JP2005115501A - チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ - Google Patents
チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005115501A JP2005115501A JP2003346497A JP2003346497A JP2005115501A JP 2005115501 A JP2005115501 A JP 2005115501A JP 2003346497 A JP2003346497 A JP 2003346497A JP 2003346497 A JP2003346497 A JP 2003346497A JP 2005115501 A JP2005115501 A JP 2005115501A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- flow rate
- pressure
- chamber
- control
- control device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D16/00—Control of fluid pressure
- G05D16/20—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means
- G05D16/2006—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means
- G05D16/208—Control of fluid pressure characterised by the use of electric means with direct action of electric energy on controlling means using a combination of controlling means as defined in G05D16/2013 and G05D16/2066
-
- G—PHYSICS
- G05—CONTROLLING; REGULATING
- G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
- G05D7/00—Control of flow
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
- Y10T137/7758—Pilot or servo controlled
- Y10T137/7761—Electrically actuated valve
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
- Y10T137/87265—Dividing into parallel flow paths with recombining
- Y10T137/8741—With common operator
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/8593—Systems
- Y10T137/87265—Dividing into parallel flow paths with recombining
- Y10T137/87507—Electrical actuator
Abstract
【解決手段】並列状に接続した複数基の圧力式流量制御装置と、複数基の圧力式流量制御装置の作動を制御する制御装置とから形成され、真空ポンプにより排気されたチャンバへ所望のガスを流量制御しつつ供給するチャンバへのガス供給装置に於いて、一基の圧力式流量制御装置をチャンバへ供給する最大流量の多くとも10%までのガス流量域を制御する装置に、残余の圧力式流量制御装置を残りのガス流量域を制御する装置とし、更にチャンバに圧力検出器を設けると共に当該圧力検出器の検出値を制御装置へ入力し、圧力式流量制御装置への制御信号を調整してチャンバへのガス供給量を制御することにより、チャンバ内圧を制御する。
【選択図】図1
Description
尚、前記圧力式流量制御装置C1 、C2 、C3 は、図9に示すようにオリフィスKaを流通する流体を臨界条件下に保持(P1 /P2 が約2以上)することにより、演算装置Mに於いてオリフィス流通流量QcをQc=KP1 として演算し、設定流量Qsとの差Qyが零となるようにコントロール弁V0 を開閉(オリフイス上流側圧力P1 を調整)する構成となっている。尚、A/Dは信号変換器、APは増幅器である(特開平8−338546号)。
また、チャンバEの内圧の保持は、専ら真空排気システム側の運転制御によってのみ行なわれており、具体的には自動圧力調整器APCやコンダクタンスバルブCVの開度を調整することにより所定の設定内圧を保持するようにしている。
しかし、チャンバE内へのガス供給流量を調整することによりチャンバ内圧を高精度で、しかも広範囲に亘って調整するためには、チャンバEへ供給するガスの流量制御精度を大幅に高める必要がある。
例えば、定格流量が1SLM(標準状態に換算した気体流量)である圧力式流量制御装置の流量制御精度を設定10%以下で0.1%F.S.とすると、設定1%の制御流量値には最大で1SCCMの誤差が含まれている可能性がある。そのため、制御流量が定格流量の10%以下(例えば10〜100SCCM以下)になれば、前記1SCCMの誤差の影響が無視できなくなり、結果として定格容量が1SLMの流量制御装置であれば、100SCCMの以下の小流量域は高精度な流量制御ができないと云う問題がある。
また、各流量域を分担する圧力式流量制御装置による流量制御の重畳に際しても、制御信号の上昇率に制限を加える構成としているため、チャンバへ供給するガス流量Qの連続的な制御が行なえる。
また、真空ポンプは、予かじめ定めたチャンバの最低圧力を達成するだけの排気容量のものを設備すればよく、従前のチャンバの真空排気系のように、真空ポンプの排気容量に大幅な余裕を見込む必要はない。その結果、真空排気系の設備費の大幅な削減が可能となる。
図1に於いてAはガス供給装置、Gsは供給ガス入力部からの供給ガス、FCS(A)は小流量用圧力式流量制御装置、FCS(B)は大流量用圧力式流量制御装置、Eはチャンバ、Pはチャンバ内圧、Q1 は小流量用圧力式流量制御装置FCS(A)の制御流量、Q2 は大流量用圧力式流量制御装置FCS(B)の制御流量、QはチャンバEへの供給流量、Vは調整バルブ、VPは真空ポンプ、V1 〜V3 は制御弁、L1 はガス供給管、L2 ・L3 は排気管路、1は制御装置、1aは入力設定部(流量%設定機構)、1bは第1信号変換部、1cは第2信号変換部、1dは比較補正部、1e・1f・1e′・1f′・1gは制御信号、2は圧力検出器、3は圧力計、4は圧力式流量制御装置である。
また、前記供給ガス入力部、ガス流量制御部及び供給ガス出力部等によりチャンバEへのガス供給手段が形成されている。
また、前記圧力式流量制御装置FCS(A)、FCS(B)の構成は公知であるため、ここではその詳細な説明を省略する。
即ち、真空ポンプVPを所定の条件下で連続的に定常運転した場合のチャンバEの内圧PとチャンバEへの流入ガス供給量Qとの関係は、後述するように予かじめ判明している。その結果、チャンバEの内圧制御に対しては、先ずチャンバEの設定内圧Pに対する所要ガス供給量Qが予かじめ求めたテーブル数値の参照により求められ、当該所要ガス供給量Qに対応する流量%設定値が入力設定部1aへ入力される。
同様に、設定流量が2000SCCM(設定流量%=2000/3100=64.52%)の時には、FCS(A)の方は流量設定%=100%でもって100SCCMの流量を出力し、制御信号1e=5V×100/100=5VがFCS(A)へ入力され、またFCS(B)の方は流量1900SCCMを出力し、制御信号1f=5V×1900/3000=3.17VがFCS(B)へ入力されることになる。
また、図4の(b)は入力設定部1aへの設定信号を約30sec間で0〜100%へ変化させるようにした場合のチャンバ圧力Pの変化状態を、更に図4の(c)は入力設定部1aへの設定信号をステップ状に変化させるようにした場合のチャンバ圧力Pの変化状況を示すものである。
即ち、供給流量Qが100〜3100SCCM以下の時には、
Q=(3100−100)/(40−1)・(SET%−1)+100
=(3000/39)・SET%+(900/39)に流量Qが求められ、
また、供給流量Qが3100〜8100SCCMの時には、
Q=(5000/60)・SET%−(14000/60)により、流量Qが与えら れる。
図1を参照して、チャンバEは11lの内容積を有しており、その真空排気系は調整バルブVと真空ポンプVPと管路L2 と管路L3 とにより形成されている。
また、真空ポンプVPには300l/minの排気量を有する真空ポンプが使用されている。
次に、予かじめ求められている図7のチャンバE及び真空排気系の圧力−流量特性曲線から、圧力Pに対する供給ガス流量Qを求める。尚、内圧Pと供給流量Qとの関係はデータ化され、記憶装置に記憶されている。
尚、ガスGsの供給によるチャンバEの内圧調整の範囲は、真空ポンプVPの排気能力が一定の条件下では調整バルブVの開度調整によって変化させることができ、後述するようにチャンバ内圧を上昇(低真空度)させる場合には調整バルブVの開度を低下させて真空排気系の管路抵抗を増大させ、また逆にチャンバ内圧を低下(高真空度)させる場合には、調整バルブVを全開状態とする。
即ち、図7の曲線Aは調整バルブVを最大開度にしたときの圧力−流量特性、曲線Bは調整バルブVを最小開度の状態にしたときの圧力−流量特性を示すものである。
また、曲線CはチャンバE内に任意のプロセス条件(1)やプロセス条件(3)を実現する真空排気系の任意コンダクタンスに於ける圧力−流量特性である。
また、真空ポンプVP(又は排気管路L3 )へ圧力式流量制御装置4を通してガスGvを供給することにより、真空ポンプVPの排気能力を調整し、これによってプロセスチャンバEの内圧を所定の圧力値に保持することも可能である。
更に、前記図1の実施例では、チャンバEの内圧を10-5〜102 Torr程度としているが、圧力計及び圧力式流量制御装置4の流量レンジを変えることにより、10-7〜10-6Torr程度のチャンバEの内圧制御も可能である。
又、圧力調整用にチャンバE内へ供給するガスGvとしては、HeやAr等の不活性ガスやそれの混合ガスが利用される。
更に、前記チャンバE内への供給ガスGsとして、プロセスガス自体を利用することも可能であり、且つ混合ガスであってもよいことは勿論である。
Claims (9)
- 供給ガス入力部と、供給ガス出力部と、該ガス入力部とガス出力部との間に配置されたガス流量制御部と、前記供給ガス出力を受けるチャンバの圧力データを前記ガス流量制御部へ与える手段とを有するチャンバの内圧制御装置に於いて、前記ガス流量制御部は、並列状に接続した複数基の圧力式流量制御装置と、前記複数基の圧力式流量制御装置の作動を制御する制御装置とを備え、前記圧力式流量制御装置をオリフィスと、オリフィス上流側の圧力検出器と、圧力検出器の上流側に設けたコントロールバルブと、圧力検出器の検出圧力P1 からオリフィスを通過するガス流量QcをQc=KP1 (但しKは定数)により演算して設定流量Qsとの差Qyをコントロールバルブへ駆動用信号として出力する演算制御部とを含んで形成し、オリフィス上流側圧力P1 を下流側圧力P2 の約2倍以上に保持した状態下で使用する圧力式流量制御装置とすると共に、前記複数基のうちの一基の圧力式流量制御装置をチャンバへ供給する最大流量の多くとも10%までのガス流量域を制御する装置とし残余の圧力式流量制御装置を残りのガス流量域を制御する装置とし、前記圧力データを前記制御装置へ入力して前記圧力式流量制御装置への制御信号を調整して前記ガス出力部へのガス供給量を制御するようにしたことを特徴とするチャンバの内圧制御装置。
- 制御装置を、チャンバへ供給するガス流量を設定する入力設定部と、当該入力設定部への入力値を流量制御信号に変換する第1信号変換部と、チャンバ内の検出圧力を流量制御信号に変換する第2信号変換部と、両信号変換部からの流量制御信号の比較補正部とを備え、前記比較補正部から各圧力式流量制御装置へ補正した制御信号を発信することによりチャンバへのガス供給量を制御する構成とした請求項1に記載のチャンバの内圧制御装置。
- 並列状に接続する圧力式流量制御装置を2基とし、一方を小流量域を制御する小流量レンジの圧力式流量制御装置に、他方を大流量域を制御する大流量レンジの圧力式流量制御装置とした請求項1に記載のチャンバの内圧制御装置。
- 並列状に接続する圧力式流量制御装置を2基とし、且つ小流量用の圧力式流量制御装置の流量制御域をチャンバへ供給する最大流量の0.1〜10%に、また大流量用の圧力式流量制御装置の流量制御域をチャンバへ供給する最大流量の10〜100%とするようにした請求項1に記載のチャンバの内圧制御装置。
- 制御装置の信号変換部から発信した制御信号により、複数基の圧力式流量制御装置をその制御流量域が小さな圧力式流量制御装置から順に作動させる構成とした請求項1又は請求項3に記載のチャンバの内圧制御装置。
- 真空排気系にガスを流入させることにより、排気速度を可変できる構成の真空排気系とした請求項1に記載のチャンバの内圧制御装置。
- 並列状に接続した複数基の圧力式流量制御装置を少なくとも4ユニット設け、複数種類のガスをチャンバへ供給する構成とした請求項1に記載のチャンバの内圧制御装置。
- 制御装置に、各流量域を分担する圧力式流量制御装置へ発信する制御信号の上昇率設定機構を設け、前記制御信号の発信から所定の時間経過後に当該圧力式流量制御装置が設定流量のガス流量を供給する構成とした請求項2に記載のチャンバの内圧制御装置。
- 真空ポンプにより排気されるチャンバと該チャンバへ所望のガスを流量制御しつつ供給するガス供給手段とを含み、前記ガス供給手段は、並列状に接続した複数基の圧力式流量制御装置と、前記複数基の圧力式流量制御装置の作動を制御する制御装置とを備え、前記圧力式流量制御装置をオリフィスと、オリフィス上流側の圧力検出器と、圧力検出器の上流側に設けたコントロールバルブと、圧力検出器の検出圧力P1 からオリフィスを通過するガス流量QcをQc=KP1 (但しKは定数)により演算して設定流量Qsとの差Qyをコントロールバルブへ駆動用信号として出力する演算制御部とを含んで形成し、オリフィス上流側圧力P1 を下流側圧力P2 の約2倍以上に保持した状態下で使用する圧力式流量制御装置とすると共に、前記複数基のうちの一基の圧力式流量制御装置をチャンバへ供給する最大流量の多くとも10%までのガス流量域を制御する装置とし残余の圧力式流量制御装置を残りのガス流量域を制御する装置とし、更に前記チャンバに圧力検出器を設けると共に当該圧力検出器の検出値を前記制御装置へ入力し、圧力式流量制御装置への制御信号を調整してチャンバへのガス供給量を制御することにより、広範囲に亘ってチャンバ内圧を高精度制御する構成としたことを特徴とする内圧被制御式チャンバ。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003346497A JP4399227B2 (ja) | 2003-10-06 | 2003-10-06 | チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ |
TW93126544A TWI252389B (en) | 2003-10-06 | 2004-09-02 | Device for controlling chamber inner pressure and inner pressure controlled-type chamber |
KR1020067004876A KR100846758B1 (ko) | 2003-10-06 | 2004-09-14 | 챔버의 내압 제어 장치 및 내압 피제어식 챔버 |
EP04817112A EP1672457A4 (en) | 2003-10-06 | 2004-09-14 | DEVICE FOR CONTROLLING THE CHAMBER INTERIOR PRESSURE AND CHAMBER OF THE INTERNAL PRESSURE-CONTROLLED TYPE |
CNB2004800291783A CN100487620C (zh) | 2003-10-06 | 2004-09-14 | 腔室的内压控制装置和内压被控制式腔室 |
PCT/JP2004/013368 WO2005033817A1 (ja) | 2003-10-06 | 2004-09-14 | チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ |
IL174584A IL174584A0 (en) | 2003-10-06 | 2006-03-27 | Device for controlling chamber inner pressure and inner pressure controlled-type chamber |
US11/278,909 US7798167B2 (en) | 2003-10-06 | 2006-04-06 | Internal pressure controller of chamber and internal pressure subject-to-control type chamber |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003346497A JP4399227B2 (ja) | 2003-10-06 | 2003-10-06 | チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005115501A true JP2005115501A (ja) | 2005-04-28 |
JP4399227B2 JP4399227B2 (ja) | 2010-01-13 |
Family
ID=34419548
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003346497A Expired - Fee Related JP4399227B2 (ja) | 2003-10-06 | 2003-10-06 | チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7798167B2 (ja) |
EP (1) | EP1672457A4 (ja) |
JP (1) | JP4399227B2 (ja) |
KR (1) | KR100846758B1 (ja) |
CN (1) | CN100487620C (ja) |
IL (1) | IL174584A0 (ja) |
TW (1) | TWI252389B (ja) |
WO (1) | WO2005033817A1 (ja) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007001041A1 (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Fujikin Incorporated | 流量レンジ可変型流量制御装置 |
JP2007133613A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Koyo Thermo System Kk | 圧力制御装置 |
WO2013114486A1 (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-08 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置のガス分流供給装置 |
US9133951B2 (en) | 2005-08-26 | 2015-09-15 | Fujikin Incorporated | Gasket type orifice and pressure type flow rate control apparatus for which the orifice is employed |
US9383758B2 (en) | 2005-06-27 | 2016-07-05 | Fujikin Incorporated | Flow rate range variable type flow rate control apparatus |
US9921089B2 (en) | 2005-06-27 | 2018-03-20 | Fujikin Incorporated | Flow rate range variable type flow rate control apparatus |
Families Citing this family (129)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4936439B2 (ja) * | 2006-10-11 | 2012-05-23 | 国立大学法人東京工業大学 | 圧力レギュレータ及び除振装置 |
JP5054500B2 (ja) * | 2007-12-11 | 2012-10-24 | 株式会社フジキン | 圧力制御式流量基準器 |
US20100059059A1 (en) * | 2008-09-09 | 2010-03-11 | Perry Baromedical Corporation | Hyperbaric chamber |
WO2011067877A1 (ja) * | 2009-12-01 | 2011-06-09 | 株式会社フジキン | 圧力式流量制御装置 |
US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
DE102012010522A1 (de) * | 2012-05-25 | 2013-11-28 | Hydac Fluidtechnik Gmbh | Ventil für Ventilanordnung |
US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
US9373517B2 (en) | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
US9454158B2 (en) | 2013-03-15 | 2016-09-27 | Bhushan Somani | Real time diagnostics for flow controller systems and methods |
US20140311581A1 (en) * | 2013-04-19 | 2014-10-23 | Applied Materials, Inc. | Pressure controller configuration for semiconductor processing applications |
US9493879B2 (en) | 2013-07-12 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Selective sputtering for pattern transfer |
US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
CN105659177B (zh) * | 2013-10-31 | 2018-07-10 | 株式会社富士金 | 压力式流量控制装置 |
US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
CN106132561B (zh) * | 2014-05-01 | 2019-03-26 | 固瑞克明尼苏达有限公司 | 用于高瞬态系统的流量控制校准的方法 |
WO2015168099A1 (en) | 2014-05-01 | 2015-11-05 | Graco Minnesota Inc. | Method for fluid pressure control in a closed system |
US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
JP6475516B2 (ja) * | 2015-02-26 | 2019-02-27 | 株式会社フジキン | 圧力制御装置 |
US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
US10957561B2 (en) * | 2015-07-30 | 2021-03-23 | Lam Research Corporation | Gas delivery system |
US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
US10192751B2 (en) | 2015-10-15 | 2019-01-29 | Lam Research Corporation | Systems and methods for ultrahigh selective nitride etch |
US10825659B2 (en) | 2016-01-07 | 2020-11-03 | Lam Research Corporation | Substrate processing chamber including multiple gas injection points and dual injector |
US10147588B2 (en) | 2016-02-12 | 2018-12-04 | Lam Research Corporation | System and method for increasing electron density levels in a plasma of a substrate processing system |
US10699878B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-06-30 | Lam Research Corporation | Chamber member of a plasma source and pedestal with radially outward positioned lift pins for translation of a substrate c-ring |
US10651015B2 (en) | 2016-02-12 | 2020-05-12 | Lam Research Corporation | Variable depth edge ring for etch uniformity control |
US10438833B2 (en) | 2016-02-16 | 2019-10-08 | Lam Research Corporation | Wafer lift ring system for wafer transfer |
US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
JP6748586B2 (ja) * | 2016-07-11 | 2020-09-02 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス供給システム、基板処理システム及びガス供給方法 |
US10410832B2 (en) | 2016-08-19 | 2019-09-10 | Lam Research Corporation | Control of on-wafer CD uniformity with movable edge ring and gas injection adjustment |
US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
US10983537B2 (en) | 2017-02-27 | 2021-04-20 | Flow Devices And Systems Inc. | Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller |
US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
TWI766433B (zh) | 2018-02-28 | 2022-06-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
JP7366033B2 (ja) * | 2018-09-06 | 2023-10-20 | 住友重機械工業株式会社 | 支援装置、支援方法、支援プログラム、及び、ボイラシステム |
US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
CN111984040A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-11-24 | 泉芯集成电路制造(济南)有限公司 | 单硅片清洗机腔室内压的自动控制系统及自动控制方法 |
CN113515095A (zh) * | 2021-04-16 | 2021-10-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 多个工艺腔室压力的控制方法及半导体工艺设备 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61249120A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 差圧計を用いたチヤンバ内圧力制御装置 |
US4760497A (en) * | 1987-05-18 | 1988-07-26 | Roston Stewart A | Bracket mount for automobile radar detector unit |
US5158108A (en) * | 1991-09-04 | 1992-10-27 | High Vacuum Apparatus Mfg. | Electropneumatic closed loop servo system for controlling variable conductance regulating valves |
US5433238A (en) * | 1992-12-18 | 1995-07-18 | Vlsi Technology, Inc. | Pumping system for evacuating reactor chambers |
JPH08334546A (ja) | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置のテスト装置 |
JPH08335846A (ja) | 1995-06-08 | 1996-12-17 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品 |
JP3291161B2 (ja) | 1995-06-12 | 2002-06-10 | 株式会社フジキン | 圧力式流量制御装置 |
JPH08338564A (ja) | 1995-06-13 | 1996-12-24 | Inax Corp | 逆止弁装置 |
CA2183478C (en) * | 1995-08-17 | 2004-02-24 | Stephen A. Carter | Digital gas metering system using tri-stable and bi-stable solenoids |
US5744695A (en) * | 1997-01-10 | 1998-04-28 | Sony Corporation | Apparatus to check calibration of mass flow controllers |
US6328803B2 (en) * | 1997-02-21 | 2001-12-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for controlling rate of pressure change in a vacuum process chamber |
JPH11212653A (ja) | 1998-01-21 | 1999-08-06 | Fujikin Inc | 流体供給装置 |
JP3546153B2 (ja) * | 1998-08-24 | 2004-07-21 | 忠弘 大見 | 圧力式流量制御装置におけるオリフィス目詰検出方法およびその検出装置 |
JP3142267B2 (ja) | 1999-02-18 | 2001-03-07 | 株式会社相互ポンプ製作所 | ポンプ装置 |
EP2028577A2 (en) * | 1999-04-16 | 2009-02-25 | Fujikin Incorporated | Parallel bypass type fluid feeding device, and method and device for controlling fluid variable type pressure system flow rate used for the device |
US6119710A (en) * | 1999-05-26 | 2000-09-19 | Cyber Instrument Technologies Llc | Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction |
JP3365753B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2003-01-14 | 川崎重工業株式会社 | 底吹き転炉のガス供給装置 |
KR20030007938A (ko) * | 2000-06-14 | 2003-01-23 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 환경적으로 제어된 챔버내에 압력을 유지하는 방법 및 장치 |
JP2002116824A (ja) * | 2000-10-05 | 2002-04-19 | Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd | 液体流量の制御方法 |
JP4209688B2 (ja) * | 2001-05-24 | 2009-01-14 | セレリティ・インコーポレーテッド | 決定された比率のプロセス流体を供給する方法および装置 |
JP4102564B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2008-06-18 | 忠弘 大見 | 改良型圧力式流量制御装置 |
JP4331539B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2009-09-16 | 株式会社フジキン | チャンバへのガス供給装置及びこれを用いたチャンバの内圧制御方法 |
JP2008002006A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Toray Ind Inc | 合成繊維の溶融紡糸装置 |
-
2003
- 2003-10-06 JP JP2003346497A patent/JP4399227B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-09-02 TW TW93126544A patent/TWI252389B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-14 KR KR1020067004876A patent/KR100846758B1/ko active IP Right Grant
- 2004-09-14 EP EP04817112A patent/EP1672457A4/en not_active Withdrawn
- 2004-09-14 WO PCT/JP2004/013368 patent/WO2005033817A1/ja active Application Filing
- 2004-09-14 CN CNB2004800291783A patent/CN100487620C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-27 IL IL174584A patent/IL174584A0/en unknown
- 2006-04-06 US US11/278,909 patent/US7798167B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2007001041A1 (ja) * | 2005-06-27 | 2007-01-04 | Fujikin Incorporated | 流量レンジ可変型流量制御装置 |
US8418714B2 (en) | 2005-06-27 | 2013-04-16 | Fujikin Incorporated | Flow rate range variable type flow rate control apparatus |
US9010369B2 (en) | 2005-06-27 | 2015-04-21 | Fujikin Incorporated | Flow rate range variable type flow rate control apparatus |
US9383758B2 (en) | 2005-06-27 | 2016-07-05 | Fujikin Incorporated | Flow rate range variable type flow rate control apparatus |
US9921089B2 (en) | 2005-06-27 | 2018-03-20 | Fujikin Incorporated | Flow rate range variable type flow rate control apparatus |
US9133951B2 (en) | 2005-08-26 | 2015-09-15 | Fujikin Incorporated | Gasket type orifice and pressure type flow rate control apparatus for which the orifice is employed |
JP2007133613A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Koyo Thermo System Kk | 圧力制御装置 |
WO2013114486A1 (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-08 | 株式会社フジキン | 半導体製造装置のガス分流供給装置 |
JP2013156801A (ja) * | 2012-01-30 | 2013-08-15 | Fujikin Inc | 半導体製造装置のガス分流供給装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060207595A1 (en) | 2006-09-21 |
WO2005033817A1 (ja) | 2005-04-14 |
TWI252389B (en) | 2006-04-01 |
JP4399227B2 (ja) | 2010-01-13 |
EP1672457A1 (en) | 2006-06-21 |
EP1672457A4 (en) | 2008-02-13 |
CN100487620C (zh) | 2009-05-13 |
KR20060054461A (ko) | 2006-05-22 |
TW200532413A (en) | 2005-10-01 |
US7798167B2 (en) | 2010-09-21 |
IL174584A0 (en) | 2006-08-20 |
KR100846758B1 (ko) | 2008-07-16 |
CN1864112A (zh) | 2006-11-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4399227B2 (ja) | チャンバの内圧制御装置及び内圧被制御式チャンバ | |
KR101162546B1 (ko) | 압력식 유량 제어 장치를 이용한 유체의 비연속식 유량 스위칭 제어 방법 | |
JP4331539B2 (ja) | チャンバへのガス供給装置及びこれを用いたチャンバの内圧制御方法 | |
JP3830670B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
JP4814706B2 (ja) | 流量比可変型流体供給装置 | |
JP5372353B2 (ja) | 半導体製造装置用ガス供給装置 | |
US6314992B1 (en) | Fluid-switchable flow rate control system | |
EP1096351A1 (en) | Parallel bypass type fluid feeding device, and method and device for controlling fluid variable type pressure system flow rate used for the device | |
US20080167748A1 (en) | Integrated pressure and flow ratio control system | |
JP2007004644A (ja) | 流量レンジ可変型流量制御装置 | |
JP7369456B2 (ja) | 流量制御方法および流量制御装置 | |
JP2012033188A (ja) | 流量レンジ可変型流量制御装置 | |
JP3626874B2 (ja) | 並列分流型の流体供給装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060724 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090603 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090715 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090828 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090909 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091007 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091026 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121030 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4399227 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131030 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |