KR101647151B1 - 매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템 - Google Patents

매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템 Download PDF

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Abstract

가스종 등의 시료 유체의 변경에도 특별한 수고를 필요로 하지 않고 유연하게 대응할 수 있고, 또한 정밀도 좋게 유량을 측정할 수 있는, 뛰어난 매스 플로우 미터 등을 제공하는 것을 과제로 한다.
해결 수단으로서, 유로(1)를 흐르는 시료 유체(G)의 유량을 검지하는 센서부(2)와; 유체마다 정해져, 상기 센서부(2)로부터 출력된 유량 검지값에 기초하여 유량을 정하기 위한 유량 특성 함수로서, 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수 K와, 그 유량 특성 함수와는 독립한, 복수의 시료 유체에 대해 공통의 파라미터이며, 매스 플로우 미터마다의 기기차를 보정하기 위한 기기차 보정 파라미터
Figure 112010014822675-pat00013
를 설정하는 설정부(4c)와; 상기 유량 특성 함수 K와 상기 기기차 보정 파라미터
Figure 112010014822675-pat00014
에 기초하여, 상기 시료 유체(G)의 유량을 산출하는 유량 산출부(4d)를 구비하도록 구성했다.

Description

매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템{MASS FLOW METER, MASS FLOW CONTROLLER, AND MASS FLOW METER SYSTEM AND MASS FLOW CONTROLLER SYSTEM INCLUDING THE SAME}
본 발명은 반도체 제조 프로세스 등에 있어서 가스나 액체 등의 유체 유량을 제어하는 매스 플로우 미터, 이들을 포함한 매스 플로우 컨트롤러, 추가로 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템(이하, 이들을 매스 플로우 미터 등으로 칭하는 일이 있음)에 관한 것이다.
최근, 1대의 반도체 제조 장치에 대해 복수의 프로세스 챔버를 탑재하여 복수의 프로세스를 행하는 일이 많아지는 등, 반도체 제조 프로세스에서는 사용하는 가스나 액체라고 하는 유체의 종류가 큰 폭으로 증가하고, 이에 따라 수많은 매스 플로우 미터 등이 필요하게 되고 있다.
이러한 중에, 1대의 매스 플로우 미터 등이라도 이것을 배관 등으로부터 분리시키는 일 없이, 사용자측에서, 시료 유체로서의 가스종(種) 등의 변경이나 풀스케일(full scale) 유량(최대 측정 또는 제어 유량)의 변경에 대응하여 사용할 수 있도록 한 것이 제공되고 있다(예를 들어 특허 문헌 1 참조).
[선행 기술 문헌]
[특허 문헌]
[특허 문헌 1] 일본 특개평 11－94604호 공보(12 페이지)
그러나 발명자의 연구 결과로부터, 우선 다음의 것을 알 수 있었다. 즉, 가스종의 변경에 따라 그 가스종에 대응한 유량값을 산출하기 위한 것으로서, 유량을 산출하기 위한 함수에 곱하는 계수, 이른바 컨버젼 팩터(conversion factor)라도, 그것을 복수의 매스 플로우 미터 등에서 공통화하여 고정밀의 측정을 행하기 위해서는 그것을 취득한 기준기(基準器)로서의 매스 플로우 미터 등과, 실제로 사용되는 각각의 매스 플로우 미터 등 사이의 기기차(器差)를 보상한 것으로 변경할 필요가 있다.
한편 매스 플로우 미터 등의 기기차는 가스종 등의 시료 유체의 종류에도 관계한다고 생각되어 왔기 때문에, 그 기기차를 보충하는 파라미터는 결국 각각의 시료 유체를 실제로 각 매스 플로우 미터 등으로 흘려서 구할 필요가 있는 것은 아닐까 생각하고 있었다.
그러나 발명자의 연구 결과로부터, 추가로 다음의 것도 알았다. 즉, 매스 플로우 미터 등의 기기차는 가능한 하드웨어의 각 구성을 표준화하는 것에 의해, 하드웨어면으로부터 억제할 수 있다. 그리고 그 기기차를 억제한 하드웨어에 있어서, 기기차는 복수의 시료 유체에서 공통의 것으로 하여 취급해도 정밀도 좋게 유량을 측정할 수 있다.
이러한 지견으로부터, 가스종 등의 시료 유체의 변경에도 특별한 수고를 필요로 하지 않고 바람직하게 대응할 수 있는 뛰어난 매스 플로우 미터 등을 제공할 수 있지 않을까하는 발상으로부터 이루어진 것이 본 발명이다. 즉, 본 발명의 목적은 가스종 등의 시료 유체의 변경에도 유연하게 대응할 수 있고, 또한 정밀도 좋게 유량을 측정할 수 있는, 뛰어난 매스 플로우 미터 등을 제공하는 것이다.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 매스 플로우 미터는, 유로를 흐르는 시료 유체의 유량을 검지하는 센서부와; 유체마다 정해져, 상기 센서부에서 검지된 유량 검지값에 기초하여 유량을 정하기 위한 유량 특성 함수로서, 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수와, 그 유량 특성 함수와는 독립한, 복수의 시료 유체에 대해 공통의 파라미터이며, 매스 플로우 미터마다의 기기차를 보정하기 위한 기기차 보정 파라미터를 설정하는 설정부와; 상기 검지 유량에 상기 유량 특성 함수와 상기 기기차 보정 파라미터를 적용하고, 상기 시료 유체의 유량을 산출하여 이를 유량 측정값으로 하는 유량 산출부를 구비한다.
이와 같은 것에 의하면, 기기차 보정 파라미터는 유량 특성 함수와는 독립한, 복수의 시료 유체에 대해 공통의 파라미터이므로, 그 매스 플로우 미터 등으로 계측하는 시료 유체를 변경하는 경우에도, 계측하는 시료 유체에 따른 유량 특성 함수를 설정하는 것만으로, 변경한 시료 유체의 유량을 정밀도 좋게 측정할 수 있다.
즉, 본 발명에 의하면, 동일한 매스 플로우 미터 등인 한, 복수의 시료 유체에 대해 공통의 기기차 보정 파라미터를 설정할 수 있다. 따라서, 당해 매스 플로우 미터 등에 의해 측정되는 시료 유체가 변경되는 경우에도, 변경되는 개개의 시료 유체를 흘려서 당해 매스 플로우 미터 등을 실제로 교정하여, 시료 유체 또는 유량 특성 함수마다 고유의 기기차 보정 파라미터를 구하지 않아도, 예를 들어 변경되는 시료 유체와는 다른 그외 시료 유체로 교정하여 얻어진, 당해 매스 플로우 미터 등에 있어서 공통의 기기차 보정 파라미터를 설정하는 등을 하고, 추가로 센서부나 바이패스 등의 하드웨어 구성이 실질적으로 동일한 것으로 공통화된 범용적인 유량 특성 함수를 데이터베이스 등으로부터 읽어들여 설정 등을 하는 것만으로, 변경된 시료 유체의 유량을 용이하게 정밀도 좋게 측정할 수 있다.
또, 상기 유량 특성 함수가 5차 다항식으로 표현되는 것이면, 넓은 레인지에 걸쳐서 정밀도 좋게 근사시키면서, 매스 플로우 미터 등으로 측정 가능한 최대 유량인 풀스케일 유량을 더욱 넓힐 수 있고, 따라서 그 매스 플로우 미터로 측정 가능한 레인지를 소정으로 가변해도 오차를 억제하고, 다양한 레인지로 고정밀의 측정을 실현할 수 있다.
상기 기기차 보정 파라미터가 미리 정해진 기준 유체를 상기 유로에 풀스케일 유량으로 흘려서 측정하는 경우에, 기준 유체에 고유의 유량 특성 함수를 설정하여 산출한 유량과, 기준이 되는 매스 플로우 미터로 상기 풀스케일 유량을 측정했을 때 유량 측정값과의 오차를 해소하기 위한 계수이면, 당해 파라미터는 예를 들어 불활성 가스 등의 편리성이 높은 기준 유체로 풀스케일 유량을 1점만 측정하여 구하는 것도 가능하게 되어, 매스 플로우 미터 등의 교정 작업의 번잡함을 경감시킬 수 있다. 여기서, 풀스케일 유량은 유량 특성 함수에 의해 소정 오차의 범위 내에서 측정 가능한 최대 유량이 바람직하지만, 그 최대한 측정 가능한 유량을 소정까지 작게 제한한 경우의 유량(최대한 측정 가능한 유량보다 작은 유량)이어도 된다.
상기 기기차 보정 파라미터가 질소 가스를 기준 유체로 하여 실제로 측정하여 구해지는 계수이고, 그 계수는 그외 다른 복수의 시료 가스에 대해서도 공통의 것이면, 독성이나 부식성이 강한 가스나 액체 등의 시료 유체에 의한, 개개의 매스 플로우 미터 등의 교정을 가능한 피해서, 안전하고 용이하게 기기차 보정 파라미터인 계수를 구할 수 있다.
추가로, 상기 매스 플로우 미터와, 상기 유로에 마련한 컨트롤 밸브와, 유량 측정값과 미리 정해진 유량 설정값을 비교 연산하고, 이 연산 결과에 기초하여 상기 컨트롤 밸브를 제어하는 제어부를 포함한 매스 플로우 컨트롤러이면, 고정밀의 유체 제어를 실현하면서, 반도체 성막 프로세스의 변경 등에 따라서, 제어 대상이 되는 시료 유체를 용이하게 변경할 수 있는, 범용성이 높은 매스 플로우 컨트롤러를 제공할 수 있다.
복수의 매스 플로우 미터 또는 복수의 매스 플로우 컨트롤러와, 이들 매스 플로우 미터 또는 매스 플로우 컨트롤러와 통신하는 것으로서, 시료 유체와 관련된 유량 특성 함수를 복수 기억한 기억부 및 상기 유로에 흐르는 시료 유체의 지정을 접수하는 시료 유체 접수부를 가진 지령 장치를 구비하고, 상기 설정부가 상기 접수부에 의해 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수를 상기 기억부를 검색하여 설정하도록 구성된 매스 플로우 미터 시스템 또는 매스 플로우 컨트롤러 시스템이면, 복수의 매스 플로우 미터 등이 접속된 반도체 제조 장치나 상위의 호스트 컴퓨터를 마련하여, 시료 유체마다 관련지어 기억시키고, 하드웨어가 실질적으로 동일한 매스 플로우 미터 등에 공통의 범용성이 높은 유량 특성 함수를, 시료 유체의 지정에 따라 각 매스 플로우 미터 등으로 전기 통신 회선을 통해 송신함으로써, 각 매스 플로우 미터 등의 범용성을 향상시키면서, 유량 특성 함수를 집중적으로 관리하여, 그 추가 변경 등의 관리를 간이화할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 의하면, 가스종 등의 시료 유체의 변경에도 유연하게 대응할 수 있고, 또한 정밀도 좋게 유량을 측정할 수 있는 뛰어난 매스 플로우 미터 등을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 매스 플로우 컨트롤러 시스템을 나타내는 전체 개략도.
도 2는 동 실시 형태에 있어서 매스 플로우 컨트롤러의 기기 구성을 나타내는 모식도.
도 3은 동 실시 형태에 있어서 매스 플로우 컨트롤러 시스템을 나타내는 기능 구성도.
도 4는 동 실시 형태에 지령 장치의 기기 구성도.
도 5는 동 실시 형태에 있어서 센서 출력 레인지를 설명하기 위한 도면.
도 6은 동 실시 형태에 있어서 매스 플로우 컨트롤러의 동작을 나타내는 플로우도.
[발명을 행하기 위한 구체적인 내용]
이하, 본 발명의 일 실시 형태를, 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시 형태의 매스 플로우 컨트롤러 시스템(A)은 매스 플로우 컨트롤러(A1)와, 이 매스 플로우 컨트롤러(A1)를 제어ㆍ관리하는 별체의 지령 장치(A2)를 구비하여 이루어지는 것이고, 예를 들어 도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 제조 장치에 있어서 챔버로의 가스 공급 시스템에 사용된다. 이하, 구체적으로 각 장치를 설명한다.
매스 플로우 컨트롤러(A1)는 도 2에 모식도를 나타내는 바와 같이, 가스 유로(1; 본 발명의 「유로」의 일례)와, 그 가스 유로(1) 내를 흐르는 시료 가스(G; 본 발명의 「시료 유체」의 일례)의 유량을 검지하는 유량 센서부(2; 본 발명의 「센서부」의 일례)와, 그 유량 센서부(2)의 예를 들어 하류측에 마련한 유량 제어 밸브(3; 본 발명의 「컨트롤 밸브」의 일례)와, 유량 설정 신호에 기초하는 유량 설정값 및 상기 유량 센서부(2)로부터 출력되는 유량 검지 신호의 값인 유량 검지값에 기초하여 산출된 유량 측정값을 비교 연산하고, 이 연산 결과에 기초하여 유량 제어 밸브(3)를 제어하는 제어부(4a; 도 3 참조)를 구비한 처리부(4)를 구비하여 이루어지는 것이다. 이하, 각 부를 구체적으로 설명한다. 또한, 매스 플로우 컨트롤러는 매스 플로우 미터에 추가로 제어 기구를 부가한 것이므로, 매스 플로우 컨트롤러에서 양쪽을 아울러 설명하고, 매스 플로우 미터 단독으로의 설명은 생략한다.
도 2에 나타내는 바와 같이 가스 유로(1)는 상류단을 도입 포트(11), 하류단을 도출 포트(12)로서 각각 개구함으로써, 도 1에 나타내는 바와 같이 예를 들어 도입 포트(11)에는 외부 배관을 통하여 공압 밸브 FV, 압력 레귤레이터 PR 및 가스 봄베 B가 접속되고, 도출 포트(12)에는 외부 배관을 통하여, 반도체 제조 등을 위한 챔버(도시하지 않은)가 접속되어 있다. 그리고 본 실시 형태에서는 도 2에 나타내는 바와 같이, 이 가스 유로(1)가, 도입 포트(11)와 도출 포트(12)의 사이에서, 2개로 분류한 후 합류하는 가스 분류로(1a, 1b)를 갖도록 구성하고 있다. 이 중, 가스 분류로(1a)에는 후술하는 감열 센서(21)를 장착하는 한편, 가스 분류로(1b)는 층류 소자(層流 素子; 1b1)를 배치한 바이패스로서 사용하도록 하고 있다.
유량 센서부(2)는 자세한 것은 도시하지 않지만, 예를 들어 가스 유로(1)에 마련된 한 쌍의 감열 센서(21; 서멀 센서)를 구비한 것이다. 이 유량 센서부(2)에서는 시료 가스(G)의 순시(瞬時) 유량이 이 감열 센서(21)에 의해 전기 신호로서 검출되고, 내부 전기 회로(브릿지 회로(22), 증폭 회로(23), 보정 회로(24))에 의해 그 전기 신호가 증폭 등이 되어, 검출 유량에 따른 유량 측정 신호(이하, 센서 출력이라고도 함)로서 출력된다.
유량 제어 밸브(3)는 역시 자세한 것은 도시하지 않지만, 예를 들어 그 밸브 개도(開度)를 피에조 소자 등으로 이루어지는 액츄에이터에 의해 변화시킬 수 있도록 구성한 것으로서, 외부로부터의 전기 신호인 개도 제어 신호가 주어지는 것에 의해 상기 액츄에이터를 구동하고, 그 개도 제어 신호의 값에 따른 밸브 개도에 조정하여 시료 가스(G)의 유량을 제어하는 것이다.
처리부(4)는 도시하지 않은 CPU나 메모리, A／D 변환기, D／A 변환기 등을 가진 디지털 내지 아날로그 전기 회로, 지령 장치(A2)와 통신하기 위한 통신 인터페이스 등에서 구성된 것으로, 전용의 것이어도 되고, 일부 또는 전부에 PC 등의 범용 컴퓨터를 사용하도록 한 것이어도 된다. 또, CPU를 사용하지 않고, 아날로그 회로만으로 상기 각 부로서의 기능을 완수하도록 구성해도 되고, 물리적으로 일체일 필요는 없으며, 유선 내지 무선에 의해 서로 접속된 복수의 기기로 이루어진 것이어도 된다. 또, 하드웨어는 지령 장치(A2)와 공통의 것이어도 된다.
그리고 상기 메모리에 소정의 프로그램을 격납하고, 그 프로그램에 따라서 CPU나 그 주변 기기를 협동 동작시키는 것에 의해, 이 처리부(4)가, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제어부(4a), 기기차 보정 파라미터 및 유량 특성 함수를 기억하는 MFC측 기억부(4b), 설정부(4c), 유량 산출부(4d) 및 개도 제어 신호 출력부(4e) 등으로서의 기능을 적어도 발휘하도록 구성하고 있다.
설정부(4c)는 CPU 및 통신 인터페이스를 포함하여 구성되고, 지령 장치(A2)로부터 송신되는 시료 유체마다 결정되는 유량 특성 함수 K(유량 특성 결정 함수(유량 특성 곡선)의 각 계수(agas~fgas)와 당해 유량 특성 결정 함수에 대응하여 정해지는 시료 유체의 풀스케일 유량(FSgas)을 포함하여 구성됨)를 수신하고, 상기 메모리의 소정 영역에 설정된 MFC측 기억부(4b)로 격납한다. 또, 설정부(4c)는 동일 기억부(4b)에 기억되어 있는 기기차 보정 파라미터
Figure 112010014822675-pat00001
(자세한 것은 후술함)를 독출함과 아울러, 제어 장치(A2)에 있어서 지정을 접수한 측정(유량 제어)해야 할 시료 유체에 따라서, 동일 기억부(4b)로부터 유량 특성 함수 K를 독출한다. 그리고 설정부(4c)는 이들로부터 유량 산출부(4d)에 있어서 사용하는 유량 산출식을 설정한다. 즉, 기준 유체로서의 기준 가스 N2의 유량을 산출하기 위한 유량 산출식(다음 식 P1)이 이미 설정되어 있는 경우, 설정부(4c)는 측정 대상으로 하여 지정된 시료 유체(시료 가스(G))에 따른 유량 특성 함수 K의 부분만을 변경하여, 시료 가스(G)의 유량을 산출하기 위한 유량 산출식(다음 식 P2)을 생성한다.
Flow=fN2(x)×FSN2×
Figure 112010014822675-pat00002
　ㆍㆍㆍ(P1)
여기서, fN2(x)는 fN2(x)=aN2×x5＋bN2×x4＋cN2×x3＋dN2×x2＋eN2×x＋fN2로 주어지고, aN2는 N2의 유량 특성 곡선의 5차 항의 계수, bN2는 N2의 유량 특성 곡선의 4차 항의 계수, cN2는 N2의 유량 특성 곡선의 3차 항의 계수, dN2는 N2의 유량 특성 곡선의 2차 항의 계수, eN2는 N2의 유량 특성 곡선의 1차 항의 계수, fN2는 N2의 유량 특성 곡선의 0차 항의 계수, FSN2는 N2의 FS(기준 가스 N2의 유량 특성 곡선에 있어서 풀스케일 유량),
Figure 112010014822675-pat00003
는 기기차 보정 파라미터인 계수(복수의 시료 가스에 대해 공통의 계수), x는 센서 출력을 나타낸다.
Flow=fgas(x)×FSgas×
Figure 112010014822675-pat00004
　ㆍㆍㆍ(P2)
여기서, fgas(x)는 fgas(x)=agas×x5＋bgas×x4＋cgas×x3＋dgas×x2＋egas×x＋fgas로 주어지고, agas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 5차 항의 계수, bgas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 4차 항의 계수, cgas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 3차 항의 계수, dgas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 2차 항의 계수, egas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 1차 항의 계수, fgas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 0차 항의 계수, FSgas는 시료 가스(G)의 FS(시료 가스(G)의 유량 특성 곡선에 있어서 풀스케일 유량),
Figure 112010014822675-pat00005
는 기기차 보정 파라미터인 계수, x는 센서 출력을 나타낸다.
MFC측 기억부(4b)는 후술한 바와 같이 하여, 예를 들어 공장 출하 전에 설정한 기기차 보정 계수
Figure 112010014822675-pat00006
를 기억하는 것으로서, 상기 메모리의 소정 영역에 형성되어 있다. 또, MFC측 기억부(4b)는 상기 설정부(4c)에서 적시에 접수한 여러 가지 시료 가스(G)의 유량 특성 함수 K를 추가적으로 기억할 수도 있다.
유량 산출부(4d)는 유량 검지 신호(센서 출력)와 상기 설정부에서 생성된 유량 산출식(P2)을 수신한다. 그리고 유량 검지 신호의 값인 유량 검지값과 유량 산출식(P2)에 기초하여, 가스 유로(1)를 흐르는 시료 가스(G)의 유량을 산출한다. 유량 산출부(4d)는 이 산출한 유량인 유량 측정값을, 제어부(4a) 및 지령 장치(A2)의 표시 장치(105; 도 4 참조) 또는 매스 플로우 컨트롤러에 마련된 표시부(도시 생략)로 송신한다.
제어부(4a)는 상기 유량 산출부(4d)로부터 수신한 유량 측정값과 유량 설정 신호가 나타내는 유량 설정값을 취득하여 그 유량 측정값과 유량 설정값의 편차 ε을 산출하는 편차 산출부(4a1)와, 그 편차 ε에 적어도 비례 연산(바람직하게는 PID 연산)을 실시하여 유량 제어 밸브(3)로의 피드백 제어값을 산출하는 제어값 산출부(4a2)를 구비한 것이다.
개도 제어 신호 출력부(4e)는 상기 피드백 제어값에 기초하는 값을 갖는 개도 제어 신호를 생성하고, 그 개도 제어 신호를 유량 제어 밸브(3)에 대해 출력하는 것이다.
지령 장치(A2)는 예를 들어 반도체 제조 장치에 마련되고, PC 등과 같이 일반적인 정보 처리 기능을 갖는 것으로서, 도 4에 나타내는 바와 같이, CPU(101), 내부 메모리(102), HDD 등의 외부 기억 장치(103), 마우스나 키보드 등의 입력 장치(104), 액정 디스플레이 등의 표시 장치(105), 매스 플로우 컨트롤러(A1)와 통신하기 위한 통신 인터페이스(106) 등을 구비하고 있다. 그리고 도 3에 나타내는 바와 같이, 이 지령 장치(A2)가, 예를 들어 내부 메모리(102)에 기억하고 있는 프로그램에 따라서, CPU(101)나 그 주변 기기를 협동 동작시키는 것에 의해, 기억부(A21; 유량 특성 함수 기억부의 일례), 접수부(A22; 유량 특성 함수 접수부의 일례), 및 송신부(A23)로서의 기능을 적어도 발휘하도록 구성되어 있다. 또한, 도 3에서는 지령 장치(A2)와 매스 플로우 컨트롤러(A1)가 1 대 1로 대응하게 되어 있지만, 통신 인터페이스(106)를 포함하여 구성되는 송신부를 통하여, 하나의 지령 장치(A2)에 대해, 복수의 매스 플로우 컨트롤러(A1)가 상호 통신 가능하게 마련될 수 있다.
기억부(A21)는 시료 유체의 종류마다 규정되는 복수의 유량 특성 함수 K를 데이터베이스화하여 기억하는 것으로서, 예를 들어 내부 메모리(102)나 외부 기억 장치(103)의 소정 영역에 형성되어 있다. 또한, 이 지령 장치(A2)에 있어서 기억부(A21)에는 하나의 유량 특성 함수 K를 기억하고, 추가로 그것과 통신 가능한 호스트 컴퓨터(도시하지 않은)를 마련하여 복수의 유량 특성 함수 K를 기억한 데이터베이스를 구축할 수도 있다.
접수부(A22)는 입력 장치(104)를 통하여, 측정해야 할 유체의 지정이나, 유량 설정값이나, 측정해야 할 시료 유체의 종류를 새롭게 추가하는 경우에 있어서는 당해 시료 유체에 대응하는 고유의 유량 특성 함수 K 등을 접수한다. 그리고 이들 파라미터를 상기 기억부(A21)로 격납한다.
송신부(A23)는 상기 접수부(A22)로 수신하고, 기억부(A21)에 격납한 유량 특성 함수 K 등의 여러 가지 파라미터를 독출하고, 매스 플로우 컨트롤러(A1)에 대해 소정의 타이밍으로 송신한다. 이것은 통신 인터페이스(106)를 포함하여 구성되어 있다.
여기서, 도 5에 기초하여 유량 특성 함수 K에 대해 보충 설명한다. 유량 특성 함수 K는 상술한 각 계수(agas~fgas)를 갖는 유량 특성 결정 함수 GC(유량 특성 곡선)와 당해 유량 특성 결정 함수에 대응하여 정해지는 시료 유체의 풀스케일 유량 FP(FSgas)를 포함하여 구성된다. 유량 특성 곡선은 예를 들어 기준이 되는 하나 또는 복수의 매스 플로우 미터를 준비하고, 각각의 실(實)가스 등의 실유체(측정 대상이 될 유체)를 실제로 흘려서 취득되고, 센서 출력과 유량값의 관계를 나타내는 근사식에 상당한다. 그리고 유량 특성 곡선이 정해지면, 이에 따라서 소정의 허용 오차 범위내에서 측정 가능한, 예를 들어 최대 유량이 풀스케일 유량값으로서 규정된다. 유량 특성 함수 K(유량 특성 곡선 및 풀스케일 유량도 포함)는 시료 유체가 다르면 다른 것이 될 수 있지만, 유량 센서부(2)나 분류로(1a, 1b) 및 층류 소자 등의 매스 플로우 미터의 하드웨어 구성이 실질적으로 동일한 것이면 공통으로 사용될 수 있는 것이다. 즉, 이 유량 특성 함수 K는 동일 구성(동일 종)의 매스 플로우 미터에 대해 범용성이 있는 함수로서 규정된다.
기차 보정 계수
Figure 112010014822675-pat00007
는 예를 들어 출하 전에, 매스 플로우 컨트롤러(A1)마다, 이하에 나타내는 순서로 그 값을 설정하고, 각 매스 플로우 컨트롤러(A1)의 MFC측 기억부(4b)에 각각 기억하도록 하고 있다.
순서 1：우선, 설정부(4c)가, MFC측 기억부(4b)로부터, 측정해야 할 시료 유체로서 N2 등의 불활성 가스를 사용하여, 대응하는 유량 특성 함수 K를 독출하여 설정한다.
순서 2：그리고 독출한 유량 특성 함수 K를 사용하여, 매스 플로우 컨트롤러(A1)에 N2를 실제로 흘려서, 도 5에 나타내는 풀스케일 포인트 FP(●표)에 있어서 가스 유량을 측정한다.
순서 3：순서 1, 2를, 복수(그 중의 1대는 기준이 되는 매스 플로우 컨트롤러를 포함) 매스 플로우 컨트롤러(A1)에 대해 행하고, 각 매스 플로우 컨트롤러(A1) 사이에서의 기기차(유량 오차)를 구하고, 이를 보상하는 기기차 보정 파라미터를 설정한다.
이와 같이, 상기 시료 가스(G)로서 불활성 가스 등의 기준 유체를 채용하여, 특히 풀스케일 포인트의 1점에서만 교정하고, 비중ㆍ점성ㆍ비열 등의 물리적 성질이 근사하는 복수 종의 시료 가스(G)에도 적용할 수 있는 기기차 보정 파라미터를 규정하는 것만으로 되기 때문에, 실제의 반도체 프로세스의 현장에서 용이하게 시료 가스(G)를 다른 것으로 변경할 수 있다.
다음에 상기 구성의 매스 플로우 컨트롤러(A1)의 작동에 대해 제어부(4)를 중심으로 도 6의 플로차트를 참조하여 설명한다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 시료 가스(G)에 변경이 있으면(단계 S101), 설정부(4c)는 시료 가스(G)의 변경을 수신하고, 당해 시료 가스(G)와 대응하는 유량 특성 함수 K와 변경 전의 기기차 보정 파라미터
Figure 112010014822675-pat00008
와 동일한 것으로 구성되는 유량 산출식(P2)을 설정한다(단계 S102). 즉 설정부(4c)는 유량 특성 함수만을, MFC측 기억부(4b)로부터 독출한, 변경 후의 시료 가스(G)에 대응하는 새로운 유량 특성 함수 K로 치환한다.
그리고 유량 센서부(2)로부터 유량 측정 신호가 출력되면(단계 S103), 유량 산출부(4d)가, 유량 산출식(P2)에 기초하여, 가스 유로(1)를 흐르는 시료 가스(G)의 유량을 산출한다(단계 S104). 또한, 시료 가스(G)에 변경이 없으면, 유량 산출부(4d)는 이미 설정되어 있는 유량 산출식에 기초하여 유량 산출을 행할 수 있다. 이러한 산출된 유량은 유량 측정값으로서 외부 출력(표시)에 제공된다.
상술한 바 까지가 매스 플로우 센서에 의한 작동이 되지만, 매스 플로우 컨트롤러(A1) 및 이들을 포함한 매스 플로우 컨트롤러 시스템(A)에서는 추가로, 제어부(4a)에서의 편차 산출부(4a1)가, 유량 산출부(4d)에서 산출된 시료 가스(G)의 유량을 나타내는 유량 산출 신호와, 지령 장치(A2)로부터 출력되고 있는 유량 설정 신호를 수신하면(단계 S105), 수신한 유량 산출 신호의 값인 유량 측정값과 상기 유량 설정 신호의 값인 유량 설정값과의 차, 즉 편차 ε을 산출한다(단계 S106).
그리고 제어값 산출부(4a2)가, 그 편차에 예를 들어 PID 연산을 실시하여 유량 제어 밸브(3)로의 피드백 제어값을 산출한다(단계 S107).
다음에, 개도 제어 신호 출력부(4e)가, 그 피드백 제어값에 기초하여 개도 제어 신호를 생성하고(단계 S108), 그 개도 제어 신호를 유량 제어 밸브(3)에 출력하고, 그 밸브 개도를 바꾸어 유량 제어를 행한다(단계 S109).
따라서, 이와 같은 매스 플로우 미터나 매스 플로우 컨트롤러(A1)를 사용한 매스 플로우 컨트롤러 시스템(A)에 의하면, 기기차 보정 파라미터
Figure 112010014822675-pat00009
가, 유량 특성 함수 K(가스 특성 곡선 결정 계수와 풀스케일 계수)에 대해 독립하여 취급될 수 있기 때문에, 제어 대상이 되는 가스종의 설정 변경이 있는 경우에도, 유량 특성 함수 K의 변경에 의해 오퍼레이터의 번잡함 없이 용이하게, 정밀도의 좋은 유체 제어를 실현할 수 있다.
또, 유량 특성 함수를 구성하는 유량 특성 곡선으로서 5차 다항식과 같은 고차의 다항식을 채용하고 있기 때문에, 바람직하게 근사시키면서, 풀스케일 레인지를 크게 취할 수 있고, 센서 출력의 레인지를 그 최대측에서 넓게 하여 정밀도 좋게 유량 측정을 행할 수 있다. 그 결과, 고정밀도로 유체 제어를 실현할 수 있는 뛰어난 매스 플로우 컨트롤러(A1) 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템(A)을 제공할 수 있다.
상기 기기차 보정 파라미터
Figure 112010014822675-pat00010
는 질소 가스 등의 편리성이 높은 불활성 가스를 기준 가스로 하고, 그 기준 가스에 의해 풀스케일 포인트 FP를 측정하여 구할 수 있는 것이며, 또 다른 시료 가스(G)에 대해서도 범용적으로 적용할 수 있는 것이기 때문에, 시료 가스(프로세스 가스)의 설정 변경이 있어도, 사용 현장에서 가스 변경에 기인하는 교정 작업을 행할 필요도 없다.
지령 장치(A2) 등의 매스 플로우 컨트롤러(A1)보다 상위인 컴퓨터에, 다종의 유량 특성 함수를 포함한 데이터베이스를 마련하고 있으므로, 시료 가스의 설정 변경을 행하는 경우, 거기로부터 대응하는 유량 특성 함수를 송신하여, 시료 가스에 대한 범용성이 높은 당해 상기 기기차 보정 파라미터
Figure 112010014822675-pat00011
와 조합함으로써, 사용 현장에서도 용이하게 측정 대상 가스의 변경을 행할 수 있다. 그 결과, 각각의 매스 플로우 컨트롤러 등의 시료 유체에 대한 범용성을 극히 높일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 지령 장치(A2)에, 시료 유체 접수부로서의 접수부(A22) 및 유량 특성 함수 K를 데이터베이스화한 기억부(A21)를 마련한 예를 나타내고 있지만, 이들을 매스 플로우 컨트롤러(A1)에 마련하는 등으로 하여, 이 매스 플로우 컨트롤러(A1)를 독립적으로 사용할 수도 있다.
유량 특성 곡선을 5차 다항식으로 하고 있지만, 유량 특성을 결정하는 함수는 4차 이하 또는 6차 이상의 다항식이어도 되고, 또 다항식으로 구성되는 것에 한정되는 것은 아니다.
또, 기준 유체로서의 기준 가스는 질소 가스에 한정되지 않는다. 예를 들어 기준 가스로서 다른 불활성 가스 등을 사용할 수도 있다. 유체로서는 액체 등도 상정할 수 있다.
그 외, 각 부의 구체적 구성에 대해서도 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형이 가능하다.
1ㆍㆍㆍ가스 유로(유로)
2ㆍㆍㆍ유량 센서부(센서부)
3ㆍㆍㆍ유량 제어 밸브(컨트롤 밸브)
4aㆍㆍㆍ제어부
4cㆍㆍㆍ설정부
4dㆍㆍㆍ유량 산출부
Aㆍㆍㆍ매스 플로우 컨트롤러 시스템
A1ㆍㆍㆍ매스 플로우 컨트롤러
A21ㆍㆍㆍ기억부
A22ㆍㆍㆍ접수부(시료 유체 접수부)
Gㆍㆍㆍ시료 가스(시료 유체)
Kㆍㆍㆍ유량 특성 함수
Figure 112016019147407-pat00012
ㆍㆍㆍ기차 보정 파라미터

Claims (7)

  1. 유로를 흐르는 시료(試料) 유체의 유량을 검지하는 센서부와,
    유체마다 정해지며, 상기 센서부로부터의 출력값에 기초하여 유량을 정하기 위한 유량 특성 함수로서, 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수와, 그 유량 특성 함수와는 독립한, 복수의 시료 유체에 대해 공통의 파라미터이며, 매스 플로우 미터마다의 기기차(器差)를 보정하기 위한 기기차 보정 파라미터를 설정하는 설정부와,
    상기 유량 특성 함수와 상기 기기차 보정 파라미터에 기초하여, 상기 시료 유체의 유량을 산출하는 유량 산출부를 구비하고,
    상기 기기차 보정 파라미터는, 시료 유체로서의 기준 유체를 1점의 유량에서 측정한 경우에, 기준 유체에 고유의 유량 특성 함수를 설정하여 산출한 유량값과, 기준이 되는 매스 플로우 미터로 상기 1점의 유량을 측정했을 때의 유량값과의 오차를 해소하기 위한 계수인, 매스 플로우 미터.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 유량 특성 함수가 5차 다항식으로 표현되는 것인 매스 플로우 미터.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 1점의 유량은 풀스케일(full scale) 유량인 매스 플로우 미터.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 기기차 보정 파라미터가, 질소 가스를 기준 유체로 하여 실제로 측정하여 구해지는 계수이고, 그 계수는 그외 다른 복수의 시료 가스에 대해서도 공통의 것인 매스 플로우 미터.
  5. 청구항 1에 기재된 매스 플로우 미터와,
    상기 유로에 마련한 컨트롤 밸브와,
    상기 유량 산출부가 산출한 유량값과 유량 설정값을 비교 연산하고, 이 연산 결과에 기초하여 상기 컨트롤 밸브를 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 매스 플로우 컨트롤러.
  6. 청구항 1에 기재된 매스 플로우 미터와,
    상기 매스 플로우 미터와 통신하는 것으로서, 각 시료 유체와 관련된 유량 특성 함수를 기억한 기억부 및 상기 유로에 흐르는 시료 유체의 지정을 접수하는 시료 유체 접수부를 갖는 지령 장치를 구비하고,
    상기 설정부는 상기 접수부에 의해 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수를, 상기 기억부를 검색하여 설정하는 것을 특징으로 하는 매스 플로우 미터 시스템.
  7. 청구항 5에 기재된 매스 플로우 컨트롤러와,
    상기 매스 플로우 컨트롤러와 통신하는 것으로서, 각 시료 유체와 관련된 유량 특성 함수를 기억한 기억부 및 상기 유로에 흐르는 시료 유체의 지정을 접수하는 시료 유체 접수부를 갖는 지령 장치를 구비하고,
    상기 설정부는 상기 접수부에 의해 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수를, 상기 기억부를 검색하여 설정하는 것을 특징으로 하는 매스 플로우 컨트롤러 시스템.
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Families Citing this family (302)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9383758B2 (en) * 2005-06-27 2016-07-05 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
US9921089B2 (en) 2005-06-27 2018-03-20 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
EP2518581B1 (en) * 2009-12-25 2019-03-06 Horiba Stec, Co., Ltd. Mass flow controller system
JP5864849B2 (ja) * 2010-10-20 2016-02-17 株式会社堀場エステック 流体計測システム
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9958302B2 (en) 2011-08-20 2018-05-01 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US9188989B1 (en) 2011-08-20 2015-11-17 Daniel T. Mudd Flow node to deliver process gas using a remote pressure measurement device
US9644796B2 (en) * 2011-09-29 2017-05-09 Applied Materials, Inc. Methods for in-situ calibration of a flow controller
US9772629B2 (en) 2011-09-29 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Methods for monitoring a flow controller coupled to a process chamber
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN102819261B (zh) * 2012-08-06 2015-01-21 北京雪迪龙科技股份有限公司 一种数据校准方法及装置
US9169975B2 (en) * 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9454158B2 (en) 2013-03-15 2016-09-27 Bhushan Somani Real time diagnostics for flow controller systems and methods
US10114389B2 (en) 2013-06-28 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feedback
US10108205B2 (en) 2013-06-28 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feed-forward adjustment
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN104076830B (zh) * 2014-06-12 2018-05-01 北京七星华创电子股份有限公司 用于气体集成输送系统的质量流量控制装置、系统及方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9939416B2 (en) 2014-08-28 2018-04-10 Veltek Assoicates, Inc. Programmable logic controller-based system and user interface for air sampling in controlled environments
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
JP6688062B2 (ja) * 2015-12-15 2020-04-28 株式会社堀場エステック 流量センサの補正装置、流量測定システム、流量制御装置、補正装置用プログラム、及び、補正方法
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10838437B2 (en) 2018-02-22 2020-11-17 Ichor Systems, Inc. Apparatus for splitting flow of process gas and method of operating same
US10679880B2 (en) 2016-09-27 2020-06-09 Ichor Systems, Inc. Method of achieving improved transient response in apparatus for controlling flow and system for accomplishing same
US10303189B2 (en) 2016-06-30 2019-05-28 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US11144075B2 (en) 2016-06-30 2021-10-12 Ichor Systems, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2018096848A (ja) 2016-12-13 2018-06-21 株式会社堀場エステック 流量特性関数同定方法、流量特性関数同定装置、流量特性関数同定用プログラム、及び、これらを用いた流量センサ又は流量制御装置
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10663337B2 (en) 2016-12-30 2020-05-26 Ichor Systems, Inc. Apparatus for controlling flow and method of calibrating same
US10409295B2 (en) * 2016-12-31 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhanced flow detection repeatability of thermal-based mass flow controllers (MFCS)
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10983537B2 (en) 2017-02-27 2021-04-20 Flow Devices And Systems Inc. Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10537093B2 (en) * 2017-10-11 2020-01-21 Mark O. Hamran Electronic gas dispenser control system having backflow and pressure sensors
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
CN111344522B (zh) 2017-11-27 2022-04-12 阿斯莫Ip控股公司 包括洁净迷你环境的装置
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
US10866135B2 (en) * 2018-03-26 2020-12-15 Applied Materials, Inc. Methods, systems, and apparatus for mass flow verification based on rate of pressure decay
JP6940441B2 (ja) * 2018-03-27 2021-09-29 アズビル株式会社 熱式フローセンサ装置および流量補正方法
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
JP2021529254A (ja) 2018-06-27 2021-10-28 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
JP7003885B2 (ja) 2018-09-18 2022-02-04 横浜ゴム株式会社 航空機用湯水供給システム
KR20200038184A (ko) 2018-10-01 2020-04-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 유지 장치, 장치를 포함하는 시스템, 및 이를 이용하는 방법
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202044325A (zh) 2019-02-20 2020-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR102160408B1 (ko) * 2019-04-15 2020-10-05 한국생산기술연구원 차압조절 및 유량적산 기능을 갖는 용적식 수차
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846966B (zh) 2019-10-10 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
CN112198905B (zh) * 2020-09-11 2023-03-10 兰州空间技术物理研究所 一种标准数字接口的气体流量控制方法
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
JP2024512898A (ja) 2021-03-03 2024-03-21 アイコール・システムズ・インク マニホールドアセンブリを備える流体流れ制御システム
US11435764B1 (en) 2021-03-30 2022-09-06 Hitachi Metals, Ltd. Mass flow controller utilizing nonlinearity component functions
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000065609A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Yazaki Corp 流量検出方法及びガス流量計
JP2005045210A (ja) 2003-05-12 2005-02-17 Agere Systems Inc マス・フロー制御の方法、フローの検証および較正
WO2008016189A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Hitachi Metals, Ltd. Flow control using mass flow controller

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5062446A (en) * 1991-01-07 1991-11-05 Sematech, Inc. Intelligent mass flow controller
JPH04262408A (ja) * 1991-02-18 1992-09-17 Nec Corp マスフロー・コントローラ
US5321992A (en) * 1991-09-26 1994-06-21 Dxl Usa Measurement of gas flows with enhanced accuracy
US5944048A (en) * 1996-10-04 1999-08-31 Emerson Electric Co. Method and apparatus for detecting and controlling mass flow
US5821406A (en) * 1997-02-27 1998-10-13 Koch Industries, Inc. Crude oil measurement system and method
JP3401742B2 (ja) * 1997-10-20 2003-04-28 矢崎総業株式会社 ガスメータ
JP3487589B2 (ja) * 1998-10-26 2004-01-19 松下電器産業株式会社 流量係数設定方法とそれを用いた流量計測装置
CN2366830Y (zh) * 1999-03-26 2000-03-01 王增瑜 大口径旋转式科里奥利原理质量流量计
US6962164B2 (en) * 2001-04-24 2005-11-08 Celerity Group, Inc. System and method for a mass flow controller
JP3604354B2 (ja) * 2001-06-13 2004-12-22 Ｓｍｃ株式会社 質量流量測定方法および質量流量制御装置
US7043374B2 (en) * 2003-03-26 2006-05-09 Celerity, Inc. Flow sensor signal conversion
TW200834275A (en) * 2006-09-05 2008-08-16 Celerity Inc Multi-gas flow device

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000065609A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Yazaki Corp 流量検出方法及びガス流量計
JP2005045210A (ja) 2003-05-12 2005-02-17 Agere Systems Inc マス・フロー制御の方法、フローの検証および較正
WO2008016189A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Hitachi Metals, Ltd. Flow control using mass flow controller

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