WO2016114118A1

WO2016114118A1 - 回路基板およびその製造方法

Info

Publication number: WO2016114118A1
Application number: PCT/JP2016/000079
Authority: WO
Inventors: 達哉加藤; 正憲伊東
Original assignee: 日本特殊陶業株式会社
Priority date: 2015-01-13
Filing date: 2016-01-08
Publication date: 2016-07-21
Also published as: US10524365B2; KR101994566B1; CN107113986B; EP3247180A1; JP6261746B2; WO2016114119A1; WO2016114120A1; JPWO2016114118A1; CN107113969A; EP3247184A1; JP6309632B2; KR20170094433A; EP3247181A4; JPWO2016114121A1; CN107113976B; KR102017401B1; KR102028896B1; US20180324957A1; EP3247180A4; EP3247182A1

Abstract

　回路基板の製造方法は、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を銀（Ａｇ）粉末に添加した導体ペーストを、作製する工程と；焼成済みのセラミック基板の表面に導体ペーストを塗布する工程と；導体ペーストを塗布した後、セラミック基板の表面にガラスペーストを塗布する工程と；表面に塗布した導体ペーストを焼成することによって導体パターンを形成する工程と；表面に塗布したガラスペーストを焼成することによって被覆層を形成する工程とを備える。

Description

回路基板およびその製造方法

　本発明は、回路基板およびその製造方法に関する。

　回路基板には、アルミナ、ムライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、ガラスセラミックスなどから主に成るセラミック基板を用いたものがある。

　セラミック基板を用いた回路基板として、セラミック基板の表面に、銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンと、ガラス成分を含有するとともに導体パターンを覆う被覆層とが形成されたものが知られている（特許文献１を参照）。被覆層は、オーバーコートガラス層とも呼ばれる。導体パターンおよび被覆層は、セラミック基板の表面に導体ペーストおよびガラスペーストを塗布した後に焼成することによって形成される。

特開平７－１３５３９４号公報

　特許文献１の技術では、焼成によって導体パターンおよび被覆層を形成する際、導体パターンの銀成分が被覆層へと拡散することによって、被覆層において電気絶縁性の低下および変色が発生する場合があった。被覆層への銀成分の拡散は、導体パターンに含まれる銀成分の酸化によって促進されると考えられる。

　本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

（１）本発明の一形態は、セラミックスから主に成る表面を有するセラミック基板と；前記セラミック基板の前記表面に形成され、銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンと；ガラス成分を含有し、前記セラミック基板の前記表面に形成され、前記導体パターンを覆う被覆層とを備える回路基板、を製造する回路基板の製造方法を提供する。この製造方法は、前記セラミック基板を焼成する工程と；金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を銀（Ａｇ）粉末に添加した導体ペーストを、作製する工程と；焼成済みの前記セラミック基板の前記表面に前記導体ペーストを塗布する工程と；前記導体ペーストを塗布した後、前記セラミック基板の前記表面にガラスペーストを塗布する工程と；前記表面に塗布した前記導体ペーストを焼成することによって前記導体パターンを形成する工程と；前記表面に塗布した前記ガラスペーストを焼成することによって前記被覆層を形成する工程とを備える。この形態によれば、導体ペーストに添加された金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の添加成分が焼成中に酸化することによって、導体パターンの銀成分が被覆層へと拡散することを抑制できる。したがって、被覆層において電気絶縁性の低下および変色が発生することを抑制できる。その結果、回路基板の品質を向上させることができる。

（２）上記形態の製造方法において、前記金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ₆）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ₆）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ₂）のうち少なくとも１つを含んでもよい。この形態によれば、導体パターンから被覆層への銀成分の拡散を抑制できる。

（３）上記形態の製造方法において、前記金属ケイ化物は、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ₂）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ₂）のうち少なくとも１つを含んでもよい。この形態によれば、導体パターンから被覆層への銀成分の拡散を抑制できる。

（４）上記形態の製造方法において、前記導体ペーストに含まれる無機成分における前記金属ホウ化物および前記金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上１５体積％以下であってもよい。この形態によれば、導体パターンから被覆層への銀成分の拡散を十分に抑制できる。

（５）上記形態の製造方法において、前記導体ペーストを作製する工程は、前記金属ホウ化物および前記金属ケイ化物の少なくとも一方の前記粉末を、前記銀（Ａｇ）粉末の表面に付着させる工程を含んでもよい。この形態によれば、導体パターンから被覆層への銀成分の拡散をいっそう抑制できる。

（６）上記形態の製造方法において、前記導体ペーストと共に前記ガラスペーストを焼成することによって、前記導体パターンと共に前記被覆層を形成してもよい。この形態によれば、導体パターンと被覆層とを別々に形成する場合と比較して、製造工程を簡略化できる。

（７）上記形態の製造方法において、前記導体ペーストを焼成することによって前記導体パターンを形成した後、前記ガラスペーストを前記セラミック基板の前記表面に塗布してもよい。この形態によれば、導体パターンから被覆層への銀成分の拡散をいっそう抑制できる。

（８）本発明の一形態は、セラミックスから主に成る表面を有するセラミック基板と；前記セラミック基板の前記表面に形成され、銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンと；ガラス成分を含有し、前記セラミック基板の前記表面に形成され、前記導体パターンを覆う被覆層とを備える回路基板を提供する。この回路基板において、前記被覆層に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、前記導体パターンに隣接する領域において前記導体パターンに近づくほど高くなる。この形態によれば、被覆層において電気絶縁性の低下および変色が発生することを抑制できる。その結果、回路基板の品質を向上させることができる。

　本発明は、回路基板およびその製造方法に限らず種々の形態で実現でき、例えば、回路基板を備える装置、回路基板を製造する製造装置などの形態で実現できる。

回路基板の断面を模式的に示す説明図である。回路基板の製造方法を示す工程図である。評価試験の結果を示す表である。第２実施形態における回路基板の製造方法を示す工程図である。

Ａ．実施形態
　図１は、回路基板１００の断面を模式的に示す説明図である。回路基板１００には、所定の機能を実現する回路の少なくとも一部が形成されている。本実施形態では、回路基板１００には、電子部品へ信号を伝達するための回路が形成されている。回路基板１００は、セラミック基板１１０と、導体パターン１７０と、被覆層１８０とを備える。

　回路基板１００のセラミック基板１１０は、板状を成すセラミックスである。本実施形態では、セラミック基板１１０は、ガラスセラミックスから主に成る。本明細書において、「（成分）から主に成る」とは、その成分が全体の５０質量％以上を占めることを意味する。他の実施形態では、セラミック基板１１０の主成分は、アルミナ、ムライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウムなど他のセラミック材料であってもよい。本実施形態では、セラミック基板１１０は、低温焼成セラミックス基板である。セラミック基板１１０は、複数の絶縁セラミック層（図示しない）が積層された構造を有する。本実施形態では、セラミック基板１１０には、回路を構成する導体として、導体層、ビア、スルーホールなど（図示しない）が設けられている。

　セラミック基板１１０は、表面１１１，１１２を有する。表面１１２は、表面１１１に対向する位置に配置された裏面である。表面１１１には、導体パターン１７０および被覆層１８０が形成されている。他の実施形態では、表面１１２にも、表面１１１と同様に、導体パターン１７０および被覆層１８０が形成されていてもよい。

　表面１１１，１１２は、セラミックスから主に成る。本実施形態では、表面１１１，１１２は、硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）粉末とを焼成したセラミック層の表面である。硼珪酸系ガラスは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）および酸化ホウ素（Ｂ_２Ｏ_３）を主成分とする。

　回路基板１００の導体パターン１７０は、セラミック基板１１０の表面１１１に形成された導電性セラミックスである。導体パターン１７０は、銀（Ａｇ）から主に成る。本実施形態では、導体パターン１７０は、銀（Ａｇ）粉末と硼珪酸系ガラス粉末とを含み、導電性を備えている。本実施形態では、導体パターン１７０の全体が被覆層１８０に覆われている。他の実施形態では、導体パターン１７０の一部が被覆層１８０から露出していてもよい。本実施形態では、導体パターン１７０の厚さは、約１０μｍである。

　回路基板１００の被覆層１８０は、セラミック基板１１０の表面１１１に形成された絶縁性セラミックスである。被覆層１８０は、ガラス成分を含有する。被覆層１８０は、オーバーコートガラス層とも呼ばれる。本実施形態では、被覆層１８０は、ガラスセラミックスから主に成る。本実施形態では、被覆層１８０は、硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）粉末とを焼成した絶縁性セラミックスである。被覆層１８０は、導体パターン１７０の少なくとも一部を覆う。本実施形態では、被覆層１８０の厚さは、約１０～２０μｍである。

　被覆層１８０は、導体パターン１７０に隣接する領域１８１を有する。被覆層１８０に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、導体パターン１７０に隣接する領域１８１において導体パターン１７０に近づくほど高くなる。

　図２は、回路基板１００の製造方法を示す工程図である。まず、焼成によってセラミック基板１１０を作製する（工程Ｐ１１０）。

　セラミック基板１１０を作製する準備として、セラミック基板１１０の元となるグリーンシートを作製する。グリーンシートは、無機成分の粉末に、結合剤（バインダ）、可塑剤、溶剤などを混合して薄板状（シート状）に成形したものである。本実施形態では、無機成分の粉末である硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを、体積比６０：４０、総量で１ｋｇとなるように秤量した後、これらの粉末をアルミナ製の容器（ポット）に入れる。その後、結合剤として１２０ｇのアクリル樹脂と、溶剤として適量のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）と、可塑剤として適量のジオクチルフタレート（ＤＯＰ）とを、ポット内の材料に加える。その後、５時間、ポット内の材料を混合することによって、セラミックスラリを得る。その後、ドクターブレード法によって、セラミックスラリからグリーンシートを作製する。本実施形態では、グリーンシートの厚みは、０．１５ｍｍである。本実施形態では、打ち抜き加工によってグリーンシートを成形する。

　グリーンシートを作製した後、導体ペーストをグリーンシートに塗布する。本実施形態では、導体ペーストは、銀（Ａｇ）粉末と硼珪酸系ガラス粉末とを混合した無機成分の粉末に、結合剤、可塑剤および溶剤などを混合したペーストである。本実施形態では、無機成分の粉末に、結合剤としてエチルセルロースと、溶剤としてターピネオールとを加えた後、３本ロールミルを用いて材料を混練することによって、導体ペーストを得る。その後、スクリーン印刷および穴埋め印刷によって導体ペーストをグリーンシートに塗布する。

　導体ペーストをグリーンシートに塗布した後、複数のグリーンシートを積層した積層体を作製する。本実施形態では、切削加工によって積層体を焼成に適した形状に成形する。本実施形態では、２５０℃の大気中に１０時間、積層体を曝すことによって、積層体を脱脂する。

　積層体を作製した後、積層体を焼成することによってセラミック基板１１０を作製する。本実施形態では、９００℃の大気中に６０分、積層体を曝すことによって、積層体を焼成する。これらの工程を経て、セラミック基板１１０を得る。

　セラミック基板１１０を作製した後（工程Ｐ１１０）、導体パターン１７０の焼成前の形態である導体ペーストを作製する（工程Ｐ１２０）。導体パターン１７０の焼成前の形態である導体ペーストは、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を銀（Ａｇ）粉末に添加したペーストである。

　被覆層１８０への銀の拡散を抑制する観点から、導体ペーストに添加される金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ₆）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ₆）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ₂）のうち少なくとも１つであることが好ましい。被覆層１８０への銀の拡散を抑制する観点から、導体ペーストに添加される金属ケイ化物は、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ₂）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ₂）のうち少なくとも１つであることが好ましい。

　被覆層１８０への銀の拡散を十分に抑制する観点から、導体ペーストに含まれる無機成分における金属ホウ化物および金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上１５体積％以下であることが好ましい。

　本実施形態では、導体パターン１７０の焼成前の形態である導体ペーストを作製する際、導体ペーストの無機成分材料として、導体材料である銀（Ａｇ）粉末に、セラミック基板１１０の成分と共通する硼珪酸系ガラス粉末を混合した混合粉末を用意する。その後、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末と、結合剤としてエチルセルロースと、溶剤としてターピネオールとを、無機成分の混合粉末に加える。その後、３本ロールミルを用いて材料を混練することによって、導体ペーストを得る。

　導体ペーストを作製した後（工程Ｐ１２０）、焼成済みのセラミック基板１１０の表面１１１に導体ペーストを塗布する（工程Ｐ１３０）。本実施形態では、スクリーン印刷によって導体ペーストをセラミック基板１１０に塗布する。

　導体ペーストを塗布した後（工程Ｐ１３０）、導体ペーストが塗布されたセラミック基板１１０の表面１１１に、被覆層１８０の焼成前の形態であるガラスペーストを塗布する（工程Ｐ１５０）。本実施形態では、ガラスペーストの無機成分材料として、硼珪酸系ガラス粉末とアルミナ粉末とを混合した混合粉末を用意する。その後、結合剤としてエチルセルロースと、溶剤としてターピネオールとを、無機成分の混合粉末に加える。その後、３本ロールミルを用いて材料を混練することによって、ガラスペーストを得る。本実施形態では、スクリーン印刷によってガラスペーストをセラミック基板１１０の表面１１１に塗布する。

　ガラスペーストを塗布した後（工程Ｐ１６０）、セラミック基板１１０の表面１１１に塗布した導体ペーストおよびガラスペーストを焼成することによって、導体パターン１７０および被覆層１８０を形成する（工程Ｐ１６０）。本実施形態では、８５０℃の大気中に６０分、導体ペーストおよびガラスペーストが塗布されたセラミック基板１１０を曝すことによって、導体ペーストおよびガラスペーストを焼成する。これによって、セラミック基板１１０の表面１１１に導体パターン１７０および被覆層１８０が形成される。これらの工程を経て、回路基板１００が完成する。

　焼成によって導体パターン１７０および被覆層１８０を形成する際、導体ペーストに含まれる添加成分（金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方）の酸化反応によって、導体ペースト近傍の酸素が消費される。これによって、導体ペーストに含まれる銀成分の酸化が抑制される。したがって、被覆層１８０への銀成分の拡散が抑制される。

　焼成中に酸化した添加成分の少なくとも一部は、被覆層１８０のうち導体パターン１７０に隣接する領域１８１に拡散する。そのため、被覆層１８０に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、導体パターン１７０に隣接する領域１８１において導体パターン１７０に近づくほど高くなる。

　図３は、評価試験の結果を示す表である。図３の評価試験では、それぞれ異なる導体ペーストおよびガラスペーストを用いた回路基板１００として、試料Ｓ０１～Ｓ１０を作製した。図３の表において、導体パターン１７０の焼成前の形態である導体ペーストにおける添加剤の含有量は、導体ペーストに含まれる無機成分における添加剤の体積百分率を示す。

　試料Ｓ０１～Ｓ０７の製造方法は、図２の製造方法と同様である。試料Ｓ０８の製造方法は、回路基板１００の各部の材料に含まれる硼珪酸系ガラス粉末をＮａ₂－ＺｎＯ－Ｂ₂Ｏ₃系ガラス粉末に代えて用いる点、ならびに、導体ペーストおよびガラスペーストの焼成温度が６００℃である点を除き、図２の製造方法と同様である。試料Ｓ０９の製造方法は、導体ペーストに金属ホウ化物および金属ケイ化物を添加しない点を除き、図２の製造方法と同様である。試料Ｓ１０の製造方法は、導体ペーストに金属ホウ化物および金属ケイ化物を添加しない点を除き、試料Ｓ０８の製造方法と同様である。

　走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）および電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）を用いて各試料の断面を観察することによって、被覆層１８０への銀の拡散距離を測定した。導体パターン１７０と被覆層１８０との界面における銀（Ａｇ）濃度を基準値とし、その界面から被覆層１８０において銀（Ａｇ）濃度が基準値の半分となる位置までの距離を１０箇所で測定し、その平均値を銀の拡散距離として求めた。

　次の基準で各試料を判定した。
　○（優）：銀の拡散距離が５μｍ未満
　×（劣）：銀の拡散距離が５μｍ以上

　試料Ｓ０１～Ｓ０３と試料Ｓ０９との評価結果によれば、金属ホウ化物である六ホウ化ランタン（ＬａＢ₆）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ₆）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ₂）を、導体パターン１７０の元となる導体ペーストに添加することによって、被覆層１８０への銀の拡散を抑制できることが分かる。

　試料Ｓ０４～Ｓ０５と試料Ｓ０９との評価結果によれば、金属ケイ化物である二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ₂）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ₂）を、導体パターン１７０の元となる導体ペーストに添加することによって、被覆層１８０への銀の拡散を抑制できることが分かる。

　試料Ｓ０１～Ｓ０７の評価結果によれば、導体パターン１７０の元となる導体ペーストに含まれる無機成分における金属ホウ化物および金属ケイ化物を合わせた含有量が、３体積％以上１５体積％以下である場合、被覆層１８０への銀の拡散を十分に抑制できることが分かる。

　試料Ｓ０１，Ｓ０８と試料Ｓ０９，Ｓ１０との評価結果によれば、ガラスペーストの材料がＮａ₂－ＺｎＯ－Ｂ₂Ｏ₃系ガラス粉末である場合であっても、ガラスペーストの材料が硼珪酸系ガラスである場合と同様に、被覆層１８０への銀の拡散を抑制できることが分かる。

　以上説明した実施形態によれば、導体ペーストに添加された金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の添加成分が焼成中に酸化することによって、導体パターン１７０の銀成分が被覆層１８０へと拡散することを抑制できる。したがって、被覆層１８０において電気絶縁性の低下および変色が発生することを抑制できる。その結果、回路基板１００の品質を向上させることができる。

　また、導体ペーストに添加される金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ₆）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ₆）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ₂）のうち少なくとも１つを含んでもよい。これによって、導体パターンから被覆層への銀成分の拡散を抑制できる。

　また、導体ペーストに添加される金属ケイ化物は、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ₂）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ₂）のうち少なくとも１つを含んでもよい。これによって、導体パターンから被覆層への銀成分の拡散を抑制できる。

　また、導体ペーストに含まれる無機成分における金属ホウ化物および金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上１５体積％以下である場合、導体パターン１７０から被覆層１８０への銀成分の拡散を十分に抑制できる。

　また、導体ペーストと共にガラスペーストを焼成することによって、導体パターン１７０と共に被覆層１８０を形成するため（工程Ｐ１６０）、導体パターン１７０と被覆層１８０とを別々に形成する場合と比較して、製造工程を簡略化できる。

Ｂ．第２実施形態
　図４は、第２実施形態における回路基板１００の製造方法を示す工程図である。第２実施形態の製造方法は、導体ペーストを塗布する工程（工程Ｐ１３０）より後工程が異なる点を除き、第１実施形態と同様である。

　第２実施形態では、導体ペーストを塗布した後（工程Ｐ１３０）、導体ペーストを焼成することによって導体パターン１７０を形成する（工程Ｐ２４０）。本実施形態では、８５０℃の大気中に６０分、セラミック基板１１０に塗布した導体ペーストを曝すことによって、導体ペーストを焼成する。これによって、セラミック基板１１０の表面１１１に導体パターン１７０が形成される。

　導体パターン１７０を形成した後（工程Ｐ２４０）、セラミック基板１１０の表面１１１に、被覆層１８０の元となるガラスペーストを塗布する（工程Ｐ２５０）。第２実施形態におけるガラスペーストを作製および塗布する手法は、第１実施形態と同様である。

　ガラスペーストを塗布した後（工程Ｐ２５０）、セラミック基板１１０の表面１１１に塗布したガラスペーストを焼成することによって被覆層１８０を形成する（工程Ｐ２６０）。本実施形態では、６００℃の大気中に６０分、セラミック基板１１０に塗布したガラスペーストを曝すことによって、ガラスペーストを焼成する。これによって、セラミック基板１１０の表面１１１に被覆層１８０が形成される。これらの工程を経て、回路基板１００が完成する。

　第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、導体パターン１７０の銀成分が被覆層１８０へと拡散することを抑制できる。したがって、被覆層１８０において電気絶縁性の低下および変色が発生することを抑制できる。その結果、回路基板１００の品質を向上させることができる。

　また、導体ペーストを焼成することによって導体パターンを形成した後（工程Ｐ２４０）、ガラスペーストをセラミック基板１１０の表面１１１に塗布するため、導体パターン１７０から被覆層１８０への銀成分の拡散をいっそう抑制できる。

Ｃ．他の実施形態
　本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られず、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現できる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことができる。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除できる。

　他の実施形態において、導体パターン１７０の元となる導体ペーストを作製する際（工程Ｐ１２０）、銀（Ａｇ）粉末に結合剤および溶剤を加える前に、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を銀（Ａｇ）粉末に混合することによって、金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を銀（Ａｇ）粉末の表面に付着させてもよい。これによって、導体パターン１７０から被覆層へ１８０の銀成分の拡散をいっそう抑制できる。

　他の実施形態において、導体ペーストを塗布した後（工程Ｐ１３０）、ガラスペーストを塗布する前（工程Ｐ１５０）に、抵抗体の元となるペーストをセラミック基板１１０に塗布してもよい。抵抗体の元となるペーストは、酸化ルテニウム粉末と硼珪酸系ガラス粉末とを結合剤および溶剤と混練したペーストであってもよい。

　　１００…回路基板
　　１１０…セラミック基板
　　１１１…表面
　　１１２…表面
　　１７０…導体パターン
　　１８０…被覆層
　　１８１…領域

Claims

　セラミックスから主に成る表面を有するセラミック基板と、
　前記セラミック基板の前記表面に形成され、銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンと、
　ガラス成分を含有し、前記セラミック基板の前記表面に形成され、前記導体パターンを覆う被覆層と
　を備える回路基板、を製造する回路基板の製造方法であって、
　前記セラミック基板を焼成する工程と、
　金属ホウ化物および金属ケイ化物の少なくとも一方の粉末を銀（Ａｇ）粉末に添加した導体ペーストを、作製する工程と、
　焼成済みの前記セラミック基板の前記表面に前記導体ペーストを塗布する工程と、
　前記導体ペーストを塗布した後、前記セラミック基板の前記表面にガラスペーストを塗布する工程と、
　前記表面に塗布した前記導体ペーストを焼成することによって前記導体パターンを形成する工程と、
　前記表面に塗布した前記ガラスペーストを焼成することによって前記被覆層を形成する工程と
　を備えることを特徴とする回路基板の製造方法。
　前記金属ホウ化物は、六ホウ化ランタン（ＬａＢ₆）、六ホウ化ケイ素（ＳｉＢ₆）および二ホウ化チタン（ＴｉＢ₂）のうち少なくとも１つを含む、請求項１に記載の回路基板の製造方法。
　前記金属ケイ化物は、二ケイ化ジルコニウム（ＺｉＳｉ₂）および二ケイ化タンタル（ＴａＳｉ₂）のうち少なくとも１つを含む、請求項１または請求項２に記載の回路基板の製造方法。
　前記導体ペーストに含まれる無機成分における前記金属ホウ化物および前記金属ケイ化物を合わせた含有量は、３体積％以上１５体積％以下である、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
　前記導体ペーストを作製する工程は、前記金属ホウ化物および前記金属ケイ化物の少なくとも一方の前記粉末を、前記銀（Ａｇ）粉末の表面に付着させる工程を含む、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
　前記導体ペーストと共に前記ガラスペーストを焼成することによって、前記導体パターンと共に前記被覆層を形成する、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
　前記導体ペーストを焼成することによって前記導体パターンを形成した後、前記ガラスペーストを前記セラミック基板の前記表面に塗布する、請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の回路基板の製造方法。
　セラミックスから主に成る表面を有するセラミック基板と、
　前記セラミック基板の前記表面に形成され、銀（Ａｇ）から主に成る導体パターンと、
　ガラス成分を含有し、前記セラミック基板の前記表面に形成され、前記導体パターンを覆う被覆層と
　を備える回路基板であって、
　前記被覆層に含まれるケイ素原子（Ｓｉ）およびホウ素原子（Ｂ）の少なくとも一方の濃度は、前記導体パターンに隣接する領域において前記導体パターンに近づくほど高くなることを特徴とする回路基板。