JPH1166951A - 低温焼成セラミック用導体ペースト及び低温焼成セラミック多層基板の製造方法 - Google Patents
低温焼成セラミック用導体ペースト及び低温焼成セラミック多層基板の製造方法Info
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- JPH1166951A JPH1166951A JP23094397A JP23094397A JPH1166951A JP H1166951 A JPH1166951 A JP H1166951A JP 23094397 A JP23094397 A JP 23094397A JP 23094397 A JP23094397 A JP 23094397A JP H1166951 A JPH1166951 A JP H1166951A
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Abstract
ストの過剰焼結を抑制する。 【解決手段】 低温焼成セラミックのグリーンシート2
1のビアホール22に充填する導体ペーストは、導体と
してAg粉末を含み、且つ、焼結抑制材として、酸化開
始温度が300℃以上のケイ化物(例えばCrSi2 、
ZrSi2 等)を含む。Ag粉末とケイ化物との配合比
は、Agが50〜99.5重量%、ケイ化物が0.5〜
50重量%とする。この導体ペーストを各層のグリーン
シート21のビアホール22に印刷により充填してビア
導体23を形成する。更に、最上層のグリーンシート2
1のビア導体23上に、ケイ化物を含まない導体ペース
ト(Agペースト、Ag−Pdペースト等)を印刷して
パッド25を形成する。印刷工程終了後、各層のグリー
ンシート21を積層し、これを空気中で800〜100
0℃で焼成する。
Description
を含む低温焼成セラミック用導体ペースト及びこの導体
ペーストを用いて製造する低温焼成セラミック多層基板
の製造方法に関するものである。
温焼成セラミック基板では、同時焼成用の導体として、
Ag、Au、Ag−Pd、Ag−Pt、Cu等の低融点
金属が用いられている。これらの金属のうち、Auは高
価であるため、コスト面から使用範囲が制限され、Ag
−Pd、Ag−Ptは、合金化により抵抗値が大幅に増
加する欠点がある。また、Cuは、空気中(酸化性雰囲
気中)で焼成すると酸化するため、還元性雰囲気
(N2 )中で同時焼成しなければならず、焼成コストが
高くつくという欠点がある。この点、Agは、空気中で
焼成できると共に、Ag−Pd、Ag−Ptと比較して
抵抗値が小く、しかも、Auより安価であり、コスト面
でも有利である。
した低融点金属の中で最も融点が低い(960.7℃)
ため、850℃以上で焼成する低温焼成セラミックと同
時焼成すると、Agが焼結過剰となり、焼成収縮が大き
くなる。このため、低温焼成セラミック基板の同時焼成
用の導体ペーストとして、Agペーストを用いて同時焼
成すると、図1(b)に示すように、ビアホール11内
に充填したAgのビア導体12,13が過剰に焼成収縮
して、内層のビア導体12の層間接続部に空隙14が発
生してビア導体12の接続信頼性が低下する原因となっ
たり、或は、基板表層のビア導体13の真上に形成した
パッド15に凹みが発生して、該パッド15に接合する
半導体チップの接合信頼性が低下する原因となってい
た。
たものであり、従ってその目的は、Ag系の導体ペース
トでありながら、焼成収縮量を小さくできる低温焼成セ
ラミック用導体ペーストを提供することであり、更に
は、低温焼成セラミックと同時焼成する導体の信頼性を
向上することができる低温焼成セラミック多層基板の製
造方法を提供することにある。
に、本発明の低温焼成セラミック用導体ペーストは、導
体としてAg系の金属粉末を含み、且つ、焼結抑制材と
して酸化開始温度が300℃以上のケイ化物の粉末を含
んでいる(請求項1)。このように、酸化開始温度が3
00℃以上のケイ化物の粉末をAg系導体ペーストに配
合することで、同時焼成時の低温焼成セラミックの焼結
速度に合わせてAg系導体ペーストの焼結速度を遅くす
ることができ、Ag系導体の過剰な焼結を防ぐことがで
きる。
の配合比は、Ag系の金属粉末が50〜99.5重量
%、ケイ化物が0.5〜50重量%とすることが好まし
い(請求項2)。この配合比であれば、Ag系導体とし
ての低抵抗特性とケイ化物による焼結抑制効果とを両立
できる。
導体ペーストを複数枚の低温焼成セラミックのグリーン
シートに印刷し、これらを積層して同時焼成すれば、導
体とセラミックとの焼成収縮量の差が少ない良質の低温
焼成セラミック多層基板を製造することができる。
ラミックのグリーンシートに形成されたビアホールに、
ケイ化物を含む導体ペーストを印刷により充填してビア
導体を形成した後、該ビア導体上に、ケイ化物を含まな
い導体ペーストを印刷してパッドを形成し、該グリーン
シートを最上層にして他の印刷済みのグリーンシートと
積層して同時焼成し、低温焼成セラミック多層基板を製
造するようにしても良い。このようにすれば、ビア導体
の過剰な焼結を防ぐことができ、ビア導体に焼結過剰に
よる空隙や凹みが発生することを防ぐことができる。し
かも、パッドはケイ化物を含まない導体で形成されるた
め、ケイ化物による抵抗値の増加は最小限に抑えられ
る。
形態では、低温焼成セラミックのグリーンシート21の
セラミック材料として、CaO−SiO2 −Al2 O3
−B2 O3 系ガラス50〜65重量%とアルミナ35〜
50重量%との混合物を用いる。この他、MgO−Si
O2 −Al2 O3 −B2 O3 系ガラスとアルミナ粉末と
の混合物や、SiO2 −B2 O3 系ガラスとアルミナと
の混合物、PbO−SiO2 −B2 O3 系ガラスとアル
ミナとの混合物、コージェライト系結晶化ガラス等、8
00〜1000℃で焼成できる低温焼成セラミック材料
を用いても良い。このグリーンシート21には、パンチ
ングマシーンや打ち抜き型等によって直径50〜100
0μmのビアホール22を打ち抜き形成する。
トは、導体としてAg粉末を含み、且つ、焼結抑制材と
して、酸化開始温度が300℃以上のケイ化物粉末を含
む。酸化開始温度が300℃以上のケイ化物としては、
図2に示すようにCrSi2、TaSi2 、ZrS
i2 、WSi2 、NbSi2 、TiSi2 、MoSi2
等があり、これらの中から1種又は複数種のケイ化物を
選択して導体ペーストに配合すれば良い。ここで、Ag
粉末とケイ化物粉末との配合比は、Ag粉末が50〜9
9.5重量%、ケイ化物が0.5〜50重量%とするこ
とが好ましい。尚、導体ペーストには、Ag粉末、ケイ
化物の他に、バインダ樹脂と有機溶剤が配合されてい
る。
グリーンシート21のビアホール22にスクリーン印刷
して充填してビア導体23を形成する。更に、内層のグ
リーンシート21の表面に、ケイ化物を含まない低温焼
成セラミック用導体ペーストを用いて内層配線パターン
24をスクリーン印刷すると共に、最上層のグリーンシ
ート21のビア導体23上に、必要に応じて、ケイ化物
を含まない低温焼成セラミック用導体ペーストを印刷し
てパッド25を形成しても良い。この際、ケイ化物を含
まない低温焼成セラミック用導体ペーストとしては、A
gペースト、Ag−Pdペースト、Ag−Ptペースト
等を用いれば良い。
1を積層して圧着し、これを空気中で800〜1000
℃で焼成する。最後に、パッド25の表面にNi/Au
めっきを施す。
填するAg系の導体ペーストにケイ化物を配合すること
で、同時焼成時の低温焼成セラミックの焼結速度に合わ
せてAg系のビア導体23の焼結速度を遅くすることが
でき、ビア導体23の過剰な焼結を防ぐことができて、
ビア導体23の焼成収縮量を低温焼成セラミックの焼成
収縮量に近付けることができる。これにより、ビア導体
23の層間接続部に焼結過剰による空隙が発生すること
を防ぐことができ、ビア導体23の接続信頼性を向上で
きると共に、ビア導体23上のパッド25に凹みが発生
することを防止できて、該パッド25に接合する半導体
チップの接合信頼性を向上できる。
すると、ケイ化物を含まないものより抵抗値が大きくな
るが、ケイ化物の配合量が50重量%以下であれば、抵
抗値が許容範囲に収まる。また、ケイ化物の配合量が少
なくなるに従って、焼結抑制効果が低下するが、ケイ化
物の配合量が0.5重量%以上であれば、ある程度の焼
結抑制効果が得られる。従って、Ag粉末とケイ化物と
の配合比は、Ag粉末:50〜99.5重量%、ケイ化
物:0.5〜50重量%とすれば、Agペーストとして
の低抵抗特性とケイ化物による焼結抑制効果とを両立で
きる。
となるビア導体23のみをケイ化物入りのAgペースト
で形成し、焼結過剰がさほど問題とならないパッド25
や内層配線パターン24は、ケイ化物を含まない導体ペ
ーストで形成するようにしたので、ケイ化物による抵抗
値の増加を最小限に抑えながら、焼結過剰によるパッド
25の凹み等の問題を解消でき、品質の良い低温焼成セ
ラミック多層基板を製造することができる。
ターン24についても、ケイ化物入りの導体ペーストで
形成するようにしても良く、この場合でも、ケイ化物の
配合量を少なくすることで、抵抗値を低くすることがで
きる。
によれば、Ag系の導体ペーストに焼結抑制材として酸
化開始温度が300℃以上のケイ化物の粉末を配合した
ので、Ag系の導体ペーストでありながら、同時焼成時
の過剰な焼結を防ぐことができて、導体の焼成収縮量を
低温焼成セラミックのそれに近付けることができる(請
求項1,3)。
合比を、Ag系の金属粉末:50〜99.5重量%、ケ
イ化物:0.5〜50重量%としたので、Ag系導体と
しての低抵抗特性を失わずにケイ化物による焼結抑制効
果を得ることができる(請求項2)。
をケイ化物入りの導体ペーストで形成したので、ケイ化
物による抵抗値の増加を最小限に抑えながら、十分な焼
結抑制効果を得ることができる(請求項4)。
セラミック多層基板の部分拡大縦断面図、(b)は従来
の低温焼成セラミック多層基板の部分拡大縦断面図
との関係を示す図
導体、24…内層配線パターン、25…パッド。
Claims (4)
- 【請求項1】 低温焼成セラミックのグリーンシートに
印刷して、該グリーンシートと同時焼成する導体ペース
トであって、 導体としてAg系の金属粉末を含み、且つ、焼結抑制材
として酸化開始温度が300℃以上のケイ化物の粉末を
含んでいることを特徴とする低温焼成セラミック用導体
ペースト。 - 【請求項2】 請求項1に記載の低温焼成セラミック用
導体ペーストにおいて、 前記Ag系の金属粉末と前記ケイ化物との配合比は、A
g系の金属粉末が50〜99.5重量%、ケイ化物が
0.5〜50重量%であることを特徴とする低温焼成セ
ラミック用導体ペースト。 - 【請求項3】 請求項1又は2に記載の低温焼成セラミ
ック用導体ペーストを複数枚の低温焼成セラミックのグ
リーンシートに印刷し、これらを積層して同時焼成する
ことを特徴とする低温焼成セラミック多層基板の製造方
法。 - 【請求項4】 請求項3に記載の低温焼成セラミック多
層基板の製造方法において、 前記グリーンシートに形成されたビアホールに請求項1
又は2に記載の低温焼成セラミック用導体ペーストを印
刷により充填してビア導体を形成した後、該ビア導体上
に、ケイ化物を含まない低温焼成セラミック用導体ペー
ストを印刷してパッドを形成し、該グリーンシートを最
上層にして他の印刷済みのグリーンシートと積層して同
時焼成することを特徴とする低温焼成セラミック多層基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23094397A JP4099837B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 低温焼成セラミック多層基板の製造方法 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JPH1166951A true JPH1166951A (ja) | 1999-03-09 |
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JP23094397A Expired - Lifetime JP4099837B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 低温焼成セラミック多層基板の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP4099837B2 (ja) |
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- 1997-08-27 JP JP23094397A patent/JP4099837B2/ja not_active Expired - Lifetime
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US10785879B2 (en) | 2015-01-13 | 2020-09-22 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Circuit board and production method therefor |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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