KR101076397B1 - 유량 제어 방법, 유량 제어 보정 방법, 유량 제어 장치 및 컴퓨터 판독가능한 기록 매체 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (24)
- 유로(流路)를 흐르는 가스의 유량(流量)을 제어하는 방법으로서,(a) 유로를 흐르는 가스의 질량 유량의 목표값인 목표 유량과, 상기 유로를 흐르는 가스의 검출된 질량 유량인 검출 유량에 의거해서 상기 유로를 흐르는 가스의 유량을 피드백 제어하는 유량 제어 장치를 준비하는 공정과,(b) 서로 다른(異) 질량 유량에 각각 대응지어진 복수의 제어 파라미터를 포함하는 제어 데이터를, 상기 유로를 흐르는 상기 가스의 종류에 따라서 준비하는 공정과,(c) 상기 유량 제어 장치를 사용해서, 상기 제어 데이터를 참조하면서, 상기 복수의 제어 파라미터중 상기 목표 유량과 상기 검출 유량의 적어도 한쪽에 의거해서 결정되는 제어 파라미터와, 상기 목표 유량과, 상기 검출 유량에 의거해서 상기 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 공정을 구비하고,상기 공정 (b)는,(b1) 서로 다른 질량 유량에 각각 대응지어진 복수의 제1 특성 파라미터로서, 소정의 기준 가스의 사용을 전제로 한 상기 준비한 유량 제어 장치의 특성을 반영한 복수의 제1 특성 파라미터를 포함하는 제1 특성 데이터를 준비하는 공정과,(b2) 서로 다른 질량 유량에 각각 대응지어진 복수의 제2 특성 파라미터로서, 상기 유량 제어 장치의 기준의 특성을 전제로 한 상기 가스의 종류에 따른 특성을 반영한 복수의 제2 특성 파라미터를 포함하는 제2 특성 데이터를 준비하는 공정과,(b3) 상기 제1 및 제2 특성 데이터를 참조하면서, 상기 제1 및 제2 특성 파라미터에 의거해서 상기 제어 파라미터를 생성하는 것에 의해서, 상기 제어 데이터를 생성하는 공정을포함하는, 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 방법.
- 삭제
- 제1항에 있어서,상기 공정 (b1)은,(b4) 상기 유량 제어 장치에 상기 목표 유량을 입력하는 공정과,(b5) 상기 유로내에 상기 기준 가스를 유통시키고, 상기 유량 제어 장치에, 상기 제어 파라미터를 사용하지 않고 상기 기준 가스의 유량을 제어시키는 공정과,(b6) 상기 검출 유량을 얻는 공정과,(b7) 상기 입력한 목표 유량과, 상기 얻어진 검출 유량에 의거해서, 상기 제1 특성 파라미터를 생성하는 공정과,(b8) 다른 상기 목표 유량에 대해서 상기 공정 (b4)∼(b7)을 반복하는 것에 의해서, 상기 복수의 제1 특성 파라미터를 생성하는 공정을 포함하는, 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 방법.
- 제3항에 있어서,상기 공정 (b2)는,(b9) 기준 유로를 흐르는 가스의 질량 유량의 목표값인 기준 목표 유량과, 상기 기준 유로를 흐르는 상기 가스의 검출된 질량 유량인 기준 검출 유량에 의거해서 상기 기준 유로를 흐르는 가스의 유량을 피드백 제어하는 기준 유량 제어 장치를 준비하는 공정과,(b10) 상기 기준 유량 제어 장치에 상기 기준 목표 유량을 입력하는 공정과,(b11) 상기 기준 유로내에 상기 기준 가스와는 다른 가스를 유통시키고, 상기 기준 유량 제어 장치에 상기 가스의 유량을 제어시키는 공정과,(b12) 상기 기준 검출 유량을 얻는 공정과,(b13) 상기 입력한 기준 목표 유량과, 상기 얻어진 기준 검출 유량에 의거해서, 상기 제2 특성 파라미터를 생성하는 공정과,(b14) 다른 상기 기준 목표 유량에 대해서 상기 공정 (b10)∼(b13)을 반복하는 것에 의해서, 상기 복수의 제2 특성 파라미터를 생성하는 공정을 포함하는, 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 방법.
- 제4항에 있어서,상기 공정 (b2)는,(b15) 상기 공정 (b10)∼(b14) 전에, 상기 기준 유량 제어 장치에 대해서 상기 공정 (b1)을 실행해서, 상기 기준 유량 제어 장치에 관한 상기 제1 특성 데이터를 준비하는 공정을 더 포함하고,상기 공정 (b11)은,상기 기준 유량 제어 장치에, 상기 기준 유량 제어 장치에 관한 상기 제1 특성 파라미터를 사용해서, 상기 가스의 유량을 제어시키는 공정을 포함하는, 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 방법.
- 제4항에 있어서,상기 공정 (b2)는,(b16) 복수 종류의 가스에 대해서 상기 공정 (b14)를 실행하는 것에 의해, 상기 복수 종류의 가스에 관한 복수의 상기 제2 특성 데이터를 생성하는 공정을 포함하고,상기 공정 (b3)은,(b17) 상기 공정 (a)에서 준비한 상기 유량 제어 장치가 제어하는 가스의 종류에 따라서, 상기 복수의 제2 특성 데이터중에서 일부의 제2 특성 데이터를, 상기 참조해야 할 제2 특성 데이터로서 선택하는 공정을 포함하는, 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 방법.
- 제4항에 있어서,상기 공정 (b2)는,(b18) 상기 공정 (b14)에서 생성한 복수의 제2 특성 파라미터의 일부를 각각 포함하는 복수의 상기 제2 특성 데이터로서, 각각이 포함하는 상기 제2 특성 파라미터를 생성할 때의 상기 기준 목표 유량의 범위가 서로 다른 복수의 상기 제2 특성 데이터를 생성하는 공정을 더 포함하고,상기 공정 (b3)은,(b19) 상기 공정 (a)에서 준비한 상기 유량 제어 장치가 제어하는 가스의 유량의 범위에 따라서, 상기 복수의 제2 특성 데이터중에서 일부의 제2 특성 데이터를, 상기 참조해야 할 제2 특성 데이터로서 선택하는 공정을 포함하는, 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 공정 (b1)은,상기 제1 특성 데이터를 상기 공정 (a)에서 준비한 상기 유량 제어 장치의 제1 기억부에 저장(格納; save)하는 공정을 구비하고,상기 공정 (b2)는,상기 제2 특성 데이터를 상기 제1 기억부보다도 교환 또는 데이터의 개서(書換; update)가 용이한 제2 기억부에 저장하는 공정을 더 구비하고,상기 공정 (b3)은,상기 제1 기억부로부터 상기 제1 특성 데이터를 판독출력(讀出; read)하고,상기 제2 기억부로부터 상기 제2 특성 데이터를 판독출력하는 공정을 더 포함하는, 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 공정 (c)는,상기 복수의 제어 파라미터중 상기 검출 유량과 상기 목표 유량의 적어도 한쪽에 의거해서 결정되는 제어 파라미터와, 상기 목표 유량에 의거해서 수정 목표 유량을 생성하는 공정과,상기 수정 목표 유량과, 상기 검출 유량에 의거해서 상기 유로를 흐르는 가스의 유량을 피드백 제어하는 공정을 포함하는, 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 공정 (c)는,상기 복수의 제어 파라미터중 상기 검출 유량과 상기 목표 유량의 적어도 한쪽에 의거해서 결정되는 제어 파라미터와, 상기 검출 유량에 의거해서 수정 검출 유량을 생성하는 공정과,상기 목표 유량과, 상기 수정 검출 유량에 의거해서 상기 유로를 흐르는 가스의 유량을 피드백 제어하는 공정을 포함하는, 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 방법.
- 유로에 흐르는 가스의 질량 유량을 검출해서 유량 신호를 출력하는 질량 유량 검출 수단과, 밸브 개방도(弁開度)를 바꾸는 것에 의해서 질량 유량을 제어하는 유량 제어 밸브 기구와, 외부로부터 입력되는 유량 설정 신호와 상기 유량 신호에 의거해서 상기 유량 제어 밸브 기구를 제어하는 제어부를 가지는 질량 유량 제어 장치에 있어서,상기 질량 유량 제어 장치의 초기 상태에서, 교정(校正) 가스를 이용해서 상기 유량 설정 신호에 대한 실(實)유량을 계측하는 것에 의해서 교정 가스 특성 데이터를 구해서, 상기 제어부에 기억하고,복수 종류의 실(實)가스마다 상기 유량 설정 신호에 대한 실유량을 계측하는 것에 의해서 실가스 특성 데이터를 구해서, 기억 매체에 보존하고,상기 질량 유량 제어 장치를 가동하기 전에, 실제로 사용하는 실(實)사용 가스의 실가스 특성 데이터를 상기 기억 매체로부터 판독출력하고, 또 상기 제어부에 기억한 상기 교정 가스 특성 데이터를 판독출력하고, 상기 실가스 특성 데이터를 바탕으로 상기 교정 가스 특성 데이터를 제어 유량 보정 데이터로 변환하고,상기 제어 유량 보정 데이터에 의거해서 실가스 유량을 보정하는것을 특징으로 하는 유량 제어 보정 방법.
- 제11항에 있어서,상기 실가스 특성 데이터는, 서로 다른 복수의 유량 레인지에 대해서 생성되어, 각각 상기 기억 매체에 보존되고,실제로 가동하는 질량 유량 제어 장치의 풀스케일 유량에 맞추어, 사용되는 유량 레인지의 풀스케일 유량을 보정하는것을 특징으로 하는 유량 제어 보정 방법.
- 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하기 위한 유량 제어 장치로서,유로를 흐르는 가스의 질량 유량을 검출 유량으로서 검출하는 유량 검출부와,상기 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 유량 변경부와,상기 유로를 흐르는 가스의 질량 유량의 목표값인 목표 유량과, 상기 검출 유량에 의거해서 상기 유량 변경부를 피드백 제어하는 제어부를 구비하고,상기 제어부는,상기 유로를 흐르는 가스의 종류에 따라서 준비되는 제어 데이터로서, 서로 다른 질량 유량에 각각 대응지어진 복수의 제어 파라미터를 포함하는 제어 데이터를 참조하면서, 상기 복수의 제어 파라미터중 상기 목표 유량과 상기 검출 유량의 적어도 한쪽에 의거해서 결정되는 제어 파라미터를 사용해서 상기 유량 변경부를 제어하고,상기 제어 데이터는, 개개의 상기 유량 제어 장치에 따라서 준비된 데이터이고,상기 유량 제어 장치는 상기 제어 데이터를 생성하는 제어 데이터 생성부를 더 구비하고,상기 제어 데이터 생성부는,서로 다른 질량 유량에 각각 대응지어진 복수의 제1 특성 파라미터로서, 기준으로 되는 소정의 가스의 사용을 전제로 한 상기 개개의 유량 제어 장치의 특성을 반영한 복수의 제1 특성 파라미터를 포함하는 제1 특성 데이터와,서로 다른 질량 유량에 각각 대응지어진 복수의 제2 특성 파라미터로서, 상기 유량 제어 장치의 기준의 특성을 전제로 한 상기 가스의 종류의 특성을 반영한 복수의 제2 특성 파라미터를 포함하는 제2 특성 데이터를 참조하면서,상기 제1 및 제2 특성 파라미터에 의거해서 상기 제어 파라미터를 생성하는 것에 의해서, 상기 제어 데이터를 생성하는,유량 제어 장치.
- 제13항에 있어서,상기 유량 검출부는, 상기 유로를 흐르는 가스의 적어도 일부에 의해서 이동되는 열량에 의거해서, 상기 가스의 질량 유량을 검출하는 유량 제어 장치.
- 제13항에 있어서,상기 유량 검출부는, 상기 유로내의 다른 위치에서의 상기 가스의 압력에 의거해서, 상기 가스의 질량 유량을 검출하는 유량 제어 장치.
- 삭제
- 삭제
- 제13항에 있어서,상기 제2 특성 데이터는, 상기 제2 특성 데이터의 후보이며, 복수의 상기 제2 특성 파라미터를 각각이 저장하는 복수의 데이터로서, 서로 다른 종류의 상기 가스의 특성을 반영한 복수의 데이터중에서 선택된 데이터인 유량 제어 장치.
- 제13항에 있어서,상기 제2 특성 데이터는, 상기 제2 특성 데이터의 후보이며, 복수의 상기 제2 특성 파라미터를 각각이 저장하는 복수의 데이터로서, 각각이 저장하는 상기 제2 특성 파라미터의 질량 유량의 범위가 서로 다른 복수의 데이터중에서 선택된 데이터인 유량 제어 장치.
- 제13항에 있어서,상기 제1 특성 데이터를 저장하는 제1 기억부와,상기 제2 특성 데이터를 저장하는 제2 기억부로서, 상기 제1 기억부보다도 교환 또는 데이터의 개서가 용이한 제2 기억부를 더 구비하는 유량 제어 장치.
- 제13항에 있어서,상기 제어부는,상기 복수의 제어 파라미터중 상기 검출 유량과 상기 목표 유량의 적어도 한쪽에 의거해서 결정되는 제어 파라미터와, 상기 목표 유량에 의거해서 수정 목표 유량을 생성하고,상기 수정 목표 유량과, 상기 검출 유량에 의거해서 상기 유량 변경부를 제어하는 유량 제어 장치.
- 제13항에 있어서,상기 제어부는,상기 복수의 제어 파라미터중 상기 검출 유량과 상기 목표 유량의 적어도 한쪽에 의거해서 결정되는 제어 파라미터와, 상기 검출 유량에 의거해서 수정 검출 유량을 생성하고,상기 목표 유량과, 상기 수정 검출 유량에 의거해서 상기 유량 변경부를 제어하는 유량 제어 장치.
- 유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하기 위한 컴퓨터 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독가능한 기록 매체로서,유로를 흐르는 가스의 유량을 제어하는 유량 변경부를 구비하고, 상기 유로를 흐르는 가스의 질량 유량의 목표값인 목표 유량과, 상기 유로를 흐르는 상기 가스의 검출된 질량 유량인 검출 유량에 의거해서 상기 유로를 흐르는 가스의 유량을 피드백 제어하는 유량 제어 장치에,상기 유로를 흐르는 상기 가스의 종류에 따라서 준비되는 제어 데이터로서, 서로 다른 질량 유량에 각각 대응지어진 복수의 제어 파라미터를 포함하는 제어 데이터를 참조하면서, 상기 복수의 제어 파라미터중 상기 목표 유량과 상기 검출 유량의 적어도 한쪽에 의거해서 결정되는 제어 파라미터를 사용해서 상기 유량 변경부를 제어하는 기능을 실현시키고,상기 제어 데이터는, 개개의 상기 유량 제어 장치에 따라서 준비된 데이터이고,상기 유량 제어 장치는 상기 제어 데이터를 생성하는 제어 데이터 생성부를 더 구비하고,상기 제어 데이터 생성부는,서로 다른 질량 유량에 각각 대응지어진 복수의 제1 특성 파라미터로서, 기준으로 되는 소정의 가스의 사용을 전제로 한 상기 개개의 유량 제어 장치의 특성을 반영한 복수의 제1 특성 파라미터를 포함하는 제1 특성 데이터와,서로 다른 질량 유량에 각각 대응지어진 복수의 제2 특성 파라미터로서, 상기 유량 제어 장치의 기준의 특성을 전제로 한 상기 가스의 종류의 특성을 반영한 복수의 제2 특성 파라미터를 포함하는 제2 특성 데이터를 참조하면서,상기 제1 및 제2 특성 파라미터에 의거해서 상기 제어 파라미터를 생성하는 것에 의해서, 상기 제어 데이터를 생성하는,컴퓨터 판독가능한 기록 매체.
- 삭제
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JP5337542B2 (ja) * | 2009-03-12 | 2013-11-06 | 株式会社堀場エステック | マスフローメータ、マスフローコントローラ、それらを含むマスフローメータシステムおよびマスフローコントローラシステム |
US9394608B2 (en) | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
WO2011127031A2 (en) * | 2010-04-07 | 2011-10-13 | Diversey, Inc. | Dispensing assembly with shut off valve, backflow preventer, and methods of operating the same |
US8131400B2 (en) * | 2010-06-10 | 2012-03-06 | Hitachi Metals, Ltd. | Adaptive on-tool mass flow controller tuning |
JP5864849B2 (ja) * | 2010-10-20 | 2016-02-17 | 株式会社堀場エステック | 流体計測システム |
JP5962668B2 (ja) | 2011-01-20 | 2016-08-03 | 日立金属株式会社 | オンボードでの診断、予測及びデータ収集を行うマスフローコントローラ |
US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
US8915262B2 (en) * | 2011-08-09 | 2014-12-23 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow controller algorithm with adaptive valve start position |
US9644796B2 (en) * | 2011-09-29 | 2017-05-09 | Applied Materials, Inc. | Methods for in-situ calibration of a flow controller |
US9772629B2 (en) | 2011-09-29 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Methods for monitoring a flow controller coupled to a process chamber |
JP5803552B2 (ja) * | 2011-10-14 | 2015-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
JP5969760B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2016-08-17 | 株式会社堀場エステック | 熱式流量センサ |
US9169975B2 (en) * | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
JP6027395B2 (ja) * | 2012-10-29 | 2016-11-16 | 株式会社堀場エステック | 流体制御装置 |
US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
US9146563B2 (en) | 2013-03-01 | 2015-09-29 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow controller and method for improved performance across fluid types |
US9746359B2 (en) * | 2013-06-28 | 2017-08-29 | Vyaire Medical Capital Llc | Flow sensor |
US9962514B2 (en) | 2013-06-28 | 2018-05-08 | Vyaire Medical Capital Llc | Ventilator flow valve |
US9795757B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-10-24 | Vyaire Medical Capital Llc | Fluid inlet adapter |
US9707369B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-07-18 | Vyaire Medical Capital Llc | Modular flow cassette |
US9541098B2 (en) | 2013-06-28 | 2017-01-10 | Vyaire Medical Capital Llc | Low-noise blower |
WO2015064035A1 (ja) * | 2013-10-31 | 2015-05-07 | 株式会社フジキン | 圧力式流量制御装置 |
US10161060B2 (en) | 2013-12-19 | 2018-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Gas-supply system and method |
US9632516B2 (en) * | 2013-12-19 | 2017-04-25 | Tawan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd | Gas-supply system and method |
US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
US10508943B2 (en) * | 2014-03-31 | 2019-12-17 | Hitachi Metals, Ltd. | Thermal mass flow rate measurement method, thermal mass flow meter using said method, and thermal mass flow controller using said thermal mass flow meter |
US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
CN104216425B (zh) * | 2014-08-29 | 2017-07-25 | 湖南三德科技股份有限公司 | 用于电子流量控制器的载气类型自动识别方法及电子流量控制器 |
US20160085241A1 (en) * | 2014-09-18 | 2016-03-24 | Chin-Tsung Lee | Flow detection device and numerical modeling method |
US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
CN104316626A (zh) * | 2014-11-06 | 2015-01-28 | 上海仪电分析仪器有限公司 | 气相色谱仪电子闭环式气体流量自动校准控制装置 |
CN104482996B (zh) * | 2014-12-24 | 2019-03-15 | 胡桂标 | 无源核子料位计的料种修正测量系统 |
JP6417999B2 (ja) * | 2015-02-19 | 2018-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理液供給装置、処理液供給方法及び記憶媒体 |
US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
WO2017160400A1 (en) | 2016-01-22 | 2017-09-21 | Illinois Tool Works Inc. | Systems and methods to dynamically configure data values stored on a mass flow controller |
US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
JP6600854B2 (ja) * | 2016-08-24 | 2019-11-06 | 株式会社フジキン | 圧力式流量制御装置、その流量算出方法および流量制御方法 |
US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
JP2018096848A (ja) * | 2016-12-13 | 2018-06-21 | 株式会社堀場エステック | 流量特性関数同定方法、流量特性関数同定装置、流量特性関数同定用プログラム、及び、これらを用いた流量センサ又は流量制御装置 |
KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
FI127599B (en) * | 2017-05-02 | 2018-09-28 | Kemppi Oy | Method and apparatus for measuring a protective gas flow rate |
US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
WO2019103610A1 (en) | 2017-11-27 | 2019-05-31 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus including a clean mini environment |
US11127617B2 (en) | 2017-11-27 | 2021-09-21 | Asm Ip Holding B.V. | Storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace |
JP7067910B2 (ja) | 2017-12-12 | 2022-05-16 | 株式会社堀場エステック | 流体装置及び流体装置用プログラム |
CN110016657B (zh) * | 2018-01-08 | 2020-06-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 流量控制方法及装置、反应腔室 |
US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
TWI799494B (zh) | 2018-01-19 | 2023-04-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
US11482412B2 (en) | 2018-01-19 | 2022-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition |
USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
KR102657269B1 (ko) | 2018-02-14 | 2024-04-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 주기적 증착 공정에 의해 기판 상에 루테늄-함유 막을 증착하는 방법 |
US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
US11209298B2 (en) | 2018-04-27 | 2021-12-28 | Hitachi Metals, Ltd. | Thermal mass flow sensor with improved accuracy |
TWI811348B (zh) | 2018-05-08 | 2023-08-11 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
KR20190129718A (ko) | 2018-05-11 | 2019-11-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조 |
KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
CN112292477A (zh) | 2018-06-27 | 2021-01-29 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构 |
KR20210024462A (ko) | 2018-06-27 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 필름 및 구조체 |
US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
CN110952076A (zh) * | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气路控制方法及装置、半导体处理设备 |
CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
WO2020081846A1 (en) | 2018-10-17 | 2020-04-23 | Pneuma Systems Corporation | Airflow-based volumetric pump |
KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
TW202037745A (zh) | 2018-12-14 | 2020-10-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統 |
TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
JP2020136677A (ja) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置 |
TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
JP2020133004A (ja) | 2019-02-22 | 2020-08-31 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 基材を処理するための基材処理装置および方法 |
KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
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US11742198B2 (en) | 2019-03-08 | 2023-08-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structure including SiOCN layer and method of forming same |
KR20200116033A (ko) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치 |
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JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
CN113825985B (zh) * | 2019-05-24 | 2023-08-01 | 郑庆焕 | 气体测量装置及其气体测量方法 |
USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
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USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
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US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
TW202113936A (zh) | 2019-07-29 | 2021-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法 |
CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
CN112323048B (zh) | 2019-08-05 | 2024-02-09 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于化学源容器的液位传感器 |
USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
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US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
CN110571171B (zh) * | 2019-09-03 | 2022-05-27 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 气体流量控制器的校准方法、校准系统及进气装置 |
KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
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US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
CN110647177B (zh) * | 2019-09-30 | 2022-09-06 | 北京晓韬科技有限公司 | 质量流量控制器的线性度增强方法及装置 |
CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
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US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
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US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
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JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. | 基板処理装置、基板処理方法 |
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KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
TW202146715A (zh) | 2020-02-17 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統 |
TW202203344A (zh) | 2020-02-28 | 2022-01-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 專用於零件清潔的系統 |
US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
CN113394086A (zh) | 2020-03-12 | 2021-09-14 | Asm Ip私人控股有限公司 | 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法 |
JP2021152786A (ja) * | 2020-03-24 | 2021-09-30 | 株式会社フジキン | 流量制御システム、流量制御システムの制御方法、流量制御システムの制御プログラム |
KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
JP2021172884A (ja) | 2020-04-24 | 2021-11-01 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体 |
KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
TW202146831A (zh) | 2020-04-24 | 2021-12-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法 |
KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
TW202200837A (zh) | 2020-05-22 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基材上形成薄膜之反應系統 |
TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
TW202212623A (zh) | 2020-08-26 | 2022-04-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 形成金屬氧化矽層及金屬氮氧化矽層的方法、半導體結構、及系統 |
USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
CN112198905B (zh) * | 2020-09-11 | 2023-03-10 | 兰州空间技术物理研究所 | 一种标准数字接口的气体流量控制方法 |
USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
CN112254775A (zh) * | 2020-10-22 | 2021-01-22 | 山东朗晖石油化学股份有限公司 | 一种监控质量流量计气液两相的方法 |
KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
KR20220076343A (ko) | 2020-11-30 | 2022-06-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터 |
US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
CN117043705A (zh) * | 2021-03-24 | 2023-11-10 | 株式会社博迈立铖 | 决定参数的初始值的方法及系统、以及调整质量流量控制装置的方法及系统 |
US11435764B1 (en) | 2021-03-30 | 2022-09-06 | Hitachi Metals, Ltd. | Mass flow controller utilizing nonlinearity component functions |
USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000322130A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Fujikin Inc | フローファクターによる流体可変型流量制御方法およびその装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5062446A (en) * | 1991-01-07 | 1991-11-05 | Sematech, Inc. | Intelligent mass flow controller |
JPH0784650A (ja) * | 1993-07-23 | 1995-03-31 | Hitachi Metals Ltd | マスフローコントローラ、その運転方法及び電磁弁 |
JP3374337B2 (ja) | 1993-12-20 | 2003-02-04 | 日本エム・ケー・エス株式会社 | 質量流量制御装置 |
JPH08335118A (ja) * | 1995-06-06 | 1996-12-17 | Hitachi Metals Ltd | 流量制御方法 |
US5911238A (en) * | 1996-10-04 | 1999-06-15 | Emerson Electric Co. | Thermal mass flowmeter and mass flow controller, flowmetering system and method |
US5944048A (en) * | 1996-10-04 | 1999-08-31 | Emerson Electric Co. | Method and apparatus for detecting and controlling mass flow |
JP3522544B2 (ja) | 1998-08-24 | 2004-04-26 | 忠弘 大見 | 流体可変型流量制御装置 |
US6119710A (en) * | 1999-05-26 | 2000-09-19 | Cyber Instrument Technologies Llc | Method for wide range gas flow system with real time flow measurement and correction |
US6343617B1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-02-05 | Millipore Corporation | System and method of operation of a digital mass flow controller |
US6564824B2 (en) * | 2001-04-13 | 2003-05-20 | Flowmatrix, Inc. | Mass flow meter systems and methods |
KR20040019293A (ko) * | 2001-05-24 | 2004-03-05 | 셀레리티 그룹 아이엔씨 | 소정 비율의 프로세스 유체를 제공하는 방법 및 장치 |
JP3604354B2 (ja) * | 2001-06-13 | 2004-12-22 | Smc株式会社 | 質量流量測定方法および質量流量制御装置 |
WO2003100391A1 (en) | 2002-05-24 | 2003-12-04 | Mykrolis Corporation | System and method for mass flow detection device calibration |
US7004191B2 (en) * | 2002-06-24 | 2006-02-28 | Mks Instruments, Inc. | Apparatus and method for mass flow controller with embedded web server |
WO2004010234A2 (en) * | 2002-07-19 | 2004-01-29 | Celerity Group, Inc. | Methods and apparatus for pressure compensation in a mass flow controller |
JP4502590B2 (ja) | 2002-11-15 | 2010-07-14 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体製造装置 |
JP3809146B2 (ja) * | 2002-12-17 | 2006-08-16 | シーケーディ株式会社 | 流量制御方法および流量制御装置 |
US7043374B2 (en) * | 2003-03-26 | 2006-05-09 | Celerity, Inc. | Flow sensor signal conversion |
CN100483286C (zh) * | 2004-06-21 | 2009-04-29 | 日立金属株式会社 | 流量控制装置及其调整方法 |
JP4086057B2 (ja) * | 2004-06-21 | 2008-05-14 | 日立金属株式会社 | 質量流量制御装置及びこの検定方法 |
WO2008030454A2 (en) * | 2006-09-05 | 2008-03-13 | Celerity, Inc. | Multi-gas flow device |
US8079383B2 (en) * | 2006-12-07 | 2011-12-20 | Mks Instruments, Inc. | Controller gain scheduling for mass flow controllers |
US7826986B2 (en) * | 2008-09-26 | 2010-11-02 | Advanced Energy Industries, Inc. | Method and system for operating a mass flow controller |
-
2006
- 2006-08-03 JP JP2006212226A patent/JP2008039513A/ja active Pending
-
2007
- 2007-08-02 KR KR1020097002156A patent/KR101076397B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-02 US US12/375,921 patent/US8485219B2/en active Active
- 2007-08-02 CN CN2007800289221A patent/CN101501597B/zh active Active
- 2007-08-02 JP JP2008527827A patent/JP4957725B2/ja active Active
- 2007-08-02 WO PCT/JP2007/065577 patent/WO2008016189A1/ja active Application Filing
-
2013
- 2013-02-12 US US13/765,673 patent/US8857461B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000322130A (ja) * | 1999-05-10 | 2000-11-24 | Fujikin Inc | フローファクターによる流体可変型流量制御方法およびその装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20130153040A1 (en) | 2013-06-20 |
US20100000608A1 (en) | 2010-01-07 |
US8485219B2 (en) | 2013-07-16 |
CN101501597A (zh) | 2009-08-05 |
KR20090035573A (ko) | 2009-04-09 |
JP2008039513A (ja) | 2008-02-21 |
JPWO2008016189A1 (ja) | 2009-12-24 |
WO2008016189A1 (en) | 2008-02-07 |
US8857461B2 (en) | 2014-10-14 |
CN101501597B (zh) | 2011-06-15 |
JP4957725B2 (ja) | 2012-06-20 |
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