JP2010204899A - 流体制御装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 コストを減少するとともに、スペースの減少も可能とした流体制御装置を提供する。
【解決手段】 流体制御装置1は、流体制御部2と流体導入部3とを有している。流体導入部3は、3つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれ2×N/2個の開閉弁23からなる第1および第2入口側遮断開放部5,6と、4×M個の開閉弁23からなり、第1および第2入口側遮断開放部5,6と流体制御部2との間に配置された流体制御部側遮断開放部7とからなる。
【選択図】 図1

Description

この発明は、半導体製造装置等に使用される流体制御装置に関し、特に、複数の流体制御機器が集積化されて形成される流体制御装置に関する。
半導体製造装置で使用される流体制御装置においては、複数の流体制御機器が直列状に配されてパイプや継手を介さずに接続されることによって形成された複数のラインをベース部材上に並列状に設置するという集積化が進んでいる(特許文献1および特許文献2)。
特許文献1の流体制御装置においては、図7に示すように、1つの流量制御器(21)を基本構成要素として1列のプロセスガス制御ライン(流体制御ライン)が構成され、複数(流量制御器(21)の数と同じ)のプロセスガス制御ラインL1〜L16が並列に配置されることで、流体制御装置が構成されている。流体制御ラインL1〜L16にさらに並列に追加されているラインPは、パージガスラインである。
図7において、各プロセスガス制御ラインL1〜L16は、入口側から、フィルタ(24)、入口側の2つの開閉弁(23)、流量制御器(マスフローコントローラ)(21)および出口側の開閉弁(25)を有しており、各プロセスガス制御ラインL1〜L16に共通の出口部分にも、開閉弁(26)が設けられている。
このような流体制御装置においては、全てのプロセスガス制御ラインL1〜L16に常に流体(ガス)が流されているわけではなく、2〜3ラインを使用して、異なる種類や異なる流量のガスが順次切り換えられ、流量調整器(21)によってその流量が調整されて、下流側のチャンバーへと送られる。流量調整器(21)として使用されるマスフローコントローラは、流量センサおよびコントロール弁などを内蔵したもので、高価でかつ頻繁なメンテナンスが必要であり、全体のコストを増加させる要因となっている。一方、半導体製造装置で使用される流体制御装置では、流体種類が増加する傾向にあり、それに伴って、スペースおよびコストが増加するという問題がある。
また、特許文献2の流体制御装置においては、1つの流量制御器を基本構成要素として入口および出口を1つずつ有する1列の流体制御ラインがM列配置された流体制御部と、複数の開閉弁によって入口数がN(>M)で出口数がMとなるように構成された流体導入部とを有し、流体導入部のM個の出口と流体制御部のM個の入口とがそれぞれ1:1で接続されている。
この特許文献2のものを図7に示した従来の流体制御装置に対応させると、図6に示すように、M個(図示は8個)の流量制御器(21)を基本構成要素とする流体制御ラインL1〜L8がM列配置された流体制御部(2)と、複数の開閉弁(23)によって入口数がN(図示は16個)で出口数がMとなるように構成された流体導入部(3)とを有しているものとなる。
同図において、各流体制御ラインL1〜L8は、プロセスガスを制御するラインであり、これらに並列となるように、1列のパージガスラインPが設けられている。
流量制御器(21)としては、マスフローコントローラが使用されている。マスフローコントローラ(21)は、流量調整可能範囲が比較的狭いため、同じ種類の流体であってもその流量調整範囲が異なる場合には別のマスフローコントローラ(21)が使用されており、M列の流体制御ラインL1〜L8によって、M種類のプロセスガス(同じプロセスガスで流量が異なるものを含む)の流量を調整することができる。
流体導入部(3)は、N×M個の開閉弁(23)からなり、流体導入部(3)のM個の出口と流体制御部(2)のM個の入口とは、それぞれ1:1に対応するように接続されている。
流体導入部(3)のN個の各入口には、フィルタ(24)および手動弁(27)がそれぞれ設けられている。M列の各流体制御ラインL1〜L8には、それぞれ2つの出口側開閉弁(25)が設けられている。また、流体制御部(2)の出口側には、各流体制御ラインL1〜L8に共通の圧力スイッチ(28)、フィルタ(24)および開閉弁(26)が設けられている。
なお、流量制御器としては、マスフローコントローラの他に、圧力式のものも知られている(特許文献3参照)。
特開2002−206700号公報 特開2000−323464号公報 特許第3387849号公報
上記の図6に示す流体制御装置によると、図7に示す流体制御装置に比べて、相対的にコストが高くメンテナンスが面倒な流量制御器(21)を含む流体制御ラインが16列(N列)から8列(M列)に減らされるという利点があるが、開閉弁(23)の数が大幅に増加するため、入口の数を多くしたい場合には、利点が十分に生かされないという問題がある。
この発明の目的は、コストを減少するとともに、スペースの減少も可能とした流体制御装置を提供することにある。
この発明による流体制御装置は、1つの流量制御器を基本構成要素として入口および出口を1つずつ有する1列の流体制御ラインがM列配置された流体制御部と、複数の開閉弁によって入口数がN(>M)で出口数がMとなるように構成された流体導入部とを有し、流体導入部のM個の出口と流体制御部のM個の入口とがそれぞれ1:1で接続されている流体制御装置において、流体導入部は、複数の開閉弁からなり入口側に配置されて入口の総数がN個で出口の総数がK個である入口側遮断開放部と、複数の開閉弁からなり入口側遮断開放部と流体制御部との間に配置されて入口の総数がK個で出口の総数がM個である流体制御部側遮断開放部とに分けられるとともに、入口側遮断開放部は、それぞれ2以上の所要数の開閉弁を有する複数のグループに分けられていることを特徴とするものである。
この流体制御装置は、入口数がN個、出口数がM個であり、M列の流体制御ライン(例えばL1〜L8)を使用してN種類の流体の流量を調整することができる。
1列の流体制御ラインは、流量制御器単独または流量制御器に所要の流体制御機器が接続されることで形成される。ここで、流体制御機器は、流量制御器(マスフローコントローラまたは流体可変型流量制御装置)以外の流体制御装置構成要素を意味し、流体制御機器としては、開閉弁(流体通路の遮断・開放を行う弁)、減圧弁、圧力表示機、フィルタ、圧力スイッチなどが適宜使用される。流体制御装置に必要な流体制御機器は、流体導入部のN個の入口にそれぞれ設けられるものと、M列の流体制御ラインのそれぞれに設けられるものと、流体制御部の出口にM列の流体制御ラインに共通のものとして設けられるものとに分けられて、適宜な箇所に配置される。
1つの流体制御ラインは、例えば、下段層となる複数のブロック状継手部材がおねじ部材によって可動レールに取り付けられ、隣り合う継手部材にまたがるように上段層となる複数の流体制御機器および流量制御器が上方からのねじ部材によって継手部材に取り付けられたものとされる。
一般的には、入口の総数がN個で出口の総数がK個である入口側遮断開放部は、N×K個の開閉弁からなるものとされ、K個で出口の総数がM個である流体制御部側遮断開放部は、K×M個の開閉弁からなるものとされるが、入口側遮断開放部がそれぞれ2以上の所要数の開閉弁を有する複数(例えば2つまたは4つ)のグループに分けられていることで、入口側遮断開放部の開閉弁の総数が、2つのグループに分けられている場合には、N×K/2個に、4つのグループに分けられている場合には、N×K/4個に減少する。
例えば、流体導入部は、それぞれN1×2個および(N−N1)×2個の開閉弁からなる第1および第2の入口側遮断開放部と、4×M個の開閉弁からなる流体制御部側遮断開放部とからなることがある。N1は、例えばN/2とされる。Nは入口数で、Mは出口数であり、この場合には、第1および第2入口側遮断開放部によって、入口数N個に対して出口数が4個(流体種類は、最大で各入口側遮断開放部に2種類ずつ計4種類に限定)とされ、流体制御部側遮断開放部によって4種類の流体がM個の出口のいずれかに分配される。このようにすることで、流体導入部を構成するのに必要な開閉弁の数を減少することができる。
また、流体導入部は、N=N1+N2+N3+N4として、それぞれN1,N2,N3およびN4個の開閉弁からなる第1から第4までの入口側遮断開放部と、4×M個の開閉弁からなる流体制御部側遮断開放部とからなることがある。例えば、N1=N2=N3=N4=N/4とされる。Nは入口数で、Mは出口数であり、この場合には、第1から第4までの入口側遮断開放部によって、入口数N個に対して出口数が4個(流体種類は、最大で各入口側遮断開放部に1種類ずつ計4種類に限定)とされ、流体制御部側遮断開放部によって4種類の流体がM個の出口のいずれかに分配される。このようにすることで、流体導入部を構成するのに必要な開閉弁の数をより一層減少することができる。
また、流体導入部は、それぞれN/4個の開閉弁からなる第1から第4までの入口側遮断開放部と、それぞれ2×M/2個の開閉弁からなる第1および第2の流体制御部側遮断開放部とからなることがある。Nは入口数で、Mは出口数であり、この場合には、第1から第4までの入口側遮断開放部によって、入口数N個に対して出口数が4個(流体種類は、最大で各入口側遮断開放部に1種類ずつ計4種類に限定)とされ、第1および第2の流体制御部側遮断開放部によって4種類の流体がM個の出口のいずれかに分配される。このようにすることで、流体制御部側遮断開放部の開閉弁を減らすことができ、流体導入部を構成するのに必要な開閉弁の数をより一層減少することができる。
流量制御器としては、例えば、マスフローコントローラを使用することができ、マスフローコントローラは、入口通路および出口通路が形成された本体と、本体に取り付けられた流量センサおよびピエゾ圧電素子式コントロール弁とからなるものとされることがあり、また、開閉制御弁、圧力センサ、絞り部、流量センサおよび制御部からなるものとされることがある。
流量制御器としては、圧力式のもの(圧力式流量制御装置)とされることがあり、このような流量制御器としては、例えば、オリフィスの上流側圧力を下流側圧力の約2倍以上に保持した状態で流体の流量制御を行なう圧力式のものであって、金属薄板に微小な孔を穿設して形成されかつ所要の流量特性を具備したオリフィスと、オリフィスの上流側に設けたコントロール弁と,コントロール弁とオリフィス間に設けた圧力検出器と、圧力検出器の検出圧力Pから流量QcをQc=K×P(但しKは定数)として演算するとともに、流量指令信号Qsと前記演算した流量信号Qcとの差を制御信号Qyとしてコントロール弁の駆動部へ出力する演算制御装置とから構成され、コントロール弁の開閉によりオリフィス上流側圧力を調整し、オリフィス下流側流量を制御するものがある。
この圧力式流量制御器によると、1台の圧力式流量制御器によって複数種類の流体の流量を調整することが可能であり、したがって、M個の流量制御器を有するM列の流体制御ラインがm(<M)個の該圧力式流量制御器を有するM列の流体制御ラインで置き換え可能となる。このようにすることで、入口数および出口数を同じに保って、流体制御部で使用される流量制御器の数を減少することができる。
この発明の流体制御装置によると、N個の入口数に対応して、M(<N)列の流体制御ラインが対応させられているので、コスト増加要因となる流量制御器を減少することができ、全体のコストを下げることができる。また、複数の開閉弁からなる流体導入部の開閉弁の数の増加が抑えられているので、より一層のコスト低減ができるとともに、全体としての設置スペースも減少する。
図1は、この発明による流体制御装置の第1実施形態を示すフロー図である。 図2は、この発明による流体制御装置の第2実施形態を示すフロー図である。 図3は、この発明による流体制御装置の第3実施形態を示すフロー図である。 図4は、この発明による流体制御装置の第4実施形態を示すフロー図である。 図5は、この発明による流体制御装置の第4実施形態で使用されている流量制御器を示すブロック図である。 図6は、この発明による流体制御装置の比較例となる従来の流体制御装置を示すフロー図である。 図7は、従来の流体制御装置の他の例を示すフロー図である。
この発明の実施の形態を、以下図面を参照して説明する。以下の説明において、図6に示したものと同じ構成には同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
図1は、この発明の流体制御装置の第1実施形態を示している。
この実施形態の流体導入部(3)は、3つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれ2×N/2個の開閉弁(23)からなる第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)と、4×M個の開閉弁(23)からなり、第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)と流体制御部(2)との間に配置された流体制御部側遮断開放部(7)とからなる。
第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)は、N個の入口を2つの入口側遮断開放部に分けるもので、それぞれN/2個の入口と2個の出口とを有している。これにより、第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)を合わせた出口数(流体制御部側遮断開放部(7)にとっては入口数)は、(2+2)個となり、この計4個の出口数に対応して、流体制御部側遮断開放部(7)を4×M個の開閉弁(23)によって構成することで、流体導入部(3)全体としては、M個の出口が得られ、流体導入部(3)のM個の出口と流体制御部(2)のM個の入口とが、それぞれ1:1に対応するように接続されている。
図6に示したものでは、流体制御部(2)へは最大でM種類(8種類)の流体を同時に導入することができる。しかしながら、実用的には、流体制御部(2)へは最大で4種類の流体を同時に導入することができればよく、この条件下では、第1実施形態のようにすることで、開閉弁(23)の数の減少が可能となる。なお、この実施形態では、第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)ともに出口数は2つであり、4種類の流体を同時に導入するに際しては、第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)のいずれか一方に4種類とも導入することはできないので、第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)にそれぞれ2種類ずつの流体が導入されることになる。
こうして、第1実施形態のものによると、図6のものに比べて、開閉弁(23)の数がN×M個から(2N+4×M)個に減らされている。
図2は、この発明の流体制御装置の第2実施形態を示している。
この実施形態の流体導入部(3)は、5つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれN/4個の開閉弁(23)からなる第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と、4×M個の開閉弁(23)からなり、第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と流体制御部(2)との間に配置された流体制御部側遮断開放部(7)とからなる。
流体制御部側遮断開放部(7)は、第1実施形態のものと同じ構成とされている。第1実施形態との相違点は、第1実施形態における第1および第2入口側遮断開放部(5)(6)がそれぞれさらに分割されて4つの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)に分けられている点にある。第2実施形態のものによると、第1から第4までの各入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)にそれぞれ1種類ずつの流体が導入されることで、第1実施形態と同様に、第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)の総出口数(流体制御部側遮断開放部(7)にとっては入口数)は、(1+1+1+1)の4個となり、この計4個の出口数を4×M個の開閉弁(23)からなる流体制御部側遮断開放部(7)の各入口に対応させることで、流体導入部(3)全体としては、M個の出口が得られ、流体導入部(3)のM個の出口と流体制御部(2)のM個の入口とが、それぞれ1:1に対応するように接続されている。
こうして、第2実施形態のものによると、第1実施形態のものに比べて、開閉弁(23)の数がN個さらに減らされている。
図3は、この発明の流体制御装置の第3実施形態を示している。
この実施形態の流体導入部(3)は、6つに分けられており、入口側に配置されてそれぞれN/4個の開閉弁(23)からなる第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と、それぞれ2×M/2個の開閉弁(23)からなり、第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)と流体制御部(2)との間に配置された第1および第2の流体制御部側遮断開放部(12)(13)とからなる。
第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)は、第2実施形態のものと同じ構成とされている。第3実施形態の第2実施形態との相違点は、第2実施形態における流体制御部側遮断開放部(7)がそれぞれ分割されて2つの流体制御部側遮断開放部(12)(13)とされている点にある。第1および第2の流体制御部側遮断開放部(12)(13)は、全体として、入口数が4個、出口数がM個であり、これは、第2実施形態と同じである。
したがって、第3実施形態のものによると、第1から第4までの各入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)にそれぞれ1種類ずつの流体が導入されることで、第3実施形態と同様に、第1から第4までの入口側遮断開放部(8)(9)(10)(11)の総出口数(流体制御部側遮断開放部(12)(13)にとっては入口数)は、(1+1+1+1)の4個となり、この計4個の出口数を第1流体制御部側遮断開放部(12)の2個の入口および第2流体制御部側遮断開放部(13)の2個の入口にそれぞれ対応させることで、流体制御部側遮断開放部(12)(13)全体(流体導入部(3)全体)としては、M個の出口が得られ、流体導入部(3)のM個の出口と流体制御部(2)のM個の入口とが、それぞれ1:1に対応するように接続されている。
こうして、第3実施形態のものによると、第2実施形態のものに比べて、流体制御部側遮断開放部(12)(13)の開閉弁(23)の数が半分(M/2個)に減らされている。
図4は、この発明の流体制御装置の第4実施形態を示している。第4実施形態のものは、第3実施形態のものと流体制御部(2)(4)の構成が相違している。
第4実施形態のものでは、流量制御器(22)が、マスフローコントローラ(21)に代えて、圧力式のものとされている。
この流量制御器(21)は、図5に示すように、コントロール弁(31)、その駆動部(32)、圧力検出器(33)、オリフィス(34)、流体取出用継手(35)、流量演算回路(36)、流体種類選択回路(37)、流量設定回路(38)、比FF記憶部(39)、流量演算部(40)、流量表示部(41)および演算制御回路(42)からなる。
流量演算回路(36)は、温度検出器(44)、増幅回路(43)(45)、A/D変換器(46)(47)、温度補正回路(48)および演算回路(49)からなる。また、演算制御回路(42)は比較回路(50)および増幅回路(51)からなる。
コントロール弁(31)には、所謂ダイレクトタッチ型のメタルダイヤフラム弁が使用されており、また、その駆動部(32)には圧電素子型駆動装置が使用されている。なお、これらの駆動部としてはこの他に、磁歪素子型駆動装置やソレノイド型駆動装置、モータ型駆動装置、空気圧型駆動装置、熱膨張型駆動装置が用いられる。
圧力検出器(33)には半導体歪型圧力センサーが使用されているが、圧力検出器としてはこの他に、金属箔歪型圧力センサーや静電容量型圧力センサー、磁気抵抗型圧力センサー等の使用も可能である。温度検出器(44)には熱電対型温度センサーが使用されているが、測温抵抗型温度センサー等の公知の各種温度センサーが使用できる。
オリフィス(34)は、所要の流量特性を具備するように、金属薄板製ガスケットに切削加工によって微小な孔を穿設して形成されている。オリフィスとしてはこの他に、エッチング及び放電加工により金属膜に孔を形成したオリフィスを使用することができる。
流体種類選択回路(37)は、流体を選択するもので、流量設定回路(38)はその流量設定信号Qe を演算制御回路(42)に指令する。比FF記憶部(39)はNガスに対する比FFを記憶したメモリーである。流量演算部(40)では比FFのデータを用いて、流通している流体種類の流量QをQ=比FF×Q(Q は相当Nガス流量)で演算し、この値を流量表示部(41)に表示する。
この流量制御器(22)では、上流側圧力を下流側圧力の約2倍以上に保持しながら特定の流体に関し下流側の流量QcをQc=K×P(K:定数)で演算できるように設定し、この演算流量Qcと設定流量Qsとの差信号によりコントロール弁(31)が開閉制御される。
ここで、流体種類毎にフローファクターFFは、次式で計算される。
FF=(k/γ){2/(κ+1)}1/(κ−1)[κ/{(κ+1)R}1/2
γ:流体の標準状態に於ける密度、κ:流体の比熱比、R:流体定数、k:流体種類に依存しない比例定数。
そして、比FF記憶部(39)に記憶された流体種類Bの流体種類Aに対する比フローファクターを使用して、流量演算部(40)において、基準となる流体種類Aの演算流量がQaの場合に、同一オリフィス、同一上流側圧力および同一上流側温度の条件下で流体種類Bを流通させたとき、その演算流量QbがQb=比フローファクター×Qaとして算出される。
これにより、1台の流量制御器(22)を複数の流体種類に対応させることができ、第4実施形態のものでは、これを使用することで、第3実施形態のものに比べて、M個の流量制御器(21)をm個(例えば半分)の流量制御器(22)とすることが可能となる。減らされる流量制御器(22)の数は、流体の種類や流量範囲によって適宜変更される。
この第4実施形態の流体制御部(4)は、第1から第3までの実施形態の流体制御装置(1)にも適用可能であり、これにより、各実施形態から流量制御器(21)の数を減らすことができる。
(1) 流体制御装置
(2)(4) 流体制御部
(3) 流体導入部
(5)(6) 第1および第2入口側遮断開放部
(7) 流体制御部側遮断開放部
(8)(9)(10)(11)第1〜第4入口側遮断開放部
(12)(13) 第1および第2流体制御部側遮断開放部
(21)(22) 流量制御器
(23) 開閉弁
(31) コントロール弁
(32) 駆動部
(33) 圧力検出器
(34) オリフィス
(42) 演算制御回路(演算制御装置)
L1〜L8 流体制御ライン

Claims (5)

  1. 1つの流量制御器を基本構成要素として入口および出口を1つずつ有する1列の流体制御ラインがM列配置された流体制御部と、複数の開閉弁によって入口数がN(>M)で出口数がMとなるように構成された流体導入部とを有し、流体導入部のM個の出口と流体制御部のM個の入口とがそれぞれ1:1で接続されている流体制御装置において、
    流体導入部は、複数の開閉弁からなり入口側に配置されて入口の総数がN個で出口の総数がK個である入口側遮断開放部と、複数の開閉弁からなり入口側遮断開放部と流体制御部との間に配置されて入口の総数がK個で出口の総数がM個である流体制御部側遮断開放部とに分けられるとともに、入口側遮断開放部は、それぞれ2以上の所要数の開閉弁を有する複数のグループに分けられていることを特徴とする流体制御装置。
  2. 流体導入部は、それぞれN1×2個および(N−N1)×2個の開閉弁からなる第1および第2入口側遮断開放部と、4×M個の開閉弁からなる流体制御部側遮断開放部とからなる請求項1の流体制御装置。
  3. 流体導入部は、N=N1+N2+N3+N4として、それぞれN1,N2,N3およびN4個の開閉弁からなる第1から第4までの入口側遮断開放部と、4×M個の開閉弁からなる流体制御部側遮断開放部とからなる請求項1の流体制御装置。
  4. 流体導入部は、それぞれN/4個の開閉弁からなる第1から第4までの入口側遮断開放部と、それぞれ2×M/2個の開閉弁からなる第1および第2の流体制御部側遮断開放部とからなる請求項1の流体制御装置。
  5. 流量制御器は、オリフィスの上流側圧力を下流側圧力の約2倍以上に保持した状態で流体の流量制御を行なう圧力式のものであって、金属薄板に微小な孔を穿設して形成されかつ所要の流量特性を具備したオリフィスと、オリフィスの上流側に設けたコントロール弁と,コントロール弁とオリフィス間に設けた圧力検出器と、圧力検出器の検出圧力Pから流量QcをQc=K×P(但しKは定数)として演算するとともに、流量指令信号Qsと前記演算した流量信号Qcとの差を制御信号Qyとしてコントロール弁の駆動部へ出力する演算制御装置とから構成され、コントロール弁の開閉によりオリフィス上流側圧力を調整し、オリフィス下流側流量を制御するものとされており、M個の流量制御器を有するM列の流体制御ラインがm(<M)個の該圧力式流量制御器を有するM列の流体制御ラインで置き換えられていることを特徴とする請求項1から4までのいずれかの流体制御装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011233841A (ja) * 2010-04-30 2011-11-17 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用のガス供給装置
KR20130037187A (ko) 2011-10-05 2013-04-15 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유체 기구 및 상기 유체 기구를 구성하는 지지 부재 및 유체 제어 시스템

Families Citing this family (256)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
JP5803552B2 (ja) * 2011-10-14 2015-11-04 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
TW201335725A (zh) * 2012-02-16 2013-09-01 jun-xian Li 一種安全保護裝置及其控制方法
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9454158B2 (en) 2013-03-15 2016-09-27 Bhushan Somani Real time diagnostics for flow controller systems and methods
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
JP6346849B2 (ja) * 2014-08-20 2018-06-20 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系、プラズマ処理装置、及びプラズマ処理装置の運用方法
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10957561B2 (en) * 2015-07-30 2021-03-23 Lam Research Corporation Gas delivery system
US10192751B2 (en) 2015-10-15 2019-01-29 Lam Research Corporation Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10825659B2 (en) 2016-01-07 2020-11-03 Lam Research Corporation Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector
US10699878B2 (en) 2016-02-12 2020-06-30 Lam Research Corporation Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring
US10651015B2 (en) 2016-02-12 2020-05-12 Lam Research Corporation Variable depth edge ring for etch uniformity control
US10147588B2 (en) 2016-02-12 2018-12-04 Lam Research Corporation System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system
US10438833B2 (en) 2016-02-16 2019-10-08 Lam Research Corporation Wafer lift ring system for wafer transfer
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
JP6573559B2 (ja) * 2016-03-03 2019-09-11 東京エレクトロン株式会社 気化原料供給装置及びこれを用いた基板処理装置
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10410832B2 (en) 2016-08-19 2019-09-10 Lam Research Corporation Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10983538B2 (en) 2017-02-27 2021-04-20 Flow Devices And Systems Inc. Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US20190073238A1 (en) * 2017-11-02 2019-03-07 Nri R&D Patent Licensing, Llc Software controlled transport and operation processes for fluidic and microfluidic systems, temporal and event-driven control sequence scripting, functional libraries, and script creation tools
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) * 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
JP7296699B2 (ja) * 2018-07-02 2023-06-23 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム、プラズマ処理装置およびガス供給システムの制御方法
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP2020096183A (ja) 2018-12-14 2020-06-18 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
JP2021019198A (ja) 2019-07-19 2021-02-15 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー トポロジー制御されたアモルファスカーボンポリマー膜の形成方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202147383A (zh) 2020-05-19 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06119059A (ja) * 1992-09-30 1994-04-28 Ckd Corp マスフローコントローラ流量検定システム
JPH1066922A (ja) * 1996-07-16 1998-03-10 Illinois Tool Works Inc <Itw> 流体供給装置
JP2003091322A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Ckd Corp ガス供給集積弁

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3586075B2 (ja) * 1997-08-15 2004-11-10 忠弘 大見 圧力式流量制御装置
DE69832956T2 (de) * 1997-08-15 2006-08-17 Fujikin Inc. Düse eines durchflussreglers mit einer druckregelung und deren herstellungsverfahren
JP3522544B2 (ja) * 1998-08-24 2004-04-26 忠弘 大見 流体可変型流量制御装置
JP3387849B2 (ja) 1999-05-10 2003-03-17 株式会社フジキン フローファクターによる流体可変型流量制御方法およびその装置
US6210482B1 (en) * 1999-04-22 2001-04-03 Fujikin Incorporated Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing
JP3554509B2 (ja) * 1999-08-10 2004-08-18 忠弘 大見 圧力式流量制御装置における流量異常検知方法
JP3482601B2 (ja) * 2000-06-30 2003-12-22 東京エレクトロン株式会社 流体制御装置
CN100407373C (zh) * 2003-02-07 2008-07-30 东京毅力科创株式会社 流体控制装置和热处理装置
WO2007017937A1 (ja) * 2005-08-10 2007-02-15 Fujikin Incorporated 流体制御装置
JP4677805B2 (ja) * 2005-03-22 2011-04-27 株式会社フジキン 流体制御装置
JP4856905B2 (ja) * 2005-06-27 2012-01-18 国立大学法人東北大学 流量レンジ可変型流量制御装置
US8074677B2 (en) * 2007-02-26 2011-12-13 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US7775236B2 (en) * 2007-02-26 2010-08-17 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a processing chamber
US8769733B2 (en) * 2007-06-18 2014-07-08 E. Taylor Galyean Computer-controlled hydrotherapy system
US8731727B2 (en) * 2009-05-29 2014-05-20 Valmet Technologies, Inc. Method for controlling a digital hydraulic controller

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06119059A (ja) * 1992-09-30 1994-04-28 Ckd Corp マスフローコントローラ流量検定システム
JPH1066922A (ja) * 1996-07-16 1998-03-10 Illinois Tool Works Inc <Itw> 流体供給装置
JP2003091322A (ja) * 2001-09-17 2003-03-28 Ckd Corp ガス供給集積弁

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011233841A (ja) * 2010-04-30 2011-11-17 Tokyo Electron Ltd 半導体製造装置用のガス供給装置
KR20130037187A (ko) 2011-10-05 2013-04-15 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유체 기구 및 상기 유체 기구를 구성하는 지지 부재 및 유체 제어 시스템
US9188990B2 (en) 2011-10-05 2015-11-17 Horiba Stec, Co., Ltd. Fluid mechanism, support member constituting fluid mechanism and fluid control system
US9766634B2 (en) 2011-10-05 2017-09-19 Horiba Stec, Co., Ltd. Fluid mechanism, support member constituting fluid mechanism and fluid control system

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