WO2016114119A1 - セラミック基板およびその製造方法 - Google Patents

セラミック基板およびその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2016114119A1
WO2016114119A1 PCT/JP2016/000080 JP2016000080W WO2016114119A1 WO 2016114119 A1 WO2016114119 A1 WO 2016114119A1 JP 2016000080 W JP2016000080 W JP 2016000080W WO 2016114119 A1 WO2016114119 A1 WO 2016114119A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
ceramic
paste
ceramic layer
green sheet
firing
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/000080
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
達哉 加藤
正憲 伊東
沓名　正樹
Original Assignee
日本特殊陶業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本特殊陶業株式会社 filed Critical 日本特殊陶業株式会社
Priority to KR1020177019496A priority Critical patent/KR101994566B1/ko
Priority to CN201680005805.2A priority patent/CN107113986B/zh
Priority to EP16737190.5A priority patent/EP3247184A4/en
Priority to JP2016541726A priority patent/JP6309631B2/ja
Priority to US15/543,264 priority patent/US10375837B2/en
Publication of WO2016114119A1 publication Critical patent/WO2016114119A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C10/00—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition
    • C03C10/0054—Devitrified glass ceramics, i.e. glass ceramics having a crystalline phase dispersed in a glassy phase and constituting at least 50% by weight of the total composition containing PbO, SnO2, B2O3
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C4/00—Compositions for glass with special properties
    • C03C4/14—Compositions for glass with special properties for electro-conductive glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/626—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B
    • C04B35/63—Preparing or treating the powders individually or as batches ; preparing or treating macroscopic reinforcing agents for ceramic products, e.g. fibres; mechanical aspects section B using additives specially adapted for forming the products, e.g.. binder binders
    • C04B35/6303—Inorganic additives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1283—After-treatment of the printed patterns, e.g. sintering or curing methods
    • H05K3/1291—Firing or sintering at relative high temperatures for patterns on inorganic boards, e.g. co-firing of circuits on green ceramic sheets
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285—Permanent coating compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4664—Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/202—Conductive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2204/00—Glasses, glazes or enamels with special properties
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/30—Composition of layers of ceramic laminates or of ceramic or metallic articles to be joined by heating, e.g. Si substrates
    • C04B2237/40—Metallic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2237/00—Aspects relating to ceramic laminates or to joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/50—Processing aspects relating to ceramic laminates or to the joining of ceramic articles with other articles by heating
    • C04B2237/70—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness
    • C04B2237/704—Forming laminates or joined articles comprising layers of a specific, unusual thickness of one or more of the ceramic layers or articles
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/017—Glass ceramic coating, e.g. formed on inorganic substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/07—Electric details
    • H05K2201/0753—Insulation
    • H05K2201/0769—Anti metal-migration, e.g. avoiding tin whisker growth
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11—Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1126—Firing, i.e. heating a powder or paste above the melting temperature of at least one of its constituents
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base
    • Y10T29/49163—Manufacturing circuit on or in base with sintering of base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12458—All metal or with adjacent metals having composition, density, or hardness gradient

Definitions

  • the present invention relates to a ceramic substrate and a manufacturing method thereof.
  • a ceramic substrate having a ceramic layer mainly made of glass ceramics and a conductor pattern mainly containing silver (Ag) is known.
  • Such a ceramic substrate is formed by applying a conductive paste which is a form before firing of a conductor pattern to a green sheet which is a form before firing of the ceramic layer, and then firing.
  • a ceramic substrate is also called a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate.
  • the silver component of the conductor paste may diffuse into the ceramic layer, resulting in voids, deformation, or discoloration in the ceramic layer. It is considered that diffusion of the silver component into the ceramic layer is promoted by oxidation of the silver component contained in the conductor pattern.
  • Patent Document 1 discloses a technique for suppressing diffusion of a silver component into a ceramic layer by covering the surface of silver powder contained in a conductor paste with an antimony salt.
  • Patent Document 2 discloses a technique for suppressing diffusion of a silver component into a ceramic layer by adding silicon powder to a conductor paste.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and can be realized as the following modes.
  • One form of this invention provides the manufacturing method of the ceramic substrate which manufactures the ceramic layer mainly comprised from glass ceramics; and the conductor pattern mainly comprised from silver (Ag).
  • the manufacturing method includes a step of producing a ceramic paste in which at least one of a metal boride and a metal silicide is added to the glass ceramic raw material powder; and the ceramic paste is applied to a green sheet that becomes the ceramic layer after firing.
  • the silver component of the conductor pattern is diffusing into the ceramic layer by oxidizing at least one of the metal boride and metal silicide added to the ceramic paste during firing. . Therefore, it is possible to suppress the occurrence of voids, deformation, discoloration, etc. in the ceramic layer due to the diffusion of the silver component. As a result, the quality of the ceramic substrate can be improved.
  • the metal boride may include at least one of lanthanum hexaboride (LaB 6 ), silicon hexaboride (SiB 6 ), and titanium diboride (TiB 2 ). Good. According to this embodiment, diffusion of the silver component from the conductor pattern to the ceramic layer can be suppressed.
  • the metal silicide, titanium disilicide (TiSi 2) include at least one disilicide zirconium (Zisi 2) and secondary tantalum silicide (TaSi 2) Good. According to this embodiment, diffusion of the silver component from the conductor pattern to the ceramic layer can be suppressed.
  • 3 volume% or more and 7 volume% or less may be sufficient as content which match
  • the raw material powder of the glass-ceramics, glass powder and alumina borosilicate (Al 2 O 3) it may also include a powder. According to this embodiment, the quality of the borosilicate glass-based ceramic substrate can be improved.
  • One form of this invention provides the manufacturing method of the ceramic substrate which manufactures the ceramic layer mainly comprised from glass ceramics; and the conductive substrate mainly comprised from silver (Ag).
  • the manufacturing method includes a step of producing a ceramic slurry in which at least one of a metal boride and a metal silicide is added to the glass ceramic raw material powder; and a green sheet that becomes the ceramic layer after firing from the ceramic slurry.
  • the silver component of the conductor pattern from diffusing into the ceramic layer by oxidizing at least one additive component of the metal boride and metal silicide contained in the green sheet during firing. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of voids, deformation, discoloration, etc. in the ceramic layer due to the diffusion of the silver component. As a result, the quality of the ceramic substrate can be improved.
  • One embodiment of the present invention provides a ceramic substrate comprising a ceramic layer mainly composed of glass ceramics; and a conductor pattern mainly composed of silver (Ag).
  • the ceramic layer includes a first ceramic layer adjacent to the conductor pattern; and a second ceramic layer sandwiching the first ceramic layer between the conductor pattern and the first ceramic layer.
  • the concentration of at least one of silicon atoms (Si) and boron atoms (B) contained in the ceramic layer is higher than that of the second ceramic layer. According to this aspect, it is possible to suppress the occurrence of voids, deformation, discoloration and the like in the ceramic layer due to the diffusion of the silver component. As a result, the quality of the ceramic substrate can be improved.
  • the present invention is not limited to the ceramic substrate and the manufacturing method thereof, and can be realized in various forms.
  • the invention can be realized in the form of an apparatus including the ceramic substrate, a manufacturing apparatus for manufacturing the ceramic substrate, and the like.
  • FIG. 1 is an explanatory view schematically showing a cross section of a ceramic substrate 110.
  • the ceramic substrate 110 is a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate.
  • the ceramic substrate 110 is formed with at least a part of a circuit that realizes a predetermined function.
  • the ceramic substrate 110 is formed with a circuit for transmitting signals to electronic components and the like.
  • the ceramic substrate 110 includes a ceramic layer 121, a ceramic layer 122, and a conductor pattern 130.
  • the ceramic substrate 110 has a structure in which a plurality of ceramic layers 121 and 122 are laminated.
  • the ceramic substrate 110 is provided with vias and through holes (not shown) in addition to the conductor pattern 130 as conductors constituting the circuit.
  • the ceramic layer 121 of the ceramic substrate 110 is a first ceramic layer adjacent to the conductor pattern 130.
  • the ceramic layer 121 has electrical insulation.
  • the ceramic layer 121 is mainly made of glass ceramics.
  • “consisting mainly of (component)” means that the component occupies 50% by mass or more of the whole.
  • the ceramic layer 121 is a ceramic layer obtained by firing borosilicate glass powder and alumina (Al 2 O 3 ) powder.
  • Borosilicate glass is mainly composed of silicon dioxide (SiO 2 ), alumina (Al 2 O 3 ), and boron oxide (B 2 O 3 ).
  • the concentration of at least one of silicon atoms (Si) and boron atoms (B) contained in the ceramic layer 121 is higher than that of the ceramic layer 122.
  • the thickness of the ceramic layer 121 is about 10 ⁇ m.
  • the ceramic layer 122 of the ceramic substrate 110 is a ceramic layer that sandwiches the ceramic layer 121 between the conductive pattern 130.
  • the ceramic layer 122 has electrical insulation.
  • the ceramic layer 122 is mainly made of glass ceramics.
  • the ceramic layer 122 is a ceramic layer obtained by firing borosilicate glass powder and alumina (Al 2 O 3 ) powder, similarly to the ceramic layer 121.
  • at least one powder of a metal boride and a metal silicide is not added to the green sheet in a state before firing the ceramic layer 122.
  • the thickness of the ceramic layer 122 is sufficiently larger than the ceramic layer 121.
  • the conductor pattern 130 of the ceramic substrate 110 is mainly made of silver (Ag).
  • the conductor pattern 130 contains silver (Ag) powder and borosilicate glass powder, and has conductivity.
  • the thickness of the conductor pattern 130 is about 10 ⁇ m.
  • the conductor pattern 130 is sandwiched between two ceramic layers 121 and is adjacent to the two ceramic layers 121. In other embodiments, the conductive pattern 130 may be sandwiched between and adjacent to the ceramic layer 121 and the ceramic layer 122. In other embodiments, in the ceramic substrate 110, two or more conductor patterns 130 may be further laminated together with other ceramic layers 121 and 122.
  • FIG. 2 is a process diagram showing a method for manufacturing the ceramic substrate 110.
  • a ceramic paste that is a material of the ceramic layer 121 is prepared (process P110).
  • the ceramic paste which is the material of the ceramic layer 121 is a paste obtained by adding at least one powder of a metal boride and a metal silicide to a raw material powder of glass ceramics.
  • the raw material powder of the ceramic paste is a powder obtained by mixing a borosilicate glass powder, which is an inorganic component, and an alumina powder at a volume ratio of 60:40.
  • metal borides added to the ceramic paste are lanthanum hexaboride (LaB 6 ), silicon hexaboride (SiB 6 ), and titanium diboride ( It is preferable that at least one of TiB 2 ).
  • metal silicides added to the ceramic paste are titanium disilicide (TiSi 2 ), zirconium disilicide (ZiSi 2 ), and tantalum disilicide ( It is preferable that at least one of TaSi 2 ).
  • the total content of the metal boride and the metal silicide in the inorganic component contained in the ceramic paste is 3% by volume or more and 7% by volume or less. It is preferable.
  • a mixed powder prepared by mixing an inorganic component borosilicate glass powder and alumina powder is prepared. Thereafter, at least one powder of metal boride and metal silicide, ethyl cellulose as a binder, and terpineol as a solvent are added to the mixed powder of inorganic components. Thereafter, the material is kneaded using a three-roll mill to obtain a ceramic paste.
  • the ceramic paste that becomes the ceramic layer 121 after firing is applied to the green sheet that becomes the ceramic layer 122 after firing (process P120).
  • the ceramic paste is applied to the green sheet by screen printing.
  • a green sheet as a material of the ceramic layer 122 is produced.
  • the green sheet is formed by mixing an inorganic component powder with a binder (binder), a plasticizer, a solvent, and the like to form a thin plate (sheet).
  • borosilicate glass powder and alumina powder which are inorganic component powders, are weighed so that the volume ratio is 60:40 and the total amount is 1 kg, and these powders are then made into an alumina container (pot). Put in.
  • the material in the pot 120 g of acrylic resin as a binder, an appropriate amount of methyl ethyl ketone (MEK) as a solvent, and an appropriate amount of dioctyl phthalate (DOP) as a plasticizer are added to the material in the pot. Thereafter, the ceramic slurry is obtained by mixing the materials in the pot for 5 hours. Thereafter, a green sheet is produced from the ceramic slurry by a doctor blade method. In the present embodiment, the green sheet has a thickness of 0.15 mm.
  • MEK methyl ethyl ketone
  • DOP dioctyl phthalate
  • a green sheet coated with a ceramic paste is formed by punching.
  • the conductor paste that becomes the conductor pattern 130 after firing is applied on the ceramic paste applied to the green sheet (process P130).
  • the conductor paste that becomes the conductor pattern 130 after firing is a paste in which a binder, a plasticizer, a solvent, and the like are mixed with an inorganic component powder obtained by mixing silver (Ag) powder and borosilicate glass powder. is there.
  • a conductive paste is obtained by adding ethyl cellulose as a binder and terpineol as a solvent to an inorganic component powder and then kneading the material using a three-roll mill. Thereafter, a conductor paste is applied to the green sheet by screen printing and hole filling printing.
  • the green sheet coated with the ceramic paste and the conductor paste is fired (process P140). Thereby, the ceramic substrate 110 is completed.
  • a laminated body in which a plurality of green sheets are laminated is produced prior to firing the green sheet.
  • a laminated body is produced by aligning the ceramic paste side of another green sheet coated with a ceramic paste with the conductive paste side of the green sheet coated with the ceramic paste and the conductive paste.
  • the laminate is formed into a shape suitable for firing by cutting.
  • the laminate is degreased by exposing the laminate to the atmosphere at 250 ° C. for 10 hours.
  • a laminated body is baked by exposing a laminated body to 850 degreeC air
  • the concentration of at least one of silicon atoms (Si) and boron atoms (B) included in the ceramic layer 121 depends on the content of the additive component from the ceramic layer 122. Get higher.
  • FIG. 3 is a table showing the results of the evaluation test.
  • samples S01 to S09 were produced as ceramic substrates 110 using different ceramic pastes.
  • the content of the additive in the ceramic paste in a state before firing the ceramic layer 121 indicates the volume percentage of the additive in the inorganic component contained in the ceramic paste.
  • the manufacturing method of the samples S01 to S08 is the same as the manufacturing method of FIG.
  • the manufacturing method of sample S09 is the same as the manufacturing method of FIG. 2 except that metal boride and metal silicide are not added to the ceramic paste.
  • the diffusion distance of silver to the ceramic layers 121 and 122 was measured by observing the cross section of each sample using a scanning electron microscope (SEM) and an electron beam microanalyzer (EPMA).
  • SEM scanning electron microscope
  • EPMA electron beam microanalyzer
  • the silver (Ag) concentration at the interface between the ceramic layer 121 and the conductor pattern 130 is used as a reference value, and the distance from the interface to the position where the silver (Ag) concentration is half the reference value in the ceramic layers 121 and 122 is 10 locations.
  • the average value was measured as the silver diffusion distance.
  • titanium disilicide is a metal silicide (TiSi 2), disilicide, zirconium (Zisi 2) and disilicide tantalum (TaSi 2), the ceramic layer It can be seen that the diffusion of silver into the ceramic layers 121 and 122 can be suppressed by adding to the ceramic paste in the state before firing 121.
  • the total content of the metal boride and the metal silicide in the inorganic component contained in the ceramic paste that is the material of the ceramic layer 121 is 3% by volume or more and 7% by volume or less. In this case, it can be seen that the diffusion of silver into the ceramic layers 121 and 122 can be sufficiently suppressed.
  • At least one additive component of the metal boride and metal silicide added to the ceramic paste is oxidized during firing, so that the silver component of the conductor pattern 130 is transferred to the ceramic layers 121 and 122. And diffusion can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of voids, deformation, discoloration, and the like in the ceramic layers 121 and 122 due to the diffusion of the silver component. As a result, the quality of the ceramic substrate 110 can be improved.
  • the metal boride added to the ceramic paste may include at least one of lanthanum hexaboride (LaB 6 ), silicon hexaboride (SiB 6 ), and titanium diboride (TiB 2 ). Thereby, diffusion of the silver component from the conductor pattern 130 to the ceramic layers 121 and 122 can be suppressed.
  • LaB 6 lanthanum hexaboride
  • SiB 6 silicon hexaboride
  • TiB 2 titanium diboride
  • the metal silicide is added to the ceramic paste, titanium disilicide (TiSi 2), it may include at least one disilicide zirconium (Zisi 2) and secondary tantalum silicide (TaSi 2). Thereby, diffusion of the silver component from the conductor pattern 130 to the ceramic layers 121 and 122 can be suppressed.
  • the silver component from the conductor pattern 130 to the ceramic layers 121 and 122 is reduced. Diffusion can be sufficiently suppressed.
  • step P110 when producing a ceramic paste that is in a state before firing of the ceramic layer 121 (step P110), before adding a binder and a solvent to the raw material powder, at least one of a metal boride and a metal silicide.
  • a metal boride and a metal silicide By mixing the powder with the raw material powder, at least one raw material powder of the metal boride and the metal silicide may be adhered to the surface of the silver (Ag) powder. Thereby, diffusion of the silver component from the conductor pattern 130 to the ceramic layers 121 and 122 can be further suppressed.
  • a green sheet that becomes the ceramic layer 122 after firing may be produced from the ceramic slurry.
  • the ceramic paste that becomes the ceramic layer 121 after firing may not be applied to the green sheet.
  • the addition of at least one of the metal boride and metal silicide contained in the green sheet oxidizes during firing, so that the silver component of the conductor pattern 130 diffuses into the ceramic layer 122. Can be suppressed. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of voids, deformation, discoloration, and the like in the ceramic layer 122 due to the diffusion of the silver component. As a result, the quality of the ceramic substrate 110 can be improved.

Abstract

　セラミック基板の製造方法は、ガラスセラミックスの原料粉末に金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックペーストを作製する工程と；焼成後にセラミック層となるグリーンシートにセラミックペーストを塗布する工程と；グリーンシートに塗布されたセラミックペーストの上に、焼成後に導体パターンとなる導体ペーストを塗布する工程と；セラミックペーストおよび導体ペーストを塗布したグリーンシートを焼成する工程とを備える。

Description

セラミック基板およびその製造方法
　本発明は、セラミック基板およびその製造方法に関する。
　セラミック基板には、ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と、銀（Ａｇ）を主に含有する導体パターンとを備えるものが知られている。このようなセラミック基板は、セラミック層の焼成前の形態であるグリーンシートに、導体パターンの焼成前の形態である導体ペーストを塗布した後に、焼成することによって形成される。このようなセラミック基板は、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板とも呼ばれる。
　焼成によってセラミック基板を形成する際、導体ペーストの銀成分がセラミック層へと拡散することによって、セラミック層に空隙、変形、変色などが発生する場合があった。セラミック層への銀成分の拡散は、導体パターンに含まれる銀成分の酸化によって促進されると考えられる。
　特許文献１には、導体ペーストに含まれる銀粉末の表面をアンチモン塩で覆うことによって、セラミック層への銀成分の拡散を抑制する技術が開示されている。特許文献２には、導体ペーストにケイ素粉末を添加することによって、セラミック層への銀成分の拡散を抑制する技術が開示されている。
特開平６－２５２５２４号公報 特開２００７－２３４５３７号公報
　特許文献１，２の技術では、セラミック層への銀成分の拡散を十分に抑制できない場合があった。
　本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
（１）本発明の一形態は、ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と；銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンとを備えるセラミック基板、を製造するセラミック基板の製造方法を提供する。この製造方法は、前記ガラスセラミックスの原料粉末に金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックペーストを作製する工程と；焼成後に前記セラミック層となるグリーンシートに前記セラミックペーストを塗布する工程と；前記グリーンシートに塗布した前記セラミックペーストの上に、焼成後に前記導体パターンとなる導体ペーストを塗布する工程と；前記セラミックペーストおよび前記導体ペーストを塗布した前記グリーンシートを焼成する工程とを備える。この形態によれば、セラミックペーストに添加された金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の添加成分が焼成中に酸化することによって、導体パターンの銀成分がセラミック層へと拡散することを抑制できる。したがって、銀成分の拡散に起因してセラミック層に空隙、変形、変色などが発生することを抑制できる。その結果、セラミック基板の品質を向上させることができる。
（２）上記形態の製造方法において、前記金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ6）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ2）のうち少なくとも１つを含んでもよい。この形態によれば、導体パターンからセラミック層への銀成分の拡散を抑制できる。
（３）上記形態の製造方法において、前記金属ケイ化物は、二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ2）、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ2）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ2）のうち少なくとも１つを含んでもよい。この形態によれば、導体パターンからセラミック層への銀成分の拡散を抑制できる。
（４）上記形態の製造方法において、前記セラミックペーストに含まれる無機成分における前記金属ホウ化物および前記金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上７体積％以下であってもよい。この形態によれば、導体パターンからセラミック層への銀成分の拡散を十分に抑制できる。
（５）上記形態の製造方法において、前記ガラスセラミックスの前記原料粉末は、ホウケイ酸ガラス粉末とアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粉末とを含んでもよい。この形態によれば、ホウケイ酸ガラス系のセラミック基板の品質を向上させることができる。
（６）本発明の一形態は、ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と；銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンとを備えるセラミック基板、を製造するセラミック基板の製造方法を提供する。この製造方法は、前記ガラスセラミックスの原料粉末に金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックスラリを作製する工程と；前記セラミックスラリから、焼成後に前記セラミック層となるグリーンシートを作製する工程と；前記グリーンシートの上に、焼成後に前記導体パターンとなる導体ペーストを塗布する工程と；前記導体ペーストを塗布した前記グリーンシートを焼成する工程とを備える。この形態によれば、グリーンシートに含まれる金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の添加成分が焼成中に酸化することによって、導体パターンの銀成分がセラミック層へと拡散することを抑制できる。したがって、銀成分の拡散に起因してセラミック層に空隙、変形、変色などが発生することを抑制できる。その結果、セラミック基板の品質を向上させることができる。
（７）本発明の一形態は、ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と；銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンとを備えるセラミック基板を提供する。このセラミック基板において、前記セラミック層は、前記導体パターンに隣接する第１のセラミック層と；前記導体パターンとの間に前記第１のセラミック層を挟む第２のセラミック層とを含み、前記第１のセラミック層に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、前記第２のセラミック層より高い。この形態によれば、銀成分の拡散に起因してセラミック層に空隙、変形、変色などが発生することを抑制できる。その結果、セラミック基板の品質を向上させることができる。
　本発明は、セラミック基板およびその製造方法に限らず種々の形態で実現でき、例えば、セラミック基板を備える装置、セラミック基板を製造する製造装置などの形態で実現できる。
セラミック基板の断面を模式的に示す説明図である。 セラミック基板の製造方法を示す工程図である。 評価試験の結果を示す表である。
Ａ．実施形態
　図１は、セラミック基板１１０の断面を模式的に示す説明図である。セラミック基板１１０は、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）基板である。セラミック基板１１０には、所定の機能を実現する回路の少なくとも一部が形成されている。本実施形態では、セラミック基板１１０には、電子部品等へ信号を伝達するための回路が形成されている。
　セラミック基板１１０は、セラミック層１２１と、セラミック層１２２と、導体パターン１３０とを備える。セラミック基板１１０は、複数のセラミック層１２１，１２２が積層された構造を有する。本実施形態では、セラミック基板１１０には、回路を構成する導体として、導体パターン１３０の他、ビアおよびスルーホールなど（図示しない）が設けられている。
　セラミック基板１１０のセラミック層１２１は、導体パターン１３０に隣接する第１のセラミック層である。セラミック層１２１は、電気絶縁性を有する。セラミック層１２１は、セラミック層１２１は、ガラスセラミックスから主になる。本明細書において、「（成分）から主に成る」とは、その成分が全体の５０質量％以上を占めることを意味する。本実施形態では、セラミック層１２１は、硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末とを焼成したセラミック層である。硼珪酸系ガラスは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）および酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）から主に成る。セラミック層１２１の焼成前の状態であるセラミックペーストには、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末が添加されている。そのため、セラミック層１２１に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、セラミック層１２２より高い。本実施形態では、セラミック層１２１の厚さは、約１０μｍである。
　セラミック基板１１０のセラミック層１２２は、導体パターン１３０との間にセラミック層１２１を挟むセラミック層である。セラミック層１２２は、電気絶縁性を有する。セラミック層１２２は、ガラスセラミックスから主になる。本実施形態では、セラミック層１２２は、セラミック層１２１と同様に、硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末とを焼成したセラミック層である。本実施形態では、セラミック層１２２の焼成前の状態であるグリーンシートには、セラミック層１２１とは異なり、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末が添加されていない。セラミック層１２２の厚さは、セラミック層１２１より十分に大きい。
　セラミック基板１１０の導体パターン１３０は、銀（Ａｇ）から主に成る。本実施形態では、導体パターン１３０は、銀（Ａｇ）粉末と硼珪酸系ガラス粉末とを含有し、導電性を備えている。本実施形態では、導体パターン１３０の厚さは、約１０μｍである。
　本実施形態では、導体パターン１３０は、２つのセラミック層１２１の間に挟まれ、これら２つのセラミック層１２１に隣接する。他の実施形態では、導体パターン１３０は、セラミック層１２１とセラミック層１２２との間に挟まれ、これらセラミック層１２１およびセラミック層１２２に隣接してもよい。他の実施形態では、セラミック基板１１０において、２以上の導体パターン１３０が他のセラミック層１２１，１２２と共にさらに積層されていてもよい。
　図２は、セラミック基板１１０の製造方法を示す工程図である。まず、セラミック層１２１の素材であるセラミックペーストを作製する（工程Ｐ１１０）。セラミック層１２１の素材であるセラミックペーストは、ガラスセラミックスの原料粉末に、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したペーストである。本実施形態では、セラミックペーストの原料粉末は、無機成分である硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを体積比６０：４０で混合した粉末である。
　セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を抑制する観点から、セラミックペーストに添加される金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ6）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ2）のうち少なくとも１つであることが好ましい。セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を抑制する観点から、セラミックペーストに添加される金属ケイ化物は、二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ2）、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ2）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ2）のうち少なくとも１つであることが好ましい。
　セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を十分に抑制する観点から、セラミックペーストに含まれる無機成分における金属ホウ化物および金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上７体積％以下であることが好ましい。
　本実施形態では、セラミック層１２１の素材であるセラミックペーストを作製する際、無機成分である硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを混合した混合粉末を用意する。その後、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末と、結合剤としてエチルセルロースと、溶剤としてターピネオールとを、無機成分の混合粉末に加える。その後、３本ロールミルを用いて材料を混練することによって、セラミックペーストを得る。
　セラミックペーストを作製した後（工程Ｐ１１０）、焼成後にセラミック層１２２となるグリーンシートに、焼成後にセラミック層１２１となるセラミックペーストを塗布する（工程Ｐ１２０）。本実施形態では、スクリーン印刷によってセラミックペーストをグリーンシートに塗布する。
　セラミックペーストをグリーンシートに塗布する準備として、セラミック層１２２の素材であるグリーンシートを作製する。グリーンシートは、無機成分の粉末に、結合剤（バインダ）、可塑剤、溶剤などを混合して薄板状（シート状）に成形したものである。本実施形態では、無機成分の粉末である硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを、体積比６０：４０、総量で１ｋｇとなるように秤量した後、これらの粉末をアルミナ製の容器（ポット）に入れる。その後、結合剤として１２０ｇのアクリル樹脂と、溶剤として適量のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）と、可塑剤として適量のジオクチルフタレート（ＤＯＰ）とを、ポット内の材料に加える。その後、５時間、ポット内の材料を混合することによって、セラミックスラリを得る。その後、ドクターブレード法によって、セラミックスラリからグリーンシートを作製する。本実施形態では、グリーンシートの厚みは、０．１５ｍｍである。
　グリーンシートを作製した後、グリーンシートにセラミックペーストを塗布する。本実施形態では、セラミックペーストを塗布したグリーンシートを打ち抜き加工によって成形する。
　グリーンシートにセラミックペーストを塗布した後（工程Ｐ１２０）、グリーンシートに塗布したセラミックペーストの上に、焼成後に導体パターン１３０となる導体ペーストを塗布する（工程Ｐ１３０）。本実施形態では、焼成後に導体パターン１３０となる導体ペーストは、銀（Ａｇ）粉末と硼珪酸系ガラス粉末とを混合した無機成分の粉末に、結合剤、可塑剤および溶剤などを混合したペーストである。本実施形態では、無機成分の粉末に、結合剤としてエチルセルロースと、溶剤としてターピネオールとを加えた後、３本ロールミルを用いて材料を混練することによって、導体ペーストを得る。その後、スクリーン印刷および穴埋め印刷によって導体ペーストをグリーンシートに塗布する。
　導体ペーストをグリーンシートに塗布した後（工程Ｐ１３０）、セラミックペーストおよび導体ペーストを塗布したグリーンシートを焼成する（工程Ｐ１４０）。これによって、セラミック基板１１０が完成する。
　本実施形態では、グリーンシートの焼成に先立って、複数のグリーンシートを積層した積層体を作製する。本実施形態では、セラミックペーストおよび導体ペーストを塗布したグリーンシートにおける導体ペースト側に、セラミックペーストを塗布した他のグリーンシートにおけるセラミックペースト側を合わせることによって、積層体を作製する。本実施形態では、切削加工によって積層体を焼成に適した形状に成形する。本実施形態では、２５０℃の大気中に１０時間、積層体を曝すことによって、積層体を脱脂する。本実施形態では、積層体を脱脂した後、８５０℃の大気中に６０分、積層体を曝すことによって、積層体を焼成する。これらの工程を経て、セラミック基板１１０を得る。
　セラミックペーストおよび導体ペーストを塗布したグリーンシートを焼成する際、セラミックペーストに含まれる添加成分（金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方）の酸化反応によって、導体ペースト近傍の酸素が消費される。これによって、導体ペーストに含まれる銀成分の酸化が抑制される。したがって、セラミック層１２１，１２２への銀成分の拡散が抑制される。セラミックペーストには添加成分が含まれているため、セラミック層１２１に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、添加成分の含有量に応じて、セラミック層１２２より高くなる。
　図３は、評価試験の結果を示す表である。図３の評価試験では、それぞれ異なるセラミックペーストを用いたセラミック基板１１０として、試料Ｓ０１～Ｓ０９を作製した。図３の表において、セラミック層１２１の焼成前の状態であるセラミックペーストにおける添加剤の含有量は、セラミックペーストに含まれる無機成分における添加剤の体積百分率を示す。
　試料Ｓ０１～Ｓ０８の製造方法は、図２の製造方法と同様である。試料Ｓ０９の製造方法は、セラミックペーストに金属ホウ化物および金属ケイ化物を添加しない点を除き、図２の製造方法と同様である。
　走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）を用いて各試料の断面を観察することによって、セラミック層１２１，１２２への銀の拡散距離を測定した。セラミック層１２１と導体パターン１３０との界面における銀（Ａｇ）濃度を基準値とし、その界面からセラミック層１２１，１２２において銀（Ａｇ）濃度が基準値の半分となる位置までの距離を１０箇所で測定し、その平均値を銀の拡散距離として求めた。
　次の基準で各試料を判定した。
　○（優）：銀の拡散距離が５μｍ未満
　×（劣）：銀の拡散距離が５μｍ以上
　試料Ｓ０１～Ｓ０３と試料Ｓ０９との評価結果によれば、金属ホウ化物である六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ6）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ2）を、セラミック層１２１の焼成前の状態であるセラミックペーストに添加することによって、セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を抑制できることが分かる。
　試料Ｓ０４～Ｓ０６と試料Ｓ０９との評価結果によれば、金属ケイ化物である二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ2）、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ2）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ2）を、セラミック層１２１の焼成前の状態であるセラミックペーストに添加することによって、セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を抑制できることが分かる。
　試料Ｓ０１～Ｓ０８の評価結果によれば、セラミック層１２１の素材であるセラミックペーストに含まれる無機成分における金属ホウ化物および金属ケイ化物を合わせた含有量が、３体積％以上７体積％以下である場合、セラミック層１２１，１２２への銀の拡散を十分に抑制できることが分かる。
　以上説明した実施形態によれば、セラミックペーストに添加された金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の添加成分が焼成中に酸化することによって、導体パターン１３０の銀成分がセラミック層１２１，１２２へと拡散することを抑制できる。したがって、銀成分の拡散に起因してセラミック層１２１，１２２に空隙、変形、変色などが発生することを抑制できる。その結果、セラミック基板１１０の品質を向上させることができる。
　また、セラミックペーストに添加される金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ6）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ2）のうち少なくとも１つを含んでもよい。これによって、導体パターン１３０からセラミック層１２１，１２２への銀成分の拡散を抑制できる。
　また、セラミックペーストに添加される金属ケイ化物は、二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ2）、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ2）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ2）のうち少なくとも１つを含んでもよい。これによって、導体パターン１３０からセラミック層１２１，１２２への銀成分の拡散を抑制できる。
　また、セラミックペーストに含まれる無機成分における金属ホウ化物および金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上７体積％以下である場合、導体パターン１３０からセラミック層１２１，１２２への銀成分の拡散を十分に抑制できる。
Ｂ．他の実施形態
　本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現できる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことができる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除できる。
　他の実施形態において、セラミック層１２１の焼成前の状態であるセラミックペーストを作製する際（工程Ｐ１１０）、原料粉末に結合剤および溶剤を加える前に、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を原料粉末に混合することによって、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の原料粉末を銀（Ａｇ）粉末の表面に付着させてもよい。これによって、導体パターン１３０からセラミック層１２１，１２２への銀成分の拡散をいっそう抑制できる。
　他の実施形態において、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックスラリを作製した後、このセラミックスラリから、焼成後にセラミック層１２２となるグリーンシートを作製してもよい。その場合、焼成後にセラミック層１２１となるセラミックペーストを、グリーンシートに塗布しなくてもよい。この実施形態によれば、グリーンシートに含まれる金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の添加成分が焼成中に酸化することによって、導体パターン１３０の銀成分がセラミック層１２２へと拡散することを抑制できる。したがって、銀成分の拡散に起因してセラミック層１２２に空隙、変形、変色などが発生することを抑制できる。その結果、セラミック基板１１０の品質を向上させることができる。
　　１１０…セラミック基板
　　１２１…セラミック層
　　１２２…セラミック層
　　１３０…導体パターン

Claims (7)

  1. 　ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と、
    　銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンと
    　を備えるセラミック基板、を製造するセラミック基板の製造方法であって、
    　前記ガラスセラミックスの原料粉末に金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックペーストを作製する工程と、
    　焼成後に前記セラミック層となるグリーンシートに前記セラミックペーストを塗布する工程と、
    　前記グリーンシートに塗布した前記セラミックペーストの上に、焼成後に前記導体パターンとなる導体ペーストを塗布する工程と、
    　前記セラミックペーストおよび前記導体ペーストを塗布した前記グリーンシートを焼成する工程と
    　を備えることを特徴とするセラミック基板の製造方法。
  2. 　前記金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ6）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ6）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ2）のうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載のセラミック基板の製造方法。
  3. 　前記金属ケイ化物は、二ケイ化チタン（ＴｉＳｉ2）、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ2）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ2）のうち少なくとも１つを含む、請求項１または請求項２に記載のセラミック基板の製造方法。
  4. 　前記セラミックペーストに含まれる無機成分における前記金属ホウ化物および前記金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上７体積％以下である、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載のセラミック基板の製造方法。
  5. 　前記ガラスセラミックスの前記原料粉末は、ホウケイ酸ガラス粉末とアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粉末とを含む、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載のセラミック基板の製造方法。
  6. 　ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と、
    　銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンと
    　を備えるセラミック基板、を製造するセラミック基板の製造方法であって、
    　前記ガラスセラミックスの原料粉末に金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を添加したセラミックスラリを作製する工程と、
    　前記セラミックスラリから、焼成後に前記セラミック層となるグリーンシートを作製する工程と、
    　前記グリーンシートの上に、焼成後に前記導体パターンとなる導体ペーストを塗布する工程と、
    　前記導体ペーストを塗布した前記グリーンシートを焼成する工程と
    　を備えることを特徴とするセラミック基板の製造方法。
  7. 　ガラスセラミックスから主に成るセラミック層と、
    　銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンと
    　を備えるセラミック基板であって、
    　前記セラミック層は、
    　　前記導体パターンに隣接する第１のセラミック層と、
    　　前記導体パターンとの間に前記第１のセラミック層を挟む第２のセラミック層と
    　を含み、
    　前記第１のセラミック層に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、前記第２のセラミック層より高いことを特徴とするセラミック基板。
PCT/JP2016/000080 2015-01-13 2016-01-08 セラミック基板およびその製造方法 WO2016114119A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020177019496A KR101994566B1 (ko) 2015-01-13 2016-01-08 세라믹 기판 및 그 제조 방법
CN201680005805.2A CN107113986B (zh) 2015-01-13 2016-01-08 陶瓷基板及其制造方法
EP16737190.5A EP3247184A4 (en) 2015-01-13 2016-01-08 Ceramic substrate and production method therefor
JP2016541726A JP6309631B2 (ja) 2015-01-13 2016-01-08 セラミック基板の製造方法
US15/543,264 US10375837B2 (en) 2015-01-13 2016-01-08 Method of manufacturing a ceramic substrate

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015003819 2015-01-13
JP2015-003819 2015-01-13

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016114119A1 true WO2016114119A1 (ja) 2016-07-21

Family

ID=56405670

Family Applications (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/000080 WO2016114119A1 (ja) 2015-01-13 2016-01-08 セラミック基板およびその製造方法
PCT/JP2016/000081 WO2016114120A1 (ja) 2015-01-13 2016-01-08 セラミック基板
PCT/JP2016/000082 WO2016114121A1 (ja) 2015-01-13 2016-01-08 セラミック基板の製造方法、セラミック基板及び銀系導体材料
PCT/JP2016/000079 WO2016114118A1 (ja) 2015-01-13 2016-01-08 回路基板およびその製造方法

Family Applications After (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/000081 WO2016114120A1 (ja) 2015-01-13 2016-01-08 セラミック基板
PCT/JP2016/000082 WO2016114121A1 (ja) 2015-01-13 2016-01-08 セラミック基板の製造方法、セラミック基板及び銀系導体材料
PCT/JP2016/000079 WO2016114118A1 (ja) 2015-01-13 2016-01-08 回路基板およびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (5) US10375837B2 (ja)
EP (4) EP3247181A4 (ja)
JP (4) JP6261746B2 (ja)
KR (4) KR101994566B1 (ja)
CN (4) CN107113969B (ja)
WO (4) WO2016114119A1 (ja)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107113969B (zh) * 2015-01-13 2019-06-25 日本特殊陶业株式会社 陶瓷基板
CN110255912A (zh) * 2019-07-03 2019-09-20 东北大学秦皇岛分校 一种微晶玻璃工艺品的制作方法
CN111312427B (zh) * 2020-04-17 2021-08-31 洛阳理工学院 一种用于低温共烧低介电常数介质陶瓷的多层布线用银浆
CN112225547B (zh) * 2020-10-19 2022-04-19 上海晶材新材料科技有限公司 Ltcc材料、基板及制备方法
CN112235959A (zh) * 2020-10-28 2021-01-15 上海读家电子科技有限公司 可加强铂钯银导体抗银迁移能力的陶瓷电路板制造方法
US20220367363A1 (en) * 2021-05-17 2022-11-17 Onano Industrial Corp. Ltcc electronic device unit structure
CN113690033A (zh) * 2021-07-23 2021-11-23 东莞市优琥电子科技有限公司 变压器和电源适配器

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1166951A (ja) * 1997-08-27 1999-03-09 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk 低温焼成セラミック用導体ペースト及び低温焼成セラミック多層基板の製造方法
JP2006253600A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板の製造方法
JP2007059390A (ja) * 2005-07-28 2007-03-08 E I Du Pont De Nemours & Co 基板上のｌｔｃｃ感光性テープの適用例で使用される導体組成物

Family Cites Families (51)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6029240B2 (ja) * 1977-12-02 1985-07-09 富士通株式会社 セラミック回路基板の製法
JPS5491790A (en) * 1977-12-29 1979-07-20 Junkosha Co Ltd Flat cable
US4279654A (en) * 1979-05-14 1981-07-21 The Foundation: The Research Institute For Special Inorganic Materials Process for production of crystallized glass and process for producing composite article using said crystallized glass
JPS61168564A (ja) * 1985-01-18 1986-07-30 株式会社日立製作所 セラミツク絶縁基板
US4639391A (en) * 1985-03-14 1987-01-27 Cts Corporation Thick film resistive paint and resistors made therefrom
DE3621667A1 (de) * 1985-06-29 1987-01-08 Toshiba Kawasaki Kk Mit einer mehrzahl von dickfilmen beschichtetes substrat, verfahren zu seiner herstellung und dieses enthaltende vorrichtung
US4777014A (en) * 1986-03-07 1988-10-11 Lanxide Technology Company, Lp Process for preparing self-supporting bodies and products made thereby
JPH0619926B2 (ja) * 1987-11-11 1994-03-16 株式会社日立製作所 回路基板とその製法
DE3935471A1 (de) * 1989-10-25 1991-05-02 Hoechst Ag Keramische stoffzusammensetzung und ihre verwendung
JPH03233831A (ja) * 1990-02-07 1991-10-17 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd ６ホウ化ランタン含有ペースト
JPH0719964B2 (ja) * 1990-08-08 1995-03-06 日本電気株式会社 銀系配線セラミック基板
JPH04314394A (ja) * 1991-04-12 1992-11-05 Fujitsu Ltd ガラスセラミック回路基板とその製造方法
JPH0793228B2 (ja) * 1991-04-24 1995-10-09 太陽誘電株式会社 希土類入り銀導電ペーストおよびこれを用いた電子部品
JP2985503B2 (ja) * 1992-04-22 1999-12-06 株式会社村田製作所 導電ペースト組成物
JPH0595071U (ja) * 1992-05-28 1993-12-24 京セラ株式会社 厚膜回路基板
EP0575813B1 (en) * 1992-06-08 1996-12-27 NEC Corporation Multilayer glass ceramic substrate and process for producing the same
JP3448747B2 (ja) * 1992-08-25 2003-09-22 松下電器産業株式会社 多層セラミック基板の製造方法
DE4343934B4 (de) * 1992-12-22 2005-08-25 Denso Corp., Kariya Verfahren zum Erzeugen von Vielfach-Dickschichtsubstraten
JPH06204511A (ja) * 1993-01-07 1994-07-22 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 半導体基板用電極ペースト
JPH06252524A (ja) 1993-02-26 1994-09-09 Asahi Glass Co Ltd 導体付きセラミックス基板の製造方法
JPH07135394A (ja) * 1993-11-09 1995-05-23 Ngk Spark Plug Co Ltd 厚膜コンデンサ付きセラミック配線基板及びその製造方法
US5474619A (en) * 1994-05-04 1995-12-12 The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce Thin film high temperature silicide thermocouples
JPH08259331A (ja) * 1995-03-22 1996-10-08 Agency Of Ind Science & Technol 可塑成形用窒化ケイ素−水系組成物の調製法
JPH08298382A (ja) * 1995-04-26 1996-11-12 Tdk Corp セラミックス多層基板
JP3927250B2 (ja) * 1995-08-16 2007-06-06 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 窒化アルミニウム基板用厚膜導体ペースト組成物
JPH09246722A (ja) 1996-03-08 1997-09-19 Sumitomo Metal Ind Ltd ガラスセラミックス多層配線基板とその製造方法
US5857253A (en) * 1996-03-20 1999-01-12 Ppg Industries, Inc. System and methods for forming bushing plates
JPH11339560A (ja) * 1998-05-29 1999-12-10 Murata Mfg Co Ltd 銀ペースト
JP2001278657A (ja) * 2000-01-24 2001-10-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 低温焼成磁器組成物及びその製造方法並びにその低温焼成磁器組成物を用いた低温焼成配線基板
AU2002238337A1 (en) * 2001-03-09 2002-09-24 Datec Coating Corporation Sol-gel derived resistive and conductive coating
JP3636123B2 (ja) * 2001-09-20 2005-04-06 株式会社村田製作所 積層セラミック電子部品の製造方法、および積層セラミック電子部品
JP2003268567A (ja) * 2002-03-19 2003-09-25 Hitachi Cable Ltd 導電材被覆耐食性金属材料
JP3988533B2 (ja) * 2002-05-23 2007-10-10 株式会社村田製作所 ガラスセラミック組成物、ガラスセラミック、およびセラミック多層基板
US7323805B2 (en) * 2004-01-28 2008-01-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Piezoelectric thin film device and method for manufacturing the same
US7218506B2 (en) * 2004-03-31 2007-05-15 Tdk Corporation Electrolytic capacitor and method of manufacturing the same
JP2006073280A (ja) * 2004-08-31 2006-03-16 Ngk Spark Plug Co Ltd メタライズ組成物及びセラミック配線基板
JP4548050B2 (ja) * 2004-09-03 2010-09-22 株式会社村田製作所 セラミック多層基板
KR100657321B1 (ko) * 2005-06-30 2006-12-14 삼성전자주식회사 인쇄데이터 관리방법 및 장치
TW200710882A (en) * 2005-07-28 2007-03-16 Du Pont Conductor composition for use in LTCC photosensitive tape on substrate applications
JP4797534B2 (ja) 2005-09-16 2011-10-19 Ｔｄｋ株式会社 多層セラミックス基板
US7666328B2 (en) * 2005-11-22 2010-02-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductor composition(s) and processing technology thereof for use in multilayer electronic circuits and devices
JP4867399B2 (ja) 2006-03-03 2012-02-01 旭硝子株式会社 導体ペーストおよびセラミック多層基板製造方法
JP4967388B2 (ja) * 2006-03-15 2012-07-04 パナソニック株式会社 セラミック積層デバイスの製造方法およびセラミック積層デバイス
KR100956219B1 (ko) * 2008-02-25 2010-05-04 삼성전기주식회사 확산 방지층을 갖는 저온동시소성 세라믹 기판 및 그 제조방법
EP2538439A1 (en) * 2010-02-19 2012-12-26 Asahi Glass Company, Limited Substrate for mounting element, and method for manufacturing the substrate
JP5488282B2 (ja) * 2010-07-13 2014-05-14 昭栄化学工業株式会社 導電性ペースト
CN103732557B (zh) * 2011-08-09 2016-02-24 旭硝子株式会社 玻璃陶瓷体、发光元件搭载用基板、和发光装置
JP2013153051A (ja) * 2012-01-25 2013-08-08 Tokuyama Corp メタライズドセラミックスビア基板及びその製造方法
GB2504957A (en) * 2012-08-14 2014-02-19 Henkel Ag & Co Kgaa Curable compositions comprising composite particles
JP2014179473A (ja) 2013-03-15 2014-09-25 Ngk Spark Plug Co Ltd セラミック基板の製造方法および導体材料
CN107113969B (zh) * 2015-01-13 2019-06-25 日本特殊陶业株式会社 陶瓷基板

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1166951A (ja) * 1997-08-27 1999-03-09 Sumitomo Kinzoku Electro Device:Kk 低温焼成セラミック用導体ペースト及び低温焼成セラミック多層基板の製造方法
JP2006253600A (ja) * 2005-03-14 2006-09-21 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板の製造方法
JP2007059390A (ja) * 2005-07-28 2007-03-08 E I Du Pont De Nemours & Co 基板上のｌｔｃｃ感光性テープの適用例で使用される導体組成物

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3247184A4 *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3247184A4 (en) 2018-08-29
CN107113986B (zh) 2019-11-19
EP3247181A1 (en) 2017-11-22
KR20170094432A (ko) 2017-08-17
EP3247181A4 (en) 2018-08-29
CN107211535B (zh) 2019-08-16
EP3247182A4 (en) 2018-09-05
EP3247180A4 (en) 2018-08-29
US20180324957A1 (en) 2018-11-08
KR102017401B1 (ko) 2019-09-02
EP3247184A1 (en) 2017-11-22
US20180035537A1 (en) 2018-02-01
JP6553048B2 (ja) 2019-07-31
CN107113986A (zh) 2017-08-29
KR102028896B1 (ko) 2019-10-07
JP6309632B2 (ja) 2018-04-11
JP6261746B2 (ja) 2018-01-17
US10375837B2 (en) 2019-08-06
KR20170094433A (ko) 2017-08-17
JPWO2016114118A1 (ja) 2017-04-27
US20180035549A1 (en) 2018-02-01
CN107113976A (zh) 2017-08-29
US20180027653A1 (en) 2018-01-25
CN107211535A (zh) 2017-09-26
EP3247180A1 (en) 2017-11-22
JPWO2016114120A1 (ja) 2017-04-27
JPWO2016114121A1 (ja) 2017-04-27
JPWO2016114119A1 (ja) 2017-04-27
KR20170097117A (ko) 2017-08-25
JP6309631B2 (ja) 2018-04-11
US10785879B2 (en) 2020-09-22
US20180014408A1 (en) 2018-01-11
KR20170097118A (ko) 2017-08-25
WO2016114121A1 (ja) 2016-07-21
EP3247182A1 (en) 2017-11-22
KR102059318B1 (ko) 2019-12-26
US10524365B2 (en) 2019-12-31
CN107113969B (zh) 2019-06-25
WO2016114120A1 (ja) 2016-07-21
WO2016114118A1 (ja) 2016-07-21
CN107113976B (zh) 2019-07-23
CN107113969A (zh) 2017-08-29
KR101994566B1 (ko) 2019-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6309631B2 (ja) セラミック基板の製造方法
JPH1055719A (ja) 導電ペースト及びセラミック基板の製造方法
WO2011138949A1 (ja) 素子搭載用基板およびその製造方法
TW200927701A (en) Process for producing ceramic molded product
JP2014179473A (ja) セラミック基板の製造方法および導体材料
WO2001056047A1 (fr) Reseau conducteur integre a une carte multicouche, carte multicouche a reseau conducteur integre et procede de fabrication de carte multicouche
JP2012164784A (ja) 積層セラミック電子部品
JP6335081B2 (ja) 多層セラミック基板およびその製造方法
JP2002128581A (ja) 銅メタライズ組成物ならびにそれを用いたセラミック配線基板およびその製造方法
JP2019041022A (ja) 配線基板の製造方法及び導電ペースト

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2016541726

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16737190

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20177019496

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2016737190

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE