JP2007081319A - 多層セラミックス基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 内部導体を有する多層セラミックス基板において、内部導体周囲に生ずる欠陥を確実に解消する。
【解決手段】 複数のガラスセラミックス層２が積層されるとともに、内部導体（ビアホール導体３及び表面導体４）を有する多層セラミックス基板である。これらビアホール導体３や表面導体４において、内側部分３ａ，４ａと外側部分３ｂ，４ｂで金属組成が異なる。例えば、内側部分３ａ，３ｂはＡｇにより構成されているのに対して、外側部分はＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる少なくとも１種を含有する。
【選択図】 図３

Description

本発明は、例えばビアホール導体等の内部導体を有する多層セラミックス基板及びその製造方法に関するものであり、特に、内部導体周囲の欠陥を防止する技術に関する。

電子機器等の分野においては、電子デバイスを実装するための基板が広く用いられているが、近年、電子機器の小型軽量化や多機能化等の要望に応え、且つ高信頼性を有する基板として、多層セラミッスク基板が提案され実用化されている。多層セラミックス基板は、複数のセラミックス層を積層することにより構成され、各セラミックス層に配線導体や電子素子等を一体に作り込むことで、高密度実装が可能となっている。

前記多層セラミックス基板は、複数のグリーンシートを積層して積層体を形成した後、これを焼成することにより形成される。そして、前記グリーンシートは、この焼成工程における焼結に伴って必ず収縮し、多層セラミックス基板の寸法精度を低下する大きな要因となっている。具体的には、前記収縮に伴って収縮バラツキが発生し、最終的に得られる多層セラミックス基板においては、寸法精度は、０．５％程度に留まっている。

このような状況から、多層セラミックス基板の焼成工程において、グリーンシートの面内方向の収縮を抑制し、厚さ方向にのみ収縮させる、いわゆる無収縮焼成方法が提案されている（例えば、特許文献１等を参照）。特許文献１等にも記載されるように、前記焼成温度でも収縮しないシートをグリーンシートの積層体に貼り付け、この状態で焼成を行うと、前記面内方向の収縮が抑制され、厚さ方向にのみ収縮する。この方法によれば、多層セラミックス基板の面内方向の寸法精度を例えば０．０５％程度にまで改善することが可能である。

ところで、多層セラミックス基板においては、層間接続を図るためのビアホール導体等の内部導体の形成が必須であり、前記多層セラミックス基板の作製に際しては、例えばビアホールを形成し、ここに導体ペーストを充填して焼成することが行われる。この場合、導体ペーストとグリーンシートの熱収縮挙動の相違等により、内部導体（例えばビアホール導体）の周囲に空隙（欠陥）が発生することが知られている。このような欠陥の発生は、特に無収縮焼成方法において顕著である。

そこで、このような欠陥を解消するための技術も各方面で検討されている（例えば、特許文献２、３等を参照）。例えば、特許文献２記載の発明では、ビア孔に充填される導体組成物として、Ａｇ等の導電性粉末と、Ｍｏ化合物またはＭｏ金属とを含有する多層セラミック基板用導電組成物を用いることで、焼成後の電極近傍に欠陥を生じない多層セラミック基板の製造を可能としている。同様に、特許文献３記載の発明では、ビアホール導体をＡｇとＷとから構成することで、ビアホール導体とビアホールの内壁との間に隙間が生じないようにしている。
特開平１０−７５０６０号公報 特開２００３−１３３７４５号公報 特許第２７３２１７１号公報

しかしながら、本発明者らがさらなる検討を重ねた結果、前記ＭｏやＷの添加では、必ずしも満足し得る結果が得られず、特に、前記無収縮焼成法により多層セラミックス基板を作製する場合等においては、ＭｏやＷを添加しても内部導体周囲に欠陥の発生が見られることがわかった。

前記のような内部導体周囲の欠陥を防ぐためには、例えば内部導体材料（導電材料）として、ＡｕやＰｄ等を用いることも有効であるが、Ａｇを用いた場合に比べて大幅な製造コストの増加を招く。

本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、内部導体を有する多層セラミックス基板において、製造コストの増加を極力抑えながら内部導体周囲に生ずる欠陥を確実に解消可能とすることを目的とし、これにより信頼性の高い多層セラミックス基板を提供し、さらにはその製造方法を提供することを目的とする。

前述の目的を達成するために、本発明の多層セラミックス基板は、複数のガラスセラミックス層が積層されるとともに、内部導体を有する多層セラミックス基板であって、前記内部導体の少なくとも一部において、内側部分と外側部分で金属組成が異なることを特徴とする。また、本発明の製造方法は、複数のガラスセラミックスグリーンシートのうちの少なくとも一部に導体ペーストからなる導体パターンを形成した後、これらを積層して焼成する多層セラミックス基板の製造方法であって、前記導体パターンの内側部分と外側部分を金属組成が異なる導体ペーストにより形成し、焼成することにより内部導体を形成することを特徴とする。

内部導体を有する多層セラミックス基板の焼成に際しては、内部導体とガラスセラミックス層（ガラスセラミックスグリーンシート）の熱収縮の相違により欠陥が発生するものと考えられており、前記各従来技術においても、この内部導体とガラスセラミックス層の熱収縮の相違を解消することに主眼が置かれている。しかしながら、本発明者らが子細に検討した結果、焼成時に内部導体（例えばＡｇ）が周囲に拡散し、この部分のガラスセラミックスの焼結開始温度が低下することにより、他の部分と熱収縮に差が生じ、前記欠陥が生ずることがわかってきた。

本発明では、前記の通り、内部導体の内側部分と外側部分で金属組成を変えており、これにより内部導体に含まれるＡｇ等の拡散が防止される。例えば、内部導体の導電材料としてＡｇを用いた場合、内部導体の周囲（外側部分）に異なる金属を含ませておけば、内側部分からＡｇが拡散してきたときに、これを合金化し、ガラスセラミック層への拡散を防ぐ。その結果、内部導体周囲における焼結開始温度の低下が解消され、内部導体近傍のガラスセラミックス層の焼結が他の部分よりも先に始まることによる空隙の発生が抑えられる。

本発明によれば、内部導体近傍におけるガラスセラミックス層の焼結開始温度の差による空隙の発生を抑えることができ、内部導体周囲に生ずる欠陥を確実に解消することが可能である。したがって、本発明によれば、欠陥が無く信頼性の高い多層セラミックス基板を提供することが可能である。また、本発明においては、内部導体を構成する導電材料として、主にＡｇ等の安価な導電材料を用い、例えばＡｕやＰｄ等の貴金属は外側部分にのみ用いればよいので、製造コストの増加を最小限に抑えることができる。

以下、本発明を適用した多層セラミックス基板及びその製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。

本発明の多層セラミックス基板１は、図１に示すように、複数層のガラスセラミックス層２（ここでは４層のガラスセラミックス層２ａ〜２ｄ）を積層し、これらガラスセラミックス層２ａ〜２ｄを貫通するビアホール導体３やガラスセラミックス層２ａ〜２ｄの両面に形成された表面導体４等の内部導体を設けてなるものである。

各ガラスセラミックス層２ａ〜２ｄは、所定のガラス組成を有する複合酸化物に例えばアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）等を加えたものを焼成することにより形成されるものである。ここで、ガラス組成を有する複合酸化物を構成する各酸化物としては、ＳｉＯ_２やＢ_２Ｏ_３、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ｌａ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏ等を挙げることができ、これらを適宜組み合わせて用いればよい。多層セラミックス基板１を構成する各セラミックス層を前記ガラスセラミックス層とすることにより、低温での焼成が可能となる。

一方、内部導体のうちのビアホール導体３は、各ガラスセラミックス層２ａ〜２ｄに形成されたビアホールに導電ペーストの焼成により残存する導電材が充填形成された形で形成されており、このビアホール導体３によって各セラミックス層２ａ〜２ｄに形成された表面導体４間を電気的に接続したり、熱を伝導する等の機能を果たしている。ビアホール導体３の断面形状は、通常は概ね円形であるが、これに限らず、限られた形状スペース範囲において大きな断面積を得るために、例えば楕円形、長円形、正方形等、任意の形状とすることができる。

ここで、前記ビアホール導体３や表面導体４等の内部導体は、いずれも導体ペーストを焼成することにより形成されるが、通常は、例えば導電材料として銀（Ａｇ）が用いられている。この場合、Ａｇが焼成時に前記ガラスセラミック層２ａ〜２ｄに拡散し、内部導体周囲のガラスセラミックス層とその他の部分のガラスセラミックス層で焼結開始温度に差が生ずるという現象が発生し、これが原因で空隙等の欠陥が生じている。

図２は、ビアホール導体３近傍での欠陥発生のメカニズムを説明する図である。焼成後にガラスセラミックス層２ａ〜２ｄとなるセラミックス素地１１に形成されたビアホールに導体ペースト１２を充填して焼成を行った場合、図２（ａ）に示すように、温度上昇に伴って、先ず、導体ペースト１２中のＡｇが周囲のセラミックス素地１１に拡散する。そして、このセラミックス素地１１のうち前記Ａｇが拡散した領域１１ａでは、焼結開始温度が低下して、セラミックス素地１１の他の部分１１ｂよりも先に焼結が始まる。このとき、前記領域１１ａでは焼結が始まって収縮するのに対して、前記他の部分１１ｂでは焼結が始まらないので収縮せず、これらの収縮の差により空隙１３が発生する。

さらに温度が上昇すると、図２（ｂ）に示すように、セラミックス素地１１の他の部分１１ｂにおいても焼結が始まり、これに伴って外側に向かう矢印で示すような引き込みが始まる。このとき、導体ペースト１２の焼結も始まり、導体ペースト１２の周囲では内側に向かう矢印で示すような収縮が起こり、前記空隙１３が拡大する。その結果、図２（ｃ）に示すように、焼結完了時に導体ペースト１２が焼成されて形成されるビアホール導体３の周囲に大きな空隙（欠陥）１３が形成されることになる。

このような欠陥発生のメカニズムを考えた場合、前記Ａｇの拡散による導体ペースト周囲のセラミック素地１１の焼結開始温度の低下を抑えることが効果的と考えられる。そこで、本発明では、ビアホール導体３や表面導体パターン４を二重構造とし、内側部分と外側部分を異なる金属組成とすることで、前記拡散を抑えることとする。

図３は、前記二重構造とした内部導体の一例を示すものである。具体的には、図３（ａ）はビアホール導体３を二重構造とした例であり、円柱状のビアホール導体１の内側部分（中心部分）３ａと外側部分（外周部分）３ｂとが異なる金属組成の導電材料により形成されている。図３（ｂ）は、表面導体４を二重構造とした例であり、印刷等により内側部分４ａの周囲に外側部分４ｂが形成された形になっている。

ここで、前記内部導体（ビアホール導体３や表面導体４）においては、内側部分３ａ，４ａと外側部分３ｂ，４ｂとでこれらの部分を構成する導電材料の金属組成が異なることが重要であり、これにより前記Ａｇの拡散が防止される。各部分を構成する導電材料の金属組成は、前記要件を満たせば任意に選定することができるが、先ず、内側部分３ａ，４ａに関して言えば、Ａｇを主体とする組成とすることが好ましい。前記内側部分３ａ，４ａは、ビアホール導体３や表面導体４の主要部となる部分であり、その導電材料として例えばＡｇを用いることで、導体としての信頼性を維持することができる。Ａｇは電気抵抗が低く、また比較的安価であることから、信頼性の高いビアホール導体３、表面導体４を低コストで形成することが可能である。

一方、外側部分３ｂ，４ｂに関しては、例えば内側部分３ａ，４ａがＡｇにより構成される場合には、Ａｇ以外の金属を含んでいる必要があり、Ａｇ以外の金属としては任意に選定可能である。ただし、前記外側部分３ｂ，４ｂを構成する金属組成には、それ自体がセラミックス素地になるべく拡散しないこと、内側部分３ａ，４ａを構成するＡｇと合金化する等してＡｇのセラミック素地への拡散を抑えること等が要求される。したがって、前記外側部分３ｂ，４ｂは、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選択することが好ましい。これら金属は、前記要求を満たし、Ａｇの拡散を効果的に防止する。なお、前記Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔは、単独で前記外側部分３ｂ，４ｂに用いることもできるし、２種類以上を組み合わせて用いることもできる。さらに、前記外側部分３ｂ，４ｂは、合金化されていてもよく、例えばＡｇ合金とすることも可能である。合金の例としては、Ａｇと前記Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔのうちの少なくとも１種との合金等を挙げることができる。

前述のように内部導体を二重構造とし、Ａｇ等の拡散を防止するためには、例えば内部導体を２種類の導体ペーストを用いて形成し、これを焼成すればよい。以下、前記多層セラミックス基板１の製造方法について説明する。

多層セラミックス基板を作製するには、先ず、図４（ａ）に示すように、焼成後に各ガラスセラミックス層となるガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄを用意する。ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄは、前述の酸化物粉末と有機ビヒクルとを混合して得られるスラリー状の誘電体ペーストを作り、これを例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート等の支持体上にドクターブレード法等によって成膜することにより形成する。前記有機ビヒクルとしては、公知のものがいずれも使用可能である。

前記ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄの形成後、所定の位置に貫通孔（ビアホール）を形成する。前ビアホールは、通常は円形の孔として形成され、ここに導体ペースト２２を充填することによりビアホール導体が形成される。さらに、各ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄの表面に所定のパターンで導電ペーストを印刷し、表面導体パターン２３を形成する。

前記ビアホールに充填される導体ペースト２２や表面導体パターン２３の形成に用いられる導体ペーストは、例えばＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金等の各種導電性金属や合金からなる導電材料と有機ビヒクルとを混練することにより調製されるものであるが、前記二重構造とするためには、２種類の導体ペーストを用いる。例えば、ビアホール内の導体ペースト２２は、比較的粘度の低い第１の導体ペーストによってビアホールの内壁を覆った後、比較的粘度の高い第２の導体ペーストを充填することにより形成する。粘度の低い第１の導体ペーストをビアホールに充填すると、ビアホールが完全には閉塞されず、例えば真空下で第１の導体ペーストの充填を行えば、中央部に孔が残った状態となる。ここに第２の導体ペーストを充填すれば、内側が第２の導体ペーストで形成され、外側が第１の導体ペーストで形成され、前記二重構造とされる。表面導体パターン２３は、内側部分を第２の導体ペーストで印刷形成した後、外周部分に第１の導体ペーストを印刷すればよい。

この場合、内部導体（ビアホール導体や表面導体）の内側部分となる第２の導体ペーストには、Ａｇを導電材料とする導体ペーストを用いる。一方、内部導体の外側部分となる第１の導体ペーストには、ＡｕやＰｄ、Ｐｔ、さらにはこれらとＡｇからなる合金等を導電材料とする導体ペーストを用いる。

なお、前記各導体ペーストにおいて、有機ビヒクルは、バインダと溶剤を主たる成分とするものであり、導電材料との配合比等は任意であるが、通常はバインダ１〜１５質量％、溶剤が１０〜５０質量％となるように導電材料に対して配合される。導体ペーストには、必要に応じて各種分散剤や可塑剤等から選択される添加物が添加されていてもよい。

各ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄに内部導体となる導体ペースト２２を充填し、表面導体パターン２３を形成した後、図４（ｂ）に示すように、これらを重ねて積層体とするが、このとき、積層体の両側（最外層）に、収縮抑制用グリーンシート２４を拘束層として配し、焼成を行う。

収縮抑制用グリーンシート２４には、前記ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄの焼成温度では収縮しない材料、例えばトリジマイトやクリストバライト、さらには石英、溶融石英、アルミナ、ムライト、ジルコニア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、炭化ケイ素等を含む組成物が用いられ、これら収縮抑制用グリーンシート２４間に積層体を挟み込み、焼成を行うことで、前記積層体の面内方向での収縮が抑えられる。

図４（ｂ）は、いわゆる積層体の仮スタックの状態であるが、次に、図４（ｃ）に示すようにプレスを行い、さらに図４（ｄ）に示すように焼成を行う。焼成後には、前記ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄはガラスセラミックス層２ａ〜２ｄとなり、前記ビアホール内の導体ペースト２３はビアホール導体３になる。同様に、表面導体パターン２４も表面導体４となる。

前記焼成において、各ガラスセラミックスグリーンシート２１ａ〜２１ｄは、焼成に伴い収縮しているが、最も外側のガラスセラミックスグリーンシート２１ａ，２１ｄでは前記収縮抑制用グリーンシート２４の拘束力が強く働き、ほとんど収縮していない。これに対して、積層方向の中央部分のガラスセラミックスグリーンシート２１ｂ，２１ｃは、前記収縮抑制用グリーンシート２４から離れているため、その拘束力が弱く、ある程度収縮する。したがって、内部導体の周囲、例えばビアホール導体３の周囲には空隙等の欠陥が発生し易くなるが、前記導体ペースト２３や表面導体パターン２４を二重構造とし、内側部分の導電材料であるＡｇの拡散を抑え、セラミックス素地の焼結開始温度の低下を抑えるようにしているので、前記空隙等の欠陥の発生が確実に抑えられる。前記焼成に際しては、内部導体の外側部分をＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔ等とすることで、内側部分のＡｇの拡散が遮断される。あるいは、前記外側部分が焼成時にＡｇと合金化することで、Ａｇの拡散が抑制される。

焼成後には、図４（ｅ）に示すように、熱膨張の差により前記収縮抑制用グリーンシート２４は自然剥離され、本発明の多層セラミックス基板１が得られる。得られる多層セラミックス基板１においては、内部導体（ビアホール導体３や表面導体４）の周囲に欠陥が生ずることがなく、信頼性の高い多層セラミックス基板を実現することが可能である。

なお、前記拡散元素の拡散による欠陥防止効果は、前述の収縮抑制用グリーンシート２４を配して焼成を行う無収縮焼成とした場合に大きいが、これに限らず、収縮抑制用グリーンシートを用いない場合にも同様の効果を得ることができる。

以下、本発明を適用した具体的な実施例について、実験結果に基づいて説明する。

欠陥発生メカニズムの解明
ガラスセラミックスグリーンシートに貫通孔を形成し、ここにビアホール導体となる導体ペーストを充填して焼成を行った。ガラスセラミックスグリーンシートの材料組成は、ＳｉＯ_２３２．８７質量％、Ｂ_２Ｏ_３２．１９質量％、Ａｌ_２Ｏ_３４４．５３質量％、ＭｇＯ１．０７質量％、ＣａＯ１．９８質量％、ＳｒＯ１７．３６質量％である。また、導体ペーストとしては、導電材料としてＡｇを含む導体ペーストを用いた。焼成は、α石英とトリジマイトを含む収縮抑制用グリーンシート（拘束層）を配し、無収縮焼成法により行った。

図５は、焼成後のビアホール導体近傍の様子を示す顕微鏡写真である。ビアホール導体の周囲に空隙が形成されているが、この空隙は、ビアホール導体とセラミックス素地の界面に形成されているわけではなく、ビアホール導体と空隙の間にセラミックス素地が存在する。そこで、このビアホール導体と空隙の間に存在するセラミックス素地組成分析を行ったところ、ビアホール導体から拡散したＡｇが含まれることがわかった。

一方、前記ガラスセラミックス材料組成にＡｇを加えて縮率の相違を調べた。測定したのは、前記ガラスセラミックス材料組成（Ａｇ無添加）、前記ガラスセラミックス材料組成にＡｇを２質量％添加したもの、前記ガラスセラミックス材料組成にＡｇを４質量％添加したものの３種類である。縮率の測定に際しては、温度を次第に上昇させながら収縮の様子を調べた。結果を図６に示す。図６から明らかなように、Ａｇを添加することにより、低温で収縮が始まっており、Ａｇがガラスセラミックス素地中に拡散することで焼結開始温度が低下することがわかった。

これらの測定結果より、内部導体周囲のガラスセラミックス素地とその他の部分のガラスセラミックス素地とで焼結開始温度に差が生じ、図２（ａ）〜（ｃ）に示すようなメカニズムで欠陥が発生するものと推測される。

内部導体を二重構造とすることによる効果の確認
ビアホール導体の内側部分と外側部分を表１に示すような異なる導電材料により構成し、前記と同様にガラスセラミックスグリーンシートを形成した。そして、両側にα石英とトリジマイトを含む収縮抑制用グリーンシート（拘束層）を配し、無収縮焼成法により焼成を行った。焼成後、ガラスセラミック層における欠陥の有無を調べた。また、比較のため、内部導体（ビアホール導体）をＡｇのみにより形成した場合（比較例）についても、同様の測定を行った。結果を表１に示す。

この表１からも明らかな通り、内部導体（ビアホール導体）の外側部分をＡｕやＰｄ、Ｐｔ、さらにはこれらの合金とすることにより、欠陥の発生が効果的に抑えられている。これに対し、比較例では、内部導体がＡｇのみにより構成されているので、拡散による欠陥の発生が見られた。

多層セラミックス基板の一例を示す概略断面図である。 （ａ）〜（ｃ）は欠陥発生のメカニズムを説明する図である。 内部導体を二重構造とした例を示すものであり、（ａ）はビアホール導体の模式図、（ｂ）は表面導体の模式図である。 多層セラミックス基板の製造プロセスを示す模式的な断面図であり、（ａ）はガラスセラミックスグリーンシート及び内部導体形成工程、（ｂ）は仮スタック工程、（ｃ）はプレス工程、（ｄ）は焼成工程、（ｅ）は収縮抑制用グリーンシート剥離工程を示す。 ビアホール導体近傍の欠陥発生の様子を示す顕微鏡写真である。 Ａｇの拡散による焼結開始温度の変化を示す特性図である。

符号の説明

１ 多層セラミックス基板、２ａ〜２ｄ ガラスセラミックス層、２Ａ 拡散領域、３ ビアホール導体、３ａ 内側部分、３ｂ 外側部分、４ 表面導体、４ａ 内側部分、４ｂ 外側部分、１１ ガラスセラミックス素地、１２ 導体ペースト、１３ 空隙（欠陥）、２１ａ〜２１ｄ ガラスセラミックスグリーンシート、２２ 導体ペースト、２３ 表面導体パターン、２４ 収縮抑制用グリーンシート

Claims (9)

1. 複数のガラスセラミックス層が積層されるとともに、内部導体を有する多層セラミックス基板であって、
   前記内部導体の少なくとも一部において、内側部分と外側部分で金属組成が異なることを特徴とする多層セラミックス基板。
2. 少なくとも前記内側部分にＡｇが含まれていることを特徴とする請求項１記載の多層セラミックス基板。
3. 前記外側部分がＡｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる少なくとも１種を含有することを特徴とする請求項１または２記載の多層セラミックス基板。
4. 前記外側部分がＡｇ合金により構成されていることを特徴とする請求項２記載の多層セラミックス基板。
5. 前記Ａｇ合金は、Ａｕ、Ｐｄ、Ｐｔから選ばれる少なくとも１種との合金であることを特徴とする請求項４記載の多層セラミックス基板。
6. 収縮抑制プロセスにより作製されたものであることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項記載の多層セラミックス基板。
7. 複数のガラスセラミックスグリーンシートのうちの少なくとも一部に導体ペーストからなる導体パターンを形成した後、これらを積層して焼成する多層セラミックス基板の製造方法であって、
   前記導体パターンの内側部分と外側部分を金属組成が異なる導体ペーストにより形成し、焼成することにより内部導体を形成することを特徴とする多層セラミックス基板の製造方法。
8. 前記焼成により、前記内側部分の導体ペーストに含まれる金属を外側部分に拡散させ、合金化することを特徴とする請求項７記載の多層セラミックス基板の製造方法。
9. 前記内側部分を形成する導体ペーストが導電材料としてＡｇを含有し、前記焼成後に形成される内部導体の外側部分をＡｇ合金化することを特徴とする請求項８記載の多層セラミックス基板の製造方法。

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