JP2005311172A - 半導体製造装置および測定ずれ検出方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
分子流領域の圧力下で測定ズレ量を検出する、設備費の安価な半導体製造装置を提供。
【解決手段】
真空ポンプ５により減圧可能な真空搬送室３と、真空ポンプ８により減圧可能な処理室７と、真空搬送室３と処理室７との間を遮断あるいは開放するゲートバルブ６と、真空搬送室３内の圧力を計測する搬送室圧力計２３と、処理室７内の圧力を計測する処理室圧力計２４を備える。圧力比較判定器２２は、真空ポンプ８の排気速度と、ゲートバルブ６のコンダクタンスと、ゲートバルブ６が遮断している時の処理室圧力計２４の計測値と、ゲートバルブ６が開放している時の搬送室圧力計２３の計測値とから、処理室７の圧力の予想値を求める。そして、ゲートバルブ６が開放している時の処理室圧力計２４の計測値と予想値との差を測定ズレ量として求め、測定ズレ量が所定の値より大きな場合には処理室圧力計２４が異常であると判断する。
【選択図】
図１

Description

本発明は、半導体製造装置および測定ずれ検出方法に関し、特にバルブで仕切られた搬送室と真空（または昇圧）処理室とを備える半導体基板を製造する装置およびこの装置における圧力計の測定ずれ検出方法に関するものである。

半導体基板の成膜（ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）、スパッタ）処理やドライエッチング処理等において、処理中や処理前の処理室圧力は、処理特性に大きく影響するため、圧力計による圧力の監視や、測定した圧力をもとにしてポンプの排気量やガス導入量を調整し、処理室の圧力調整をおこなっている。したがって、処理室の圧力計には、高い精度が要求される。一方、処理室に設置された圧力計は、反応性の処理ガス等にさらされるために測定部の消耗や故障が発生し、測定値のずれが生じることがあるため、定期的な校正や交換をおこなう必要がある。この圧力計の消耗度や故障頻度は、処理条件、動作環境、製造誤差等の影響因子が多くバラツキが大きいため、消耗度や故障頻度の予測は、困難である。このため、処理室圧力計の消耗による測定値ずれや故障の検知技術は重要な技術である。

圧力計ずれ検出技術の例が特許文献１に開示されている。図４は、特許文献１に記載されているドライエッチング装置の構成図である。図４のドライエッチング装置では、真空室２０４の圧力を圧力計２０８で測定し、測定した信号を圧力制御部２０６に送り、圧力制御部２０６が圧力調整器２０５を動作させて、真空室２０４が設定圧力になるように制御する装置である。圧力計２０８のずれ（異常）を検知するために、圧力計２０８と同一の真空室に圧力計２０９を設置し、装置制御部２１１にて設定圧力値と圧力計２０９により測定された真空室２０４の圧力測定値とを比較する。圧力計２０８にずれが発生した場合は、その測定値をもとに制御された真空室２０４の圧力と設定圧力に差が生じるため、圧力計２０９の測定値と設定圧力を比較することにより圧力計２０８のずれを検出することが可能となる。ただし、圧力計２０８と圧力計２０９とは、どちらも真空室２０４に設置されるため、反応性の処理ガス等の影響により劣化が発生し、圧力計２０９の測定値も比較基準としての信頼性に欠ける。そこで信頼性を向上させるために、反応性の処理ガス導入時に閉じるバルブ２１２を備えた圧力計２１０を設置している。圧力計２１０は、反応性の処理ガス等の影響を受けにくく、劣化が少ないため、その測定値を基準として圧力計２０８と圧力計２０９の劣化状態を判定する構造となっている。

また、他の圧力計ずれ検出技術の例が特許文献２に開示されている。図５は、特許文献２に記載されている真空処理装置の構成図であり、図６は、特許文献２に記載されている圧力制御方法を示すフローチャートである。図５の真空装置では、ステップＳ１２４でゲートバルブ１３１ｂを開けて、ある程度の時間が経過すると、搬送チャンバ１１０とプロセスチャンバ１２０との２つの圧力が同じになると仮定する。ステップＳ１２５において、時間経過後の搬送チャンバ１１０の圧力センサ１３４ａの測定値Pt2と、プロセスチャンバ１２０の圧力センサ１３４ｂの測定値Pp2を測定し、ステップＳ１２６で測定値差ΔP=(Pp2-Pt2)をセンサずれ量として算出し、設定値の補正をおこなう。

特許第２８２６４０９号公報（図２） 特開２０００−１８１５４８号公報（図１、図４）

特許文献１に開示されている技術では、処理室にバルブや圧力計を追加して、圧力計のずれを検知しようとする構造である。この技術では、本来処理では使用しない圧力計やバルブを追加する必要があり、実施するための部品費用や改造費用が高額となる欠点がある。特に、例えば２〜６個の複数の処理室を有する近年の生産設備において、すべての処理室に複数の圧力計を設置すると装置費用や装置設置場所が増加し、生産コストの増加につながるために、実現が困難である。この問題は、従来の技術が、圧力測定値を単純に比較する機能しか持たないために、圧力の等しい場所（同一の処理室内）に比較用の圧力計を設置しなければならないことに起因している。

一方、特許文献２に開示されている技術では、ゲートバルブが開いた時に両チャンバは、同一圧力になるという前提で、圧力測定ずれ量の補正をおこなっている。しかし、近年の半導体処理装置では、高純度な処理をおこなうために搬送室及び処理室への不純物ガス混入を抑制する予備真空室を持つ装置が多く、これらの装置では搬送室及び処理室の圧力は、処理中、常に1E-2Pa以下の分子流領域の低い圧力に保たれている。1E-2Pa以下の分子流領域の圧力では、チャンバ間の圧力差の絶対値が小さいため圧力分布を平衡化する力が弱く、コンダクタンスの小さいゲートバルブ開口の影響を大きく受けて、ゲートバルブが開いた状態で接続されているチャンバ同士でも圧力差が発生する。このため、特許文献２の圧力ずれ検出方法は、予備真空室を持たない半導体処理装置や、大気圧側での搬送などの粘性流圧力領域（1E-1Pa以上）では使用可能であるが、近年の半導体処理装置の処理室圧力計における測定ずれ検出には使用できない。

したがって、本発明の目的は、分子流領域の圧力下で測定ずれ量を検出する、設備費の安価な半導体製造装置およびこの装置における圧力計の測定ずれ検出方法を提供することにある。

前記目的を達成する本発明の一つのアスペクトに係る半導体製造装置は、減圧可能な搬送室と、減圧可能な処理室と、搬送室と処理室との間を遮断あるいは開放するバルブと、搬送室内の圧力を計測する搬送室圧力計と、処理室内の圧力を計測する処理室圧力計と、を備える。また、バルブ遮断時の処理室圧力計による第１の計測値と、バルブ開放後、所定の時間経過した時の搬送室圧力計による第２の計測値とを入力し、バルブ開放後、所定の時間経過した時の処理室圧力計における測定ずれ量を求めるずれ検出器を備える。

ずれ検出器は、第１の計測値と、第２の計測値とに基づいて、所定の時間経過した時の処理室の圧力の予想値を求め、所定の時間経過した時の処理室圧力計による計測値と予想値との差を測定ずれ量として求めるように構成されてもよい。

また、ずれ検出器は、測定ずれ量が所定の値より大きな場合には処理室圧力計が異常である旨の信号を出力するようにしてもよい。

さらに、処理室に備えられる真空ポンプの排気速度と、バルブのコンダクタンスと、第１の計測値と、第２の計測値とから、予想値を求めてもよい。

さらにまた、排気速度をSs、コンダクタンスをC、第１の計測値をPsc、第２の計測値をPhoとする場合に、予想値Psyを、Psy=(SsPsc+CPho)/(Ss+C)として求めてもよい。

本発明の他のアスペクトに係る半導体製造装置は、減圧可能な搬送室と、減圧可能なｎ個（ｎは２以上の自然数）の処理室と、搬送室と第ｉ（ｉ＝１〜ｎの整数）の処理室との間を遮断あるいは開放する第ｉのバルブと、搬送室内の圧力を計測する搬送室圧力計と、第ｉの処理室内の圧力を計測する第ｉの処理室圧力計と、を備える。また、第ｉのバルブ開放前であって全てのバルブが遮断している時の第ｉの処理室圧力計による計測値と、第ｉのバルブ開放後、所定の時間経過した時の搬送室圧力計による計測値とを入力し、所定の時間経過した時の第ｉの処理室圧力計における第ｉの測定ずれ量を求める第ｉの検出器と、を備える。さらに、第ｉの検出器から出力される第ｉの測定ずれ量について、ずれが同一方向でｉ＝１〜ｎのずれの合計値が所定の値より大きな場合には警報を発生させる警報器を備える。

第ｉの検出器は、第ｉのバルブ開放前であって全てのバルブが遮断している時の第ｉの処理室圧力計による計測値と、第ｉのバルブが開放後、所定の時間経過した時の搬送室圧力計による計測値とに基づいて、所定の時間経過した時の第ｉの処理室の圧力の第ｉの予想値を求め、所定の時間経過した時の第ｉの処理室圧力計による第ｉの計測値と第ｉの予想値との差を第ｉの測定ずれ量として求めるように構成されてもよい。

本発明のさらに他のアスペクトに係る測定ずれ検出方法は、半導体基板を製造する装置における圧力計の測定ずれを検出する方法である。この方法は、減圧可能な搬送室と減圧可能な処理室との間をバルブによって遮断するステップと、バルブが遮断している状態で処理室内の圧力を計測し、第１の計測値を求めるステップと、を含む。また、搬送室と処理室との間をバルブによって開放するステップと、所定の時間待ち合わせるステップと、搬送室内の圧力を計測し、第２の計測値を求めるステップと、を含む。さらに、第１の計測値と、第２の計測値とから処理室の圧力の予想値を求めるステップと、バルブが開放している時の処理室の圧力の計測値と予想値との差を測定ずれ量として求めるステップと、を含む。

本発明によれば、処理室に隣接する真空搬送室の既設の圧力計を利用して、処理室の圧力計ずれを検知する機能を実現するので、処理室への圧力計やバルブの追加を不要とし、設備費を安価なものとすることができる。

また、バルブのコンダクタンスや処理室の真空リーク量の影響を考慮して圧力計のずれ量を検出するので、圧力が低い（1E-2Pa以下の分子流領域）場合でも、処理室圧力計の測定ずれを検出することが可能である。

さらに、複数の処理室の圧力ずれ信号の符号と合計値を管理することにより、搬送室圧力計の劣化や故障による各処理室の圧力計ずれの検出精度低下を防止することができる。

本発明の実施形態に係る半導体製造装置について説明する。半導体製造装置は、真空ポンプ（図１の５）によって減圧可能な搬送室（図１の３）と、真空ポンプ（図１の８）によって減圧可能な処理室（図１の７）と、搬送室（図１の３）と処理室（図１の７）との間を遮断あるいは開放するゲートバルブ（図１の６）を備える。また、搬送室（図１の３）内の圧力を計測する搬送室圧力計（図１の２３）と、処理室（図１の７）内の圧力を計測する処理室圧力計（図１の２４）と、ゲートバルブ（図１の６）遮断時の処理室圧力計（図１の２４）の計測値と、ゲートバルブ開放時の搬送室圧力計（図１の２３）の計測値とを入力してゲートバルブ開放時の処理室圧力計（図１の２４）における測定ずれ量を求めるずれ検出器（図１の２２、２６）と、を備える。

このような構成の半導体製造装置は、ゲートバルブが遮断している状態で処理室内の圧力を計測し、第１の計測値（図２のPsc）を求める。また、搬送室と処理室との間をゲートバルブによって開放して所定の時間（図２のTs）待ち合わせて、搬送室内の圧力を計測し、第２の計測値（図２のPho）を求める。さらに、第１の計測値と第２の計測値とから処理室の圧力の予想値（図２のPsy）を求め、ゲートバルブが開放している時の処理室の圧力の計測値（図２のPso）と予想値との差を測定ずれ量（図２のPse）として求める。求めた測定ずれ量が許容範囲（図２のPa）内にあるか否かにより処理室の圧力計ずれを判断する。

すなわち、直接比較できない圧力値を比較する機能を提供することにより、新たに比較用の圧力計を追加することなく、既設の圧力計を利用して、圧力計の劣化や故障による処理の異常を防止させることができる。

次に実施例に従い半導体製造装置についてより詳しく説明する。図１は、本発明の第１の実施例に係る半導体製造装置の構成を示すブロック図である。図１において、半導体製造装置は、予備真空室１、真空搬送室３、処理室７、ゲートバルブ２、６、搬送室真空ポンプ５、処理室真空ポンプ８、搬送制御器２０、処理室制御器２１、圧力比較判定器２２、判定規格算出器２６、搬送室圧力計２３、処理室圧力計２４を備える。なお、図１に示す半導体製造装置は、予備真空室１、真空搬送室３、処理室７の３つの部屋から構成された基本的な真空処理装置を例にしている。

予備真空室１と真空搬送室３との間は、半導体基板の搬送時のみ開くゲートバルブ２で仕切られている。真空搬送室３と処理室７との間も同様にゲートバルブ６で仕切られており、ゲートバルブ２とゲートバルブ６とは、同時に開くことがないように搬送制御器２０で制御される。真空搬送室３には、搬送アーム４と搬送室圧力計２３が設置されており、真空搬送室３は、搬送室真空ポンプ５によって真空に維持される。処理室７には、処理室圧力計２４が設置されており、処理室７は、処理室真空ポンプ８によって真空に維持されている。搬送室圧力計２３から出力される圧力信号４１は、搬送制御器２０に入力され、処理室圧力計２４から出力される圧力信号４６は、処理室制御器２１に入力される。また、圧力信号４１と圧力信号４６とは、圧力比較判定器２２および判定規格算出器２６に入力される。

なお、図１に示す構成において、従来の標準的な半導体製造装置（真空生産装置）に新たに追加した機器は、圧力比較判定器２２と判定規格算出器２６の２つだけであり、他の機器は、標準的な真空生産装置にあらかじめ設置されているものである。

次に、本発明の第１実施例の半導体製造装置の動作について図１及び図２を用いて説明する。図２は、ゲートバルブ開閉に伴う搬送室圧力計測値Ph(t)と処理室圧力計測値Ps(t)との変化を表す図である。なお、搬送室圧力計測値Ph(t)は、搬送室圧力計２３から出力される圧力信号４１の値であり、処理室圧力計測値Ps(t)は、処理室圧力計２４から出力される圧力信号４６の値である。

まず、半導体基板は、外部から予備真空室１に搬入され予備真空室１が減圧された後、搬送制御器２０から出力される予備室ゲートバルブ開閉信号４０により開けられたゲートバルブ２を通り、搬送アーム４によって半導体基板が真空搬送室３に搬送される。

その後、再び予備室ゲートバルブ開閉信号４０によりゲートバルブ２が閉じられる。この時、図２に示す「ゲートバルブ閉Ａ」の区間の状態となる。この状態において圧力信号４１の値は、バルブ開前搬送室圧力計測値Phcであり、圧力信号４６の値は、バルブ開前処理室圧力計測値Pscである。判定規格算出器２６は、バルブ開前処理室圧力計測値Pscとあらかじめ設定された処理室真空ポンプ８の到達圧力値Pusと処理室真空ポンプ８の排気速度Ssとの３つのパラメータから、処理室７の真空リーク量Qsを算出して記録する。なお、真空リーク量Qsは、
Qs=Ss(Psc-Pus) −−−（１）
と表される。

さらにその後、搬送制御器２０から出力されるゲートバルブ開閉信号４３によってゲートバルブ６を開き、搬送アーム４によって基板搬送動作を開始する。ゲートバルブ６を開くと、図２に示す「ゲートバルブ開」の区間の状態となる。この状態では、バルブの開口部を通して、真空搬送室３と処理室７との圧力差が縮まるように、通常は圧力の高い真空搬送室３から処理室７への気体の流れができる。この流れの流量Qyは、ゲートバルブ６のコンダクタンスC、あらかじめ設定された安定待ち時間Ts後のバルブ開時真空搬送室圧力計測値Pho、予想処理室圧力値Psyから決まり、
Qy=C(Pho-Psy) −−−（２）
となる。

一般に、真空室の圧力をP、真空室への気体の流量をQ、真空室に備えられる真空ポンプの排気速度をS、真空ポンプの到達圧力をPuとすると、
P=Q/S+Pu −−−（３）
で表される関係がある。したがって、処理室７への気体流量の総量は、Qy+Qsであるので、予想処理室圧力値Psyは、
Psy=(Qy+Qs)/Ss+Pus −−−（４）
と表される。式（４）に式（１）、（２）を代入すると、
Psy=(C(Pho-Psy)+Ss(Psc-Pus))/Ss+Pus −−−（５）
が得られ、式（５）からPsyを求めると、
Psy=(SsPsc+CPho)/(Ss+C) −−−（６）
が得られる。

式（６）で表される予想処理室圧力値Psyは、判定規格算出器２６において算出される。さらに、判定規格算出器２６は、予想処理室圧力値Psyを中心としてあらかじめ設定された値から、処理室圧力許容範囲Paを算出し、圧力比較判定器２２に送る。

ゲートバルブ６を開いてから、あらかじめ設定された安定待ち時間Ts以降に、圧力比較判定器２２は、バルブ開時処理室圧力計測値Psoが処理室圧力許容範囲Paの範囲内か否かを比較判定する。バルブ開時処理室圧力計測値Psoが処理室圧力許容範囲Paの外側にある場合は、処理室圧力計異常信号４４を処理室制御器２１に送り、処理を停止させ異常品の発生を防止する。バルブ開時処理室圧力計測値Psoが処理室圧力許容範囲Paの内側にある場合には、処理室圧力計異常信号４４が送信されず、基板搬送終了後にゲートバルブ６を閉じて（図２に示す「ゲートバルブ閉Ｂ」の区間）、搬送制御器２０から処理室制御器２１に送信される搬送完了信号４２によって処理室制御器２１は、処理室７における処理を開始する。

処理室７での処理終了後、処理室７から真空搬送室３への基板搬送時も、上記の真空搬送室３から処理室７への搬送時と同様に図２の状態推移（ゲートバルブ閉Ａ⇒ゲートバルブ開⇒ゲートバルブ閉Ｂ）を示すため、処理室圧力計２４の異常（ずれ）判定をおこなうことができる。

第１の実施例における半導体製造装置は、以上の説明のように構成され、式（６）に従って、圧力信号４１と、圧力信号４６と、ポンプ、バルブの既知の特性定数とを用いて予想処理室圧力値Psyを算出する。そして、圧力値Psyを基準として、処理室圧力計２４のずれ判定をおこなうことができる。したがって、新たに圧力計やバルブを追加する必要がないため、半導体製造装置の設備費を安価なものとすることができる。

また、ゲートバルブ６のコンダクタンスや処理室の真空リーク量の影響を考慮して圧力計のずれを検出するため、低い圧力での測定ずれ検出精度が高く、処理室７や真空搬送室３の圧力が低い（1E-2Pa以下の分子流領域）場合であっても、処理室圧力計２４の測定ずれを精度良く検出することができる。

図３は、本発明の第２の実施例に係る半導体製造装置の構成を示すブロック図である。図３において、半導体製造装置は、予備真空室１、真空搬送室３ａ、処理室７、１０、１２、ゲートバルブ２、６、９、１１、搬送室真空ポンプ５、処理室真空ポンプ８、１３、１４、搬送制御器２０ａ、圧力比較判定器２２、２７、３０、判定規格算出器２６、２８、３１、搬送室圧力計２３、処理室圧力計２４、２９、３２、搬送室圧力計ずれ警報器３３を備える。なお、図３において図１と同一の符号は、同一物あるいは相当物を表し、説明を省略する。また、処理室制御器は、不図示としてある。

第２の実施例では、真空搬送室３ａに対して３つの処理室７、１０、１２が設置してある。処理室１０には、真空搬送室３ａとの間のゲートバルブ９、処理室真空ポンプ１３、処理室圧力計２９が備えられており、処理室１０は、処理室真空ポンプ１３によって真空に維持されている。処理室圧力計２９から出力される圧力信号４８は、圧力比較判定器２７および判定規格算出器２８に入力される。

また、処理室１２には、真空搬送室３ａとの間のゲートバルブ１１、処理室真空ポンプ１４、処理室圧力計３２が備えられており、処理室１２は、処理室真空ポンプ１４によって真空に維持されている。処理室圧力計３２から出力される圧力信号４９は、圧力比較判定器３０および判定規格算出器３１に入力される。

さらに、搬送室圧力計２３から出力される圧力信号４１は、搬送制御器２０ａに入力されると共に、圧力比較判定器２２、２７、３０、判定規格算出器２６、２８、３１に入力される。また、搬送制御器２０ａから出力されるゲートバルブ開閉信号４３は、ゲートバルブ６、圧力比較判定器２２、判定規格算出器２６に入力される。搬送制御器２０ａから出力されるゲートバルブ開閉信号５４は、ゲートバルブ９、圧力比較判定器２７、判定規格算出器２８に入力される。搬送制御器２０ａから出力されるゲートバルブ開閉信号５５は、ゲートバルブ１１、圧力比較判定器３０、判定規格算出器３１に入力される。

以上のような構成の半導体製造装置は、半導体基板の処理時に、複数の処理室を搬送しながら処理をおこなうが、同時に２つ以上のゲートバルブが開くことはない。したがって、それぞれの処理室７、１０、１２へ半導体基板を搬入または搬出する際に第１の実施例と同様の方法で、それぞれの処理室の圧力計（処理室圧力計２４、処理室圧力計２９、処理室圧力計３２）に対し個別に異常（ずれ）判定をおこない異常があれば処理を停止する。

さらに、第２の実施例では、各処理室の圧力比較判定器２２、２７、３０から処理室圧力ずれ量（図２におけるPseに相当）をそれぞれ圧力ずれ信号５０、５１、５２として、搬送室圧力計ずれ警報器３３に集めている。

搬送室圧力計ずれ警報器３３は、各処理室からの圧力ずれ信号５０、５１、５２の値の符号を含めた合計値を算出し、あらかじめ設定された値を超える場合（すべての圧力計のずれが同一方向で合計値が設定値より大きい場合）は、搬送室圧力計２３の異常な測定ずれが懸念されるため、警報を発生させて装置の処理を停止させる。

搬送室圧力計２３は、反応性ガス等にさらされることはなく劣化や故障頻度は少ないが、劣化や故障の可能性はゼロではないため、各処理室の圧力ずれ信号の符号と合計値を管理することにより、搬送室圧力計２３の劣化や故障による各処理室の圧力計ずれの検出精度低下を防止することができる。

本発明の第１の実施例に係る半導体製造装置の構成を示すブロック図である。 ゲートバルブ開閉に伴う搬送室圧力計測値Ph(t)と処理室圧力計測値Ps(t)との変化を表す図である。 本発明の第２の実施例に係る半導体製造装置の構成を示すブロック図である。 従来のドライエッチング装置の構成図である。 従来の真空処理装置の構成図である。 従来の圧力制御方法を示すフローチャート図である。

符号の説明

１ 予備真空室
２、６、９、１１ ゲートバルブ
３、３ａ 真空搬送室
４ 搬送アーム
５ 搬送室真空ポンプ
７、１０、１２ 処理室
８、１３、１４ 処理室真空ポンプ
２０、２０ａ 搬送制御器
２１ 処理室制御器
２２、２７、３０ 圧力比較判定器
２３ 搬送室圧力計
２４、２９、３２ 処理室圧力計
２６、２８、３１ 判定規格算出器
３３ 搬送室圧力計ずれ警報器
４０ 予備室ゲートバルブ開閉信号
４１ 圧力信号
４２ 搬送完了信号
４３ ゲートバルブ開閉信号
４４ 処理室圧力計異常信号
４５ 処理完了信号
４６、４８、４９ 圧力信号
５０、５１、５２ ずれ信号
５４、５５ ゲートバルブ開閉信号

Claims (11)

1. 減圧可能な搬送室と、
   減圧可能な処理室と、
   前記搬送室と前記処理室との間を遮断あるいは開放するバルブと、
   前記搬送室内の圧力を計測する搬送室圧力計と、
   前記処理室内の圧力を計測する処理室圧力計と、
   前記バルブ遮断時の前記処理室圧力計による第１の計測値と、前記バルブ開放後、所定の時間経過した時の前記搬送室圧力計による第２の計測値とを入力し、前記バルブ開放後、前記所定の時間経過した時の前記処理室圧力計における測定ずれ量を求めるずれ検出器と、
   を備えることを特徴とする半導体製造装置。
2. 前記ずれ検出器は、前記第１の計測値と、前記第２の計測値とに基づいて、前記所定の時間経過した時の前記処理室の圧力の予想値を求め、前記所定の時間経過した時の前記処理室圧力計による計測値と前記予想値との差を前記測定ずれ量として求めるように構成されることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装置。
3. 前記ずれ検出器は、前記測定ずれ量が所定の値より大きな場合には前記処理室圧力計が異常である旨の信号を出力することを特徴とする請求項１または２記載の半導体製造装置。
4. 前記処理室に備えられる真空ポンプの排気速度と、前記バルブのコンダクタンスと、前記第１の計測値と、前記第２の計測値とから、前記予想値を求めることを特徴とする請求項２記載の半導体製造装置。
5. 前記排気速度をSs、前記コンダクタンスをC、前記第１の計測値をPsc、前記第２の計測値をPhoとする場合に、前記予想値Psyを、Psy=(SsPsc+CPho)/(Ss+C)として求めることを特徴とする請求項４記載の半導体製造装置。
6. 減圧可能な搬送室と、
   減圧可能なｎ個（ｎは２以上の自然数）の処理室と、
   前記搬送室と前記第ｉ（ｉ＝１〜ｎの整数）の処理室との間を遮断あるいは開放する第ｉのバルブと、
   前記搬送室内の圧力を計測する搬送室圧力計と、
   前記第ｉの処理室内の圧力を計測する第ｉの処理室圧力計と、
   前記第ｉのバルブ開放前であって全てのバルブが遮断している時の前記第ｉの処理室圧力計による計測値と、前記第ｉのバルブ開放後、所定の時間経過した時の前記搬送室圧力計による計測値とを入力し、前記所定の時間経過した時の前記第ｉの処理室圧力計における第ｉの測定ずれ量を求める第ｉの検出器と、
   前記第ｉの検出器から出力される前記第ｉの測定ずれ量について、ずれが同一方向でｉ＝１〜ｎのずれの合計値が所定の値より大きな場合には警報を発生させる警報器と、
   を備えることを特徴とする半導体製造装置。
7. 前記第ｉの検出器は、前記第ｉのバルブ開放前であって全てのバルブが遮断している時の前記第ｉの処理室圧力計による計測値と、前記第ｉのバルブが開放後、前記所定の時間経過した時の前記搬送室圧力計による計測値とに基づいて、前記所定の時間経過した時の前記第ｉの処理室の圧力の第ｉの予想値を求め、前記所定の時間経過した時の前記第ｉの処理室圧力計による第ｉの計測値と前記第ｉの予想値との差を前記第ｉの測定ずれ量として求めるように構成されることを特徴とする請求項６記載の半導体製造装置。
8. 半導体基板を製造する装置における圧力計の測定ずれ検出方法であって、
   減圧可能な搬送室と減圧可能な処理室との間をバルブによって遮断するステップと、
   前記バルブが遮断している状態で前記処理室内の圧力を計測し、第１の計測値を求めるステップと、
   前記搬送室と前記処理室との間を前記バルブによって開放するステップと、
   所定の時間待ち合わせるステップと、
   前記搬送室内の圧力を計測し、第２の計測値を求めるステップと、
   前記第１の計測値と、前記第２の計測値とから前記処理室の圧力の予想値を求めるステップと、
   前記バルブが開放している時の前記処理室の圧力の計測値と前記予想値との差を測定ずれ量として求めるステップと、
   を含むことを特徴とする測定ずれ検出方法。
9. 前記測定ずれ量が所定の値より大きな場合には前記処理室における圧力計が異常であると判断するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８記載の測定ずれ検出方法。
10. 前記処理室に備えられる真空ポンプの排気速度と、前記バルブのコンダクタンスと、前記第１の計測値と、前記第２の計測値とから、前記予想値を求めることを特徴とする請求項８記載の測定ずれ検出方法。
11. 前記排気速度をSs、前記コンダクタンスをC、前記第１の計測値をPsc、前記第２の計測値をPhoとする場合に、前記予想値Psyを、Psy=(SsPsc+CPho)/(Ss+C)として求めることを特徴とする請求項１０記載の測定ずれ検出方法。
    

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