JP2015005640A - 多層セラミック基板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】多層セラミック基板において焼成時の反りを抑制する。【解決手段】多層セラミック基板は、積層された複数の絶縁層と；複数の絶縁層における少なくとも１つの第１の層間と、複数の絶縁層の外表面のうち複数の絶縁層が積層された積層方向を向いた外表面との少なくとも一方に設けられ、配線を形成する少なくとも１つの配線層と；少なくとも１つの貫通導体と；配線層の材料よりも高い焼成収縮率を有する材料を焼成して成り、複数の絶縁層における層間のうち配線層が設けられた第１の層間とは異なる第２の層間に設けられ、配線層および貫通導体から電気的に絶縁されたダミー層とを備える。ダミー層は、多層セラミック基板を積層方向の厚みを基準に２等分した２つの領域のうち、各領域における配線層の体積の合計が小さい方の領域に存在する。【選択図】図１

Description

本発明は、多層セラミック基板およびその製造方法に関する。

多層セラミック基板を製造する工程では、絶縁性セラミックから成る絶縁層の元となる複数のグリーンシートに、導体パターンの元となる導体ペーストを印刷した後、これら複数のグリーンシートを積層して焼成する。多層セラミック基板には、絶縁層と導体パターンとの焼成収縮率の差、および、導体パターンの偏りに起因して、焼成時に反りが発生する場合がある。なお、焼成収縮率とは、焼成前の大きさに対して焼成時に収縮する大きさの比率である。

特許文献１，２には、焼成時の反りを抑制するために、絶縁層の表面上において、多層セラミック基板で実現すべき回路を構成する導体パターンの外側に、回路を構成する導体パターンとは異なるダミーパターンを設けることが記載されている。特許文献３には、多層セラミック基板の裏面にメッキ層を形成することに起因する反りを抑制するために、メッキ層による反りとは反対方向に焼成時の反りが発生するように、セラミックの平均粒径が比較的に大きな絶縁層と、その絶縁層の表面の５０％以上を占める導体パターンと、その導体パターンの外周に沿ったダミーパターンとを、多層セラミック基板の表面寄りに配置することが記載されている。

特開平９−２６０８４４号公報 特開２００６−１０８５２９号公報 特開２００８−２７０７５１号公報

特許文献１〜３の多層セラミック基板では、多層セラミック基板で実現すべき回路を形成する導体パターンによっては、ダミーパターンの形状および配置が制限されるため、焼成時の反りを十分に抑制できない場合があるという問題があった。この問題は、多層セラミック基板を小型化、高密度化および薄型化する場合にいっそう顕著になる。

本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。

（１）本発明の一形態によれば、多層セラミック基板が提供される。この多層セラミック基板は、絶縁性セラミックから成り、積層された複数の絶縁層と；前記複数の絶縁層における少なくとも１つの第１の層間と、前記複数の絶縁層の外表面のうち前記複数の絶縁層が積層された積層方向を向いた外表面との少なくとも一方に設けられ、導電性を有し、配線を形成する少なくとも１つの配線層と；導電性を有し、少なくとも１つの前記配線層と電気的に接続され、少なくとも１つの前記絶縁層を貫通する少なくとも１つの貫通導体とを備える。この多層セラミック基板は、さらに、前記配線層の材料よりも高い焼成収縮率を有する材料を焼成して成り、前記複数の絶縁層における層間のうち前記配線層が設けられた前記第１の層間とは異なる第２の層間に設けられ、前記配線層および前記貫通導体から電気的に絶縁されたダミー層を備え；前記ダミー層は、前記多層セラミック基板を前記積層方向の厚みを基準に２等分した２つの領域のうち、各領域における前記配線層の体積の合計が小さい方の領域に存在する。この形態によれば、多層セラミック基板における焼成時の反りをダミー層によって効果的に抑制できる。

（２）上述の多層セラミック基板において、前記ダミー層について前記積層方向から見た面積は、前記複数の配線層の各々について前記積層方向から見た面積よりも大きくてもよい。この形態によれば、多層セラミック基板における焼成時の反りを、配線層よりも面積が大きいダミー層によっていっそう効果的に抑制できる。

（３）上述の多層セラミック基板において、前記ダミー層が設けられた前記第２の層間は、前記ダミー層が存在する側の前記領域における前記積層方向を向いた外表面に対して、全ての前記第１の層間よりも近い位置に存在してもよい。この形態によれば、多層セラミック基板における焼成時の反りを、第１の層間と比較して外表面に近い位置に存在するダミー層によっていっそう効果的に抑制できる。

（４）上述の多層セラミック基板において、前記ダミー層は、導電体および誘電体の少なくとも一方であってもよい。この形態によれば、導電体および誘電体の少なくとも一方を用いてダミー層を実現できる。

本発明は、多層セラミック基板以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、多層セラミック基板を備える装置、多層セラミック基板の製造方法などの形態で実現することができる。

多層セラミック基板の断面を模式的に示す説明図である。 多層セラミック基板におけるダミー層が存在する位置で切断した断面を示す説明図である。 多層セラミック基板の製造方法を示す工程図である。 焼成時の反りを評価する評価試験の結果を示す表である。

Ａ．実施形態
Ａ−１．多層セラミック基板の構成
図１は、多層セラミック基板１０の断面を模式的に示す説明図である。多層セラミック基板１０には、所定の機能を実現する回路の少なくとも一部が形成されている。本実施形態では、多層セラミック基板１０には、表面弾性波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）ディプレクサを構成する回路が形成されている。多層セラミック基板１０は、複数の絶縁層２００と、複数の配線層４００と、複数の貫通導体５００と、ダミー層６００とを備える。

図１には、相互に直交するＸＹＺ軸が図示されている。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｘ軸は、図１の紙面左から紙面右に向かう軸であり、＋Ｘ軸方向は、紙面右に向かう方向であり、−Ｘ軸方向は、紙面左に向かう方向である。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｙ軸は、図１の紙面手前から紙面奥に向かう軸であり、＋Ｙ軸方向は、紙面奥に向かう方向であり、−Ｙ軸方向は、紙面手前に向かう方向である。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｚ軸は、図１の紙面下から紙面上に向かう軸であり、＋Ｚ軸方向は、紙面上に向かう方向であり、−Ｚ軸方向は、紙面下に向かう方向である。

多層セラミック基板１０における複数の絶縁層２００は、絶縁性セラミックから成る。本実施形態では、絶縁層２００は、硼珪酸系ガラスの粉末とアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）の粉末とを質量比５０：５０で混合した材料を焼成して成り、絶縁層２００を構成する絶縁性セラミックは、硼珪酸系ガラスとアルミナとを主成分とする。硼珪酸系ガラスは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化ホウ素（Ｂ₂Ｏ₃）を主成分とする。

複数の絶縁層２００は、積層された状態で焼結させた焼結体である。本実施形態では、複数の絶縁層２００が積層された積層方向は、Ｚ軸に沿ったＺ軸方向である。本実施形態では、絶縁層２００は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って矩形状に広がる層である。

本実施形態では、複数の絶縁層２００は、６層であり、＋Ｚ軸方向に向かって順に、絶縁層２０１と、絶縁層２０２と、絶縁層２０３と、絶縁層２０４と、絶縁層２０５と、絶縁層２０６とを含む。本実施形態の説明では、多層セラミック基板１０の絶縁層を総称する場合には符合「２００」を使用し、多層セラミック基板１０の絶縁層を個別に示す場合には符合「２０１〜２０６」を使用する。

絶縁層２０１は、−Ｚ軸方向を向いた表面３１０を有する。絶縁層２０１の表面３１０は、複数の絶縁層２００の外表面のうち−Ｚ軸方向を向いた外表面である。

絶縁層２０６は、＋Ｚ軸方向を向いた表面３３０を有する。絶縁層２０６の表面３３０は、複数の絶縁層２００の外表面のうち＋Ｚ軸方向を向いた外表面である。

複数の絶縁層２００における絶縁層２００同士の間には、複数の層間３２０が形成されている。本実施形態では、複数の層間３２０は、５つの層間３２１，３２２，３２３，３２４，３２５を含む。本実施形態の説明では、多層セラミック基板１０の層間を総称する場合には符合「３２０」を使用し、多層セラミック基板１０の層間を個別に示す場合には符合「３２１〜３２５」を使用する。

絶縁層２０１と絶縁層２０２との間には、配線層４００が設けられた第１の層間である層間３２１が形成されている。絶縁層２０２と絶縁層２０３との間には、配線層４００が設けられた第１の層間である層間３２２が形成されている。絶縁層２０３と絶縁層２０４との間には、配線層４００が設けられた第１の層間である層間３２３が形成されている。絶縁層２０４と絶縁層２０５との間には、配線層４００が設けられた第１の層間である層間３２４が形成されている。絶縁層２０５と絶縁層２０６との間には、ダミー層６００が設けられた第２の層間である層間３２５が形成されている。

多層セラミック基板１０における複数の配線層４００は、導電性を有し、配線を形成する。本実施形態では、配線層４００は、平均粒径５μｍ（マイクロメートル）の銀（Ａｇ）の粉末から作製した導体ペーストを焼成して成り、配線層４００の材質は、銀を主成分とする。本実施形態では、配線層４００は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる層である。

複数の配線層４００は、表面３１０と、複数の層間３２１〜３２４と、表面３３０との少なくとも１つに設けられ、本実施形態では、表面３１０と、複数の層間３２０とに設けられている。本実施形態では、複数の配線層４００は、配線層４１０と、配線層４２１と、配線層４２２と、配線層４２３と、配線層４２４とを含む。本実施形態の説明では、多層セラミック基板１０の配線層を総称する場合には符合「４００」を使用し、多層セラミック基板１０の配線層を個別に示す場合には符合「４１０，４２１〜４２４」を使用する。

配線層４１０は、絶縁層２０１の表面３１０に設けられている。配線層４２１は、絶縁層２０１と絶縁層２０２との層間３２１に設けられている。配線層４２２は、絶縁層２０２と絶縁層２０３との間の層間３２２に設けられている。配線層４２３は、絶縁層２０３と絶縁層２０４との間の層間３２３に設けられている。配線層４２４は、絶縁層２０４と絶縁層２０５との間の層間３２４に設けられている。

多層セラミック基板１０における複数の貫通導体５００は、導電性を有し、配線層４００とともに配線を形成する。貫通導体５００は、少なくとも１つの配線層４００と電気的に接続され、少なくとも１つの絶縁層２００を貫通する。本実施形態では、貫通導体５００は、Ｚ軸に沿って延びた円柱状を成す。本実施形態では、貫通導体５００は、配線層４００と同様に、平均粒径５μｍの銀の粉末から作製した導体ペーストを焼成して成り、貫通導体５００の材質は、銀を主成分とする。

図２は、多層セラミック基板１０におけるダミー層６００が存在する位置で切断した断面を示す説明図である。図２の断面は、図１の矢視Ｆ２−Ｆ２から見た多層セラミック基板１０の断面である。図２のＸＹＺ軸は、図１のＸＹＺ軸に対応する。

多層セラミック基板１０のダミー層６００は、配線層４００の材料よりも高い焼成収縮率を有する材料を焼成して成る。本実施形態では、ダミー層６００は、銀を主成分とする導電体であり、配線層４００の銀粉末よりも平均粒径が小さい銀の粉末（例えば、平均粒径２μｍ）から作製した導体ペーストを焼成して成る。他の実施形態では、ダミー層６００は、絶縁層２００よりも硼珪酸系ガラスの割合を多く配合した誘電体ペースト（例えば、硼珪酸系ガラスとアルミナとの質量比を６０：４０とした誘電体ペースト）を焼成して成る誘電体であってもよい。

ダミー層６００は、複数の層間３２０のうち配線層４００が設けられた第１の層間とは異なる第２の層間に設けられている。本実施形態では、ダミー層６００は、配線層４００が設けられた層間３２１，３２２，３２３，３２４とは異なる層間３２５に設けられている。本実施形態では、ダミー層６００は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って広がる層である。本実施形態では、ダミー層６００の外形は、絶縁層２００よりも一回り小さい矩形状である。

本実施形態では、ダミー層６００について積層方向（Ｚ軸方向）から見た面積は、各配線層４００について積層方向（Ｚ軸方向）から見た面積よりも大きい。本実施形態では、各配線層４００およびダミー層６００の厚み（Ｚ軸に沿った長さ）は、同等であり、それぞれ約１０μｍである。

ダミー層６００は、多層セラミック基板１０を積層方向（Ｚ軸方向）の厚みを基準に２等分した２つの領域１１０，１２０のうち、各領域における配線層４００の体積の合計が小さい方の領域に存在する。領域１１０は、多層セラミック基板１０における表面３１０側（−Ｚ軸方向側）に位置する領域であり、領域１２０は、多層セラミック基板１０における表面３３０側（＋Ｚ軸方向側）に位置する領域である。本実施形態では、ダミー層６００は、配線層４００の体積の合計が領域１１０よりも小さい領域１２０に存在する。

本実施形態では、ダミー層６００が設けられた層間３２５は、ダミー層６００が存在する側の領域１２０における表面３３０に対して、配線層４００が設けられた全ての層間３２１，３２２，３２３，３２４よりも近い位置に存在する。

ダミー層６００は、配線層４００および貫通導体５００から電気的に絶縁されている。ダミー層６００には、絶縁層２０６を貫通する貫通導体５００の位置に応じて開口部６５０が形成されている。本実施形態では、絶縁層２０６を貫通する貫通導体５００は、＋Ｚ軸方向側では表面３３０に至り、−Ｚ軸方向側では絶縁層２０５を貫通する。

Ａ−２．多層セラミック基板の製造方法
図３は、多層セラミック基板１０の製造方法を示す工程図である。多層セラミック基板１０を製造する際には、製造者は、絶縁層２００の元となるグリーンシートを作製する（工程Ｐ１１０）。グリーンシートは、絶縁性セラミックの原料粉末に、結合剤（バインダ）、可塑剤、溶剤などを混合して薄板状（シート状）に成形したものである。本実施形態では、グリーンシートの原料は、硼珪酸系ガラスの粉末とアルミナの粉末とを含む。原料の硼珪酸系ガラスは、二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、酸化ホウ素（Ｂ₂Ｏ₃）を主成分とする。本実施形態では、原料の硼珪酸系ガラスは、平均粒径４μｍ程度である。本実施形態では、原料のアルミナ粉末は、平均粒径３μｍ、比表面積１．０ｍ²／ｇである。

本実施形態では、製造者は、原料である硼珪酸系ガラスとアルミナ粉末とを、質量比５０：５０、総量１ｋｇとなるように秤量した後、これらの原料をアルミナ製の容器（ポット）に入れる。その後、製造者は、結合剤として１２０ｇのアクリル樹脂と、溶剤として適量のメチルエチルケトン（ＭＥＫ）と、可塑剤として適量のジオクチルフタレート（ＤＯＰ）とを、ポット内の原料に加えた。その後、製造者は、５時間、ポット内の原料を混合することによって、セラミックスラリを得る。その後、製造者は、ドクターブレード法によって、セラミックスラリからグリーンシートを作製する。本実施形態では、グリーンシートの厚みは、０．０５ｍｍ、０．１０ｍｍ、１５ｍｍの３種類であり、製造者は、絶縁層２００に応じてグリーンシートの厚みを使い分ける。

グリーンシートを作製した後（工程Ｐ１１０）、製造者は、配線層４００および貫通導体５００の元となる導体ペーストをグリーンシートに塗布する（工程Ｐ１２２）。配線層４００および貫通導体５００に用いられる導体ペーストは、導電性材料の粉末に、結合剤、可塑剤、溶剤などを混合したものである。本実施形態では、配線層４００および貫通導体５００に用いられる導体ペーストの原料は、銀（Ａｇ）の粉末を含む。本実施形態では、配線層４００および貫通導体５００に用いられる原料の銀粉末は、平均粒径５μｍである。

配線層４００用の導体ペーストを作製する際、本実施形態では、製造者は、原料である銀粉末に、導体ペースト中の無機成分に対して５体積％となるように軟化点７６０℃のガラスを添加する。その後、製造者は、この原料に、結合剤としてエチルセルロースと、溶剤としてターピネオールとを加える。その後、製造者は、この原料を３本ロールミルを用いて混練することによって、配線層４００用の導体ペーストを得る。本実施形態では、製造者は、スクリーン印刷によって、配線層４００のパターンに合わせて、配線層４００用の導体ペーストをグリーンシートの表面に塗布する。

貫通導体５００用の導体ペーストを作製する際、本実施形態では、製造者は、原料である銀粉末に、結合剤としてエチルセルロースと、溶剤としてターピネオールとを加える。その後、製造者は、この原料を３本ロールミルを用いて混練することによって、貫通導体５００用の導体ペーストを得る。本実施形態では、製造者は、パンチング加工によって、貫通導体５００の位置に合わせて、ビア孔（貫通孔）をグリーンシートに形成した後、穴埋め印刷によって、そのビア孔に貫通導体５００用の導体ペーストを充填する。

グリーンシートを作製した後（工程Ｐ１１０）、製造者は、ダミー層６００の元となるペーストをグリーンシートに塗布する（工程Ｐ１２４）。ダミー層６００に用いられる材料は、配線層４００に用いられる材料よりも高い焼成収縮率を有する。本実施形態では、製造者は、スクリーン印刷によって、ダミー層６００のパターンに合わせて、ダミー層６００用のペーストをグリーンシートの表面に塗布する。

本実施形態では、ダミー層６００に用いられるペーストは、導電性材料の粉末に、結合剤、可塑剤、溶剤などを混合した導体ペーストである。本実施形態では、ダミー層６００に用いられる導体ペーストの原料は、銀（Ａｇ）の粉末を含む。ダミー層６００に用いられる原料の銀粉末は、配線層４００に用いられる原料の銀粉末よりも平均粒径が小さい粉末であり、本実施形態では、平均粒径２μｍである。ダミー層６００用の導体ペーストを作製する際、本実施形態では、製造者は、原料である銀粉末に、導体ペースト中の無機成分に対して５体積％となるように軟化点７６０℃のガラスを添加する。その後、製造者は、この原料に、結合剤としてエチルセルロースと、溶剤としてターピネオールとを加える。その後、製造者は、この原料を３本ロールミルを用いて混練することによって、ダミー層６００用の導体ペーストを得る。

他の実施形態では、ダミー層６００の元となるペーストをグリーンシートに塗布する工程（工程Ｐ１２４）において、ダミー層６００に用いられるペーストは、誘電体材料の粉末に、結合剤、可塑剤、溶剤などを混合した誘電体ペーストであってもよい。ダミー層６００に用いられる誘電体ペーストの原料は、グリーンシートの原料と同様の原料、すなわち、硼珪酸系ガラスとアルミナ粉末とを含む原料であってもよい。ダミー層６００用の誘電体ペーストを作製する際、製造者は、原料である硼珪酸系ガラスとアルミナ粉末とを、グリーンシートの材料よりも硼珪酸系ガラスの割合が多くなるように、例えば、質量比６０：４０となるように秤量した後、これらの原料に結合剤としてエチルセルロースと、溶剤としてターピネオールとを加える。その後、製造者は、この原料を３本ロールミルを用いて混練することによって、ダミー層６００用の誘電体ペーストを得る。

本実施形態では、製造者は、配線層４００および貫通導体５００用の導体ペーストを塗布する工程（工程Ｐ１２２）を、ダミー層６００用のペーストを塗布する工程（工程Ｐ１２４）の前に実施する。他の実施形態では、製造者は、配線層４００および貫通導体５００用の導体ペーストを塗布する工程（工程Ｐ１２２）を、ダミー層６００用のペーストを塗布する工程（工程Ｐ１２４）の後に実施してもよいし、同時に実施してもよい。

各ペーストを塗布した後（工程Ｐ１２２，Ｐ１２４）、製造者は、多層セラミック基板１０を積層方向（Ｚ軸方向）の厚みを基準に２等分した２つの領域１１０，１２０のうち、各領域における配線層４００の体積の合計が小さい方の領域（本実施形態では領域１２０）に、ダミー層６００が配置されるように、複数の絶縁層２００の各々に応じた複数のグリーンシートを積層し、その後、隣り合うグリーンシート同士を熱圧着によって接合する（工程Ｐ１３０）。これによって、製造者は、複数のグリーンシートを積層したグリーンシート積層体を得る。

グリーンシート積層体を作製した後（工程Ｐ１３０）、製造者は、グリーンシート積層体を、後工程の焼成に適した形状に成形する（工程Ｐ１４０）。本実施形態では、製造者は、切削加工によってグリーンシート積層体を成形する。

グリーンシート積層体を成形した後（工程Ｐ１４０）、製造者は、グリーンシート積層体を脱脂する（工程Ｐ１５０）。本実施形態では、製造者は、２５０℃の大気中に１０時間、グリーンシート積層体を曝すことによって、グリーンシート積層体を脱脂する。

グリーンシート積層体を脱脂した後（工程Ｐ１５０）、製造者は、グリーンシート積層体を焼成する（工程Ｐ１６０）。本実施形態では、製造者は、８５０℃の還元性ガスの中に３０分、グリーンシート積層体を曝すことによって、グリーンシート積層体を焼成する。これによって、製造者は、グリーンシート積層体を焼結した焼結体を得る。

焼結体を作製した後（工程Ｐ１６０）、製造者は、焼結体を成形する（工程Ｐ１７０）。本実施形態では、製造者は、研磨切削加工によって焼結体を成形する。他の実施形態では、製造者は、焼結体の表面に露出した配線層４００および貫通導体５００の少なくとも一部にメッキを施してもよい。これらの工程を経て、多層セラミック基板１０が完成する。

Ａ−３．評価試験
図４は、焼成時の反りを評価する評価試験の結果を示す表である。図４の評価試験では、試験者は、ダミー層６００の構成が異なる複数の多層セラミック基板１０を試料として作製し、これらの試料について焼成時の反り量を評価した。

試料１の構成は、Ｚ軸方向から見た形状が１００ｍｍ×１００ｍｍの正方形である点を除き、上述した実施形態の構成と同様である。試料１のダミー層６００は、導電体である。試料１の製造方法は、上述した実施形態の製造方法と同様である。試料１では、ダミー層６００の原料は平均粒径２μｍの銀粉末であり、ダミー層６００の焼成収縮率は１５．５％である。試料１では、配線層４００の原料は平均粒径５μｍの銀粉末であり、配線層４００の焼成収縮率は１３．８％である。試料１では、ダミー層６００についてＺ軸方向から見た面積は７０ｍｍ²であり、各配線層４００についてＺ軸方向から見た最大の面積は５０ｍｍ²である。試料１では、ダミー層６００の厚みは、各配線層４００と同等である。

試料２は、ダミー層６００の大きさが異なる点を除き、試料１と同様である。試料２では、ダミー層６００についてＺ軸方向から見た面積は６０ｍｍ²である。

試料３は、ダミー層６００の焼成収縮率が異なる点を除き、試料１と同様である。試料３では、ダミー層６００の原料は平均粒径３μｍの銀粉末であり、ダミー層６００の焼成収縮率は１４．９％である。

試料４は、ダミー層６００が誘電体である点を除き、試料１と同様である。試料４では、ダミー層６００の原料は、平均粒径４μｍの硼珪酸系ガラスと、平均粒径３μｍのアルミナ粉末との混合物あり、これらの質量比は６０：４０である。試料４では、ダミー層６００の焼成収縮率は１４．５％である。

試料５は、ダミー層６００が設けられていない点を除き、試料１と同様である。

試料６は、ダミー層６００の大きさが異なる点を除き、試料１と同様である。試料６では、ダミー層６００についてＺ軸方向から見た面積は５０ｍｍ²である。

図４の評価試験では、試験者は、各試料を作製した後、各試料において焼成時に発生した反り量を測定した。反り量は、Ｚ軸方向から見て１００ｍｍ×１００ｍｍの正方形である各試料において、Ｚ軸方向に発生した反りの大きさである。多層セラミック基板１０の実装に要求される反り量は、２００μｍ以下であることから、試験者は、反り量が２００μｍ以下である試料を「良」と評価し、反り量が２００μｍを超過する試料を「不可」と評価した。

図４の評価試験の結果によれば、試料１〜４，６と、試料５との比較から、ダミー層６００を設けることによって、反り量を抑制できることが分かる。また、試料１，２と、試料６との比較から、ダミー層６００の面積を、いずれの配線層４００の面積よりも大きくすることによって、反り量をいっそう抑制できることが分かる。また、試料１と試料２との比較から、ダミー層６００についてＺ軸方向から見た面積を大きくすることによって、反り量をいっそう抑制できることが分かる。また、試料１と試料３と試料４との比較から、ダミー層６００の焼成収縮率を大きくすることによって、反り量をいっそう抑制できることが分かる。試料１〜３と試料４との比較から、ダミー層６００が導電体および誘電体のいずれであっても、反り量を抑制できることが分かる。

Ａ−４．効果
以上説明した実施形態によれば、多層セラミック基板１０における焼成時の反りをダミー層６００によって効果的に抑制できる。また、ダミー層６００について積層方向から見た面積が、各配線層４００について積層方向から見た面積よりも大きいため、多層セラミック基板１０における焼成時の反りをダミー層６００の面積によっていっそう効果的に抑制できる。また、ダミー層６００が設けられた層間３２５は、ダミー層６００が存在する側の領域１２０における表面３３０に対して、配線層４００が設けられた全ての層間３２１〜３２４よりも近い位置に存在するため、多層セラミック基板１０における焼成時の反りをダミー層６００の位置によっていっそう効果的に抑制できる。

Ｂ．他の実施形態
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。

他の実施形態では、絶縁層２００の絶縁性セラミックは、硼珪酸系ガラスとアルミナとを主成分とするセラミックに限らず、硼珪酸系ガラスとムライトとを主成分とするセラミックであってもよいし、硼珪酸系ガラスとコージェライト粉末とを主成分とするセラミックであってもよい。他の実施形態では、絶縁層２００のガラス成分は、硼珪酸系ガラスに限らず、結晶化ガラスであってもよい。

他の実施形態では、配線層４００、貫通導体５００、ダミー層６００に用いられる導電性成分は、銀（Ａｇ）に限らず、銀−パラジウム合金（Ａｇ−Ｐｄ）、銀−白金合金（Ａｇ−Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）の少なくとも１つであってもよい。

他の実施形態では、多層セラミック基板１０は、複数のダミー層６００を複数の層間３２０に備えてもよい。他の実施形態では、多層セラミック基板１０は、配線層４００およびダミー層６００が設けられていない層間３２０を備えてもよい。他の実施形態では、多層セラミック基板１０は、表面３３０とダミー層６００との間に、配線層４００が設けられた層間３２０を備えてもよい。

１０…多層セラミック基板
１１０，１２０…領域
２００，２０１，２０２，２０３，２０４，２０５，２０６…絶縁層
３１０…表面
３２０，３２１，３２２，３２３，３２４，３２５…層間
３３０…表面
４００，４１０，４２１，４２２，４２３，４２４…配線層
５００…貫通導体
６００…ダミー層
６５０…開口部

Claims (5)

1. 絶縁性セラミックから成り、積層された複数の絶縁層と、
   前記複数の絶縁層における少なくとも１つの第１の層間と、前記複数の絶縁層の外表面のうち前記複数の絶縁層が積層された積層方向を向いた外表面との少なくとも一方に設けられ、導電性を有し、配線を形成する少なくとも１つの配線層と、
   導電性を有し、少なくとも１つの前記配線層と電気的に接続され、少なくとも１つの前記絶縁層を貫通する少なくとも１つの貫通導体と
   を備える多層セラミック基板であって、
   さらに、前記配線層の材料よりも高い焼成収縮率を有する材料を焼成して成り、前記複数の絶縁層における層間のうち前記配線層が設けられた前記第１の層間とは異なる第２の層間に設けられ、前記配線層および前記貫通導体から電気的に絶縁されたダミー層を備え、
   前記ダミー層は、前記多層セラミック基板を前記積層方向の厚みを基準に２等分した２つの領域のうち、各領域における前記配線層の体積の合計が小さい方の領域に存在することを特徴とする多層セラミック基板。
2. 前記ダミー層について前記積層方向から見た面積は、前記複数の配線層の各々について前記積層方向から見た面積よりも大きい、請求項１に記載の多層セラミック基板。
3. 前記ダミー層が設けられた前記第２の層間は、前記ダミー層が存在する側の前記領域における前記積層方向を向いた外表面に対して、全ての前記第１の層間よりも近い位置に存在する、請求項１または請求項２に記載の多層セラミック基板。
4. 前記ダミー層は、導電体および誘電体の少なくとも一方である、請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の多層セラミック基板。
5. 絶縁性セラミックから成り、積層された複数の絶縁層と、
   前記複数の絶縁層における少なくとも１つの第１の層間と、前記複数の絶縁層の外表面のうち前記複数の絶縁層が積層された積層方向を向いた外表面との少なくとも一方に設けられ、導電性を有し、配線を構成する少なくとも１つの配線層と、
   導電性を有し、少なくとも１つの前記配線層と電気的に接続され、少なくとも１つの前記絶縁層を貫通する少なくとも１つの貫通導体と
   を備える多層セラミック基板を製造する、多層セラミック基板の製造方法であって、
   前記多層セラミック基板を前記積層方向の厚みを基準に２等分した２つの領域のうち、各領域における前記配線層の体積の合計が小さい方の領域において、前記複数の絶縁層における層間のうち前記配線層が設けられた前記第１の層間とは異なる第２の層間に、前記配線層および前記貫通導体から電気的に絶縁されたダミー層を、前記配線層の材料よりも高い焼成収縮率を有する材料を焼成することによって形成することを特徴とする、多層セラミック基板の製造方法。

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