JPH1166951A - 低温焼成セラミック用導体ペースト及び低温焼成セラミック多層基板の製造方法 - Google Patents
低温焼成セラミック用導体ペースト及び低温焼成セラミック多層基板の製造方法Info
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- JPH1166951A JPH1166951A JP23094397A JP23094397A JPH1166951A JP H1166951 A JPH1166951 A JP H1166951A JP 23094397 A JP23094397 A JP 23094397A JP 23094397 A JP23094397 A JP 23094397A JP H1166951 A JPH1166951 A JP H1166951A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 低温焼成セラミックと同時焼成するＡｇペー
ストの過剰焼結を抑制する。 【解決手段】 低温焼成セラミックのグリーンシート２
１のビアホール２２に充填する導体ペーストは、導体と
してＡｇ粉末を含み、且つ、焼結抑制材として、酸化開
始温度が３００℃以上のケイ化物（例えばＣｒＳｉ2 、
ＺｒＳｉ2 等）を含む。Ａｇ粉末とケイ化物との配合比
は、Ａｇが５０〜９９．５重量％、ケイ化物が０．５〜
５０重量％とする。この導体ペーストを各層のグリーン
シート２１のビアホール２２に印刷により充填してビア
導体２３を形成する。更に、最上層のグリーンシート２
１のビア導体２３上に、ケイ化物を含まない導体ペース
ト（Ａｇペースト、Ａｇ−Ｐｄペースト等）を印刷して
パッド２５を形成する。印刷工程終了後、各層のグリー
ンシート２１を積層し、これを空気中で８００〜１００
０℃で焼成する。
ストの過剰焼結を抑制する。 【解決手段】 低温焼成セラミックのグリーンシート２
１のビアホール２２に充填する導体ペーストは、導体と
してＡｇ粉末を含み、且つ、焼結抑制材として、酸化開
始温度が３００℃以上のケイ化物（例えばＣｒＳｉ2 、
ＺｒＳｉ2 等）を含む。Ａｇ粉末とケイ化物との配合比
は、Ａｇが５０〜９９．５重量％、ケイ化物が０．５〜
５０重量％とする。この導体ペーストを各層のグリーン
シート２１のビアホール２２に印刷により充填してビア
導体２３を形成する。更に、最上層のグリーンシート２
１のビア導体２３上に、ケイ化物を含まない導体ペース
ト（Ａｇペースト、Ａｇ−Ｐｄペースト等）を印刷して
パッド２５を形成する。印刷工程終了後、各層のグリー
ンシート２１を積層し、これを空気中で８００〜１００
０℃で焼成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ａｇ系の金属粉末
を含む低温焼成セラミック用導体ペースト及びこの導体
ペーストを用いて製造する低温焼成セラミック多層基板
の製造方法に関するものである。
を含む低温焼成セラミック用導体ペースト及びこの導体
ペーストを用いて製造する低温焼成セラミック多層基板
の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、１０００℃以下で焼成する低
温焼成セラミック基板では、同時焼成用の導体として、
Ａｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕ等の低融点
金属が用いられている。これらの金属のうち、Ａｕは高
価であるため、コスト面から使用範囲が制限され、Ａｇ
−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔは、合金化により抵抗値が大幅に増
加する欠点がある。また、Ｃｕは、空気中（酸化性雰囲
気中）で焼成すると酸化するため、還元性雰囲気
（Ｎ2 ）中で同時焼成しなければならず、焼成コストが
高くつくという欠点がある。この点、Ａｇは、空気中で
焼成できると共に、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔと比較して
抵抗値が小く、しかも、Ａｕより安価であり、コスト面
でも有利である。
温焼成セラミック基板では、同時焼成用の導体として、
Ａｇ、Ａｕ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔ、Ｃｕ等の低融点
金属が用いられている。これらの金属のうち、Ａｕは高
価であるため、コスト面から使用範囲が制限され、Ａｇ
−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔは、合金化により抵抗値が大幅に増
加する欠点がある。また、Ｃｕは、空気中（酸化性雰囲
気中）で焼成すると酸化するため、還元性雰囲気
（Ｎ2 ）中で同時焼成しなければならず、焼成コストが
高くつくという欠点がある。この点、Ａｇは、空気中で
焼成できると共に、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｔと比較して
抵抗値が小く、しかも、Ａｕより安価であり、コスト面
でも有利である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、Ａｇは、上記
した低融点金属の中で最も融点が低い（９６０．７℃）
ため、８５０℃以上で焼成する低温焼成セラミックと同
時焼成すると、Ａｇが焼結過剰となり、焼成収縮が大き
くなる。このため、低温焼成セラミック基板の同時焼成
用の導体ペーストとして、Ａｇペーストを用いて同時焼
成すると、図１（ｂ）に示すように、ビアホール１１内
に充填したＡｇのビア導体１２，１３が過剰に焼成収縮
して、内層のビア導体１２の層間接続部に空隙１４が発
生してビア導体１２の接続信頼性が低下する原因となっ
たり、或は、基板表層のビア導体１３の真上に形成した
パッド１５に凹みが発生して、該パッド１５に接合する
半導体チップの接合信頼性が低下する原因となってい
た。
した低融点金属の中で最も融点が低い（９６０．７℃）
ため、８５０℃以上で焼成する低温焼成セラミックと同
時焼成すると、Ａｇが焼結過剰となり、焼成収縮が大き
くなる。このため、低温焼成セラミック基板の同時焼成
用の導体ペーストとして、Ａｇペーストを用いて同時焼
成すると、図１（ｂ）に示すように、ビアホール１１内
に充填したＡｇのビア導体１２，１３が過剰に焼成収縮
して、内層のビア導体１２の層間接続部に空隙１４が発
生してビア導体１２の接続信頼性が低下する原因となっ
たり、或は、基板表層のビア導体１３の真上に形成した
パッド１５に凹みが発生して、該パッド１５に接合する
半導体チップの接合信頼性が低下する原因となってい
た。
【０００４】本発明はこのような事情を考慮してなされ
たものであり、従ってその目的は、Ａｇ系の導体ペース
トでありながら、焼成収縮量を小さくできる低温焼成セ
ラミック用導体ペーストを提供することであり、更に
は、低温焼成セラミックと同時焼成する導体の信頼性を
向上することができる低温焼成セラミック多層基板の製
造方法を提供することにある。
たものであり、従ってその目的は、Ａｇ系の導体ペース
トでありながら、焼成収縮量を小さくできる低温焼成セ
ラミック用導体ペーストを提供することであり、更に
は、低温焼成セラミックと同時焼成する導体の信頼性を
向上することができる低温焼成セラミック多層基板の製
造方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の低温焼成セラミック用導体ペーストは、導
体としてＡｇ系の金属粉末を含み、且つ、焼結抑制材と
して酸化開始温度が３００℃以上のケイ化物の粉末を含
んでいる（請求項１）。このように、酸化開始温度が３
００℃以上のケイ化物の粉末をＡｇ系導体ペーストに配
合することで、同時焼成時の低温焼成セラミックの焼結
速度に合わせてＡｇ系導体ペーストの焼結速度を遅くす
ることができ、Ａｇ系導体の過剰な焼結を防ぐことがで
きる。
に、本発明の低温焼成セラミック用導体ペーストは、導
体としてＡｇ系の金属粉末を含み、且つ、焼結抑制材と
して酸化開始温度が３００℃以上のケイ化物の粉末を含
んでいる（請求項１）。このように、酸化開始温度が３
００℃以上のケイ化物の粉末をＡｇ系導体ペーストに配
合することで、同時焼成時の低温焼成セラミックの焼結
速度に合わせてＡｇ系導体ペーストの焼結速度を遅くす
ることができ、Ａｇ系導体の過剰な焼結を防ぐことがで
きる。
【０００６】この場合、Ａｇ系の金属粉末とケイ化物と
の配合比は、Ａｇ系の金属粉末が５０〜９９．５重量
％、ケイ化物が０．５〜５０重量％とすることが好まし
い（請求項２）。この配合比であれば、Ａｇ系導体とし
ての低抵抗特性とケイ化物による焼結抑制効果とを両立
できる。
の配合比は、Ａｇ系の金属粉末が５０〜９９．５重量
％、ケイ化物が０．５〜５０重量％とすることが好まし
い（請求項２）。この配合比であれば、Ａｇ系導体とし
ての低抵抗特性とケイ化物による焼結抑制効果とを両立
できる。
【０００７】また、請求項３のように、ケイ化物を含む
導体ペーストを複数枚の低温焼成セラミックのグリーン
シートに印刷し、これらを積層して同時焼成すれば、導
体とセラミックとの焼成収縮量の差が少ない良質の低温
焼成セラミック多層基板を製造することができる。
導体ペーストを複数枚の低温焼成セラミックのグリーン
シートに印刷し、これらを積層して同時焼成すれば、導
体とセラミックとの焼成収縮量の差が少ない良質の低温
焼成セラミック多層基板を製造することができる。
【０００８】この場合、請求項４のように、低温焼成セ
ラミックのグリーンシートに形成されたビアホールに、
ケイ化物を含む導体ペーストを印刷により充填してビア
導体を形成した後、該ビア導体上に、ケイ化物を含まな
い導体ペーストを印刷してパッドを形成し、該グリーン
シートを最上層にして他の印刷済みのグリーンシートと
積層して同時焼成し、低温焼成セラミック多層基板を製
造するようにしても良い。このようにすれば、ビア導体
の過剰な焼結を防ぐことができ、ビア導体に焼結過剰に
よる空隙や凹みが発生することを防ぐことができる。し
かも、パッドはケイ化物を含まない導体で形成されるた
め、ケイ化物による抵抗値の増加は最小限に抑えられ
る。
ラミックのグリーンシートに形成されたビアホールに、
ケイ化物を含む導体ペーストを印刷により充填してビア
導体を形成した後、該ビア導体上に、ケイ化物を含まな
い導体ペーストを印刷してパッドを形成し、該グリーン
シートを最上層にして他の印刷済みのグリーンシートと
積層して同時焼成し、低温焼成セラミック多層基板を製
造するようにしても良い。このようにすれば、ビア導体
の過剰な焼結を防ぐことができ、ビア導体に焼結過剰に
よる空隙や凹みが発生することを防ぐことができる。し
かも、パッドはケイ化物を含まない導体で形成されるた
め、ケイ化物による抵抗値の増加は最小限に抑えられ
る。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１（ａ）に示す本発明の一実施
形態では、低温焼成セラミックのグリーンシート２１の
セラミック材料として、ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3
−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス５０〜６５重量％とアルミナ３５〜
５０重量％との混合物を用いる。この他、ＭｇＯ−Ｓｉ
Ｏ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアルミナ粉末と
の混合物や、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアルミナと
の混合物、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアル
ミナとの混合物、コージェライト系結晶化ガラス等、８
００〜１０００℃で焼成できる低温焼成セラミック材料
を用いても良い。このグリーンシート２１には、パンチ
ングマシーンや打ち抜き型等によって直径５０〜１００
０μｍのビアホール２２を打ち抜き形成する。
形態では、低温焼成セラミックのグリーンシート２１の
セラミック材料として、ＣａＯ−ＳｉＯ2 −Ａｌ2 Ｏ3
−Ｂ2 Ｏ3 系ガラス５０〜６５重量％とアルミナ３５〜
５０重量％との混合物を用いる。この他、ＭｇＯ−Ｓｉ
Ｏ2 −Ａｌ2 Ｏ3 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアルミナ粉末と
の混合物や、ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアルミナと
の混合物、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 系ガラスとアル
ミナとの混合物、コージェライト系結晶化ガラス等、８
００〜１０００℃で焼成できる低温焼成セラミック材料
を用いても良い。このグリーンシート２１には、パンチ
ングマシーンや打ち抜き型等によって直径５０〜１００
０μｍのビアホール２２を打ち抜き形成する。
【００１０】このビアホール２２に充填する導体ペース
トは、導体としてＡｇ粉末を含み、且つ、焼結抑制材と
して、酸化開始温度が３００℃以上のケイ化物粉末を含
む。酸化開始温度が３００℃以上のケイ化物としては、
図２に示すようにＣｒＳｉ2、ＴａＳｉ2 、ＺｒＳ
ｉ2 、ＷＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 、ＴｉＳｉ2 、ＭｏＳｉ2
等があり、これらの中から１種又は複数種のケイ化物を
選択して導体ペーストに配合すれば良い。ここで、Ａｇ
粉末とケイ化物粉末との配合比は、Ａｇ粉末が５０〜９
９．５重量％、ケイ化物が０．５〜５０重量％とするこ
とが好ましい。尚、導体ペーストには、Ａｇ粉末、ケイ
化物の他に、バインダ樹脂と有機溶剤が配合されてい
る。
トは、導体としてＡｇ粉末を含み、且つ、焼結抑制材と
して、酸化開始温度が３００℃以上のケイ化物粉末を含
む。酸化開始温度が３００℃以上のケイ化物としては、
図２に示すようにＣｒＳｉ2、ＴａＳｉ2 、ＺｒＳ
ｉ2 、ＷＳｉ2 、ＮｂＳｉ2 、ＴｉＳｉ2 、ＭｏＳｉ2
等があり、これらの中から１種又は複数種のケイ化物を
選択して導体ペーストに配合すれば良い。ここで、Ａｇ
粉末とケイ化物粉末との配合比は、Ａｇ粉末が５０〜９
９．５重量％、ケイ化物が０．５〜５０重量％とするこ
とが好ましい。尚、導体ペーストには、Ａｇ粉末、ケイ
化物の他に、バインダ樹脂と有機溶剤が配合されてい
る。
【００１１】このケイ化物入りの導体ペーストを各層の
グリーンシート２１のビアホール２２にスクリーン印刷
して充填してビア導体２３を形成する。更に、内層のグ
リーンシート２１の表面に、ケイ化物を含まない低温焼
成セラミック用導体ペーストを用いて内層配線パターン
２４をスクリーン印刷すると共に、最上層のグリーンシ
ート２１のビア導体２３上に、必要に応じて、ケイ化物
を含まない低温焼成セラミック用導体ペーストを印刷し
てパッド２５を形成しても良い。この際、ケイ化物を含
まない低温焼成セラミック用導体ペーストとしては、Ａ
ｇペースト、Ａｇ−Ｐｄペースト、Ａｇ−Ｐｔペースト
等を用いれば良い。
グリーンシート２１のビアホール２２にスクリーン印刷
して充填してビア導体２３を形成する。更に、内層のグ
リーンシート２１の表面に、ケイ化物を含まない低温焼
成セラミック用導体ペーストを用いて内層配線パターン
２４をスクリーン印刷すると共に、最上層のグリーンシ
ート２１のビア導体２３上に、必要に応じて、ケイ化物
を含まない低温焼成セラミック用導体ペーストを印刷し
てパッド２５を形成しても良い。この際、ケイ化物を含
まない低温焼成セラミック用導体ペーストとしては、Ａ
ｇペースト、Ａｇ−Ｐｄペースト、Ａｇ−Ｐｔペースト
等を用いれば良い。
【００１２】印刷工程終了後、各層のグリーンシート２
１を積層して圧着し、これを空気中で８００〜１０００
℃で焼成する。最後に、パッド２５の表面にＮｉ／Ａｕ
めっきを施す。
１を積層して圧着し、これを空気中で８００〜１０００
℃で焼成する。最後に、パッド２５の表面にＮｉ／Ａｕ
めっきを施す。
【００１３】以上説明したように、ビアホール２２に充
填するＡｇ系の導体ペーストにケイ化物を配合すること
で、同時焼成時の低温焼成セラミックの焼結速度に合わ
せてＡｇ系のビア導体２３の焼結速度を遅くすることが
でき、ビア導体２３の過剰な焼結を防ぐことができて、
ビア導体２３の焼成収縮量を低温焼成セラミックの焼成
収縮量に近付けることができる。これにより、ビア導体
２３の層間接続部に焼結過剰による空隙が発生すること
を防ぐことができ、ビア導体２３の接続信頼性を向上で
きると共に、ビア導体２３上のパッド２５に凹みが発生
することを防止できて、該パッド２５に接合する半導体
チップの接合信頼性を向上できる。
填するＡｇ系の導体ペーストにケイ化物を配合すること
で、同時焼成時の低温焼成セラミックの焼結速度に合わ
せてＡｇ系のビア導体２３の焼結速度を遅くすることが
でき、ビア導体２３の過剰な焼結を防ぐことができて、
ビア導体２３の焼成収縮量を低温焼成セラミックの焼成
収縮量に近付けることができる。これにより、ビア導体
２３の層間接続部に焼結過剰による空隙が発生すること
を防ぐことができ、ビア導体２３の接続信頼性を向上で
きると共に、ビア導体２３上のパッド２５に凹みが発生
することを防止できて、該パッド２５に接合する半導体
チップの接合信頼性を向上できる。
【００１４】ところで、導体ペーストにケイ化物を配合
すると、ケイ化物を含まないものより抵抗値が大きくな
るが、ケイ化物の配合量が５０重量％以下であれば、抵
抗値が許容範囲に収まる。また、ケイ化物の配合量が少
なくなるに従って、焼結抑制効果が低下するが、ケイ化
物の配合量が０．５重量％以上であれば、ある程度の焼
結抑制効果が得られる。従って、Ａｇ粉末とケイ化物と
の配合比は、Ａｇ粉末：５０〜９９．５重量％、ケイ化
物：０．５〜５０重量％とすれば、Ａｇペーストとして
の低抵抗特性とケイ化物による焼結抑制効果とを両立で
きる。
すると、ケイ化物を含まないものより抵抗値が大きくな
るが、ケイ化物の配合量が５０重量％以下であれば、抵
抗値が許容範囲に収まる。また、ケイ化物の配合量が少
なくなるに従って、焼結抑制効果が低下するが、ケイ化
物の配合量が０．５重量％以上であれば、ある程度の焼
結抑制効果が得られる。従って、Ａｇ粉末とケイ化物と
の配合比は、Ａｇ粉末：５０〜９９．５重量％、ケイ化
物：０．５〜５０重量％とすれば、Ａｇペーストとして
の低抵抗特性とケイ化物による焼結抑制効果とを両立で
きる。
【００１５】更に、上記実施形態では、焼結過剰が問題
となるビア導体２３のみをケイ化物入りのＡｇペースト
で形成し、焼結過剰がさほど問題とならないパッド２５
や内層配線パターン２４は、ケイ化物を含まない導体ペ
ーストで形成するようにしたので、ケイ化物による抵抗
値の増加を最小限に抑えながら、焼結過剰によるパッド
２５の凹み等の問題を解消でき、品質の良い低温焼成セ
ラミック多層基板を製造することができる。
となるビア導体２３のみをケイ化物入りのＡｇペースト
で形成し、焼結過剰がさほど問題とならないパッド２５
や内層配線パターン２４は、ケイ化物を含まない導体ペ
ーストで形成するようにしたので、ケイ化物による抵抗
値の増加を最小限に抑えながら、焼結過剰によるパッド
２５の凹み等の問題を解消でき、品質の良い低温焼成セ
ラミック多層基板を製造することができる。
【００１６】但し、本発明は、パッド２５や内層配線パ
ターン２４についても、ケイ化物入りの導体ペーストで
形成するようにしても良く、この場合でも、ケイ化物の
配合量を少なくすることで、抵抗値を低くすることがで
きる。
ターン２４についても、ケイ化物入りの導体ペーストで
形成するようにしても良く、この場合でも、ケイ化物の
配合量を少なくすることで、抵抗値を低くすることがで
きる。
【００１７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、Ａｇ系の導体ペーストに焼結抑制材として酸
化開始温度が３００℃以上のケイ化物の粉末を配合した
ので、Ａｇ系の導体ペーストでありながら、同時焼成時
の過剰な焼結を防ぐことができて、導体の焼成収縮量を
低温焼成セラミックのそれに近付けることができる（請
求項１，３）。
によれば、Ａｇ系の導体ペーストに焼結抑制材として酸
化開始温度が３００℃以上のケイ化物の粉末を配合した
ので、Ａｇ系の導体ペーストでありながら、同時焼成時
の過剰な焼結を防ぐことができて、導体の焼成収縮量を
低温焼成セラミックのそれに近付けることができる（請
求項１，３）。
【００１８】更に、Ａｇ系の金属粉末とケイ化物との配
合比を、Ａｇ系の金属粉末：５０〜９９．５重量％、ケ
イ化物：０．５〜５０重量％としたので、Ａｇ系導体と
しての低抵抗特性を失わずにケイ化物による焼結抑制効
果を得ることができる（請求項２）。
合比を、Ａｇ系の金属粉末：５０〜９９．５重量％、ケ
イ化物：０．５〜５０重量％としたので、Ａｇ系導体と
しての低抵抗特性を失わずにケイ化物による焼結抑制効
果を得ることができる（請求項２）。
【００１９】また、焼結過剰が問題となるビア導体のみ
をケイ化物入りの導体ペーストで形成したので、ケイ化
物による抵抗値の増加を最小限に抑えながら、十分な焼
結抑制効果を得ることができる（請求項４）。
をケイ化物入りの導体ペーストで形成したので、ケイ化
物による抵抗値の増加を最小限に抑えながら、十分な焼
結抑制効果を得ることができる（請求項４）。
【図１】（ａ）は本発明の一実施形態における低温焼成
セラミック多層基板の部分拡大縦断面図、（ｂ）は従来
の低温焼成セラミック多層基板の部分拡大縦断面図
セラミック多層基板の部分拡大縦断面図、（ｂ）は従来
の低温焼成セラミック多層基板の部分拡大縦断面図
【図２】種々のケイ化物粉末の平均粒度と酸化開始温度
との関係を示す図
との関係を示す図
２１…グリーンシート、２２…ビアホール、２３…ビア
導体、２４…内層配線パターン、２５…パッド。
導体、２４…内層配線パターン、２５…パッド。
Claims (4)
- 【請求項１】 低温焼成セラミックのグリーンシートに
印刷して、該グリーンシートと同時焼成する導体ペース
トであって、 導体としてＡｇ系の金属粉末を含み、且つ、焼結抑制材
として酸化開始温度が３００℃以上のケイ化物の粉末を
含んでいることを特徴とする低温焼成セラミック用導体
ペースト。 - 【請求項２】 請求項１に記載の低温焼成セラミック用
導体ペーストにおいて、 前記Ａｇ系の金属粉末と前記ケイ化物との配合比は、Ａ
ｇ系の金属粉末が５０〜９９．５重量％、ケイ化物が
０．５〜５０重量％であることを特徴とする低温焼成セ
ラミック用導体ペースト。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の低温焼成セラミ
ック用導体ペーストを複数枚の低温焼成セラミックのグ
リーンシートに印刷し、これらを積層して同時焼成する
ことを特徴とする低温焼成セラミック多層基板の製造方
法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の低温焼成セラミック多
層基板の製造方法において、 前記グリーンシートに形成されたビアホールに請求項１
又は２に記載の低温焼成セラミック用導体ペーストを印
刷により充填してビア導体を形成した後、該ビア導体上
に、ケイ化物を含まない低温焼成セラミック用導体ペー
ストを印刷してパッドを形成し、該グリーンシートを最
上層にして他の印刷済みのグリーンシートと積層して同
時焼成することを特徴とする低温焼成セラミック多層基
板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23094397A JP4099837B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 低温焼成セラミック多層基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23094397A JP4099837B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 低温焼成セラミック多層基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1166951A true JPH1166951A (ja) | 1999-03-09 |
| JP4099837B2 JP4099837B2 (ja) | 2008-06-11 |
Family
ID=16915747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23094397A Expired - Lifetime JP4099837B2 (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 低温焼成セラミック多層基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4099837B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100393592B1 (ko) * | 2001-07-05 | 2003-08-02 | 엘지전자 주식회사 | 도전성 페이스트 및 이를 이용한 집적 회로 장치 |
| US6750537B2 (en) | 2000-11-27 | 2004-06-15 | Fujitsu Ten Limited | Substrate structure |
| WO2009120016A3 (ko) * | 2008-03-25 | 2010-01-07 | 주식회사 아이엠텍 | 프로브 카드, 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 스페이스 트랜스포머 제조 방법 |
| WO2016114121A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2016-07-21 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミック基板の製造方法、セラミック基板及び銀系導体材料 |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP23094397A patent/JP4099837B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| WO2009120016A3 (ko) * | 2008-03-25 | 2010-01-07 | 주식회사 아이엠텍 | 프로브 카드, 프로브 카드용 스페이스 트랜스포머 및 스페이스 트랜스포머 제조 방법 |
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| JPWO2016114118A1 (ja) * | 2015-01-13 | 2017-04-27 | 日本特殊陶業株式会社 | 回路基板およびその製造方法 |
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