KR20100103376A - 매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템 - Google Patents

매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20100103376A
KR20100103376A KR1020100020709A KR20100020709A KR20100103376A KR 20100103376 A KR20100103376 A KR 20100103376A KR 1020100020709 A KR1020100020709 A KR 1020100020709A KR 20100020709 A KR20100020709 A KR 20100020709A KR 20100103376 A KR20100103376 A KR 20100103376A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flow rate
mass flow
flow
characteristic function
sample fluid
Prior art date
Application number
KR1020100020709A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101647151B1 (ko
Inventor
도시히로 가시마
유타카 요네다
야스히로 이소베
Original Assignee
가부시키가이샤 호리바 에스텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 호리바 에스텍 filed Critical 가부시키가이샤 호리바 에스텍
Publication of KR20100103376A publication Critical patent/KR20100103376A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101647151B1 publication Critical patent/KR101647151B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68—Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/6847—Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow where sensing or heating elements are not disturbing the fluid flow, e.g. elements mounted outside the flow duct
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F25/00—Testing or calibration of apparatus for measuring volume, volume flow or liquid level or for metering by volume
    • G01F25/10—Testing or calibration of apparatus for measuring volume, volume flow or liquid level or for metering by volume of flowmeters
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01F—MEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F5/00—Measuring a proportion of the volume flow
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05D—SYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D7/00—Control of flow
    • G05D7/06—Control of flow characterised by the use of electric means
    • G05D7/0617—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials
    • G05D7/0629—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means
    • G05D7/0635—Control of flow characterised by the use of electric means specially adapted for fluid materials characterised by the type of regulator means by action on throttling means
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758—Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7759—Responsive to change in rate of fluid flow
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T137/00—Fluid handling
    • Y10T137/7722—Line condition change responsive valves
    • Y10T137/7758—Pilot or servo controlled
    • Y10T137/7761—Electrically actuated valve

Abstract

가스종 등의 시료 유체의 변경에도 특별한 수고를 필요로 하지 않고 유연하게 대응할 수 있고, 또한 정밀도 좋게 유량을 측정할 수 있는, 뛰어난 매스 플로우 미터 등을 제공하는 것을 과제로 한다.
해결 수단으로서, 유로(1)를 흐르는 시료 유체(G)의 유량을 검지하는 센서부(2)와; 유체마다 정해져, 상기 센서부(2)로부터 출력된 유량 검지값에 기초하여 유량을 정하기 위한 유량 특성 함수로서, 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수 K와, 그 유량 특성 함수와는 독립한, 복수의 시료 유체에 대해 공통의 파라미터이며, 매스 플로우 미터마다의 기기차를 보정하기 위한 기기차 보정 파라미터
Figure pat00013
를 설정하는 설정부(4c)와; 상기 유량 특성 함수 K와 상기 기기차 보정 파라미터
Figure pat00014
에 기초하여, 상기 시료 유체(G)의 유량을 산출하는 유량 산출부(4d)를 구비하도록 구성했다.

Description

매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템{MASS FLOW METER, MASS FLOW CONTROLLER, AND MASS FLOW METER SYSTEM AND MASS FLOW CONTROLLER SYSTEM INCLUDING THE SAME}
본 발명은 반도체 제조 프로세스 등에 있어서 가스나 액체 등의 유체 유량을 제어하는 매스 플로우 미터, 이들을 포함한 매스 플로우 컨트롤러, 추가로 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템(이하, 이들을 매스 플로우 미터 등으로 칭하는 일이 있음)에 관한 것이다.
최근, 1대의 반도체 제조 장치에 대해 복수의 프로세스 챔버를 탑재하여 복수의 프로세스를 행하는 일이 많아지는 등, 반도체 제조 프로세스에서는 사용하는 가스나 액체라고 하는 유체의 종류가 큰 폭으로 증가하고, 이에 따라 수많은 매스 플로우 미터 등이 필요하게 되고 있다.
이러한 중에, 1대의 매스 플로우 미터 등이라도 이것을 배관 등으로부터 분리시키는 일 없이, 사용자측에서, 시료 유체로서의 가스종(種) 등의 변경이나 풀스케일(full scale) 유량(최대 측정 또는 제어 유량)의 변경에 대응하여 사용할 수 있도록 한 것이 제공되고 있다(예를 들어 특허 문헌 1 참조).
[선행 기술 문헌]
[특허 문헌]
[특허 문헌 1] 일본 특개평 11－94604호 공보(12 페이지)
그러나 발명자의 연구 결과로부터, 우선 다음의 것을 알 수 있었다. 즉, 가스종의 변경에 따라 그 가스종에 대응한 유량값을 산출하기 위한 것으로서, 유량을 산출하기 위한 함수에 곱하는 계수, 이른바 컨버젼 팩터(conversion factor)라도, 그것을 복수의 매스 플로우 미터 등에서 공통화하여 고정밀의 측정을 행하기 위해서는 그것을 취득한 기준기(基準器)로서의 매스 플로우 미터 등과, 실제로 사용되는 각각의 매스 플로우 미터 등 사이의 기기차(器差)를 보상한 것으로 변경할 필요가 있다.
한편 매스 플로우 미터 등의 기기차는 가스종 등의 시료 유체의 종류에도 관계한다고 생각되어 왔기 때문에, 그 기기차를 보충하는 파라미터는 결국 각각의 시료 유체를 실제로 각 매스 플로우 미터 등으로 흘려서 구할 필요가 있는 것은 아닐까 생각하고 있었다.
그러나 발명자의 연구 결과로부터, 추가로 다음의 것도 알았다. 즉, 매스 플로우 미터 등의 기기차는 가능한 하드웨어의 각 구성을 표준화하는 것에 의해, 하드웨어면으로부터 억제할 수 있다. 그리고 그 기기차를 억제한 하드웨어에 있어서, 기기차는 복수의 시료 유체에서 공통의 것으로 하여 취급해도 정밀도 좋게 유량을 측정할 수 있다.
이러한 지견으로부터, 가스종 등의 시료 유체의 변경에도 특별한 수고를 필요로 하지 않고 바람직하게 대응할 수 있는 뛰어난 매스 플로우 미터 등을 제공할 수 있지 않을까하는 발상으로부터 이루어진 것이 본 발명이다. 즉, 본 발명의 목적은 가스종 등의 시료 유체의 변경에도 유연하게 대응할 수 있고, 또한 정밀도 좋게 유량을 측정할 수 있는, 뛰어난 매스 플로우 미터 등을 제공하는 것이다.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명에 관한 매스 플로우 미터는, 유로를 흐르는 시료 유체의 유량을 검지하는 센서부와; 유체마다 정해져, 상기 센서부에서 검지된 유량 검지값에 기초하여 유량을 정하기 위한 유량 특성 함수로서, 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수와, 그 유량 특성 함수와는 독립한, 복수의 시료 유체에 대해 공통의 파라미터이며, 매스 플로우 미터마다의 기기차를 보정하기 위한 기기차 보정 파라미터를 설정하는 설정부와; 상기 검지 유량에 상기 유량 특성 함수와 상기 기기차 보정 파라미터를 적용하고, 상기 시료 유체의 유량을 산출하여 이를 유량 측정값으로 하는 유량 산출부를 구비한다.
이와 같은 것에 의하면, 기기차 보정 파라미터는 유량 특성 함수와는 독립한, 복수의 시료 유체에 대해 공통의 파라미터이므로, 그 매스 플로우 미터 등으로 계측하는 시료 유체를 변경하는 경우에도, 계측하는 시료 유체에 따른 유량 특성 함수를 설정하는 것만으로, 변경한 시료 유체의 유량을 정밀도 좋게 측정할 수 있다.
즉, 본 발명에 의하면, 동일한 매스 플로우 미터 등인 한, 복수의 시료 유체에 대해 공통의 기기차 보정 파라미터를 설정할 수 있다. 따라서, 당해 매스 플로우 미터 등에 의해 측정되는 시료 유체가 변경되는 경우에도, 변경되는 개개의 시료 유체를 흘려서 당해 매스 플로우 미터 등을 실제로 교정하여, 시료 유체 또는 유량 특성 함수마다 고유의 기기차 보정 파라미터를 구하지 않아도, 예를 들어 변경되는 시료 유체와는 다른 그외 시료 유체로 교정하여 얻어진, 당해 매스 플로우 미터 등에 있어서 공통의 기기차 보정 파라미터를 설정하는 등을 하고, 추가로 센서부나 바이패스 등의 하드웨어 구성이 실질적으로 동일한 것으로 공통화된 범용적인 유량 특성 함수를 데이터베이스 등으로부터 읽어들여 설정 등을 하는 것만으로, 변경된 시료 유체의 유량을 용이하게 정밀도 좋게 측정할 수 있다.
또, 상기 유량 특성 함수가 5차 다항식으로 표현되는 것이면, 넓은 레인지에 걸쳐서 정밀도 좋게 근사시키면서, 매스 플로우 미터 등으로 측정 가능한 최대 유량인 풀스케일 유량을 더욱 넓힐 수 있고, 따라서 그 매스 플로우 미터로 측정 가능한 레인지를 소정으로 가변해도 오차를 억제하고, 다양한 레인지로 고정밀의 측정을 실현할 수 있다.
상기 기기차 보정 파라미터가 미리 정해진 기준 유체를 상기 유로에 풀스케일 유량으로 흘려서 측정하는 경우에, 기준 유체에 고유의 유량 특성 함수를 설정하여 산출한 유량과, 기준이 되는 매스 플로우 미터로 상기 풀스케일 유량을 측정했을 때 유량 측정값과의 오차를 해소하기 위한 계수이면, 당해 파라미터는 예를 들어 불활성 가스 등의 편리성이 높은 기준 유체로 풀스케일 유량을 1점만 측정하여 구하는 것도 가능하게 되어, 매스 플로우 미터 등의 교정 작업의 번잡함을 경감시킬 수 있다. 여기서, 풀스케일 유량은 유량 특성 함수에 의해 소정 오차의 범위 내에서 측정 가능한 최대 유량이 바람직하지만, 그 최대한 측정 가능한 유량을 소정까지 작게 제한한 경우의 유량(최대한 측정 가능한 유량보다 작은 유량)이어도 된다.
상기 기기차 보정 파라미터가 질소 가스를 기준 유체로 하여 실제로 측정하여 구해지는 계수이고, 그 계수는 그외 다른 복수의 시료 가스에 대해서도 공통의 것이면, 독성이나 부식성이 강한 가스나 액체 등의 시료 유체에 의한, 개개의 매스 플로우 미터 등의 교정을 가능한 피해서, 안전하고 용이하게 기기차 보정 파라미터인 계수를 구할 수 있다.
추가로, 상기 매스 플로우 미터와, 상기 유로에 마련한 컨트롤 밸브와, 유량 측정값과 미리 정해진 유량 설정값을 비교 연산하고, 이 연산 결과에 기초하여 상기 컨트롤 밸브를 제어하는 제어부를 포함한 매스 플로우 컨트롤러이면, 고정밀의 유체 제어를 실현하면서, 반도체 성막 프로세스의 변경 등에 따라서, 제어 대상이 되는 시료 유체를 용이하게 변경할 수 있는, 범용성이 높은 매스 플로우 컨트롤러를 제공할 수 있다.
복수의 매스 플로우 미터 또는 복수의 매스 플로우 컨트롤러와, 이들 매스 플로우 미터 또는 매스 플로우 컨트롤러와 통신하는 것으로서, 시료 유체와 관련된 유량 특성 함수를 복수 기억한 기억부 및 상기 유로에 흐르는 시료 유체의 지정을 접수하는 시료 유체 접수부를 가진 지령 장치를 구비하고, 상기 설정부가 상기 접수부에 의해 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수를 상기 기억부를 검색하여 설정하도록 구성된 매스 플로우 미터 시스템 또는 매스 플로우 컨트롤러 시스템이면, 복수의 매스 플로우 미터 등이 접속된 반도체 제조 장치나 상위의 호스트 컴퓨터를 마련하여, 시료 유체마다 관련지어 기억시키고, 하드웨어가 실질적으로 동일한 매스 플로우 미터 등에 공통의 범용성이 높은 유량 특성 함수를, 시료 유체의 지정에 따라 각 매스 플로우 미터 등으로 전기 통신 회선을 통해 송신함으로써, 각 매스 플로우 미터 등의 범용성을 향상시키면서, 유량 특성 함수를 집중적으로 관리하여, 그 추가 변경 등의 관리를 간이화할 수 있다.
이와 같이 본 발명에 의하면, 가스종 등의 시료 유체의 변경에도 유연하게 대응할 수 있고, 또한 정밀도 좋게 유량을 측정할 수 있는 뛰어난 매스 플로우 미터 등을 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 매스 플로우 컨트롤러 시스템을 나타내는 전체 개략도.
도 2는 동 실시 형태에 있어서 매스 플로우 컨트롤러의 기기 구성을 나타내는 모식도.
도 3은 동 실시 형태에 있어서 매스 플로우 컨트롤러 시스템을 나타내는 기능 구성도.
도 4는 동 실시 형태에 지령 장치의 기기 구성도.
도 5는 동 실시 형태에 있어서 센서 출력 레인지를 설명하기 위한 도면.
도 6은 동 실시 형태에 있어서 매스 플로우 컨트롤러의 동작을 나타내는 플로우도.
[발명을 행하기 위한 구체적인 내용]
이하, 본 발명의 일 실시 형태를, 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시 형태의 매스 플로우 컨트롤러 시스템(A)은 매스 플로우 컨트롤러(A1)와, 이 매스 플로우 컨트롤러(A1)를 제어ㆍ관리하는 별체의 지령 장치(A2)를 구비하여 이루어지는 것이고, 예를 들어 도 1에 나타내는 바와 같이, 반도체 제조 장치에 있어서 챔버로의 가스 공급 시스템에 사용된다. 이하, 구체적으로 각 장치를 설명한다.
매스 플로우 컨트롤러(A1)는 도 2에 모식도를 나타내는 바와 같이, 가스 유로(1; 본 발명의 「유로」의 일례)와, 그 가스 유로(1) 내를 흐르는 시료 가스(G; 본 발명의 「시료 유체」의 일례)의 유량을 검지하는 유량 센서부(2; 본 발명의 「센서부」의 일례)와, 그 유량 센서부(2)의 예를 들어 하류측에 마련한 유량 제어 밸브(3; 본 발명의 「컨트롤 밸브」의 일례)와, 유량 설정 신호에 기초하는 유량 설정값 및 상기 유량 센서부(2)로부터 출력되는 유량 검지 신호의 값인 유량 검지값에 기초하여 산출된 유량 측정값을 비교 연산하고, 이 연산 결과에 기초하여 유량 제어 밸브(3)를 제어하는 제어부(4a; 도 3 참조)를 구비한 처리부(4)를 구비하여 이루어지는 것이다. 이하, 각 부를 구체적으로 설명한다. 또한, 매스 플로우 컨트롤러는 매스 플로우 미터에 추가로 제어 기구를 부가한 것이므로, 매스 플로우 컨트롤러에서 양쪽을 아울러 설명하고, 매스 플로우 미터 단독으로의 설명은 생략한다.
도 2에 나타내는 바와 같이 가스 유로(1)는 상류단을 도입 포트(11), 하류단을 도출 포트(12)로서 각각 개구함으로써, 도 1에 나타내는 바와 같이 예를 들어 도입 포트(11)에는 외부 배관을 통하여 공압 밸브 FV, 압력 레귤레이터 PR 및 가스 봄베 B가 접속되고, 도출 포트(12)에는 외부 배관을 통하여, 반도체 제조 등을 위한 챔버(도시하지 않은)가 접속되어 있다. 그리고 본 실시 형태에서는 도 2에 나타내는 바와 같이, 이 가스 유로(1)가, 도입 포트(11)와 도출 포트(12)의 사이에서, 2개로 분류한 후 합류하는 가스 분류로(1a, 1b)를 갖도록 구성하고 있다. 이 중, 가스 분류로(1a)에는 후술하는 감열 센서(21)를 장착하는 한편, 가스 분류로(1b)는 층류 소자(層流 素子; 1b1)를 배치한 바이패스로서 사용하도록 하고 있다.
유량 센서부(2)는 자세한 것은 도시하지 않지만, 예를 들어 가스 유로(1)에 마련된 한 쌍의 감열 센서(21; 서멀 센서)를 구비한 것이다. 이 유량 센서부(2)에서는 시료 가스(G)의 순시(瞬時) 유량이 이 감열 센서(21)에 의해 전기 신호로서 검출되고, 내부 전기 회로(브릿지 회로(22), 증폭 회로(23), 보정 회로(24))에 의해 그 전기 신호가 증폭 등이 되어, 검출 유량에 따른 유량 측정 신호(이하, 센서 출력이라고도 함)로서 출력된다.
유량 제어 밸브(3)는 역시 자세한 것은 도시하지 않지만, 예를 들어 그 밸브 개도(開度)를 피에조 소자 등으로 이루어지는 액츄에이터에 의해 변화시킬 수 있도록 구성한 것으로서, 외부로부터의 전기 신호인 개도 제어 신호가 주어지는 것에 의해 상기 액츄에이터를 구동하고, 그 개도 제어 신호의 값에 따른 밸브 개도에 조정하여 시료 가스(G)의 유량을 제어하는 것이다.
처리부(4)는 도시하지 않은 CPU나 메모리, A／D 변환기, D／A 변환기 등을 가진 디지털 내지 아날로그 전기 회로, 지령 장치(A2)와 통신하기 위한 통신 인터페이스 등에서 구성된 것으로, 전용의 것이어도 되고, 일부 또는 전부에 PC 등의 범용 컴퓨터를 사용하도록 한 것이어도 된다. 또, CPU를 사용하지 않고, 아날로그 회로만으로 상기 각 부로서의 기능을 완수하도록 구성해도 되고, 물리적으로 일체일 필요는 없으며, 유선 내지 무선에 의해 서로 접속된 복수의 기기로 이루어진 것이어도 된다. 또, 하드웨어는 지령 장치(A2)와 공통의 것이어도 된다.
그리고 상기 메모리에 소정의 프로그램을 격납하고, 그 프로그램에 따라서 CPU나 그 주변 기기를 협동 동작시키는 것에 의해, 이 처리부(4)가, 도 3에 나타내는 바와 같이, 제어부(4a), 기기차 보정 파라미터 및 유량 특성 함수를 기억하는 MFC측 기억부(4b), 설정부(4c), 유량 산출부(4d) 및 개도 제어 신호 출력부(4e) 등으로서의 기능을 적어도 발휘하도록 구성하고 있다.
설정부(4c)는 CPU 및 통신 인터페이스를 포함하여 구성되고, 지령 장치(A2)로부터 송신되는 시료 유체마다 결정되는 유량 특성 함수 K(유량 특성 결정 함수(유량 특성 곡선)의 각 계수(agas~fgas)와 당해 유량 특성 결정 함수에 대응하여 정해지는 시료 유체의 풀스케일 유량(FSgas)을 포함하여 구성됨)를 수신하고, 상기 메모리의 소정 영역에 설정된 MFC측 기억부(4b)로 격납한다. 또, 설정부(4c)는 동일 기억부(4b)에 기억되어 있는 기기차 보정 파라미터
Figure pat00001
(자세한 것은 후술함)를 독출함과 아울러, 제어 장치(A2)에 있어서 지정을 접수한 측정(유량 제어)해야 할 시료 유체에 따라서, 동일 기억부(4b)로부터 유량 특성 함수 K를 독출한다. 그리고 설정부(4c)는 이들로부터 유량 산출부(4d)에 있어서 사용하는 유량 산출식을 설정한다. 즉, 기준 유체로서의 기준 가스 N2의 유량을 산출하기 위한 유량 산출식(다음 식 P1)이 이미 설정되어 있는 경우, 설정부(4c)는 측정 대상으로 하여 지정된 시료 유체(시료 가스(G))에 따른 유량 특성 함수 K의 부분만을 변경하여, 시료 가스(G)의 유량을 산출하기 위한 유량 산출식(다음 식 P2)을 생성한다.
Flow=fN2(x)×FSN2×
Figure pat00002
　ㆍㆍㆍ(P1)
여기서, fN2(x)는 fN2(x)=aN2×x5＋bN2×x4＋cN2×x3＋dN2×x2＋eN2×x＋fN2로 주어지고, aN2는 N2의 유량 특성 곡선의 5차 항의 계수, bN2는 N2의 유량 특성 곡선의 4차 항의 계수, cN2는 N2의 유량 특성 곡선의 3차 항의 계수, dN2는 N2의 유량 특성 곡선의 2차 항의 계수, eN2는 N2의 유량 특성 곡선의 1차 항의 계수, fN2는 N2의 유량 특성 곡선의 0차 항의 계수, FSN2는 N2의 FS(기준 가스 N2의 유량 특성 곡선에 있어서 풀스케일 유량),
Figure pat00003
는 기기차 보정 파라미터인 계수(복수의 시료 가스에 대해 공통의 계수), x는 센서 출력을 나타낸다.
Flow=fgas(x)×FSgas×
Figure pat00004
　ㆍㆍㆍ(P2)
여기서, fgas(x)는 fgas(x)=agas×x5＋bgas×x4＋cgas×x3＋dgas×x2＋egas×x＋fgas로 주어지고, agas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 5차 항의 계수, bgas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 4차 항의 계수, cgas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 3차 항의 계수, dgas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 2차 항의 계수, egas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 1차 항의 계수, fgas는 시료 가스(G)의 유량 특성 곡선 GC의 0차 항의 계수, FSgas는 시료 가스(G)의 FS(시료 가스(G)의 유량 특성 곡선에 있어서 풀스케일 유량),
Figure pat00005
는 기기차 보정 파라미터인 계수, x는 센서 출력을 나타낸다.
MFC측 기억부(4b)는 후술한 바와 같이 하여, 예를 들어 공장 출하 전에 설정한 기기차 보정 계수
Figure pat00006
를 기억하는 것으로서, 상기 메모리의 소정 영역에 형성되어 있다. 또, MFC측 기억부(4b)는 상기 설정부(4c)에서 적시에 접수한 여러 가지 시료 가스(G)의 유량 특성 함수 K를 추가적으로 기억할 수도 있다.
유량 산출부(4d)는 유량 검지 신호(센서 출력)와 상기 설정부에서 생성된 유량 산출식(P2)을 수신한다. 그리고 유량 검지 신호의 값인 유량 검지값과 유량 산출식(P2)에 기초하여, 가스 유로(1)를 흐르는 시료 가스(G)의 유량을 산출한다. 유량 산출부(4d)는 이 산출한 유량인 유량 측정값을, 제어부(4a) 및 지령 장치(A2)의 표시 장치(105; 도 4 참조) 또는 매스 플로우 컨트롤러에 마련된 표시부(도시 생략)로 송신한다.
제어부(4a)는 상기 유량 산출부(4d)로부터 수신한 유량 측정값과 유량 설정 신호가 나타내는 유량 설정값을 취득하여 그 유량 측정값과 유량 설정값의 편차 ε을 산출하는 편차 산출부(4a1)와, 그 편차 ε에 적어도 비례 연산(바람직하게는 PID 연산)을 실시하여 유량 제어 밸브(3)로의 피드백 제어값을 산출하는 제어값 산출부(4a2)를 구비한 것이다.
개도 제어 신호 출력부(4e)는 상기 피드백 제어값에 기초하는 값을 갖는 개도 제어 신호를 생성하고, 그 개도 제어 신호를 유량 제어 밸브(3)에 대해 출력하는 것이다.
지령 장치(A2)는 예를 들어 반도체 제조 장치에 마련되고, PC 등과 같이 일반적인 정보 처리 기능을 갖는 것으로서, 도 4에 나타내는 바와 같이, CPU(101), 내부 메모리(102), HDD 등의 외부 기억 장치(103), 마우스나 키보드 등의 입력 장치(104), 액정 디스플레이 등의 표시 장치(105), 매스 플로우 컨트롤러(A1)와 통신하기 위한 통신 인터페이스(106) 등을 구비하고 있다. 그리고 도 3에 나타내는 바와 같이, 이 지령 장치(A2)가, 예를 들어 내부 메모리(102)에 기억하고 있는 프로그램에 따라서, CPU(101)나 그 주변 기기를 협동 동작시키는 것에 의해, 기억부(A21; 유량 특성 함수 기억부의 일례), 접수부(A22; 유량 특성 함수 접수부의 일례), 및 송신부(A23)로서의 기능을 적어도 발휘하도록 구성되어 있다. 또한, 도 3에서는 지령 장치(A2)와 매스 플로우 컨트롤러(A1)가 1 대 1로 대응하게 되어 있지만, 통신 인터페이스(106)를 포함하여 구성되는 송신부를 통하여, 하나의 지령 장치(A2)에 대해, 복수의 매스 플로우 컨트롤러(A1)가 상호 통신 가능하게 마련될 수 있다.
기억부(A21)는 시료 유체의 종류마다 규정되는 복수의 유량 특성 함수 K를 데이터베이스화하여 기억하는 것으로서, 예를 들어 내부 메모리(102)나 외부 기억 장치(103)의 소정 영역에 형성되어 있다. 또한, 이 지령 장치(A2)에 있어서 기억부(A21)에는 하나의 유량 특성 함수 K를 기억하고, 추가로 그것과 통신 가능한 호스트 컴퓨터(도시하지 않은)를 마련하여 복수의 유량 특성 함수 K를 기억한 데이터베이스를 구축할 수도 있다.
접수부(A22)는 입력 장치(104)를 통하여, 측정해야 할 유체의 지정이나, 유량 설정값이나, 측정해야 할 시료 유체의 종류를 새롭게 추가하는 경우에 있어서는 당해 시료 유체에 대응하는 고유의 유량 특성 함수 K 등을 접수한다. 그리고 이들 파라미터를 상기 기억부(A21)로 격납한다.
송신부(A23)는 상기 접수부(A22)로 수신하고, 기억부(A21)에 격납한 유량 특성 함수 K 등의 여러 가지 파라미터를 독출하고, 매스 플로우 컨트롤러(A1)에 대해 소정의 타이밍으로 송신한다. 이것은 통신 인터페이스(106)를 포함하여 구성되어 있다.
여기서, 도 5에 기초하여 유량 특성 함수 K에 대해 보충 설명한다. 유량 특성 함수 K는 상술한 각 계수(agas~fgas)를 갖는 유량 특성 결정 함수 GC(유량 특성 곡선)와 당해 유량 특성 결정 함수에 대응하여 정해지는 시료 유체의 풀스케일 유량 FP(FSgas)를 포함하여 구성된다. 유량 특성 곡선은 예를 들어 기준이 되는 하나 또는 복수의 매스 플로우 미터를 준비하고, 각각의 실(實)가스 등의 실유체(측정 대상이 될 유체)를 실제로 흘려서 취득되고, 센서 출력과 유량값의 관계를 나타내는 근사식에 상당한다. 그리고 유량 특성 곡선이 정해지면, 이에 따라서 소정의 허용 오차 범위내에서 측정 가능한, 예를 들어 최대 유량이 풀스케일 유량값으로서 규정된다. 유량 특성 함수 K(유량 특성 곡선 및 풀스케일 유량도 포함)는 시료 유체가 다르면 다른 것이 될 수 있지만, 유량 센서부(2)나 분류로(1a, 1b) 및 층류 소자 등의 매스 플로우 미터의 하드웨어 구성이 실질적으로 동일한 것이면 공통으로 사용될 수 있는 것이다. 즉, 이 유량 특성 함수 K는 동일 구성(동일 종)의 매스 플로우 미터에 대해 범용성이 있는 함수로서 규정된다.
기차 보정 계수
Figure pat00007
는 예를 들어 출하 전에, 매스 플로우 컨트롤러(A1)마다, 이하에 나타내는 순서로 그 값을 설정하고, 각 매스 플로우 컨트롤러(A1)의 MFC측 기억부(4b)에 각각 기억하도록 하고 있다.
순서 1：우선, 설정부(4c)가, MFC측 기억부(4b)로부터, 측정해야 할 시료 유체로서 N2 등의 불활성 가스를 사용하여, 대응하는 유량 특성 함수 K를 독출하여 설정한다.
순서 2：그리고 독출한 유량 특성 함수 K를 사용하여, 매스 플로우 컨트롤러(A1)에 N2를 실제로 흘려서, 도 5에 나타내는 풀스케일 포인트 FP(●표)에 있어서 가스 유량을 측정한다.
순서 3：순서 1, 2를, 복수(그 중의 1대는 기준이 되는 매스 플로우 컨트롤러를 포함) 매스 플로우 컨트롤러(A1)에 대해 행하고, 각 매스 플로우 컨트롤러(A1) 사이에서의 기기차(유량 오차)를 구하고, 이를 보상하는 기기차 보정 파라미터를 설정한다.
이와 같이, 상기 시료 가스(G)로서 불활성 가스 등의 기준 유체를 채용하여, 특히 풀스케일 포인트의 1점에서만 교정하고, 비중ㆍ점성ㆍ비열 등의 물리적 성질이 근사하는 복수 종의 시료 가스(G)에도 적용할 수 있는 기기차 보정 파라미터를 규정하는 것만으로 되기 때문에, 실제의 반도체 프로세스의 현장에서 용이하게 시료 가스(G)를 다른 것으로 변경할 수 있다.
다음에 상기 구성의 매스 플로우 컨트롤러(A1)의 작동에 대해 제어부(4)를 중심으로 도 6의 플로차트를 참조하여 설명한다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 시료 가스(G)에 변경이 있으면(단계 S101), 설정부(4c)는 시료 가스(G)의 변경을 수신하고, 당해 시료 가스(G)와 대응하는 유량 특성 함수 K와 변경 전의 기기차 보정 파라미터
Figure pat00008
와 동일한 것으로 구성되는 유량 산출식(P2)을 설정한다(단계 S102). 즉 설정부(4c)는 유량 특성 함수만을, MFC측 기억부(4b)로부터 독출한, 변경 후의 시료 가스(G)에 대응하는 새로운 유량 특성 함수 K로 치환한다.
그리고 유량 센서부(2)로부터 유량 측정 신호가 출력되면(단계 S103), 유량 산출부(4d)가, 유량 산출식(P2)에 기초하여, 가스 유로(1)를 흐르는 시료 가스(G)의 유량을 산출한다(단계 S104). 또한, 시료 가스(G)에 변경이 없으면, 유량 산출부(4d)는 이미 설정되어 있는 유량 산출식에 기초하여 유량 산출을 행할 수 있다. 이러한 산출된 유량은 유량 측정값으로서 외부 출력(표시)에 제공된다.
상술한 바 까지가 매스 플로우 센서에 의한 작동이 되지만, 매스 플로우 컨트롤러(A1) 및 이들을 포함한 매스 플로우 컨트롤러 시스템(A)에서는 추가로, 제어부(4a)에서의 편차 산출부(4a1)가, 유량 산출부(4d)에서 산출된 시료 가스(G)의 유량을 나타내는 유량 산출 신호와, 지령 장치(A2)로부터 출력되고 있는 유량 설정 신호를 수신하면(단계 S105), 수신한 유량 산출 신호의 값인 유량 측정값과 상기 유량 설정 신호의 값인 유량 설정값과의 차, 즉 편차 ε을 산출한다(단계 S106).
그리고 제어값 산출부(4a2)가, 그 편차에 예를 들어 PID 연산을 실시하여 유량 제어 밸브(3)로의 피드백 제어값을 산출한다(단계 S107).
다음에, 개도 제어 신호 출력부(4e)가, 그 피드백 제어값에 기초하여 개도 제어 신호를 생성하고(단계 S108), 그 개도 제어 신호를 유량 제어 밸브(3)에 출력하고, 그 밸브 개도를 바꾸어 유량 제어를 행한다(단계 S109).
따라서, 이와 같은 매스 플로우 미터나 매스 플로우 컨트롤러(A1)를 사용한 매스 플로우 컨트롤러 시스템(A)에 의하면, 기기차 보정 파라미터
Figure pat00009
가, 유량 특성 함수 K(가스 특성 곡선 결정 계수와 풀스케일 계수)에 대해 독립하여 취급될 수 있기 때문에, 제어 대상이 되는 가스종의 설정 변경이 있는 경우에도, 유량 특성 함수 K의 변경에 의해 오퍼레이터의 번잡함 없이 용이하게, 정밀도의 좋은 유체 제어를 실현할 수 있다.
또, 유량 특성 함수를 구성하는 유량 특성 곡선으로서 5차 다항식과 같은 고차의 다항식을 채용하고 있기 때문에, 바람직하게 근사시키면서, 풀스케일 레인지를 크게 취할 수 있고, 센서 출력의 레인지를 그 최대측에서 넓게 하여 정밀도 좋게 유량 측정을 행할 수 있다. 그 결과, 고정밀도로 유체 제어를 실현할 수 있는 뛰어난 매스 플로우 컨트롤러(A1) 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템(A)을 제공할 수 있다.
상기 기기차 보정 파라미터
Figure pat00010
는 질소 가스 등의 편리성이 높은 불활성 가스를 기준 가스로 하고, 그 기준 가스에 의해 풀스케일 포인트 FP를 측정하여 구할 수 있는 것이며, 또 다른 시료 가스(G)에 대해서도 범용적으로 적용할 수 있는 것이기 때문에, 시료 가스(프로세스 가스)의 설정 변경이 있어도, 사용 현장에서 가스 변경에 기인하는 교정 작업을 행할 필요도 없다.
지령 장치(A2) 등의 매스 플로우 컨트롤러(A1)보다 상위인 컴퓨터에, 다종의 유량 특성 함수를 포함한 데이터베이스를 마련하고 있으므로, 시료 가스의 설정 변경을 행하는 경우, 거기로부터 대응하는 유량 특성 함수를 송신하여, 시료 가스에 대한 범용성이 높은 당해 상기 기기차 보정 파라미터
Figure pat00011
와 조합함으로써, 사용 현장에서도 용이하게 측정 대상 가스의 변경을 행할 수 있다. 그 결과, 각각의 매스 플로우 컨트롤러 등의 시료 유체에 대한 범용성을 극히 높일 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어 지령 장치(A2)에, 시료 유체 접수부로서의 접수부(A22) 및 유량 특성 함수 K를 데이터베이스화한 기억부(A21)를 마련한 예를 나타내고 있지만, 이들을 매스 플로우 컨트롤러(A1)에 마련하는 등으로 하여, 이 매스 플로우 컨트롤러(A1)를 독립적으로 사용할 수도 있다.
유량 특성 곡선을 5차 다항식으로 하고 있지만, 유량 특성을 결정하는 함수는 4차 이하 또는 6차 이상의 다항식이어도 되고, 또 다항식으로 구성되는 것에 한정되는 것은 아니다.
또, 기준 유체로서의 기준 가스는 질소 가스에 한정되지 않는다. 예를 들어 기준 가스로서 다른 불활성 가스 등을 사용할 수도 있다. 유체로서는 액체 등도 상정할 수 있다.
그 외, 각 부의 구체적 구성에 대해서도 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 취지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변형이 가능하다.
1ㆍㆍㆍ가스 유로(유로)
2ㆍㆍㆍ유량 센서부(센서부)
3ㆍㆍㆍ유량 제어 밸브(컨트롤 밸브)
4aㆍㆍㆍ제어부
4cㆍㆍㆍ설정부
4dㆍㆍㆍ유량 산출부
Aㆍㆍㆍ매스 플로우 컨트롤러 시스템
A1ㆍㆍㆍ매스 플로우 컨트롤러
A21ㆍㆍㆍ기억부
A22ㆍㆍㆍ접수부(시료 유체 접수부)
Gㆍㆍㆍ시료 가스(시료 유체)
Kㆍㆍㆍ유량 특성 함수
Figure pat00012
ㆍㆍㆍ기차 보정 파라미터

Claims (7)

  1. 유로를 흐르는 시료(試料) 유체의 유량을 검지하는 센서부와,
    상기 센서부에서 검지된 유량 검지값에 기초하여 유량을 정하기 위한 유량 특성 함수로서, 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수와, 그 유량 특성 함수와는 독립한, 복수의 시료 유체에 대해 공통의 파라미터이며, 매스 플로우 미터마다의 기기차(器差)를 보정하기 위한 기기차 보정 파라미터를 설정하는 설정부와,
    상기 유량 검지값에, 상기 유량 특성 함수와 상기 기기차 보정 파라미터를 적용하고, 상기 시료 유체의 유량을 산출하여 이를 유량 측정값으로 하는 유량 산출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 매스 플로우 미터.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 유량 특성 함수가 5차 다항식으로 표현되는 것인 매스 플로우 미터.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 기기차 보정 파라미터가, 미리 정해진 기준 유체를 풀스케일(full scale) 유량으로 흘린 경우에, 기준 유체에 고유의 유량 특성 함수를 설정하여 산출한 유량과, 기준이 되는 매스 플로우 미터로 상기 풀스케일 유량을 측정했을 때의 유량 측정값과의 오차를 해소하기 위한 계수인 매스 플로우 미터.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 기기차 보정 파라미터가, 질소 가스를 기준 유체로 하여 실제로 측정하여 구해지는 계수이고, 그 계수는 그외 다른 복수의 시료 가스에 대해서도 공통의 것인 매스 플로우 미터.
  5. 청구항 1에 기재된 매스 플로우 미터와,
    상기 유로에 마련한 컨트롤 밸브와,
    상기 유량 측정값과 유량 설정값을 비교 연산하고, 이 연산 결과에 기초하여 상기 컨트롤 밸브를 제어하는 제어부를 구비하는 것을 특징으로 하는 매스 플로우 컨트롤러.
  6. 청구항 1에 기재된 매스 플로우 미터와,
    상기 매스 플로우 미터와 통신하는 것으로서, 각 시료 유체와 관련된 유량 특성 함수를 기억한 기억부 및 상기 유로에 흐르는 시료 유체의 지정을 접수하는 시료 유체 접수부를 갖는 지령 장치를 구비하고,
    상기 설정부는 상기 접수부에 의해 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수를, 상기 기억부를 검색하여 설정하는 것을 특징으로 하는 매스 플로우 미터 시스템.
  7. 청구항 5에 기재된 매스 플로우 컨트롤러와,
    상기 매스 플로우 컨트롤러와 통신하는 것으로서, 각 시료 유체와 관련된 유량 특성 함수를 기억한 기억부 및 상기 유로에 흐르는 시료 유체의 지정을 접수하는 시료 유체 접수부를 갖는 지령 장치를 구비하고,
    상기 설정부는 상기 접수부에 의해 지정된 시료 유체에 고유의 유량 특성 함수를, 상기 기억부를 검색하여 설정하는 것을 특징으로 하는 매스 플로우 컨트롤러 시스템.
KR1020100020709A 2009-03-12 2010-03-09 매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템 KR101647151B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009060319A JP5337542B2 (ja) 2009-03-12 2009-03-12 マスフローメータ、マスフローコントローラ、それらを含むマスフローメータシステムおよびマスフローコントローラシステム
JPJP-P-2009-060319 2009-03-12

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100103376A true KR20100103376A (ko) 2010-09-27
KR101647151B1 KR101647151B1 (ko) 2016-08-09

Family

ID=42729717

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100020709A KR101647151B1 (ko) 2009-03-12 2010-03-09 매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8851105B2 (ko)
JP (1) JP5337542B2 (ko)
KR (1) KR101647151B1 (ko)
CN (1) CN101839737B (ko)
TW (1) TWI503525B (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013049511A2 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 Applied Materials, Inc. Methods for in-situ calibration of a flow controller
KR20170071416A (ko) * 2015-12-15 2017-06-23 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유량 센서의 보정 장치, 보정 장치용 프로그램, 및, 보정 방법
KR102160408B1 (ko) * 2019-04-15 2020-10-05 한국생산기술연구원 차압조절 및 유량적산 기능을 갖는 용적식 수차
US11459106B2 (en) 2018-09-18 2022-10-04 The Yokohama Rubber Co., Ltd. Aircraft water supply system

Families Citing this family (270)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9921089B2 (en) 2005-06-27 2018-03-20 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
US9383758B2 (en) * 2005-06-27 2016-07-05 Fujikin Incorporated Flow rate range variable type flow rate control apparatus
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
CN102576231B (zh) * 2009-12-25 2015-04-15 株式会社堀场Stec 质量流量控制器系统及控制设备
JP5864849B2 (ja) * 2010-10-20 2016-02-17 株式会社堀場エステック 流体計測システム
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9188989B1 (en) 2011-08-20 2015-11-17 Daniel T. Mudd Flow node to deliver process gas using a remote pressure measurement device
US9958302B2 (en) 2011-08-20 2018-05-01 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US9772629B2 (en) 2011-09-29 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Methods for monitoring a flow controller coupled to a process chamber
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
CN102819261B (zh) * 2012-08-06 2015-01-21 北京雪迪龙科技股份有限公司 一种数据校准方法及装置
US9169975B2 (en) * 2012-08-28 2015-10-27 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for mass flow controller verification
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9454158B2 (en) 2013-03-15 2016-09-27 Bhushan Somani Real time diagnostics for flow controller systems and methods
US10108205B2 (en) 2013-06-28 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feed-forward adjustment
US10114389B2 (en) 2013-06-28 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Method and system for controlling a flow ratio controller using feedback
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
CN104076830B (zh) * 2014-06-12 2018-05-01 北京七星华创电子股份有限公司 用于气体集成输送系统的质量流量控制装置、系统及方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US11144075B2 (en) 2016-06-30 2021-10-12 Ichor Systems, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US10838437B2 (en) 2018-02-22 2020-11-17 Ichor Systems, Inc. Apparatus for splitting flow of process gas and method of operating same
US10679880B2 (en) 2016-09-27 2020-06-09 Ichor Systems, Inc. Method of achieving improved transient response in apparatus for controlling flow and system for accomplishing same
US10303189B2 (en) 2016-06-30 2019-05-28 Reno Technologies, Inc. Flow control system, method, and apparatus
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP2018096848A (ja) 2016-12-13 2018-06-21 株式会社堀場エステック 流量特性関数同定方法、流量特性関数同定装置、流量特性関数同定用プログラム、及び、これらを用いた流量センサ又は流量制御装置
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10663337B2 (en) 2016-12-30 2020-05-26 Ichor Systems, Inc. Apparatus for controlling flow and method of calibrating same
US10409295B2 (en) * 2016-12-31 2019-09-10 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for enhanced flow detection repeatability of thermal-based mass flow controllers (MFCS)
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10983537B2 (en) 2017-02-27 2021-04-20 Flow Devices And Systems Inc. Systems and methods for flow sensor back pressure adjustment for mass flow controller
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10537093B2 (en) * 2017-10-11 2020-01-21 Mark O. Hamran Electronic gas dispenser control system having backflow and pressure sensors
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
JP6940441B2 (ja) * 2018-03-27 2021-09-29 アズビル株式会社 熱式フローセンサ装置および流量補正方法
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202344708A (zh) 2018-05-08 2023-11-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN112992667A (zh) 2019-12-17 2021-06-18 Asm Ip私人控股有限公司 形成氮化钒层的方法和包括氮化钒层的结构
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
CN112198905B (zh) * 2020-09-11 2023-03-10 兰州空间技术物理研究所 一种标准数字接口的气体流量控制方法
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
WO2022186971A1 (en) 2021-03-03 2022-09-09 Ichor Systems, Inc. Fluid flow control system comprising a manifold assembly
US11435764B1 (en) * 2021-03-30 2022-09-06 Hitachi Metals, Ltd. Mass flow controller utilizing nonlinearity component functions
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11118569A (ja) * 1997-10-20 1999-04-30 Yazaki Corp ガスメータ
JP2000065609A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Yazaki Corp 流量検出方法及びガス流量計
JP2005045210A (ja) * 2003-05-12 2005-02-17 Agere Systems Inc マス・フロー制御の方法、フローの検証および較正
WO2008016189A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Hitachi Metals, Ltd. Flow control using mass flow controller

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5062446A (en) * 1991-01-07 1991-11-05 Sematech, Inc. Intelligent mass flow controller
JPH04262408A (ja) * 1991-02-18 1992-09-17 Nec Corp マスフロー・コントローラ
US5321992A (en) * 1991-09-26 1994-06-21 Dxl Usa Measurement of gas flows with enhanced accuracy
US5944048A (en) * 1996-10-04 1999-08-31 Emerson Electric Co. Method and apparatus for detecting and controlling mass flow
US5821406A (en) * 1997-02-27 1998-10-13 Koch Industries, Inc. Crude oil measurement system and method
EP1150103B1 (en) * 1998-10-26 2017-07-26 Panasonic Corporation Method of setting flow coefficient and flow meter
CN2366830Y (zh) * 1999-03-26 2000-03-01 王增瑜 大口径旋转式科里奥利原理质量流量计
AU2002307547A1 (en) * 2001-04-24 2002-11-05 Unit Instruments, Inc. System and method for configuring and asapting a mass flow controller
JP3604354B2 (ja) * 2001-06-13 2004-12-22 Ｓｍｃ株式会社 質量流量測定方法および質量流量制御装置
US7043374B2 (en) * 2003-03-26 2006-05-09 Celerity, Inc. Flow sensor signal conversion
WO2008030454A2 (en) * 2006-09-05 2008-03-13 Celerity, Inc. Multi-gas flow device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11118569A (ja) * 1997-10-20 1999-04-30 Yazaki Corp ガスメータ
JP2000065609A (ja) * 1998-08-24 2000-03-03 Yazaki Corp 流量検出方法及びガス流量計
JP2005045210A (ja) * 2003-05-12 2005-02-17 Agere Systems Inc マス・フロー制御の方法、フローの検証および較正
WO2008016189A1 (en) * 2006-08-03 2008-02-07 Hitachi Metals, Ltd. Flow control using mass flow controller

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013049511A2 (en) * 2011-09-29 2013-04-04 Applied Materials, Inc. Methods for in-situ calibration of a flow controller
WO2013049511A3 (en) * 2011-09-29 2013-05-23 Applied Materials, Inc. Methods for in-situ calibration of a flow controller
TWI578133B (zh) * 2011-09-29 2017-04-11 應用材料股份有限公司 用於流量控制器的原位校正的方法及其設備
KR20170071416A (ko) * 2015-12-15 2017-06-23 가부시키가이샤 호리바 에스텍 유량 센서의 보정 장치, 보정 장치용 프로그램, 및, 보정 방법
US11459106B2 (en) 2018-09-18 2022-10-04 The Yokohama Rubber Co., Ltd. Aircraft water supply system
KR102160408B1 (ko) * 2019-04-15 2020-10-05 한국생산기술연구원 차압조절 및 유량적산 기능을 갖는 용적식 수차

Also Published As

Publication number Publication date
CN101839737B (zh) 2015-05-27
TW201040505A (en) 2010-11-16
KR101647151B1 (ko) 2016-08-09
US20100229965A1 (en) 2010-09-16
TWI503525B (zh) 2015-10-11
JP2010216807A (ja) 2010-09-30
JP5337542B2 (ja) 2013-11-06
CN101839737A (zh) 2010-09-22
US8851105B2 (en) 2014-10-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20100103376A (ko) 매스 플로우 미터, 매스 플로우 컨트롤러, 이들을 포함한 매스 플로우 미터 시스템 및 매스 플로우 컨트롤러 시스템
TWI444799B (zh) 流量控制裝置與流量測定裝置之校準方法、流量控制裝置之校準系統、及半導體製造裝置
US6216726B1 (en) Wide range gas flow system with real time flow measurement and correction
EP2518581B1 (en) Mass flow controller system
US8015995B2 (en) System and method for flow monitoring and control
CN102483344B (zh) 上游体积质量流量检验系统和方法
CN101636641B (zh) 用于质量流量控制器的控制器增益调度
KR102371907B1 (ko) 가스 흐름 제어 방법 및 장치
TWI431255B (zh) 能提供不同容積之質量流動校對機及其相關方法
JPH10111152A (ja) 流量計及び質量流量制御装置
CN101536159A (zh) 进行实际流量检验的方法
KR20130040742A (ko) 유량 제어 장치, 유량 측정 기구, 또는 당해 유량 측정 기구를 구비한 유량 제어 장치에 이용되는 진단 장치 및 진단용 프로그램이 기록된 기록 매체
US6935156B2 (en) Characterization of process pressure sensor
JP6209054B2 (ja) エアマイクロメータ
KR20130064047A (ko) 개스 유동 희석기의 캘리브레이션을 위한 방법 및 시스템
US11550341B2 (en) Mass flow control system, and semiconductor manufacturing equipment and vaporizer including the system
US11392148B2 (en) Flow rate control system, control method of flowrate control system, and control program of flowrate control system
JP5864849B2 (ja) 流体計測システム
US11914407B2 (en) Flow rate control device
CN101430216A (zh) 质量流量传感器及控制系统及其实现质量流量控制的方法
JP7249030B2 (ja) 流量測定装置内の容積測定方法および流量測定装置
TWI416619B (zh) 執行實際流動驗證的方法
US20130008262A1 (en) Volumetric Gas Flow Meter With Automatic Compressibility Factor Correction
JPS5850010A (ja) ガス流量制御装置
CN116659629A (zh) 气体流量计的标定方法、标定装置和测量装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190722

Year of fee payment: 4