CN102076454B

CN102076454B - 放电加工装置、放电加工方法及半导体基板的制造方法

Info

Publication number: CN102076454B
Application number: CN2009801250020A
Authority: CN
Inventors: 民田太一郎; 桥本隆; 岩田明彦; 佐藤达志
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2008-07-24
Filing date: 2009-07-23
Publication date: 2012-10-10
Anticipated expiration: 2029-07-23
Also published as: US9550245B2; CN102076454A; JP5165061B2; JPWO2010010927A1; DE112009001764B4; WO2010010927A1; US20110114604A1; US20160354851A1; DE112009001764T5

Abstract

本发明的放电加工装置设有N个电极E1～En、交流电源G以及N个电容器C1～Cn，交流电源G向电极E1～En共同施加交流电压，电容器C1～Cn的一端分别与电极E1～En连接，并且另一端共同连接到交流电源G。

Description

放电加工装置、放电加工方法及半导体基板的制造方法

技术领域

本发明涉及放电加工装置、放电加工方法及半导体基板的制造方法，尤其涉及采用多个电极同时进行放电加工的放电加工装置。

背景技术

放电加工可在不影响硬度的情况下将金属加工为自由自在的形状，也用作从半导体锭块(ingot)切出大口径化的晶片的方法。在该放电加工中，为了防止放电集中于一处而使加工精度劣化，在移动放电点的同时进行脉冲状放电，因此加工速度慢。因而，如专利文献1所公开，提出了在使多个电线(wire)并联排列的状态下进行半导体锭块的切片加工，从而提高加工速度的方法。

但是，在该方法中，由一个电源驱动多个电线时，若任一电线产生放电，则在剩余的电线施加的电压降低，无法在剩余的电线产生放电。因而，必须对每个电线设置电源，导致放电加工装置的大型化及高价格化。

另外，为了实现可获得良质的加工面等的优良加工特性，专利文献2公开了，向电极施加交流高频，使平均加工电压为零，以防止破碎，并且针对每次半波放电使极性交替，使每次放电的放电点不同的方法。

另外，作为由一个电源在多个电线产生放电的方法，专利文献3公开了对多个放电间隙分别并联设置电容器，经由二极管对这些电容器充电的方法。

专利文献1：日本特开平9-248719号公报

专利文献2：日本特开昭61-260917号公报

专利文献3：日本特开2003-260617号公报

发明内容

但是，根据上述以往的技术，对多个放电间隙分别并联设置电容器，因此，在电极和工件之间的放电间隙施加直流电压，无法向电极施加交流高频。因此，在电极和工件之间的放电间隙中，无法高速产生脉冲状的放电，存在无法进行高速加工且加工面的品质劣化的问题。

本发明鉴于上述问题而提出，目的在于得到可由一个电源向多个电极高速产生脉冲状的放电的放电加工装置、放电加工方法及半导体基板的制造方法。

为了解决上述问题，达成目的，本发明的放电加工装置的特征在于，具备：N个电极，在与工件之间各自地产生放电，其中N是2以上的整数；交流电源或脉冲电源，在所述工件和所述N个电极之间共同施加交流电压或电压脉冲；以及N个电容器，一端共同连接到所述交流电源或脉冲电源，并且另一端分别各自地与所述N个电极连接。

根据本发明，具有可由一个电源向多个电极高速产生脉冲状的放电的效果。

图1是表示本发明的放电加工装置的实施方式1的概略构成的平面图。

图2是表示本发明的放电加工装置的实施方式2的概略构成的平面图。

图3是表示本发明的放电加工装置的实施方式3的概略构成的平面图。

图4是表示本发明的放电加工装置的实施方式4的概略构成的平面图。

图5是表示本发明的放电加工装置的实施方式5的概略构成的平面图。

图6是表示本发明的放电加工装置的实施方式6的概略构成的平面图。

图7是表示本发明的放电加工装置的实施方式7的概略构成的平面图。

图8是表示本发明的放电加工装置的实施方式8的概略构成的平面图。

图9是表示本发明的放电加工装置的实施方式9的概略构成的平面图。

图10是表示本发明的放电加工装置的实施方式10的概略构成的平面图。

图11是表示本发明的放电加工装置的实施方式11的概略构成的平面图。

图12是表示本发明的放电加工装置的实施方式12的概略构成的平面图。

(附图标记说明)

W 工件

G 交流电源

PG 脉冲电源

E1～En电极

C1～Cn电容器

D1～Dn二极管

R0，R1～Rn，N1～Nn，RH1～RHn-1电阻器

SW开关元件

K电力回收电路

P控制电路

M0，M1～Mn，MH1～MHn-1电感器

Y电线

具体实施方式

以下，根据附图详细说明本发明的放电加工装置的实施方式。另外，本发明并不限定于该实施方式。

(实施方式1)

图1是本发明的放电加工装置的实施方式1的概略构成的平面图。图1中，在放电加工装置中设置了N(N是2以上的整数)个电极E1～En、1个交流电源G、N个电容器C1～Cn。这里，电极E1～En可在与工件W之间分别形成放电间隙，经由该放电间隙可在与工件W之间各自产生放电。

另外，作为电极E1～En例如可采用相互并联配置的线电极。或者，也可以是刻模加工等中采用的分割电极等。另外，作为工件(也称为工作物)W可以是金属等的导电体，也可以是半导体锭块或者半导体晶片等的半导体。

另外，交流电源G可产生交流电压，向电极E1～En共同施加。另外，作为交流电源G产生的交流电压波形，可以是电压以正负出现的脉冲性的波形，可以是正弦波状的波形，可以是三角波状的波形，也可以是高频状的波形。

另外，电容器C1～Cn的一端分别各自与电极E1～En连接，而另一端共同连接到交流电源G。即，电容器C1～Cn针对在工件W和电极E1～En之间分别形成的放电间隙分别串联连接。另外，各电容器C1～Cn与放电间隙的串联电路相对于交流电源G并联连接。

在向工件W施加负电压，向电极E1～En施加正电压时，电容器C1～Cn被充电，并且降低了在电容器C1～Cn产生的电压的量的电压分别被施加到在工件W和电极E1～En之间分别形成的放电间隙。这里，例如，在电极E1和工件W之间的放电间隙产生放电或者在电极E1和工件W之间的放电间隙短路而导通的情况下，从电极E1向工件W流过电流。

如果从电极E1向工件W流过电流，则从电极E1向工件W的方向对电容器C1充电，在电容器C1产生的电压上升。从而，由于电极E1和工件W之间的放电间隙与电容器C1串联连接，因此，对电极E1和工件W之间的放电间隙施加的电压降低了电容器C1所上升的电压量，在电极E1和工件W之间的放电间隙中流过的电流消失，因此，从电极E1 朝向工件W的电流成为脉冲性的。

其结果，即使在电极E1和工件W之间的放电间隙产生放电，也可以防止在电极E1和工件W之间的放电间隙施加的电压成为直流性的，可高速产生脉冲状的放电。即使在电极E2～En和工件W之间，也可以同样高速产生脉冲状的放电。

接着，向工件W施加正电压，向电极E1～En施加负电压时，对电容器C1～Cn逆向充电的同时，在电容器C1～Cn分别产生的电压和交流电源G的电压重叠后的电压施加到电极E1～En和工件W之间的放电间隙，分别施加比交流电源G产生的电压高的电压。

这里，例如，在电极E1和工件W之间的放电间隙产生放电或者在电极E1和工件W之间的放电间隙短路而导通的情况下，从工件W向电极E1流过电流。

如果从工件W向电极E1流过电流，则在从工件W朝向电极E1的方向上对电容器C1充电，在电容器C1产生的电压降低。从而，对在电极E1和工件W之间的放电间隙施加的电压降低，在电极E1和工件W之间的放电间隙中流过的电流消失，因此，从工件W向电极E1的电流成为脉冲性的。即使在电极E2～En和工件W之间，也可同样高速产生脉冲状的放电。

以下，每次交流电源G的极性以正负反转时，以上的动作反复进行，当每次交流电源G的极性反转时，对电极E1～En和工件W之间的放电间隙分别施加电压，产生放电。

这样，通过设置与电极E1～En和工件W之间的放电间隙串联的电容器C1～Cn，可以分别在电容器C1～Cn蓄积电压，可以总是对电极E1～En和工件W之间的放电间隙独立施加交流高频，因此，可稳定进行高速的加工。

这里，假定没有电容器C1～Cn时，全部的电极E1～En和工件W之间的放电间隙的电压为同电位，因此如果在某放电间隙产生放电，则产生放电的放电间隙的电压降低到接近零。因而，全部的放电间隙的电压降低，无法在最初产生放电的放电间隙以外的放电间隙产生放电。即，对于一次的电压施加动作，只能在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中的某一处产生放电。实际上，虽然由于各放电点间的阻抗的影响等而有可能在多个位置进行放电，但是无法在全部的电极E1～En和工件W之间的放电间隙中持续放电。

相对于此，设置了与电极E1～En和工件W之间的放电间隙串联的电容器C1～Cn时，即使在某放电间隙中产生放电，也仅仅是与该放电间隙串联的电容器C1～Cn的电压变化，不影响其他电容器C1～Cn的电压。因而，即使由单一的交流电源G驱动N个电极E1～En的情况下，也可以在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中持续地产生放电。

另外，设置了与电极E1～En和工件W之间的放电间隙串联的电容器C1～Cn时，向放电间隙施加交流电源G的电压和各电容器C1～Cn的电压重叠后的电压。因而，对放电间隙施加比交流电源G的电压高的电压，如果开始了一次放电，则随后也容易持续放电。

反之，如果在某一处的放电间隙中停止放电，则随后也只有该放电间隙难以产生放电，而导致只有此处无法进行放电加工的情况。因而，为了容易在停止放电的放电间隙产生放电，也可以暂时地施加高电压，使放电重新开始。具体地说，在检测出某放电间隙中长期间停止放电时，也可以施加高电压脉冲。或者，为了使放电停止的放电间隙容易产生放电，也可以定期地施加高电压脉冲。

另外，对电极E1～En和工件W之间的放电间隙施加的电压成为由电极E1～En和工件W之间的浮置电容和电容器C1～Cn的电容进行分压的电压。因而，电容器C1～Cn的电容若小，则对电极E1～En和工件W之间的放电间隙施加的电压变小。从而，电容器C1～Cn的电容优选比电极E1～En和工件W之间的放电间隙的浮置电容大。

但是，放电间隙中的放电次数依赖于交流电源G的频率，为了增加放电次数，必须提高交流电源G的频率。此时，若增大电容器C1～Cn的电容，则有电容器C1～Cn的阻抗变小，无法取得与工件W的匹配的情况。因而，优选不仅仅考虑在电极E1～En和工件W之间的放电间隙施加的电压，还考虑与工件W之间的匹配性，来设定电容器C1～Cn的电容。

(实施方式2)

图2是本发明的放电加工装置的实施方式2的概略构成的平面图。图2中，在该放电加工装置中除了图1的放电加工装置的构成，还设置了N个二极管D1～Dn及N个电阻器R1～Rn。这里，二极管D1～Dn的阳极分别各自与电极E1～En连接，并且二极管D1～Dn的阴极分别经由电阻器R1～Rn与交流电源G的工件W侧的端子共同连接。

即，电容器C1～Cn分别与在工件W和电极E1～En之间分别形成的放电间隙串联连接。另外，各电容器C1～Cn和放电间隙的串联电路相对于交流电源G并联连接。而且，各电容器C1～Cn、二极管D1～Dn和电阻器R1～Rn的串联电路相对于交流电源G并联连接。

这里，设工件W为半导体。该场合，在固定工件W的金属的平台和作为半导体的工件W之间呈现二极管特性，无法从电极E1～En向工件W流过电流。

即，向工件W施加正电压，向电极E1～En施加负电压时，电流从工件W流向电极E1～En，在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中产生放电。这里，即使在某放电间隙最初产生放电的情况下，也仅仅是与该放电间隙串联的电容器C1～Cn的电压变化，不会影响其他电容器C1～Cn的电压。因而，即使由单一的交流电源G驱动N个电极E1～En的情况下，也可以在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中持续地产生放电。

另一方面，向工件W施加负电压，向电极E1～En施加正电压时，分别经由二极管D1～Dn及电阻器R1～Rn流过电流。因而，对电极E1～En仅仅施加了二极管D1～Dn及电阻器R1～Rn的电压下降量的电压，在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中不产生放电。另外，向工件W施加负电压，向电极E1～En施加正电压时的半周期量的电力被电阻器R1～Rn消耗。

从而，即使工件W是半导体的情况下，也可以稳定地对工件W进行放电加工，在抑制工件W的加工特性的劣化的同时，可由多个电线同时对半导体锭块进行切片加工，同时切出多个半导体基板。

(实施方式3)

图3是本发明的放电加工装置的实施方式3的概略构成的平面图。图3中，在该放电加工装置中取代图2的电阻器R1～Rn而设置了电阻器R0、开关元件SW及控制电路P。这里，二极管D1～Dn的阳极分别各自与电极E1～En连接，并且二极管D1～Dn的阴极共同连接到交流电源G的工件W侧的端子。另外，电阻器R0与交流电源G串联连接，开关元件SW与电阻器R0并联连接。

即，电容器C1～Cn分别与在工件W和电极E1～En之间分别形成的放电间隙串联连接。另外，各电容器C1～Cn和放电间隙的串联电路相对于交流电源G和电阻器R0的串联电路并联连接。而且，各电容器C1～Cn和二极管D1～Dn的串联电路相对于交流电源G和电阻器R0的串联电路并联连接。

另外，控制电路P可以在向工件W施加正电压的半周期使开关元件SW导通，向工件W施加负电压的半周期使开关元件SW截止。

在工件W为半导体的场合，在向工件W施加正电压的半周期中使开关元件SW导通。向工件W施加正电压，向电极E1～En施加负电压时，电流从工件W流向电极E1～En，在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中产生放电。这里，即使在某放电间隙中最初产生放电的情况下，也仅仅是与该放电间隙串联的电容器C1～Cn的电压变化，不影响其他电容器C1～Cn的电压。因此，即使由单一的交流电源G驱动N个电极E1～En的情况下，也可以在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中持续地产生放电。

另一方面，向工件W施加负电压的半周期中，使开关元件SW截止。向工件W施加负电压，向电极E1～En施加正电压时，分别经由二极管D1～Dn流过电流后，这些电流进行合流而流过电阻器R0。因而，对电极E1～En仅仅施加了二极管D1～Dn的电压下降量的电压，在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中不产生放电。另外，向工件W施加负电压，向电极E1～En施加正电压时的半周期量的电力被电阻器R0消耗。

从而，即使工件W是半导体的情况下，也可以稳定地对工件W进行放电加工，在抑制工件W的加工特性的劣化的同时，可由多个电线同时对半导体锭块进行切片加工。另外，即使电流流过每个二极管D1～Dn的情况下，通过设置1个电阻器R0，可消耗半周期量的电力，不必对每个二极管D1～Dn设置图2的电阻器R1～Rn，因此可使放电加工装置小型化。

(实施方式4)

图4是本发明的放电加工装置的实施方式4的概略构成的平面图。图4中，在该放电加工装置中取代图3的电阻器R0、开关元件SW及控制电路P而设置了电力回收电路K。这里，二极管D1～Dn的阳极分别各自与电极E1～En连接，并且二极管D1～Dn的阴极共同连接到交流电源G的工件W侧的端子。另外，电力回收电路K与交流电源G串联连接。

即，电容器C1～Cn分别与在工件W和电极E1～En之间分别形成的放电间隙串联连接。另外，各电容器C1～Cn和放电间隙的串联电路相对于交流电源G和电力回收电路K的串联电路并联连接。而且，各电容器C1～Cn和二极管D1～Dn的串联电路相对于交流电源G和电力回收电路K的串联电路并联连接。

另外，电力回收电路K可在向工件W施加负电压的半周期中回收电力并再利用。例如，通过在蓄电池中贮藏向工件W施加负电压的半周期量的电力，并将在该蓄电池中贮藏的直流变换为交流，可用作交流电源G的辅助电源。

工件W为半导体的场合，向工件W施加正电压，向电极E1～En施加负电压时，电流从工件W流向电极E1～En，在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中产生放电。这里，即使在某放电间隙中最初产生放电的情况下，也仅仅是与该放电间隙串联的电容器C1～Cn的电压变化，不会影响其他电容器C1～Cn的电压。因而，即使由单一的交流电源G驱动N个电极E1～En的情况下，也可以在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中持续地产生放电。

另一方面，向工件W施加负电压，向电极E1～En施加正电压时，在分别经由二极管D1～Dn流过电流后，这些电流进行合流并流过电力回收电路K。因而，对电极E1～En仅仅施加了二极管D1～Dn的电压下降量的电压，在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中不产生放电。另外，向工件W施加负电压，向电极E1～En施加正电压时的半周期量的电力由电力回收电路K回收，可以在接下来的半周期中用于驱动电极E1～En。

从而，即使工件W是半导体的情况下，也可以稳定地对工件W进行放电加工，在抑制工件W的加工特性的劣化的同时，可由多个电线同时对半导体锭块进行切片加工，并且可防止半周期量的电力被电阻R0无用地消耗，可提高放电加工用电源的效率。

(实施方式5)

图5是本发明的放电加工装置的实施方式5的概略构成的平面图。图5中，在该放电加工装置中取代图2的电阻器R1～Rn而设置电阻器R0。这里，二极管D1～Dn的阳极分别各自与电极E1～En连接，并且二极管D1～Dn的阴极经由电阻器R0共同连接到交流电源G的工件W侧的端子。

即，电容器C1～Cn分别与在工件W和电极E1～En之间分别形成的放电间隙串联连接。另外，各电容器C1～Cn和放电间隙的串联电路相对于交流电源G并联连接。而且，对并联连接了各电容器C1～Cn和二极管D1～Dn的串联电路的并联电路串联连接了电阻器R0而成的串联电路，相对于交流电源G并联连接。

另一方面，向工件W施加负电压，向电极E1～En施加正电压时，分别经由二极管D1～Dn流过电流后，这些电流进行合流而流过电阻器R0。因而，对电极E1～En仅仅施加了各二极管D1～Dn及电阻器R0的电压下降量的电压，在电极E1～En和工件W之间的放电间隙中不产生放电。另外，向工件W施加负电压，向电极E1～En施加正电压时的半周期量的电力被电阻器R0消耗。

从而，即使工件W是半导体的情况下，也可以稳定地对工件W进行放电加工，在抑制工件W的加工特性的劣化的同时，可由多个电线同时对半导体锭块进行切片加工。另外，即使电流流过每个二极管D1～Dn的情况下，通过设置1个电阻器R0，可消耗半周期量的电力，并且也不需要图3的开关元件SW，因此可实现放电加工装置的小型化及低价格化。

(实施方式6)

图6是本发明的放电加工装置的实施方式6的概略构成的平面图。图6中，在该放电加工装置中取代图1的交流电源G而设置脉冲电源PG。

这里，交流电源G中产生电压变动为正和负的波形，而脉冲电源PG中，产生电压仅仅变动为正或者仅仅变动为负的脉冲波形。但是，图6的构成中，电容器C1～Cn分别与在工件W和电极E1～En之间分别形成的放电间隙串联连接，因此只能流过交流电流，无法通过电流的直流分量。因而，脉冲电源PG即使进行单极的脉冲驱动，实际上也与进行交流驱动相同。从而，也可以取代图1的交流电源G而采用脉冲电源PG(单极也可两极也可)。

(实施方式7)

图7是本发明的放电加工装置的实施方式7的概略构成的平面图。图7中，在该放电加工装置中，除了图1的放电加工装置的构成外，还设置了N个电阻器N1～Nn。这里，N个电阻器N1～Nn分别与N个电容器C1～Cn串联连接。

此时，在某电极E1～En之间产生放电的场合，由于电容器C1～Cn，其影响难以传递到其他电极E1～En，但是，虽然例如电位变化这样的直流变化被电容器C1～Cn阻碍，但电位的变化导致的变位电流可通过电容器C1～Cn流过。

因而，通过将电容器C1～Cn分别与电阻器N1～Nn串联连接，可以由电阻器N1～Nn抑制电位的变化导致的脉冲性的电流，可提高各电极的加工的独立性。

另外，作为这样的电阻器N1～Nn，也可以是浮置的电阻器，例如可以是布线的电阻、电容器、电极构造引起的电阻。

(实施方式8)

图8是本发明的放电加工装置的实施方式8的概略构成的平面图。图8中，在该放电加工装置中，除了图1的放电加工装置的构成，还设置N个电感器M1～Mn。这里，N个电感器M1～Mn分别与N个电容器C1～Cn串联连接。

这里，通过将N个电感器M1～Mn分别与N个电容器C1～Cn串联连接，可使脉冲性的电流难以流过，各放电点变得容易独立放电。另外，通过采用电感器M1～Mn，与图7的采用电阻器N1～Nn的场合相比，可以降低损失。

另外，作为这样的电感器M1～Mn，也可以是浮置的电感器，例如也可以是由布线的电感、电极构造引起的电感。

(实施方式9)

图9是本发明的放电加工装置的实施方式9的概略构成的平面图。图9中，在该放电加工装置中，除了图1的放电加工装置的构成，还设置了1个电感器M0。这里，电感器M0与交流电源G串联连接。该场合，交流电源G最好以电感器M0和N个电容器C1～Cn的共振频率附近的频率驱动。

这里，通过以电感器M0和N个电容器C1～Cn的共振频率附近的频率驱动交流电源G，可在电感器M0和N个电容器C1～Cn之间产生电压共振，可通过该电压共振进行升压。因而，可容易对电容器C1～Cn的端部施加高电压，使极间的放电变得容易。

另外，作为这样的电感器M0，也可以是浮置的电感器，例如也可以是由布线的电感、电极构造引起的电感。

(实施方式10)

图10是本发明的放电加工装置的实施方式10的概略构成的平面图。图10中，该放电加工装置中，电极E1～En用一根电线Y的一部分构成。这里，由一根电线Y的一部分构成电极E1～En的场合，为了能够通过插入N个电容器C1～Cn有效抑制各电极间E1～En的电压变动的影响，最好尽可能提高电极E1～En间的阻抗。另外，作为电极E1～En间的阻抗也可以是浮置的阻抗。

这里，通过由一根电线Y的一部分构成电极E1～En，为使电极E1～En移动，只要对一根电线Y设置卷轴或传送机构即可，不必对N个电极E1～En分别设置卷轴或传送机构，从而可简化放电加工装置的构成。

(实施方式11)

图11是本发明的放电加工装置的实施方式11的概略构成的平面图。图11中，该放电加工装置中除了图1的放电加工装置的构成，还设置N-1个电阻器RH1～RHn-1。这里，N-1个电阻器RH1～RHn-1分别在电极E1～En间连接。

这里，电极E1～En如图10所示，可由一根电线Y的一部分构成。另外，电阻器RH1～RHn-1可由电线Y本身构成。这里，为了增大电阻器RH1～RHn-1的电阻值，例如，可以在电极E1～En间使电线Y围绕，可将电极E1～En间的电线Y构成为环状。

(实施方式12)

图12是本发明的放电加工装置的实施方式12的概略构成的平面图。图12中，该放电加工装置中除了图1的放电加工装置的构成，还设置N-1个电感器MH1～MHn-1。这里，N-1个电感器MH1～MHn-1分别在电极E1～En间连接。

这里，电极E1～En如图10所示，可由一根电线Y的一部分构成。另外，电感器MH1～MHn-1可由电线Y本身构成。这里，为了增大电感器MH1～MHn-1的值，例如，可使电极E1～En间的电线Y构成为环状，并且最好在该环的内侧插入导磁率高的磁性材料。作为该磁性材料，例如可以采用铁氧体等。

另外，电极E1～En由一根电线Y构成的场合，由于电极E1～En间无法完全绝缘，因此无法防止电极E1～En间流过直流性的电流。但是，若在电极E1～En间存在某程度的电阻性或者电感性阻抗，则在放电产生的短时间之间不太会受到其他电极E1～En的电压变动的影响。该场合，即使电极E1～En是一根电线Y，也可以以各个电极E1～En独立产生放电。

(产业上的可利用性)

以上的本发明的放电加工装置，适用于由一个电源在多个电极高速产生脉冲状的放电的方法，例如，适用于在多个电线并联排列的状态下进行半导体锭块的切片加工的方法等。

Claims

1.一种放电加工装置，其特征在于，具备：

N个电极，在与工件之间各自地产生放电，其中N是2以上的整数；

交流电源或脉冲电源，在所述工件和所述N个电极之间共同施加交流电压或电压脉冲；以及

N个电容器，一端共同连接到所述交流电源或脉冲电源，并且另一端分别各自地与所述N个电极连接，所述N个电容器针对在工件与N个电极之间分别形成的放电间隙分别串联连接。

2.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，还具备：

N个二极管，阴极共同连接到所述交流电源或脉冲电源的工件侧的端子，并且阳极分别各自地与所述N个电极连接。

3.根据权利要求2所述的放电加工装置，其特征在于，还具备：

电阻器，与所述二极管串联连接。

4.根据权利要求1或2所述的放电加工装置，其特征在于，还具备：

电阻器，与所述交流电源或脉冲电源串联连接；

开关元件，与所述电阻器并联连接；以及

控制电路，在对所述工件施加正电压的期间使所述开关元件导通，在对所述工件施加负电压的期间使所述开关元件截止。

5.根据权利要求1或2所述的放电加工装置，其特征在于，还具备：

电力回收电路，与所述交流电源或脉冲电源串联连接，在对所述工件施加负电压的期间回收电力并进行再利用。

6.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，还具备：

N个电阻器，分别与所述N个电容器串联连接。

7.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，还具备：

N个电感器，分别与所述N个电容器串联连接。

8.根据权利要求1所述的放电加工装置，其特征在于，还具备：

电感器，与所述交流电源或者脉冲电源串联连接。

9.根据权利要求1～3或6～8中的任一项所述的放电加工装置，其特征在于，

所述电极是相互并联配置的线电极。

10.根据权利要求9所述的放电加工装置，其特征在于，

所述线电极是一根电线的一部分。

11.根据权利要求10所述的放电加工装置，其特征在于，

所述电线是在所述电极间以环状围绕的。

12.根据权利要求11所述的放电加工装置，其特征在于，

在所述环的内侧插入了磁性材料。

13.根据权利要求4所述的放电加工装置，其特征在于，

所述电极是相互并联配置的线电极。

14.根据权利要求5所述的放电加工装置，其特征在于，

所述电极是相互并联配置的线电极。

15.一种放电加工方法，其特征在于，具备：

在与并联配置的N个电极相对置的位置设置工作物，在所述电极和所述工作物之间形成放电间隙的工序，其中N是2以上的整数；和

经由分别各自地与在所述工作物与所述N个电极之间分别形成的放电间隙串联连接的N个电容器，施加交流电压或电压脉冲，使N个放电间隙产生放电，从而在N点进行放电加工的工序。

16.一种半导体基板的制造方法，其特征在于，

通过所述权利要求15的放电加工方法同时切出多个半导体基板。