JP2011233841A - 半導体製造装置用のガス供給装置 - Google Patents

半導体製造装置用のガス供給装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2011233841A
JP2011233841A JP2010105611A JP2010105611A JP2011233841A JP 2011233841 A JP2011233841 A JP 2011233841A JP 2010105611 A JP2010105611 A JP 2010105611A JP 2010105611 A JP2010105611 A JP 2010105611A JP 2011233841 A JP2011233841 A JP 2011233841A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
flow rate
gas
pressure
gas supply
pipe
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010105611A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5562712B2 (ja
JP2011233841A5 (ja
Inventor
Tsuneyuki Okabe
部 庸 之 岡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Electron Ltd
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Priority to JP2010105611A priority Critical patent/JP5562712B2/ja
Priority to TW100113913A priority patent/TWI517280B/zh
Priority to US13/094,202 priority patent/US8944095B2/en
Priority to KR1020110039862A priority patent/KR101565437B1/ko
Priority to CN201110109144.7A priority patent/CN102235573B/zh
Publication of JP2011233841A publication Critical patent/JP2011233841A/ja
Publication of JP2011233841A5 publication Critical patent/JP2011233841A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5562712B2 publication Critical patent/JP5562712B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45561—Gas plumbing upstream of the reaction chamber
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758—Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7759—Responsive to change in rate of fluid flow
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758—Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7761—Electrically actuated valve
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/85938—Non-valved flow dividers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/8593—Systems
    • Y10T137/87249—Multiple inlet with multiple outlet

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Flow Control (AREA)

Abstract

【課題】各処理反応炉毎に圧力式流量制御器を設置する必要がなく、かつ圧力式流量制御器をコンパクトな構造で形成できるガス供給装置１０を提供する。
【解決手段】ガス供給装置１０はガス供給源１１ａ，１１ｂと、ガス導入管１３ａ，１３ｂと、ガス集合管１５と、複数の分岐管２１ａ，２１ｂとを備えている。ガス集合管１５と分岐管２１ａ，２１ｂに、圧力式流量制御器３０が設置されている。圧力式流量制御器３０はガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂおよびオリフィス２２ａ，２２ｂとを有している。圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ１ に基づいて、流量演算回路４０において流量Ｑｃが求められ、流量設定回路５２からの流量設定信号Ｑｓと流量演算回路４０からの流量Ｑｃに基づいて演算制御回路５８によりコントロール弁２３ａ，２３ｂが制御される。
【選択図】図１

Description

本発明は半導体製造用のガス供給装置に係り、とりわけ装置の小形化と製造コストの低減を図ることができる半導体製造装置用のガス供給装置に関する。
一般に、半導体製造に於いては、多種類のガスを経時的に切換え使用したり、或いは同一種類のガスを夫々異なる流量で並列的に使用することが多く行なわれている。そのため、従前の半導体製造装置用のガス供給装置では、供給すべき各ガス系統毎にマスフローコントローラ等の流量制御器を夫々設け、これによって供給ガスの高精度な流量制御を行なうようにしている。
例えば、半導体製造の主工程の一つであるエッチング工程は、複数の絶縁膜を順次エッチングする所謂ステップエッチングと呼ばれるプロセスから成り、各プロセスに於いては３〜４種類のガスの組合せによってエッチングが行なわれる。このため、エッチング工程用のガス供給装置だけでも合計１０種以上のガス及び流量制御器が必要となり、半導体製造設備全体としては、膨大な数の流量制御器が必要となる。
同様に、例えばＣＶＤ工程では、一基の反応処理炉内へ複数の供給口から同種類のガスを、同一又は異なる流量でもって同時に供給することにより、所謂ＣＶＤ処理を行なう場合がある。この場合、通常各供給口のライン毎に流量制御器を設け、これによって供給ガスの流量を調整するようにしており、多数の流量制御器を必要とする。
ところで、流量制御器としては、これまで主にマスフローコントローラが用いられてきたが、近年になって圧力式流量制御器の利用が開発されつつある。しかし、前述のように流量制御器の設置台数が多いと、ガス供給装置が大形化するだけでなく、製造コストや保守点検費が上昇する。また、流量制御器の設置台数が多いと、その保守管理に手数がかかるだけでなく、交換用部品や予備品自体の必要数も多くなり、ガス供給装置のランニングコストが高くついてしまう。
特開２０００−３２３４６４号
本発明はこのような点を考慮してなされたものであり、各処理反応炉毎に流量制御器を設置する必要がなく、かつこの流量制御器をきわめてコンパクトに構成することができる半導体製造装置用のガス供給装置を提供することを目的とする。
本発明は、複数の処理反応炉にガスを供給する半導体製造装置用のガス供給装置において、複数のガス供給源と、各ガス供給源に接続されたガス導入管と、複数のガス導入管が集合したガス集合管と、ガス集合管から分岐された複数の分岐管であって、各々が対応する処理反応炉に接続された複数の分岐管と、ガス集合管および複数の分岐管に設けられた圧力式流量抑制器とを備え、圧力式流量制御器はガス集合管に設けられた圧力検出器と、各分岐管に設けられたコントロール弁と、コントロール弁の下流側または上流側に設けられたオリフィスと、圧力検出器からの検出圧力Ｐ１ から流量Ｑｃ＝ＫＰ１ （Ｋは定数）を求める流量演算回路と、流量設定信号Ｑｓを出力する流量設定回路と、流量演算回路からの流量Ｑｃと流量設定回路からの流量設定信号Ｑｓとに基づいて各コントロール弁を制御する演算制御回路とを有することを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
本発明は、圧力式流量制御器はガス集合管に設けられた流量検出用のサーマルセンサを更に有し、サーマルセンサからの信号Ｑａが演算制御回路に送られて、この演算制御回路においてガス集合管内の圧力が音速領域であるか否か判定されることを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
本発明は、複数のガス供給源のうちあるガス供給源のガス導入管にバイパス管が接続され、このバイパス管と各々の分岐管との間が連通管により連通されていることを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
本発明は、各分岐管は枚葉クラスタ式の処理反応炉に接続されていることを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
本発明は、各分岐管はバッチ処理式の処理反応炉に接続されていることを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
本発明は、圧力式流量制御器は、演算制御回路と各コントロール弁との間に設けられた電気／空圧調整部を有することを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置である。
以上のように本発明によれば、各処理反応炉毎に圧力式流量制御器を設置する必要がなく、かつ圧力式流量制御器をきわめてコンパクトな構造で形成することができる。
図１は本発明による半導体用ガス供給装置の第１の実施の形態を示す概略系統図。 図２は一次圧力と実流量との関係を示す図。 図３（ａ）はコントロール弁を開いた状態における一次圧力を示す図、図３（ｂ）は圧力検出器によって検出された流量とサーマルセンサによって検出された流量を示す図。 図４は比較例としての半導体製造装置用のガス供給装置を示す図。 図５は他の比較例としての半導体製造装置用のガス供給装置を示す図。 図６は圧力式流量制御器を示す詳略図。 図７は本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第２の実施の形態を示す図。 図８は本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第３の実施の形態を示す図。 図９（ａ）（ｂ）（ｃ）は本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第４の実施の形態を示す図。 図１０は本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第５の実施の形態を示す図。
第１の実施の形態
以下、図面を参照して本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第１の実施の形態について説明する。
図１乃至図６は本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第１の実施の形態を示す図であり、このうち図１は半導体製造装置用ガス供給装置を示す概略系統図、図２は一次圧力と実流量との関係を示す図、図３（ａ）（ｂ）はオリフィスの異常監視状態を示す図であって、図３（ａ）はコントロール弁を開いた状態における一次圧力を示す図、図３（ｂ）は圧力検出器によって検出された流量とサーマルセンサによって検出された流量を示す図、図４は比較例としての半導体製造装置用のガス供給装置を示す図、図５は他の比較例としての半導体製造装置用のガス供給装置を示す図、図６は圧力式流量制御器を示す詳細図である。
図１乃至図６に示すように、半導体製造装置用のガス供給装置１０は複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂにガスを供給するものである。このような処理反応炉２７ａ，２７ｂとしては、多数のウエハを同時に処理するバッチ式の処理反応炉（プロセスチャンバ）が考えられ、このような処理反応炉２７ａ，２７ｂによって、ＦＰＤ、ＬＥＤ、ＰＶ（太陽電池）を含む半導体が得られる。
このような半導体製造装置用のガス供給装置１０は、複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、複数のガス導入管１３ａ，１３ｂが集合したガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐された複数の分岐管２１ａ，２１ｂであって各々が対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂに接続された複数の分岐管２１ａ，２１ｂと、ガス集合管１５および複数の分岐管２１ａ，２１ｂに跨って設けられた圧力式流量制御器３０とを備えている。
このうちガス供給源１１ａ，１１ｂとしては、例えばガス供給源１１ａとして不活性ガス供給源が考えられ、ガス供給源１１ｂとしては処理ガス供給源が考えられる。
またガス供給源１１ａ，１１ｂからのガス導入管１３ａ，１３ｂに、各々ガス供給弁１２ａ，１２ｂが設けられ、さらに分岐管２１ａ，２１ｂには、開閉弁２４ａ，２４ｂが設けられている。
次に図１及び図６により、圧力式流量制御器３０について、更に詳述する。圧力式流量制御器３０は、図１および図６に示すように、ガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、各分岐管２１ａ，２１ｂに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂと、各コントロール弁２３ａ，２３ｂの下流側に設けられたオリフィス２２ａ，２２ｂと、圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ１ に基づいて各コントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御する制御回路３０Ａとを備えている。なお、オリフィス２２ａ，２２ｂを各コントロール弁２３ａ，２３ｂの上流側に設けてもよい。
またガス集合管１５には圧力検出器１７の上流側に配置された流量調整器１６と、圧力検出器１７の下流側に配置された温度検出器１８および流量検出用サーマルセンサ２０とが順次設けられている。
ここで図６により、圧力式流量制御器３０についてより詳述する。
図６は、圧力式流量制御器３０の構成系統図である。図６において、一般にオリフィス２２ａ，２２ｂの前後の気体の圧力Ｐ２ ／Ｐ１ （Ｐ１ ：上流側圧力、Ｐ２ ：下流側圧力）が気体の臨界圧力比（空気や窒素等の場合は約０．５）以下になると、オリフィス２２ａ，２２ｂを通る気体の流速が音速となって、オリフィス２２ａ，２２ｂの下流側の圧力変動が上流側に伝達しなくなり、オリフィス２２ａ，２２ｂの上流側の状態に相応した安定な質量流量を得ることができる。即ち、オリフィス２２ａ，２２ｂの径が一定の場合、上流側圧力Ｐ１ を下流側圧力Ｐ２ の約２倍以上に設定すると、オリフィス２２ａ，２２ｂを流通する下流側流量Ｑｃは上流側圧力Ｐ１ にのみ依存し、Ｑｃ＝ＫＰ１（Ｋは定数）という直線関係が高精度に成立し、オリフィス径が同一なら、この定数Ｋも一定となる（図２参照）。
オリフィス２２ａ，２２ｂの上流側の分岐管２１ａ，２１ｂには、駆動部６０ａにより開閉されるコントロール弁２３ａ，２３ｂが設けられ、オリフィス２２ａ，２２ｂの下流側の分岐管２１ａ，２１ｂは、各々開閉弁２４ａ，２４ｂを介して処理反応炉２７ａ，２７ｂに接続されている。オリフィス２２ａ，２２ｂより上流側の圧力Ｐ１ は圧力検出器１７により検出され、増幅回路３６を介して圧力表示器４２に表示される。また、その出力はＡ／Ｄ変換器３８を通してデジタル化され、演算回路４０によりオリフィス２２ａ，２２ｂより下流側流量ＱがＱ＝ＫＰ１（Ｋ：定数）により算出される。なお、圧力表示器４２は必ずしも設ける必要はない。
一方、温度検出器１８により検出されたオリフィス２２ａ，２２ｂより上流側の温度Ｔ１ は、増幅回路４６、Ａ／Ｄ変換器４８を介して温度補正回路５０に出力され、前記流量Ｑが温度補正されて、演算流量Ｑｃが比較回路５６に出力される。ここで、比較回路５６は、コントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御する演算制御回路５８を構成する。
他方、流量設定回路５２からはＡ／Ｄ変換器５４を介して設定流量Ｑｓが出力され、比較回路５６に送信される。比較回路５６では演算流量Ｑｃと設定流量Ｑｓの差信号ＱｙがＱｙ＝Ｑｃ−Ｑｓによって算出され、増幅回路６０を介してコントロール弁２３ａ，２３ｂの駆動部６０Ａに出力される。この駆動部６０Ａは差信号Ｑｙが零になる方向にコントロール弁２３ａ，２３ｂを開閉制御して、コントロール弁２３ａ，２３ｂより下流側の流量が設定流量に等しくなるように制御するものである。
当該圧力式流量制御器３０は、オリフィス２２ａ，２２ｂの上流側圧力Ｐ１ を調整することにより二次側流量を制御する構成としているため、コントロール弁２３ａ，２３ｂの上流側のガス圧力に影響されることなしにオリフィス２２ａ，２２ｂの下流側の流量制御を行なうことができ、比較的リニアー性の良い流量特性が得られる。また、ガスの種類やガスの流量が変った場合に於いても、基準ガス及び基準流量に対する所謂フローファクターを予かじめ求めておくことにより、各種の異なるガスやガス流量に対しても、比較的簡単に高精度な流量制御を行なうことができる。
また、比較回路５６を含む演算制御回路５８、演算回路４０、温度補正回路５０、流量設定回路５２、Ａ／Ｄ変換器５４、増幅回路６０、増幅回路３６、圧力表示器４２、Ａ／Ｄ変換器３８、増幅回路４６、およびＡ／Ｄ変換器４８によって制御回路３０Ａが構成されている。
ところで、図６に示すように、流量検出用サーマルセンサ２０によってガス集合管１５内の流量が検出され、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。
一般に図２に示すように、一次圧Ｐ１ が二次圧Ｐ２ に比較してＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係にあるとき、オリフィス２２ａ，２２ｂを通る気体の流速が音速となる音速領域に入る。この場合、上述した圧力式流量制御器３０によって、ガス集合管１５内の流量を適切に制御することができる。他方、一次圧Ｐ１ がＰ１ ＜２×Ｐ２ の関係にあるとき、音速領域外であるから圧力式流量制御器３０による流量制御はむずかしい。
図６において、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が、演算制御回路５８に送られる。このことにより、運転開始直後のように、一次圧Ｐ１ が低い場合、演算制御回路５８は圧力式流量制御はできないと判断し、一次圧Ｐ１ がＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係を満たして音速領域に入った時点から上記の圧力式流量制御をスタートする。
なお、図６に示すように、演算制御回路５８はコントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御すると同時に、流量調整器１６を制御して、ガス集合体１５内の圧力を調整してガス集合体１５内の流量調整を行なってもよい。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
まずガス供給源１１ａ，１１ｂから異なガスが各々ガス導入管１３ａ，１３ｂへ供給され、ガス導入管１３ａ，１３ｂのガスはガス集合管１５内へ導入されて合流する。ガス集合管１５内の合流ガスはその後、流量調整器１６、圧力検出器１７、温度検出器１８、流量検出用サーマルセンサ２０を経て分岐されて分岐管２１ａ，２１ｂに至る。
分岐管２１ａ，２１ｂ内に導入された合流ガスは、その後コントロール弁２３ａ，２３ｂおよびオリフィス２２ａ，２２ｂを経て対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂに供給される。
以上のように本実施の形態によれば、圧力式流量制御器３０は圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂと、コントロール弁２３ａ，２３ｂの下流側のオリフィス２２ａ，２２ｂと、圧力検出器１７からの検出圧力から流量を求める流量演算回路４０と、流量設定回路５２と、流量演算回路４０からの流量と流量設定回路５２からの流量設定値に基づいてコントロール弁２３ａ，２３ｂを制御する演算回路６０とを有しているので、コントロール弁２３ａ，２３ｂおよびオリフィス２２ａ，２２ｂを圧力式流量制御器３０内に組み込むことができ、圧力式流量制御器３０を全体としてコンパクト化することができる。
また複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂに対して一つの圧力式流量制御器３０を設置すれば良いので、装置の設置コスト低減を図ることができる。
さらにまた、オリフィス２２ａ，２２ｂと処理反応炉２７ａ，２７ｂとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ内の圧力は、二次圧Ｐ２ となっているので、オリフィス２２ａ，２２ｂと処理反応炉２７ａ，２７ｂとの間の分岐管２１ａ，２１ｂとして耐圧性管を用いる必要がなく、装置の設置コストが上昇することはない。
ところで、本実施の形態においては、オリフィス２２ａ，２２ｂの詰まり等の異常を監視するため、定期的に以下のような異常監視手法を採用している。
例えば、図３（ａ）に示すように定期的にガス供給装置１０の運転を停止する。そしてコントロール弁２３ａ，２３ｂを閉として、ガス集合管１５内に合流ガスを充てんしておき、圧力検出器１７により検出された検出圧力（一次圧力Ｐ１ ）を所定の値に保つ。この状態でコントロール弁２３ａ，２３ｂを開く。この場合、圧力検出器１７により検出された検出圧力（一次圧力Ｐ１ ）が時間とともに減少する。このときの一次圧力Ｐ１ の降下レートを定期的に求め、運転前の降下レートの初期値と比較する。そして一次圧力Ｐ１ の降下に時間がかかるようであれば、オリフィス２２ａ，２２ｂに目詰りが発生したものと判断する。
あるいは圧力式流量制御器３０の流量演算回路４０において求められた流量Ｑｃと、流量検出用のサーマルセンサ２０によって求められた流量とを演算制御回路５４において比較することにより、オリフィス２２ａ，２２ｂの目詰りを監視することもできる（図３（ｂ））。なお、図３（ｂ）において、２台の処理反応炉２７ａ，２７ｂが設置されているという前提のもとで、流量演算回路４０により求められた流量Ｑｃは、各処理反応炉２７ａ，２７ｂ毎の流量であってサーマルセンサ２０によって求められた流量の約半分の値を示している。
次に本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の作用効果について、図４に示す比較例との対比で説明する。
図４に示すように、比較例としてのガス供給装置は複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、ガス導入管１３ａ，１３ｂが集合するとともに処理反応炉２７ａに達するガス集合管１５とを有している。またガス導入管１３ａにはガス供給弁１２ａが設けられ、ガス導入管１３ｂには開閉弁２、流量調整部３、および圧力検出器４が設置されている。
さらにガス集合管１５には流量制御器１が設置され、この流量制御器１は流量検出用のサーマルセンサ５と、流量調整部４と、サーマルセンサ５からの検出流量に基づいて流量調整部４を調整する制御回路１Ａとを有している。
またガス集合管１５には流量制御器１の下流側に開閉弁２４ａが設けられている。
図４において、プロセス待ちの際は、流量調整部４を閉としておき、流量制御器１のガス集合管１５内をガスで充てんする。プロセス制御を開始する場合、流量制御器１の流量調整部４を開として流量制御を開始するが、ガス集合管１５内をガスで充てんした状態から流量制御を開始する場合、処理反応炉２７ａに供給されるガスの流量が一時的に増加する。
これに対して本願発明によれば、プロセス制御を開始するため、コントロール弁２３ａ，２３ｂを開いてガス集合管１５内をガスで充てんした状態から流量制御を開始する際、コントロール弁２３ａ，２３ｂの下流側または上流側にオリフィス２２ａ，２２ｂが設けられているので、処理反応炉２７ａ，２７ｂ側に供給されるガスの流量が一時的に増加してしまうことはない。
さらに図４に示す比較例において、流量制御器１の上流側のガス導入管１３ｂに、流量制御器１の流量調整部４と別個に開閉弁２および追加の流量調整部３が設けられている。
これに対して本願発明によれば、圧力式流量制御器３０自体にコントロール弁２３ａ，２３ｂおよび流量調整部１６が設けられているため、圧力式流量制御器３０と別個に開閉弁２あるいは追加の流量調整部３を設ける必要はない。
次に本発明を図５に示す更なる比較例との対比で説明する。
図５に示すように、比較例としてのガス供給装置は複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、ガス導入管１３ａ，１３ｂが集合するガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐するとともに各々処理反応炉２７ａ，２７ｂに接続された分岐管２１ａ，２１ｂとを有している。またガス導入管１３ａにはガス供給弁１２ａが設けられ、ガス導入管１３ｂには開閉弁２、流量調整部３、および圧力検出器４が設置されている。
また各分岐管２１ａ，２１ｂには流量制御器１が設置され、各流量制御器１は流量検出用のサーマルセンサ５２と、流量調整部４と、サーマルセンサ５からの検出流量に基づいて流量調整部４を調整する制御回路１Ａとを有している。
さらに分岐管２１ａには開閉弁２９ａ，２４ａが各々設けられ、分岐管２１ｂには開閉弁２９ｂ，２４ａが各々設けられている。
図５において、２基の処理反応炉２７ａ，２７ｂに対して各々流量制御器１が設けられ、流量制御器１の数は処理反応炉２７ａ，２７ｂと同数の合計２基となっている。
これに対して本願発明によれば、２基の処理反応炉２７ａ，２７ｂに対して１基の圧力式流動制御器３０が設置されており、このため流量制御器３０の設置コストを大幅に削減することができる。
第２の実施の形態
次に図７により本発明による半導体製造装置用のガス供給装置の第２の実施の形態について説明する。図７に示す第２の実施の形態は流量検出用のサーマルセンサを取外したものであり、他の構成は図１乃至図６に示す第１の実施の形態と略同一である。
このような半導体製造装置用のガス供給装置１０は、複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、複数のガス導入管１３ａ，１３ｂが集合したガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐された複数の分岐管２１ａ，２１ｂであって各々が対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂに接続された複数の分岐管２１ａ，２１ｂと、ガス集合管１５および複数の分岐管２１ａ，２１ｂに跨って設けられた圧力式流量制御器３０とを備えている。
このうちガス供給源１１ａ，１１ｂとしては、例えばガス供給源１１ａとしては不活性ガス供給源が考えられ、ガス供給源１１ｂとしては処理ガス供給源が考えられる。
またガス供給源１１ａ，１１ｂからのガス導入管１３ａ，１３ｂに、各々ガス供給弁１２ａ，１２ｂが設けられ、さらに分岐管２１ａ，２１ｂには、開閉弁２４ａ，２４ｂが設けられている。
次に図７により、圧力式流量制御器３０について、更に詳述する。圧力式流量制御器３０は、図７に示すように、ガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、各分岐管２１ａ，２１ｂに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂと、各コントロール弁２３ａ，２３ｂの下流側に設けられたオリフィス２２ａ，２２ｂと、圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ１ に基づいて各コントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御する制御回路３０Ａとを備えている。
またガス集合管１５には圧力検出器１７の上流側に配置された流量調整器１６と、圧力検出器１７の下流側に配置された温度検出器１８とが順次設けられている。
さらにまた圧力式流量制御器３０の制御回路３０Ａの構造は、図６に示すものと同一となっている。
なお、図６に示すように、演算制御回路５８はコントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御すると同時に、流量調整器１６を制御して、ガス集合体１５内の圧力を調整してガス集合体１５内の流量調整を行なってもよい。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
まずガス供給源１１ａ，１１ｂから異なガスが各々ガス導入管１３ａ，１３ｂへ供給され、ガス導入管１３ａ，１３ｂのガスはガス集合管１５内へ導入されて合流する。ガス集合管１５内の合流ガスはその後、流量調整器１６、圧力検出器１７、温度検出器１８を経て分岐されて分岐管２１ａ，２１ｂに至る。
分岐管２１ａ，２１ｂ内に導入された合流ガスは、その後コントロール弁２３ａ，２３ｂおよびオリフィス２２ａ，２２ｂを経て対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂに供給される。
以上のように本実施の形態によれば、圧力式流量制御器３０は圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂと、コントロール弁２３ａ，２３ｂの下流側のオリフィス２２ａ，２２ｂと、圧力検出器１７からの検出圧力から流量を求める流量演算回路４０と、流量設定回路５２と、流量演算回路４０からの流量と流量設定回路５２からの流量設定値に基づいてコントロール弁２３ａ，２３ｂを制御する演算回路６０とを有しているので、コントロール弁２３ａ，２３ｂおよびオリフィス２２ａ，２２ｂを圧力式流量制御器３０内に組み込むことができ、圧力式流量制御器３０を全体としてコンパクト化することができる。
また複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂに対して一つの圧力式流量制御器３０を設置すれば良いので、装置の設置コスト低減を図ることができる。
さらにまた、オリフィス２２ａ，２２ｂと処理反応炉２７ａ，２７ｂとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ内の圧力は二次圧Ｐ２ となっているので、オリフィス２２ａ，２２ｂと処理反応炉２７ａ，２７ｂとの間の分岐管２１ａ，２１ｂとして耐圧性管を用いる必要がなく、装置の設置コストが上昇することはない。
第３の実施の形態
次に図８により本発明の第３の実施の形態について説明する。
図８に示す第３の実施の形態は４台のバッチ式の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄを設置したものであり、他の構造は図１乃至図６に示す第１の実施の形態と略同一である。
半導体製造装置用のガス供給装置１０は、複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、複数のガス導入管１３ａ，１３ｂが集合したガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄであって各々が対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに接続された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、ガス集合管１５および複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに跨って設けられた圧力式流量制御器３０とを備えている。
このうちガス供給源１１ａ，１１ｂとしては、例えばガス供給源１１ａとしては不活性ガス供給源が考えられ、ガス供給源１１ｂとしては処理ガス供給源が考えられる。
またガス供給源１１ａ，１１ｂからのガス導入管１３ａ，１３ｂに、各々ガス供給弁１２ａ，１２ｂが設けられ、さらに分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄには、開閉弁２４ａ，２４ｂ，２４ｃ，２４ｄが設けられている。
次に図８により、圧力式流量制御器３０について、更に詳述する。圧力式流量制御器３０は、図８に示すように、ガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、各分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側に設けられたオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ１ に基づいて各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを駆動制御する制御回路３０Ａとを備えている。
またガス集合管１５には圧力検出器１７の上流側に配置された流量調整器１６と、圧力検出器１７の下流側に配置された温度検出器１８および流量検出用サーマルセンサ２０とが順次設けられている。
なお、圧力式流量制御器３０の制御回路３０Ａの構造は、図６に示すものと同一となっている。
ところで、図６に示すように、流量検出用サーマルセンサ２０によってガス集合管１５内の流量が検出され、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。
一般に図２に示すように、一次圧Ｐ１ が二次圧Ｐ２ に比較してＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係にあるとき、オリフィス２２ａ，２２ｂを通る気体の流速が音速となる音速領域に入る。この場合、上述した圧力式流量制御器３０によって、ガス集合管１５内の流量を適切に制御することができる。他方、一次圧Ｐ１ がＰ１ ＜２×Ｐ２ の関係にあるとき、音速領域外であるから圧力式流量制御器３０による流量制御はむずかしい。
図６において、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。このことにより、運転開始直後のように、一次圧Ｐ１ が低い場合、演算制御回路５８は圧力式流量制御はできないと判断し、一次圧Ｐ１ がＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係を満たして音速領域に入った時点から上記の圧力式流量制御をスタートする。
なお、図６に示すように、演算制御回路５８はコントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御すると同時に、流量調整器１６を制御して、ガス集合体１５内の圧力を調整してガス集合体１５内の流量調整を行なってもよい。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
まずガス供給源１１ａ，１１ｂから異なガスが各々ガス導入管１３ａ，１３ｂへ供給され、ガス導入管１３ａ，１３ｂのガスはガス集合管１５内へ導入されて合流する。ガス集合管１５内の合流ガスはその後、流量調整器１６、圧力検出器１７、温度検出器１８、流量検出用サーマルセンサ２０を経て分岐されて分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに至る。
分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内に導入された合流ガスは、その後コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを経て対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに供給される。
以上のように本実施の形態によれば、圧力式流量制御器３０は圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側のオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力から流量を求める流量演算回路４０と、流量設定回路５２と、流量演算回路４０からの流量と流量設定回路５２からの流量設定値に基づいてコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを制御する演算回路６０とを有しているので、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを圧力式流量制御器３０内に組み込むことができ、圧力式流量制御器３０を全体としてコンパクト化することができる。
また複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに対して一つの圧力式流量制御器３０を設置すれば良いので、装置の設置コスト低減を図ることができる。
さらにまた、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内の圧力は二次圧Ｐ２ となっているので、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄとして耐圧性管を用いる必要がなく、装置の設置コストが上昇することはない。
第４の実施の形態
次に図９（ａ）（ｂ）（ｃ）により本発明の第４の実施の形態について説明する。
図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す第４の実施の形態は、４基の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄが設置されるとともに、これら４基の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄは枚葉クラスタ式の処理反応炉からなっている。
さらに４基の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄは搬送モジュール（ＴＭ）６１を囲んで設けられ、搬送モジュール６１にはロードロックモジュール（ＬＬＭ）６２を介して搬入搬出部６３が接続されている。
また圧力式流量制御器３０は電気／空圧調整部３０Ｂを有している。
図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す実施の形態において、他の構成は図１乃至図６に示す第１の実施の形態と略同一である。
半導体製造装置用のガス供給装置１０は、複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、複数のガス導入管１３ａ，１３ｂが集合したガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄであって各々が対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに接続された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、ガス集合管１５および複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに跨って設けられた圧力式流量制御器３０とを備えている。
このうちガス供給源１１ａ，１１ｂとしては、例えばガス供給源１１ａとしては不活性ガス供給源が考えられ、ガス供給源１１ｂとしては処理ガス供給源が考えられる。
また、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）において、処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとしては、枚葉クラスタ式の処理反応炉（ショートバッチ式の処理反応炉も含むプロセスチャンバ）が考えられる。
またガス供給源１１ａ，１１ｂからのガス導入管１３ａ，１３ｂに、各々ガス供給弁１２ａ，１２ｂが設けられている。
次に図９により、圧力式流量制御器３０について、更に詳述する。圧力式流量制御器３０は、図９に示すように、ガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、各分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側に設けられたオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ１ に基づいて電気／空圧調整部３０Ｂを介して各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを駆動制御する制御回路３０Ａとを備えている。
またガス集合管１５には圧力検出器１７の上流側に配置された流量調整器１６と、圧力検出器１７の下流側に配置された温度検出器１８および流量検出用サーマルセンサ２０とが順次設けられている。
ところで、図６に示すように、流量検出用サーマルセンサ２０によってガス集合管１５内の流量が検出され、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。
一般に図２に示すように、一次圧Ｐ１ が二次圧Ｐ２ に比較してＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係にあるとき、オリフィス２２ａ，２２ｂを通る気体の流速が音速となる音速領域に入る。この場合、上述した圧力式流量制御器３０によって、ガス集合管１５内の流量を適切に制御することができる。他方、一次圧Ｐ１ がＰ１ ＜２×Ｐ２ の関係にあるとき、音速領域外であるから圧力式流量制御器３０による流量制御はむずかしい。
図６において、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。このことにより、運転開始直後のように、一次圧Ｐ１ が低い場合、演算制御回路５８は圧力式流量制御はできないと判断し、一次圧Ｐ１ がＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係を満たして音速領域に入った時点から上記の圧力式流量制御をスタートする。
なお、図６に示すように、演算制御回路５８はコントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御すると同時に、流量調整器１６を制御して、ガス集合体１５内の圧力を調整してガス集合体１５内の流量調整を行なってもよい。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
まずガス供給源１１ａ，１１ｂから異なガスが各々ガス導入管１３ａ，１３ｂへ供給され、ガス導入管１３ａ，１３ｂのガスはガス集合管１５内へ導入されて合流する。ガス集合管１５内の合流ガスはその後、流量調整器１６、圧力検出器１７、温度検出器１８、流量検出用サーマルセンサ２０を経て分岐されて分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに至る。
分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内に導入された合流ガスは、その後コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを経て対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに供給される。
以上のように本実施の形態によれば、圧力式流量制御器３０は圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側のオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力から流量を求める流量演算回路４０と、流量設定回路５２と、流量演算回路４０からの流量と流量設定回路５２からの流量設定値に基づいてコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを制御する演算回路６０とを有しているので、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを圧力式流量制御器３０内に組み込むことができ、圧力式流量制御器３０を全体としてコンパクト化することができる。
また複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに対して一つの圧力式流量制御器３０を設置すれば良いので、装置の設置コスト低減を図ることができる。
さらにまた、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内の圧力は二次圧Ｐ２ となっているので、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄとして耐圧性管を用いる必要がなく、装置の設置コストが上昇することはない。
また図９（ｂ）（ｃ）に示すように、処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄのうち、処理反応炉２７ａ〜２７ｃを運転し、処理反応炉２７ｄを待機状態とした後、処理反応炉２７ｄの運転を開始する場合、コントロール弁２３ｄを開く必要がある。このとき、ガス集合管１５内の圧力低下が生じて処理反応炉２７ａ〜２７ｃへ供給されるガス流量に脈動が生じることが考えられる。（図９（ｂ））。
これに対して本願発明によれば、制御回路３０Ａは電気／空圧調整部３０Ｂを介してコントロール弁２３ａ〜２３ｄを開閉駆動するので、コントロール弁２３ａ〜２３ｄをソフトに動作させて処理反応炉２７ａ〜２７ｄへ供給されるガス流量に脈動が生じることはない。
第５の実施の形態
次に図１０により本発明の第５の実施の形態について説明する。
図１０に示す第５の実施の形態において、あるガス供給源（Ｎ２ ガス供給源）１１ａからのガス導入管にバイパス管７０が接続され、このバイパス管７０と各分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄとが連通管８１ａ，８１ｂ，８１ｃ，８１ｄにより連通されている。
またバイパス管７０には追加流量調整部７６と、追加圧力検出器７７と、追加の流量検出用のサーマルセンサ８０とが設けられ、各連通管８１ａ，８１ｂ，８１ｃ，８１ｄには各々追加コントロール弁８３ａ，８３ｂ，８３ｃ，８３ｄとオリフィス８２ａ，８２ｂ，８２ｃ，８２ｄが設けられている。
他の構成は図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示す第４の実施の形態と略同一である。
半導体製造装置用のガス供給装置１０は、複数のガス供給源１１ａ，１１ｂと、各ガス供給源１１ａ，１１ｂに接続されたガス導入管１３ａ，１３ｂと、複数のガス導入管１３ａ，１３ｂが集合したガス集合管１５と、ガス集合管１５から分岐された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄであって各々が対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに接続された複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄと、ガス集合管１５および複数の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに跨って設けられた圧力式流量制御器３０とを備えている。
このうちガス供給源１１ａ，１１ｂとしては、例えばガス供給源１１ａとしては不活性ガス供給源が考えられ、ガス供給源１１ｂとしては処理ガス供給源が考えられる。
またガス供給源１１ａ，１１ｂからのガス導入管１３ａ，１３ｂに、各々ガス供給弁１２ａ，１２ｂが設けられている。
次に図１０により、圧力式流量制御器３０について、更に詳述する。圧力式流量制御器３０は、図１０に示すように、ガス集合管１５に設けられた圧力検出器１７と、各分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側に設けられたオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力Ｐ１ に基づいて電気／空圧調整部３０Ｂを介して各コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを駆動制御する制御回路３０Ａとを備えている。
またガス集合管１５には圧力検出器１７の上流側に配置された流量調整器１６と、圧力検出器１７の下流側に配置された温度検出器１８および流量検出用サーマルセンサ２０とが順次設けられている。
ところで、図６に示すように、流量検出用サーマルセンサ２０によってガス集合管１５内の流量が検出され、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。
一般に図２に示すように、一次圧Ｐ１ が二次圧Ｐ２ に比較してＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係にあるとき、オリフィス２２ａ，２２ｂを通る気体の流速が音速となる音速領域に入る。この場合、上述した圧力式流量制御器３０によって、ガス集合管１５内の流量を適切に制御することができる。他方、一次圧Ｐ１ がＰ１ ＜２×Ｐ２ の関係にあるとき、音速領域外であるから圧力式流量制御器３０による流量制御はむずかしい。
図６において、サーマルセンサ２０によって検出された検出流量が演算制御回路５８に送られる。このことにより、運転開始直後のように、一次圧Ｐ１ が低い場合、演算制御回路５８は圧力式流量制御はできないと判断し、一次圧Ｐ１ がＰ１ ≧２×Ｐ２ の関係を満たして音速領域に入った時点から上記の圧力式流量制御をスタートする。
なお、図６に示すように、演算制御回路５８はコントロール弁２３ａ，２３ｂを駆動制御すると同時に、流量調整器１６を制御して、ガス集合体１５内の圧力を調整してガス集合体１５内の流量調整を行なってもよい。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。
まずガス供給源１１ａ，１１ｂから異なガスが各々ガス導入管１３ａ，１３ｂへ供給され、ガス導入管１３ａ，１３ｂのガスはガス集合管１５内へ導入されて合流する。ガス集合管１５内の合流ガスはその後、流量調整器１６、圧力検出器１７、温度検出器１８、流量検出用サーマルセンサ２０を経て分岐されて分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに至る。
分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内に導入された合流ガスは、その後コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを経て対応する処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに供給される。
以上のように本実施の形態によれば、圧力式流量制御器３０は圧力検出器１７と、分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄに設けられたコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄと、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄの下流側のオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと、圧力検出器１７からの検出圧力から流量を求める流量演算回路４０と、流量設定回路５２と、流量演算回路４０からの流量と流量設定回路５２からの流量設定値に基づいてコントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄを制御する演算回路６０とを有しているので、コントロール弁２３ａ，２３ｂ，２３ｃ，２３ｄおよびオリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄを圧力式流量制御器３０内に組み込むことができ、圧力式流量制御器３０を全体としてコンパクト化することができる。
また複数の処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄに対して一つの圧力式流量制御器３０を設置すれば良いので、装置の設置コスト低減を図ることができる。
さらにまた、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ内の圧力は二次圧Ｐ２ となっているので、オリフィス２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄと処理反応炉２７ａ，２７ｂ，２７ｃ，２７ｄとの間の分岐管２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄとして耐圧性管を用いる必要がなく、装置の設置コストが上昇することはない。
また、制御回路３０Ａは電気／空圧調整部３０Ｂを介してコントロール弁２３ａ〜２３ｄを開閉駆動するので、コントロール弁２３ａ〜２３ｄをソフトに動作させて、処理反応炉２７ａ〜２７ｄへ供給されるガス流量に脈動を生じさせることはない。
ところで図１０において、コントロール弁２３ａ〜２３ｄを開とし、追加コントロール弁８２ｂ〜８２ｄを閉として処理反応炉２７ａ〜２７ｄを運転させた状態から処理反応炉２７ａのみを停止させる場合、圧力式流量制御器３０はコントロール弁２３ａを閉とする。次に追加コントロール弁８２ｂ〜８２ｄを閉としたまま、追加コントロール弁８２ａのみを開とし、Ｎ２ ガス供給源１１ａからのＮ２ ガスをバイパス管７０から連通管８１ａを経て処理反応炉２７ａ内に導入することができる。
なお、追加コントロール弁８２ａ〜８２ｄの駆動制御を行なう場合、コントロール弁２３ａ〜２３ｄの駆動制御と同様に圧力式流量制御器３０を設置し、この圧力式流量制御器３０により追加コントロール弁８２ａ〜８２ｄを制御してもよく、追加サーマルセンサ８０からの信号に基づいて図示しない制御部により追加コントロール弁８２ａ〜８２ｄを制御してもよい。
１０ ガス供給装置
１１ａ，１１ｂ ガス供給源
１２ａ，１２ｂ ガス供給弁
１３ａ，１３ｂ ガス導入管
１５ ガス集合管
１６ 流量調整器
１７ 圧力検出器
１８ 温度検出器
２０ 流量検出用のサーマルセンサ
２１ａ，２１ｂ 分岐管
２２ａ，２２ｂ オリフィス
２３ａ，２３ｂ コントロール弁
２４ａ，２４ｂ 開閉弁
２７ａ，２７ｂ 処理反応炉
３０ 圧力式流量制御器
３０Ａ 制御回路
４０ 流量演算回路
５２ 流量設定回路
５８ 演算制御回路

Claims (6)

  1. 複数の処理反応炉にガスを供給する半導体製造装置用のガス供給装置において、
    複数のガス供給源と、
    各ガス供給源に接続されたガス導入管と、
    複数のガス導入管が集合したガス集合管と、
    ガス集合管から分岐された複数の分岐管であって、各々が対応する処理反応炉に接続された複数の分岐管と、
    ガス集合管および複数の分岐管に設けられた圧力式流量抑制器とを備え、
    圧力式流量制御器はガス集合管に設けられた圧力検出器と、各分岐管に設けられたコントロール弁と、コントロール弁の下流側または上流側に設けられたオリフィスと、圧力検出器からの検出圧力Ｐ１ から流量Ｑｃ＝ＫＰ１ （Ｋは定数）を求める流量演算回路と、流量設定信号Ｑｓを出力する流量設定回路と、流量演算回路からの流量Ｑｃと流量設定回路からの流量設定信号Ｑｓとに基づいて各コントロール弁を制御する演算制御回路とを有することを特徴とする半導体製造装置用のガス供給装置。
  2. 圧力式流量制御器はガス集合管に設けられた流量検出用のサーマルセンサを更に有し、サーマルセンサからの信号Ｑａが演算制御回路に送られて、この演算制御回路においてガス集合管内の圧力が音速領域であるか否か判定されることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置用のガス供給装置。
  3. 複数のガス供給源のうちあるガス供給源のガス導入管にバイパス管が接続され、このバイパス管と各々の分岐管との間が連通管により連通されていることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置用のガス供給装置。
  4. 各分岐管は枚葉クラスタ式の処理反応炉に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置用のガス供給装置。
  5. 各分岐管はバッチ式の処理反応炉に接続されていることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置用のガス供給装置。
  6. 圧力式流量制御器は、演算制御回路と各コントロール弁との間に設けられた電気／空圧調整部を有することを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置用のガス供給装置。
JP2010105611A 2010-04-30 2010-04-30 半導体製造装置用のガス供給装置 Active JP5562712B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010105611A JP5562712B2 (ja) 2010-04-30 2010-04-30 半導体製造装置用のガス供給装置
TW100113913A TWI517280B (zh) 2010-04-30 2011-04-21 半導體製造設備用之氣體供應設備
US13/094,202 US8944095B2 (en) 2010-04-30 2011-04-26 Gas supply apparatus for semiconductor manufacturing apparatus
KR1020110039862A KR101565437B1 (ko) 2010-04-30 2011-04-28 반도체 제조 장치용의 가스 공급 장치
CN201110109144.7A CN102235573B (zh) 2010-04-30 2011-04-28 半导体制造装置用的气体供给装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010105611A JP5562712B2 (ja) 2010-04-30 2010-04-30 半導体製造装置用のガス供給装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011233841A true JP2011233841A (ja) 2011-11-17
JP2011233841A5 JP2011233841A5 (ja) 2013-01-17
JP5562712B2 JP5562712B2 (ja) 2014-07-30

Family

ID=44857322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010105611A Active JP5562712B2 (ja) 2010-04-30 2010-04-30 半導体製造装置用のガス供給装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8944095B2 (ja)
JP (1) JP5562712B2 (ja)
KR (1) KR101565437B1 (ja)
CN (1) CN102235573B (ja)
TW (1) TWI517280B (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140023244A (ko) * 2012-08-17 2014-02-26 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 가스 분배 네트워크에서의 유동 밸런싱
WO2016072410A1 (ja) * 2014-11-07 2016-05-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
JP2019009249A (ja) * 2017-06-23 2019-01-17 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系を検査する方法

Families Citing this family (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9383758B2 (en) * 2005-06-27 2016-07-05 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
US9921089B2 (en) 2005-06-27 2018-03-20 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
JP5703114B2 (ja) * 2011-04-28 2015-04-15 株式会社フジキン 原料の気化供給装置
CN103518165B (zh) * 2011-05-10 2016-06-08 株式会社富士金 带有流量监测器的压力式流量控制装置
JP5755958B2 (ja) 2011-07-08 2015-07-29 株式会社フジキン 半導体製造装置の原料ガス供給装置
JP5652960B2 (ja) * 2011-08-01 2015-01-14 株式会社フジキン 原料気化供給装置
JP5430621B2 (ja) * 2011-08-10 2014-03-05 Ｃｋｄ株式会社 ガス流量検定システム及びガス流量検定ユニット
JP5647083B2 (ja) 2011-09-06 2014-12-24 株式会社フジキン 原料濃度検出機構を備えた原料気化供給装置
US9557744B2 (en) 2012-01-20 2017-01-31 Mks Instruments, Inc. System for and method of monitoring flow through mass flow controllers in real time
JP5754853B2 (ja) * 2012-01-30 2015-07-29 株式会社フジキン 半導体製造装置のガス分流供給装置
JP5665793B2 (ja) * 2012-04-26 2015-02-04 株式会社フジキン 可変オリフィス型圧力制御式流量制御器
JP5665794B2 (ja) * 2012-04-27 2015-02-04 株式会社フジキン 半導体製造装置のガス分流供給装置
US9443230B2 (en) * 2012-04-30 2016-09-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Point-to point data synchronization
US9243325B2 (en) 2012-07-18 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
CN103928284B (zh) * 2013-01-15 2016-04-06 中微半导体设备(上海)有限公司 气体传输装置及其气体分流装置的测试方法
CN104150431A (zh) * 2013-05-14 2014-11-19 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 进气系统及基片处理设备
KR102237868B1 (ko) * 2014-02-13 2021-04-12 엠케이에스 인스트루먼츠, 인코포레이티드 압력 둔감형 자기 검증 질량 유량 컨트롤러를 제공하는 시스템 및 방법
US20150283523A1 (en) * 2014-04-03 2015-10-08 Waterous Company Compressed air foam generation
JP6370630B2 (ja) * 2014-07-31 2018-08-08 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
US9904299B2 (en) * 2015-04-08 2018-02-27 Tokyo Electron Limited Gas supply control method
JP6748586B2 (ja) * 2016-07-11 2020-09-02 東京エレクトロン株式会社 ガス供給システム、基板処理システム及びガス供給方法
US20180046206A1 (en) * 2016-08-13 2018-02-15 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling gas flow to a process chamber
WO2019083761A1 (en) * 2017-10-23 2019-05-02 Applied Materials, Inc. LIQUID PRECURSOR FEEDING SYSTEM
US11079774B2 (en) * 2017-11-30 2021-08-03 Fujikin Incorporated Flow rate control device
JP7044629B2 (ja) * 2018-05-18 2022-03-30 株式会社堀場エステック 流体制御装置、及び、流量比率制御装置
JP7068062B2 (ja) * 2018-06-18 2022-05-16 株式会社堀場製作所 流体制御装置、及び、流量比率制御装置
JP7144283B2 (ja) * 2018-11-09 2022-09-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置
KR20240052061A (ko) * 2019-04-25 2024-04-22 가부시키가이샤 후지킨 유량 제어 장치
DE102019117543A1 (de) * 2019-06-28 2020-12-31 Aixtron Se Verfahren zum Kalibrieren/Verifizieren von Massenfluss-Mess/Steuer-Geräten eines Gasmischsystems und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
CN110410672B (zh) * 2019-07-05 2021-08-10 中国科学院空间应用工程与技术中心 一种氮气供应方法及装置
IL269235A (en) * 2019-09-09 2021-03-25 Sherlock Leaks & Floods Ltd Multi-range flowmeter
CN111059469A (zh) * 2019-12-31 2020-04-24 中国科学院空间应用工程与技术中心 一种集成式空间应用氮气供应分配控制装置
CN111520613B (zh) * 2020-04-26 2022-01-11 北京北方华创微电子装备有限公司 集成供气系统及其气路切换机构、半导体外延设备
US11873916B2 (en) * 2020-06-29 2024-01-16 Fujikin Incorporated Fluid control device, fluid supply system, and fluid supply method

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003074800A (ja) * 2001-08-30 2003-03-12 Tokyo Electron Ltd 流体制御装置及び熱処理装置と流体制御方法
JP2004119705A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Canon Inc ガス供給装置および真空処理装置
JP2009252760A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Fujikin Inc 気化器を備えたガス供給装置
JP2010204899A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Tokyo Electron Ltd 流体制御装置

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3905394A (en) * 1974-04-12 1975-09-16 Digital Dynamics Inc Flow control system
US4030523A (en) * 1976-04-19 1977-06-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Digital flow control system
US4644967A (en) * 1983-11-25 1987-02-24 Vapor Energy Corp. Fluid flow control system
US5329965A (en) * 1993-07-30 1994-07-19 The Perkin-Elmer Corporation Hybrid valving system for varying fluid flow rate
US5865205A (en) * 1997-04-17 1999-02-02 Applied Materials, Inc. Dynamic gas flow controller
JPH11212653A (ja) * 1998-01-21 1999-08-06 Fujikin Inc 流体供給装置
WO2000031602A1 (de) * 1998-11-20 2000-06-02 Sepiatec Gmbh Verfahren und vorrichtung zur regelung einzelner teilströme eines fördersystems für fluide medien
WO2000063756A1 (fr) * 1999-04-16 2000-10-26 Fujikin Incorporated Dispositif d'alimentation en fluide du type derivation parallele, et procede et dispositif de commande du debit d'un systeme de pression du type a fluide variable utilise dans ledit dispositif
US6210482B1 (en) * 1999-04-22 2001-04-03 Fujikin Incorporated Apparatus for feeding gases for use in semiconductor manufacturing
US6119710A (en) * 1999-05-26 2000-09-19 Cyber Instrument Technologies Llc Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction
US6581623B1 (en) * 1999-07-16 2003-06-24 Advanced Technology Materials, Inc. Auto-switching gas delivery system utilizing sub-atmospheric pressure gas supply vessels
US6799603B1 (en) * 1999-09-20 2004-10-05 Moore Epitaxial, Inc. Gas flow controller system
US6578435B2 (en) * 1999-11-23 2003-06-17 Nt International, Inc. Chemically inert flow control with non-contaminating body
US6333272B1 (en) * 2000-10-06 2001-12-25 Lam Research Corporation Gas distribution apparatus for semiconductor processing
US6418954B1 (en) * 2001-04-17 2002-07-16 Mks Instruments, Inc. System and method for dividing flow
WO2002095519A1 (en) * 2001-05-24 2002-11-28 Unit Instruments, Inc. Method and apparatus for providing a determined ratio of process fluids
US6655408B2 (en) * 2001-06-13 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Tunable ramp rate circuit for a mass flow controller
US6766260B2 (en) * 2002-01-04 2004-07-20 Mks Instruments, Inc. Mass flow ratio system and method
JP4078982B2 (ja) * 2002-04-22 2008-04-23 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び流量測定方法
US7004191B2 (en) * 2002-06-24 2006-02-28 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for mass flow controller with embedded web server
JP4352783B2 (ja) * 2002-08-23 2009-10-28 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系及び処理システム
US20040168719A1 (en) * 2003-02-28 2004-09-02 Masahiro Nambu System for dividing gas flow
US7072743B2 (en) * 2004-03-09 2006-07-04 Mks Instruments, Inc. Semiconductor manufacturing gas flow divider system and method
JP4358727B2 (ja) * 2004-12-09 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 ガス供給装置，基板処理装置及び供給ガス設定方法
JP4856905B2 (ja) * 2005-06-27 2012-01-18 国立大学法人東北大学 流量レンジ可変型流量制御装置
JP4438850B2 (ja) 2006-10-19 2010-03-24 東京エレクトロン株式会社 処理装置、このクリーニング方法及び記憶媒体
KR101028213B1 (ko) * 2007-12-27 2011-04-11 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유량 비율 제어 장치
US9127361B2 (en) * 2009-12-07 2015-09-08 Mks Instruments, Inc. Methods of and apparatus for controlling pressure in multiple zones of a process tool

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003074800A (ja) * 2001-08-30 2003-03-12 Tokyo Electron Ltd 流体制御装置及び熱処理装置と流体制御方法
JP2004119705A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Canon Inc ガス供給装置および真空処理装置
JP2009252760A (ja) * 2008-04-01 2009-10-29 Fujikin Inc 気化器を備えたガス供給装置
JP2010204899A (ja) * 2009-03-03 2010-09-16 Tokyo Electron Ltd 流体制御装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140023244A (ko) * 2012-08-17 2014-02-26 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 가스 분배 네트워크에서의 유동 밸런싱
KR102140842B1 (ko) * 2012-08-17 2020-08-04 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 가스 분배 네트워크에서의 흐름 밸런싱
KR20200095435A (ko) * 2012-08-17 2020-08-10 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 가스 분배 네트워크에서의 흐름 밸런싱
KR102360546B1 (ko) * 2012-08-17 2022-02-08 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 가스 분배 네트워크에서의 흐름 밸런싱
KR20220020869A (ko) * 2012-08-17 2022-02-21 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 가스 분배 네트워크에서의 흐름 밸런싱
KR102568977B1 (ko) * 2012-08-17 2023-08-18 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 가스 분배 네트워크에서의 흐름 밸런싱
WO2016072410A1 (ja) * 2014-11-07 2016-05-12 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
JP2016092311A (ja) * 2014-11-07 2016-05-23 株式会社ニューフレアテクノロジー 気相成長装置および気相成長方法
CN106796869A (zh) * 2014-11-07 2017-05-31 纽富来科技股份有限公司 气相生长装置及气相生长方法
JP2019009249A (ja) * 2017-06-23 2019-01-17 東京エレクトロン株式会社 ガス供給系を検査する方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN102235573B (zh) 2015-03-18
KR20110121560A (ko) 2011-11-07
CN102235573A (zh) 2011-11-09
JP5562712B2 (ja) 2014-07-30
TWI517280B (zh) 2016-01-11
US20110265895A1 (en) 2011-11-03
TW201214600A (en) 2012-04-01
US8944095B2 (en) 2015-02-03
KR101565437B1 (ko) 2015-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5562712B2 (ja) 半導体製造装置用のガス供給装置
JP3904368B2 (ja) 半導体製造装置用のガス供給装置及びガス供給方法
US8606412B2 (en) Method for detecting malfunction of valve on the downstream side of throttle mechanism of pressure type flow control apparatus
US7682843B2 (en) Semiconductor fabrication system, and flow rate correction method and program for semiconductor fabrication system
KR101134392B1 (ko) 반도체 제조 설비용의 가스 공급 장치
KR101677971B1 (ko) 반도체 제조 장치의 가스 분류 공급 장치
KR100694666B1 (ko) 원자층 증착 챔버의 에어 밸브 장치
KR101998577B1 (ko) 기판 처리 장치, 감시 프로그램 및 반도체 장치의 제조 방법
JPWO2009084422A1 (ja) 流量比率制御装置
JPWO2017051520A1 (ja) 圧力式流量制御装置及びその異常検知方法
JP2013232101A (ja) 半導体製造装置のガス分流供給装置
JPH07281760A (ja) マスフローコントローラ絶対流量検定システム
JP5011195B2 (ja) 流体分流供給ユニット
TW202117059A (zh) 多個真空腔室排出系統及用以抽空多個腔室之方法
WO2020042594A1 (zh) 气体流量监测系统及监测和主备用切换方法
WO2022229643A1 (en) Semiconductor processing system
JP2024519509A (ja) 真空ポンプシステムのための流体ルーティング
JP5633167B2 (ja) エピタキシャル成長システム
EP4330549A1 (en) A valve module for a vacuum pumping system
KR20100054906A (ko) 배기 장치
JP2005311172A (ja) 半導体製造装置および測定ずれ検出方法
KR20090108802A (ko) 반도체 제조설비의 유틸리티 유량제어장치

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121121

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140423

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140513

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140611

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5562712

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250