WO2010100792A1 - 流体制御装置 - Google Patents

流体制御装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2010100792A1
WO2010100792A1 PCT/JP2009/068982 JP2009068982W WO2010100792A1 WO 2010100792 A1 WO2010100792 A1 WO 2010100792A1 JP 2009068982 W JP2009068982 W JP 2009068982W WO 2010100792 A1 WO2010100792 A1 WO 2010100792A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
fluid
fluid control
valves
flow rate
side shut
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/068982
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
廣瀬　潤
手塚　一幸
陽平 内田
睦典 小艾
隆博 松田
土肥　亮介
西野　功二
池田　信一
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
株式会社フジキン
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社, 株式会社フジキン filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to KR1020117020923A priority Critical patent/KR101661003B1/ko
Priority to CN200980157836XA priority patent/CN102341760B/zh
Priority to US13/203,866 priority patent/US9169558B2/en
Publication of WO2010100792A1 publication Critical patent/WO2010100792A1/ja

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/0318—Processes
    • Y10T137/0396—Involving pressure control

Definitions

  • the present invention relates to a fluid control device used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like, and more particularly, to a fluid control device formed by integrating a plurality of fluid control devices.
  • a fluid control device used in a semiconductor manufacturing apparatus a plurality of fluid control devices are arranged in series, and a plurality of lines formed by connecting them without using pipes or joints are arranged in parallel on a base member. Integration is proceeding to be installed in (Patent Document 1 and Patent Document 2).
  • one row of process gas control lines (fluid control lines) is configured with one flow rate controller (21) as a basic component, and a plurality of (flow rate control)
  • the same number of process gas control lines L1 to L16 are arranged in parallel to constitute a fluid control device.
  • a line P added in parallel to the fluid control lines L1 to L16 is a purge gas line.
  • each process gas control line L1 to L16 includes, from the inlet side, a filter (24), two on-off valves (23) on the inlet side, a flow rate controller (mass flow controller) (21), and an on-off valve on the outlet side. (25), and an on-off valve (26) is provided at an outlet portion common to the process gas control lines L1 to L16.
  • fluids are not always supplied to all the process gas control lines L1 to L16, and two to three lines are used to supply different types and different flow rates of gas.
  • the flow rate is sequentially switched, and the flow rate is adjusted by the flow rate regulator (21), and sent to the downstream chamber.
  • the mass flow controller used as the flow rate regulator (21) incorporates a flow rate sensor and a control valve, and is expensive and requires frequent maintenance, which increases the overall cost.
  • the fluid control device used in the semiconductor manufacturing apparatus there is a problem that the type of fluid tends to increase, and accordingly, there is a problem that space and cost increase.
  • a fluid control unit in which one row of fluid control lines each having one inlet and one outlet each having one flow rate controller as a basic component is arranged, and a plurality of opening and closing operations And a fluid introduction part configured such that the number of inlets is N (> M) and the number of outlets is M by a valve, and M outlets of the fluid introduction part and M inlets of the fluid control part respectively
  • the connection is 1: 1.
  • M pieces (8 pieces of illustrations) flow controller (21) is made into a basic component.
  • the fluid control line (1) in which M fluid control lines L1 to L8 are arranged and a plurality of on-off valves (23) are configured so that the number of inlets is N (16 in the figure) and the number of outlets is M. It has a fluid introduction part (3).
  • each of the fluid control lines L1 to L8 is a line for controlling the process gas, and one row of purge gas lines P is provided so as to be in parallel with these.
  • a mass flow controller is used as the flow controller (21).
  • the mass flow controller (21) has a relatively narrow flow rate adjustable range, so if the flow rate adjustment range is different even for the same type of fluid, another mass flow controller (21) is used.
  • the flow rates of M types of process gases can be adjusted.
  • the fluid introduction part (3) comprises N ⁇ M on-off valves (23), and the M outlets of the fluid introduction part (3) and the M inlets of the fluid control part (2) are respectively 1: 1 so as to correspond to 1.
  • a filter (24) and a manual valve (27) are provided at each of the N inlets of the fluid introduction part (3).
  • Each of the M-row fluid control lines L1 to L8 is provided with two outlet-side on-off valves (25). Further, a pressure switch (28), a filter (24) and an on-off valve (26) common to the fluid control lines L1 to L8 are provided on the outlet side of the fluid control unit (2).
  • a pressure type is also known as a flow rate controller (see Patent Document 3).
  • N rows 16 rows of fluid control lines including the flow rate controller (21) which is relatively expensive and troublesome to maintain compared to the fluid control device shown in FIG. ) Is reduced to 8 rows (M rows), but the number of on-off valves (23) is greatly increased, so if you want to increase the number of inlets, the advantage is not fully utilized is there.
  • An object of the present invention is to provide a fluid control apparatus capable of reducing cost and space.
  • the fluid control apparatus includes a fluid control unit in which M rows of fluid control lines each having one inlet and one outlet each having one flow rate controller as a basic component are arranged, and a plurality of on-off valves. Is N (> M) and the number of outlets is M, and M outlets of the fluid inlet and M inlets of the fluid controller are 1: 1 respectively.
  • the fluid introduction unit includes a plurality of on-off valves and is arranged on the inlet side, the total number of inlets is N and the total number of outlets is K.
  • shut-off part is composed of an on-off valve and is arranged between the inlet-side shut-off part and the fluid control part, and is divided into a fluid control part-side shut-off part with a total number of inlets of K and a total number of outlets of M.
  • Each of the shut-off parts has a required number of on-off valves of 2 or more. And it is characterized in that it is divided into groups.
  • This fluid control device has N inlets and M outlets, and can adjust the flow rate of N kinds of fluids using M rows of fluid control lines (for example, L1 to L8).
  • a single row of fluid control lines is formed by connecting a flow controller alone or a required fluid controller to the flow controller.
  • the fluid control device means a fluid control device component other than the flow rate controller (mass flow controller or fluid variable flow rate control device), and the fluid control device includes an open / close valve (blocks / opens the fluid passage). Valve), pressure reducing valve, pressure indicator, filter, pressure switch, and the like are used as appropriate.
  • the fluid control devices required for the fluid control device are respectively provided at the N inlets of the fluid introduction unit, provided at each of the M rows of fluid control lines, and M rows of fluids at the outlet of the fluid control unit. They are divided into those provided as common to the control lines, and are arranged at appropriate locations.
  • One fluid control line includes, for example, a plurality of block-shaped joint members, which are lower layers, attached to a movable rail by male thread members, and a plurality of fluid control devices, which are upper layers so as to straddle adjacent joint members, and flow control
  • the container is attached to the joint member by a screw member from above.
  • the inlet-side shut-off part with a total number of N inlets and K total outlets is composed of N ⁇ K on-off valves, and the total number of K outlets is M.
  • a certain fluid control unit-side shut-off part is composed of K ⁇ M on-off valves, but the inlet-side shut-off part has a plurality (for example, two or four) each having two or more required number of on-off valves. ),
  • the total number of on-off valves of the inlet side shut-off part is divided into two groups, N ⁇ K / 2, and divided into four groups. If it is, the number is reduced to N ⁇ K / 4.
  • the fluid introduction section includes a first and second inlet side shut-off opening section composed of N1 ⁇ 2 and (N ⁇ N1) ⁇ 2 on-off valves, and a fluid control unit composed of 4 ⁇ M on-off valves, respectively. It may consist of a part-side shut-off part.
  • N1 is, for example, N / 2.
  • N is the number of inlets
  • M is the number of outlets.
  • the first and second inlet-side shut-off parts have four outlets for each N inlets (the maximum fluid type is The inlet side shut-off portion is limited to a total of four types, and two types of fluid are distributed to any of the M outlets by the fluid control portion side shut-off portion. By doing in this way, the number of on-off valves required for comprising a fluid introduction part can be reduced.
  • N is the number of inlets
  • M is the number of outlets. In this case, the number of outlets is four with respect to the number of inlets N by the first to fourth inlet side shut-off parts (the fluid type is the maximum).
  • each type is limited to a total of four types, one for each inlet-side shut-off portion, and four types of fluid are distributed to one of the M outlets by the fluid control-side shut-open portion.
  • the fluid introduction part includes first to fourth inlet side shut-off parts each including N / 4 on-off valves, and first and second fluids each including 2 ⁇ M / 2 on-off valves. It may consist of a control part side shut-off part.
  • N is the number of inlets
  • M is the number of outlets. In this case, the number of outlets is four with respect to the number of inlets N by the first to fourth inlet side shut-off parts (the fluid type is the maximum).
  • the first and second fluid control unit side blocking / opening portions distribute the four types of fluids to one of the M outlets. . By doing so, it is possible to reduce the number of on-off valves of the fluid control unit side shut-off part, and it is possible to further reduce the number of on-off valves necessary for constituting the fluid introduction part.
  • the mass flow controller for example, a mass flow controller can be used.
  • the mass flow controller includes a main body in which an inlet passage and an outlet passage are formed, a flow sensor attached to the main body, and a piezoelectric element type control valve. In some cases, it may be composed of an open / close control valve, a pressure sensor, a throttle unit, a flow rate sensor, and a control unit.
  • the flow rate controller may be of a pressure type (pressure type flow rate control device).
  • a pressure type pressure type flow rate control device
  • the upstream pressure of the orifice is set to about twice or more the downstream pressure.
  • an arithmetic and control unit that outputs the difference from the flow rate signal Qc as a control signal Qy to the drive portion of the control valve, adjusts the upstream pressure of the orifice by opening and closing the control valve, and There is to control the Fils downstream flow.
  • this pressure type flow controller it is possible to adjust the flow rate of plural kinds of fluids by one pressure type flow controller, and therefore, M rows of fluid control lines having M flow controllers are provided. It can be replaced with M rows of fluid control lines having m ( ⁇ M) pressure type flow controllers. By doing so, the number of flow controllers used in the fluid control unit can be reduced while keeping the number of inlets and the number of outlets the same.
  • the fluid control apparatus of the present invention since the M ( ⁇ N) rows of fluid control lines are associated with the number of N inlets, it is possible to reduce the number of flow rate controllers that cause a cost increase. And the overall cost can be reduced. In addition, since the increase in the number of on-off valves in the fluid introduction part composed of a plurality of on-off valves is suppressed, the cost can be further reduced and the installation space as a whole is also reduced.
  • FIG. 1 is a flowchart showing a first embodiment of a fluid control apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a flowchart showing a second embodiment of the fluid control apparatus according to the present invention.
  • FIG. 3 is a flowchart showing a third embodiment of the fluid control apparatus according to the present invention.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a fourth embodiment of the fluid control apparatus according to the present invention.
  • FIG. 5 is a block diagram showing a flow rate controller used in the fourth embodiment of the fluid control apparatus according to the present invention.
  • FIG. 6 is a flow chart showing a conventional fluid control device as a comparative example of the fluid control device according to the present invention.
  • FIG. 7 is a flowchart showing another example of a conventional fluid control device.
  • Fluid control device (2) (4) Fluid control unit (3) Fluid introduction part (5) (6) 1st and 2nd entrance side interception opening part (7) Fluid control part side shut-off part (8) (9) (10) (11) 1st to 4th inlet side shut-off part (12) (13) First and second fluid control part side shut-off part (21) (22) Flow controller (23) On-off valve (31) Control valve (32) Drive unit (33) Pressure detector (34) Orifice (42) Arithmetic control circuit (arithmetic control device) L1-L8 Fluid control line
  • FIG. 1 shows a first embodiment of the fluid control apparatus of the present invention.
  • the fluid introduction part (3) of this embodiment is divided into three parts, and the first and second inlet side shut-offs are arranged on the inlet side and are each composed of 2 ⁇ N / 2 open / close valves (23). Part (5) (6) and 4 ⁇ M open / close valves (23), arranged between the first and second inlet side shut-off parts (5) (6) and the fluid control part (2) The fluid control unit side cutoff opening (7).
  • the first and second inlet-side shut-off portions (5) and (6) divide N inlets into two inlet-side shut-open portions, each having N / 2 inlets and two outlets. is doing.
  • the total number of outlets (the number of inlets for the fluid control unit side shut-off part (7)) is (2 + 2) combined with the first and second inlet side shut-off parts (5) and (6).
  • the fluid control part side shut-off part (7) is constituted by 4 ⁇ M on-off valves (23), so that the fluid introduction part (3) as a whole has M pieces. An outlet is obtained, and the M outlets of the fluid introduction part (3) and the M inlets of the fluid control part (2) are connected so as to correspond to 1: 1.
  • both the first and second inlet side shut-off portions (5) and (6) have two outlets, and when introducing four types of fluids simultaneously, the first and second inlet sides Since four types cannot be introduced into any one of the shut-off parts (5) and (6), two kinds of fluids are introduced into the first and second inlet-side shut-off parts (5) and (6), respectively. Will be.
  • the number of on-off valves (23) is reduced from N ⁇ M to (2N + 4 ⁇ M) compared to that of FIG.
  • FIG. 2 shows a second embodiment of the fluid control apparatus of the present invention.
  • the fluid introduction part (3) of this embodiment is divided into five parts, and is arranged on the inlet side, and each of the first to fourth inlet side shut-offs composed of N / 4 on-off valves (23) is provided.
  • the fluid control section side shut-off section (7) has the same configuration as that of the first embodiment.
  • the difference from the first embodiment is that the first and second inlet side blocking / opening portions (5) and (6) in the first embodiment are further divided into four inlet side blocking / opening portions (8) and (9). (10) The point is divided into (11).
  • one type of fluid is introduced into each of the first to fourth inlet-side blocking / opening portions (8), (9), (10), and (11).
  • the total number of outlets of the first to fourth inlet side shut-off parts (8), (9), (10) and (11) (the number of inlets for the fluid control part side shut-off part (7)) Is (1 + 1 + 1 + 1), and the total number of four outlets is made to correspond to each inlet of the fluid control section side shut-off section (7) composed of 4 ⁇ M on-off valves (23).
  • the introduction part (3) as a whole has M outlets, and the M outlets of the fluid introduction part (3) and the M inlets of the fluid control part (2) respectively correspond to 1: 1. So connected.
  • the number of on-off valves (23) is further reduced by N as compared with the first embodiment.
  • FIG. 3 shows a third embodiment of the fluid control apparatus of the present invention.
  • the fluid introduction part (3) of this embodiment is divided into six parts, and is arranged on the inlet side, and the first to fourth inlet side shut-offs each comprising N / 4 on-off valves (23) are provided.
  • the first to fourth inlet side shut-off portions (8), (9), (10), and (11) have the same configuration as that of the second embodiment.
  • the difference of the third embodiment from the second embodiment is that the fluid control section side shut-off section (7) in the second embodiment is divided into two fluid control section side shut-open sections (12) (13). This is the point.
  • the first and second fluid control unit side blocking / opening portions (12) and (13) as a whole have four inlets and M outlets, which is the same as in the second embodiment.
  • the third embodiment when one type of fluid is introduced into each of the first to fourth inlet side cutoff opening portions (8), (9), (10), and (11),
  • the total number of outlets of the first to fourth inlet side shut-off parts (8), (9), (10), and (11) (fluid control part side shut-off parts (12) and (13)
  • the number of inlets is 4 for (1 + 1 + 1 + 1)
  • the total number of four outlets is the two inlets of the first fluid control unit side shut-off unit (12) and the second fluid control unit side shut-off unit.
  • M outlets are obtained for the fluid control unit side shut-off part (12), (13) as a whole (fluid introduction part (3) as a whole).
  • the M outlets of the introduction part (3) and the M inlets of the fluid control part (2) are connected so as to correspond to 1: 1.
  • the number of on-off valves (23) of the fluid control section side shut-off section (12) (13) is half that of the second embodiment (M / 2). Has been reduced.
  • FIG. 4 shows a fourth embodiment of the fluid control apparatus of the present invention.
  • the configuration of the fourth embodiment is different from that of the third embodiment in the configuration of the fluid control units (2) and (4).
  • the flow rate controller (22) is a pressure type instead of the mass flow controller (21).
  • the flow rate controller (21) includes a control valve (31), its drive unit (32), a pressure detector (33), an orifice (34), a fluid extraction joint (35), a flow rate From the calculation circuit (36), fluid type selection circuit (37), flow rate setting circuit (38), ratio FF storage unit (39), flow rate calculation unit (40), flow rate display unit (41) and calculation control circuit (42) Become.
  • the flow rate calculation circuit (36) includes a temperature detector (44), amplification circuits (43) and (45), A / D converters (46) and (47), a temperature correction circuit (48), and a calculation circuit (49).
  • the arithmetic control circuit (42) includes a comparison circuit (50) and an amplifier circuit (51).
  • a so-called direct touch type metal diaphragm valve is used for the control valve (31), and a piezoelectric element type driving device is used for the driving part (32).
  • a magnetostrictive element type drive device is used for the control valve (31)
  • a solenoid type drive device is used for the driving part (32).
  • a motor type drive device is used for the motor of the motor (31)
  • a pneumatic type drive device is used for the driving part (32).
  • a thermal expansion type drive device are used as these drive units.
  • a semiconductor strain type pressure sensor is used for the pressure detector (33).
  • a pressure detector a metal foil strain type pressure sensor, a capacitance type pressure sensor, a magnetoresistive type pressure sensor, etc. Use is also possible.
  • a thermocouple type temperature sensor is used for the temperature detector (44), various known temperature sensors such as a resistance temperature sensor can be used.
  • the orifice (34) is formed by drilling a minute hole in a metal sheet gasket by cutting so as to have a required flow rate characteristic.
  • an orifice in which a hole is formed in a metal film by etching and electric discharge machining can be used.
  • the fluid type selection circuit (37) selects a fluid, and the flow rate setting circuit (38) commands the flow rate setting signal Qe to the arithmetic control circuit (42).
  • the ratio FF storage unit (39) is a memory that stores the ratio FF for N 2 gas.
  • the control valve (31) is controlled to open and close by a difference signal between the calculated flow rate Qc and the set flow rate Qs.
  • the flow factor FF for each fluid type is calculated by the following equation.
  • FF (k / ⁇ ) ⁇ 2 / ( ⁇ + 1) ⁇ 1 / ( ⁇ 1) [ ⁇ / ⁇ ( ⁇ + 1) R ⁇ 1/2 ⁇ : density of fluid in the standard state, ⁇ : specific heat ratio of fluid, R: fluid constant, k: proportional constant independent of fluid type.
  • one flow controller (22) can be made to correspond to a plurality of fluid types, and in the fourth embodiment, by using this, M can be compared with that in the third embodiment.
  • the number of flow rate controllers (21) can be set to m (for example, half) flow rate controllers (22).
  • the number of flow controllers (22) to be reduced is appropriately changed according to the type of fluid and the flow range.
  • the fluid control unit (4) of the fourth embodiment can also be applied to the fluid control device (1) of the first to third embodiments, whereby the flow rate controller (21) is changed from each embodiment. The number of can be reduced.
  • a fluid control device formed by integrating a plurality of fluid control devices the cost can be reduced and the space can be reduced.
  • a fluid control device used in a semiconductor manufacturing device or the like a semiconductor can be obtained. It can contribute to the performance improvement of manufacturing equipment.

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Flow Control (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Valve Housings (AREA)

Abstract

　コストを減少するとともに、スペースの減少も可能とした流体制御装置を提供する。流体制御装置（１）は、流体制御部（２）と流体導入部（３）とを有している。流体導入部（３）は、３つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれ２×Ｎ／２個の開閉弁（２３）からなる第１および第２入口側遮断開放部（５，６）と、４×Ｍ個の開閉弁（２３）からなり、第１および第２入口側遮断開放部（５，６）と流体制御部（２）との間に配置された流体制御部側遮断開放部（７）とからなる。

Description

流体制御装置
　この発明は、半導体製造装置等に使用される流体制御装置に関し、特に、複数の流体制御機器が集積化されて形成される流体制御装置に関する。
　半導体製造装置で使用される流体制御装置においては、複数の流体制御機器が直列状に配されてパイプや継手を介さずに接続されることによって形成された複数のラインをベース部材上に並列状に設置するという集積化が進んでいる（特許文献１および特許文献２）。
　特許文献１の流体制御装置においては、図７に示すように、１つの流量制御器(21)を基本構成要素として１列のプロセスガス制御ライン（流体制御ライン）が構成され、複数（流量制御器(21)の数と同じ）のプロセスガス制御ラインＬ１～Ｌ１６が並列に配置されることで、流体制御装置が構成されている。流体制御ラインＬ１～Ｌ１６にさらに並列に追加されているラインＰは、パージガスラインである。
　図７において、各プロセスガス制御ラインＬ１～Ｌ１６は、入口側から、フィルタ(24)、入口側の２つの開閉弁(23)、流量制御器（マスフローコントローラ）(21)および出口側の開閉弁(25)を有しており、各プロセスガス制御ラインＬ１～Ｌ１６に共通の出口部分にも、開閉弁(26)が設けられている。
　このような流体制御装置においては、全てのプロセスガス制御ラインＬ１～Ｌ１６に常に流体（ガス）が流されているわけではなく、２～３ラインを使用して、異なる種類や異なる流量のガスが順次切り換えられ、流量調整器(21)によってその流量が調整されて、下流側のチャンバーへと送られる。流量調整器(21)として使用されるマスフローコントローラは、流量センサおよびコントロール弁などを内蔵したもので、高価でかつ頻繁なメンテナンスが必要であり、全体のコストを増加させる要因となっている。一方、半導体製造装置で使用される流体制御装置では、流体種類が増加する傾向にあり、それに伴って、スペースおよびコストが増加するという問題がある。
　また、特許文献２の流体制御装置においては、１つの流量制御器を基本構成要素として入口および出口を１つずつ有する１列の流体制御ラインがＭ列配置された流体制御部と、複数の開閉弁によって入口数がＮ（＞Ｍ）で出口数がＭとなるように構成された流体導入部とを有し、流体導入部のＭ個の出口と流体制御部のＭ個の入口とがそれぞれ１：１で接続されている。
　この特許文献２のものを図７に示した従来の流体制御装置に対応させると、図６に示すように、Ｍ個（図示は８個）の流量制御器(21)を基本構成要素とする流体制御ラインＬ１～Ｌ８がＭ列配置された流体制御部(2)と、複数の開閉弁(23)によって入口数がＮ（図示は１６個）で出口数がＭとなるように構成された流体導入部(3)とを有しているものとなる。
　同図において、各流体制御ラインＬ１～Ｌ８は、プロセスガスを制御するラインであり、これらに並列となるように、１列のパージガスラインＰが設けられている。
　流量制御器(21)としては、マスフローコントローラが使用されている。マスフローコントローラ(21)は、流量調整可能範囲が比較的狭いため、同じ種類の流体であってもその流量調整範囲が異なる場合には別のマスフローコントローラ(21)が使用されており、Ｍ列の流体制御ラインＬ１～Ｌ８によって、Ｍ種類のプロセスガス（同じプロセスガスで流量が異なるものを含む）の流量を調整することができる。
　流体導入部(3)は、Ｎ×Ｍ個の開閉弁(23)からなり、流体導入部(3)のＭ個の出口と流体制御部(2)のＭ個の入口とは、それぞれ１：１に対応するように接続されている。
　流体導入部(3)のＮ個の各入口には、フィルタ(24)および手動弁(27)がそれぞれ設けられている。Ｍ列の各流体制御ラインＬ１～Ｌ８には、それぞれ２つの出口側開閉弁(25)が設けられている。また、流体制御部(2)の出口側には、各流体制御ラインＬ１～Ｌ８に共通の圧力スイッチ(28)、フィルタ(24)および開閉弁(26)が設けられている。
　なお、流量制御器としては、マスフローコントローラの他に、圧力式のものも知られている（特許文献３参照）。
特開２００２－２０６７００号公報 特開２０００－３２３４６４号公報 特許第３３８７８４９号公報
　上記の図６に示す流体制御装置によると、図７に示す流体制御装置に比べて、相対的にコストが高くメンテナンスが面倒な流量制御器(21)を含む流体制御ラインが１６列（Ｎ列）から８列（Ｍ列）に減らされるという利点があるが、開閉弁(23)の数が大幅に増加するため、入口の数を多くしたい場合には、利点が十分に生かされないという問題がある。
　この発明の目的は、コストを減少するとともに、スペースの減少も可能とした流体制御装置を提供することにある。
　この発明による流体制御装置は、１つの流量制御器を基本構成要素として入口および出口を１つずつ有する１列の流体制御ラインがＭ列配置された流体制御部と、複数の開閉弁によって入口数がＮ（＞Ｍ）で出口数がＭとなるように構成された流体導入部とを有し、流体導入部のＭ個の出口と流体制御部のＭ個の入口とがそれぞれ１：１で接続されている流体制御装置において、流体導入部は、複数の開閉弁からなり入口側に配置されて入口の総数がＮ個で出口の総数がＫ個である入口側遮断開放部と、複数の開閉弁からなり入口側遮断開放部と流体制御部との間に配置されて入口の総数がＫ個で出口の総数がＭ個である流体制御部側遮断開放部とに分けられるとともに、入口側遮断開放部は、それぞれ２以上の所要数の開閉弁を有する複数のグループに分けられていることを特徴とするものである。
　この流体制御装置は、入口数がＮ個、出口数がＭ個であり、Ｍ列の流体制御ライン（例えばＬ１～Ｌ８）を使用してＮ種類の流体の流量を調整することができる。
　１列の流体制御ラインは、流量制御器単独または流量制御器に所要の流体制御機器が接続されることで形成される。ここで、流体制御機器は、流量制御器（マスフローコントローラまたは流体可変型流量制御装置）以外の流体制御装置構成要素を意味し、流体制御機器としては、開閉弁（流体通路の遮断・開放を行う弁）、減圧弁、圧力表示機、フィルタ、圧力スイッチなどが適宜使用される。流体制御装置に必要な流体制御機器は、流体導入部のＮ個の入口にそれぞれ設けられるものと、Ｍ列の流体制御ラインのそれぞれに設けられるものと、流体制御部の出口にＭ列の流体制御ラインに共通のものとして設けられるものとに分けられて、適宜な箇所に配置される。
　１つの流体制御ラインは、例えば、下段層となる複数のブロック状継手部材がおねじ部材によって可動レールに取り付けられ、隣り合う継手部材にまたがるように上段層となる複数の流体制御機器および流量制御器が上方からのねじ部材によって継手部材に取り付けられたものとされる。
　一般的には、入口の総数がＮ個で出口の総数がＫ個である入口側遮断開放部は、Ｎ×Ｋ個の開閉弁からなるものとされ、Ｋ個で出口の総数がＭ個である流体制御部側遮断開放部は、Ｋ×Ｍ個の開閉弁からなるものとされるが、入口側遮断開放部がそれぞれ２以上の所要数の開閉弁を有する複数（例えば２つまたは４つ）のグループに分けられていることで、入口側遮断開放部の開閉弁の総数が、２つのグループに分けられている場合には、Ｎ×Ｋ／２個に、４つのグループに分けられている場合には、Ｎ×Ｋ／４個に減少する。
　例えば、流体導入部は、それぞれＮ１×２個および（Ｎ－Ｎ１）×２個の開閉弁からなる第１および第２の入口側遮断開放部と、４×Ｍ個の開閉弁からなる流体制御部側遮断開放部とからなることがある。Ｎ１は、例えばＮ／２とされる。Ｎは入口数で、Ｍは出口数であり、この場合には、第１および第２入口側遮断開放部によって、入口数Ｎ個に対して出口数が４個（流体種類は、最大で各入口側遮断開放部に２種類ずつ計４種類に限定）とされ、流体制御部側遮断開放部によって４種類の流体がＭ個の出口のいずれかに分配される。このようにすることで、流体導入部を構成するのに必要な開閉弁の数を減少することができる。
　また、流体導入部は、Ｎ＝Ｎ１＋Ｎ２＋Ｎ３＋Ｎ４として、それぞれＮ１，Ｎ２，Ｎ３およびＮ４個の開閉弁からなる第１から第４までの入口側遮断開放部と、４×Ｍ個の開閉弁からなる流体制御部側遮断開放部とからなることがある。例えば、Ｎ１＝Ｎ２＝Ｎ３＝Ｎ４＝Ｎ／４とされる。Ｎは入口数で、Ｍは出口数であり、この場合には、第１から第４までの入口側遮断開放部によって、入口数Ｎ個に対して出口数が４個（流体種類は、最大で各入口側遮断開放部に１種類ずつ計４種類に限定）とされ、流体制御部側遮断開放部によって４種類の流体がＭ個の出口のいずれかに分配される。このようにすることで、流体導入部を構成するのに必要な開閉弁の数をより一層減少することができる。
　また、流体導入部は、それぞれＮ／４個の開閉弁からなる第１から第４までの入口側遮断開放部と、それぞれ２×Ｍ／２個の開閉弁からなる第１および第２の流体制御部側遮断開放部とからなることがある。Ｎは入口数で、Ｍは出口数であり、この場合には、第１から第４までの入口側遮断開放部によって、入口数Ｎ個に対して出口数が４個（流体種類は、最大で各入口側遮断開放部に１種類ずつ計４種類に限定）とされ、第１および第２の流体制御部側遮断開放部によって４種類の流体がＭ個の出口のいずれかに分配される。このようにすることで、流体制御部側遮断開放部の開閉弁を減らすことができ、流体導入部を構成するのに必要な開閉弁の数をより一層減少することができる。
　流量制御器としては、例えば、マスフローコントローラを使用することができ、マスフローコントローラは、入口通路および出口通路が形成された本体と、本体に取り付けられた流量センサおよびピエゾ圧電素子式コントロール弁とからなるものとされることがあり、また、開閉制御弁、圧力センサ、絞り部、流量センサおよび制御部からなるものとされることがある。
　流量制御器としては、圧力式のもの（圧力式流量制御装置）とされることがあり、このような流量制御器としては、例えば、オリフィスの上流側圧力を下流側圧力の約２倍以上に保持した状態で流体の流量制御を行なう圧力式のものであって、金属薄板に微小な孔を穿設して形成されかつ所要の流量特性を具備したオリフィスと、オリフィスの上流側に設けたコントロール弁と，コントロール弁とオリフィス間に設けた圧力検出器と、圧力検出器の検出圧力Ｐから流量ＱｃをＱｃ＝Ｋ×Ｐ（但しＫは定数）として演算するとともに、流量指令信号Ｑｓと前記演算した流量信号Ｑｃとの差を制御信号Ｑｙとしてコントロール弁の駆動部へ出力する演算制御装置とから構成され、コントロール弁の開閉によりオリフィス上流側圧力を調整し、オリフィス下流側流量を制御するものがある。
　この圧力式流量制御器によると、１台の圧力式流量制御器によって複数種類の流体の流量を調整することが可能であり、したがって、Ｍ個の流量制御器を有するＭ列の流体制御ラインがｍ（＜Ｍ）個の該圧力式流量制御器を有するＭ列の流体制御ラインで置き換え可能となる。このようにすることで、入口数および出口数を同じに保って、流体制御部で使用される流量制御器の数を減少することができる。
　この発明の流体制御装置によると、Ｎ個の入口数に対応して、Ｍ（＜Ｎ）列の流体制御ラインが対応させられているので、コスト増加要因となる流量制御器を減少することができ、全体のコストを下げることができる。また、複数の開閉弁からなる流体導入部の開閉弁の数の増加が抑えられているので、より一層のコスト低減ができるとともに、全体としての設置スペースも減少する。
図１は、この発明による流体制御装置の第１実施形態を示すフロー図である。 図２は、この発明による流体制御装置の第２実施形態を示すフロー図である。 図３は、この発明による流体制御装置の第３実施形態を示すフロー図である。 図４は、この発明による流体制御装置の第４実施形態を示すフロー図である。 図５は、この発明による流体制御装置の第４実施形態で使用されている流量制御器を示すブロック図である。 図６は、この発明による流体制御装置の比較例となる従来の流体制御装置を示すフロー図である。 図７は、従来の流体制御装置の他の例を示すフロー図である。
(1)　　　　 　流体制御装置
(2)(4)　　　　流体制御部
(3)　　　　 　流体導入部
(5)(6)　　　　第１および第２入口側遮断開放部
(7)　　　　 　流体制御部側遮断開放部
(8)(9)(10)(11)第１～第４入口側遮断開放部
(12)(13)　　　第１および第２流体制御部側遮断開放部
(21)(22)　　　流量制御器
(23)　　　　　開閉弁
(31)　　　　　コントロール弁
(32)　　　　　駆動部
(33)　　　　　圧力検出器
(34)　　　　　オリフィス
(42)　　　　　演算制御回路（演算制御装置）
Ｌ１～Ｌ８　　流体制御ライン
　この発明の実施の形態を、以下図面を参照して説明する。以下の説明において、図６に示したものと同じ構成には同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
　図１は、この発明の流体制御装置の第１実施形態を示している。
　この実施形態の流体導入部(3)は、３つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれ２×Ｎ／２個の開閉弁(23)からなる第１および第２入口側遮断開放部(5)(6)と、４×Ｍ個の開閉弁(23)からなり、第１および第２入口側遮断開放部(5)(6)と流体制御部(2)との間に配置された流体制御部側遮断開放部(7)とからなる。
　第１および第２入口側遮断開放部(5)(6)は、Ｎ個の入口を２つの入口側遮断開放部に分けるもので、それぞれＮ／２個の入口と２個の出口とを有している。これにより、第１および第２入口側遮断開放部(5)(6)を合わせた出口数（流体制御部側遮断開放部(7)にとっては入口数）は、（２＋２）個となり、この計４個の出口数に対応して、流体制御部側遮断開放部(7)を４×Ｍ個の開閉弁(23)によって構成することで、流体導入部(3)全体としては、Ｍ個の出口が得られ、流体導入部(3)のＭ個の出口と流体制御部(2)のＭ個の入口とが、それぞれ１：１に対応するように接続されている。
　図６に示したものでは、流体制御部(2)へは最大でＭ種類（８種類）の流体を同時に導入することができる。しかしながら、実用的には、流体制御部(2)へは最大で４種類の流体を同時に導入することができればよく、この条件下では、第１実施形態のようにすることで、開閉弁(23)の数の減少が可能となる。なお、この実施形態では、第１および第２入口側遮断開放部(5)(6)ともに出口数は２つであり、４種類の流体を同時に導入するに際しては、第１および第２入口側遮断開放部(5)(6)のいずれか一方に４種類とも導入することはできないので、第１および第２入口側遮断開放部(5)(6)にそれぞれ２種類ずつの流体が導入されることになる。
　こうして、第１実施形態のものによると、図６のものに比べて、開閉弁(23)の数がＮ×Ｍ個から（２Ｎ＋４×Ｍ）個に減らされている。
　図２は、この発明の流体制御装置の第２実施形態を示している。
　この実施形態の流体導入部(3)は、５つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれＮ／４個の開閉弁(23)からなる第１から第４までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と、４×Ｍ個の開閉弁(23)からなり、第１から第４までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と流体制御部(2)との間に配置された流体制御部側遮断開放部(7)とからなる。
　流体制御部側遮断開放部(7)は、第１実施形態のものと同じ構成とされている。第１実施形態との相違点は、第１実施形態における第１および第２入口側遮断開放部(5)(6)がそれぞれさらに分割されて４つの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)に分けられている点にある。第２実施形態のものによると、第１から第４までの各入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)にそれぞれ１種類ずつの流体が導入されることで、第１実施形態と同様に、第１から第４までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)の総出口数（流体制御部側遮断開放部(7)にとっては入口数）は、（１＋１＋１＋１）の４個となり、この計４個の出口数を４×Ｍ個の開閉弁(23)からなる流体制御部側遮断開放部(7)の各入口に対応させることで、流体導入部(3)全体としては、Ｍ個の出口が得られ、流体導入部(3)のＭ個の出口と流体制御部(2)のＭ個の入口とが、それぞれ１：１に対応するように接続されている。
　こうして、第２実施形態のものによると、第１実施形態のものに比べて、開閉弁(23)の数がＮ個さらに減らされている。
　図３は、この発明の流体制御装置の第３実施形態を示している。
　この実施形態の流体導入部(3)は、６つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれＮ／４個の開閉弁(23)からなる第１から第４までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と、それぞれ２×Ｍ／２個の開閉弁(23)からなり、第１から第４までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と流体制御部(2)との間に配置された第１および第２の流体制御部側遮断開放部(12)(13)とからなる。
　第１から第４までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)は、第２実施形態のものと同じ構成とされている。第３実施形態の第２実施形態との相違点は、第２実施形態における流体制御部側遮断開放部(7)がそれぞれ分割されて２つの流体制御部側遮断開放部(12)(13)とされている点にある。第１および第２の流体制御部側遮断開放部(12)(13)は、全体として、入口数が４個、出口数がＭ個であり、これは、第２実施形態と同じである。
　したがって、第３実施形態のものによると、第１から第４までの各入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)にそれぞれ１種類ずつの流体が導入されることで、第３実施形態と同様に、第１から第４までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)の総出口数（流体制御部側遮断開放部(12)(13)にとっては入口数）は、（１＋１＋１＋１）の４個となり、この計４個の出口数を第１流体制御部側遮断開放部(12)の２個の入口および第２流体制御部側遮断開放部(13)の２個の入口にそれぞれ対応させることで、流体制御部側遮断開放部(12)(13)全体（流体導入部(3)全体）としては、Ｍ個の出口が得られ、流体導入部(3)のＭ個の出口と流体制御部(2)のＭ個の入口とが、それぞれ１：１に対応するように接続されている。
　こうして、第３実施形態のものによると、第２実施形態のものに比べて、流体制御部側遮断開放部(12)(13)の開閉弁(23)の数が半分（Ｍ／２個）に減らされている。
　図４は、この発明の流体制御装置の第４実施形態を示している。第４実施形態のものは、第３実施形態のものと流体制御部(2)(4)の構成が相違している。
　第４実施形態のものでは、流量制御器(22)が、マスフローコントローラ(21)に代えて、圧力式のものとされている。
　この流量制御器(21)は、図５に示すように、コントロール弁(31)、その駆動部(32)、圧力検出器(33)、オリフィス(34)、流体取出用継手(35)、流量演算回路(36)、流体種類選択回路(37)、流量設定回路(38)、比ＦＦ記憶部(39)、流量演算部(40)、流量表示部(41)および演算制御回路(42)からなる。
　流量演算回路(36)は、温度検出器(44)、増幅回路(43)(45)、Ａ／Ｄ変換器(46)(47)、温度補正回路(48)および演算回路(49)からなる。また、演算制御回路(42)は比較回路(50)および増幅回路(51)からなる。
　コントロール弁(31)には、所謂ダイレクトタッチ型のメタルダイヤフラム弁が使用されており、また、その駆動部(32)には圧電素子型駆動装置が使用されている。なお、これらの駆動部としてはこの他に、磁歪素子型駆動装置やソレノイド型駆動装置、モータ型駆動装置、空気圧型駆動装置、熱膨張型駆動装置が用いられる。
　圧力検出器(33)には半導体歪型圧力センサーが使用されているが、圧力検出器としてはこの他に、金属箔歪型圧力センサーや静電容量型圧力センサー、磁気抵抗型圧力センサー等の使用も可能である。温度検出器(44)には熱電対型温度センサーが使用されているが、測温抵抗型温度センサー等の公知の各種温度センサーが使用できる。
　オリフィス(34)は、所要の流量特性を具備するように、金属薄板製ガスケットに切削加工によって微小な孔を穿設して形成されている。オリフィスとしてはこの他に、エッチング及び放電加工により金属膜に孔を形成したオリフィスを使用することができる。
　流体種類選択回路(37)は、流体を選択するもので、流量設定回路(38)はその流量設定信号Ｑe を演算制御回路(42)に指令する。比ＦＦ記憶部(39)はＮ２ガスに対する比ＦＦを記憶したメモリーである。流量演算部(40)では比ＦＦのデータを用いて、流通している流体種類の流量ＱをＱ＝比ＦＦ×ＱＮ（ＱＮ は相当Ｎ２ガス流量）で演算し、この値を流量表示部(41)に表示する。
　この流量制御器(22)では、上流側圧力を下流側圧力の約２倍以上に保持しながら特定の流体に関し下流側の流量ＱｃをＱｃ＝Ｋ×Ｐ（Ｋ：定数）で演算できるように設定し、この演算流量Ｑｃと設定流量Ｑｓとの差信号によりコントロール弁(31)が開閉制御される。
　ここで、流体種類毎にフローファクターＦＦは、次式で計算される。
　ＦＦ＝（ｋ／γ）｛２／（κ＋１）｝１／（κ－１）［κ／｛（κ＋１）Ｒ｝１／２
γ：流体の標準状態に於ける密度、κ：流体の比熱比、Ｒ：流体定数、ｋ：流体種類に依存しない比例定数。
　そして、比ＦＦ記憶部(39)に記憶された流体種類Ｂの流体種類Ａに対する比フローファクターを使用して、流量演算部(40)において、基準となる流体種類Ａの演算流量がＱａの場合に、同一オリフィス、同一上流側圧力および同一上流側温度の条件下で流体種類Ｂを流通させたとき、その演算流量ＱｂがＱｂ＝比フローファクター×Ｑａとして算出される。
　これにより、１台の流量制御器(22)を複数の流体種類に対応させることができ、第４実施形態のものでは、これを使用することで、第３実施形態のものに比べて、Ｍ個の流量制御器(21)をｍ個（例えば半分）の流量制御器(22)とすることが可能となる。減らされる流量制御器(22)の数は、流体の種類や流量範囲によって適宜変更される。
　この第４実施形態の流体制御部(4)は、第１から第３までの実施形態の流体制御装置(1)にも適用可能であり、これにより、各実施形態から流量制御器(21)の数を減らすことができる。
　複数の流体制御機器が集積化されて形成される流体制御装置において、コストを減少するとともに、スペースも減少できるので、これを半導体製造装置等に使用される流体制御装置に適用することにより、半導体製造装置等の性能向上に寄与できる。

Claims (5)

  1. 　１つの流量制御器を基本構成要素として入口および出口を１つずつ有する１列の流体制御ラインがＭ列配置された流体制御部と、複数の開閉弁によって入口数がＮ（＞Ｍ）で出口数がＭとなるように構成された流体導入部とを有し、流体導入部のＭ個の出口と流体制御部のＭ個の入口とがそれぞれ１：１で接続されている流体制御装置において、
    　流体導入部は、複数の開閉弁からなり入口側に配置されて入口の総数がＮ個で出口の総数がＫ個である入口側遮断開放部と、複数の開閉弁からなり入口側遮断開放部と流体制御部との間に配置されて入口の総数がＫ個で出口の総数がＭ個である流体制御部側遮断開放部とに分けられるとともに、入口側遮断開放部は、それぞれ２以上の所要数の開閉弁を有する複数のグループに分けられていることを特徴とする流体制御装置。
  2. 　流体導入部は、それぞれＮ１×２個および（Ｎ－Ｎ１）×２個の開閉弁からなる第１および第２入口側遮断開放部と、４×Ｍ個の開閉弁からなる流体制御部側遮断開放部とからなる請求項１の流体制御装置。
  3. 　流体導入部は、Ｎ＝Ｎ１＋Ｎ２＋Ｎ３＋Ｎ４として、それぞれＮ１，Ｎ２，Ｎ３およびＮ４個の開閉弁からなる第１から第４までの入口側遮断開放部と、４×Ｍ個の開閉弁からなる流体制御部側遮断開放部とからなる請求項１の流体制御装置。
  4. 　流体導入部は、それぞれＮ／４個の開閉弁からなる第１から第４までの入口側遮断開放部と、それぞれ２×Ｍ／２個の開閉弁からなる第１および第２の流体制御部側遮断開放部とからなる請求項１の流体制御装置。
  5. 　流量制御器は、オリフィスの上流側圧力を下流側圧力の約２倍以上に保持した状態で流体の流量制御を行なう圧力式のものであって、金属薄板に微小な孔を穿設して形成されかつ所要の流量特性を具備したオリフィスと、オリフィスの上流側に設けたコントロール弁と，コントロール弁とオリフィス間に設けた圧力検出器と、圧力検出器の検出圧力Ｐから流量ＱｃをＱｃ＝Ｋ×Ｐ（但しＫは定数）として演算するとともに、流量指令信号Ｑｓと前記演算した流量信号Ｑｃとの差を制御信号Ｑｙとしてコントロール弁の駆動部へ出力する演算制御装置とから構成され、コントロール弁の開閉によりオリフィス上流側圧力を調整し、オリフィス下流側流量を制御するものとされており、Ｍ個の流量制御器を有するＭ列の流体制御ラインがｍ（＜Ｍ）個の該圧力式流量制御器を有するＭ列の流体制御ラインで置き換えられていることを特徴とする請求項１から４までのいずれかの流体制御装置。
PCT/JP2009/068982 2009-03-03 2009-11-06 流体制御装置 WO2010100792A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020117020923A KR101661003B1 (ko) 2009-03-03 2009-11-06 유체 제어 장치
CN200980157836XA CN102341760B (zh) 2009-03-03 2009-11-06 流体控制装置
US13/203,866 US9169558B2 (en) 2009-03-03 2009-11-06 Fluid control apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009-049045 2009-03-03
JP2009049045A JP5216632B2 (ja) 2009-03-03 2009-03-03 流体制御装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010100792A1 true WO2010100792A1 (ja) 2010-09-10

Family

ID=42709367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/068982 WO2010100792A1 (ja) 2009-03-03 2009-11-06 流体制御装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9169558B2 (ja)
JP (1) JP5216632B2 (ja)
KR (1) KR101661003B1 (ja)
CN (1) CN102341760B (ja)
TW (1) TWI483089B (ja)
WO (1) WO2010100792A1 (ja)

Families Citing this family (261)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
JP5562712B2 (ja) * 2010-04-30 2014-07-30 東京エレクトロン株式会社 半導体製造装置用のガス供給装置
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9188990B2 (en) 2011-10-05 2015-11-17 Horiba Stec, Co., Ltd. Fluid mechanism, support member constituting fluid mechanism and fluid control system
JP5803552B2 (ja) * 2011-10-14 2015-11-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
TW201335725A (zh) * 2012-02-16 2013-09-01 jun-xian Li 一種安全保護裝置及其控制方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9454158B2 (en) 2013-03-15 2016-09-27 Bhushan Somani Real time diagnostics for flow controller systems and methods
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
JP6346849B2 (ja) * 2014-08-20 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置の運用方法
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
JP6573559B2 (ja) * 2016-03-03 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10983537B2 (en) 2017-02-27 2021-04-20 Flow Devices And Systems Inc. Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US20190072987A1 (en) * 2017-11-02 2019-03-07 Nri R&D Patent Licensing, Llc Valve configurations facilitating clearing, cleaning, drying, and burst formation for microfluidic devices, fluidic arrangements, and other systems
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) * 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TWI819010B (zh) 2018-06-27 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
JP7296699B2 (ja) * 2018-07-02 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム、プラズマ処理装置およびガス供給システムの制御方法
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
US11898243B2 (en) 2020-04-24 2024-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming vanadium nitride-containing layer
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06119059A (ja) * 1992-09-30 1994-04-28 Ckd Corp マスフローコントローラ流量検定システム
JPH1066922A (ja) * 1996-07-16 1998-03-10 Illinois Tool Works Inc <Itw> 流体供給装置
JP2003091322A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Ckd Corp ガス供給集積弁

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3586075B2 (ja) * 1997-08-15 2004-11-10 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
EP0931941B1 (en) * 1997-08-15 2005-12-28 Fujikin Inc. Orifice for pressure type flow rate control unit and process for manufacturing orifice
JP3522544B2 (ja) * 1998-08-24 2004-04-26 忠弘 大見 流体可変型流量制御装置
JP3387849B2 (ja) 1999-05-10 2003-03-17 株式会社フジキン フローファクターによる流体可変型流量制御方法およびその装置
US6210482B1 (en) * 1999-04-22 2001-04-03 Fujikin Incorporated Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing
JP3554509B2 (ja) * 1999-08-10 2004-08-18 忠弘 大見 圧力式流量制御装置における流量異常検知方法
JP3482601B2 (ja) 2000-06-30 2003-12-22 東京エレクトロン株式会社 流体制御装置
WO2004070801A1 (ja) * 2003-02-07 2004-08-19 Tokyo Electron Limited 流体制御装置および熱処理装置
WO2007017937A1 (ja) * 2005-08-10 2007-02-15 Fujikin Incorporated 流体制御装置
JP4677805B2 (ja) * 2005-03-22 2011-04-27 株式会社フジキン 流体制御装置
JP4856905B2 (ja) * 2005-06-27 2012-01-18 国立大学法人東北大学 流量レンジ可変型流量制御装置
US7775236B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US8074677B2 (en) * 2007-02-26 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US8769733B2 (en) * 2007-06-18 2014-07-08 E. Taylor Galyean Computer-controlled hydrotherapy system
CN102449569B (zh) * 2009-05-29 2014-02-26 美卓造纸机械公司 用于控制数字液压控制器的方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06119059A (ja) * 1992-09-30 1994-04-28 Ckd Corp マスフローコントローラ流量検定システム
JPH1066922A (ja) * 1996-07-16 1998-03-10 Illinois Tool Works Inc <Itw> 流体供給装置
JP2003091322A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Ckd Corp ガス供給集積弁

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010204899A (ja) 2010-09-16
TWI483089B (zh) 2015-05-01
US20120031500A1 (en) 2012-02-09
CN102341760B (zh) 2013-10-09
KR101661003B1 (ko) 2016-09-28
TW201040683A (en) 2010-11-16
KR20110123258A (ko) 2011-11-14
JP5216632B2 (ja) 2013-06-19
US9169558B2 (en) 2015-10-27
CN102341760A (zh) 2012-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5216632B2 (ja) 流体制御装置
KR101162546B1 (ko) 압력식 유량 제어 장치를 이용한 유체의 비연속식 유량 스위칭 제어 방법
US6314992B1 (en) Fluid-switchable flow rate control system
JP4856905B2 (ja) 流量レンジ可変型流量制御装置
US6422264B2 (en) Parallel divided flow-type fluid supply apparatus, and fluid-switchable pressure-type flow control method and fluid-switchable pressure-type flow control system for the same fluid supply apparatus
US9556966B2 (en) Gas supplying apparatus
JP5616416B2 (ja) 集積型ガス供給装置
JP5091821B2 (ja) マスフローコントローラ
WO2015064035A1 (ja) 圧力式流量制御装置
US10534376B2 (en) Gas divided flow supplying apparatus for semiconductor manufacturing equipment
CN105940357A (zh) 压力式流量控制装置及其流量控制开始时的超量防止方法
JPWO2009084422A1 (ja) 流量比率制御装置
JP2015138338A5 (ja)
WO2018070464A1 (ja) 流体制御装置
JP4658262B2 (ja) 液体供給システム
JP6555419B2 (ja) フローコントローラ
JPS62106103A (ja) 空気圧インタ−フエ−ス装置
JP2022069394A (ja) 流量比率制御装置、流量比率制御装置用制御プログラム、及び、流量比率制御装置の制御方法
EP2327000A2 (en) System and method for monitoring control status of an exhaust apparatus pressure control system

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980157836.X

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09841152

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117020923

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13203866

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 09841152

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1