KR20110089900A

KR20110089900A - 방전가공 전자회로

Info

Publication number: KR20110089900A
Application number: KR1020100009375A
Authority: KR
Inventors: 정도관; 주종남; 신홍식; 박민수
Original assignee: 서울대학교산학협력단
Priority date: 2010-02-02
Filing date: 2010-02-02
Publication date: 2011-08-10
Also published as: KR101121531B1

Abstract

본 발명은, 공작물이 연결되는 공작물 전극과, 상기 공작물 전극과의 사이에 간극을 형성하고 상기 공작물을 방전가공하기 위한 공구가 연결되는 공구 전극과, 제1 전압을 공급하는 제1 전원과, 상기 제1 전원과 다른 지로에 형성되어 제2 전압을 공급하는 제2 전원과, 상기 제1 전압 및 제2 전압을 사용하여 상기 간극에 고주파 바이폴라 펄스 형태의 간극전압을 발생시키는 스위치를 포함하는 방전가공 전자회로를 제공한다. 본 발명에 따라 방전가공을 수행할 경우 전해부식과 역방전 현상에 의한 공구의 마모를 감소시키고 나아가 전해부식의 억제와 공무의 마모 감소에 의하여 가공물의 형상 정밀도와 표면 품질을 개선할 수 있게 된다.

Description

방전가공 전자회로 {ELECTRIC CIRCUIT FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING}

본 발명은 방전가공 전자회로에 관한 것이며, 좀 더 자세히는 고주파 바이폴라 펄스 형태의 간극전압을 발생시키는 방전가공 전자회로에 관한 것이다.

방전가공(EDM, Electrical Discharge Machining)은 전기적 제거 가공의 한 종류로서, 절연액에 공구와 공작물을 잠기게 한 후 공구와 공작물 사이의 간극에 높은 전압을 인가함으로써 스파크 방전을 일으켜 공작물을 가공하는 가공 방법이다. 방전가공은 마이크로미터 단위의 미세 가공에 대하여도 활용되고 있다.

절연액으로는 일반적으로 등유 등의 오일이 많이 사용되나, 탈이온수 혹은 일반적인 물 또한 절연액으로 사용되고 있다. 탈이온수 등을 사용하여 방전가공을 수행하면 공구마모가 적은 편이고 가공속도가 빠르다는 장점이 있으나, 탈이온수의 절연성이 기름에 비해 떨어지므로 높은 전압에 의해 가공물 또는 전극이 전해 부식되는 현상이 발생하기도 한다.

도 1은 종래기술에 따른 방전가공 시에 공작물에 인가되는 전압 및 전류를 개략적으로 도시하는 도면으로서, 도 1a는 RC 회로인 경우를, 도 1b는 트랜지스터 회로인 경우를 나타내는 것이다. 도 2는 종래기술에 따라 절연액으로써 탈이온수를 사용하여 초경합금에 대하여 방전가공을 수행한 결과물에 발생하는 전해부식 현상을 보여주는 사진이다.

도 1a에서 Open state 또는 도 1b의 Ignition delay time의 시간 동안 공작물에는 매우 높은 포지티브 전압이 인가되고 있으나 방전은 일어나지 않고 있으므로, 이 때 공작물은 전체적으로 전해부식 현상이 발생하게 된다. 도 2는 수십 μm 크기로 가공된 구멍 주위에 전해 부식이 넓게 발생한 초경합금의 표면을 보여주고 있다.

본 발명은 이와 같은 전해부식 현상을 해결하기 위하여 고주파 바이폴라 펄스 형태의 간극전압을 인가시킴으로써 가공물에 발생하는 전해부식을 억제할 수 있는 방전가공 전자회로와, 이를 사용하는 방전가공 장치 및 방전가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명은, 공작물이 연결되는 공작물 전극과, 상기 공작물과의 사이에 간극을 형성하고 상기 공작물을 방전가공하기 위한 공구가 연결되는 공구 전극과, 제1 전압을 공급하는 제1 전원과, 상기 제1 전원과 다른 지로에 형성되어 제2 전압을 공급하는 제2 전원과, 상기 제1 전압 및 제2 전압을 사용하여 상기 간극에 고주파 바이폴라 펄스 형태의 간극전압을 발생시키는 스위치를 포함하는 방전가공 전자회로를 제공한다.

상기 간극전압은 포지티브 전압과 상기 포지티브 전압보다 펄스크기는 더 작고 펄스폭은 더 큰 네거티브 전압이 교대로 나타나도록 구성될 수 있다. 상기 간극전압은 바이폴라 펄스의 평균 전압이 0 V 근처가 되도록 구성될 수 있다.

상기 간극전압은 스위치 오프 상태에서 포지티브 전압이 나타나고 스위치 온 상태에서 네거티브 전압이 나타나도록 구성될 수 있다.

상기 제1 전압 및 제2 전압은 DC 형태이고 상기 스위치는 하나일 수 있다.

상기 방전가공 전자회로는 스위치 온 상태에서 상기 간극전압이 상기 제2 전압과 같도록 구성될 수 있다. 스위치 온 상태에서 상기 제2 전압 및 상기 간극과 병렬로 연결되는 커패시터를 포함할 수 있다.

상기 방전가공 전자회로는 스위치 오프 상태에서 상기 간극전압이 상기 제1 전압보다 크도록 구성될 수 있다. 스위치 오프 상태에서 언더댐핑 조건의 RLC 진동 회로로 구성되는 저항과 인덕터와 커패시터를 포함할 수 있다. 상기 스위치는 상기 RLC 진동 회로의 진동주기의 절반 크기만큼의 스위치 온 시간을 가질 수 있다.

상기 바이폴라 펄스의 주파수는 0.1 MHz 이상일 수 있다.

또한 본 발명은, 상기 방전가공 전자회로가 제공되는 방전가공 장치를 제공한다.

나아가 본 발명은, 상기 방전가공 장치를 사용하여 수행되는 방전가공 방법을 제공한다. 상기 공작물은 초경합금일 수 있다. 절연액으로써 탈이온수 또는 물을 사용하여 수행될 수 있다.

본 발명에 따른 방전가공 전자회로에 의하면 평균 전압이 0 V인 고주파 바이폴라 펄스 형태의 간극전압을 발생시킴으로써 공구 및 가공물에 발생하는 전해부식을 억제할 수 있다. 또한 본 발명에 의하면 간극에 포지티브 전압은 짧고 크게 인가되고 네거티브 전압은 길고 작게 인가됨으로써 공구가 가공되는 역방전 현상을 억제할 수 있다. 따라서 본 발명에 따라 방전가공 방법에 의할 경우 전해부식과 역방전 현상에 의한 공구마모를 감소시키고 나아가 전해부식의 억제와 공무마모의 감소에 의하여 가공물의 형상 정밀도와 표면 품질이 개선될 수 있게 된다.

나아가 본 발명에 따른 방전가공 전자회로는 2 개의 DC 전원과 하나의 스위치 및 RLC 소자만으로 용이하게 고주파 바이폴라 펄스를 간극에 인가시킬 수 있다. 또한 위와 같이 간단하게 부피와 무게가 덜 나아는 전자회로를 구성할 수 있으므로 경제적이다.

도 1은 종래기술에 따른 방전가공 시에 공작물에 인가되는 전압 및 전류를 개략적으로 도시하는 도면으로서, 도1a는 RC 회로인 경우를, 도 1b는 트랜지스터 회로인 경우를 나타내는 것이다.
도 2는 종래기술에 따라 절연액으로써 탈이온수를 사용하여 초경합금에 대하여 방전가공을 수행한 결과물에 발생하는 전해부식 현상을 보여주는 사진이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 전자회로를 포함하는 방전가공 장치를 도시하는 회로도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 전자회로를 개념적으로 도시하는 회로도이다.
도 5는 도 4의 전자회로가 스위치 온/오프에 따라 재구성되는 모습을 개념적으로 도시하는 회로도로서, 도 5a는 스위치 온 상태인 경우를, 도 5b는 스위치 오프 상태인 경우를 나타내는 것이다.
도 6은 스위치 온/오프에 따라 인가되는 간극전압을 개략적으로 도시하는 그래프이다.
도 7은 도 6의 간극전압이 나타나는 원리를 개략적으로 도시하는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 전자회로를 사용하여 방전가공을 수행하였을 때 실제로 나타나는 간극전압 및 간극전류의 파형을 도시하는 그래프이다.
도 9는 도 8의 일부를 확대하여 방전가공의 진행되는 단계를 확인할 수 있는 그래프이다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공에 따라 절연액으로써 탈이온수를 사용하여 초경합금에 대하여 방전가공을 수행한 결과물을 보여주는 사진이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.

본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

이하, 본 발명에 따른 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

나아가 각 회로소자를 표시하는 도면번호와 각 소자가 가지는 값은 같은 기호를 사용하여 표시한다.

본 발명은 고주파 바이폴라 펄스(High Frequency Bipolar Pulse) 형태의 간극전압을 인가시킴으로써 가공물에 발생하는 전해부식을 억제할 수 있는 방전가공 전자회로와, 이를 사용하는 방전가공 장치 및 방전가공 방법을 제공한다. 우선 본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 장치의 구성을 살펴본다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 전자회로를 포함하는 방전가공 장치를 도시하는 회로도이다.

본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 장치는, 절연액(D)이 담기어 방전가공이 수행되는 가공조(B)에, 가공 대상물인 공작물(Workpiece) 및 공작물을 방전가공하기 위한 공구(Tool)를 통하여, 공작물이 연결되는 공작물 전극(W)과 공구가 연결되는 공구 전극(T)과 2 개의 전원(Power Source)(V1, V2) 및 스위치(Switch)(S)를 포함하는 방전가공 전자회로(P)가 연결된다.

절연액(D)은 탈이온수 또는 물일 수 있고, 공작물과 전극은 초경합급(텅스텐 카바이드) 등 전해부식에 취약한 재료일 수 있으나, 본 발명은 이들의 종류를 한정하지는 않는다.

방전가공 전자회로(P)는 공작물 전극(W) 및 공구 전극(T), 제1 전원(V1) 및 제2 전원(V2), 그리고 스위치(S)를 포함하는 개념일 수도 있고, 아니면 이들의 일부 또는 전부를 제외한 나머지 순수한 회로소자로 구성된 회로를 일컫는 개념일 수도 있으나, 이하에서는 전자의 개념으로 사용한다.

본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 전자회로의 구조와 기능 및 작동을 자세히 살펴본다.

본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 전자회로(P)는, 공작물이 연결되는 공작물 전극(W)과, 공작물과의 사이에 간극(Gab)을 형성하고 공작물을 방전가공하기 위한 공구가 연결되는 공구 전극(T)과, 제1 전압(V1)을 공급하는 제1 전원(V1)과, 제1 전원(V1)과 다른 지로에 형성되어 제2 전압(V2)을 공급하는 제2 전원(V2)과, 제1 전압(V1) 및 제2 전압(V2)을 사용하여 간극에 고주파 바이폴라 펄스 형태의 간극전압을 발생시키는 스위치(S)를 포함할 수 있다. 제1 전압(V1) 및 제2 전압(V2)은 DC 형태이고 스위치(S)는 하나일 수 있다.

주파수가 낮을 경우에는 종래기술에서와 같이 포지티브 전압이 인가되는 동안에 공작물에서 전해부식이 진행될 수 있으나, 주파수가 높을 경우 전해부식이 진행될 여지를 거의 주지 않고 방전이 바로 발생하기 때문에 전해부식 억제의 효과가 커지게 된다. 여기서 고주파라고 하면 펄스폭이 1 μs 이하이거나, 혹은 펄스주기가 10 μs 이하인 것, 즉 주파수가 0.1 MHz 이상인 것을 의미할 수 있지만, 꼭 이 수치에 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 전자회로(P)에서 간극전압은 포지티브 전압과 포지티브 전압보다 펄스크기는 더 작고 펄스폭은 더 큰 네거티브 전압이 교대로 나타나도록 구성될 수 있다. 간극전압은 스위치 오프 상태에서 포지티브 전압이 나타나고 스위치 온 상태에서 네거티브 전압이 나타나도록 구성될 수 있다. 여기서 스위치 온 상태에서 간극전압이 제2 전압(V2)과 같도록 구성될 수 있다. 또한 스위치 오프 상태에서 간극전압이 제1 전압(V1)보다 크도록 구성될 수 있다.

간극전압은 바이폴라 펄스의 평균 전압이 0 V 근처일 수 있다. 간극 전압을 고주파의 바이폴라 펄스로 함과 동시에 그 평균 값을 0 V로 설정하면, 공작물뿐만 아니라 공구에도 전체적으로는 전압이 인가되지 않은 것과 같은 상태가 되므로 공작물과 공구에 대한 전해부식 억제의 효과가 더욱 확보된다.

도 4 내지 도 7은 위에서 기술한 조건을 만족시키기 위해 구현된 전자회로의 하나의 실시예를 도시하고 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 전자회로(P)는, 제1 저항(R1)과 제2 저항(R2)과 인덕터(L)와 커패시터(C)가 도 4와 같이 배치된다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 전자회로를 개념적으로 도시하는 회로도이다. 도 5는 도 4의 전자회로가 스위치 온/오프에 따라 재구성되는 모습을 개념적으로 도시하는 회로도로서, 도 5a는 스위치 온 상태인 경우를, 도 5b는 스위치 오프 상태인 경우를 나타내는 것이다. 도 6은 스위치 온/오프에 따라 인가되는 간극전압을 개략적으로 도시하는 그래프이다. 도 7은 도 6의 간극전압이 나타나는 원리를 개략적으로 도시하는 그래프이다.

도 4를 참조하면, 간극전압(Vgab)은 커패시터(C)에 인가되는 전압과 그 크기와 방향이 같게 된다. 스위치(S)의 온/오프(On/Off)에 따라 간극전압(Vgab)을 지배하는 전원의 종류가 달라진다.

도 5a에서 보이는 바와 같이, 스위치 온 상태에서 커패시터(C)는 제2 전원(V2) 및 간극과 병렬로 연결되는 것과 같아진다. 따라서 커패시터(C)와 간극에는 제2 전압(V2)이 그대로 인가되어 서로 크기가 같아진다. 제2 전원(V2)은 간극전압(Vgab)이 네거티브 전압이 되도록 배치되어 있다. 스위치 온 상태에서 커패시터(C)에 인가되는 전압 V_C와 인덕터(L)에 흐르는 전류 i_L은 다음과 같은 수식으로 표현될 수 있다. 여기서 τ = R₂C는 실제 조건에서 매우 작은 값이기 때문에, 예를 들어 R2 = 4.7 Ω 이고 C = 390 pF 인 경우에 τ = R₂C = 1.8 ns으로 매우 작으므로, 결국 V_C = -V2 라고 할 수 있다.

도 5b에서 보이는 바와 같이, 스위치 오프 상태에서는 간극을 제외하고는 제1 전원(V1)이 직렬로 연결된 RLC 진동회로와 같아진다. 저항(R1, R2)과 인덕터(L)와 커패시터(C)는 언더댐핑(Under Damping) 조건으로 진동하도록 구성된다. 따라서 커패시터(C)와 간극에는 순간적으로 제1 전압(V1)보다 큰 전압이 인가된 후 점점 감쇠 진동하게 된다. 스위치 오프 상태에서 커패시터(C)에 인가되는 전압 Vc는 다음과 같은 수식으로 표현될 수 있다. 여기서 Rt = R1 + R2 이다.

도 6과 도 7을 참조하면, 스위치 오프 시간이 RLC 진동 회로의 진동주기의 절반 크기가 되는 경우, 간극에는 스위치가 오프 되면 순간적으로 큰 포지티브 전압이 인가된 후에 0 V 근처로 떨어진 후 스위치가 온 되면 작은 네거티브 전압이 인가될 수 있다.

도 4에서 도시된 회도도는 본 발명의 일 실시예일뿐이며, 본 발명에 따른 방전가공 전자회로에서는 RLC 진동회로는 직렬회로가 아닌 병렬회로로도 구성되거나, 또한 간극전압(Vgab)은 스위치 오프일 때 포지티브가 아니라 네거티브가 되고 스위치 온일 때 네거티브가 아니라 포지티브가 되도록 구성될 수 있는 등 다양한 변환이 가능하다.

도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공 전자회로를 사용하여 방전가공을 수행하였을 때 실제로 나타나는 간극전압 및 간극전류의 파형을 도시하는 그래프이다. 도 9는 도 8의 일부를 확대하여 방전가공의 진행되는 단계를 확인할 수 있는 그래프이다.

본 발명의 일 실시예에서는, R1 = 17 Ω, R2 = 4.7 Ω, L = 4.5 μH and C = 390 pF이고, 주파수(Frequency) = 1 MHz, 펄스주기(Period) = 1 μs, 펄스폭(Pulse width) = 200 ns의 값을 가진다. 여기서 펄스폭은 스위치 오프 시간과 같고, 펄스주기는 스위치 오프 시간과 스위치 온 시간을 더한 값과 같다.

도 8에서는, 펄스주기마다 방전(Discharge)이 발생하여 가공이 진행되고 있는 것을 볼 수 있다. 도 9에서는, 펄스폭(τ_i), 즉 스위치 오프 시간 동안 일어나는 현상을 분석할 수 있다. τ_d 시간 동안 점화가 지연되면서 간극전압(Vgab)이 상승하며 방전이 발생할 수 있는 조건에 도달하고, τ_e 시간 동안 방전이 발생하면서 간극에 간극전류(Igab)가 흐르며 가공이 진행되며, τ_r 시간 동안은 간극전압(Vgab)과 간극전류(Igab)가 모두 0으로 수렴해 간다.

도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 방전가공에 따라 절연액으로써 탈이온수를 사용하여 초경합금에 대하여 방전가공을 수행한 결과물을 보여주는 사진이다. 여기서 가공조건은 도 8과 도 9에서 설명한 조건과 같다. 수십 μm 크기의 구멍이 깨끗하게 가공되고 전해부식도 일어나지 않은 것을 확인할 수 있다.

나아가 본 발명에 따른 방전가공 전자회로는 2 개의 DC 전원과 하나의 스위치 및 RLC 소자만으로 용이하게 고주파 바이폴라 펄스를 간극에 인가시킬 수 있다. 특히 하나의 스위치만으로 2 개의 전원을 1 개의 스위치로 제어하게 되므로 따로 주파수를 동기화하는 과정이 필요 없이 회로가 구성된다. 또한 위와 같이 간단하게 부피와 무게가 덜 나아는 전자회로를 구성할 수 있으므로 경제적이다.

이상 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하였으나, 이는 예시에 불과한 것으로서, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 명세서에 개시된 기초 사상에 따르는 최광의 범위를 갖는 것으로 해석되어야 한다. 당업자는 각 구성요소의 재질, 크기 등을 적용 분야에 따라 변경할 수 있으며, 개시된 실시형태들을 조합 또는 치환하여 적시되지 않은 형상의 패턴을 실시할 수 있으나, 이 역시 본 발명의 범위를 벗어나지 않는 것이다. 이 외에도 당업자는 본 명세서에 기초하여 개시된 실시형태를 용이하게 변경 또는 변형할 수 있으며, 이러한 변경 또는 변형도 본 발명의 권리범위에 포함되는 것은 명백하다.

W: 공작물 전극 T: 공구 전극
B: 가공조 D: 절연액
P: 방전가공 전자회로 S: 스위치
V1: 제1 전원 V2: 제2 전원
R1: 제1 저항 R2: 제2 저항
L: 인덕터 C: 커패시터
Vgab: 간극전압 Igab: 간극전류

Claims

공작물이 연결되는 공작물 전극과,
상기 공작물과의 사이에 간극을 형성하고 상기 공작물을 방전가공하기 위한 공구가 연결되는 공구 전극과,
제1 전압을 공급하는 제1 전원과,
상기 제1 전원과 다른 지로에 형성되어 제2 전압을 공급하는 제2 전원과,
상기 제1 전압 및 제2 전압 사용하여 상기 간극에 고주파 바이폴라 펄스 형태의 간극전압을 발생시키는 스위치를 포함하는
방전가공 전자회로.
제1항에 있어서,
상기 간극전압은 포지티브 전압과 상기 포지티브 전압보다 펄스크기는 더 작고 펄스폭은 더 큰 네거티브 전압이 교대로 나타나도록 구성되는 방전가공 전자회로.
제2항에 있어서,
상기 간극전압은 바이폴라 펄스의 평균 전압이 0 V 근처가 되도록 구성되는 방전가공 전자회로.
제1항에 있어서,
상기 간극전압은 스위치 오프 상태에서 포지티브 전압이 나타나고 스위치 온 상태에서 네거티브 전압이 나타나도록 구성되는 방전가공 전자회로.
제1항에 있어서,
상기 제1 전압 및 제2 전압은 DC 형태이고 상기 스위치는 하나인 방전가공 전자회로.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
스위치 온 상태에서 상기 간극전압이 상기 제2 전압과 같도록 구성되는 방전가공 전자회로.
제6항에 있어서,
스위치 온 상태에서 상기 제2 전압 및 상기 간극과 병렬로 연결되는 커패시터를 포함하는 방전가공 전자회로.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
스위치 오프 상태에서 상기 간극전압이 상기 제1 전압보다 크도록 구성되는 방전가공 전자회로.
제8항에 있어서,
스위치 오프 상태에서 언더댐핑 조건의 RLC 진동 회로로 구성되는 저항과 인덕터와 커패시터를 포함하는 방전가공 전자회로.
제9항에 있어서,
상기 스위치는 상기 RLC 진동 회로의 진동주기의 절반 크기만큼의 스위치 온 시간을 가지는 방전가공 전자회로.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 바이폴라 펄스의 주파수는 0.1 MHz 이상인 방전가공 전자회로.
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방전가공 전자회로가 제공되는 방전가공 장치.
제12항의 방전가공 장치를 사용하여 수행되는 방전가공 방법.
제13항에 있어서,
상기 공작물은 초경합금인 방전가공 방법.
제13항에 있어서,
절연액으로써 탈이온수 또는 물을 사용하여 수행되는 방전가공 방법.