl group
  • Et represents an ethyl group
  • Bu represents a butyl group
  • Ph represents a phenyl group.
  • total solid content refers to the total mass of all components of the composition excluding the solvent.
  • the solid content concentration is the mass percentage of other components excluding the solvent with respect to the total mass of the composition.
  • the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) are values measured using a gel permeation chromatography (GPC) method, unless otherwise specified, and are defined as polystyrene conversion values.
  • the weight average molecular weight (Mw) and number average molecular weight (Mn) are, for example, HLC-8220GPC (manufactured by Tosoh Corporation), guard column HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel It can be obtained by connecting Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000, and TSKgel Super HZ2000 (manufactured by Tosoh Corporation) in series. Unless otherwise stated, their molecular weights were determined using THF (tetrahydrofuran) as an eluent.
  • THF tetrahydrofuran
  • NMP N-methyl-2-pyrrolidone
  • detection in GPC measurement uses a UV ray (ultraviolet) wavelength detector of 254 nm.
  • UV ray ultraviolet
  • a third layer or element may be interposed between the reference layer and the other layer, and the reference layer and the other layer need not be in contact with each other.
  • the direction in which the layers are stacked with respect to the base material is referred to as "upper", or when there is a resin composition layer, the direction from the base material to the resin composition layer is referred to as “upper”. and the opposite direction is called “down”.
  • the composition may contain two or more compounds corresponding to each component contained in the composition.
  • the content of each component in the composition means the total content of all compounds corresponding to that component.
  • the temperature is 23° C.
  • the pressure is 101,325 Pa (1 atm)
  • the relative humidity is 50% RH, unless otherwise stated. Combinations of preferred aspects are more preferred aspects herein.
  • the negative photosensitive resin composition in the first aspect of the present invention comprises a resin, a compound A whose absorbance at the exposure wavelength is reduced by exposure, and a photopolymerization initiator, and at least one of the following condition i and condition ii meet.
  • Condition i The composition further contains a nitrogen-containing cyclic compound as a component different from the resin, compound A and photopolymerization initiator.
  • Condition ii The resin includes a resin having a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members.
  • a negative photosensitive resin composition according to the second aspect of the present invention contains a resin, a naphthoquinone diazide compound, and a photopolymerization initiator, and satisfies at least one of condition iii and condition iv.
  • Condition iii The composition further contains a nitrogen-containing cyclic compound as a component different from the resin, the naphthoquinone diazide compound and the photoinitiator.
  • Condition iv The resin includes a resin having a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention is preferably used for forming a photosensitive film subjected to exposure and development, and is used for forming a film subjected to exposure and development using a developer containing an organic solvent. More preferably used.
  • INDUSTRIAL APPLICABILITY The resin composition of the present invention can be used, for example, to form an insulating film for semiconductor devices, an interlayer insulating film for rewiring layers, a stress buffer film, and the like, and can be used to form an interlayer insulating film for rewiring layers. preferable.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention is used for forming a photosensitive film subjected to negative development.
  • negative development refers to development in which non-exposed areas are removed by development in exposure and development
  • positive development refers to development in which exposed areas are removed by development.
  • the exposure method, the developer, and the development method include, for example, the exposure method described in the exposure step, the developer and the development method described in the development step in the description of the method for producing a cured product described later. is used.
  • the resulting pattern has excellent resolution, and reduction in film thickness due to development is suppressed.
  • the mechanism by which the above effects are obtained is unknown, it is presumed as follows.
  • a photosensitive layer is formed using a negative photosensitive resin composition containing a resin and a photopolymerization initiator, and the photosensitive layer is exposed and developed to form a patterned cured product on a metal layer. It is done.
  • the compound A a naphthoquinonediazide compound in the second aspect
  • the above conditions i and ii in the second aspect , condition iii and condition iv
  • the resolution of the pattern on the metal substrate is improved.
  • the compound A (the naphthoquinone diazide compound in the second embodiment) absorbs the exposure light, so that the photopolymerization initiator can becomes less sensitive to light, and in regions where the amount of exposure is large, the compound A (in the second embodiment, the naphthoquinonediazide compound) is decolored (the absorbance of the exposure wavelength is reduced by exposure), thereby making the photopolymerization initiator It is presumed that this is because the photosensitivity of Furthermore, the negative photosensitive resin composition of the present invention contains a nitrogen-containing cyclic compound, or contains, as the resin, a resin having a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members, or Including both.
  • the negative photosensitive resin composition of the present invention contains a nitrogen-containing cyclic compound, a resin having a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members, or both.
  • the obtained cured product is also excellent in chemical resistance.
  • the decomposition product for example, the decomposition product of the naphthoquinonediazide compound
  • the cross-linking density is further increased, so the chemical resistance of the cured product is also improved. It is thought that That is, the negative photosensitive resin composition according to the second aspect of the present invention is a composition that gives a cured product having further excellent chemical resistance.
  • the resin when the resin is a cyclized resin or a precursor thereof and the compound A is a naphthoquinonediazide compound, the resin and the decomposition product of the naphthoquinonediazide compound form a crosslinked structure, greatly improving chemical resistance.
  • the resin and the decomposition product of the naphthoquinonediazide compound form a crosslinked structure, greatly improving chemical resistance.
  • Patent Documents 1 and 2 negatives containing compound A, containing a resin having a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as a ring member as the resin, or containing both A type photosensitive resin composition is not described.
  • the resin composition of the present invention contains a resin.
  • the resin composition of the present invention preferably satisfies at least one of the following (1) and (2).
  • the resin contained in the resin composition has a polymerizable group.
  • the resin composition further contains a polymerizable compound described below.
  • the resin is not particularly limited, and includes, for example, resins used in conventional pattern-forming compositions, but it preferably contains a cyclized resin or a precursor thereof (specific resin). It is more preferable to include
  • the resin composition of the present invention contains, as the resin, a resin having a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members. .
  • the resin composition of the present invention contains, as the resin, a resin having a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members. It's okay.
  • a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members may be monocyclic or polycyclic, preferably monocyclic or condensed, and may be a 5- or 6-membered ring.
  • a monocyclic ring, or a condensed ring between five-membered rings, a condensed ring between six-membered rings, or a condensed ring between a five-membered ring and a six-membered ring is more preferable, and a monocyclic five-membered ring or a five-membered ring and a condensed 6-membered ring are more preferred.
  • the nitrogen-containing heterocyclic structure is a double ring
  • at least one single ring constituting the double ring contains two or more nitrogen atoms as ring members. That is, for example, a benzimidazole ring corresponds to a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members in the present invention, while a 7-azaindole ring has two or more nitrogen atoms as ring members in the present invention. It shall not apply to nitrogen-containing heterocyclic structures containing atoms.
  • the nitrogen-containing heterocyclic structure may have a plurality of nitrogen-containing heterocyclic structures containing two or more nitrogen atoms as ring members in the multicyclic structure, such as a purine ring structure.
  • the above nitrogen-containing heterocyclic structure may contain a heteroatom other than a nitrogen atom as a ring member. is one.
  • the heteroatom other than the nitrogen atom include an oxygen atom and a sulfur atom.
  • the nitrogen-containing heterocyclic structure may be either an aliphatic ring or an aromatic ring, but is preferably an aromatic ring.
  • the nitrogen-containing heterocycle preferably contains an imidazole skeleton, a triazole skeleton, or a tetrazole skeleton, and the imidazole ring, triazole ring, tetrazole ring, or A condensed ring of these rings and another ring is more preferable, and a benzimidazole ring, triazole ring, benzotriazole ring, tetrazole ring, or purine ring is even more preferable.
  • the other ring is preferably an aromatic ring, more preferably a 5- or 6-membered aromatic ring, and more preferably a benzene ring.
  • the nitrogen-containing heterocyclic structure is preferably present at the terminal of the specific resin, and is present at the main chain terminal of the specific resin. is more preferable.
  • the main chain represents the relatively longest connecting chain in the resin molecule. At least one of the main chain ends of the specific resin preferably has the nitrogen-containing heterocyclic structure.
  • the specific resin when the specific resin contains the nitrogen-containing heterocyclic structure, the specific resin preferably contains a structure represented by the following formula (1-1) or (2-1).
  • the specific resin when the specific resin is polyimide, polyimide precursor, polyamideimide or polyamideimide precursor, it preferably contains a structure represented by the following formula (1-1).
  • the specific resin when the specific resin is polybenzoxazole or a polybenzoxazole precursor, it preferably contains a structure represented by the following formula (2-1).
  • L 1 is an n+1-valent linking group that does not contain a single bond or an imide ring structure
  • R 1 is a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members
  • n is 1.
  • L 2 is an m+1-valent linking group that does not contain a single bond or an oxazole ring structure
  • R 2 is a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members
  • m is 1.
  • Each of the above integers is represented, and * represents a binding site with another structure.
  • RN represents a hydrogen atom or a monovalent substituent, preferably a hydrogen atom or a hydrocarbon group, more preferably a hydrogen atom, an alkyl group or an aromatic hydrocarbon group.
  • the embodiment in which L 1 is a single bond is also one of the preferred embodiments of the present invention.
  • R 1 in formula (1-1) are the same as the preferred embodiments of the nitrogen-containing heterocyclic structure described above.
  • n is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1 or 2, and even more preferably 1.
  • * represents a binding site with another structure.
  • the embodiment in which two * are respectively bonded to the covalently bonded carbon atoms to form an imide ring structure containing the imide structure described in formula (1-1) is also one of the preferred embodiments of the present invention. is one.
  • the imide ring structure for example, a five-membered ring structure is preferable.
  • the embodiment in which L2 is a single bond is also one of the preferred embodiments of the present invention.
  • R 2 in formula (2-1) are the same as the preferred embodiments of the nitrogen-containing heterocyclic structure described above.
  • m is preferably an integer of 1 to 4, more preferably 1 or 2, and even more preferably 1.
  • * represents a binding site with another structure.
  • the embodiment in which two * are respectively bonded to the covalently bonded carbon atoms to form a ring structure containing a nitrogen atom and an oxygen atom described in formula (2-1) is also a preferred embodiment of the present invention.
  • the specific resin preferably contains a structure represented by any one of the following formulas (1-2) to (1-3) as the structure containing the structure represented by formula (1-1).
  • L 1 is an n+1 valent linking group that does not contain a single bond or an imide ring structure
  • R 1 is a nitrogen-containing hetero ring containing two or more nitrogen atoms as ring members.
  • n represents an integer of 1 or more
  • * represents a bonding site with another structure.
  • L 1 , R 1 and n are respectively synonymous with L 1 , R 1 and n in formula (1-1), and preferred embodiments are also the same. be.
  • the specific resin preferably contains a structure represented by any one of the following formulas (2-2) to (2-3) as the structure containing the structure represented by formula (2-1).
  • L 2 is an m+1 valent linking group that does not contain a single bond or an oxazole ring structure
  • R 2 is a nitrogen-containing hetero ring containing two or more nitrogen atoms as ring members.
  • m represents an integer of 1 or more
  • * represents a binding site with another structure.
  • L 2 , R 2 and m are respectively synonymous with L 2 , R 2 and m in formula (2-1), and preferred embodiments are also the same. be.
  • the specific resin when the specific resin contains a structure represented by the above formula (1-1), the specific resin preferably also contains a structure represented by the following formula (1-4).
  • a 1 represents an oxygen atom or —NH—
  • R 115 represents a tetravalent organic group
  • R 114 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group
  • L 1 represents An n+1 valent linking group that does not contain a single bond or an imide ring structure
  • R 1 represents a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as a ring member
  • n represents an integer of 1 or more
  • * represents another Represents the binding site to the structure.
  • a 1 , R 115 and R 114 have the same meanings as A 1 , R 115 and R 114 in formula (2) below, and preferred embodiments are also the same.
  • L 1 , R 1 and n have the same definitions as L 1 , R 1 and n in formula (1-1) above, and preferred embodiments are also the same.
  • the specific resin when the specific resin contains a structure represented by formula (1-4), the specific resin preferably contains a repeating unit represented by formula (2) described below. When the specific resin contains a repeating unit represented by formula (2) described later, A 1 , R 115 and R 114 in formula (1-4) are repeating units represented by formula (2) contained in the specific resin.
  • the specific resin when the specific resin contains the structure represented by the above formula (1-1), the specific resin preferably also contains the structure represented by the following formula (1-5).
  • R 132 represents a tetravalent organic group
  • L 1 represents an n+1 valent linking group that does not contain a single bond or an imide ring structure
  • R 1 represents two or more nitrogen atoms as ring members.
  • n represents an integer of 1 or more
  • * represents a binding site to another structure.
  • R 132 has the same definition as R 132 in formula (4) below, and preferred embodiments are also the same.
  • L 1 , R 1 and n have the same definitions as L 1 , R 1 and n in formula (1-1) above, and preferred embodiments are also the same.
  • the specific resin when the specific resin contains a structure represented by formula (1-5), the specific resin preferably contains a repeating unit represented by formula (4) described below.
  • R 132 in formula (1-5) is R in any of the repeating units represented by formula (4) contained in the specific resin The same structure as 132 is also preferred.
  • * in formula (1-5) is also preferably a bonding site with R 131 in formula (4).
  • the specific resin when the specific resin contains a structure represented by formula (2-1) above, the specific resin preferably also contains a structure represented by formula (2-4) below.
  • R 122 represents a tetravalent organic group
  • R 124 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group
  • L 2 is a single bond or an m+1 valent linkage that does not contain an oxazole ring structure
  • R 2 represents a nitrogen-containing heterocyclic structure containing two or more nitrogen atoms as ring members
  • m represents an integer of 1 or more
  • * represents a bonding site with another structure.
  • R 122 and R 124 have the same meanings as R 122 and R 124 in formula (3) below, and preferred embodiments are also the same.
  • L 2 , R 2 and m have the same meanings as L 2 , R 2 and m in formula (2-1) above, and preferred embodiments are also the same.
  • the specific resin when the specific resin contains a structure represented by formula (2-4), the specific resin preferably contains a repeating unit represented by formula (3) described below.
  • R 122 and R 124 in formula (2-4) may be any of the repeating units represented by formula (3) contained in the specific resin. It is also preferred to have the same structure as R 122 and R 124 in (1).
  • * in formula (2-4) is also preferably a bonding site with R 121 in formula (3).
  • the specific resin when the specific resin contains a structure represented by formula (2-1) above, the specific resin preferably also contains a structure represented by formula (2-5) below.
  • R 134 represents a tetravalent organic group
  • L 2 is an m+1 valent linking group that does not contain a single bond or an oxazole ring structure
  • R 2 is a nitrogen atom having two or more ring members.
  • m represents an integer of 1 or more
  • * represents a binding site with another structure.
  • R 134 has the same definition as R 134 in formula (X) described below, and preferred embodiments are also the same.
  • L 2 , R 2 and m have the same meanings as L 2 , R 2 and m in formula (1-1) above, and preferred embodiments are also the same.
  • the specific resin preferably contains a repeating unit represented by formula (X) described below.
  • R 134 in formula (2-5) is R in any of the repeating units represented by formula (X) contained in the specific resin The same structure as 134 is also preferred.
  • * in formula (1-5) is also preferably a bonding site with R 133 in formula (X).
  • R 113 and R 114 in formula (2) to be described later, R 123 and R 124 in formula (3) to be described later, R 113 in formula (PAI-2) to be described later, and the above nitrogen-containing heterocyclic structures may include
  • the cyclized resin is preferably a resin containing an imide ring structure or an oxazole ring structure in its main chain structure.
  • the main chain represents the relatively longest connecting chain in the resin molecule.
  • cyclized resins include polyimide, polybenzoxazole, and polyamideimide.
  • a precursor of a cyclized resin is a resin that undergoes a change in chemical structure by an external stimulus to become a cyclized resin, preferably a resin that undergoes a change in chemical structure by heat to become a cyclized resin.
  • a resin that becomes a cyclized resin by forming a ring structure is more preferable.
  • Precursors of the cyclized resin include polyimide precursors, polybenzoxazole precursors, polyamideimide precursors, and the like. That is, the resin composition of the present invention contains, as a specific resin, at least one selected from the group consisting of polyimides, polyimide precursors, polybenzoxazoles, polybenzoxazole precursors, polyamideimides, and polyamideimide precursors. It preferably contains a resin (specific resin).
  • the resin composition of the present invention preferably contains polyimide or a polyimide precursor as the specific resin.
  • the specific resin preferably has a polymerizable group, and more preferably contains a radically polymerizable group.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a radical polymerization initiator described later, and contains a radical polymerization initiator described later and a radical cross-linking agent described later. is more preferred. Further, if necessary, a sensitizer described later can be included. For example, a negative photosensitive film is formed from the resin composition of the present invention.
  • polyimide precursor Although the type of the polyimide precursor used in the present invention is not particularly limited, it preferably contains a repeating unit represented by the following formula (2).
  • a 1 and A 2 each independently represent an oxygen atom or -NH-
  • R 111 represents a divalent organic group
  • R 115 represents a tetravalent organic group
  • R 113 and R 114 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.
  • a 1 and A 2 in formula (2) each independently represent an oxygen atom or —NH—, preferably an oxygen atom.
  • R 111 in formula (2) represents a divalent organic group.
  • divalent organic groups include groups containing linear or branched aliphatic groups, cyclic aliphatic groups and aromatic groups, linear or branched aliphatic groups having 2 to 20 carbon atoms, A cyclic aliphatic group having 3 to 20 carbon atoms, an aromatic group having 3 to 20 carbon atoms, or a group consisting of a combination thereof is preferable, and a group containing an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms is more preferable.
  • the hydrocarbon group in the chain may be substituted with a group containing a hetero atom, and in the cyclic aliphatic group and the aromatic group, the ring member hydrocarbon group is a hetero atom.
  • may be substituted with a group containing Groups represented by -Ar- and -Ar-L-Ar- are exemplified as preferred embodiments of the present invention, and groups represented by -Ar-L-Ar- are particularly preferred.
  • Ar is each independently an aromatic group
  • L is a single bond, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -CO -, -S-, -SO 2 - or -NHCO-, or a group consisting of a combination of two or more of the above. Preferred ranges for these are as described above.
  • R 111 is preferably derived from a diamine.
  • Diamines used in the production of polyimide precursors include linear or branched aliphatic, cyclic aliphatic or aromatic diamines. Only one type of diamine may be used, or two or more types may be used. Specifically, a linear or branched aliphatic group having 2 to 20 carbon atoms, a cyclic aliphatic group having 3 to 20 carbon atoms, an aromatic group having 3 to 20 carbon atoms, or a group consisting of a combination thereof is preferably a diamine containing, more preferably a diamine containing an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms. In the straight-chain or branched aliphatic group, the hydrocarbon group in the chain may be substituted with a group containing a heteroatom. may be substituted with a group containing Examples of groups containing aromatic groups include:
  • * represents a binding site with other structures.
  • diamines include 1,2-diaminoethane, 1,2-diaminopropane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane or 1,6-diaminohexane; ,3-diaminocyclopentane, 1,2-, 1,3- or 1,4-diaminocyclohexane, 1,2-, 1,3- or 1,4-bis(aminomethyl)cyclohexane, bis-(4- aminocyclohexyl)methane, bis-(3-aminocyclohexyl)methane, 4,4′-diamino-3,3′-dimethylcyclohexylmethane and isophoronediamine; m- or p-phenylenediamine, diaminotoluene, 4,4′- or 3,3'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 3, 3,3
  • diamines (DA-1) to (DA-18) described in paragraphs 0030 to 0031 of International Publication No. 2017/038598.
  • diamines having two or more alkylene glycol units in the main chain described in paragraphs 0032 to 0034 of International Publication No. 2017/038598 are preferably used.
  • R 111 is preferably represented by -Ar-L-Ar- from the viewpoint of the flexibility of the resulting organic film.
  • Ar is each independently an aromatic group
  • L is an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -CO-, -S- , —SO 2 — or —NHCO—, or a group consisting of a combination of two or more of the above.
  • Ar is preferably a phenylene group
  • L is preferably an aliphatic hydrocarbon group having 1 or 2 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, -O-, -CO-, -S- or -SO 2 - .
  • the aliphatic hydrocarbon group here is preferably an alkylene group.
  • R 111 is preferably a divalent organic group represented by the following formula (51) or (61).
  • a divalent organic group represented by Formula (61) is more preferable.
  • Equation (51) In formula (51), R 50 to R 57 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, and at least one of R 50 to R 57 is a fluorine atom, a methyl group or a trifluoro It is a methyl group, and each * independently represents a binding site to the nitrogen atom in formula (2).
  • the monovalent organic groups represented by R 50 to R 57 include unsubstituted alkyl groups having 1 to 10 carbon atoms (preferably 1 to 6 carbon atoms), A fluorinated alkyl group and the like can be mentioned.
  • R 58 and R 59 are each independently a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group, and * is each independently a binding site to the nitrogen atom in formula (2) show.
  • Diamines that give the structure of formula (51) or (61) include 2,2′-dimethylbenzidine, 2,2′-bis(trifluoromethyl)-4,4′-diaminobiphenyl, 2,2′-bis (Fluoro)-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminooctafluorobiphenyl and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
  • R 115 in formula (2) represents a tetravalent organic group.
  • a tetravalent organic group containing an aromatic ring is preferable, and a group represented by the following formula (5) or (6) is more preferable.
  • each * independently represents a binding site to another structure.
  • R 112 is a single bond or a divalent linking group, a single bond, or an aliphatic hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms which may be substituted with a fluorine atom, —O—, -CO-, -S-, -SO 2 -, and -NHCO-, and preferably a group selected from a combination thereof, having 1 to 1 carbon atoms optionally substituted by a single bond or a fluorine atom 3 alkylene group, -O-, -CO-, -S- and -SO 2 -, and -CH 2 -, -C(CF 3 ) 2 -, -C( It is more preferably a divalent group selected from the group consisting of CH 3 ) 2 -, -O-, -CO-, -S- and -SO 2 -.
  • R 115 specifically includes a tetracarboxylic acid residue remaining after removal of an anhydride group from a tetracarboxylic dianhydride.
  • the polyimide precursor may contain only one type of tetracarboxylic dianhydride residue, or may contain two or more types thereof, as the structure corresponding to R115 .
  • the tetracarboxylic dianhydride is preferably represented by the following formula (O).
  • R 115 represents a tetravalent organic group.
  • the preferred range of R 115 is synonymous with R 115 in formula (2), and the preferred range is also the same.
  • tetracarboxylic dianhydrides include pyromellitic dianhydride (PMDA), 3,3′,4,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3′,4,4′- Diphenyl sulfide tetracarboxylic dianhydride, 3,3′,4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride, 3,3′,4,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 3,3′ ,4,4′-diphenylmethanetetracarboxylic dianhydride, 2,2′,3,3′-diphenylmethanetetracarboxylic dianhydride, 2,3,3′,4′-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,3,3′,4′-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 4,4′-oxydiphthalic dianhydride,
  • tetracarboxylic dianhydrides (DAA-1) to (DAA-5) described in paragraph 0038 of WO 2017/038598 are also preferred examples.
  • R 111 and R 115 has an OH group. More specifically, R 111 includes residues of bisaminophenol derivatives.
  • R 113 and R 114 in formula (2) each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group.
  • the monovalent organic group preferably includes a linear or branched alkyl group, a cyclic alkyl group, an aromatic group, or a polyalkyleneoxy group.
  • At least one of R 113 and R 114 preferably contains a polymerizable group, more preferably both contain a polymerizable group. It is also preferred that at least one of R 113 and R 114 contains two or more polymerizable groups.
  • the polymerizable group is a group capable of undergoing a cross-linking reaction by the action of heat, radicals, or the like, and is preferably a radically polymerizable group.
  • the polymerizable group examples include a group having an ethylenically unsaturated bond, an alkoxymethyl group, a hydroxymethyl group, an acyloxymethyl group, an epoxy group, an oxetanyl group, a benzoxazolyl group, a blocked isocyanate group, and an amino group. be done.
  • a group having an ethylenically unsaturated bond is preferred.
  • Groups having an ethylenically unsaturated bond include a vinyl group, an allyl group, an isoallyl group, a 2-methylallyl group, a group having an aromatic ring directly bonded to a vinyl group (e.g., a vinylphenyl group), and a (meth)acrylamide group.
  • a (meth)acryloyloxy group a group represented by the following formula (III), and the like, and a group represented by the following formula (III) is preferable.
  • R 200 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or a methylol group, preferably a hydrogen atom or a methyl group.
  • * represents a binding site with another structure.
  • R 201 represents an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, —CH 2 CH(OH)CH 2 —, a cycloalkylene group or a polyalkyleneoxy group.
  • R 201 examples include ethylene, propylene, trimethylene, tetramethylene, pentamethylene, hexamethylene, octamethylene, alkylene groups such as dodecamethylene, 1,2-butanediyl, 1, 3-butanediyl group, —CH 2 CH(OH)CH 2 —, polyalkyleneoxy group, ethylene group, alkylene group such as propylene group, —CH 2 CH(OH)CH 2 —, cyclohexyl group, polyalkylene An oxy group is more preferred, and an alkylene group such as an ethylene group, a propylene group, or a polyalkyleneoxy group is even more preferred.
  • alkylene groups such as dodecamethylene, 1,2-butanediyl, 1, 3-butanediyl group, —CH 2 CH(OH)CH 2 —, polyalkyleneoxy group, ethylene group, alkylene group such as propylene group, —CH 2 CH(OH)CH 2
  • a polyalkyleneoxy group refers to a group in which two or more alkyleneoxy groups are directly bonded.
  • the alkylene groups in the plurality of alkyleneoxy groups contained in the polyalkyleneoxy group may be the same or different.
  • the arrangement of the alkyleneoxy groups in the polyalkyleneoxy group may be a random arrangement or a block arrangement. Alternatively, it may be arranged in a pattern such as an alternating pattern.
  • the number of carbon atoms in the alkylene group (including the number of carbon atoms in the substituent when the alkylene group has a substituent) is preferably 2 or more, more preferably 2 to 10, and 2 to 6.
  • the said alkylene group may have a substituent.
  • Preferred substituents include alkyl groups, aryl groups, and halogen atoms.
  • the number of alkyleneoxy groups contained in the polyalkyleneoxy group is preferably 2 to 20, more preferably 2 to 10, and even more preferably 2 to 6.
  • a group to which an oxy group is bonded is preferable, a polyethyleneoxy group or a polypropyleneoxy group is more preferable, and a polyethyleneoxy group is still more preferable.
  • the ethyleneoxy groups and the propyleneoxy groups may be arranged randomly, or may be arranged to form blocks. , may be arranged in a pattern such as alternately. Preferred embodiments of the number of repetitions of ethyleneoxy groups and the like in these groups are as described above.
  • the polyimide precursor when R 113 is a hydrogen atom, or when R 114 is a hydrogen atom, the polyimide precursor may form a tertiary amine compound having an ethylenically unsaturated bond and a counter salt. good.
  • tertiary amine compounds having ethylenically unsaturated bonds include N,N-dimethylaminopropyl methacrylate.
  • the polyimide precursor preferably has a fluorine atom in its structure.
  • the content of fluorine atoms in the polyimide precursor is preferably 10% by mass or more, and preferably 20% by mass or less.
  • the polyimide precursor may be copolymerized with an aliphatic group having a siloxane structure.
  • an aliphatic group having a siloxane structure there is an embodiment using bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane, bis(p-aminophenyl)octamethylpentasiloxane, or the like as the diamine.
  • the repeating unit represented by formula (2) is preferably a repeating unit represented by formula (2-A). That is, at least one polyimide precursor used in the present invention is preferably a precursor having a repeating unit represented by formula (2-A). By including the repeating unit represented by the formula (2-A) in the polyimide precursor, it becomes possible to further widen the width of the exposure latitude.
  • a 1 and A 2 represent an oxygen atom
  • R 111 and R 112 each independently represent a divalent organic group
  • R 113 and R 114 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group
  • at least one of R 113 and R 114 is a group containing a polymerizable group, and both are preferably groups containing a polymerizable group.
  • a 1 , A 2 , R 111 , R 113 and R 114 are each independently synonymous with A 1 , A 2 , R 111 , R 113 and R 114 in formula (2), and preferred ranges are also the same.
  • R 112 has the same definition as R 112 in formula (5), and the preferred range is also the same.
  • the polyimide precursor may contain one type of repeating unit represented by formula (2), but may contain two or more types. It may also contain structural isomers of the repeating unit represented by formula (2). It goes without saying that the polyimide precursor may also contain other types of repeating units in addition to the repeating units of formula (2) above.
  • the content of the repeating unit represented by formula (2) is 50 mol% or more of the total repeating units.
  • the total content is more preferably 70 mol % or more, still more preferably 90 mol % or more, and particularly preferably more than 90 mol %.
  • the upper limit of the total content is not particularly limited, and all repeating units in the polyimide precursor excluding terminals may be repeating units represented by formula (2).
  • the weight average molecular weight (Mw) of the polyimide precursor is preferably 5,000 to 100,000, more preferably 10,000 to 50,000, still more preferably 15,000 to 40,000. Also, the number average molecular weight (Mn) is preferably 2,000 to 40,000, more preferably 3,000 to 30,000, still more preferably 4,000 to 20,000.
  • the polyimide precursor preferably has a molecular weight distribution of 1.5 or more, more preferably 1.8 or more, and even more preferably 2.0 or more. Although the upper limit of the polyimide precursor's molecular weight dispersity is not particularly defined, it is preferably 7.0 or less, more preferably 6.5 or less, and even more preferably 6.0 or less.
  • the molecular weight dispersity is a value calculated by weight average molecular weight/number average molecular weight.
  • the weight average molecular weight, number average molecular weight, and degree of dispersion of at least one polyimide precursor are preferably within the above ranges. It is also preferable that the weight-average molecular weight, the number-average molecular weight, and the degree of dispersion calculated from the plurality of types of polyimide precursors as one resin are within the ranges described above.
  • the polyimide used in the present invention may be an alkali-soluble polyimide or a polyimide soluble in a developer containing an organic solvent as a main component.
  • the alkali-soluble polyimide refers to a polyimide that dissolves at 23° C. by 0.1 g or more in 100 g of a 2.38% by mass tetramethylammonium aqueous solution, and from the viewpoint of pattern formation, 0.5 g or more. It is preferably a polyimide that dissolves, and more preferably a polyimide that dissolves 1.0 g or more. Although the upper limit of the dissolved amount is not particularly limited, it is preferably 100 g or less.
  • the polyimide is preferably a polyimide having a plurality of imide structures in its main chain from the viewpoint of the film strength and insulating properties of the resulting organic film.
  • the term "main chain” refers to the relatively longest linking chain in the molecule of the polymer compound that constitutes the resin, and the term “side chain” refers to the other linking chain.
  • the polyimide preferably has a fluorine atom.
  • a fluorine atom is preferably included in, for example, R132 in a repeating unit represented by formula (4) described later or R131 in a repeating unit represented by formula (4) described later. ) or R 131 in a repeating unit represented by formula (4) described later as a fluorinated alkyl group.
  • the amount of fluorine atoms relative to the total mass of polyimide is preferably 5% by mass or more and preferably 20% by mass or less.
  • the polyimide preferably has a silicon atom.
  • a silicon atom for example, is preferably contained in R 131 in a repeating unit represented by formula (4) described later, and R 131 in a repeating unit represented by formula (4) described later is an organically modified (poly ) is more preferably contained as a siloxane structure.
  • the silicon atom or the organically modified (poly)siloxane structure may be contained in the side chain of the polyimide, but is preferably contained in the main chain of the polyimide.
  • the amount of silicon atoms relative to the total mass of polyimide is preferably 1% by mass or more, and more preferably 20% by mass or less.
  • the polyimide preferably has an ethylenically unsaturated bond.
  • the polyimide may have an ethylenically unsaturated bond at the end of its main chain or in a side chain, preferably in a side chain.
  • the ethylenically unsaturated bond preferably has radical polymerizability.
  • the ethylenically unsaturated bond is preferably contained in R 132 in a repeating unit represented by the formula (4) described later, or R 131 in a repeating unit represented by the formula (4) described later.
  • the ethylenically unsaturated bond is preferably contained in R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described later, and ethylene is contained in R 131 in the repeating unit represented by formula (4) described later It is more preferably included as a group having a polyunsaturated bond.
  • the group having an ethylenically unsaturated bond includes a group having an optionally substituted vinyl group directly bonded to an aromatic ring such as a vinyl group, an allyl group, a vinylphenyl group, a (meth)acrylamide group, a (meth) Examples include an acryloyloxy group and a group represented by the following formula (IV).
  • R 20 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or a methylol group, preferably a hydrogen atom or a methyl group.
  • R 21 is an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, —O—CH 2 CH(OH)CH 2 —, —C( ⁇ O)O—, —O(C ⁇ O)NH— , a (poly)alkyleneoxy group having 2 to 30 carbon atoms (the number of carbon atoms in the alkylene group is preferably 2 to 12, more preferably 2 to 6, and particularly preferably 2 or 3; the number of repetitions is preferably 1 to 12, 1 to 6 are more preferable, and 1 to 3 are particularly preferable), or a group in which two or more of these are combined.
  • the alkylene group having 2 to 12 carbon atoms may be a linear, branched, cyclic, or a combination of these alkylene groups.
  • an alkylene group having 2 to 8 carbon atoms is preferable, and an alkylene group having 2 to 4 carbon atoms is more preferable.
  • R 21 is preferably a group represented by any one of the following formulas (R1) to (R3), more preferably a group represented by formula (R1).
  • L represents a single bond, an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms, a (poly)alkyleneoxy group having 2 to 30 carbon atoms, or a group in which two or more of these are combined
  • X represents an oxygen atom or a sulfur atom
  • * represents a bonding site with another structure
  • ⁇ represents a bonding site with the oxygen atom to which R 21 in formula (IV) bonds.
  • a preferred embodiment of an alkylene group having 2 to 12 carbon atoms or a (poly)alkyleneoxy group having 2 to 30 carbon atoms in L is the above-mentioned R 21 having 2 to 12 carbon atoms. It is the same as the preferred embodiment of the 12 alkylene group or the (poly)alkyleneoxy group having 2 to 30 carbon atoms.
  • X is preferably an oxygen atom.
  • * has the same meaning as * in formula (IV), and preferred embodiments are also the same.
  • the structure represented by formula (R1) is, for example, a polyimide having a hydroxy group such as a phenolic hydroxy group, and a compound having an isocyanato group and an ethylenically unsaturated bond (e.g., 2-isocyanatoethyl methacrylate, etc.). Obtained by reaction.
  • the structure represented by formula (R2) can be obtained, for example, by reacting a polyimide having a carboxy group with a compound having a hydroxy group and an ethylenically unsaturated bond (eg, 2-hydroxyethyl methacrylate, etc.).
  • the structure represented by formula (R3) can be obtained, for example, by reacting a polyimide having a hydroxy group such as a phenolic hydroxy group with a compound having a glycidyl group and an ethylenically unsaturated bond (e.g., glycidyl methacrylate, etc.) can get.
  • a polyimide having a hydroxy group such as a phenolic hydroxy group
  • a compound having a glycidyl group and an ethylenically unsaturated bond e.g., glycidyl methacrylate, etc.
  • * represents a binding site with another structure, preferably a binding site with the main chain of polyimide.
  • the amount of ethylenically unsaturated bonds relative to the total mass of the polyimide is preferably 0.0001-0.1 mol/g, more preferably 0.0005-0.05 mol/g.
  • Polyimide may have a polymerizable group other than the group having an ethylenically unsaturated bond.
  • Polymerizable groups other than groups having an ethylenically unsaturated bond include cyclic ether groups such as an epoxy group and an oxetanyl group, alkoxymethyl groups such as a methoxymethyl group, and methylol groups.
  • a polymerizable group other than a group having an ethylenically unsaturated bond is preferably included, for example, in R 131 in a repeating unit represented by formula (4) described below.
  • the amount of the polymerizable group other than the group having an ethylenically unsaturated bond with respect to the total mass of the polyimide is preferably 0.0001 to 0.1 mol / g, preferably 0.001 to 0.05 mol / g. more preferred.
  • the acid value of polyimide is preferably 30 mgKOH/g or more, more preferably 50 mgKOH/g or more, and more preferably 70 mgKOH/g or more, from the viewpoint of improving developability. is more preferable. Also, the acid value is preferably 500 mgKOH/g or less, more preferably 400 mgKOH/g or less, and even more preferably 200 mgKOH/g or less. Further, when the polyimide is subjected to development using a developer containing an organic solvent as a main component (for example, "solvent development” described later), the acid value of the polyimide is preferably 1 to 35 mgKOH/g, and 2 to 30 mgKOH.
  • the acid value is measured by a known method, for example, by the method described in JIS K 0070:1992.
  • the acid group contained in the polyimide preferably has a pKa of 0 to 10, more preferably 3 to 8, from the viewpoint of both storage stability and developability.
  • the pKa is expressed by the negative common logarithm pKa of the equilibrium constant Ka.
  • pKa is a value calculated by ACD/ChemSketch (registered trademark).
  • the values listed in the Chemical Society of Japan, Revised 5th Edition, Basics of Chemistry may be referred to.
  • the acid group is a polyvalent acid such as phosphoric acid
  • the pKa is the first dissociation constant.
  • the polyimide preferably contains at least one selected from the group consisting of a carboxy group and a phenolic hydroxy group, more preferably a phenolic hydroxy group.
  • the polyimide preferably has a phenolic hydroxy group from the viewpoint of making the development speed with an alkaline developer appropriate.
  • the polyimide may have a phenolic hydroxy group at the end of the main chain or in the side chain.
  • a phenolic hydroxy group is preferably contained in, for example, R 132 in a repeating unit represented by formula (4) described later or R 131 in a repeating unit represented by formula (4) described later.
  • the amount of phenolic hydroxy groups relative to the total weight of the polyimide is preferably 0.1-30 mol/g, more preferably 1-20 mol/g.
  • the polyimide used in the present invention is not particularly limited as long as it is a polymer compound having an imide structure, but it preferably contains a repeating unit represented by the following formula (4).
  • R 131 represents a divalent organic group and R 132 represents a tetravalent organic group.
  • the polymerizable group may be located on at least one of R 131 and R 132 , and the terminal of the polyimide as shown in the following formula (4-1) or (4-2) may be located in Formula (4-1)
  • R 133 is a polymerizable group, and other groups are the same as in formula (4).
  • Formula (4-2) At least one of R 134 and R 135 is a polymerizable group, and when it is not a polymerizable group, it is an organic group, and the other groups are as defined in formula (4).
  • R 131 represents a divalent organic group.
  • Examples of the divalent organic group are the same as those for R 111 in formula (2), and the preferred range is also the same.
  • R 131 also includes a diamine residue remaining after removal of the amino group of the diamine.
  • Diamines include aliphatic, cycloaliphatic or aromatic diamines.
  • a specific example is the example of R 111 in formula (2) of the polyimide precursor.
  • R 131 is preferably a diamine residue having at least two alkylene glycol units in its main chain from the viewpoint of more effectively suppressing warping during baking. More preferably, it is a diamine residue containing two or more ethylene glycol chains, propylene glycol chains, or both in one molecule, and more preferably the above diamine, which does not contain an aromatic ring. is.
  • Diamines containing two or more ethylene glycol chains, propylene glycol chains, or both in one molecule include Jeffamine (registered trademark) KH-511, ED-600, ED-900, ED-2003, and EDR. -148, EDR-176, D-200, D-400, D-2000, D-4000 (trade names, manufactured by HUNTSMAN Co., Ltd.), 1-(2-(2-(2-aminopropoxy)ethoxy) propoxy)propan-2-amine, 1-(1-(1-(2-aminopropoxy)propan-2-yl)oxy)propan-2-amine, and the like.
  • R 132 represents a tetravalent organic group.
  • examples of the tetravalent organic group are the same as those for R 115 in formula (2), and the preferred range is also the same.
  • four bonds of a tetravalent organic group exemplified as R 115 combine with four —C( ⁇ O)— moieties in the above formula (4) to form a condensed ring.
  • R 132 includes, for example, a tetracarboxylic acid residue remaining after removal of an anhydride group from a tetracarboxylic dianhydride.
  • a specific example is the example of R 115 in formula (2) of the polyimide precursor.
  • R 132 is preferably an aromatic diamine residue having 1 to 4 aromatic rings.
  • R 131 and R 132 has an OH group. More specifically, R 131 is 2,2-bis(3-hydroxy-4-aminophenyl)propane, 2,2-bis(3-hydroxy-4-aminophenyl)hexafluoropropane, 2,2- Bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)propane, 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)hexafluoropropane, and the above (DA-1) to (DA-18) are preferred examples. and more preferred examples of R 132 are the above (DAA-1) to (DAA-5).
  • the polyimide preferably has a fluorine atom in its structure.
  • the content of fluorine atoms in the polyimide is preferably 10% by mass or more, and preferably 20% by mass or less.
  • the polyimide may be copolymerized with an aliphatic group having a siloxane structure.
  • the diamine component include bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane and bis(p-aminophenyl)octamethylpentasiloxane.
  • the main chain end of the polyimide is blocked with a terminal blocking agent such as monoamine, acid anhydride, monocarboxylic acid, monoacid chloride compound, monoactive ester compound. preferably.
  • monoamines examples include aniline, 2-ethynylaniline, 3-ethynylaniline, 4-ethynylaniline, 5-amino-8-hydroxyquinoline, 1-hydroxy-7 -aminonaphthalene, 1-hydroxy-6-aminonaphthalene, 1-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-hydroxy-4-aminonaphthalene, 2-hydroxy-7-aminonaphthalene, 2-hydroxy-6-aminonaphthalene, 2 -hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-carboxy-7-aminonaphthalene, 1-carboxy-6-aminonaphthalene, 1-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-carboxy-7-aminonaphthalene, 2-carboxy-6- Aminonaphthalene, 2-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-aminobenzoic acid, 3-aminobenzoic acid, 4-aminobenzoic acid, 2-aminobenzoic acid
  • the imidization rate (also referred to as "ring closure rate") of the polyimide is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, from the viewpoint of the film strength, insulation properties, etc. of the resulting organic film. More preferably, it is 90% or more.
  • the upper limit of the imidization rate is not particularly limited, and may be 100% or less.
  • the imidization rate is measured, for example, by the method described below. The infrared absorption spectrum of the polyimide is measured, and the peak intensity P1 near 1377 cm ⁇ 1 , which is the absorption peak derived from the imide structure, is obtained. Next, after heat-treating the polyimide at 350° C.
  • the polyimide may contain repeating units represented by the above formula (4) that all contain one type of R 131 or R 132 , and the above formula ( 4) may contain a repeating unit. Moreover, the polyimide may contain other types of repeating units in addition to the repeating units represented by the above formula (4). Other types of repeating units include, for example, repeating units represented by formula (2) above.
  • polyimide for example, a method of reacting a tetracarboxylic dianhydride and a diamine (partially replaced with a monoamine terminal blocker) at a low temperature, a method of reacting a tetracarboxylic dianhydride (partially with an acid anhydride) at a low temperature a monoacid chloride compound or a monoactive ester compound) and a diamine, a diester is obtained by a tetracarboxylic dianhydride and an alcohol, and then a diamine (a part of which is a monoamine A method of reacting in the presence of a condensing agent) with a condensing agent, a diester is obtained by tetracarboxylic acid dianhydride and alcohol, then the remaining dicarboxylic acid is acid chloride, diamine (part of which is a monoamine Using a method such as a method of reacting with a terminal blocking agent) to obtain a polyimide precursor
  • the weight average molecular weight (Mw) of the polyimide is preferably 5,000 to 100,000, more preferably 10,000 to 50,000, still more preferably 15,000 to 40,000. By setting the weight average molecular weight to 5,000 or more, the folding resistance of the cured film can be improved. A weight-average molecular weight of 15,000 or more is particularly preferable in order to obtain an organic film having excellent mechanical properties (e.g., elongation at break). Also, the number average molecular weight (Mn) of the polyimide is preferably 2,000 to 40,000, more preferably 3,000 to 30,000, still more preferably 4,000 to 20,000. The polyimide has a molecular weight distribution of preferably 1.5 or more, more preferably 1.8 or more, and even more preferably 2.0 or more.
  • the upper limit of the polyimide molecular weight dispersion is not particularly defined, it is preferably 7.0 or less, more preferably 6.5 or less, and even more preferably 6.0 or less.
  • the weight-average molecular weight, number-average molecular weight, and degree of dispersion of at least one type of polyimide are preferably within the above ranges. It is also preferable that the weight-average molecular weight, the number-average molecular weight, and the degree of dispersion calculated using the above plural kinds of polyimides as one resin are within the ranges described above.
  • polybenzoxazole precursor Although the structure of the polybenzoxazole precursor used in the present invention is not particularly defined, it preferably contains a repeating unit represented by the following formula (3).
  • R 121 represents a divalent organic group
  • R 122 represents a tetravalent organic group
  • R 123 and R 124 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group. show.
  • R 123 and R 124 each have the same meaning as R 113 in formula (2), and the preferred ranges are also the same. That is, at least one is preferably a polymerizable group.
  • R 121 represents a divalent organic group.
  • the divalent organic group a group containing at least one of an aliphatic group and an aromatic group is preferred.
  • the aliphatic group a linear aliphatic group is preferred.
  • R 121 is preferably a dicarboxylic acid residue. Only one type of dicarboxylic acid residue may be used, or two or more types may be used.
  • a dicarboxylic acid residue containing an aliphatic group and a dicarboxylic acid residue containing an aromatic group are preferable, and a dicarboxylic acid residue containing an aromatic group is more preferable.
  • the dicarboxylic acid containing an aliphatic group is preferably a dicarboxylic acid containing a linear or branched (preferably linear) aliphatic group, a linear or branched (preferably linear) aliphatic group and two -COOH A dicarboxylic acid consisting of is more preferred.
  • the number of carbon atoms in the linear or branched (preferably linear) aliphatic group is preferably 2 to 30, more preferably 2 to 25, even more preferably 3 to 20, and 4 to 15 is more preferred, and 5-10 is particularly preferred.
  • the linear aliphatic group is preferably an alkylene group.
  • Dicarboxylic acids containing linear aliphatic groups include malonic acid, dimethylmalonic acid, ethylmalonic acid, isopropylmalonic acid, di-n-butylmalonic acid, succinic acid, tetrafluorosuccinic acid, methylsuccinic acid, 2, 2-dimethylsuccinic acid, 2,3-dimethylsuccinic acid, dimethylmethylsuccinic acid, glutaric acid, hexafluoroglutaric acid, 2-methylglutaric acid, 3-methylglutaric acid, 2,2-dimethylglutaric acid, 3,3-dimethylglutaric acid, 3-ethyl-3-methylglutaric acid, adipic acid, octafluoroadipic acid, 3-methyladipic acid, pimelic acid, 2,2,6,6-tetramethylpimelic acid, suberin acid, dodecanedioic acid, azelaic acid, sebacic acid, hexadecanedi
  • Z is a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 6.
  • the dicarboxylic acid containing an aromatic group the following dicarboxylic acid having an aromatic group is preferable, and the following dicarboxylic acid consisting of only a group having an aromatic group and two -COOH is more preferable.
  • A is -CH 2 -, -O-, -S-, -SO 2 -, -CO-, -NHCO-, -C(CF 3 ) 2 -, and -C(CH 3 ) 2 - represents a divalent group selected from the group consisting of * independently represents a binding site to another structure.
  • dicarboxylic acids containing aromatic groups include 4,4'-carbonyl dibenzoic acid, 4,4'-dicarboxydiphenyl ether, and terephthalic acid.
  • R 122 represents a tetravalent organic group.
  • the tetravalent organic group has the same meaning as R 115 in the above formula (2), and the preferred range is also the same.
  • R 122 is also preferably a group derived from a bisaminophenol derivative.
  • bisaminophenol derivatives having the following aromatic groups are preferred.
  • X 1 represents -O-, -S-, -C(CF 3 ) 2 -, -CH 2 -, -SO 2 -, -NHCO-, and * and # respectively represent other structures and represents the binding site of R represents a hydrogen atom or a monovalent substituent, preferably a hydrogen atom or a hydrocarbon group, more preferably a hydrogen atom or an alkyl group.
  • R 122 is also preferably a structure represented by the above formula.
  • any two of the total four * and # are binding sites with the nitrogen atom to which R 122 in formula (3) binds, and Another two are preferably bonding sites with the oxygen atom to which R 122 in formula (3) is bonded, and two * are bonding sites with the oxygen atom to which R 122 in formula (3) is bonded. and two #s are binding sites to the nitrogen atom to which R 122 in formula (3) binds, or two * are binding sites to the nitrogen atom to which R 122 in formula (3) binds and two #s are more preferably a binding site to the oxygen atom to which R 122 in formula (3) binds, and two * are the oxygen to which R 122 in formula (3) binds. More preferably, it is a bonding site with an atom and two #s are bonding sites with a nitrogen atom to which R 122 in formula (3) is bonded.
  • the bisaminophenol derivative is also preferably a compound represented by formula (As).
  • R 1 is a hydrogen atom, alkylene, substituted alkylene, -O-, -S-, -SO 2 -, -CO-, -NHCO-, a single bond, or the following formula (A- It is an organic group selected from the group of sc).
  • R2 is a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group, or a cyclic alkyl group, and may be the same or different.
  • R3 is a hydrogen atom , a linear or branched alkyl group, an alkoxy group, an acyloxy group, or a cyclic alkyl group, and may be the same or different.
  • R 1 is alkylene or substituted alkylene.
  • alkylene and substituted alkylene for R 1 include linear or branched alkyl groups having 1 to 8 carbon atoms, among which —CH 2 — and —CH(CH 3 ) -, -C(CH 3 ) 2 - have sufficient solubility in solvents while maintaining the effect of high i-line transparency and high cyclization rate when cured at low temperature. It is more preferable in that a polybenzoxazole precursor having excellent properties can be obtained.
  • the polybenzoxazole precursor may also contain other types of repeating units in addition to the repeating units of formula (3) above.
  • the polybenzoxazole precursor preferably contains a diamine residue represented by the following formula (SL) as another type of repeating unit in that warping due to ring closure can be suppressed.
  • Z has an a structure and a b structure
  • R 1s is a hydrogen atom or a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms
  • R 2s is a hydrocarbon group having 1 to 10 carbon atoms.
  • At least one of R 3s , R 4s , R 5s and R 6s is an aromatic group, and the rest are hydrogen atoms or organic groups having 1 to 30 carbon atoms, which may be the same or different.
  • Polymerization of a structure and b structure may be block polymerization or random polymerization.
  • the mol % of the Z portion is 5 to 95 mol % for the a structure, 95 to 5 mol % for the b structure, and 100 mol % for a+b.
  • preferred Z include those in which R 5s and R 6s in the b structure are phenyl groups.
  • the molecular weight of the structure represented by formula (SL) is preferably 400 to 4,000, more preferably 500 to 3,000.
  • tetracarboxylic acid residues include those of R 115 in formula (2).
  • the weight average molecular weight (Mw) of the polybenzoxazole precursor is, for example, preferably 18,000 to 30,000, more preferably 20,000 to 29,000, still more preferably 22,000 to 28, 000. Also, the number average molecular weight (Mn) is preferably 7,200 to 14,000, more preferably 8,000 to 12,000, still more preferably 9,200 to 11,200.
  • the molecular weight dispersity of the polybenzoxazole precursor is preferably 1.4 or more, more preferably 1.5 or more, and even more preferably 1.6 or more.
  • the upper limit of the molecular weight dispersity of the polybenzoxazole precursor is not particularly defined, for example, it is preferably 2.6 or less, more preferably 2.5 or less, further preferably 2.4 or less, and 2.3 or less. is more preferable, and 2.2 or less is even more preferable.
  • the resin composition contains a plurality of types of polybenzoxazole precursors as specific resins
  • the weight-average molecular weight, number-average molecular weight, and degree of dispersion of at least one type of polybenzoxazole precursor are within the above ranges. preferable. It is also preferable that the weight-average molecular weight, the number-average molecular weight, and the degree of dispersion calculated from the plurality of types of polybenzoxazole precursors as one resin are within the ranges described above.
  • Polybenzoxazole is not particularly limited as long as it is a polymer compound having a benzoxazole ring, but it is preferably a compound represented by the following formula (X), and a compound represented by the following formula (X) and more preferably a compound having a polymerizable group.
  • a radically polymerizable group is preferred.
  • R 133 represents a divalent organic group and R 134 represents a tetravalent organic group.
  • the polymerizable group may be located at least one of R 133 and R 134 , and polybenzoxazole as shown in the following formula (X-1) or formula (X-2) may be located at the end of the Formula (X-1)
  • at least one of R 135 and R 136 is a polymerizable group, and when it is not a polymerizable group, it is an organic group, and the other groups are as defined in formula (X).
  • the polymerizable group is synonymous with the polymerizable group described in the polymerizable group possessed by the polyimide precursor above.
  • R 133 represents a divalent organic group.
  • Divalent organic groups include aliphatic groups and aromatic groups.
  • a specific example is the example of R 121 in formula (3) of the polybenzoxazole precursor. Preferred examples thereof are the same as those of R121 .
  • R 134 represents a tetravalent organic group.
  • Tetravalent organic groups include examples of R 122 in the polybenzoxazole precursor formula (3). Moreover, the preferred examples thereof are the same as those of R122 .
  • four bonds of a tetravalent organic group exemplified as R 122 combine with the nitrogen atom and oxygen atom in the above formula (X) to form a condensed ring.
  • R 134 when R 134 is the following organic group, it forms the structure below. In the structures below, each * represents a bonding site with a nitrogen atom or an oxygen atom in formula (X).
  • Polybenzoxazole preferably has an oxazole conversion rate of 85% or more, more preferably 90% or more.
  • the upper limit is not particularly limited, and may be 100%.
  • the oxazolization rate is measured, for example, by the method described below.
  • the infrared absorption spectrum of polybenzoxazole is measured, and the peak intensity Q1 near 1650 cm ⁇ 1 , which is the absorption peak derived from the amide structure of the precursor, is obtained.
  • the polybenzoxazole may contain repeating units of the above formula (X) that all contain one type of R 131 or R 132 , or may contain repeating units of the above formula (X) that contain two or more different types of R 131 or R 132 . ) repeating units.
  • the polybenzoxazole may also contain other types of repeating units in addition to the repeating units of formula (X) above.
  • Polybenzoxazole is obtained by, for example, reacting a bisaminophenol derivative with a dicarboxylic acid containing R 133 or a compound selected from dicarboxylic acid dichlorides and dicarboxylic acid derivatives of the above dicarboxylic acid to obtain a polybenzoxazole precursor. , which is obtained by oxazolating it using a known oxazolating reaction method.
  • a dicarboxylic acid an active ester type dicarboxylic acid derivative obtained by pre-reacting 1-hydroxy-1,2,3-benzotriazole or the like may be used in order to increase the reaction yield.
  • the weight average molecular weight (Mw) of polybenzoxazole is preferably from 5,000 to 70,000, more preferably from 8,000 to 50,000, even more preferably from 10,000 to 30,000.
  • the weight average molecular weight is particularly preferably 20,000 or more.
  • the weight average molecular weight of at least one kind of polybenzoxazole is within the above range.
  • the number average molecular weight (Mn) of polybenzoxazole is preferably 7,200 to 14,000, more preferably 8,000 to 12,000, still more preferably 9,200 to 11,200. be.
  • the polybenzoxazole has a molecular weight dispersity of preferably 1.4 or more, more preferably 1.5 or more, and even more preferably 1.6 or more.
  • the upper limit of the polybenzoxazole molecular weight dispersity is not particularly defined, for example, it is preferably 2.6 or less, more preferably 2.5 or less, further preferably 2.4 or less, and even more preferably 2.3 or less.
  • 2.2 or less is even more preferable.
  • the weight average molecular weight, number average molecular weight, and degree of dispersion of at least one type of polybenzoxazole are preferably within the above ranges. It is also preferable that the weight-average molecular weight, the number-average molecular weight, and the degree of dispersion calculated from the plurality of types of polybenzoxazole as one resin are within the ranges described above.
  • the polyamideimide precursor preferably contains a repeating unit represented by the following formula (PAI-2).
  • R 117 represents a trivalent organic group
  • R 111 represents a divalent organic group
  • a 2 represents an oxygen atom or —NH—
  • R 113 represents a hydrogen atom or a monovalent represents an organic group.
  • R 117 is a linear or branched aliphatic group, a cyclic aliphatic group, an aromatic group, a heteroaromatic group, or two
  • the above-linked groups are exemplified, straight-chain aliphatic groups having 2 to 20 carbon atoms, branched aliphatic groups having 3 to 20 carbon atoms, cyclic aliphatic groups having 3 to 20 carbon atoms, and 6 to 20 carbon atoms.
  • alkylene group is preferably an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and even more preferably an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.
  • halogenated alkylene group a halogenated alkylene group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, a halogenated alkylene group having 1 to 10 carbon atoms is more preferable, and a halogenated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable.
  • the halogen atom in the halogenated alkylene group includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like, and a fluorine atom is preferable.
  • the above halogenated alkylene group may have hydrogen atoms, or all of the hydrogen atoms may be substituted with halogen atoms, but it is preferred that all of the hydrogen atoms be substituted with halogen atoms.
  • preferred halogenated alkylene groups include (ditrifluoromethyl)methylene groups and the like.
  • the arylene group is preferably a phenylene group or a naphthylene group, more preferably a phenylene group, and still more preferably a 1,3-phenylene group or a 1,4-phenylene group.
  • R 117 is preferably derived from a tricarboxylic acid compound in which at least one carboxy group may be halogenated. Chlorination is preferable as the halogenation.
  • a compound having three carboxy groups is called a tricarboxylic acid compound. Two of the three carboxy groups of the tricarboxylic acid compound may be anhydrided.
  • the optionally halogenated tricarboxylic acid compound used in the production of the polyamideimide precursor include branched aliphatic, cyclic aliphatic or aromatic tricarboxylic acid compounds. Only one of these tricarboxylic acid compounds may be used, or two or more thereof may be used.
  • the tricarboxylic acid compound includes a linear aliphatic group having 2 to 20 carbon atoms, a branched aliphatic group having 3 to 20 carbon atoms, a cyclic aliphatic group having 3 to 20 carbon atoms, and a Tricarboxylic acid compounds containing 6 to 20 aromatic groups or groups in which two or more of these are combined via a single bond or a linking group are preferred, and aromatic groups having 6 to 20 carbon atoms or carbon atoms via a single bond or linking group are preferred. More preferred are tricarboxylic acid compounds containing groups in which two or more aromatic groups of numbers 6 to 20 are combined.
  • tricarboxylic acid compounds include 1,2,3-propanetricarboxylic acid, 1,3,5-pentanetricarboxylic acid, citric acid, trimellitic acid, 2,3,6-naphthalenetricarboxylic acid, and phthalic acid.
  • (or phthalic anhydride) and benzoic acid are a single bond, —O—, —CH 2 —, —C(CH 3 ) 2 —, —C(CF 3 ) 2 —, —SO 2 — or a phenylene group
  • Linked compounds and the like are included.
  • These compounds may be compounds in which two carboxy groups are anhydrided (e.g., trimellitic anhydride), or compounds in which at least one carboxy group is halogenated (e.g., trimellitic anhydride chloride). There may be.
  • R 111 , A 2 and R 113 have the same meanings as R 111 , A 2 and R 113 in formula (2) above, and preferred embodiments are also the same.
  • Polyamideimide precursors may further comprise other repeating units.
  • Other repeating units include repeating units represented by the above formula (2) and repeating units represented by the following formula (PAI-1).
  • R 116 represents a divalent organic group and R 111 represents a divalent organic group.
  • R 116 is a linear or branched aliphatic group, a cyclic aliphatic group, an aromatic group, a heteroaromatic group, or two
  • the above-linked groups are exemplified, straight-chain aliphatic groups having 2 to 20 carbon atoms, branched aliphatic groups having 3 to 20 carbon atoms, cyclic aliphatic groups having 3 to 20 carbon atoms, and 6 to 20 carbon atoms.
  • alkylene group is preferably an alkylene group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms, and even more preferably an alkylene group having 1 to 4 carbon atoms.
  • halogenated alkylene group a halogenated alkylene group having 1 to 20 carbon atoms is preferable, a halogenated alkylene group having 1 to 10 carbon atoms is more preferable, and a halogenated alkylene group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable.
  • the halogen atom in the halogenated alkylene group includes a fluorine atom, a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom and the like, and a fluorine atom is preferable.
  • the above halogenated alkylene group may have hydrogen atoms, or all of the hydrogen atoms may be substituted with halogen atoms, but it is preferred that all of the hydrogen atoms be substituted with halogen atoms.
  • preferred halogenated alkylene groups include a (ditrifluoromethyl)methylene group and the like.
  • the arylene group is preferably a phenylene group or a naphthylene group, more preferably a phenylene group, and still more preferably a 1,3-phenylene group or a 1,4-phenylene group.
  • R 116 is preferably derived from a dicarboxylic acid compound or a dicarboxylic acid dihalide compound.
  • a compound having two carboxy groups is called a dicarboxylic acid compound
  • a compound having two halogenated carboxy groups is called a dicarboxylic acid dihalide compound.
  • the carboxy group in the dicarboxylic acid dihalide compound may be halogenated, but is preferably chlorinated, for example. That is, the dicarboxylic acid dihalide compound is preferably a dicarboxylic acid dichloride compound.
  • the optionally halogenated dicarboxylic acid compound or dicarboxylic acid dihalide compound used in the production of the polyamideimide precursor includes linear or branched aliphatic, cyclic aliphatic or aromatic dicarboxylic acid compounds or dicarboxylic acids. Examples include acid dihalide compounds. One of these dicarboxylic acid compounds or dicarboxylic acid dihalide compounds may be used, or two or more thereof may be used.
  • the dicarboxylic acid compound or dicarboxylic acid dihalide compound includes a linear aliphatic group having 2 to 20 carbon atoms, a branched aliphatic group having 3 to 20 carbon atoms, and a cyclic aliphatic group having 3 to 20 carbon atoms.
  • a dicarboxylic acid compound or dicarboxylic acid dihalide compound containing a group, an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms, or a group in which two or more of these are combined via a single bond or a linking group is preferable, and an aromatic group having 6 to 20 carbon atoms.
  • dicarboxylic acid compounds include malonic acid, dimethylmalonic acid, ethylmalonic acid, isopropylmalonic acid, di-n-butylmalonic acid, succinic acid, tetrafluorosuccinic acid, methylsuccinic acid, 2,2- dimethylsuccinic acid, 2,3-dimethylsuccinic acid, dimethylmethylsuccinic acid, glutaric acid, hexafluoroglutaric acid, 2-methylglutaric acid, 3-methylglutaric acid, 2,2-dimethylglutaric acid, 3, 3-dimethylglutaric acid, 3-ethyl-3-methylglutaric acid, adipic acid, octafluoroadipic acid, 3-methyladipic acid, pimelic acid, 2,2,6,6-tetramethylpimelic acid, suberic acid, dodecanedioic acid, azelaic acid, sebacic acid, hexadecanedioic acid,
  • R 111 has the same definition as R 111 in formula (2) above, and preferred embodiments are also the same.
  • the polyamideimide precursor preferably has a fluorine atom in its structure.
  • the content of fluorine atoms in the polyamideimide precursor is preferably 10% by mass or more, and preferably 20% by mass or less.
  • the polyamideimide precursor may be copolymerized with an aliphatic group having a siloxane structure.
  • the diamine component bis(3-aminopropyl)tetramethyldisiloxane, bis(p-aminophenyl)octamethylpentasiloxane, etc. are used.
  • a repeating unit represented by the formula (PAI-2), a repeating unit represented by the formula (PAI-1), and a repeating unit represented by the formula (2) An aspect in which the total content of units is 50 mol % or more of all repeating units is exemplified.
  • the total content is more preferably 70 mol % or more, still more preferably 90 mol % or more, and particularly preferably more than 90 mol %.
  • the upper limit of the total content is not particularly limited, and all repeating units in the polyamideimide precursor excluding the terminal are repeating units represented by formula (PAI-2), represented by formula (PAI-1). It may be either a repeating unit or a repeating unit represented by formula (2).
  • the total content of repeating units represented by formula (PAI-2) and repeating units represented by formula (PAI-1) is An embodiment in which it is 50 mol % or more of all repeating units is mentioned.
  • the total content is more preferably 70 mol % or more, still more preferably 90 mol % or more, and particularly preferably more than 90 mol %.
  • the upper limit of the total content is not particularly limited, and all repeating units in the polyamideimide precursor excluding the terminal are repeating units represented by formula (PAI-2), or represented by formula (PAI-1) may be any of the repeating units provided.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the polyamideimide precursor is preferably 2,000 to 500,000, more preferably 5,000 to 100,000, still more preferably 10,000 to 50,000. .
  • the number average molecular weight (Mn) is preferably 800 to 250,000, more preferably 2,000 to 50,000, still more preferably 4,000 to 25,000.
  • the polyamidoimide precursor preferably has a molecular weight distribution of 1.5 or more, more preferably 1.8 or more, and even more preferably 2.0 or more.
  • the upper limit of the molecular weight dispersity of the polyamideimide precursor is not particularly defined, it is preferably 7.0 or less, more preferably 6.5 or less, and even more preferably 6.0 or less.
  • the weight average molecular weight, number average molecular weight, and degree of dispersion of at least one type of polyamideimide precursor are preferably within the above ranges. It is also preferable that the weight-average molecular weight, the number-average molecular weight, and the degree of dispersion calculated from the plurality of types of polyamideimide precursors as one resin are within the ranges described above.
  • the polyamideimide used in the present invention may be an alkali-soluble polyamideimide or a polyamideimide soluble in a developer containing an organic solvent as a main component.
  • the alkali-soluble polyamideimide refers to a polyamideimide that dissolves at 23° C. in an amount of 0.1 g or more in 100 g of a 2.38 mass % tetramethylammonium aqueous solution.
  • a polyamideimide that dissolves 5 g or more is preferable, and a polyamideimide that dissolves 1.0 g or more is more preferable.
  • the upper limit of the dissolved amount is not particularly limited, it is preferably 100 g or less.
  • the polyamideimide is preferably a polyamideimide having a plurality of amide bonds and a plurality of imide structures in the main chain from the viewpoint of the film strength and insulating properties of the organic film to be obtained.
  • the polyamideimide preferably has a fluorine atom.
  • a fluorine atom is preferably contained in, for example, R 117 or R 111 in a repeating unit represented by formula (PAI-3) described later, and is preferably contained in a repeating unit represented by formula (PAI-3) described later It is more preferably contained in R 117 or R 111 as a fluorinated alkyl group.
  • the amount of fluorine atoms is preferably 5% by mass or more and preferably 20% by mass or less with respect to the total mass of polyamideimide.
  • the polyamideimide may have an ethylenically unsaturated bond.
  • the polyamideimide may have an ethylenically unsaturated bond at the end of the main chain or in a side chain, preferably in the side chain.
  • the ethylenically unsaturated bond preferably has radical polymerizability.
  • the ethylenically unsaturated bond is preferably contained in R 117 or R 111 in the repeating unit represented by formula (PAI-3) described later, and the repeating unit represented by formula (PAI-3) described later.
  • R 117 or R 111 It is more preferably contained as a group having an ethylenically unsaturated bond in R 117 or R 111 in .
  • Preferred embodiments of the group having an ethylenically unsaturated bond are the same as the preferred embodiments of the group having an ethylenically unsaturated bond in the polyimide described above.
  • the amount of ethylenically unsaturated bonds relative to the total mass of polyamideimide is preferably 0.0001 to 0.1 mol/g, more preferably 0.001 to 0.05 mol/g.
  • Polyamideimide may have a polymerizable group other than the ethylenically unsaturated bond.
  • the polymerizable groups other than the ethylenically unsaturated bond in the polyamideimide include the same groups as the above polymerizable groups other than the ethylenically unsaturated bond in the polyimide.
  • a polymerizable group other than an ethylenically unsaturated bond is preferably included in R 111 in a repeating unit represented by formula (PAI-3) described later, for example.
  • the amount of polymerizable groups other than ethylenically unsaturated bonds relative to the total mass of polyamideimide is preferably 0.05 to 10 mol/g, more preferably 0.1 to 5 mol/g.
  • the acid value of the polyamideimide is preferably 30 mgKOH/g or more, more preferably 50 mgKOH/g or more, more preferably 70 mgKOH/g, from the viewpoint of improving developability. g or more is more preferable. Moreover, the acid value is preferably 500 mgKOH/g or less, more preferably 400 mgKOH/g or less, and even more preferably 200 mgKOH/g or less.
  • the acid value of the polyamideimide is preferably 2 to 35 mgKOH/g, 3 ⁇ 30 mg KOH/g is more preferred, and 5 to 20 mg KOH/g is even more preferred.
  • the acid value is measured by a known method, for example, by the method described in JIS K 0070:1992.
  • the acid group contained in the polyamideimide the same groups as the acid group in the polyimide described above can be mentioned, and the preferred embodiments are also the same.
  • the polyamideimide preferably has a phenolic hydroxy group.
  • Polyamideimide may have a phenolic hydroxy group at the end of the main chain or in the side chain.
  • a phenolic hydroxy group is preferably included in, for example, R 117 or R 111 in a repeating unit represented by formula (PAI-3) described later.
  • the amount of phenolic hydroxy groups relative to the total mass of polyamideimide is preferably 0.1 to 30 mol/g, more preferably 1 to 20 mol/g.
  • the polyamideimide used in the present invention is not particularly limited as long as it is a polymer compound having an imide structure and an amide bond, but it preferably contains a repeating unit represented by the following formula (PAI-3).
  • R 111 and R 117 have the same definitions as R 111 and R 117 in formula (PAI-2), and preferred embodiments are also the same.
  • the polymerizable group may be located at least one of R 111 and R 117 , or may be located at the end of the polyamideimide.
  • the main chain end of the polyamideimide is blocked with a terminal blocker such as a monoamine, an acid anhydride, a monocarboxylic acid, a monoacid chloride compound, or a monoactive ester compound.
  • a terminal blocker such as a monoamine, an acid anhydride, a monocarboxylic acid, a monoacid chloride compound, or a monoactive ester compound.
  • Preferred aspects of the terminal blocker are the same as the preferred aspects of the terminal blocker in the polyimide described above.
  • the imidization rate (also referred to as "ring closure rate") of polyamideimide is preferably 70% or more, more preferably 80% or more, from the viewpoint of the film strength, insulating properties, etc. of the resulting organic film. , more preferably 90% or more.
  • the upper limit of the imidization rate is not particularly limited, and may be 100% or less.
  • the imidization ratio is measured by the same method as for the polyimide ring closure ratio described above.
  • Polyamideimide may contain repeating units represented by the above formula (PAI-3), all of which contain one type of R 111 or R 117 , and two or more different types of R 131 or R 132 . It may contain a repeating unit represented by the above formula (PAI-3). Moreover, the polyamideimide may contain other types of repeating units in addition to the repeating units represented by the above formula (PAI-3). Other types of repeating units include repeating units represented by the above formula (PAI-1) or formula (PAI-2).
  • Polyamideimide is, for example, a method of obtaining a polyamideimide precursor by a known method and completely imidizing it using a known imidization reaction method, or stopping the imidization reaction in the middle and partially imidizing the imide structure and a method of partially introducing an imide structure by blending a completely imidized polymer with its polyamideimide precursor.
  • the weight average molecular weight (Mw) of polyamideimide is preferably 5,000 to 70,000, more preferably 8,000 to 50,000, even more preferably 10,000 to 30,000. By setting the weight average molecular weight to 5,000 or more, the folding resistance of the cured film can be improved. In order to obtain an organic film having excellent mechanical properties, the weight average molecular weight is particularly preferably 20,000 or more. Further, the number average molecular weight (Mn) of the polyamideimide is preferably 800 to 250,000, more preferably 2,000 to 50,000, still more preferably 4,000 to 25,000. .
  • the polyamidoimide has a molecular weight distribution of preferably 1.5 or more, more preferably 1.8 or more, and even more preferably 2.0 or more.
  • the upper limit of the polyamidoimide molecular weight dispersity is not particularly defined, it is preferably 7.0 or less, more preferably 6.5 or less, and even more preferably 6.0 or less.
  • the weight average molecular weight, number average molecular weight, and degree of dispersion of at least one type of polyamideimide are preferably within the above ranges. It is also preferable that the weight-average molecular weight, number-average molecular weight, and degree of dispersion calculated from the plurality of types of polyamideimide as one resin are within the ranges described above.
  • Polyimide precursors and the like for example, a method of reacting a tetracarboxylic dianhydride and a diamine at a low temperature, a method of reacting a tetracarboxylic dianhydride and a diamine at a low temperature to obtain a polyamic acid, a condensing agent or an alkylating agent A method of esterification using a tetracarboxylic dianhydride and an alcohol to obtain a diester, followed by a reaction with a diamine in the presence of a condensing agent, a method of reacting a tetracarboxylic dianhydride and an alcohol to obtain a diester, After that, the remaining dicarboxylic acid can be acid-halogenated using a halogenating agent and reacted with a diamine.
  • the method of obtaining a diester from a tetracarboxylic dianhydride and an alcohol, then acid-halogenating the remaining dicarboxylic acid with a halogenating agent, and reacting it with a diamine is more preferable.
  • the condensing agent include dicyclohexylcarbodiimide, diisopropylcarbodiimide, 1-ethoxycarbonyl-2-ethoxy-1,2-dihydroquinoline, 1,1-carbonyldioxy-di-1,2,3-benzotriazole, N, N'-disuccinimidyl carbonate, trifluoroacetic anhydride and the like can be mentioned.
  • alkylating agent examples include N,N-dimethylformamide dimethyl acetal, N,N-dimethylformamide diethyl acetal, N,N-dialkylformamide dialkyl acetal, trimethyl orthoformate and triethyl orthoformate.
  • halogenating agent examples include thionyl chloride, oxalyl chloride, phosphorus oxychloride and the like.
  • organic solvent In the method for producing a polyimide precursor or the like, it is preferable to use an organic solvent in the reaction. One type of organic solvent may be used, or two or more types may be used.
  • the organic solvent can be appropriately determined depending on the raw material, but pyridine, diethylene glycol dimethyl ether (diglyme), N-methylpyrrolidone, N-ethylpyrrolidone, ethyl propionate, dimethylacetamide, dimethylformamide, tetrahydrofuran, ⁇ -butyrolactone, and the like. is exemplified.
  • a basic compound In the method for producing a polyimide precursor or the like, it is preferable to add a basic compound during the reaction.
  • One type of basic compound may be used, or two or more types may be used.
  • the basic compound can be appropriately determined depending on the raw material, but triethylamine, diisopropylethylamine, pyridine, 1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene, N,N-dimethyl-4-amino Pyridine and the like are exemplified.
  • terminal blocking agents include monoalcohols, phenols, thiols, thiophenols, monoamines, and the like. It is more preferable to use monoalcohols, phenols and monoamines from the viewpoint of their properties.
  • Preferred monoalcohol compounds include primary alcohols such as methanol, ethanol, propanol, butanol, hexanol, octanol, dodecinol, benzyl alcohol, 2-phenylethanol, 2-methoxyethanol, 2-chloromethanol and furfuryl alcohol, and isopropanol. , 2-butanol, cyclohexyl alcohol, cyclopentanol and 1-methoxy-2-propanol, and tertiary alcohols such as t-butyl alcohol and adamantane alcohol.
  • Preferable phenolic compounds include phenols such as phenol, methoxyphenol, methylphenol, naphthalene-1-ol, naphthalene-2-ol, and hydroxystyrene.
  • Preferred monoamine compounds include aniline, 2-ethynylaniline, 3-ethynylaniline, 4-ethynylaniline, 5-amino-8-hydroxyquinoline, 1-hydroxy-7-aminonaphthalene, 1-hydroxy-6- aminonaphthalene, 1-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1-hydroxy-4-aminonaphthalene, 2-hydroxy-7-aminonaphthalene, 2-hydroxy-6-aminonaphthalene, 2-hydroxy-5-aminonaphthalene, 1- Carboxy-7-aminonaphthalene, 1-carboxy-6-aminonaphthalene, 1-carboxy-5-aminonaphthalene, 2-carboxy-7-aminonaphthalene, 2-carboxy-6-amin
  • Preferred capping agents for amino groups are carboxylic acid anhydrides, carboxylic acid chlorides, carboxylic acid bromide, sulfonic acid chlorides, sulfonic anhydrides, sulfonic acid carboxylic acid anhydrides, etc., more preferably carboxylic acid anhydrides and carboxylic acid chlorides. preferable.
  • Preferred carboxylic anhydride compounds include acetic anhydride, propionic anhydride, oxalic anhydride, succinic anhydride, maleic anhydride, phthalic anhydride, benzoic anhydride, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, and the like. are mentioned.
  • Preferred compounds of carboxylic acid chlorides include acetyl chloride, acrylic acid chloride, propionyl chloride, methacrylic acid chloride, pivaloyl chloride, cyclohexanecarbonyl chloride, 2-ethylhexanoyl chloride, cinnamoyl chloride, and 1-adamantanecarbonyl chloride. , heptafluorobutyryl chloride, stearic acid chloride, benzoyl chloride, and the like.
  • a step of depositing a solid may be included in the production of the polyimide precursor or the like. Specifically, after filtering off the water absorption by-products of the dehydration condensation agent coexisting in the reaction solution as necessary, water, aliphatic lower alcohol, or a poor solvent such as a mixture thereof, the obtained A polyimide precursor or the like can be obtained by adding a polymer component and depositing the polymer component, depositing it as a solid, and drying it. In order to improve the degree of purification, operations such as redissolution, reprecipitation, drying, etc. of the polyimide precursor may be repeated. Furthermore, a step of removing ionic impurities using an ion exchange resin may be included.
  • the content of the specific resin in the resin composition of the present invention is preferably 20% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, and 40% by mass or more with respect to the total solid content of the resin composition. is more preferable, and 50% by mass or more is even more preferable. Further, the content of the resin in the resin composition of the present invention is preferably 99.5% by mass or less, more preferably 99% by mass or less, more preferably 98% by mass, based on the total solid content of the resin composition. % or less, more preferably 97 mass % or less, and even more preferably 95 mass % or less.
  • the resin composition of the present invention may contain only one type of specific resin, or may contain two or more types. When two or more types are included, the total amount is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably contains at least two resins.
  • the resin composition of the present invention may contain a total of two or more of the specific resin and other resins described later, or may contain two or more of the specific resins. It is preferable to include two or more kinds.
  • the resin composition of the present invention contains two or more specific resins, for example, two or more polyimides that are polyimide precursors and have different dianhydride-derived structures (R 115 in the above formula (2)) It preferably contains a precursor.
  • the resin composition of the present invention may contain other resins (hereinafter simply referred to as "other resins") different from the specific resins in addition to or instead of the specific resins described above.
  • Other resins include phenolic resins, polyamides, epoxy resins, polysiloxanes, resins containing siloxane structures, (meth)acrylic resins, (meth)acrylamide resins, urethane resins, butyral resins, styryl resins, polyether resins, and polyester resins. etc.
  • phenolic resins polyamides
  • epoxy resins polysiloxanes
  • resins containing siloxane structures resins containing siloxane structures
  • (meth)acrylic resins (meth)acrylamide resins, urethane resins, butyral resins, styryl resins, polyether resins, and polyester resins.
  • a (meth)acrylic resin by further adding a (meth)acrylic resin, a resin composition having excellent
  • a high polymerizable group value having a weight average molecular weight of 20,000 or less for example, the molar amount of the polymerizable group in 1 g of the resin is 1 ⁇ 10 ⁇ 3 mol/g or more
  • the coating properties of the resin composition and the solvent resistance of the pattern (cured product) can be improved. can.
  • the content of the other resins is preferably 0.01% by mass or more, and 0.05% by mass or more, relative to the total solid content of the resin composition. More preferably, it is more preferably 1% by mass or more, even more preferably 2% by mass or more, even more preferably 5% by mass or more, and further preferably 10% by mass or more. More preferred.
  • the content of other resins in the resin composition of the present invention is preferably 80% by mass or less, more preferably 75% by mass or less, based on the total solid content of the resin composition. It is more preferably 60% by mass or less, even more preferably 50% by mass or less.
  • the content of other resins may be low.
  • the content of the other resin is preferably 20% by mass or less, more preferably 15% by mass or less, and 10% by mass or less relative to the total solid content of the resin composition. is more preferable, 5% by mass or less is even more preferable, and 1% by mass or less is even more preferable.
  • the lower limit of the content is not particularly limited as long as it is 0% by mass or more.
  • the resin composition of the present invention may contain only one kind of other resin, or may contain two or more kinds thereof. When two or more types are included, the total amount is preferably within the above range.
  • the negative photosensitive resin composition in the first aspect of the present invention contains a compound A that reduces absorbance at the exposure wavelength upon exposure.
  • Whether or not a certain compound a contained in the negative photosensitive resin composition corresponds to compound A can be determined by the following method. .
  • a solution of compound a having the same concentration as the concentration contained in the negative photosensitive resin composition is prepared, and the molar absorption coefficient of compound a at the wavelength of exposure light (mol ⁇ 1 L cm ⁇ 1 , “molar absorption ) is measured.
  • the above measurements are performed quickly so that the effects of changes such as a decrease in the molar extinction coefficient of compound a are small.
  • the solvent is used when the negative photosensitive resin composition contains a solvent, and N-methyl-2-pyrrolidone is used when the negative photosensitive resin composition does not contain a solvent.
  • the solution of compound a is irradiated with exposure light.
  • the exposure amount is 500 mJ as an integrated amount with respect to 1 mol of compound a.
  • the molar absorption coefficient of compound a at the wavelength of the exposure light (mol ⁇ 1 ⁇ L ⁇ cm ⁇ 1 , also referred to as “molar absorption coefficient 2”) is measured. From the above molar extinction coefficient 1 and molar extinction coefficient 2, the attenuation rate (%) is calculated based on the following formula.
  • Attenuation rate (%) 1 - molar extinction coefficient 2 / molar extinction coefficient 1 x 100
  • the attenuation rate is preferably 10% or more, more preferably 20% or more.
  • the lower limit of the attenuation rate is not particularly limited, and may be 0% or more.
  • the wavelength of the exposure light may be a wavelength at which the photosensitive film is exposed.
  • the wavelength of the exposure light is preferably a wavelength at which the photopolymerization initiator contained in the negative photosensitive resin composition is sensitive.
  • the photoinitiator is sensitive to a certain wavelength means that the photoinitiator produces polymerization initiating species when exposed to light at a certain wavelength.
  • the wavelength of the exposure light in relation to the light source, (1) semiconductor laser (wavelength: 830 nm, 532 nm, 488 nm, 405 nm, 375 nm, 355 nm etc.), (2) metal halide lamp, (3) high pressure mercury lamp, g-line (wavelength 436nm), h-line (wavelength 405nm), i-line (wavelength 365nm), broad (three wavelengths of g, h, i-line), (4) excimer laser, KrF excimer laser (wavelength 248nm), ArF excimer Laser (wavelength 193 nm), F2 excimer laser (wavelength 157 nm), (5) extreme ultraviolet; EUV (wavelength 13.6 nm), (6) electron beam, (7) YAG laser second harmonic 532 nm, third harmonic
  • a wavelength at which the photopolymerization initiator is sensitive may be selected, but h-line (wavelength: 405 nm) or i-line (wavelength: 365 nm) is preferable, and i-line (wavelength: 365 nm) is more preferable.
  • Compound A may be a compound that generates a radical polymerization initiating species upon exposure, but from the viewpoint of resolution and chemical resistance, it is preferably a compound that does not generate a radical polymerization initiating species upon exposure. Whether or not the compound A is a compound that generates a radical polymerization initiating species upon exposure is determined by the following method. A solution containing compound A at the same concentration as that contained in the negative photosensitive resin composition and a radical cross-linking agent is prepared. When the negative photosensitive resin composition contains a radical crosslinking agent, as the radical crosslinking agent in the solution, the same compound as the radical crosslinking agent contained in the negative photosensitive resin composition is used at the same concentration.
  • the negative photosensitive resin composition does not contain a radical cross-linking agent
  • methyl methacrylate is used at a concentration of 5 times that of compound A. After that, irradiation of exposure light is performed. The exposure amount is assumed to be 500 mJ as an integrated amount.
  • the polymerization of the polymerizable compound is determined by high performance liquid chromatography, and if the ratio of the molar amount of the polymerizable compound polymerized to the total molar amount of the polymerizable compound is 10% or less, compound A is exposed. It is judged to be a compound that does not generate radical polymerization initiating species.
  • the molar ratio is preferably 5% or less, more preferably 3% or less.
  • the lower limit of the molar ratio is not particularly limited, and may be 0%.
  • the wavelength of the exposure light may be a wavelength at which the photosensitive film is exposed.
  • the wavelength of the exposure light is preferably a wavelength at which the photopolymerization initiator contained in the negative photosensitive resin composition is sensitive.
  • the wavelength of the exposure light is preferably a wavelength at which the photopolymerization initiator contained in the negative photosensitive resin composition is sensitive.
  • Compounds that generate radical polymerization initiation species upon exposure include the same compounds as the radical photopolymerization initiators described below.
  • the composition contains a radical photopolymerization initiator as the compound A
  • the compound A having the lowest polymerization initiation ability of the generated radical species is used as the photopolymerization initiator, and the others are used as the photopolymerization initiator.
  • Examples of compounds that do not generate radical polymerization initiation species upon exposure include photoacid generators, photobase generators, and dyes whose absorption wavelength changes upon exposure.
  • the compound A is preferably a naphthoquinonediazide compound or a dye whose absorbance changes upon exposure, and more preferably a naphthoquinonediazide compound.
  • a combination of a photoacid generator or a photobase generator and a compound whose absorbance at the exposure wavelength decreases depending on the pH may be used.
  • the negative photosensitive resin composition in the second aspect of the present invention contains a naphthoquinone diazide compound.
  • the naphthoquinonediazide compound in the second aspect is synonymous with the naphthoquinonediazide compound included as a preferred aspect in the first aspect, and the preferred aspects thereof are also the same.
  • the naphthoquinonediazide compound in the second aspect is preferably a compound whose absorbance at the exposure wavelength is reduced by exposure.
  • the method of determining whether or not the compound is a compound whose absorbance at the exposure wavelength is reduced by exposure, and the preferred range of the decay rate are the same as those of the compound A in the first aspect described above.
  • Naphthoquinone diazide compound examples include compounds that generate indenecarboxylic acid upon exposure to reduce the absorbance at the exposure wavelength, and compounds having a 1,2-naphthoquinonediazide structure are preferred.
  • the naphthoquinonediazide compound is preferably a naphthoquinonediazide sulfonic acid ester of a hydroxy compound.
  • the hydroxy compound compounds represented by any one of the following formulas (H1) to (H6) are preferable.
  • R 1 and R 2 each independently represent a monovalent organic group
  • R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group
  • n1, n2, m1 and m2 are each independently an integer of 0-5, and at least one of m1 and m2 is an integer of 1-5.
  • Z represents a tetravalent organic group
  • L 1 , L 2 , L 3 and L 4 each independently represent a single bond or a divalent organic group
  • R 5 , R 6 , R 7 and R 8 each independently represent a monovalent organic group
  • n3, n4, n5 and n6 are each independently an integer of 0 to 3
  • m3, m4, m5 and m6 are each independently 0 is an integer of ⁇ 2 and at least one of m3, m4, m5 and m6 is 1 or 2
  • R 9 and R 10 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group
  • L 5 each independently represents a divalent organic group
  • n7 is an integer of 3 to 8. show.
  • L6 represents a divalent organic group
  • L7 and L8 each independently represent a divalent organic group containing an aliphatic tertiary or quaternary carbon.
  • R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 , R 17 , R 18 , R 19 and R 20 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom or a monovalent organic
  • L 9 , L 10 and L 11 each independently represent a single bond or a divalent organic group
  • m7, m8, m9 and m10 each independently represent an integer of 0 to 2, m7, At least one of m8, m9 and m10 is 1 or 2.
  • R 42 , R 43 , R 44 and R 45 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group
  • R 46 and R 47 each independently represent a monovalent organic group
  • n16 and n17 each independently represent an integer of 0 to 4
  • m11 and m12 each independently represent an integer of 0 to 4
  • at least one of m11 and m12 is an integer of 1 to 4 be.
  • R 1 and R 2 are each independently preferably a monovalent organic group having 1 to 60 carbon atoms, more preferably a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms.
  • Examples of monovalent organic groups for R 1 and R 2 include hydrocarbon groups which may have a substituent, such as aromatic hydrocarbon groups which may have a substituent such as a hydroxy group. mentioned.
  • R 3 and R 4 are each independently preferably a monovalent organic group having 1 to 60 carbon atoms, more preferably a monovalent organic group having 1 to 30 carbon atoms. .
  • Examples of monovalent organic groups for R 3 and R 4 include hydrocarbon groups which may have a substituent, such as hydrocarbon groups which may have a substituent such as a hydroxy group. .
  • n1 and n2 are each independently preferably 0 or 1, more preferably 0.
  • both m1 and m2 are preferably 1.
  • the compound represented by formula (H1) is preferably a compound represented by any one of formulas (H1-1) to (H1-5).
  • R 21 , R 22 and R 23 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, preferably a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, hydrogen An atom or a group represented by the following formula (R-1) is more preferable.
  • R29 represents a hydrogen atom, an alkyl group or an alkoxy group
  • n13 represents an integer of 0 to 2
  • * represents a bonding site with another structure.
  • n8, n9 and n10 each independently represents an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1.
  • R 24 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, preferably a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms or an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms.
  • n14, n15 and n16 each independently represents an integer of 0 to 2;
  • R30 represents a hydrogen atom or an alkyl group.
  • R 25 , R 26 , R 27 and R 28 each independently represent a monovalent organic group and are represented by a hydrogen atom, an alkyl group or the above formula (R-1) It is preferably a group.
  • n11, n12 and n13 each independently represent an integer of 0 to 2, preferably 0 or 1.
  • H1-1 a compound represented by any one of the following formulas (H1-1-1) to (H1-1-4) is preferable.
  • H1-2 a compound represented by the following formula (H1-2-1) or (H1-2-2) is preferable.
  • H1-3 compounds represented by the following formulas (H1-3-1) to (H1-3-3) are preferable.
  • Z is preferably a tetravalent group having 1 to 20 carbon atoms, more preferably a group represented by any one of the following formulas (Z-1) to (Z-4).
  • * represents a binding site with another structure.
  • L 1 , L 2 , L 3 and L 4 are each independently preferably a single bond or a methylene group.
  • R 5 , R 6 , R 7 and R 8 are each independently preferably an organic group having 1 to 30 carbon atoms.
  • n3, n4, n5 and n6 are each independently preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1.
  • m3, m4, m5 and m6 are each independently preferably 1 or 2, more preferably 1.
  • compounds having the following structures are exemplified.
  • R 9 and R 10 preferably each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
  • each L 5 is preferably independently a group represented by formula (L-1) below.
  • R 30 represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms
  • n14 represents an integer of 1 to 5
  • * represents a bonding site with another structure.
  • n7 is preferably an integer of 4-6. Examples of the compound represented by formula (H3) include the following compounds. In the formula below, each n independently represents an integer of 0-9.
  • L 7 and L 8 are each independently preferably a divalent organic group having 2 to 20 carbon atoms. Examples of the compound represented by formula (H4) include the following compounds.
  • R 11 , R 12 , R 13 , R 14 , R 15 , R 16 , R 17 , R 18 , R 19 and R 20 are each independently a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group, an alkenyl groups, alkoxy groups, allyl groups or acyl groups are preferred.
  • R 31 and R 32 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group or an aryl group
  • R 34 , R 35 , R 36 and R 37 each independently represents a hydrogen atom or an alkyl group
  • n15 is an integer of 1 to 5
  • R 38 , R 39 , R 40 and R 41 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group
  • Compounds represented by formula (H5) include the following compounds.
  • R 42 , R 43 , R 44 and R 45 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, preferably a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. , a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms is more preferable, and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms is more preferable.
  • R 46 and R 47 are each independently preferably an alkyl group, an alkoxy group or an aryl group, more preferably an alkyl group.
  • n16 and n17 are each independently preferably an integer of 0 to 2, more preferably 0 or 1.
  • n16 and n17 are each independently preferably an integer of 1 to 3, more preferably 2 or 3. Examples of the compound represented by formula (H6) include the following compounds.
  • hydroxy compounds include 2,3,4-trihydroxybenzophenone, 2,4,4'-trihydroxybenzophenone, 2,4,6-trihydroxybenzophenone, 2,3,4-trihydroxy-2'- methylbenzophenone, 2,3,4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,2',4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2,4,6,3',4'-pentahydroxybenzophenone, 2,3, 4,2',4'-pentahydroxybenzophenone, 2,3,4,2',5'-pentahydroxybenzophenone, 2,4,6,3',4',5'-hexahydroxybenzophenone, 2,3 , 4,3′,4′,5′-hexahydroxybenzophenones and other polyhydroxybenzophenones, polyhydroxyphenyl alkyl ketones such as 2,3,4-trihydroxyacetophenone, 2,3,4-trihydroxyphenylpentyl ketone and 2,3,4-trihydroxyphenylhexyl ketone; Bis(2,
  • polyhydroxybiphenyls bis(polyhydroxy)sulfides such as 4,4′-thiobis(1,3-dihydroxy)benzene, bis(polyhydroxyphenyl) ethers such as 2,2',4,4'-tetrahydroxydiphenyl ether, bis(polyhydroxyphenyl)sulfoxides such as 2,2′,4,4′-tetrahydroxydiphenylsulfoxide, bis(polyhydroxyphenyl)sulfones such as 2,2′,4,4′-diphenylsulfone, Tris(4-hydroxyphenyl)methane, 4,4′,4′′-trihydroxy-3,5,3′,5′-tetramethyltriphenylmethane, 4,4′,3′′,4′′-tetrahydroxy- 3,5,3′,5′-tetramethyltriphenylmethane, 4-[bis(3,5-dimethyl-4-hydroxyphenyl)methyl]-2-methoxy-phenol, 4,4′-(3,
  • the naphthoquinonediazide sulfonic acid includes 6-diazo-5,6-dihydro-5-oxo-1-naphthalenesulfonic acid, 1,2-naphthoquinone-(2)-diazo-5-sulfonic acid and the like, and these may be mixed. may be used as
  • the method for producing the naphthoquinonediazide sulfonate ester of a hydroxy compound is not particularly limited, but for example, naphthoquinone diazide sulfonic acid is converted to sulfonyl chloride with chlorosulfonic acid or thionyl chloride, and the obtained naphthoquinone diazide sulfonyl chloride is condensed with the hydroxy compound. It is obtained by reacting.
  • a predetermined amount of a hydroxy compound and naphthoquinonediazidosulfonyl chloride are reacted in a solvent such as dioxane, acetone, or tetrahydrofuran in the presence of a basic catalyst such as triethylamine to effect esterification, and the resulting product is washed with water. , can be obtained by drying.
  • the esterification rate of the naphthoquinonediazide sulfonic acid ester is not particularly limited, but is preferably 10% or more, more preferably 20% or more.
  • the upper limit of the esterification rate is not particularly limited, and may be 100%.
  • the esterification rate can be confirmed by 1 H-NMR or the like as the ratio of esterified groups among the hydroxy groups of the hydroxy compound.
  • the dye whose absorbance changes with exposure is not particularly limited, and for example, known photochromic materials can be used.
  • Leuco dyes diarylethene dyes, fulgides, spirooxazines, spiropyrans, or azobenzene compounds, etc. mentioned.
  • leuco dyes include triarylmethane-based (eg, triphenylmethane-based), spiropyran-based, fluoran-based, diphenylmethane-based, rhodaminelactam-based, indolylphthalide-based, and leuco-auramine-based leuco dyes.
  • triarylmethane-based leuco dyes are preferred.
  • the leuco dye is a leuco dye that has a lactone ring, a sultine ring, or a sultone ring, and that the absorbance changes as the lactone ring, the sultine ring, or the sultone ring is opened or closed.
  • the leuco dye a commercially available product such as Victoria Pure Blue-NAPS may be used.
  • diarylethene compound for example, a diarylethene compound in which the above-mentioned absorbance changes by ring closure as described below is preferable.
  • the conformation in the following formula is an example, and is not limited to this.
  • the diarylethene compound is not particularly limited, and known compounds can be used. Examples include compounds described in paragraphs 0049 to 0056 of JP-A-2004-91638.
  • the content of compound A with respect to the total solid content of the negative photosensitive resin composition in the first aspect of the present invention is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 20% by mass, and 0.5 to 10% by mass. % by mass is more preferred, and 1 to 5% by mass is even more preferred.
  • the content of the naphthoquinonediazide compound with respect to the total solid content of the negative photosensitive resin composition in the second aspect of the present invention is not particularly limited, but is preferably 0.1 to 20% by mass, and 0.5 to 0.5% by mass. It is more preferably 10% by mass, and even more preferably 1 to 5% by mass.
  • the resin composition of the present invention contains a photopolymerization initiator.
  • the photopolymerization initiator is preferably a photoradical polymerization initiator.
  • the radical photopolymerization initiator is not particularly limited and can be appropriately selected from known radical photopolymerization initiators.
  • a photoradical polymerization initiator having photosensitivity to light in the ultraviolet region to the visible region is preferred. It may also be an activator that produces an active radical by producing some action with a photoexcited sensitizer.
  • the radical photopolymerization initiator contains at least one compound having a molar extinction coefficient of at least about 50 L ⁇ mol ⁇ 1 ⁇ cm ⁇ 1 within the wavelength range of about 240 to 800 nm (preferably 330 to 500 nm). is preferred.
  • the molar extinction coefficient of a compound can be measured using known methods. For example, it is preferable to measure with an ultraviolet-visible spectrophotometer (Cary-5 spectrophotometer manufactured by Varian) using an ethyl acetate solvent at a concentration of 0.01 g/L.
  • any known compound can be used as the photoradical polymerization initiator.
  • halogenated hydrocarbon derivatives e.g., compounds having a triazine skeleton, compounds having an oxadiazole skeleton, compounds having a trihalomethyl group, etc.
  • acylphosphine compounds such as acylphosphine oxide, hexaarylbiimidazole, oxime derivatives, etc.
  • ketone compounds include compounds described in paragraph 0087 of JP-A-2015-087611, the content of which is incorporated herein.
  • Kayacure-DETX-S manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. is also suitably used.
  • a hydroxyacetophenone compound, an aminoacetophenone compound, and an acylphosphine compound can be suitably used as the radical photopolymerization initiator. More specifically, for example, aminoacetophenone-based initiators described in JP-A-10-291969 and acylphosphine oxide-based initiators described in Japanese Patent No. 4225898 can be used. incorporated.
  • ⁇ -hydroxyketone initiators include Omnirad 184, Omnirad 1173, Omnirad 2959, Omnirad 127 (manufactured by IGM Resins B.V.), IRGACURE 184 (IRGACURE is a registered trademark), DAROCUR 1173, IRGACURE 500, IRGACURE -2959 and IRGACURE 127 (trade names: both manufactured by BASF) can be used.
  • ⁇ -aminoketone initiators examples include Omnirad 907, Omnirad 369, Omnirad 369E, Omnirad 379EG (manufactured by IGM Resins B.V.), IRGACURE 907, IRGACURE 369, and IRGACURE 379 (trade names: all BASF company) can be used.
  • the compound described in JP-A-2009-191179 whose maximum absorption wavelength is matched to a wavelength light source such as 365 nm or 405 nm can also be used, the content of which is incorporated herein.
  • Acylphosphine oxide initiators include 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenyl-phosphine oxide.
  • Omnirad 819, Omnirad TPO (manufactured by IGM Resins B.V.), IRGACURE-819 and IRGACURE-TPO (trade names: all manufactured by BASF) can also be used.
  • metallocene compounds examples include IRGACURE-784, IRGACURE-784EG (both manufactured by BASF) and Keycure VIS 813 (manufactured by King Brother Chem).
  • the photoradical polymerization initiator is more preferably an oxime compound.
  • an oxime compound By using an oxime compound, the exposure latitude can be improved more effectively.
  • Oxime compounds are particularly preferred because they have a wide exposure latitude (exposure margin) and also act as photocuring accelerators.
  • oxime compound examples include compounds described in JP-A-2001-233842, compounds described in JP-A-2000-080068, compounds described in JP-A-2006-342166, J. Am. C. S. Compounds described in Perkin II (1979, pp.1653-1660); C. S. Compounds described in Perkin II (1979, pp.156-162), compounds described in Journal of Photopolymer Science and Technology (1995, pp.202-232), compounds described in JP-A-2000-066385, Compounds described in JP-A-2004-534797, compounds described in JP-A-2017-019766, compounds described in Patent No.
  • Preferred oxime compounds include, for example, compounds having the following structures, 3-(benzoyloxy(imino))butan-2-one, 3-(acetoxy(imino))butan-2-one, 3-(propionyloxy( imino))butan-2-one, 2-(acetoxy(imino))pentan-3-one, 2-(acetoxy(imino))-1-phenylpropan-1-one, 2-(benzoyloxy(imino)) -1-phenylpropan-1-one, 3-((4-toluenesulfonyloxy)(imino))butan-2-one, and 2-(ethoxycarbonyloxy(imino))-1-phenylpropan-1-one etc.
  • an oxime compound an oxime-based radical photopolymerization initiator
  • DFI-091 manufactured by Daito Chemix Co., Ltd.
  • SpeedCure PDO manufactured by SARTOMER ARKEMA
  • an oxime compound having the following structure can be used.
  • An oxime compound having a fluorene ring can also be used as the photoradical polymerization initiator.
  • Specific examples of the oxime compound having a fluorene ring include compounds described in JP-A-2014-137466 and compounds described in Japanese Patent No. 06636081, the contents of which are incorporated herein.
  • an oxime compound having a skeleton in which at least one benzene ring of the carbazole ring is a naphthalene ring can also be used.
  • Specific examples of such oxime compounds include compounds described in WO2013/083505, the contents of which are incorporated herein.
  • oxime compound having a fluorine atom examples include compounds described in JP-A-2010-262028, compounds 24, 36-40 described in paragraph 0345 of JP-A-2014-500852, and JP-A-2013. and compound (C-3) described in paragraph 0101 of JP-A-164471, the contents of which are incorporated herein.
  • An oxime compound having a nitro group can be used as the photopolymerization initiator.
  • the oxime compound having a nitro group is also preferably a dimer.
  • Specific examples of the oxime compound having a nitro group include the compounds described in paragraph numbers 0031 to 0047 of JP-A-2013-114249 and paragraph numbers 0008-0012 and 0070-0079 of JP-A-2014-137466; Included are compounds described in paragraphs 0007-0025 of Japanese Patent No. 4223071, the contents of which are incorporated herein.
  • the oxime compound having a nitro group also includes ADEKA Arkles NCI-831 (manufactured by ADEKA Co., Ltd.).
  • An oxime compound having a benzofuran skeleton can also be used as the photoradical polymerization initiator.
  • Specific examples include OE-01 to OE-75 described in WO 2015/036910.
  • an oxime compound in which a substituent having a hydroxy group is bonded to the carbazole skeleton can also be used.
  • photoinitiators include compounds such as those described in WO2019/088055, the contents of which are incorporated herein.
  • an oxime compound having an aromatic ring group Ar 2 OX1 in which an electron-withdrawing group is introduced into the aromatic ring (hereinafter also referred to as oxime compound OX) can be used.
  • the electron-withdrawing group of the aromatic ring group Ar OX1 include an acyl group, a nitro group, a trifluoromethyl group, an alkylsulfinyl group, an arylsulfinyl group, an alkylsulfonyl group, an arylsulfonyl group, and a cyano group.
  • a benzoyl group may have a substituent.
  • substituents include halogen atoms, cyano groups, nitro groups, hydroxy groups, alkyl groups, alkoxy groups, aryl groups, aryloxy groups, heterocyclic groups, heterocyclic oxy groups, alkenyl groups, alkylsulfanyl groups, arylsulfanyl groups, It is preferably an acyl group or an amino group, more preferably an alkyl group, an alkoxy group, an aryl group, an aryloxy group, a heterocyclic oxy group, an alkylsulfanyl group, an arylsulfanyl group or an amino group.
  • a sulfanyl group or an amino group is more preferred.
  • the oxime compound OX is preferably at least one selected from the compounds represented by the formula (OX1) and the compounds represented by the formula (OX2), more preferably the compound represented by the formula (OX2). preferable.
  • R X1 is an alkyl group, alkenyl group, alkoxy group, aryl group, aryloxy group, heterocyclic group, heterocyclicoxy group, alkylsulfanyl group, arylsulfanyl group, alkylsulfinyl group, arylsulfinyl group, alkylsulfonyl a group, an arylsulfonyl group, an acyl group, an acyloxy group, an amino group, a phosphinoyl group, a carbamoyl group or a sulfamoyl group
  • R X2 is an alkyl group, alkenyl group, alkoxy group, aryl group, aryloxy group, heterocyclic group,
  • R X12 is an electron-withdrawing group
  • R X10 , R X11 , R X13 and R X14 are preferably hydrogen atoms.
  • oxime compound OX examples include compounds described in paragraphs 0083 to 0105 of Japanese Patent No. 4600600, the contents of which are incorporated herein.
  • oxime compounds having specific substituents shown in JP-A-2007-269779 and oxime compounds having a thioaryl group shown in JP-A-2009-191061. incorporated herein.
  • photoradical polymerization initiators include trihalomethyltriazine compounds, benzyldimethylketal compounds, ⁇ -hydroxyketone compounds, ⁇ -aminoketone compounds, acylphosphine compounds, phosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime compounds, triaryl selected from the group consisting of imidazole dimers, onium salt compounds, benzothiazole compounds, benzophenone compounds, acetophenone compounds and derivatives thereof, cyclopentadiene-benzene-iron complexes and salts thereof, halomethyloxadiazole compounds, and 3-aryl-substituted coumarin compounds; are preferred.
  • More preferred radical photopolymerization initiators are trihalomethyltriazine compounds, ⁇ -aminoketone compounds, acylphosphine compounds, phosphine oxide compounds, metallocene compounds, oxime compounds, triarylimidazole dimers, onium salt compounds, benzophenone compounds, and acetophenone compounds.
  • At least one compound selected from the group consisting of trihalomethyltriazine compounds, ⁇ -aminoketone compounds, metallocene compounds, oxime compounds, triarylimidazole dimers, and benzophenone compounds is more preferred, and metallocene compounds or oxime compounds are even more preferred. .
  • the photoradical polymerization initiator includes benzophenone, N,N'-tetraalkyl-4,4'-diaminobenzophenone such as N,N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone (Michler's ketone), 2-benzyl -aromatic ketones such as 2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1,2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-propanone-1, alkylanthraquinones, etc.
  • benzophenone N,N'-tetraalkyl-4,4'-diaminobenzophenone
  • 2-benzyl -aromatic ketones such as 2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butanone-1,2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholino-propanone-1, alkylanthr
  • benzoin ether compounds such as benzoin alkyl ether
  • benzoin compounds such as benzoin and alkylbenzoin
  • benzyl derivatives such as benzyl dimethyl ketal
  • a compound represented by the following formula (I) can also be used.
  • R 100 is an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkyl group having 2 to 20 carbon atoms interrupted by one or more oxygen atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, a phenyl group, Alternatively, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 12 carbon atoms, a halogen atom, a cyclopentyl group, a cyclohexyl group, an alkenyl group having 2 to 12 carbon atoms, a carbon number interrupted by one or more oxygen atoms a phenyl group or a biphenyl group substituted with at least one of an alkyl group having 2 to 18 carbon atoms and an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R I01 is a group represented by formula (II); It is the same group as R 100 , and each of R 102 to R 104 is independently an alkyl group having 1 to 12 carbon atoms
  • R 105 to R 107 are the same as R 102 to R 104 in formula (I) above.
  • radical photopolymerization initiator a difunctional or trifunctional or higher radical photopolymerization initiator may be used.
  • a radical photopolymerization initiator two or more radicals are generated from one molecule of the radical photopolymerization initiator, so good sensitivity can be obtained.
  • the crystallinity is lowered, the solubility in a solvent or the like is improved, and precipitation becomes difficult over time, and the stability over time of the resin composition can be improved.
  • Specific examples of bifunctional or trifunctional or higher photoradical polymerization initiators include Japanese Patent Publication No. 2010-527339, Japanese Patent Publication No. 2011-524436, International Publication No.
  • a photopolymerization initiator When a photopolymerization initiator is included, its content is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, based on the total solid content of the resin composition of the present invention. , More preferably 0.5 to 15% by mass, still more preferably 1.0 to 10% by mass. Only one type of photopolymerization initiator may be contained, or two or more types may be contained. When two or more photopolymerization initiators are contained, the total amount is preferably within the above range. In addition, since the photopolymerization initiator may also function as a thermal polymerization initiator, the crosslinking by the photopolymerization initiator may be further advanced by heating with an oven, a hot plate, or the like.
  • the resin composition may contain a sensitizer.
  • a sensitizer absorbs specific actinic radiation and enters an electronically excited state.
  • the sensitizer in an electronically excited state comes into contact with a thermal radical polymerization initiator, a photoradical polymerization initiator, or the like, and causes electron transfer, energy transfer, heat generation, or the like.
  • the thermal radical polymerization initiator and the photoradical polymerization initiator undergo chemical changes and are decomposed to generate radicals, acids or bases.
  • Usable sensitizers include benzophenones, Michler's ketones, coumarins, pyrazole azos, anilinoazos, triphenylmethanes, anthraquinones, anthracenes, anthrapyridones, benzylidenes, oxonols, and pyrazolotriazole azos. , pyridone azo, cyanine, phenothiazine, pyrrolopyrazole azomethine, xanthene, phthalocyanine, benzopyran, and indigo compounds.
  • Sensitizers include, for example, Michler's ketone, 4,4'-bis(diethylamino)benzophenone, 2,5-bis(4'-diethylaminobenzal)cyclopentane, 2,6-bis(4'-diethylaminobenzal) Cyclohexanone, 2,6-bis(4'-diethylaminobenzal)-4-methylcyclohexanone, 4,4'-bis(dimethylamino)chalcone, 4,4'-bis(diethylamino)chalcone, p-dimethylaminocinnamyl denindanone, p-dimethylaminobenzylideneindanone, 2-(p-dimethylaminophenylbiphenylene)-benzothiazole, 2-(p-dimethylaminophenylvinylene)benzothiazole, 2-(p-dimethylaminophenylvinylene)iso naphthothiazole,
  • the content of the sensitizer is preferably 0.01 to 20% by mass, preferably 0.1 to 15% by mass, based on the total solid content of the resin composition. more preferably 0.5 to 10% by mass.
  • the sensitizers may be used singly or in combination of two or more.
  • the resin composition of the present invention may contain a chain transfer agent.
  • the chain transfer agent is defined, for example, in Kobunshi Jiten, 3rd edition (edited by Kobunshi Gakkai, 2005), pp. 683-684.
  • Chain transfer agents include, for example, a group of compounds having —S—S—, —SO 2 —S—, —NO—, SH, PH, SiH, and GeH in the molecule, RAFT (Reversible Addition Fragmentation chain Transfer )
  • Dithiobenzoate, trithiocarbonate, dithiocarbamate, xanthate compounds and the like having a thiocarbonylthio group used for polymerization are used. They can either donate hydrogen to less active radicals to generate radicals, or they can be oxidized and then deprotonated to generate radicals.
  • thiol compounds can be preferably used.
  • chain transfer agent can also use the compounds described in paragraphs 0152 to 0153 of International Publication No. 2015/199219, the contents of which are incorporated herein.
  • the content of the chain transfer agent is preferably 0.01 to 20 parts by mass, preferably 0.01 to 20 parts by mass, based on 100 parts by mass of the total solid content of the resin composition of the present invention. 1 to 10 parts by mass is more preferable, and 0.5 to 5 parts by mass is even more preferable.
  • One type of chain transfer agent may be used, or two or more types may be used. When two or more chain transfer agents are used, the total is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention further contains a nitrogen-containing cyclic compound as a component different from the resin, compound A and photopolymerization initiator.
  • the resin composition of the present invention satisfies condition iii
  • the resin composition of the present invention further contains a nitrogen-containing cyclic compound as a component different from the resin, the naphthoquinonediazide compound, and the photopolymerization initiator.
  • the resin composition of the present invention satisfies condition ii or condition iv
  • the resin composition of the present invention may further contain a nitrogen-containing cyclic compound.
  • a nitrogen-containing cyclic compound is a compound having a ring structure containing a nitrogen atom as a ring member.
  • the ring structure may be either an aliphatic ring structure or an aromatic ring structure, but is preferably an aromatic ring structure.
  • the nitrogen-containing cyclic compound may be a compound having a ring structure containing one or more nitrogen atoms as ring members, but is preferably a compound having a ring structure containing two or more nitrogen atoms as ring members.
  • the ring structure containing a nitrogen atom as a ring member is not particularly limited, but is pyrrole ring, furan ring, thiophene ring, imidazole ring, oxazole ring, thiazole ring, pyrazole ring, isoxazole ring, isothiazole ring, and tetrazole ring. , pyridine ring, pyridazine ring, pyrimidine ring, pyrazine ring, piperidine ring, piperazine ring, morpholine ring, 2H-pyran ring and 6H-pyran ring, triazine ring, isocyanurate ring and the like.
  • These ring structures may form a multiple ring with another ring structure.
  • a mode in which a ring structure such as a benzene ring and a condensed ring are formed such as a benzimidazole structure and a benzotriazole structure.
  • triazole structures such as 1,2,4-triazole, benzotriazole, 3-amino-1,2,4-triazole, 3,5-diamino-1,2,4-triazole, 1H-tetrazole, 5
  • a compound having a tetrazole structure such as -phenyltetrazole and 5-amino-tetrazole can be preferably used.
  • nitrogen-containing cyclic compounds include, but are not limited to, the following compounds.
  • the molecular weight of the nitrogen-containing cyclic compound is preferably 60-1000, more preferably 70-700.
  • the content of the nitrogen-containing cyclic compound is 0.01 to 5.0% by mass relative to the total solid content of the resin composition of the present invention. is preferred, 0.05 to 2.0 mass % is more preferred, and 0.1 to 1.0 mass % is even more preferred.
  • the content of the nitrogen-containing cyclic compound is preferably 0.5 to 200 parts by mass when the content of the compound A is 100 parts by mass. It is more preferably 0.8 to 100 parts by mass, even more preferably 0.1 to 40 parts by mass.
  • the content of the nitrogen-containing cyclic compound is preferably 0.5 to 200 parts by mass when the content of the naphthoquinone diazide compound is 100 parts by mass. , more preferably 0.8 to 100 parts by mass, more preferably 0.1 to 40 parts by mass.
  • the resin composition of the present invention may contain only one type of nitrogen-containing cyclic compound, or may contain two or more types. When two or more nitrogen-containing cyclic compounds are included, the total is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a polymerizable compound.
  • Polymerizable compounds include radical cross-linking agents or other cross-linking agents. Although the polymerizable compounds exemplified below include nitrogen-containing cyclic compounds, these are not included in the above-mentioned "nitrogen-containing cyclic compounds”.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a radical cross-linking agent.
  • a radical cross-linking agent is a compound having a radically polymerizable group.
  • the radically polymerizable group a group containing an ethylenically unsaturated bond is preferred.
  • Examples of the group containing an ethylenically unsaturated bond include groups containing an ethylenically unsaturated bond such as a vinyl group, an allyl group, a vinylphenyl group, a (meth)acryloyl group, a maleimide group, and a (meth)acrylamide group.
  • the group containing an ethylenically unsaturated bond is preferably a (meth)acryloyl group, a (meth)acrylamide group, or a vinylphenyl group, and more preferably a (meth)acryloyl group from the viewpoint of reactivity.
  • the radical cross-linking agent is preferably a compound having one or more ethylenically unsaturated bonds, and more preferably a compound having two or more.
  • the radical cross-linking agent may have 3 or more ethylenically unsaturated bonds.
  • the compound having two or more ethylenically unsaturated bonds is preferably a compound having 2 to 15 ethylenically unsaturated bonds, more preferably a compound having 2 to 10 ethylenically unsaturated bonds, and 2 to 6.
  • the resin composition of the present invention contains a compound having two ethylenically unsaturated bonds and a compound having three or more ethylenically unsaturated bonds. It is also preferred to include
  • the molecular weight of the radical cross-linking agent is preferably 2,000 or less, more preferably 1,500 or less, and even more preferably 900 or less.
  • the lower limit of the molecular weight of the radical cross-linking agent is preferably 100 or more.
  • radical cross-linking agent examples include unsaturated carboxylic acids (eg, acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, isocrotonic acid, maleic acid, etc.), their esters, and amides. They are esters of saturated carboxylic acids and polyhydric alcohol compounds, and amides of unsaturated carboxylic acids and polyhydric amine compounds.
  • addition reaction products of unsaturated carboxylic acid esters or amides having a nucleophilic substituent such as a hydroxy group, an amino group, or a sulfanyl group with monofunctional or polyfunctional isocyanates or epoxies, or monofunctional or polyfunctional is also preferably used.
  • addition reaction products of unsaturated carboxylic acid esters or amides having electrophilic substituents such as isocyanate groups and epoxy groups with monofunctional or polyfunctional alcohols, amines, and thiols, and halogeno groups
  • substitution reaction products of unsaturated carboxylic acid esters or amides having a leaving substituent such as a tosyloxy group and monofunctional or polyfunctional alcohols, amines, and thiols.
  • paragraphs 0113 to 0122 of JP-A-2016-027357 can be referred to, and the contents thereof are incorporated herein.
  • the radical cross-linking agent is preferably a compound having a boiling point of 100°C or higher under normal pressure.
  • examples include polyethylene glycol di(meth)acrylate, trimethylolethane tri(meth)acrylate, neopentyl glycol di(meth)acrylate, pentaerythritol tri(meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, hexanediol di(meth)acrylate, trimethylolpropane tri(acryloyloxypropyl)ether, tri(acryloyloxyethyl)isocyanurate, glycerin, trimethylolethane, etc.
  • polyfunctional (meth)acrylate obtained by reacting polyfunctional carboxylic acid with a compound having a cyclic ether group such as glycidyl (meth)acrylate and an ethylenically unsaturated bond can also be used.
  • JP-A-2010-160418, JP-A-2010-129825, JP-A-4364216, etc. have a fluorene ring and an ethylenically unsaturated bond. It is also possible to use compounds having two or more groups and cardo resins.
  • JP-B-46-043946 JP-B-01-040337, JP-B-01-040336, and JP-A-02-025493.
  • vinyl phosphonic acid compounds and the like can also be mentioned.
  • Compounds containing perfluoroalkyl groups described in JP-A-61-022048 can also be used.
  • the journal of the Japan Adhesive Association vol. 20, No. 7, pp. 300-308 (1984) as photopolymerizable monomers and oligomers can also be used.
  • dipentaerythritol triacrylate (commercially available as KAYARAD D-330 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)), dipentaerythritol tetraacrylate (commercially available as KAYARAD D-320 (Nippon Kayaku ( Ltd.), A-TMMT (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), dipentaerythritol penta(meth)acrylate (commercially available as KAYARAD D-310 (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)), dipenta Erythritol hexa(meth)acrylate (commercially available products are KAYARAD DPHA (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) and A-DPH (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.)), and their (meth)acryloyl groups are ethylene glycol,
  • radical cross-linking agents examples include SR-494, a tetrafunctional acrylate having four ethyleneoxy chains, manufactured by Sartomer, SR-209, a bifunctional methacrylate having four ethyleneoxy chains, manufactured by Sartomer. 231, 239, Nippon Kayaku Co., Ltd.
  • DPCA-60 a hexafunctional acrylate having 6 pentyleneoxy chains, TPA-330, a trifunctional acrylate having 3 isobutyleneoxy chains, urethane oligomer UAS-10 , UAB-140 (manufactured by Nippon Paper Industries), NK Ester M-40G, NK Ester 4G, NK Ester M-9300, NK Ester A-9300, UA-7200 (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.), DPHA-40H (Japan Kayaku Co., Ltd.), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), Blenmer PME400 (manufactured by NOF Corporation) etc.
  • radical cross-linking agents examples include urethane acrylates such as those described in JP-B-48-041708, JP-A-51-037193, JP-B-02-032293, JP-B-02-016765, Urethane compounds having an ethylene oxide skeleton described in JP-B-58-049860, JP-B-56-017654, JP-B-62-039417 and JP-B-62-039418 are also suitable.
  • compounds having an amino structure or a sulfide structure in the molecule described in JP-A-63-277653, JP-A-63-260909, and JP-A-01-105238 are used. can also
  • the radical cross-linking agent may be a radical cross-linking agent having an acid group such as a carboxy group or a phosphoric acid group.
  • a radical cross-linking agent having an acid group is preferably an ester of an aliphatic polyhydroxy compound and an unsaturated carboxylic acid. is more preferable.
  • the aliphatic polyhydroxy compound is pentaerythritol or dipentaerythritol is a compound.
  • Examples of commercially available products include polybasic acid-modified acrylic oligomers manufactured by Toagosei Co., Ltd. such as M-510 and M-520.
  • the acid value of the radical cross-linking agent having an acid group is preferably 0.1-300 mgKOH/g, particularly preferably 1-100 mgKOH/g. If the acid value of the radical cross-linking agent is within the above range, the handleability in production is excellent, and furthermore the developability is excellent. Moreover, the polymerizability is good. The acid value is measured according to JIS K 0070:1992.
  • the resin composition preferably uses a bifunctional methacrylate or acrylate.
  • Specific compounds include triethylene glycol diacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol dimethacrylate, tetraethylene glycol diacrylate, PEG (polyethylene glycol) 200 diacrylate, PEG200 dimethacrylate, PEG600 diacrylate, and PEG600 diacrylate.
  • PEG200 diacrylate is a polyethylene glycol diacrylate having a polyethylene glycol chain formula weight of about 200.
  • a monofunctional radical cross-linking agent can be preferably used as the radical cross-linking agent from the viewpoint of suppressing warpage associated with the elastic modulus control of the pattern (cured product).
  • Monofunctional radical cross-linking agents include n-butyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, butoxyethyl (meth)acrylate, carbitol (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, ) acrylate, benzyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, N-methylol (meth) acrylamide, glycidyl (meth) acrylate, polyethylene glycol mono (meth) acrylate, polypropylene glycol mono (meth) acrylate, etc.
  • N-vinyl compounds such as N-vinylpyrrolidone and N-vinylcaprolactam
  • allyl glycidyl ether are preferably used.
  • the monofunctional radical cross-linking agent a compound having a boiling point of 100° C. or higher under normal pressure is also preferable in order to suppress volatilization before exposure.
  • Other di- or higher functional radical cross-linking agents include allyl compounds such as diallyl phthalate and triallyl trimellitate.
  • a radical cross-linking agent When a radical cross-linking agent is contained, its content is preferably more than 0% by mass and 60% by mass or less with respect to the total solid content of the resin composition of the present invention. More preferably, the lower limit is 5% by mass or more. The upper limit is more preferably 50% by mass or less, and even more preferably 30% by mass or less.
  • a single radical cross-linking agent may be used alone, or two or more may be used in combination. When two or more are used in combination, the total amount is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention contains another cross-linking agent different from the radical cross-linking agent described above.
  • the other cross-linking agent refers to a cross-linking agent other than the radical cross-linking agent described above, and other compounds or reaction products thereof in the composition are formed by exposure of the photoacid generator or the photobase generator.
  • the compound has a plurality of groups in the molecule that promote the reaction to form a covalent bond between and forms a covalent bond with other compounds or reaction products thereof in the composition
  • Compounds having a plurality of groups in the molecule, the reaction of which is promoted by the action of an acid or base are preferred.
  • the acid or base is preferably an acid or base generated from a photoacid generator or a photobase generator in the exposure step.
  • a compound having at least one group selected from the group consisting of acyloxymethyl group, methylol group and alkoxymethyl group is preferable, and selected from the group consisting of acyloxymethyl group, methylol group and alkoxymethyl group. More preferred is a compound having a structure in which at least one group is directly bonded to a nitrogen atom.
  • cross-linking agents include, for example, an amino group-containing compound such as melamine, glycoluril, urea, alkylene urea, and benzoguanamine, which is reacted with formaldehyde or formaldehyde and alcohol, and the hydrogen atom of the amino group is converted to an acyloxymethyl group, methylol group, or A compound having a structure substituted with an alkoxymethyl group can be mentioned.
  • the method for producing these compounds is not particularly limited as long as they have the same structure as the compounds produced by the above methods. Oligomers formed by self-condensation of methylol groups of these compounds may also be used.
  • a melamine-based crosslinking agent is a melamine-based crosslinking agent
  • a glycoluril, urea or alkyleneurea-based crosslinking agent is a urea-based crosslinking agent
  • an alkyleneurea-based crosslinking agent is an alkyleneurea-based crosslinking agent.
  • a cross-linking agent using benzoguanamine is called a benzoguanamine-based cross-linking agent.
  • the resin composition of the present invention preferably contains at least one compound selected from the group consisting of urea-based cross-linking agents and melamine-based cross-linking agents. More preferably, it contains at least one compound selected from the group consisting of agents.
  • an alkoxymethyl group or an acyloxymethyl group is directly substituted on the nitrogen atom of an aromatic group or the following urea structure, or on a triazine.
  • the alkoxymethyl group or acyloxymethyl group of the above compound preferably has 2 to 5 carbon atoms, preferably 2 or 3 carbon atoms, and more preferably 2 carbon atoms.
  • the total number of alkoxymethyl groups and acyloxymethyl groups in the above compound is preferably 1-10, more preferably 2-8, and particularly preferably 3-6.
  • the molecular weight of the compound is preferably 1500 or less, preferably 180-1200.
  • R 100 represents an alkyl group or an acyl group.
  • R 101 and R 102 each independently represent a monovalent organic group and may combine with each other to form a ring.
  • Examples of compounds in which an alkoxymethyl group or an acyloxymethyl group is directly substituted by an aromatic group include compounds represented by the following general formula.
  • X represents a single bond or a divalent organic group
  • each R 104 independently represents an alkyl group or an acyl group
  • R 103 represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an aryl group, an aralkyl group , or a group that decomposes under the action of an acid to produce an alkali-soluble group (e.g., a group that leaves under the action of an acid, a group represented by —C(R 4 ) 2 COOR 5 (R 4 is independently It represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, and R 5 represents a group that leaves under the action of an acid.)).
  • R 105 each independently represents an alkyl group or alkenyl group, a, b and c are each independently 1 to 3, d is 0 to 4, e is 0 to 3, f is 0 to 3 , a+d is 5 or less, b+e is 4 or less, and c+f is 4 or less.
  • R 5 in the group represented by —C(R 4 ) 2 COOR 5 a group that is decomposed by the action of an acid to produce an alkali-soluble group, a group that is eliminated by the action of an acid, and —C(R 36 )(R 37 )(R 38 ), —C(R 36 )(R 37 )(OR 39 ), —C(R 01 )(R 02 )(OR 39 ), and the like.
  • R 36 to R 39 each independently represent an alkyl group, cycloalkyl group, aryl group, aralkyl group or alkenyl group.
  • R 36 and R 37 may combine with each other to form a ring.
  • alkyl group an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms is more preferable.
  • the alkyl group may be linear or branched.
  • a cycloalkyl group having 3 to 12 carbon atoms is preferable, and a cycloalkyl group having 3 to 8 carbon atoms is more preferable.
  • the cycloalkyl group may have a monocyclic structure or a polycyclic structure such as a condensed ring.
  • the aryl group is preferably an aromatic hydrocarbon group having 6 to 30 carbon atoms, more preferably a phenyl group.
  • an aralkyl group having 7 to 20 carbon atoms is preferable, and an aralkyl group having 7 to 16 carbon atoms is more preferable.
  • the aralkyl group is intended to be an aryl group substituted with an alkyl group, and preferred embodiments of these alkyl and aryl groups are the same as the preferred embodiments of the alkyl and aryl groups described above.
  • the alkenyl group is preferably an alkenyl group having 3 to 20 carbon atoms, more preferably an alkenyl group having 3 to 16 carbon atoms. Moreover, these groups may further have a known substituent within the range in which the effects of the present invention can be obtained.
  • R 01 and R 02 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, a cycloalkyl group, an aryl group, an aralkyl group or an alkenyl group.
  • the group that is decomposed by the action of an acid to form an alkali-soluble group or the group that is eliminated by the action of an acid is preferably a tertiary alkyl ester group, an acetal group, a cumyl ester group, an enol ester group, or the like. More preferred are tertiary alkyl ester groups and acetal groups.
  • compounds having an alkoxymethyl group include the following structures.
  • Examples of the compound having an acyloxymethyl group include compounds obtained by changing the alkoxymethyl group of the following compounds to an acyloxymethyl group.
  • Compounds having an alkoxymethyl group or acyloxymethyl in the molecule include, but are not limited to, the following compounds.
  • the compound containing at least one of an alkoxymethyl group and an acyloxymethyl group a commercially available one or a compound synthesized by a known method may be used. From the viewpoint of heat resistance, compounds in which an alkoxymethyl group or acyloxymethyl group is directly substituted on an aromatic ring or a triazine ring are preferred.
  • melamine-based cross-linking agents include hexamethoxymethylmelamine, hexaethoxymethylmelamine, hexapropoxymethylmelamine, and hexabutoxybutylmelamine.
  • urea-based cross-linking agents include monohydroxymethylated glycoluril, dihydroxymethylated glycoluril, trihydroxymethylated glycoluril, tetrahydroxymethylated glycoluril, monomethoxymethylated glycoluril, and dimethoxymethylated glycol.
  • Uril trimethoxymethylated glycoluril, tetramethoxymethylated glycoluril, monoethoxymethylated glycoluril, diethoxymethylated glycoluril, triethoxymethylated glycoluril, tetraethoxymethylated glycoluril, monopropoxymethylated glycoluril , dipropoxymethylated glycoluril, tripropoxymethylated glycoluril, tetrapropoxymethylated glycoluril, monobutoxymethylated glycoluril, dibutoxymethylated glycoluril, tributoxymethylated glycoluril, or tetrabutoxymethylated glycoluril glycoluril-based crosslinkers such as uril; urea-based cross-linking agents such as bismethoxymethylurea, bisethoxymethylurea, bispropoxymethylurea, and bisbutoxymethylurea; monohydroxymethylated ethyleneurea or dihydroxymethylated ethyleneurea, monomethoxymethylated ethyleneurea, dimethoxymethylated
  • benzoguanamine-based cross-linking agents include monohydroxymethylated benzoguanamine, dihydroxymethylated benzoguanamine, trihydroxymethylated benzoguanamine, tetrahydroxymethylated benzoguanamine, monomethoxymethylated benzoguanamine, dimethoxymethylated benzoguanamine, and trimethoxymethylated benzoguanamine.
  • tetramethoxymethylated benzoguanamine monoethoxymethylated benzoguanamine, diethoxymethylated benzoguanamine, triethoxymethylated benzoguanamine, tetraethoxymethylated benzoguanamine, monopropoxymethylated benzoguanamine, dipropoxymethylated benzoguanamine, tripropoxymethylated benzoguanamine, tetra propoxymethylated benzoguanamine, monobutoxymethylated benzoguanamine, dibutoxymethylated benzoguanamine, tributoxymethylated benzoguanamine, tetrabutoxymethylated benzoguanamine, and the like.
  • the compound having at least one group selected from the group consisting of a methylol group and an alkoxymethyl group includes at least one group selected from the group consisting of a methylol group and an alkoxymethyl group on an aromatic ring (preferably a benzene ring).
  • Compounds to which a seed group is directly attached are also preferably used. Specific examples of such compounds include benzenedimethanol, bis(hydroxymethyl)cresol, bis(hydroxymethyl)dimethoxybenzene, bis(hydroxymethyl)diphenyl ether, bis(hydroxymethyl)benzophenone, hydroxymethylphenyl hydroxymethylbenzoate.
  • suitable commercial products include 46DMOC, 46DMOEP (manufactured by Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd.), DML-PC, DML-PEP, DML-OC, and DML-OEP.
  • DML-34X DML-PTBP, DML-PCHP, DML-OCHP, DML-PFP, DML-PSBP, DML-POP, DML-MBOC, DML-MBPC, DML-MTrisPC, DML-BisOC-Z, DML-BisOCHP -Z, DML-BPC, DMLBisOC-P, DMOM-PC, DMOM-PTBP, DMOM-MBPC, TriML-P, TriML-35XL, TML-HQ, TML-BP, TML-pp-BPF, TML-BPE, TML -BPA, TML-BPAF, TML-BPAP, TMOM-BP, TMOM-BPE, TMOM-BPA, TMOM-BPAF, TMOM-BPAP, HML-TPPHBA, HML-TPHAP, HMOM-TPPHBA, HMOM-TPHAP (Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), Nikalac (registered
  • the resin composition of the present invention preferably contains at least one compound selected from the group consisting of epoxy compounds, oxetane compounds, and benzoxazine compounds as another cross-linking agent.
  • Epoxy compound (compound having an epoxy group) -
  • the epoxy compound is preferably a compound having two or more epoxy groups in one molecule.
  • the epoxy group undergoes a cross-linking reaction at 200° C. or less and does not undergo a dehydration reaction resulting from the cross-linking, so film shrinkage does not easily occur. Therefore, containing an epoxy compound is effective for low-temperature curing and suppression of warpage of the resin composition of the present invention.
  • the epoxy compound preferably contains a polyethylene oxide group.
  • the polyethylene oxide group means that the number of repeating units of ethylene oxide is 2 or more, and the number of repeating units is preferably 2-15.
  • epoxy compounds include bisphenol A type epoxy resin; bisphenol F type epoxy resin; propylene glycol diglycidyl ether, neopentyl glycol diglycidyl ether, ethylene glycol diglycidyl ether, butylene glycol diglycidyl ether, hexamethylene glycol diglycidyl ether.
  • alkylene glycol type epoxy resins such as trimethylolpropane triglycidyl ether or polyhydric alcohol hydrocarbon type epoxy resins
  • polyalkylene glycol type epoxy resins such as polypropylene glycol diglycidyl ether
  • epoxy groups such as polymethyl (glycidyloxypropyl) siloxane Examples include, but are not limited to, containing silicones and the like.
  • Epiclon (registered trademark) 850-S Epiclon (registered trademark) HP-4032, Epiclon (registered trademark) HP-7200, Epiclon (registered trademark) HP-820, Epiclon (registered trademark) HP-4700, Epiclon (registered trademark) HP-4770, Epiclon (registered trademark) EXA-830LVP, Epiclon (registered trademark) EXA-8183, Epiclon (registered trademark) EXA-8169, Epiclon (registered trademark) N-660, Epiclon (registered trademark) N-665-EXP-S, Epiclon (registered trademark) N-740 (trade name, manufactured by DIC Corporation), Ricaresin (registered trademark) BEO-20E, Jamaicaresin (registered trademark) BEO-60E, Ricaresin (registered trademark) ) HBE-100, Ricaresin (registered trademark) DME-100, Ricaresin (registered trademark)
  • n is an integer of 1-5 and m is an integer of 1-20.
  • n 1 to 2 and m is 3 to 7 from the viewpoint of achieving both heat resistance and elongation improvement.
  • oxetane compound compound having an oxetanyl group
  • the oxetane compounds include compounds having two or more oxetane rings in one molecule, 3-ethyl-3-hydroxymethyloxetane, 1,4-bis ⁇ [(3-ethyl-3-oxetanyl)methoxy]methyl ⁇ benzene, 3-ethyl-3-(2-ethylhexylmethyl)oxetane, 1,4-benzenedicarboxylic acid-bis[(3-ethyl-3-oxetanyl)methyl]ester and the like can be mentioned.
  • Aron oxetane series manufactured by Toagosei Co., Ltd. eg, OXT-121, OXT-221
  • OXT-121, OXT-221 can be suitably used, and these can be used alone or in combination of two or more. good.
  • a benzoxazine compound (compound having a benzoxazolyl group)-
  • a benzoxazine compound is preferable because it is a cross-linking reaction derived from a ring-opening addition reaction, so that degassing does not occur during curing, and thermal shrinkage is reduced to suppress warping.
  • benzoxazine compounds include Pd-type benzoxazine, Fa-type benzoxazine (these are trade names, manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd.), benzoxazine adducts of polyhydroxystyrene resins, phenol novolac-type dihydrobenzoxazines, oxazine compounds. These may be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the other cross-linking agent is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, based on the total solid content of the resin composition of the present invention. It is more preferably 5 to 15% by mass, particularly preferably 1.0 to 10% by mass.
  • Other cross-linking agents may be contained alone, or may be contained in two or more. When two or more other cross-linking agents are contained, the total is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention may contain a base generator.
  • the base generator is a compound capable of generating a base by physical or chemical action.
  • Preferred base generators for the resin composition of the present invention include thermal base generators and photobase generators.
  • the resin composition when the resin composition contains a cyclized resin precursor, the resin composition preferably contains a base generator.
  • the base generator may be an ionic base generator or a non-ionic base generator.
  • bases generated from base generators include secondary amines and tertiary amines. There are no particular restrictions on the base generator used in the present invention, and known base generators can be used. Examples of known base generators include carbamoyloxime compounds, carbamoylhydroxylamine compounds, carbamic acid compounds, formamide compounds, acetamide compounds, carbamate compounds, benzylcarbamate compounds, nitrobenzylcarbamate compounds, sulfonamide compounds, imidazole derivative compounds, and amine imides.
  • nonionic base generator examples include compounds represented by formula (B1), formula (B2), or formula (B3). Although the base generators exemplified below include nitrogen-containing cyclic compounds, these are not included in the above-mentioned "nitrogen-containing cyclic compounds".
  • Rb 1 , Rb 2 and Rb 3 are each independently an organic group having no tertiary amine structure, a halogen atom or a hydrogen atom. However, Rb 1 and Rb 2 are not hydrogen atoms at the same time. Also, none of Rb 1 , Rb 2 and Rb 3 has a carboxy group.
  • the tertiary amine structure refers to a structure in which all three bonds of a trivalent nitrogen atom are covalently bonded to a hydrocarbon-based carbon atom. Therefore, when the bonded carbon atom is a carbon atom forming a carbonyl group, that is, when forming an amide group together with the nitrogen atom, this is not the case.
  • Rb 1 , Rb 2 and Rb 3 preferably contains a cyclic structure, and more preferably at least two of them contain a cyclic structure.
  • the cyclic structure may be either a single ring or a condensed ring, preferably a single ring or a condensed ring in which two single rings are condensed.
  • the monocyclic ring is preferably a 5- or 6-membered ring, more preferably a 6-membered ring.
  • the monocyclic ring is preferably a cyclohexane ring and a benzene ring, more preferably a cyclohexane ring.
  • Rb 1 and Rb 2 are a hydrogen atom, an alkyl group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, even more preferably 3 to 12 carbon atoms), an alkenyl group (preferably 2 to 24 carbon atoms). , more preferably 2 to 18, more preferably 3 to 12), an aryl group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, even more preferably 6 to 10), or an arylalkyl group (7 carbon atoms to 25 are preferred, 7 to 19 are more preferred, and 7 to 12 are even more preferred). These groups may have substituents to the extent that the effects of the present invention are exhibited. Rb 1 and Rb 2 may combine with each other to form a ring.
  • the ring to be formed is preferably a 4- to 7-membered nitrogen-containing heterocyclic ring.
  • Rb 1 and Rb 2 are particularly linear, branched or cyclic alkyl groups (having preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, and still more preferably 3 to 12 carbon atoms) which may have a substituent.
  • Rb 3 is an alkyl group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, still more preferably 3 to 12 carbon atoms), an aryl group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18 carbon atoms, 6 to 10 are more preferred), alkenyl groups (preferably 2 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 12, more preferably 2 to 6), arylalkyl groups (preferably 7 to 23 carbon atoms, more preferably 7 to 19 preferably 7 to 12), arylalkenyl groups (preferably 8 to 24 carbon atoms, more preferably 8 to 20, more preferably 8 to 16), alkoxyl groups (preferably 1 to 24 carbon atoms, 2 to 18 is more preferred, and 3 to 12 are even more preferred), an aryloxy group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, and even more preferably 6 to 12), or an arylalkyloxy group (preferably 7 to 12 carbon atoms).
  • an aryl group preferably
  • Rb 3 may further have a substituent as long as the effects of the present invention are exhibited.
  • the compound represented by Formula (B1) is preferably a compound represented by Formula (B1-1) or Formula (B1-2) below.
  • Rb 11 and Rb 12 and Rb 31 and Rb 32 are respectively the same as Rb 1 and Rb 2 in formula (B1).
  • Rb 13 is an alkyl group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, still more preferably 3 to 12 carbon atoms), an alkenyl group (preferably 2 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, 3 to 12 is more preferred), an aryl group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, more preferably 6 to 12), an arylalkyl group (preferably 7 to 23 carbon atoms, more preferably 7 to 19, 7 to 12 are more preferable), and may have a substituent within the range in which the effects of the present invention are exhibited.
  • Rb 13 is preferably an arylalkyl group.
  • Rb 33 and Rb 34 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group (preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and even more preferably 1 to 3 carbon atoms), an alkenyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms , more preferably 2 to 8, more preferably 2 to 3), an aryl group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, more preferably 6 to 10), an arylalkyl group (7 to 23 is preferred, 7 to 19 are more preferred, and 7 to 11 are even more preferred), and a hydrogen atom is preferred.
  • an alkyl group preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 8 carbon atoms, and even more preferably 1 to 3 carbon atoms
  • an alkenyl group preferably 2 to 12 carbon atoms , more preferably 2 to 8, more preferably 2 to 3
  • an aryl group preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, more preferably 6 to 10
  • Rb 35 is an alkyl group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, still more preferably 3 to 8 carbon atoms), an alkenyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 10 carbon atoms, 3 to 8 is more preferred), an aryl group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, even more preferably 6 to 12), an arylalkyl group (preferably 7 to 23 carbon atoms, more preferably 7 to 19 , 7 to 12 are more preferred), and aryl groups are preferred.
  • the compound represented by formula (B1-1) is also preferably the compound represented by formula (B1-1a).
  • Rb 11 and Rb 12 have the same definitions as Rb 11 and Rb 12 in formula (B1-1).
  • Rb 15 and Rb 16 are hydrogen atoms, alkyl groups (preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6, even more preferably 1 to 3), alkenyl groups (preferably 2 to 12 carbon atoms, 2 to 6 more preferably 2 to 3), an aryl group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, even more preferably 6 to 10), an arylalkyl group (preferably 7 to 23 carbon atoms, 7 to 19 are more preferred, and 7 to 11 are even more preferred), and a hydrogen atom or a methyl group is preferred.
  • Rb 17 is an alkyl group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, still more preferably 3 to 8 carbon atoms), an alkenyl group (preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 10 carbon atoms, 3 to 8 is more preferred), an aryl group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, more preferably 6 to 12), an arylalkyl group (preferably 7 to 23 carbon atoms, more preferably 7 to 19, 7 to 12 are more preferable), and aryl groups are particularly preferable.
  • an alkyl group preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, still more preferably 3 to 8 carbon atoms
  • an alkenyl group preferably 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 10 carbon atoms, 3 to 8 is more preferred
  • an aryl group preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, more preferably 6 to 12
  • L is a divalent hydrocarbon group having a saturated hydrocarbon group on a connecting chain route connecting adjacent oxygen atoms and carbon atoms, wherein the number of atoms on the connecting chain route is represents a hydrocarbon group of 3 or more.
  • RN1 and RN2 each independently represent a monovalent organic group.
  • the term “connected chain” refers to the shortest (minimum number of atoms) of atomic chains on a path connecting two atoms or groups of atoms to be connected.
  • L is composed of a phenylene ethylene group, has an ethylene group as a saturated hydrocarbon group
  • the linking chain is composed of four carbon atoms, and on the route of the linking chain
  • the number of atoms of (that is, the number of atoms constituting the linked chain, hereinafter also referred to as "linked chain length" or "linked chain length”) is 4.
  • the number of carbon atoms in L (including carbon atoms other than carbon atoms in the connecting chain) in formula (B3) is preferably 3-24.
  • the upper limit is more preferably 12 or less, still more preferably 10 or less, and particularly preferably 8 or less. More preferably, the lower limit is 4 or more.
  • the upper limit of the linking chain length of L is preferably 12 or less, more preferably 8 or less, further preferably 6 or less, and 5 The following are particularly preferred.
  • the linking chain length of L is preferably 4 or 5, most preferably 4.
  • Specific preferred compounds of the base generator include, for example, compounds described in paragraph numbers 0102 to 0168 of WO2020/066416, and compounds described in paragraph numbers 0143 to 0177 of WO2018/038002. mentioned.
  • the base generator preferably contains a compound represented by the following formula (N1).
  • R N1 and R N2 each independently represent a monovalent organic group
  • R C1 represents a hydrogen atom or a protecting group
  • L represents a divalent linking group
  • L is a divalent linking group, preferably a divalent organic group.
  • the linking chain length of the linking group is preferably 1 or more, more preferably 2 or more.
  • the upper limit is preferably 12 or less, more preferably 8 or less, and even more preferably 5 or less.
  • the linking chain length is the number of atoms present in the atomic arrangement that provides the shortest path between two carbonyl groups in the formula.
  • R 1 N1 and R 2 N2 each independently represent a monovalent organic group (preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms), and a hydrocarbon group ( preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms), specifically, an aliphatic hydrocarbon group (preferably 1 to 24 carbon atoms, 1 to 12 is more preferable, 1 to 10 is more preferable) or an aromatic hydrocarbon group (preferably 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18, more preferably 6 to 10), and an aliphatic hydrocarbon groups are preferred.
  • a monovalent organic group preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, more preferably 3 to 12 carbon atoms
  • a hydrocarbon group preferably 1 to 24 carbon atoms, more preferably 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 10 carbon atoms
  • an aliphatic hydrocarbon group
  • an aliphatic hydrocarbon group as R N1 and R N2 because the generated base has high basicity.
  • the aliphatic hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group may have a substituent, and the aliphatic hydrocarbon group and the aromatic hydrocarbon group are in the aliphatic hydrocarbon chain or in the aromatic ring, You may have an oxygen atom in the substituent.
  • an aspect in which the aliphatic hydrocarbon group has an oxygen atom in the hydrocarbon chain is exemplified.
  • Aliphatic hydrocarbon groups constituting R N1 and R N2 include linear or branched chain alkyl groups, cyclic alkyl groups, groups related to combinations of chain alkyl groups and cyclic alkyl groups, and oxygen atoms in the chains.
  • Alkyl groups having The linear or branched chain alkyl group preferably has 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 18 carbon atoms, and still more preferably 3 to 12 carbon atoms.
  • Linear or branched chain alkyl groups are, for example, methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, hexyl, heptyl, octyl, nonyl, decyl, undecyl, dodecyl, isopropyl group, isobutyl group, secondary butyl group, tertiary butyl group, isopentyl group, neopentyl group, tertiary pentyl group, isohexyl group and the like.
  • the cyclic alkyl group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms.
  • Cyclic alkyl groups include, for example, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, and cyclooctyl groups.
  • Groups associated with a combination of a chain alkyl group and a cyclic alkyl group preferably have 4 to 24 carbon atoms, more preferably 4 to 18 carbon atoms, and even more preferably 4 to 12 carbon atoms.
  • Groups related to combinations of chain alkyl groups and cyclic alkyl groups include, for example, a cyclohexylmethyl group, a cyclohexylethyl group, a cyclohexylpropyl group, a methylcyclohexylmethyl group, and an ethylcyclohexylethyl group.
  • the alkyl group having an oxygen atom in the chain preferably has 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, and still more preferably 2 to 4 carbon atoms.
  • An alkyl group having an oxygen atom in the chain may be chain or cyclic, and may be linear or branched.
  • R 3 N1 and R 3 N2 are preferably alkyl groups having 5 to 12 carbon atoms, from the viewpoint of raising the boiling point of the decomposition base described below.
  • a group having a cyclic alkyl group or an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms is preferable.
  • RN1 and RN2 may be linked to each other to form a ring structure.
  • the chain may have an oxygen atom or the like.
  • the cyclic structure formed by R N1 and R N2 may be a monocyclic ring or a condensed ring, but is preferably a monocyclic ring.
  • the cyclic structure to be formed is preferably a 5- or 6-membered ring containing a nitrogen atom in formula (N1), such as pyrrole ring, imidazole ring, pyrazole ring, pyrroline ring, pyrrolidine ring, imidazolidine ring, A pyrazolidine ring, a piperidine ring, a piperazine ring, a morpholine ring and the like can be mentioned, and a pyrroline ring, a pyrrolidine ring, a piperidine ring, a piperazine ring and a morpholine ring are preferably mentioned.
  • N1 nitrogen atom in formula (N1)
  • R C1 represents a hydrogen atom or a protecting group, preferably a hydrogen atom.
  • the protective group is preferably a protective group that is decomposed by the action of an acid or a base, and preferably includes a protective group that is decomposed by an acid.
  • protecting groups include chain or cyclic alkyl groups or chain or cyclic alkyl groups having an oxygen atom in the chain.
  • Chain or cyclic alkyl groups include methyl group, ethyl group, isopropyl group, tert-butyl group, cyclohexyl group and the like.
  • the chain alkyl group having an oxygen atom in the chain specifically includes an alkyloxyalkyl group, more specifically a methyloxymethyl (MOM) group, an ethyloxyethyl (EE) group, and the like. mentioned.
  • Cyclic alkyl groups having an oxygen atom in the chain include epoxy group, glycidyl group, oxetanyl group, tetrahydrofuranyl group, tetrahydropyranyl (THP) group and the like.
  • the divalent linking group constituting L is not particularly defined, but is preferably a hydrocarbon group, more preferably an aliphatic hydrocarbon group.
  • the hydrocarbon group may have substituents and may have atoms of types other than carbon atoms in the hydrocarbon chain. More specifically, it is preferably a divalent hydrocarbon linking group which may have an oxygen atom in the chain, and a divalent aliphatic hydrocarbon which may have an oxygen atom in the chain group, a divalent aromatic hydrocarbon group, or a group related to a combination of a divalent aliphatic hydrocarbon group which may have an oxygen atom in the chain and a divalent aromatic hydrocarbon group, A divalent aliphatic hydrocarbon group which may have an oxygen atom in the chain is more preferred.
  • the divalent hydrocarbon linking group preferably has 1 to 24 carbon atoms, more preferably 2 to 12 carbon atoms, and even more preferably 2 to 6 carbon atoms.
  • the divalent aliphatic hydrocarbon group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, and still more preferably 2 to 4 carbon atoms.
  • the divalent aromatic hydrocarbon group preferably has 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18 carbon atoms, and even more preferably 6 to 10 carbon atoms.
  • a group related to a combination of a divalent aliphatic hydrocarbon group and a divalent aromatic hydrocarbon group preferably has 7 to 22 carbon atoms, more preferably 7 to 18, and 7 to 10 is more preferred.
  • linking group L examples include a linear or branched chain alkylene group, a cyclic alkylene group, a group related to a combination of a chain alkylene group and a cyclic alkylene group, and an alkylene group having an oxygen atom in the chain.
  • a linear or branched alkenylene group, a cyclic alkenylene group, an arylene group and an arylenealkylene group are preferred.
  • the linear or branched chain alkylene group preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, and still more preferably 2 to 4 carbon atoms.
  • the cyclic alkylene group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms.
  • the group associated with the combination of a chain alkylene group and a cyclic alkylene group preferably has 4 to 24 carbon atoms, more preferably 4 to 12 carbon atoms, and even more preferably 4 to 6 carbon atoms.
  • An alkylene group having an oxygen atom in the chain may be chain or cyclic, and may be linear or branched.
  • the alkylene group having an oxygen atom in the chain preferably has 1 to 12 carbon atoms, more preferably 1 to 6 carbon atoms, and still more preferably 1 to 3 carbon atoms.
  • the linear or branched chain alkenylene group preferably has 2 to 12 carbon atoms, more preferably 2 to 6 carbon atoms, and still more preferably 2 to 3 carbon atoms.
  • the linear or branched chain alkenylene group preferably has 1 to 10 C ⁇ C bonds, more preferably 1 to 6, even more preferably 1 to 3.
  • the cyclic alkenylene group preferably has 3 to 12 carbon atoms, more preferably 3 to 6 carbon atoms.
  • the number of C ⁇ C bonds in the cyclic alkenylene group is preferably 1-6, more preferably 1-4, even more preferably 1-2.
  • the arylene group preferably has 6 to 22 carbon atoms, more preferably 6 to 18 carbon atoms, and even more preferably 6 to 10 carbon atoms.
  • the arylene alkylene group preferably has 7 to 23 carbon atoms, more preferably 7 to 19 carbon atoms, and even more preferably 7 to 11 carbon atoms.
  • a chain alkylene group, a cyclic alkylene group, an alkylene group having an oxygen atom in the chain, a chain alkenylene group, an arylene group, and an arylene alkylene group are preferable, and a 1,2-ethylene group and a propanediyl group (especially 1, 3-propanediyl group), cyclohexanediyl group (especially 1,2-cyclohexanediyl group), vinylene group (especially cis-vinylene group), phenylene group (1,2-phenylene group), phenylenemethylene group (especially 1,2-phenylene methylene group) and ethyleneoxyethylene group (especially 1,2-ethyleneoxy-1,2-ethylene group) are more preferable.
  • base generators include the following, but the present invention should not be construed as being limited thereto.
  • the molecular weight of the nonionic base generator is preferably 800 or less, more preferably 600 or less, and even more preferably 500 or less.
  • the lower limit is preferably 100 or more, more preferably 200 or more, and even more preferably 300 or more.
  • Specific preferred compounds of the ionic base generator include, for example, compounds described in paragraphs 0148 to 0163 of International Publication No. 2018/038002.
  • ammonium salts include the following compounds, but the present invention is not limited thereto.
  • iminium salts include the following compounds, but the present invention is not limited thereto.
  • the content of the base generator is preferably 0.1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin in the resin composition of the present invention.
  • the lower limit is more preferably 0.3 parts by mass or more, and even more preferably 0.5 parts by mass or more.
  • the upper limit is more preferably 30 parts by mass or less, still more preferably 20 parts by mass or less, even more preferably 10 parts by mass or less, and may be 5 parts by mass or less, or may be 4 parts by mass or less.
  • One or two or more base generators can be used. When two or more are used, the total amount is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a solvent. Any known solvent can be used as the solvent.
  • the solvent is preferably an organic solvent.
  • Organic solvents include compounds such as esters, ethers, ketones, cyclic hydrocarbons, sulfoxides, amides, ureas, and alcohols.
  • Esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, hexyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone , ⁇ -caprolactone, ⁇ -valerolactone, alkyl alkyloxyacetates (e.g. methyl alkyloxyacetate, ethyl alkyloxyacetate, butyl alkyloxyacetate (e.g.
  • 3-alkyloxypropionic acid alkyl esters e.g., methyl 3-alkyloxypropionate, ethyl 3-alkyloxypropionate, etc.
  • 2-alkyloxypropionate alkyl esters e.g., methyl 2-alkyloxypropionate, ethyl 2-alkyloxypropionate, 2-alkyl propyl oxypropionate (e.g., methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate)
  • 2-alkyloxy- Methyl 2-methylpropionate and ethyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate e.g., methyl 2-methoxy-2-methylpropionate, ethyl 2-ethoxy-2-methylpropionate, etc.
  • ethers include ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol ethyl methyl ether, diethylene glycol butyl methyl ether, triethylene glycol dimethyl ether, tetraethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, Methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol Preferred examples include monobutyl ether acetate
  • Suitable ketones include, for example, methyl ethyl ketone, cyclohexanone, cyclopentanone, 2-heptanone, 3-heptanone, 3-methylcyclohexanone, levoglucosenone, dihydrolevoglucosenone and the like.
  • Suitable examples of cyclic hydrocarbons include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene and anisole, and cyclic terpenes such as limonene.
  • Suitable sulfoxides include, for example, dimethyl sulfoxide.
  • Suitable ureas include N,N,N',N'-tetramethylurea, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, and the like.
  • Alcohols such as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, 1-butanol, 1-pentanol, 1-hexanol, benzyl alcohol, ethylene glycol monomethyl ether, 1-methoxy-2-propanol, 2-ethoxyethanol, Diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monohexyl ether, triethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, polyethylene glycol monomethyl ether, polypropylene glycol, tetraethylene glycol, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monobenzyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, methylphenyl carbinol, n-amyl alcohol, methyl amyl alcohol, diacetone alcohol and the like.
  • a combination of dimethyl sulfoxide and ⁇ -butyrolactone or a combination of N-methyl-2-pyrrolidone and ethyl lactate is particularly
  • the content of the solvent is preferably an amount such that the total solid concentration of the resin composition of the present invention is 5 to 80% by mass, more preferably 5 to 75% by mass. More preferably, the amount is from 10 to 70% by mass, and even more preferably from 20 to 70% by mass.
  • the solvent content may be adjusted according to the desired thickness of the coating and the method of application.
  • the resin composition of the present invention may contain only one type of solvent, or may contain two or more types. When two or more solvents are contained, the total is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a metal adhesion improver for improving adhesion to metal materials used for electrodes, wiring, and the like.
  • metal adhesion improvers include alkoxysilyl group-containing silane coupling agents, aluminum-based adhesion aids, titanium-based adhesion aids, compounds having a sulfonamide structure and compounds having a thiourea structure, phosphoric acid derivative compounds, and ⁇ -ketoesters. compounds, amino compounds, and the like.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a silane coupling agent.
  • cyclic compounds containing nitrogen among the metal adhesion improvers exemplified below these are not included in the above-mentioned "nitrogen-containing cyclic compounds”.
  • silane coupling agent examples include compounds described in paragraph 0167 of WO 2015/199219, compounds described in paragraphs 0062 to 0073 of JP 2014-191002, and paragraphs of WO 2011/080992.
  • Compounds described in 0063-0071, compounds described in paragraphs 0060-0061 of JP-A-2014-191252, compounds described in paragraphs 0045-0052 of JP-A-2014-041264, International Publication No. 2014/097594 Compounds described in paragraph 0055, compounds described in paragraphs 0067 to 0078 of JP-A-2018-173573, the contents of which are incorporated herein.
  • silane coupling agents include, for example, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 2-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycid.
  • xypropyltrimethoxysilane 3-glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, 3-glycidoxypropyltriethoxysilane, p-styryltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane Silane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, N-2-(aminoethyl)-3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2 -(aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimeth
  • Aluminum-based adhesion aids include aluminum tris(ethylacetoacetate), aluminum tris(acetylacetonate), ethylacetoacetate aluminum diisopropylate, and the like.
  • the content of the metal adhesion improver is preferably 0.01 to 30 parts by mass, more preferably 0.1 to 10 parts by mass, and still more preferably 0.01 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the specific resin. It is in the range of 5 to 5 parts by mass. When it is at least the above lower limit value, the adhesiveness between the pattern and the metal layer is improved, and when it is at most the above upper limit value, the heat resistance and mechanical properties of the pattern are improved.
  • One type of metal adhesion improver may be used, or two or more types may be used. When two or more types are used, the total is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably further contains a migration inhibitor.
  • a migration inhibitor By containing the migration inhibitor, it becomes possible to effectively suppress the migration of metal ions derived from the metal layer (metal wiring) into the film.
  • the migration inhibitor is not particularly limited, but includes thioureas, compounds having a sulfanyl group, hindered phenol compounds, salicylic acid derivative compounds, and hydrazide derivative compounds.
  • an ion trapping agent that traps anions such as halogen ions can be used.
  • Other migration inhibitors include rust inhibitors described in paragraph 0094 of JP-A-2013-015701, compounds described in paragraphs 0073 to 0076 of JP-A-2009-283711, and JP-A-2011-059656.
  • the compound described in paragraph 0052, the compound described in paragraphs 0114, 0116 and 0118 of JP-A-2012-194520, the compound described in paragraph 0166 of WO 2015/199219, etc. can be used, and these The contents are incorporated herein.
  • the compounds included in the nitrogen-containing cyclic compounds described above are not included in the migration inhibitor.
  • the content of the migration inhibitor is preferably 0.01 to 5.0% by mass with respect to the total solid content of the resin composition of the present invention. , more preferably 0.05 to 2.0% by mass, and even more preferably 0.1 to 1.0% by mass.
  • migration inhibitor Only one type of migration inhibitor may be used, or two or more types may be used. When two or more migration inhibitors are used, the total is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention preferably contains a polymerization inhibitor.
  • Polymerization inhibitors include phenol compounds, quinone compounds, amino compounds, N-oxyl free radical compound compounds, nitro compounds, nitroso compounds, heteroaromatic compounds, metal compounds and the like.
  • Specific compounds of polymerization inhibitors include p-hydroquinone, o-hydroquinone, o-methoxyphenol, p-methoxyphenol, di-tert-butyl-p-cresol, pyrogallol, p-tert-butylcatechol, 1, 4-benzoquinone, diphenyl-p-benzoquinone, 4,4′-thiobis(3-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2′-methylenebis(4-methyl-6-tert-butylphenol), N-nitrosophenyl hydroxylamine cerium salt, N-nitroso-N-phenylhydroxyamine aluminum salt, N-nitrosodiphenylamine, N-phenylnaphthylamine, ethylenediaminetetraacetic acid, 1,2-cyclohexanediaminetetraacetic acid, glycol etherdiaminetetraacetic acid, 2, 6-di-tert-butyl-4-methylphenol,
  • the content of the polymerization inhibitor is preferably 0.01 to 20% by mass with respect to the total solid content of the resin composition of the present invention. It is more preferably 0.02 to 15% by mass, and even more preferably 0.05 to 10% by mass.
  • polymerization inhibitor Only one type of polymerization inhibitor may be used, or two or more types may be used. When two or more polymerization inhibitors are used, the total is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention may optionally contain various additives, such as surfactants, higher fatty acid derivatives, thermal polymerization initiators, inorganic particles, ultraviolet absorbers, as long as the effects of the present invention can be obtained.
  • additives such as surfactants, higher fatty acid derivatives, thermal polymerization initiators, inorganic particles, ultraviolet absorbers, as long as the effects of the present invention can be obtained.
  • Organic titanium compounds, antioxidants, anti-agglomerating agents, phenolic compounds, other polymer compounds, plasticizers and other auxiliaries (for example, antifoaming agents, flame retardants, etc.) can be blended. Properties such as film physical properties can be adjusted by appropriately containing these components. These components are described, for example, from paragraph number 0183 of JP-A-2012-003225 (paragraph number 0237 of corresponding US Patent Application Publication No.
  • the total blending amount is preferably 3% by mass or less of the solid content of the resin composition of the present invention.
  • surfactant various surfactants such as fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, and hydrocarbon-based surfactants can be used.
  • the surfactant may be a nonionic surfactant, a cationic surfactant, or an anionic surfactant.
  • the liquid properties (especially fluidity) when prepared as a coating liquid are further improved, and the uniformity of coating thickness and liquid saving are further improved. can do. That is, when a film is formed using a coating liquid to which a composition containing a surfactant is applied, the interfacial tension between the surface to be coated and the coating liquid is reduced, and the wettability to the surface to be coated is improved. , the coatability to the surface to be coated is improved. Therefore, it is possible to more preferably form a film having a uniform thickness with little unevenness in thickness.
  • fluorosurfactants include Megafac F171, F172, F173, F176, F177, F141, F142, F143, F144, R30, F437, F475, F479, F482, F554, F780, RS-72-K (manufactured by DIC Corporation), Florado FC430, FC431, FC171, Novec FC4430, FC4432 (manufactured by 3M Japan Ltd.), Surflon S-382, SC-101, SC-103, SC-104, SC-105, SC1068, SC-381, SC-383, S393, KH-40 (Asahi Glass Co., Ltd.
  • Fluorinated surfactants compounds described in paragraphs 0015 to 0158 of JP-A-2015-117327, compounds described in paragraphs 0117-0132 of JP-A-2011-132503 can also be used, the contents of which are incorporated herein.
  • a block polymer can also be used as the fluorosurfactant, and specific examples thereof include compounds described in JP-A-2011-89090, the contents of which are incorporated herein.
  • the fluorosurfactant has a repeating unit derived from a (meth)acrylate compound having a fluorine atom and 2 or more (preferably 5 or more) alkyleneoxy groups (preferably ethyleneoxy groups and propyleneoxy groups) (meta)
  • a fluorine-containing polymer compound containing a repeating unit derived from an acrylate compound can also be preferably used, and the following compounds are also exemplified as fluorine-based surfactants used in the present invention.
  • the weight average molecular weight of the above compound is preferably 3,000 to 50,000, more preferably 5,000 to 30,000.
  • a fluorine-containing polymer having an ethylenically unsaturated group in a side chain can also be used as a fluorine-based surfactant. Specific examples include compounds described in paragraphs 0050 to 0090 and paragraphs 0289 to 0295 of JP-A-2010-164965, the contents of which are incorporated herein.
  • Commercially available products include Megafac RS-101, RS-102 and RS-718K manufactured by DIC Corporation.
  • the fluorine content in the fluorine-based surfactant is preferably 3-40% by mass, more preferably 5-30% by mass, and particularly preferably 7-25% by mass.
  • a fluorosurfactant having a fluorine content within this range is effective in terms of uniformity of the thickness of the coating film and saving liquid, and has good solubility in the composition.
  • silicone-based surfactants examples include Toray Silicone DC3PA, Toray Silicone SH7PA, Toray Silicone DC11PA, Toray Silicone SH21PA, Toray Silicone SH28PA, Toray Silicone SH29PA, Toray Silicone SH30PA, and Toray Silicone SH8400 (the above, Toray Dow Corning Co., Ltd.
  • TSF-4440, TSF-4300, TSF-4445, TSF-4460, TSF-4452 manufactured by Momentive Performance Materials
  • KP341, KF6001, KF6002 manufactured by Shin-Etsu Silicone Co., Ltd.
  • BYK307, BYK323, and BYK330 manufactured by BYK-Chemie Co., Ltd.
  • Hydrocarbon surfactants include, for example, Pionin A-76, Nucalgen FS-3PG, Pionin B-709, Pionin B-811-N, Pionin D-1004, Pionin D-3104, Pionin D-3605, Pionin D-6112, Pionin D-2104-D, Pionin D-212, Pionin D-931, Pionin D-941, Pionin D-951, Pionin E-5310, Pionin P-1050-B, Pionin P-1028-P, Pionin P-4050-T and the like (manufactured by Takemoto Oil & Fat Co., Ltd.), and the like.
  • Nonionic surfactants include glycerol, trimethylolpropane, trimethylolethane and their ethoxylates and propoxylates (e.g., glycerol propoxylate, glycerol ethoxylate, etc.), polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, Examples include polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenyl ether, polyoxyethylene nonylphenyl ether, polyethylene glycol dilaurate, polyethylene glycol distearate, and sorbitan fatty acid ester.
  • cationic surfactants include organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), (meth)acrylic acid-based (co)polymer Polyflow No. 75, No. 77, No. 90, No. 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.), W001 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), and the like.
  • anionic surfactants include W004, W005, W017 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), and Sandet BL (manufactured by Sanyo Kasei Co., Ltd.).
  • the surfactant content is preferably 0.001 to 2.0% by mass, more preferably 0.005 to 1.0% by mass, based on the total solid content of the composition.
  • the resin composition of the present invention is added with a higher fatty acid derivative such as behenic acid or behenic acid amide, and the resin composition of the present invention is dried in the process of drying after coating. may be unevenly distributed on the surface of the
  • the content of the higher fatty acid derivative is preferably 0.1 to 10% by mass relative to the total solid content of the resin composition of the present invention. Only one type of higher fatty acid derivative may be used, or two or more types thereof may be used. When two or more higher fatty acid derivatives are used, the total is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention may contain a thermal polymerization initiator, particularly a thermal radical polymerization initiator.
  • a thermal radical polymerization initiator is a compound that generates radicals by thermal energy and initiates or accelerates the polymerization reaction of a polymerizable compound. By adding a thermal radical polymerization initiator, the polymerization reaction of the resin and the polymerizable compound can be advanced, so that the solvent resistance can be further improved.
  • the photopolymerization initiator described above may also have a function of initiating polymerization by heat, and may be added as a thermal polymerization initiator.
  • thermal radical polymerization initiators include compounds described in paragraphs 0074 to 0118 of JP-A-2008-063554, the contents of which are incorporated herein.
  • thermal polymerization initiator When a thermal polymerization initiator is included, its content is preferably 0.1 to 30% by mass, more preferably 0.1 to 20% by mass, based on the total solid content of the resin composition of the present invention. , more preferably 0.5 to 15% by mass.
  • One type of thermal polymerization initiator may be contained, or two or more types may be contained. When two or more thermal polymerization initiators are contained, the total amount is preferably within the above range.
  • the resin composition of the present invention may contain inorganic fine particles.
  • inorganic particles include calcium carbonate, calcium phosphate, silica, kaolin, talc, titanium dioxide, alumina, barium sulfate, calcium fluoride, lithium fluoride, zeolite, molybdenum sulfide, and glass.
  • the average particle diameter of the inorganic particles is preferably 0.01 to 2.0 ⁇ m, more preferably 0.02 to 1.5 ⁇ m, still more preferably 0.03 to 1.0 ⁇ m, and 0.04 to 0.5 ⁇ m. Especially preferred.
  • the average particle size of the fine particles is the primary particle size and the volume average particle size.
  • the volume average particle size can be measured by a dynamic light scattering method using Nanotrac WAVE II EX-150 (manufactured by Nikkiso Co., Ltd.). If the above measurement is difficult, the centrifugal sedimentation light transmission method, X-ray transmission method, or laser diffraction/scattering method can be used.
  • the composition of the present invention may contain an ultraviolet absorber.
  • an ultraviolet absorber As the ultraviolet absorber, salicylate-based, benzophenone-based, benzotriazole-based, substituted acrylonitrile-based, and triazine-based ultraviolet absorbers can be used.
  • the cyclic compound containing nitrogen also exists in the ultraviolet absorber illustrated below, these shall not be included in the above-mentioned "nitrogen-containing cyclic compound.”
  • Examples of salicylate-based UV absorbers include phenyl salicylate, p-octylphenyl salicylate, pt-butylphenyl salicylate, and the like.
  • benzophenone-based UV absorbers examples include 2,2'-dihydroxy-4- Methoxybenzophenone, 2,2'-dihydroxy-4,4'-dimethoxybenzophenone, 2,2',4,4'-tetrahydroxybenzophenone, 2-hydroxy-4-methoxybenzophenone, 2,4-dihydroxybenzophenone, 2- and hydroxy-4-octoxybenzophenone.
  • benzotriazole-based UV absorbers examples include 2-(2'-hydroxy-3',5'-di-tert-butylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3 '-tert-butyl-5'-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3'-tert-amyl-5'-isobutylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-( 2'-hydroxy-3'-isobutyl-5'-methylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2-(2'-hydroxy-3'-isobutyl-5'-propylphenyl)-5-chlorobenzotriazole, 2 -(2'-hydroxy-3',5'-di-tert-butylphenyl)benzotriazole, 2-(2'-hydroxy-5'-methylphenyl)benzotriazole, 2-[2'-hydroxy-5' -(1,
  • Examples of substituted acrylonitrile UV absorbers include ethyl 2-cyano-3,3-diphenylacrylate and 2-ethylhexyl 2-cyano-3,3-diphenylacrylate.
  • examples of triazine-based UV absorbers include 2-[4-[(2-hydroxy-3-dodecyloxypropyl)oxy]-2-hydroxyphenyl]-4,6-bis(2,4-dimethylphenyl )-1,3,5-triazine, 2-[4-[(2-hydroxy-3-tridecyloxypropyl)oxy]-2-hydroxyphenyl]-4,6-bis(2,4-dimethylphenyl) -mono(hydroxyphenyl)triazine compounds such as 1,3,5-triazine, 2-(2,4-dihydroxyphenyl)-4,6-bis(2,4-dimethylphenyl)-1,3,5-triazine 2,4-bis(2-hydroxy-4-propyloxyphenyl)-6-(
  • the above various ultraviolet absorbers may be used singly or in combination of two or more.
  • the composition of the present invention may or may not contain an ultraviolet absorber, but when it does, the content of the ultraviolet absorber is 0.001% by mass with respect to the total solid mass of the composition of the present invention. It is preferably at least 1% by mass, more preferably at least 0.01% by mass and not more than 0.1% by mass.
  • the resin composition of this embodiment may contain an organic titanium compound. By including the organic titanium compound in the resin composition, it is possible to form a resin layer having excellent chemical resistance even when cured at a low temperature.
  • Organotitanium compounds that can be used include those in which organic groups are attached to titanium atoms through covalent or ionic bonds. Specific examples of organotitanium compounds are shown below in I) to VII): I) Titanium chelate compound: Among them, a titanium chelate compound having two or more alkoxy groups is more preferable because the storage stability of the resin composition is good and a good curing pattern can be obtained.
  • titanium bis(triethanolamine) diisopropoxide titanium di(n-butoxide) bis(2,4-pentanedionate), titanium diisopropoxide bis(2,4-pentanedionate ), titanium diisopropoxide bis(tetramethylheptanedionate), titanium diisopropoxide bis(ethylacetoacetate), and the like.
  • Tetraalkoxytitanium compounds for example titanium tetra(n-butoxide), titanium tetraethoxide, titanium tetra(2-ethylhexoxide), titanium tetraisobutoxide, titanium tetraisopropoxide, titanium tetramethoxide , titanium tetramethoxypropoxide, titanium tetramethylphenoxide, titanium tetra(n-nonyloxide), titanium tetra(n-propoxide), titanium tetrastearyloxide, titanium tetrakis[bis ⁇ 2,2-(allyloxymethyl) butoxide ⁇ ] and the like.
  • Titanocene compounds for example, pentamethylcyclopentadienyltitanium trimethoxide, bis( ⁇ 5-2,4-cyclopentadien-1-yl)bis(2,6-difluorophenyl)titanium, bis( ⁇ 5-2, 4-cyclopentadien-1-yl)bis(2,6-difluoro-3-(1H-pyrrol-1-yl)phenyl)titanium and the like.
  • Monoalkoxy titanium compounds for example, titanium tris(dioctylphosphate) isopropoxide, titanium tris(dodecylbenzenesulfonate) isopropoxide, and the like.
  • Titanium oxide compounds for example, titanium oxide bis(pentanedionate), titanium oxide bis(tetramethylheptanedionate), phthalocyanine titanium oxide and the like.
  • the organotitanium compound at least one compound selected from the group consisting of I) titanium chelate compounds, II) tetraalkoxytitanium compounds, and III) titanocene compounds provides better chemical resistance. It is preferable from the viewpoint of performance.
  • titanium diisopropoxide bis(ethylacetoacetate), titanium tetra(n-butoxide) and bis( ⁇ 5-2,4-cyclopentadien-1-yl)bis(2,6-difluoro-3-(1H) -pyrrol-1-yl)phenyl)titanium is preferred.
  • the blending amount is preferably 0.05 to 10 parts by mass, more preferably 0.1 to 2 parts by mass, per 100 parts by mass of the specific resin.
  • the amount is 0.05 parts by mass or more, the resulting cured pattern exhibits good heat resistance and chemical resistance more effectively. Excellent.
  • compositions of the present invention may contain antioxidants.
  • an antioxidant By containing an antioxidant as an additive, it is possible to improve the elongation properties of the cured film and the adhesion to metal materials.
  • Antioxidants include phenol compounds, phosphite ester compounds, thioether compounds and the like. Any phenolic compound known as a phenolic antioxidant can be used as the phenolic compound.
  • Preferred phenolic compounds include hindered phenolic compounds.
  • a compound having a substituent at a site adjacent to the phenolic hydroxy group (ortho position) is preferred.
  • a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 22 carbon atoms is preferable as the above substituent.
  • the antioxidant is also preferably a compound having a phenol group and a phosphite ester group in the same molecule.
  • Phosphorus-based antioxidants can also be suitably used as antioxidants.
  • a phosphorus antioxidant tris[2-[[2,4,8,10-tetrakis(1,1-dimethylethyl)dibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepin-6 -yl]oxy]ethyl]amine, tris[2-[(4,6,9,11-tetra-tert-butyldibenzo[d,f][1,3,2]dioxaphosphepin-2-yl ) oxy]ethyl]amine, ethyl bis(2,4-di-tert-butyl-6-methylphenyl) phosphite, and the like.
  • antioxidants examples include Adekastab AO-20, Adekastab AO-30, Adekastab AO-40, Adekastab AO-50, Adekastab AO-50F, Adekastab AO-60, Adekastab AO-60G, Adekastab AO-80. , ADEKA STAB AO-330 (manufactured by ADEKA Corporation) and the like.
  • compounds described in paragraphs 0023 to 0048 of Japanese Patent No. 6268967 can also be used, the contents of which are incorporated herein.
  • the composition of the present invention may also contain latent antioxidants, if desired.
  • the latent antioxidant is a compound in which the site functioning as an antioxidant is protected with a protective group, and is heated at 100 to 250°C, or heated at 80 to 200°C in the presence of an acid/base catalyst.
  • a compound that functions as an antioxidant by removing the protective group by the reaction is exemplified.
  • latent antioxidants include compounds described in WO 2014/021023, WO 2017/030005, and JP 2017-008219, the contents of which are incorporated herein.
  • Commercially available latent antioxidants include ADEKA Arkles GPA-5001 (manufactured by ADEKA Co., Ltd.).
  • Examples of preferred antioxidants include 2,2-thiobis(4-methyl-6-t-butylphenol), 2,6-di-t-butylphenol and compounds of formula (3).
  • R 5 represents a hydrogen atom or an alkyl group having 2 or more carbon atoms (preferably 2 to 10 carbon atoms), and R 6 represents alkylene having 2 or more carbon atoms (preferably 2 to 10 carbon atoms). represents a group.
  • R 7 represents a monovalent to tetravalent organic group containing at least one of an alkylene group having 2 or more carbon atoms (preferably 2 to 10 carbon atoms), an oxygen atom and a nitrogen atom.
  • k represents an integer of 1 to 4;
  • the compound represented by formula (3) suppresses oxidative deterioration of the aliphatic groups and phenolic hydroxy groups possessed by the resin.
  • metal oxidation can be suppressed by the antirust action on the metal material.
  • R7 includes an alkyl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an alkyl ether group, an alkylsilyl group, an alkoxysilyl group, an aryl group, an aryl ether group, a carboxyl group, a carbonyl group, an allyl group, a vinyl group, a heterocyclic group, - O--, --NH--, --NHNH--, combinations thereof, and the like, which may further have a substituent.
  • Examples of compounds represented by general formula (3) include the following, but are not limited to the structures below.
  • the amount of antioxidant to be added is preferably 0.1 to 10 parts by mass, more preferably 0.5 to 5 parts by mass, per 100 parts by mass of the specific resin.
  • the addition amount 0.1 parts by mass or more By making the addition amount 0.1 parts by mass or more, the effect of improving elongation characteristics and adhesion to metal materials can be easily obtained even in a high-temperature and high-humidity environment.
  • the interaction with the agent improves the sensitivity of the resin composition.
  • Only one kind of antioxidant may be used, or two or more kinds thereof may be used. When two or more kinds are used, it is preferable that the total amount thereof is within the above range.
  • the resin composition of the present embodiment may contain an anti-aggregation agent as necessary.
  • Anti-aggregating agents include sodium polyacrylate and the like.
  • the aggregation inhibitor may be used alone or in combination of two or more.
  • the composition of the present invention may or may not contain an anti-aggregating agent, but when it is included, the content of the anti-aggregating agent is 0.01% by mass relative to the total solid mass of the composition of the present invention. It is preferably at least 10% by mass, more preferably at least 0.02% by mass and not more than 5% by mass.
  • the resin composition of the present embodiment may contain a phenolic compound as necessary.
  • phenolic compounds include Bis-Z, BisP-EZ, TekP-4HBPA, TrisP-HAP, TrisP-PA, BisOCHP-Z, BisP-MZ, BisP-PZ, BisP-IPZ, BisOCP-IPZ, BisP-CP, BisRS-2P, BisRS-3P, BisP-OCHP, methylenetris-FR-CR, BisRS-26X (these are trade names, manufactured by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.), BIP-PC, BIR-PC, BIR-PTBP, BIR -BIPC-F (these are trade names, manufactured by Asahi Organic Chemicals Industry Co., Ltd.) and the like.
  • one type of phenolic compound may be used alone, or two or more types may be used in combination.
  • the composition of the present invention may or may not contain a phenolic compound, but if it does, the content of the phenolic compound is 0.01% by mass relative to the total solid mass of the composition of the present invention. It is preferably at least 30% by mass, more preferably at least 0.02% by mass and not more than 20% by mass.
  • Other polymer compounds include siloxane resins, (meth)acrylic polymers obtained by copolymerizing (meth)acrylic acid, novolac resins, resole resins, polyhydroxystyrene resins, and copolymers thereof.
  • Other polymer compounds may be modified products into which cross-linking groups such as methylol groups, alkoxymethyl groups and epoxy groups have been introduced.
  • composition of the present invention may or may not contain other polymer compounds, but when it does, the content of the other polymer compound is 0 relative to the total solid mass of the composition of the present invention. It is preferably 0.01% by mass or more and 30% by mass or less, and more preferably 0.02% by mass or more and 20% by mass or less.
  • the viscosity of the resin composition of the present invention can be adjusted by adjusting the solid content concentration of the resin composition. From the viewpoint of coating film thickness, it is preferably 20 mm 2 /s to 12,000 mm 2 /s, more preferably 30 mm 2 /s to 10,000 mm 2 /s, and even more preferably 50 mm 2 /s to 8,000 mm 2 /s. . If it is the said range, it will become easy to obtain a coating film with high uniformity.
  • the water content of the resin composition of the present invention is preferably less than 2.0% by mass, more preferably less than 1.5% by mass, and even more preferably less than 1.0% by mass. If it is less than 2.0%, the storage stability of the resin composition is improved. Methods for maintaining the moisture content include adjusting the humidity in the storage conditions and reducing the porosity of the storage container during storage.
  • the metal content of the resin composition of the present invention is preferably less than 5 mass ppm (parts per million), more preferably less than 1 mass ppm, and even more preferably less than 0.5 mass ppm.
  • metals include sodium, potassium, magnesium, calcium, iron, copper, chromium, and nickel, but metals contained as complexes of organic compounds and metals are excluded. When multiple metals are included, the total of these metals is preferably within the above range.
  • a raw material having a low metal content is selected as a raw material constituting the resin composition of the present invention.
  • the raw material constituting the product is filtered through a filter, or the inside of the apparatus is lined with polytetrafluoroethylene or the like to perform distillation under conditions in which contamination is suppressed as much as possible.
  • the resin composition of the present invention preferably has a halogen atom content of less than 500 ppm by mass, more preferably less than 300 ppm by mass, and less than 200 ppm by mass from the viewpoint of wiring corrosion. is more preferred.
  • those present in the form of halogen ions are preferably less than 5 ppm by mass, more preferably less than 1 ppm by mass, and even more preferably less than 0.5 ppm by mass.
  • Halogen atoms include chlorine and bromine atoms. It is preferable that the total amount of chlorine atoms and bromine atoms or chlorine ions and bromine ions is within the above ranges.
  • ion exchange treatment and the like are preferably mentioned.
  • a conventionally known container can be used as the container for the resin composition of the present invention.
  • the inner wall of the container is a multi-layer bottle composed of 6 types and 6 layers of resin, and 6 types of resin are used. It is also preferred to use bottles with a seven-layer structure. Examples of such a container include the container described in JP-A-2015-123351.
  • a cured product of this resin composition By curing the resin composition of the present invention, a cured product of this resin composition can be obtained.
  • the cured product of the present invention is a cured product obtained by curing the resin composition of the present invention. Curing of the resin composition is preferably by heating, and the heating temperature is more preferably in the range of 120°C to 400°C, more preferably in the range of 140°C to 380°C, and 170°C. It is particularly preferred to be in the range of -350°C.
  • the form of the cured product of the resin composition is not particularly limited, and can be selected from film-like, rod-like, spherical, pellet-like, etc. according to the application.
  • this cured product is preferably in the form of a film.
  • pattern processing of the resin composition can be used to form protective films on walls, form via holes for conduction, adjust impedance, capacitance or internal stress, and impart heat dissipation functions. You can also choose the shape.
  • the film thickness of the cured product (film made of the cured product) is preferably 0.5 ⁇ m or more and 150 ⁇ m or less.
  • the shrinkage ratio when the resin composition of the present invention is cured is preferably 50% or less, more preferably 45% or less, and even more preferably 40% or less.
  • the imidization reaction rate of the cured product of the resin composition of the present invention is preferably 70% or higher, more preferably 80% or higher, and even more preferably 90% or higher. If it is 70% or more, a cured product having excellent mechanical properties may be obtained.
  • the elongation at break of the cured product of the resin composition of the present invention is preferably 30% or more, more preferably 40% or more, and even more preferably 50% or more.
  • the glass transition temperature (Tg) of the cured product of the resin composition of the present invention is preferably 180° C. or higher, more preferably 210° C. or higher, and even more preferably 230° C. or higher.
  • the resin composition of the present invention can be prepared by mixing the components described above.
  • the mixing method is not particularly limited, and conventionally known methods can be used. Mixing can be performed by mixing with a stirring blade, mixing with a ball mill, mixing by rotating the tank itself, or the like.
  • the temperature during mixing is preferably 10-30°C, more preferably 15-25°C.
  • the filter pore size is, for example, 5 ⁇ m or less, preferably 1 ⁇ m or less, more preferably 0.5 ⁇ m or less, and even more preferably 0.1 ⁇ m or less.
  • the material of the filter is preferably polytetrafluoroethylene, polyethylene or nylon. HDPE (high density polyethylene) is more preferable when the material of the filter is polyethylene.
  • a filter that has been pre-washed with an organic solvent may be used. In the filter filtration step, multiple types of filters may be connected in series or in parallel for use.
  • filters with different pore sizes or materials may be used in combination.
  • a connection mode for example, a mode in which an HDPE filter with a pore size of 1 ⁇ m is connected in series as a first stage and an HDPE filter with a pore size of 0.2 ⁇ m as a second stage are connected in series.
  • various materials may be filtered multiple times.
  • circulation filtration may be used.
  • you may filter by pressurizing.
  • the pressure to be applied is, for example, 0.01 MPa or more and 1.0 MPa or less, preferably 0.03 MPa or more and 0.9 MPa or less, and more preferably 0.05 MPa or more and 0.7 MPa or less.
  • impurities may be removed using an adsorbent.
  • You may combine filter filtration and the impurity removal process using an adsorbent.
  • a known adsorbent can be used as the adsorbent. Examples thereof include inorganic adsorbents such as silica gel and zeolite, and organic adsorbents such as activated carbon.
  • the resin composition filled in the bottle may be subjected to a degassing step under reduced pressure.
  • the method for producing a cured product of the present invention includes a film forming step of applying a resin composition on a substrate to form a film, an exposure step of selectively exposing the film, and a film exposed by the exposure step. It is preferable to include a developing step of developing using a developer to form a pattern.
  • the method for producing a cured product of the present invention includes the film forming step, the exposing step, the developing step, and a heating step of heating the pattern obtained by the developing step, and after development of exposing the pattern obtained by the developing step. It is particularly preferred to include at least one of the exposure steps.
  • the manufacturing method of the present invention preferably includes the film forming step and the step of heating the film. Details of each step will be described below.
  • the resin composition of the present invention can be used in a film-forming step in which a film is formed by applying it onto a substrate.
  • the method for producing a cured product of the present invention preferably includes a film forming step of applying the resin composition onto a substrate to form a film.
  • the type of base material can be appropriately determined according to the application, and includes semiconductor manufacturing base materials such as silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, and amorphous silicon, quartz, glass, optical films, ceramic materials, vapor deposition films, Magnetic films, reflective films, metal substrates such as Ni, Cu, Cr, and Fe (for example, substrates formed from metals, and substrates having metal layers formed by plating, vapor deposition, etc.) ), paper, SOG (Spin On Glass), TFT (Thin Film Transistor) array substrates, mold substrates, plasma display panel (PDP) electrode plates, etc., and are not particularly limited.
  • semiconductor manufacturing base materials such as silicon, silicon nitride, polysilicon, silicon oxide, and amorphous silicon, quartz, glass, optical films, ceramic materials, vapor deposition films, Magnetic films, reflective films, metal substrates such as Ni, Cu, Cr, and Fe (for example, substrates formed from metals, and substrates having metal layers formed by plating, vapor deposition, etc.
  • a semiconductor fabrication substrate is particularly preferable, and a silicon substrate, a Cu substrate and a mold substrate are more preferable.
  • these substrates may be provided with a layer such as an adhesion layer or an oxide layer made of hexamethyldisilazane (HMDS) or the like on the surface.
  • HMDS hexamethyldisilazane
  • the shape of the substrate is not particularly limited, and may be circular or rectangular.
  • the diameter is, for example, 100 to 450 mm, preferably 200 to 450 mm.
  • the short side length is, for example, 100 to 1000 mm, preferably 200 to 700 mm.
  • the base material for example, a plate-like base material (substrate), preferably a panel-like base material (substrate) is used.
  • the resin layer or metal layer serves as the base material.
  • Specific means to be applied include dip coating, air knife coating, curtain coating, wire bar coating, gravure coating, extrusion coating, spray coating, spin coating, slit coating, An inkjet method and the like are exemplified. From the viewpoint of uniformity of film thickness, spin coating, slit coating, spray coating, or inkjet method is more preferable, and spin coating from the viewpoint of uniformity of film thickness and productivity. and slit coating methods are preferred.
  • a film having a desired thickness can be obtained by adjusting the solid content concentration and application conditions of the resin composition according to the method.
  • the coating method can be appropriately selected depending on the shape of the substrate. Spin coating, spray coating, ink jet method, etc.
  • slit coating and spray coating are preferable for rectangular substrates.
  • method, inkjet method, and the like are preferred.
  • spin coating for example, it can be applied at a rotation speed of 500 to 3,500 rpm for about 10 seconds to 3 minutes.
  • a method of transferring a coating film, which is formed on a temporary support in advance by the above application method, onto a base material can also be applied.
  • the transfer method the manufacturing methods described in paragraphs 0023 and 0036 to 0051 of JP-A-2006-023696 and paragraphs 0096-0108 of JP-A-2006-047592 can also be suitably used in the present invention.
  • a step of removing excess film at the edge of the substrate may be performed.
  • processes include edge bead rinsing (EBR), back rinsing, and the like.
  • EBR edge bead rinsing
  • a pre-wetting process may also be employed in which the substrate is coated with various solvents before the resin composition is applied to the substrate to improve the wettability of the substrate, and then the resin composition is applied.
  • the film may be subjected to a step of drying the formed film (layer) to remove the solvent (drying step) after the film forming step (layer forming step). That is, the method for producing a cured product of the present invention may include a drying step of drying the film formed by the film forming step. Moreover, the drying step is preferably performed after the film formation step and before the exposure step.
  • the drying temperature of the film in the drying step is preferably 50 to 150°C, more preferably 70 to 130°C, even more preferably 90 to 110°C. Moreover, you may dry by pressure reduction.
  • the drying time is exemplified from 30 seconds to 20 minutes, preferably from 1 minute to 10 minutes, more preferably from 2 minutes to 7 minutes.
  • the film may be subjected to an exposure step that selectively exposes the film. That is, the method for producing a cured product of the present invention may include an exposure step of selectively exposing the film formed in the film forming step. Selectively exposing means exposing a portion of the film. Also, by selectively exposing, the film is formed with exposed regions (exposed portions) and non-exposed regions (non-exposed portions). The amount of exposure is not particularly defined as long as the resin composition of the present invention can be cured . is more preferred.
  • the exposure wavelength can be appropriately determined in the range of 190-1,000 nm, preferably 240-550 nm.
  • the exposure wavelength is as follows: (1) semiconductor laser (wavelength 830 nm, 532 nm, 488 nm, 405 nm, 375 nm, 355 nm etc.), (2) metal halide lamp, (3) high pressure mercury lamp, g-line (wavelength 436 nm), h-line (wavelength 405 nm), i-line (wavelength 365 nm), broad (three wavelengths of g, h, i-line), (4) excimer laser, KrF excimer laser (wavelength 248 nm), ArF excimer laser (wavelength 193 nm) ), F2 excimer laser (wavelength 157 nm), (5) extreme ultraviolet; EUV (wavelength 13.6 nm), (6) electron beam, (7) YAG laser second harmonic 532 nm, third harmonic 355 nm, etc.
  • the resin composition of the present invention exposure with a high-pressure mercury lamp is particularly preferred, and exposure with i-line is particularly preferred. Thereby, particularly high exposure sensitivity can be obtained.
  • the method of exposure is not particularly limited as long as at least a part of the film made of the resin composition of the present invention is exposed. mentioned.
  • the film may be subjected to a step of heating after exposure (post-exposure heating step). That is, the method for producing a cured product of the present invention may include a post-exposure heating step of heating the exposed film in the exposure step.
  • the post-exposure heating step can be performed after the exposure step and before the development step.
  • the heating temperature in the post-exposure heating step is preferably 50°C to 140°C, more preferably 60°C to 120°C.
  • the heating time in the post-exposure heating step is preferably 30 seconds to 300 minutes, more preferably 1 minute to 10 minutes.
  • the heating rate in the post-exposure heating step is preferably 1 to 12° C./min, more preferably 2 to 10° C./min, still more preferably 3 to 10° C./min, from the temperature at the start of heating to the maximum heating temperature. Also, the rate of temperature increase may be appropriately changed during heating.
  • the heating means in the post-exposure heating step is not particularly limited, and known hot plates, ovens, infrared heaters and the like can be used. It is also preferable to perform the heating in an atmosphere of low oxygen concentration by flowing an inert gas such as nitrogen, helium, or argon.
  • the film after exposure may be subjected to a development step in which the film is developed using a developer to form a pattern.
  • the method for producing a cured product of the present invention may include a development step of developing a film exposed in the exposure step with a developer to form a pattern. By performing development, one of the exposed and non-exposed portions of the film is removed to form a pattern.
  • development in which the unexposed portion of the film is removed by the development process is called negative development
  • development in which the exposed portion of the film is removed by the development process is called positive development.
  • Examples of the developer used in the development step include a developer containing an alkaline aqueous solution or an organic solvent.
  • basic compounds that the alkaline aqueous solution may contain include inorganic alkalis, primary amines, secondary amines, tertiary amines, and quaternary ammonium salts.
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide hydroxide
  • potassium hydroxide sodium carbonate, sodium hydroxide, sodium silicate, sodium metasilicate, ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-butylamine, triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetraethylammonium hydroxide, tetrapropylammonium hydroxide, tetrabutylammonium hydroxide, tetrapentylammonium hydroxide, tetrahexylammonium hydroxide, tetraoctylammonium hydroxide, ethyltrimethylammonium Hydroxide, butyltrimethylammonium hydroxide, methyltriamylammonium hydroxide, dibutyldipentylammonium hydroxide, dimethylbis(2-hydroxyethyl)
  • the content of the basic compound in the developer is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.1 to 5% by mass, more preferably 0.3 to 3% by mass, based on the total mass of the developer. is more preferred.
  • the organic solvent may be an ester such as ethyl acetate, n-butyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, butyl butyrate, Methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone, ⁇ -caprolactone, ⁇ -valerolactone, alkyl alkyloxyacetate (e.g. methyl alkyloxyacetate, ethyl alkyloxyacetate, butyl alkyloxyacetate (e.g.
  • 3-alkyloxypropionate alkyl esters e.g., methyl 3-alkyloxypropionate, ethyl 3-alkyloxypropionate, etc. (e.g., 3-methoxy methyl propionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, etc.
  • 2-alkyloxypropionate alkyl esters e.g.
  • methyl 2-alkyloxypropionate, 2- ethyl alkyloxypropionate, propyl 2-alkyloxypropionate, etc. e.g., methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, 2-ethoxypropionic acid ethyl
  • methyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate and ethyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate e.g.
  • ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, Ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether (PGME), propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), propylene Glycol monoethyl ether acetate
  • the organic solvent can be used singly or in combination of two or more.
  • a developer containing at least one selected from the group consisting of cyclopentanone, ⁇ -butyrolactone, dimethylsulfoxide, N-methyl-2-pyrrolidone, and cyclohexanone is particularly preferred, and cyclopentanone and ⁇ -butyrolactone. and dimethylsulfoxide is more preferred, and a developer containing cyclopentanone is most preferred.
  • the content of the organic solvent relative to the total weight of the developer is preferably 50% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, and 80% by mass or more. is more preferable, and 90% by mass or more is particularly preferable. Moreover, the content may be 100% by mass.
  • the developer may further contain other components.
  • Other components include, for example, known surfactants and known antifoaming agents.
  • the method of supplying the developer is not particularly limited as long as the desired pattern can be formed, and a method of immersing the substrate on which the film is formed in the developer, and supplying the developer to the film formed on the substrate using a nozzle.
  • the type of nozzle is not particularly limited, and straight nozzles, shower nozzles, spray nozzles and the like can be mentioned. From the viewpoint of permeability of the developer, removability of the non-image area, and efficiency in production, a method of supplying the developer with a straight nozzle or a method of continuously supplying the developer with a spray nozzle is preferable.
  • the method of supplying with a spray nozzle is more preferable.
  • the substrate is spun to remove the developer from the substrate.
  • a step of removing from above may be employed, and this step may be repeated multiple times.
  • the method of supplying the developer in the development process includes a process in which the developer is continuously supplied to the base material, a process in which the developer is kept substantially stationary on the base material, and a process in which the developer exceeds the developer on the base material.
  • a process of vibrating with sound waves or the like and a process of combining them can be employed.
  • the development time is preferably 10 seconds to 10 minutes, more preferably 20 seconds to 5 minutes.
  • the temperature of the developer during development is not particularly limited, but is preferably 10 to 45°C, more preferably 18 to 30°C.
  • the pattern may be washed (rinsed) with a rinse.
  • a method of supplying the rinse liquid before the developer in contact with the pattern is completely dried may be employed.
  • Rinse liquid When the developer is an alkaline aqueous solution, water, for example, can be used as the rinse.
  • the developer is a developer containing an organic solvent, for example, a solvent different from the solvent contained in the developer (for example, water, an organic solvent different from the organic solvent contained in the developer) is used as the rinse liquid. be able to.
  • the organic solvent includes esters such as ethyl acetate, n-butyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, ethyl butyrate, and butyl butyrate. , methyl lactate, ethyl lactate, ⁇ -butyrolactone, ⁇ -caprolactone, ⁇ -valerolactone, alkyl alkyloxyacetates (e.g. methyl alkyloxyacetate, ethyl alkyloxyacetate, butyl alkyloxyacetate (e.g.
  • 3-alkyloxypropionate alkyl esters e.g., methyl 3-alkyloxypropionate, ethyl 3-alkyloxypropionate, etc. (e.g., 3- methyl methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, etc.
  • 2-alkyloxypropionate alkyl esters e.g.
  • methyl 2-alkyloxypropionate 2 -ethyl alkyloxypropionate, propyl 2-alkyloxypropionate, etc. (e.g., methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate, 2-ethoxypropionate ethyl acid)), methyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate and ethyl 2-alkyloxy-2-methylpropionate (e.g.
  • ethers such as diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran , ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether (PGME), propylene glycol monomethyl ether acetate (PGMEA), Propylene glycol monoethyl ether a
  • the organic solvent can be used singly or in combination of two or more.
  • the organic solvent can be used singly or in combination of two or more.
  • cyclopentanone, ⁇ -butyrolactone, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone, PGMEA and PGME are particularly preferred, cyclopentanone, ⁇ -butyrolactone, dimethylsulfoxide, PGMEA and PGME are more preferred, and cyclohexanone and PGMEA are more preferred. More preferred.
  • the rinse liquid contains an organic solvent
  • the rinse liquid is preferably 50% by mass or more of the organic solvent, more preferably 70% by mass or more of the organic solvent, and 90% by mass or more of the organic solvent. is more preferred. Further, 100% by mass of the rinse liquid may be an organic solvent.
  • the rinse solution may further contain other components.
  • Other components include, for example, known surfactants and known antifoaming agents.
  • the method of supplying the rinse solution is not particularly limited as long as the desired pattern can be formed.
  • From the viewpoint of the permeability of the rinse liquid, the removability of the non-image areas, and the efficiency in manufacturing there are methods of supplying the rinse liquid using a shower nozzle, a straight nozzle, a spray nozzle, etc., and a continuous supply method using a spray nozzle is preferable.
  • the method of supplying the rinsing liquid with a spray nozzle is more preferable.
  • the rinsing step is preferably a step of supplying the rinse liquid to the film after exposure through a straight nozzle or a step of continuously supplying the same, and more preferably a step of supplying the rinse liquid through a spray nozzle.
  • the method of supplying the rinse liquid in the rinse step includes a process in which the rinse liquid is continuously supplied to the base material, a process in which the rinse liquid is kept substantially stationary on the base material, and a process in which the rinse liquid is kept on the base material in a substantially stationary state. A process of vibrating with sound waves or the like and a process of combining them can be employed.
  • the rinse time is preferably 10 seconds to 10 minutes, more preferably 20 seconds to 5 minutes.
  • the temperature of the rinsing liquid during rinsing is not particularly specified, but is preferably 10 to 45°C, more preferably 18 to 30°C.
  • the pattern obtained by the development step may be subjected to a heating step of heating the pattern obtained by the development. That is, the method for producing a cured product of the present invention may include a heating step of heating the pattern obtained by the developing step. Moreover, the method for producing a cured product of the present invention may include a heating step of heating a pattern obtained by another method without performing the developing step or a film obtained by the film forming step. In the heating step, a resin such as a polyimide precursor is cyclized into a resin such as polyimide.
  • the heating temperature (maximum heating temperature) in the heating step is preferably 50 to 450°C, more preferably 150 to 350°C, still more preferably 150 to 250°C, even more preferably 160 to 250°C, particularly 160 to 230°C. preferable.
  • the heating step is preferably a step of promoting the cyclization reaction of the polyimide precursor in the pattern by the action of the base generated from the base generator by heating.
  • Heating in the heating step is preferably carried out at a temperature rising rate of 1 to 12° C./min from the temperature at the start of heating to the maximum heating temperature.
  • the rate of temperature increase is more preferably 2 to 10°C/min, still more preferably 3 to 10°C/min.
  • By setting the temperature increase rate to 1°C/min or more it is possible to prevent excessive volatilization of the acid or solvent while ensuring productivity.
  • the residual stress of the object can be relaxed.
  • the temperature at the start of heating is preferably 20°C to 150°C, more preferably 20°C to 130°C, and even more preferably 25°C to 120°C.
  • the temperature at the start of heating refers to the temperature at which the process of heating up to the maximum heating temperature is started.
  • the temperature of the film (layer) after drying is, for example, the boiling point of the solvent contained in the resin composition of the present invention.
  • the heating time (heating time at the highest heating temperature) is preferably 5 to 360 minutes, more preferably 10 to 300 minutes, even more preferably 15 to 240 minutes.
  • the heating temperature is preferably 30° C. or higher, more preferably 80° C. or higher, further preferably 100° C. or higher, from the viewpoint of adhesion between layers. 120° C. or higher is particularly preferred.
  • the upper limit of the heating temperature is preferably 350° C. or lower, more preferably 250° C. or lower, and even more preferably 240° C. or lower.
  • Heating may be done in stages. As an example, the temperature is raised from 25° C. to 120° C. at 3° C./min, held at 120° C. for 60 minutes, heated from 120° C. to 180° C. at 2° C./min, and held at 180° C. for 120 minutes. , may be performed. It is also preferable to carry out the treatment while irradiating ultraviolet rays as described in US Pat. No. 9,159,547. Such a pretreatment process can improve the properties of the film.
  • the pretreatment step is preferably performed for a short time of about 10 seconds to 2 hours, more preferably 15 seconds to 30 minutes.
  • the pretreatment may be performed in two or more steps.
  • the first pretreatment step may be performed in the range of 100 to 150°C, and then the second pretreatment step may be performed in the range of 150 to 200°C. good. Further, cooling may be performed after heating, and the cooling rate in this case is preferably 1 to 5°C/min.
  • the heating step is preferably carried out in an atmosphere of low oxygen concentration, such as by flowing an inert gas such as nitrogen, helium or argon, or under reduced pressure, in order to prevent decomposition of the specific resin.
  • the oxygen concentration is preferably 50 ppm (volume ratio) or less, more preferably 20 ppm (volume ratio) or less.
  • a heating means in the heating step is not particularly limited, and examples thereof include a hot plate, an infrared furnace, an electric heating oven, a hot air oven, an infrared oven and the like.
  • the pattern obtained by the development step (the pattern after rinsing when the rinsing step is performed) is subjected to a post-development exposure step of exposing the pattern after the development step instead of or in addition to the heating step.
  • the method for producing a cured product of the present invention may include a post-development exposure step of exposing the pattern obtained by the development step.
  • the method for producing a cured product of the present invention may include a heating step and a post-development exposure step, or may include only one of the heating step and the post-development exposure step.
  • a reaction in which cyclization of the polyimide precursor or the like proceeds by exposure of the photobase generator can be promoted.
  • the post-development exposure step at least part of the pattern obtained in the development step may be exposed, but it is preferable that the entire pattern be exposed.
  • the exposure amount in the post-development exposure step is preferably 50 to 20,000 mJ/cm 2 , more preferably 100 to 15,000 mJ/cm 2 in terms of exposure energy at the wavelength to which the photosensitive compound is sensitive. preferable.
  • the post-development exposure step can be performed using, for example, the light source used in the exposure step described above, and broadband light is preferably used.
  • the pattern obtained by the development step may be subjected to a metal layer forming step of forming a metal layer on the pattern. That is, the method for producing a cured product of the present invention includes a metal layer forming step of forming a metal layer on the pattern obtained by the developing step (preferably subjected to at least one of the heating step and the post-development exposure step). is preferred.
  • the metal layer is not particularly limited, and existing metal species can be used. Examples include copper, aluminum, nickel, vanadium, titanium, chromium, cobalt, gold, tungsten, tin, silver, and alloys containing these metals. copper and aluminum are more preferred, and copper is even more preferred.
  • the method of forming the metal layer is not particularly limited, and existing methods can be applied. For example, use the methods described in JP-A-2007-157879, JP-A-2001-521288, JP-A-2004-214501, JP-A-2004-101850, US Pat. can do.
  • photolithography, PVD (Physical Vapor Deposition), CVD (Chemical Vapor Deposition), lift-off, electroplating, electroless plating, etching, printing, and a combination thereof can be considered. More specifically, a patterning method combining sputtering, photolithography and etching, and a patterning method combining photolithography and electroplating can be used.
  • a preferred embodiment of plating is electroplating using a copper sulfate or copper cyanide plating solution.
  • the thickness of the metal layer is preferably 0.01 to 50 ⁇ m, more preferably 1 to 10 ⁇ m, at the thickest part.
  • Fields to which the cured product of the present invention can be applied include insulating films for electronic devices, interlayer insulating films for rewiring layers, and stress buffer films.
  • pattern formation by etching of a sealing film, a substrate material (a base film or coverlay of a flexible printed circuit board, an interlayer insulating film), or an insulating film for mounting purposes as described above can be used.
  • the method for producing the cured product of the present invention or the cured product of the present invention can also be used for the production of plates such as offset plates or screen plates, for etching molded parts, for protective lacquers and dielectrics in electronics, especially microelectronics. It can also be used for the production of layers and the like.
  • the laminate of the present invention refers to a structure having a plurality of layers made of the cured product of the present invention.
  • the laminate of the present invention is a laminate containing two or more layers made of a cured product, and may be a laminate in which three or more layers are laminated. Of the two or more layers of the cured product contained in the laminate, at least one is a layer made of the cured product of the present invention, and the shrinkage of the cured product, or the deformation of the cured product due to the shrinkage, etc. From the viewpoint of suppression, it is also preferable that all the layers made of the cured product contained in the laminate are layers made of the cured product of the present invention.
  • the method for producing the laminate of the present invention preferably includes the method for producing the cured product of the present invention, and more preferably includes repeating the method for producing the laminate of the present invention multiple times.
  • the laminate of the present invention includes two or more layers made of the cured material and a metal layer between any of the layers made of the cured material.
  • the metal layer is preferably formed by the metal layer forming step. That is, it is preferable that the method for producing the laminate of the present invention further includes a metal layer forming step of forming a metal layer on the layer made of the cured product between the production methods for the cured product that are performed multiple times. Preferred aspects of the metal layer forming step are as described above.
  • the laminate for example, a laminate containing at least a layer structure in which three layers of a layer made of the first cured product, a metal layer, and a layer made of the second cured product are laminated in this order is preferable. be done.
  • both the layer comprising the first cured product and the layer comprising the second cured product are layers comprising the cured product of the present invention.
  • the resin composition of the present invention used for forming the layer comprising the first cured product and the resin composition of the present invention used for forming the layer comprising the second cured product have the same composition. It may be a product or a composition having a different composition.
  • the metal layer in the laminate of the present invention is preferably used as a metal wiring such as a rewiring layer.
  • the method for manufacturing the laminate of the present invention includes a lamination step.
  • the lamination step means that the surface of the pattern (resin layer) or metal layer is again subjected to (a) film formation step (layer formation step), (b) exposure step, (c) development step, (d) heating step and development It is a series of steps including performing at least one of the post-exposure steps in this order. However, at least one of (a) the film forming step and (d) the heating step and the post-development exposure step may be repeated. Moreover, after at least one of the (d) heating step and the post-development exposure step, (e) a metal layer forming step may be included. Needless to say, the lamination step may further include the drying step and the like as appropriate.
  • a surface activation treatment process may be further performed.
  • a plasma treatment is exemplified as the surface activation treatment. Details of the surface activation treatment will be described later.
  • the lamination step is preferably performed 2 to 20 times, more preferably 2 to 9 times.
  • a configuration of 2 to 20 resin layers such as resin layer/metal layer/resin layer/metal layer/resin layer/metal layer is preferable, and a configuration of 2 to 9 layers is more preferable.
  • Each of the layers described above may have the same composition, shape, film thickness, etc., or may differ from each other.
  • a cured product (resin layer) of the resin composition of the present invention so as to cover the metal layer after providing the metal layer.
  • the film forming step, (b) the exposure step, (c) the developing step, (d) at least one of the heating step and the post-development exposure step, and (e) the metal layer forming step are repeated in this order.
  • the film forming step, (d) at least one of the heating step and the post-development exposure step, and (e) the metal layer forming step are repeated in this order.
  • the method for producing a laminate of the present invention preferably includes a surface activation treatment step of subjecting at least part of the metal layer and the resin composition layer to surface activation treatment.
  • the surface activation treatment step is usually performed after the metal layer formation step, but after the development step (preferably after at least one of the heating step and the post-development exposure step), the resin composition layer is subjected to surface activation treatment.
  • the metal layer forming step may be performed.
  • the surface activation treatment may be performed only on at least part of the metal layer, may be performed only on at least part of the resin composition layer after exposure, or may be performed on the metal layer and the resin composition layer after exposure. Both may be done at least partially, respectively.
  • the surface activation treatment is preferably performed on at least part of the metal layer, and it is preferable to perform the surface activation treatment on part or all of the area of the metal layer on which the resin composition layer is formed.
  • the surface of the metal layer By subjecting the surface of the metal layer to the surface activation treatment in this manner, the adhesiveness to the resin composition layer (film) provided on the surface can be improved.
  • the resin composition layer when the resin composition layer is cured, such as in the case of negative development, it is less likely to be damaged by surface treatment, and the adhesion is likely to be improved.
  • Specific examples of the surface activation treatment include plasma treatment of various source gases (oxygen, hydrogen, argon, nitrogen, nitrogen/hydrogen mixed gas, argon/oxygen mixed gas, etc.), corona discharge treatment, and CF 4 /O 2 . , NF 3 /O 2 , SF 6 , NF 3 , NF 3 /O 2 etching treatment, surface treatment by ultraviolet (UV) ozone method, immersion in hydrochloric acid aqueous solution to remove the oxide film, and then amino groups and thiol groups.
  • UV ultraviolet
  • the treatment is selected from immersion treatment in an organic surface treatment agent containing at least one compound and mechanical surface roughening treatment using a brush.
  • Plasma treatment is preferred, and oxygen plasma treatment using oxygen as a raw material gas is particularly preferred.
  • the energy is preferably 500-200,000 J/m 2 , more preferably 1000-100,000 J/m 2 , most preferably 10,000-50,000 J/m 2 .
  • the present invention also discloses a semiconductor device comprising the cured product of the present invention or the laminate of the present invention.
  • the present invention also discloses a method for producing a semiconductor device including the method for producing the cured product of the present invention or the method for producing the laminate of the present invention.
  • Specific examples of a semiconductor device using the resin composition of the present invention for forming an interlayer insulating film for a rewiring layer can refer to the description of paragraphs 0213 to 0218 of JP-A-2016-027357 and the description of FIG. The contents of which are incorporated herein.
  • Polymer PE was prepared by dissolving 0.600 g (3.00 mmol) of oxydianiline (hereinafter abbreviated as “ODA”) in 8.50 ml of N,N-dimethylacetamide (DMAc) with 4,4′-biphenyltetracarboxylic acid. 0.883 g (3.00 mmol) of acid dianhydride (hereinafter abbreviated as "BPDA”) was added at once and stirred for 12 hours at room temperature to obtain a highly viscous transparent polymer PE solution.
  • the intrinsic viscosity of polymer PE in DMAc was 0.73 dL/g at a concentration of 0.5 g/dL at 30°C.
  • DMAc was purified by vacuum distillation, and ODA and BPDA were recrystallized from tetrahydrofuran (THF) and acetic anhydride, respectively.
  • THF tetrahydrofuran
  • Mw weight average molecular weight
  • the resulting reaction solution was added to 3 liters of ethyl alcohol to form a precipitate consisting of a crude polymer.
  • the resulting crude polymer was separated by filtration and dissolved in 1.5 liters of tetrahydrofuran to obtain a crude polymer solution.
  • the resulting crude polymer solution was dropped into 28 liters of water to precipitate the polymer, and the obtained precipitate was filtered and dried in vacuum to obtain a powdery polymer PA-1.
  • Mw weight average molecular weight
  • Polymer PB-1 was obtained by carrying out the reaction in the same manner as described in . When the molecular weight of polymer PB-1 was measured by gel permeation chromatography (converted to standard polystyrene), the weight average molecular weight (Mw) was 22,000.
  • the polyimide precursor was then precipitated in 5 liters of water and the water-polyimide precursor mixture was stirred at a speed of 5000 rpm for 15 minutes.
  • the polyimide precursor was collected by filtration, put into 4 liters of water again, stirred for another 30 minutes, and filtered again.
  • the resulting polyimide precursor was then dried under reduced pressure at 45° C. for 3 days to obtain polymer PA-2.
  • Mw weight average molecular weight
  • Synthesis of polymer PB-2> In Synthesis Example 4, 19.0 g (64.5 mmol) of 3,3'4,4'-biphenyl tetra- Except for using a carboxylic acid dianhydride, the reaction was carried out in the same manner as in Synthesis Example 4 to obtain a polymer PB-1.
  • Mw weight average molecular weight
  • the separable flask was cooled in a water bath at 15-20°C.
  • the time required for dropping was 40 minutes, and the maximum temperature of the reaction solution was 30°C.
  • 30.8 g (0.2 mol) of 1,2-cyclohexyldicarboxylic anhydride was added to the reaction solution and left to stir at room temperature for 15 hours to remove 99% of all amine terminal groups on the polymer chain. It was capped with a carboxycyclohexylamide group.
  • the reaction rate at this time can be easily calculated by tracking the remaining amount of the charged 1,2-cyclohexyldicarboxylic anhydride by high performance liquid chromatography (HPLC).
  • Examples and Comparative Examples> the components shown in the table below were mixed to obtain each negative photosensitive resin composition.
  • the components shown in the table below were mixed to obtain each comparative composition.
  • the content (blended amount) of each component described in the table other than the solvent is the amount (parts by mass ).
  • the content (mixture amount) of the solvent is such that the solid content concentration of the composition is the value of "solid content concentration [mass%]" in the table, and the content of each solvent relative to the total mass of the solvent is It was made to be the amount (parts by mass) described in the "Addition amount” column.
  • the obtained negative photosensitive resin composition and the comparative composition were subjected to pressure filtration using a polytetrafluoroethylene filter having a pore width of 0.45 ⁇ m.
  • the description of "-" indicates that the composition does not contain the corresponding component.
  • A-1 to A-4 and A-6 to A-8 are compounds that do not generate radical polymerization initiating species upon exposure, and A-5 is a compound that generates radical polymerization initiating species upon exposure.
  • CA-1 is not a compound whose absorbance at the exposure wavelength is reduced by exposure, and does not correspond to compound A.
  • F-1 Tetraethylene glycol dimethacrylate
  • F-2 Light ester BP-6EM (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
  • F-3 Light ester NP (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
  • F-4 Light ester 1.6HX (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.)
  • F-5 KAYARAD DPHA (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.)
  • ⁇ F-6 Daicel Celoxide CEL2081 (manufactured by Daicel Co., Ltd.)
  • the prepared negative photosensitive resin composition or comparative composition was applied onto a copper wafer by spin coating.
  • the wafer is dried on a hot plate at the temperature and time shown in the table, and the thickness shown in the "Coating film thickness” column of the table on the copper wafer is a curable resin composition with a uniform thickness.
  • a layer was formed.
  • the curable resin composition layer on the copper substrate is exposed using a stepper using a photomask with contact holes of 5 ⁇ m to 20 ⁇ m in increments of 1 ⁇ m. It was exposed at a wavelength of 365 nm.
  • the exposure amount was changed in increments of 50 mJ/cm 2 within the range of 250 to 650 mJ/cm 2 .
  • a direct exposure device ADTEC DE-6UH III
  • the exposure wavelength was set to 405 nm, and the exposure amount was varied in the range of 250 to 650 mJ/cm 2 in increments of 50 mJ/cm 2 .
  • the wafer was subjected to heat treatment after exposure at the indicated temperature/time.
  • the exposed curable resin composition layer was developed with cyclopentanone for 40 seconds and then rinsed with PGMEA (propylene glycol monomethyl ether acetate).
  • the line width of the smallest contact hole pattern size was defined as the "minimum hole diameter" and evaluated according to the following evaluation criteria. It can be said that the smaller the minimum hole diameter, the better the resolution.
  • the measurement limit is 5 ⁇ m.
  • the evaluation results are shown in the "Resolution" column in the table. A or B is preferred, and A is more preferred. -Evaluation criteria- When the coating film thickness is 5 ⁇ m: A: The minimum hole diameter was 5 ⁇ m.
  • B The minimum hole diameter was 5 ⁇ m or more and less than 7 ⁇ m.
  • C The minimum hole diameter was 7 ⁇ m or more and less than 10 ⁇ m.
  • D The minimum hole diameter was 10 ⁇ m or more.
  • A The minimum hole diameter was less than 10 ⁇ m.
  • B The minimum hole diameter was 10 ⁇ m or more and less than 15 ⁇ m.
  • C The minimum hole diameter was 15 ⁇ m or more and less than 20 ⁇ m.
  • D The minimum hole diameter was 20 ⁇ m or more.
  • the post-development residual film ratio at an exposure amount capable of forming the minimum hole diameter was calculated by measuring the film thickness before and after development and calculating the ratio of the post-development film thickness to the pre-development film thickness. Evaluation was performed according to the following evaluation criteria from the calculated value of the residual film ratio, and the evaluation results were described in the column of "Remaining film ratio after development" in the table. The higher the residual film ratio, the better the result. A or B is preferred, and A is more preferred.
  • Remaining film ratio (%) film thickness after development/film thickness before development x 100 -Evaluation criteria- A: The residual film rate was 90% or more. B: The residual film rate was 85% or more and less than 90%. C: The residual film rate was 80% or more and less than 85%. D: The residual film rate was less than 80%.
  • a curable resin composition layer was formed on a silicon wafer by the same method as the formation of the curable resin composition layer in the evaluation of resolution described above. Thereafter, in each example or comparative example, the entire surface of the curable resin composition layer was exposed to light without using a photomask to obtain a resin film.
  • the exposure method was the same as in the evaluation of resolution described above, except that no photomask was used. The exposure amount was 500 mJ/cm 2 . In evaluating the chemical resistance, the post-exposure heating step was not performed.
  • the resin film obtained in each example or comparative example was heated at a rate of 10° C./min in a nitrogen atmosphere, and the temperature and time shown in the columns of "temperature” and “time” under “curing conditions” in the table were obtained. The temperature was maintained at the specified temperature and time to form a cured film.
  • the obtained cured film was immersed in the following chemicals under the following conditions, and the dissolution rate was calculated.
  • DMSO dimethyl sulfoxide
  • TMAH tetramethylammonium hydroxide
  • Remaining film ratio (%) film thickness after immersion / film thickness before immersion ⁇ 100
  • the obtained value of the residual film ratio was evaluated according to the following evaluation criteria, and the evaluation results were described in the "Chemical resistance" column. It can be said that the higher the residual film ratio, the better the chemical resistance. A or B is preferred, and A is more preferred.
  • C The residual film rate was 55% or more and less than 70%.
  • D The residual film rate was less than 55%.
  • the comparative composition according to Comparative Example 1 contains a nitrogen-containing cyclic compound but does not contain compound A. In such an example, it can be seen that the resolution is inferior.
  • a comparative composition according to Comparative Example 2 contains CA-1 in place of compound A and a nitrogen-containing cyclic compound. In such an example, it can be seen that the residual film ratio after development is inferior.
  • the comparative compositions according to Comparative Examples 3-5 do not contain a nitrogen-containing cyclic compound. It can be seen that in such an example, both the resolution and the post-development residual film ratio are inferior.
  • Example 101 The resin composition used in Example 1 was applied in a layer by spin coating to the surface of the thin copper layer of the resin substrate having the thin copper layer formed on the surface, and dried at 100° C. for 5 minutes to obtain a film thickness. After forming a photosensitive film of 20 ⁇ m, it was exposed using a stepper (NSR1505 i6 manufactured by Nikon Corporation). Exposure was performed at a wavelength of 365 nm through a mask (a binary mask with a 1:1 line-and-space pattern and a line width of 10 ⁇ m). After the above exposure, the film was developed with cyclohexanone for 2 minutes and rinsed with PGMEA for 30 seconds to obtain a layer pattern.
  • NSR1505 i6 manufactured by Nikon Corporation
  • the temperature was raised at a rate of 10° C./min, reaching 230° C., and then maintained at 230° C. for 180 minutes to form an interlayer insulating film for rewiring layers.
  • This interlayer insulating film for rewiring layer was excellent in insulating properties.
  • a semiconductor device was manufactured using these interlayer insulating films for rewiring layers, it was confirmed that the device operated without any problem.

Abstract

樹脂、露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物Ａ、及び、光重合開始剤、を含み、下記条件ｉ及び条件ｉｉの少なくとも一方を満たすネガ型感光性樹脂組成物、上記ネガ型感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化物、上記硬化物を含む積層体、上記硬化物の製造方法、及び、上記硬化物又は上記積層体を含む半導体デバイスを提供すること。　条件ｉ：組成物が、上記樹脂、上記ナフトキノンジアジド化合物及び上記光重合開始とは異なる成分として含窒素環状化合物を更に含む。　条件ｉｉ：上記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含む。

Description

ネガ型感光性樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイス
　本発明は、ネガ型感光性樹脂組成物、硬化物、積層体、硬化物の製造方法、及び、半導体デバイスに関する。
　ポリイミド等の環化樹脂は、耐熱性及び絶縁性等に優れるため、様々な用途に適用されている。上記用途としては、特に限定されないが、実装用の半導体デバイスを例に挙げると、絶縁膜や封止材の材料、又は、保護膜としての利用が挙げられる。また、フレキシブル基板のベースフィルムやカバーレイなどとしても用いられている。
　例えば上述した用途において、ポリイミド等の環化樹脂は、ポリイミド等の環化樹脂、及び、環化樹脂の前駆体の少なくとも一方を含むネガ型感光性樹脂組成物の形態で用いられる。
　このようなネガ型感光性樹脂組成物を、例えば塗布等により基材に適用して感光膜を形成し、その後、必要に応じて露光、現像、加熱等を行うことにより、硬化物を基材上に形成することができる。
　ポリイミド前駆体等の上記環化樹脂の前駆体は、例えば加熱により環化され、硬化物中でポリイミド等の環化樹脂となる。
　ネガ型感光性樹脂組成物は、公知の塗布方法等により適用可能であるため、例えば、適用されるネガ型感光性樹脂組成物の適用時の形状、大きさ、適用位置等の設計の自由度が高いなど、製造上の適応性に優れるといえる。ポリイミド等の環化樹脂が有する高い性能に加え、このような製造上の適応性に優れる観点から、上述のネガ型感光性樹脂組成物の産業上の応用展開がますます期待されている。
　例えば、特許文献１には、（Ａ）特定の構造のポリアミド酸エステルと（Ｂ）ナフトキノンジアジド化合物及び（Ｃ）光重合開始剤を必須成分とするネガ型感光性樹脂組成物が記載されている。
　特許文献２には、（Ａ）酸性官能基又は塩基性官能基の置換体である中性官能基を側鎖中に有し、ポリアミド酸及び／又はポリアミド酸エステルであるポリイミド前駆体、ポリヒドロキシアミドであるポリオキサゾール前駆体、ポリアミノアミド、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾイミダゾール、並びにポリベンズチアゾールから成る群から選択される少なくとも１種である樹脂：１００質量部、並びに（Ｂ）芳香族スルホン酸エステル構造を有する化合物：１～５０質量部を含む、樹脂組成物が記載されている。
特開平０６－１３０６６４号公報 特開２０１９－２０６６８９号公報
　ネガ型感光性樹脂組成物において、露光、現像により得られるパターンの解像性、及び、現像による膜厚の減少の抑制（現像後残膜率の向上）の両立が求められている。
　本発明は、得られるパターンの解像性に優れ、かつ、現像による膜厚の減少が抑制されるネガ型感光性樹脂組成物、上記ネガ型感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化物、上記硬化物を含む積層体、上記硬化物の製造方法、及び、上記硬化物又は上記積層体を含む半導体デバイスを提供することを目的とする。
　本発明の代表的な実施態様の例を以下に示す。
＜１＞　樹脂、
　露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物Ａ、及び、
　光重合開始剤を含み、
　下記条件ｉ及び条件ｉｉの少なくとも一方を満たす
　ネガ型感光性樹脂組成物。
　条件ｉ：組成物が、上記樹脂、上記化合物Ａ及び上記光重合開始剤とは異なる成分として含窒素環状化合物を更に含む。
　条件ｉｉ：上記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含む。
＜２＞　上記化合物Ａが、露光によりラジカル重合開始種を発生しない化合物である、＜１＞に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
＜３＞　上記化合物Ａが、ナフトキノンジアジド化合物を含む、＜１＞又は＜２＞に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
＜４＞　上記化合物Ａの含有量を１００質量部とした場合の、上記含窒素環状化合物の含有量が、０．５～２００質量部である、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
＜５＞　樹脂、
　ナフトキノンジアジド化合物、及び、
　光重合開始剤を含み、
　下記条件ｉｉｉ及び条件ｉｖの少なくとも一方を満たす
　ネガ型感光性樹脂組成物。
　条件ｉｉｉ：組成物が、上記樹脂、上記ナフトキノンジアジド化合物及び上記光重合開始とは異なる成分として含窒素環状化合物を更に含む。
　条件ｉｖ：上記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含む。
＜６＞　上記樹脂が環化樹脂又はその前駆体である、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
＜７＞　重合性化合物を更に含む、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
＜８＞　シランカップリング剤を更に含む、＜１＞～＜７＞のいずれか１つに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
＜９＞　重合禁止剤を更に含む、＜１＞～＜８＞のいずれか１つに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
＜１０＞　塩基発生剤を更に含む、＜１＞～＜９＞のいずれか１つに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
＜１１＞　上記光重合開始剤が、光ラジカル重合開始剤である、＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
＜１２＞　再配線層用層間絶縁膜の形成に用いられる、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載のネガ型感光性樹脂組成物。
＜１３＞　＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載のネガ型感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
＜１４＞　＜１３＞に記載の硬化物からなる層を２層以上含み、上記硬化物からなる層同士のいずれかの間に金属層を含む積層体。
＜１５＞　＜１＞～＜１２＞のいずれか１つに記載のネガ型感光性樹脂組成物を基板に適用して膜を形成する膜形成工程、上記膜を選択的に露光する露光工程、及び、露光工程により露光された膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含む、硬化物の製造方法。
＜１６＞　上記膜を５０～４５０℃で加熱する加熱工程を含む、＜１５＞に記載の硬化物の製造方法。
＜１７＞　＜１３＞に記載の硬化物又は＜１４＞に記載の積層体を含む、半導体デバイス。
　本発明によれば、得られるパターンの解像性に優れ、かつ、現像による膜厚の減少が抑制されるネガ型感光性樹脂組成物、上記ネガ型感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化物、上記硬化物を含む積層体、上記硬化物の製造方法、及び、上記硬化物又は上記積層体を含む半導体デバイスが提供される。
　以下、本発明の主要な実施形態について説明する。しかしながら、本発明は、明示した実施形態に限られるものではない。
　本明細書において「～」という記号を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ下限値及び上限値として含む範囲を意味する。
　本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、その工程の所期の作用が達成できる限りにおいて、他の工程と明確に区別できない工程も含む意味である。
　本明細書における基（原子団）の表記において、置換及び無置換を記していない表記は、置換基を有しない基（原子団）と共に置換基を有する基（原子団）をも包含する。例えば、「アルキル基」とは、置換基を有しないアルキル基（無置換アルキル基）のみならず、置換基を有するアルキル基（置換アルキル基）をも包含する。
　本明細書において「露光」とは、特に断らない限り、光を用いた露光のみならず、電子線、イオンビーム等の粒子線を用いた露光も含む。また、露光に用いられる光としては、水銀灯の輝線スペクトル、エキシマレーザーに代表される遠紫外線、極紫外線（ＥＵＶ光）、Ｘ線、電子線等の活性光線又は放射線が挙げられる。
　本明細書において、「（メタ）アクリレート」は、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方、又は、いずれかを意味し、「（メタ）アクリル」は、「アクリル」及び「メタクリル」の両方、又は、いずれかを意味し、「（メタ）アクリロイル」は、「アクリロイル」及び「メタクリロイル」の両方、又は、いずれかを意味する。
　本明細書において、構造式中のＭｅはメチル基を表し、Ｅｔはエチル基を表し、Ｂｕはブチル基を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。
　本明細書において、全固形分とは、組成物の全成分から溶剤を除いた成分の総質量をいう。また本明細書において、固形分濃度とは、組成物の総質量に対する、溶剤を除く他の成分の質量百分率である。
　本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、特に述べない限り、ゲル浸透クロマトグラフィ（ＧＰＣ）法を用いて測定した値であり、ポリスチレン換算値として定義される。本明細書において、重量平均分子量（Ｍｗ）及び数平均分子量（Ｍｎ）は、例えば、ＨＬＣ－８２２０ＧＰＣ（東ソー（株）製）を用い、カラムとしてガードカラムＨＺ－Ｌ、ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＨＺＭ－Ｍ、ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＨＺ３０００、及び、ＴＳＫｇｅｌ　Ｓｕｐｅｒ　ＨＺ２０００（以上、東ソー（株）製）を直列に連結して用いることによって求めることができる。それらの分子量は特に述べない限り、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いて測定したものとする。ただし、溶解性が低い場合など、溶離液としてＴＨＦが適していない場合にはＮＭＰ（Ｎ－メチル－２－ピロリドン）を用いることもできる。また、ＧＰＣ測定における検出は特に述べない限り、ＵＶ線（紫外線）の波長２５４ｎｍ検出器を使用したものとする。
　本明細書において、積層体を構成する各層の位置関係について、「上」又は「下」と記載したときには、注目している複数の層のうち基準となる層の上側又は下側に他の層があればよい。すなわち、基準となる層と上記他の層の間に、更に第３の層や要素が介在していてもよく、基準となる層と上記他の層は接している必要はない。また、特に断らない限り、基材に対し層が積み重なっていく方向を「上」と称し、又は、樹脂組成物層がある場合には、基材から樹脂組成物層へ向かう方向を「上」と称し、その反対方向を「下」と称する。なお、このような上下方向の設定は、本明細書中における便宜のためであり、実際の態様においては、本明細書における「上」方向は、鉛直上向きと異なることもありうる。
　本明細書において、特段の記載がない限り、組成物は、組成物に含まれる各成分として、その成分に該当する２種以上の化合物を含んでもよい。また、特段の記載がない限り、組成物における各成分の含有量とは、その成分に該当する全ての化合物の合計含有量を意味する。
　本明細書において、特に述べない限り、温度は２３℃、気圧は１０１，３２５Ｐａ（１気圧）、相対湿度は５０％ＲＨである。
　本明細書において、好ましい態様の組み合わせは、より好ましい態様である。
（ネガ型感光性樹脂組成物）
　本発明の第１の態様におけるネガ型感光性樹脂組成物は、樹脂、露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物Ａ、及び、光重合開始剤を含み、下記条件ｉ及び条件ｉｉの少なくとも一方を満たす。
　条件ｉ：組成物が、上記樹脂、上記化合物Ａ及び上記光重合開始剤とは異なる成分として含窒素環状化合物を更に含む。
　条件ｉｉ：上記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含む。
　本発明の第２の態様におけるネガ型感光性樹脂組成物は、樹脂、ナフトキノンジアジド化合物、及び、光重合開始剤を含み、条件ｉｉｉ及び条件ｉｖの少なくとも一方を満たす。
　条件ｉｉｉ：組成物が、上記樹脂、上記ナフトキノンジアジド化合物及び上記光重合開始とは異なる成分として含窒素環状化合物を更に含む。
　条件ｉｖ：上記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含む。
　以下、単に「ネガ型感光性樹脂組成物」又は「樹脂組成物」と記載した場合には、第１の態様におけるネガ型感光性樹脂組成物、及び、第２の態様におけるネガ型感光性樹脂組成物の両方を含むものとする。
　本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、露光及び現像に供される感光膜の形成に用いられることが好ましく、露光及び有機溶剤を含む現像液を用いた現像に供される膜の形成に用いられることがより好ましい。
　本発明の樹脂組成物は、例えば、半導体デバイスの絶縁膜、再配線層用層間絶縁膜、ストレスバッファ膜等の形成に用いることができ、再配線層用層間絶縁膜の形成に用いられることが好ましい。
　また、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、ネガ型現像に供される感光膜の形成に用いられる。
　本発明において、ネガ型現像とは、露光及び現像において、現像により非露光部が除去される現像をいい、ポジ型現像とは、現像により露光部が除去される現像をいう。
　上記露光の方法、上記現像液、及び、上記現像の方法としては、例えば、後述する硬化物の製造方法の説明における露光工程において説明された露光方法、現像工程において説明された現像液及び現像方法が使用される。
　本発明のネガ型感光性樹脂組成物によれば、得られるパターンの解像性に優れ、かつ、現像による膜厚の減少が抑制される。
　上記効果が得られるメカニズムは不明であるが、下記のように推測される。
　従来から、樹脂及び光重合開始剤を含むネガ型感光性樹脂組成物を用いて感光層を形成し、感光層を露光、現像することによりパターン状の硬化物を金属層上に形成することが行われている。
　ここで、本発明においては、露光により露光波長の吸光度が小さくなる化合物Ａ（第２の態様においては、ナフトキノンジアジド化合物）を含み、かつ、上述の条件ｉ及び条件ｉｉ（第２の態様においては、条件ｉｉｉ及び条件ｉｖ）の少なくとも一方を満たすことにより、金属基板上でのパターンの解像性が向上することを見出した。
　これは、化合物Ａ（第２の態様においては、ナフトキノンジアジド化合物）が露光光を吸収することにより、露光量が小さい領域（例えば、実際に露光したい領域の周辺の領域）においては光重合開始剤が感光しにくくなり、また、露光量が大きい領域においては、化合物Ａ（第２の態様においては、ナフトキノンジアジド化合物）の消色（露光により露光波長の吸光度が小さくなること）により光重合開始剤が感光しやすくなるためであると推測される。
　更に、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は、含窒素環状化合物を含むか、上記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含むか、又は、その両方を含む。これにより、金属層から感光層への金属のマイグレーションが抑制され、未露光部に現像残渣を生じにくくなると考えられる。結果として、上述の化合物Ａ（第２の態様においては、ナフトキノンジアジド化合物）の消色による効果がさらに際立ち、露光部と未露光部の溶解コントラストが拡大してパターンの解像性に優れ、かつ、現像による膜厚の減少が抑制されると推測される。
　また、本発明のネガ型感光性樹脂組成物は含窒素環状化合物か、上記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含むか、又は、その両方を含むため、金属層から感光層への金属のマイグレーションが抑制され、露光部の重合が金属により妨げられることが抑制され、硬化が十分に進行しやすいと考えられる。そのため、得られる硬化物の耐薬品性にも優れると考えられる。
　更に、化合物Ａが消色してできた分解物（例えば、ナフトキノンジアジド化合物の分解物）が樹脂等の架橋にも組み込まれ、より架橋密度が増大することから、硬化物の耐薬品性も向上すると考えられる。すなわち、本発明の第２の態様に係るネガ型感光性樹脂組成物は、得られる硬化物の耐薬品性に更に優れた組成物である。
　特に、樹脂が環化樹脂又はその前駆体であり、かつ、化合物Ａがナフトキノンジアジド化合物である場合に、樹脂とナフトキノンジアジド化合物の分解物とが架橋構造を形成し、耐薬品性が大きく向上する場合がある。
　ここで、特許文献１及び２には、化合物Ａを含むか、上記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含むか、又は、その両方を含むネガ型感光性樹脂組成物については記載されていない。
　以下、本発明の樹脂組成物に含まれる成分について詳細に説明する。
＜樹脂＞
　本発明の樹脂組成物は、樹脂を含む。
　本発明において、本発明の樹脂組成物は、下記（１）及び（２）の少なくとも一方を満たすことが好ましい。
（１）樹脂組成物に含まれる樹脂が重合性基を有する
（２）樹脂組成物が後述する重合性化合物を更に含む。
　樹脂としては、特に限定されず、例えば従来のパターン形成用組成物において用いられる樹脂が挙げられるが、環化樹脂又はその前駆体（特定樹脂）を含むことが好ましく、環化樹脂の前駆体を含むことがより好ましい。
　本発明の樹脂組成物が上述の条件ｉｉ又は条件ｉｖを満たす場合、本発明の樹脂組成物は、上記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含む。
　本発明の樹脂組成物が上述の条件ｉ又は条件ｉｉｉを満たす場合、本発明の樹脂組成物は、上記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含んでもよい。
　環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造は、単環であっても複環であってもよく、単環又は縮合環であることが好ましく、５員環又は６員環の単環、又は、５員環同士の縮合環、６員環同士の縮合環若しくは５員環と６員環の縮合環であることがより好ましく、５員環の単環、又は、５員環と６員環の縮合環であることがより好ましい。
　ただし、含窒素ヘテロ環構造が複環である場合、複環を構成する少なくとも１つの単環において２以上の窒素原子を環員として含む。すなわち、例えば、ベンゾイミダゾール環は本発明でいう環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造に該当するが、７－アザインドール環は、本発明でいう環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造には該当しないものとする。
　また、上記含窒素ヘテロ環構造は、プリン環構造のように、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を複環構造内に複数有していてもよい。
　上記含窒素ヘテロ環構造は、窒素原子以外のヘテロ原子を環員として含んでもよいが、含窒素ヘテロ環構造が窒素原子以外のヘテロ原子を環員として含まない態様も、本発明の好ましい態様の一つである。上記窒素原子以外のヘテロ原子としては、酸素原子、硫黄原子等が挙げられる。
　上記含窒素ヘテロ環構造は、脂肪族環であっても芳香族環であってもよいが、芳香族環であることが好ましい。
　長期間経過後の密着力の観点からは、これらの中でも、上記含窒素ヘテロ環は、イミダゾール骨格、トリアゾール骨格、又は、テトラゾール骨格を含むことが好ましく、イミダゾール環、トリアゾール環、テトラゾール環、又は、これらの環と他の環との縮合環であることがより好ましく、ベンゾイミダゾール環、トリアゾール環、ベンゾトリアゾール環、テトラゾール環、又は、プリン環であることが更に好ましい。
　上記他の環としては、芳香環が好ましく、５員環又は６員環の芳香環がより好ましく、ベンゼン環がより好ましい。
　本発明の樹脂組成物が環化樹脂又はその前駆体（特定樹脂）を含む場合、上記含窒素ヘテロ環構造は、特定樹脂の末端に存在することが好ましく、特定樹脂の主鎖末端に存在することがより好ましい。
　本発明において、主鎖とは、樹脂分子中で相対的に最も長い結合鎖を表す。
　特定樹脂の主鎖末端のうち、少なくとも１つが上記含窒素ヘテロ環構造を有することが好ましい。
　特定樹脂が上記含窒素ヘテロ環構造を含む場合、特定樹脂は、下記式（１－１）又は式（２－１）で表される構造を含むことが好ましい。
　特に、特定樹脂がポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリアミドイミド又はポリアミドイミド前駆体のいずれかである場合には、下記式（１－１）で表される構造を含むことが好ましい。
　また、特定樹脂がポリベンゾオキサゾール、又は、ポリベンゾオキサゾール前駆体である場合には、下記式（２－１）で表される構造を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000001
　式（１－１）中、Ｌ１は単結合又はイミド環構造を含まないｎ＋１価の連結基を、Ｒ１は環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を、ｎは１以上の整数をそれぞれ表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（２－１）中、Ｌ２は単結合又はオキサゾール環構造を含まないｍ＋１価の連結基を、Ｒ２は環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を、ｍは１以上の整数をそれぞれ表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
式（１－１）中、Ｌ１は単結合、又は、ｎ＋１価の炭化水素基、又は、炭化水素基の内部に－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－ＮＲＮ－、－Ｓ－、及び、－Ｓ（＝Ｏ）２－よりなる群から選ばれた少なくとも１種の構造を１つ以上含む基であることが好ましい。
　上記ＲＮは水素原子又は１価の置換基を表し、水素原子又は炭化水素基であることが好ましく、水素原子、アルキル基又は芳香族炭化水素基であることがより好ましい。
　また、Ｌ１が単結合である態様も、本発明の好ましい態様の１つである。
　式（１－１）中、Ｒ１の好ましい態様は、上述の含窒素ヘテロ環構造の好ましい態様と同様である。
　式（１－１）中、ｎは１～４の整数であることが好ましく、１又は２であることがより好ましく、１であることが更に好ましい。
　式（１－１）中、＊は他の構造との結合部位を表す。ここで、２つの＊が共有結合で結ばれた炭素原子とそれぞれ結合して、式（１－１）に記載のイミド構造を含むイミド環構造を形成する態様も、本発明の好ましい態様の１つである。上記イミド環構造としては、例えば、５員環構造が好ましい。
　式（２－１）中、Ｌ２は単結合、又は、ｎ＋１価の炭化水素基、又は、炭化水素基の内部に－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ－、及び、－Ｓ（＝Ｏ）２－よりなる群から選ばれた少なくとも１種の構造を１つ以上含む基であることが好ましい。
　また、Ｌ２が単結合である態様も、本発明の好ましい態様の１つである。
　式（２－１）中、Ｒ２の好ましい態様は、上述の含窒素ヘテロ環構造の好ましい態様と同様である。
　式（２－１）中、ｍは１～４の整数であることが好ましく、１又は２であることがより好ましく、１であることが更に好ましい。
　式（２－１）中、＊は他の構造との結合部位を表す。ここで、２つの＊が共有結合で結ばれた炭素原子とそれぞれ結合して、式（２－１）に記載の窒素原子及び酸素原子を含む環構造を形成する態様も、本発明の好ましい態様の１つである。上記環構造としては、例えば、オキサゾール環構造が好ましい。
　特定樹脂は、式（１－１）で表される構造を含む構造として、下記式（１－２）～式（１－３）のいずれかで表される構造を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000002
　式（１－２）又は式（１－３）中、Ｌ１は単結合又はイミド環構造を含まないｎ＋１価の連結基を、Ｒ１は環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を、ｎは１以上の整数をそれぞれ表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（１－２）又は式（１－３）中、Ｌ１、Ｒ１及びｎはそれぞれ、式（１－１）中のＬ１、Ｒ１及びｎと同義であり、好ましい態様も同様である。
　また特定樹脂は、式（２－１）で表される構造を含む構造として、下記式（２－２）～式（２－３）のいずれかで表される構造を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000003
　式（２－２）又は式（２－３）中、Ｌ２は単結合又はオキサゾール環構造を含まないｍ＋１価の連結基を、Ｒ２は環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を、ｍは１以上の整数をそれぞれ表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（２－２）又は式（２－３）中、Ｌ２、Ｒ２及びｍはそれぞれ、式（２－１）中のＬ２、Ｒ２及びｍと同義であり、好ましい態様も同様である。
　特定樹脂が上述の式（１－１）で表される構造を含む場合、特定樹脂は、下記式（１－４）で表される構造を含むことも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000004
 　
　式（１－４）中、Ａ１は酸素原子又は－ＮＨ－を表し、Ｒ１１５は、４価の有機基を表し、Ｒ１１４は、水素原子又は１価の有機基を表し、Ｌ１は単結合又はイミド環構造を含まないｎ＋１価の連結基を、Ｒ１は環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を、ｎは１以上の整数をそれぞれ表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（１－４）中、Ａ１、Ｒ１１５及びＲ１１４は、後述の式（２）におけるＡ１、Ｒ１１５及びＲ１１４と同義であり、好ましい態様も同様である。
　式（１－４）中、Ｌ１、Ｒ１及びｎは、上述の式（１－１）におけるＬ１、Ｒ１及びｎと同義であり、好ましい態様も同様である。
　また、特定樹脂が式（１－４）で表される構造を含む場合、特定樹脂は、後述の式（２）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。
　特定樹脂が後述の式（２）で表される繰返し単位を含む場合、式（１－４）におけるＡ１、Ｒ１１５及びＲ１１４は、特定樹脂に含まれる式（２）で表される繰返し単位のいずれかにおけるＡ１、Ｒ１１５及びＲ１１４と同一の構造であることも好ましい。
　また、特定樹脂が後述の式（２）で表される繰返し単位を含む場合、式（１－４）における＊は、式（２）中のＲ１１１との結合部位であることも好ましい。
　また、特定樹脂が上述の式（１－１）で表される構造を含む場合、特定樹脂は、下記式（１－５）で表される構造を含むことも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000005
　式（１－５）中、Ｒ１３２は、４価の有機基を表し、Ｌ１は単結合又はイミド環構造を含まないｎ＋１価の連結基を、Ｒ１は環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を、ｎは１以上の整数をそれぞれ表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（１－５）中、Ｒ１３２は、後述の式（４）におけるＲ１３２と同義であり、好ましい態様も同様である。
　式（１－５）中、Ｌ１、Ｒ１及びｎは、上述の式（１－１）におけるＬ１、Ｒ１及びｎと同義であり、好ましい態様も同様である。
　また、特定樹脂が式（１－５）で表される構造を含む場合、特定樹脂は、後述の式（４）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。
　特定樹脂が後述の式（４）で表される繰返し単位を含む場合、式（１－５）におけるＲ１３２は、特定樹脂に含まれる式（４）で表される繰返し単位のいずれかにおけるＲ１３２と同一の構造であることも好ましい。
　また、特定樹脂が後述の式（４）で表される繰返し単位を含む場合、式（１－５）における＊は、式（４）中のＲ１３１との結合部位であることも好ましい。
　特定樹脂が上述の式（２－１）で表される構造を含む場合、特定樹脂は、下記式（２－４）で表される構造を含むことも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000006
　式（２－４）中、Ｒ１２２は、４価の有機基を表し、Ｒ１２４は水素原子又は１価の有機基を表し、Ｌ２は単結合又はオキサゾール環構造を含まないｍ＋１価の連結基を、Ｒ２は環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を、ｍは１以上の整数をそれぞれ表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（２－４）中、Ｒ１２２及びＲ１２４は、後述の式（３）におけるＲ１２２及びＲ１２４と同義であり、好ましい態様も同様である。
　式（２－４）中、Ｌ２、Ｒ２及びｍは、上述の式（２－１）におけるＬ２、Ｒ２及びｍと同義であり、好ましい態様も同様である。
　また、特定樹脂が式（２－４）で表される構造を含む場合、特定樹脂は、後述の式（３）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。
　特定樹脂が後述の式（３）で表される繰返し単位を含む場合、式（２－４）におけるＲ１２２及びＲ１２４は、特定樹脂に含まれる式（３）で表される繰返し単位のいずれかにおけるＲ１２２及びＲ１２４と同一の構造であることも好ましい。
　また、特定樹脂が後述の式（３）で表される繰返し単位を含む場合、式（２－４）における＊は、式（３）中のＲ１２１との結合部位であることも好ましい。
　特定樹脂が上述の式（２－１）で表される構造を含む場合、特定樹脂は、下記式（２－５）で表される構造を含むことも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000007
　式（２－５）中、Ｒ１３４は、４価の有機基を表し、Ｌ２は単結合又はオキサゾール環構造を含まないｍ＋１価の連結基を、Ｒ２は環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を、ｍは１以上の整数をそれぞれ表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（２－５）中、Ｒ１３４は、後述の式（Ｘ）におけるＲ１３４と同義であり、好ましい態様も同様である。
　式（２－５）中、Ｌ２、Ｒ２及びｍは、上述の式（１－１）におけるＬ２、Ｒ２及びｍと同義であり、好ましい態様も同様である。
　また、特定樹脂が式（２－５）で表される構造を含む場合、特定樹脂は、後述の式（Ｘ）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。
　特定樹脂が後述の式（Ｘ）で表される繰返し単位を含む場合、式（２－５）におけるＲ１３４は、特定樹脂に含まれる式（Ｘ）で表される繰返し単位のいずれかにおけるＲ１３４と同一の構造であることも好ましい。
　また、特定樹脂が後述の式（Ｘ）で表される繰返し単位を含む場合、式（１－５）における＊は、式（Ｘ）中のＲ１３３との結合部位であることも好ましい。
　以下に、特定樹脂に含まれる、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を含む構造の具体例を示すが、本発明はこれに限定されるものではない。下記構造中、＊は他の構造との結合部位を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000008
　その他、例えば、後述する式（２）におけるＲ１１３、Ｒ１１４、後述する式（３）におけるＲ１２３、Ｒ１２４、後述する式（ＰＡＩ－２）におけるＲ１１３等に上述の含窒素ヘテロ環構造を含んでもよい。
　環化樹脂は、主鎖構造中にイミド環構造又はオキサゾール環構造を含む樹脂であることが好ましい。
　本発明において、主鎖とは、樹脂分子中で相対的に最も長い結合鎖を表す。
　環化樹脂としては、ポリイミド、ポリベンゾオキサゾール、ポリアミドイミド等が挙げられる。
　環化樹脂の前駆体とは、外部刺激により化学構造の変化を生じて環化樹脂となる樹脂をいい、熱により化学構造の変化を生じて環化樹脂となる樹脂が好ましく、熱により閉環反応を生じて環構造が形成されることにより環化樹脂となる樹脂がより好ましい。
　環化樹脂の前駆体としては、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド前駆体等が挙げられる。
　すなわち、本発明の樹脂組成物は、特定樹脂として、ポリイミド、ポリイミド前駆体、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾール前駆体、ポリアミドイミド、及び、ポリアミドイミド前駆体よりなる群から選ばれた少なくとも１種の樹脂（特定樹脂）を含むことが好ましい。
　本発明の樹脂組成物は、特定樹脂として、ポリイミド又はポリイミド前駆体を含むことが好ましい。
　また、特定樹脂は重合性基を有することが好ましく、ラジカル重合性基を含むことがより好ましい。
　特定樹脂がラジカル重合性基を有する場合、本発明の樹脂組成物は、後述のラジカル重合開始剤を含むことが好ましく、後述のラジカル重合開始剤を含み、かつ、後述のラジカル架橋剤を含むことがより好ましい。さらに必要に応じて、後述の増感剤を含むことができる。このような本発明の樹脂組成物からは、例えば、ネガ型感光膜が形成される。
〔ポリイミド前駆体〕
　本発明で用いるポリイミド前駆体は、その種類等特に定めるものではないが、下記式（２）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000009
　式（２）中、Ａ１及びＡ２は、それぞれ独立に、酸素原子又は－ＮＨ－を表し、Ｒ１１１は、２価の有機基を表し、Ｒ１１５は、４価の有機基を表し、Ｒ１１３及びＲ１１４は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。
　式（２）におけるＡ１及びＡ２は、それぞれ独立に、酸素原子又は－ＮＨ－を表し、酸素原子が好ましい。
　式（２）におけるＲ１１１は、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、直鎖又は分岐の脂肪族基、環状の脂肪族基及び芳香族基を含む基が例示され、炭素数２～２０の直鎖又は分岐の脂肪族基、炭素数３～２０の環状の脂肪族基、炭素数３～２０の芳香族基、又は、これらの組み合わせからなる基が好ましく、炭素数６～２０の芳香族基を含む基がより好ましい。上記直鎖又は分岐の脂肪族基は鎖中の炭化水素基がヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく、上記環状の脂肪族基および芳香族基は環員の炭化水素基がヘテロ原子を含む基で置換されていてもよい。本発明の好ましい実施形態として、－Ａｒ－および－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ－で表される基であることが例示され、特に好ましくは－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ－で表される基である。但し、Ａｒは、それぞれ独立に、芳香族基であり、Ｌは、単結合、又は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－若しくは－ＮＨＣＯ－、あるいは、上記の２つ以上の組み合わせからなる基である。これらの好ましい範囲は、上述のとおりである。
　Ｒ１１１は、ジアミンから誘導されることが好ましい。ポリイミド前駆体の製造に用いられるジアミンとしては、直鎖又は分岐の脂肪族、環状の脂肪族又は芳香族ジアミンなどが挙げられる。ジアミンは、１種のみ用いてもよいし、２種以上用いてもよい。
　具体的には、炭素数２～２０の直鎖又は分岐の脂肪族基、炭素数３～２０の環状の脂肪族基、炭素数３～２０の芳香族基、又は、これらの組み合わせからなる基を含むジアミンであることが好ましく、炭素数６～２０の芳香族基を含むジアミンであることがより好ましい。上記直鎖又は分岐の脂肪族基は鎖中の炭化水素基がヘテロ原子を含む基で置換されていてもよく上記環状の脂肪族基および芳香族基は環員の炭化水素基がヘテロ原子を含む基で置換されていてもよい。芳香族基を含む基の例としては、下記が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000010
　式中、Ａは単結合又は２価の連結基を表し、単結合、又は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－ＮＨＣＯ－、又は、これらの組み合わせから選択される基であることが好ましく、単結合、又は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキレン基、－Ｏ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ－、若しくは、－ＳＯ２－から選択される基であることがより好ましく、－ＣＨ２－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－Ｃ（ＣＦ３）２－、又は、－Ｃ（ＣＨ３）２－であることが更に好ましい。
　式中、＊は他の構造との結合部位を表す。
　ジアミンとしては、具体的には、１，２－ジアミノエタン、１，２－ジアミノプロパン、１，３－ジアミノプロパン、１，４－ジアミノブタン又は１，６－ジアミノヘキサン；１，２－又は１，３－ジアミノシクロペンタン、１，２－、１，３－又は１，４－ジアミノシクロヘキサン、１，２－、１，３－又は１，４－ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、ビス－（４－アミノシクロヘキシル）メタン、ビス－（３－アミノシクロヘキシル）メタン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジメチルシクロヘキシルメタン及びイソホロンジアミン；ｍ－又はｐ－フェニレンジアミン、ジアミノトルエン、４，４’－又は３，３’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノジフェニルエーテル、３，３－ジアミノジフェニルエーテル、４，４’－又は３，３’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－又は３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、４，４’－又は３，３’－ジアミノジフェニルスルフィド、４，４’－又は３，３’－ジアミノベンゾフェノン、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ジメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、３，３’－ジメトキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２－ビス（４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（３－ヒドロキシ－４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－ヒドロキシ－４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）スルホン、ビス（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）スルホン、４，４’－ジアミノパラテルフェニル、４，４’－ビス（４－アミノフェノキシ）ビフェニル、ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、ビス［４－（２－アミノフェノキシ）フェニル］スルホン、１，４－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、９，１０－ビス（４－アミノフェニル）アントラセン、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルスルホン、１，３－ビス（４－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（３－アミノフェノキシ）ベンゼン、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ベンゼン、３，３’－ジエチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、３，３’－ジメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、４，４’－ジアミノオクタフルオロビフェニル、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］プロパン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、９，９－ビス（４－アミノフェニル）－１０－ヒドロアントラセン、３，３’，４，４’－テトラアミノビフェニル、３，３’，４，４’－テトラアミノジフェニルエーテル、１，４－ジアミノアントラキノン、１，５－ジアミノアントラキノン、３，３－ジヒドロキシ－４，４’－ジアミノビフェニル、９，９’－ビス（４－アミノフェニル）フルオレン、４，４’－ジメチル－３，３’－ジアミノジフェニルスルホン、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノジフェニルメタン、２，４－及び２，５－ジアミノクメン、２，５－ジメチル－ｐ－フェニレンジアミン、アセトグアナミン、２，３，５，６－テトラメチル－ｐ－フェニレンジアミン、２，４，６－トリメチル－ｍ－フェニレンジアミン、ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ－アミノフェニル）オクタメチルペンタシロキサン、２，７－ジアミノフルオレン、２，５－ジアミノピリジン、１，２－ビス（４－アミノフェニル）エタン、ジアミノベンズアニリド、ジアミノ安息香酸のエステル、１，５－ジアミノナフタレン、ジアミノベンゾトリフルオライド、１，３－ビス（４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、１，４－ビス（４－アミノフェニル）オクタフルオロブタン、１，５－ビス（４－アミノフェニル）デカフルオロペンタン、１，７－ビス（４－アミノフェニル）テトラデカフルオロヘプタン、２，２－ビス［４－（３－アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［４－（２－アミノフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）－３，５－ジメチルフェニル］ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス［４－（４－アミノフェノキシ）－３，５－ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、ｐ－ビス（４－アミノ－２－トリフルオロメチルフェノキシ）ベンゼン、４，４’－ビス（４－アミノ－２－トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４’－ビス（４－アミノ－３－トリフルオロメチルフェノキシ）ビフェニル、４，４’－ビス（４－アミノ－２－トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、４，４’－ビス（３－アミノ－５－トリフルオロメチルフェノキシ）ジフェニルスルホン、２，２－ビス［４－（４－アミノ－３－トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル］ヘキサフルオロプロパン、３，３’，５，５’－テトラメチル－４，４’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノ－２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ビフェニル、２，２’，５，５’，６，６’－ヘキサフルオロトリジン及び４，４’－ジアミノクアテルフェニルから選ばれる少なくとも１種のジアミンが挙げられる。
　また、国際公開第２０１７／０３８５９８号の段落００３０～００３１に記載のジアミン（ＤＡ－１）～（ＤＡ－１８）も好ましい。
　また、国際公開第２０１７／０３８５９８号の段落００３２～００３４に記載の２つ以上のアルキレングリコール単位を主鎖にもつジアミンも好ましく用いられる。
　Ｒ１１１は、得られる有機膜の柔軟性の観点から、－Ａｒ－Ｌ－Ａｒ－で表されることが好ましい。但し、Ａｒは、それぞれ独立に、芳香族基であり、Ｌは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－又は－ＮＨＣＯ－、あるいは、上記の２つ以上の組み合わせからなる基である。Ａｒは、フェニレン基が好ましく、Ｌは、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１又は２の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－又は－ＳＯ２－が好ましい。ここでの脂肪族炭化水素基は、アルキレン基が好ましい。
　また、Ｒ１１１は、ｉ線透過率の観点から、下記式（５１）又は式（６１）で表される２価の有機基であることが好ましい。特に、ｉ線透過率、入手のし易さの観点から、式（６１）で表される２価の有機基であることがより好ましい。
　式（５１）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000011
　式（５１）中、Ｒ５０～Ｒ５７は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子又は１価の有機基であり、Ｒ５０～Ｒ５７の少なくとも１つは、フッ素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基であり、＊はそれぞれ独立に、式（２）中の窒素原子との結合部位を表す。
　Ｒ５０～Ｒ５７の１価の有機基としては、炭素数１～１０（好ましくは炭素数１～６）の無置換のアルキル基、炭素数１～１０（好ましくは炭素数１～６）のフッ化アルキル基等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000012
　式（６１）中、Ｒ５８及びＲ５９は、それぞれ独立に、フッ素原子、メチル基、又はトリフルオロメチル基であり、＊はそれぞれ独立に、式（２）中の窒素原子との結合部位を表す。
　式（５１）又は（６１）の構造を与えるジアミンとしては、２，２’－ジメチルベンジジン、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）－４，４’－ジアミノビフェニル、２，２’－ビス（フルオロ）－４，４’－ジアミノビフェニル、４，４’－ジアミノオクタフルオロビフェニル等が挙げられる。これらは１種で又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　式（２）におけるＲ１１５は、４価の有機基を表す。４価の有機基としては、芳香環を含む４価の有機基が好ましく、下記式（５）又は式（６）で表される基がより好ましい。
式（５）又は式（６）中、＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000013
　式（５）中、Ｒ１１２は単結合又は２価の連結基であり、単結合、又は、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～１０の脂肪族炭化水素基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、及び－ＮＨＣＯ－、ならびに、これらの組み合わせから選択される基であることが好ましく、単結合、フッ素原子で置換されていてもよい炭素数１～３のアルキレン基、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－及び－ＳＯ２－から選択される基であることがより好ましく、－ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＦ３）２－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｏ－、－ＣＯ－、－Ｓ－及び－ＳＯ２－からなる群から選択される２価の基であることが更に好ましい。
　Ｒ１１５は、具体的には、テトラカルボン酸二無水物から無水物基の除去後に残存するテトラカルボン酸残基などが挙げられる。ポリイミド前駆体は、Ｒ１１５に該当する構造として、テトラカルボン酸二無水物残基を、１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでもよい。
　テトラカルボン酸二無水物は、下記式（Ｏ）で表されることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000014
　式（Ｏ）中、Ｒ１１５は、４価の有機基を表す。Ｒ１１５の好ましい範囲は式（２）におけるＲ１１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。
　テトラカルボン酸二無水物の具体例としては、ピロメリット酸二無水物（ＰＭＤＡ）、３，３’，４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルフィドテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、３，３’，４，４’－ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’－ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、２，３，３’，４’－ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、４，４’－オキシジフタル酸二無水物、２，３，６，７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，７－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）プロパン二無水物、２，２－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物、１，３－ジフェニルヘキサフルオロプロパン－３，３，４，４－テトラカルボン酸二無水物、１，４，５，６－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、２，２’，３，３’－ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０－ペリレンテトラカルボン酸二無水物、１，２，４，５－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，４，５，８－ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、１，８，９，１０－フェナントレンテトラカルボン酸二無水物、１，１－ビス（２，３－ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，１－ビス（３，４－ジカルボキシフェニル）エタン二無水物、１，２，３，４－ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、ならびに、これらの炭素数１～６のアルキル及び炭素数１～６のアルコキシ誘導体が挙げられる。
また、国際公開第２０１７／０３８５９８号の段落００３８に記載のテトラカルボン酸二無水物（ＤＡＡ－１）～（ＤＡＡ－５）も好ましい例として挙げられる。
　式（２）において、Ｒ１１１とＲ１１５の少なくとも一方がＯＨ基を有することも可能である。より具体的には、Ｒ１１１として、ビスアミノフェノール誘導体の残基が挙げられる。
　式（２）におけるＲ１１３及びＲ１１４は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。１価の有機基としては、直鎖又は分岐のアルキル基、環状アルキル基、芳香族基、又はポリアルキレンオキシ基を含むことが好ましい。また、Ｒ１１３及びＲ１１４の少なくとも一方が重合性基を含むことが好ましく、両方が重合性基を含むことがより好ましい。Ｒ１１３及びＲ１１４の少なくとも一方が２以上の重合性基を含むことも好ましい。重合性基としては、熱、ラジカル等の作用により、架橋反応することが可能な基であって、ラジカル重合性基が好ましい。重合性基の具体例としては、エチレン性不飽和結合を有する基、アルコキシメチル基、ヒドロキシメチル基、アシルオキシメチル基、エポキシ基、オキセタニル基、ベンゾオキサゾリル基、ブロックイソシアネート基、アミノ基が挙げられる。ポリイミド前駆体が有するラジカル重合性基としては、エチレン性不飽和結合を有する基が好ましい。
　エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、アリル基、イソアリル基、２－メチルアリル基、ビニル基と直接結合した芳香環を有する基（例えば、ビニルフェニル基など）、（メタ）アクリルアミド基、（メタ）アクリロイルオキシ基、下記式（ＩＩＩ）で表される基などが挙げられ、下記式（ＩＩＩ）で表される基が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000015
　式（ＩＩＩ）において、Ｒ２００は、水素原子、メチル基、エチル基又はメチロール基を表し、水素原子又はメチル基が好ましい。
　式（ＩＩＩ）において、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（ＩＩＩ）において、Ｒ２０１は、炭素数２～１２のアルキレン基、－ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２－、シクロアルキレン基又はポリアルキレンオキシ基を表す。
　好適なＲ２０１の例は、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、ドデカメチレン基等のアルキレン基、１，２－ブタンジイル基、１，３－ブタンジイル基、－ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２－、ポリアルキレンオキシ基が挙げられ、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基、－ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２－、シクロヘキシル基、ポリアルキレンオキシ基がより好ましく、エチレン基、プロピレン基等のアルキレン基、又はポリアルキレンオキシ基が更に好ましい。
　本発明において、ポリアルキレンオキシ基とは、アルキレンオキシ基が２以上直接結合した基をいう。ポリアルキレンオキシ基に含まれる複数のアルキレンオキシ基におけるアルキレン基は、それぞれ同一であっても異なっていてもよい。
　ポリアルキレンオキシ基が、アルキレン基が異なる複数種のアルキレンオキシ基を含む場合、ポリアルキレンオキシ基におけるアルキレンオキシ基の配列は、ランダムな配列であってもよいし、ブロックを有する配列であってもよいし、交互等のパターンを有する配列であってもよい。
　上記アルキレン基の炭素数（アルキレン基が置換基を有する場合、置換基の炭素数を含む）は、２以上であることが好ましく、２～１０であることがより好ましく、２～６であることがより好ましく、２～５であることが更に好ましく、２～４であることが一層好ましく、２又は３であることが特に好ましく、２であることが最も好ましい。
　また、上記アルキレン基は、置換基を有していてもよい。好ましい置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子等が挙げられる。
　また、ポリアルキレンオキシ基に含まれるアルキレンオキシ基の数（ポリアルキレンオキシ基の繰返し数）は、２～２０が好ましく、２～１０がより好ましく、２～６が更に好ましい。
　ポリアルキレンオキシ基としては、溶剤溶解性及び耐溶剤性の観点からは、ポリエチレンオキシ基、ポリプロピレンオキシ基、ポリトリメチレンオキシ基、ポリテトラメチレンオキシ基、又は、複数のエチレンオキシ基と複数のプロピレンオキシ基とが結合した基が好ましく、ポリエチレンオキシ基又はポリプロピレンオキシ基がより好ましく、ポリエチレンオキシ基が更に好ましい。上記複数のエチレンオキシ基と複数のプロピレンオキシ基とが結合した基において、エチレンオキシ基とプロピレンオキシ基とはランダムに配列していてもよいし、ブロックを形成して配列していてもよいし、交互等のパターン状に配列していてもよい。これらの基におけるエチレンオキシ基等の繰返し数の好ましい態様は上述の通りである。
　式（２）において、Ｒ１１３が水素原子である場合、又は、Ｒ１１４が水素原子である場合、ポリイミド前駆体はエチレン性不飽和結合を有する３級アミン化合物と対塩を形成していてもよい。このようなエチレン性不飽和結合を有する３級アミン化合物の例としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノプロピルメタクリレートが挙げられる。
　また、ポリイミド前駆体は、構造中にフッ素原子を有することも好ましい。ポリイミド前駆体中のフッ素原子含有量は、１０質量％以上が好ましく、また、２０質量％以下が好ましい。
　また、基板との密着性を向上させる目的で、ポリイミド前駆体は、シロキサン構造を有する脂肪族基と共重合していてもよい。具体的には、ジアミンとして、ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ－アミノフェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどを用いる態様が挙げられる。
　式（２）で表される繰返し単位は、式（２－Ａ）で表される繰返し単位であることが好ましい。すなわち、本発明で用いるポリイミド前駆体の少なくとも１種が、式（２－Ａ）で表される繰返し単位を有する前駆体であることが好ましい。ポリイミド前駆体が式（２－Ａ）で表される繰返し単位を含むことにより、露光ラチチュードの幅をより広げることが可能になる。
式（２－Ａ）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000016
　式（２－Ａ）中、Ａ１及びＡ２は、酸素原子を表し、Ｒ１１１及びＲ１１２は、それぞれ独立に、２価の有機基を表し、Ｒ１１３及びＲ１１４は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ１１３及びＲ１１４の少なくとも一方は、重合性基を含む基であり、両方が重合性基を含む基であることが好ましい。
　Ａ１、Ａ２、Ｒ１１１、Ｒ１１３及びＲ１１４は、それぞれ独立に、式（２）におけるＡ１、Ａ２、Ｒ１１１、Ｒ１１３及びＲ１１４と同義であり、好ましい範囲も同様である。
Ｒ１１２は、式（５）におけるＲ１１２と同義であり、好ましい範囲も同様である。
　ポリイミド前駆体は、式（２）で表される繰返し単位を１種含んでいてもよいが、２種以上で含んでいてもよい。また、式（２）で表される繰返し単位の構造異性体を含んでいてもよい。また、ポリイミド前駆体は、上記式（２）の繰返し単位のほかに、他の種類の繰返し単位をも含んでよいことはいうまでもない。
　本発明におけるポリイミド前駆体の一実施形態として、式（２）で表される繰返し単位の含有量が、全繰返し単位の５０モル％以上である態様が挙げられる。上記合計含有量は、７０モル％以上であることがより好ましく、９０モル％以上であることが更に好ましく、９０モル％超であることが特に好ましい。上記合計含有量の上限は、特に限定されず、末端を除くポリイミド前駆体における全ての繰返し単位が、式（２）で表される繰返し単位であってもよい。
　ポリイミド前駆体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは５，０００～１００，０００であり、より好ましくは１０，０００～５０，０００であり、更に好ましくは１５，０００～４０，０００である。また、数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは２，０００～４０，０００であり、より好ましくは３，０００～３０，０００であり、更に好ましくは４，０００～２０，０００である。
　上記ポリイミド前駆体の分子量の分散度は、１．５以上が好ましく、１．８以上がより好ましく、２．０以上であることが更に好ましい。ポリイミド前駆体の分子量の分散度の上限値は特に定めるものではないが、例えば、７．０以下が好ましく、６．５以下がより好ましく、６．０以下が更に好ましい。
　本明細書において、分子量の分散度とは、重量平均分子量／数平均分子量により算出される値である。
　また、樹脂組成物が特定樹脂として複数種のポリイミド前駆体を含む場合、少なくとも１種のポリイミド前駆体の重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が上記範囲であることが好ましい。また、上記複数種のポリイミド前駆体を１つの樹脂として算出した重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が、それぞれ、上記範囲内であることも好ましい。
〔ポリイミド〕
　本発明に用いられるポリイミドは、アルカリ可溶性ポリイミドであってもよく、有機溶剤を主成分とする現像液に対して可溶なポリイミドであってもよい。
　本明細書において、アルカリ可溶性ポリイミドとは、１００ｇの２．３８質量％テトラメチルアンモニウム水溶液に対し、２３℃で０．１ｇ以上溶解するポリイミドをいい、パターン形成性の観点からは、０．５ｇ以上溶解するポリイミドであることが好ましく、１．０ｇ以上溶解するポリイミドであることが更に好ましい。上記溶解量の上限は特に限定されないが、１００ｇ以下であることが好ましい。
　また、ポリイミドは、得られる有機膜の膜強度及び絶縁性の観点からは、複数個のイミド構造を主鎖に有するポリイミドであることが好ましい。
　本明細書において、「主鎖」とは、樹脂を構成する高分子化合物の分子中で相対的に最も長い結合鎖をいい、「側鎖」とはそれ以外の結合鎖をいう。
－フッ素原子－
　得られる有機膜の膜強度の観点からは、ポリイミドは、フッ素原子を有することも好ましい。
　フッ素原子は、例えば、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３２、又は、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３１に含まれることが好ましく、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３２、又は、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３１にフッ化アルキル基として含まれることがより好ましい。
　ポリイミドの全質量に対するフッ素原子の量は、５質量％以上が好ましく、また、２０質量％以下が好ましい。
－ケイ素原子－
　得られる有機膜の膜強度の観点からは、ポリイミドは、ケイ素原子を有することも好ましい。
　ケイ素原子は、例えば、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３１に含まれることが好ましく、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３１に後述する有機変性（ポリ）シロキサン構造として含まれることがより好ましい。
　また、上記ケイ素原子又は上記有機変性（ポリ）シロキサン構造はポリイミドの側鎖に含まれていてもよいが、ポリイミドの主鎖に含まれることが好ましい。
　ポリイミドの全質量に対するケイ素原子の量は、１質量％以上が好ましく、２０質量％以下がより好ましい。
－エチレン性不飽和結合－
　得られる有機膜の膜強度の観点からは、ポリイミドは、エチレン性不飽和結合を有することが好ましい。
　ポリイミドは、エチレン性不飽和結合を主鎖末端に有していてもよいし、側鎖に有していてもよいが、側鎖に有することが好ましい。
　上記エチレン性不飽和結合は、ラジカル重合性を有することが好ましい。
　エチレン性不飽和結合は、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３２、又は、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３１に含まれることが好ましく、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３２、又は、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３１にエチレン性不飽和結合を有する基として含まれることがより好ましい。
　これらの中でも、エチレン性不飽和結合は、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３１に含まれることが好ましく、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３１にエチレン性不飽和結合を有する基として含まれることがより好ましい。
　エチレン性不飽和結合を有する基としては、ビニル基、アリル基、ビニルフェニル基等の芳香環に直接結合した、置換されていてもよいビニル基を有する基、（メタ）アクリルアミド基、（メタ）アクリロイルオキシ基、下記式（ＩＶ）で表される基などが挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000017
　式（ＩＶ）中、Ｒ２０は、水素原子、メチル基、エチル基又はメチロール基を表し、水素原子又はメチル基が好ましい。
　式（ＩＶ）中、Ｒ２１は、炭素数２～１２のアルキレン基、－Ｏ－ＣＨ２ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、－Ｏ（Ｃ＝Ｏ）ＮＨ－、炭素数２～３０の（ポリ）アルキレンオキシ基（アルキレン基の炭素数は２～１２が好ましく、２～６がより好ましく、２又は３が特に好ましい；繰返し数は１～１２が好ましく、１～６がより好ましく、１～３が特に好ましい）、又はこれらを２以上組み合わせた基を表す。
　また、上記炭素数２～１２のアルキレン基としては、直鎖状、分岐鎖状、環状又はこれらの組み合わせにより表されるアルキレン基のいずれであってもよい。
　上記炭素数２～１２のアルキレン基としては、炭素数２～８のアルキレン基が好ましく、炭素数２～４のアルキレン基がより好ましい。
　これらの中でも、Ｒ２１は下記式（Ｒ１）～式（Ｒ３）のいずれかで表される基であることが好ましく、式（Ｒ１）で表される基であることがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000018
　式（Ｒ１）～（Ｒ３）中、Ｌは単結合、又は、炭素数２～１２のアルキレン基、炭素数２～３０の（ポリ）アルキレンオキシ基若しくはこれらを２以上結合した基を表し、Ｘは酸素原子又は硫黄原子を表し、＊は他の構造との結合部位を表し、●は式（ＩＶ）中のＲ２１が結合する酸素原子との結合部位を表す。
　式（Ｒ１）～（Ｒ３）中、Ｌにおける炭素数２～１２のアルキレン基、又は、炭素数２～３０の（ポリ）アルキレンオキシ基の好ましい態様は、上述のＲ２１における、炭素数２～１２のアルキレン基、又は、炭素数２～３０の（ポリ）アルキレンオキシ基の好ましい態様と同様である。
　式（Ｒ１）中、Ｘは酸素原子であることが好ましい。
　式（Ｒ１）～（Ｒ３）中、＊は式（ＩＶ）中の＊と同義であり、好ましい態様も同様である。
　式（Ｒ１）で表される構造は、例えば、フェノール性ヒドロキシ基等のヒドロキシ基を有するポリイミドと、イソシアナト基及びエチレン性不飽和結合を有する化合物（例えば、２－イソシアナトエチルメタクリレート等）とを反応することにより得られる。
　式（Ｒ２）で表される構造は、例えば、カルボキシ基を有するポリイミドと、ヒドロキシ基及びエチレン性不飽和結合を有する化合物（例えば、２－ヒドロキシエチルメタクリレート等）とを反応することにより得られる。
　式（Ｒ３）で表される構造は、例えば、フェノール性ヒドロキシ基等のヒドロキシ基を有するポリイミドと、グリシジル基及びエチレン性不飽和結合を有する化合物（例えば、グリシジルメタクリレート等）とを反応することにより得られる。
　式（ＩＶ）中、＊は他の構造との結合部位を表し、ポリイミドの主鎖との結合部位であることが好ましい。
　ポリイミドの全質量に対するエチレン性不飽和結合の量は、０．０００１～０．１ｍｏｌ／ｇであることが好ましく、０．０００５～０．０５ｍｏｌ／ｇであることがより好ましい。
－エチレン性不飽和結合を有する基以外の重合性基－
　ポリイミドは、エチレン性不飽和結合を有する基以外の重合性基を有していてもよい。
　エチレン性不飽和結合を有する基以外の重合性基としては、エポキシ基、オキセタニル基等の環状エーテル基、メトキシメチル基等のアルコキシメチル基、メチロール基等が挙げられる。
　エチレン性不飽和結合を有する基以外の重合性基は、例えば、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３１に含まれることが好ましい。
　ポリイミドの全質量に対するエチレン性不飽和結合を有する基以外の重合性基の量は、０．０００１～０．１ｍｏｌ／ｇであることが好ましく、０．００１～０．０５ｍｏｌ／ｇであることがより好ましい。
－酸価－
　ポリイミドがアルカリ現像に供される場合、現像性を向上する観点からは、ポリイミドの酸価は、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることがより好ましく、７０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが更に好ましい。
　また、上記酸価は５００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが好ましく、４００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることがより好ましく、２００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが更に好ましい。
　また、ポリイミドが有機溶剤を主成分とする現像液を用いた現像（例えば、後述する「溶剤現像」）に供される場合、ポリイミドの酸価は、１～３５ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、２～３０ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましく、５～２０ｍｇＫＯＨ／ｇが更に好ましい。
　上記酸価は、公知の方法により測定され、例えば、ＪＩＳ　Ｋ　００７０：１９９２に記載の方法により測定される。
　また、ポリイミドに含まれる酸基としては、保存安定性及び現像性の両立の観点から、ｐＫａが０～１０である酸基が好ましく、３～８である酸基がより好ましい。
　ｐＫａとは、酸から水素イオンが放出される解離反応を考え、その平衡定数Ｋａをその負の常用対数ｐＫａによって表したものである。本明細書において、ｐＫａは、特に断らない限り、ＡＣＤ／ＣｈｅｍＳｋｅｔｃｈ（登録商標）による計算値とする。又は、日本化学会編「改定５版　化学便覧　基礎編」に掲載の値を参照してもよい。
　また、酸基が例えばリン酸等の多価の酸である場合、上記ｐＫａは第一解離定数である。
　このような酸基として、ポリイミドは、カルボキシ基、及び、フェノール性ヒドロキシ基よりなる群から選ばれた少なくとも１種を含むことが好ましく、フェノール性ヒドロキシ基を含むことがより好ましい。
－フェノール性ヒドロキシ基－
　アルカリ現像液による現像速度を適切なものとする観点からは、ポリイミドは、フェノール性ヒドロキシ基を有することが好ましい。
　ポリイミドは、フェノール性ヒドロキシ基を主鎖末端に有してもよいし、側鎖に有してもよい。
　フェノール性ヒドロキシ基は、例えば、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３２、又は、後述する式（４）で表される繰返し単位におけるＲ１３１に含まれることが好ましい。
　ポリイミドの全質量に対するフェノール性ヒドロキシ基の量は、０．１～３０ｍｏｌ／ｇであることが好ましく、１～２０ｍｏｌ／ｇであることがより好ましい。
　本発明で用いるポリイミドとしては、イミド構造を有する高分子化合物であれば、特に限定はないが、下記式（４）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000019
　式（４）中、Ｒ１３１は、２価の有機基を表し、Ｒ１３２は、４価の有機基を表す。
　重合性基を有する場合、重合性基は、Ｒ１３１及びＲ１３２の少なくとも一方に位置していてもよいし、下記式（４－１）又は式（４－２）に示すようにポリイミドの末端に位置していてもよい。
式（４－１）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000020
式（４－１）中、Ｒ１３３は重合性基であり、他の基は式（４）と同義である。
式（４－２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000021
　Ｒ１３４及びＲ１３５の少なくとも一方は重合性基であり、重合性基でない場合は有機基であり、他の基は式（４）と同義である。
　重合性基としては、上述のエチレン性不飽和結合を含む基、又は、上述のエチレン性不飽和結合を有する基以外の架橋性基が挙げられる。
　Ｒ１３１は、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、式（２）におけるＲ１１１と同様のものが例示され、好ましい範囲も同様である。
　また、Ｒ１３１としては、ジアミンのアミノ基の除去後に残存するジアミン残基が挙げられる。ジアミンとしては、脂肪族、環式脂肪族又は芳香族ジアミンなどが挙げられる。具体的な例としては、ポリイミド前駆体の式（２）中のＲ１１１の例が挙げられる。
　Ｒ１３１は、少なくとも２つのアルキレングリコール単位を主鎖にもつジアミン残基であることが、焼成時における反りの発生をより効果的に抑制する点で好ましい。より好ましくは、エチレングリコール鎖、プロピレングリコール鎖のいずれか又は両方を一分子中にあわせて２つ以上含むジアミン残基であり、更に好ましくは上記ジアミンであって、芳香環を含まないジアミン残基である。
　エチレングリコール鎖、プロピレングリコール鎖のいずれか又は両方を一分子中にあわせて２つ以上含むジアミンとしては、ジェファーミン（登録商標）ＫＨ－５１１、ＥＤ－６００、ＥＤ－９００、ＥＤ－２００３、ＥＤＲ－１４８、ＥＤＲ－１７６、Ｄ－２００、Ｄ－４００、Ｄ－２０００、Ｄ－４０００（以上商品名、ＨＵＮＴＳＭＡＮ（株）製）、１－（２－（２－（２－アミノプロポキシ）エトキシ）プロポキシ）プロパン－２－アミン、１－（１－（１－（２－アミノプロポキシ）プロパン－２－イル）オキシ）プロパン－２－アミンなどが挙げられるが、これらに限定されない。
　Ｒ１３２は、４価の有機基を表す。４価の有機基としては、式（２）におけるＲ１１５と同様のものが例示され、好ましい範囲も同様である。
　例えば、Ｒ１１５として例示される４価の有機基の４つの結合子が、上記式（４）中の４つの－Ｃ（＝Ｏ）－の部分と結合して縮合環を形成する。
　また、Ｒ１３２は、テトラカルボン酸二無水物から無水物基の除去後に残存するテトラカルボン酸残基などが挙げられる。具体的な例としては、ポリイミド前駆体の式（２）中のＲ１１５の例が挙げられる。有機膜の強度の観点から、Ｒ１３２は１～４つの芳香環を有する芳香族ジアミン残基であることが好ましい。
　Ｒ１３１とＲ１３２の少なくとも一方にＯＨ基を有することも好ましい。より具体的には、Ｒ１３１として、２，２－ビス（３－ヒドロキシ－４－アミノフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－ヒドロキシ－４－アミノフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、上記の（ＤＡ－１）～（ＤＡ－１８）が好ましい例として挙げられ、Ｒ１３２として、上記の（ＤＡＡ－１）～（ＤＡＡ－５）がより好ましい例として挙げられる。
　また、ポリイミドは、構造中にフッ素原子を有することも好ましい。ポリイミド中のフッ素原子の含有量は１０質量％以上が好ましく、また、２０質量％以下が好ましい。
　また、基板との密着性を向上させる目的で、ポリイミドは、シロキサン構造を有する脂肪族の基を共重合してもよい。具体的には、ジアミン成分として、ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ－アミノフェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどが挙げられる。
　また、樹脂組成物の保存安定性を向上させるため、ポリイミドの主鎖末端はモノアミン、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物などの末端封止剤により封止されていることが好ましい。これらのうち、モノアミンを用いることがより好ましく、モノアミンの好ましい化合物としては、アニリン、２－エチニルアニリン、３－エチニルアニリン、４－エチニルアニリン、５－アミノ－８－ヒドロキシキノリン、１－ヒドロキシ－７－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－６－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－５－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－４－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－７－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－６－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－５－アミノナフタレン、１－カルボキシ－７－アミノナフタレン、１－カルボキシ－６－アミノナフタレン、１－カルボキシ－５－アミノナフタレン、２－カルボキシ－７－アミノナフタレン、２－カルボキシ－６－アミノナフタレン、２－カルボキシ－５－アミノナフタレン、２－アミノ安息香酸、３－アミノ安息香酸、４－アミノ安息香酸、４－アミノサリチル酸、５－アミノサリチル酸、６－アミノサリチル酸、２－アミノベンゼンスルホン酸、３－アミノベンゼンスルホン酸、４－アミノベンゼンスルホン酸、３－アミノ－４，６－ジヒドロキシピリミジン、２－アミノフェノール、３－アミノフェノール、４－アミノフェノール、２－アミノチオフェノール、３－アミノチオフェノール、４－アミノチオフェノールなどが挙げられる。これらを２種以上用いてもよく、複数の末端封止剤を反応させることにより、複数の異なる末端基を導入してもよい。
－イミド化率（閉環率）－
　ポリイミドのイミド化率（「閉環率」ともいう）は、得られる有機膜の膜強度、絶縁性等の観点からは、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがより好ましい。
　上記イミド化率の上限は特に限定されず、１００％以下であればよい。
　上記イミド化率は、例えば下記方法により測定される。
　ポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定し、イミド構造由来の吸収ピークである１３７７ｃｍ－１付近のピーク強度Ｐ１を求める。次に、そのポリイミドを３５０℃で１時間熱処理した後、再度、赤外吸収スペクトルを測定し、１３７７ｃｍ－１付近のピーク強度Ｐ２を求める。得られたピーク強度Ｐ１、Ｐ２を用い、下記式に基づいて、ポリイミドのイミド化率を求めることができる。
　イミド化率（％）＝（ピーク強度Ｐ１／ピーク強度Ｐ２）×１００
　ポリイミドは、すべてが１種のＲ１３１又はＲ１３２を含む上記式（４）で表される繰返し単位を含んでいてもよく、２つ以上の異なる種類のＲ１３１又はＲ１３２を含む上記式（４）で表される繰返し単位を含んでいてもよい。また、ポリイミドは、上記式（４）で表される繰返し単位のほかに、他の種類の繰返し単位をも含んでいてもよい。他の種類の繰返し単位としては、例えば、上述の式（２）で表される繰返し単位等が挙げられる。
　ポリイミドは、例えば、低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミン（一部をモノアミンである末端封止剤に置換）を反応させる方法、低温中でテトラカルボン酸二無水物（一部を酸無水物又はモノ酸クロリド化合物又はモノ活性エステル化合物である末端封止剤に置換）とジアミンを反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後ジアミン（一部をモノアミンである末端封止剤に置換）と縮合剤の存在下で反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸を酸クロリド化し、ジアミン（一部をモノアミンである末端封止剤に置換）と反応させる方法などの方法を利用して、ポリイミド前駆体を得、これを、既知のイミド化反応法を用いて完全イミド化させる方法、又は、途中でイミド化反応を停止し、一部イミド構造を導入する方法、更には、完全イミド化したポリマーと、そのポリイミド前駆体をブレンドする事によって、一部イミド構造を導入する方法を利用して合成することができる。また、その他公知のポリイミドの合成方法を適用することもできる。
　ポリイミドの重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは５，０００～１００，０００であり、より好ましくは１０，０００～５０，０００であり、更に好ましくは１５，０００～４０，０００である。重量平均分子量を５，０００以上とすることにより、硬化後の膜の耐折れ性を向上させることができる。機械特性（例えば、破断伸び）に優れた有機膜を得るため、重量平均分子量は、１５，０００以上が特に好ましい。
　また、ポリイミドの数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは２，０００～４０，０００であり、より好ましくは３，０００～３０，０００であり、更に好ましくは４，０００～２０，０００である。
　上記ポリイミドの分子量の分散度は、１．５以上が好ましく、１．８以上がより好ましく、２．０以上であることが更に好ましい。ポリイミドの分子量の分散度の上限値は特に定めるものではないが、例えば、７．０以下が好ましく、６．５以下がより好ましく、６．０以下が更に好ましい。
　また、樹脂組成物が特定樹脂として複数種のポリイミドを含む場合、少なくとも１種のポリイミドの重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が上記範囲であることが好ましい。また、上記複数種のポリイミドを１つの樹脂として算出した重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が、それぞれ、上記範囲内であることも好ましい。
〔ポリベンゾオキサゾール前駆体〕
　本発明で用いるポリベンゾオキサゾール前駆体は、その構造等について特に定めるものではないが、好ましくは下記式（３）で表される繰返し単位を含む。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000022
　式（３）中、Ｒ１２１は、２価の有機基を表し、Ｒ１２２は、４価の有機基を表し、Ｒ１２３及びＲ１２４は、それぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表す。
　式（３）において、Ｒ１２３及びＲ１２４は、それぞれ、式（２）におけるＲ１１３と同義であり、好ましい範囲も同様である。すなわち、少なくとも一方は、重合性基であることが好ましい。
　式（３）において、Ｒ１２１は、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、脂肪族基及び芳香族基の少なくとも一方を含む基が好ましい。脂肪族基としては、直鎖の脂肪族基が好ましい。Ｒ１２１は、ジカルボン酸残基が好ましい。ジカルボン酸残基は、１種のみ用いてもよいし、２種以上用いてもよい。
　ジカルボン酸残基としては、脂肪族基を含むジカルボン酸及び芳香族基を含むジカルボン酸残基が好ましく、芳香族基を含むジカルボン酸残基がより好ましい。
　脂肪族基を含むジカルボン酸としては、直鎖又は分岐（好ましくは直鎖）の脂肪族基を含むジカルボン酸が好ましく、直鎖又は分岐（好ましくは直鎖）の脂肪族基と２つの－ＣＯＯＨからなるジカルボン酸がより好ましい。直鎖又は分岐（好ましくは直鎖）の脂肪族基の炭素数は、２～３０であることが好ましく、２～２５であることがより好ましく、３～２０であることが更に好ましく、４～１５であることが一層好ましく、５～１０であることが特に好ましい。直鎖の脂肪族基はアルキレン基であることが好ましい。
　直鎖の脂肪族基を含むジカルボン酸としては、マロン酸、ジメチルマロン酸、エチルマロン酸、イソプロピルマロン酸、ジ－ｎ－ブチルマロン酸、スクシン酸、テトラフルオロスクシン酸、メチルスクシン酸、２，２－ジメチルスクシン酸、２，３－ジメチルスクシン酸、ジメチルメチルスクシン酸、グルタル酸、ヘキサフルオログルタル酸、２－メチルグルタル酸、３－メチルグルタル酸、２，２－ジメチルグルタル酸、３，３－ジメチルグルタル酸、３－エチル－３－メチルグルタル酸、アジピン酸、オクタフルオロアジピン酸、３－メチルアジピン酸、ピメリン酸、２，２，６，６－テトラメチルピメリン酸、スベリン酸、ドデカフルオロスベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘキサデカフルオロセバシン酸、１，９－ノナン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、ヘンエイコサン二酸、ドコサン二酸、トリコサン二酸、テトラコサン二酸、ペンタコサン二酸、ヘキサコサン二酸、ヘプタコサン二酸、オクタコサン二酸、ノナコサン二酸、トリアコンタン二酸、ヘントリアコンタン二酸、ドトリアコンタン二酸、ジグリコール酸、更に下記式で表されるジカルボン酸等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000023
（式中、Ｚは炭素数１～６の炭化水素基であり、ｎは１～６の整数である。）
　芳香族基を含むジカルボン酸としては、以下の芳香族基を有するジカルボン酸が好ましく、以下の芳香族基を有する基と２つの－ＣＯＯＨのみからなるジカルボン酸がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000024
　式中、Ａは－ＣＨ２－、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－ＣＯ－、－ＮＨＣＯ－、－Ｃ（ＣＦ３）２－、及び、－Ｃ（ＣＨ３）２－からなる群から選択される２価の基を表し、＊はそれぞれ独立に、他の構造との結合部位を表す。
　芳香族基を含むジカルボン酸の具体例としては、４，４’－カルボニル二安息香酸及び４，４’－ジカルボキシジフェニルエーテル、テレフタル酸が挙げられる。
　式（３）において、Ｒ１２２は、４価の有機基を表す。４価の有機基としては、上記式（２）におけるＲ１１５と同義であり、好ましい範囲も同様である。
　Ｒ１２２は、また、ビスアミノフェノール誘導体由来の基であることが好ましく、ビスアミノフェノール誘導体由来の基としては、例えば、３，３’－ジアミノ－４，４’－ジヒドロキシビフェニル、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジヒドロキシビフェニル、３，３’－ジアミノ－４，４’－ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジヒドロキシジフェニルスルホン、ビス－（３－アミノ－４-ヒドロキシフェニル）メタン、２，２－ビス（３－アミノ－４-ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２－ビス－（３－アミノ－４-ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、２，２－ビス－（４－アミノ－３－ヒドロキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン、ビス－（４－アミノ－３-ヒドロキシフェニル）メタン、２，２－ビス－（４－アミノ－３-ヒドロキシフェニル）プロパン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジヒドロキシベンゾフェノン、３，３’－ジアミノ－４，４’－ジヒドロキシベンゾフェノン、４，４’－ジアミノ－３，３’－ジヒドロキシジフェニルエーテル、３，３’－ジアミノ－４，４’－ジヒドロキシジフェニルエーテル、１，４－ジアミノ－２，５－ジヒドロキシベンゼン、１，３－ジアミノ－２，４－ジヒドロキシベンゼン、１，３－ジアミノ－４，６－ジヒドロキシベンゼンなどが挙げられる。これらのビスアミノフェノールは、単独にて、あるいは混合して使用してもよい。
　ビスアミノフェノール誘導体のうち、下記芳香族基を有するビスアミノフェノール誘導体が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000025
　式中、Ｘ１は、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（ＣＦ３）２－、－ＣＨ２－、－ＳＯ２－、－ＮＨＣＯ－を表し、＊及び＃はそれぞれ、他の構造との結合部位を表す。Ｒは水素原子又は１価の置換基を表し、水素原子又は炭化水素基が好ましく、水素原子又はアルキル基がより好ましい。また、Ｒ１２２は、上記式により表される構造であることも好ましい。Ｒ１２２が、上記式により表される構造である場合、計４つの＊及び＃のうち、いずれか２つが式（３）中のＲ１２２が結合する窒素原子との結合部位であり、かつ、別の２つが式（３）中のＲ１２２が結合する酸素原子との結合部位であることが好ましく、２つの＊が式（３）中のＲ１２２が結合する酸素原子との結合部位であり、かつ、２つの＃が式（３）中のＲ１２２が結合する窒素原子との結合部位であるか、又は、２つの＊が式（３）中のＲ１２２が結合する窒素原子との結合部位であり、かつ、２つの＃が式（３）中のＲ１２２が結合する酸素原子との結合部位であることがより好ましく、２つの＊が式（３）中のＲ１２２が結合する酸素原子との結合部位であり、かつ、２つの＃が式（３）中のＲ１２２が結合する窒素原子との結合部位であることが更に好ましい。
　ビスアミノフェノール誘導体は、式（Ａ－ｓ）で表される化合物であることも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000026
　式（Ａ－ｓ）中、Ｒ１は、水素原子、アルキレン、置換アルキレン、－Ｏ－、－Ｓ－、－ＳＯ２－、－ＣＯ－、－ＮＨＣＯ－、単結合、又は下記式（Ａ－ｓｃ）の群から選ばれる有機基である。Ｒ２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、環状のアルキル基のいずれかであり、同一でも異なってもよい。Ｒ３は水素原子、直鎖又は分岐のアルキル基、アルコキシ基、アシルオキシ基、環状のアルキル基のいずれかであり、同一でも異なってもよい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000027
 （式（Ａ－ｓｃ）中、＊は上記式（Ａ－ｓ）で示されるビスアミノフェノール誘導体のアミノフェノール基の芳香環に結合することを示す。）
　上記式（Ａ－ｓ）中、フェノール性ヒドロキシ基のオルソ位、すなわち、Ｒ３にも置換基を有することが、アミド結合のカルボニル炭素とヒドロキシ基の距離をより接近させると考えられ、低温で硬化した際に高環化率になる効果が更に高まる点で、特に好ましい。
　また、上記式（Ａ－ｓ）中、Ｒ２がアルキル基であり、かつＲ３がアルキル基であることが、ｉ線に対する高透明性と低温で硬化した際に高環化率であるという効果を維持することができ、好ましい。
　また、上記式（Ａ－ｓ）中、Ｒ１がアルキレン又は置換アルキレンであることが、更に好ましい。Ｒ１に係るアルキレン及び置換アルキレンの具体的な例としては、炭素数１～８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基が挙げられるが、その中でも－ＣＨ２－、－ＣＨ（ＣＨ３）－、－Ｃ（ＣＨ３）２－が、ｉ線に対する高透明性と低温で硬化した際の高環化率であるという効果を維持しながら、溶剤に対して十分な溶解性を持つ、バランスに優れるポリベンゾオキサゾール前駆体を得ることができる点で、より好ましい。
　上記式（Ａ－ｓ）で示されるビスアミノフェノール誘導体の製造方法としては、例えば、特開２０１３－２５６５０６号公報の段落番号００８５～００９４及び実施例１（段落番号０１８９～０１９０）を参考にすることができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　上記式（Ａ－ｓ）で示されるビスアミノフェノール誘導体の構造の具体例としては、特開２０１３－２５６５０６号公報の段落番号００７０～００８０に記載のものが挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。もちろん、これらに限定されるものではないことは言うまでもない。
　ポリベンゾオキサゾール前駆体は上記式（３）の繰返し単位のほかに、他の種類の繰返し造単位も含んでよい。
　ポリベンゾオキサゾール前駆体は、閉環に伴う反りの発生を抑制できる点で、下記式（ＳＬ）で表されるジアミン残基を他の種類の繰返し単位として含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000028
　式（ＳＬ）中、Ｚは、ａ構造とｂ構造を有し、Ｒ１ｓは、水素原子又は炭素数１～１０の炭化水素基であり、Ｒ２ｓは炭素数１～１０の炭化水素基であり、Ｒ３ｓ、Ｒ４ｓ、Ｒ５ｓ、Ｒ６ｓのうち少なくとも１つは芳香族基で、残りは水素原子又は炭素数１～３０の有機基で、それぞれ同一でも異なっていてもよい。ａ構造及びｂ構造の重合は、ブロック重合でもランダム重合でもよい。Ｚ部分のモル％は、ａ構造は５～９５モル％、ｂ構造は９５～５モル％であり、ａ＋ｂは１００モル％である。
　式（ＳＬ）において、好ましいＺとしては、ｂ構造中のＲ５ｓ及びＲ６ｓがフェニル基であるものが挙げられる。また、式（ＳＬ）で示される構造の分子量は、４００～４，０００であることが好ましく、５００～３，０００がより好ましい。上記分子量を上記範囲とすることで、より効果的に、ポリベンゾオキサゾール前駆体の脱水閉環後の弾性率を下げ、反りを抑制できる効果と溶剤溶解性を向上させる効果を両立することができる。
　他の種類の繰返し単位として式（ＳＬ）で表されるジアミン残基を含む場合、更に、テトラカルボン酸二無水物から無水物基の除去後に残存するテトラカルボン酸残基を繰返し単位として含むことも好ましい。このようなテトラカルボン酸残基の例としては、式（２）中のＲ１１５の例が挙げられる。
　ポリベンゾオキサゾール前駆体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、例えば、好ましくは１８，０００～３０，０００であり、より好ましくは２０，０００～２９，０００であり、更に好ましくは２２，０００～２８，０００である。また、数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは７，２００～１４，０００であり、より好ましくは８，０００～１２，０００であり、更に好ましくは９，２００～１１，２００である。
　上記ポリベンゾオキサゾール前駆体の分子量の分散度は、１．４以上であることが好ましく、１．５以上がより好ましく、１．６以上であることが更に好ましい。ポリベンゾオキサゾール前駆体の分子量の分散度の上限値は特に定めるものではないが、例えば、２．６以下が好ましく、２．５以下がより好ましく、２．４以下が更に好ましく、２．３以下が一層好ましく、２．２以下がより一層好ましい。
　また、樹脂組成物が特定樹脂として複数種のポリベンゾオキサゾール前駆体を含む場合、少なくとも１種のポリベンゾオキサゾール前駆体の重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が上記範囲であることが好ましい。また、上記複数種のポリベンゾオキサゾール前駆体を１つの樹脂として算出した重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が、それぞれ、上記範囲内であることも好ましい。
〔ポリベンゾオキサゾール〕
　ポリベンゾオキサゾールとしては、ベンゾオキサゾール環を有する高分子化合物であれば、特に限定はないが、下記式（Ｘ）で表される化合物であることが好ましく、下記式（Ｘ）で表される化合物であって、重合性基を有する化合物であることがより好ましい。上記重合性基としては、ラジカル重合性基が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000029
　式（Ｘ）中、Ｒ１３３は、２価の有機基を表し、Ｒ１３４は、４価の有機基を表す。
　重合性基を有する場合、重合性基は、Ｒ１３３及びＲ１３４の少なくとも一方に位置していてもよいし、下記式（Ｘ－１）又は式（Ｘ－２）に示すようにポリベンゾオキサゾールの末端に位置していてもよい。
式（Ｘ－１）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000030
　式（Ｘ－１）中、Ｒ１３５及びＲ１３６の少なくとも一方は、重合性基であり、重合性基でない場合は有機基であり、他の基は式（Ｘ）と同義である。
式（Ｘ－２）
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000031
　式（Ｘ－２）中、Ｒ１３７は重合性基であり、他は置換基であり、他の基は式（Ｘ）と同義である。
　重合性基は、上記のポリイミド前駆体が有している重合性基で述べた重合性基と同義である。
　Ｒ１３３は、２価の有機基を表す。２価の有機基としては、脂肪族基又は芳香族基が挙げられる。具体的な例としては、ポリベンゾオキサゾール前駆体の式（３）中のＲ１２１の例が挙げられる。また、その好ましい例はＲ１２１と同様である。
　Ｒ１３４は、４価の有機基を表す。４価の有機基としては、ポリベンゾオキサゾール前駆体の式（３）中のＲ１２２の例が挙げられる。また、その好ましい例はＲ１２２と同様である。
　例えば、Ｒ１２２として例示される４価の有機基の４つの結合子が、上記式（Ｘ）中の窒素原子、酸素原子と結合して縮合環を形成する。例えば、Ｒ１３４が、下記有機基である場合、下記構造を形成する。下記構造中、＊はそれぞれ、式（Ｘ）中の窒素原子又は酸素原子との結合部位を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000032
　ポリベンゾオキサゾールはオキサゾール化率が８５％以上であることが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。上限は特に限定されず、１００％であってもよい。オキサゾール化率が８５％以上であることにより、加熱によりオキサゾール化される時に起こる閉環に基づく膜収縮が小さくなり、反りの発生をより効果的に抑えることができる。
　上記オキサゾール化率は、例えば下記方法により測定される。
　ポリベンゾオキサゾールの赤外吸収スペクトルを測定し、前駆体のアミド構造に由来する吸収ピークである１６５０ｃｍ－１付近のピーク強度Ｑ１を求める。次に、１４９０ｃｍ－１付近に見られる芳香環の吸収強度で規格化する。そのポリベンゾオキサゾールを３５０℃で１時間熱処理した後、再度、赤外吸収スペクトルを測定し、１６５０ｃｍ－１付近のピーク強度Ｑ２を求め、１４９０ｃｍ－１付近に見られる芳香環の吸収強度で規格化する。得られたピーク強度Ｑ１、Ｑ２の規格値を用い、下記式に基づいて、ポリベンゾオキサゾールのオキサゾール化率を求めることができる。
　オキサゾール化率（％）＝（ピーク強度Ｑ１の規格値／ピーク強度Ｑ２の規格値）×１００
　ポリベンゾオキサゾールは、すべてが１種のＲ１３１又はＲ１３２を含む上記式（Ｘ）の繰返し単位を含んでいてもよく、２つ以上の異なる種類のＲ１３１又はＲ１３２を含む上記式（Ｘ）の繰返し単位を含んでいてもよい。また、ポリベンゾオキサゾールは、上記式（Ｘ）の繰返し単位のほかに、他の種類の繰返し単位も含んでいてもよい。
　ポリベンゾオキサゾールは、例えば、ビスアミノフェノール誘導体と、Ｒ１３３を含むジカルボン酸又は上記ジカルボン酸の、ジカルボン酸ジクロライド及びジカルボン酸誘導体等から選ばれる化合物とを反応させて、ポリベンゾオキサゾール前駆体を得、これを既知のオキサゾール化反応法を用いてオキサゾール化させることで得られる。
　なお、ジカルボン酸の場合には反応収率等を高めるため、１－ヒドロキシ－１，２，３－ベンゾトリアゾール等を予め反応させた活性エステル型のジカルボン酸誘導体を用いてもよい。
　ポリベンゾオキサゾールの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５，０００～７０，０００が好ましく、８，０００～５０，０００がより好ましく、１０，０００～３０，０００が更に好ましい。重量平均分子量を５，０００以上とすることにより、硬化後の膜の耐折れ性を向上させることができる。機械特性に優れた有機膜を得るため、重量平均分子量は、２０，０００以上が特に好ましい。また、ポリベンゾオキサゾールを２種以上含有する場合、少なくとも１種のポリベンゾオキサゾールの重量平均分子量が上記範囲であることが好ましい。
　また、ポリベンゾオキサゾールの数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは７，２００～１４，０００であり、より好ましくは８，０００～１２，０００であり、更に好ましくは９，２００～１１，２００である。
　上記ポリベンゾオキサゾールの分子量の分散度は、１．４以上であることが好ましく、１．５以上がより好ましく、１．６以上であることが更に好ましい。ポリベンゾオキサゾールの分子量の分散度の上限値は特に定めるものではないが、例えば、２．６以下が好ましく、２．５以下がより好ましく、２．４以下が更に好ましく、２．３以下が一層好ましく、２．２以下がより一層好ましい。
　また、樹脂組成物が特定樹脂として複数種のポリベンゾオキサゾールを含む場合、少なくとも１種のポリベンゾオキサゾールの重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が上記範囲であることが好ましい。また、上記複数種のポリベンゾオキサゾールを１つの樹脂として算出した重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が、それぞれ、上記範囲内であることも好ましい。
〔ポリアミドイミド前駆体〕
　ポリアミドイミド前駆体は、下記式（ＰＡＩ－２）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000033
　式（ＰＡＩ－２）中、Ｒ１１７は３価の有機基を表し、Ｒ１１１は２価の有機基を表し、Ａ２は酸素原子又は－ＮＨ－を表し、Ｒ１１３は水素原子又は１価の有機基を表す。
　式（ＰＡＩ－２）中、Ｒ１１７は、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族基、環状の脂肪族基、及び芳香族基、複素芳香族基、又は単結合若しくは連結基によりこれらを２以上連結した基が例示され、炭素数２～２０の直鎖の脂肪族基、炭素数３～２０の分岐の脂肪族基、炭素数３～２０の環状の脂肪族基、炭素数６～２０の芳香族基、又は、単結合若しくは連結基によりこれらを２以上組み合わせた基が好ましく、炭素数６～２０の芳香族基、又は、単結合若しくは連結基により炭素数６～２０の芳香族基を２以上組み合わせた基がより好ましい。
　上記連結基としては、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）２－、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを２以上結合した連結基が好ましく、－Ｏ－、－Ｓ－、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを２以上結合した連結基がより好ましい。
　上記アルキレン基としては、炭素数１～２０のアルキレン基が好ましく、炭素数１～１０のアルキレン基がより好ましく、炭素数１～４のアルキレン基が更に好ましい。
　上記ハロゲン化アルキレン基としては、炭素数１～２０のハロゲン化アルキレン基が好ましく、炭素数１～１０のハロゲン化アルキレン基がより好ましく、炭素数１～４のハロゲン化アルキレン基がより好ましい。また、上記ハロゲン化アルキレン基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。上記ハロゲン化アルキレン基は、水素原子を有していても、水素原子の全てがハロゲン原子で置換されていてもよいが、水素原子の全てがハロゲン原子で置換されていることが好ましい。好ましいハロゲン化アルキレン基の例としては、（ジトリフルオロメチル）メチレン基等が挙げられる。
　上記アリーレン基としては、フェニレン基又はナフチレン基が好ましく、フェニレン基がより好ましく、１，３－フェニレン基又は１，４－フェニレン基が更に好ましい。
　また、Ｒ１１７は少なくとも１つのカルボキシ基がハロゲン化されていてもよいトリカルボン酸化合物から誘導されることが好ましい。上記ハロゲン化としては、塩素化が好ましい。
　本発明において、カルボキシ基を３つ有する化合物をトリカルボン酸化合物という。
　上記トリカルボン酸化合物の３つのカルボキシ基のうち２つのカルボキシ基は酸無水物化されていてもよい。
　ポリアミドイミド前駆体の製造に用いられるハロゲン化されていてもよいトリカルボン酸化合物としては、分岐鎖状の脂肪族、環状の脂肪族又は芳香族のトリカルボン酸化合物などが挙げられる。
　これらのトリカルボン酸化合物は、１種のみ用いてもよいし、２種以上用いてもよい。
　具体的には、トリカルボン酸化合物としては、炭素数２～２０の直鎖の脂肪族基、炭素数３～２０の分岐の脂肪族基、炭素数３～２０の環状の脂肪族基、炭素数６～２０の芳香族基、又は、単結合若しくは連結基によりこれらを２以上組み合わせた基を含むトリカルボン酸化合物が好ましく、炭素数６～２０の芳香族基、又は、単結合若しくは連結基により炭素数６～２０の芳香族基を２以上組み合わせた基を含むトリカルボン酸化合物がより好ましい。
　また、トリカルボン酸化合物の具体例としては、１，２，３－プロパントリカルボン酸、１，３，５－ペンタントリカルボン酸、クエン酸、トリメリット酸、２，３，６－ナフタレントリカルボン酸、フタル酸（又は、無水フタル酸）と安息香酸とが単結合、－Ｏ－、－ＣＨ２－、－Ｃ（ＣＨ３）２－、－Ｃ（ＣＦ３）２－、－ＳＯ２－又はフェニレン基で連結された化合物等が挙げられる。
　これらの化合物は、２つのカルボキシ基が無水物化した化合物（例えば、トリメリット酸無水物）であってもよいし、少なくとも１つのカルボキシ基がハロゲン化した化合物（例えば、無水トリメリット酸クロリド）であってもよい。
　式（ＰＡＩ－２）中、Ｒ１１１、Ａ２、Ｒ１１３はそれぞれ、上述の式（２）におけるＲ１１１、Ａ２、Ｒ１１３と同義であり、好ましい態様も同様である。
　ポリアミドイミド前駆体は他の繰返し単位を更に含んでもよい。
　他の繰返し単位としては、上述の式（２）で表される繰返し単位、下記式（ＰＡＩ－１）で表される繰返し単位等が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000034
　式（ＰＡＩ－１）中、Ｒ１１６は２価の有機基を表し、Ｒ１１１は２価の有機基を表す。
　式（ＰＡＩ－１）中、Ｒ１１６は、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族基、環状の脂肪族基、及び芳香族基、複素芳香族基、又は単結合若しくは連結基によりこれらを２以上連結した基が例示され、炭素数２～２０の直鎖の脂肪族基、炭素数３～２０の分岐の脂肪族基、炭素数３～２０の環状の脂肪族基、炭素数６～２０の芳香族基、又は、単結合若しくは連結基によりこれらを２以上組み合わせた基が好ましく、炭素数６～２０の芳香族基、又は、単結合若しくは連結基により炭素数６～２０の芳香族基を２以上組み合わせた基がより好ましい。
　上記連結基としては、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｓ（＝Ｏ）２－、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを２以上結合した連結基が好ましく、－Ｏ－、－Ｓ－、アルキレン基、ハロゲン化アルキレン基、アリーレン基、又はこれらを２以上結合した連結基がより好ましい。
　上記アルキレン基としては、炭素数１～２０のアルキレン基が好ましく、炭素数１～１０のアルキレン基がより好ましく、炭素数１～４のアルキレン基が更に好ましい。
　上記ハロゲン化アルキレン基としては、炭素数１～２０のハロゲン化アルキレン基が好ましく、炭素数１～１０のハロゲン化アルキレン基がより好ましく、炭素数１～４のハロゲン化アルキレン基がより好ましい。また、上記ハロゲン化アルキレン基におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられ、フッ素原子が好ましい。上記ハロゲン化アルキレン基は、水素原子を有していても、水素原子の全てがハロゲン原子で置換されていてもよいが、水素原子の全てがハロゲン原子で置換されていることが好ましい。好ましいハロゲン化アルキレン基の例としては、（ジトリフルオロメチル）メチレン基等が挙げられる。
　上記アリーレン基としては、フェニレン基又はナフチレン基が好ましく、フェニレン基がより好ましく、１，３－フェニレン基又は１，４－フェニレン基が更に好ましい。
　また、Ｒ１１６はジカルボン酸化合物又はジカルボン酸ジハライド化合物から誘導されることが好ましい。
　本発明において、カルボキシ基を２つ有する化合物をジカルボン酸化合物、ハロゲン化されたカルボキシ基を２つ有する化合物をジカルボン酸ジハライド化合物という。
　ジカルボン酸ジハライド化合物におけるカルボキシ基は、ハロゲン化されていればよいが、例えば、塩素化されていることが好ましい。すなわち、ジカルボン酸ジハライド化合物は、ジカルボン酸ジクロリド化合物であることが好ましい。
　ポリアミドイミド前駆体の製造に用いられるハロゲン化されていてもよいジカルボン酸化合物又はジカルボン酸ジハライド化合物としては、直鎖状又は分岐鎖状の脂肪族、環状の脂肪族又は芳香族ジカルボン酸化合物又はジカルボン酸ジハライド化合物などが挙げられる。
　これらのジカルボン酸化合物又はジカルボン酸ジハライド化合物は、１種のみ用いてもよいし、２種以上用いてもよい。
　具体的には、ジカルボン酸化合物又はジカルボン酸ジハライド化合物としては、炭素数２～２０の直鎖の脂肪族基、炭素数３～２０の分岐の脂肪族基、炭素数３～２０の環状の脂肪族基、炭素数６～２０の芳香族基、又は、単結合若しくは連結基によりこれらを２以上組み合わせた基を含むジカルボン酸化合物又はジカルボン酸ジハライド化合物が好ましく、炭素数６～２０の芳香族基、又は、単結合若しくは連結基により炭素数６～２０の芳香族基を２以上組み合わせた基を含むジカルボン酸化合物又はジカルボン酸ジハライド化合物がより好ましい。
　また、ジカルボン酸化合物の具体例としては、マロン酸、ジメチルマロン酸、エチルマロン酸、イソプロピルマロン酸、ジ－ｎ－ブチルマロン酸、スクシン酸、テトラフルオロスクシン酸、メチルスクシン酸、２，２－ジメチルスクシン酸、２，３－ジメチルスクシン酸、ジメチルメチルスクシン酸、グルタル酸、ヘキサフルオログルタル酸、２－メチルグルタル酸、３－メチルグルタル酸、２，２－ジメチルグルタル酸、３，３－ジメチルグルタル酸、３－エチル－３－メチルグルタル酸、アジピン酸、オクタフルオロアジピン酸、３－メチルアジピン酸、ピメリン酸、２，２，６，６－テトラメチルピメリン酸、スベリン酸、ドデカフルオロスベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ヘキサデカフルオロセバシン酸、１，９－ノナン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、ヘキサデカン二酸、ヘプタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸、ヘンエイコサン二酸、ドコサン二酸、トリコサン二酸、テトラコサン二酸、ペンタコサン二酸、ヘキサコサン二酸、ヘプタコサン二酸、オクタコサン二酸、ノナコサン二酸、トリアコンタン二酸、ヘントリアコンタン二酸、ドトリアコンタン二酸、ジグリコール酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、４，４’－ビフェニルカルボン酸、４，４’－ビフェニルカルボン酸、４，４’－ジカルボキシジフェニルエーテル、ベンゾフェノン－４，４’－ジカルボン酸等が挙げられる。
　ジカルボン酸ジハライド化合物の具体例としては、上記ジカルボン酸化合物の具体例における２つのカルボキシ基をハロゲン化した構造の化合物が挙げられる。
　式（ＰＡＩ－１）中、Ｒ１１１は上述の式（２）におけるＲ１１１と同義であり、好ましい態様も同様である。
　また、ポリアミドイミド前駆体は、構造中にフッ素原子を有することも好ましい。ポリアミドイミド前駆体中のフッ素原子含有量は、１０質量％以上が好ましく、また、２０質量％以下が好ましい。
　また、基板との密着性を向上させる目的で、ポリアミドイミド前駆体は、シロキサン構造を有する脂肪族基と共重合していてもよい。具体的には、ジアミン成分として、ビス（３－アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン、ビス（ｐ－アミノフェニル）オクタメチルペンタシロキサンなどを用いる態様が挙げられる。
　本発明におけるポリアミドイミド前駆体の一実施形態として、式（ＰＡＩ－２）で表される繰返し単位、式（ＰＡＩ－１）で表される繰返し単位、及び、式（２）で表される繰返し単位の合計含有量が、全繰返し単位の５０モル％以上である態様が挙げられる。上記合計含有量は、７０モル％以上であることがより好ましく、９０モル％以上であることが更に好ましく、９０モル％超であることが特に好ましい。上記合計含有量の上限は、特に限定されず、末端を除くポリアミドイミド前駆体における全ての繰返し単位が、式（ＰＡＩ－２）で表される繰返し単位、式（ＰＡＩ－１）で表される繰返し単位、及び、式（２）で表される繰返し単位のいずれかであってもよい。
　また、本発明におけるポリアミドイミド前駆体の別の一実施形態として、式（ＰＡＩ－２）で表される繰返し単位、及び、式（ＰＡＩ－１）で表される繰返し単位の合計含有量が、全繰返し単位の５０モル％以上である態様が挙げられる。上記合計含有量は、７０モル％以上であることがより好ましく、９０モル％以上であることが更に好ましく、９０モル％超であることが特に好ましい。上記合計含有量の上限は、特に限定されず、末端を除くポリアミドイミド前駆体における全ての繰返し単位が、式（ＰＡＩ－２）で表される繰返し単位、又は、式（ＰＡＩ－１）で表される繰返し単位のいずれかであってもよい。
　ポリアミドイミド前駆体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは２，０００～５００，０００であり、より好ましくは５，０００～１００，０００であり、更に好ましくは１０，０００～５０，０００である。また、数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは８００～２５０，０００であり、より好ましくは、２，０００～５０，０００であり、更に好ましくは、４，０００～２５，０００である。
　ポリアミドイミド前駆体の分子量の分散度は、１．５以上が好ましく、１．８以上がより好ましく、２．０以上であることが更に好ましい。ポリアミドイミド前駆体の分子量の分散度の上限値は特に定めるものではないが、例えば、７．０以下が好ましく、６．５以下がより好ましく、６．０以下が更に好ましい。　また、樹脂組成物が特定樹脂として複数種のポリアミドイミド前駆体を含む場合、少なくとも１種のポリアミドイミド前駆体の重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が上記範囲であることが好ましい。また、上記複数種のポリアミドイミド前駆体を１つの樹脂として算出した重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が、それぞれ、上記範囲内であることも好ましい。
〔ポリアミドイミド〕
　本発明に用いられるポリアミドイミドは、アルカリ可溶性ポリアミドイミドであってもよく、有機溶剤を主成分とする現像液に対して可溶なポリアミドイミドであってもよい。
　本明細書において、アルカリ可溶性ポリアミドイミドとは、１００ｇの２．３８質量％テトラメチルアンモニウム水溶液に対し、２３℃で０．１ｇ以上溶解するポリアミドイミドをいい、パターン形成性の観点からは、０．５ｇ以上溶解するポリアミドイミドであることが好ましく、１．０ｇ以上溶解するポリアミドイミドであることが更に好ましい。上記溶解量の上限は特に限定されないが、１００ｇ以下であることが好ましい。
　また、ポリアミドイミドは、得られる有機膜の膜強度及び絶縁性の観点からは、複数個のアミド結合及び複数個のイミド構造を主鎖に有するポリアミドイミドであることが好ましい。
－フッ素原子－
　得られる有機膜の膜強度の観点からは、ポリアミドイミドは、フッ素原子を有することが好ましい。
　フッ素原子は、例えば、後述する式（ＰＡＩ－３）で表される繰返し単位におけるＲ１１７、又は、Ｒ１１１に含まれることが好ましく、後述する式（ＰＡＩ－３）で表される繰返し単位におけるＲ１１７、又は、Ｒ１１１にフッ化アルキル基として含まれることがより好ましい。
　ポリアミドイミドの全質量に対するフッ素原子の量は、５質量％以上が好ましく、また、２０質量％以下が好ましい。
－エチレン性不飽和結合－
　得られる有機膜の膜強度の観点からは、ポリアミドイミドは、エチレン性不飽和結合を有してもよい。
　ポリアミドイミドは、エチレン性不飽和結合を主鎖末端に有していてもよいし、側鎖に有していてもよいが、側鎖に有することが好ましい。
　上記エチレン性不飽和結合は、ラジカル重合性を有することが好ましい。
　エチレン性不飽和結合は、後述する式（ＰＡＩ－３）で表される繰返し単位におけるＲ１１７、又は、Ｒ１１１に含まれることが好ましく、後述する式（ＰＡＩ－３）で表される繰返し単位におけるＲ１１７、又は、Ｒ１１１にエチレン性不飽和結合を有する基として含まれることがより好ましい。
　エチレン性不飽和結合を有する基の好ましい態様は、上述のポリイミドにおけるエチレン性不飽和結合を有する基の好ましい態様と同様である。
　ポリアミドイミドの全質量に対するエチレン性不飽和結合の量は、０．０００１～０．１ｍｏｌ／ｇであることが好ましく、０．００１～０．０５ｍｏｌ／ｇであることがより好ましい。
－エチレン性不飽和結合以外の重合性基－
　ポリアミドイミドは、エチレン性不飽和結合以外の重合性基を有していてもよい。
　ポリアミドイミドにおけるエチレン性不飽和結合以外の重合性基としては、上述のポリイミドにおけるエチレン性不飽和結合以外の重合性基と同様の基が挙げられる。
　エチレン性不飽和結合以外の重合性基は、例えば、後述する式（ＰＡＩ－３）で表される繰返し単位におけるＲ１１１に含まれることが好ましい。
　ポリアミドイミドの全質量に対するエチレン性不飽和結合以外の重合性基の量は、０．０５～１０ｍｏｌ／ｇであることが好ましく、０．１～５ｍｏｌ／ｇであることがより好ましい。
－酸価－
　ポリアミドイミドがアルカリ現像に供される場合、現像性を向上する観点からは、ポリアミドイミドの酸価は、３０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが好ましく、５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることがより好ましく、７０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上であることが更に好ましい。
　また、上記酸価は５００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが好ましく、４００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることがより好ましく、２００ｍｇＫＯＨ／ｇ以下であることが更に好ましい。
　また、ポリアミドイミドが有機溶剤を主成分とする現像液を用いた現像（例えば、後述する「溶剤現像」）に供される場合、ポリアミドイミドの酸価は、２～３５ｍｇＫＯＨ／ｇが好ましく、３～３０ｍｇＫＯＨ／ｇがより好ましく、５～２０ｍｇＫＯＨ／ｇが更に好ましい。
　上記酸価は、公知の方法により測定され、例えば、ＪＩＳ　Ｋ　００７０：１９９２に記載の方法により測定される。
　また、ポリアミドイミドに含まれる酸基としては、上述のポリイミドにおける酸基と同様の基が挙げられ、好ましい態様も同様である。
－フェノール性ヒドロキシ基－
　アルカリ現像液による現像速度を適切なものとする観点からは、ポリアミドイミドは、フェノール性ヒドロキシ基を有することが好ましい。
　ポリアミドイミドは、フェノール性ヒドロキシ基を主鎖末端に有してもよいし、側鎖に有してもよい。
　フェノール性ヒドロキシ基は、例えば、後述する式（ＰＡＩ－３）で表される繰返し単位におけるＲ１１７、又は、Ｒ１１１に含まれることが好ましい。
　ポリアミドイミドの全質量に対するフェノール性ヒドロキシ基の量は、０．１～３０ｍｏｌ／ｇであることが好ましく、１～２０ｍｏｌ／ｇであることがより好ましい。
　本発明で用いるポリアミドイミドとしては、イミド構造及びアミド結合を有する高分子化合物であれば、特に限定はないが、下記式（ＰＡＩ－３）で表される繰返し単位を含むことが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000035
　式（ＰＡＩ－３）中、Ｒ１１１及びＲ１１７はそれぞれ、式（ＰＡＩ－２）中のＲ１１１及びＲ１１７と同義であり、好ましい態様も同様である。
　重合性基を有する場合、重合性基は、Ｒ１１１及びＲ１１７の少なくとも一方に位置していてもよいし、ポリアミドイミドの末端に位置していてもよい。
　また、樹脂組成物の保存安定性を向上させるため、ポリアミドイミドは主鎖末端をモノアミン、酸無水物、モノカルボン酸、モノ酸クロリド化合物、モノ活性エステル化合物などの末端封止剤で封止することが好ましい。末端封止剤の好ましい態様は、上述のポリイミドにおける末端封止剤の好ましい態様と同様である。
－イミド化率（閉環率）－
　ポリアミドイミドのイミド化率（「閉環率」ともいう）は、得られる有機膜の膜強度、絶縁性等の観点からは、７０％以上であることが好ましく、８０％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがより好ましい。
　上記イミド化率の上限は特に限定されず、１００％以下であればよい。
　上記イミド化率は、上述のポリイミドの閉環率と同様の方法により測定される。
　ポリアミドイミドは、すべてが１種のＲ１１１又はＲ１１７を含む上記式（ＰＡＩ－３）で表される繰返し単位を含んでいてもよく、２つ以上の異なる種類のＲ１３１又はＲ１３２を含む上記式（ＰＡＩ－３）で表される繰返し単位を含んでいてもよい。また、ポリアミドイミドは、上記式（ＰＡＩ－３）で表される繰返し単位のほかに、他の種類の繰返し単位をも含んでいてもよい。他の種類の繰返し単位としては、上述の式（ＰＡＩ－１）又は式（ＰＡＩ－２）で表される繰返し単位等が挙げられる。
　ポリアミドイミドは、例えば、公知の方法によりポリアミドイミド前駆体を得、これを、既知のイミド化反応法を用いて完全イミド化させる方法、又は、途中でイミド化反応を停止し、一部イミド構造を導入する方法、更には、完全イミド化したポリマーと、そのポリアミドイミド前駆体をブレンドする事によって、一部イミド構造を導入する方法を利用して合成することができる。
　ポリアミドイミドの重量平均分子量（Ｍｗ）は、５，０００～７０，０００が好ましく、８，０００～５０，０００がより好ましく、１０，０００～３０，０００が更に好ましい。重量平均分子量を５，０００以上とすることにより、硬化後の膜の耐折れ性を向上させることができる。機械特性に優れた有機膜を得るため、重量平均分子量は、２０，０００以上が特に好ましい。
また、ポリアミドイミドの数平均分子量（Ｍｎ）は、好ましくは８００～２５０，０００であり、より好ましくは、２，０００～５０，０００であり、更に好ましくは、４，０００～２５，０００である。
　ポリアミドイミドの分子量の分散度は、１．５以上が好ましく、１．８以上がより好ましく、２．０以上であることが更に好ましい。ポリアミドイミドの分子量の分散度の上限値は特に定めるものではないが、例えば、７．０以下が好ましく、６．５以下がより好ましく、６．０以下が更に好ましい。
　また、樹脂組成物が特定樹脂として複数種のポリアミドイミドを含む場合、少なくとも１種のポリアミドイミドの重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が上記範囲であることが好ましい。また、上記複数種のポリアミドイミドを１つの樹脂として算出した重量平均分子量、数平均分子量、及び、分散度が、それぞれ、上記範囲内であることも好ましい。
〔ポリイミド前駆体等の製造方法〕
　ポリイミド前駆体等は、例えば、低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させる方法、低温中でテトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させてポリアミック酸を得、縮合剤又はアルキル化剤を用いてエステル化する方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得て、その後ジアミンと縮合剤の存在下で反応させる方法、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸をハロゲン化剤を用いて酸ハロゲン化し、ジアミンと反応させる方法、などの方法を利用して得ることができる。上記製造方法のうち、テトラカルボン酸二無水物とアルコールとによりジエステルを得、その後残りのジカルボン酸をハロゲン化剤を用いて酸ハロゲン化し、ジアミンと反応させる方法がより好ましい。
　上記縮合剤としては、例えばジシクロヘキシルカルボジイミド、ジイソプロピルカルボジイミド、１－エトキシカルボニル－２－エトキシ－１，２－ジヒドロキノリン、１，１－カルボニルジオキシ－ジ－１，２，３－ベンゾトリアゾール、Ｎ，Ｎ’－ジスクシンイミジルカーボネート、無水トリフルオロ酢酸等が挙げられる。
　上記アルキル化剤としては、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドジメチルアセタール、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミドジエチルアセタール、Ｎ，Ｎ－ジアルキルホルムアミドジアルキルアセタール、オルトギ酸トリメチル、オルトギ酸トリエチル等が挙げられる。
　上記ハロゲン化剤としては、塩化チオニル、塩化オキサリル、オキシ塩化リン等が挙げられる。
　ポリイミド前駆体等の製造方法では、反応に際し、有機溶剤を用いることが好ましい。有機溶剤は１種でもよいし、２種以上でもよい。
　有機溶剤としては、原料に応じて適宜定めることができるが、ピリジン、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ－エチルピロリドン、プロピオン酸エチル、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、γ－ブチロラクトン等が例示される。
　ポリイミド前駆体等の製造方法では、反応に際し、塩基性化合物を添加することが好ましい。塩基性化合物は１種でもよいし、２種以上でもよい。
　塩基性化合物は、原料に応じて適宜定めることができるが、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、ピリジン、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ－７－エン、Ｎ，Ｎ－ジメチル－４－アミノピリジン等が例示される。
－末端封止剤－
　ポリイミド前駆体等の製造方法に際し、保存安定性をより向上させるため、ポリイミド前駆体等の樹脂末端に残存するカルボン酸無水物、酸無水物誘導体、或いは、アミノ基を封止することが好ましい。樹脂末端に残存するカルボン酸無水物、及び酸無水物誘導体を封止する際、末端封止剤としては、モノアルコール、フェノール、チオール、チオフェノール、モノアミン等が挙げられ、反応性、膜の安定性から、モノアルコール、フェノール類やモノアミンを用いることがより好ましい。モノアルコールの好ましい化合物としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ヘキサノール、オクタノール、ドデシノール、ベンジルアルコール、２－フェニルエタノール、２－メトキシエタノール、２－クロロメタノール、フルフリルアルコール等の１級アルコール、イソプロパノール、２－ブタノール、シクロヘキシルアルコール、シクロペンタノール、１－メトキシ－２－プロパノール等の２級アルコール、ｔ－ブチルアルコール、アダマンタンアルコール等の３級アルコールが挙げられる。フェノール類の好ましい化合物としては、フェノール、メトキシフェノール、メチルフェノール、ナフタレン－１－オール、ナフタレン－２－オール、ヒドロキシスチレン等のフェノール類などが挙げられる。また、モノアミンの好ましい化合物としては、アニリン、２－エチニルアニリン、３－エチニルアニリン、４－エチニルアニリン、５－アミノ－８－ヒドロキシキノリン、１－ヒドロキシ－７－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－６－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－５－アミノナフタレン、１－ヒドロキシ－４－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－７－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－６－アミノナフタレン、２－ヒドロキシ－５－アミノナフタレン、１－カルボキシ－７－アミノナフタレン、１－カルボキシ－６－アミノナフタレン、１－カルボキシ－５－アミノナフタレン、２－カルボキシ－７－アミノナフタレン、２－カルボキシ－６－アミノナフタレン、２－カルボキシ－５－アミノナフタレン、２－アミノ安息香酸、３－アミノ安息香酸、４－アミノ安息香酸、４－アミノサリチル酸、５－アミノサリチル酸、６－アミノサリチル酸、２－アミノベンゼンスルホン酸、３－アミノベンゼンスルホン酸、４－アミノベンゼンスルホン酸、３－アミノ－４，６－ジヒドロキシピリミジン、２－アミノフェノール、３－アミノフェノール、４－アミノフェノール、２－アミノチオフェノール、３－アミノチオフェノール、４－アミノチオフェノールなどが挙げられる。これらを２種以上用いてもよく、複数の末端封止剤を反応させることにより、複数の異なる末端基を導入してもよい。
　また、樹脂末端のアミノ基を封止する際、アミノ基と反応可能な官能基を有する化合物で封止することが可能である。アミノ基に対する好ましい封止剤は、カルボン酸無水物、カルボン酸クロリド、カルボン酸ブロミド、スルホン酸クロリド、無水スルホン酸、スルホン酸カルボン酸無水物などが好ましく、カルボン酸無水物、カルボン酸クロリドがより好ましい。カルボン酸無水物の好ましい化合物としては、無水酢酸、無水プロピオン酸、無水シュウ酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水安息香酸、５－ノルボルネン－２，３－ジカルボン酸無水物などが挙げられる。また、カルボン酸クロリドの好ましい化合物としては、塩化アセチル、アクリル酸クロリド、プロピオニルクロリド、メタクリル酸クロリド、ピバロイルクロリド、シクロヘキサンカルボニルクロリド、２－エチルヘキサノイルクロリド、シンナモイルクロリド、１－アダマンタンカルボニルクロリド、ヘプタフルオロブチリルクロリド、ステアリン酸クロリド、ベンゾイルクロリド、などが挙げられる。
－固体析出－
　ポリイミド前駆体等の製造に際し、固体を析出する工程を含んでいてもよい。具体的には、反応液中に共存している脱水縮合剤の吸水副生物を必要に応じて濾別した後、水、脂肪族低級アルコール、又はその混合液等の貧溶媒に、得られた重合体成分を投入し、重合体成分を析出させることで、固体として析出させ、乾燥させることでポリイミド前駆体等を得ることができる。精製度を向上させるために、ポリイミド前駆体等を再溶解、再沈析出、乾燥等の操作を繰返してもよい。さらに、イオン交換樹脂を用いてイオン性不純物を除去する工程を含んでいてもよい。
〔含有量〕
　本発明の樹脂組成物における特定樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し２０質量％以上であることが好ましく、３０質量％以上であることがより好ましく、４０質量％以上であることが更に好ましく、５０質量％以上であることが一層好ましい。また、本発明の樹脂組成物における樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、９９．５質量％以下であることが好ましく、９９質量％以下であることがより好ましく、９８質量％以下であることが更に好ましく、９７質量％以下であることが一層好ましく、９５質量％以下であることがより一層好ましい。
　本発明の樹脂組成物は、特定樹脂を１種のみ含んでいてもよいし、２種以上含んでいてもよい。２種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
　また、本発明の樹脂組成物は、少なくとも２種の樹脂を含むことも好ましい。
　具体的には、本発明の樹脂組成物は、特定樹脂と、後述する他の樹脂とを合計で２種以上含んでもよいし、特定樹脂を２種以上含んでいてもよいが、特定樹脂を２種以上含むことが好ましい。
　本発明の樹脂組成物が特定樹脂を２種以上含む場合、例えば、ポリイミド前駆体であって、二無水物由来の構造（上述の式（２）でいうＲ１１５）が異なる２種以上のポリイミド前駆体を含むことが好ましい。
＜他の樹脂＞
　本発明の樹脂組成物は、上述した特定樹脂に加えて、又は、上述の特定樹脂に代えて、特定樹脂とは異なる他の樹脂（以下、単に「他の樹脂」ともいう）を含んでもよい。
　他の樹脂としては、フェノール樹脂、ポリアミド、エポキシ樹脂、ポリシロキサン、シロキサン構造を含む樹脂、（メタ）アクリル樹脂、（メタ）アクリルアミド樹脂、ウレタン樹脂、ブチラール樹脂、スチリル樹脂、ポリエーテル樹脂、ポリエステル樹脂等が挙げられる。
　例えば、（メタ）アクリル樹脂を更に加えることにより、塗布性に優れた樹脂組成物が得られ、また、耐溶剤性に優れたパターン（硬化物）が得られる。
　例えば、後述する重合性化合物に代えて、又は、後述する重合性化合物に加えて、重量平均分子量が２０，０００以下の重合性基価の高い（例えば、樹脂１ｇにおける重合性基の含有モル量が１×１０－３モル／ｇ以上である）（メタ）アクリル樹脂を樹脂組成物に添加することにより、樹脂組成物の塗布性、パターン（硬化物）の耐溶剤性等を向上させることができる。
　本発明の樹脂組成物が他の樹脂を含む場合、他の樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、０．０１質量％以上であることが好ましく、０．０５質量％以上であることがより好ましく、１質量％以上であることが更に好ましく、２質量％以上であることが一層好ましく、５質量％以上であることがより一層好ましく、１０質量％以上であることが更に一層好ましい。
　また、本発明の樹脂組成物における、他の樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、８０質量％以下であることが好ましく、７５質量％以下であることがより好ましく、７０質量％以下であることが更に好ましく、６０質量％以下であることが一層好ましく、５０質量％以下であることがより一層好ましい。
　また、本発明の樹脂組成物の好ましい一態様として、他の樹脂の含有量が低含有量である態様とすることもできる。上記態様において、他の樹脂の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、２０質量％以下であることが好ましく、１５質量％以下であることがより好ましく、１０質量％以下であることが更に好ましく、５質量％以下であることが一層好ましく、１質量％以下であることがより一層好ましい。上記含有量の下限は特に限定されず、０質量％以上であればよい。
　本発明の樹脂組成物は、他の樹脂を１種のみ含んでいてもよいし、２種以上含んでいてもよい。２種以上含む場合、合計量が上記範囲となることが好ましい。
＜化合物Ａ＞
　本発明の第１の態様におけるネガ型感光性樹脂組成物は、露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物Ａを含む。
　ネガ型感光性樹脂組成物に含まれるある化合物ａが化合物Ａに該当するか否か（すなわち、露光によりその露光波長の吸光度が小さくなるか否か）は、下記の方法により判定することができる。
　まず、ネガ型感光性樹脂組成物に含まれる濃度と同濃度の化合物ａの溶液を調製し、露光光の波長における化合物ａのモル吸光係数（ｍｏｌ－１・Ｌ・ｃｍ－１、「モル吸光係数１」ともいう。）を測定する。上記測定は、化合物ａのモル吸光係数の低下などの変化の影響が小さくなるよう手早く行う。上記溶液における溶剤は、ネガ型感光性樹脂組成物が溶剤を含む場合はその溶剤を、ネガ型感光性樹脂組成物が溶剤を含まない場合はＮ－メチル－２－ピロリドンを用いる。
　次に、上記化合物ａの溶液に対して露光光の照射を行う。露光量は１モルの化合物ａに対して積算量として５００ｍＪとする。
　その後、露光後の上記化合物ａの溶液を用い、露光光の波長における化合物ａのモル吸光係数（ｍｏｌ－１・Ｌ・ｃｍ－１、「モル吸光係数２」ともいう。）を測定する。
　上記モル吸光係数１及びモル吸光係数２から、下記式に基づいて減衰率（％）を算出し、減衰率（％）が５％以上である場合に、化合物ａは露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物（すなわち、化合物Ａ）であると判断する。
　減衰率（％）＝１－モル吸光係数２／モル吸光係数１×１００
　上記減衰率は、１０％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましい。また、上記減衰率の下限は特に限定されず、０％以上であればよい。
　上記露光光の波長としては、ネガ型感光性樹脂組成物を感光膜の形成に用いる場合にはその感光膜が露光される波長であればよい。
　また、上記露光光の波長としては、ネガ型感光性樹脂組成物に含まれる光重合開始剤が感度を有する波長であることが好ましい。光重合開始剤がある波長に対して感度を有するとは、光重合開始剤をある波長において露光した際に重合開始種を生じることをいう。
　上記露光光の波長としては、光源との関係でいうと、（１）半導体レーザー（波長　８３０ｎｍ、５３２ｎｍ、４８８ｎｍ、４０５ｎｍ、３７５ｎｍ、３５５ｎｍ　ｅｔｃ．）、（２）メタルハライドランプ、（３）高圧水銀灯、ｇ線（波長　４３６ｎｍ）、ｈ線（波長　４０５ｎｍ）、ｉ線（波長　３６５ｎｍ）、ブロード（ｇ，ｈ，ｉ線の３波長）、（４）エキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー（波長　２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長　１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（波長　１５７ｎｍ）、（５）極端紫外線；ＥＵＶ（波長　１３．６ｎｍ）、（６）電子線、（７）ＹＡＧレーザーの第二高調波５３２ｎｍ、第三高調波３５５ｎｍ等が挙げられる。
　露光光の波長は、例えば光重合開始剤が感度を有する波長を選択すればよいが、ｈ線（波長　４０５ｎｍ）又はｉ線（波長　３６５ｎｍ）が好ましく、ｉ線（波長　３６５ｎｍ）がより好ましい。
　化合物Ａは、露光によりラジカル重合開始種を発生する化合物であってもよいが、解像性及び耐薬品性の観点からは、露光によりラジカル重合開始種を発生しない化合物であることが好ましい。
　化合物Ａが露光によりラジカル重合開始種を発生する化合物であるか否かは、下記の方法により判定される。
　ネガ型感光性樹脂組成物に含まれる濃度と同濃度の化合物Ａ、及び、ラジカル架橋剤を含む溶液を調製する。ネガ型感光性樹脂組成物がラジカル架橋剤を含む場合、上記溶液中のラジカル架橋剤としては、ネガ型感光性樹脂組成物に含まれるラジカル架橋剤と同一の化合物を同濃度で使用する。ネガ型感光性樹脂組成物がラジカル架橋剤を含まない場合、メタクリル酸メチルを化合物Ａの５倍の濃度で使用する。
　その後、露光光の照射を行う。露光量は積算量として５００ｍＪとする。
　露光後に、例えば高速液体クロマトグラフィにより重合性化合物の重合を判断し、重合性化合物の全モル量に対して重合した重合性化合物のモル量の割合が１０％以下である場合に、化合物Ａが露光によりラジカル重合開始種を発生しない化合物であると判定する。
　上記モル量の割合は５％以下であることが好ましく、３％以下であることがより好ましい。また、上記モル量の割合の下限は特に限定されず、０％であってもよい。
　上記露光光の波長としては、ネガ型感光性樹脂組成物を感光膜の形成に用いる場合にはその感光膜が露光される波長であればよい。
　また、上記露光光の波長としては、ネガ型感光性樹脂組成物に含まれる光重合開始剤が感度を有する波長であることが好ましい。
　また、上記露光光の波長としては、ネガ型感光性樹脂組成物に含まれる光重合開始剤が感度を有する波長であることが好ましい。
　露光によりラジカル重合開始種を発生する化合物としては、後述の光ラジカル重合開始剤と同様の化合物が挙げられる。組成物が化合物Ａとして光ラジカル重合開始剤を含む場合、発生するラジカル種の重合開始能が最も低いものを化合物Ａ、それ以外を光重合開始剤とする。
　露光によりラジカル重合開始種を発生しない化合物としては、光酸発生剤、光塩基発生剤、その他、露光により吸収波長が変化する色素等が挙げられる。
　これらの中でも、化合物Ａとしては、ナフトキノンジアジド化合物、又は、露光により吸光度が変化する色素であることが好ましく、ナフトキノンジアジド化合物であることがより好ましい。
　また、化合物Ａとして、例えば、光酸発生剤又は光塩基発生剤と、ｐＨにより露光波長の吸光度が小さくなる化合物とを組み合わせて用いることも考えられる。
　本発明の第２の態様におけるネガ型感光性樹脂組成物は、ナフトキノンジアジド化合物を含む。
　第２の態様におけるナフトキノンジアジド化合物は、第１の態様において好ましい態様として含まれるナフトキノンジアジド化合物と同義であり、その好ましい態様も同様である。
　第２の態様におけるナフトキノンジアジド化合物は、露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物であることが好ましい。露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物であるか否かの判定方法、及び、減衰率の好ましい範囲は、上述の第１の態様における化合物Ａにおける判定方法及び減衰率と同様である。
〔ナフトキノンジアジド化合物〕
　ナフトキノンジアジド化合物としては、露光によりインデンカルボン酸を生じてその露光波長の吸光度が小さくなる化合物が挙げられ、１，２－ナフトキノンジアジド構造を有する化合物が好ましい。
　ナフトキノンジアジド化合物としては、ヒドロキシ化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルであることが好ましい。
　上記ヒドロキシ化合物としては、下記式（Ｈ１）～（Ｈ６）のいずれかで表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000036
 　式（Ｈ１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、１価の有機基を表し、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、ｎ１、ｎ２、ｍ１及びｍ２はそれぞれ独立に、０～５の整数であり、ｍ１及びｍ２の少なくとも１つは１～５の整数である。
　式（Ｈ２）中、Ｚは４価の有機基を表し、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４はそれぞれ独立に、単結合又は２価の有機基を表し、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立に、１価の有機基を表し、ｎ３、ｎ４、ｎ５及びｎ６はそれぞれ独立に、０～３の整数であり、ｍ３、ｍ４、ｍ５及びｍ６はそれぞれ独立に、０～２の整数であり、ｍ３、ｍ４、ｍ５及びｍ６のうち少なくとも１つは１又は２である。
　式（Ｈ３）中、Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、Ｌ５はそれぞれ独立に、２価の有機基を表し、ｎ７は３～８の整数を表す。
　式（Ｈ４）中、Ｌ６は２価の有機基を表し、Ｌ７及びＬ８はそれぞれ独立に、脂肪族の３級又は４級炭素を含む２価の有機基を表す。
　式（Ｈ５）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子又は１価の有機基を表し、Ｌ９、Ｌ１０およびＬ１１はそれぞれ独立に、単結合又は２価の有機基を表し、ｍ７、ｍ８、ｍ９、ｍ１０はそれぞれ独立に、０～２の整数を表し、ｍ７、ｍ８、ｍ９、ｍ１０のうち少なくとも１つは１又は２である。
　式（Ｈ６）中、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、及びＲ４５はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、Ｒ４６、及びＲ４７はそれぞれ独立に、１価の有機基を表し、ｎ１６及びｎ１７はそれぞれ独立に、０～４の整数を表し、ｍ１１及びｍ１２はそれぞれ独立に、０～４の整数を表し、ｍ１１及びｍ１２のうち少なくとも１つは１～４の整数である。
　式（Ｈ１）中、Ｒ１及びＲ２はそれぞれ独立に、炭素数１～６０の１価の有機基であることが好ましく、炭素数１～３０の１価の有機基であることがより好ましい。Ｒ１及びＲ２における１価の有機基としては、置換基を有してもよい炭化水素基が挙げられ、例えば、ヒドロキシ基等の置換基を有してもよい芳香族炭化水素基等が挙げられる。
　式（Ｈ１）中、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ独立に、炭素数１～６０の１価の有機基であることが好ましく、炭素数１～３０の１価の有機基であることがより好ましい。Ｒ３及びＲ４における１価の有機基としては、置換基を有してもよい炭化水素基が挙げられ、例えば、ヒドロキシ基等の置換基を有してもよい炭化水素基等が挙げられる。
　式（Ｈ１）中、ｎ１及びｎ２はそれぞれ独立に、０又は１であることが好ましく、０であることがより好ましい。
　式（Ｈ１）中、ｍ１及びｍ２はいずれも１であることが好ましい。
式（Ｈ１）で表される化合物は、式（Ｈ１－１）～式（Ｈ１－５）のいずれかで表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000037
 　式（Ｈ１－１）中、Ｒ２１、Ｒ２２及びＲ２３はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、水素原子又は炭素数１～２０の１価の有機基が好ましく、水素原子又は下記式（Ｒ－１）で表される基がより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000038
　式（Ｒ－１）中、Ｒ２９は水素原子、アルキル基又はアルコキシ基を表し、ｎ１３は０～２の整数を表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　（Ｈ１－１）中、ｎ８、ｎ９及びｎ１０はそれぞれ独立に、０～２の整数を表し、０又は１が好ましい。
　式（Ｈ１－２）中、Ｒ２４は水素原子又は１価の有機基を表し、水素原子、炭素数１～２０のアルキル基又は炭素数１～２０のアルコキシ基が好ましい。ｎ１４、ｎ１５及びｎ１６はそれぞれ独立に、０～２の整数を表す。Ｒ３０は水素原子又はアルキル基を表す。
　式（Ｈ１－３）中、Ｒ２５、Ｒ２６、Ｒ２７及びＲ２８はそれぞれ独立に、１価の有機基を表し、水素原子、アルキル基又は上述の式（Ｒ－１）で表される基であることが好ましい。
　式（Ｈ１－３）中、ｎ１１、ｎ１２及びｎ１３はそれぞれ独立に、０～２の整数を表し、０又は１が好ましい。
　式（Ｈ１－１）で表される化合物としては、下記式（Ｈ１－１－１）～式（Ｈ１－１－４）のいずれかで表される化合物が好ましい。
　式（Ｈ１－２）で表される化合物としては下記式（Ｈ１－２－１）または（Ｈ１－２－２）で表される化合物が好ましい。
　式（Ｈ１－３）で表される化合物としては下記式（Ｈ１－３－１）～式（Ｈ１－３－３）で表される化合物が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000039
　式（Ｈ２）中、Ｚは炭素数１～２０の４価の基であることが好ましく、下記式（Ｚ－１）～（Ｚ－４）のいずれかで表される基がより好ましい。下記式（Ｚ－１）～（Ｚ－４）中、＊は他の構造との結合部位を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000040
　式（Ｈ２）中、Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３及びＬ４はそれぞれ独立に、単結合又はメチレン基であることが好ましい。
　式（Ｈ２）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ８はそれぞれ独立に、炭素数１～３０の有機基が好ましい。
　式（Ｈ２）中、ｎ３、ｎ４、ｎ５及びｎ６はそれぞれ独立に、０～２の整数であることが好ましく、０又は１であることがより好ましい。
　式（Ｈ２）中、ｍ３、ｍ４、ｍ５及びｍ６はそれぞれ独立に、１又は２であることが好ましく、１であることがより好ましい。
　式（Ｈ２）で表される化合物としては、下記構造の化合物が例示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000041
　式（Ｈ３）中、Ｒ９及びＲ１０はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～２０の１価の有機基を表すことが好ましい。
　式（Ｈ３）中、Ｌ５はそれぞれ独立に、下記式（Ｌ－１）で表される基であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000042
　式（Ｌ－１）中、Ｒ３０は炭素数１～２０の１価の有機基を表し、ｎ１４は１～５の整数を表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（Ｈ３）中、ｎ７は４～６の整数であることが好ましい。
　式（Ｈ３）で表される化合物としては、下記化合物が挙げられる。下記式中、ｎはそれぞれ独立に、０～９の整数を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000043
　式（Ｈ４）中、Ｌ６は－Ｃ（ＣＦ３）２－、－Ｓ（＝Ｏ）２－又は－Ｃ（＝Ｏ）－であることが好ましい。
　式（Ｈ４）中、Ｌ７及びＬ８はそれぞれ独立に、炭素数２～２０の２価の有機基であることが好ましい。
　式（Ｈ４）で表される化合物としては、下記化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000044
　式（Ｈ５）中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３、Ｒ１４、Ｒ１５、Ｒ１６、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリル基又はアシル基が好ましい。
　式（Ｈ５）中、Ｌ９、Ｌ１０およびＬ１１はそれぞれ独立に、単結合、－Ｏ－、－Ｓ－、－Ｓ（＝Ｏ）２－、－Ｃ（＝Ｏ）－、－Ｃ（＝Ｏ）Ｏ－、シクロペンチリデン、シクロヘキシリデン、フェニレンまたは炭素数１～２０の２価の有機基が好ましく、下記式（Ｌ－２）～式（Ｌ－４）のいずれかで表される基であることがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000045
　式（Ｌ－２）～式（Ｌ－４）中、Ｒ３１及びＲ３２はそれぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基又はアリール基を表し、Ｒ３４、Ｒ３５、Ｒ３６及びＲ３７はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、ｎ１５は、１～５の整数であり、Ｒ３８、Ｒ３９、Ｒ４０及びＲ４１はそれぞれ独立に、水素原子又はアルキル基を表し、＊は他の構造との結合部位を表す。
　式（Ｈ５）で表される化合物としては、下記化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000046
　式（Ｈ６）中、Ｒ４２、Ｒ４３、Ｒ４４、及びＲ４５はそれぞれ独立に、水素原子又は１価の有機基を表し、水素原子又は炭素数１～２０の１価の有機基が好ましく、水素原子又は炭素数１～２０のアルキル基がより好ましく、炭素数１～４のアルキル基がより好ましい。
　式（Ｈ６）中、Ｒ４６、及びＲ４７はそれぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基又はアリール基が好ましく、アルキル基がより好ましい。
　式（Ｈ６）中、ｎ１６及びｎ１７はそれぞれ独立に、０～２の整数が好ましく、０又は１がより好ましい。
　式（Ｈ６）中、ｎ１６及びｎ１７はそれぞれ独立に、１～３の整数が好ましく、２又は３がより好ましい。
　式（Ｈ６）で表される化合物としては、下記化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000047
　その他、ヒドロキシ化合物としては、２，３，４－トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，４′－トリヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６－トリヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４－トリヒドロキシ－２′－メチルベンゾフェノン、２，３，４，４′－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２′，４，４′－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６，３′，４′－ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，２′，４′－ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，２′，５′－ペンタヒドロキシベンゾフェノン、２，４，６，３′，４′，５′－ヘキサヒドロキシベンゾフェノン、２，３，４，３′，４′，５′－ヘキサヒドロキシベンゾフェノン等のポリヒドロキシベンゾフェノン類、
２，３，４－トリヒドロキシアセトフェノン、２，３，４－トリヒドロキシフェニルペンチルケトン、２，３，４－トリヒドロキシフェニルヘキシルケトン等のポリヒドロキシフェニルアルキルケトン類、
ビス（２，４－ジヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）メタン、ビス（２，４－ジヒドロキシフェニル）プロパン－１、ビス（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）プロパン－１、ノルジヒドログアイアレチン酸、１，１－ビス（４－ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン等のビス（（ポリ）ヒドロキシフェニル）アルカン類、
３，４，５－トリヒドロキシ安息香酸プロピル、２，３，４－トリヒドロキシ安息香酸フェニル、３，４，５－トリヒドロキシ安息香酸フェニル等のポリヒドロキシ安息香酸エステル類、
ビス（２，３，４－トリヒドロキシベンゾイル）メタン、ビス（３－アセチル－４，５，６－トリヒドロキシフェニル）－メタン、ビス（２，３，４－トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ビス（２，４，６－トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシベンゾイル）アルカン又はビス（ポリヒドロキシベンゾイル）アリール類、
エチレングリコール－ジ（３，５－ジヒドロキシベンゾエート）、エチレングリコール－ジ（３，４，５－トリヒドロキシベンゾエート）等のアルキレン－ジ（ポリヒドロキシベンゾエート）類、
２，３，４－ビフェニルトリオール、３，４，５－ビフェニルトリオール、３，５，３′，５′－ビフェニルテトロール、２，４，２′，４′－ビフェニルテトロール、２，４，６，３′，５′－ビフェニルペントール、２，４，６，２′，４′，６′－ビフェニルヘキソール、２，３，４，２′，３′，４′－ビフェニルヘキソール等のポリヒドロキシビフェニル類、
４，４′－チオビス（１，３－ジヒドロキシ）ベンゼン等のビス（ポリヒドロキシ）スルフィド類、
２，２′，４，４′－テトラヒドロキシジフェニルエーテル等のビス（ポリヒドロキシフェニル）エーテル類、
２，２′，４，４′－テトラヒドロキシジフェニルスルフォキシド等のビス（ポリヒドロキシフェニル）スルフォキシド類、
２，２′，４，４′－ジフェニルスルフォン等のビス（ポリヒドロキシフェニル）スルフォン類、
トリス（４－ヒドロキシフェニル）メタン、４，４′，４″－トリヒドロキシ－３，５，３′，５′－テトラメチルトリフェニルメタン、４，４′，３″，４″－テトラヒドロキシ－３，５，３′，５′－テトラメチルトリフェニルメタン、４－［ビス（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）メチル］－２－メトキシ－フェノール、４，４′－（３，４－ジオール－ベンジリデン）ビス［２，６－ジメチルフェノール］、４，４′－［（２－ヒドロキシ－フェニル）メチレン］ビス［２－シクロヘキシル－５－メチルフェノール、４，４′，２″，３″，４″－ペンタヒドロキシ－３，５，３′，５′－テトラメチルトリフェニルメタン、２，３，４，２′，３′，４′－ヘキサヒドロキシ－５，５′－ジアセチルトリフェニルメタン、２，３，４，２′，３′，４′，３″，４″－オクタヒドロキシ－５，５′－ジアセチルトリフェニルメタン、２，４，６，２′，４′，６′－ヘキサヒドロキシ－５，５′－ジプロピオニルトリフェニルメタン等のポリヒドロキシトリフェニルメタン類、４，４′－（フェニルメチレン）ビスフェノール、４，４′－（１－フェニル－エチリデン）ビス［２－メチルフェノール］、４，４′，４″－エチリデン－トリスフェノール等のポリヒドロキシトリフェニルエタン類、
３，３，３′，３′－テトラメチル－１，１′－スピロビ－インダン－５，６，５′，６′－テトロール、３，３，３′，３′－テトラメチル－１，１′－スピロビ－インダン－５，６，７，５′，６′，７′－ヘキソオール、３，３，３′，３′－テトラメチル－１，１′－スピロビ－インダン－４，５，６，４′，５′，６′－ヘキソオール、３，３，３′，３′－テトラメチル－１，１′－スピロビ－インダン－４，５，６，５′，６′，７′－ヘキソオール等のポリヒドロキシスピロビーインダン類、２，４，４－トリメチル－２′，４′，７′－トリヒドロキシフラバン、等のポリヒドロキシフラバン類、
３，３－ビス（３，４－ジヒドロキシフェニル）フタリド、３，３－ビス（２，３，４－トリヒドロキシフェニル）フタリド、３′，４′，５′，６′－テトラヒドロキシスピロ［フタリド－３，９′－キサンテン］等のポリヒドロキシフタリド類、モリン、ケルセチン、ルチン等のフラボノ色素類、
α，α′，α″－トリス（４－ヒドロキシフェニル）１，３，５－トリイソプロピルベンゼン、α，α′，α″－トリス（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）１，３，５－トリイソプロピルベンゼン、α，α′，α″－トリス（３，５－ジエチル－４－ヒドロキシフェニル）１，３，５－トリイソプロピルベンゼン、α，α′，α″－トリス（３，５－ジｎ－プロピル－４－ヒドロキシフェニル）１，３，５－トリイソプロピルベンゼン、α，α′，α″－トリス（３，５－ジイソプロピル－４－ヒドロキシフェニル）１，３，５－トリイソプロピルベンゼン、α，α′，α″－トリス（３，５－ジｎ－ブチル－４－ヒドロキシフェニル）１，３，５－トリイソプロピルベンゼン、α，α′，α″－トリス（３－メチル－４－ヒドロキシフェニル）１，３，５－トリイソプロピルベンゼン、α，α′，α″－トリス（３－メトキシ－４－ヒドロキシフェニル）１，３，５－トリイソプロピルベンゼン、α，α′，α″－トリス（２，４－ジヒドロキシフェニル）１，３，５－トリイソプロピルベンゼン、１，３，５－トリス（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニル）ベンゼン、１，３，５－トリス（５－メチル－２－ヒドロキシフェニル）ベンゼン、２，４，６－トリス（３，５－ジメチル－４－ヒドロキシフェニルチオメチル）メシチレン、１－［α－メチル－α－（４′－ヒドロキシフェニル）エチル］－４－［α，α’－ビス（４″－ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１－［α－メチル（４′－ヒドロキシフェニル）エチル］－３－［α，α’－ビス（４″－ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１－［α－メチル－α－（３′，５′－ジメチル－４′－ヒドロキシフェニル）エチル］－４－［α，α′－ビス（３″，５″－ジメチル－４″－ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１－［α－メチル（３′－メチル－４′－ヒドロキシフェニル）エチル］－４－［α′，α′－ビス（３″－メチル－４″－ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１－［α－メチル－α－（３′－メトキシ－４′－ヒドロキシフェニル）エチル］－４－［α′，α′－ビス（３″－メトキシ－４″－ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１－［α－メチル－α－（２′，４′－ジヒドロキシフェニル）エチル］－４－［α′，α′－ビス（４″－ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン、１－［α－メチル（２′，４′－ジヒドロキシフェニル）エチル］－３－［α′，α′－ビス（４″－ヒドロキシフェニル）エチル］ベンゼン等の特開平４－２５３０５８に記載のポリヒドロキシ化合物、α，α，α′，α′，α″，α″－ヘキサキス－（４－ヒドロキシフェニル）－１，３，５－トリエチルベンゼン等の特開平５－２２４４１０号に記載のポリヒドロキシ化合物、１，２，２，３－テトラ（ｐ－ヒドロキシフェニル）プロパン、１，３，３，５－テトラ（ｐ－ヒドロキシフェニル）ペンタン等の特開平５－３０３２００号、ＥＰ－５３０１４８に記載のポリ（ヒドロキシフェニル）アルカン類、
ｐ－ビス（２，３，４－トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ｐ－ビス（２，４，６－トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ｍ－ビス（２，３，４－トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ｍ－ビス（２，４，６－トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、ｐ－ビス（２，５－ジヒドロキシ－３－ブロムベンゾイル）ベンゼン、ｐ－ビス（２，３，４－トリヒドロキシ－５－メチルベンゾイル）ベンゼン、ｐ－ビス（２，３，４－トリヒドロキシ－５－メトキシベンゾイル）ベンゼン、ｐ－ビス（２，３，４－トリヒドロキシ－５－ニトロベンゾイル）ベンゼン、ｐ－ビス（２，３，４－トリヒドロキシ－５－シアノベンゾイル）ベンゼン、１，３，５－トリス（２，５－ジヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、１，３，５－トリス（２，３，４－トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、１，２，３－トリス（２，３，４－トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、１，２，４－トリス（２，３，４－トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、１，２，４，５－テトラキス（２，３，４－トリヒドロキシベンゾイル）ベンゼン、α，α′－ビス（２，３，４－トリヒドロキシベンゾイル）ｐ－キシレン、α，α′，α′－トリス（２，３，４－トリヒドロキシベンゾイル）メシレン、
　２，６－ビス－（２－ヒドロキシ－３，５－ジメチルベンジル）－ｐ－クレゾール、２，６－ビス－（２－ヒドロキシ－５′－メチルベンジル）－ｐ－クレゾール、２，６－ビス－（２，４，６－トリヒドロキシベンジル）－ｐ－クレゾール、２，６－ビス－（２，３，４－トリヒドロキシベンジル）－ｐ－クレゾール、２，６－ビス（２，３，４－トリヒドロキシベンジル）－３，５－ジメチル－フェノール、４，６－ビス－（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルベンジル）－ピロガロール、２，６－ビス－（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルベンジル）－１，３，４－トリヒドロキシ－フェノール、４，６－ビス－（２，４，６－トリヒドロキシベンジル）－２，４－ジメチル－フェノール、４，６－ビス－（２，３，４－トリヒドロキシベンジル）－２，５－ジメチル－フェノール、２，６－ビス－（４－ヒドロキシベンジル）－ｐ－クレゾール、２，６－ビス（４－ヒドロキシベンジル）－４－シクロヘキシルフェノール、２，６－ビス（４－ヒドロキシ－３－メチルベンジル）－ｐ－クレゾール、２，６－ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルベンジル）－ｐ－クレゾール、２，６－ビス（４－ヒドロキシ－２，５－ジメチルベンジル）－ｐ－クレゾール、２，６－ビス（４－ヒドロキシ－３－メチルベンジル）－４－フェニル－フェノール、２，２′，６，６′－テトラキス［（４－ヒドロキシフェニル）メチル］－４，４′－メチレンジフェノール、２，２′，６，６′－テトラキス［（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）メチル］－４，４′－メチレンジフェノール、２，２′，６，６′－テトラキス［（４－ヒドロキシ－３－メチルフェニル）メチル］－４，４′－メチレンジフェノール、２，２′－ビス［（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）メチル］６，６′－ジメチル－４，４′－メチレンジフェノール、２，２’，３，３’－テトラヒドロ－３，３，３’，３’－テトラメチル－１，１’－スピロビ（１Ｈ－インデン）－５，５’，６，６’，７，７’ヘキサノール、ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）－（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）メタン等を挙げることができる。
　また、ノボラック樹脂等フェノール樹脂の低核体を用いる事もできる。
　ナフトキノンジアジドスルホン酸としては、６－ジアゾ５，６－ジヒドロ－５－オキソ－１－ナフタレンスルホン酸、１，２－ナフトキノン－（２）－ジアゾ－５－スルホン酸等が挙げられ、これらは混合して用いてもよい。
　ヒドロキシ化合物のナフトキノンジアジドスルホン酸エステルの製造方法は、特に限定されないが、例えば、ナフトキノンジアジドスルホン酸をクロルスルホン酸又は塩化チオニルでスルホニルクロリドとし、得られたナフトキノンジアジドスルホニルクロリドと、ヒドロキシ化合物とを縮合反応させることにより得られる。
　例えば、ヒドロキシ化合物とナフトキノンジアジドスルホニルクロリドの所定量をジオキサン、アセトン、又はテトラヒドロフラン等の溶媒中において、トリエチルアミン等の塩基性触媒の存在下で反応させてエステル化を行い、得られた生成物を水洗、乾燥することにより得ることができる。
　ナフトキノンジアジドスルホン酸エステルにおけるエステル化率は、特に限定されないが、１０％以上であることが好ましく、２０％以上であることがより好ましい。また上記エステル化率の上限は特に限定されず、１００％であってもよい。
　上記エステル化率は、ヒドロキシ化合物が有するヒドロキシ基のうち、エステル化された基の割合として、１Ｈ－ＮＭＲ等により確認することができる。
〔露光により吸光度が変化する色素〕
　露光により吸光度が変化する色素としては、特に限定されず、例えば公知のフォトクロミック材料を使用することができるが、ロイコ色素、ジアリールエテン色素、フルギド類、スピロオキサジン類、スピロピラン類、あるいはアゾベンゼン系化合物等が挙げられる。
　ロイコ色素としては、例えば、トリアリールメタン系（例えばトリフェニルメタン系）、スピロピラン系、フルオラン系、ジフェニルメタン系、ローダミンラクタム系、インドリルフタリド系、ロイコオーラミン系等のロイコ色素が挙げられる。これらの中でも、トリアリールメタン系のロイコ色素が好ましい。
　また、ロイコ色素としては、ラクトン環、スルチン環、又はスルトン環を有し、上記ラクトン環、上記スルチン環、若しくは上記スルトン環が開環又は閉環することにより上記吸光度が変化するロイコ色素であることが好ましい。
　ロイコ色素としては、市販品を使用してもよく、ビクトリアピュアブル－ＮＡＰＳ等が挙げられる。
　ジアリールエテン化合物としては、例えば、下記のように閉環することにより上記吸光度が変化するジアリールエテン化合物が好ましい。なお、下記式における立体配座については一例であり、これに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000048
　ジアリールエテン化合物としては、特に限定されず公知の化合物を用いることができるが、例えば、特開２００４－９１６３８号公報の段落００４９～００５６に記載の化合物等が挙げられる。
〔含有量〕
　本発明の第１の態様におけるネガ型感光性樹脂組成物の全固形分に対する化合物Ａの含有量は、特に限定されないが、０．１～２０質量％であることが好ましく、０．５～１０質量％であることがより好ましく、１～５質量％であることが更に好ましい。
　本発明の第２の態様におけるネガ型感光性樹脂組成物の全固形分に対するナフトキノンジアジド化合物の含有量は、特に限定されないが、０．１～２０質量％であることが好ましく、０．５～１０質量％であることがより好ましく、１～５質量％であることが更に好ましい。
＜光重合開始剤＞
　本発明の樹脂組成物は、光重合開始剤を含む。
　光重合開始剤は、光ラジカル重合開始剤であることが好ましい。光ラジカル重合開始剤としては、特に制限はなく、公知の光ラジカル重合開始剤の中から適宜選択することができる。例えば、紫外線領域から可視領域の光線に対して感光性を有する光ラジカル重合開始剤が好ましい。また、光励起された増感剤と何らかの作用を生じ、活性ラジカルを生成する活性剤であってもよい。
　光ラジカル重合開始剤は、波長約２４０～８００ｎｍ（好ましくは３３０～５００ｎｍ）の範囲内で少なくとも約５０Ｌ・ｍｏｌ－１・ｃｍ－１のモル吸光係数を有する化合物を、少なくとも１種含有していることが好ましい。化合物のモル吸光係数は、公知の方法を用いて測定することができる。例えば、紫外可視分光光度計（Ｖａｒｉａｎ社製Ｃａｒｙ－５　ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ）にて、酢酸エチル溶剤を用い、０．０１ｇ／Ｌの濃度で測定することが好ましい。
　光ラジカル重合開始剤としては、公知の化合物を任意に使用できる。例えば、ハロゲン化炭化水素誘導体（例えば、トリアジン骨格を有する化合物、オキサジアゾール骨格を有する化合物、トリハロメチル基を有する化合物など）、アシルホスフィンオキサイド等のアシルホスフィン化合物、ヘキサアリールビイミダゾール、オキシム誘導体等のオキシム化合物、有機過酸化物、チオ化合物、ケトン化合物、芳香族オニウム塩、ケトオキシムエーテル、アミノアセトフェノンなどのα－アミノケトン化合物、ヒドロキシアセトフェノンなどのα－ヒドロキシケトン化合物、アゾ系化合物、アジド化合物、メタロセン化合物、有機ホウ素化合物、鉄アレーン錯体などが挙げられる。これらの詳細については、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０１６５～０１８２、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落０１３８～０１５１の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。また、特開２０１４－１３０１７３号公報の段落００６５～０１１１、特許第６３０１４８９号公報に記載された化合物、ＭＡＴＥＲＩＡＬ　ＳＴＡＧＥ　３７～６０ｐ，ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．３，２０１９に記載されたパーオキサイド系光重合開始剤、国際公開第２０１８／２２１１７７号に記載の光重合開始剤、国際公開第２０１８／１１０１７９号に記載の光重合開始剤、特開２０１９－０４３８６４号公報に記載の光重合開始剤、特開２０１９－０４４０３０号公報に記載の光重合開始剤、特開２０１９－１６７３１３号公報に記載の過酸化物系開始剤が挙げられ、これらの内容も本明細書に組み込まれる。
　ケトン化合物としては、例えば、特開２０１５－０８７６１１号公報の段落００８７に記載の化合物が例示され、この内容は本明細書に組み込まれる。市販品では、カヤキュア－ＤＥＴＸ－Ｓ（日本化薬（株）製）も好適に用いられる。
　本発明の一実施態様において、光ラジカル重合開始剤としては、ヒドロキシアセトフェノン化合物、アミノアセトフェノン化合物、及び、アシルホスフィン化合物を好適に用いることができる。より具体的には、例えば、特開平１０－２９１９６９号公報に記載のアミノアセトフェノン系開始剤、特許第４２２５８９８号に記載のアシルホスフィンオキシド系開始剤を用いることができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　α－ヒドロキシケトン系開始剤としては、Ｏｍｎｉｒａｄ　１８４、Ｏｍｎｉｒａｄ　１１７３、Ｏｍｎｉｒａｄ　２９５９、Ｏｍｎｉｒａｄ　１２７（以上、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　１８４（ＩＲＧＡＣＵＲＥは登録商標）、ＤＡＲＯＣＵＲ　１１７３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　５００、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－２９５９、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　１２７（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。
　α－アミノケトン系開始剤としては、Ｏｍｎｉｒａｄ　９０７、Ｏｍｎｉｒａｄ　３６９、Ｏｍｎｉｒａｄ　３６９Ｅ、Ｏｍｎｉｒａｄ　３７９ＥＧ（以上、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　９０７、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　３６９、及び、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　３７９（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。
　アミノアセトフェノン系開始剤として、３６５ｎｍ又は４０５ｎｍ等の波長光源に極大吸収波長がマッチングされた特開２００９－１９１１７９号公報に記載の化合物も用いることができ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　アシルホスフィンオキシド系開始剤としては、２，４，６－トリメチルベンゾイル－ジフェニル－ホスフィンオキサイドなどが挙げられる。また、Ｏｍｎｉｒａｄ　８１９、Ｏｍｎｉｒａｄ　ＴＰＯ（以上、ＩＧＭ　Ｒｅｓｉｎｓ　Ｂ．Ｖ．社製）、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－８１９やＩＲＧＡＣＵＲＥ－ＴＰＯ（商品名：いずれもＢＡＳＦ社製）を用いることができる。
　メタロセン化合物としては、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－７８４、ＩＲＧＡＣＵＲＥ－７８４ＥＧ（いずれもＢＡＳＦ社製）、Ｋｅｙｃｕｒｅ ＶＩＳ ８１３（Ｋｉｎｇ Ｂｒｏｔｈｅｒ Ｃｈｅｍ社製）などが例示される。
　光ラジカル重合開始剤として、より好ましくはオキシム化合物が挙げられる。オキシム化合物を用いることにより、露光ラチチュードをより効果的に向上させることが可能になる。オキシム化合物は、露光ラチチュード（露光マージン）が広く、かつ、光硬化促進剤としても働くため、特に好ましい。
　オキシム化合物の具体例としては、特開２００１－２３３８４２号公報に記載の化合物、特開２０００－０８００６８号公報に記載の化合物、特開２００６－３４２１６６号公報に記載の化合物、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年、ｐｐ．１６５３－１６６０）に記載の化合物、Ｊ．Ｃ．Ｓ．Ｐｅｒｋｉｎ　ＩＩ（１９７９年、ｐｐ．１５６－１６２）に記載の化合物、Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ（１９９５年、ｐｐ．２０２－２３２）に記載の化合物、特開２０００－０６６３８５号公報に記載の化合物、特表２００４－５３４７９７号公報に記載の化合物、特開２０１７－０１９７６６号公報に記載の化合物、特許第６０６５５９６号公報に記載の化合物、国際公開第２０１５／１５２１５３号に記載の化合物、国際公開第２０１７／０５１６８０号に記載の化合物、特開２０１７－１９８８６５号公報に記載の化合物、国際公開第２０１７／１６４１２７号の段落番号００２５～００３８に記載の化合物、国際公開第２０１３／１６７５１５号に記載の化合物などが挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　好ましいオキシム化合物としては、例えば、下記の構造の化合物や、３－（ベンゾイルオキシ（イミノ））ブタン－２－オン、３－（アセトキシ（イミノ））ブタン－２－オン、３－（プロピオニルオキシ（イミノ））ブタン－２－オン、２－（アセトキシ（イミノ））ペンタン－３－オン、２－（アセトキシ（イミノ））－１－フェニルプロパン－１－オン、２－（ベンゾイルオキシ（イミノ））－１－フェニルプロパン－１－オン、３－（（４－トルエンスルホニルオキシ）（イミノ））ブタン－２－オン、及び２－（エトキシカルボニルオキシ（イミノ））－１－フェニルプロパン－１－オンなどが挙げられる。本発明の樹脂組成物においては、特に光ラジカル重合開始剤としてオキシム化合物（オキシム系の光ラジカル重合開始剤）を用いることが好ましい。オキシム系の光ラジカル重合開始剤は、分子内に　＞Ｃ＝Ｎ－Ｏ－Ｃ（＝Ｏ）－　の連結基を有する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000049
　市販品ではＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０１、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０２、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０３、ＩＲＧＡＣＵＲＥ　ＯＸＥ　０４（以上、ＢＡＳＦ社製）、アデカオプトマーＮ－１９１９（（株）ＡＤＥＫＡ製、特開２０１２－０１４０５２号公報に記載の光ラジカル重合開始剤２）も好適に用いられる。また、ＴＲ－ＰＢＧ－３０４、ＴＲ－ＰＢＧ－３０５（常州強力電子新材料有限公司製）、アデカアークルズＮＣＩ－７３０、ＮＣＩ－８３１及びアデカアークルズＮＣＩ－９３０（（株）ＡＤＥＫＡ製）も用いることができる。また、ＤＦＩ－０９１（ダイトーケミックス（株）製）、ＳｐｅｅｄＣｕｒｅ　ＰＤＯ（ＳＡＲＴＯＭＥＲ　ＡＲＫＥＭＡ製）を用いることができる。また、下記の構造のオキシム化合物を用いることもできる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000050
　光ラジカル重合開始剤としては、フルオレン環を有するオキシム化合物を用いることもできる。フルオレン環を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１４－１３７４６６号公報に記載の化合物、特許０６６３６０８１号に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　光ラジカル重合開始剤としては、カルバゾール環の少なくとも１つのベンゼン環がナフタレン環となった骨格を有するオキシム化合物を用いることもできる。そのようなオキシム化合物の具体例としては、国際公開第２０１３／０８３５０５号に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　また、フッ素原子を有するオキシム化合物を用いることも可能である。そのようなオキシム化合物の具体例としては、特開２０１０－２６２０２８号公報に記載されている化合物、特表２０１４－５００８５２号公報の段落０３４５に記載されている化合物２４、３６～４０、特開２０１３－１６４４７１号公報の段落０１０１に記載されている化合物（Ｃ－３）などが挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　光重合開始剤としては、ニトロ基を有するオキシム化合物を用いることができる。ニトロ基を有するオキシム化合物は、二量体とすることも好ましい。ニトロ基を有するオキシム化合物の具体例としては、特開２０１３－１１４２４９号公報の段落番号００３１～００４７、特開２０１４－１３７４６６号公報の段落番号０００８～００１２、００７０～００７９に記載されている化合物、特許４２２３０７１号公報の段落番号０００７～００２５に記載されている化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。また、ニトロ基を有するオキシム化合物としては、アデカアークルズＮＣＩ－８３１（（株）ＡＤＥＫＡ製）も挙げられる。
　光ラジカル重合開始剤としては、ベンゾフラン骨格を有するオキシム化合物を用いることもできる。具体例としては、国際公開第２０１５／０３６９１０号に記載されているＯＥ－０１～ＯＥ－７５が挙げられる。
　光ラジカル重合開始剤としては、カルバゾール骨格にヒドロキシ基を有する置換基が結合したオキシム化合物を用いることもできる。このような光重合開始剤としては国際公開第２０１９／０８８０５５号に記載された化合物などが挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　光重合開始剤としては、芳香族環に電子求引性基が導入された芳香族環基ＡｒＯＸ１を有するオキシム化合物（以下、オキシム化合物ＯＸともいう）を用いることもできる。上記芳香族環基ＡｒＯＸ１が有する電子求引性基としては、アシル基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、シアノ基が挙げられ、アシル基およびニトロ基が好ましく、耐光性に優れた膜を形成しやすいという理由からアシル基であることがより好ましく、ベンゾイル基であることが更に好ましい。ベンゾイル基は、置換基を有していてもよい。置換基としては、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、複素環オキシ基、アルケニル基、アルキルスルファニル基、アリールスルファニル基、アシル基またはアミノ基であることが好ましく、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環オキシ基、アルキルスルファニル基、アリールスルファニル基またはアミノ基であることがより好ましく、アルコキシ基、アルキルスルファニル基またはアミノ基であることが更に好ましい。
　オキシム化合物ＯＸは、式（ＯＸ１）で表される化合物および式（ＯＸ２）で表される化合物から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、式（ＯＸ２）で表される化合物であることがより好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000051
　式中、ＲＸ１は、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、複素環オキシ基、アルキルスルファニル基、アリールスルファニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アシル基、アシルオキシ基、アミノ基、ホスフィノイル基、カルバモイル基またはスルファモイル基を表し、
　ＲＸ２は、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、複素環基、複素環オキシ基、アルキルスルファニル基、アリールスルファニル基、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、アシルオキシ基またはアミノ基を表し、
　ＲＸ３～ＲＸ１４は、それぞれ独立して水素原子または置換基を表す；
　ただし、ＲＸ１０～ＲＸ１４のうち少なくとも一つは、電子求引性基である。
　上記式において、ＲＸ１２が電子求引性基であり、ＲＸ１０、ＲＸ１１、ＲＸ１３、ＲＸ１４は水素原子であることが好ましい。
　オキシム化合物ＯＸの具体例としては、特許第４６００６００号公報の段落番号００８３～０１０５に記載の化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　最も好ましいオキシム化合物としては、特開２００７－２６９７７９号公報に示される特定置換基を有するオキシム化合物や、特開２００９－１９１０６１号公報に示されるチオアリール基を有するオキシム化合物などが挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　光ラジカル重合開始剤は、露光感度の観点から、トリハロメチルトリアジン化合物、ベンジルジメチルケタール化合物、α－ヒドロキシケトン化合物、α－アミノケトン化合物、アシルホスフィン化合物、ホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシム化合物、トリアリールイミダゾールダイマー、オニウム塩化合物、ベンゾチアゾール化合物、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物及びその誘導体、シクロペンタジエン－ベンゼン－鉄錯体及びその塩、ハロメチルオキサジアゾール化合物、３－アリール置換クマリン化合物よりなる群から選択される化合物が好ましい。
　更に好ましい光ラジカル重合開始剤は、トリハロメチルトリアジン化合物、α－アミノケトン化合物、アシルホスフィン化合物、ホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシム化合物、トリアリールイミダゾールダイマー、オニウム塩化合物、ベンゾフェノン化合物、アセトフェノン化合物であり、トリハロメチルトリアジン化合物、α－アミノケトン化合物、メタロセン化合物、オキシム化合物、トリアリールイミダゾールダイマー、ベンゾフェノン化合物よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物が一層好ましく、メタロセン化合物又はオキシム化合物を用いるのがより一層好ましい。
　また、光ラジカル重合開始剤は、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）等のＮ，Ｎ’－テトラアルキル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルホリノフェニル）－ブタノン－１，２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルホリノ－プロパノン－１等の芳香族ケトン、アルキルアントラキノン等の芳香環と縮環したキノン類、ベンゾインアルキルエーテル等のベンゾインエーテル化合物、ベンゾイン、アルキルベンゾイン等のベンゾイン化合物、ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体などを用いることもできる。また、下記式（Ｉ）で表される化合物を用いることもできる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000052
　式（Ｉ）中、ＲＩ００は、炭素数１～２０のアルキル基、１個以上の酸素原子によって中断された炭素数２～２０のアルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、フェニル基、又は、炭素数１～２０のアルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基、ハロゲン原子、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、炭素数２～１２のアルケニル基、１個以上の酸素原子によって中断された炭素数２～１８のアルキル基及び炭素数１～４のアルキル基の少なくとも１つで置換されたフェニル基、若しくは、ビフェニル基であり、ＲＩ０１は、式（ＩＩ）で表される基であるか、ＲＩ００と同じ基であり、ＲＩ０２～ＲＩ０４は各々独立に炭素数１～１２のアルキル基、炭素数１～１２のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000053
　式中、ＲＩ０５～ＲＩ０７は、上記式（Ｉ）のＲＩ０２～ＲＩ０４と同じである。
　また、光ラジカル重合開始剤は、国際公開第２０１５／１２５４６９号の段落００４８～００５５に記載の化合物を用いることもでき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　光ラジカル重合開始剤としては、２官能あるいは３官能以上の光ラジカル重合開始剤を用いてもよい。そのような光ラジカル重合開始剤を用いることにより、光ラジカル重合開始剤の１分子から２つ以上のラジカルが発生するため、良好な感度が得られる。また、非対称構造の化合物を用いた場合においては、結晶性が低下して溶剤などへの溶解性が向上して、経時で析出しにくくなり、樹脂組成物の経時安定性を向上させることができる。２官能あるいは３官能以上の光ラジカル重合開始剤の具体例としては、特表２０１０－５２７３３９号公報、特表２０１１－５２４４３６号公報、国際公開第２０１５／００４５６５号、特表２０１６－５３２６７５号公報の段落番号０４０７～０４１２、国際公開第２０１７／０３３６８０号の段落番号００３９～００５５に記載されているオキシム化合物の２量体、特表２０１３－５２２４４５号公報に記載されている化合物（Ｅ）および化合物（Ｇ）、国際公開第２０１６／０３４９６３号に記載されているＣｍｐｄ１～７、特表２０１７－５２３４６５号公報の段落番号０００７に記載されているオキシムエステル類光開始剤、特開２０１７－１６７３９９号公報の段落番号００２０～００３３に記載されている光開始剤、特開２０１７－１５１３４２号公報の段落番号００１７～００２６に記載されている光重合開始剤（Ａ）、特許第６４６９６６９号公報に記載されているオキシムエステル光開始剤などが挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　光重合開始剤を含む場合、その含有量は、本発明の樹脂組成物の全固形分に対し０．１～３０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．１～２０質量％であり、更に好ましくは０．５～１５質量％であり、一層好ましくは１．０～１０質量％である。光重合開始剤は１種のみ含有していてもよいし、２種以上含有していてもよい。光重合開始剤を２種以上含有する場合は、合計量が上記範囲であることが好ましい。
　なお、光重合開始剤は熱重合開始剤としても機能する場合があるため、オーブンやホットプレート等の加熱によって光重合開始剤による架橋を更に進行させられる場合がある。
〔増感剤〕
　樹脂組成物は、増感剤を含んでいてもよい。増感剤は、特定の活性放射線を吸収して電子励起状態となる。電子励起状態となった増感剤は、熱ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合開始剤などと接触して、電子移動、エネルギー移動、発熱などの作用が生じる。これにより、熱ラジカル重合開始剤、光ラジカル重合開始剤は化学変化を起こして分解し、ラジカル、酸又は塩基を生成する。
　使用可能な増感剤として、ベンゾフェノン系、ミヒラーズケトン系、クマリン系、ピラゾールアゾ系、アニリノアゾ系、トリフェニルメタン系、アントラキノン系、アントラセン系、アントラピリドン系、ベンジリデン系、オキソノール系、ピラゾロトリアゾールアゾ系、ピリドンアゾ系、シアニン系、フェノチアジン系、ピロロピラゾールアゾメチン系、キサンテン系、フタロシアニン系、ベンゾピラン系、インジゴ系等の化合物を使用することができる。
　増感剤としては、例えば、ミヒラーズケトン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）ベンゾフェノン、２，５－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロペンタン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）シクロヘキサノン、２，６－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）－４－メチルシクロヘキサノン、４，４’－ビス（ジメチルアミノ）カルコン、４，４’－ビス（ジエチルアミノ）カルコン、ｐ－ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、ｐ－ジメチルアミノベンジリデンインダノン、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビフェニレン）－ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノフェニルビニレン）イソナフトチアゾール、１，３－ビス（４’－ジメチルアミノベンザル）アセトン、１，３－ビス（４’－ジエチルアミノベンザル）アセトン、３，３’－カルボニル－ビス（７－ジエチルアミノクマリン）、３－アセチル－７－ジメチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－ベンジロキシカルボニル－７－ジメチルアミノクマリン、３－メトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン、３－エトキシカルボニル－７－ジエチルアミノクマリン（７－（ジエチルアミノ）クマリン－３－カルボン酸エチル）、Ｎ－フェニル－Ｎ’－エチルエタノールアミン、Ｎ－フェニルジエタノールアミン、Ｎ－ｐ－トリルジエタノールアミン、Ｎ－フェニルエタノールアミン、４－モルホリノベンゾフェノン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、２－メルカプトベンズイミダゾール、１－フェニル－５－メルカプトテトラゾール、２－メルカプトベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンズオキサゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ベンゾチアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノスチリル）ナフト（１，２－ｄ）チアゾール、２－（ｐ－ジメチルアミノベンゾイル）スチレン、ジフェニルアセトアミド、ベンズアニリド、Ｎ－メチルアセトアニリド、３‘，４’－ジメチルアセトアニリド等が挙げられる。
　また、他の増感色素を用いてもよい。
　増感色素の詳細については、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０１６１～０１６３の記載を参酌でき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　樹脂組成物が増感剤を含む場合、増感剤の含有量は、樹脂組成物の全固形分に対し、０．０１～２０質量％であることが好ましく、０．１～１５質量％であることがより好ましく、０．５～１０質量％であることが更に好ましい。増感剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
〔連鎖移動剤〕
　本発明の樹脂組成物は、連鎖移動剤を含有してもよい。連鎖移動剤は、例えば高分子辞典第三版（高分子学会編、２００５年）６８３－６８４頁に定義されている。連鎖移動剤としては、例えば、分子内に－Ｓ－Ｓ－、－ＳＯ２－Ｓ－、－Ｎ－Ｏ－、ＳＨ、ＰＨ、ＳｉＨ、及びＧｅＨを有する化合物群、ＲＡＦＴ（Reversible Addition Fragmentation chain Transfer）重合に用いられるチオカルボニルチオ基を有するジチオベンゾアート、トリチオカルボナート、ジチオカルバマート、キサンタート化合物等が用いられる。これらは、低活性のラジカルに水素を供与して、ラジカルを生成するか、若しくは、酸化された後、脱プロトンすることによりラジカルを生成しうる。特に、チオール化合物を好ましく用いることができる。
　また、連鎖移動剤は、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落０１５２～０１５３に記載の化合物を用いることもでき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　本発明の樹脂組成物が連鎖移動剤を有する場合、連鎖移動剤の含有量は、本発明の樹脂組成物の全固形分１００質量部に対し、０．０１～２０質量部が好ましく、０．１～１０質量部がより好ましく、０．５～５質量部が更に好ましい。連鎖移動剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。連鎖移動剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜含窒素環状化合物＞
　本発明の樹脂組成物が条件ｉを満たす場合、本発明の樹脂組成物は、上記樹脂、上記化合物Ａ及び上記光重合開始剤とは異なる成分として含窒素環状化合物を更に含む。
　本発明の樹脂組成物が条件ｉｉｉを満たす場合、本発明の樹脂組成物は、上記樹脂、上記ナフトキノンジアジド化合物及び上記光重合開始とは異なる成分として含窒素環状化合物を更に含む。
本発明の樹脂組成物が条件ｉｉ又は条件ｉｖを満たす場合、本発明の樹脂組成物は含窒素環状化合物を更に含んでもよい。
　含窒素環状化合物は、窒素原子を環員として含む環構造を有する化合物である。上記環構造は、脂肪族環構造であっても芳香族環構造であってもよいが、芳香族環構造であることが好ましい。
　また、含窒素環状化合物は、環員として窒素原子を１つ以上含む環構造を有する化合物であればよいが、環員として窒素原子を２つ以上含む環構造を有する化合物であることが好ましい。
　上記窒素原子を環員として含む環構造としては、特に制限はないが、ピロール環、フラン環、チオフェン環、イミダゾール環、オキサゾール環、チアゾール環、ピラゾール環、イソオキサゾール環、イソチアゾール環、テトラゾール環、ピリジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、ピラジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環、２Ｈ－ピラン環及び６Ｈ－ピラン環、トリアジン環、イソシアヌレート環等が挙げられる。
　これらの環構造は、他の環構造と複環を形成していてもよい。例えば、ベンゾイミダゾール構造、ベンゾトリアゾール構造等のように、ベンゼン環等の環構造と縮合環を形成する態様が挙げられる。
　これらの中でも、１，２，４－トリアゾール、ベンゾトリアゾール、３－アミノ－１，２，４－トリアゾール、３，５－ジアミノ－１，２，４－トリアゾール等のトリアゾール構造、１Ｈ－テトラゾール、５－フェニルテトラゾール、５－アミノ－テトラゾール等のテトラゾール構造を有する化合物が好ましく使用できる。
　含窒素環状化合物の具体例としては、下記化合物を挙げることができるが、これに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000054
　含窒素環状化合物の分子量は、６０～１０００であることが好ましく、７０～７００であることがより好ましい。
　本発明の樹脂組成物が含窒素環状化合物を有する場合、含窒素環状化合物の含有量は、本発明の樹脂組成物の全固形分に対して、０．０１～５．０質量％であることが好ましく、０．０５～２．０質量％であることがより好ましく、０．１～１．０質量％であることが更に好ましい。
　本発明の第１の態様における樹脂組成物における、上記化合物Ａの含有量を１００質量部とした場合の上記含窒素環状化合物の含有量は、０．５～２００質量部であることが好ましく、０．８～１００質量部であることがより好ましく、０．１～４０質量部であることが更に好ましい。
　本発明の第２の態様における樹脂組成物における、上記ナフトキノンジアジド化合物の含有量を１００質量部とした場合の上記含窒素環状化合物の含有量は、０．５～２００質量部であることが好ましく、０．８～１００質量部であることがより好ましく、０．１～４０質量部であることが更に好ましい。
　本発明の樹脂組成物は含窒素環状化合物を１種のみ含んでもよいし、２種以上含んでよい。含窒素環状化合物を２種以上含む場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜重合性化合物＞
　本発明の樹脂組成物は、重合性化合物を含むことが好ましい。
　重合性化合物としては、ラジカル架橋剤、又は、他の架橋剤が挙げられる。なお、以下に例示した重合性化合物の中には窒素を含む環状化合物も存在するが、これらは上述の「含窒素環状化合物」には含まれないものとする。
〔ラジカル架橋剤〕
　本発明の樹脂組成物は、ラジカル架橋剤を含むことが好ましい。
　ラジカル架橋剤は、ラジカル重合性基を有する化合物である。ラジカル重合性基としては、エチレン性不飽和結合を含む基が好ましい。上記エチレン性不飽和結合を含む基としては、ビニル基、アリル基、ビニルフェニル基、（メタ）アクリロイル基、マレイミド基、（メタ）アクリルアミド基などのエチレン性不飽和結合を有する基が挙げられる。
　これらの中でも、上記エチレン性不飽和結合を含む基としては、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリルアミド基、ビニルフェニル基が好ましく、反応性の観点からは、（メタ）アクリロイル基がより好ましい。
　ラジカル架橋剤は、エチレン性不飽和結合を１個以上有する化合物であることが好ましいが、２個以上有する化合物であることがより好ましい。ラジカル架橋剤は、エチレン性不飽和結合を３個以上有していてもよい。
　上記エチレン性不飽和結合を２個以上有する化合物としては、エチレン性不飽和結合を２～１５個有する化合物が好ましく、エチレン性不飽和結合を２～１０個有する化合物がより好ましく、２～６個有する化合物が更に好ましい。
　また、得られるパターン（硬化物）の膜強度の観点からは、本発明の樹脂組成物は、エチレン性不飽和結合を２個有する化合物と、上記エチレン性不飽和結合を３個以上有する化合物とを含むことも好ましい。
　ラジカル架橋剤の分子量は、２，０００以下が好ましく、１，５００以下がより好ましく、９００以下が更に好ましい。ラジカル架橋剤の分子量の下限は、１００以上が好ましい。
　ラジカル架橋剤の具体例としては、不飽和カルボン酸（例えば、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、イソクロトン酸、マレイン酸など）やそのエステル類、アミド類が挙げられ、好ましくは、不飽和カルボン酸と多価アルコール化合物とのエステル、及び不飽和カルボン酸と多価アミン化合物とのアミド類である。また、ヒドロキシ基やアミノ基、スルファニル基等の求核性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル又はアミド類と、単官能若しくは多官能イソシアネート類又はエポキシ類との付加反応物や、単官能若しくは多官能のカルボン酸との脱水縮合反応物等も好適に使用される。また、イソシアネート基やエポキシ基等の親電子性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル又はアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との付加反応物、更に、ハロゲノ基やトシルオキシ基等の脱離性置換基を有する不飽和カルボン酸エステル又はアミド類と、単官能若しくは多官能のアルコール類、アミン類、チオール類との置換反応物も好適である。また、別の例として、上記の不飽和カルボン酸の代わりに、不飽和ホスホン酸、スチレン等のビニルベンゼン誘導体、ビニルエーテル、アリルエーテル等に置き換えた化合物群を使用することも可能である。具体例としては、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０１１３～０１２２の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　また、ラジカル架橋剤は、常圧下で１００℃以上の沸点を持つ化合物も好ましい。その例としては、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールエタントリ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（アクリロイルオキシプロピル）エーテル、トリ（アクリロイルオキシエチル）イソシアヌレート、グリセリンやトリメチロールエタン等の多官能アルコールにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加させた後、（メタ）アクリレート化した化合物、特公昭４８－０４１７０８号公報、特公昭５０－００６０３４号公報、特開昭５１－０３７１９３号各公報に記載されているようなウレタン（メタ）アクリレート類、特開昭４８－０６４１８３号、特公昭４９－０４３１９１号、特公昭５２－０３０４９０号各公報に記載されているポリエステルアクリレート類、エポキシ樹脂と（メタ）アクリル酸との反応生成物であるエポキシアクリレート類等の多官能のアクリレートやメタクリレート及びこれらの混合物を挙げることができる。また、特開２００８－２９２９７０号公報の段落０２５４～０２５７に記載の化合物も好適である。また、多官能カルボン酸にグリシジル（メタ）アクリレート等の環状エーテル基とエチレン性不飽和結合を有する化合物を反応させて得られる多官能（メタ）アクリレートなども挙げることができる。
　また、上述以外の好ましいラジカル架橋剤として、特開２０１０－１６０４１８号公報、特開２０１０－１２９８２５号公報、特許第４３６４２１６号公報等に記載される、フルオレン環を有し、エチレン性不飽和結合を有する基を２個以上有する化合物や、カルド樹脂も使用することが可能である。
　更に、その他の例としては、特公昭４６－０４３９４６号公報、特公平０１－０４０３３７号公報、特公平０１－０４０３３６号公報に記載の特定の不飽和化合物や、特開平０２－０２５４９３号公報に記載のビニルホスホン酸系化合物等もあげることができる。また、特開昭６１－０２２０４８号公報に記載のペルフルオロアルキル基を含む化合物を用いることもできる。更に日本接着協会誌　ｖｏｌ．２０、Ｎｏ．７、３００～３０８ページ（１９８４年）に光重合性モノマー及びオリゴマーとして紹介されているものも使用することができる。
　上記のほか、特開２０１５－０３４９６４号公報の段落００４８～００５１に記載の化合物、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落００８７～０１３１に記載の化合物も好ましく用いることができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　また、特開平１０－０６２９８６号公報において式（１）及び式（２）としてその具体例と共に記載の、多官能アルコールにエチレンオキサイドやプロピレンオキサイドを付加させた後に（メタ）アクリレート化した化合物も、ラジカル架橋剤として用いることができる。
　更に、特開２０１５－１８７２１１号公報の段落０１０４～０１３１に記載の化合物もラジカル架橋剤として用いることができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　ラジカル架橋剤としては、ジペンタエリスリトールトリアクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３３０（日本化薬（株）製））、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３２０（日本化薬（株）製）、Ａ－ＴＭＭＴ（新中村化学工業（株）製））、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　Ｄ－３１０（日本化薬（株）製））、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート（市販品としては　ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＨＡ（日本化薬（株）製）、Ａ－ＤＰＨ（新中村化学工業社製））、及びこれらの（メタ）アクリロイル基がエチレングリコール残基又はプロピレングリコール残基を介して結合している構造が好ましい。これらのオリゴマータイプも使用できる。
　ラジカル架橋剤の市販品としては、例えばサートマー社製のエチレンオキシ鎖を４個有する４官能アクリレートであるＳＲ－４９４、エチレンオキシ鎖を４個有する２官能メタクリレートであるサートマー社製のＳＲ－２０９、２３１、２３９、日本化薬（株）製のペンチレンオキシ鎖を６個有する６官能アクリレートであるＤＰＣＡ－６０、イソブチレンオキシ鎖を３個有する３官能アクリレートであるＴＰＡ－３３０、ウレタンオリゴマーＵＡＳ－１０、ＵＡＢ－１４０（日本製紙社製）、ＮＫエステルＭ－４０Ｇ、ＮＫエステル４Ｇ、ＮＫエステルＭ－９３００、ＮＫエステルＡ－９３００、ＵＡ－７２００（新中村化学工業社製）、ＤＰＨＡ－４０Ｈ（日本化薬（株）製）、ＵＡ－３０６Ｈ、ＵＡ－３０６Ｔ、ＵＡ－３０６Ｉ、ＡＨ－６００、Ｔ－６００、ＡＩ－６００（以上、共栄社化学社製）、ブレンマーＰＭＥ４００（日油（株）製）などが挙げられる。
　ラジカル架橋剤としては、特公昭４８－０４１７０８号公報、特開昭５１－０３７１９３号公報、特公平０２－０３２２９３号公報、特公平０２－０１６７６５号公報に記載されているようなウレタンアクリレート類や、特公昭５８－０４９８６０号公報、特公昭５６－０１７６５４号公報、特公昭６２－０３９４１７号公報、特公昭６２－０３９４１８号公報に記載のエチレンオキサイド系骨格を有するウレタン化合物類も好適である。更に、ラジカル架橋剤として、特開昭６３－２７７６５３号公報、特開昭６３－２６０９０９号公報、特開平０１－１０５２３８号公報に記載される、分子内にアミノ構造やスルフィド構造を有する化合物を用いることもできる。
　ラジカル架橋剤は、カルボキシ基、リン酸基等の酸基を有するラジカル架橋剤であってもよい。酸基を有するラジカル架橋剤は、脂肪族ポリヒドロキシ化合物と不飽和カルボン酸とのエステルが好ましく、脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシ基に非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせたラジカル架橋剤がより好ましい。特に好ましくは、脂肪族ポリヒドロキシ化合物の未反応のヒドロキシ基に非芳香族カルボン酸無水物を反応させて酸基を持たせたラジカル架橋剤において、脂肪族ポリヒドロキシ化合物がペンタエリスリトール又はジペンタエリスリトールである化合物である。市販品としては、例えば、東亞合成（株）製の多塩基酸変性アクリルオリゴマーとして、Ｍ－５１０、Ｍ－５２０などが挙げられる。
　酸基を有するラジカル架橋剤の好ましい酸価は、０．１～３００ｍｇＫＯＨ／ｇであり、特に好ましくは１～１００ｍｇＫＯＨ／ｇである。ラジカル架橋剤の酸価が上記範囲であれば、製造上の取扱性に優れ、更には、現像性に優れる。また、重合性が良好である。上記酸価は、ＪＩＳ　Ｋ　００７０：１９９２の記載に準拠して測定される。
　樹脂組成物は、パターンの解像性と膜の伸縮性の観点から、２官能のメタアクリレート又はアクリレートを用いることが好ましい。
　具体的な化合物としては、トリエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジメタクリレート、テトラエチレングリコールジアクリレート、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）２００ジアクリレート、ＰＥＧ２００ジメタクリレート、ＰＥＧ６００ジアクリレート、ＰＥＧ６００ジメタクリレート、ポリテトラエチレングリコールジアクリレート、ポリテトラエチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、３－メチル-１，５-ペンタンジオールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジメタクリレート、ジメチロール－トリシクロデカンジアクリレート、ジメチロール－トリシクロデカンジメタクリレート、ビスフェノールＡのＥＯ（エチレンオキシド）付加物ジアクリレート、ビスフェノールＡのＥＯ付加物ジメタクリレート、ビスフェノールＡのＰＯ（プロピレンオキシド）付加物ジアクリレート、ビスフェノールＡのＰＯ付加物ジメタクリレート、２－ヒドロキシー３－アクリロイロキシプロピルメタクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性ジアクリレート、イソシアヌル酸変性ジメタクリレート、その他ウレタン結合を有する２官能アクリレート、ウレタン結合を有する２官能メタクリレートを使用することができる。これらは必要に応じ、２種以上を混合し使用することができる。
　なお、例えばＰＥＧ２００ジアクリレートとは、ポリエチレングリコールジアクリレートであって、ポリエチレングリコール鎖の式量が２００程度のものをいう。
　本発明の樹脂組成物は、パターン（硬化物）の弾性率制御に伴う反り抑制の観点から、ラジカル架橋剤として、単官能ラジカル架橋剤を好ましく用いることができる。単官能ラジカル架橋剤としては、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、カルビトール（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、Ｎ－メチロール（メタ）アクリルアミド、グリシジル（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート等の（メタ）アクリル酸誘導体、Ｎ－ビニルピロリドン、Ｎ－ビニルカプロラクタム等のＮ－ビニル化合物類、アリルグリシジルエーテル等が好ましく用いられる。単官能ラジカル架橋剤としては、露光前の揮発を抑制するため、常圧下で１００℃以上の沸点を持つ化合物も好ましい。
　その他、２官能以上のラジカル架橋剤としては、ジアリルフタレート、トリアリルトリメリテート等のアリル化合物類が挙げられる。
　ラジカル架橋剤を含有する場合、その含有量は、本発明の樹脂組成物の全固形分に対して、０質量％超６０質量％以下であることが好ましい。下限は５質量％以上がより好ましい。上限は、５０質量％以下であることがより好ましく、３０質量％以下であることが更に好ましい。
　ラジカル架橋剤は１種を単独で用いてもよいが、２種以上を混合して用いてもよい。２種以上を併用する場合にはその合計量が上記の範囲となることが好ましい。
〔他の架橋剤〕
　本発明の樹脂組成物は、上述したラジカル架橋剤とは異なる、他の架橋剤を含むことも好ましい。
　本発明において、他の架橋剤とは、上述したラジカル架橋剤以外の架橋剤をいい、光酸発生剤、又は、光塩基発生剤の感光により、組成物中の他の化合物又はその反応生成物との間で共有結合を形成する反応が促進される基を分子内に複数個有する化合物であることが好ましく、組成物中の他の化合物又はその反応生成物との間で共有結合を形成する反応が酸又は塩基の作用によって促進される基を分子内に複数個有する化合物が好ましい。
　上記酸又は塩基は、露光工程において、光酸発生剤又は光塩基発生剤から発生する酸又は塩基であることが好ましい。
　他の架橋剤としては、アシルオキシメチル基、メチロール基及びアルコキシメチル基よりなる群から選ばれた少なくとも１種の基を有する化合物が好ましく、アシルオキシメチル基、メチロール基及びアルコキシメチル基よりなる群から選ばれた少なくとも１種の基が窒素原子に直接結合した構造を有する化合物がより好ましい。
　他の架橋剤としては、例えば、メラミン、グリコールウリル、尿素、アルキレン尿素、ベンゾグアナミンなどのアミノ基含有化合物にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドとアルコールを反応させ、上記アミノ基の水素原子をアシルオキシメチル基、メチロール基又はアルコキシメチル基で置換した構造を有する化合物が挙げられる。これらの化合物の製造方法は特に限定されず、上記方法により製造された化合物と同様の構造を有する化合物であればよい。また、これらの化合物のメチロール基同士が自己縮合してなるオリゴマーであってもよい。
　上記のアミノ基含有化合物として、メラミンを用いた架橋剤をメラミン系架橋剤、グリコールウリル、尿素又はアルキレン尿素を用いた架橋剤を尿素系架橋剤、アルキレン尿素を用いた架橋剤をアルキレン尿素系架橋剤、ベンゾグアナミンを用いた架橋剤をベンゾグアナミン系架橋剤という。
　これらの中でも、本発明の樹脂組成物は、尿素系架橋剤及びメラミン系架橋剤よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を含むことが好ましく、後述するグリコールウリル系架橋剤及びメラミン系架橋剤よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を含むことがより好ましい。
　本発明におけるアルコキシメチル基及びアシルオキシメチル基の少なくとも１つを含有する化合物としては、アルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基が、直接芳香族基や下記ウレア構造の窒素原子上に、又は、トリアジン上に置換した化合物を構造例として挙げることができる。
　上記化合物が有するアルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基は、炭素数２～５が好ましく、炭素数２又は３が好ましく、炭素数２がより好ましい。
　上記化合物が有するアルコキシメチル基及びアシルオキシメチル基の総数は１～１０が好ましく、より好ましくは２～８、特に好ましくは３～６である。
　上記化合物の分子量は好ましくは１５００以下であり、１８０～１２００が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000055
　Ｒ１００は、アルキル基又はアシル基を表す。
　Ｒ１０１及びＲ１０２は、それぞれ独立に、一価の有機基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。
　アルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基が直接芳香族基に置換した化合物としては、例えば下記一般式の様な化合物を挙げることができる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000056
　式中、Ｘは単結合又は２価の有機基を示し、個々のＲ１０４はそれぞれ独立にアルキル基又はアシル基を示し、Ｒ１０３は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アリール基、アラルキル基、又は、酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基（例えば、酸の作用により脱離する基、－Ｃ（Ｒ４）２ＣＯＯＲ５で表される基（Ｒ４はそれぞれ独立に、水素原子又は炭素数１～４のアルキル基を表し、Ｒ５は酸の作用により脱離する基を表す。））を示す。
　Ｒ１０５は各々独立にアルキル基又はアルケニル基を示し、ａ、ｂ及びｃは各々独立に１～３であり、ｄは０～４であり、ｅは０～３であり、ｆは０～３であり、ａ＋ｄは５以下であり、ｂ＋ｅは４以下であり、ｃ＋ｆは４以下である。
　酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基、酸の作用により脱離する基、－Ｃ（Ｒ４）２ＣＯＯＲ５で表される基におけるＲ５については、例えば、－Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（Ｒ３８）、－Ｃ（Ｒ３６）（Ｒ３７）（ＯＲ３９）、－Ｃ（Ｒ０１）（Ｒ０２）（ＯＲ３９）等を挙げることができる。
　式中、Ｒ３６～Ｒ３９は、各々独立に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。Ｒ３６とＲ３７とは、互いに結合して環を形成してもよい。
　上記アルキル基としては、炭素数１～１０のアルキル基が好ましく、炭素数１～５のアルキル基がより好ましい。
　上記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状のいずれであってもよい。
　上記シクロアルキル基としては、炭素数３～１２のシクロアルキル基が好ましく、炭素数３～８のシクロアルキル基がより好ましい。
　上記シクロアルキル基は単環構造であってもよいし、縮合環等の多環構造であってもよい。
　上記アリール基は炭素数６～３０の芳香族炭化水素基であることが好ましく、フェニル基であることがより好ましい。
　上記アラルキル基としては、炭素数７～２０のアラルキル基が好ましく、炭素数７～１６のアラルキル基がより好ましい。
　上記アラルキル基はアルキル基により置換されたアリール基を意図しており、これらのアルキル基及びアリール基の好ましい態様は、上述のアルキル基及びアリール基の好ましい態様と同様である。
　上記アルケニル基は炭素数３～２０のアルケニル基が好ましく、炭素数３～１６のアルケニル基がより好ましい。
　また、これらの基は本発明の効果が得られる範囲内で、公知の置換基を更に有していてもよい。
　Ｒ０１及びＲ０２は、各々独立に、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基又はアルケニル基を表す。
　酸の作用により分解し、アルカリ可溶性基を生じる基、または酸の作用により脱離する基としては好ましくは、第３級アルキルエステル基、アセタール基、クミルエステル基、エノールエステル基等である。更に好ましくは、第３級アルキルエステル基、アセタール基である。
　アルコキシメチル基を有する化合物としては具体的に以下の構造を挙げることができる。アシルオキシメチル基を有する化合物は下記化合物のアルコキシメチル基をアシルオキシメチル基に変更した化合物を挙げることができる。アルコキシメチル基又はアシルオキシメチルを分子内に有する化合物としては以下の様な化合物を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000057
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000058
　アルコキシメチル基及びアシルオキシメチル基の少なくとも１つを含有する化合物は、市販のものを用いても、公知の方法により合成したものを用いてもよい。
　耐熱性の観点で、アルコキシメチル基又はアシルオキシメチル基が、直接芳香環やトリアジン環上に置換した化合物が好ましい。
　メラミン系架橋剤の具体例としては、ヘキサメトキシメチルメラミン、ヘキサエトキシメチルメラミン、ヘキサプロポキシメチルメラミン、ヘキサブトキシブチルメラミンなどが挙げられる。
　尿素系架橋剤の具体例としては、例えば、モノヒドロキシメチル化グリコールウリル、ジヒドロキシメチル化グリコールウリル、トリヒドロキシメチル化グリコールウリル、テトラヒドロキシメチル化グリコールウリル、モノメトキシメチル化グリコールウリル、ジメトキシメチル化グリコールウリル、トリメトキシメチル化グリコールウリル、テトラメトキシメチル化グリコールウリル、モノエトキシメチル化グリコールウリル、ジエトキシメチル化グリコールウリル、トリエトキシメチル化グリコールウリル、テトラエトキシメチル化グリコールウリル、モノプロポキシメチル化グリコールウリル、ジプロポキシメチル化グリコールウリル、トリプロポキシメチル化グリコールウリル、テトラプロポキシメチル化グリコールウリル、モノブトキシメチル化グリコールウリル、ジブトキシメチル化グリコールウリル、トリブトキシメチル化グリコールウリル、又は、テトラブトキシメチル化グリコールウリルなどのグリコールウリル系架橋剤；
　ビスメトキシメチル尿素、ビスエトキシメチル尿素、ビスプロポキシメチル尿素、ビスブトキシメチル尿素等の尿素系架橋剤、
　モノヒドロキシメチル化エチレン尿素又はジヒドロキシメチル化エチレン尿素、モノメトキシメチル化エチレン尿素、ジメトキシメチル化エチレン尿素、モノエトキシメチル化エチレン尿素、ジエトキシメチル化エチレン尿素、モノプロポキシメチル化エチレン尿素、ジプロポキシメチル化エチレン尿素、モノブトキシメチル化エチレン尿素、又は、ジブトキシメチル化エチレン尿素などのエチレン尿素系架橋剤、
　モノヒドロキシメチル化プロピレン尿素、ジヒドロキシメチル化プロピレン尿素、モノメトキシメチル化プロピレン尿素、ジメトキシメチル化プロピレン尿素、モノジエトキシメチル化プロピレン尿素、ジエトキシメチル化プロピレン尿素、モノプロポキシメチル化プロピレン尿素、ジプロポキシメチル化プロピレン尿素、モノブトキシメチル化プロピレン尿素、又は、ジブトキシメチル化プロピレン尿素などのプロピレン尿素系架橋剤、
　１，３－ジ（メトキシメチル）４，５－ジヒドロキシ－２－イミダゾリジノン、１，３－ジ（メトキシメチル）－４，５－ジメトキシ－２－イミダゾリジノンなどが挙げられる。
　ベンゾグアナミン系架橋剤の具体例としては、例えばモノヒドロキシメチル化ベンゾグアナミン、ジヒドロキシメチル化ベンゾグアナミン、トリヒドロキシメチル化ベンゾグアナミン、テトラヒドロキシメチル化ベンゾグアナミン、モノメトキシメチル化ベンゾグアナミン、ジメトキシメチル化ベンゾグアナミン、トリメトキシメチル化ベンゾグアナミン、テトラメトキシメチル化ベンゾグアナミン、モノエトキシメチル化ベンゾグアナミン、ジエトキシメチル化ベンゾグアナミン、トリエトキシメチル化ベンゾグアナミン、テトラエトキシメチル化ベンゾグアナミン、モノプロポキシメチル化ベンゾグアナミン、ジプロポキシメチル化ベンゾグアナミン、トリプロポキシメチル化ベンゾグアナミン、テトラプロポキシメチル化ベンゾグアナミン、モノブトキシメチル化ベンゾグアナミン、ジブトキシメチル化ベンゾグアナミン、トリブトキシメチル化ベンゾグアナミン、テトラブトキシメチル化ベンゾグアナミンなどが挙げられる。
　その他、メチロール基及びアルコキシメチル基よりなる群から選ばれた少なくとも１種の基を有する化合物としては、芳香環（好ましくはベンゼン環）にメチロール基及びアルコキシメチル基よりなる群から選ばれた少なくとも１種の基が直接結合した化合物も好適に用いられる。
　このような化合物の具体例としては、ベンゼンジメタノール、ビス（ヒドロキシメチル）クレゾール、ビス（ヒドロキシメチル）ジメトキシベンゼン、ビス（ヒドロキシメチル）ジフェニルエーテル、ビス（ヒドロキシメチル）ベンゾフェノン、ヒドロキシメチル安息香酸ヒドロキシメチルフェニル、ビス（ヒドロキシメチル）ビフェニル、ジメチルビス（ヒドロキシメチル）ビフェニル、ビス（メトキシメチル）ベンゼン、ビス（メトキシメチル）クレゾール、ビス（メトキシメチル）ジメトキシベンゼン、ビス（メトキシメチル）ジフェニルエーテル、ビス（メトキシメチル）ベンゾフェノン、メトキシメチル安息香酸メトキシメチルフェニル、ビス（メトキシメチル）ビフェニル、ジメチルビス（メトキシメチル）ビフェニル、４，４’，４’’－エチリデントリス［２，６－ビス（メトキシメチル）フェノール］、５，５’－［２，２，２‐トリフルオロ‐１‐（トリフルオロメチル）エチリデン］ビス［２‐ヒドロキシ‐１，３‐ベンゼンジメタノール］、３，３’，５，５’－テトラキス（メトキシメチル）－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジオール等が挙げられる。
　他の架橋剤としては市販品を用いてもよく、好適な市販品としては、４６ＤＭＯＣ、４６ＤＭＯＥＰ（以上、旭有機材工業社製）、ＤＭＬ－ＰＣ、ＤＭＬ－ＰＥＰ、ＤＭＬ－ＯＣ、ＤＭＬ－ＯＥＰ、ＤＭＬ－３４Ｘ、ＤＭＬ－ＰＴＢＰ、ＤＭＬ－ＰＣＨＰ、ＤＭＬ－ＯＣＨＰ、ＤＭＬ－ＰＦＰ、ＤＭＬ－ＰＳＢＰ、ＤＭＬ－ＰＯＰ、ＤＭＬ－ＭＢＯＣ、ＤＭＬ－ＭＢＰＣ、ＤＭＬ－ＭＴｒｉｓＰＣ、ＤＭＬ－ＢｉｓＯＣ－Ｚ、ＤＭＬ－ＢｉｓＯＣＨＰ－Ｚ、ＤＭＬ－ＢＰＣ、ＤＭＬＢｉｓＯＣ－Ｐ、ＤＭＯＭ－ＰＣ、ＤＭＯＭ－ＰＴＢＰ、ＤＭＯＭ－ＭＢＰＣ、ＴｒｉＭＬ－Ｐ、ＴｒｉＭＬ－３５ＸＬ、ＴＭＬ－ＨＱ、ＴＭＬ－ＢＰ、ＴＭＬ－ｐｐ－ＢＰＦ、ＴＭＬ－ＢＰＥ、ＴＭＬ－ＢＰＡ、ＴＭＬ－ＢＰＡＦ、ＴＭＬ－ＢＰＡＰ、ＴＭＯＭ－ＢＰ、ＴＭＯＭ－ＢＰＥ、ＴＭＯＭ－ＢＰＡ、ＴＭＯＭ－ＢＰＡＦ、ＴＭＯＭ－ＢＰＡＰ、ＨＭＬ－ＴＰＰＨＢＡ、ＨＭＬ－ＴＰＨＡＰ、ＨＭＯＭ－ＴＰＰＨＢＡ、ＨＭＯＭ－ＴＰＨＡＰ（以上、本州化学工業社製）、ニカラック（登録商標、以下同様）ＭＸ－２９０、ニカラックＭＸ－２８０、ニカラックＭＸ－２７０、ニカラックＭＸ－２７９、ニカラックＭＷ－１００ＬＭ、ニカラックＭＸ－７５０ＬＭ（以上、三和ケミカル社製）などが挙げられる。
　また、本発明の樹脂組成物は、他の架橋剤として、エポキシ化合物、オキセタン化合物、及び、ベンゾオキサジン化合物よりなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物を含むことも好ましい。
－エポキシ化合物（エポキシ基を有する化合物）－
　エポキシ化合物としては、一分子中にエポキシ基を２以上有する化合物であることが好ましい。エポキシ基は、２００℃以下で架橋反応し、かつ、架橋に由来する脱水反応が起こらないため膜収縮が起きにくい。このため、エポキシ化合物を含有することは、本発明の樹脂組成物の低温硬化及び反りの抑制に効果的である。
　エポキシ化合物は、ポリエチレンオキサイド基を含有することが好ましい。これにより、より弾性率が低下し、また反りを抑制することができる。ポリエチレンオキサイド基は、エチレンオキサイドの繰返し単位数が２以上のものを意味し、繰返し単位数が２～１５であることが好ましい。
　エポキシ化合物の例としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂；ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂；プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ブチレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサメチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル等のアルキレングリコール型エポキシ樹脂又は多価アルコール炭化水素型エポキシ樹脂；ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル等のポリアルキレングリコール型エポキシ樹脂；ポリメチル（グリシジロキシプロピル）シロキサン等のエポキシ基含有シリコーンなどを挙げることができるが、これらに限定されない。具体的には、エピクロン（登録商標）８５０－Ｓ、エピクロン（登録商標）ＨＰ－４０３２、エピクロン（登録商標）ＨＰ－７２００、エピクロン（登録商標）ＨＰ－８２０、エピクロン（登録商標）ＨＰ－４７００、エピクロン（登録商標）ＨＰ－４７７０、エピクロン（登録商標）ＥＸＡ－８３０ＬＶＰ、エピクロン（登録商標）ＥＸＡ－８１８３、エピクロン（登録商標）ＥＸＡ－８１６９、エピクロン（登録商標）Ｎ－６６０、エピクロン（登録商標）Ｎ－６６５－ＥＸＰ－Ｓ、エピクロン（登録商標）Ｎ－７４０（以上商品名、ＤＩＣ（株）製）、リカレジン（登録商標）ＢＥＯ－２０Ｅ、リカレジン（登録商標）ＢＥＯ－６０Ｅ、リカレジン（登録商標）ＨＢＥ－１００、リカレジン（登録商標）ＤＭＥ－１００、リカレジン（登録商標）Ｌ－２００（商品名、新日本理化（株）製）、ＥＰ－４００３Ｓ、ＥＰ－４０００Ｓ、ＥＰ－４０８８Ｓ、ＥＰ－３９５０Ｓ（以上商品名、（株）ＡＤＥＫＡ製）、セロキサイド（登録商標）２０２１Ｐ、セロキサイド（登録商標）２０８１、セロキサイド（登録商標）２０００、ＥＨＰＥ３１５０、エポリード（登録商標）ＧＴ４０１、エポリード（登録商標）ＰＢ４７００、エポリード（登録商標）ＰＢ３６００（以上商品名、（株）ダイセル製）、ＮＣ－３０００、ＮＣ－３０００－Ｌ、ＮＣ－３０００－Ｈ、ＮＣ－３０００－ＦＨ－７５Ｍ、ＮＣ－３１００、ＣＥＲ－３０００－Ｌ、ＮＣ－２０００－Ｌ、ＸＤ－１０００、ＮＣ－７０００Ｌ、ＮＣ－７３００Ｌ、ＥＰＰＮ－５０１Ｈ、ＥＰＰＮ－５０１ＨＹ、ＥＰＰＮ－５０２Ｈ、ＥＯＣＮ－１０２０、ＥＯＣＮ－１０２Ｓ、ＥＯＣＮ－１０３Ｓ、ＥＯＣＮ－１０４Ｓ、ＣＥＲ－１０２０、ＥＰＰＮ－２０１、ＢＲＥＮ－Ｓ、ＢＲＥＮ－１０Ｓ（以上商品名、日本化薬（株）製）などが挙げられる。また以下の化合物も好適に用いられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000059
　式中ｎは１～５の整数、ｍは１～２０の整数である。
　上記構造の中でも、耐熱性と伸度向上を両立する点から、ｎは１～２、ｍは３～７であることが好ましい。
－オキセタン化合物（オキセタニル基を有する化合物）－
　オキセタン化合物としては、一分子中にオキセタン環を２つ以上有する化合物、３－エチル－３－ヒドロキシメチルオキセタン、１，４－ビス｛［（３－エチル－３－オキセタニル）メトキシ］メチル｝ベンゼン、３－エチル－３－（２－エチルヘキシルメチル）オキセタン、１，４－ベンゼンジカルボン酸－ビス［（３－エチル－３－オキセタニル）メチル］エステル等を挙げることができる。具体的な例としては、東亞合成（株）製のアロンオキセタンシリーズ（例えば、ＯＸＴ－１２１、ＯＸＴ－２２１）が好適に使用することができ、これらは単独で、又は２種以上混合してもよい。
－ベンゾオキサジン化合物（ベンゾオキサゾリル基を有する化合物）－
　ベンゾオキサジン化合物は、開環付加反応に由来する架橋反応のため、硬化時に脱ガスが発生せず、更に熱収縮を小さくして反りの発生が抑えられることから好ましい。
　ベンゾオキサジン化合物の好ましい例としては、Ｐ－ｄ型ベンゾオキサジン、Ｆ－ａ型ベンゾオキサジン（以上、商品名、四国化成工業社製）、ポリヒドロキシスチレン樹脂のベンゾオキサジン付加物、フェノールノボラック型ジヒドロベンゾオキサジン化合物が挙げられる。これらは単独で用いるか、又は２種以上混合してもよい。
　他の架橋剤の含有量は、本発明の樹脂組成物の全固形分に対し０．１～３０質量％であることが好ましく、０．１～２０質量％であることがより好ましく、０．５～１５質量％であることが更に好ましく、１．０～１０質量％であることが特に好ましい。他の架橋剤は１種のみ含有していてもよいし、２種以上含有していてもよい。他の架橋剤を２種以上含有する場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜塩基発生剤＞
　本発明の樹脂組成物は、塩基発生剤を含んでもよい。ここで、塩基発生剤とは、物理的または化学的な作用によって塩基を発生することができる化合物である。本発明の樹脂組成物にとって好ましい塩基発生剤としては、熱塩基発生剤および光塩基発生剤が挙げられる。
　特に、樹脂組成物が環化樹脂の前駆体を含む場合、樹脂組成物は塩基発生剤を含むことが好ましい。樹脂組成物が熱塩基発生剤を含有することによって、例えば加熱により前駆体の環化反応を促進でき、硬化物の機械特性や耐薬品性が良好なものとなり、例えば半導体パッケージ中に含まれる再配線層用層間絶縁膜としての性能が良好となる。
　塩基発生剤としては、イオン型塩基発生剤でもよく、非イオン型塩基発生剤でもよい。塩基発生剤から発生する塩基としては、例えば、２級アミン、３級アミンが挙げられる。
　本発明に係る塩基発生剤について特に制限はなく、公知の塩基発生剤を用いることができる。公知の塩基発生剤としては、例えば、カルバモイルオキシム化合物、カルバモイルヒドロキシルアミン化合物、カルバミン酸化合物、ホルムアミド化合物、アセトアミド化合物、カルバメート化合物、ベンジルカルバメート化合物、ニトロベンジルカルバメート化合物、スルホンアミド化合物、イミダゾール誘導体化合物、アミンイミド化合物、ピリジン誘導体化合物、α－アミノアセトフェノン誘導体化合物、４級アンモニウム塩誘導体化合物、ピリジニウム塩、α－ラクトン環誘導体化合物、アミンイミド化合物、フタルイミド誘導体化合物、アシルオキシイミノ化合物、などを用いることができる。
　非イオン型塩基発生剤の具体的な化合物としては、式（Ｂ１）、式（Ｂ２）、又は式（Ｂ３）で表される化合物が挙げられる。
　なお、以下に例示した塩基発生剤の中には窒素を含む環状化合物も存在するが、これらは上述の「含窒素環状化合物」には含まれないものとする。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000060
　式（Ｂ１）及び式（Ｂ２）中、Ｒｂ１、Ｒｂ２及びＲｂ３はそれぞれ独立に、第三級アミン構造を有しない有機基、ハロゲン原子又は水素原子である。ただし、Ｒｂ１及びＲｂ２が同時に水素原子となることはない。また、Ｒｂ１、Ｒｂ２及びＲｂ３はいずれもカルボキシ基を有することはない。なお、本明細書で第三級アミン構造とは、３価の窒素原子の３つの結合手がいずれも炭化水素系の炭素原子と共有結合している構造を指す。したがって、結合した炭素原子がカルボニル基をなす炭素原子の場合、つまり窒素原子とともにアミド基を形成する場合はこの限りではない。
　式（Ｂ１）、（Ｂ２）中、Ｒｂ１、Ｒｂ２及びＲｂ３は、これらのうち少なくとも１つが環状構造を含むことが好ましく、少なくとも２つが環状構造を含むことがより好ましい。環状構造としては、単環及び縮合環のいずれであってもよく、単環又は単環が２つ縮合した縮合環が好ましい。単環は、５員環又は６員環が好ましく、６員環がより好ましい。単環は、シクロヘキサン環及びベンゼン環が好ましく、シクロヘキサン環がより好ましい。
　より具体的にＲｂ１及びＲｂ２は、水素原子、アルキル基（炭素数１～２４が好ましく、２～１８がより好ましく、３～１２が更に好ましい）、アルケニル基（炭素数２～２４が好ましく、２～１８がより好ましく、３～１２が更に好ましい）、アリール基（炭素数６～２２が好ましく、６～１８がより好ましく、６～１０が更に好ましい）、又はアリールアルキル基（炭素数７～２５が好ましく、７～１９がより好ましく、７～１２が更に好ましい）であることが好ましい。これらの基は、本発明の効果を奏する範囲で置換基を有していてもよい。Ｒｂ１とＲｂ２とは互いに結合して環を形成していてもよい。形成される環としては、４～７員の含窒素複素環が好ましい。Ｒｂ１及びＲｂ２は特に、置換基を有してもよい直鎖、分岐、又は環状のアルキル基（炭素数１～２４が好ましく、２～１８がより好ましく、３～１２が更に好ましい）であることが好ましく、置換基を有してもよいシクロアルキル基（炭素数３～２４が好ましく、３～１８がより好ましく、３～１２が更に好ましい）であることがより好ましく、置換基を有してもよいシクロヘキシル基が更に好ましい。
　Ｒｂ３としては、アルキル基（炭素数１～２４が好ましく、２～１８がより好ましく、３～１２が更に好ましい）、アリール基（炭素数６～２２が好ましく、６～１８がより好ましく、６～１０が更に好ましい）、アルケニル基（炭素数２～２４が好ましく、２～１２がより好ましく、２～６が更に好ましい）、アリールアルキル基（炭素数７～２３が好ましく、７～１９がより好ましく、７～１２が更に好ましい）、アリールアルケニル基（炭素数８～２４が好ましく、８～２０がより好ましく、８～１６が更に好ましい）、アルコキシル基（炭素数１～２４が好ましく、２～１８がより好ましく、３～１２が更に好ましい）、アリールオキシ基（炭素数６～２２が好ましく、６～１８がより好ましく、６～１２が更に好ましい）、又はアリールアルキルオキシ基（炭素数７～２３が好ましく、７～１９がより好ましく、７～１２が更に好ましい）が挙げられる。中でも、シクロアルキル基（炭素数３～２４が好ましく、３～１８がより好ましく、３～１２が更に好ましい）、アリールアルケニル基、アリールアルキルオキシ基が好ましい。Ｒｂ３は更に本発明の効果を奏する範囲で置換基を有していてもよい。
　式（Ｂ１）で表される化合物は、下記式（Ｂ１－１）又は下記式（Ｂ１－２）で表される化合物であることが好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000061
　式中、Ｒｂ１１及びＲｂ１２、並びに、Ｒｂ３１及びＲｂ３２は、それぞれ、式（Ｂ１）におけるＲｂ１及びＲｂ２と同じである。
　Ｒｂ１３はアルキル基（炭素数１～２４が好ましく、２～１８がより好ましく、３～１２が更に好ましい）、アルケニル基（炭素数２～２４が好ましく、２～１８がより好ましく、３～１２が更に好ましい）、アリール基（炭素数６～２２が好ましく、６～１８がより好ましく、６～１２が更に好ましい）、アリールアルキル基（炭素数７～２３が好ましく、７～１９がより好ましく、７～１２が更に好ましい）であり、本発明の効果を奏する範囲で置換基を有していてもよい。中でも、Ｒｂ１３はアリールアルキル基が好ましい。
　Ｒｂ３３及びＲｂ３４は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基（炭素数１～１２が好ましく、１～８がより好ましく、１～３が更に好ましい）、アルケニル基（炭素数２～１２が好ましく、２～８がより好ましく、２～３が更に好ましい）、アリール基（炭素数６～２２が好ましく、６～１８がより好ましく、６～１０が更に好ましい）、アリールアルキル基（炭素数７～２３が好ましく、７～１９がより好ましく、７～１１が更に好ましい）であり、水素原子が好ましい。
　Ｒｂ３５は、アルキル基（炭素数１～２４が好ましく、１～１２がより好ましく、３～８が更に好ましい）、アルケニル基（炭素数２～１２が好ましく、２～１０がより好ましく、３～８が更に好ましい）、アリール基（炭素数６～２２が好ましく、６～１８がより好ましく、６～１２が更に好ましい）、アリールアルキル基（炭素数７～２３が好ましく、７～１９がより好ましく、７～１２が更に好ましい）であり、アリール基が好ましい。
　式（Ｂ１－１）で表される化合物は、式（Ｂ１－１ａ）で表される化合物もまた好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000062
　Ｒｂ１１及びＲｂ１２は式（Ｂ１－１）におけるＲｂ１１及びＲｂ１２と同義である。
　Ｒｂ１５及びＲｂ１６は水素原子、アルキル基（炭素数１～１２が好ましく、１～６がより好ましく、１～３が更に好ましい）、アルケニル基（炭素数２～１２が好ましく、２～６がより好ましく、２～３が更に好ましい）、アリール基（炭素数６～２２が好ましく、６～１８がより好ましく、６～１０が更に好ましい）、アリールアルキル基（炭素数７～２３が好ましく、７～１９がより好ましく、７～１１が更に好ましい）であり、水素原子又はメチル基が好ましい。
　Ｒｂ１７はアルキル基（炭素数１～２４が好ましく、１～１２がより好ましく、３～８が更に好ましい）、アルケニル基（炭素数２～１２が好ましく、２～１０がより好ましく、３～８が更に好ましい）、アリール基（炭素数６～２２が好ましく、６～１８がより好ましく、６～１２が更に好ましい）、アリールアルキル基（炭素数７～２３が好ましく、７～１９がより好ましく、７～１２が更に好ましい）であり、中でもアリール基が好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000063
　式（Ｂ３）において、Ｌは、隣接する酸素原子と炭素原子を連結する連結鎖の経路上に飽和炭化水素基を有する２価の炭化水素基であって、連結鎖の経路上の原子数が３以上である炭化水素基を表す。また、ＲＮ１およびＲＮ２は、それぞれ独立に１価の有機基を表す。
　本明細書において、「連結鎖」とは、連結対象の２つの原子または原子群の間を結ぶ経路上の原子鎖のうち、これらの連結対象を最短（最小原子数）で結ぶものをいう。例えば、下記式で表される化合物において、Ｌは、フェニレンエチレン基から構成され、飽和炭化水素基としてエチレン基を有し、連結鎖は４つの炭素原子から構成されており、連結鎖の経路上の原子数（つまり、連結鎖を構成する原子の数であり、以下、「連結鎖長」あるいは「連結鎖の長さ」ともいう。）は４である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000064
　式（Ｂ３）におけるＬ中の炭素数（連結鎖中の炭素原子以外の炭素原子も含む）は、３～２４であることが好ましい。上限は、１２以下であることがより好ましく、１０以下であることがさらに好ましく、８以下であることが特に好ましい。下限は、４以上であることがより好ましい。上記分子内環化反応を速やかに進行させる観点から、Ｌの連結鎖長の上限は、１２以下であることが好ましく、８以下であることがより好ましく、６以下であることがさらに好ましく、５以下であることが特に好ましい。特に、Ｌの連結鎖長は、４または５であることが好ましく、４であることが最も好ましい。塩基発生剤の具体的な好ましい化合物としては、例えば、国際公開第２０２０／０６６４１６号の段落番号０１０２～０１６８に記載の化合物、国際公開第２０１８／０３８００２号の段落番号０１４３～０１７７に記載の化合物も挙げられる。
また、塩基発生剤は下記式（Ｎ１）で表される化合物を含むことも好ましい。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000065
　式（Ｎ１）中、ＲＮ１およびＲＮ２はそれぞれ独立に１価の有機基を表し、ＲC1は水素原子または保護基を表し、Ｌは２価の連結基を表す。
　Ｌは２価の連結基であり、２価の有機基であることが好ましい。連結基の連結鎖長は１以上であることが好ましく、２以上であることがより好ましい。上限としては、１２以下であることが好ましく、８以下であることがより好ましく、５以下であることがさらに好ましい。連結鎖長とは、式中の２つのカルボニル基の間において最短の道程となる原子配列に存在する原子の数である。
　式（Ｎ１）中、ＲＮ１およびＲＮ２はそれぞれ独立に１価の有機基（炭素数１～２４が好ましく、２～１８がより好ましく、３～１２がさらに好ましい）を表し、炭化水素基（炭素数１～２４が好ましく、１～１２がより好ましく、１～１０がさらに好ましい）であることが好ましく、具体的には、脂肪族炭化水素基（炭素数１～２４が好ましく、１～１２がより好ましく、１～１０がさらに好ましい）または芳香族炭化水素基（炭素数６～２２が好ましく、６～１８がより好ましく、６～１０がさらに好ましい）を挙げることができ、脂肪族炭化水素基が好ましい。ＲＮ１およびＲＮ２として、脂肪族炭化水素基を用いると、発生する塩基の塩基性が高く好ましい。なお、脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基は、置換基を有していてもよく、また、脂肪族炭化水素基および芳香族炭化水素基が脂肪族炭化水素鎖中や芳香環中、置換基中に酸素原子を有していてもよい。特に、脂肪族炭化水素基が炭化水素鎖中に酸素原子を有している態様が例示される。
　ＲＮ１およびＲＮ２を構成する脂肪族炭化水素基としては、直鎖または分岐の鎖状アルキル基、環状アルキル基、鎖状アルキル基と環状アルキル基の組合せに係る基、酸素原子を鎖中に有するアルキル基が挙げられる。直鎖または分岐の鎖状アルキル基は、炭素数１～２４のものが好ましく、２～１８がより好ましく、３～１２がさらに好ましい。直鎖または分岐の鎖状アルキル基は、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、イソプロピル基、イソブチル基、セカンダリーブチル基、ターシャリーブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ターシャリーペンチル基、イソヘキシル基等が挙げられる。
　環状アルキル基は、炭素数３～１２のものが好ましく、３～６がより好ましい。環状アルキル基は、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基等が挙げられる。
　鎖状アルキル基と環状アルキル基の組合せに係る基は、炭素数４～２４のものが好ましく、４～１８がより好ましく、４～１２がさらに好ましい。鎖状アルキル基と環状アルキル基の組合せに係る基は、例えば、シクロヘキシルメチル基、シクロヘキシルエチル基、シクロヘキシルプロピル基、メチルシクロヘキシルメチル基、エチルシクロヘキシルエチル基等が挙げられる。
　酸素原子を鎖中に有するアルキル基は、炭素数２～１２のものが好ましく、２～６がより好ましく、２～４がさらに好ましい。酸素原子を鎖中に有するアルキル基は、鎖状でも環状でもよく、直鎖でも分岐でもよい。
　なかでも、後述する分解生成塩基の沸点を高める観点で、ＲＮ１およびＲＮ２は炭素数５～１２のアルキル基が好ましい。ただし、金属（例えば銅）の層と積層する際の密着性を重視する処方においては、環状のアルキル基を有する基や炭素数１～８のアルキル基であることが好ましい。
　ＲＮ１およびＲＮ２は互いに連結して環状構造を形成していてもよい。環状構造を形成するにあたっては、酸素原子等を鎖中に有していてもよい。また、ＲＮ１およびＲＮ２が形成する環状構造は、単環であっても、縮合環であってもよいが、単環が好ましい。形成される環状構造としては、式（Ｎ１）中の窒素原子を含有する５員環または６員環が好ましく、例えば、ピロール環、イミダゾール環、ピラゾール環、ピロリン環、ピロリジン環、イミダゾリジン環、ピラゾリジン環、ピぺリジン環、ピペラジン環、モルホリン環などが挙げられ、ピロリン環、ピロリジン環、ピペリジン環、ピペラジン環、モルホリン環が好ましく挙げられる。
　ＲＣ１は水素原子または保護基を表し、水素原子が好ましい。
　保護基としては、酸または塩基の作用により分解する保護基が好ましく、酸で分解する保護基が好ましく挙げられる。
　保護基の具体例としては、鎖状もしくは環状のアルキル基または鎖中に酸素原子を有する鎖状もしくは環状のアルキル基が挙げられる。鎖状もしくは環状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。鎖中に酸素原子を有する鎖状のアルキル基としては、具体的にはアルキルオキシアルキル基が挙げられ、さらに具体的には、メチルオキシメチル（ＭＯＭ）基、エチルオキシエチル（ＥＥ）基等が挙げられる。鎖中に酸素原子を有する環状のアルキル基としては、エポキシ基、グリシジル基、オキセタニル基、テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル（ＴＨＰ）基等が挙げられる。
　Ｌを構成する２価の連結基としては、特に定めるものではないが、炭化水素基が好ましく、脂肪族炭化水素基がより好ましい。炭化水素基は、置換基を有していてもよく、また、炭化水素鎖の中に炭素原子以外の種類の原子を有していてもよい。より具体的には、鎖中に酸素原子を有していてもよい２価の炭化水素連結基であることが好ましく、鎖中に酸素原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基、２価の芳香族炭化水素基、または鎖中に酸素原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基と２価の芳香族炭化水素基の組み合わせに係る基がより好ましく、鎖中に酸素原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基がさらに好ましい。これらの基は、酸素原子を有していないほうが好ましい。
　２価の炭化水素連結基は、炭素数１～２４のものが好ましく、２～１２がより好ましく、２～６がさらに好ましい。２価の脂肪族炭化水素基は、炭素数１～１２のものが好ましく、２～６がより好ましく、２～４がさらに好ましい。２価の芳香族炭化水素基は、炭素数６～２２のものが好ましく、６～１８がより好ましく、６～１０がさらに好ましい。２価の脂肪族炭化水素基と２価の芳香族炭化水素基の組み合わせに係る基（例えば、アリーレンアルキル基）は、炭素数７～２２のものが好ましく、７～１８がより好ましく、７～１０がさらに好ましい。
　連結基Ｌとしては、具体的に、直鎖または分岐の鎖状アルキレン基、環状アルキレン基、鎖状アルキレン基と環状アルキレン基の組み合わせに係る基、酸素原子を鎖中に有しているアルキレン基、直鎖または分岐の鎖状のアルケニレン基、環状のアルケニレン基、アリーレン基、アリーレンアルキレン基が好ましい。
　直鎖または分岐の鎖状アルキレン基は、炭素数１～１２のものが好ましく、２～６がより好ましく、２～４がさらに好ましい。
　環状アルキレン基は、炭素数３～１２のものが好ましく、３～６がより好ましい。
　鎖状アルキレン基と環状アルキレン基の組み合わせに係る基は、炭素数４～２４のものが好ましく、４～１２がより好ましく、４～６がさらに好ましい。
　酸素原子を鎖中に有するアルキレン基は、鎖状でも環状でもよく、直鎖でも分岐でもよい。酸素原子を鎖中に有するアルキレン基は、炭素数１～１２のものが好ましく、１～６がより好ましく、１～３がさらに好ましい。
　直鎖または分岐の鎖状のアルケニレン基は、炭素数２～１２のものが好ましく、２～６がより好ましく、２～３がさらに好ましい。直鎖または分岐の鎖状のアルケニレン基は、Ｃ＝Ｃ結合の数は１～１０のものが好ましく、１～６がより好ましく、１～３がさらに好ましい。
　環状のアルケニレン基は、炭素数３～１２のものが好ましく、３～６がより好ましい。環状のアルケニレン基は、Ｃ＝Ｃ結合の数は１～６が好ましく、１～４がより好ましく、１～２がさらに好ましい。
　アリーレン基は、炭素数６～２２のものが好ましく、６～１８がより好ましく、６～１０がさらに好ましい。
　アリーレンアルキレン基は、炭素数７～２３のものが好ましく、７～１９がより好ましく、７～１１がさらに好ましい。
　中でも、鎖状アルキレン基、環状アルキレン基、酸素原子を鎖中に有するアルキレン基、鎖状のアルケニレン基、アリーレン基、アリーレンアルキレン基が好ましく、１，２－エチレン基、プロパンジイル基（特に１，３－プロパンジイル基）、シクロヘキサンジイル基（特に１，２－シクロヘキサンジイル基）、ビニレン基（特にシスビニレン基）、フェニレン基（１，２-フェニレン基）、フェニレンメチレン基（特に１，２－フェニレンメチレン基）、エチレンオキシエチレン基（特に１，２－エチレンオキシ－１，２－エチレン基）がより好ましい。
　塩基発生剤としては、下記の例が挙げられるが、本発明がこれにより限定して解釈されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000066
　非イオン型塩基発生剤の分子量は、８００以下であることが好ましく、６００以下であることがより好ましく、５００以下であることが更に好ましい。下限としては、１００以上であることが好ましく、２００以上であることがより好ましく、３００以上であることが更に好ましい。
　イオン型塩基発生剤の具体的な好ましい化合物としては、例えば、国際公開第２０１８／０３８００２号の段落番号０１４８～０１６３に記載の化合物も挙げられる。
　アンモニウム塩の具体例としては、以下の化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000067
　イミニウム塩の具体例としては、以下の化合物を挙げることができるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000068
　本発明の樹脂組成物が塩基発生剤を含む場合、塩基発生剤の含有量は、本発明の樹脂組成物中の樹脂１００質量部に対し、０．１～５０質量部が好ましい。下限は、０．３質量部以上がより好ましく、０．５質量部以上が更に好ましい。上限は、３０質量部以下がより好ましく、２０質量部以下が更に好ましく、１０質量部以下が一層好ましく、５質量部以下であってもよく、４質量部以下であってもよい。
　塩基発生剤は、１種又は２種以上を用いることができる。２種以上を用いる場合は、合計量が上記範囲であることが好ましい。
＜溶剤＞
　本発明の樹脂組成物は、溶剤を含むことが好ましい。
　溶剤は、公知の溶剤を任意に使用できる。溶剤は有機溶剤が好ましい。有機溶剤としては、エステル類、エーテル類、ケトン類、環状炭化水素類、スルホキシド類、アミド類、ウレア類、アルコール類などの化合物が挙げられる。
　エステル類として、例えば、酢酸エチル、酢酸－ｎ－ブチル、酢酸イソブチル、酢酸へキシル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、δ－バレロラクトン、アルキルオキシ酢酸アルキル（例えば、アルキルオキシ酢酸メチル、アルキルオキシ酢酸エチル、アルキルオキシ酢酸ブチル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等））、３－アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例えば、３－アルキルオキシプロピオン酸メチル、３－アルキルオキシプロピオン酸エチル等（例えば、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル等））、２－アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例えば、２－アルキルオキシプロピオン酸メチル、２－アルキルオキシプロピオン酸エチル、２－アルキルオキシプロピオン酸プロピル等（例えば、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチル、２－メトキシプロピオン酸プロピル、２－エトキシプロピオン酸メチル、２－エトキシプロピオン酸エチル））、２－アルキルオキシ－２－メチルプロピオン酸メチル及び２－アルキルオキシ－２－メチルプロピオン酸エチル（例えば、２－メトキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－エトキシ－２－メチルプロピオン酸エチル等）、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２－オキソブタン酸メチル、２－オキソブタン酸エチル、ヘキサン酸エチル、ヘプタン酸エチル、マロン酸ジメチル、マロン酸ジエチル等が好適なものとして挙げられる。
　エーテル類として、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、ジエチレングリコールブチルメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、テトラエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、ジプロピレングリコールジメチルエーテル等が好適なものとして挙げられる。
　ケトン類として、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、３－メチルシクロヘキサノン、レボグルコセノン、ジヒドロレボグルコセノン等が好適なものとして挙げられる。
　環状炭化水素類として、例えば、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族炭化水素類、リモネン等の環式テルペン類が好適なものとして挙げられる。
　スルホキシド類として、例えば、ジメチルスルホキシドが好適なものとして挙げられる。
　アミド類として、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、Ｎ－エチル－２－ピロリドン、Ｎ－シクロヘキシル－２－ピロリドン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルイソブチルアミド、３－メトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、３－ブトキシ－Ｎ，Ｎ－ジメチルプロピオンアミド、Ｎ－ホルミルモルホリン、Ｎ－アセチルモルホリン等が好適なものとして挙げられる。
　ウレア類として、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチルウレア、１，３－ジメチル－２－イミダゾリジノン等が好適なものとして挙げられる。
アルコール類として、メタノール、エタノール、１-プロパノール、２-プロパノール、１－ブタノール、１－ペンタノール、１－ヘキサノール、ベンジルアルコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、１－メトキシ－２－プロパノール、２－エトキシエタノール、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ポリプロピレングリコール、テトラエチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、メチルフェニルカルビノール、ｎ－アミルアルコール、メチルアミルアルコール、および、ダイアセトンアルコール等が挙げられる。
　溶剤は、塗布面性状の改良などの観点から、２種以上を混合する形態も好ましい。
　本発明では、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、エチルセロソルブアセテート、乳酸エチル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、酢酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、２－ヘプタノン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、エチルカルビトールアセテート、ブチルカルビトールアセテート、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、プロピレングリコールメチルエーテル、及びプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、レボグルコセノン、ジヒドロレボグルコセノンから選択される１種の溶剤、又は、２種以上で構成される混合溶剤が好ましい。ジメチルスルホキシドとγ－ブチロラクトンとの併用、又は、Ｎ－メチル－２－ピロリドンと乳酸エチルとの併用が特に好ましい。
　溶剤の含有量は、塗布性の観点から、本発明の樹脂組成物の全固形分濃度が５～８０質量％になる量とすることが好ましく、５～７５質量％となる量にすることがより好ましく、１０～７０質量％となる量にすることが更に好ましく、２０～７０質量％となるようにすることが一層好ましい。溶剤含有量は、塗膜の所望の厚さと塗布方法に応じて調節すればよい。
　本発明の樹脂組成物は、溶剤を１種のみ含有していてもよいし、２種以上含有していてもよい。溶剤を２種以上含有する場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜金属接着性改良剤＞
　本発明の樹脂組成物は、電極や配線などに用いられる金属材料との接着性を向上させるための金属接着性改良剤を含んでいることが好ましい。金属接着性改良剤としては、アルコキシシリル基を有するシランカップリング剤、アルミニウム系接着助剤、チタン系接着助剤、スルホンアミド構造を有する化合物及びチオウレア構造を有する化合物、リン酸誘導体化合物、βケトエステル化合物、アミノ化合物等が挙げられる。
　これらの中でも、本発明の樹脂組成物は、シランカップリング剤を含むことが好ましい。
なお、以下に例示した金属密着性改良剤の中には窒素を含む環状化合物も存在するが、これらは上述の「含窒素環状化合物」には含まれないものとする。
〔シランカップリング剤〕
　シランカップリング剤としては、例えば、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落０１６７に記載の化合物、特開２０１４－１９１００２号公報の段落００６２～００７３に記載の化合物、国際公開第２０１１／０８０９９２号の段落００６３～００７１に記載の化合物、特開２０１４－１９１２５２号公報の段落００６０～００６１に記載の化合物、特開２０１４－０４１２６４号公報の段落００４５～００５２に記載の化合物、国際公開第２０１４／０９７５９４号の段落００５５に記載の化合物、特開２０１８－１７３５７３の段落００６７～００７８に記載の化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。また、特開２０１１－１２８３５８号公報の段落００５０～００５８に記載のように異なる２種以上のシランカップリング剤を用いることも好ましい。また、シランカップリング剤は、下記化合物を用いることも好ましい。以下の式中、Ｍｅはメチル基を、Ｅｔはエチル基を表す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000069
　他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ－スチリルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３－メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３－アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－トリエトキシシリル－Ｎ－（１，３－ジメチル－ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ－フェニル－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、トリス－（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート、３－ウレイドプロピルトリアルコキシシラン、３－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３－トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物が挙げられる。これらは１種単独または２種以上を組み合わせて使用することができる。
〔アルミニウム系接着助剤〕
　アルミニウム系接着助剤としては、例えば、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）、アルミニウムトリス（アセチルアセトネート）、エチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート等を挙げることができる。
　また、その他の金属接着性改良剤としては、特開２０１４－１８６１８６号公報の段落００４６～００４９に記載の化合物、特開２０１３－０７２９３５号公報の段落００３２～００４３に記載のスルフィド系化合物を用いることもでき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　金属接着性改良剤の含有量は特定樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．０１～３０質量部であり、より好ましくは０．１～１０質量部の範囲であり、更に好ましくは０．５～５質量部の範囲である。上記下限値以上とすることでパターンと金属層との接着性が良好となり、上記上限値以下とすることでパターンの耐熱性、機械特性が良好となる。金属接着性改良剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。２種以上用いる場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜マイグレーション抑制剤＞
　本発明の樹脂組成物は、マイグレーション抑制剤を更に含むことが好ましい。マイグレーション抑制剤を含むことにより、金属層（金属配線）由来の金属イオンが膜内へ移動することを効果的に抑制可能となる。
　マイグレーション抑制剤としては、特に制限はないが、チオ尿素類及びスルファニル基を有する化合物、ヒンダードフェノール系化合物、サリチル酸誘導体系化合物、ヒドラジド誘導体系化合物が挙げられる。
　又はハロゲンイオンなどの陰イオンを捕捉するイオントラップ剤を使用することもできる。
　その他のマイグレーション抑制剤としては、特開２０１３－０１５７０１号公報の段落００９４に記載の防錆剤、特開２００９－２８３７１１号公報の段落００７３～００７６に記載の化合物、特開２０１１－０５９６５６号公報の段落００５２に記載の化合物、特開２０１２－１９４５２０号公報の段落０１１４、０１１６及び０１１８に記載の化合物、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落０１６６に記載の化合物などを使用することができ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　ただし、これらのうち、上述の含窒素環状化合物に含まれる化合物は、マイグレーション抑制剤には含まれないものとする。
　本発明の樹脂組成物がマイグレーション抑制剤を有する場合、マイグレーション抑制剤の含有量は、本発明の樹脂組成物の全固形分に対して、０．０１～５．０質量％であることが好ましく、０．０５～２．０質量％であることがより好ましく、０．１～１．０質量％であることが更に好ましい。
　マイグレーション抑制剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。マイグレーション抑制剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜重合禁止剤＞
　本発明の樹脂組成物は、重合禁止剤を含むことが好ましい。重合禁止剤としてはフェノール系化合物、キノン系化合物、アミノ系化合物、Ｎ－オキシルフリーラジカル化合物系化合物、ニトロ系化合物、ニトロソ系化合物、ヘテロ芳香環系化合物、金属化合物などが挙げられる。
　重合禁止剤の具体的な化合物としては、ｐ－ヒドロキノン、ｏ－ヒドロキノン、ｏ－メトキシフェノール、ｐ－メトキシフェノール、ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－ｐ－クレゾール、ピロガロール、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルカテコール、１，４－ベンゾキノン、ジフェニル－ｐ－ベンゾキノン、４，４’－チオビス（３－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、２，２’－メチレンビス（４－メチル－６－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール）、Ｎ－ニトロソフェニルヒドロキシアミン第一セリウム塩、Ｎ－ニトロソ－Ｎ－フェニルヒドロキシアミンアルミニウム塩、Ｎ－ニトロソジフェニルアミン、Ｎ－フェニルナフチルアミン、エチレンジアミン四酢酸、１，２－シクロヘキサンジアミン四酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、２，６－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－４－メチルフェノール、５－ニトロソ－８－ヒドロキシキノリン、１－ニトロソ－２－ナフトール、２－ニトロソ－１－ナフトール、２－ニトロソ－５－（Ｎ－エチル－Ｎ－スルホプロピルアミノ）フェノール、Ｎ－ニトロソ－Ｎ－（１－ナフチル）ヒドロキシアミンアンモニウム塩、ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ｔｅｒｔ－ブチル）フェニルメタン、１，３，５－トリス（４－ｔ－ブチル－３－ヒドロキシ－２，６－ジメチルベンジル）－１，３，５－トリアジン－２，４，６－（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）－トリオン、４‐ヒドロキシ－２，２，６，６－テトラメチルピペリジン１－オキシルフリーラジカル、２，２，６，６－テトラメチルピペリジン１－オキシルフリーラジカル、フェノチアジン、フェノキサジン、１，１－ジフェニル－２－ピクリルヒドラジル、ジブチルジチオカーバネート銅（ＩＩ）、ニトロベンゼン、Ｎ－ニトロソ－Ｎ－フェニルヒドロキシルアミンアルミニウム塩、Ｎ－ニトロソ－Ｎ－フェニルヒドロキシルアミンアンモニウム塩、などが好適に用いられる。また、特開２０１５－１２７８１７号公報の段落００６０に記載の重合禁止剤、及び、国際公開第２０１５／１２５４６９号の段落００３１～００４６に記載の化合物を用いることもでき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　本発明の樹脂組成物が重合禁止剤を有する場合、重合禁止剤の含有量は、本発明の樹脂組成物の全固形分に対して、０．０１～２０質量％であることが好ましく、０．０２～１５質量％であることがより好ましく、０．０５～１０質量％であることが更に好ましい。
　重合禁止剤は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。重合禁止剤が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
＜その他の添加剤＞
　本発明の樹脂組成物は、本発明の効果が得られる範囲で、必要に応じて、各種の添加物、例えば、界面活性剤、高級脂肪酸誘導体、熱重合開始剤、無機粒子、紫外線吸収剤、有機チタン化合物、酸化防止剤、凝集防止剤、フェノール系化合物、他の高分子化合物、可塑剤及びその他の助剤類（例えば、消泡剤、難燃剤など）等を配合することができる。これらの成分を適宜含有させることにより、膜物性などの性質を調整することができる。これらの成分は、例えば、特開２０１２－００３２２５号公報の段落番号０１８３以降（対応する米国特許出願公開第２０１３／００３４８１２号明細書の段落番号０２３７）の記載、特開２００８－２５００７４号公報の段落番号０１０１～０１０４、０１０７～０１０９等の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。これらの添加剤を配合する場合、その合計配合量は本発明の樹脂組成物の固形分の３質量％以下とすることが好ましい。
〔界面活性剤〕
　界面活性剤としては、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、炭化水素系界面活性剤などの各種界面活性剤を使用できる。界面活性剤はノニオン型界面活性剤であってもよく、カチオン型界面活性剤であってもよく、アニオン型界面活性剤であってもよい。
　本発明の感光性樹脂組成物に界面活性剤を含有させることで、塗布液として調製したときの液特性（特に、流動性）がより向上し、塗布厚の均一性や省液性をより改善することができる。即ち、界面活性剤を含有する組成物を適用した塗布液を用いて膜形成する場合においては、被塗布面と塗布液との界面張力が低下して、被塗布面への濡れ性が改善され、被塗布面への塗布性が向上する。このため、厚みムラの小さい均一厚の膜形成をより好適に行うことができる。
　フッ素系界面活性剤としては、例えば、メガファックＦ１７１、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１７６、同Ｆ１７７、同Ｆ１４１、同Ｆ１４２、同Ｆ１４３、同Ｆ１４４、同Ｒ３０、同Ｆ４３７、同Ｆ４７５、同Ｆ４７９、同Ｆ４８２、同Ｆ５５４、同Ｆ７８０、ＲＳ－７２－Ｋ（以上、ＤＩＣ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、同ＦＣ４３１、同ＦＣ１７１、ノベックＦＣ４４３０、同ＦＣ４４３２（以上、スリーエム　ジャパン（株）製）、サーフロンＳ－３８２、同ＳＣ－１０１、同ＳＣ－１０３、同ＳＣ－１０４、同ＳＣ－１０５、同ＳＣ１０６８、同ＳＣ－３８１、同ＳＣ－３８３、同Ｓ３９３、同ＫＨ－４０（以上、旭硝子（株）製）、ＰＦ６３６、ＰＦ６５６、ＰＦ６３２０、ＰＦ６５２０、ＰＦ７００２（ＯＭＮＯＶＡ社製）等が挙げられる。フッ素系界面活性剤は、特開２０１５－１１７３２７号公報の段落００１５～０１５８に記載の化合物、特開２０１１－１３２５０３号公報の段落０１１７～０１３２に記載の化合物を用いることもでき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。フッ素系界面活性剤としてブロックポリマーを用いることもでき、具体例としては、例えば特開２０１１－８９０９０号公報に記載された化合物が挙げられ、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
フッ素系界面活性剤は、フッ素原子を有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、アルキレンオキシ基（好ましくはエチレンオキシ基、プロピレンオキシ基）を２以上（好ましくは５以上）有する（メタ）アクリレート化合物に由来する繰り返し単位と、を含む含フッ素高分子化合物も好ましく用いることができ、下記化合物も本発明で用いられるフッ素系界面活性剤として例示される。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000070
　上記の化合物の重量平均分子量は、好ましくは３，０００～５０，０００であり、５，０００～３０，０００であることがより好ましい。
　フッ素系界面活性剤は、エチレン性不飽和基を側鎖に有する含フッ素重合体をフッ素系界面活性剤として用いることもできる。具体例としては、特開２０１０－１６４９６５号公報の段落００５０～００９０および段落０２８９～０２９５に記載された化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。また、市販品としては、例えばＤＩＣ（株）製のメガファックＲＳ－１０１、ＲＳ－１０２、ＲＳ－７１８Ｋ等が挙げられる。
　フッ素系界面活性剤中のフッ素含有率は、３～４０質量％が好適であり、より好ましくは５～３０質量％であり、特に好ましくは７～２５質量％である。フッ素含有率がこの範囲内であるフッ素系界面活性剤は、塗布膜の厚さの均一性や省液性の点で効果的であり、組成物中における溶解性も良好である。
　シリコーン系界面活性剤としては、例えば、トーレシリコーンＤＣ３ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ７ＰＡ、トーレシリコーンＤＣ１１ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ２１ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ２８ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ２９ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ３０ＰＡ、トーレシリコーンＳＨ８４００（以上、東レ・ダウコーニング（株）製）、ＴＳＦ－４４４０、ＴＳＦ－４３００、ＴＳＦ－４４４５、ＴＳＦ－４４６０、ＴＳＦ－４４５２（以上、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）、ＫＰ３４１、ＫＦ６００１、ＫＦ６００２（以上、信越シリコーン（株）製）、ＢＹＫ３０７、ＢＹＫ３２３、ＢＹＫ３３０（以上、ビックケミー（株）製）等が挙げられる。
　炭化水素系界面活性剤としては、例えば、パイオニンＡ－７６、ニューカルゲンＦＳ－３ＰＧ、パイオニンＢ－７０９、パイオニンＢ－８１１－Ｎ、パイオニンＤ－１００４、パイオニンＤ－３１０４、パイオニンＤ－３６０５、パイオニンＤ－６１１２、パイオニンＤ－２１０４－Ｄ、パイオニンＤ－２１２、パイオニンＤ－９３１、パイオニンＤ－９４１、パイオニンＤ－９５１、パイオニンＥ－５３１０、パイオニンＰ－１０５０－Ｂ、パイオニンＰ－１０２８－Ｐ、パイオニンＰ－４０５０－Ｔ等（以上、竹本油脂社製）、などが挙げられる。
　ノニオン型界面活性剤としては、グリセロール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン並びにそれらのエトキシレート及びプロポキシレート（例えば、グリセロールプロポキシレート、グリセロールエトキシレート等）、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル、ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート、ソルビタン脂肪酸エステルなどが例示される。市販品としては、プルロニック（登録商標）Ｌ１０、Ｌ３１、Ｌ６１、Ｌ６２、１０Ｒ５、１７Ｒ２、２５Ｒ２（ＢＡＳＦ社製）、テトロニック３０４、７０１、７０４、９０１、９０４、１５０Ｒ１（ＢＡＳＦ社製）、ソルスパース２００００（日本ルーブリゾール（株）製）、ＮＣＷ－１０１、ＮＣＷ－１００１、ＮＣＷ－１００２（和光純薬工業（株）製）、パイオニンＤ－６１１２、Ｄ－６１１２－Ｗ、Ｄ－６３１５（竹本油脂（株）製）、オルフィンＥ１０１０、サーフィノール１０４、４００、４４０（日信化学工業（株）製）などが挙げられる。
　カチオン型界面活性剤として具体的には、オルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、（メタ）アクリル酸系（共）重合体ポリフローＮｏ．７５、Ｎｏ．７７、Ｎｏ．９０、Ｎｏ．９５（共栄社化学（株）製）、Ｗ００１（裕商（株）製）等が挙げられる。
　アニオン型界面活性剤として具体的には、Ｗ００４、Ｗ００５、Ｗ０１７（裕商（株）製）、サンデットＢＬ（三洋化成（株）製）等が挙げられる。
　界面活性剤は、１種のみを用いてもよいし、２種類以上を組み合わせてもよい。
界面活性剤の含有量は、組成物の全固形分に対して、０．００１～２．０質量％が好ましく、０．００５～１．０質量％がより好ましい。
〔高級脂肪酸誘導体〕
　本発明の樹脂組成物は、酸素に起因する重合阻害を防止するために、ベヘン酸やベヘン酸アミドのような高級脂肪酸誘導体を添加して、塗布後の乾燥の過程で本発明の樹脂組成物の表面に偏在させてもよい。
　また、高級脂肪酸誘導体は、国際公開第２０１５／１９９２１９号の段落０１５５に記載の化合物を用いることもでき、この内容は本明細書に組み込まれる。
　本発明の樹脂組成物が高級脂肪酸誘導体を有する場合、高級脂肪酸誘導体の含有量は、本発明の樹脂組成物の全固形分に対して、０．１～１０質量％であることが好ましい。高級脂肪酸誘導体は１種のみでもよいし、２種以上であってもよい。高級脂肪酸誘導体が２種以上の場合は、その合計が上記範囲であることが好ましい。
〔熱重合開始剤〕
　本発明の樹脂組成物は、熱重合開始剤を含んでもよく、特に熱ラジカル重合開始剤を含んでもよい。熱ラジカル重合開始剤は、熱のエネルギーによってラジカルを発生し、重合性を有する化合物の重合反応を開始又は促進させる化合物である。熱ラジカル重合開始剤を添加することによって樹脂及び重合性化合物の重合反応を進行させることもできるので、より耐溶剤性を向上できる。また、上述した光重合開始剤も熱により重合を開始する機能を有する場合があり、熱重合開始剤として添加することができる場合がある。
　熱ラジカル重合開始剤として、具体的には、特開２００８－０６３５５４号公報の段落００７４～０１１８に記載されている化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。
　熱重合開始剤を含む場合、その含有量は、本発明の樹脂組成物の全固形分に対し０．１～３０質量％であることが好ましく、より好ましくは０．１～２０質量％であり、更に好ましくは０．５～１５質量％である。熱重合開始剤は１種のみ含有していてもよいし、２種以上含有していてもよい。熱重合開始剤を２種以上含有する場合は、合計量が上記範囲であることが好ましい。
〔無機粒子〕
　本発明の樹脂組成物は、無機微粒子を含んでもよい。無機粒子として、具体的には、炭酸カルシウム、リン酸カルシウム、シリカ、カオリン、タルク、二酸化チタン、アルミナ、硫酸バリウム、フッ化カルシウム、フッ化リチウム、ゼオライト、硫化モリブデン、ガラス等を含むことができる。
　上記無機粒子の平均粒子径としては、０．０１～２．０μｍが好ましく、０．０２～１．５μｍがより好ましく、０．０３～１．０μｍがさらに好ましく、０．０４～０．５μｍが特に好ましい。
　微粒子の上記平均粒子径は、一次粒子径であり、また体積平均粒子径である。体積平均粒子径は、Ｎａｎｏｔｒａｃ ＷＡＶＥ　ＩＩ ＥＸ－１５０（日機装社製）による動的光散乱法で測定できる。
上記測定が困難である場合は、遠心沈降光透過法、Ｘ線透過法、レーザー回折・散乱法で測定することもできる。
〔紫外線吸収剤〕
　本発明の組成物は、紫外線吸収剤を含んでいてもよい。紫外線吸収剤としては、サリシレート系、ベンゾフェノン系、ベンゾトリアゾール系、置換アクリロニトリル系、トリアジン系などの紫外線吸収剤を使用することができる。
なお、以下に例示した紫外線吸収剤の中には窒素を含む環状化合物も存在するが、これらは上述の「含窒素環状化合物」には含まれないものとする。
　サリシレート系紫外線吸収剤の例としては、フェニルサリシレート、ｐ－オクチルフェニルサリシレート、ｐ－ｔ－ブチルフェニルサリシレートなどが挙げられ、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例としては、２，２’－ジヒドロキシ－４－メトキシベンゾフェノン、２，２’－ジヒドロキシ－４，４’－ジメトキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’－テトラヒドロキシベンゾフェノン、２－ヒドロキシ－４－メトキシベンゾフェノン、２，４－ジヒドロキシベンゾフェノン、２－ヒドロキシ－４－オクトキシベンゾフェノンなどが挙げられる。また、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤の例としては、２－（２’－ヒドロキシ－３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’－ｔｅｒｔ－ブチル－５’－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’－ｔｅｒｔ－アミル－５’－イソブチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’－イソブチル－５’－メチルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’－イソブチル－５’－プロピルフェニル）－５－クロロベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－３’，５’－ジ－ｔｅｒｔ－ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－（２’－ヒドロキシ－５’－メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２－［２’－ヒドロキシ－５’－（１，１，３，３－テトラメチル）フェニル］ベンゾトリアゾールなどが挙げられる。
　置換アクリロニトリル系紫外線吸収剤の例としては、２－シアノ－３，３－ジフェニルアクリル酸エチル、２－シアノ－３，３－ジフェニルアクリル酸２－エチルヘキシルなどが挙げられる。さらに、トリアジン系紫外線吸収剤の例としては、２－［４－［（２－ヒドロキシ－３－ドデシルオキシプロピル）オキシ］－２－ヒドロキシフェニル］－４，６－ビス（２，４－ジメチルフェニル）－１，３，５－トリアジン、２－［４－［（２－ヒドロキシ－３－トリデシルオキシプロピル）オキシ］－２－ヒドロキシフェニル］－４，６－ビス（２，４－ジメチルフェニル）－１，３，５－トリアジン、２－（２，４－ジヒドロキシフェニル）－４，６－ビス（２，４－ジメチルフェニル）－１，３，５－トリアジンなどのモノ（ヒドロキシフェニル）トリアジン化合物；２，４－ビス（２－ヒドロキシ－４－プロピルオキシフェニル）－６－（２，４－ジメチルフェニル）－１，３，５－トリアジン、２，４－ビス（２－ヒドロキシ－３－メチル－４－プロピルオキシフェニル）－６－（４－メチルフェニル）－１，３，５－トリアジン、２，４－ビス（２－ヒドロキシ－３－メチル－４－ヘキシルオキシフェニル）－６－（２，４－ジメチルフェニル）－１，３，５－トリアジンなどのビス（ヒドロキシフェニル）トリアジン化合物；２，４－ビス（２－ヒドロキシ－４－ブトキシフェニル）－６－（２，４－ジブトキシフェニル）－１，３，５－トリアジン、２，４，６－トリス（２－ヒドロキシ－４－オクチルオキシフェニル）－１，３，５－トリアジン、２，４，６－トリス［２－ヒドロキシ－４－（３－ブトキシ－２－ヒドロキシプロピルオキシ）フェニル］－１，３，５－トリアジンなどのトリス（ヒドロキシフェニル）トリアジン化合物等が挙げられる。
　本発明においては、上記各種の紫外線吸収剤は一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
　本発明の組成物は、紫外線吸収剤を含んでも含まなくてもよいが、含む場合、紫外線吸収剤の含有量は、本発明の組成物の全固形分質量に対して、０．００１質量％以上１質量％以下であることが好ましく、０．０１質量％以上０．１質量％以下であることがより好ましい。
〔有機チタン化合物〕
　本実施形態の樹脂組成物は、有機チタン化合物を含有してもよい。樹脂組成物が有機チタン化合物を含有することにより、低温で硬化した場合であっても耐薬品性に優れる樹脂層を形成できる。
　使用可能な有機チタン化合物としては、チタン原子に有機基が共有結合又はイオン結合を介して結合しているものが挙げられる。
　有機チタン化合物の具体例を、以下のＩ）～ＶＩＩ）に示す：
　Ｉ）チタンキレート化合物：中でも、樹脂組成物の保存安定性がよく、良好な硬化パターンが得られることから、アルコキシ基を２個以上有するチタンキレート化合物がより好ましい。具体的な例は、チタニウムビス（トリエタノールアミン）ジイソプロポキサイド、チタニウムジ（ｎ－ブトキサイド）ビス（２，４－ペンタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（２，４－ペンタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（テトラメチルヘプタンジオネート）、チタニウムジイソプロポキサイドビス（エチルアセトアセテート）等である。
　ＩＩ）テトラアルコキシチタン化合物：例えば、チタニウムテトラ（ｎ－ブトキサイド）、チタニウムテトラエトキサイド、チタニウムテトラ（２－エチルヘキソキサイド）、チタニウムテトライソブトキサイド、チタニウムテトライソプロポキサイド、チタニウムテトラメトキサイド、チタニウムテトラメトキシプロポキサイド、チタニウムテトラメチルフェノキサイド、チタニウムテトラ（ｎ－ノニロキサイド）、チタニウムテトラ（ｎ－プロポキサイド）、チタニウムテトラステアリロキサイド、チタニウムテトラキス［ビス｛２，２－（アリロキシメチル）ブトキサイド｝］等である。
　ＩＩＩ）チタノセン化合物：例えば、ペンタメチルシクロペンタジエニルチタニウムトリメトキサイド、ビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロフェニル）チタニウム、ビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロ－３－（１Ｈ－ピロール－１－イル）フェニル）チタニウム等である。
　ＩＶ）モノアルコキシチタン化合物：例えば、チタニウムトリス（ジオクチルホスフェート）イソプロポキサイド、チタニウムトリス（ドデシルベンゼンスルホネート）イソプロポキサイド等である。
　Ｖ）チタニウムオキサイド化合物：例えば、チタニウムオキサイドビス（ペンタンジオネート）、チタニウムオキサイドビス（テトラメチルヘプタンジオネート）、フタロシアニンチタニウムオキサイド等である。
　ＶＩ）チタニウムテトラアセチルアセトネート化合物：例えば、チタニウムテトラアセチルアセトネート等である。
ＶＩＩ）チタネートカップリング剤：例えば、イソプロピルトリドデシルベンゼンスルホニルチタネート等である。
　中でも、有機チタン化合物としては、上記Ｉ）チタンキレート化合物、ＩＩ）テトラアルコキシチタン化合物、及びＩＩＩ）チタノセン化合物から成る群から選ばれる少なくとも１種の化合物であることが、より良好な耐薬品性を奏するという観点から好ましい。特に、チタニウムジイソプロポキサイドビス（エチルアセトアセテート）、チタニウムテトラ（ｎ－ブトキサイド）、及びビス（η５－２，４－シクロペンタジエン－１－イル）ビス（２，６－ジフルオロ－３－（１Ｈ－ピロール－１－イル）フェニル）チタニウムが好ましい。
　有機チタン化合物を配合する場合、その配合量は、特定樹脂１００質量部に対し、０．０５～１０質量部であることが好ましく、より好ましくは０．１～２質量部である。配合量が０．０５質量部以上である場合、得られる硬化パターンに良好な耐熱性及び耐薬品性がより効果的に発現し、一方１０質量部以下である場合、組成物の保存安定性により優れる。
〔酸化防止剤〕
　本発明の組成物は、酸化防止剤を含んでいてもよい。添加剤として酸化防止剤を含有することで、硬化後の膜の伸度特性や、金属材料との密着性を向上させることができる。酸化防止剤としては、フェノール化合物、亜リン酸エステル化合物、チオエーテル化合物などが挙げられる。フェノール化合物としては、フェノール系酸化防止剤として知られる任意のフェノール化合物を使用することができる。好ましいフェノール化合物としては、ヒンダードフェノール化合物が挙げられる。フェノール性ヒドロキシ基に隣接する部位（オルト位）に置換基を有する化合物が好ましい。上述の置換基としては炭素数１～２２の置換又は無置換のアルキル基が好ましい。また、酸化防止剤は、同一分子内にフェノール基と亜リン酸エステル基を有する化合物も好ましい。また、酸化防止剤は、リン系酸化防止剤も好適に使用することができる。リン系酸化防止剤としてはトリス［２－［［２，４，８，１０－テトラキス（１，１－ジメチルエチル）ジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン－６－イル］オキシ］エチル］アミン、トリス［２－［（４，６，９，１１－テトラ－ｔｅｒｔ－ブチルジベンゾ［ｄ，ｆ］［１，３，２］ジオキサホスフェピン－２－イル）オキシ］エチル］アミン、亜リン酸エチルビス（２，４－ジ－ｔｅｒｔ－ブチル－６－メチルフェニル）などが挙げられる。酸化防止剤の市販品としては、例えば、アデカスタブ　ＡＯ－２０、アデカスタブ　ＡＯ－３０、アデカスタブ　ＡＯ－４０、アデカスタブ　ＡＯ－５０、アデカスタブ　ＡＯ－５０Ｆ、アデカスタブ　ＡＯ－６０、アデカスタブ　ＡＯ－６０Ｇ、アデカスタブ　ＡＯ－８０、アデカスタブ　ＡＯ－３３０（以上、（株）ＡＤＥＫＡ製）などが挙げられる。また、酸化防止剤は、特許第６２６８９６７号公報の段落番号００２３～００４８に記載された化合物を使用することもでき、この内容は本明細書に組み込まれる。また、本発明の組成物は、必要に応じて、潜在酸化防止剤を含有してもよい。潜在酸化防止剤としては、酸化防止剤として機能する部位が保護基で保護された化合物であって、１００～２５０℃で加熱するか、又は酸／塩基触媒存在下で８０～２００℃で加熱することにより保護基が脱離して酸化防止剤として機能する化合物が挙げられる。潜在酸化防止剤としては、国際公開第２０１４／０２１０２３号、国際公開第２０１７／０３０００５号、特開２０１７－００８２１９号公報に記載された化合物が挙げられ、この内容は本明細書に組み込まれる。潜在酸化防止剤の市販品としては、アデカアークルズＧＰＡ－５００１（（株）ＡＤＥＫＡ製）等が挙げられる。
　好ましい酸化防止剤の例としては、２，２－チオビス（４－メチル－６－ｔ－ブチルフェノール）、２，６－ジ－ｔ－ブチルフェノールおよび式（３）で表される化合物が挙げられる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000071
　一般式（３）中、Ｒ５は水素原子または炭素数２以上（好ましくは炭素数２～１０）のアルキル基を表し、Ｒ６は炭素数２以上（好ましくは炭素数２～１０）のアルキレン基を表す。Ｒ７は、炭素数２以上（好ましくは炭素数２～１０）のアルキレン基、酸素原子、および窒素原子のうち少なくともいずれかを含む１～４価の有機基を示す。ｋは１～４の整数を示す。
　式（３）で表される化合物は、樹脂が有する脂肪族基やフェノール性ヒドロキシ基の酸化劣化を抑制する。また、金属材料への防錆作用により、金属酸化を抑制することができる。
　樹脂と金属材料に同時に作用できるため、ｋは２～４の整数がより好ましい。Ｒ７としては、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、アルキルエーテル基、アルキルシリル基、アルコキシシリル基、アリール基、アリールエーテル基、カルボキシル基、カルボニル基、アリル基、ビニル基、複素環基、－Ｏ－、－ＮＨ－、－ＮＨＮＨ－、それらを組み合わせたものなどが挙げられ、さらに置換基を有していてもよい。この中でも、現像液への溶解性や金属密着性の点から、アルキルエーテル基、－ＮＨ－を有することが好ましく、樹脂との相互作用と金属錯形成による金属密着性の点から－ＮＨ－がより好ましい。
　一般式（３）で表される化合物は、例としては以下のものが挙げられるが、下記構造に限らない。
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000072
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000073
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000074
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000075
　酸化防止剤の添加量は、特定樹脂１００質量部に対し、０．１～１０質量部が好ましく、０．５～５質量部がより好ましい。添加量を０．１質量部以上とすることにより、高温高湿環境下においても伸度特性や金属材料に対する密着性向上の効果が得られやすく、また１０質量部以下とすることにより、例えば感光剤との相互作用により、樹脂組成物の感度が向上する。酸化防止剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を用いてもよい。２種以上を用いる場合は、それらの合計量が上記範囲となることが好ましい。
〔凝集防止剤〕
　本実施形態の樹脂組成物は、必要に応じて凝集防止剤を含有してもよい。凝集防止剤としては、ポリアクリル酸ナトリウム等が挙げられる。
　本発明においては、凝集防止剤は一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
　本発明の組成物は、凝集防止剤を含んでも含まなくてもよいが、含む場合、凝集防止剤の含有量は、本発明の組成物の全固形分質量に対して、０．０１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、０．０２質量％以上５質量％以下であることがより好ましい。
〔フェノール系化合物〕
　本実施形態の樹脂組成物は、必要に応じてフェノール系化合物を含有してもよい。フェノール系化合物としては、Ｂｉｓ－Ｚ、ＢｉｓＰ－ＥＺ、ＴｅｋＰ－４ＨＢＰＡ、ＴｒｉｓＰ－ＨＡＰ、ＴｒｉｓＰ－ＰＡ、ＢｉｓＯＣＨＰ－Ｚ、ＢｉｓＰ－ＭＺ、ＢｉｓＰ－ＰＺ、ＢｉｓＰ－ＩＰＺ、ＢｉｓＯＣＰ－ＩＰＺ、ＢｉｓＰ－ＣＰ、ＢｉｓＲＳ－２Ｐ、ＢｉｓＲＳ－３Ｐ、ＢｉｓＰ－ＯＣＨＰ、メチレントリス－ＦＲ－ＣＲ、ＢｉｓＲＳ－２６Ｘ（以上、商品名、本州化学工業（株）製）、ＢＩＰ－ＰＣ、ＢＩＲ－ＰＣ、ＢＩＲ－ＰＴＢＰ、ＢＩＲ－ＢＩＰＣ－Ｆ（以上、商品名、旭有機材工業（株）製）等が挙げられる。
　本発明においては、フェノール系化合物は一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
　本発明の組成物は、フェノール系化合物を含んでも含まなくてもよいが、含む場合、フェノール系化合物の含有量は、本発明の組成物の全固形分質量に対して、０．０１質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、０．０２質量％以上２０質量％以下であることがより好ましい。
〔他の高分子化合物〕
　他の高分子化合物としては、シロキサン樹脂、（メタ）アクリル酸を共重合した（メタ）アクリルポリマー、ノボラック樹脂、レゾール樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂およびそれらの共重合体などが挙げられる。他の高分子化合物はメチロール基、アルコキシメチル基、エポキシ基などの架橋基が導入された変性体であってもよい。
　本発明においては、他の高分子化合物は一種を単独で用いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
　本発明の組成物は、他の高分子化合物を含んでも含まなくてもよいが、含む場合、他の高分子化合物の含有量は、本発明の組成物の全固形分質量に対して、０．０１質量％以上３０質量％以下であることが好ましく、０．０２質量％以上２０質量％以下であることがより好ましい。
＜樹脂組成物の特性＞
　本発明の樹脂組成物の粘度は、樹脂組成物の固形分濃度により調整できる。塗布膜厚の観点から、２０ｍｍ２／ｓ～１２，０００ｍｍ２／ｓが好ましく、３０ｍｍ２／ｓ～１０，０００ｍｍ２／ｓがより好ましく、５０ｍｍ２／ｓ～８，０００ｍｍ２／ｓが更に好ましい。上記範囲であれば、均一性の高い塗布膜を得ることが容易になる。２０ｍｍ２／s以上、更には、１,０００ｍｍ２／s以上であれば、例えば再配線用絶縁膜として必要とされる膜厚で塗布することが容易であり、１２,０００ｍｍ２／s以下であれば、塗布面状に優れた塗膜が得られる。
＜樹脂組成物の含有物質についての制限＞
　本発明の樹脂組成物の含水率は、２．０質量％未満であることが好ましく、１．５質量％未満であることがより好ましく、１．０質量％未満であることが更に好ましい。２．０％未満であれば、樹脂組成物の保存安定性が向上する。
　水分の含有量を維持する方法としては、保管条件における湿度の調整、保管時の収容容器の空隙率低減などが挙げられる。
　本発明の樹脂組成物の金属含有量は、絶縁性の観点から、５質量ｐｐｍ（ｐａｒｔｓ　ｐｅｒ　ｍｉｌｌｉｏｎ）未満が好ましく、１質量ｐｐｍ未満がより好ましく、０．５質量ｐｐｍ未満が更に好ましい。金属としては、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、カルシウム、鉄、銅、クロム、ニッケルなどが挙げられるが、有機化合物と金属との錯体として含まれる金属は除く。金属を複数含む場合は、これらの金属の合計が上記範囲であることが好ましい。
　また、本発明の樹脂組成物に意図せずに含まれる金属不純物を低減する方法としては、本発明の樹脂組成物を構成する原料として金属含有量が少ない原料を選択する、本発明の樹脂組成物を構成する原料に対してフィルターろ過を行う、装置内をポリテトラフルオロエチレン等でライニングしてコンタミネーションを可能な限り抑制した条件下で蒸留を行う等の方法を挙げることができる。
　本発明の樹脂組成物は、半導体材料としての用途を考慮すると、ハロゲン原子の含有量が、配線腐食性の観点から、５００質量ｐｐｍ未満が好ましく、３００質量ｐｐｍ未満がより好ましく、２００質量ｐｐｍ未満が更に好ましい。中でも、ハロゲンイオンの状態で存在するものは、５質量ｐｐｍ未満が好ましく、１質量ｐｐｍ未満がより好ましく、０．５質量ｐｐｍ未満が更に好ましい。ハロゲン原子としては、塩素原子及び臭素原子が挙げられる。塩素原子及び臭素原子、又は塩素イオン及び臭素イオンの合計がそれぞれ上記範囲であることが好ましい。
　ハロゲン原子の含有量を調節する方法としては、イオン交換処理などが好ましく挙げられる。
　本発明の樹脂組成物の収容容器としては従来公知の収容容器を用いることができる。また、収容容器としては、原材料や本発明の樹脂組成物中への不純物混入を抑制することを目的に、容器内壁を６種６層の樹脂で構成された多層ボトルや、６種の樹脂を７層構造にしたボトルを使用することも好ましい。このような容器としては例えば特開２０１５－１２３３５１号公報に記載の容器が挙げられる。
＜樹脂組成物の硬化物＞
　本発明の樹脂組成物を硬化することにより、この樹脂組成物の硬化物を得ることができる。
　本発明の硬化物は、本発明の樹脂組成物を硬化してなる硬化物である。
　樹脂組成物の硬化は加熱によるものであることが好ましく、加熱温度が１２０℃～４００℃の範囲内であることがより好ましく、１４０℃～３８０℃の範囲内にあることが更に好ましく、１７０℃～３５０℃の範囲内にあることが特に好ましい。樹脂組成物の硬化物の形態は、特に限定されず、フィルム状、棒状、球状、ペレット状など、用途に合わせて選択することができる。本発明において、この硬化物は、フィルム状であることが好ましい。また、樹脂組成物のパターン加工によって、壁面への保護膜の形成、導通のためのビアホール形成、インピーダンスや静電容量あるいは内部応力の調整、放熱機能付与など、用途にあわせて、この硬化物の形状を選択することもできる。この硬化物（硬化物からなる膜）の膜厚は、０．５μｍ以上１５０μｍ以下であることが好ましい。
　本発明の樹脂組成物を硬化した際の収縮率は、５０％以下が好ましく、４５％以下がより好ましく、４０％以下が更に好ましい。ここで、収縮率は、樹脂組成物の硬化前後の体積変化の百分率を指し、下記の式より算出することができる。
　収縮率［％］＝１００－（硬化後の体積÷硬化前の体積）×１００
＜樹脂組成物の硬化物の特性＞
　本発明の樹脂組成物の硬化物のイミド化反応率は、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましく、９０％以上が更に好ましい。７０％以上であれば、機械特性に優れた硬化物となる場合がある。
　本発明の樹脂組成物の硬化物の破断伸びは、３０％以上が好ましく、４０％以上がより好ましく、５０％以上が更に好ましい。
　本発明の樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度（Ｔｇ）は、１８０℃以上であることが好ましく、２１０℃以上であることがより好ましく、２３０℃以上であることがさらに好ましい。
＜樹脂組成物の調製＞
　本発明の樹脂組成物は、上記各成分を混合して調製することができる。混合方法は特に限定はなく、従来公知の方法で行うことができる。
　混合は撹拌羽による混合、ボールミルによる混合、タンク自身を回転させる混合などを採用することができる。
　混合中の温度は１０～３０℃が好ましく、１５～２５℃がより好ましい。
　また、本発明の樹脂組成物中のゴミや微粒子等の異物を除去する目的で、フィルターを用いたろ過を行うことが好ましい。フィルター孔径は、例えば５μｍ以下である態様が挙げられ、１μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましく、０．１μｍ以下が更に好ましい。フィルターの材質は、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレン又はナイロンが好ましい。フィルターの材質がポリエチレンである場合はＨＤＰＥ（高密度ポリエチレン）であることがより好ましい。フィルターは、有機溶剤であらかじめ洗浄したものを用いてもよい。フィルターろ過工程では、複数種のフィルターを直列又は並列に接続して用いてもよい。複数種のフィルターを使用する場合は、孔径又は材質が異なるフィルターを組み合わせて使用してもよい。接続態様としては、例えば、１段目として孔径１μｍのＨＤＰＥフィルターを、２段目として孔径０．２μｍのＨＤＰＥフィルターを、直列に接続した態様が挙げられる。また、各種材料を複数回ろ過してもよい。複数回ろ過する場合は、循環ろ過であってもよい。また、加圧してろ過を行ってもよい。加圧してろ過を行う場合、加圧する圧力は例えば０．０１ＭＰａ以上１．０ＭＰａ以下である態様が挙げられ、０．０３ＭＰａ以上０．９ＭＰａ以下が好ましく、０．０５ＭＰａ以上０．７ＭＰａ以下がより好ましく、０．０５ＭＰａ以上０．５ＭＰａ以下が更に好ましい。
　フィルターを用いたろ過の他、吸着材を用いた不純物の除去処理を行ってもよい。フィルターろ過と吸着材を用いた不純物除去処理とを組み合わせてもよい。吸着材としては、公知の吸着材を用いることができる。例えば、シリカゲル、ゼオライトなどの無機系吸着材、活性炭などの有機系吸着材が挙げられる。
　更にフィルターを用いたろ過後、ボトルに充填した樹脂組成物を減圧下に置き、脱気する工程を施しても良い。
（硬化物の製造方法）
　本発明の硬化物の製造方法は、樹脂組成物を基材上に適用して膜を形成する膜形成工程、上記膜を選択的に露光する露光工程、及び、露光工程により露光された膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含むことが好ましい。
　本発明の硬化物の製造方法は、上記膜形成工程、上記露光工程、上記現像工程、並びに、現像工程により得られたパターンを加熱する加熱工程及び現像工程により得られたパターンを露光する現像後露光工程の少なくとも一方を含むことが特に好ましい。
　また、本発明の製造方法は、上記膜形成工程、及び、上記膜を加熱する工程を含むことも好ましい。
　以下、各工程の詳細について説明する。
＜膜形成工程＞
　本発明の樹脂組成物は、基材上に適用して膜を形成する膜形成工程に用いることができる。
　本発明の硬化物の製造方法は、樹脂組成物を基材上に適用して膜を形成する膜形成工程を含むことが好ましい。
〔基材〕
　基材の種類は、用途に応じて適宜定めることができるが、シリコン、窒化シリコン、ポリシリコン、酸化シリコン、アモルファスシリコンなどの半導体作製基材、石英、ガラス、光学フィルム、セラミック材料、蒸着膜、磁性膜、反射膜、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｆｅなどの金属基材（例えば、金属から形成された基材、及び、金属層が例えばめっきや蒸着等により形成された基材のいずれであってもよい）、紙、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）アレイ基材、モールド基材、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の電極板などが挙げられ、特に制約されない。本発明では、特に、半導体作製基材が好ましく、シリコン基材、Ｃｕ基材およびモールド基材がより好ましい。
　また、これらの基材にはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）等による密着層や酸化層などの層が表面に設けられていてもよい。
　また、基材の形状は特に限定されず、円形状であってもよく、矩形状であってもよい。
　基材のサイズとしては、円形状であれば、例えば直径が１００～４５０ｍｍであり、好ましくは２００～４５０ｍｍである。矩形状であれば、例えば短辺の長さが１００～１０００ｍｍであり、好ましくは２００～７００ｍｍである。
　また、基材としては、例えば板状、好ましくはパネル状の基材（基板）が用いられる。
　また、樹脂層（例えば、硬化物からなる層）の表面や金属層の表面に樹脂組成物を適用して膜を形成する場合は、樹脂層や金属層が基材となる。
　本発明の樹脂組成物を基材上に適用する手段としては、塗布が好ましい。
　適用する手段としては、具体的には、ディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、エクストルージョンコート法、スプレーコート法、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法などが例示される。膜の厚さの均一性の観点から、より好ましくはスピンコート法、スリットコート法、スプレーコート法、又は、インクジェット法であり、膜の厚さの均一性の観点および生産性の観点からスピンコート法およびスリットコート法が好ましい。方法に応じて樹脂組成物の固形分濃度や塗布条件を調整することで、所望の厚さの膜を得ることができる。また、基材の形状によっても塗布方法を適宜選択でき、ウエハ等の円形基材であればスピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法等が好ましく、矩形基材であればスリットコート法やスプレーコート法、インクジェット法等が好ましい。スピンコート法の場合は、例えば、５００～３，５００ｒｐｍの回転数で、１０秒～３分程度適用することができる。
　また、あらかじめ仮支持体上に上記付与方法によって付与して形成した塗膜を、基材上に転写する方法を適用することもできる。
　転写方法に関しては特開２００６－０２３６９６号公報の段落００２３、００３６～００５１や、特開２００６－０４７５９２号公報の段落００９６～０１０８に記載の作製方法を本発明においても好適に用いることができる。
　また、基材の端部において余分な膜の除去を行なう工程を行なってもよい。このような工程の例には、エッジビードリンス（ＥＢＲ）、バックリンスなどが挙げられる。
　また樹脂組成物を基材に塗布する前に基材を種々の溶剤を塗布し、基材の濡れ性を向上させた後に樹脂組成物を塗布するプリウェット工程を採用しても良い。
＜乾燥工程＞
　上記膜は、膜形成工程（層形成工程）の後に、溶剤を除去するために形成された膜（層）を乾燥する工程(乾燥工程)に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、膜形成工程により形成された膜を乾燥する乾燥工程を含んでもよい。
　また、上記乾燥工程は膜形成工程の後、露光工程の前に行われることが好ましい。
　乾燥工程における膜の乾燥温度は５０～１５０℃であることが好ましく、７０℃～１３０℃がより好ましく、９０℃～１１０℃が更に好ましい。また、減圧により乾燥を行っても良い。乾燥時間としては、３０秒～２０分が例示され、１分～１０分が好ましく、２分～７分がより好ましい。
＜露光工程＞
　上記膜は、膜を選択的に露光する露光工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、膜形成工程により形成された膜を選択的に露光する露光工程を含んでもよい。
　選択的に露光するとは、膜の一部を露光することを意味している。また、選択的に露光することにより、膜には露光された領域（露光部）と露光されていない領域（非露光部）が形成される。
　露光量は、本発明の樹脂組成物を硬化できる限り特に定めるものではないが、例えば、波長３６５ｎｍでの露光エネルギー換算で５０～１０，０００ｍＪ／ｃｍ２が好ましく、２００～８，０００ｍＪ／ｃｍ２がより好ましい。
　露光波長は、１９０～１，０００ｎｍの範囲で適宜定めることができ、２４０～５５０ｎｍが好ましい。
　露光波長は、光源との関係でいうと、（１）半導体レーザー（波長　８３０ｎｍ、５３２ｎｍ、４８８ｎｍ、４０５ｎｍ、３７５ｎｍ、３５５ｎｍ　ｅｔｃ．）、（２）メタルハライドランプ、（３）高圧水銀灯、ｇ線（波長　４３６ｎｍ）、ｈ線（波長　４０５ｎｍ）、ｉ線（波長　３６５ｎｍ）、ブロード（ｇ，ｈ，ｉ線の３波長）、（４）エキシマレーザー、ＫｒＦエキシマレーザー（波長　２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長　１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（波長　１５７ｎｍ）、（５）極端紫外線；ＥＵＶ（波長　１３．６ｎｍ）、（６）電子線、（７）ＹＡＧレーザーの第二高調波５３２ｎｍ、第三高調波３５５ｎｍ等が挙げられる。本発明の樹脂組成物については、特に高圧水銀灯による露光が好ましく、中でも、ｉ線による露光が好ましい。これにより、特に高い露光感度が得られうる。
　また、露光の方式は特に限定されず、本発明の樹脂組成物からなる膜の少なくとも一部が露光される方式であればよいが、フォトマスクを使用した露光、レーザーダイレクトイメージング法による露光等が挙げられる。
＜露光後加熱工程＞
　上記膜は、露光後に加熱する工程（露光後加熱工程）に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、露光工程により露光された膜を加熱する露光後加熱工程を含んでもよい。
　露光後加熱工程は、露光工程後、現像工程前に行うことができる。
　露光後加熱工程における加熱温度は、５０℃～１４０℃であることが好ましく、６０℃～１２０℃であることがより好ましい。
　露光後加熱工程における加熱時間は、３０秒間～３００分間が好ましく、１分間～１０分間がより好ましい。
　露光後加熱工程における昇温速度は、加熱開始時の温度から最高加熱温度まで１～１２℃／分が好ましく、２～１０℃／分がより好ましく、３～１０℃／分が更に好ましい。
　また、昇温速度は加熱途中で適宜変更してもよい。
　露光後加熱工程における加熱手段としては、特に限定されず、公知のホットプレート、オーブン、赤外線ヒーター等を用いることができる。
　また、加熱に際し、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを流す等により、低酸素濃度の雰囲気で行うことも好ましい。
＜現像工程＞
　露光後の上記膜は、現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、露光工程により露光された膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含んでもよい。　現像を行うことにより、膜の露光部及び非露光部のうち一方が除去され、パターンが形成される。
　ここで、膜の非露光部が現像工程により除去される現像をネガ型現像といい、膜の露光部が現像工程により除去される現像をポジ型現像という。
〔現像液〕
　現像工程において用いられる現像液としては、アルカリ水溶液、又は、有機溶剤を含む現像液が挙げられる。
　現像液がアルカリ水溶液である場合、アルカリ水溶液が含みうる塩基性化合物としては、無機アルカリ類、第一級アミン類、第二級アミン類、第三級アミン類、第四級アンモニウム塩が挙げられ、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウムヒドロキシド）、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、水酸化ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア、エチルアミン、ｎ－プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ－ｎ－ブチルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドドキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラペンチルアンモニウムヒドロキシド、テトラヘキシルアンモニウムヒドロキシド、テトラオクチルアンモニウムヒドロキシド、エチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、ブチルトリメチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリアミルアンモニウムヒドロキシド、ジブチルジペンチルアンモニウムヒドロキシド、ジメチルビス（２－ヒドロキシエチル）アンモニウムヒドロキシド、トリメチルフェニルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、トリエチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジンが好ましく、より好ましくはＴＭＡＨである。現像液における塩基性化合物の含有量は、例えばＴＭＡＨを用いる場合、現像液全質量中０．０１～１０質量％が好ましく、０．１～５質量％がより好ましく、０．３～３質量％が更に好ましい。
　現像液が有機溶剤を含む場合、有機溶剤は、エステル類として、例えば、酢酸エチル、酢酸－ｎ－ブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、δ－バレロラクトン、アルキルオキシ酢酸アルキル（例：アルキルオキシ酢酸メチル、アルキルオキシ酢酸エチル、アルキルオキシ酢酸ブチル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等））、３－アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例：３－アルキルオキシプロピオン酸メチル、３－アルキルオキシプロピオン酸エチル等（例えば、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル等））、２－アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例：２－アルキルオキシプロピオン酸メチル、２－アルキルオキシプロピオン酸エチル、２－アルキルオキシプロピオン酸プロピル等（例えば、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチル、２－メトキシプロピオン酸プロピル、２－エトキシプロピオン酸メチル、２－エトキシプロピオン酸エチル））、２－アルキルオキシ－２－メチルプロピオン酸メチル及び２－アルキルオキシ－２－メチルプロピオン酸エチル（例えば、２－メトキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－エトキシ－２－メチルプロピオン酸エチル等）、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２－オキソブタン酸メチル、２－オキソブタン酸エチル等、並びに、エーテル類として、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等、並びに、ケトン類として、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等、並びに、環状炭化水素類として、例えば、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族炭化水素類、リモネン等の環式テルペン類、スルホキシド類としてジメチルスルホキシド、並びに、アルコール類として、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、オクタノール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、メチルイソブチルカルビノール、トリエチレングリコール等、並びに、アミド類として、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ－エチルピロリドン、ジメチルホルムアミド等が好適に挙げられる。
　現像液が有機溶剤を含む場合、有機溶剤は１種又は、２種以上を混合して使用することができる。本発明では特にシクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、及び、シクロヘキサノンよりなる群から選ばれた少なくとも１種を含む現像液が好ましく、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン及びジメチルスルホキシドよりなる群から選ばれた少なくとも１種を含む現像液がより好ましく、シクロペンタノンを含む現像液が最も好ましい。
　現像液が有機溶剤を含む場合、現像液の全質量に対する有機溶剤の含有量は、５０質量％以上であることが好ましく、７０質量％以上であることがより好ましく、８０質量％以上であることが更に好ましく、９０質量％以上であることが特に好ましい。また、上記含有量は、１００質量％であってもよい。
　現像液は、他の成分を更に含んでもよい。
　他の成分としては、例えば、公知の界面活性剤や公知の消泡剤等が挙げられる。
〔現像液の供給方法〕
　現像液の供給方法は、所望のパターンを形成できれば特に制限は無く、膜が形成された基材を現像液に浸漬する方法、基材上に形成された膜にノズルを用いて現像液を供給するパドル現像、または、現像液を連続供給する方法がある。ノズルの種類は特に制限は無く、ストレートノズル、シャワーノズル、スプレーノズル等が挙げられる。
　現像液の浸透性、非画像部の除去性、製造上の効率の観点から、現像液をストレートノズルで供給する方法、又はスプレーノズルにて連続供給する方法が好ましく、画像部への現像液の浸透性の観点からは、スプレーノズルで供給する方法がより好ましい。
　また、現像液をストレートノズルにて連続供給後、基材をスピンし現像液を基材上から除去し、スピン乾燥後に再度ストレートノズルにて連続供給後、基材をスピンし現像液を基材上から除去する工程を採用してもよく、この工程を複数回繰り返しても良い。
　また現像工程における現像液の供給方法としては、現像液が連続的に基材に供給され続ける工程、基材上で現像液が略静止状態で保たれる工程、基材上で現像液を超音波等で振動させる工程及びそれらを組み合わせた工程などが採用可能である。
　現像時間としては、１０秒～１０分間が好ましく、２０秒～５分間がより好ましい。現像時の現像液の温度は、特に定めるものではないが、好ましくは、１０～４５℃、より好ましくは、１８℃～３０℃で行うことができる。
　現像工程において、現像液を用いた処理の後、更に、リンス液によるパターンの洗浄（リンス）を行ってもよい。また、パターン上に接する現像液が乾燥しきらないうちにリンス液を供給するなどの方法を採用しても良い。
〔リンス液〕
　現像液がアルカリ水溶液である場合、リンス液としては、例えば水を用いることができる。現像液が有機溶剤を含む現像液である場合、リンス液としては、例えば、現像液に含まれる溶剤とは異なる溶剤（例えば、水、現像液に含まれる有機溶剤とは異なる有機溶剤）を用いることができる。
　リンス液が有機溶剤を含む場合の有機溶剤としては、エステル類として、例えば、酢酸エチル、酢酸－ｎ－ブチル、ギ酸アミル、酢酸イソアミル、酢酸イソブチル、プロピオン酸ブチル、酪酸イソプロピル、酪酸エチル、酪酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン、ε－カプロラクトン、δ－バレロラクトン、アルキルオキシ酢酸アルキル（例：アルキルオキシ酢酸メチル、アルキルオキシ酢酸エチル、アルキルオキシ酢酸ブチル（例えば、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル等））、３－アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例：３－アルキルオキシプロピオン酸メチル、３－アルキルオキシプロピオン酸エチル等（例えば、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－メトキシプロピオン酸エチル、３－エトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル等））、２－アルキルオキシプロピオン酸アルキルエステル類（例：２－アルキルオキシプロピオン酸メチル、２－アルキルオキシプロピオン酸エチル、２－アルキルオキシプロピオン酸プロピル等（例えば、２－メトキシプロピオン酸メチル、２－メトキシプロピオン酸エチル、２－メトキシプロピオン酸プロピル、２－エトキシプロピオン酸メチル、２－エトキシプロピオン酸エチル））、２－アルキルオキシ－２－メチルプロピオン酸メチル及び２－アルキルオキシ－２－メチルプロピオン酸エチル（例えば、２－メトキシ－２－メチルプロピオン酸メチル、２－エトキシ－２－メチルプロピオン酸エチル等）、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、ピルビン酸プロピル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、２－オキソブタン酸メチル、２－オキソブタン酸エチル等、並びに、エーテル類として、例えば、ジエチレングリコールジメチルエーテル、テトラヒドロフラン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート等、並びに、ケトン類として、例えば、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、２－ヘプタノン、３－ヘプタノン、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等、並びに、環状炭化水素類として、例えば、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族炭化水素類、リモネン等の環式テルペン類、スルホキシド類としてジメチルスルホキシド、並びに、アルコール類として、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ペンタノール、オクタノール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、メチルイソブチルカルビノール、トリエチレングリコール等、並びに、アミド類として、Ｎ－メチルピロリドン、Ｎ－エチルピロリドン、ジメチルホルムアミド等が好適に挙げられる。
　リンス液が有機溶剤を含む場合、有機溶剤は１種又は、２種以上を混合して使用することができる。本発明では特にシクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、Ｎ－メチルピロリドン、シクロヘキサノン、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥが好ましく、シクロペンタノン、γ－ブチロラクトン、ジメチルスルホキシド、ＰＧＭＥＡ、ＰＧＭＥがより好ましく、シクロヘキサノン、ＰＧＭＥＡがさらに好ましい。
　リンス液が有機溶剤を含む場合、リンス液は、５０質量％以上が有機溶剤であることが好ましく、７０質量％以上が有機溶剤であることがより好ましく、９０質量％以上が有機溶剤であることが更に好ましい。また、リンス液は、１００質量％が有機溶剤であってもよい。
　リンス液は、他の成分を更に含んでもよい。
　他の成分としては、例えば、公知の界面活性剤や公知の消泡剤等が挙げられる。
〔リンス液の供給方法〕
　リンス液の供給方法は、所望のパターンを形成できれば特に制限は無く、基材をリンス液に浸漬する方法、基材上でのパドル現像、基材にリンス液をシャワーで供給する方法、基材上にストレートノズル等の手段により現像液を連続供給する方法がある。
　リンス液の浸透性、非画像部の除去性、製造上の効率の観点から、リンス液をシャワーノズル、ストレートノズル、スプレーノズルなどで供給する方法があり、スプレーノズルにて連続供給する方法が好ましく、画像部へのリンス液の浸透性の観点からは、スプレーノズルで供給する方法がより好ましい。ノズルの種類は特に制限は無く、ストレートノズル、シャワーノズル、スプレーノズル等が挙げられる。
　すなわち、リンス工程は、リンス液を上記露光後の膜に対してストレートノズルにより供給、又は、連続供給する工程であることが好ましく、リンス液をスプレーノズルにより供給する工程であることがより好ましい。
　またリンス工程におけるリンス液の供給方法としては、リンス液が連続的に基材に供給され続ける工程、基材上でリンス液が略静止状態で保たれる工程、基材上でリンス液を超音波等で振動させる工程及びそれらを組み合わせた工程などが採用可能である。
　リンス時間としては、１０秒～１０分間が好ましく、２０秒～５分間がより好ましい。リンス時のリンス液の温度は、特に定めるものではないが、好ましくは、１０～４５℃、より好ましくは、１８℃～３０℃で行うことができる。
＜加熱工程＞
　現像工程により得られたパターン（リンス工程を行う場合は、リンス後のパターン）は、上記現像により得られたパターンを加熱する加熱工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程により得られたパターンを加熱する加熱工程を含んでもよい。
　また、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程を行わずに他の方法で得られたパターン、又は、膜形成工程により得られた膜を加熱する加熱工程を含んでもよい。
　加熱工程において、ポリイミド前駆体等の樹脂は環化してポリイミド等の樹脂となる。
　また、特定樹脂、又は特定樹脂以外の架橋剤における未反応の架橋性基の架橋なども進行する。
　加熱工程における加熱温度（最高加熱温度）としては、５０～４５０℃が好ましく、１５０～３５０℃がより好ましく、１５０～２５０℃が更に好ましく、１６０～２５０℃が一層好ましく、１６０～２３０℃が特に好ましい。
　加熱工程は、加熱により、上記塩基発生剤から発生した塩基等の作用により、上記パターン内で上記ポリイミド前駆体の環化反応を促進する工程であることが好ましい。
　加熱工程における加熱は、加熱開始時の温度から最高加熱温度まで１～１２℃／分の昇温速度で行うことが好ましい。上記昇温速度は２～１０℃／分がより好ましく、３～１０℃／分が更に好ましい。昇温速度を１℃／分以上とすることにより、生産性を確保しつつ、酸又は溶剤の過剰な揮発を防止することができ、昇温速度を１２℃／分以下とすることにより、硬化物の残存応力を緩和することができる。
　加えて、急速加熱可能なオーブンの場合、加熱開始時の温度から最高加熱温度まで１～８℃／秒の昇温速度で行うことが好ましく、２～７℃／秒がより好ましく、３～６℃／秒が更に好ましい。
　加熱開始時の温度は、２０℃～１５０℃が好ましく、２０℃～１３０℃がより好ましく、２５℃～１２０℃が更に好ましい。加熱開始時の温度は、最高加熱温度まで加熱する工程を開始する際の温度のことをいう。例えば、本発明の樹脂組成物を基材の上に適用した後、乾燥させる場合、この乾燥後の膜（層）の温度であり、例えば、本発明の樹脂組成物に含まれる溶剤の沸点よりも、３０～２００℃低い温度から昇温させることが好ましい。
　加熱時間（最高加熱温度での加熱時間）は、５～３６０分であることが好ましく、１０～３００分であることがより好ましく、１５～２４０分であることが更に好ましい。
　特に多層の積層体を形成する場合、層間の密着性の観点から、加熱温度は３０℃以上であることが好ましく、８０℃以上であることがより好ましく、１００℃以上であることが更に好ましく、１２０℃以上であることが特に好ましい。
　上記加熱温度の上限は、３５０℃以下であることが好ましく、２５０℃以下であることがより好ましく、２４０℃以下であることが更に好ましい。
　加熱は段階的に行ってもよい。例として、２５℃から１２０℃まで３℃／分で昇温し、１２０℃にて６０分保持し、１２０℃から１８０℃まで２℃／分で昇温し、１８０℃にて１２０分保持する、といった工程を行ってもよい。また、米国特許第９１５９５４７号明細書に記載のように紫外線を照射しながら処理することも好ましい。このような前処理工程により膜の特性を向上させることが可能である。前処理工程は１０秒間～２時間程度の短い時間で行うとよく、１５秒～３０分間がより好ましい。前処理は２段階以上のステップとしてもよく、例えば１００～１５０℃の範囲で１段階目の前処理工程を行い、その後に１５０～２００℃の範囲で２段階目の前処理工程を行ってもよい。
　更に、加熱後冷却してもよく、この場合の冷却速度としては、１～５℃／分であることが好ましい。
　加熱工程は、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスを流す、減圧下で行う等により、低酸素濃度の雰囲気で行うことが特定樹脂の分解を防ぐ点で好ましい。酸素濃度は、５０ｐｐｍ（体積比）以下が好ましく、２０ｐｐｍ（体積比）以下がより好ましい。
　加熱工程における加熱手段としては、特に限定されないが、例えばホットプレート、赤外炉、電熱式オーブン、熱風式オーブン、赤外線オーブンなどが挙げられる。
＜現像後露光工程＞
　現像工程により得られた（リンス工程を行う場合は、リンス後のパターン）は、上記加熱工程に代えて、又は、上記加熱工程に加えて、現像工程後のパターンを露光する現像後露光工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程により得られたパターンを露光する現像後露光工程を含んでもよい。本発明の硬化物の製造方法は、加熱工程及び現像後露光工程を含んでもよいし、加熱工程及び現像後露光工程の一方のみを含んでもよい。
　現像後露光工程においては、例えば、光塩基発生剤の感光によってポリイミド前駆体等の環化が進行する反応などを促進することができる。
　現像後露光工程においては、現像工程において得られたパターンの少なくとも一部が露光されればよいが、上記パターンの全部が露光されることが好ましい。
　現像後露光工程における露光量は、感光性化合物が感度を有する波長における露光エネルギー換算で、５０～２０，０００ｍＪ／ｃｍ２であることが好ましく、１００～１５，０００ｍＪ／ｃｍ２であることがより好ましい。
　現像後露光工程は、例えば、上述の露光工程における光源を用いて行うことができ、ブロードバンド光を用いることが好ましい。
＜金属層形成工程＞
　現像工程により得られたパターン（加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方に供されたものが好ましい）は、パターン上に金属層を形成する金属層形成工程に供されてもよい。
　すなわち、本発明の硬化物の製造方法は、現像工程により得られたパターン（加熱工程及び現像後露光工程少なくとも一方に供されたものが好ましい）上に金属層を形成する金属層形成工程を含むことが好ましい。
　金属層としては、特に限定なく、既存の金属種を使用することができ、銅、アルミニウム、ニッケル、バナジウム、チタン、クロム、コバルト、金、タングステン、錫、銀及びこれらの金属を含む合金が例示され、銅及びアルミニウムがより好ましく、銅が更に好ましい。
　金属層の形成方法は、特に限定なく、既存の方法を適用することができる。例えば、特開２００７－１５７８７９号公報、特表２００１－５２１２８８号公報、特開２００４－２１４５０１号公報、特開２００４－１０１８５０号公報、米国特許第７８８８１８１Ｂ２、米国特許第９１７７９２６Ｂ２に記載された方法を使用することができる。例えば、フォトリソグラフィ、ＰＶＤ（物理蒸着法）、ＣＶＤ（化学気相成長法）、リフトオフ、電解めっき、無電解めっき、エッチング、印刷、及びこれらを組み合わせた方法などが考えられる。より具体的には、スパッタリング、フォトリソグラフィ及びエッチングを組み合わせたパターニング方法、フォトリソグラフィと電解めっきを組み合わせたパターニング方法が挙げられる。めっきの好ましい態様としては、硫酸銅やシアン化銅めっき液を用いた電解めっきが挙げられる。
　金属層の厚さとしては、最も厚肉の部分で、０．０１～５０μｍが好ましく、１～１０μｍがより好ましい。
＜用途＞
　本発明の硬化物の製造方法、又は、本発明の硬化物の適用可能な分野としては、電子デバイスの絶縁膜、再配線層用層間絶縁膜、ストレスバッファ膜などが挙げられる。そのほか、封止フィルム、基板材料（フレキシブルプリント基板のベースフィルムやカバーレイ、層間絶縁膜）、又は上記のような実装用途の絶縁膜をエッチングでパターン形成することなどが挙げられる。これらの用途については、例えば、サイエンス＆テクノロジー（株）「ポリイミドの高機能化と応用技術」２００８年４月、柿本雅明／監修、ＣＭＣテクニカルライブラリー「ポリイミド材料の基礎と開発」２０１１年１１月発行、日本ポリイミド・芳香族系高分子研究会／編「最新ポリイミド　基礎と応用」エヌ・ティー・エス，２０１０年８月等を参照することができる。
　また、本発明の硬化物の製造方法、又は、本発明の硬化物は、オフセット版面又はスクリーン版面などの版面の製造、成形部品のエッチングへの使用、エレクトロニクス、特に、マイクロエレクトロニクスにおける保護ラッカー及び誘電層の製造などにも用いることもできる。
（積層体、及び、積層体の製造方法）
　本発明の積層体とは、本発明の硬化物からなる層を複数層有する構造体をいう。
　本発明の積層体は、硬化物からなる層を２層以上含む積層体であり、３層以上積層した積層体としてもよい。
　上記積層体に含まれる２層以上の上記硬化物からなる層のうち、少なくとも１つが本発明の硬化物からなる層であり、硬化物の収縮、又は、上記収縮に伴う硬化物の変形等を抑制する観点からは、上記積層体に含まれる全ての硬化物からなる層が本発明の硬化物からなる層であることも好ましい。
　すなわち、本発明の積層体の製造方法は、本発明の硬化物の製造方法を含むことが好ましく、本発明の積層体の製造方法を複数回繰り返すことを含むことがより好ましい。
　本発明の積層体は、硬化物からなる層を２層以上含み、上記硬化物からなる層同士のいずれかの間に金属層を含む態様が好ましい。上記金属層は、上記金属層形成工程により形成されることが好ましい。
　すなわち、本発明の積層体の製造方法は、複数回行われる硬化物の製造方法の間に、硬化物からなる層上に金属層を形成する金属層形成工程を更に含むことが好ましい。金属層形成工程の好ましい態様は上述の通りである。
　上記積層体としては、例えば、第一の硬化物からなる層、金属層、第二の硬化物からなる層の３つの層がこの順に積層された層構造を少なくとも含む積層体が好ましいものとして挙げられる。
　上記第一の硬化物からなる層及び上記第二の硬化物からなる層は、いずれも本発明の硬化物からなる層であることが好ましい。上記第一の硬化物からなる層の形成に用いられる本発明の樹脂組成物と、上記第二の硬化物からなる層の形成に用いられる本発明の樹脂組成物とは、組成が同一の組成物であってもよいし、組成が異なる組成物であってもよい。本発明の積層体における金属層は、再配線層などの金属配線として好ましく用いられる。
＜積層工程＞
　本発明の積層体の製造方法は、積層工程を含むことが好ましい。
　積層工程とは、パターン（樹脂層）又は金属層の表面に、再度、（ａ）膜形成工程（層形成工程）、（ｂ）露光工程、（ｃ）現像工程、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方を、この順に行うことを含む一連の工程である。ただし、（ａ）の膜形成工程および（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方を繰り返す態様であってもよい。また、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方の後には（ｅ）金属層形成工程を含んでもよい。積層工程には、更に、上記乾燥工程等を適宜含んでいてもよいことは言うまでもない。
　積層工程後、更に積層工程を行う場合には、上記露光工程後、上記加熱工程の後、又は、上記金属層形成工程後に、更に、表面活性化処理工程を行ってもよい。表面活性化処理としては、プラズマ処理が例示される。表面活性化処理の詳細については後述する。
　上記積層工程は、２～２０回行うことが好ましく、２～９回行うことがより好ましい。
　例えば、樹脂層／金属層／樹脂層／金属層／樹脂層／金属層のように、樹脂層を２層以上２０層以下とする構成が好ましく、２層以上９層以下とする構成が更に好ましい。
　上記各層はそれぞれ、組成、形状、膜厚等が同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　本発明では特に、金属層を設けた後、更に、上記金属層を覆うように、上記本発明の樹脂組成物の硬化物（樹脂層）を形成する態様が好ましい。具体的には、（ａ）膜形成工程、（ｂ）露光工程、（ｃ）現像工程、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方（ｅ）金属層形成工程、の順序で繰り返す態様、又は、（ａ）膜形成工程、（ｄ）加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方、（ｅ）金属層形成工程の順序で繰り返す態様が挙げられる。本発明の樹脂組成物層（樹脂層）を積層する積層工程と、金属層形成工程を交互に行うことにより、本発明の樹脂組成物層（樹脂層）と金属層を交互に積層することができる。
（表面活性化処理工程）
　本発明の積層体の製造方法は、上記金属層および樹脂組成物層の少なくとも一部を表面活性化処理する、表面活性化処理工程を含むことが好ましい。
　表面活性化処理工程は、通常、金属層形成工程の後に行うが、上記現像工程の後（好ましくは、加熱工程及び現像後露光工程の少なくとも一方の後）、樹脂組成物層に表面活性化処理工程を行ってから、金属層形成工程を行ってもよい。
　表面活性化処理は、金属層の少なくとも一部のみに行ってもよいし、露光後の樹脂組成物層の少なくとも一部のみに行ってもよいし、金属層および露光後の樹脂組成物層の両方について、それぞれ、少なくとも一部に行ってもよい。表面活性化処理は、金属層の少なくとも一部について行うことが好ましく、金属層のうち、表面に樹脂組成物層を形成する領域の一部または全部に表面活性化処理を行うことが好ましい。このように、金属層の表面に表面活性化処理を行うことにより、その表面に設けられる樹脂組成物層（膜）との密着性を向上させることができる。
　また、表面活性化処理は、露光後の樹脂組成物層（樹脂層）の一部または全部についても行うことが好ましい。このように、樹脂組成物層の表面に表面活性化処理を行うことにより、表面活性化処理した表面に設けられる金属層や樹脂層との密着性を向上させることができる。特にネガ型現像を行う場合など、樹脂組成物層が硬化されている場合には、表面処理によるダメージを受けにくく、密着性が向上しやすい。
　表面活性化処理としては、具体的には、各種原料ガス（酸素、水素、アルゴン、窒素、窒素／水素混合ガス、アルゴン／酸素混合ガスなど）のプラズマ処理、コロナ放電処理、ＣＦ４／Ｏ２、ＮＦ３／Ｏ２、ＳＦ６、ＮＦ３、ＮＦ３／Ｏ２によるエッチング処理、紫外線（ＵＶ）オゾン法による表面処理、塩酸水溶液に浸漬して酸化皮膜を除去した後にアミノ基とチオール基を少なくとも一種有する化合物を含む有機表面処理剤への浸漬処理、ブラシを用いた機械的な粗面化処理から選択され、プラズマ処理が好ましく、特に原料ガスに酸素を用いた酸素プラズマ処理が好ましい。コロナ放電処理の場合、エネルギーは、５００～２００，０００Ｊ／ｍ２が好ましく、１０００～１００，０００Ｊ／ｍ２がより好ましく、１０，０００～５０，０００Ｊ／ｍ２が最も好ましい。
（半導体デバイスの製造方法）
　本発明は、本発明の硬化物、又は、本発明の積層体を含む半導体デバイスも開示する。
　本発明は、本発明の硬化物の製造方法、又は、本発明の積層体の製造方法を含む半導体デバイスの製造方法も開示する。本発明の樹脂組成物を再配線層用層間絶縁膜の形成に用いた半導体デバイスの具体例としては、特開２０１６－０２７３５７号公報の段落０２１３～０２１８の記載及び図１の記載を参酌でき、これらの内容は本明細書に組み込まれる。
　以下に実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り、適宜、変更することができる。従って、本発明の範囲は以下に示す具体例に限定されるものではない。「部」、「％」は特に述べない限り、質量基準である。
＜合成例１：ポリマーＰＥの合成＞
　ポリマーＰＥは、オキシジアニリン（以下、「ＯＤＡ」と略記する）０．６００ｇ（３．００ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）８．５０ｍｌ溶液中に、４，４'－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物（以下、「ＢＰＤＡ」と略記する）０．８８３ｇ（３．００ｍｍｏｌ）を一度に加え、室温環境下１２時間撹拌せしめることにより、粘性の高い透明溶液のポリマーＰＥ溶液を得た。ＤＭＡｃ中のポリマーＰＥの固有粘度は、３０℃、０．５ｇ／ｄＬの濃度で０．７３ｄＬ／ｇであった。なお、ＤＭＡｃは、減圧蒸留により精製したものを、ＯＤＡ及びＢＰＤＡは、それぞれテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、無水酢酸から再結晶したものを用いた。ポリマーＰＥの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は１２，０００であった。
＜合成例２：ポリマーＰＡ－１の合成＞
　４，４’－オキシジフタル酸二無水物（ＯＤＰＡ）１５５．１ｇをセパラブルフラスコに入れ、２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）１３１．２ｇとγ－ブチロラクトン４００ｍｌを入れて室温下で撹拌し、撹拌しながらピリジン８１．５ｇを加えて反応混合物を得た。反応による発熱の終了後に室温まで放冷し、１６時間放置した。
　次に、氷冷下において、ジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）２０６．３ｇをγ－ブチロラクトン１８０ｍｌに溶解した溶液を撹拌しながら４０分かけて反応混合物に加え、続いて４，４’－ジアミノジフェニルエーテル（ＤＡＤＰＥ）９３．０ｇをγ－ブチロラクトン３５０ｍｌに懸濁したものを撹拌しながら６０分かけて加えた。更に室温で２時間撹拌した後、エチルアルコール３０ｍｌを加えて１時間撹拌し、次に、γ－ブチロラクトン４００ｍｌを加えた。反応混合物に生じた沈殿物をろ過により取り除き、反応液を得た。
　得られた反応液を３リットルのエチルアルコールに加えて粗ポリマーからなる沈殿物を生成した。生成した粗ポリマーを濾別し、テトラヒドロフラン１．５リットルに溶解して粗ポリマー溶液を得た。得られた粗ポリマー溶液を２８リットルの水に滴下してポリマーを沈殿させ、得られた沈殿物を濾別した後、真空乾燥して粉末状のポリマーＰＡ－１を得た。ポリマーＰＡ－１の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２０，０００であった。
＜合成例３：ポリマーＰＢ－１の合成＞
　上記合成例２における４，４’－オキシジフタル酸二無水物１５５．１ｇに代えて、３，３’４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物１４７．１ｇを用いた以外は、合成例２に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマーＰＢ－１を得た。ポリマーＰＢ－１の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２２，０００であった。
＜合成例４：ポリマーＰＡ－２の合成＞
　２０．０ｇ（６４．５ミリモル）の４，４’－オキシジフタル酸二無水物（１４０°Ｃで１２時間乾燥）と、１７．１２ｇ（１３１．５８ミリモル）の２－ヒドロキシエチルメタクリレート（ＨＥＭＡ）とを、５０ｍｌのＮ－メチルピロリドンに懸濁させ、モレキュラーシーブで乾燥させた。懸濁液を１００℃で３時間加熱した。加熱を開始してから数分後に透明な溶液が得られた。反応混合物を室温に冷却し、２１．４３ｇ（２７０．９ミリモル）のピリジン及び９０ｍｌのＮ－メチルピロリドンを加えた。次いで、反応混合物を－１０℃に冷却し、温度を－１０±４℃に保ちながら１６．１２ｇ（１３５．５ミリモル）のＳＯＣｌ２を１０分かけて加えた。ＳＯＣｌ２を加えている間、粘度が増加した。５０ｍｌのＮ－メチルピロリドンで希釈した後、反応混合物を室温で２時間撹拌した。次いで、１００ｍｌのＮ－メチルピロリドンに１１．７５ｇ（５８．７ミリモル）の４，４’－ジアミノジフェニルエーテルを溶解させた溶液を、２０～２３℃で２０分かけて反応混合物に滴下した。次いで、反応混合物を室温で１晩撹拌した。次いで、５リットルの水の中でポリイミド前駆体を沈殿させ、水－ポリイミド前駆体混合物を５０００ｒｐｍの速度で１５分間撹拌した。ポリイミド前駆体を濾取し、再度４リットルの水に投入してさらに３０分間撹拌し再び濾過した。次いで、得られたポリイミド前駆体を減圧下で、４５℃で３日間乾燥し、ポリマーＰＡ－２を得た。ポリマーＰＡ－２の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２０，０００であった。
＜合成例５：ポリマーＰＢ－２の合成＞
　合成例４において、２０．０ｇ（６４．５ミリモル）の４，４’－オキシジフタル酸二無水物に代えて、１９．０ｇ（６４．５ミリモル）の３，３’４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物を用いた以外は、合成例４に記載の方法と同様にして反応を行い、ポリマーＰＢ－１を得た。ポリマーＰＢ－２の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は２１，０００であった。
＜合成例６：ポリマーＰＣの合成＞
　セパラブルフラスコ中で、２，２－ビス（３－アミノ－４－ヒドロキシフェニル）－ヘキサフルオロプロパン　１８３．１ｇ（０．５モル）、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）　６４０．９ｇ、ピリジン　６３．３ｇ（０．８モル）を室温（２５℃）で混合撹拌し、均一溶液とした。これに、４，４’－ジフェニルエーテルジカルボニルクロリド　１１８．０ｇ（０．４モル）をジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）　３５４ｇに溶解したものを滴下ロートより滴下した。この際、セパラブルフラスコは１５～２０℃の水浴で冷却した。滴下に要した時間は４０分、反応液温は最大で３０℃であった。
　滴下終了から３時間後、反応液に１，２－シクロヘキシルジカルボン酸無水物　３０．８ｇ（０．２ｍｏｌ）を添加し、室温で１５時間撹拌放置し、ポリマー鎖の全アミン末端基の９９％をカルボキシシクロヘキシルアミド基で封止した。この際の反応率は投入した１，２－シクロヘキシルジカルボン酸無水物の残量を高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）で追跡することにより容易に算出することができる。その後上記反応液を２Ｌの水に高速撹拌下で滴下し重合体を分散析出させ、これを回収し、適宜水洗、脱水の後に真空乾燥を施し、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定した重量平均分子量９，０００（ポリスチレン換算）の粗ポリベンゾオキサゾール前駆体を得た。
　上記で得られた粗ポリベンゾオキサゾール前駆体をγ－ブチロラクトン（ＧＢＬ）に再溶解した後、これを陽イオン交換樹脂及び陰イオン交換樹脂にて処理し、それにより得られた溶液をイオン交換水中に投入後、析出したポリマーを濾別、水洗、真空乾燥することにより精製されたポリベンゾオキサゾール前駆体（ポリマーＰＣ）を得た。ポリマーＰＢ－２の分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は１８，０００であった。
＜合成例７：ポリマーＰＤの合成＞
　H Seino et al., J. Polym. Sci., Part A: Polym. Chem., 36, 2261 (1998)のＰＦＡＡの合成方法と同様の方法により、ピロメリット酸二無水物、３，３’４，４’－ビフェニルテトラカルボン酸二無水物、及び、２，２’－ビス（トリフルオロメチル）ベンジジンから、ポリマーＰＤを合成した。ポリマーＰＤの分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（標準ポリスチレン換算）で測定したところ、重量平均分子量（Ｍｗ）は１５，０００であった。
＜実施例及び比較例＞
　各実施例において、それぞれ、下記表に記載の成分を混合し、各ネガ型感光性樹脂組成物を得た。また、各比較例において、それぞれ、下記表に記載の成分を混合し、各比較用組成物を得た。
　具体的には、溶剤以外の表に記載の各成分の含有量（配合量）は、表の「固形分中の濃度［質量部］」の「添加量」の欄に記載の量（質量部）とした。
　溶剤の含有量（配合量）は、組成物の固形分濃度が表中の「固形分濃度［質量％］」の値となるようにし、溶剤の全質量に対する各溶剤の含有量は、表中の「添加量」の欄に記載の量（質量部）となるようにした。
　得られたネガ型感光性樹脂組成物及び比較用組成物を、細孔の幅が０．４５μｍのポリテトラフルオロエチレン製フィルターを用いて加圧ろ過した。
　また、表中、「－」の記載は該当する成分を組成物が含有していないことを示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000076
  
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000077
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000078
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000079
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000080
　表に記載した各成分の詳細は下記の通りである。
〔樹脂〕
・樹脂ＰＡ－１、ＰＡ－２、ＰＢ－１、ＰＢ－２、ＰＣ、ＰＤ、ＰＥ：上記合成例により得られた樹脂
〔化合物Ａ〕
・Ａ－１：２，６－ビス（２，３，４－トリヒドロキシベンジル）－ｐ－クレゾールと６－ジアゾ５，６－ジヒドロ－５－オキソ－１－ナフタレンスルホン酸とのエステル
・Ａ－２：２，２’，３，３’－テトラヒドロ－３，３，３’，３’－テトラメチル－１，１’－スピロビ（１Ｈ－インデン）－５，５’，６，６’，７，７’ヘキサノールと１，２－ナフトキノン－（２）－ジアゾ－５－スルホン酸とのエステル
・Ａ－３：ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）－（４－ヒドロキシ－３－メトキシフェニル）メタンと６－ジアゾ－５，６－ジヒドロ－５－オキソナフタレン－１－スルホン酸とのエステル
・Ａ－４：ビクトリアピュアブル－ＮＡＰＳ（ロイコ色素、保土谷化学工業（株）製）
・Ａ－５：下記オキシム化合物
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000081
・Ａ－６：下記ジアリールエテン色素
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000082
・Ａ－７：４－［ビス（４－ヒドロキシ－３，５－ジメチルフェニル）メチル］１，２－ベンゼンジオールと６－ジアゾ－５，６－ジヒドロ－５－オキソナフタレン－１－スルホン酸とのエステル
・Ａ－８：４，４’－（メンタン－１，８－ジイル）ビス［２－（４－ヒドロキシベンジル）－６－メチルフェノールと６－ジアゾ－５－オキソ－５，６－ジヒドロナフタレン－１－スルホン酸とのエステル
・ＣＡ－１：下記クマリン色素
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000083
　上記化合物中、Ａ－１～Ａ－８は露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物であり、化合物Ａに該当する。
　また、Ａ－１～Ａ－４、Ａ－６～Ａ－８は露光時にラジカル重合開始種を発生しない化合物であり、Ａ－５は露光時にラジカル重合開始種を発生する化合物である。
　ＣＡ－１は露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物ではなく、化合物Ａに該当しない。
〔光重合開始剤（感光性化合物）〕
・Ｉ－１：１－フェニル－１，２－プロパンジオン－２－（Ｏ－エトキシカルボニル）－オキシム（極大吸収波長：３６５ｎｍ）
・Ｉ－２：ＮＣＩ　８３１（極大吸収波長：３６５ｎｍ）　（（株）ＡＤＥＫＡ製）
・Ｉ－３：Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０１（極大吸収波長：３６５ｎｍ）　（ＢＡＳＦ社製）
・Ｉ－４：Ｉｒｇａｃｕｒｅ　ＯＸＥ０２（極大吸収波長：３６５ｎｍ）　（ＢＡＳＦ社製）
・Ｉ－５：Ｉｒｇａｃｕｒｅ　７８４（極大吸収波長：４０５ｎｍ）　（ＢＡＳＦ社製）
〔含窒素環状化合物〕
・Ｎ－１：１Ｈ－テトラゾール
・Ｎ－２：５－アミノテトラゾール
・Ｎ－３：３－アミノトリアゾール
・Ｎ－４：ベンゾトリアゾール
・Ｎ－５：下記化合物
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000084
〔重合性化合物〕
・Ｆ－１：テトラエチレングリコールジメタクリレート
・Ｆ－２：ライトエステル　ＢＰ－６ＥＭ　（共栄社化学（株）製）
・Ｆ－３：ライトエステルＮＰ　（共栄社化学（株）製）
・Ｆ－４：ライトエステル１．６ＨＸ　（共栄社化学（株）製）
・Ｆ－５：ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＨＡ（日本化薬（株）製）
・Ｆ－６：ダイセル　セロキサイド　ＣＥＬ２０８１　（（株）ダイセル製）
〔金属密着性改良剤（シランカップリング剤）〕
・Ｇ－１：Ｎ－［３－（トリエトキシシリル）プロピル］フタルアミド酸
・Ｇ－２：Ｎ－［３－（トリエトキシシリル）プロピル］マレインアミド酸
・Ｇ－３：３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
・Ｇ－４：２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン
・Ｇ－５：下記化合物
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000085
〔重合禁止剤〕
・Ｈ－１：ｐ－ベンゾキノン
・Ｈ－２：４－メトキシフェノール
・Ｈ－３：２－ニトロソ－１－ナフト－ル
〔塩基発生剤〕
・Ｋ－１：N-cyclohexyl-N,N-dimethyl-N-phenacylammonium Maleate
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000086
・Ｋ－２：下記化合物
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000087
・Ｋ－３：下記化合物
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000088
・Ｋ－４：下記化合物
Figure JPOXMLDOC01-appb-C000089
〔その他添加剤〕
・Ｍ－１：７－ジエチルアミノ－３－エトキシカルボニルクマリン
・Ｍ－２：Ｎ－フェニルジエタノールアミン
〔溶剤〕
・Ｓ－１：Ｎ－メチルピロリドン
・Ｓ－２：乳酸エチル
・Ｓ－３：γ－ブチロラクトン
・Ｓ－４：ジメチルスルホキシド
・Ｓ－５：Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド
＜評価＞
〔解像性評価〕
　各実施例又は比較例において、調製したネガ型感光性樹脂組成物又は比較用組成物を、銅ウエハ上にスピンコート法により塗布した。上記ウエハをホットプレート上で、表に記載の温度及び時間で乾燥し、銅ウエハ上に表の「塗布膜厚」の欄に記載の厚さであって、均一な厚さの硬化性樹脂組成物層を形成した。
　「露光」の欄に「Ｍ」と記載した例においては、銅基板上の硬化性樹脂組成物層を、ステッパーを用い、５μｍ～２０μｍまで１μｍ刻みのコンタクトホールのフォトマスクを使用して、露光波長３６５ｎｍで露光した。露光量は２５０～６５０ｍＪ／ｃｍ２の範囲で５０ｍＪ／ｃｍ２刻みで変化させた。
　「露光」の欄に「Ｄ」と記載した例においては、ダイレクト露光装置（アドテック　ＤＥ－６ＵＨ　ＩＩＩ）を用いて、５μｍ～２０μｍまで１μｍ刻みのコンタクトホールになるようなレーザーダイレクトイメージング露光を行った。露光波長は４０５ｎｍとし、露光量は２５０～６５０ｍＪ／ｃｍ２の範囲で５０ｍＪ／ｃｍ２刻みで変化させた。
　表の「露光後加熱工程」の欄に数値の記載のある実施例に関しては、記載の温度／時間で露光後にウェハの加熱処理を実施した。加熱はホットプレートで大気下にて実施した。
　露光した硬化性樹脂組成物層を、シクロペンタノンで４０秒間現像した後に、ＰＧＭＥＡ（プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート）でリンスした。
　現像後に得られたパターンにおいて、コンタクトホールパターンサイズが最小であるものの線幅を「最小ホール径」として、下記評価基準に従って評価した。最小ホール径が小さければ小さいほど解像性に優れるといえ、例えば、その後のめっき工程で形成される金属配線幅を微細化できることを表すため、好ましい結果となる。測定限界は５μｍである。評価結果は、表中の「解像性」の欄に記載した。Ａ又はＢが好ましく、Ａがより好ましい。
－評価基準－
塗布膜厚が５μｍの場合：
Ａ：最小ホール径が５μｍであった。
Ｂ：最小ホール径が５μｍ以上７μｍ未満であった。
Ｃ：最小ホール径が７μｍ以上１０μｍ未満であった。
Ｄ：最小ホール径が１０μｍ以上であった。
塗布膜厚が１３μｍの場合：
Ａ：最小ホール径が１０μｍ未満であった。
Ｂ：最小ホール径が１０μｍ以上１５μｍ未満であった。
Ｃ：最小ホール径が１５μｍ以上２０μｍ未満であった。
Ｄ：最小ホール径が２０μｍ以上であった。
〔現像後残膜率〕
　上記解像性評価において、最小ホール径を形成できる露光量における現像後の残膜率を、現像前後の膜厚を測定し、現像前の膜厚に対する現像後の膜厚の割合として算出した。算出された残膜率の値から下記評価基準に従って評価を行い、評価結果は表の「現像後残膜率」の欄に記載した。残膜率が高いほど好ましい結果となる。Ａ又はＢが好ましく、Ａがより好ましい。
残膜率（％）＝現像後の膜厚／現像前の膜厚×１００
－評価基準－
Ａ：残膜率が９０％以上であった。
Ｂ：残膜率が８５％以上９０％未満であった。
Ｃ：残膜率が８０％以上８５％未満であった。
Ｄ：残膜率が８０％未満であった。
〔耐薬品性〕
　各実施例又は比較例において、上述の解像性評価における硬化性樹脂組成物層の形成と同様の方法により、シリコンウェハ上に硬化性樹脂組成物層を形成した。
　その後、各実施例又は比較例において、フォトマスクを使用せずに硬化性樹脂組成物層の全面に対して露光を行い、樹脂膜を得た。
　露光方法は、フォトマスクを使用しなかった以外は、上述の解像性評価と同様の方法とした。露光量は５００ｍＪ／ｃｍ２とした。
　耐薬品性の評価においては、露光後加熱工程は行わなかった。
　次いで、各実施例又は比較例において得られた樹脂膜を、窒素雰囲気下で、１０℃／分の昇温速度で昇温し、表の「キュア条件」の「温度」及び時間の欄に示した温度及び時間でその温度を維持し、硬化膜を形成した。
　得られた硬化膜を下記の薬品に下記の条件で浸漬し、溶解速度を算定した。
　薬品：ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）と２５質量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液の９０：１０（質量比）の混合物
　評価条件：上記硬化膜を上記薬品に７５℃で１５分間浸漬して浸漬前後の硬化膜の膜厚を比較し、浸漬後の残膜率を算出した。
　残膜率（％）＝浸漬後の膜厚／浸漬前の膜厚×１００
　得られた残膜率の値について、下記評価基準に従って評価し、評価結果を「耐薬品性」の欄に記載した。残膜率が大きいほど、耐薬品性に優れるといえる。Ａ又はＢが好ましく、Ａがより好ましい。
－評価基準－
　Ａ：残膜率が７５％以上であった。
　Ｂ：残膜率が７０％以上７５％未満であった。
　Ｃ：残膜率が５５％以上７０％未満であった。
　Ｄ：残膜率が５５％未満であった。
　以上の結果から、本発明のネガ型感光性樹脂組成物を用いることにより、解像性が向上することがわかる。
　比較例１に係る比較用組成物は、含窒素環状化合物を含むが化合物Ａを含まない。このような例においては、解像性に劣ることがわかる。
　比較例２に係る比較用組成物は、化合物Ａの代わりにＣＡ－１を含み、かつ、含窒素環状化合物を含む。このような例においては、現像後残膜率に劣ることがわかる。
　比較例３～５に係る比較用組成物は、含窒素環状化合物を含まない。このような例においては、解像性、現像後残膜率のいずれにも劣ることがわかる。
＜実施例１０１＞
　実施例１において使用した樹脂組成物を、表面に銅薄層が形成された樹脂基材の銅薄層の表面にスピンコート法により層状に適用して、１００℃で５分間乾燥し、膜厚２０μｍの感光膜を形成した後、ステッパー（（株）ニコン製、ＮＳＲ１５０５　ｉ６）を用いて露光した。露光はマスク（パターンが１：１ラインアンドスペースであり、線幅が１０μｍであるバイナリマスク）を介して、波長３６５ｎｍで行った。上記露光後、シクロヘキサノンで２分間現像し、ＰＧＭＥＡで３０秒間リンスし、層のパターンを得た。
　次いで、窒素雰囲気下で、１０℃／分の昇温速度で昇温し、２３０℃に達した後、２３０℃で１８０分間維持して、再配線層用層間絶縁膜を形成した。この再配線層用層間絶縁膜は、絶縁性に優れていた。
　また、これらの再配線層用層間絶縁膜を使用して半導体デバイスを製造したところ、問題なく動作することを確認した。

Claims (17)

  1. 　樹脂、
    　露光によりその露光波長の吸光度が小さくなる化合物Ａ、及び、
    　光重合開始剤を含み、
    　下記条件ｉ及び条件ｉｉの少なくとも一方を満たす
    　ネガ型感光性樹脂組成物。
    　条件ｉ：組成物が、前記樹脂、前記化合物Ａ及び前記光重合開始剤とは異なる成分として含窒素環状化合物を更に含む。
    　条件ｉｉ：前記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含む。
  2. 　前記化合物Ａが、露光によりラジカル重合開始種を発生しない化合物である、請求項１に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  3. 　前記化合物Ａが、ナフトキノンジアジド化合物を含む、請求項１又は２に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  4. 　前記化合物Ａの含有量を１００質量部とした場合の、前記含窒素環状化合物の含有量が、０．５～２００質量部である、請求項１～３のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  5. 　樹脂、
    　ナフトキノンジアジド化合物、及び、
    　光重合開始剤を含み、
    　下記条件ｉｉｉ及び条件ｉｖの少なくとも一方を満たす
    　ネガ型感光性樹脂組成物。
    　条件ｉｉｉ：組成物が、前記樹脂、前記ナフトキノンジアジド化合物及び前記光重合開始とは異なる成分として含窒素環状化合物を更に含む。
    　条件ｉｖ：前記樹脂として、環員として２以上の窒素原子を含む含窒素ヘテロ環構造を有する樹脂を含む。
  6. 　前記樹脂が環化樹脂又はその前駆体である、請求項１～５のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  7. 　重合性化合物を更に含む、請求項１～６のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  8. 　シランカップリング剤を更に含む、請求項１～７のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  9. 　重合禁止剤を更に含む、請求項１～８のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  10. 　塩基発生剤を更に含む、請求項１～９のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  11. 　前記光重合開始剤が、光ラジカル重合開始剤である、請求項１～１０のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  12. 　再配線層用層間絶縁膜の形成に用いられる、請求項１～１１のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物。
  13. 　請求項１～１２のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
  14. 　請求項１３に記載の硬化物からなる層を２層以上含み、前記硬化物からなる層同士のいずれかの間に金属層を含む積層体。
  15. 　請求項１～１２のいずれか１項に記載のネガ型感光性樹脂組成物を基板に適用して膜を形成する膜形成工程、前記膜を選択的に露光する露光工程、及び、露光工程により露光された膜を現像液を用いて現像してパターンを形成する現像工程を含む、硬化物の製造方法。
  16. 　前記膜を５０～４５０℃で加熱する加熱工程を含む、請求項１５に記載の硬化物の製造方法。
  17. 　請求項１３に記載の硬化物又は請求項１４に記載の積層体を含む、半導体デバイス。
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Citations (119)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4643946B1 (ja) 1967-11-09 1971-12-27
JPS4864183A (ja) 1971-12-09 1973-09-05
JPS4841708B1 (ja) 1970-01-13 1973-12-07
JPS4943191B1 (ja) 1969-07-11 1974-11-19
JPS506034B1 (ja) 1970-08-11 1975-03-10
JPS5137193A (ja) 1974-09-25 1976-03-29 Toyo Boseki
JPS5230490B2 (ja) 1972-03-21 1977-08-09
JPS5617654B2 (ja) 1970-12-28 1981-04-23
JPS5849860B2 (ja) 1973-12-07 1983-11-07 ヘキスト アクチェンゲゼルシャフト コウジユウゴウセイフクシヤザイリヨウ
JPS6122048A (ja) 1984-06-08 1986-01-30 ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト 重合可能な化合物、その製法、およびこれを含有する放射線感性複写層
JPS6239417B2 (ja) 1978-05-20 1987-08-22 Hoechst Ag
JPS6239418B2 (ja) 1978-05-20 1987-08-22 Hoechst Ag
JPS63260909A (ja) 1987-03-28 1988-10-27 ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト 光重合性混合物及びこの混合物から製造される記録材料
JPS63277653A (ja) 1987-03-28 1988-11-15 ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト 重合可能な化合物、これを含有する放射線重合可能な混合物及び放射線重合可能な記録材料
JPH01105238A (ja) 1987-03-28 1989-04-21 Hoechst Ag 光重合可能な混合物および光重合可能な記録材料
JPH0140337B2 (ja) 1979-12-29 1989-08-28 Hoechst Ag
JPH0140336B2 (ja) 1979-12-29 1989-08-28 Hoechst Ag
JPH0225493A (ja) 1988-05-21 1990-01-26 Hoechst Ag アルケニルホスホン酸エステルおよびアルケニルホスフイン酸エルテル、その製法並びに当該化合物を含有する放射線重合性混合物および記録材料
JPH0216765B2 (ja) 1980-09-29 1990-04-18 Hoechst Ag
JPH0232293B2 (ja) 1980-12-22 1990-07-19 Hoechst Ag
JPH04253058A (ja) 1991-01-29 1992-09-08 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
EP0530148A1 (de) 1991-08-30 1993-03-03 OCG Microelectronic Materials Inc. Positiv-Fotoresists mit erhöhtem Auflösungsvermögen und geringer Kristallisationsneigung, sowie neue Tetra(hydroxyphenyl)alkane
JPH05224410A (ja) 1992-02-12 1993-09-03 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05303200A (ja) 1992-04-27 1993-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH06130664A (ja) 1992-10-22 1994-05-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd ネガ型感光性樹脂組成物
JPH1062986A (ja) 1996-08-21 1998-03-06 Fuji Photo Film Co Ltd 感放射線性着色組成物
JPH10291969A (ja) 1996-12-06 1998-11-04 Ciba Specialty Chem Holding Inc 新規α−アミノアセトフェノン光開始剤
JP2000070025A (ja) 1998-09-01 2000-03-07 Seigo Nakamura 傘
JP2000080068A (ja) 1998-06-26 2000-03-21 Ciba Specialty Chem Holding Inc 新規ｏ―アシルオキシム光開始剤
JP2001233842A (ja) 1999-12-15 2001-08-28 Ciba Specialty Chem Holding Inc オキシムエステルの光開始剤
JP2001521288A (ja) 1997-10-20 2001-11-06 フリップ・チップ・テクノロジーズ・エルエルシー チップスケールパッケージ及びその形成方法
JP2004091638A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Kingo Uchida フォトクロミック材料
JP2004101850A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性有機無機複合材料およびそれを用いた半導体装置
JP2004214501A (ja) 2003-01-07 2004-07-29 Sony Corp ウエハーレベル・チップサイズ・パッケージおよびその製造方法
JP2004254595A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Hiroshima Pref Gov マンノシルエリスリトールリピッドの製造方法
JP2006023696A (ja) 2004-06-07 2006-01-26 Fuji Photo Film Co Ltd 着色感光性樹脂組成物、着色感光性樹脂組成物の塗布膜、感光性樹脂転写材料、感光性樹脂層の形成方法、カラーフィルター、カラーフィルターの製造方法、及び液晶表示装置。
JP2006047592A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd 遮光膜付基板、エレクトロルミネッセンス表示装置用遮光膜付基板、及び該遮光膜付基板を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置
JP2006251009A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Chisso Corp 感光性組成物およびそれを用いた表示素子
JP2006342166A (ja) 2001-06-11 2006-12-21 Ciba Specialty Chem Holding Inc 組み合わされた構造を有するオキシムエステルの光開始剤
JP2007157879A (ja) 2005-12-02 2007-06-21 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法、並びに半導体ウェーハ
JP2007269779A (ja) 2006-02-24 2007-10-18 Fujifilm Corp オキシム誘導体、光重合性組成物、カラーフィルタおよびその製造方法
JP2008063554A (ja) 2006-08-11 2008-03-21 Fujifilm Corp 分解性樹脂組成物、パターン形成材料およびパターン形成方法
JP2008250074A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板
JP2008292970A (ja) 2006-09-27 2008-12-04 Fujifilm Corp 化合物及びその互変異性体、金属錯体化合物、感光性着色硬化性組成物、カラーフィルタ、及びその製造方法
JP4223071B2 (ja) 2006-12-27 2009-02-12 株式会社Ａｄｅｋａ オキシムエステル化合物及び該化合物を含有する光重合開始剤
JP4225898B2 (ja) 2001-08-21 2009-02-18 チバ ホールディング インコーポレーテッド 深色モノ−及びビス−アシルホスフィンオキシド及びスルフィド並びに光開始剤としてのこれらの使用
JP2009191061A (ja) 2007-08-27 2009-08-27 Fujifilm Corp 新規化合物、光重合性組成物、カラーフィルタ用光重合性組成物、カラーフィルタ、及びその製造方法、固体撮像素子、並びに、平版印刷版原版
JP2009191179A (ja) 2008-02-15 2009-08-27 Toyo Ink Mfg Co Ltd 光重合開始剤、重合性組成物、および重合物の製造方法。
JP4364216B2 (ja) 2005-12-30 2009-11-11 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 感光性樹脂組成物及びこれを用いたブラックマトリックス
JP2009283711A (ja) 2008-05-22 2009-12-03 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 半導体装置及びその製造方法、感光性樹脂組成物並びに電子部品
JP2010129825A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2010160418A (ja) 2009-01-09 2010-07-22 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物，並びにこれを用いた感光性エレメント，ソルダーレジスト及びプリント配線板
JP2010164965A (ja) 2008-12-19 2010-07-29 Mitsubishi Chemicals Corp カラーフィルタ画素形成用組成物、カラーフィルタ、液晶表示装置及び有機ｅｌディスプレイ
JP2010527339A (ja) 2007-05-11 2010-08-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア オキシムエステル光重合開始剤
JP2010262028A (ja) 2009-04-30 2010-11-18 Nippon Steel Chem Co Ltd ブラックマトリックス用感光性樹脂組成物
JP4600600B1 (ja) 2009-06-17 2010-12-15 東洋インキ製造株式会社 新規オキシムエステル化合物およびそれを含んでなるラジカル重合開始剤および重合性組成物およびそれを用いたネガ型レジストおよびそれを用いた画像パターン形成方法
US7888181B2 (en) 2008-09-22 2011-02-15 Stats Chippac, Ltd. Method of forming a wafer level package with RDL interconnection over encapsulant between bump and semiconductor die
JP2011059656A (ja) 2009-06-04 2011-03-24 Asahi Kasei E-Materials Corp ネガ型感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターン形成・製造方法、並びに半導体装置
JP2011089090A (ja) 2009-10-26 2011-05-06 Toray Ind Inc ポリエステル樹脂組成物、その製造方法、およびフィルム
JP2011128358A (ja) 2009-12-17 2011-06-30 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜及び電子部品
WO2011080992A1 (ja) 2009-12-28 2011-07-07 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP2011132503A (ja) 2009-11-25 2011-07-07 Sumitomo Chemical Co Ltd 樹脂組成物及び表示装置
JP2011524436A (ja) 2008-06-06 2011-09-01 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 光開始剤混合物
JP2012003225A (ja) 2010-01-27 2012-01-05 Fujifilm Corp ソルダーレジスト用重合性組成物及びソルダーレジストパターンの形成方法
JP2012014052A (ja) 2010-07-02 2012-01-19 Fujifilm Corp 着色感光性樹脂組成物、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、及び液晶表示装置
JP2012194520A (ja) 2010-08-05 2012-10-11 Asahi Kasei E-Materials Corp 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
JP2013015701A (ja) 2011-07-05 2013-01-24 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP2013072935A (ja) 2011-09-27 2013-04-22 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂組成物
JP2013114249A (ja) 2011-12-01 2013-06-10 Toppan Printing Co Ltd 黒色感光性樹脂組成物およびカラーフィルタ
WO2013083505A1 (en) 2011-12-07 2013-06-13 Basf Se Oxime ester photoinitiators
JP2013522445A (ja) 2010-03-22 2013-06-13 ヘンケル コーポレイション マクロ光開始剤およびそれらの硬化性組成物
JP2013164471A (ja) 2012-02-09 2013-08-22 Jsr Corp 硬化性樹脂組成物、表示素子用硬化膜、表示素子用硬化膜の形成方法及び表示素子
WO2013167515A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Basf Se Oxime ester photoinitiators
JP2013256506A (ja) 2006-10-24 2013-12-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd ビス（アミノフェノール）誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子
JP2014500852A (ja) 2010-10-05 2014-01-16 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ベンゾカルバゾール化合物のオキシムエステル誘導体ならびに前記誘導体の光重合性の組成物における光開始剤としての使用
WO2014021023A1 (ja) 2012-07-31 2014-02-06 株式会社Adeka 潜在性添加剤及び該添加剤を含有する組成物
JP2014041264A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示体装置
WO2014097594A1 (ja) 2012-12-21 2014-06-26 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポリイミド前駆体樹脂組成物
JP2014130173A (ja) 2012-12-27 2014-07-10 Fujifilm Corp カラーフィルタ用組成物、赤外線透過フィルタ及びその製造方法、並びに赤外線センサー
JP2014137466A (ja) 2013-01-16 2014-07-28 Jsr Corp 感放射線性着色組成物、着色硬化膜及び表示素子
JP2014186186A (ja) 2013-03-25 2014-10-02 Toray Ind Inc 耐熱性樹脂及びその前駆体組成物
JP2014191002A (ja) 2013-03-26 2014-10-06 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化パターンの製造方法、それから得られるレリーフパターンおよびそれを有する発光素子
JP2014191252A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、半導体装置および表示体装置
WO2015004565A1 (en) 2013-07-08 2015-01-15 Basf Se Oxime ester photoinitiators
JP2015034964A (ja) 2013-02-28 2015-02-19 富士フイルム株式会社 透明樹脂層形成用組成物、透明樹脂層、固体撮像素子およびオプトエレクトロニクスデバイス
WO2015036910A1 (en) 2013-09-10 2015-03-19 Basf Se Oxime ester photoinitiators
JP2015087611A (ja) 2013-10-31 2015-05-07 富士フイルム株式会社 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物
JP2015117327A (ja) 2013-12-19 2015-06-25 Dic株式会社 界面活性剤組成物、コーティング組成物及びレジスト組成物
JP2015123351A (ja) 2013-12-27 2015-07-06 コダマ樹脂工業株式会社 耐薬品性吹込み成形積層容器
JP2015127817A (ja) 2009-04-14 2015-07-09 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物及びこれを用いた回路形成用基板
WO2015125469A1 (ja) 2014-02-19 2015-08-27 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 樹脂組成物、それによって形成される硬化膜及びパターン硬化膜、及びそれらの製造方法
WO2015152153A1 (ja) 2014-04-04 2015-10-08 株式会社Adeka オキシムエステル化合物及び該化合物を含有する光重合開始剤
US9159547B2 (en) 2013-09-17 2015-10-13 Deca Technologies Inc. Two step method of rapid curing a semiconductor polymer layer
JP2015187211A (ja) 2014-03-26 2015-10-29 富士フイルム株式会社 着色組成物、硬化膜、カラーフィルタ、パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、および、画像表示装置
US9177926B2 (en) 2011-12-30 2015-11-03 Deca Technologies Inc Semiconductor device and method comprising thickened redistribution layers
WO2015199219A1 (ja) 2014-06-27 2015-12-30 富士フイルム株式会社 熱塩基発生剤、熱硬化性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス
JP2016027357A (ja) 2014-03-27 2016-02-18 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス
WO2016034963A1 (en) 2014-09-04 2016-03-10 Basf Se Polycyclic photoinitiators
JP2017008219A (ja) 2015-06-23 2017-01-12 株式会社Adeka 組成物
WO2017030005A1 (ja) 2015-08-17 2017-02-23 株式会社Adeka 組成物
WO2017033680A1 (ja) 2015-08-26 2017-03-02 パナソニックヘルスケアホールディングス株式会社 超低温フリーザ
WO2017038598A1 (ja) 2015-08-28 2017-03-09 富士フイルム株式会社 硬化膜の製造方法、再配線層用層間絶縁膜の製造方法、および、半導体デバイスの製造方法
JP2017523465A (ja) 2014-07-15 2017-08-17 常州強力電子新材料股▲ふん▼有限公司Ｃａｈｎｇｚｈｏｕ Ｔｒｏｎｌｙ Ｎｅｗ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． オキシムエステル類光開始剤含有感光性組成物及びその使用
JP2017151342A (ja) 2016-02-26 2017-08-31 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 感光性着色組成物およびカラーフィルタ
JP2017167399A (ja) 2016-03-17 2017-09-21 株式会社Ｄｎｐファインケミカル カラーフィルタ用感光性着色樹脂組成物、カラーフィルタ、表示装置
WO2017164127A1 (ja) 2016-03-25 2017-09-28 東レ株式会社 着色樹脂組成物、カラーフィルタ基板、および液晶表示装置
JP2017198865A (ja) 2016-04-27 2017-11-02 東京応化工業株式会社 感光性組成物
WO2018038002A1 (ja) 2016-08-25 2018-03-01 富士フイルム株式会社 積層体の製造方法および電子デバイスの製造方法
JP6301489B2 (ja) 2014-03-18 2018-03-28 常州強力電子新材料股▲ふん▼有限公司Ｃａｈｎｇｚｈｏｕ Ｔｒｏｎｌｙ Ｎｅｗ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ニトロ基含有ビスオキシムエステル系光重合開始剤及びその合成製造方法と応用
WO2018110179A1 (ja) 2016-12-13 2018-06-21 日油株式会社 ペルオキシシンナメート誘導体、該化合物を含有する重合性組成物
JP2018173573A (ja) 2017-03-31 2018-11-08 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化物の製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、及び電子部品
WO2018221177A1 (ja) 2017-06-01 2018-12-06 日油株式会社 トリアジンペルオキシド誘導体、該化合物を含有する重合性組成物
JP2019044030A (ja) 2017-08-31 2019-03-22 学校法人東京理科大学 ペルオキシエステル基を有するチオキサントン誘導体を含有する重合性組成物およびその硬化物、当該硬化物の製造方法
JP2019043864A (ja) 2017-08-31 2019-03-22 学校法人東京理科大学 ペルオキシエステル基を有するベンゾフェノン誘導体、該化合物を含有する重合性組成物およびその硬化物、当該硬化物の製造方法
WO2019088055A1 (ja) 2017-10-30 2019-05-09 株式会社Adeka 化合物、組成物、硬化物及び硬化物の製造方法
JP2019167313A (ja) 2018-03-26 2019-10-03 日油株式会社 ペルオキシシンナメート誘導体、該化合物を含有する重合性組成物およびその硬化物、並びに当該硬化物の製造方法
JP2019206689A (ja) 2018-05-29 2019-12-05 旭化成株式会社 樹脂組成物、及び硬化膜の製造方法
WO2020066416A1 (ja) 2018-09-28 2020-04-02 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、および半導体デバイス
WO2021039782A1 (ja) * 2019-08-26 2021-03-04 富士フイルム株式会社 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、半導体デバイス、樹脂、及び、樹脂の製造方法

Patent Citations (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4643946B1 (ja) 1967-11-09 1971-12-27
JPS4943191B1 (ja) 1969-07-11 1974-11-19
JPS4841708B1 (ja) 1970-01-13 1973-12-07
JPS506034B1 (ja) 1970-08-11 1975-03-10
JPS5617654B2 (ja) 1970-12-28 1981-04-23
JPS4864183A (ja) 1971-12-09 1973-09-05
JPS5230490B2 (ja) 1972-03-21 1977-08-09
JPS5849860B2 (ja) 1973-12-07 1983-11-07 ヘキスト アクチェンゲゼルシャフト コウジユウゴウセイフクシヤザイリヨウ
JPS5137193A (ja) 1974-09-25 1976-03-29 Toyo Boseki
JPS6239417B2 (ja) 1978-05-20 1987-08-22 Hoechst Ag
JPS6239418B2 (ja) 1978-05-20 1987-08-22 Hoechst Ag
JPH0140336B2 (ja) 1979-12-29 1989-08-28 Hoechst Ag
JPH0140337B2 (ja) 1979-12-29 1989-08-28 Hoechst Ag
JPH0216765B2 (ja) 1980-09-29 1990-04-18 Hoechst Ag
JPH0232293B2 (ja) 1980-12-22 1990-07-19 Hoechst Ag
JPS6122048A (ja) 1984-06-08 1986-01-30 ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト 重合可能な化合物、その製法、およびこれを含有する放射線感性複写層
JPH01105238A (ja) 1987-03-28 1989-04-21 Hoechst Ag 光重合可能な混合物および光重合可能な記録材料
JPS63260909A (ja) 1987-03-28 1988-10-27 ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト 光重合性混合物及びこの混合物から製造される記録材料
JPS63277653A (ja) 1987-03-28 1988-11-15 ヘキスト・アクチエンゲゼルシヤフト 重合可能な化合物、これを含有する放射線重合可能な混合物及び放射線重合可能な記録材料
JPH0225493A (ja) 1988-05-21 1990-01-26 Hoechst Ag アルケニルホスホン酸エステルおよびアルケニルホスフイン酸エルテル、その製法並びに当該化合物を含有する放射線重合性混合物および記録材料
JPH04253058A (ja) 1991-01-29 1992-09-08 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
EP0530148A1 (de) 1991-08-30 1993-03-03 OCG Microelectronic Materials Inc. Positiv-Fotoresists mit erhöhtem Auflösungsvermögen und geringer Kristallisationsneigung, sowie neue Tetra(hydroxyphenyl)alkane
JPH05224410A (ja) 1992-02-12 1993-09-03 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05303200A (ja) 1992-04-27 1993-11-16 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH06130664A (ja) 1992-10-22 1994-05-13 Sumitomo Bakelite Co Ltd ネガ型感光性樹脂組成物
JPH1062986A (ja) 1996-08-21 1998-03-06 Fuji Photo Film Co Ltd 感放射線性着色組成物
JPH10291969A (ja) 1996-12-06 1998-11-04 Ciba Specialty Chem Holding Inc 新規α−アミノアセトフェノン光開始剤
JP2001521288A (ja) 1997-10-20 2001-11-06 フリップ・チップ・テクノロジーズ・エルエルシー チップスケールパッケージ及びその形成方法
JP2000080068A (ja) 1998-06-26 2000-03-21 Ciba Specialty Chem Holding Inc 新規ｏ―アシルオキシム光開始剤
JP2000070025A (ja) 1998-09-01 2000-03-07 Seigo Nakamura 傘
JP2001233842A (ja) 1999-12-15 2001-08-28 Ciba Specialty Chem Holding Inc オキシムエステルの光開始剤
JP2006342166A (ja) 2001-06-11 2006-12-21 Ciba Specialty Chem Holding Inc 組み合わされた構造を有するオキシムエステルの光開始剤
JP4225898B2 (ja) 2001-08-21 2009-02-18 チバ ホールディング インコーポレーテッド 深色モノ−及びビス−アシルホスフィンオキシド及びスルフィド並びに光開始剤としてのこれらの使用
JP2004091638A (ja) 2002-08-30 2004-03-25 Kingo Uchida フォトクロミック材料
JP2004101850A (ja) 2002-09-09 2004-04-02 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性有機無機複合材料およびそれを用いた半導体装置
JP2004214501A (ja) 2003-01-07 2004-07-29 Sony Corp ウエハーレベル・チップサイズ・パッケージおよびその製造方法
JP2004254595A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Hiroshima Pref Gov マンノシルエリスリトールリピッドの製造方法
JP2006023696A (ja) 2004-06-07 2006-01-26 Fuji Photo Film Co Ltd 着色感光性樹脂組成物、着色感光性樹脂組成物の塗布膜、感光性樹脂転写材料、感光性樹脂層の形成方法、カラーフィルター、カラーフィルターの製造方法、及び液晶表示装置。
JP2006047592A (ja) 2004-08-03 2006-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd 遮光膜付基板、エレクトロルミネッセンス表示装置用遮光膜付基板、及び該遮光膜付基板を用いたエレクトロルミネッセンス表示装置
JP2006251009A (ja) * 2005-03-08 2006-09-21 Chisso Corp 感光性組成物およびそれを用いた表示素子
JP2007157879A (ja) 2005-12-02 2007-06-21 Sony Corp 半導体装置及びその製造方法、並びに半導体ウェーハ
JP4364216B2 (ja) 2005-12-30 2009-11-11 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド 感光性樹脂組成物及びこれを用いたブラックマトリックス
JP2007269779A (ja) 2006-02-24 2007-10-18 Fujifilm Corp オキシム誘導体、光重合性組成物、カラーフィルタおよびその製造方法
JP2008063554A (ja) 2006-08-11 2008-03-21 Fujifilm Corp 分解性樹脂組成物、パターン形成材料およびパターン形成方法
JP2008292970A (ja) 2006-09-27 2008-12-04 Fujifilm Corp 化合物及びその互変異性体、金属錯体化合物、感光性着色硬化性組成物、カラーフィルタ、及びその製造方法
JP2013256506A (ja) 2006-10-24 2013-12-26 Sumitomo Bakelite Co Ltd ビス（アミノフェノール）誘導体及びその製造方法、並びにポリアミド樹脂類、ポジ型感光性樹脂組成物、保護膜、層間絶縁膜、半導体装置及び表示素子
JP4223071B2 (ja) 2006-12-27 2009-02-12 株式会社Ａｄｅｋａ オキシムエステル化合物及び該化合物を含有する光重合開始剤
JP2008250074A (ja) 2007-03-30 2008-10-16 Fujifilm Corp 感光性樹脂組成物、感光性フィルム、感光性積層体、永久パターン形成方法、及びプリント基板
JP2010527339A (ja) 2007-05-11 2010-08-12 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア オキシムエステル光重合開始剤
JP2009191061A (ja) 2007-08-27 2009-08-27 Fujifilm Corp 新規化合物、光重合性組成物、カラーフィルタ用光重合性組成物、カラーフィルタ、及びその製造方法、固体撮像素子、並びに、平版印刷版原版
JP2009191179A (ja) 2008-02-15 2009-08-27 Toyo Ink Mfg Co Ltd 光重合開始剤、重合性組成物、および重合物の製造方法。
JP2009283711A (ja) 2008-05-22 2009-12-03 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 半導体装置及びその製造方法、感光性樹脂組成物並びに電子部品
JP2011524436A (ja) 2008-06-06 2011-09-01 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア 光開始剤混合物
US7888181B2 (en) 2008-09-22 2011-02-15 Stats Chippac, Ltd. Method of forming a wafer level package with RDL interconnection over encapsulant between bump and semiconductor die
JP2010129825A (ja) 2008-11-28 2010-06-10 Sumitomo Chemical Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2010164965A (ja) 2008-12-19 2010-07-29 Mitsubishi Chemicals Corp カラーフィルタ画素形成用組成物、カラーフィルタ、液晶表示装置及び有機ｅｌディスプレイ
JP2010160418A (ja) 2009-01-09 2010-07-22 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物，並びにこれを用いた感光性エレメント，ソルダーレジスト及びプリント配線板
JP2015127817A (ja) 2009-04-14 2015-07-09 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物及びこれを用いた回路形成用基板
JP2010262028A (ja) 2009-04-30 2010-11-18 Nippon Steel Chem Co Ltd ブラックマトリックス用感光性樹脂組成物
JP2011059656A (ja) 2009-06-04 2011-03-24 Asahi Kasei E-Materials Corp ネガ型感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターン形成・製造方法、並びに半導体装置
JP4600600B1 (ja) 2009-06-17 2010-12-15 東洋インキ製造株式会社 新規オキシムエステル化合物およびそれを含んでなるラジカル重合開始剤および重合性組成物およびそれを用いたネガ型レジストおよびそれを用いた画像パターン形成方法
JP2011089090A (ja) 2009-10-26 2011-05-06 Toray Ind Inc ポリエステル樹脂組成物、その製造方法、およびフィルム
JP2011132503A (ja) 2009-11-25 2011-07-07 Sumitomo Chemical Co Ltd 樹脂組成物及び表示装置
JP2011128358A (ja) 2009-12-17 2011-06-30 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜及び電子部品
WO2011080992A1 (ja) 2009-12-28 2011-07-07 東レ株式会社 ポジ型感光性樹脂組成物
JP2012003225A (ja) 2010-01-27 2012-01-05 Fujifilm Corp ソルダーレジスト用重合性組成物及びソルダーレジストパターンの形成方法
US20130034812A1 (en) 2010-01-27 2013-02-07 Fujifilm Corporation Polymerizable composition for solder resist, and solder resist pattern formation method
JP2013522445A (ja) 2010-03-22 2013-06-13 ヘンケル コーポレイション マクロ光開始剤およびそれらの硬化性組成物
JP2012014052A (ja) 2010-07-02 2012-01-19 Fujifilm Corp 着色感光性樹脂組成物、カラーフィルタ、カラーフィルタの製造方法、及び液晶表示装置
JP2012194520A (ja) 2010-08-05 2012-10-11 Asahi Kasei E-Materials Corp 感光性樹脂組成物、硬化レリーフパターンの製造方法及び半導体装置
JP2014500852A (ja) 2010-10-05 2014-01-16 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア ベンゾカルバゾール化合物のオキシムエステル誘導体ならびに前記誘導体の光重合性の組成物における光開始剤としての使用
JP2013015701A (ja) 2011-07-05 2013-01-24 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd 感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法及び電子部品
JP2013072935A (ja) 2011-09-27 2013-04-22 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂組成物
JP2013114249A (ja) 2011-12-01 2013-06-10 Toppan Printing Co Ltd 黒色感光性樹脂組成物およびカラーフィルタ
WO2013083505A1 (en) 2011-12-07 2013-06-13 Basf Se Oxime ester photoinitiators
US9177926B2 (en) 2011-12-30 2015-11-03 Deca Technologies Inc Semiconductor device and method comprising thickened redistribution layers
JP2013164471A (ja) 2012-02-09 2013-08-22 Jsr Corp 硬化性樹脂組成物、表示素子用硬化膜、表示素子用硬化膜の形成方法及び表示素子
JP2017019766A (ja) 2012-05-09 2017-01-26 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ オキシムエステル光開始剤
WO2013167515A1 (en) 2012-05-09 2013-11-14 Basf Se Oxime ester photoinitiators
WO2014021023A1 (ja) 2012-07-31 2014-02-06 株式会社Adeka 潜在性添加剤及び該添加剤を含有する組成物
JP2014041264A (ja) 2012-08-22 2014-03-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、絶縁膜、およびそれを用いた半導体装置、表示体装置
WO2014097594A1 (ja) 2012-12-21 2014-06-26 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 ポリイミド前駆体樹脂組成物
JP2014130173A (ja) 2012-12-27 2014-07-10 Fujifilm Corp カラーフィルタ用組成物、赤外線透過フィルタ及びその製造方法、並びに赤外線センサー
JP2014137466A (ja) 2013-01-16 2014-07-28 Jsr Corp 感放射線性着色組成物、着色硬化膜及び表示素子
JP6065596B2 (ja) 2013-01-16 2017-01-25 Jsr株式会社 感放射線性着色組成物、着色硬化膜及び表示素子
JP2015034964A (ja) 2013-02-28 2015-02-19 富士フイルム株式会社 透明樹脂層形成用組成物、透明樹脂層、固体撮像素子およびオプトエレクトロニクスデバイス
JP2014186186A (ja) 2013-03-25 2014-10-02 Toray Ind Inc 耐熱性樹脂及びその前駆体組成物
JP2014191002A (ja) 2013-03-26 2014-10-06 Toray Ind Inc ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化パターンの製造方法、それから得られるレリーフパターンおよびそれを有する発光素子
JP2014191252A (ja) 2013-03-28 2014-10-06 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物、硬化膜、保護膜、半導体装置および表示体装置
JP6469669B2 (ja) 2013-07-08 2019-02-13 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ オキシムエステル光開始剤
JP2016532675A (ja) 2013-07-08 2016-10-20 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ オキシムエステル光開始剤
WO2015004565A1 (en) 2013-07-08 2015-01-15 Basf Se Oxime ester photoinitiators
WO2015036910A1 (en) 2013-09-10 2015-03-19 Basf Se Oxime ester photoinitiators
US9159547B2 (en) 2013-09-17 2015-10-13 Deca Technologies Inc. Two step method of rapid curing a semiconductor polymer layer
JP2015087611A (ja) 2013-10-31 2015-05-07 富士フイルム株式会社 積層体、有機半導体製造用キットおよび有機半導体製造用レジスト組成物
JP2015117327A (ja) 2013-12-19 2015-06-25 Dic株式会社 界面活性剤組成物、コーティング組成物及びレジスト組成物
JP2015123351A (ja) 2013-12-27 2015-07-06 コダマ樹脂工業株式会社 耐薬品性吹込み成形積層容器
WO2015125469A1 (ja) 2014-02-19 2015-08-27 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 樹脂組成物、それによって形成される硬化膜及びパターン硬化膜、及びそれらの製造方法
JP6301489B2 (ja) 2014-03-18 2018-03-28 常州強力電子新材料股▲ふん▼有限公司Ｃａｈｎｇｚｈｏｕ Ｔｒｏｎｌｙ Ｎｅｗ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． ニトロ基含有ビスオキシムエステル系光重合開始剤及びその合成製造方法と応用
JP2015187211A (ja) 2014-03-26 2015-10-29 富士フイルム株式会社 着色組成物、硬化膜、カラーフィルタ、パターン形成方法、カラーフィルタの製造方法、固体撮像素子、および、画像表示装置
JP2016027357A (ja) 2014-03-27 2016-02-18 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス
WO2015152153A1 (ja) 2014-04-04 2015-10-08 株式会社Adeka オキシムエステル化合物及び該化合物を含有する光重合開始剤
WO2015199219A1 (ja) 2014-06-27 2015-12-30 富士フイルム株式会社 熱塩基発生剤、熱硬化性樹脂組成物、硬化膜、硬化膜の製造方法および半導体デバイス
JP2017523465A (ja) 2014-07-15 2017-08-17 常州強力電子新材料股▲ふん▼有限公司Ｃａｈｎｇｚｈｏｕ Ｔｒｏｎｌｙ Ｎｅｗ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． オキシムエステル類光開始剤含有感光性組成物及びその使用
WO2016034963A1 (en) 2014-09-04 2016-03-10 Basf Se Polycyclic photoinitiators
JP2017008219A (ja) 2015-06-23 2017-01-12 株式会社Adeka 組成物
WO2017030005A1 (ja) 2015-08-17 2017-02-23 株式会社Adeka 組成物
WO2017033680A1 (ja) 2015-08-26 2017-03-02 パナソニックヘルスケアホールディングス株式会社 超低温フリーザ
WO2017038598A1 (ja) 2015-08-28 2017-03-09 富士フイルム株式会社 硬化膜の製造方法、再配線層用層間絶縁膜の製造方法、および、半導体デバイスの製造方法
JP2017151342A (ja) 2016-02-26 2017-08-31 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 感光性着色組成物およびカラーフィルタ
JP2017167399A (ja) 2016-03-17 2017-09-21 株式会社Ｄｎｐファインケミカル カラーフィルタ用感光性着色樹脂組成物、カラーフィルタ、表示装置
WO2017164127A1 (ja) 2016-03-25 2017-09-28 東レ株式会社 着色樹脂組成物、カラーフィルタ基板、および液晶表示装置
JP2017198865A (ja) 2016-04-27 2017-11-02 東京応化工業株式会社 感光性組成物
WO2018038002A1 (ja) 2016-08-25 2018-03-01 富士フイルム株式会社 積層体の製造方法および電子デバイスの製造方法
WO2018110179A1 (ja) 2016-12-13 2018-06-21 日油株式会社 ペルオキシシンナメート誘導体、該化合物を含有する重合性組成物
JP2018173573A (ja) 2017-03-31 2018-11-08 日立化成デュポンマイクロシステムズ株式会社 感光性樹脂組成物、パターン硬化物の製造方法、硬化物、層間絶縁膜、カバーコート層、表面保護膜、及び電子部品
WO2018221177A1 (ja) 2017-06-01 2018-12-06 日油株式会社 トリアジンペルオキシド誘導体、該化合物を含有する重合性組成物
JP2019044030A (ja) 2017-08-31 2019-03-22 学校法人東京理科大学 ペルオキシエステル基を有するチオキサントン誘導体を含有する重合性組成物およびその硬化物、当該硬化物の製造方法
JP2019043864A (ja) 2017-08-31 2019-03-22 学校法人東京理科大学 ペルオキシエステル基を有するベンゾフェノン誘導体、該化合物を含有する重合性組成物およびその硬化物、当該硬化物の製造方法
WO2019088055A1 (ja) 2017-10-30 2019-05-09 株式会社Adeka 化合物、組成物、硬化物及び硬化物の製造方法
JP2019167313A (ja) 2018-03-26 2019-10-03 日油株式会社 ペルオキシシンナメート誘導体、該化合物を含有する重合性組成物およびその硬化物、並びに当該硬化物の製造方法
JP2019206689A (ja) 2018-05-29 2019-12-05 旭化成株式会社 樹脂組成物、及び硬化膜の製造方法
WO2020066416A1 (ja) 2018-09-28 2020-04-02 富士フイルム株式会社 感光性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、および半導体デバイス
WO2021039782A1 (ja) * 2019-08-26 2021-03-04 富士フイルム株式会社 硬化性樹脂組成物、硬化膜、積層体、硬化膜の製造方法、半導体デバイス、樹脂、及び、樹脂の製造方法

Non-Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Basics and development of polyimide materials", November 2011, CMC TECHNICAL LIBRARY
"High functionality and applied technology of polyimide", April 2008, SCIENCE & TECHNOLOGY CO.
"Latest Polyimide Basics and Applications", August 2010, NTS INC.
"The Society of Polymer Science", 2005, article "Polymer Dictionary", pages: 683 - 684
H SEINO ET AL., J. POLYM. SCI., PART A: POLYM. CHEM., vol. 36, 1998, pages 2261
J. C. S. PERKIN II, 1979, pages 1653 - 1660
JOURNAL OF PHOTOPOLYMER SCIENCE AND TECHNOLOGY, 1995, pages 202 - 232
JOURNAL OF THE ADHESION SOCIETY OF JAPAN, vol. 20, no. 7, 1984, pages 300 - 308

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