WO2007145049A1 - 弾性波分波器 - Google Patents

弾性波分波器 Download PDF

Info

Publication number
WO2007145049A1
WO2007145049A1 PCT/JP2007/060189 JP2007060189W WO2007145049A1 WO 2007145049 A1 WO2007145049 A1 WO 2007145049A1 JP 2007060189 W JP2007060189 W JP 2007060189W WO 2007145049 A1 WO2007145049 A1 WO 2007145049A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
filter
transmission
chip
filter chip
reception
Prior art date
Application number
PCT/JP2007/060189
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Toshiaki Takata
Osamu Yokokura
Original Assignee
Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co., Ltd. filed Critical Murata Manufacturing Co., Ltd.
Priority to CN2007800219178A priority Critical patent/CN101467349B/zh
Priority to JP2008521123A priority patent/JP4720908B2/ja
Priority to EP07743624.4A priority patent/EP2031755B1/en
Publication of WO2007145049A1 publication Critical patent/WO2007145049A1/ja
Priority to US12/274,411 priority patent/US7619491B2/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02Details
    • H03H9/05Holders; Supports
    • H03H9/0538Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
    • H03H9/0566Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers
    • H03H9/0576Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements for duplexers including surface acoustic wave [SAW] devices
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725Duplexers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/4912Layout
    • H01L2224/49171Fan-out arrangements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30Technical effects
    • H01L2924/301Electrical effects
    • H01L2924/3011Impedance
    • H01L2924/30111Impedance matching

Definitions

  • the present invention relates to an acoustic wave duplexer using an acoustic wave filter such as a surface acoustic wave filter or a boundary acoustic wave filter. More specifically, the present invention relates to a transmission side filter chip and a reception side filter chip on a laminated substrate. The present invention relates to an elastic wave demultiplexer having a structure in which flip-chip bonding is performed by a face-down method.
  • FIG. 9 is a schematic plan view showing a circuit configuration of the surface acoustic wave duplexer disclosed in Patent Document 1.
  • the surface acoustic wave duplexer 501 has an antenna terminal 502 connected to the antenna, a transmission side terminal 503, and first and second reception side terminals 504 and 505.
  • the receiving side terminals 504 and 505 are balanced output terminals. In the surface acoustic wave duplexer 501, a balanced output can be obtained from the receiving side terminals 504 and 505.
  • a transmission side filter 506 and one end of a reception side filter 507 are connected to the antenna terminal 502. That is, the transmission side filter 506 and the reception side filter 507 are connected in common and connected to the antenna terminal 502.
  • a matching circuit 508 is connected between the antenna terminal 502 and the reception-side filter 507.
  • the transmission filter 506 is a surface acoustic wave filter having a ladder type circuit configuration having a plurality of series arm resonators SI, S2, S3 and a plurality of parallel arm resonators PI, P2.
  • the reception-side filter 507 has an input terminal 509 connected to the antenna terminal 502 via the matching circuit 508.
  • the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter sections 510 and 511 is connected to the input end 509.
  • the third and fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 512 and 513 are connected to the subsequent stages of the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 510 and 511, respectively.
  • the first to fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 510 to 513 are all 3IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter elements.
  • the respective one ends of the center IDTs of the third and fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 512 and 513 are connected to each other and connected to the first receiving terminal 504. The other ends are connected in common and connected to the second receiving terminal 505.
  • the surface acoustic wave duplexer 501 having the above circuit configuration, specifically, the surface acoustic wave filter chip constituting the transmission side filter 506 and the reception side filter 507 is mounted on the laminated substrate.
  • a configuration in which a bonding wire is connected to an electrode pattern provided on a laminated substrate is disclosed.
  • the phase matching pattern for configuring the matching circuit 508 is formed at a certain height position of the multilayer substrate. More specifically, as shown in a schematic plan sectional view in FIG. 10, a meander-like phase matching circuit pattern 521 is formed at the intermediate height position of the multilayer substrate 520. One end of the phase matching circuit pattern 521 is connected to the input end of the receiving filter mounted on the multilayer substrate 520, and the other end is connected to the antenna terminal.
  • FIG. 11 is a schematic plan view showing an inertial surface wave filter chip and the like mounted on the upper surface of the multilayer substrate shown in one embodiment of Patent Document 1.
  • the surface acoustic wave filter chip 522 constituting the transmission side filter and the reception side filter is mounted on the multilayer substrate 520, and is provided on the multilayer substrate 520 by bonding wires 523 or the like.
  • the electrode land is electrically connected.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2003-249842
  • a matching circuit 508 is inserted between the antenna terminal 502 and the reception-side filter 507 in order to achieve impedance matching.
  • the matching circuit 508 is formed by using the meander-like phase matching circuit pattern 521 shown in FIG.
  • the inductance of the bonding wire is also used to obtain the inductance as the matching circuit 508.
  • the inductance value due to the meandering phase matching circuit pattern 521 incorporated in the multilayer substrate can be small.
  • the bonding wire is not used. Therefore, the inductance due to the bonding wire cannot be used. Therefore, the line pattern for configuring the impedance matching circuit is required to have a structure capable of obtaining a larger inductance with a small area. For this reason, it is conceivable to use a coiled line pattern to satisfy such requirements.
  • the coiled line pattern can provide a larger inductance than the meandering line pattern.
  • An object of the present invention is to eliminate the above-mentioned drawbacks of the prior art, and a transmission side filter chip and reception side filter chip force consisting of an acoustic wave filter are flip-chip bonded on a laminated substrate.
  • An elastic wave duplexer in which a coiled line pattern is formed on a laminated substrate to connect an impedance matching circuit between a filter and an antenna terminal, and the coiled line pattern and the transmitting side or the receiving side Accordingly, it is an object of the present invention to provide an elastic wave demultiplexer in which the electromagnetic coupling with the filter hardly occurs and therefore the isolation characteristic is hardly deteriorated.
  • An acoustic wave duplexer includes a transmission-side filter unit that is an acoustic wave filter, a reception-side filter unit that is an elastic wave filter force, and one end of a transmission-side filter unit and a reception-side filter unit.
  • a common connection end connected in common; and an impedance matching circuit portion connected between the common connection end and the reception-side filter portion.
  • the elastic wave filter includes a wide range of filters using various elastic waves such as a boundary acoustic wave filter using a boundary acoustic wave as well as a surface acoustic wave filter.
  • the boundary acoustic wave filter is a filter element formed by forming an IDT electrode and a reflector on a piezoelectric substrate, similarly to the surface acoustic wave filter.
  • an IDT electrode and a reflector are formed on the surface of a piezoelectric single crystal substrate, and a relatively thin film such as SiO is formed thereon.
  • a boundary acoustic wave filter can be obtained by forming a thick thin film.
  • the operating principle and configuration of the boundary acoustic wave filter are almost the same as those of the surface acoustic wave filter.
  • the boundary acoustic wave filter has a solid layer made of SiO or the like provided on the surface of the piezoelectric single crystal substrate.
  • an elastic wave propagating along the boundary between the piezoelectric single crystal substrate and the solid layer that is, an elastic boundary wave is used.
  • the boundary acoustic wave filter the boundary acoustic wave propagates through the boundary surface between the piezoelectric single crystal substrate and the solid, so that a knock box having a cavity is not required, and the element can be miniaturized.
  • the boundary acoustic wave filter uses a boundary acoustic wave that propagates through the boundary between the piezoelectric substrate and the solid layer, but the operating principle is basically the same as that of the surface acoustic wave filter, so the design used is The method is similar. Therefore, in the present invention, a boundary acoustic wave filter that uses only a surface acoustic wave filter is also used as the acoustic wave filter.
  • the transmission side filter unit and the reception side filter unit have a transmission side filter chip force and a reception side filter chip force that are flip-chip bonded to the stacked substrate in a face-down manner, respectively. Become.
  • the surface acoustic wave duplexer of the present invention is smaller than the surface acoustic wave duplexer that employs a bonding method using a bonding wire because it is flip-chip bonded in a face-down manner. Can be achieved.
  • the transmission-side filter chip is a ladder type filter configured using the first piezoelectric substrate, and has an input terminal and an output terminal.
  • the receiving-side filter chip is a longitudinally coupled resonator type filter configured using a second piezoelectric substrate, and has a balanced-unbalanced conversion function having a receiving-side input terminal and first and second receiving terminals.
  • a wiring pattern having first and second electrode lands electrically connected to the transmission-side filter chip and the reception-side filter chip is formed on the multilayer substrate of the acoustic wave duplexer.
  • a matching circuit pattern is provided on the laminated substrate.
  • the matching circuit pattern constitutes the impedance matching circuit section.
  • the multilayer substrate includes a plurality of insulating layers, and the matching circuit pattern includes a plurality of conductor patterns and via-hole conductors that electrically connect the plurality of conductor patterns, and a plurality of the insulating layers. It has a coiled line across the layers.
  • One end of the matching circuit pattern is connected to the electrode land, and the other end is connected to the ground potential.
  • the direction is to connect the first end of the multilayer substrate and the second end opposite to the first end, and a center line passing through the center of the multilayer substrate.
  • the transmission-side filter chip is arranged on one side of the center line, and the reception-side filter chip is arranged on the other side.
  • the matching circuit pattern includes a coiled line, and the center of the coiled line is the receiving side with respect to the center line of the laminated substrate of the acoustic wave duplexer when viewed in plan.
  • a filter chip is placed on the other side.
  • the first receiving terminal and the second receiving terminal of the receiving filter chip are connected. It is located at the apex of an isosceles triangle with the bottom line as the base. In this case, The Chillon characteristics can be further improved.
  • a shield electrode connected to a ground potential is further provided between the matching circuit pattern and the wiring pattern, thereby providing isolation characteristics. Can be further improved.
  • the wiring pattern further includes a transmission-side signal wiring pattern and a transmission-side ground wiring pattern, and the coiled line is a plan view, There is no portion overlapping with the transmission side signal wiring pattern and the transmission side ground wiring pattern. In this case, the isolation characteristics can be further improved.
  • the ladder filter includes a parallel arm resonator and a series arm resonator
  • the transmission-side filter chip includes the parallel arm resonator.
  • a bump connected to one end is further provided, and an electrode land to which the bump is connected is provided on the multilayer substrate, and a series inductor is inserted between the electrode land and the ground potential.
  • an external terminal is provided on a surface of the laminated substrate opposite to a side on which the transmission filter chip and the reception filter chip are mounted.
  • the shield electrode is electrically connected to the external terminal using a plurality of via-hole electrodes penetrating the laminated substrate. Therefore, the isolation characteristics can be further improved.
  • a longitudinally coupled resonator type filter provided in the reception-side filter chip is electrically connected to the first reception terminal.
  • a longitudinally coupled resonator type filter unit and a second longitudinally coupled resonator type filter unit connected to the second receiving terminal, and an input signal in the second longitudinally coupled resonator type filter unit.
  • the phase of the output signal with respect to the signal is 180 degrees different from the phase of the output signal with respect to the input signal in the first longitudinally coupled resonator type filter unit, and the electric signal flowing through the transmission side filter chip is Second end force of the substrate is flowing in the direction toward the first end, and an electric signal flows in the first longitudinally coupled resonator type filter unit
  • the direction is a direction from the second end to the first end when viewed in plan, and the direction in which the electric signal flows in the second longitudinally coupled resonator type filter is In this case, the first end force is directed to the second end portion. In this case, in particular, the isolation characteristics of the reception band can be effectively improved.
  • the center of the coiled line is provided on the side where the reception-side filter chip is disposed with respect to the center line of the multilayer substrate when viewed in plan. ing. Since the reception side filter chip has a balanced-unbalanced change, that is, the reception output is a balanced output, it is less likely to be affected by electromagnetic coupling than the signal at the transmission side filter unit. Therefore, since the coiled line is provided near the transmitting filter, it is possible to improve the isolation characteristics.
  • the present invention it is possible to achieve both reduction in size and improvement in isolation characteristics, and in particular, due to electromagnetic coupling between the transmission-side filter and the coiled line constituting the impedance matching circuit. It is possible to effectively suppress the adverse effect of isolation characteristics.
  • FIG. 1 (a) is a schematic diagram showing a circuit configuration of a reception-side filter chip of an acoustic wave duplexer of the present invention, and (b) is an acoustic wave branching filter of the above embodiment. It is front sectional drawing of a vessel.
  • FIG. 2 is a block diagram showing a circuit configuration of an elastic wave duplexer according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing a circuit configuration of a transmission-side filter chip of an acoustic wave duplexer according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 shows a main part of the acoustic wave duplexer of the present invention, and a transmission side filter chip is formed on the multilayer substrate. It is a typical top view which shows the state in which a loop and a receiving side filter chip are mounted.
  • FIG. 5 (a) is a schematic plan view showing a state in which the cover material is removed in the elastic wave duplexer according to the embodiment of the present invention, and (b) is an electrode pattern on the multilayer substrate.
  • C) and (d) are schematic plan views showing a wiring pattern at an intermediate height position in the laminated substrate.
  • FIGS. 6 (a) to 6 (c) are schematic plan cross-sectional views for explaining a coiled line pattern portion provided in the multilayer substrate
  • FIG. 6 (d) is a diagram of the multilayer substrate.
  • FIG. 6 is a schematic plan view showing a plurality of external terminals provided on the lower surface of the semiconductor device.
  • FIGS. 7 (a) to 7 (d) are diagrams for showing the shape and position of the coiled line pattern portion formed in the laminated substrate in the elastic wave duplexer prepared for comparison. It is a schematic plan sectional view.
  • FIG. 8 is a diagram showing isolation characteristics of one embodiment of the present invention and a comparative example.
  • FIG. 9 is a diagram showing a circuit configuration of a conventional elastic wave duplexer.
  • FIG. 10 is a schematic plan view showing a meander line pattern of a phase matching circuit provided in a multilayer substrate in a conventional acoustic wave duplexer.
  • FIG. 11 is a schematic plan view showing a state where a surface acoustic wave filter chip is mounted on a multilayer substrate of a conventional acoustic wave duplexer.
  • FIG. 2 is a block diagram showing an elastic wave duplexer according to an embodiment of the present invention.
  • the elastic wave duplexer 1 of the present embodiment is a CDMA800 duplexer.
  • the passband on the transmission side is 824 to 849 MHz
  • the passband on the reception side is 869 to 894 MHz.
  • the elastic wave duplexer 1 has an antenna terminal 2 connected to an antenna, a transmission terminal 3, a first reception terminal 4, and a second reception terminal 5.
  • One end of the transmission side filter chip 6 and one end of the reception side filter chip 7 are connected to the antenna terminal 2.
  • the other end of the transmission side filter chip 6 is the transmission terminal 3, and the other end of the reception side filter chip 7 is the first and second reception terminals 4 and 5.
  • the receiving side filter chip 7 is composed of a so-called balanced elastic wave filter V having a balanced-unbalanced change.
  • an impedance matching circuit 9 is connected between the common terminal 8 connected to the antenna terminal 2 and the ground potential.
  • an impedance matching circuit 9 is provided in order to achieve impedance matching between the transmission side filter chip 6 and the reception side filter chip 7 in the portion coupled to the antenna. .
  • the elastic wave duplexer 1 is strongly required to have good isolation between the transmission terminal 3 and the first and second reception terminals 4 and 5.
  • the elastic wave demultiplexer 1 is set so that the characteristic impedance of the common terminal 8 and the transmission terminal 3 is 50 ⁇ , and the impedance of the first and second reception terminals 4 and 5 is 100 ⁇ .
  • the circuit is designed.
  • FIG. 1 (a) is a schematic circuit diagram showing a circuit configuration of the reception-side filter chip 7 of the elastic wave duplexer 1
  • FIG. 3 is a schematic diagram showing a circuit configuration of the transmission-side filter chip 6.
  • FIG. 1 (b) is a front sectional view for explaining the physical structure of the acoustic wave duplexer 1.
  • series arm resonators S 11 to S 16 are connected to the series arm between the common terminal 8 and the transmission terminal 3.
  • a plurality of parallel arms are formed between the series arm and the ground potential, and parallel arm resonators P21, P22 and P23 are inserted into each parallel arm, respectively.
  • one end of each of the parallel arm resonators P21 and P22 is commonly connected by a common connection point 24.
  • This common connection point 24 and ground potential An inductance 25 is inserted between them.
  • An inductance 26 is inserted between the parallel arm resonator P23 and the ground potential.
  • the transmission-side filter chip 6 includes a ladder filter having a plurality of series arm resonators S11 to S16 and a plurality of parallel arm resonators P21 to P23.
  • the series arm resonators S11 to S16 and the parallel arm resonators P21 to P23 are all 1-port surface acoustic wave resonators in which reflectors are arranged on both sides of the surface wave propagation direction of one IDT electrode. It is configured.
  • the transmission-side filter chip 6 is a surface acoustic wave filter element having a ladder circuit configuration.
  • the first and second longitudinally coupled resonators are connected to the common terminal 8 via the 1-port SAW resonators 31, 32.
  • the mold filter parts 33 and 34 are connected.
  • the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 33 and 34 are all 3IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units. Accordingly, the longitudinally coupled resonator type acoustic wave filter units 33 and 34 have first to third IDTs 33a to 33c and 34a to 34c arranged along the surface wave propagation direction, respectively.
  • reflectors 33d and 33e are provided on both sides of the surface wave propagation direction in the region where IDTs 33a to 33c are provided.
  • reflectors 34d and 34e are provided on both sides of the surface wave propagation direction in the region where the IDTs 34a to 34c are provided.
  • One end of the second IDT 33b disposed in the center is connected to the common terminal 8 via the acoustic wave resonator 31.
  • One end of each of the first and third IDTs 33a and 33c on both sides is connected to the ground potential.
  • the other end of the second IDT 33b is connected to the ground potential.
  • the other end force signal lines 35a and 35b of the first and third IDTs 33a and 33c are connected.
  • one end of the central first IDT 34b is connected to the common terminal 8 via the surface acoustic wave resonator 32, and the like. The end is connected to ground potential.
  • One end of each of the first and third IDTs 34a and 34c is connected to the ground potential, and the other end is connected to the signal lines 36a and 36b.
  • the third and fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 37 and 38 are connected to the subsequent stage of the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 33 and 34, respectively.
  • Longitudinal coupled resonator The surface acoustic wave filter units 37 and 38 are 3IDT type longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filters in the same manner as the first and second longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter units 33 and 34. It is an element. Therefore, in the longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 37, first to third IDTs 37a to 37c and reflectors 37d and 37e are provided. Also in the fourth longitudinally coupled resonator type surface acoustic wave filter unit 38, first to third IDTs 38a to 38c and reflectors 38d and 38e are provided.
  • each of the first and third IDTs 37a and 37c is connected to the first and third IDTs 33a and 33c of the first longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter unit 33 by the signal lines 35a and 35b, respectively.
  • the other ends of IDTs 37a and 37c are connected to the ground potential.
  • one end of the center ID T37b is connected to the ground potential, and the other end is connected to the first receiving terminal 4.
  • a fourth longitudinally coupled resonator-type elastic member is connected to the first and third IDTs 34a and 34c of the second longitudinally coupled resonator-type surface acoustic wave filter unit 34 by signal lines 36a and 36b, respectively.
  • One end of the first and third IDTs 38a, 38c of the surface wave filter unit 38 is connected by force, and the other ends of the IDTs 38a, 38c are connected to the ground potential.
  • One end of the IDT 38 b is connected to the ground potential, and the other end is connected to the second receiving terminal 5.
  • the circuit configuration of the reception-side filter chip having a balanced-unbalanced conversion function is not limited to the configuration shown in FIG. 1 (a). That is, the circuit of the receiving filter chip can be realized by an appropriate elastic wave filter circuit having a balance-unbalance conversion function.
  • the transmission-side filter chip 6 having the above circuit configuration and the reception-side filter chip 7 are flip-chip bonding devices using bumps 41a, 41b, 42a, 42b. It is mounted on the multilayer substrate 43 by the method.
  • the multilayer substrate 43 is not particularly limited, but is composed of an integrally fired ceramic multilayer substrate obtained by laminating a plurality of ceramic green sheets via an electrode material and firing them integrally.
  • the transmission-side filter chip 6 has a first piezoelectric substrate 6a, and an electrode structure for forming the circuit configuration shown in FIG. 3 is provided on the piezoelectric substrate 6a.
  • the reception-side filter chip 7 has a second piezoelectric substrate 7a, and the reception-side filter circuit is configured by forming the electrode structure shown in FIG. 1A on the second piezoelectric substrate 7a. Has been.
  • FIG. 1 (b) only the bumps 41a, 41b, 42a, and 42b are illustrated. As will be described later, the transmission-side filter chip 6 and the reception-side filter chip 7 are joined to the multilayer substrate 43. For this purpose, more bumps are provided.
  • the transmission side is formed on the multilayer substrate 43 by the face-down flip-chip bonding method using the bumps 41a, 41b, 42a, 42b.
  • a filter chip 6 and a receiving side filter chip 7 are mounted. That is, since no bonding wire is required, the area of the upper surface of the laminated substrate 43 for laminating the transmission filter chip 6 and the reception filter chip 7 can be reduced. Therefore, the elastic wave duplexer 1 can be downsized. Since it does not require complicated work using bonding wires, productivity can be increased.
  • the bumps 41a, 41b, 42a, 42b are formed of an appropriate conductive material such as gold.
  • a frame-like case member 44 is provided on the upper surface of the multilayer substrate 43 so as to surround the transmission-side filter chip 6 and the reception-side filter chip 7.
  • the frame-shaped case member 44 is provided on the upper surface of the multilayer substrate 43 and is formed integrally with the multilayer substrate 43.
  • the frame-like case member 44 may be prepared separately from the multilayer substrate 43 and then joined to the upper surface of the multilayer substrate 43 or may be formed simultaneously by a ceramic integrated firing technique.
  • a lid member 45 made of a conductive material such as metal is fixed so as to close the upper opening of the frame-shaped case member 44.
  • the lid member 45 also has a metal force in this embodiment, and a large number of via-hole electrodes 44 a and 44 b are provided in the frame-like case member 44.
  • This via hole electrode The upper ends of 44a and 44b are connected to the lid member 45, and the lower ends are provided on the multilayer substrate 43 and are electrically connected to electrodes connected to the ground potential. Therefore, the space in which the transmitting filter chip 6 and the receiving filter chip 7 are accommodated is surrounded by the lid member 45 and the via hole electrodes 44a and 44b, and is electromagnetically shielded.
  • the laminated substrate 43 has a structure in which a plurality of insulating layers 43a to 43f are laminated. Further, terminals 58b, 58d, and 58h that are electrically connected to the outside are formed on the lower surface of the laminated substrate 43. In FIG. 1 (b), only the three external terminals 58b, 58d, and 58h are illustrated. Actually, as described later with reference to FIG. 6 (d), the antenna terminal 2 and the transmission terminal 3 The first and second receiving terminals 4 and 5 or external terminals 58a to 58i connected to the ground potential or the like are provided.
  • FIG. 4, FIG. 5 (a) to (d), FIG. 6 (a) to (d), and FIG. 7 (a) to (d) are respectively the height positions of the acoustic wave duplexer 1. It is a typical top view for explaining an electrode pattern etc.
  • FIG. 4 and FIG. 5 (a) are schematic plan views showing a state in which the lid member 45 is removed from the elastic wave duplexer 1.
  • FIG. The above-mentioned transmission side filter chip 6 and reception side filter chip 7 are mounted in the area surrounded by the frame-like case member 44, and the state is shown.
  • the circuit configuration of the reception-side filter chip 7 is schematically shown, and the positions of the bumps 42a to 42f provided on the lower surface of the reception-side filter chip 7 are indicated by broken lines.
  • the positions of the bumps 41a to 41h provided on the lower surface are indicated by broken lines.
  • the bump 42d is a bump connected to the common connection terminal 8 in FIG. 1, and the bump 42a and the bump 42e are bumps connected to the first and second reception terminals 4 and 5.
  • the remaining bumps 42b, 42c, 42f are provided for electrical connection to the ground potential.
  • the bump 41 g is a bump connected to the common terminal 8
  • the bump 41 b is a bump connected to the transmission terminal 3.
  • the remaining bumps 41a, 41c, 41d, 41e, 41f, 41h are provided for mechanical connection and other electrical connections.
  • FIG. 5B is a plan view of the laminated substrate 43, and the illustrated wiring pattern is formed on the upper surface of the uppermost insulating layer 43a.
  • FIG. 5 (b) as in FIG. 4, the outer diameters of the transmission-side filter chip 6 and the reception-side filter chip 7 are schematically shown by alternate long and short dash lines.
  • a plurality of metal bumps 41a to 41h and bumps 42a to 42f provided on the lower surface are electrically connected to the wiring pattern formed on the upper surface of the insulating layer 43a at the illustrated positions. Connected.
  • a plurality of electrode lands 52a to 52f are formed as shown in FIG. 5 (b).
  • the bumps 41a to 41h and 42a to 42f are electrically connected to any of the electrode lands.
  • the wiring pattern 52 having the electrode lands 52a to 52f is formed on the upper surface of the multilayer substrate 43.
  • each schematic plan view shown in FIG. 5 (to FIG. 6 (d) is a schematic plan view of each height position located from the top to the bottom inside the multilayer substrate 43.
  • 5 (c) shows a wiring pattern on the insulating layer 43b, which has via-hole electrodes 53a, 53c, 53d and electrode turns 53b, 53e, 53f, 53g, 53h. .
  • FIG. 5 (d) is a plan view showing a shield pattern 50 provided on the insulating layer 43c.
  • the shield electrode 50 has a cutout at the outer peripheral edge and a circular cutout at the center.
  • Via hole electrodes 54a to 54f are provided in the notches and cutout portions so as not to contact the shield electrode 50! /.
  • FIG. 6 (a) shows a portion where the coiled line pattern 61 provided on the insulating layer 43d is formed.
  • One end 61a of the coiled line pattern 61 is connected to the aforementioned via-hole electrode 54a, and one end of each of the transmission-side filter chip 6 and the reception-side filter chip 7 provided on the multilayer substrate 43 is connected in common. It is electrically connected to the electrode land.
  • the other end of the coiled line pattern 61 is connected to the via-hole electrode 55g.
  • the via-hole electrode 55g is connected to one end of a coiled line pattern 62 provided at a height lower than the coiled line pattern 61 shown in FIG. 6 (b).
  • Coiled track flap The other end of the screen 62 is connected to the via hole electrode 56g.
  • the via-hole electrode 56g is connected to one end of a coil-shaped line pattern 63 shown in FIG. 6 (c), which is provided at a height lower than the coil-shaped line pattern 62.
  • the other end force of the coiled line pattern 63 is connected to the via hole electrode 57g.
  • the via-hole electrode 57g is formed on the lower surface of the multilayer substrate 43 and connected to the external terminal 58e (FIG. 6 (d)).
  • the coiled line patterns 61 to 63 are electrically connected by the via-hole electrodes 55g, 56g, and 57g, and in this embodiment, the coiled line constituting the impedance matching circuit is configured. That is, the coiled line composed of the coiled line patterns 61 to 63 and the via hole electrodes 55 g, 56 g, and 57 g is formed across the plurality of insulating layers 43 d to 43 f. Therefore, it is possible to obtain a large inductance with a small area.
  • the external terminal 58a is an external terminal corresponding to the antenna terminal 2.
  • the first end 43A of the multilayer substrate passes through the center of the multilayer substrate 43, and the first end 43A opposite to the first end 43A.
  • the transmission side filter chip 6 is disposed on one side of the center line X extending in the direction connecting the two end portions 43B, and the reception side filter chip 7 is disposed on the other side (see FIGS. 4 and 5 (a)). )reference).
  • the coiled line Y having the coiled line patterns 61 to 63 is provided in the multilayer substrate 43. In Fig. 1 (b), the center line X penetrates the paper back direction.
  • the part through which the center line X passes is indicated by a symbol surrounded by X. That is, the center of the coiled line Y is provided on the side where the receiving filter chip 7 is provided with respect to the center line X. Therefore, the coiled line is kept away from the transmission side filter chip 6. If the transmitting filter chip 6 and the coiled line are close to each other, the electromagnetic coupling deteriorates the isolation characteristic, which causes a problem.
  • the reception-side filter chip 7 has a balanced-unbalanced transformation, and balanced outputs are taken out from the first and second reception terminals 4 and 5. Therefore, compared to the transmission-side filter chip 6, the reception-side filter chip 7 is less susceptible to degradation of isolation characteristics due to electromagnetic coupling!
  • the isolation characteristics are likely to deteriorate due to electromagnetic coupling with the coiled line, and the transmission-side filter chip 6 is disposed away from the coiled line. Therefore, the degradation of isolation characteristics is reliably suppressed. Therefore, it is possible to provide the elastic wave duplexer 1 having excellent isolation characteristics.
  • FIG. 8 is a diagram showing the isolation characteristics of the acoustic wave duplexer 1 of the above embodiment, and the isolation characteristics of a comparative example and a conventional product prepared for comparison.
  • the solid line shows the result of the above embodiment
  • the broken line shows the result of the comparative example
  • the alternate long and short dash line shows the result of the conventional product.
  • the coiled line patterns 531 to 533 are coiled so as to be arranged below the side on which the transmitting filter chip 6 is mounted. Except that the line pattern portions 531 to 533 were formed across a plurality of insulating layers, the same as in the above embodiment. Further, in the conventional product, as shown in FIG. 10, a meandering matching circuit pattern 521 is formed over the entire laminated substrate.
  • the isolation characteristic was 52. OdB in the transmission-side pass band and 47. OdB in the reception-side pass band.
  • the transmission side band is 54. OdB
  • the reception side pass band is 39.7 dB
  • the above conventional product is 51.2 dB in the transmission side pass band and 40.5 dB in the reception side pass band. It is powerful to be. Therefore, it can be seen that the comparative example and the conventional product do not have sufficient isolation characteristics in the reception-side passband.
  • the signal level is determined by the amplitude difference and phase difference of the high frequency signal emitted from the first and second receiving terminals.
  • the influence of external noise is small. Therefore, the electromagnetic coupling with the line pattern for configuring the impedance matching circuit is also considered to be smaller in the balanced output type circuit. Therefore, if the receiving filter chip has a balanced output type circuit configuration, It is thought that the degradation of the band isolation characteristics was minimized.
  • the transmission-side filter chip 6 and the reception-side filter chip 7 having acoustic wave filter force are mounted on the multilayer substrate 43 by the flip chip bonding method. Accordingly, it is possible to reduce the size of the elastic wave duplexer 1.
  • the coiled line for configuring the impedance matching circuit is disposed on the side of the laminated substrate on which the reception filter chip 7 is mounted, and is away from the transmission filter. Therefore, a force capable of obtaining a large inductance by the coiled line can suppress an isolation characteristic due to electromagnetic coupling between the coiled line having the large inductance and the transmission side filter.
  • the reception-side filter chip 7 has a circuit configuration having a balanced output. Therefore, even if electromagnetic coupling occurs with the coiled line, the influence of the isolation characteristics is small. Therefore, it is possible to provide the elastic wave duplexer 1 having excellent isolation characteristics that can be achieved only by downsizing.
  • the coiled line and the wiring pattern for configuring the impedance matching circuit are electromagnetically coupled, signal leakage may occur and the isolation characteristics may be deteriorated.
  • the transmission side wiring portion including the electrode land 52b and the electrode pattern 53b is greatly affected by the coupling between the electrode lands 52e and 53e. At this point, a signal wraps around from the ground side to the signal wiring side, which may deteriorate the isolation characteristics.
  • the electrode land 52a and the via-hole electrode 53a which are wiring portions on the antenna side, are directly connected to the coiled line, so that the poor isolation characteristics due to electromagnetic field coupling hardly occur. .
  • the shield electrode 50 is provided, and the upper wiring pattern and the lower coiled line are separated by the shield electrode 50. Bonding can be reduced. This also improves the isolation characteristics. Yes.
  • the wiring except the signal wiring portion on the antenna side including the electrode land 52a and the via hole electrode 53a is provided.
  • the distance between the pattern and the coiled line is increased, and it is possible to reduce overlap in the upward and downward directions. Thereby, inductive coupling is weakened, and it is possible to further improve the isolation characteristics.
  • the transmission-side signal wiring portion including the electrode land 52b and the electrode pattern 53b and the transmission-side ground wiring portion including the electrode lands 52e and 52h and the electrode patterns 53e and 53h are overlapped in the vertical direction. Therefore, the isolation characteristics can be greatly improved.
  • the coiled line pattern portion 63 positioned below is also preferably arranged on the receiving terminal side in order to further improve the isolation characteristics.
  • the transmission-side filter chip and the reception-side filter chip are forces formed using the surface acoustic wave filter chip. As described above, the transmission-side filter chip and the reception-side filter chip are received by the boundary acoustic wave filter chip. A side filter chip may be formed.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

 送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが積層基板に搭載されており、積層基板内にインピーダンス整合回路が構成されている弾性波分波器において、送信帯域及び受信帯域のアイソレーション特性が改善されており、両者のバランスが高められており、小型の分波器を提供する。  積層基板43上に、弾性波フィルタチップからなる送信側フィルタチップ6及び受信側フィルタチップ7がフリップチップボンディングされており、積層基板43内にインピーダンス整合回路を構成するためのコイル状線路パターン52,54,56を含むコイル状線路が構成されており、平面視した場合に、積層基板43の中心を通り、第1の端部43Aと第2の端部43Bとを結ぶ中心線Xに対し、一方側に送信側フィルタチップ6が、他方側に受信側フィルタチップ7が配置されており、該受信側フィルタチップ7が配置されている側に上記コイル状線路が配置されている、弾性波分波器1。

Description

明 細 書
弾性波分波器
技術分野
[0001] 本発明は、弾性表面波フィルタや弾性境界波フィルタなどの弾性波フィルタを用い た弾性波分波器に関し、より詳細には、積層基板上に送信側フィルタチップ及び受 信側フィルタチップがフェイスダウン工法でフリップチップボンディングされている構 造を備えた弾性波分波器に関する。
背景技術
[0002] 小型化を進めるために、携帯電話機などの移動体通信機器にお!、ては、複数の電 子部品を一体ィ匕してなる複合型の電子部品が求められている。このような要求を満た すために、従来、アンテナ端子に接続される送信側フィルタと受信側フィルタとを一 体ィ匕してなる分波器が広く用いられている。また、フィルタの小型化を図り得るため、 従来、弾性表面波を利用した弾性表面波フィルタが、上記受信側フィルタや送信側 フィルタに広く用いられて 、る。
[0003] この種の弾性表面波フィルタを用いた分波器の一例力 下記の特許文献 1に開示 されている。
[0004] 図 9は、特許文献 1に開示されている弾性表面波分波器の回路構成を示す模式的 平面図である。弾性表面波分波器 501は、アンテナに接続されるアンテナ端子 502 と、送信側端子 503と、第 1,第 2の受信側端子 504, 505とを有する。受信側端子 5 04, 505は、平衡出力端子であり、この弾性表面波分波器 501では、受信側端子 50 4, 505から平衡出力が得られる。
[0005] アンテナ端子 502には、送信側フィルタ 506の一端及び受信側フィルタ 507の一端 が接続されている。すなわち、送信側フィルタ 506と、受信側フィルタ 507とは共通接 続されて、アンテナ端子 502に接続されている。なお、アンテナ端子 502と、受信側 フィルタ 507との間には、整合回路 508が接続されている。送信側フィルタ 506は、 複数の直列腕共振子 SI, S2, S3と、複数の並列腕共振子 PI, P2とを有するラダー 型の回路構成を有する弾性表面波フィルタである。 [0006] 他方、受信側フィルタ 507は、整合回路 508を介してアンテナ端子 502に接続され る入力端 509を有する。この入力端 509に、第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面 波フィルタ部 510, 511の一端が接続されている。第 1,第 2の縦結合共振子型弾性 表面波フィルタ部 510, 511の後段には、それぞれ、第 3,第 4の縦結合共振子型弹 性表面波フィルタ部 512, 513が接続されている。第 1〜第 4の縦結合共振子型弾性 表面波フィルタ部 510〜513は、いずれも 3IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フ ィルタ素子である。第 3,第 4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 512, 513の 中央の IDTの各一端同士が接続されて、上記第 1の受信端子 504に接続されており 、該中央の IDTの各他端同士が共通接続されて、上記第 2の受信端子 505に接続さ れている。
[0007] 入力端 509から第 1の受信端子 504に流れる信号の位相に対して、入力端 509か ら第 2の受信端子 505に流れる信号の位相が反転するように、第 1〜第 4の縦結合共 振子型弾性表面波フィルタ部 510〜513が構成されている。
[0008] 上記回路構成の弾性表面波分波器 501の製造に際しては、具体的には、積層基 板上に、送信側フィルタ 506及び受信側フィルタ 507を構成する弾性表面波フィルタ チップを実装し、ボンディングワイヤーにより積層基板に設けられた電極パターンに 接続した構成が開示されて ヽる。
[0009] また、上記整合回路 508を構成するための位相整合用パターンは、上記積層基板 のある高さ位置に形成されている。より具体的には、図 10に模式的平面断面図で示 すように、積層基板 520の中間高さ位置においては、ミアンダ状の位相整合用回路 ノターン 521が形成されている。この位相整合用回路パターン 521の一端が積層基 板 520上に搭載されている受信側フィルタの入力端に接続され、他端がアンテナ端 子に接続されている。
[0010] 図 11は、特許文献 1の 1つの実施形態において示されている上記積層基板の上面 に搭載されて ヽる弹性表面波フィルタチップ等を示す模式的平面図である。図 11か ら明らかなように、積層基板 520上に、送信側フィルタ及び受信側フィルタを構成して いる弾性表面波フィルタチップ 522が搭載されており、ボンディングワイヤー 523など により、積層基板 520に設けられた電極ランドと電気的に接続されている。 特許文献 1:特開 2003— 249842号公報
発明の開示
[0011] 近年、弾性表面波分波器等においては、より一層の小型化を図るために、弾性表 面波フィルタチップを積層基板上にバンプを用いてフリップチップボンディングする 方法が用いられてきている。ボンディングワイヤーを用いないため、接合作業を効率 良く行うことができるとともに、弾性表面波分波器の小型化を進めることができる。
[0012] 従って、特許文献 1に記載の弾性表面波分波器にぉ 、て、弾性表面波フィルタチ ップからなる送信側フィルタ及び受信側フィルタをフリップチップボンディング工法に より搭載した場合、ワイヤーボンディングを用いな 、ことになる。
[0013] 他方、弾性表面波分波器 501では、インピーダンス整合を図るために、アンテナ端 子 502と受信側フィルタ 507との間に、整合回路 508が挿入されている。この整合回 路 508は、弾性表面波分波器 501では、図 10に示したミアンダ状の位相整合用回 路パターン 521を用いて形成されて ヽるが、この位相整合用回路パターン 521による インダクタンスだけでなく、ボンディングワイヤーによるインダクタンス分も利用されて、 整合回路 508としてのインダクタンスが得られて 、る。
[0014] 従って、特許文献 1に記載の弾性表面波分波器 501では、積層基板に内蔵される ミアンダ状の位相整合用回路パターン 521によるインダクタンス値は小さくてすむ。
[0015] これに対して、フリップチップボンディング工法により、積層基板上に受信側フィルタ 及び送信側フィルタを搭載した構造とした場合には、ボンディングワイヤーは用いら れない。従って、ボンディングワイヤーによるインダクタンスを利用することができない 。よって、インピーダンス整合回路を構成するための線路パターンとしては、小さな面 積でより大きなインダクタンスの得られる構造が要求される。そのため、このような要求 を満たすには、コイル状線路パターンを用いることが考えられる。コイル状線路パター ンでは、ミアンダ状線路パターンに比べて、大きなインダクタンスを得ることができる。
[0016] しカゝしながら、コイル状線路パターンを積層基板に形成した場合、上記コイル状線 路パターンと、送信側フィルタあるいは受信側フィルタとの間で電磁結合が生じ、アイ ソレーシヨン特性が劣化するおそれがあった。特に、送信側フィルタと、上記コイル状 線路パターンとの間で電磁結合が生じると、アイソレーション特性が劣化するという問 題があった。
[0017] 本発明の目的は、上述した従来技術の欠点を解消し、積層基板上に、弾性波フィ ルタからなる送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップ力 フリップチップボン デイングされており、受信側フィルタとアンテナ端子との間に、インピーダンス整合回 路を接続するために積層基板にコイル状線路パターンが構成されて ヽる弾性波分波 器であって、コイル状線路パターンと送信側もしくは受信側フィルタとの間の電磁結 合が生じ難ぐ従って、アイソレーション特性の悪ィ匕が生じ難い、弾性波分波器を提 供することにある。
[0018] 本発明に係る弾性波分波器は、弾性波フィルタカゝらなる送信側フィルタ部と、弾性 波フィルタ力 なる受信側フィルタ部と、送信側フィルタ部及び受信側フィルタ部の一 端を共通接続している共通接続端と、共通接続端と受信側フィルタ部との間に接続 されたインピーダンス整合回路部とを備える。ここで、弾性波フィルタとは、弾性表面 波フィルタの他、弾性境界波を利用した弾性境界波フィルタなど、様々な弾性波を用 V、たフィルタを広く含むものとする。
[0019] なお、弾性境界波フィルタは、弾性表面波フィルタと同様に、圧電基板上に、 IDT 電極及び反射器を形成することにより、構成されたフィルタ素子である。例えば、圧電 単結晶基板表面に、 IDT電極及び反射器を形成し、その上に、 SiOなどの比較的
2
厚い薄膜を形成することにより、弾性境界波フィルタが得られる。弾性境界波フィルタ の動作原理及び構成は、弾性表面波フィルタとほぼ同様であるが、弾性境界波フィ ルタでは、圧電単結晶基板表面に上記 SiOなどからなる固体層が設けられており、
2
圧電単結晶基板と固体層との境界を伝搬する弾性波、すなわち弾性境界波が用い られる。弾性境界波フィルタでは、弾性境界波が圧電単結晶基板と固体との境界面 を伝搬するので、空洞を有するノ ッケージを必要としないため、素子の小型化を図る ことができる。
[0020] 上記弾性境界波フィルタは、圧電基板と固体層との境界を伝搬する弾性境界波を 用いているが、弾性表面波フィルタと動作原理は基本的に同じであるため、用いられ る設計手法も類似している。従って、本発明においては、上記弾性波フィルタとして は、弾性表面波フィルタだけでなぐ弾性境界波フィルタも用いられる。 [0021] 本発明にお 、ては、上記送信側フィルタ部及び受信側フィルタ部は、それぞれ、積 層基板上にフェイスダウン方式でフリップチップボンディングされた送信側フィルタチ ップ及び受信側フィルタチップ力もなる。
[0022] フェイスダウン方式でフリップチップボンディングされて!/、るため、ボンディングワイ ヤーを用いた接合方法を採用した弾性表面波分波器に比べ、本発明の弾性表面波 分波器では、小型化を図ることができる。
[0023] また、本発明の弾性波分波器では、送信側フィルタチップは、第 1の圧電基板を用 いて構成されたラダー型のフィルタであり、かつ入力端子及び出力端子を有する。受 信側フィルタチップは、第 2の圧電基板を用いて構成された縦結合共振子型フィルタ であり、受信側入力端子と、第 1,第 2の受信端子とを有する平衡ー不平衡変換機能 を有するフィルタチップである。
[0024] そして、上記弾性波分波器の積層基板上には、送信側フィルタチップ及び受信側 フィルタチップに電気的に接続される第 1,第 2の電極ランドを有する配線パターンが 形成されており、また積層基板には整合回路パターンが設けられている。該整合回 路パターンにより上記インピーダンス整合回路部が構成されている。上記積層基板 は、複数の絶縁層を有し、上記整合回路パターンは、複数の導体パターンと、複数 の導体パターンを電気的に接続して 、るビアホール導体とを有し、かつ複数の上記 絶縁層に渡って 、るコイル状線路を有する。この整合回路パターンの一端が上記電 極ランドに、他端がグラウンド電位に接続されている。
[0025] さらに、上記積層基板の第 1の端部と、第 1の端部とは反対側の第 2の端部とを結 ぶ方向であって、積層基板の中心を通る中心線に対し、送信側フィルタチップが中 心線の一方側に、受信側フィルタチップが他方側に配置されて 、る。
[0026] また、上記整合回路パターンは、コイル状線路を有し、コイル状線路の中心は、平 面視した場合に、上記弾性波分波器の積層基板の中心線に対し、上記受信側フィ ルタチップが配置されて 、る側に配置されて 、る。
[0027] 本発明に係る弾性波分波器では、好ましくは、前記コイル状線路の中心力 平面 視した場合に、前記受信側フィルタチップの第 1の受信端子と第 2の受信端子とを結 ぶ線を底辺とする 2等辺三角形の頂点に位置されている。この場合には、アイソレー シヨン特性をより一層改善することができる。
[0028] 本発明に係る弾性波分波器では、好ましくは、前記整合回路パターンと、前記配線 パターンとの間に、グラウンド電位に接続されるシールド電極がさらに備えられ、それ によって、アイソレーション特性をより一層改善することができる。
[0029] 本発明に係る弾性波分波器では、好ましくは、前記配線パターンが、送信側信号 配線パターン及び送信側グラウンド配線パターンをさらに有し、前記コイル状線路が 、平面視した場合に、前記送信側信号配線パターン及び前記送信側グラウンド配線 パターンと重なり合う部分を有していない。この場合には、アイソレーション特性をより 一層改善することができる。
[0030] 本発明に係る弾性波分波器では、好ましくは、前記ラダー型フィルタは、並列腕共 振子と直列腕共振子とを有し、前記送信側フィルタチップが、前記並列腕共振子の 一端に接続されるバンプをさらに有し、積層基板上に該バンプが接続される電極ラン ドが設けられており、該電極ランドと、グラウンド電位との間に、直列インダクタが挿入 される。この場合には、良好なアイソレーション特性を維持しつつ相対的に低周波数 に位置する素子側フィルタのフィルタ特性を広帯域ィ匕することが可能となる。
[0031] 本発明に係る弾性波分波器では、好ましくは、前記積層基板の前記送信側フィル タチップ及び受信側フィルタチップが搭載される側とは反対側の面に外部端子が設 けられており、前記外部端子に前記シールド電極が前記積層基板を貫通して!/、る複 数のビアホール電極を用いて電気的に接続されている。従って、アイソレーション特 性をより一層改善することができる。
[0032] 本発明に係る弾性波分波器では、好ましくは、前記受信側フィルタチップに設けら れた縦結合共振子型フィルタが、第 1の受信端子に電気的に接続されている第 1の 縦結合共振子型フィルタ部と、前記第 2の受信端子に接続されている第 2の縦結合 共振子型フィルタ部とを有し、前記第 2の縦結合共振子型フィルタ部における入力信 号に対する出力信号の位相が、前記第 1の縦結合共振子型フィルタ部における入力 信号に対する出力信号の位相に対して 180度異なっており、前記送信側フィルタチ ップを流れる電気信号は、前記積層基板の第 2の端部力 第 1の端部側に向う方向 に流れており、前記第 1の縦結合共振子型フィルタ部における電気信号の流れる方 向が、平面視した場合に、前記第 2の端部から前記第 1の端部に向う方向であり、前 記第 2の縦結合共振子型フィルタ部における電気信号が流れる方向は、平面視した 場合に、前記第 1の端部力 前記第 2の端部に向う方向とされている。この場合には 、特に、受信帯域のアイソレーション特性を効果的に改善することができる。
(発明の効果)
[0033] 本発明に係る弾性波分波器では、コイル状線路の中心が、平面視した際に、上記 積層基板の中心線に対し、受信側フィルタチップが配置されて 、る側に設けられて いる。受信側フィルタチップは、平衡—不平衡変 能を有するため、すなわち受信 出力は、平衡出力であるため、送信側フィルタ部における信号に比べて、電磁結合 による影響が生じ難い。従って、送信側フィルタの近くにコイル状線路が設けられて Vヽな 、ため、アイソレーション特性を高めることができる。
[0034] よって、本発明によれば、小型化及びアイソレーション特性の改善を両立することが でき、特に、送信側フィルタとインピーダンス整合回路を構成しているコイル状線路と の間の電磁結合によるアイソレーション特性の悪ィ匕を効果的に抑制することが可能と なる。
[0035] また、コイル状線路では、小さな面積で大きなインダクタンスを得ることができる。従 つて、ボンディングワイヤーを用いな ヽフリップチップボンディング工法を用いて構成 されている弾性波分波器において、小型化をより一層進めることが可能となる。
[0036] よって、本発明によれば、小型であり、かつアイソレーション特性に優れた弾性波分 波器を提供することが可能となる。
図面の簡単な説明
[0037] [図 1]図 1 (a)は、本発明の弾性波分波器の受信側フィルタチップの回路構成を示す 模式図であり、(b)は、上記実施形態の弾性波分波器の正面断面図である。
[図 2]図 2は、本発明の一実施形態の弾性波分波器の回路構成を示すブロック図で ある。
[図 3]図 3は、本発明の一実施形態の弾性波分波器の送信側フィルタチップの回路 構成を示す模式図である。
[図 4]図 4は、本発明の弾性波分波器の要部を示し、積層基板上に送信側フィルタチ ップ及び受信側フィルタチップが搭載される状態を示す模式的平面図である。 圆 5]図 5 (a)は、本発明の一実施形態の弾性波分波器において、蓋材を取り除いた 状態を示す模式的平面図であり、(b)は、積層基板上の電極パターンを示す模式的 平面図であり、(c)及び (d)は、積層基板内の中間高さ位置における配線パターンを 示す模式的平面図である。
[図 6]図 6 (a)〜 (c)は、積層基板内に設けられているコイル状線路パターン部分を説 明するための各模式的平面断面図であり、(d)は、積層基板の下面に設けられてい る複数の外部端子を示す模式的平面図である。
[図 7]図 7 (a)〜(d)は、比較のために用意した弾性波分波器において、積層基板内 に構成されているコイル状線路パターン部分の形状及び位置を示すための各模式 的平面断面図である。
[図 8]図 8は、本発明の一実施形態及び比較例のアイソレーション特性を示す図であ る。
[図 9]図 9は、従来の弾性波分波器の回路構成を示す図である。
[図 10]図 10は、従来の弾性波分波器において、積層基板内に設けられた位相整合 用回路のミアンダ状線路パターンを示す模式的平面図である。
[図 11]図 11は、従来の弾性波分波器の積層基板上に弾性表面波フィルタチップが 搭載されてる状態を示す模式的平面図である。
符号の説明
1 · '弾性波分波器
2· · ·アンテナ端子
3· "送信端子
4· ··第 1の受信端子
5· ··第 2の受信端子
6· '·送信側フィルタチップ
Ί. ' '·受信側フィルタチップ
8· ··共通端子
9· '·インピーダンス整合回路 S11〜S16…直列腕共振子
P21〜P23…並列腕共振子
21…共通接続点
25, 26···インダクタンス
31, 32…弾性表面波共振子
33〜36···縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
33 &〜 33c…第 1〜第 3の IDT
33d, 33e…反射器
34&〜34 "第1〜第3の1。丁
34d, 34e…反射器
35a, 35b…信号線
36a, 36b…信号線
37···縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
37a〜37c…第 1〜第 3の IDT
37d, 37e…反射器
38···縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部
38a〜38c…第 1〜第 3の IDT
38d, 38e…反射器
41a, 41b, 42a, 42b…ノ ンプ
43…積層基板
43a〜43f…絶縁層
44···ケース材
45···蓋材
50…シールド電極
61〜63…コイル状線路パターン
発明を実施するための最良の形態
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発 明を明らかにする。 [0040] 図 2は、本発明の一実施形態に係る弾性波分波器を示すブロック図である。本実施 形態の弾性波分波器 1は、 CDMA800用分波器である。 CDMA800用分波器では 、送信側の通過帯域は 824〜849MHzであり、受信側の通過帯域は 869〜894M Hzである。
[0041] 弾性波分波器 1は、アンテナに接続されるアンテナ端子 2と、送信端子 3と、第 1の 受信端子 4と、第 2の受信端子 5とを有する。アンテナ端子 2に、送信側フィルタチッ プ 6の一端と、受信側フィルタチップ 7の一端が接続されている。送信側フィルタチッ プ 6の他端が上記送信端子 3であり、受信側フィルタチップ 7の他端は、第 1,第 2の 受信端子 4, 5である。すなわち、受信側フィルタチップ 7は、平衡—不平衡変 能 を有する、 V、わゆるバランス型弾性波フィルタにより構成されて 、る。
[0042] また、アンテナ端子 2と接続されている共通端子 8と、グラウンド電位との間には、ィ ンピーダンス整合回路 9が接続されている。弾性波分波器 1では、アンテナに結合さ れる部分にぉ 、て、送信側フィルタチップ 6と受信側フィルタチップ 7とのインピーダン ス整合を図るために、インピーダンス整合回路 9が設けられて 、る。
[0043] 弾性波分波器 1では、送信端子 3と、第 1,第 2の受信端子 4, 5との間でのアイソレ ーシヨンが良好であることが強く求められる。
[0044] 本実施形態では、共通端子 8及び送信端子 3の特性インピーダンスが 50 Ωとし、第 1,第 2の受信端子 4, 5のインピーダンスが 100 Ωとなるように、弾性波分波器 1の回 路が設計されている。
[0045] 図 1 (a)は、上記弾性波分波器 1の受信側フィルタチップ 7の回路構成を示す模式 的回路図であり、図 3は、送信側フィルタチップ 6の回路構成を示す模式的回路図で あり、図 1 (b)は、弾性波分波器 1の物理的構造を説明するための正面断面図である
[0046] 図 3に示すように、送信側フィルタチップ 6では、共通端子 8と送信端子 3との間の直 列腕に、直列腕共振子 S11〜S16が接続されている。そして、直列腕とグラウンド電 位との間に、複数の並列腕が形成されており、各並列腕に、それぞれ、並列腕共振 子 P21、 P22及び P23が挿入されている。なお、並列腕共振子 P21, P22の一端は 共通接続点 24により共通接続されている。この共通接続点 24とグラウンド電位との 間にインダクタンス 25が挿入されている。また、並列腕共振子 P23とグラウンド電位と の間に、インダクタンス 26が挿入されている。
[0047] 上記のように、送信側フィルタチップ 6では、複数の直列腕共振子 S11〜S16と、複 数の並列腕共振子 P21〜P23とを有するラダー型フィルタが構成されている。なお、 直列腕共振子 S11〜S16及び並列腕共振子 P21〜P23は、いずれも、 1つの IDT 電極の表面波伝搬方向両側に反射器が配置されてなる、 1ポート型弾性表面波共 振子で構成されている。
[0048] すなわち、送信側フィルタチップ 6は、ラダー型回路構成の弾性表面波フィルタ素 子である。
[0049] 他方、図 1 (a)に示すように、受信側フィルタチップ 7では、共通端子 8に 1ポート型 S AW共振子 31, 32を介して、第 1,第 2の縦結合共振子型フィルタ部 33, 34が接続 されている。第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 33, 34は、いずれも 、 3IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部である。従って、縦結合共振子 型弾性波フィルタ部 33, 34は、それぞれ、表面波伝搬方向に沿って配置された第 1 〜第 3の IDT33a〜33c、 34a〜34cを有する。なお、 IDT33a〜33cが設けられて いる領域の表面波伝搬方向両側には、反射器 33d, 33eが設けられている。同様に 、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 34においては、反射器 34d, 34eが、 IDT 34a〜34cが設けられている領域の表面波伝搬方向両側に設けられている。
[0050] 中央に配置されている第 2の IDT33bの一端が、弾性波共振子 31を介して共通端 子 8に接続されている。両側の第 1,第 3の IDT33a, 33cの各一端はグラウンド電位 に接続されている。第 2の IDT33bの他端はグラウンド電位に接続されている。第 1, 第 3の IDT33a, 33cの各他端力 信号線 35a, 35bに接続されている。
[0051] 第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 34においても、中央の第 1の IDT34 bの一端が、弾性表面波共振子 32を介して共通端子 8に接続されており、他端がグ ラウンド電位に接続されている。そして、第 1,第 3の IDT34a, 34cの各一端がグラウ ンド電位に接続されており、各他端が、信号線 36a, 36bに接続されている。
[0052] 第 1,第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 33, 34の後段には、第 3,第 4 の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 37, 38が接続されている。縦結合共振子 型弾性表面波フィルタ部 37, 38は、いずれも、第 1 ,第 2の縦結合共振子型弾性表 面波フィルタ部 33, 34と同様に、 3IDT型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ素 子である。従って、縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 37では、第 1〜第 3の IDT 37a〜37cと、反射器 37d, 37eとが設けられている。また、第 4の縦結合共振子型弹 性表面波フィルタ部 38においても、第 1〜第 3の IDT38a〜38cと、反射器 38d, 38 eとが設けられている。
[0053] 上記信号線 35a, 35bにより、第 1 ,第 3の IDT37a, 37cの一端が、それぞれ、第 1 の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 33の第 1 ,第 3の IDT33a, 33cに接続さ れており、 IDT37a, 37cの他端はグラウンド電位に接続されている。また、中央の ID T37bの一端がグラウンド電位に、他端が第 1の受信端子 4に接続されている。
[0054] 同様に、第 2の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 34の第 1 ,第 3の IDT34a, 34cに、それぞれ、信号線 36a, 36bにより、第 4の縦結合共振子型弾性表面波フィ ルタ部 38の第 1 ,第 3の IDT38a, 38cの一端力接続されており、 IDT38a, 38cの他 端はグラウンド電位に接続されている。 IDT38bの一端がグラウンド電位に、他端が、 第 2の受信端子 5に接続されている。
[0055] 上記アンテナ端子 2から第 1の受信端子 4に流れる信号の位相と、アンテナ端子 2 力も第 2の受信端子 5に流れる信号の位相とが 180度異なるように、第 1〜第 4の縦 結合共振子型弾性表面波フィルタ部 33, 34, 37, 38が構成されている。より具体的 には、第 3の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 37の中央の第 2の IDT37bに対 し、第 4の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部 38の中央の第 2の IDT38bが反転 されており、それによつて、受信端子 4から取り出される信号の位相に対し、受信端子 5から取り出される信号の位相が 180度異ならされて 、る。
[0056] もっとも、本発明にお ヽては、平衡ー不平衡変換機能を有する受信側フィルタチッ プの回路構成は、図 1 (a)に示した構成に限定されるものではない。すなわち、平衡 ー不平衡変換機能を有する適宜の弾性波フィルタ回路により、受信側フィルタチップ の回路を実現することができる。
[0057] 図 1 (b)に示すように、上記回路構成を有する送信側フィルタチップ 6と、受信側フィ ルタチップ 7とがバンプ 41a, 41b, 42a, 42bを用いたフリップチップボンディングェ 法により、積層基板 43上に実装されている。積層基板 43は、特に限定されるわけで はないが、複数のセラミックグリーンシートを、電極材料を介して積層し、一体焼成し てなる一体焼成型のセラミック多層基板により構成されている。
[0058] ところで、送信側フィルタチップ 6は、第 1の圧電基板 6aを有し、圧電基板 6aに、図 3に示した回路構成を形成するための電極構造が設けられている。また、受信側フィ ルタチップ 7は、第 2の圧電基板 7aを有し、第 2の圧電基板 7aに、図 1 (a)に示した電 極構造を形成することにより、受信側フィルタ回路が構成されている。
[0059] なお、図 1 (b)では、バンプ 41a, 41b, 42a, 42bのみが図示されている力 後述す るように、送信側フィルタチップ 6及び受信側フィルタチップ 7を積層基板 43に接合す るために、さらに多くのバンプが設けられている。
[0060] 本実施形態の弾性波分波器 1では、上記のように、バンプ 41a, 41b, 42a, 42bを 用いた、フェイスダウン方式のフリップチップボンディング工法により、積層基板 43上 に、送信側フィルタチップ 6及び受信側フィルタチップ 7が搭載されている。すなわち 、ボンディングワイヤーを必要としないため、送信側フィルタチップ 6及び受信側フィ ルタチップ 7を積層するための積層基板 43の上面の面積を小さくすることができる。 従って、弾性波分波器 1の小型化を図ることができる。カロえて、ボンディングワイヤー を用いた煩雑な作業を必要としな 、ので、生産性を高めることができる。
[0061] なお、バンプ 41a, 41b, 42a, 42bは、金などの適宜の導電性材料により形成され る。
[0062] 積層基板 43の上面には、上記送信側フィルタチップ 6及び受信側フィルタチップ 7 を囲繞するように、枠状ケース部材 44がー体的に設けられている。枠状ケース部材 4 4は、上記積層基板 43の上面に設けられており、上記積層基板 43と一体に形成され ている。なお、枠状ケース部材 44は、積層基板 43と別途用意された後、積層基板 43 の上面に接合されてもよぐあるいはセラミック一体焼成技術により同時に形成されて ちょい。
[0063] 枠状ケース部材 44の上方開口を閉成するように、金属などの導電性材料からなる 蓋材 45が固定されている。蓋材 45は、本実施形態では金属力もなり、枠状ケース部 材 44内には、ビアホール電極 44a, 44bが多数設けられている。このビアホール電極 44a, 44bの上端は、蓋材 45に接続されており、下端は、積層基板 43に設けられて おり、かつグラウンド電位に接続される電極に電気的に接続されている。従って、送 信側フィルタチップ 6及び受信側フィルタチップ 7が収納されて 、る空間は、上記蓋 材 45及びビアホール電極 44a, 44bにより取り囲まれ、電磁シールドされている。
[0064] 積層基板 43は、複数の絶縁層 43a〜43fを積層した構造を有する。また、積層基 板 43の下面には、外部と電気的に接続される端子 58b, 58d, 58hが形成されてい る。図 1 (b)では、 3個の外部端子 58b, 58d, 58hのみが図示されている力 実際に は、図 6 (d)を参照して後述するように、上記アンテナ端子 2、送信端子 3、第 1,第 2 の受信端子 4, 5またはグラウンド電位等に接続される外部端子 58a〜58iが設けら れている。
[0065] 図 4、図 5 (a)〜(d)及び図 6 (a)〜(d)及び図 7 (a)〜(d)は、上記弾性波分波器 1 の各高さ位置の電極パターンなどを説明するための模式的平面図である。
[0066] 図 4及び図 5 (a)は、弾性波分波器 1から、上記蓋材 45を取り除いた状態を示す各 模式的平面図である。枠状ケース部材 44に囲まれた領域内に、上述した送信側フィ ルタチップ 6及び受信側フィルタチップ 7が実装されて 、る状態が示されて!/、る。図 4 では、受信側フィルタチップ 7の回路構成が略図的に示されており、受信側フィルタ チップ 7の下面に設けられたバンプ 42a〜42fの位置が破線で示されている。同様に 、送信側フィルタチップ 6では、下面に設けられたバンプ 41a〜41hの位置が破線で 示されている。
[0067] バンプ 42dは、図 1の共通接続端子 8に接続されるバンプであり、バンプ 42a及び バンプ 42eが、第 1,第 2の受信端子 4, 5に接続されるバンプである。残りのバンプ 4 2b, 42c, 42fは、グラウンド電位に電気的に接続するために設けられている。
[0068] 送信側フィルタチップ 6においては、バンプ 41g力 共通端子 8に接続されるバンプ であり、バンプ 41bが送信端子 3に接続されるバンプである。残りのバンプ 41a, 41c , 41d, 41e, 41f, 41hは、機械的接続及び他の電気的接続を果たすために設けら れている。
[0069] 図 5 (b)は、上記積層基板 43の平面図であり、図示の配線パターンが最上部の絶 縁層 43aの上面に形成されている。 [0070] 図 5 (b)では、図 4と同様に、送信側フィルタチップ 6及び受信側フィルタチップ 7は 、その外径が一点鎖線で略図的に示されている。送信側フィルタチップ 6及び受信側 フィルタチップ 7において、下面に設けられた複数の金属バンプ 41a〜41h及びバン プ 42a〜42fが図示の位置において、絶縁層 43aの上面に形成された配線パターン に電気的に接続されている。
[0071] 絶縁層 43aの上面、すなわち積層基板 43の上面には、図 1 (b)では図示を省略し ているが、図 5 (b)に示すように、複数の電極ランド 52a〜52fが設けられており、上記 バンプ 41a〜41h, 42a〜42fは、いずれかの電極ランドに電気的に接続されている
[0072] 本実施形態では、積層基板 43の上面において、上記電極ランド 52a〜52fを有す る配線パターン 52が形成されて 、る。
[0073] そして、図 1 (b)では、詳細な図示は省略している力 積層基板 43内には、図 5 (c) 〜図 6 (c)に示す導電パターン及びビアホール電極などが形成されている。すなわち 、図 5 ( から、図 6 (d)に示す各模式的平面図は、積層基板 43の内部において、上 方から下方に向って位置されている各高さ位置の模式的平面図である。図 5 (c)では 、絶縁層 43b上の配線パターンが示されている。この配線パターンは、ビアホール電 極 53a, 53c, 53dと、電極ノターン 53b, 53e, 53f, 53g, 53hとを有する。
[0074] また、図 5 (d)は、絶縁層 43c上に設けられたシールドパターン 50を示す平面図で ある。シールド電極 50は、外周縁に切欠を有し、また中央に円形の切り抜き部を有 する。この切欠及び切り抜き部内に、シールド電極 50と接触しないように、ビアホー ル電極 54a〜54fが設けられて!/、る。
[0075] 図 6 (a)では、絶縁層 43d上に設けられたコイル状線路パターン 61が形成されてい る部分を示す。コイル状線路パターン 61の一端 61aは、前述したビアホール電極 54 aに接続されており、積層基板 43上に設けられた送信側フィルタチップ 6及び受信側 フィルタチップ 7の各一端が共通接続されている電極ランドに電気的に接続されてい る。コイル状線路パターン 61の他端は、ビアホール電極 55gに接続されている。ビア ホール電極 55gは、図 6 (b)に示す、コイル状線路パターン 61よりも下方の高さ位置 に設けられたコイル状線路パターン 62の一端に接続されて ヽる。コイル状線路バタ ーン 62の他端は、ビアホール電極 56gに接続されている。ビアホール電極 56gは、コ ィル状線路パターン 62よりも下方の高さ位置に設けられている、図 6 (c)に示すコィ ル状線路パターン 63の一端に接続されて 、る。コイル状線路パターン 63の他端力 ビアホール電極 57gに接続されている。ビアホール電極 57gは、積層基板 43の下面 に形成されて 、る外部端子 58eに接続されて 、る(図 6 (d) )。
[0076] 上記コイル状線路パターン 61〜63力 ビアホール電極 55g, 56g, 57gにより電気 的に接続され、本実施形態では、インピーダンス整合回路を構成するコイル状線路 が構成されている。すなわち、コイル状線路パターン 61〜63及びビアホール電極 55 g, 56g, 57gからなるコイル状線路は、複数の絶縁層 43d〜43fにまたがって形成さ れている。従って、小さな面積で大きなインダクタンスを得ることが可能とされている。
[0077] なお、外部端子 58aは、アンテナ端子 2に相当する外部端子である。
[0078] そして、本実施形態の弾性波分波器 1では、上記積層基板 43の中心を通り、かつ 積層基板の第 1の端部 43Aと、第 1の端部 43Aとは反対側の第 2の端部 43Bとを結 ぶ方向に延びる中心線 Xを挟む一方側に、上記送信側フィルタチップ 6が、他方側 に受信側フィルタチップ 7が配置されている(図 4及び図 5 (a)参照)。そして、上記コ ィル状線路パターン 61〜63を有するコイル状線路 Yは、積層基板 43内に設けられ ている。図 1 (b)では、中心線 Xは紙面 紙背方向に貫いている。従って、中心線 X が通る部分を Xを〇で囲んだ記号で示すこととする。すなわち、上記中心線 Xに対し 、受信側フィルタチップ 7が設けられている側に、上記コイル状線路 Yの中心が設け られている。よって、コイル状線路は、送信側フィルタチップ 6から遠ざけられている。 送信側フィルタチップ 6とコイル状線路とが近接すると、その電磁結合により、アイソレ ーシヨン特性が劣化し、問題となる。
[0079] 他方、受信側フィルタチップ 7は、平衡—不平衡変 能を有し、第 1,第 2の受信 端子 4, 5から平衡出力が取り出される。従って、送信側フィルタチップ 6に比べて、受 信側フィルタチップ 7では、電磁結合によるアイソレーション特性の劣化は生じ難!、。
[0080] よって、本実施形態の弾性波分波器 1では、コイル状線路との電磁結合によりアイ ソレーシヨン特性が劣化しやす 、送信側フィルタチップ 6が、上記コイル状線路から 遠ざけられるように配置されて 、るので、アイソレーション特性の劣化を確実に抑制 することができ、アイソレーション特性に優れた弾性波分波器 1を提供することができ る。
[0081] 図 8は、上記実施形態の弾性波分波器 1のアイソレーション特性と、比較のために 用意した比較例及び従来品のアイソレーション特性を示す図である。
[0082] 図 8において、実線は、上記実施形態の結果を、破線は比較例の結果を、一点鎖 線は従来品の結果を示す。なお、比較例においては、コイル状線路パターン 531〜 533を、図 7 (a)〜(d)に示すように、送信側フィルタチップ 6が搭載される側の下方 に配置するように、コイル状線路パターン部分 531〜533を複数の絶縁層に渡って 形成したことを除いては、上記実施形態と同様とした。また、従来品においては、図 1 0に示すように、積層基板全体に渡ってミアンダ状の整合用回路パターン 521を形成 した。
[0083] 図 8から明らかなように、上記実施形態によれば、アイソレーション特性は、送信側 通過帯域では 52. OdBであり、受信側通過帯域では 47. OdBであった。これに対し て、上記比較例では、送信側帯域では 54. OdB,受信側通過帯域では 39. 7dB、上 記従来品では、送信側通過帯域では 51. 2dB、受信側通過帯域では 40. 5dBであ ることがわ力る。従って、比較例及び従来品では、受信側通過帯域では、アイソレー シヨン特性が十分ではないことがわかる。これに対して、上記実施形態によれば、送 信側通過帯域及び受信側通過帯域の 、ずれにお!、ても、良好なアイソレーション特 性を実現し得ることがわかる。
[0084] なお、通常、インピーダンス整合回路用のコイル状線路の中心を、受信側フィルタ チップ 7が搭載される側に偏って配置した場合には、受信側フィルタチップ 7とコイル 状線路との電磁結合が増し、送信帯域におけるアイソレーション特性は大きく悪ィ匕す ると考えられる。しかしながら、本実施形態では、このような送信側通過帯域における アイソレーション特性の悪ィ匕が抑制されて 、る。この詳細なメカニズムは必ずしも明確 ではないが、受信側フィルタチップ 7として、平衡出力型の縦結合共振子型弾性波フ ィルタを用いて 、るためと考えられる。
[0085] すなわち、平衡出力型の回路構成では、第 1,第 2の受信端子から発せられる高周 波信号の振幅差や位相差により、信号レベルが決定されるので、平衡出力型の回路 構成に比べて外部からのノイズによる影響が小さい。よって、インピーダンス整合回 路を構成するための線路パターンとの電磁的結合も、平衡出力型の回路の方が小さ いと考えられるので、受信側フィルタチップが平衡出力型の回路構成を有する場合、 送信帯域のアイソレーション特性の劣化は最小限に抑えられたと考えられる。
[0086] 上記のように、本実施形態の弾性波分波器 1では、フリップチップボンディング工法 により、弾性波フィルタ力 なる送信側フィルタチップ 6及び受信側フィルタチップ 7が 積層基板 43上に搭載されており、それによつて、弾性波分波器 1の小型化を図ること が可能とされている。しかも、上記インピーダンス整合回路を構成するためのコイル状 線路は、積層基板において、上記受信側フィルタチップ 7が搭載されている側に配置 されており、送信側フィルタと遠ざけられている。従って、コイル状線路により、大きな インダクタンスを得ることができる力 該大きなインダクタンスを有するコイル状線路と 送信側フィルタとの電磁結合によるアイソレーション特性を抑制することができる。
[0087] 他方、受信側フィルタチップ 7は、平衡出力を有する回路構成であるため、コイル状 線路と、電磁結合が生じたとしても、アイソレーション特性の影響は小さい。従って、 小型化を進めるだけでなぐアイソレーション特性に優れた弾性波分波器 1を提供す ることが可能となる。
[0088] なお、インピーダンス整合回路を構成するためのコイル状線路と配線パターンとは 電磁界的に結合するので、信号の洩れが生じ、アイソレーション特性を劣化させるお それがある。特に、電極ランド 52b及び電極パターン 53bを含む送信側の配線部分と 、電極ランド 52e, 53eとの結合による影響は大きいと考えられる。この箇所において 、グラウンド側から信号配線側への信号の回り込みが生じ、アイソレーション特性が悪 化するおそれがある。
[0089] 他方、アンテナ側の配線部分である電極ランド 52a及びビアホール電極 53aは上 記コイル状線路と直接に接続されて ヽるので、電磁界結合によるアイソレーション特 性の悪ィ匕は生じ難い。
[0090] また、本実施形態では、シールド電極 50が設けられており、該シールド電極 50によ り、上方の配線パターンと、下方のコイル状線路とが隔てられているので、両者の容 量結合を小さくすることができる。それによつても、アイソレーション特性が改善されて いる。
[0091] もっとも、磁界による誘導結合は、シールド電極で影響を小さくすることはできない。
従って、上記実施形態では、第 1,第 2の受信端子が設けられている側にコイル状線 路を配置することにより、電極ランド 52a及びビアホール電極 53aを含むアンテナ側 の信号配線部分を除く配線パターンと上記コイル状線路との距離が遠ざけられ、上 下方向による重なりを減らすことが可能とされている。それによつて、誘導結合が弱く されており、アイソレーション特性をより一層改善することが可能とされている。
[0092] この場合、電極ランド 52b及び電極パターン 53bを含む送信側信号配線部分及び 電極ランド 52e, 52h及び電極パターン 53e, 53hを含む送信側グラウンド配線部分 とは上下方向にコイル状線路が重なり合って 、な 、ので、アイソレーション特性を大 きく改善することができる。
[0093] なお、内部の電極パターンに近いコイル状線路パターン部分 62との結合による影 響力もっとも大きいので、少なくともコイル状線路パターン 62は、第 1,第 2の受信端 子側に偏らせて配置することが必要である力 下方に位置しているコイル状線路パタ ーン部分 63もまた、受信端子側に配置することが、アイソレーション特性をより一層改 善する上で好ましい。
[0094] また、上記シールド電極及びグラウンド端子との接続は複数設けられて 、ることが 好ましぐそれによつてシールド電極の電位を低くすることができ、シールド効果を高 めることができ、容量結合が低減される。よって、アイソレーション特性がより一層改善 される。
[0095] 上記実施形態では、送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップは、弾性表面 波フィルタチップを用いて形成されていた力 前述したように、弾性境界波フィルタチ ップにより送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップを形成してもよい。

Claims

請求の範囲
弾性波フィルタ力 なる送信側フィルタ部と、弾性波フィルタ力 なる受信側フィルタ 部と、送信側フィルタ部及び受信側フィルタ部の一端を共通接続して ヽる共通接続 端と、前記共通接続端とグラウンド電位との間に挿入されたインピーダンス整合回路 部とを備える弾性波分波器であって、
積層基板と、
前記積層基板上にフェイスダウン方式でフリップチップボンディングされており、前 記送信側フィルタ部を構成している送信側フィルタチップと、
前記積層基板上に、フェイスダウン方式でフリップチップボンディングされており、前 記受信側フィルタ部を構成している受信側フィルタチップとを備え、
前記送信側フィルタチップは、第 1の圧電基板を用いて形成されたラダー型フィル タであり、かつ入力端子と出力端子とを有し、
前記受信側フィルタチップは、第 2の圧電基板を用いて形成された縦結合共振子 型フィルタであり、かつ第 1,第 2の受信端子と、受信側入力端子とを有し、
前記積層基板は、複数の絶縁層と、配線パターンと、インピーダンス整合回路部を 構成している整合回路パターンとを有しており、
前記配線パターンは前記積層基板上に形成されており、かつ前記送信側フィルタ チップの前記出力端子及び受信側フィルタチップの前記入力端子がそれぞれ接続 される第 1,第 2の電極ランドと、アンテナ用電極ランドとを有し、
前記積層基板は第 1の端部と、第 1の端部とは反対側の第 2の端部とを有し、第 1, 第 2の端部を結ぶ方向であって、前記積層基板の中心を通る中心線両側の内の一 方側に、前記送信側フィルタチップが配置されており、前記受信側フィルタは、前記 中心線の他方側に配置されており、
前記整合回路パターンは、複数の導体パターンと、複数の導体パターンを電気的 に接続して 、るビアホール導体とを有し、かつ複数の前記絶縁層に渡って 、るコイル 状線路を有し、一端が前記アンテナ用電極ランドに、他端がグラウンド電位に接続さ れており、
平面視した場合に、前記コイル状線路の中心が、前記弾性波分波器の前記中心 線に対し、前記受信側フィルタチップが配置されて 、る側に配置されて 、ることを特 徴とする弾性波分波器。
[2] 前記コイル状線路の中心が、平面視した場合に、前記受信側フィルタチップの第 1 の受信端子と第 2の受信端子とを結ぶ線を底辺とする 2等辺三角形の頂点に位置さ れている、請求項 1に記載の弾性波分波器。
[3] 前記整合回路パターンと、前記配線パターンとの間に配置されており、かつグラウ ンド電位に接続されるシールド電極をさらに備える、請求項 1または 2に記載の弾性 波分波器。
[4] 前記配線パターンが、送信側信号配線パターン及び送信側グラウンド配線パター ンをさらに有し、
平面視した場合に、前記コイル状線路が、前記送信側信号配線パターン及び送信 側グラウンド配線パターンと重なり合う部分を有して 、な 、ことを特徴とする、請求項 1 〜3の 、ずれか 1項に記載の弾性波分波器。
[5] 前記ラダー型フィルタは、並列腕共振子と直列腕共振子とを有し、前記送信側フィ ルタチップが、前記並列腕共振子の一端に接続されるバンプをさらに有し、積層基 板上に該バンプが接続される電極ランドが設けられており、該電極ランドと、グラウン ド電位との間に、直列インダクタが挿入されていることを特徴とする、請求項 1〜4の いずれか 1項に記載の弾性波分波器。
[6] 前記積層基板の前記送信側フィルタチップ及び受信側フィルタチップが搭載される 側とは反対側の面に外部端子が設けられており、前記外部端子に前記シールド電極 が前記積層基板を貫通して ヽる複数のビアホール電極を用いて電気的に接続され ている、請求項 3に記載の弾性波分波器。
[7] 前記受信側フィルタチップに設けられた縦結合共振子型フィルタが、第 1の受信端 子に電気的に接続されている第 1の縦結合共振子型フィルタ部と、前記第 2の受信 端子に接続されている第 2の縦結合共振子型フィルタ部とを有し、
前記第 2の縦結合共振子型フィルタ部における入力信号に対する出力信号の位相 力 前記第 1の縦結合共振子型フィルタ部における入力信号に対する出力信号の位 相に対して 180度異なっており、 前記送信側フィルタチップを流れる電気信号は、前記積層基板の第 2の端部から 第 1の端部側に向う方向に流れており、前記第 1の縦結合共振子型フィルタ部にお ける電気信号の流れる方向が、平面視した場合に、前記第 2の端部から前記第 1の 端部に向う方向であり、前記第 2の縦結合共振子型フィルタ部における電気信号が 流れる方向は、平面視した場合に、前記第 1の端部から前記第 2の端部に向う方向と されている、請求項 1〜6のいずれか 1項に記載の弾性波分波器。
PCT/JP2007/060189 2006-06-12 2007-05-18 弾性波分波器 WO2007145049A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN2007800219178A CN101467349B (zh) 2006-06-12 2007-05-18 弹性波分波器
JP2008521123A JP4720908B2 (ja) 2006-06-12 2007-05-18 弾性波分波器
EP07743624.4A EP2031755B1 (en) 2006-06-12 2007-05-18 Wave demultiplexer
US12/274,411 US7619491B2 (en) 2006-06-12 2008-11-20 Elastic wave duplexer

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-162895 2006-06-12
JP2006162895 2006-06-12

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US12/274,411 Continuation US7619491B2 (en) 2006-06-12 2008-11-20 Elastic wave duplexer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2007145049A1 true WO2007145049A1 (ja) 2007-12-21

Family

ID=38831568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2007/060189 WO2007145049A1 (ja) 2006-06-12 2007-05-18 弾性波分波器

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7619491B2 (ja)
EP (1) EP2031755B1 (ja)
JP (1) JP4720908B2 (ja)
CN (1) CN101467349B (ja)
WO (1) WO2007145049A1 (ja)

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009290606A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Kyocera Corp 分波器および無線通信機器
JP2010109694A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Murata Mfg Co Ltd 分波器
WO2010052821A1 (ja) * 2008-11-04 2010-05-14 株式会社 村田製作所 弾性波フィルタ装置
WO2011077773A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 株式会社村田製作所 分波器
JP2012105097A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Taiyo Yuden Co Ltd 分波器及びこれを備えた電子装置
WO2013141183A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 株式会社村田製作所 弾性波分波器
JP5510613B2 (ja) * 2011-07-08 2014-06-04 株式会社村田製作所 回路モジュール
WO2014168162A1 (ja) * 2013-04-11 2014-10-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2014168161A1 (ja) * 2013-04-11 2014-10-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2015019722A1 (ja) * 2013-08-06 2015-02-12 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2015019980A1 (ja) * 2013-08-06 2015-02-12 株式会社村田製作所 高周波モジュール
KR20150036732A (ko) * 2012-08-30 2015-04-07 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치 및 듀플렉서
JP2016096439A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、送受信デバイスおよび移動体通信機
KR20160079930A (ko) 2014-01-07 2016-07-06 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 필터 장치
WO2023189835A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置
JP7551407B2 (ja) 2020-09-07 2024-09-17 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM315922U (en) * 2006-12-08 2007-07-21 Delta Electronics Inc Filter device and apparatus
WO2008146525A1 (ja) * 2007-05-28 2008-12-04 Murata Manufacturing Co., Ltd. デュプレクサ及び弾性波装置
JP5394847B2 (ja) * 2009-08-06 2014-01-22 太陽誘電株式会社 分波器
JP2011135244A (ja) * 2009-12-24 2011-07-07 Panasonic Corp 弾性波デバイス及びこれを用いたフィルタ、デュプレクサ
JP5168360B2 (ja) * 2010-01-28 2013-03-21 株式会社村田製作所 分波器
WO2011136100A1 (ja) * 2010-04-30 2011-11-03 株式会社村田製作所 複合部品
DE102010021164B4 (de) 2010-05-21 2019-02-21 Snaptrack, Inc. Balanced/Unbalanced arbeitendes SAW Filter
WO2012032832A1 (ja) 2010-09-10 2012-03-15 株式会社村田製作所 弾性波分波器
JP5310873B2 (ja) * 2010-11-09 2013-10-09 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
KR101595847B1 (ko) * 2011-09-01 2016-02-19 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 장치
JP6010350B2 (ja) * 2012-06-04 2016-10-19 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
JP5510695B1 (ja) 2012-09-25 2014-06-04 株式会社村田製作所 弾性波装置及びその製造方法
WO2014061694A1 (ja) * 2012-10-19 2014-04-24 株式会社村田製作所 アンテナ分波器
KR101905507B1 (ko) * 2013-09-23 2018-10-10 삼성전자주식회사 안테나 장치 및 그를 구비하는 전자 기기
JP6564448B2 (ja) * 2014-06-30 2019-08-21 スナップトラック・インコーポレーテッド RFフィルタ回路、減衰が改善されたrfフィルタおよび分離度が改善されたデュプレクサ
WO2016125515A1 (ja) * 2015-02-02 2016-08-11 株式会社村田製作所 可変フィルタ回路、高周波モジュール回路、および、通信装置
JP5999295B1 (ja) * 2015-04-01 2016-09-28 株式会社村田製作所 デュプレクサ
CN108432133B (zh) * 2015-12-25 2022-03-01 株式会社村田制作所 高频模块
JP6604432B2 (ja) * 2016-03-31 2019-11-13 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2017179253A1 (ja) * 2016-04-11 2017-10-19 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置
JP6604293B2 (ja) * 2016-09-20 2019-11-13 株式会社村田製作所 弾性波装置
US11201125B2 (en) * 2017-02-24 2021-12-14 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package and semiconductor process
JP6625579B2 (ja) * 2017-03-21 2019-12-25 太陽誘電株式会社 弾性波フィルタ
US11316497B2 (en) * 2019-12-09 2022-04-26 Intel Corporation Multi-filter die

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249842A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びこれを用いた電子装置
JP2004200941A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Murata Mfg Co Ltd 分波器、および通信機
WO2004112246A1 (ja) * 2003-06-16 2004-12-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波分波器
JP2005318128A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Fujitsu Media Device Kk 分波器及び電子装置

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3433430B2 (ja) * 1992-09-14 2003-08-04 富士通株式会社 分波器
JPH07226607A (ja) * 1994-02-10 1995-08-22 Hitachi Ltd 分波器、分波器モジュールおよび無線通信装置
JPH08191230A (ja) * 1995-01-09 1996-07-23 Fujitsu Ltd 分波器
DE19719467C2 (de) * 1997-05-07 1999-08-19 Siemens Matsushita Components OFW-Duplexer
JP3403669B2 (ja) * 1999-06-04 2003-05-06 富士通株式会社 アンテナ分波器
JP3900013B2 (ja) * 2001-07-30 2007-04-04 株式会社村田製作所 弾性表面波分波器、通信装置
JP4000960B2 (ja) * 2001-10-19 2007-10-31 株式会社村田製作所 分波器、通信装置
ATE362674T1 (de) * 2002-05-16 2007-06-15 Tdk Corp Antennenweiche
JP2004080233A (ja) * 2002-08-14 2004-03-11 Murata Mfg Co Ltd 分波器
JP3778902B2 (ja) * 2003-04-28 2006-05-24 富士通メディアデバイス株式会社 分波器及び電子装置
JP2005079884A (ja) 2003-08-29 2005-03-24 Kyocera Corp 弾性表面波フィルタを用いた分波回路基板及びそれを含む高周波モジュール並びに無線通信装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003249842A (ja) 2001-12-21 2003-09-05 Fujitsu Media Device Kk 分波器及びこれを用いた電子装置
JP2004200941A (ja) * 2002-12-18 2004-07-15 Murata Mfg Co Ltd 分波器、および通信機
WO2004112246A1 (ja) * 2003-06-16 2004-12-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波分波器
JP2005318128A (ja) * 2004-04-27 2005-11-10 Fujitsu Media Device Kk 分波器及び電子装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2031755A4

Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009290606A (ja) * 2008-05-29 2009-12-10 Kyocera Corp 分波器および無線通信機器
JP2010109694A (ja) * 2008-10-30 2010-05-13 Murata Mfg Co Ltd 分波器
US8362852B2 (en) 2008-10-30 2013-01-29 Murata Manufacturing Co., Ltd. Branching filter
WO2010052821A1 (ja) * 2008-11-04 2010-05-14 株式会社 村田製作所 弾性波フィルタ装置
US8283997B2 (en) 2008-11-04 2012-10-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic-wave filter device
JP5051484B2 (ja) * 2008-11-04 2012-10-17 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
US8416036B2 (en) 2009-12-25 2013-04-09 Murata Manufacturing Co., Ltd. Branching filter
WO2011077773A1 (ja) * 2009-12-25 2011-06-30 株式会社村田製作所 分波器
JP5170262B2 (ja) * 2009-12-25 2013-03-27 株式会社村田製作所 分波器
JP2012105097A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Taiyo Yuden Co Ltd 分波器及びこれを備えた電子装置
US8766744B2 (en) 2010-11-10 2014-07-01 Taiyo Yuden Co., Ltd. Duplexer and electronic device having the same
JP5510613B2 (ja) * 2011-07-08 2014-06-04 株式会社村田製作所 回路モジュール
JPWO2013008435A1 (ja) * 2011-07-08 2015-02-23 株式会社村田製作所 回路モジュール
WO2013141183A1 (ja) * 2012-03-23 2013-09-26 株式会社村田製作所 弾性波分波器
US9455682B2 (en) 2012-08-30 2016-09-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic wave filter device and duplexer
KR101644380B1 (ko) 2012-08-30 2016-08-01 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치 및 듀플렉서
KR20150036732A (ko) * 2012-08-30 2015-04-07 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성파 필터 장치 및 듀플렉서
JPWO2014168162A1 (ja) * 2013-04-11 2017-02-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US9503051B2 (en) 2013-04-11 2016-11-22 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module having a matching element coupled to a connection unit
US9602078B2 (en) 2013-04-11 2017-03-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module having a matching element coupled to a connection unit
JPWO2014168161A1 (ja) * 2013-04-11 2017-02-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2014168162A1 (ja) * 2013-04-11 2014-10-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2014168161A1 (ja) * 2013-04-11 2014-10-16 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JPWO2015019722A1 (ja) * 2013-08-06 2017-03-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2015019722A1 (ja) * 2013-08-06 2015-02-12 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2015019980A1 (ja) * 2013-08-06 2015-02-12 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JPWO2015019980A1 (ja) * 2013-08-06 2017-03-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US9929719B2 (en) 2013-08-06 2018-03-27 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module
US9935613B2 (en) 2013-08-06 2018-04-03 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module
KR20160079930A (ko) 2014-01-07 2016-07-06 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 필터 장치
US9948278B2 (en) 2014-01-07 2018-04-17 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filter device having a filter connection conductor line including parallel connected conductor lines
JP2016096439A (ja) * 2014-11-13 2016-05-26 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス、送受信デバイスおよび移動体通信機
US9887686B2 (en) 2014-11-13 2018-02-06 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device, transceiver device, and mobile communication device
JP7551407B2 (ja) 2020-09-07 2024-09-17 太陽誘電株式会社 弾性波デバイス
WO2023189835A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 株式会社村田製作所 複合フィルタ装置

Also Published As

Publication number Publication date
EP2031755B1 (en) 2013-11-20
JPWO2007145049A1 (ja) 2009-10-29
US20090058555A1 (en) 2009-03-05
JP4720908B2 (ja) 2011-07-13
EP2031755A4 (en) 2010-04-14
CN101467349A (zh) 2009-06-24
US7619491B2 (en) 2009-11-17
CN101467349B (zh) 2011-06-01
EP2031755A1 (en) 2009-03-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4720908B2 (ja) 弾性波分波器
WO2016181701A1 (ja) 高周波モジュール
JP4868064B2 (ja) 弾性波分波器
JP5334924B2 (ja) 分波器、通信用モジュール部品、及び通信装置
JP3855842B2 (ja) 弾性表面波分波器およびそれを有する通信装置
JP4000960B2 (ja) 分波器、通信装置
JP5079813B2 (ja) 電子部品
US20070046395A1 (en) Duplexer having matching circuit
US20070296521A1 (en) Duplexer
JP4637669B2 (ja) フィルタ装置とこれを用いたマルチバンドフィルタ、分波器及び通信装置
JP6669132B2 (ja) マルチプレクサ、送信装置および受信装置
KR100955548B1 (ko) 듀플렉서 및 이것을 이용한 통신 장치
CN111386656B (zh) 多工器
JP3867733B2 (ja) 弾性表面波分波器
JP5660223B2 (ja) 分波装置
US11368135B2 (en) High-frequency module
JP4353187B2 (ja) 弾性表面波分波器
JP6564448B2 (ja) RFフィルタ回路、減衰が改善されたrfフィルタおよび分離度が改善されたデュプレクサ
WO2007088683A1 (ja) フィルタ装置
WO2023189835A1 (ja) 複合フィルタ装置
JP4353188B2 (ja) 弾性表面波分波器

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200780021917.8

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 07743624

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2008521123

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2007743624

Country of ref document: EP

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE