WO2008016189A1 - Flow control using mass flow controller - Google Patents

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Takao Goto
Makoto Tanaka
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Hitachi Metals, Ltd.
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Definitions

  • the opening and closing of the plurality of valves is controlled so that gas flows into a mass flow meter having an optimum flow rate range from the plurality of mass flow meters.
  • the actual flow rate of the gas used is calculated based on the conversion factor.
  • mass flow controller manufacturers adjust each mass flow controller so that the linearity of the actual flow rate with respect to the flow rate setting signal is within the reference value, for example, using nitrogen gas as the calibration gas in the initial state before shipment. Is called.
  • the physical properties of the gas differ between the nitrogen gas used for the adjustment and the actual gas used in the semiconductor manufacturing equipment (eg, argon) at the shipping destination.
  • one aspect of the present invention can also be realized as an aspect of a flow rate control device for controlling the flow rate of gas flowing through a flow path as follows.
  • This flow control device A flow rate detection unit that detects a mass flow rate of the gas flowing through the flow path as a detection flow rate; a flow rate change unit that controls the flow rate of the gas flowing through the flow path;
  • the flow rate control device uses the flow rate control device and referring to the control data, the control parameter determined based on at least one of the target flow rate and the detected flow rate among the plurality of control parameters; Based on the target flow rate and the detected flow rate, the flow rate of the gas flowing through the flow path is controlled.
  • the flow rate control device can be used to perform highly accurate flow rate control according to the type of gas to be flow controlled.
  • the following treatment is preferably performed.
  • the reference target flow rate is input to the reference flow rate control device.
  • a corrected detected flow rate is generated based on a control parameter determined based on at least one of the detected flow rate and the target flow rate among the plurality of control parameters, and the detected flow rate.
  • FIG. 6 is a diagram showing a classification example of the flow rate range of the present invention.
  • FIG. 15 is a characteristic diagram showing the control accuracy with respect to the full-scale flow rate according to the embodiment of the present invention.
  • a flow range of about 2,001 or more The flow control can be corrected based on actual gas data.
  • a mass flow controller with a Nol O flow range can be used to achieve a high-precision flow rate over a full-scale flow rate of approximately 2,001 to 5,000 [SCCM].
  • SCCM full-scale flow rate
  • the specification can be converted into a mass flow controller capable of performing control.
  • the user Before actually using the mass flow controller, the user connects a personal computer PC to the mass flow controller via a data communication line (RS-232C, RS-485, etc.) as shown in Fig. 5 (step in Fig. 4 ( 6)).
  • step (7) On the personal computer PC, select the gas to be actually used and the full-scale flow rate to be used from the choices displayed on the display 3 3 0 via input devices such as a mouse and keyboard 3 4 0. ( Figure 4—Step (7)).
  • the calibration gas characteristic data stored in step (2) is read from the control circuit of the mass flow controller to the personal computer PC (step (8) in FIG. 4).
  • the storage medium conversion software obtained in step (4) is incorporated into the PC, and the actual gas characteristic data of the gas type selected above is read from the storage medium ( Figure 4—step (9)).
  • the full-scale flow to be converted is calculated from the actual gas characteristic data (Fig. 4, one step (10)).
  • the horizontal axis in FIG. 8 represents the magnitude of the flow rate setting signal S0.
  • the vertical axis represents the actual calibration gas flow rate (measured value) fm 0 at each value of the flow rate setting signal S 0.
  • Figure 8 is basically the same graph as Figure 3A.
  • the gas that flows in the fluid passage 4 when obtaining the calibration gas characteristic data DP m shown in FIG. 8 is nitrogen gas (N 2 ) as the calibration gas.
  • the flow rate of the gas flowing in the fluid passage 4 is measured by a flow rate measuring device installed downstream of the mass flow rate control device MFC 0 in the embodiment.
  • Fig. 9 is a graph showing actual gas characteristic data DPg.
  • the horizontal axis in Fig. 9 represents the magnitude of the flow rate setting signal S0.
  • the vertical axis represents the actual measured flow rate fm 1 of the actual gas at each value of the flow rate setting signal S 0.
  • the actual gas is sulfur hexafluoride (SF 6 ).
  • the actual gas characteristic data DPg shown in FIG. 9 was ideally adjusted by using nitrogen gas (N 2 ) as a calibration gas instead of the mass flow control device M FC 0 of this embodiment.
  • the standard mass flow controller M FC i is used.
  • the correction unit ⁇ 8 1 of the mass flow controller MFC i ideally corrects the flow rate setting signal S 0 with respect to nitrogen gas (N 2 ). And output as a corrected flow rate setting signal S 0 a.
  • the gas that flows through the fluid passage 4 when obtaining the actual gas characteristic data DPg shown in FIG. 9 is sulfur hexafluoride (SF 6 ) as the actual gas.
  • the flow rate of the gas flowing in the fluid passage 4 is measured by a flow rate measuring device attached downstream of the mass flow rate control device MFCi. Each value of the flow rate is measured after the control by the control circuit 180 becomes stable.
  • SF 6 sulfur hexafluoride
  • curve C 1 is a graph representing actual gas characteristic data DP g in the reference mass flow controller M FC i.
  • the straight line CI g is a graph representing actual gas characteristic data in the mass flow controller MFCig having ideal characteristics with respect to sulfur hexafluoride (SF 6 ) as the actual gas.
  • the actual flow rate fm 1 in the mass flow controller M FC i is, for example, more than the ideal value fi 1 when the flow rate setting signal S 0 is S 0. 1 less fml 1 by 1.
  • the actual flow rate fm 1 is fm 1 2 which is smaller than the ideal value f ⁇ 2 by ⁇ f 12.
  • FIG. 12 is a graph showing the characteristics of control flow rate correction data DP c 1 r (see control flow rate correction data DP c 1 in FIG. 7) in the second embodiment.
  • the horizontal axis in Fig. 12 represents the magnitude of the flow rate setting signal S0.
  • the vertical axis represents the flow rate fa of the gas in the fluid passage 4 at each value of the flow rate setting signal S 0 and the corrected flow rate setting signal SO a corresponding to the flow rate setting signal S 0.
  • the curves C c and CI c in Fig. 12 are the same as the curves C c and CI c in Fig. 10, respectively. That is, the curve C c is a graph showing the flow rate of the actual gas in the mass flow controller MFC 0 of the embodiment.
  • the flow rate setting signal SO 2 is converted into a corrected flow rate setting signal SO a 2
  • the flow rate setting signal SO 3 is converted into a corrected flow rate setting signal S 0 a 3 .
  • the control means 1 8 refers to the control flow rate correction data DP c 1 r and uses the correction flow rate setting signal S 0 a as a control parameter to control the control valve 2 7 via the valve drive circuit 2 8. To do.
  • FIG. 14 is a graph showing the characteristics of the control flow rate correction data DP c 2 in the third embodiment.
  • the horizontal axis in FIG. 14 represents the magnitude of the flow rate setting signal S 0 and the flow rate signal S 1 when correction is not performed.
  • the vertical axis represents the flow rate fc of the gas in the fluid passage 4 at each value of the flow rate signal S 1 when correction is not performed, and the corrected flow rate signal S 1 a corresponding to the flow rate signal S 1.
  • the curves C c and CI c in Fig. 14 are the same as the curves C c and CI c in Fig. 10, respectively. That is, the curve C c is a graph showing the assumed flow rate of the actual gas when the correction in the mass flow controller MFC 0 of the embodiment is not performed. on the other hand, The straight line CI c is a graph showing the flow rate in the mass flow controller MFC 0 of the present embodiment when it is assumed that the actual gas is ideally corrected.
  • the measured values of the calibration gas characteristic data DP m and the actual gas characteristic data DP g are respectively set to the flow rate setting signal S 0 after the control by the control circuit 180 becomes stable. Measured after the difference between the sensor output signal S1 falls below the specified value.
  • the measurement value for each value of the flow rate setting signal S 0 (the correction by the control flow rate correction data is not performed during measurement) can be regarded as the measurement value for each value of the sensor output signal S 1.
  • the actual actual gas flow rate is assumed to be fc 2 instead of fi 2 (See vertical axis in Figure 14). Therefore, when the correction unit 1 8 2 of the third embodiment performs correction, when the sensor output signal S 1 2 is output from the flow sensor 8, the corrected flow rate signal SI a 2 corresponding to the flow rate fc 2 is It only needs to be output to the control circuit 180 (see the vertical axis in Fig. 14).
  • FIG. 15 shows the control accuracy for a predetermined (arbitrary) full-scale flow rate when the correction according to the first embodiment of the present invention is performed and when the correction is not performed.
  • the horizontal axis is the ratio of the flow rate setting signal S 0 to 5 V. In the example of Fig. 15, when 100%, that is, S 0 is 5 V, the target flow rate is 200 [c cm].
  • the vertical axis in Figure 15 is% Full Scale. In other words, the vertical axis in Fig. 15 shows the deviation of the measured flow rate from the target flow rate as a percentage of the full scale of 200 [ccm].
  • Graph d in Fig. 15 shows the accuracy when nitrogen (N 2 ) is passed without any correction.
  • control parameters of the control flow rate correction data values that cannot be obtained by calculation based on the flow rates actually measured when the calibration gas property data DPm and the actual gas property data DPg are generated. Is obtained by interpolation calculation. But those values can be obtained in other ways. For example, curves representing the characteristics of control flow correction data (see Csa in Fig. 11, C sar in Fig. 12 and C c in Fig. 14) are obtained from Bezier curves and spline curves and obtained from these measured values. Can be obtained. Various interpolation operations can also be used when using interpolation operations. Furthermore, these calculations may be performed when the actual gas is controlled.

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Description

明細書
質量流量制御装置を使用した流量制御 技術分野
本発明は、 ガス等の比較的小流量の流体の質量流量を計測する質量流量制御 装置における流量制御に関する。 背景技術 一般に、 半導体集積回路等の半導体製品等を製造するためには、 種々の半導 体製造装置において、 半導体ウェハ等に対して、 例えば C V D成膜やエツチン グ操作等が繰り返し行われる。 この場合に微量のプロセスガスの供給量を精度 良く制御する必要から、 例えばマスフローコントローラのような質量流量制御 装置が用いられている。 以下、 本明細書ではマスフローコントローラを例に説 明する。 この種の半導体製造装置にあっては、 複数種類のプロセスガスについて、 微 少流量から大流量に亘つて処理を行う。 このため、 この種の半導体製造装置に おいては、それぞれの半導体製造装置において使用するガスに適した、そして、 それぞれの半導体製造装置における使用流量レンジに適した質量流量制御装置 を用いることが望ましい。 また、流量設定信号が示す質量流量(以下、 単に「流 量」と言うことがある。)に対して実際に流量制御弁で制御されて流れる流量(以 下、 「実流量」 と言うことがある。) が精度良く一致することが望ましい。 この ため、 流量設定信号と実ガス流量の関係を校正することが望ましい。 そこで、 ある従来技術では、 複数のガスが流入されるチャンバと、 複数のガ スに対応して設けられる複数のマスフローコントローラと、 複数のガスの流量 を計測するマスフローメータと、 複数のガスの流れを制御する複数のバルブと を備えた半導体製造装置において、 以下のような処理が行われる。 すなわち、 半導体製造装置の稼動時においては複数のガスが前記チャンバに直接流入され るように前記複数のバルブの開閉を制御する。 他方、 マスフローコントローラ の検査時においては、 検査対象のマスフローコントローラに設定される流量お よびコンバージョンファクタに基づいてガスの実流量を計算する。 そして、 複 数のマスフローメータの中から最適な流量レンジを有するマスフローメータに ガスが流入されるように前記複数のバルブの開閉を制御する。 上記従来技術の半導体製造装置では、 コンバージョンファクタに基づいて使 用ガスの実流量を計算する。 通常、 マスフローコントローラのメーカにおいて は、 出荷前の初期状態において、 マスフローコントローラ毎に、 例えば窒素ガ スを校正ガスとして、 流量設定信号に対する実流量の直線性が基準値内になる ように調整が行われる。 しかしながら、 調整に使用された窒素ガスと、 実際に 出荷先で半導体製造装置において使用される実使用ガス (例えばアルゴン) と では、 ガスの物性が異なる。 このため、 窒素ガスを校正ガスとして調整したマ スフローコントローラを出荷先の半導体製造装置においてそのまま使用した場 合には、 窒素ガスと同じ精度の直線性は得られないという問題がある。 このため、 上記従来技術のようにガス種ごとに予め定められた 1つのコンパ 一ジョンファクタを用いて補正することが行われる。 しかし、 出荷先の半導体 製造装置において実際に実使用ガス (以下、 「実ガス」 と言うことがある。) を 流した場合は、 コンバージョンファクタでは補いきれないずれが生じることが ある。 また、 微少流量から大流量までフルスケール流量の幅が大きい場合、 所 定の流量レンジ内で適用できるマスフローコントローラであっても 1 0 0 %フ ルスケール流量と 1 0 %フルスケール流量では制御の精度にずれが生じること が多い。 このような場合も 1つのコンバージョンファクタだけで一様に補正で きるものではなかった。 ここで、 1つの流量領域の流量レンジに合わせて調整されたマスフローコン 卜ローラに対して 1種類のガスを流すような専用機器的な使い方をし、 かつ、 予め実ガスを用いた校正 (流量センサの出力特性の調整) を行えば、 その後の 実ガスでの流量制御は精度の良いものとなる。 しかし、 このように 1機種 1ガ ス対応の使用には無駄がある。 実際、 実ガスの種類と流量レンジの数を考慮す ると 2 0 0種類以上のマスフローコントローラが必要になる。 よって、 製造者 側の対応も難しいが、 ユーザ側でもこれだけの機種を在庫管理することは困難 である。 本発明は、 上記の問題点の少なくとも一部を取り扱うためのものであり、 流 量制御装置において高精度な流量制御を行うことを目的とする。 なお、 日本国特許出願、 特願 2 0 0 6— 2 1 2 2 2 6号の開示内容は、 参考 のために、 この明細書に組み込まれる。 発明の開示 本発明の一態様としての質量流量制御装置の流量制御補正方法においては、 以下のような処理が行われる。 流路に流れるガス体の質量流量を検出して流量 信号を出力する質量流量検出手段と、 バルブ駆動信号により弁開度を変えるこ とによって質量流量を制御する流量制御弁機構と、 外部から入力される流量設 定信号と前記流量信号とに基づいて前記流量制御弁機構を制御する制御手段と を設けてなる質量流量制御装置において、 以下のような処理が行われる。 すな わち、 前記質量流量制御装置の初期状態において、 校正ガスを用いて前記外部 から入力される流量設定信号に対する実流量を計測した校正ガス特性データを 求め、 この校正ガス特性データを前記制御手段に記憶する。 一方、 複数種類の 実ガス毎に前記外部から入力される流量設定信号に対する実流量を計測した実 ガス特性データを求め、この実ガス特性データを記憶媒体に保存する。その後、 前記質量流量制御装置を稼働する前に、 実際に使用する実使用ガスの実ガス特 性データを前記記憶媒体からコンピュータを介して読み出す。 また、 前記質量 流量制御装置の制御手段に記憶した校正ガス特性データを読み出す。 そして、 前記実ガス特性データを元に前記校正ガス特性データを制御流量補正データに 変換し、 前記制御流量補正データを前記制御手段に書き込む。 この制御流量補 正データを基に実ガス流量を補正する。 例えば、 以下のような態様を採用することができる。 初期状態の質量流量制 御装置 (マスフローコントローラ) に対して、 通常、 校正ガスとして使用され るガス (例えば窒素ガス) を用いて流量設定信号に対する実流量を計測した校 正ガス特性データを求め、これをマスフローコントローラに記憶させる。即ち、 流量センサの出力特性を測定し記憶する。 一方で、 複数種類ある実使用ガス毎 に、 流量設定信号に対する実流量を計測した実ガス特性データを求め、 これを パーソナルコンピュータ (P C ) や C D— R O M等の記憶媒体に保存する。 こ の記憶媒体がいわゆる変換ソフトとしてユーザに提供される。 ユーザはマスフローコントローラを稼働する際に、 パーソナルコンピュータ ( P C ) とマスフローコントローラを接続し、 上記記憶媒体 (変換ソフト) の 実ガス特性データの中からこれから使用する実ガスの実ガス特性データを選択 し、 このガスの特性データを読み出す。 また、 マスフローコントローラ側に記 憶しておいた校正ガス特性データを読み出して、 これと前記実ガス特性データ とを対比 ·演算し、 校正ガス特性データを実ガス出力特性に合わせて仕様変更 する。 この処理は、 前記流量センサの出力特性 (校正ガス特性データ) に補正 を加えて、 実ガスを流したとき直線性精度が向上するような実ガス出力特性に 合わせて仕様変更する処理である。 この仕様変更したデータが制御流量補正デ —夕である。 この制御流量補正データをマスフローコントローラ側の制御手段 に書き込み、 マスフローコントローラに新たに記憶させる。 以後、 このマスフ 口一コントローラは、 実ガス出力特性に合わせて変換された制御流量補正デー 夕に基づき流量制御を行う。 また、 本発明の質量流量制御装置の流量制御補正方法は、 以下のような態様 を採用することもできる。 すなわち、 前記実ガス特性データを、 所定の流量レ ンジ毎に求めて前記記憶媒体に保存する。 そして、 実際に稼働する質量流量制 御装置のフルスケール流量に合わせて実ガス特性データを選択し、 使用される 流量レンジのフルスケール流量を補正する。 このような態様とすれば、 例えば ハードウェアとしてはフルスケールが幅広く大流量まで使用可能なマスフロー コントローラのために、 例えば中流量レンジの実ガス特性データに基づき制御 流量補正データを生成する。 そして、 これを前記マスフ口一コントローラに適 用し、 中流量レンジがフルスケール流量のマスフローコントローラに変更する ことが出来る。 よって、 実際に制御するフルスケール流量に見合うマスフロー コントローラを持ち合わせていない場合でも、 フルスケール流量を仕様変更し て、 必要とする流量レンジについて高精度な流量制御が可能となる。 尚、 上記した質量流量検出手段 (流量センサ) としては、 例えば、 以下のよ うな熱式流量センサを採用することができる。 この熱式流量センサは、 センサ 流路の上流側と下流側に巻回しされた電熱線を有する。 それらの電熱線は、 プ リッジ回路を構成する。 この熱式流量センサにおいては、 センサ流路内をガス が流れることによって生じる不平衡電圧を検出することにより、 センサ流路内 を流れるガスの流量を演算することができる。 なお、 オリフィス上流側のガスの圧力 P 1 とオリフィス下流側のガスの圧力 P 2を臨界条件下 (音速領域) に保持した状態で、 オリフィスを流通するガス の流量を、 補正を加えて演算するようにした圧力式流量センサ等を用いること も出来る。 また、 流量制御弁機構は例えば積層型圧電素子を用いたピエゾァクチユエ一 夕を用いることができる。 本発明の一態様としての質量流量制御装置の流量制御補正方法によれば、 1 台のマスフローコントローラを、 複数種類の実使用ガスと複数の流量レンジに 精度良く対応したマスフローコントローラに仕様変更できる。 このため、 次の ように優れた作用効果を発揮することができる。
( 1 ) 流量センサは、 実際に使用する実使用ガスの出力特性に合致して直線性 が向上している。 このため、 高精度な流量制御ができる。
( 2 ) ユーザ側で、 実使用ガスの種類や流量レンジを適宜変更することが出来 る。 このため、 予備マスフ口一コントローラの在庫を削減することが出来る。
( 3 ) メーカ側にとっては、 製品アイテム数を必要最小限に押さえることがで きる。 このため、 在庫管理や納期短縮に寄与できる。 なお、 本発明の一態様は、 以下のような、 流路を流れるガスの流量を制御す るための流量制御装置の態様として実現することもできる。 この流量制御装置 は、 流路を流れるガスの質量流量を検出流量として検出する流量検出部と、 前記流路を流れるガスの流量を制御する流量変更部と、
前記流路を流れるガスの質量流量の目標値である目標流量と、 前記検出流量 と、に基づいて前記流量変更部をフィードバック制御する制御部と、を備える。 前記制御部は、 前記流路を流れるガスの種類に応じて準備される制御データ であって、 互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられた複数の制御パラメ —タを含む制御データを参照しつつ、 前記複数の制御パラメータのうち前記目 標流量と前記検出流量との少なくとも一方に基づいて決定される制御パラメ一 タを使用して前記流量変更部を制御する。 このような態様とすれば、 流量制御装置が制御するガスに応じて、 様々な流 量において高精度な流量制御を行うことができる。 なお、 「質量流量に対応づけられる」とは、制御パラメータが直接的に質量流 量に対応づけられている態様のほか、 他のパラメータ (たとえば、 質量流量に 対応する信号など) を介して間接的に質量流量に対応づけられている場合も含 む。 また、 制御パラメータは、 制御部が流量変更部を制御する際に、 直接使用さ れることができる。 一方、 制御部と流量変更部との間に他の構成が介在し、 制 御部がその構成を介して流量変更部を制御する態様においては、 制御パラメ一 タは、 制御部が、 その間に介在する構成を制御することによって流量変更部を 制御するために使用されてもよい。 すなわち、 制御パラメータは、 流量変更部 の制御において任意の形で使用されることができる。 なお、 前記流量検出部は、 前記流路を流れるガスの少なくとも一部によって 移動される熱量に基づいて、 前記ガスの質量流量を検出する態様とすることが できる。 また、 前記流量検出部は、 前記流路内の異なる位置における前記ガスの圧力 に基づいて、 前記ガスの質量流量を検出する態様とすることもできる。 なお、 前記制御データは、 個々の前記流量制御装置に応じて準備されたデー 夕であることが好ましい。 このような態様とすれば、 流量制御装置の個体差を 考慮して、 高精度な流量制御を行うことができる。 また、 流量制御装置は、 前記制御データを生成する制御データ生成部を備え ることができる。 この前記制御データ生成部は、 第 1 と第 2の特性データと、 を参照しつつ、 前記第 1および第 2の特性パラメータに基づいて前記制御パラ メータを生成することによって、 前記制御データを生成することが好ましい。 なお、 第 1の特性データは、 互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられ た複数の第 1の特性パラメータであって、 基準となる所定のガスの使用を前提 とした前記個々の流量制御装置の特性を反映した複数の第 1の特性パラメータ を含む特性データである。 そして、 第 2の特性データは、 互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけら れた複数の第 2の特性パラメ一夕であって、 前記流量制御装置の基準の特性を 前提とした前記ガスの種類の特性を反映した複数の第 2の特性パラメータを含 む特性デ一夕である。 なお、 ガスの種類の特性は、 ガスの物質としての特性で あってよい。 このような態様とすれば、 個々の流量制御装置の特性 (たとえば、 製造誤差 や経時変化など) と、 ガスの種類の特性 (ガスが物質として有する特性) とを 独立に考慮して、 制御データを生成することができる。 よって、 同型であって 別の固体の流量制御装置について、 同じ第 2の特性データを適用することがで きる。 なお、 各特性データは、 外部から供給されてもいいし、 流量制御装置が 保持していてもよい。 なお、 前記第 2の特性データは、 以下のような複数のデータの中から、 前記 流路を流れるガスの種類に応じて選択されたデータであることが好ましい。 す なわち、 その複数のデータとは、 前記第 2の特性データの候補であり、 複数の 前記第 2の特性パラメータをそれぞれが格納する複数のデータであつて、 互い に異なる種類の前記ガスの特性を反映した複数のデータである。 このような態様とすれば、 流量制御装置が制御するガスの種類 (物質) に応 じて適切に第 2の特性パラメータを選択することで、 さまざまな種類のガスを 高精度に制御できるように、 流量制御装置を設定することができる。 また、 前記第 2の特性データは、 以下のような複数のデータの中から、 前記 流路を流れるガスの流量に応じて選択されたデータであることも好ましい。 す なわち、 その複数のデータとは、 前記第 2の特性データの候補であり、 複数の 前記第 2の特性パラメータをそれぞれが格納する複数のデータであって、 それ ぞれが格納する前記第 2の特性パラメータの質量流量の範囲が互いに異なる複 数のデータである。 このような態様とすれば、 流量制御装置が制御するガスの流量レンジに応じ て適切に第 2の特性パラメータを選択することで、 さまざまな流量レンジにつ いてガスを高精度に制御できるように、流量制御装置を設定することができる。 なお、 流量制御装置は、
前記第 1の特性データを格納する第 1の記憶部と、
前記第 2の特性データを格納する第 2の記憶部であって、 前記第 1の記憶部 よリも交換またはデータの書き換えが容易である第 2の記憶部と、 を備えるこ とが好ましい。 このような態様とすれば、 流量制御装置が制御するガスの種類や流量レンジ に応じて、 適宜、 第 2の特性データを格納した記憶部を交換でき、 または、 第 2の記憶部に格納された第 2の特性データを書き換えることができる。 なお、 前記制御部は、 前記複数の制御パラメータのうち前記検出流量と前記 目標流量の少なくとも一方に基づいて決定される制御パラメータと、 前記目標 流量と、 に基づいて修正目標流量を生成し、 前記修正目標流量と、 前記検出流 量と、 に基づいて前記流量変更部を制御する態様とすることができる。 なお、 制御パラメータは、 前記複数の制御パラメ一夕のうち検出流量が表す質量流量 と前記目標流量の質量流量の少なくとも一方に基づいて決定されるものとする ことができる。 また、 前記制御部は、 前記複数の制御パラメータのうち前記検出流量と前記 目標流量の少なくとも一方に基づいて決定される制御パラメータと、 前記検出 流量と、 に基づいて修正検出流量を生成し、 前記目標流量と、 前記修正検出流 量と、 に基づいて前記流量変更部を制御する態様とすることができる。 また、 本発明の一態様は、 流路を流れるガスの流量を制御する方法として実 現することもできる。 この方法においては、 以下の処理が行われる。 なお、 以 下で説明する各処理は、 他の工程の結果を利用する工程でない限り、 順序を入 れ替えて実施することができる。
( a ) 流路を流れるガスの質量流量の目標値である目標流量と、 前記流路を流 れるガスの検出された質量流量である検出流量と、 に基づいて前記流路を流れ るガスの流量をフィードバック制御する流量制御装置を準備する。
( b ) 互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられた複数の制御パラメータ を含む制御データを、 前記流路を流れる前記ガスの種類に応じて準備する。
( c ) 前記流量制御装置を使用して、 前記制御データを参照しつつ、 前記複数 の制御パラメータのうち前記目標流量と前記検出流量との少なくとも一方に基 づいて決定される制御パラメータと、 前記目標流量と、 前記検出流量と、 に基 づいて前記流路を流れるガスの流量を制御する。 このような態様としても、 流量制御装置を使用して、 流量制御するガスの種 類に応じた高精度な流量制御を行うことができる。 なお、 前記工程 (b ) においては、 以下の処理を行うことが好ましい。
( b 1 ) 互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられた複数の第 1の特性パ ラメータであって、 所定の基準ガスの使用を前提とした前記準備した流量制御 装置の特性を反映した複数の第 1の特性パラメータを含む第 1の特性データを 準備する。 なお、 基準ガスは、 任意のガスとすることができる。
( b 2 ) 互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられた複数の第 2の特性パ ラメータであって、 前記流量制御装置の基準の特性を前提とした前記ガスの種 類に応じた特性 (物性) を反映した複数の第 2の特性パラメータを含む第 2の 特性データを準備する。
(b 3) 前記第〗および第 2の特性データを参照しつつ、 前記第 1および第 2 の特性パラメータに基づいて前記制御パラメータを生成することによって、 前 記制御データを生成する。 このような態様とすれば、 流量制御装置の特性を反映した第 1の特性データ と、 ガスの特性を反映した第 2の特性データと、 の別個の二つのデータに基づ いて、 流量制御装置の特性とガスの特性を反映させた制御データを生成するこ とができる。 そして、 同型の異なる固体の流量制御装置については、 同じ第 2 の特性データを使用することができる。 なお、 その際、 第 1の特性データは、 各流量制御装置に応じて用意され、 各流量制御装置の特性を反映したデータと することが好ましい。 なお、 前記工程 (b l ) においては、 以下の処理を行うことが好ましい。
(b 4) 前記流量制御装置に前記目標流量を入力する。
(b 5) 前記流路内に前記基準ガスを流通させ、 前記流量制御装置に、 前記制 御パラメータを使用せずに前記基準ガスの流量を制御させる。
(b 6) 上記の (b 5) の最中に、 前記検出流量を得る。
(b 7) 前記入力した目標流量と、 前記得られた検出流量と、 に基づいて、 前 記第 1の特性パラメータを生成する。
(b 8) 異なる前記目標流量について前記工程 (b 4) から (b 7) を繰り返 すことによって、 前記複数の第 1の特性パラメータを生成する。 このような態様とすれば、 基準ガスの使用を前提とした流量制御装置の特性 を反映した第 1の特性データを生成することができる。 また、 前記工程 (b 2) においては、 以下の処理を行うことが好ましい。
(b 9) 基準流路を流れるガスの質量流量の目標値である基準目標流量と、 前 記基準流路を流れる前記ガスの検出された質量流量である基準検出流量と、 に 基づいて前記基準流路を流れるガスの流量をフィードバック制御する基準流量 制御装置を準備する。
(b 1 0) 前記基準流量制御装置に前記基準目標流量を入力する。
(b l l ) 前記基準流路内に前記基準ガスとは異なるガスを流通させ、 前記基 準流量制御装置に前記ガスの流量を制御させる。
(b 1 2) 前記 (b 1 1 ) の最中に、 前記基準検出流量を得る。
(b 1 3) 前記入力した基準目標流量と、 前記得られた基準検出流量と、 に基 づいて、 前記第 2の特性パラメータを生成する。
(b 1 4)異なる前記基準目標流量について前記工程 (b 1 0) から (b 1 3) を繰り返すことによって、 前記複数の第 2の特性パラメータを生成する。 このような態様とすれば、 基準流量制御装置の特性を前提としたガスの特性 を反映した第 2の特性データを生成することができる。 前記工程 (b 2) においては、 さらに、 以下の処理を行うことが好ましい。
(b 1 5) 前記工程 (b 1 0) から (b〗 4) の前に、 前記基準流量制御装置 について前記工程 (b 1 ) を実行して、 前記基準流量制御装置に関する前記第 1の特性データを準備する。 そして、 前記工程 (b 1 1 ) においては、 さらに、 以下の処理を行うことが 好ましい。 前記基準流量制御装置に、 前記基準流量制御装置に関する前記第 1 の特性パラメータを使用して、 前記ガスの流量を制御させる。 このような態様とすれば、 前記基準流量制御装置の個体差 (製造誤差など) に起因するずれの影響を少なくした第 2の特性データを生成することができる。 なお、 基準流量制御装置に関する第 1の特性パラメータを使用せずに、 前記 工程 (b 1 1 ) を実施して第 2の特性パラメータを生成することもできる。 そ のような態様においては、 工程 (a) で準備する流量制御装置よりも設計値に 近い好ましい特性を有する基準流量制御装置を準備することが好ましい。 また、 前記工程 (b 2) においては、 以下のような処理を行うことが好まし い。
(b 1 6)複数種類のガスについて前記工程(b 1 4)を実行することにより、 前記複数種類のガスに関する複数の前記第 2の特性データを生成する。 そして、工程(b 3)においては、以下のような処理を行うことが好ましい。
(b 1 7) 前記工程 (a) で準備した前記流量制御装置が制御するガスの種類 に応じて、 前記複数の第 2の特性データの中から一部の第 2の特性データを、 前記参照すべき第 2の特性データとして選択する。なお、 「流量制御装置が制御 するガス」 とは、 流量制御装置のユーザが流量制御装置を使用して製品を製造 する際に流量制御装置に流量を制御させるガスである。 このような態様とすれば、 流量制御装置が実際に流量制御を行うガスについ て高精度な制御が行えるように、 流量制御装置を設定することができる。 なお、 前記工程 (b 2) においては、 さらに、 以下のような処理を行うこと が好ましい。
(b 1 8) 前記工程 (b 1 4) で生成した複数の第 2の特性パラメータの一部 をそれぞれ含む複数の前記第 2の特性データであって、 それぞれが含む前記第 2の特性パラメータを生成する際の前記基準目標流量の範囲が互いに異なる複 数の前記第 2の特性データを生成する。 そして、 前記工程 (b 3 ) においては、 さらに、 以下のような処理を行うこ とが好ましい。
( b 1 9 ) 前記工程 (a ) で準備した前記流量制御装置が制御するガスの流量 の範囲に応じて、 前記複数の第 2の特性データの中から一部の第 2の特性デー 夕を、 前記参照すべき第 2の特性データとして選択する。 このような態様とすれば、 様々な種類の流量レンジについて高精度な流量制 御が行えるように、 流量制御装置を設定することができる。 なお、 前記工程 (b 1 ) においては、 以下のような処理を行うことが好まし い。 すなわち、 前記第 1の特性データを前記工程 (a ) で準備した前記流量制 御装置の第 1の記憶部に格納する。 また、 前記工程 (b 2 ) においては、 さら に、 以下のような処理を行うことが好ましい。 すなわち、 前記第 2の特性デー 夕を前記第 1の記憶部よリも交換またはデータの書き換えが容易である第 2の 記憶部に格納する。 そして、 前記工程 (b 3 ) においては、 さらに、 以下のよ うな処理を行うことが好ましい。 すなわち、 前記第 1の記憶部から前記第 1の 特性データを読み出す。 前記第 2の記憶部から前記第 2の特性データを読み出 す。 また、 工程 (c ) においては、 以下のような処理を行うことが好ましい。
前記複数の制御パラメ一夕のうち前記検出流量と前記目標流量の少なく とも一方に基づいて決定される制御パラメータと、 前記目標流量と、 に基づい て修正目標流量を生成する。
前記修正目標流量と、 前記検出流量と、 に基づいて前記流路を流れるガ スの流量をフィードバック制御する。 また、 工程 (c ) においては、 以下のような処理を行うこともできる。
前記複数の制御パラメータのうち前記検出流量と前記目標流量の少なく とも一方に基づいて決定される制御パラメータと、 前記検出流量と、 に基づい て修正検出流量を生成する。
前記目標流量と、 前記修正検出流量と、 に基づいて前記流路を流れるガ スの流量をフィードバック制御する。 このような態様とすれば、 流量制御装置が制御するガスに応じて、 様々な流 量において高精度な流量制御を行うことができる。 なお、 本発明は、 種々の形態で実現することが可能であり、 例えば、 流量制 御補正方法および流量制御補正装置、 流量制御方法および流量制御装置、 それ らの方法または装置の機能を実現するためのコンピュータプログラム、 そのコ ンピュー夕プログラムを記録した記録媒体、 コンピュータプログラム製品等の 形態で実現することができる。 以下では、 図面を参照して、 本願発明の好ましい実施例の詳細が説明され、 本願発明の上述の目的およびその他の目的、 構成、 効果が明らかにされる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明に係る質量流量制御装置 (マスフローコントローラ) の構成 を説明する概略構成図である。 図 2は、 熱式質量流量センサを説明する回路図である。
図 3 A〜図 3 Cは、 本発明の流量制御補正方法を流量特性線図を元に説明す る概要図である。
図 4は、 本発明の流量制御補正方法の処理手順を示すフローチヤ一卜図であ る。
図 5は、 本発明の仕様変換の態様を示すイメージ図である。
図 6は、 本発明の流量レンジの区分例を示す図である。
図 7は、 制御手段 1 8の詳細な校正を示すプロック図である。
図 8は、 本実施形態の質量流量制御装置 M F C 0の校正ガス特性データ D P mを表すグラフである。
図 9は、 実ガス特性データ D P gを表すグラフである。
図 1 0は、 校正ガス特性データ D P mと実ガス特性データ D P gに基づいて 計算される本実施形態の質量流量制御装置 M F C 0の特性を表すグラフである。 図 1 1は、 制御流量補正データ D P c 1 (図 7参照) の特性を表すグラフで ある。
図 1 2は、 第 2実施形態における制御流量補正データ D P c 1 rの特性を表 すグラフである。
図 1 3は、 第 3実施形態における制御手段 1 8の詳細な校正を示すプロック 図である。
図 1 4は、 第 3実施形態における制御流量補正データ D P c 2の特性を表す グラフである。
図 1 5は、 本発明の実施例を示し、 フルスケール流量に対する制御精度を示 す特性線図である。 発明を実施するための最良の形態 A . 第 1実施形態:
以下、 本発明に係る質量流量制御装置と流量制御補正方法について図面を参 照して説明する。 A 1 . 質量流量制御装置の構成および機能:
先ず、 図 1、 図 2を用いて質量流量制御装置であるマスフ口一コントローラ について説明する。図 1はマスフローコントローラの構成を示す概略図である。 図 2は熱式流量センサの回路原理を示す構成図である。 図 1 において、 4はマスフローコントローラ 2が介設された流体通路である。 流体通路 4の一端にはプロセスガス源が接続され、 他端には半導体製造装置の 成膜装置等のガス使用系が接続されている。 マスフローコントローラ 2は、 流 路に流れる流体の質量流量を検出して流量信号 (センサ出力信号) S 1を出力 する質量流量検出手段である流量センサ 8と、 バルブ駆動信号 S 4に応じて弁 開度を変えることによって質量流量を制御する流量制御弁機構 1 0と、 外部か ら入力される流量設定信号 S 0と前記流量信号 S 1 とに基づいてバルブ駆動信 号 S 4を出力し前記流量制御弁機構 1 0を制御する、 制御回路などの一連の制 御手段 1 8とを備えている。なお、 「質量流量」 とは、 単位時間当たりに流れる 流体の質量である。 流量制御弁機構 1 0は、 金属ダイヤフラム 2 2と、 これを微少なストローク で押圧する積層圧電素子を備えたァクチユエ一タ 2 6と、 を有する流量制御弁 2 7からなる。 流量制御弁機構 1 0は、 金属ダイヤフラム 2 2により弁口 2 4 の開度を調整してガスの流量を制御するように構成される。 また、 制御手段 1 8は、 流量センサ回路 1 6を介して入力されたセンサ出力信号 S 1 と、 外部よ り入力される流量設定信号 S 0と、 を流量制御回路にて比較 ·演算して、 両信 号が一致するように P I D制御等を行い、弁開度を制御する機能を有している。 流量制御弁機構 1 0によって、流体通路 4内を流れる流体の流量が制御される。 また、 流量制御弁機構 1 0の上流側の流体通路 4は、 細管が集合したバイパ ス流路 1 2と、 これと並列に導き出された細管よりなるセンサ流路 1 4とに分 離されている。 両流路 1 2、 1 4には設計上、 予め定められた一定の分流比で ガスが流れるように構成されいる。 そして、 このセンサ流路 1 4には、 流量セ ンサ回路 (図 2のブリッジ回路) の一部である 2つの発熱抵抗線 R 1 、 R 2が 巻回されている。 この発熱抵抗線 R 1 、 R 4は温度上昇によってその抵抗値が変化する特性を 有している。 そして、 図 2に示すように、 発熱抵抗線 R 1 、 R 4は、 他の抵抗 器 R 2、 R 3とで電気的に平衡状態となるように構成されている。 よって、 上 流側よリ下流側へガスが流れることによつて生ずる熱の移動をプリッジ回路の 不平衡電圧として捉えることにより、 このセンサ流路 1 4を流れるガス流量を 求め、 さらに流路全体に流れる流量を演算して求めている。 流量センサ回路 1 6から出力される流量信号 S 1は、 一定の幅に含まれる電 圧値であって、フルスケールに対する測定された流量を表す。流量信号 S 1は、 通常は 0〜5 V (ボル卜) の範囲内でその流量を表す。 この流量信号 S 1は、 流量制御手段 1 8に入力される。 一方、 実ガス使用時には、 必要とするガス流量が流量設定信号 S 0として流 量制御手段 1 8に入力される。 この流量設定信号 S Oも、 一定の幅に含まれる 電圧値であって、フルスケールに対する目標流量を表す。流量設定信号 S 0も、 通常は 0〜5 V (ボル卜) の範囲内でその流量を表している。 流量制御手段 1 8は、 上記流量信号 (センサ出力信号) S 1 と流量設定信号 S 0との値が一致するように上記流量制御弁機構 1 0の弁開度を P I D制御法 でバルブ駆動回路 28を制御する。 バルブ駆動回路 2 8から流量制御弁 2 7に バルブ駆動信号 S 4が出力され、 流量制御弁 2 7によって、 バルブ駆動信号 S 4に応じてガス流量が制御される。 例えばフルスケールが 1 00 c cm [Cubic Centimeter per minute] である 場合には、 目標流量を表す流量設定信号 S 0が 5 Vに設定されると、 測定され た流量を表す流量信号 S 1が 5 Vを示すように弁開度が制御される。その結果、 流体通路全体の流量(バイパス流路 1 2の流量とセンサ流路 1 4の流量の合計) が l O O c cmとなる。 しかし、 この流量センサの出力特性と実ガスに対する センサ出力特性の調整がされていない場合には、 1 00 c cmよりも極微少に ずれた流量 (例えば ± 1〜2%) となる。
A 2. 質量流量制御装置の補正方法の概要:
以下、 上記ずれを調整補正する流量制御補正方法の概要について以下の図面 を参照して説明する。 図 3 A〜図 3 Cは本発明の流量制御補正方法を流量特性線図を元に説明する 概要図である。 図 4は処理手順を示すフローチャートである。 図 5は仕様変換 の態様を示すイメージ図である。 図 3 A〜図 3 Cの流量特性線図において、 横軸は流量設定信号 S 0、 縦軸は 実流量を示している。 図 3 Aにおいて、 実線 Xは、 窒素 (N2) を校正ガスと して用いて、 外部から入力される流量設定信号 S 0に対する実流量を、 外部に 設けられた流量測定手段 (図 1においてタンク丁、 およびタンク Tの内部圧力 を測定できる圧力計 M )で計測して得られる校正ガス特性データの一例である。 この校正ガス特性データを測定する処理は、 図 4の処理手順で言うとステップ (1 )に相当する (以下、 同様に付記する。 なお、 図 4においては、 各ステップの 番号を丸付きの数字で示す)。この校正ガス特性データをテーブルにしてマスフ ローコントローラ (M F C ) の制御手段 (制御回路) 1 8に記憶させる (図 4 —ステップ (2) )。 これらのステップ(1 )、 (2)の処理は、 質量流量制御装置ごと に行われる。 ところで、図 4のステップ(1 )で得られる流量センサの出力特性は、実線 Xの ように幾らかのずれを有し、 図 3 Aの Yのように直線性が高く、 高精度な制御 結果が得られるものでもない。 このようなずれが生じる理由は、 夫々の流量センサ個体の条件が違うためで ある。 このため、 このようなずれの発生は物理的に避けられない面もある。 図 4のステップ(3)において、 実際に使用するプロセスガス等 (Ar, SF6, C l 2 等) を用いて、上記ステップ(1 )と同様に、 流量設定信号 S 0に対する実流量を 外部に設けられた流量測定手段計測して得られる実ガス特性データを求める。
(図 4—ステップ(3) ) そして、 図 4のステップ (4)において、 この実ガス特性 データをパーソナルコンピュータ (P C ) や C D— R O M等の記憶媒体に格納 保存する。 これが実ガスの種類および流量レンジに応じて質量流量制御装置の 設定を変更するための変換ソフトとなる。 この実ガス特性データは、 実際に使用する実ガス毎に、 またさらに所定の流 量レンジ毎に求めてテーブル化して記憶する (図 4—ステップ(5) )。 なお、 こ の実ガス特性データの生成は、 質量流量制御装置ごとにおこなわれるのではな い。 すなわち、 実ガスごと、 および流量レンジごとの実ガス特性データは、 校 正ガスの使用を前提として調整され特性の直線性が確保された標準的な 1台の 質量流量制御装置(本明細書において、 「基準流量制御装置」と呼ぶことがある) を使用して測定される。 そして、 測定された実ガス特性データは、 同じ型の質 量流量制御装置に対して適用される。 このため、 図 4では、 ステップ(3)〜 ) の処理は、個々の質量流量制御装置に対して実行されるステップ(1 )、 (2)、 (6) ~ (13)とは、 分けて書かれている。 なお、 流量レンジとは、 ハードウェアとしての質量流量制御装置が流量を制 御することができる流量の範囲である。 例えば図 6に、 複数の流量レンジとそ れぞれのフルスケール流量を示す。 図 6の区分によれば 0〜50, 000 [SCCM]まで の流量について、 13種類の流量レンジを設定している。 即ち、 図 6に示した各 流量レンジを有する 13種類のマスフローコントローラを準備すれば、図 6に示 すフルスケール流量内で、 実ガス特性データを用いてそれらのマスフローコン 卜ローラの流量制御について補正を行うことが可能となる。 すなわち、 13種類 のマスフ口一コントローラを用いて、 0〜50, 000 [SCCM]までの流量について、流 量制御を行うことができる。 なお、 [SCCM] (Standard Cub i c Cent imeter per m i nute) とは、 標準状態、 すなわち 0 ° C、 1気圧における C C M (Cub i c Cent imeter per m i nute) である。 例えば、 Nol Oの流量レンジを有するマスフローコントローラを用いるとすれ ば、 フルスケール流量が 5, 000 [SCCM]までの流量制御について、 実ガスデータ に基づき補正を行うことができる。 しかし、 実際にはマスフローコントローラ の流量制御弁の構造上の制御範囲の制約もある。 このため、 記載したフルスケ ール流量の 1 3程度まで、 たとえば、 この場合は約 2, 001以上の流量レンジ について、 実ガスデータに基づき流量制御の補正を行うことができる。 その結 果、 実ガスデータを適用することにより、 Nol Oの流量レンジを有するマスフ口 一コントローラを、 約 2, 001〜5, 000 [SCCM]のフルスケール流量に亘つて、 高精 度の流量制御を行い得るマスフローコントローラに仕様変換することができる。 ユーザは、 実際に当該マスフローコントローラを使用する前に、 図 5に示す ようにパーソナルコンピュータ P Cを、 マスフローコントローラにデータ通信 回線 (RS-232C、 RS-485 等) で接続する (図 4一ステップ(6) )。 そして、 パー ソナルコンピュータ P C上において、 ディスプレイ 3 3 0に表示された選択肢 の中から、 マウス、 キーボード 3 4 0等の入力機器を介して、 実際に使用する ガスと使用するフルスケール流量を選択する (図 4—ステップ(7) )。 次に、 マスフローコントローラの制御回路からパーソナルコンピュータ P C に、 ステップ(2)で記憶した校正ガス特性データを読み出す (図 4一ステップ (8) )。 さらに、 ステップ (4)で得た記憶媒体の変換ソフトを P Cに取り入れ、上 記で選択したガス種の実ガス特性データを記憶媒体から読み出す (図 4ーステ ップ(9) )。 そして、 実ガス特性データのうち変換しょうとするフルスケール流 量の演算を行う (図 4一ステップ(1 0) )。 次に、 ステップ (8)と(9)のデータを基に制御流量補正デ一夕を演算し求める (図 4—ステップ(1 1 ) )。この制御流量補正データをマスフローコントローラ側 の制御回路に書き込み、 制御流量補正データを新たに記憶させる (図 4—ステ ップ(1 2) )。従い、マスフローコントローラの制御手段には校正ガス特性データ と制御流量補正データの両方が保存される。 以後は、 マスフローコントローラにおいて、 この制御流量補正データに基づ いて補正をかけて流量制御が行われる (図 4一ステップ(1 3) ) 従って、 流量センサ出力特性としては、 図 3 Aの校正ガス特性データの線図 Xは、実ガス特性データに基づき補正され、制御流量補正データに変換される。 図 3 Bは、 外部から入力される流量設定信号 S 0に対する窒素 (N 2 ) の実 流量を、外部に設けられた流量測定手段(図 1のタンク Tおよび圧力計 M参照) で計測して得られるデータの一例である。 なお、 図 3 Bの例において、 流量制 御は、 制御流量補正データに基づいて補正されている。 図 3 Cは、外部から入力される流量設定信号 S 0に対する実ガスの実流量を、 外部に設けられた流量測定手段 T, Mで計測して得られるデータの一例である。 流量制御が制御流量補正データに基づいて補正される結果として、 窒素 (Ν 2 ) に対して図 3 Βの一点鎖線 X ' で示す特性を示すセンサに、 実ガスを流した場 合には、 図 3 Cの実線 Y ' の直線で示すような特性が得られる。 すなわち、 実 ガスについて、 精度の高い流量制御を行うことができる。 なお、 以上では、 コンバージョンファクタの使用については説明しなかった が、 コンバージョンファクタによる補正と本実施形態による補正を併用して行 つても良い。 以上で明らかなとおり、 本実施形態の流量制御装置によれば、 窒素ガスでの センサ出力特性が実ガスに基づいて補正されて、 極めて高い直線性を利用した 高精度の流量制御が出来る。 なお、 その後、 このマスフローコントローラを別のプロセスガスについて用 いる場合には、 上記と同様の手順で校正ガス特性データを新たな実ガス (プロ セスガス)のデータに基づいて変換し、新たな制御流量補正データを作成する。 また、 流量レンジについても、 ハードウェアとしては同じマスフローコント ローラであっても、 実ガス特性データに基づいて特性を最適化することによつ てフルスケール流量だけを仕様変更して、 異なる流量レンジについて使用する こともできる。
A 3 . 質量流量制御装置の補正方法の詳細:
(〗) 質量流量制御装置の補正方法の原理:
図 7は、 制御手段 1 8の詳細な構成を示すプロック図である。 制御手段 1 8 は、 制御回路 1 8 0と、 補正部 1 8 1 と、 を備える。 また、 制御手段 1 8は、 制御手段 1 8が備える半導体メモリ内に校正ガス特性データ D P mと、 制御流 量補正データ D P c 1と、 を格納している。 前述のように、 パーソナルコンピュータ P Cは、 制御流量補正データ D P c 1を生成する際に、 制御手段 1 8から校正ガス特性データ D P mを受け取る。 また、 パーソナルコンピュータ P Cは、 パーソナルコンピュータ P Cが備える C D— R O Mドライブ 3 2 0を介して、 記録媒体としての C D— R O Mから実 ガス特性データ D P gを読み出す。 そして、 パーソナルコンピュータ P Cは、 実ガス特性データ D P gに基づいて校正ガス特性データ D P mを補正して、 制 御流量補正データ D P c 1を生成する。 この制御流量補正データ D P c 1の生 成については、 後に詳しく説明する。 補正部 1 8 1は、 制御流量補正データ D P c 1を参照しつつ、 外部から入力 される流量設定信号 S 0を、 補正流量設定信号 S 0 aに改変する。 補正流量設 定信号 S O aは、 流体通路 4 (図 1参照) 内を流れる実ガスの実際の流量がよ リ流量設定信号 S 0が示す目標流量に近づくような出力信号 S 4 0を、 制御回 路 1 8 0に生成させるための入力信号である。 この補正流量設定信号 S 0 aの 生成については、 後に詳しく説明する。 制御回路 1 8 0は、 修正された目標流量を表す補正流量設定信号 S 0 aと、 測定流量を表すセンサ出力信号 S 1 とが一致するように、 出力信号 S 4 0を出 力してバルブ駆動回路 2 8を制御する。 バルブ駆動回路 2 8は、 出力信号 S 4 0に基づいてバルブ駆動信号 S 4を生成し、 流量制御弁 2 7に出力する (図 1 参照)。流量制御弁 2 7は、バルブ駆動信号 S 4に基づいて、流体通路 4内を通 るガスの流量を制御する。 すなわち、 制御回路 1 8 0は、 出力信号 S 4 oによ つて、 流体通路 4内を通るガスの流量を制御する。 なお、 制御回路 1 8 0は、 前述のように、 P I D制御を行う。 図 8は、 本実施形態の質量流量制御装置 M F C 0の校正ガス特性データ D P mを表すグラフである。 図 8の横軸は、 流量設定信号 S 0の大きさを表す。 縦 軸は、 流量設定信号 S 0の各値における実際の校正ガスの流量 (測定値) f m 0を表す。 図 8は、 基本的に図 3 Aと同じグラフである。 図 8に示す校正ガス特性データ D P mを得る際に流体通路 4内を流されるガ スは、 校正ガスとしての窒素ガス (N 2 ) である。 そして、 流体通路 4内を流 れるガスの流量は、 実施態様における質量流量制御装置 M F C 0の下流に取り 付けられた流量測定装置によって測定される。 なお、 図 8に示す校正ガス特性 データ D P mを得る際には、 質量流量制御装置 M F C 0の補正部 1 8 1は、 流 量設定信号 S 0をそのまま補正流量設定信号 S 0 aとして出力する。 流量の各 値は、 制御回路 1 8 0による制御が安定な状態となった後、 すなわち、 補正流 量設定信号 S 0 aとセンサ出力信号 S 1の差が所定値以下となった後に測定さ れる。 図 8中、 曲線 C Oは、 この実施形態の質量流量制御装置 M FC 0における校 正ガス特性データ D Pmを表すグラフである。 一方、 直線 C I mは、 理想的な 質量流量制御装置 M FC i における校正ガス特性データを表すグラフである。 図 8の例では、 質量流量制御装置 M FC 0における実際の流量 f m0は、 た とえば、 流量設定信号 S 0が S 0,のときには、 理想的な値 f i 1よりも A f 0 1だけ多い f m 0 1である。 流量設定信号 S 0が S 03のときには、 実際の 流量 f m 0は、 理想的な値 f i 3よりも△ f 03だけ少ない f m 03である。 流量設定信号 S 0が S 02のときには、 実際の流量 f mOは、 理想的な値 f i 2に近い値である。 流量設定信号 S 0が S 0m i n、 S 0maxのときには、 実際 の流量 f mOは、 それぞれ理想的な値と同じである。 なお、本明細書においては、便宜的に、 ΓΔ f 0 1だけ多い」、 「△ f 03だけ 少ない」 などと述べるが、 厳密には、 実際の (または想定される) 流量と理想 的な流量との差は、 実際の (または想定される) 流量から理想的な流量を引い た値で評価する。 ここでは、 S O S O ,, S O 2, S 03の流量について説明した。 しかし、 流量設定信号 S 0に対する実際の流量 f mOは、 たとえば、 1 0個〜 20個の 流量設定信号 S 0の値について測定される。 それら測定された流量が、 それぞ れ流量設定信号 S 0の値と対応づけられ、 校正ガス特性データ D Pmの一部と して記憶される。 それら測定され校正ガス特性データ D Pmの一部として記憶 された流量が、 流量制御装置の特性を表す特性パラメータとして機能する。 図 9は、 実ガス特性データ D P gを表すグラフである。 図 9の横軸は、 流量 設定信号 S 0の大きさを表す。 縦軸は、 流量設定信号 S 0の各値における実際 の実ガスの測定流量 f m 1を表す。なお、 ここでは、実ガスは 6フッ化硫黄(S F6) である。 図 9に示す実ガス特性データ D P gを得る際には、 本実施形態の質量流量制 御装置 M FC 0ではなく、 校正ガスとして窒素ガス (N2) を使用して理想的 に調整された、基準となる質量流量制御装置 M FC iが使用される。すなわち、 図 9に示す実ガス特性データ D P gを得る際には、 質量流量制御装置 M F C i の補正部〗 8 1は、 流量設定信号 S 0を窒素ガス (N2) に関して理想的に補 正して補正流量設定信号 S 0 aとして出力する。 図 9に示す実ガス特性データ D P gを得る際に流体通路 4内を流されるガス は、 実ガスとしての 6フッ化硫黄 (S F6) である。 そして、 流体通路 4内を 流れるガスの流量は、 質量流量制御装置 M FC iの下流に取り付けられた流量 測定装置によって測定される。 なお、 流量の各値は、 制御回路 1 80による制 御が安定な状態となつた後に測定される。 図 9中、 曲線 C 1は、 基準となる質量流量制御装置 M FC i における実ガス 特性データ D P gを表すグラフである。 一方、 直線 C I gは、 実ガスとしての 6フッ化硫黄 (S F6) に関して理想的な特性を有する質量流量制御装置 M F C i gにおける実ガス特性データを表すグラフである。 図 9の例では、 質量流量制御装置 M FC i における実際の流量 f m 1は、 た とえば、 流量設定信号 S 0が S 0,のときには、 理想的な値 f i 1よりも A f 1 1だけ少ない f m l 1である。 流量設定信号 S 0が S 02のときには、 実際 の流量 f m 1は、理想的な値 f ί 2よりも Δ f 1 2だけ少ない f m 1 2である。 流量設定信号 S 0が S 03のときには、 実際の流量 f m lは、 理想的な値 f i 3よりも A f 1 3だけ少ない f m 1 3である。 流量設定信号 S 0が S 0 m i n、 S 0maxのときには、実際の流量 f m0は、それぞれ理想的な値と同じである。 ここでは、 S O S O ,, S 02, S 03の流量について説明した。 しかし、 流量設定信号 S 0に対する実際の流量 f m 1は、 たとえば、 1 0個〜 20個の 流量設定信号 S 0の値について測定される。 なお、 実ガス特性データ D P gを 得る際に流量が測定される流量設定信号 S 0の値は、 校正ガス特性データ D P mを得る際に流量が測定される流量設定信号 S 0の値と一致する。 上記で測定された流量が、 それぞれ流量設定信号 S 0の値と対応づけられ、 実ガス特性データ D P gの一部として記憶される。 それら測定され実ガス特性 データ D P gの一部として記憶された流量が、 ガスの特性を表す特性パラメ一 夕として機能する。 図 1 0は、 校正ガス特性データ D P mと実ガス特性データ D P gに基づいて 計算される本実施形態の質量流量制御装置 M F C 0の特性を表すグラフである。 図 1 0の横軸は、 流量設定信号 S 0の大きさを表す。 縦軸は、 流量設定信号 S 0の各値における実ガスの想定流量 f cを表す。 図 1 0中、 曲線 C cは、 この実施形態の質量流量制御装置 M FC 0における 想定流量 f cを表すグラフである。 一方、 直線 C I cは、 理想的に補正された と仮定した場合の本実施形態の質量流量制御装置 M FCOにおける流量を表す グラフである。 図 1 0のグラフ C cは、 図 8のグラフ C 0と図 9のグラフ C 1 とを合成することによって得られる。 図 1 0の例では、 質量流量制御装置 M F C 0における想定流量 f cは、 たと えば、 流量設定信号 S 0が S 0,のときには、 理想的な値 f i 1よりも A f c 1だけ少ない f c 1である。 ここで、 A f c 1 =A f 0 1 +A f 1 1である。 同様に、 流量設定信号 S 0が S 02のときには、 想定流量 f cは、 理想的な 値 i 2よりも Δ f c 2だけ少ない f c 2である。 ここで、 A f c 2 =A f O 2 +Δ f 1 2である。 流量設定信号 S 0が S 03のときの想定流量 f c 3や、 流量設定信号 S 0の他の値における想定流量 f cも、 同様に、 校正ガス特性デ 一夕 D Pmと実ガス特性データ D P gにおけるずれ量に基づいて得ることがで きる。 すなわち、 図 1 0のグラフ C cは、 図 8のグラフ C 0の理想値からのず れと図 9のグラフ C 1の理想値からのずれとの和を、 理想値からのずれとして 有する。 この実施形態の質量流量制御装置 M FC 0は、 図 1 0のグラフ C cに示すよ うな特性を有すると想定される。 このため、 この実施形態の質量流量制御装置 M FC 0を、 実ガスである 6フッ化硫黄(S F6) について使用する場合には、 図 1 0のグラフ C cが有する C I cからのずれを打ち消すような補正を行えば よい。 図 1 1は、 制御流量補正データ D P c 1 (図 7参照) の特性を表すグラフで ある。 図 1 1の横軸は、 流量設定信号 S 0の大きさを表す。 縦軸は、 流量設定 信号 S 0の各値における補正流量設定信号 S 0 aおよびそのときの流体通路 4 内のガスの仮想的な流量 f aを表す。 図 1 0のグラフ C cが有する C I cからのずれを打ち消すような補正を行う ためには、 各値の流量設定信号 S 0が与えられたとき、 ょリ多い流量を実現す るような出力信号 S 40を出力すればよい。 より具体的には、 図 1 1 に示すように、 流量設定信号 S 0が S 0 ,のときに は、 理想的な値 f i 1よりも Δ f c 1だけ多い流量 f a 1を実現するような補 正流量設定信号 S 0 a,を制御回路 1 80に与える。流量設定信号 S 0が S 02 のときには、 理想的な値 f i 2よりも△ f c 2だけ多い流量 f a 2を実現する ような補正流量設定信号 S 0 a 2を制御回路 1 80に与える。 流量設定信号 S 0が S O 3のときには、 理想的な値 f i 3よりも Δ f c 3だけ多い流量 f a 3 を実現するような補正流量設定信号 S 0 a 3を制御回路 1 80に与える。 流量 設定信号 S 0の他の値についても同様である。 このような特性を実現しつつ、 流量設定信号 S 0を補正流量設定信号 S 0 a に変換するための変換曲線が、 図 1 1の曲線 C s aである。 なお、 前述のように、 実際の (または想定される) 流量と理想的な流量との 差は、 実際の (または想定される) 流量から理想的な流量を引いた値で評価す る。 よって、 図 1 1では、 より大きな流量を実現するずらし量にマイナスの符 号が付されている (図 1 1 中の一 A f c 1, -Δ f c 2 , -Δ f c 3参照)。 こ れは、 想定される流量が理想的な流量よりも少なく、 想定される流量の理想的 な流量からのずれ量(A f c 1, A f c 2, A f c 3)が負であるためである。 なお、校正ガス特性データ D P mおよび実ガス特性データ D P gの各流量は、 前述のように、 1 0個〜 20個の流量設定信号 S 0の値について測定される。 このため、 それらの測定値に基づいて計算される補正流量設定信号 S 0 aの数 も、 それら測定された流量設定信号 S 0に対応する数と等しくなる。 なお、 以 下では、 校正ガス特性データ D P mおよび実ガス特性データ D P gを生成する 際に、 対応する流量が測定された流量設定信号 S 0の値を 「S 0 r」 と表記す ることがある。 また、 そのようにして測定された流量に基づいて計算された、 流量設定信号 S 0 rに対応する補正流量設定信号 S 0 aを、 「基準補正流量設 定信号 S O a r」 と呼ぶことがある。 図 1 1の曲線 C s aを使用して、 流量設定信号 S 0を補正流量設定信号 S 0 aに変換する際には、 校正ガス特性データ D Pmおよび実ガス特性データ D P gの生成の際に流量が測定されていない流量設定信号 S 0の値 (以下、 rs o c」 と記載する) に対応する補正流量設定信号 S 0 a (以下 rs o a cj と記 載する) については、 以下のような処理が行われる。 すなわち、 そのような流 量設定信号 S 0 cの値に対応する補正流量設定信号 S 0 a cは、 その流量設定 信号 S 0 cに近い値の複数の流量設定信号 S 0 rに対応する複数の基準補正流 量設定信号 S 0 a rに基づいて (たとえばそれらを使って補間演算することに よって)、 決定される。 以上で説明したように、 補正部 1 8 1は、 制御流量補正データ D P c 1を参 照して、 流量設定信号 S 0を補正流量設定信号 S 0 aに置き換える。 制御流量 補正データ D P c lは、 図 1 1の曲線 C s aに示すような特性を有する変換を 実現するデータである。 すなわち、 制御手段 1 8は、 制御流量補正データ D P c 1を参照し、 制御パラメータとしての補正流量設定信号 S 0 a (S O a rお よび S O a c) を使用して、 バルブ駆動回路 28を介して制御弁 2 7を制御す る。 このような態様とすることで、 本実施態様における質量流量制御装置 M F C 0を、 実ガス (ここでは 6フッ化硫黄 (S F6)) について高精度な流量制御を 行いうる質量流量制御装置とすることができる。
(2) 質量流量制御装置の様々なガスへの適用:
実ガス特性データ D P gは、 様々なガス (たとえば、 八「ゃじ 1 2) につい て取得することが好ましい。 そのようにして取得された実ガス特性データ D P と、 校正ガス特性データ D Pmと、 に基づいて制御流量補正データ D P c 1 を生成することで、 質量流量制御装置 M F C 0を様々な実ガスについて適用す ることができる。 そして、 様々な実ガスについて質量流量制御装置 M FC 0を 使用して、 高精度な制御を実現することができる。 また、 様々な実ガスについて用意された実ガス特性データ D P gは、 CD— ROMなどの交換可能な記録媒体に記録される。 このため、 実ガス特性データ D P gを格納した記録媒体を交換することで、 質量流量制御装置 M F C 0を 様々な実ガスについて適用することができる。 すなわち、 質量流量制御装置 M FC 0に固定的に設けられたメモリに、 様々な種類の実ガスについての膨大な 数の実ガス特性データ D P gを格納する必要がない。 言い換えれば、 質量流量 制御装置 M F C 0に、 様々な実ガスの実ガス特性データ D P gを格納するため の大容量の記憶部を設ける必要がない。
(3) 質量流量制御装置の様々な流量レンジへの適用:
実ガス特性データ D P gは、 校正ガス特性データ D Pmの流量レンジの一部 に相当する流量レンジについて生成することができる。 そして、 実ガス特性デ 一夕 D P gは、 互いに異なる様々な流量レンジ (たとえば、 図 6参照) につい て生成される。 そのような場合には、 以下のような態様とする。 すなわち、 校正ガス特性データ D P mを生成する際には、 たとえば、 1 %間 隔ゃ 2 %間隔、 4 %間隔など、 十分に細かい間隔で流量設定信号 S 0の各値に ついて流量を測定する。 これに対して、 実ガス特性データ D P gを生成する際 には、 校正ガス特性データ D P mの流量レンジの一部に相当する流量レンジに 含まれ、 かつ、 校正ガス特性データ D P mの生成の際に流量が測定された流量 設定信号 S 0の値の少なくとも一部について、 流量を測定する。 なお、 実ガス特性データ D P gの生成は、 以下のような態様で行うこともで きる。 すなわち、 実ガス特性データ D P gを生成する際にも、 校正ガス特性デ 一夕 D P mを生成する際と同じ流量設定信号 S 0の値について流量の測定値を 得る。 そして、 その測定値の中から各流量レンジに含まれる一部の測定流量を 選択して、 各流量レンジの実ガス特性データ D P gを生成することもできる。 そのようにして取得された実ガス特性データ D P gと、 校正ガス特性データ D P mと、 に基づいて制御流量補正データ D P c 1を生成することで、 様々な 流量レンジに適応した制御流量補正データ D P c 1を生成することができる。 その結果、 様々な流量レンジに適応した制御流量補正データ D P c 1を使用し て、 質量流量制御装置 M F C 0を様々な流量レンジについて適応させることが できる。 そして、 様々な流量レンジについて質量流量制御装置 M F C 0を使用 して、 高精度な制御を実現することができる。 この態様においては、 校正ガス特性データ D P が、 各実ガス特性データ D P gにくらベて多くの流量設定信号 S 0の値についての流量の値を有する。 し かし、 前述のように、 実ガス特性データ D P gは、 交換可能な記憶媒体に記録 され、 質量流量制御装置 M F C 0内の固定的な記憶部に格納されるわけではな い。 よって、 質量流量制御装置 M F C 0内の固定的な記憶部に格納される校正 ガス特性データ D P mが、 各実ガス特性データ D P gにくらベて多くの流量設 定信号 S 0の値についての値を有していても、 実ガス特性データ D P gを質量 流量制御装置 M F C 0内の固定的な記憶部に格納する態様に比べて、 質量流量 制御装置 M F C 0内に設ける記憶部が要求される容量は少ない。
A 4 . 第 1実施形態の効果:
以上で説明した第 1実施形態によれば、 半導体製造装置などにおいて、 1台 の質量流量制御装置を使用して、 複数種類の実使用ガスを使用した場合にも、 各実使用ガスを高精度に流量制御することができる。
B . 第 2実施形態:
第 1実施形態では、 質量流量制御装置 M F C 0が流量設定信号 S 0を受け取 つた場合に生じると想定されるずれを、 あらかじめ上乗せするようにして、 S 0 aを生成する (図 1 1参照)。 これに対して、 第 2実施形態では、 質量流量制 御装置 M F C 0が流量設定信号 S 0を受け取った場合に、 その流量設定信号 S 0が表す目標流量を実現するような補正流量設定信号 S 0 aを生成する。 第 2 実施形態は、 第 1実施形態の制御流量補正データ D P c 1 に相当する制御流量 補正データ D P c l rの内容が、 第 1実施形態とは異なる。 第 2実施形態の他 の点は、 第 1実施形態と同じである。 図 1 2は、 第 2実施形態における制御流量補正データ D P c 1 r (図 7の制 御流量補正データ D P c 1参照)の特性を表すグラフである。図 1 2の横軸は、 流量設定信号 S 0の大きさを表す。 縦軸は、 流量設定信号 S 0の各値における 流体通路 4内のガスの流量 f a、 および流量設定信号 S 0に対応する補正流量 設定信号 S O aを表す。 図 1 2中の曲線 C c、 直線 C I cは、 それぞれ図 1 0の曲線 C c、 C I cと 同じである。 すなわち、 曲線 C cは、 実施形態の質量流量制御装置 M F C 0に おける実ガスの流量を表すグラフである。 一方、 直線 C I cは、 実ガスについ て理想的に補正されたと仮定した場合の本実施形態の質量流量制御装置 M F C 0における流量を表すグラフである。 たとえば、 質量流量制御装置 M F C 0が流量設定信号 S 0 2を受け取った場 合、 その流量設定信号 S 0 2が表す目標流量は、 直線 C I じより、 f i 2であ る。しかし、グラフ C cより、質量流量制御装置 M F C 0における想定流量は、 f i 2よりも低い f c 2である (図 1 2の縦軸参照)。そして、 実際に目標流量 f i 2の実ガスを流すためには(図 1 2の縦軸参照)、 グラフ C cより、流量設 定信号として S 0 a 2を制御回路 1 8 0に入力する必要がある (図 1 2の横軸 参照)。 同様に、 流量設定信号 S 0 3が表す目標流量 f i 3の実ガスを流すため には (図 1 2の縦軸参照)、 流量設定信号として S 0 a 3を制御回路 1 8 0に入 力する必要がある (図 1 2の横軸参照)。 流量設定信号 S 0,および他の流量設 定信号 S 0の値についても同様である。 このような特性を実現しつつ、 流量設定信号 S 0を補正流量設定信号 S 0 a に変換するための変換曲線が、 図 1 1の曲線 C s a rである。 曲線 C s a rに したがって変換を行うことで、 流量設定信号 S O 2は、 補正流量設定信号 S O a 2に変換され、 流量設定信号 S O 3は、 補正流量設定信号 S 0 a 3に変換され る。 他の流量設定信号 S 0も同様である。 すなわち、 制御手段 1 8は、 制御流量補正データ D P c 1 rを参照し、 制御 パラメータとしての補正流量設定信号 S 0 aを使用して、 バルブ駆動回路 2 8 を介して制御弁 2 7を制御する。 なお、 校正ガス特性データ D P mおよび実ガス特性データ D P gの生成の際 に流量が測定されていない流量設定信号 S 0 cの値に対応する補正流量信号 S 1 aは、 その流量設定信号 S 0 cに近い値の複数の流量設定信号 S 0 rに対応 する複数の基準補正流量設定信号 S 0 a rに基づいて (たとえばそれらを使つ て補間演算することによって)、 決定される。 第 2実施形態においては、 補正部 1 8 1は、 制御流量補正データ D P c 1 r を参照して、 流量設定信号 S 0を補正流量設定信号 S 0 aに置き換える (図 7 参照)。制御流量補正データ D P c 1 rは、図 1 2の曲線 C s a rに示すような 特性を有する変換を実現するデータである。 このような態様とすることで、 本 実施態様における質量流量制御装置 M F C 0を、 実ガス (ここでは 6フッ化硫 黄 (S F 6 ) ) について、 第 1実施形態よりもさらに高精度な流量制御を行いう る質量流量制御装置とすることができる。
C . 第 3実施形態:
第 1および第 2実施形態では、 流量設定信号 S 0を補正流量設定信号 S 0 a に置き換えることによって、 質量流量制御装置 M F C 0の流量制御における誤 差を減少させている。 これに対して、 第 3実施例では、 流量センサ 8から出力 される流量信号 S 1を補正流量信号 S 1 aに置き換えることによって、 質量流 量制御装置 M F C 0の流量制御における誤差を減少させる。 第 3実施形態は、 制御手段 1 8内の構成が第 1実施形態とは異なる。 第 3実施形態の他の点は、 第 1実施形態と同じである。 図 1 3は、 第 3実施形態における制御手段 1 8の詳細な構成を示すブロック 図である。 制御手段 1 8は、 制御回路 1 8 0と、 補正部 1 8 2と、 を備える。 また、 制御手段 1 8は、 そのメモリ内に校正ガス特性データ D P mと、 制御流 量補正データ D P c 2と、 を格納している。 制御流量補正データ D P c 2は、 第 1実施形態における制御流量補正データ D P c 1と同様、 校正ガス特性デー 夕 D P mと実ガス特性データ D P gに基づいて、 パーソナルコンピュータ P C によって生成される。 補正部 1 8 2は、 制御流量補正データ D P c 2を参照しつつ、 流量センサ回 路 1 6から入力されるセンサ出力信号 S 1を、補正流量信号 S 1 aに改変する。 補正流量信号 S 1 aは、 流量センサ回路 1 6が出力したセンサ出力信号 S 1よ リも、流体通路 4内を流れる実ガスの実際の流量によリ近い流量を表すように、 センサ出力信号 S 1を改変して生成された信号である。 制御回路 1 8 0は、 目標流量を表す流量設定信号 S 0と、 測定流量を表す補 正流量信号 S 1 aとが一致するように、出力信号 S 4 0を出力する。すなわち、 制御回路 1 8 0は、 出力信号 S 4 oによって、 流体通路 4内を通るガスの流量 を制御している。 図 1 4は、 第 3実施形態における制御流量補正データ D P c 2の特性を表す グラフである。 図 1 4の横軸は、 補正が行われない場合の流量設定信号 S 0お よび流量信号 S 1の大きさを表す。 縦軸は、 補正が行われない場合の流量信号 S 1の各値における流体通路 4内のガスの流量 f c , および流量信号 S 1 に対 応する補正流量信号 S 1 aを表す。 図 1 4中の曲線 C c、 直線 C I cは、 それぞれ図 1 0の曲線 C c、 C I cと 同じである。 すなわち、 曲線 C cは、 実施形態の質量流量制御装置 M F C 0に おける補正が行われない場合の実ガスの想定流量を表すグラフである。 一方、 直線 C I cは、 実ガスについて理想的に補正されたと仮定した場合の本実施形 態の質量流量制御装置 M F C 0における流量を表すグラフである。 前述のように、 校正ガス特性データ D P mと実ガス特性データ D P gの各測 定値は、 それぞれ制御回路 1 8 0による制御が安定な状態となった後、 すなわ ち、 流量設定信号 S 0とセンサ出力信号 S 1の差が所定値以下となった後に測 定される。このため、流量設定信号 S 0の各値についての測定値(測定時には、 制御流量補正データによる補正は行われない) は、 センサ出力信号 S 1の各値 についての測定値とみなすことができる。 補正が行われない場合には、 センサ出力信号 S 1 2が流量センサ 8から出力 されたとき、 曲線じ じより、 実際の実ガスの流量は、 f i 2ではなく f c 2で あると想定される (図 1 4の縦軸参照)。 よって、 第 3実施形態の補正部 1 8 2が補正を行う場合には、 センサ出力信 号 S 1 2が流量センサ 8から出力されたとき、 流量 f c 2に対応する補正流量 信号 S I a 2を制御回路 1 8 0に出力すればよい (図 1 4の縦軸参照)。 なお、 「流量 f Xに対応する信号 S x」 は、 最大流量に対する流量 f Xの割合 と、信号の最大値 S m a xに対する信号 S xの割合と、が等しくなるように信号 S xを定めることで得られる。 同様に、 補正が行われない場合には、 センサ出力信号 S 1 3が流量センサ 8 から出力されたとき、実際の実ガスの流量は、 f i 3ではなく f c 3である(図 1 4の縦軸参照)。 よって、 第 3実施形態の補正部 1 8 2が補正を行う場合には、 センサ出力信 号 S 1 3が流量センサ 8から出力されたとき、 流量 c 3に対応する補正流量 信号 S I a 3を制御回路 1 8 0に出力すればよい (図 1 4の縦軸参照)。 センサ 出力信号 S 1 ,および他のセンサ出力信号 S 1についても同様である。 図 1 4のグラフの横軸を流量信号 S 1の大きさと考え、 縦軸を、 流量信号 S 1の各値における対応する補正流量信号 S 1 aと考えれば、 図 1 4の曲線 C c は、 上記のような特性を実現しつつ、 センサ出力信号 S 1を補正流量信号 S 1 aに変換するための変換曲線としての機能を有することが分かる。 第 3実施形態においては、 補正部 1 8 2は、 制御流量補正データ D P c 2を 参照して、 センサ出力信号 S 1を補正流量信号 S 1 aに置き換える (図 1 3参 照)。制御流量補正データ D P c 2は、図 1 4の曲線 C cに示すような特性を有 する変換を実現するデータである。 すなわち、 制御手段 1 8は、 制御流量補正 データ D P c 2を参照し、 制御パラメータとしての補正流量信号 S 1 aを使用 して、 バルブ駆動回路 2 8を介して制御弁 2 7を制御する。 なお、 校正ガス特性データ D P mおよび実ガス特性データ D P gの生成の際 に流量が測定されていない流量設定信号 S 0 cの値(センサ出力信号 S 1の値) に対応する補正流量信号 S 1 aは、 以下のように決定することができる。 すな わち、そのような流量設定信号 S 0 cの値に対応する補正流量信号 S 1 a cは、 その流量設定信号 S 0 cに近い値の複数の流量設定信号 S 0 rに対応する複数 の基準補正流量設定信号 S 0 a rに基づいて (たとえばそれらを使って補間演 算することによって)、 決定される。 このような態様しても、 本実施態様における質量流量制御装置 M F C 0を、 実ガス (ここでは 6フッ化硫黄 (S F6)) について、 高精度な流量制御を行い うる質量流量制御装置とすることができる。
D. 実施例
図 1 5は、 本発明の第 1実施形態による補正を行った場合と行わなかった場 合の夫々について、 所定 (任意) のフルスケール流量に対する制御精度を示し ている。 横軸は、 流量設定信号 S 0の 5 Vに対する割合である。 なお、 図 1 5 の例では、 1 00 %、すなわち S 0が 5 Vであるとき、 目標流量は、 200 [c cm] である。 図 1 5の縦軸は、 % Full Scale である。 すなわち、 図 1 5の 縦軸は、 測定された流量の目標流量からのズレを、 フルスケールである 200 [c c m] に対する割合で示す。 図 1 5のグラフ dは、 補正を全く行わなかった場合の窒素 (N2) を流した 場合の精度を表す。 グラフ eは、 N2ガスによる校正ガス特性データを使用し て流量制御の補正を行いつつ、実ガスを流した場合の精度を表す。グラフ f は、 N2ガスによる校正ガス特性データを使用して流量制御の補正を行いつつ、 N2 ガスを流した場合の精度を表す。 グラフ gは、 上記実施形態の制御流量補正デ 一夕を使用して流量制御の補正を行いつつ、実ガスを流した場合の精度を表す。 図 1 5より、全く補正しない場合の流量精度は最大で 2¾FS程度の誤差が生じ ている (グラフ d参照)。 次に、 この特性の流量センサ、 即ち、 同じ流量センサ を用いても N2 ガスによる校正ガス特性データを採って補正した場合、 これに N2ガスを流せば流量精度は 0. FSになる (グラフ f 参照)。 しかし、 これに実 使用ガス (例えば、 SF6) を流した場合の流量精度は最大で 2¾FS程度の誤差が 生じている (グラフ e参照)。 これに対して、 上記の実施形態によれば、 同じ実 使用ガスを流した場合でも、流量精度は最大で 0.5¾FS程度に向上することが分 かる (グラフ f 参照) 尚、 上記した実施態様のマスフローコントローラの流量センサは、 熱式流量 センサを用いている。 しかし、 この他にもオリフィス上流側のガスの圧力 P 1 とオリフィス下流側のガスの圧力 P 2を臨界条件下 (音速領域) に保持した状 態で、 オリフィスを流通するガスの流量を、 補正を加えて演算するようにした 圧力式流量センサを用いて本発明を実施することもできる。 即ち、 このような 流量センサの形式を問わず本発明は実施することが出来る。 以上で説明したマスフローコントローラによれば、 校正ガスによって調整し たマスフローコントローラであっても、 製品出荷後に複数種類の実使用ガスと 複数の流量レンジのマスフ口一コントローラに仕様変更が可能となる。
E . 変形態様:
なお、 この発明は上記の実施例や実施形態に限られるものではなく、 その要 旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能である。
E 1 . 変形態様 1
上記実施態様においては、 制御流量補正データ D P cは、 校正ガス特性デー 夕 D P mや実ガス特性データ D P gに基づいて、 パーソナルコンピュータによ つて生成される。 しかし、 質量流量制御装置 M F C 0は、 制御流量補正データ D P cを生成するための処理部を構成要素として備える態様とすることもでき る。 E 2 . 変形態様 2
上記実施例において、 校正ガス特性データ D P mや実ガス特性データ D P g を生成する際に流体通路 4内の流量を測定する装置は、 質量流量制御装置 M F C 0の外部に設けられた装置である。 そのような流量測定装置としては、 たと えば、 質量流量制御装置 M F C 0の下流に接続されたタンクであって、 高真空 状態において質量流量制御装置 M F C 0から流されるガスを受け取るタンク T とすることができる (図 1参照)。 すなわち、 このタンク Tは、 まず、 特性デー 夕を取得する処理の間、 質量流量制御装置 M F C 0から送られるガスを十分受 け取ることができる程度の真空状態とされ、 その後、 質量流量制御装置 M F C 0から流されるガスを受け取る。 圧力計 Mでタンク T内の圧力変化を測定する ことで、質量流量制御装置 M F C 0が流したガスの量を測定することができる。 一方、 質量流量制御装置 M F C 0は、 流量センサ 8とは別に設けられた流量 測定装置であって、 校正ガス特性データ D P mや実ガス特性データ D P gを生 成する際に使用される他の態様の流量測定装置を備えることもできる。 すなわち、 校正ガス特性データ D P mや実ガス特性データ D P gを生成する 際に使用される流量測定装置は、 流量センサ 8とは別に設けられた任意の流量 測定装置とすることができる。 ただし、 その流量測定装置は、 流量センサ 8よ リも高精度なものであることが好ましい。 E 3 . 変形態様 3
上記実施形態では、 質量流量制御装置 M F C 0は、 金属ダイヤフラム 2 2と ァクチユエ一夕 2 6とを備える流量制御弁機構 1 0によって、 流体通路 4内を 流通するガスの流量を制御する。 しかし、 流体通路 4内を流通するガスの流量 を制御する装置は、 他の原理で動作する装置とすることもできる。 ただし、 流 体通路 4内を流通するガスの流量を制御する装置としては、 物理的な機構によ リガスの体積流量を制御する装置が、 容易に入手できる。なお、 「体積流量」 と は、 単位時間当たりに流れる流体の体積である
E 4. 変形態様 4
上記実施形態においては、 校正ガス特性データ D Pmを得る際に使用される 校正ガスは窒素である。 しかし、 校正ガスは、 アルゴン、 6フッ化硫黄など、 他のガスとすることもできる。 ただし、 校正ガスは、 物理的および化学的に安 定なガスであることが好ましい。
E 5. 変形態様 5
上記実施形態においては、 校正ガス特性データ D Pmは、 制御手段 1 8が備 える半導体メモリ内に格納され、 実ガス特性データ D P gは、 C D— ROM内 に格納される。 しかし、 校正ガス特性データ D Pmや実ガス特性データ D P g は、 DV Dやハードディスク、 フラッシュメモリなど、 任意の記憶装置内に格 納することができる。 ただし、 校正ガス特性データ D Pmは、 流量制御装置が 固定的に備えるメモリに格納されることが好ましい。 そして、 実ガス特性デー 夕 D P gは、 校正ガス特性データ D Pmが格納される記憶装置よりも交換また は書き換えが容易な記憶装置に格納されることが好ましい。 なお、 実ガス特性 データ D P gの書き換えは、 流量制御装置の制御部によって行われる態様とす ることもでき、 流量制御装置外部の他の装置によつて行われる態様とすること もできる。
E 6. 変形態様 6
上記実施形態では、 制御回路 1 80は、 比例、 積分および微分の各要素を含 む P I D制御を行う。 しかし、 制御回路 1 80は、 比例要素および積分要素を 含む P I制御など、 他の制御を行う態様とすることもできる。 ただし、 流量制 御は、 目標値と測定値に基づくフィードバック制御であることが好ましい。 そ して、 目標値と測定値が対応する物理量 (たとえば、 質量流量) が、 制御値が 対応する物理量 (たとえば、 体積流量) とは異なる場合に、 本発明の適用は特 に有効である。 E 7 . 変形態様 7
上記実施例では、 制御流量補正データの制御パラメータのうち、 校正ガス特 性データ D P mおよび実ガス特性データ D P gの生成の際に実際に測定された 流量に基づいて演算で得ることができない値については、補間演算で得ている。 しかし、 それらの値は他の方法で得ることもできる。 たとえば、 制御流量補正データの特性を表す曲線 (図 1 1の C s a, 図 1 2 の C s a r, 図 1 4の C c参照) を、 ベジエ曲線やスプライン曲線で求めて、 それら測定値から得られない値を得ることができる。 また、 補間演算を使用す る場合にも、 様々な補間演算を使用することができる。 さらに、 それらの演算 は、 実ガスの制御を行う際に行われてもよい。 また、 実ガスの制御に先立って あらかじめ行われ、 演算結果の値が所定の記憶装置に格納されている態様とす ることもできる。 すなわち、 制御流量補正データの制御パラメータのうち、 校正ガス特性デー タ D P mおよび実ガス特性データ D P gの生成の際に実際に測定された流量に 基づいて演算で得ることができない値については、 測定された流量に基づいて 演算で得ることができる値に基づいて、 様々な方法で定めることができる。
E 8 . 変形態様 8
上記実施態様において、 ハードウェアによって実現されていた構成の一部を ソフトウェアに置き換えるようにしてもよく、 逆に、 ソフトウェアによって実 現されていた構成の一部をハードウェアに置き換えるようにしてもよい。 例え ば、 制御手段 1 8 (図 1参照) の機能は、 ハードウェア回路によって実現され てもよく、 C P U上においてアプリケーションソフ卜ウェアやドライバで実現 されてもよい。 そして、 制御手段 1 8の機能の一部を、 ハードウェア回路によ つて実現し、 他の一部を C P U上においてアプリケーションソフトウェア等に よって実現してもよい。 このような機能を実現するコンピュータプログラムは、 フロッピディスクや C D - R O M . D V D等の、 コンピュータ読み取り可能な記録媒体に記録され た形態で提供される。 ホス卜コンピュータは、 その記録媒体からコンピュータ プログラムを読み取って内部記憶装置または外部記憶装置に転送する。 あるい は、 通信経路を介してプログラム供給装置からホス卜コンピュータにコンビュ 一夕プログラムを供給するようにしてもよい。 コンピュータプログラムの機能 を実現する時には、 内部記憶装置に格納されたコンピュータプログラムがホス 卜コンピュータのマイクロプロセッサによって実行される。 また、 記録媒体に 記録されたコンピュータプログラムをホス卜コンピュータが直接実行するよう にしてもよい。 この明細書において、 コンピュータとは、 ハードウェア装置とオペレーショ ンシステムとを含む概念であり、 オペレーションシステムの制御の下で動作す るハードウェア装置を意味している。 コンピュータプログラムは、 このような コンピュータに、上述の各部の機能を実現させる。なお、上述の機能の一部は、 アプリケーションプログラムでなく、 オペレーションシステムによって実現さ れていても良い。 なお、 この発明において、 「コンピュータ読み取り可能な記録媒体」 とは、 フ レキシプルディスクや C D _ R O M、 D V Dのような携帯型の記録媒体に限ら ず、 各種の R A Mや R O M等のコンピュータ内の内部記憶装置や、 ハードディ スク等のコンピュータに固定されている外部記憶装置も含んでいる。 また、コンピュータプログラム製品は、様々な態様で実現することができる。 たとえば、 以下のような態様である。
( i ) コンピュータ読み取り可能な記録媒体。 たとえば、 フレキシブルデイス ク、 光ディスク、 半導体メモリなど。
( i i )コンピュータプログラムを含み、搬送波内で具現化されたデータ信号。
( i i ί ) 磁気ディスクや半導体メモリなどのコンピュータ読み取り可能な記 録媒体を含むコンピュータ。
( i V ) データ搬送はを介してメモリ内に一時的にコンピュータプログラムを 格納しているコンピュータ。 以上では、 本願発明をその好ましい例示的な実施態様を参照して詳細に説明 した。 しかし、 本願発明は、 以上で説明した実施態様や構成に限定されるもの ではない。 そして、 本願発明は、 様々な変形や均等な構成を含むものである。 さらに、 開示された発明の様々な要素は、 様々な組み合わせおよび構成で開示 されたが、 それらは例示的な物であり、 各要素はより多くてもよく、 また少な くてもよい。 そして、 要素は一つであってもよい。 それらの態様は本願発明の 範囲に含まれるものである。 産業上の利用可能性
本発明は、 質量流量制御装置、 質量流量制御装置の補正方法、 質量流量制御 における補正方法などに適用可能である。

Claims

請求の範囲
1 . 流路を流れるガスの流量を制御する方法であって、
( a ) 流路を流れるガスの質量流量の目標値である目標流量と、 前記流路を流 れるガスの検出された質量流量である検出流量と、 に基づいて前記流路を流れ るガスの流量をフィードバック制御する流量制御装置を準備する工程と、
( b ) 互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられた複数の制御パラメ一夕 を含む制御データを、 前記流路を流れる前記ガスの種類に応じて準備する工程
( c ) 前記流量制御装置を使用して、 前記制御データを参照しつつ、 前記複数 の制御パラメータのうち前記目標流量と前記検出流量との少なくとも一方に基 づいて決定される制御パラメータと、 前記目標流量と、 前記検出流量と、 に基 づいて前記流路を流れるガスの流量を制御する工程と、 を備える、 方法。
2 . 請求項 1記載の方法であって、
前記工程 (b ) は、
( b 1 ) 互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられた複数の第 1の特性パ ラメ一夕であって、 所定の基準ガスの使用を前提とした前記準備した流量制御 装置の特性を反映した複数の第 1の特性パラメータを含む第 1の特性データを 準備する工程と、
( b 2 ) 互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられた複数の第 2の特性パ ラメ一夕であって、 前記流量制御装置の基準の特性を前提とした前記ガスの種 類に応じた特性を反映した複数の第 2の特性パラメ一夕を含む第 2の特性デー タを準備する工程と、
( b 3 ) 前記第 1および第 2の特性データを参照しつつ、 前記第 1および第 2 の特性パラメータに基づいて前記制御パラメータを生成することによって、 前 記制御データを生成する工程と、 を含む方法。
3. 請求項 2記載の方法であって、
前記工程 ( b 1 ) は、
(b 4) 前記流量制御装置に前記目標流量を入力する工程と、
(b 5) 前記流路内に前記基準ガスを流通させ、 前記流量制御装置に、 前記制 御パラメータを使用せずに前記基準ガスの流量を制御させる工程と、
(b 6) 前記検出流量を得る工程と、
(b 7) 前記入力した目標流量と、 前記得られた検出流量と、 に基づいて、 前 記第 1の特性パラメータを生成する工程と、
(b 8) 異なる前記目標流量について前記工程 (b 4) から (b 7) を繰り返 すことによって、前記複数の第 1の特性パラメータを生成する工程と、を含む、 方法。
4. 請求項 3に記載の方法であって、
前記工程 (b 2) は、
(b 9) 基準流路を流れるガスの質量流量の目標値である基準目標流量と、 前 記基準流路を流れる前記ガスの検出された質量流量である基準検出流量と、 に 基づいて前記基準流路を流れるガスの流量をフィードバック制御する基準流量 制御装置を準備する工程と、 、
(b l O) 前記基準流量制御装置に前記基準目標流量を入力する工程と、
(b l 1 ) 前記基準流路内に前記基準ガスとは異なるガスを流通させ、 前記基 準流量制御装置に前記ガスの流量を制御させる工程と、
(b 1 2) 前記基準検出流量を得る工程と、
(b 1 3) 前記入力した基準目標流量と、 前記得られた基準検出流量と、 に基 づいて、 前記第 2の特性パラメータを生成する工程と、
(b 1 4)異なる前記基準目標流量について前記工程 (b 1 0) から (b 1 3) を繰り返すことによって、前記複数の第 2の特性パラメ一夕を生成する工程と、 を含む、 方法。
5. 請求項 4記載の流量制御装置であつて、
前記工程 (b 2) は、 さらに、
(b 1 5) 前記工程 (b 1 0) から (b 1 4) の前に、 前記基準流量制御装置 について前記工程 (b 1 ) を実行して、 前記基準流量制御装置に関する前記第 1の特性データを準備する工程を含み、
前記工程 ( b 1 1 ) は、
前記基準流量制御装置に、 前記基準流量制御装置に関する前記第 1の特 性パラメータを使用して、 前記ガスの流量を制御させる工程を含む、 方法。
6. 請求項 4記載の流量制御装置であって、
前記工程 (b 2) は、
(b 1 6)複数種類のガスについて前記工程(b 1 4)を実行することにより、 前記複数種類のガスに関する複数の前記第 2の特性データを生成する工程を含 み、
前記工程 (b 3) は、
(b 1 7) 前記工程 (a) で準備した前記流量制御装置が制御するガスの種類 に応じて、 前記複数の第 2の特性データの中から一部の第 2の特性データを、 前記参照すべき第 2の特性データとして選択する工程を含む、 方法。
7. 請求項 4記載の流量制御装置であって、
前記工程 (b 2) は、 さらに、
(b 1 8) 前記工程 (b 1 4) で生成した複数の第 2の特性パラメータの一部 をそれぞれ含む複数の前記第 2の特性データであって、 それぞれが含む前記第 2の特性パラメ一夕を生成する際の前記基準目標流量の範囲が互いに異なる複 数の前記第 2の特性データを生成する工程を含み、
前記工程 ( b 3 ) は、
( b 1 9 ) 前記工程 (a ) で準備した前記流量制御装置が制御するガスの流量 の範囲に応じて、 前記複数の第 2の特性データの中から一部の第 2の特性デー 夕を、 前記参照すべき第 2の特性データとして選択する工程を含む、 方法。
8 . 請求項 2ないし 7のいずれかに記載の方法であって、
前記工程 ( b 1 ) は、
前記第 1の特性データを前記工程 (a ) で準備した前記流量制御装置の 第 1の記憶部に格納する工程を備え、
前記工程 (b 2 ) は、 さらに、
前記第 2の特性データを前記第 1の記憶部よリも交換またはデータの書 き換えが容易である第 2の記憶部に格納する工程を備え、
前記工程 (b 3 ) は、 さらに、
前記第 1の記憶部から前記第 1の特性データを読み出し、
前記第 2の記憶部から前記第 2の特性データを読み出す工程を含む、 方 法。 9 . 請求項 1ないし 8のいずれかに記載の流量制御装置であって、 前記工程 (C ) は、
前記複数の制御パラメータのうち前記検出流量と前記目標流量の少なく とも一方に基づいて決定される制御パラメータと、 前記目標流量と、 に基づい て修正目標流量を生成する工程と、
前記修正目標流量と、 前記検出流量と、 に基づいて前記流路を流れるガ スの流量をフィードバック制御する工程と、 を含む方法。
1 0 . 請求項 1ないし 8のいずれかに記載の流量制御装置であって、 前記工程 (c ) は、
前記複数の制御パラメ一夕のうち前記検出流量と前記目標流量の少なく とも一方に基づいて決定される制御パラメータと、 前記検出流量と、 に基づい て修正検出流量を生成する工程と、
前記目標流量と、 前記修正検出流量と、 に基づいて前記流路を流れるガ スの流量をフィードバック制御する工程と、 を含む方法。
1 1 . 流路に流れるガスの質量流量を検出して流量信号を出力する質量 流量検出手段と、 弁開度を変えることによって質量流量を制御する流量制御弁 機構と、 外部から入力される流量設定信号と前記流量信号とに基づいて前記流 量制御弁機構を制御する制御部とを有する質量流量制御装置において、 前記質量流量制御装置の初期状態において、 校正ガスを用いて前記流量設定 信号に対する実流量を計測することによって校正ガス特性データを求め、 前記 制御部に記憶し、
複数種類の実ガス毎に前記流量設定信号に対する実流量を計測することによ つて実ガス特性データを求め、 記憶媒体に保存し、
前記質量流量制御装置を稼働する前に、 実際に使用する実使用ガスの実ガス 特性データを前記記憶媒体から読み出し、 また、 前記制御部に記憶した前記校 正ガス特性データを読み出し、 前記実ガス特性データを元に前記校正ガス特性 データを制御流量補正データに変換し、
前記制御流量補正データに基づいて実ガス流量を補正する
ことを特徴とする流量制御補正方法。
1 2 . 前記実ガス特性データは、 互いに異なる複数の流量レンジについ て生成され、 それぞれ前記記憶媒体に保存され、
実際に稼働する質量流量制御装置のフルスケール流量に合わせて、 使用され る流量レンジのフルスケール流量を補正する
ことを特徴とする請求項 1 に記載の質量流量制御装置の流量制御補正方法。
1 3 . 流路を流れるガスの流量を制御するための流量制御装置であって、 流路を流れるガスの質量流量を検出流量として検出する流量検出部と、 前記流路を流れるガスの流量を制御する流量変更部と、
前記流路を流れるガスの質量流量の目標値である目標流量と、 前記検出流量 と、 に基づいて前記流量変更部をフィードバック制御する制御部と、 を備え、 前記制御部は、
前記流路を流れるガスの種類に応じて準備される制御データであって、 互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられた複数の制御パラメータを含む 制御データを参照しつつ、 前記複数の制御パラメータのうち前記目標流量と前 記検出流量との少なくとも一方に基づいて決定される制御パラメータを使用し て前記流量変更部を制御する、 流量制御装置。
1 4 . 請求項 1 3記載の流量制御装置であって、
前記流量検出部は、 前記流路を流れるガスの少なくとも一部によって移動さ れる熱量に基づいて、 前記ガスの質量流量を検出する、 流量制御装置。
1 5 . 請求項 1 3記載の流量制御装置であって、
前記流量検出部は、 前記流路内の異なる位置における前記ガスの圧力に基づ いて、 前記ガスの質量流量を検出する、 流量制御装置。
1 6 . 請求項 1 3記載の流量制御装置であって、 前記制御データは、 個々の前記流量制御装置に応じて準備されたデータであ る、 流量制御装置。
1 7 . 請求項 1 6記載の流量制御装置であって、 さらに、
前記制御データを生成する制御データ生成部を備え、
前記制御データ生成部は、
互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられた複数の第 1の特性パラ メータであって、 基準となる所定のガスの使用を前提とした前記個々の流量制 御装置の特性を反映した複数の第 1の特性パラメータを含む第 1の特性データ と、
互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられた複数の第 2の特性パラ メータであって、 前記流量制御装置の基準の特性を前提とした前記ガスの種類 の特性を反映した複数の第 2の特性パラメータを含む第 2の特性データと、 を 参照しつつ、
前記第 1および第 2の特性パラメータに基づいて前記制御パラメータを生 成することによって、 前記制御データを生成する、 流量制御装置。
1 8 . 請求項 1 7記載の流量制御装置であって、
前記第 2の特性データは、 前記第 2の特性データの候補でぁリ、 複数の前記 第 2の特性パラメータをそれぞれが格納する複数のデータであって、 互いに異 なる種類の前記ガスの特性を反映した複数のデータの中から選択されたデータ である、 流量制御装置。
1 9 . 請求項 1 7記載の流量制御装置であって、
前記第 2の特性データは、 前記第 2の特性データの候補であり、 複数の前記 第 2の特性パラメ一タをそれぞれが格納する複数のデータであつて、 それぞれ が格納する前記第 2の特性パラメータの質量流量の範囲が互いに異なる複数の データの中から選択されたデータである、 流量制御装置。
2 0 . 請求項 1 7記載の流量制御装置であって、
前記第 1の特性データを格納する第 1の記憶部と、
前記第 2の特性データを格納する第 2の記憶部であって、 前記第 1の記憶部 よりも交換またはデータの書き換えが容易である第 2の記憶部と、 を備える流 量制御装置。
2 1 . 請求項 1 3ないし 2 0記載の流量制御装置であって、
前記制御部は、
前記複数の制御パラメータのうち前記検出流量と前記目標流量の少なく とも一方に基づいて決定される制御パラメータと、 前記目標流量と、 に基づい て修正目標流量を生成し、
前記修正目標流量と、 前記検出流量と、 に基づいて前記流量変更部を制 御する、 流量制御装置。
2 2 . 請求項 1 3ないし 2 0記載の流量制御装置であって、
前記制御部は、
前記複数の制御パラメ一夕のうち前記検出流量と前記目標流量の少なく とも一方に基づいて決定される制御パラメータと、 前記検出流量と、 に基づい て修正検出流量を生成し、
前記目標流量と、 前記修正検出流量と、 に基づいて前記流量変更部を制 御する、 流量制御装置。
2 3 . 流路を流れるガスの流量を制御するためのコンピュータプログラム であって、
流路を流れるガスの質量流量の目標値である目標流量と、 前記流路を流れる 前記ガスの検出された質量流量である検出流量と、 に基づいて前記流路を流れ るガスの流量をフィードバック制御する流量制御装置に、
前記流路を流れる前記ガスの種類に応じて準備される制御データであつ て、 互いに異なる質量流量にそれぞれ対応づけられた複数の制御パラメータを 含む制御データを参照しつつ、 前記複数の制御パラメータのうち前記目標流量 と前記検出流量との少なくとも一方に基づいて決定される制御パラメータを使 用して前記流量変更部を制御する機能を実現させる、コンピュータプログラム。
2 4 . 流路を流れるガスの流量を制御するためのコンピュータプログラム 製品であって、
前記コンピュータプログラム製品は、
コンピュータ読み取り可能な媒体と、
前記媒体に記録されたコンピュータプログラムと、 を含み、
前記コンピュータプログラムは、
流路を流れるガスの質量流量の目標値である目標流量と、 前記流路を流 れる前記ガスの検出された質量流量である検出流量と、 に基づいて前記流路を 流れるガスの流量をフィードバック制御する流量制御装置に、 前記流路を流れ る前記ガスの種類に応じて準備される制御データであって、 互いに異なる質量 流量にそれぞれ対応づけられた複数の制御パラメータを含む制御データを参照 しつつ、 前記複数の制御パラメータのうち前記目標流量と前記検出流量との少 なくとも一方に基づいて決定される制御パラメ一夕を使用して前記流量変更部 を制御する機能を実現させる部分を含む、 コンピュータプログラム製品。
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100103376A (ko) * 2009-03-12 2010-09-27 가부시키가이샤 호리바 에스텍 매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템
JP2011258200A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Hitachi Metals Ltd 適応型オンツール質量流量コントローラ調整
US8893743B2 (en) 2011-10-14 2014-11-25 Tokyo Electron Limited Flow rate controller and processing apparatus
JP2016152396A (ja) * 2015-02-19 2016-08-22 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体
KR20160138067A (ko) * 2014-03-31 2016-12-02 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 열식 질량 유량 측정 방법, 당해 방법을 사용하는 열식 질량 유량계 및 당해 열식 질량 유량계를 사용하는 열식 질량 유량 제어 장치
JP2019106015A (ja) * 2017-12-12 2019-06-27 株式会社堀場エステック 流体装置及び流体装置用プログラム

Families Citing this family (289)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7757554B2 (en) 2005-03-25 2010-07-20 Mks Instruments, Inc. High accuracy mass flow verifier with multiple inlets
US9383758B2 (en) * 2005-06-27 2016-07-05 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
US9921089B2 (en) 2005-06-27 2018-03-20 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
JP2010169657A (ja) * 2008-12-25 2010-08-05 Horiba Stec Co Ltd 質量流量計及びマスフローコントローラ
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
WO2011127031A2 (en) * 2010-04-07 2011-10-13 Diversey, Inc. Dispensing assembly with shut off valve, backflow preventer, and methods of operating the same
JP5864849B2 (ja) * 2010-10-20 2016-02-17 株式会社堀場エステック 流体計測システム
JP5962668B2 (ja) 2011-01-20 2016-08-03 日立金属株式会社 オンボードでの診断、予測及びデータ収集を行うマスフローコントローラ
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US8915262B2 (en) * 2011-08-09 2014-12-23 Hitachi Metals, Ltd. Mass flow controller algorithm with adaptive valve start position
US9644796B2 (en) * 2011-09-29 2017-05-09 Applied Materials, Inc. Methods for in-situ calibration of a flow controller
US9772629B2 (en) 2011-09-29 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Methods for monitoring a flow controller coupled to a process chamber
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
JP5969760B2 (ja) * 2011-12-27 2016-08-17 株式会社堀場エステック 熱式流量センサ
US9169975B2 (en) * 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
JP6027395B2 (ja) * 2012-10-29 2016-11-16 株式会社堀場エステック 流体制御装置
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9146563B2 (en) 2013-03-01 2015-09-29 Hitachi Metals, Ltd. Mass flow controller and method for improved performance across fluid types
US9746359B2 (en) * 2013-06-28 2017-08-29 Vyaire Medical Capital Llc Flow sensor
US9962514B2 (en) 2013-06-28 2018-05-08 Vyaire Medical Capital Llc Ventilator flow valve
US9795757B2 (en) 2013-06-28 2017-10-24 Vyaire Medical Capital Llc Fluid inlet adapter
US9707369B2 (en) 2013-06-28 2017-07-18 Vyaire Medical Capital Llc Modular flow cassette
US9541098B2 (en) 2013-06-28 2017-01-10 Vyaire Medical Capital Llc Low-noise blower
WO2015064035A1 (ja) * 2013-10-31 2015-05-07 株式会社フジキン 圧力式流量制御装置
US10161060B2 (en) 2013-12-19 2018-12-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Gas-supply system and method
US9632516B2 (en) * 2013-12-19 2017-04-25 Tawan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Gas-supply system and method
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
CN104216425B (zh) * 2014-08-29 2017-07-25 湖南三德科技股份有限公司 用于电子流量控制器的载气类型自动识别方法及电子流量控制器
US20160085241A1 (en) * 2014-09-18 2016-03-24 Chin-Tsung Lee Flow detection device and numerical modeling method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
CN104316626A (zh) * 2014-11-06 2015-01-28 上海仪电分析仪器有限公司 气相色谱仪电子闭环式气体流量自动校准控制装置
CN104482996B (zh) * 2014-12-24 2019-03-15 胡桂标 无源核子料位计的料种修正测量系统
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
WO2017160400A1 (en) 2016-01-22 2017-09-21 Illinois Tool Works Inc. Systems and methods to dynamically configure data values stored on a mass flow controller
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
JP6600854B2 (ja) * 2016-08-24 2019-11-06 株式会社フジキン 圧力式流量制御装置、その流量算出方法および流量制御方法
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2018096848A (ja) * 2016-12-13 2018-06-21 株式会社堀場エステック 流量特性関数同定方法、流量特性関数同定装置、流量特性関数同定用プログラム、及び、これらを用いた流量センサ又は流量制御装置
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
FI127599B (en) * 2017-05-02 2018-09-28 Kemppi Oy Method and apparatus for measuring a protective gas flow rate
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US11127617B2 (en) 2017-11-27 2021-09-21 Asm Ip Holding B.V. Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
CN110016657B (zh) * 2018-01-08 2020-06-19 北京北方华创微电子装备有限公司 流量控制方法及装置、反应腔室
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102657269B1 (ko) 2018-02-14 2024-04-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US11209298B2 (en) 2018-04-27 2021-12-28 Hitachi Metals, Ltd. Thermal mass flow sensor with improved accuracy
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20210024462A (ko) 2018-06-27 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110952076A (zh) * 2018-09-26 2020-04-03 北京北方华创微电子装备有限公司 气路控制方法及装置、半导体处理设备
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
WO2020081846A1 (en) 2018-10-17 2020-04-23 Pneuma Systems Corporation Airflow-based volumetric pump
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
CN113825985B (zh) * 2019-05-24 2023-08-01 郑庆焕 气体测量装置及其气体测量方法
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
CN110571171B (zh) * 2019-09-03 2022-05-27 北京北方华创微电子装备有限公司 气体流量控制器的校准方法、校准系统及进气装置
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN110647177B (zh) * 2019-09-30 2022-09-06 北京晓韬科技有限公司 质量流量控制器的线性度增强方法及装置
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
JP2021152786A (ja) * 2020-03-24 2021-09-30 株式会社フジキン 流量制御システム、流量制御システムの制御方法、流量制御システムの制御プログラム
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
TW202212623A (zh) 2020-08-26 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
CN112198905B (zh) * 2020-09-11 2023-03-10 兰州空间技术物理研究所 一种标准数字接口的气体流量控制方法
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
CN112254775A (zh) * 2020-10-22 2021-01-22 山东朗晖石油化学股份有限公司 一种监控质量流量计气液两相的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN117043705A (zh) * 2021-03-24 2023-11-10 株式会社博迈立铖 决定参数的初始值的方法及系统、以及调整质量流量控制装置的方法及系统
US11435764B1 (en) 2021-03-30 2022-09-06 Hitachi Metals, Ltd. Mass flow controller utilizing nonlinearity component functions
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335118A (ja) * 1995-06-06 1996-12-17 Hitachi Metals Ltd 流量制御方法
JP2000322130A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Fujikin Inc フローファクターによる流体可変型流量制御方法およびその装置
JP2002372443A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Smc Corp 質量流量測定方法および質量流量制御装置
JP2004199245A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Ckd Corp 流量制御方法および流量制御装置

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5062446A (en) * 1991-01-07 1991-11-05 Sematech, Inc. Intelligent mass flow controller
JPH0784650A (ja) * 1993-07-23 1995-03-31 Hitachi Metals Ltd マスフローコントローラ、その運転方法及び電磁弁
JP3374337B2 (ja) 1993-12-20 2003-02-04 日本エム・ケー・エス株式会社 質量流量制御装置
US5911238A (en) * 1996-10-04 1999-06-15 Emerson Electric Co. Thermal mass flowmeter and mass flow controller, flowmetering system and method
US5944048A (en) * 1996-10-04 1999-08-31 Emerson Electric Co. Method and apparatus for detecting and controlling mass flow
JP3522544B2 (ja) 1998-08-24 2004-04-26 忠弘 大見 流体可変型流量制御装置
US6119710A (en) * 1999-05-26 2000-09-19 Cyber Instrument Technologies Llc Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction
US6343617B1 (en) * 1999-07-09 2002-02-05 Millipore Corporation System and method of operation of a digital mass flow controller
US6564824B2 (en) * 2001-04-13 2003-05-20 Flowmatrix, Inc. Mass flow meter systems and methods
KR20040019293A (ko) * 2001-05-24 2004-03-05 셀레리티 그룹 아이엔씨 소정 비율의 프로세스 유체를 제공하는 방법 및 장치
WO2003100391A1 (en) 2002-05-24 2003-12-04 Mykrolis Corporation System and method for mass flow detection device calibration
US7004191B2 (en) * 2002-06-24 2006-02-28 Mks Instruments, Inc. Apparatus and method for mass flow controller with embedded web server
WO2004010234A2 (en) * 2002-07-19 2004-01-29 Celerity Group, Inc. Methods and apparatus for pressure compensation in a mass flow controller
JP4502590B2 (ja) 2002-11-15 2010-07-14 株式会社ルネサステクノロジ 半導体製造装置
US7043374B2 (en) * 2003-03-26 2006-05-09 Celerity, Inc. Flow sensor signal conversion
CN100483286C (zh) * 2004-06-21 2009-04-29 日立金属株式会社 流量控制装置及其调整方法
JP4086057B2 (ja) * 2004-06-21 2008-05-14 日立金属株式会社 質量流量制御装置及びこの検定方法
WO2008030454A2 (en) * 2006-09-05 2008-03-13 Celerity, Inc. Multi-gas flow device
US8079383B2 (en) * 2006-12-07 2011-12-20 Mks Instruments, Inc. Controller gain scheduling for mass flow controllers
US7826986B2 (en) * 2008-09-26 2010-11-02 Advanced Energy Industries, Inc. Method and system for operating a mass flow controller

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08335118A (ja) * 1995-06-06 1996-12-17 Hitachi Metals Ltd 流量制御方法
JP2000322130A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Fujikin Inc フローファクターによる流体可変型流量制御方法およびその装置
JP2002372443A (ja) * 2001-06-13 2002-12-26 Smc Corp 質量流量測定方法および質量流量制御装置
JP2004199245A (ja) * 2002-12-17 2004-07-15 Ckd Corp 流量制御方法および流量制御装置

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20100103376A (ko) * 2009-03-12 2010-09-27 가부시키가이샤 호리바 에스텍 매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템
KR101647151B1 (ko) * 2009-03-12 2016-08-09 가부시키가이샤 호리바 에스텍 매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템
JP2011258200A (ja) * 2010-06-10 2011-12-22 Hitachi Metals Ltd 適応型オンツール質量流量コントローラ調整
US8893743B2 (en) 2011-10-14 2014-11-25 Tokyo Electron Limited Flow rate controller and processing apparatus
TWI503641B (zh) * 2011-10-14 2015-10-11 Tokyo Electron Ltd 處理裝置
KR20160138067A (ko) * 2014-03-31 2016-12-02 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 열식 질량 유량 측정 방법, 당해 방법을 사용하는 열식 질량 유량계 및 당해 열식 질량 유량계를 사용하는 열식 질량 유량 제어 장치
KR102150579B1 (ko) * 2014-03-31 2020-09-01 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 열식 질량 유량 측정 방법, 당해 방법을 사용하는 열식 질량 유량계 및 당해 열식 질량 유량계를 사용하는 열식 질량 유량 제어 장치
JP2016152396A (ja) * 2015-02-19 2016-08-22 東京エレクトロン株式会社 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体
JP2019106015A (ja) * 2017-12-12 2019-06-27 株式会社堀場エステック 流体装置及び流体装置用プログラム
US11262222B2 (en) 2017-12-12 2022-03-01 Horiba Stec, Co., Ltd. Fluid device and program for fluid device
JP7067910B2 (ja) 2017-12-12 2022-05-16 株式会社堀場エステック 流体装置及び流体装置用プログラム

Also Published As

Publication number Publication date
US20130153040A1 (en) 2013-06-20
US20100000608A1 (en) 2010-01-07
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US8485219B2 (en) 2013-07-16
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JP4957725B2 (ja) 2012-06-20

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