KR101994566B1 - 세라믹 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

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니뽄 도쿠슈 도교 가부시키가이샤
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Abstract

세라믹 기판의 제조 방법은, 유리 세라믹스의 원료 분말에 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 분말을 첨가한 세라믹 페이스트를 제조하는 공정과 ; 소성 후에 세라믹층이 되는 그린 시트에 세라믹 페이스트를 도포하는 공정과 ; 그린 시트에 도포된 세라믹 페이스트 상에, 소성 후에 도체 패턴이 되는 도체 페이스트를 도포하는 공정과 ; 세라믹 페이스트 및 도체 페이스트를 도포한 그린 시트를 소성하는 공정을 구비한다.

Description

세라믹 기판 및 그 제조 방법{CERAMIC SUBSTRATE AND PRODUCTION METHOD THEREFOR}
본 발명은 세라믹 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
세라믹 기판에는, 유리 세라믹스로 주로 이루어지는 세라믹층과, 은 (Ag) 을 주로 함유하는 도체 패턴을 구비하는 것이 알려져 있다. 이와 같은 세라믹 기판은, 세라믹층의 소성 전의 형태인 그린 시트에, 도체 패턴의 소성 전의 형태인 도체 페이스트를 도포한 후에 소성함으로써 형성된다. 이와 같은 세라믹 기판은, 저온 동시 소성 세라믹스 (LTCC : Low Temperature Co-fired Ceramics) 기판이라고도 불린다.
소성에 의해 세라믹 기판을 형성할 때, 도체 페이스트의 은 성분이 세라믹층으로 확산됨으로써, 세라믹층에 공극, 변형, 변색 등이 발생하는 경우가 있었다. 세라믹층으로의 은 성분의 확산은, 도체 패턴에 함유되는 은 성분의 산화에 의해 촉진되는 것으로 생각된다.
특허문헌 1 에는, 도체 페이스트에 함유되는 은 분말의 표면을 안티몬염으로 씌움으로써, 세라믹층으로의 은 성분의 확산을 억제하는 기술이 개시되어 있다. 특허문헌 2 에는, 도체 페이스트에 규소 분말을 첨가함으로써, 세라믹층으로의 은 성분의 확산을 억제하는 기술이 개시되어 있다.
일본 공개특허공보 평6-252524호 일본 공개특허공보 2007-234537호
특허문헌 1, 2 의 기술에서는, 세라믹층으로의 은 성분의 확산을 충분히 억제할 수 없는 경우가 있었다.
본 발명은, 상기 서술한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 이하의 형태로서 실현하는 것이 가능하다.
(1) 본 발명의 일 형태는, 유리 세라믹스로 주로 이루어지는 세라믹층과 ; 은 (Ag) 으로 주로 이루어지는 도체 패턴을 구비하는 세라믹 기판을 제조하는 세라믹 기판의 제조 방법을 제공한다. 이 제조 방법은, 상기 유리 세라믹스의 원료 분말에 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 분말을 첨가한 세라믹 페이스트를 제조하는 공정과 ; 소성 후에 상기 세라믹층이 되는 그린 시트에 상기 세라믹 페이스트를 도포하는 공정과 ; 상기 그린 시트에 도포한 상기 세라믹 페이스트 상에, 소성 후에 상기 도체 패턴이 되는 도체 페이스트를 도포하는 공정과 ; 상기 세라믹 페이스트 및 상기 도체 페이스트를 도포한 상기 그린 시트를 소성하는 공정을 구비한다. 이 형태에 의하면, 세라믹 페이스트에 첨가된 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 첨가 성분이 소성 중에 산화됨으로써, 도체 패턴의 은 성분이 세라믹층으로 확산되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 은 성분의 확산에 기인하여 세라믹층에 공극, 변형, 변색 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 세라믹 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
(2) 상기 형태의 제조 방법에 있어서, 상기 금속 붕화물은, 육붕화란탄 (LaB6), 육붕화규소 (SiB6) 및 이붕화티탄 (TiB2) 중 적어도 1 개를 함유해도 된다. 이 형태에 의하면, 도체 패턴으로부터 세라믹층으로의 은 성분의 확산을 억제할 수 있다.
(3) 상기 형태의 제조 방법에 있어서, 상기 금속 규화물은, 이규화티탄 (TiSi2), 이규화지르코늄 (ZrSi2) 및 이규화탄탈 (TaSi2) 중 적어도 1 개를 함유해도 된다. 이 형태에 의하면, 도체 패턴으로부터 세라믹층으로의 은 성분의 확산을 억제할 수 있다.
(4) 상기 형태의 제조 방법에 있어서, 상기 세라믹 페이스트에 함유되는 무기 성분에 있어서의 상기 금속 붕화물 및 상기 금속 규화물을 합친 함유량은 3 체적％ 이상 7 체적％ 이하여도 된다. 이 형태에 의하면, 도체 패턴으로부터 세라믹층으로의 은 성분의 확산을 충분히 억제할 수 있다.
(5) 상기 형태의 제조 방법에 있어서, 상기 유리 세라믹스의 상기 원료 분말은, 붕규산 유리 분말과 알루미나 (Al2O3) 분말을 함유해도 된다. 이 형태에 의하면, 붕규산 유리계의 세라믹 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
(6) 본 발명의 일 형태는, 유리 세라믹스로 주로 이루어지는 세라믹층과 ; 은 (Ag) 으로 주로 이루어지는 도체 패턴을 구비하는 세라믹 기판을 제조하는 세라믹 기판의 제조 방법을 제공한다. 이 제조 방법은, 상기 유리 세라믹스의 원료 분말에 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 분말을 첨가한 세라믹 슬러리를 제조하는 공정과 ; 상기 세라믹 슬러리로부터, 소성 후에 상기 세라믹층이 되는 그린 시트를 제조하는 공정과 ; 상기 그린 시트 상에, 소성 후에 상기 도체 패턴이 되는 도체 페이스트를 도포하는 공정과 ; 상기 도체 페이스트를 도포한 상기 그린 시트를 소성하는 공정을 구비한다. 이 형태에 의하면, 그린 시트에 함유되는 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 첨가 성분이 소성 중에 산화됨으로써, 도체 패턴의 은 성분이 세라믹층으로 확산되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 은 성분의 확산에 기인하여 세라믹층에 공극, 변형, 변색 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 세라믹 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
(7) 본 발명의 일 형태는, 유리 세라믹스로 주로 이루어지는 세라믹층과 ; 은 (Ag) 으로 주로 이루어지는 도체 패턴을 구비하는 세라믹 기판을 제공한다. 이 세라믹 기판에 있어서, 상기 세라믹층은, 상기 도체 패턴에 인접하는 제 1 세라믹층과 ; 상기 도체 패턴과의 사이에 상기 제 1 세라믹층을 끼우는 제 2 세라믹층을 포함하고, 상기 제 1 세라믹층에 함유되는 규소 원자 (Si) 및 붕소 원자 (B) 의 적어도 일방의 농도는, 상기 제 2 세라믹층보다 높다. 이 형태에 의하면, 은 성분의 확산에 기인하여 세라믹층에 공극, 변형, 변색 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 세라믹 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
본 발명은, 세라믹 기판 및 그 제조 방법에 한정되지 않고 여러 가지 형태로 실현할 수 있으며, 예를 들어, 세라믹 기판을 구비하는 장치, 세라믹 기판을 제조하는 제조 장치 등의 형태로 실현할 수 있다.
도 1 은 세라믹 기판의 단면을 모식적으로 나타내는 설명도이다.
도 2 는 세라믹 기판의 제조 방법을 나타내는 공정도이다.
도 3 은 평가 시험의 결과를 나타내는 표이다.
A. 실시형태
도 1 은 세라믹 기판 (110) 의 단면을 모식적으로 나타내는 설명도이다. 세라믹 기판 (110) 은, 저온 동시 소성 세라믹스 (LTCC) 기판이다. 세라믹 기판 (110) 에는, 소정의 기능을 실현하는 회로의 적어도 일부가 형성되어 있다. 본 실시형태에서는, 세라믹 기판 (110) 에는, 전자 부품 등에 신호를 전달하기 위한 회로가 형성되어 있다.
세라믹 기판 (110) 은, 세라믹층 (121) 과, 세라믹층 (122) 과, 도체 패턴 (130) 을 구비한다. 세라믹 기판 (110) 은, 복수의 세라믹층 (121, 122) 이 적층된 구조를 갖는다. 본 실시형태에서는, 세라믹 기판 (110) 에는, 회로를 구성하는 도체로서, 도체 패턴 (130) 외에 비아 및 스루홀 등 (도시 생략) 이 형성되어 있다.
세라믹 기판 (110) 의 세라믹층 (121) 은, 도체 패턴 (130) 에 인접하는 제 1 세라믹층이다. 세라믹층 (121) 은, 전기 절연성을 갖는다. 세라믹층 (121) 은, 유리 세라믹스로 주로 이루어진다. 본 명세서에 있어서「(성분) 으로 주로 이루어진다」란, 그 성분이 전체의 50 질량％ 이상을 차지하는 것을 의미한다. 본 실시형태에서는, 세라믹층 (121) 은, 붕규산계 유리 분말과 알루미나 (Al2O3) 분말을 소성한 세라믹층이다. 붕규산계 유리는, 이산화규소 (SiO2), 알루미나 (Al2O3) 및 산화붕소 (B2O3) 로 주로 이루어진다. 세라믹층 (121) 의 소성 전의 상태인 세라믹 페이스트에는, 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 분말이 첨가되어 있다. 그 때문에, 세라믹층 (121) 에 함유되는 규소 원자 (Si) 및 붕소 원자 (B) 의 적어도 일방의 농도는, 세라믹층 (122) 보다 높다. 본 실시형태에서는, 세라믹층 (121) 의 두께는 약 10 ㎛ 이다.
세라믹 기판 (110) 의 세라믹층 (122) 은, 도체 패턴 (130) 과의 사이에 세라믹층 (121) 을 끼우는 세라믹층이다. 세라믹층 (122) 은, 전기 절연성을 갖는다. 세라믹층 (122) 은, 유리 세라믹스로 주로 이루어진다. 본 실시형태에서는, 세라믹층 (122) 은, 세라믹층 (121) 과 마찬가지로, 붕규산계 유리 분말과 알루미나 (Al2O3) 분말을 소성한 세라믹층이다. 본 실시형태에서는, 세라믹층 (122) 의 소성 전의 상태인 그린 시트에는, 세라믹층 (121) 과는 달리, 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 분말이 첨가되어 있지 않다. 세라믹층 (122) 의 두께는, 세라믹층 (121) 보다 충분히 크다.
세라믹 기판 (110) 의 도체 패턴 (130) 은, 은 (Ag) 으로 주로 이루어진다. 본 실시형태에서는, 도체 패턴 (130) 은, 은 (Ag) 분말과 붕규산계 유리 분말을 함유하고, 도전성을 구비하고 있다. 본 실시형태에서는, 도체 패턴 (130) 의 두께는 약 10 ㎛ 이다.
본 실시형태에서는, 도체 패턴 (130) 은, 2 개의 세라믹층 (121) 사이에 끼워지고, 이들 2 개의 세라믹층 (121) 에 인접한다. 다른 실시형태에서는, 도체 패턴 (130) 은, 세라믹층 (121) 과 세라믹층 (122) 사이에 끼워지고, 이들 세라믹층 (121) 및 세라믹층 (122) 에 인접해도 된다. 다른 실시형태에서는, 세라믹 기판 (110) 에 있어서, 2 이상의 도체 패턴 (130) 이 다른 세라믹층 (121, 122) 과 함께 추가로 적층되어 있어도 된다.
도 2 는 세라믹 기판 (110) 의 제조 방법을 나타내는 공정도이다. 먼저, 세라믹층 (121) 의 소재인 세라믹 페이스트를 제조한다 (공정 P110). 세라믹층 (121) 의 소재인 세라믹 페이스트는, 유리 세라믹스의 원료 분말에, 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 분말을 첨가한 페이스트이다. 본 실시형태에서는, 세라믹 페이스트의 원료 분말은, 무기 성분인 붕규산계 유리 분말과 알루미나 분말을 체적비 60 : 40 으로 혼합한 분말이다.
세라믹층 (121, 122) 으로의 은의 확산을 억제하는 관점에서, 세라믹 페이스트에 첨가되는 금속 붕화물은, 육붕화란탄 (LaB6), 육붕화규소 (SiB6) 및 이붕화티탄 (TiB2) 중 적어도 1 개인 것이 바람직하다. 세라믹층 (121, 122) 으로의 은의 확산을 억제하는 관점에서, 세라믹 페이스트에 첨가되는 금속 규화물은, 이규화티탄 (TiSi2), 이규화지르코늄 (ZrSi2) 및 이규화탄탈 (TaSi2) 중 적어도 1 개인 것이 바람직하다.
세라믹층 (121, 122) 으로의 은의 확산을 충분히 억제하는 관점에서, 세라믹 페이스트에 함유되는 무기 성분에 있어서의 금속 붕화물 및 금속 규화물을 합친 함유량은 3 체적％ 이상 7 체적％ 이하인 것이 바람직하다.
본 실시형태에서는, 세라믹층 (121) 의 소재인 세라믹 페이스트를 제조할 때, 무기 성분인 붕규산계 유리 분말과 알루미나 분말을 혼합한 혼합 분말을 준비한다. 그 후, 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 분말과, 결합제로서 에틸셀룰로오스와, 용제로서 터피네올을 무기 성분의 혼합 분말에 첨가한다. 그 후, 3 본롤 밀을 사용하여 재료를 혼련함으로써, 세라믹 페이스트를 얻는다.
세라믹 페이스트를 제조한 후 (공정 P110), 소성 후에 세라믹층 (122) 이 되는 그린 시트에, 소성 후에 세라믹층 (121) 이 되는 세라믹 페이스트를 도포한다 (공정 P120). 본 실시형태에서는, 스크린 인쇄에 의해 세라믹 페이스트를 그린 시트에 도포한다.
세라믹 페이스트를 그린 시트에 도포하는 준비로서, 세라믹층 (122) 의 소재인 그린 시트를 제조한다. 그린 시트는, 무기 성분의 분말에 결합제 (바인더), 가소제, 용제 등을 혼합하여 박판상 (시트상) 으로 성형한 것이다. 본 실시형태에서는, 무기 성분의 분말인 붕규산계 유리 분말과 알루미나 분말을, 체적비 60 : 40, 총량으로 1 ㎏ 이 되도록 칭량한 후, 이들 분말을 알루미나제의 용기 (포트) 에 넣는다. 그 후, 결합제로서 120 g 의 아크릴 수지와, 용제로서 적량의 메틸에틸케톤 (MEK) 과, 가소제로서 적량의 디옥틸프탈레이트 (DOP) 를 포트 내의 재료에 첨가한다. 그 후, 5 시간, 포트 내의 재료를 혼합함으로써, 세라믹 슬러리를 얻는다. 그 후, 닥터 블레이드법에 의해, 세라믹 슬러리로부터 그린 시트를 제조한다. 본 실시형태에서는, 그린 시트의 두께는 0.15 ㎜ 이다.
그린 시트를 제조한 후, 그린 시트에 세라믹 페이스트를 도포한다. 본 실시형태에서는, 세라믹 페이스트를 도포한 그린 시트를 펀칭 가공에 의해 성형한다.
그린 시트에 세라믹 페이스트를 도포한 후 (공정 P120), 그린 시트에 도포한 세라믹 페이스트 상에, 소성 후에 도체 패턴 (130) 이 되는 도체 페이스트를 도포한다 (공정 P130). 본 실시형태에서는, 소성 후에 도체 패턴 (130) 이 되는 도체 페이스트는, 은 (Ag) 분말과 붕규산계 유리 분말을 혼합한 무기 성분의 분말에 결합제, 가소제 및 용제 등을 혼합한 페이스트이다. 본 실시형태에서는, 무기 성분의 분말에, 결합제로서 에틸셀룰로오스와, 용제로서 터피네올을 첨가한 후, 3 본롤 밀을 사용하여 재료를 혼련함으로써, 도체 페이스트를 얻는다. 그 후, 스크린 인쇄 및 홀 필링 인쇄에 의해 도체 페이스트를 그린 시트에 도포한다.
도체 페이스트를 그린 시트에 도포한 후 (공정 P130), 세라믹 페이스트 및 도체 페이스트를 도포한 그린 시트를 소성한다 (공정 P140). 이로써, 세라믹 기판 (110) 이 완성된다.
본 실시형태에서는, 그린 시트의 소성에 앞서, 복수의 그린 시트를 적층한 적층체를 제조한다. 본 실시형태에서는, 세라믹 페이스트 및 도체 페이스트를 도포한 그린 시트에 있어서의 도체 페이스트측에, 세라믹 페이스트를 도포한 다른 그린 시트에 있어서의 세라믹 페이스트측을 합침으로써, 적층체를 제조한다. 본 실시형태에서는, 절삭 가공에 의해 적층체를 소성에 적합한 형상으로 성형한다. 본 실시형태에서는, 250 ℃ 의 대기 중에 10 시간, 적층체를 노출시킴으로써 적층체를 탈지한다. 본 실시형태에서는, 적층체를 탈지한 후, 850 ℃ 의 대기 중에 60 분, 적층체를 노출시킴으로써 적층체를 소성한다. 이들 공정을 거쳐 세라믹 기판 (110) 을 얻는다.
세라믹 페이스트 및 도체 페이스트를 도포한 그린 시트를 소성할 때, 세라믹 페이스트에 함유되는 첨가 성분 (금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방) 의 산화 반응에 의해, 도체 페이스트 근방의 산소가 소비된다. 이로써, 도체 페이스트에 함유되는 은 성분의 산화가 억제된다. 따라서, 세라믹층 (121, 122) 으로의 은 성분의 확산이 억제된다. 세라믹 페이스트에는 첨가 성분이 함유되어 있기 때문에, 세라믹층 (121) 에 함유되는 규소 원자 (Si) 및 붕소 원자 (B) 의 적어도 일방의 농도는, 첨가 성분의 함유량에 따라 세라믹층 (122) 보다 높아진다.
도 3 은 평가 시험의 결과를 나타내는 표이다. 도 3 의 평가 시험에서는, 각각 상이한 세라믹 페이스트를 사용한 세라믹 기판 (110) 으로서, 시료 S01 ∼ S09 를 제조하였다. 도 3 의 표에 있어서, 세라믹층 (121) 의 소성 전의 상태인 세라믹 페이스트에 있어서의 첨가제의 함유량은, 세라믹 페이스트에 함유되는 무기 성분에 있어서의 첨가제의 체적 백분율을 나타낸다.
시료 S01 ∼ S08 의 제조 방법은, 도 2 의 제조 방법과 동일하다. 시료 S09 의 제조 방법은, 세라믹 페이스트에 금속 붕화물 및 금속 규화물을 첨가하지 않는 점을 제외하고, 도 2 의 제조 방법과 동일하다.
주사형 전자 현미경 (SEM) 및 전자선 마이크로 애널라이저 (EPMA) 를 사용하여 각 시료의 단면을 관찰함으로써, 세라믹층 (121, 122) 으로의 은의 확산 거리를 측정하였다. 세라믹층 (121) 과 도체 패턴 (130) 의 계면에 있어서의 은 (Ag) 농도를 기준값으로 하고, 그 계면으로부터 세라믹층 (121, 122) 에 있어서 은 (Ag) 농도가 기준값의 절반이 되는 위치까지의 거리를 10 개 지점에서 측정하고, 그 평균값을 은의 확산 거리로서 구하였다.
다음의 기준으로 각 시료를 판정하였다.
○ (우수) : 은의 확산 거리가 5 ㎛ 미만
× (열등) : 은의 확산 거리가 5 ㎛ 이상
시료 S01 ∼ S03 과 시료 S09 의 평가 결과에 의하면, 금속 붕화물인 육붕화란탄 (LaB6), 육붕화규소 (SiB6) 및 이붕화티탄 (TiB2) 을, 세라믹층 (121) 의 소성 전의 상태인 세라믹 페이스트에 첨가함으로써, 세라믹층 (121, 122) 으로의 은의 확산을 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.
시료 S04 ∼ S06 과 시료 S09 의 평가 결과에 의하면, 금속 규화물인 이규화티탄 (TiSi2), 이규화지르코늄 (ZrSi2) 및 이규화탄탈 (TaSi2) 을, 세라믹층 (121) 의 소성 전의 상태인 세라믹 페이스트에 첨가함으로써, 세라믹층 (121, 122) 으로의 은의 확산을 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.
시료 S01 ∼ S08 의 평가 결과에 의하면, 세라믹층 (121) 의 소재인 세라믹 페이스트에 함유되는 무기 성분에 있어서의 금속 붕화물 및 금속 규화물을 합친 함유량이 3 체적％ 이상 7 체적％ 이하인 경우, 세라믹층 (121, 122) 으로의 은의 확산을 충분히 억제할 수 있는 것을 알 수 있다.
이상 설명한 실시형태에 의하면, 세라믹 페이스트에 첨가된 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 첨가 성분이 소성 중에 산화됨으로써, 도체 패턴 (130) 의 은 성분이 세라믹층 (121, 122) 으로 확산되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 은 성분의 확산에 기인하여 세라믹층 (121, 122) 에 공극, 변형, 변색 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 세라믹 기판 (110) 의 품질을 향상시킬 수 있다.
또, 세라믹 페이스트에 첨가되는 금속 붕화물은, 육붕화란탄 (LaB6), 육붕화규소 (SiB6) 및 이붕화티탄 (TiB2) 중 적어도 1 개를 함유해도 된다. 이로써, 도체 패턴 (130) 으로부터 세라믹층 (121, 122) 으로의 은 성분의 확산을 억제할 수 있다.
또, 세라믹 페이스트에 첨가되는 금속 규화물은, 이규화티탄 (TiSi2), 이규화지르코늄 (ZrSi2) 및 이규화탄탈 (TaSi2) 중 적어도 1 개를 함유해도 된다. 이로써, 도체 패턴 (130) 으로부터 세라믹층 (121, 122) 으로의 은 성분의 확산을 억제할 수 있다.
또, 세라믹 페이스트에 함유되는 무기 성분에 있어서의 금속 붕화물 및 금속 규화물을 합친 함유량은 3 체적％ 이상 7 체적％ 이하인 경우, 도체 패턴 (130) 으로부터 세라믹층 (121, 122) 으로의 은 성분의 확산을 충분히 억제할 수 있다.
B. 다른 실시형태
본 발명은, 상기 서술한 실시형태나 실시예, 변형예에 한정되지 않고, 그 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 구성으로 실현할 수 있다. 예를 들어, 발명의 개요의 란에 기재한 각 형태 중의 기술적 특징에 대응하는 실시형태, 실시예, 변형예 중의 기술적 특징은, 상기 서술한 과제의 일부 또는 전부를 해결하기 위해, 혹은 상기 서술한 효과의 일부 또는 전부를 달성하기 위해, 적절히 교체나 조합을 실시할 수 있다. 또, 그 기술적 특징이 본 명세서 중에 필수적인 것으로서 설명되어 있지 않으면, 적절히 삭제할 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, 세라믹층 (121) 의 소성 전의 상태인 세라믹 페이스트를 제조할 때 (공정 P110), 원료 분말에 결합제 및 용제를 첨가하기 전에, 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 분말을 원료 분말에 혼합함으로써, 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 원료 분말을 은 (Ag) 분말의 표면에 부착시켜도 된다. 이로써, 도체 패턴 (130) 으로부터 세라믹층 (121, 122) 으로의 은 성분의 확산을 한층 억제할 수 있다.
다른 실시형태에 있어서, 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 분말을 첨가한 세라믹 슬러리를 제조한 후, 이 세라믹 슬러리로부터, 소성 후에 세라믹층 (122) 이 되는 그린 시트를 제조해도 된다. 그 경우, 소성 후에 세라믹층 (121) 이 되는 세라믹 페이스트를 그린 시트에 도포하지 않아도 된다. 이 실시형태에 의하면, 그린 시트에 함유되는 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 첨가 성분이 소성 중에 산화됨으로써, 도체 패턴 (130) 의 은 성분이 세라믹층 (122) 으로 확산되는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 은 성분의 확산에 기인하여 세라믹층 (122) 에 공극, 변형, 변색 등이 발생하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 세라믹 기판 (110) 의 품질을 향상시킬 수 있다.
110 : 세라믹 기판
121 : 세라믹층
122 : 세라믹층
130 : 도체 패턴

Claims (7)

  1. 유리 세라믹스로 주로 이루어지는 세라믹층과,
    은 (Ag) 으로 주로 이루어지는 도체 패턴을 구비하는 세라믹 기판을 제조하는 세라믹 기판의 제조 방법으로서,
    상기 유리 세라믹스의 원료 분말에 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 분말을 첨가한 세라믹 페이스트를 제조하는 공정과,
    소성 후에 상기 세라믹층이 되는 그린 시트에 상기 세라믹 페이스트를 도포하는 공정과,
    상기 그린 시트에 도포한 상기 세라믹 페이스트 상에, 소성 후에 상기 도체 패턴이 되는 도체 페이스트를 도포하는 공정과,
    상기 세라믹 페이스트 및 상기 도체 페이스트를 도포한 상기 그린 시트를 소성하는 공정을 구비하고,
    상기 유리 세라믹스의 상기 원료 분말은, 붕규산 유리 분말과 알루미나 (Al2O3) 분말을 함유하는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판의 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 금속 붕화물은, 육붕화란탄 (LaB6), 육붕화규소 (SiB6) 및 이붕화티탄 (TiB2) 중 적어도 1 개를 함유하는, 세라믹 기판의 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 금속 규화물은, 이규화티탄 (TiSi2), 이규화지르코늄 (ZrSi2) 및 이규화탄탈 (TaSi2) 중 적어도 1 개를 함유하는, 세라믹 기판의 제조 방법.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 세라믹 페이스트에 함유되는 무기 성분에 있어서의 상기 금속 붕화물 및 상기 금속 규화물을 합친 함유량은 3 체적％ 이상 7 체적％ 이하인, 세라믹 기판의 제조 방법.
  5. 삭제
  6. 유리 세라믹스로 주로 이루어지는 세라믹층과,
    은 (Ag) 으로 주로 이루어지는 도체 패턴을 구비하는 세라믹 기판을 제조하는 세라믹 기판의 제조 방법으로서,
    상기 유리 세라믹스의 원료 분말에 금속 붕화물 및 금속 규화물의 적어도 일방의 분말을 첨가한 세라믹 슬러리를 제조하는 공정과,
    상기 세라믹 슬러리로부터, 소성 후에 상기 세라믹층이 되는 그린 시트를 제조하는 공정과,
    상기 그린 시트 상에, 소성 후에 상기 도체 패턴이 되는 도체 페이스트를 도포하는 공정과,
    상기 도체 페이스트를 도포한 상기 그린 시트를 소성하는 공정을 구비하고,
    상기 유리 세라믹스의 상기 원료 분말은, 붕규산 유리 분말과 알루미나 (Al2O3) 분말을 함유하는 것을 특징으로 하는 세라믹 기판의 제조 방법.
  7. 삭제
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