JP4797534B2

JP4797534B2 - 多層セラミックス基板

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Publication number: JP4797534B2
Application number: JP2005270697A
Authority: JP
Inventors: 知子中村; 克彦五十嵐
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 2005-09-16
Filing date: 2005-09-16
Publication date: 2011-10-19
Anticipated expiration: 2025-09-16
Also published as: JP2007081324A

Description

本発明は、例えばビアホール導体等の配線導体を有する多層セラミックス基板及びその製造方法に関するものであり、特に、配線導体周囲の欠陥を防止する技術に関する。

電子機器等の分野においては、電子デバイスを実装するための基板が広く用いられているが、近年、電子機器の小型軽量化や多機能化等の要望に応え、且つ高信頼性を有する基板として、多層セラミッスク基板が提案され実用化されている。多層セラミックス基板は、複数のセラミックス層を積層することにより構成され、各セラミックス層に配線導体や電子素子等を一体に作り込むことで、高密度実装が可能となっている。

前記多層セラミックス基板は、複数のグリーンシートを積層して積層体を形成した後、これを焼成することにより形成される。そして、前記グリーンシートは、この焼成工程における焼結に伴って必ず収縮し、多層セラミックス基板の寸法精度を低下する大きな要因となっている。具体的には、前記収縮に伴って収縮バラツキが発生し、最終的に得られる多層セラミックス基板においては、寸法精度は０．５％程度に留まっている。

このような状況から、多層セラミックス基板の焼成工程において、グリーンシートの面内方向の収縮を抑制し、厚さ方向にのみ収縮させる、いわゆる無収縮焼成方法が提案されている（例えば、特許文献１等を参照）。特許文献１等にも記載されるように、前記焼成温度でも収縮しないシートをグリーンシートの積層体に貼り付け、この状態で焼成を行うと、前記面内方向の収縮が抑制され、厚さ方向にのみ収縮する。この方法によれば、多層セラミックス基板の面内方向の寸法精度を例えば０．０５％程度にまで改善することが可能である。

ところで、多層セラミックス基板においては、層間接続を図るためのビアホール導体等の配線導体の形成が必須であり、前記多層セラミックス基板の作製に際しては、例えばビアホールを形成し、ここに導体ペーストを充填して焼成することが行われる。この場合、導体ペーストとグリーンシートの熱収縮挙動の相違等により、配線導体（例えばビアホール導体）の周囲に空隙（欠陥）が発生することが知られている。このような欠陥の発生は、導体ペーストの導電材料としてＡｇを用いた場合であって、特に無収縮焼成方法において顕著である。

そこで、このような欠陥を解消するための技術も各方面で検討されている（例えば、特許文献２、３等を参照）。特許文献２記載の発明では、ビア孔に充填される導体組成物として、Ａｇ等の導電性粉末と、Ｍｏ化合物またはＭｏ金属とを含有する多層セラミック基板用導電組成物を用いることで、焼成後の電極近傍に欠陥を生じない多層セラミック基板の製造を可能としている。同様に、特許文献３記載の発明では、ビアホール導体をＡｇとＷとから構成することで、ビアホール導体とビアホールの内壁との間に隙間が生じないようにしている。
特開平１０−７５０６０号公報特開２００３−１３３７４５号公報特許第２７３２１７１号公報

しかしながら、本発明者らが検討を重ねたところ、前記各特許文献に掲載されるような配線導体を形成するための導電ペースト自体の収縮挙動の制御のみでは、必ずしも満足し得る結果が得られず、特に、前記無収縮焼成法により多層セラミックス基板を作製する場合等において、配線導体周囲に発生する欠陥を十分に抑えきれないことがわかった。また、例えば、特許文献２，３に記載されるようにＭｏやＷの添加により導電ペーストの収縮を抑えようとする場合、ある程度の添加量が必要となり、配線導体の電気抵抗を上昇する原因となることも懸念される。

本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、配線導体を有する多層セラミックス基板において、製造コストを上昇することなく配線導体周囲に生ずる欠陥を確実に解消可能とすることを目的とし、これにより信頼性の高い多層セラミックス基板を提供し、さらにはその製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、前述の目的を達成するために、長期に亘り種々研究を重ねてきた。その結果、前記欠陥発生の原因が配線導体からのＡｇの拡散にあり、これを抑えることで前記欠陥の発生を効果的に抑制し得るとの結論を得るに至った。本発明は、このような知見に基づいて完成されたものである。

すなわち、本発明の多層セラミックス基板は、複数のガラスセラミックスグリーンシートのうちの少なくとも一部にＡｇを含む導体ペーストにより配線パターンを形成した後、これらを積層して焼成することにより製造され、複数のガラスセラミックス層が積層されるとともに、配線導体を有する多層セラミックス基板であって、前記配線導体がＡｇを含有するとともに、酸素を含む雰囲気中で前記ガラスセラミックスグリーンシートに含まれるバインダを除去した後、前記焼成を行い、前記焼成においては、温度が前記ガラスセラミックスグリーンシートに含まれるガラス成分の軟化点に到達する前に非酸化雰囲気とすることにより前記Ａｇが前記ガラスセラミックス層中に拡散していないことを特徴とする。

内部導体を有する多層セラミックス基板の焼成に際しては、配線導体とガラスセラミックス層（ガラスセラミックスグリーンシート）の熱収縮の相違により欠陥が発生するものと考えられており、前記各従来技術においても、この配線導体とガラスセラミックス層の熱収縮の相違を解消することに主眼が置かれている。しかしながら、本発明者らが子細に検討した結果、焼成時に配線導体に含まれる導電材料（Ａｇ）が周囲に拡散し、この部分のガラスセラミックスの焼結開始温度が低下することにより、他の部分と熱収縮に差が生じ、前記欠陥が生ずることがわかった。

そこで、本発明では、導電材料であるＡｇの配線導体周囲への拡散を抑え、Ａｇがガラスセラミックス層中に実質的に拡散していない状態とすることで、前記ガラスセラミックスの焼結開始温度の低下を回避し、欠陥の発生を解消する。また、このとき配線導体を形成するための導体ペーストに添加物を添加する必要もないので、電気抵抗の上昇も回避される。

前記のように導電材料であるＡｇがガラスセラミックス層へ拡散しないようにするには、多層セラミックス基板焼成時の雰囲気制御が必要である。通常、導電材料にＡｇを用いた場合には、酸素を含む雰囲気中（空気中）で焼成するのが一般的であるが、酸素を含む雰囲気下で焼成を行うと、Ａｇがガラスセラミックス層中に拡散する。そこで、本発明では、非酸化性雰囲気で焼成を行うことにより、前記Ａｇの拡散を抑えることとする。

ガラスセラミックスグリーンシートには、樹脂等のバインダが含まれており、焼成に際してはこれを除去する必要がある。このバインダの除去は、酸素を含む雰囲気で行う必要があり、したがって本発明でも酸素を含む雰囲気中でバインダの除去を行う。一方、バインダ除去後の焼成においては、酸素は必要なく、酸素を含む雰囲気下、高温（ガラスセラミックスグリーンシートに含まれるガラス成分の軟化点以上の温度）で焼成を行うとＡｇが拡散する原因となる。そこで、本発明では、温度が前記ガラス転移点に到達する前に焼成雰囲気を非酸化雰囲気に切り換え、焼成をこの非酸化雰囲気で行う。これにより、前記Ａｇがガラスセラミックス層に拡散することがなくなる。

本発明によれば、Ａｇの拡散による空隙の発生を抑えることができ、配線導体周囲に生ずる欠陥を確実に解消することが可能である。したがって、本発明によれば、欠陥が無く信頼性の高い多層セラミックス基板を提供することが可能である。また、本発明においては、配線導体に添加物を加える必要がなく、したがって、配線導体の電気抵抗が低い多層セラミックス基板を提供することができ、製造コストも削減可能である。

以下、本発明を適用した多層セラミックス基板及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。

本発明の多層セラミックス基板１は、図１に示すように、複数層のガラスセラミックス層２（ここでは４層のガラスセラミックス層２ａ〜２ｄ）を積層し、これらガラスセラミックス層２ａ〜２ｄを貫通するビアホール導体３やガラスセラミックス層２ａ〜２ｄの両面に形成された表面導体４等の配線導体を設けてなるものである。

各ガラスセラミックス層２ａ〜２ｄは、所定のガラス組成を有する複合酸化物（ガラス成分）に例えばアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等のセラミックス成分を加えたものを焼成することにより形成されるものである。ここで、ガラス成分を構成する各酸化物としては、ＳｉＯ_２やＢ_２Ｏ_３、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ等を挙げることができ、これらを適宜組み合わせて用いればよい。多層セラミックス基板１を構成する各セラミックス層を前記ガラスセラミックス層とすることにより、低温での焼成が可能となる。

一方、配線導体のうちのビアホール導体３は、各ガラスセラミックス層２ａ〜２ｄに形成されたビアホールに導電ペーストを充填し、これを焼成することにより形成されており、導電材料により形成されるビアホール導体３によって各セラミックス層２ａ〜２ｄに形成された表面導体４間を電気的に接続したり、熱を伝導する等の機能を果たしている。ビアホール導体３の断面形状は、通常は概ね円形であるが、これに限らず、限られた形状スペース範囲において大きな断面積を得るために、例えば楕円形、長円形、正方形等、任意の形状とすることができる。表面導体４は、所定の配線パターンや電極パッド等から構成されるものであり、やはり導電ペーストを所定のパターンで印刷し、これを焼成することにより形成される。

前記ビアホール導体３や表面導体４等の配線導体は、前述の通り、いずれも導電材料を含む導体ペーストの焼成により形成されるが、前記導電材料としてはＡｇを用いる。導電ペーストの導電材料としてＡｇを用いることで、低抵抗の配線導体の形成が可能であり、また、例えばＡｕやＰｄ等の貴金属を用いる場合に比べて製造コストを抑えることが可能である。なお、導電材料としては、前記Ａｇが含まれていればよく、Ａｇを主体とするものであれば他の金属成分を含んでいてもよい。

ただし、導電材料としてＡｇを用いた場合、これが焼成時に前記ガラスセラミック層２ａ〜２ｄに拡散すると、配線導体周囲のガラスセラミックス層とその他の部分のガラスセラミックス層で焼結開始温度に差が生じ、欠陥の原因となる。図２は、ビアホール導体３近傍での欠陥発生のメカニズムを説明する図である。焼成後にガラスセラミックス層２ａ〜２ｄとなるセラミックス素地１１に形成されたビアホールに導体ペースト１２を充填して空気中で焼成を行った場合、図２（ａ）に示すように、焼成時の温度上昇に伴って、先ず、導体ペースト１２中のＡｇが周囲のセラミックス素地１１に拡散する。そして、このセラミックス素地１１のうち前記Ａｇが拡散した領域１１ａでは、焼結開始温度が低下して、セラミックス素地１１の他の部分１１ｂよりも先に焼結が始まる。このとき、前記領域１１ａでは焼結が始まって収縮するのに対して、前記他の部分１１ｂでは焼結が始まらないので収縮せず、これらの収縮の差により空隙１３が発生する。

さらに温度が上昇すると、図２（ｂ）に示すように、セラミックス素地１１の他の部分１１ｂにおいても焼結が始まり、これに伴って外側に向かう矢印で示すような引き込みが始まる。このとき、導体ペースト１２の焼結も始まり、導体ペースト１２の周囲では内側に向かう矢印で示すような収縮が起こり、前記空隙１３が拡大する。その結果、図２（ｃ）に示すように、焼結完了時に導体ペースト１２が焼成されて形成されるビアホール導体３の周囲に大きな空隙（欠陥）１３が形成されることになる。

このような欠陥発生のメカニズムを考えた場合、前記Ａｇの拡散による導体ペースト周囲のセラミック素地１１の焼結開始温度の低下を抑えることが効果的と考えられる。そこで、本発明では、焼成時の雰囲気を制御することにより、Ａｇがガラスセラミックス層に実質的に拡散しないようにしている。そこで次に、本発明の多層セラミックス基板１の製造方法について説明する。

多層セラミックス基板を作製するには、先ず、図３（ａ）に示すように、焼成後に各ガラスセラミックス層となるガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄを用意する。ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄは、前述の酸化物粉末と有機ビヒクルとを混合して得られるスラリー状の誘電体ペーストを作り、これを例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート等の支持体上にドクターブレード法等によって成膜することにより形成する。前記有機ビヒクルとしては、公知のものがいずれも使用可能である。

前記ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄの形成後、所定の位置に貫通孔（ビアホール）を形成する。前ビアホールは、通常は円形の孔として形成され、ここに導体ペースト２２を充填することによりビアホール導体が形成される。さらに、各ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄの表面に所定のパターンで導電ペーストを印刷し、表面導体パターン２３を形成する。

前記ビアホールに充填される導体ペースト２２や表面導体パターン２３の形成に用いられる導体ペーストは、Ａｇを主体とする導電材料と有機ビヒクルとを混練することにより調製されるものである。前記有機ビヒクルは、バインダと溶剤を主たる成分とするものであり、導電材料との配合比等は任意であるが、通常はバインダ１〜１５質量％、溶剤が１０〜５０質量％となるように導電材料に対して配合される。導体ペーストには、必要に応じて各種分散剤や可塑剤等から選択される添加物が添加されていてもよい。

各ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄに内部導体となる導体ペースト２２を充填し、表面導体パターン２３を形成した後、図３（ｂ）に示すように、これらを重ねて積層体とするが、このとき、積層体の両側（最外層）に、収縮抑制用グリーンシート２４を拘束層として配し、焼成を行う。

収縮抑制用グリーンシート２４には、前記ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄの焼成温度では収縮しない材料、例えばトリジマイトやクリストバライト、さらには石英、溶融石英、アルミナ、ムライト、ジルコニア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、炭化ケイ素等を含む組成物が用いられ、これら収縮抑制用グリーンシート２４間に積層体を挟み込み、焼成を行うことで、前記積層体の面内方向での収縮が抑えられる。

図３（ｂ）は、いわゆる積層体の仮スタックの状態であるが、次に、図３（ｃ）に示すようにプレスを行い、さらに図３（ｄ）に示すように焼成を行う。焼成に際しては、図４に示すように、先ず、ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄに含まれるバインダを除去するための脱バインダ処理を行う。この脱バインダ処理は、酸素を含む雰囲気中でバインダの分解温度まで昇温することにより行う。脱バインダ処理は、前記の通り、酸素を含む雰囲気、例えば大気中で行う必要があり、酸素を含まない雰囲気で昇温してもバインダの分解が進行しない。脱バインダ処理時の温度は、バインダ分解以上あればよいが、６００℃以下とすることが好ましい。脱バインダ処理温度が６００℃を超えると、ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄが緻密化して通気孔が閉塞し、バインダーの分解揮発が妨げられるおそれがあるからである。

前記脱バインダ処理の後、さらに温度を上げて焼成を行うが、この焼成の際の昇温時には、温度が前記ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄに含まれるガラス成分の軟化点Ｔｍに到達する前に、焼成雰囲気を非酸化雰囲気に切り換える。すなわち、前記軟化点Ｔｍ未満の温度Ｔｃとなった時点で、焼成雰囲気を非酸化雰囲気にする。焼成雰囲気を脱バインダ処理時と同様に酸素を含む雰囲気とすると、Ａｇの拡散が問題となるが、温度が前記軟化点Ｔｍに到達する前に非酸化雰囲気に切り換えれば、配線導体を構成するＡｇがガラスセラミックス素体中に拡散することはない。

ここで、非酸化雰囲気とは、酸素を実質的に含まない雰囲気であり、いわゆる中性雰囲気や還元雰囲気とすればよい。中性雰囲気としては、例えば窒素雰囲気や不活性ガス雰囲気等を挙げることができ、コスト等の観点からは窒素雰囲気とすることが好ましい。なお、非酸化雰囲気は、前記の通り酸素を実質的に含まなければよく、不可避レベルでの酸素の含有は許容するものとする。

また、焼成後の冷却期間においても、前記非酸化雰囲気としてもよいが、焼成を非酸化雰囲気で行うことにより若干焼結が不十分になり抗折強度が低下する傾向にあるので、前記冷却期間は酸素を含む雰囲気（例えば大気中）とすることが好ましい。

前記焼成後には、前記ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄはガラスセラミックス層２ａ〜２ｄとなり、前記ビアホール内の導体ペースト２３はビアホール導体３になる。同様に、表面導体パターン２４も表面導体４となる。

前記焼成において、各ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄは、焼成に伴い収縮しているが、最も外側のガラスセラミックスグリーンシート２１ａ，２１ｄでは前記収縮抑制用グリーンシート２４の拘束力が強く働き、ほとんど収縮していない。これに対して、積層方向の中央部分のガラスセラミックスグリーンシート２１ｂ，２１ｃは、前記収縮抑制用グリーンシート２４から離れているため、その拘束力が弱く、ある程度収縮する。したがって、配線導体の周囲、例えばビアホール導体３の周囲には空隙等の欠陥が発生し易くなるが、前記導体ペースト２３や表面導体パターン２４からＡｇが周囲のガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄに拡散しないので、Ａｇの拡散による焼結開始温度の低下が抑えられ、前記空隙等の欠陥の発生が確実に抑えられる。

前述の焼成後には、図３（ｅ）に示すように、熱膨張の差により前記収縮抑制用グリーンシート２４は自然剥離され、本発明の多層セラミックス基板１が得られる。得られる多層セラミックス基板１においては、配線導体（ビアホール導体３や表面導体４）の周囲に欠陥が生ずることがなく、信頼性の高い多層セラミックス基板を実現することが可能である。

なお、前記Ａｇの拡散の抑制による欠陥防止効果は、前述の収縮抑制用グリーンシート２４を配して焼成を行う無収縮焼成とした場合に大きいが、これに限らず、収縮抑制用グリーンシートを用いない場合にも同様の効果を得ることができる。

以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。

＜比較例１＞
ガラスセラミックスグリーンシートに貫通孔を形成し、ここにビアホール導体となる導体ペーストを充填して焼成を行った。ガラスセラミックスグリーンシート材料は、軟化点５６０℃のＳｒＯ系ガラス成分とＡｌ_２Ｏ_３とを６０質量％：４０質量％の比率で混合して調整した。また、導体ペーストとしては、導電材料としてＡｇを含む導体ペーストを用いた。焼成は、α石英とトリジマイトを含む収縮抑制用グリーンシート（拘束層）を配し、無収縮焼成法により行った。

焼成に際しては、全工程を空気中で行った。すなわち、前記ガラスセラミックスグリーンシートを積層し圧着した後、空気中で５５０℃まで昇温して脱バインダ処理を行った後、やはり空気中で９００℃で１０分間、焼成を行った。

図５は、焼成後のビアホール導体近傍の様子を示す顕微鏡写真である。ビアホール導体の周囲に空隙が形成されていることがわかる。また、得られた多層セラミックス基板の抗折強度を測定したところ、２１１ＭＰａであった。

ところで、図５にも示すように、欠陥として観察される空隙は、ビアホール導体とセラミックス素地の界面に形成されているわけではなく、ビアホール導体と空隙の間にセラミックス素地が存在する。そこで、このビアホール導体と空隙の間に存在するセラミックス素地組成分析を行ったところ、図６に示すように、ビアホール導体から拡散したＡｇが含まれることがわかった。図６は、ビアホール導体近傍を線分析した結果を示すものであり、平均カウント数がＡｇの拡散濃度に対応している。

さらに、前記ガラスセラミックス材料組成にＡｇを加えて縮率の相違を調べてみた。測定したのは、前記ガラスセラミックス材料組成（Ａｇ無添加）、前記ガラスセラミックス材料組成にＡｇを２質量％添加したもの、前記ガラスセラミックス材料組成にＡｇを４質量％添加したものの３種類である。縮率の測定に際しては、温度を次第に上昇させながら収縮の様子を調べた。結果を図７に示す。図７から明らかなように、Ａｇを添加することにより、低温で収縮が始まっており、Ａｇがガラスセラミックス素地中に拡散することで焼結開始温度が低下することがわかった。

これらの測定結果より、Ａｇが拡散することで、配線導体周囲のガラスセラミックス素地とその他の部分のガラスセラミックス素地とで焼結開始温度に差が生じ、図２（ａ）〜（ｃ）に示すようなメカニズムで欠陥が発生するものと推測される。

＜実施例１＞
先の比較例１と同様のガラスセラミックスグリーンシートを積層、圧着することにより得られた成形体を空気中で５５０℃まで加熱し、脱バインダ処理を行った。次いで、窒素雰囲気として９００℃で１０分間、焼成を行った。その内部構造を観察したところ、配線導体周囲に欠陥は発生していなかった。また、抗折強度は１９８ＭＰａであった。図８は、本例の多層セラミックス基板のビアホール導体近傍におけるＡｇ線分析結果を示すものであり、本例の場合、配線導体に含まれるＡｇが全くガラスセラミックス層に拡散していないことがわかる。

＜比較例２＞
先の比較例１と同様のガラスセラミックスグリーンシートを積層、圧着することにより得られた成形体を空気中でガラス成分の軟化点を超える温度（５８０℃）まで加熱し、脱バインダ処理を行った。次いで、窒素雰囲気として９００℃で１０分間、焼成を行った。その内部構造を観察したところ、配線導体周囲に欠陥の発生が見られた。また、抗折強度は２０４ＭＰａであった。この結果より、欠陥を解消するには、ガラス成分の軟化点未満の温度で窒素雰囲気に切り換える必要があることがわかる。

＜実施例２＞
軟化点７００℃のＣａＯ系ガラスとＡｌ_２Ｏ_３とを６０質量％：４０質量％の比率で含むガラスセラミックスシートを作製し、先の比較例１と同様に積層、圧着した後、空気中で６８０℃まで加熱して脱バインダ処理を行った。次いで、窒素雰囲気として９００℃で１０分間、焼成を行った。その内部構造を観察したところ、配線導体周囲に欠陥は発生していなかった。また、抗折強度は１９６ＭＰａであった。

＜実施例３＞
実施例１と同様の焼成（空気中で５８０℃まで加熱し、脱バインダ処理を行った後、窒素雰囲気で９００℃、１０分間の焼成）の後、冷却を大気中で行った。その内部構造を観察したところ、配線導体周囲に欠陥は発生していなかった。また、抗折強度は２０９ＭＰａであり、冷却を空気中で行うことにより抗折強度の改善が見られた。

多層セラミックス基板の一例を示す概略断面図である。（ａ）〜（ｃ）は欠陥発生のメカニズムを説明する図である。多層セラミックス基板の製造プロセスを示す模式的な断面図であり、（ａ）はガラスセラミックスグリーンシート及び内部導体形成工程、（ｂ）は仮スタック工程、（ｃ）はプレス工程、（ｄ）は焼成工程、（ｅ）は収縮抑制用グリーンシート剥離工程を示す。脱バインダ処理及び焼成における温度プロファイルの一例を示す図である。ビアホール導体近傍の欠陥発生の様子を示す顕微鏡写真である。空気中で焼成した場合のビアホール導体近傍のＡｇ線分析結果を示す特性図である。Ａｇの拡散による焼結開始温度の変化を示す特性図である。窒素雰囲気中で焼成した場合のビアホール導体近傍のＡｇ線分析結果を示す特性図である。

符号の説明

１多層セラミックス基板、２ａ〜２ｄガラスセラミックス層、３ビアホール導体、４表面導体、１１ガラスセラミックス素地、１２導体ペースト、１３空隙（欠陥）、２１ａ〜２１ｄガラスセラミックスグリーンシート、２２導体ペースト、２３表面導体パターン、２４収縮抑制用グリーンシート

Claims

複数のガラスセラミックスグリーンシートのうちの少なくとも一部にＡｇを含む導体ペーストにより配線パターンを形成した後、これらを積層して焼成することにより製造され、複数のガラスセラミックス層が積層されるとともに、配線導体を有する多層セラミックス基板であって、
前記配線導体がＡｇを含有するとともに、酸素を含む雰囲気中で前記ガラスセラミックスグリーンシートに含まれるバインダを除去した後、前記焼成を行い、前記焼成においては、温度が前記ガラスセラミックスグリーンシートに含まれるガラス成分の軟化点に到達する前に非酸化雰囲気とすることにより前記Ａｇが前記ガラスセラミックス層中に拡散していないことを特徴とする多層セラミックス基板。
前記非酸化雰囲気は、中性雰囲気であることを特徴とする請求項１記載の多層セラミックス基板。
前記中性雰囲気は、窒素雰囲気であることを特徴とする請求項２記載の多層セラミックス基板。
前記焼成後の冷却を酸素を含む雰囲気中で行うことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項記載の多層セラミックス基板。