WO2010010927A1 - 放電加工装置、放電加工方法および半導体基板の製造方法 - Google Patents

放電加工装置、放電加工方法および半導体基板の製造方法 Download PDF

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discharge machining
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machining apparatus
voltage
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民田 太一郎
橋本 隆
岩田 明彦
佐藤 達志
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三菱電機株式会社
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    • B23H1/00Electrical discharge machining, i.e. removing metal with a series of rapidly recurring electrical discharges between an electrode and a workpiece in the presence of a fluid dielectric
    • B23H1/02Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply, control, preventing short circuits or other abnormal discharges
    • B23H1/028Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply, control, preventing short circuits or other abnormal discharges for multiple gap machining
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23HWORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
    • B23H1/00Electrical discharge machining, i.e. removing metal with a series of rapidly recurring electrical discharges between an electrode and a workpiece in the presence of a fluid dielectric
    • B23H1/02Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply, control, preventing short circuits or other abnormal discharges
    • B23H1/022Electric circuits specially adapted therefor, e.g. power supply, control, preventing short circuits or other abnormal discharges for shaping the discharge pulse train
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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    • B23HWORKING OF METAL BY THE ACTION OF A HIGH CONCENTRATION OF ELECTRIC CURRENT ON A WORKPIECE USING AN ELECTRODE WHICH TAKES THE PLACE OF A TOOL; SUCH WORKING COMBINED WITH OTHER FORMS OF WORKING OF METAL
    • B23H2300/00Power source circuits or energization
    • B23H2300/20Relaxation circuit power supplies for supplying the machining current, e.g. capacitor or inductance energy storage circuits

Definitions

  • the present invention relates to an electric discharge machining apparatus, an electric discharge machining method, and a semiconductor substrate manufacturing method, and more particularly, to an electric discharge machining apparatus that simultaneously performs electric discharge machining using a plurality of electrodes.
  • Electrical discharge machining is used as a method of cutting a large-diameter wafer from a semiconductor ingot because it can process metal into a free shape without being affected by hardness.
  • this electric discharge machining in order to prevent the electric discharge from concentrating on one place to deteriorate the machining accuracy, the electric discharge is performed in a pulsed manner while moving the electric discharge point, so that the machining speed is slowed down. For this reason, as disclosed in Patent Document 1, a method for improving the processing speed by slicing a semiconductor ingot with a plurality of wires arranged in parallel has been proposed.
  • Patent Document 2 in order to realize excellent machining characteristics such as obtaining a high-quality machined surface, an AC high frequency is applied to the electrode to reduce the average machining voltage to 0 and prevent chipping.
  • a method is disclosed in which the polarity is changed for each half-wave discharge to change the discharge point for each discharge.
  • Patent Document 3 discloses a method in which capacitors are provided in parallel with respect to a plurality of discharge gaps, and the capacitors are charged via diodes, as a method of generating discharge on a plurality of wires with a single power source. Has been.
  • the present invention has been made in view of the above, and provides an electric discharge machining apparatus, an electric discharge machining method, and a semiconductor substrate manufacturing method capable of generating a pulsed discharge at a plurality of electrodes at a high speed with a single power source. The purpose is to obtain.
  • an electric discharge machining apparatus includes N (N is an integer of 2 or more) electrodes that individually generate electric discharge between the workpiece, the workpiece, An AC power source or a pulse power source for commonly applying an AC voltage or a voltage pulse between the N electrodes and one end of the electrode are individually connected to each other, and the other end is common to the AC power source or the pulse power source. And N capacitors connected to each other.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of a first embodiment of an electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the second embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of the third embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of Embodiment 4 of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of Embodiment 5 of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of the sixth embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of the seventh embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • FIG. 8 is a plan view showing a schematic configuration of the eighth embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • FIG. 9 is a plan view showing a schematic configuration of the ninth embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view showing a schematic configuration of an electric discharge machining apparatus according to Embodiment 10 of the present invention.
  • FIG. 11 is a plan view showing a schematic configuration of the eleventh embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • FIG. 12 is a plan view showing a schematic configuration of the twelfth embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • (Embodiment 1) 1 is a plan view showing a schematic configuration of a first embodiment of an electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • the electric discharge machining apparatus is provided with N (N is an integer of 2 or more) electrodes E1 to En, one AC power supply G, and N capacitors C1 to Cn.
  • N is an integer of 2 or more
  • each of the electrodes E1 to En can form a discharge gap with the work W, and discharge can be individually generated with the work W through the discharge gap.
  • the electrodes E1 to En for example, wire electrodes arranged in parallel to each other can be used. Or the division
  • the workpiece (also referred to as a workpiece) W may be a conductor such as a metal, or may be a semiconductor such as a semiconductor ingot or a semiconductor wafer.
  • the AC power source G generates an AC voltage and can be applied in common to the electrodes E1 to En.
  • the AC voltage waveform generated by the AC power supply G may be a pulse waveform in which the voltage appears positive or negative, may be a sine wave waveform, or may be a triangular waveform. Alternatively, a high-frequency waveform may be used.
  • each of the capacitors C1 to Cn is individually connected to the electrodes E1 to En, and the other end is commonly connected to the AC power source G. That is, the capacitors C1 to Cn are connected in series to the discharge gaps formed between the workpiece W and the electrodes E1 to En, respectively. A series circuit of the capacitors C1 to Cn and the discharge gap is connected in parallel to the AC power supply G.
  • the capacitor C1 When a current flows from the electrode E1 toward the workpiece W, the capacitor C1 is charged in the direction from the electrode E1 toward the workpiece W, and the voltage generated in the capacitor C1 increases. Accordingly, since the discharge gap between the electrode E1 and the workpiece W and the capacitor C1 are connected in series, the voltage applied to the discharge gap between the electrode E1 and the workpiece W is equal to the increased voltage of the capacitor C1. The current flowing in the discharge gap between the electrode E1 and the workpiece W disappears, and the current from the electrode E1 toward the workpiece W becomes pulsed.
  • pulsed discharge can be generated at high speed.
  • a pulsed discharge can be generated at high speed between the electrodes E2 to En and the workpiece W.
  • the capacitor C1 When a current flows from the workpiece W toward the electrode E1, the capacitor C1 is charged in the direction from the workpiece W toward the electrode E1, and the voltage generated in the capacitor C1 decreases. Accordingly, the voltage applied to the discharge gap between the electrode E1 and the workpiece W decreases, and the current flowing through the discharge gap between the electrode E1 and the workpiece W disappears. Therefore, the current from the workpiece W to the electrode E1 is a pulse. It becomes the target. Similarly, a pulsed discharge can be generated at high speed between the electrodes E2 to En and the workpiece W.
  • capacitors C1 to Cn in series with the discharge gaps between the electrodes E1 to En and the workpiece W, voltages can be individually stored in the capacitors C1 to Cn. Since AC high frequency can always be independently applied to the discharge gap with W, high-speed machining can be stably performed.
  • capacitors C1 to Cn are provided in series in the discharge gap between the electrodes E1 to En and the workpiece W, even if discharge occurs in a certain discharge gap, the capacitors C1 to C1 in series in the discharge gap are provided. Only the voltage of Cn changes, and the voltages of the other capacitors C1 to Cn are not affected. For this reason, even when N electrodes E1 to En are driven by a single AC power supply G, discharge in the discharge gap between the electrodes E1 to En and the workpiece W can be continuously generated. .
  • capacitors C1 to Cn are provided in series in the discharge gap between the electrodes E1 to En and the workpiece W, a voltage obtained by superimposing the voltage of the AC power supply G and the voltages of the capacitors C1 to Cn is applied to the discharge gap. Is done. For this reason, a voltage higher than the voltage of the AC power supply G is applied to the discharge gap, and once the discharge is started, the discharge is likely to continue thereafter.
  • a high voltage may be applied even temporarily to restart the discharge.
  • a high voltage pulse may be applied when it is detected that discharge has stopped for a long time at some discharge gap.
  • a high voltage pulse may be applied periodically in order to easily cause discharge in the discharge gap where the discharge has stopped.
  • the voltage applied to the discharge gap between the electrodes E1 to En and the workpiece W is a voltage divided by the stray capacitance between the electrodes E1 to En and the workpiece W and the capacitance of the capacitors C1 to Cn. . Therefore, when the capacitances of the capacitors C1 to Cn are small, the voltage applied to the discharge gap between the electrodes E1 to En and the workpiece W is small. Therefore, the capacitances of the capacitors C1 to Cn are preferably larger than the stray capacitance of the discharge gap between the electrodes E1 to En and the workpiece W.
  • the number of discharges in the discharge gap depends on the frequency of the AC power supply G, and in order to increase the number of discharges, it is necessary to increase the frequency of the AC power supply G.
  • the capacitances of the capacitors C1 to Cn are increased, the impedance of the capacitors C1 to Cn is decreased, and matching with the workpiece W may not be achieved. Therefore, it is preferable to set the capacities of the capacitors C1 to Cn in consideration of not only the voltage applied to the discharge gap between the electrodes E1 to En and the workpiece W but also the matching property with the workpiece W. .
  • FIG. 2 is a plan view showing a schematic configuration of the second embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • this electric discharge machining apparatus is provided with N diodes D1 to Dn and N resistors R1 to Rn in addition to the configuration of the electric discharge machining apparatus of FIG.
  • the anodes of the diodes D1 to Dn are individually connected to the electrodes E1 to En, and the cathodes of the diodes D1 to Dn are terminals on the work W side of the AC power supply G via the resistors R1 to Rn, respectively. Connected in common.
  • the capacitors C1 to Cn are connected in series to the discharge gaps formed between the workpiece W and the electrodes E1 to En, respectively.
  • a series circuit of the capacitors C1 to Cn and the discharge gap is connected in parallel to the AC power supply G.
  • a series circuit of the capacitors C1 to Cn, the diodes D1 to Dn, and the resistors R1 to Rn is connected in parallel to the AC power supply G.
  • the workpiece W is a semiconductor.
  • a diode characteristic appears between the metal surface plate that fixes the workpiece W and the workpiece W that is a semiconductor, and current cannot flow from the electrodes E1 to En to the workpiece W.
  • the electric discharge machining of the workpiece W can be stably performed, and while slicing the semiconductor ingot with a large number of wires while suppressing deterioration of the machining characteristics of the workpiece W, A plurality of semiconductor substrates can be cut out simultaneously.
  • FIG. 3 is a plan view showing a schematic configuration of the third embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • this electric discharge machining apparatus is provided with a resistor R0, a switching element SW, and a control circuit P instead of the resistors R1 to Rn in FIG.
  • the anodes of the diodes D1 to Dn are individually connected to the electrodes E1 to En, respectively, and the cathodes of the diodes D1 to Dn are commonly connected to a work W side terminal of the AC power supply G.
  • the resistor R0 is connected in series to the AC power supply G, and the switching element SW is connected in parallel to the resistor R0.
  • the capacitors C1 to Cn are connected in series to the discharge gaps formed between the workpiece W and the electrodes E1 to En, respectively.
  • the series circuit of the capacitors C1 to Cn and the discharge gap is connected in parallel to the series circuit of the AC power supply G and the resistor R0. Further, the series circuit of the capacitors C1 to Cn and the diodes D1 to Dn is connected in parallel to the series circuit of the AC power supply G and the resistor R0.
  • control circuit P can turn on the switching element SW during a half cycle in which a positive voltage is applied to the workpiece W, and can turn off the switching element SW in a half cycle in which a negative voltage is applied to the workpiece W.
  • the switching element SW When the work W is a semiconductor, the switching element SW is turned on in a half cycle in which a positive voltage is applied to the work W.
  • a positive voltage is applied to the workpiece W and a negative voltage is applied to the electrodes E1 to En
  • a current flows from the workpiece W to the electrodes E1 to En, and a discharge is generated in the discharge gap between the electrodes E1 to En and the workpiece W.
  • the voltage of the capacitors C1 to Cn in series only changes in the discharge gap, and the voltage of the other capacitors C1 to Cn is not affected. .
  • N electrodes E1 to En are driven by a single AC power supply G, discharge in the discharge gap between the electrodes E1 to En and the workpiece W can be continuously generated. .
  • the switching element SW is turned off in a half cycle in which a negative voltage is applied to the workpiece W.
  • a negative voltage is applied to the workpiece W and a positive voltage is applied to the electrodes E1 to En
  • currents flow through the diodes D1 to Dn, respectively, and then these currents merge and flow to the resistor R0.
  • the electrodes E1 to En are only subjected to a voltage drop of the diodes D1 to Dn, and no discharge is generated in the discharge gap between the electrodes E1 to En and the workpiece W.
  • the electric power corresponding to a half cycle when a negative voltage is applied to the workpiece W and a positive voltage is applied to the electrodes E1 to En is consumed by the resistor R0.
  • the electric discharge machining of the workpiece W can be performed stably, and the semiconductor ingot is sliced simultaneously with a large number of wires while suppressing the degradation of the machining characteristics of the workpiece W. Is possible. Further, even when a current flows through each of the diodes D1 to Dn, by providing one resistor R0, it is possible to consume power for a half cycle, and the resistors R1 to Rn in FIG. Since there is no need to provide for each Dn, the electric discharge machining apparatus can be downsized.
  • FIG. 4 is a plan view showing a schematic configuration of Embodiment 4 of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • this electric discharge machining apparatus is provided with a power recovery circuit K instead of the resistor R0, the switching element SW and the control circuit P shown in FIG.
  • the anodes of the diodes D1 to Dn are individually connected to the electrodes E1 to En, respectively, and the cathodes of the diodes D1 to Dn are commonly connected to a work W side terminal of the AC power supply G.
  • the power recovery circuit K is connected in series to the AC power source G.
  • the capacitors C1 to Cn are connected in series to the discharge gaps formed between the workpiece W and the electrodes E1 to En, respectively.
  • the series circuit of the capacitors C1 to Cn and the discharge gap is connected in parallel to the series circuit of the AC power supply G and the power recovery circuit K. Further, the series circuit of the capacitors C1 to Cn and the diodes D1 to Dn is connected in parallel to the series circuit of the AC power supply G and the power recovery circuit K.
  • the power recovery circuit K can recover and reuse power in a half cycle in which a negative voltage is applied to the workpiece W.
  • the electrodes E1 to En are only subjected to a voltage drop of the diodes D1 to Dn, and no discharge is generated in the discharge gap between the electrodes E1 to En and the workpiece W.
  • the power recovery circuit K collects a half cycle of power when a negative voltage is applied to the workpiece W and a positive voltage is applied to the electrodes E1 to En, and the electrodes E1 to En are driven in the next half cycle. Can be used.
  • the electric discharge machining of the workpiece W can be performed stably, and the semiconductor ingot is sliced simultaneously with a large number of wires while suppressing the degradation of the machining characteristics of the workpiece W.
  • FIG. 5 is a plan view showing a schematic configuration of Embodiment 5 of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • this electric discharge machining apparatus is provided with a resistor R0 instead of the resistors R1 to Rn in FIG.
  • the anodes of the diodes D1 to Dn are individually connected to the electrodes E1 to En, respectively, and the cathodes of the diodes D1 to Dn are commonly connected to the work W side terminal of the AC power supply G via the resistor R0. It is connected.
  • the capacitors C1 to Cn are connected in series to the discharge gaps formed between the workpiece W and the electrodes E1 to En, respectively.
  • a series circuit of the capacitors C1 to Cn and the discharge gap is connected in parallel to the AC power supply G.
  • a series circuit in which a resistor R0 is connected in series to a parallel circuit in which series circuits of capacitors C1 to Cn and diodes D1 to Dn are connected in parallel is connected in parallel to the AC power supply G.
  • the electric discharge machining of the workpiece W can be performed stably, and the semiconductor ingot is sliced simultaneously with a large number of wires while suppressing the degradation of the machining characteristics of the workpiece W. Is possible. Further, even when a current flows through each of the diodes D1 to Dn, by providing one resistor R0, it is possible to consume half a cycle of power, and the switching element SW of FIG. 3 is not required. As a result, the electric discharge machining apparatus can be reduced in size and price.
  • FIG. 6 is a plan view showing a schematic configuration of the sixth embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • this electric discharge machining apparatus is provided with a pulse power source PG instead of the AC power source G of FIG.
  • the pulse power supply PG a pulse waveform in which the voltage fluctuates only in positive or negative is generated.
  • the capacitors C1 to Cn are connected in series to the discharge gaps formed between the workpiece W and the electrodes E1 to En, respectively, so that only an alternating current flows. The DC component of the current cannot pass. For this reason, even if the pulse power source P performs unipolar pulse driving, it is the same as actually performing AC driving. Therefore, instead of the AC power supply G in FIG. 1, a pulse power supply PG (which may be either single pole or double pole) may be used.
  • FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of the seventh embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • this electric discharge machining apparatus is provided with N resistors N1 to Nn in addition to the configuration of the electric discharge machining apparatus of FIG.
  • the N resistors N1 to Nn are connected in series to the N capacitors C1 to Cn, respectively.
  • resistors N1 to Nn may be floating ones, for example, resistance due to wiring, resistance due to capacitors or electrode structures.
  • FIG. 8 is a plan view showing a schematic configuration of the eighth embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • this electric discharge machining apparatus is provided with N inductors M1 to Mn in addition to the configuration of the electric discharge machining apparatus of FIG.
  • the N inductors M1 to Mn are connected in series to the N capacitors C1 to Cn, respectively.
  • N inductors M1 to Mn in series to N capacitors C1 to Cn, it is possible to make it difficult for a pulsed current to flow, and it becomes easy to discharge each discharge point independently. Further, by using the inductors M1 to Mn, the loss can be reduced as compared with the case where the resistors N1 to Nn of FIG. 7 are used.
  • inductors M1 to Mn may be floating, for example, due to wiring inductance or electrode structure.
  • FIG. 9 is a plan view showing a schematic configuration of the ninth embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • this electric discharge machining apparatus is provided with one inductor M0 in addition to the configuration of the electric discharge machining apparatus of FIG.
  • the inductor M0 is connected in series to the AC power supply G.
  • the AC power source G is preferably driven at a frequency near the resonance frequency of the inductor M0 and the N capacitors C1 to Cn.
  • the AC power supply G is driven at a frequency in the vicinity of the resonance frequency of the inductor M0 and the N capacitors C1 to Cn, thereby generating voltage resonance between the inductor M0 and the N capacitors C1 to Cn.
  • the voltage can be boosted by the voltage resonance. Therefore, a high voltage can be easily applied to the ends of the capacitors C1 to Cn, and discharge between the electrodes can be facilitated.
  • inductor M0 may be floating, for example, due to wiring inductance or electrode structure.
  • FIG. 10 is a plan view showing a schematic configuration of an electric discharge machining apparatus according to Embodiment 10 of the present invention.
  • the electrodes E1 to En are configured using a part of one wire Y.
  • the influence of voltage fluctuations between the electrodes E1 to En can be effectively suppressed by inserting N capacitors C1 to Cn.
  • the impedance between the electrodes E1 to En may be floating.
  • a single wire Y may be provided with a reel or a feeding mechanism. Since it is not necessary to provide a reel and a feed mechanism for each of the electrodes E1 to En, the configuration of the electric discharge machining apparatus can be simplified.
  • FIG. 11 is a plan view showing a schematic configuration of the eleventh embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • this electric discharge machining apparatus is provided with N ⁇ 1 resistors RH1 to RHn ⁇ 1 in addition to the configuration of the electric discharge machining apparatus of FIG.
  • N ⁇ 1 resistors RH1 to RHn ⁇ 1 are connected between the electrodes E1 to En, respectively.
  • the electrodes E1 to En can be constituted by a part of one wire Y as shown in FIG. Further, the resistors RH1 to RHn-1 can be configured by the wire Y itself.
  • the wire Y can be routed between the electrodes E1 to En, and the wire Y between the electrodes E1 to En is configured in a loop shape. Can do.
  • FIG. 12 is a plan view showing a schematic configuration of the twelfth embodiment of the electric discharge machining apparatus according to the present invention.
  • this electric discharge machining apparatus is provided with N ⁇ 1 inductors MH1 to MHn ⁇ 1 in addition to the configuration of the electric discharge machining apparatus of FIG.
  • N ⁇ 1 inductors MH1 to MHn ⁇ 1 are connected between the electrodes E1 to En, respectively.
  • the electrodes E1 to En can be constituted by a part of one wire Y as shown in FIG.
  • the inductors MH1 to MHn-1 can be composed of the wire Y itself.
  • the wire Y between the electrodes E1 to En is configured in a loop shape, and a magnetic material having a high magnetic permeability is inserted inside the loop. Is preferred.
  • this magnetic material for example, ferrite can be used.
  • the electrodes E1 to En are configured by a single wire Y, the electrodes E1 to En cannot be completely insulated from each other, so that it is possible to prevent a direct current from flowing between the electrodes E1 to En. Can not. However, if a certain resistance or inductance impedance exists between the electrodes E1 to En, it is not so much affected by voltage fluctuations of the other electrodes E1 to En for a short time during which discharge occurs. . In this case, even if the electrodes E1 to En are a single wire Y, it is possible to generate a discharge independently at each of the electrodes E1 to En.
  • the electric discharge machining apparatus is suitable for a method of generating pulsed discharge at a plurality of electrodes at a high speed with a single power source.

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)

Abstract

 放電加工装置には、N個の電極E1~Enと、交流電源Gと、N個のコンデンサC1~Cnを設け、交流電源Gは、交流電圧を電極E1~Enに共通に印加し、コンデンサC1~Cnは、電極E1~Enに一端をそれぞれ接続するとともに、交流電源Gに他端を共通に接続する。

Description

放電加工装置、放電加工方法および半導体基板の製造方法
 本発明は放電加工装置、放電加工方法および半導体基板の製造方法に関し、特に、複数の電極を用いて放電加工を同時に行う放電加工装置に関する。
 放電加工は、硬さに影響されることなく自由自在の形状に金属を加工することができ、大口径化されたウェハを半導体インゴットから切り出す方法としても用いられている。この放電加工では、放電が1箇所に集中して加工精度が劣化するのを防止するために、放電点を移動させながらパルス状に放電が行われることから、加工速度が遅くなる。このため、特許文献1に開示されているように、複数のワイヤを並列に並べた状態で半導体インゴットのスライス加工を行うことで、加工速度を向上させる方法が提案されている。
 ただし、この方法では、一つの電源で複数のワイヤを駆動した場合、どれか一つのワイヤで放電が生じると、残りのワイヤにかかる電圧が低下し、残りのワイヤには放電を生じさせることができなくなる。このため、個々のワイヤごとに電源を設ける必要があり、放電加工装置の大型化および高価格化を招く。
 また、特許文献2には、良質の加工面が得られるなどの優れた加工特性を実現するために、交流高周波を電極に印加し、平均加工電圧を0にしてチッピングを防止するとともに、一発の半波放電ごとに極性を交替させ放電ごとの放電点を異ならせる方法が開示されている。
 また、特許文献3には、一つの電源で複数のワイヤに放電を発生させる方法として、複数の放電間隙に対してそれぞれ並列にコンデンサを設け、ダイオードを介してこれらのコンデンサに充電する方法が開示されている。
特開平9-248719号公報 特開昭61-260917号公報 特開2003-260617号公報
 しかしながら、上記従来の技術によれば、複数の放電間隙に対してそれぞれ並列にコンデンサが設けられているため、電極とワークとの間の放電間隙には、直流電圧が印加され、交流高周波を電極に印加させることができなくなる。そのため、電極とワークとの間の放電間隙では、パルス状の放電を高速に発生させることができなくなり、高速な加工ができなくなるとともに、加工面の品質が劣化するという問題があった。
 本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、一つの電源でパルス状の放電を複数の電極に高速に発生させることが可能な放電加工装置、放電加工方法および半導体基板の製造方法を得ることを目的とする。
 上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の放電加工装置は、ワークとの間で個別に放電を発生させるN(Nは2以上の整数)個の電極と、前記ワークと前記N個の電極との間に交流電圧または電圧パルスを共通に印加する交流電源またはパルス電源と、前記電極に一端がそれぞれ個別に接続されるとともに、前記交流電源またはパルス電源に他端が共通に接続されたN個のコンデンサとを備えることを特徴とする。
 この発明によれば、一つの電源でパルス状の放電を複数の電極に高速に発生させることが可能という効果を奏する。
図1は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態1の概略構成を示す平面図である。 図2は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態2の概略構成を示す平面図である。 図3は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態3の概略構成を示す平面図である。 図4は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態4の概略構成を示す平面図である。 図5は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態5の概略構成を示す平面図である。 図6は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態6の概略構成を示す平面図である。 図7は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態7の概略構成を示す平面図である。 図8は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態8の概略構成を示す平面図である。 図9は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態9の概略構成を示す平面図である。 図10は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態10の概略構成を示す平面図である。 図11は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態11の概略構成を示す平面図である。 図12は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態12の概略構成を示す平面図である。
 以下に、本発明に係る放電加工装置の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
(実施の形態1)
 図1は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態1の概略構成を示す平面図である。図1において、放電加工装置には、N(Nは2以上の整数)個の電極E1~Enと、1個の交流電源Gと、N個のコンデンサC1~Cnが設けられている。ここで、電極E1~Enは、ワークWとの間で放電間隙をそれぞれ形成することができ、この放電間隙を介してワークWとの間で個別に放電を発生させることができる。
 なお、電極E1~Enとしては、例えば、互いに並列に配置されたワイヤ電極を用いることができる。あるいは、形彫加工などに用いられる分割電極などであってもよい。また、ワーク(工作物とも言う)Wとしては、金属などの導電体であってもよいし、半導体インゴットや半導体ウェハなどの半導体であってもよい。
 また、交流電源Gは、交流電圧を発生し、電極E1~Enに共通に印加することができる。なお、交流電源Gにて発生される交流電圧波形としては、電圧が正負に現れるパルス的な波形であってもよいし、正弦波状の波形であってもよいし、三角波状の波形であってもよいし、高周波状の波形であってもよい。
 また、コンデンサC1~Cnは、電極E1~Enに一端がそれぞれ個別に接続されるとともに、交流電源Gに他端が共通に接続されている。すなわち、コンデンサC1~Cnは、ワークWと電極E1~Enとの間にそれぞれ形成される放電間隙に対しては直列にそれぞれ接続されている。また、各コンデンサC1~Cnと放電間隙との直列回路は、交流電源Gに対して並列に接続されている。
 そして、ワークWに負電圧、電極E1~Enに正電圧が印加された場合、コンデンサC1~Cnが充電されるとともに、コンデンサC1~Cnに発生する電圧分だけ低い電圧がワークWと電極E1~Enとの間にそれぞれ形成される放電間隙にそれぞれ印加される。ここで、例えば、電極E1とワークWとの間の放電間隙に放電が発生するか、あるいは電極E1とワークWとの間の放電間隙が短絡して導通した場合、電極E1からワークWに向かって電流が流れる。
 そして、電極E1からワークWに向かって電流が流れると、電極E1からワークWに向かう方向にコンデンサC1が充電され、コンデンサC1に発生する電圧が上昇する。従って、電極E1とワークWとの間の放電間隙とコンデンサC1とは直列に接続されているので、コンデンサC1の上昇した電圧分だけ、電極E1とワークWとの間の放電間隙にかかる電圧は低下し、電極E1とワークWとの間の放電間隙に流れる電流は消失することから、電極E1からワークWに向かう電流はパルス的となる。
 この結果、電極E1とワークWとの間の放電間隙に放電が発生した場合においても、電極E1とワークWとの間の放電間隙に印加される電圧が直流的になるのを防止することができ、パルス状の放電を高速に発生させることができる。電極E2~EnとワークWとの間でも、同様にパルス状の放電を高速に発生させることができる。
 次に、ワークWに正電圧、電極E1~Enに負電圧が印加された場合、コンデンサC1~Cnが逆向きに充電されながら、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙には、コンデンサC1~Cnにそれぞれ発生する電圧と、交流電源Gの電圧が重畳された電圧が印加され、交流電源Gが発生する電圧よりも高い電圧がそれぞれ印加される。
 ここで、例えば、電極E1とワークWとの間の放電間隙に放電が発生するか、あるいは電極E1とワークWとの間の放電間隙が短絡して導通した場合、ワークWから電極E1に向かって電流が流れる。
 そして、ワークWから電極E1に向かって電流が流れると、ワークWから電極E1に向かう方向にコンデンサC1が充電され、コンデンサC1に発生する電圧が低下する。従って、電極E1とワークWとの間の放電間隙にかかる電圧は低下し、電極E1とワークWとの間の放電間隙に流れる電流は消失することから、ワークWから電極E1に向かう電流はパルス的となる。電極E2~EnとワークWとの間でも、同様にパルス状の放電を高速に発生させることができる。
 以下、交流電源Gの極性が正負に反転するごとに、以上の動作が繰り返され、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙には、交流電源Gの極性が反転するごとに電圧が個々に印加され、放電が発生される。
 このように、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙に直列にコンデンサC1~Cnを設けることで、コンデンサC1~Cnに個々に電圧を蓄積させることができ、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙に交流高周波を常に独立に印加させることが可能となることから、高速な加工を安定に行うことが可能になる。
 ここで、コンデンサC1~Cnがないと仮定した場合、全ての電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙の電圧が同電位であるので、ある放電間隙で放電が生じると、放電が生じた放電間隙の電圧がゼロ近くに低下する。このため、全ての放電間隙の電圧が低下して、放電が最初に発生した放電間隙以外の放電間隙で放電を発生させることができなくなる。すなわち、一度の電圧印加動作に対して、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙のうちのどこか一箇所でしか放電を発生させることができない。実際には、各放電点の間のインピーダンスの影響などで複数の個所で放電する可能性もあるが、全ての電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙で放電を持続させることはできない。
 これに対して、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙に直列にコンデンサC1~Cnを設けた場合、ある放電間隙で放電が発生しても、その放電間隙に直列のコンデンサC1~Cnの電圧が変化するだけで、他のコンデンサC1~Cnの電圧に影響を与えることはない。このため、単一の交流電源GにてN個の電極E1~Enを駆動した場合においても、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙での放電を持続的に生じさせることができる。
 なお、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙に直列にコンデンサC1~Cnを設けた場合、交流電源Gの電圧と各コンデンサC1~Cnの電圧が重畳された電圧が放電間隙に印加される。このため、交流電源Gの電圧よりも高い電圧が放電間隙に印加され、一度放電を開始すると、その後も放電が持続しやすくなる。
 逆に、どこか一箇所の放電間隙で放電が停止すると、その後もその放電間隙だけ放電が生じにくくなり、そこだけ放電加工されないという事態も生じる。このため、放電が停止した放電間隙の放電を生じやすくするために、一時的にでも高電圧を印加して放電を再開させるようにしてもよい。具体的には、どこかの放電間隙で放電が長期間停止したことを検出した場合、高電圧パルスを印加するようにしてもよい。あるいは、放電が停止した放電間隙の放電を生じやすくするために、高電圧パルスを定期的に印加するようにしてもよい。
 また、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙に印加される電圧は、電極E1~EnとワークWとの間の浮遊容量とコンデンサC1~Cnの容量で分圧された電圧になる。このため、コンデンサC1~Cnの容量が小さいと、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙に印加される電圧が小さくなる。従って、コンデンサC1~Cnの容量は、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙の浮遊容量よりも大きくすることが好ましい。
 ただし、放電間隙での放電の回数は、交流電源Gの周波数に依存し、放電の回数を増やすためには、交流電源Gの周波数を高くする必要がある。その場合、コンデンサC1~Cnの容量を大きくすると、コンデンサC1~Cnのインピーダンスが小さくなり、ワークWとのマッチングがとれなくなる場合がある。このため、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙に印加される電圧だけでなく、ワークWとの間のマッチング性を考慮して、コンデンサC1~Cnの容量を設定することが好ましい。
(実施の形態2)
 図2は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態2の概略構成を示す平面図である。図2において、この放電加工装置には、図1の放電加工装置の構成に加え、N個のダイオードD1~DnおよびN個の抵抗器R1~Rnが設けられている。ここで、ダイオードD1~Dnのアノードは、電極E1~Enにそれぞれ個別に接続されるとともに、ダイオードD1~Dnのカソードは、抵抗器R1~Rnをそれぞれ介して交流電源GのワークW側の端子に共通に接続されている。
 すなわち、コンデンサC1~Cnは、ワークWと電極E1~Enとの間にそれぞれ形成される放電間隙に対して直列にそれぞれ接続されている。また、各コンデンサC1~Cnと放電間隙との直列回路は、交流電源Gに対して並列に接続されている。さらに、各コンデンサC1~CnとダイオードD1~Dnと抵抗器R1~Rnとの直列回路は、交流電源Gに対して並列に接続されている。
 ここで、ワークWが半導体であるものとする。この場合、ワークWを固定している金属の定盤と半導体であるワークWとの間にはダイオード特性が現れ、電極E1~EnからワークWに電流が流れることができなくなる。
 すなわち、ワークWに正電圧、電極E1~Enに負電圧が印加されると、ワークWから電極E1~Enに電流が流れ、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙に放電が発生する。ここで、ある放電間隙で放電が最初に発生した場合においても、その放電間隙に直列のコンデンサC1~Cnの電圧が変化するだけで、他のコンデンサC1~Cnの電圧に影響を与えることはない。このため、単一の交流電源GにてN個の電極E1~Enを駆動した場合においても、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙での放電を持続的に生じさせることができる。
 一方、ワークWに負電圧、電極E1~Enに正電圧が印加されると、ダイオードD1~Dnおよび抵抗器R1~Rnをそれぞれ介して電流が流れる。このため、電極E1~Enには、ダイオードD1~Dnおよび抵抗器R1~Rnの電圧降下分しか電圧がかからず、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙には放電が発生しない。また、ワークWに負電圧、電極E1~Enに正電圧が印加された時の半周期分の電力は抵抗器R1~Rnにて消費される。
 これにより、ワークWが半導体である場合においても、ワークWの放電加工を安定に行うことができ、ワークWの加工特性の劣化を抑制しつつ、多数のワイヤで同時に半導体インゴットをスライス加工し、複数の半導体基板を同時に切り出すことが可能となる。
(実施の形態3)
 図3は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態3の概略構成を示す平面図である。図3において、この放電加工装置には、図2の抵抗器R1~Rnの代わりに、抵抗器R0、スイッチング素子SWおよび制御回路Pが設けられている。ここで、ダイオードD1~Dnのアノードは、電極E1~Enにそれぞれ個別に接続されるとともに、ダイオードD1~Dnのカソードは、交流電源GのワークW側の端子に共通に接続されている。また、抵抗器R0は、交流電源Gに直列に接続され、スイッチング素子SWは、抵抗器R0に並列に接続されている。
 すなわち、コンデンサC1~Cnは、ワークWと電極E1~Enとの間にそれぞれ形成される放電間隙に対して直列にそれぞれ接続されている。また、各コンデンサC1~Cnと放電間隙との直列回路は、交流電源Gと抵抗器R0との直列回路に対して並列に接続されている。さらに、各コンデンサC1~CnとダイオードD1~Dnとの直列回路は、交流電源Gと抵抗器R0との直列回路に対して並列に接続されている。
 また、制御回路Pは、ワークWに正電圧が印加される半周期はスイッチング素子SWをオンさせ、ワークWに負電圧が印加される半周期はスイッチング素子SWをオフさせることができる。
 そして、ワークWが半導体である場合、ワークWに正電圧が印加される半周期には、スイッチング素子SWがオンされる。そして、ワークWに正電圧、電極E1~Enに負電圧が印加されると、ワークWから電極E1~Enに電流が流れ、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙に放電が発生する。ここで、ある放電間隙で放電が最初に発生した場合においても、その放電間隙に直列のコンデンサC1~Cnの電圧が変化するだけで、他のコンデンサC1~Cnの電圧に影響を与えることはない。このため、単一の交流電源GにてN個の電極E1~Enを駆動した場合においても、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙での放電を持続的に生じさせることができる。
 一方、ワークWに負電圧が印加される半周期には、スイッチング素子SWがオフされる。そして、ワークWに負電圧、電極E1~Enに正電圧が印加されると、ダイオードD1~Dnをそれぞれ介して電流が流れた後、それらの電流が合流して抵抗器R0に流れる。このため、電極E1~Enには、ダイオードD1~Dnの電圧降下分しか電圧がかからず、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙には放電が発生しない。また、ワークWに負電圧、電極E1~Enに正電圧が印加された時の半周期分の電力は抵抗器R0にて消費される。
 これにより、ワークWが半導体である場合においても、ワークWの放電加工を安定に行うことができ、ワークWの加工特性の劣化を抑制しつつ、多数のワイヤで同時に半導体インゴットをスライス加工することが可能となる。また、ダイオードD1~Dnごとに電流が流れる場合においても、1個の抵抗器R0を設けることで、半周期分の電力を消費させることが可能となり、図2の抵抗器R1~RnをダイオードD1~Dnごとに設ける必要がなくなることから、放電加工装置を小型化することができる。
(実施の形態4)
 図4は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態4の概略構成を示す平面図である。図4において、この放電加工装置には、図3の抵抗器R0、スイッチング素子SWおよび制御回路Pの代わりに、電力回収回路Kが設けられている。ここで、ダイオードD1~Dnのアノードは、電極E1~Enにそれぞれ個別に接続されるとともに、ダイオードD1~Dnのカソードは、交流電源GのワークW側の端子に共通に接続されている。また、電力回収回路Kは、交流電源Gに直列に接続されている。
 すなわち、コンデンサC1~Cnは、ワークWと電極E1~Enとの間にそれぞれ形成される放電間隙に対して直列にそれぞれ接続されている。また、各コンデンサC1~Cnと放電間隙との直列回路は、交流電源Gと電力回収回路Kとの直列回路に対して並列に接続されている。さらに、各コンデンサC1~CnとダイオードD1~Dnとの直列回路は、交流電源Gと電力回収回路Kとの直列回路に対して並列に接続されている。
 また、電力回収回路Kは、ワークWに負電圧が印加される半周期に電力を回収して再利用することができる。例えば、ワークWに負電圧が印加される半周期分の電力を蓄電池に貯蔵し、その蓄電池に貯蔵した直流を交流に変換することで、交流電源Gの補助電源として用いることができる。
 そして、ワークWが半導体である場合、ワークWに正電圧、電極E1~Enに負電圧が印加されると、ワークWから電極E1~Enに電流が流れ、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙に放電が発生する。ここで、ある放電間隙で放電が最初に発生した場合においても、その放電間隙に直列のコンデンサC1~Cnの電圧が変化するだけで、他のコンデンサC1~Cnの電圧に影響を与えることはない。このため、単一の交流電源GにてN個の電極E1~Enを駆動した場合においても、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙での放電を持続的に生じさせることができる。
 一方、ワークWに負電圧、電極E1~Enに正電圧が印加されると、ダイオードD1~Dnをそれぞれ介して電流が流れた後、それらの電流が合流して電力回収回路Kに流れる。このため、電極E1~Enには、ダイオードD1~Dnの電圧降下分しか電圧がかからず、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙には放電が発生しない。また、ワークWに負電圧、電極E1~Enに正電圧が印加された時の半周期分の電力は電力回収回路Kにて回収され、次の半周期で電極E1~Enを駆動するために利用することができる。
 これにより、ワークWが半導体である場合においても、ワークWの放電加工を安定に行うことができ、ワークWの加工特性の劣化を抑制しつつ、多数のワイヤで同時に半導体インゴットをスライス加工することが可能となるとともに、半周期分の電力が抵抗R0で無駄に消費されるのを防止することが可能となり、放電加工用電源の効率を向上させることができる。
(実施の形態5)
 図5は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態5の概略構成を示す平面図である。図5において、この放電加工装置には、図2の抵抗器R1~Rnの代わりに、抵抗器R0が設けられている。ここで、ダイオードD1~Dnのアノードは、電極E1~Enにそれぞれ個別に接続されるとともに、ダイオードD1~Dnのカソードは、抵抗器R0を介して交流電源GのワークW側の端子に共通に接続されている。
 すなわち、コンデンサC1~Cnは、ワークWと電極E1~Enとの間にそれぞれ形成される放電間隙に対して直列にそれぞれ接続されている。また、各コンデンサC1~Cnと放電間隙との直列回路は、交流電源Gに対して並列に接続されている。さらに、各コンデンサC1~CnとダイオードD1~Dnとの直列回路を並列接続した並列回路に抵抗器R0を直列接続した直列回路は、交流電源Gに対して並列に接続されている。
 そして、ワークWが半導体である場合、ワークWに正電圧、電極E1~Enに負電圧が印加されると、ワークWから電極E1~Enに電流が流れ、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙に放電が発生する。ここで、ある放電間隙で放電が最初に発生した場合においても、その放電間隙に直列のコンデンサC1~Cnの電圧が変化するだけで、他のコンデンサC1~Cnの電圧に影響を与えることはない。このため、単一の交流電源GにてN個の電極E1~Enを駆動した場合においても、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙での放電を持続的に生じさせることができる。
 一方、ワークWに負電圧、電極E1~Enに正電圧が印加されると、ダイオードD1~Dnをそれぞれ介して電流が流れた後、それらの電流が合流して抵抗器R0に流れる。このため、電極E1~Enには、各ダイオードD1~Dnおよび抵抗器R0の電圧降下分しか電圧がかからず、電極E1~EnとワークWとの間の放電間隙には放電が発生しない。また、ワークWに負電圧、電極E1~Enに正電圧が印加された時の半周期分の電力は抵抗器R0にて消費される。
 これにより、ワークWが半導体である場合においても、ワークWの放電加工を安定に行うことができ、ワークWの加工特性の劣化を抑制しつつ、多数のワイヤで同時に半導体インゴットをスライス加工することが可能となる。また、ダイオードD1~Dnごとに電流が流れる場合においても、1個の抵抗器R0を設けることで、半周期分の電力を消費させることが可能となるとともに、図3のスイッチング素子SWも不要となることから、放電加工装置の小型化および低価格化を図ることができる。
(実施の形態6)
 図6は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態6の概略構成を示す平面図である。図6において、この放電加工装置には、図1の交流電源Gの代わりにパルス電源PGが設けられている。
 ここで、交流電源Gでは、電圧が正と負に変動する波形が発生されるが、パルス電源PGでは、電圧が正だけあるいは負だけに変動するパルス波形が発生される。ただし、図6の構成では、コンデンサC1~Cnは、ワークWと電極E1~Enとの間にそれぞれ形成される放電間隙に対しては直列にそれぞれ接続されているので、交流電流しか流れることができず、電流の直流成分は通過できない。このため、パルス電源Pが片極のパルス駆動を行っていても、実際には交流駆動を行っているのと同じことになる。従って、図1の交流電源Gの代わりに、パルス電源PG(片極でも両極でもよい)を用いるようにしてもよい。
(実施の形態7)
 図7は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態7の概略構成を示す平面図である。図7において、この放電加工装置には、図1の放電加工装置の構成に加え、N個の抵抗器N1~Nnが設けられている。ここで、N個の抵抗器N1~Nnは、N個のコンデンサC1~Cnにそれぞれ直列に接続されている。
 この時、ある電極E1~Enとの間で放電が生じた場合、コンデンサC1~Cnによって他の電極E1~Enにその影響が伝わりにくくなるが、例えば電位が変化したというような直流的な変化はコンデンサC1~Cnによって妨げられるものの、電位の変化による変位電流はコンデンサC1~Cnを通して流れることができる。
 このため、コンデンサC1~Cnに抵抗器N1~Nnをそれぞれ直列に接続することにより、電位の変化によるパルス的な電流を抵抗器N1~Nnによって抑制することができ、各電極の加工の独立性を高めることができる。
 なお、このような抵抗器N1~Nnとしては、浮遊のもの、例えば配線の抵抗やコンデンサや電極構造に起因する抵抗であっても構わない。
(実施の形態8)
 図8は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態8の概略構成を示す平面図である。図8において、この放電加工装置には、図1の放電加工装置の構成に加え、N個のインダクタM1~Mnが設けられている。ここで、N個のインダクタM1~Mnは、N個のコンデンサC1~Cnにそれぞれ直列に接続されている。
 ここで、N個のインダクタM1~MnをN個のコンデンサC1~Cnにそれぞれ直列に接続することにより、パルス的な電流を流れにくくすることができ、各放電点が独立に放電しやすくなる。また、インダクタM1~Mnを用いることにより、図7の抵抗器N1~Nnを用いた場合に比べて損失を低減することができる。
 なお、このようなインダクタM1~Mnとして、浮遊のもの、例えば配線のインダクタンスや電極構造に起因するものであっても構わない。
(実施の形態9)
 図9は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態9の概略構成を示す平面図である。図9において、この放電加工装置には、図1の放電加工装置の構成に加え、1個のインダクタM0が設けられている。ここで、インダクタM0は、交流電源Gに直列に接続されている。この場合、交流電源Gは、インダクタM0とN個のコンデンサC1~Cnとの共振周波数の近傍の周波数で駆動することが好ましい。
 ここで、インダクタM0とN個のコンデンサC1~Cnとの共振周波数の近傍の周波数で交流電源Gを駆動することにより、インダクタM0とN個のコンデンサC1~Cnとの間で電圧共振を発生させることができ、その電圧共振にて昇圧させることが可能となる。このため、コンデンサC1~Cnの端部に容易に高い電圧を印加することができ、極間での放電を容易化することができる。
 なお、このようなインダクタM0として、浮遊のもの、例えば配線のインダクタンスや電極構造に起因するものであっても構わない。
(実施の形態10)
 図10は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態10の概略構成を示す平面図である。図10において、この放電加工装置では、電極E1~Enは、一本のワイヤYの一部を用いて構成されている。ここで、一本のワイヤYの一部で電極E1~Enを構成した場合、N個のコンデンサC1~Cnを挿入することで各電極間E1~Enの電圧変動の影響を有効に抑えることができるようにするために、電極E1~En間のインピーダンスをできるだけ高くすることが好ましい。なお、電極E1~En間のインピーダンスとしては、浮遊のものであっても構わない。
 ここで、一本のワイヤYの一部で電極E1~Enを構成することで、電極E1~Enを移動させるために、一本のワイヤYにリールや送り機構を設ければよく、N個の電極E1~Enにそれぞれリールや送り機構を設ける必要がなくなることから、放電加工装置の構成を簡潔化することができる。
(実施の形態11)
 図11は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態11の概略構成を示す平面図である。図11において、この放電加工装置には、図1の放電加工装置の構成に加え、N-1個の抵抗器RH1~RHn-1が設けられている。ここで、N-1個の抵抗器RH1~RHn-1は、電極E1~En間にそれぞれ接続されている。
 ここで、電極E1~Enは、図10に示すように、一本のワイヤYの一部で構成することができる。また、抵抗器RH1~RHn-1は、ワイヤYそのもので構成することができる。ここで、抵抗器RH1~RHn-1の抵抗値を大きくするために、例えば、電極E1~En間でワイヤYを引き回すことができ、電極E1~En間のワイヤYをループ状に構成することができる。
(実施の形態12)
 図12は、本発明に係る放電加工装置の実施の形態12の概略構成を示す平面図である。図12において、この放電加工装置には、図1の放電加工装置の構成に加え、N-1個のインダクタMH1~MHn-1が設けられている。ここで、N-1個のインダクタMH1~MHn-1は、電極E1~En間にそれぞれ接続されている。
 ここで、電極E1~Enは、図10に示すように、一本のワイヤYの一部で構成することができる。また、インダクタMH1~MHn-1は、ワイヤYそのもので構成することができる。ここで、インダクタMH1~MHn-1の値を大きくするために、例えば、電極E1~En間のワイヤYをループ状に構成するとともに、そのループの内側に透磁率の高い磁性材料を挿入することが好ましい。この磁性材料としては、例えば、フェライトなどを用いることができる。
 なお、電極E1~Enが一本のワイヤYで構成した場合、電極E1~En間を完全に絶縁することができないので、電極E1~En間に直流的な電流が流れるのを防止することができない。ただし、電極E1~En間にある程度の抵抗的あるいはインダクタンス的なインピーダンスが存在していれば、放電が発生するような短時間の間は他の電極E1~Enの電圧変動の影響をあまり受けない。その場合は電極E1~Enが一本のワイヤYであっても、個々の電極E1~Enで独立に放電を発生させることが可能になる。
 以上のように本発明に係る放電加工装置は、一つの電源でパルス状の放電を複数の電極に高速に発生させる方法に適しており、例えば、複数のワイヤを並列に並べた状態で半導体インゴットのスライス加工を行う方法などに適している。
 W ワーク
 G 交流電源
 PG パルス電源
 E1~En 電極
 C1~Cn コンデンサ
 D1~Dn ダイオード
 R0、R1~Rn、N1~Nn、RH1~RHn-1 抵抗器
 SW スイッチング素子
 K 電力回収回路
 P 制御回路
 M0、M1~Mn、MH1~MHn-1 インダクタ
 Y ワイヤ

Claims (14)

  1.  ワークとの間で個別に放電を発生させるN(Nは2以上の整数)個の電極と、
     前記ワークと前記N個の電極との間に交流電圧または電圧パルスを共通に印加する交流電源またはパルス電源と、
     前記電極に一端がそれぞれ個別に接続されるとともに、前記交流電源またはパルス電源に他端が共通に接続されたN個のコンデンサとを備えることを特徴とする放電加工装置。
  2.  前記電極にアノードがそれぞれ個別に接続されるとともに、前記交流電源またはパルス電源のワーク側の端子にカソードが共通に接続されたN個のダイオードをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の放電加工装置。
  3.  前記ダイオードにそれぞれ直列に接続されたN個の抵抗器をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載の放電加工装置。
  4.  前記交流電源またはパルス電源に直列に接続された抵抗器と、
     前記抵抗器に並列に接続されたスイッチング素子と、
     前記ワークに正電圧が印加される期間は前記スイッチング素子をオンさせ、前記ワークに負電圧が印加される期間は前記スイッチング素子をオフさせる制御回路とをさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の放電加工装置。
  5.  前記交流電源またはパルス電源に直列に接続され、前記ワークに負電圧が印加される期間に電力を回収して再利用する電力回収回路とをさらに備えることを特徴とする請求項1または2に記載の放電加工装置。
  6.  前記N個のコンデンサにそれぞれ直列に接続されたN個の抵抗器をさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の放電加工装置。
  7.  前記N個のコンデンサにそれぞれ直列に接続されたN個のインダクタをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の放電加工装置。
  8.  前記交流電源もしくパルス電源に直列に接続されたインダクタをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載の放電加工装置。
  9.  前記電極は、互いに並列に配置されたワイヤ電極であることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の放電加工装置。
  10.  前記ワイヤ電極は一本のワイヤの一部であることを特徴とする請求項9に記載の放電加工装置。
  11.  前記ワイヤは、前記電極間でループ状に引き回されていることを特徴とする請求項10に記載の放電加工装置。
  12.  前記ループの内側に磁性材料が挿入されていることを特徴とする請求項11に記載の放電加工装置。
  13.  並列配置されたN個の電極と対向する位置に工作物を設置し、前記電極と前記工作物との間に放電電極を形成する工程と、
     前記N個の電極にそれぞれ直列に接続されたN個のコンデンサを介して交流電圧パルスまたは電圧パルスを印加し、N個の放電電極に放電を発生させることでN点で放電加工を行う工程とを備えることを特徴とする放電加工方法。
  14.  前記請求項13の放電加工方法によって複数の半導体基板を同時に切り出すことを特徴とする半導体基板の製造方法。
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