WO2001043182A1 - Film de demoulage destine a etancheifier un element semi-conducteur et procede d"etancheification pour element semi-conducteur utilisant ce film - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to a release film for sealing a semiconductor element and a method for sealing a semiconductor element using the same, and more particularly, to a method for sealing a semiconductor element used in a resin sealing step in a method for sealing a semiconductor element by a compression molding method. Release film for semiconductor and semiconductor device using the same
- New methods are being created for semiconductor manufacturing to increase manufacturing efficiency.
- a semiconductor encapsulation technology has been developed in which the SI is compression-molded into an ultra-small package for each wafer (JP-A-10-125705, JP-A-10-79362). Gazettes).
- an epoxy-based thermoplastic resin is placed on a wafer provided with a large number of LSIs, compression-molded while heating in a mold, and the entire wafer is sealed with the resin.
- a release film such as polyimide, polyvinyl chloride, polycarbonate (PC), polyethylene terephthalate (PET), etc. is placed between the mold and the epoxy thermoplastic resin for sealing.
- the release film is used between a mold and a flexible substrate.
- This release film is used as a manufacturing process film, for example, when a printed circuit board is crimped and manufactured, it is used between the mold and the resin of the board so that the resin does not adhere.
- the polyimide film is not only expensive, but also at the curing temperature of the epoxy resin. It has high rigidity and may deform semiconductor terminals (protruding electrodes). At the curing temperature of the epoxy resin, the release film may be deformed or shrunk at the curing temperature of the epoxy resin.
- the epoxy resin may not adhere and peel off during the curing reaction of the epoxy resin. That is, if these known release films are used, troubles occur in the semiconductor manufacturing process, and defective products are generated, which causes a reduction in manufacturing efficiency.
- the present invention provides a semiconductor device sealing release film having excellent releasability without deforming a semiconductor terminal or deforming a release film in a semiconductor element sealing step, and manufacturing a semiconductor using the same. It is an object of the present invention to provide a method for encapsulating a semiconductor element which can increase efficiency.
- the present inventors have conducted intensive studies and as a result, have found that the use of a release film having specific physical properties and the like can effectively achieve the object of the present invention, thereby completing the present invention. . Therefore, the gist of the present invention is as follows.
- a release film for sealing a semiconductor element comprising a single layer or a multilayer containing a thermoplastic resin and satisfying the following requirements (1) to (4).
- the elastic modulus at 75 ° C is 10 to 50 OMPa
- At least the surface layer of the release film is (A) a fluororesin, (B) a styrene polymer mainly having a syndiotactic structure, or (C) a styrene polymer mainly having a syndiotactic structure.
- the above-mentioned resin composition containing a polymer The release film for sealing a semiconductor element according to [1].
- (C) mainly including a resin composition of a styrene polymer having a syndiotactic structure, a styrene-based polymer 5 0-1 0 0 wt 0/0 (1 0 0 having predominantly a syndiotactic structure weight 0/0 and not including), (C-1) rubbery elastomer, (C one 2) thermoplastic other than styrenic polymer having a syndiotactic configuration resin ⁇ beauty (C one 3) resin composition
- FIG. 1 is a conceptual diagram (cross-sectional view) of a semiconductor element sealing mold that can be used in the manufacturing method of the present invention.
- the present invention is a release film for sealing a semiconductor element, which comprises a single layer or a multilayer containing a thermoplastic resin and satisfies the following requirements (1) to (4).
- the elastic modulus at 175 ° C is 10 to 500MPa.
- requirement (1) requires that the surface layer has a wetting index of 36 or less, preferably 35 or less. If the wetting index of the surface layer exceeds 36, the releasability of the sealing resin is poor, and trouble may occur in the releasing step after the resin is formed.
- the heat shrinkage at 1.5 ° C. must be less than 3%, preferably less than 2%. If the heat shrinkage at 175 ° C exceeds 3%, the film shrinks greatly when sealing the semiconductor element, the sealing resin and the release film peel off, and the film adheres to the mold. Sometimes.
- the requirement (3) is that the elastic modulus at 175 ° C. is 10 to 500 MPa, preferably 50 to 300 MPa. If the elastic modulus at 175 ° C is less than 10 MPa, the stiffness of the film is too weak, and the handling becomes poor when the mold is opened and the molded product is taken out after sealing. On the other hand, if it exceeds 500 MPa, the semiconductor terminal may be deformed.
- requirement (4) requires that the thickness of the release film be 10 to 300 m, preferably 50 to 100 m. If the thickness of the release film is less than 10 / m, the film will be too stiff and difficult to handle.If the thickness exceeds 300m, the heat conduction from the mold will be poor and it will take a long time to mold. Therefore, it is not preferable as the release film for sealing a semiconductor element of the present invention.
- the release film that satisfies the requirements (1) to (4) above does not Since the mold release is good, when the mold is opened after the resin layer is formed, the mold is easily separated from the mold, and can be easily separated from the sealing resin without being thermally welded to the sealing resin.
- the protrusion electrode of the semiconductor element has a flexibility and a thickness sufficient to prevent deformation of the protrusion electrode and the mold, troubles such as defective products in a semiconductor device manufacturing process may occur. Can be suppressed.
- the release film for sealing a semiconductor element according to the present invention that satisfies the above requirements is preferably manufactured from the materials described below.
- At least the surface layer of the sealing release film for a semiconductor element of the present invention has the following structure.
- the resin composition contains (A) a fluorine-based resin, (B) a styrene-based polymer mainly having a syndiotactic structure, or (C) a styrene-based polymer mainly having a syndiotactic structure.
- any one of the resins (A) to (C) or the resin composition described above may be used. Also, when making a multilayer release film,
- Any one or more resins or resin compositions of (C) may be used.
- the materials (A) to (C) and the thermoplastic resin (D) used in the present invention include the following.
- the fluororesin used in the present invention is a synthetic resin obtained from a polymer of fluorine containing fluorine, for example, polytetrafluoroethylen, ethylene-tetrafluoroethylene copolymer, propylene-tetrafluoroethylene copolymer. Coalesced, poly-mouthed trifluoroethylene, polydichlorodifluoroethylene, polyvinylidene vinylidene, and the like.
- stereochemical structure is a syndiotactic structure, that is, a phenyl group which is a side chain of a main chain formed from carbon-carbon bonds alternates. It has a three-dimensional structure located in the opposite direction
- the tacticity measured by the 13 C-NMR method is the abundance ratio of a plurality of consecutive structural units, for example, two for diat, three for triad, and five for pentane.
- the styrenic polymer having a syndiotactic structure referred to in the present invention is usually 75% or more in racemic diad, preferably 85% or more, or 30% or more in racemic pentad.
- polystyrene preferably polystyrene, poly (alkylstyrene), poly (halogenated styrene), poly (alkylated styrene), poly (alkoxystyrene), poly (alkoxystyrene) having a syndiotacticity of 50% or more Acid ester), hydrogenated polymers and mixtures thereof, or copolymers containing these as main components
- poly (alkylstyrene) includes poly (methylstyrene), poly (ethylstyrene), poly (isopropylstyrene), poly (tert-butylstyrene), poly (phenylstyrene), and poly (vinyl).
- poly (butylstyrene) and the like there are naphthalene), poly (butylstyrene) and the like, and poly (halogenated styrene) includes poly (chlorostyrene), poly (bromostyrene), poly (fluorostyrene) and the like.
- poly (logenated alkylstyrene) include poly (chloromethylstyrene)
- examples of poly (alkoxystyrene) include poly (methoxystyrene) and poly (ethoxystyrene).
- particularly preferred styrene polymers include polystyrene, poly (p-methylstyrene), poly (m-methylstyrene), poly (p-tert-butylstyrene), and poly (p-chlorostyrene). And poly (m-chlorostyrene), poly (p-fluorostyrene), hydrogenated polystyrene and copolymers containing these structural units.
- a styrene polymer having a syndiotactic structure can be obtained, for example, by using a titanium compound and a condensation product of water and trialkylaluminum as a catalyst in an inert hydrocarbon solvent or in the absence of a solvent.
- styrenic polymers having a syndiotactic structure can be used alone or in combination of two or more.
- the resin composition containing a styrenic polymer having a predominantly syndiotactic structure used in the present invention includes, in addition to a styrenic polymer having a predominantly syndiotactic structure, a (C-1) rubbery elastic material, 2) A blend of at least one component among thermoplastic resins other than syndiotactic polystyrene and additives for the (C-13) resin composition.
- the additive for a resin composition include an antiblocking agent, an antioxidant, a nucleating agent, an antistatic agent, a process oil, a plasticizer, a release agent, a flame retardant, a flame retardant auxiliary, and a pigment.
- the rubber-like elastic body include, for example, natural rubber, polybutadiene, and polyisof.
- SBR wetting index and the film impact
- SEB SEB
- SEBS SEBS
- SIR SEP
- SIS SIR
- SEP SIS
- SEPS core seal rubber
- EPMS EP DM
- linear low-density polyethylene-based elastomers or rubbers modified from these are preferably used.
- Thermoplastic resins other than syndiotactic polystyrene include linear high-density polyethylene, linear low-density polyethylene, high-pressure low-density polyethylene, isotactic polypropylene, syndiotactic polypropylene, block polypropylene, random polypropylene, and boribene.
- thermoplastic resins other than syndiotactic polystyrene When two or more kinds of thermoplastic resins other than syndiotactic polystyrene are used, their blending amounts are not particularly limited, and may be appropriately determined according to the purpose. (C-1) Additive for resin composition
- anti-opening agent examples include the following inorganic particles or organic particles.
- Inorganic particles include oxides, hydroxides, and sulfides of Group IA, 11A, 1VA, VIA, VIIA, VI11, IB, I1B, IIIB, and IVB elements , Nitrides, halides, carbonates, sulfates, acetates, phosphates, phosphites, organic carboxylates, silicates, titanates, borates and their hydrated compounds, and their composites Compounds and natural mineral particles.
- compounds of Group IA such as lithium fluoride, borax (sodium borate hydrate), magnesium carbonate, magnesium phosphate, magnesium oxide (magnesia) ), Magnesium chloride, Magnesium acetate, Magnesium fluoride, Magnesium titanate, Magnesium silicate, Magnesium silicate hydrate (talc), Carbonic acid calcium, Calcium phosphate, Calcium phosphite, Calcium sulfate (gypsum), Calcium acetate
- Group IIA compounds such as calcium terephthalate, calcium hydroxide, calcium silicate, calcium fluoride, calcium titanate, stotium titanate, barium carbonate, barium phosphate, barium sulfate, barium sulfite, titanium dioxide (titania ), Titanium monoxide, titanium nitride, zirconium dioxide (zirconia), zirconium monoxide and other iVA group element compounds, molybdenum dioxide, molybdenum tri
- group VIA element compounds manganese chloride, manganese acetate Group VI H element compounds such as cobalt chloride and cobalt acetate, Group IB element compounds such as cuprous iodide, Group 11 B element compounds such as zinc oxide and zinc acetate, and oxidation Group IIIB element compounds such as aluminum (alumina), aluminum hydroxide, aluminum fluoride, alumina silicate (alumina silicate, kaolin, kaolinite), silicon oxide (silica, silica gel), graphite, carbon, graphite, glass, etc. And natural mineral particles, such as group IVB element compounds, kernalite, kainate, mica (my strength, kindommo), and virose ore.
- Group VI H element compounds such as cobalt chloride and cobalt acetate
- Group IB element compounds such as cuprous iodide
- Group 11 B element compounds such as zinc oxide and zinc acetate
- oxidation Group IIIB element compounds such as aluminum (alumina), aluminum hydroxide, aluminum flu
- organic particles examples include a fluororesin, a melamine resin, a styrene′-dibutylbenzene copolymer, an acryl resin silicone, and a crosslinked product thereof.
- the average particle size of the inorganic particles used is preferably 0.1 to 10 m, and the addition amount is preferably 0.01 to 15% by weight.
- These inorganic fillers can be used alone or in combination of two or more.
- the antioxidant can be arbitrarily selected from known ones such as phosphorous, phenol and zeolite. In addition, these antioxidants may be used alone. Alternatively, two or more kinds can be used in combination. More preferred are 1- [1-hydroxy-3,5-di-t-pentylphenyl) ethyl] 1,4-g-t-pentylphenyl acrylate.
- nucleating agents metal salts of carboxylic acids such as aluminum di (pt-butylbenzoate) and phosphoric acids such as sodium methylenebis (2,4-di-t-butylphenol) acid phosphate Any known metal salt, talc, phthalocyanine derivative and the like can be used. These nucleating agents can be used alone or in combination of two or more.
- the plasticizer can be arbitrarily selected from known materials such as polyethylene glycol, polyethylene glycol, ethylene bis stearamide, phthalic acid ester, polystyrene oligomer, polyethylene wax, liquid paraffin, and silicone oil. These plasticizers can be used alone or in combination of two or more.
- the release agent can be arbitrarily selected from known materials such as polyethylene wax, silicone oil, long-chain carboxylic acid, and long-chain carboxylic acid metal salt. These release agents can be used alone or in combination of two or more.
- the styrene-based resin composition having a syndiotactic structure used for producing the release film for sealing a semiconductor element of the present invention comprises at least one of the components (C-11) to (C-13) described above. It is produced mainly by blending with a styrenic resin having a syndiotactic structure, and its blending ratio is mainly 50 to 100% by weight (100% by weight) of a styrenic polymer having a syndiotactic structure.
- Weight% not included) Raniwa 5 0-9 8 wt%, preferably in particular 5 5-9 5 weight 0/0, (C one 1), at least one component of (C one 2) and (C-3) It is preferably 50 to 0% by weight (not including 0% by weight), more preferably 50 to 2% by weight 0 / o, particularly preferably 45 to 5% by weight.
- the kneading method of each component described above includes (1) a method of blending and melt-kneading at any stage of the syndiotactic polystyrene manufacturing process, (2) a method of blending and melting and kneading each component constituting the composition, (3) Various methods may be used, such as driving the film during molding and kneading it in the extruder of the molding machine.
- thermoplastic resin other than (A) to (C) used for the release film for sealing the semiconductor element of the present invention is not particularly limited, and examples thereof include polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, and polyimidene. And resin such as poly (4-methylpentene-1). These thermoplastic resins other than (A) to (C) are preferably used not as a surface layer of the release film but as an internal layer.
- the method for producing the release film for sealing a semiconductor element of the present invention using the resin or the resin composition obtained as described above is not particularly limited. It may be manufactured by inflation molding or biaxial stretching molding. In this case, it may be preferable to adjust the draw ratio in order to adjust the elastic modulus within the range of the present invention.
- the release film of the present invention may be subjected to heat treatment to adjust the heat shrinkage.
- the release film is suitable for a release film for sealing a semiconductor element by a compression molding method. In particular, it is suitable for a release film used in a resin sealing step of a semiconductor element having a chip size package structure. (Semiconductor element sealing method)
- the present invention relates to a method for sealing a semiconductor element, comprising: arranging a semiconductor substrate having a semiconductor element on which a protruding electrode is formed in a mold for semiconductor production on which a release film is arranged, and then supplying a sealing resin and compression molding.
- the semiconductor manufacturing process requires the steps of semiconductor element formation, bump electrode (bump) formation, resin sealing, bump electrode exposure, and separation, but the resin sealing in this involves mounting the substrate, forming the resin layer, and separating.
- bump electrode bump electrode
- resin sealing in this involves mounting the substrate, forming the resin layer, and separating.
- a typical example of this resin sealing step will be described with reference to the drawings.
- FIG. 1 is a conceptual diagram (cross-sectional view) of a semiconductor device sealing mold that can be used in the manufacturing method of the present invention.
- Fig. 1 is an upper mold
- 2a and 2b are lower molds
- 3 is a semiconductor substrate
- 4 is a bump electrode (bump)
- 5 is a sealing resin
- 6a and 6b are release films of a semiconductor element. is there.
- the 6b release film is not necessarily required.
- the lower mold is composed of a lower mold base 2a and two lower mold sides, and both can move up and down together with the upper mold.
- the upper die and the lower die both have a heater inside.
- a resin sealing step is performed as follows. First, as shown in the figure, a semiconductor substrate 3 (wafer one) on which a large number of semiconductor elements have been formed through a semiconductor element forming step and a bump forming step is placed on a lower mold 2a of a semiconductor device manufacturing mold, as shown in FIG. Mount it upside down. Next, the release film 6a for sealing a semiconductor element of the present invention described above is attached to the lower surface of the upper die 1. After that, the sealing resin 5 is arranged at the center of the semiconductor substrate 3. Thus, the base mounting process is completed. Figure 1 shows the state where the board mounting process has been completed.
- the process enters a resin layer forming step.
- the upper mold 1 moves downward until it contacts the lower mold side body 2b.
- the release film 6a for sealing the semiconductor element also descends,
- the sealing resin 5 is compressed.
- the lower mold base 2a does not move, and the upper mold 1 further descends together with the lower mold side body 2b. Therefore, the sealing resin 5 is spread out and proceeds to the outer periphery of the substrate 3, and the entire semiconductor substrate 3 is sealed with the resin.
- the inside of the mold is heated, and the sealing resin 5 is cured.
- the sealing release film 6 a of the semiconductor element presses the sealing resin 5, and the tip of the protruding electrode 4 on the surface of the substrate 3 sinks. I have.
- a release step is performed. First, the upper mold 1 is raised, and the upper mold 1 is separated from the sealing release film 6a of the semiconductor element. Subsequently, the lower mold base 2a is not moved, and the lower mold side body 2b is slightly lowered, so that the resin layer is separated from the lower mold side body 2b. Then, the lower mold side body 2b is raised. As a result, the substrate 3 on which the resin layer is formed together with the sealing release film 6a of the semiconductor element is detached from the lower mold base 2a. This completes the release step, and proceeds to the subsequent protruding electrode exposure step and the separation step. These may be performed by a known method.
- the release film is disposed only on the lower surface of the upper die 1, but the release film 6b may be further disposed between the lower substrate 2a and the semiconductor substrate 3.
- the measurement was carried out using a wetting index standard solution (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.) according to the method specified in JIS K 6768.
- the wafer After pressing for 150 minutes at 175 ° C using the mold shown in Fig. 1, the wafer was taken out with the release film in close contact with it, cooled to room temperature, and the release film was peeled off. The releasability and deformation of bumps (protruding electrodes) formed on the wafer were observed.
- Ethylene 'octene copolymer-based elastomer ENGAGE 8 1 5 0 manufactured by Dupont-Daueras Tomas
- a styrene polymer composition having a syndiotactic structure was blended by dry blending and melt-kneaded with a 65 mm ⁇ twin-screw extruder to obtain pellets. Using this pellet, a coat hanger die with a width of 500 mm was attached to a 50 mm 0 single-screw extruder and melt-extruded at 300 ° C at an extrusion rate of 200 kg / hr. A thick film was obtained. Using this release film, the above-described film evaluation and sealing experiment were performed. The evaluation results are summarized in Table 1.
- Example 1 The same evaluation as in Example 1 was performed using a 100- ⁇ m film of a fluororesin-based polytetrafluoroethylene resin (Aflon COP manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) as a release film.
- the evaluation results are summarized in Table 1.
- Example 1 The same evaluation as in Example 1 was performed on a release film obtained by subjecting the release film used in Example 1 to a corona treatment. The evaluation results are summarized in Table 1.
- Example 1 The film obtained in Example 1 was subjected to MD The same evaluation as in Example 1 was performed using a release film for a film that had been biaxially stretched 1.1 times in the machine direction and the TD direction. The evaluation results are summarized in Table 1.
- Example 1 The same evaluation as in Example 1 was performed using a polyimide film (Kapton H, manufactured by DuPont) having a thickness of 100 ⁇ m. The evaluation results are summarized in Table 1.
- the release film for sealing a semiconductor element of the present invention is a semiconductor element sealing excellent in releasability without deforming the terminals of the semiconductor or deforming the release film in the semiconductor element sealing step.
- Release film for semiconductors. Can increase production efficiency '
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Description
半導体素子の封止用離型フィルム及びそれを用いる半導体素子の封止方法
技術分野
本発明は、 半導体素子の封止用離型フィルム及びそれを用いる半導体素子の封 止方法に関し、 詳しくは、 圧縮成形法による半導体素子の封止方法における樹脂 封止工程に用いる半導体素子の封止用離型フィルム及びそれを用いる半導体素子 明
の封止方法に関する。
田 景技術
半導体の製造方法は製造効率を高めるべく、 新たな方法が生まれてきている。 例えば、 し S I をゥュハ一ごと超小型パッケージに圧縮成形する半導体封止技術 が開発されている （特開平 1 0— 1 2 5 7 0 5号公報、 特開平 1 0— 7 9 3 6 2 号公報など） 。 この方法は多数の L S I を設けたゥヱハーにエポキシ系熱可塑性 樹脂を乗せ、 金型の中で加熱しながら圧縮成形し、 ゥュハ一全体を上記樹脂で封 止するものである。 この封止技術において、 金型と封止用のエポキシ系熱可塑性 樹脂の間に、 ポリイミ ド、 ポリ塩化ビニル、 ポリカーボネート （P C ) 、 ポリエ チレンテレフタレート （P E T ) 等の離型フィルムが、 また、 金型とゥヱハ一な いしは可撓性基板との間に、 上記離型フィルムが用いられている。 この離型フィ ルムは、 プリント基板を圧着して製造する際に、 金型と基板の樹脂が接着しない ようにそれらの間に使用する等、 製造工程フィルムとして使用されている。 しかし、 上記の半導体の製造方法における封止工程で従来用いられるボリイミ ド、 ボリカーボネート等からなる離型フィルムを用いると、 ポリイミ ドフィルム は高価であるばかりでなく、 エポキシ系樹脂の硬化温度においても剛性が高く、 半導体の端子 （突起電極） を変形させていまうことがあり、 またポリ塩化ビニー
ル、 ポリカーボネートフィルムは、 エポキシ系樹脂の硬化温度において、 離型フ イルムの変形、 収縮がおこり確実に封止することができない恐れがある。 さらに
P E Tではェポキシ系樹脂の硬化反応時に、 密着し剥がれなくなることもある。 つまりこれら公知の離型フィルムを用いると半導体の製造工程でトラブルを起こ し、 不良品が発生して製造効率を低下させる原因となっている。
そのため、 安価で、 半導体の端子の変形や、 離型フィルムの変形がなく、 離型 性も良好であり、 半導体を不良品を発生させることなく製造できる新規な半導体 素子の封止用離型フィルムと半導体素子の封止方法の出現が要望されている。 発明の開示
本発明は、 半導体素子封止工程において、 半導体の端子を変形させたり、 離型 フィルムを変形させず、 離型性にも優れた半導体素子の封止用離型フィルム及び それを用いる半導体の製造効率を高めることができる半導体素子の封止方法を提 供することを目的とする。
本発明者らは、 鋭意研究を重ねた結果、 特定の物性等を有する離型フィルムを 使用することにより、 上記本発明の目的を効果的に達成できることを見いだし、 本発明を完成したものである。 従って、 本発明の要旨は以下の通りである。
〔 1〕 熱可塑性樹脂を含む単層又は多層からなり、 以下の （ 1 ) 〜 （ 4 ) の要 件を満たす半導体素子の封止用離型フィルム。
( 1 ) 表面層のぬれ指数が 3 6以下
( 2 ) 1 7 5 °Cにおける熱収縮率が 3 %未満
( 3 ) 1 7 5 °Cにおける弾性率が 1 0〜 5 0 O M P a
( 4 ) 離型フィルムの厚さが 1 0〜 3 ◦ 0 m
〔 2〕 離型フィルムの少なくとも表面層が、 （A ) フッ素系樹脂、 （B ) 主と してシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体または （C ) 主としてシ ンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含む樹脂組成物からなる前記
〔 1〕 に記載の半導体素 の封止用離型フィルム。
〔 3〕 ( C ) 主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含 む樹脂組成物が、 主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体 5 0〜 1 0 0重量0 /0 ( 1 0 0重量0 /0は含まず） と、 （C— 1 ) ゴム状弾性体， （C 一 2 ) シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体以外の熱可塑性樹脂及 び （ C一 3 ) 樹脂組成物用添加剤のうちの少なく とも一成分 5 0〜 0重量％ ( 0 重量％は含まず） とからなる前記 〔 2〕 に記載の半導体素子の封止用離型フィル ム。
〔 4〕 離型フィルムを配置した半導体製造用金型に、 突起電極を形成した半導 体素子を有する半導体基盤を配置した後、 封止樹脂を供給して圧縮成形する半導 体素子の封止方法において、 離型フィルムとして前記 〔 1 〕 〜 〔 3〕 のいずれか に記載の半導体素子の封止用離型フィルムを用いる半導体素子の封止方法。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の製造方法に使用できる半導体素子封止用金型の概念図 （断面 図） である。
符号の説明
1 上型
2 下型
3 半導体基盤
4
5 封止樹脂
6 a , 6 b :半導体素子の封止用離型フィルム 発明を実施するための最良の形態
以下に、 本発明を実施するための最良の形態について説明する <
〔半導体素子封止用離型フィルム〕
本発明は、 熱可塑性樹脂を含む単層又は多層からなり、 以下の （ 1 ) 〜 （ 4 ) の要件を満たす半導体素子封止用離型フィルムである。
( 1 ) 表面層のぬれ指数が 3 6以下
( 2 ) 1 7 5°Cにおける熱収縮率が 3 %未満
( 3 ) 1 7 5°Cにおける弾性率が 1 0〜 5 0 0 M P a
( 4 ) 離型フィルムの厚さが 1 0〜3 0 0〃m
以下、 各要件について説明する。
まず、 要件 （ 1 ) では、 表面層のぬれ指数が 3 6以下、 好ましくは 3 5以下で ある必要がある。 この表面層のぬれ指数が 3 6を超えると封止樹脂に対する離型 性が悪く、 樹脂形成後の離型工程でトラブルが生ずることがある。
また要件 （ 2 ) では、 1 Ί 5 °Cにおける熱収縮率が 3%未満、 好ましくは 2% 未満である必要がある。 1 7 5°Cにおける熱収縮率が 3%を超えると、 半導体素 子封止時にフィルムの収縮が大きく、 封止樹脂と離型フィルムが剥がれ、 またフ ィルムが金型に付着する不都合が生ずることがある。
さらに要件 （ 3 ) は、 1 7 5 °Cにおける弾性率が 1 0〜 5 0 0 MP a、 好まし くは、 5 0〜 3 0 0 MP aである。 1 7 5 °Cにおける弾性率が 1 0 M P a未満で はフィルムの腰が弱すぎ、 封止後金型を開き成形体を取り出す際に取り扱い性が 悪くなる。 一方、 5 0 0 MP aを超えると半導体の端子を変形させてしまうこと がある。
またさらに要件 （ 4 ) は離型フィルムの厚さが 1 0〜3 0 0 m、 好ましくは 5 0〜 1 0 0〃mである必要がある。 離型フィルムの厚さが 1 0 / m未満では、 フィルムの腰が弱く取扱が困難になり、 厚さが 3 0 0〃mを超えると金型からの 熱伝導が悪く成形に長時間を要するため本発明の半導体素子封止用離型フィルム としては好ましくない。
以上 （ 1 ) 〜 （ 4 ) の要件を満たす離型フィルムは、 半導体製造用金型に対し
て離型がよいため、 樹脂層形成後金型を開ける際に、 金型から容易に離れ、 また 封止樹脂に対しては、 封止樹脂と熱溶着せず、 容易に剥離できる。 また、 半導体 素子の突起電極と金型との間では、 突起電極に変形が生じない程度の柔軟性と厚 みであるため、 半導体素子の製造工程における不良品の発生などのトラブルの発 生を抑制できる。
上記の要件を満たす本発明にかかる半導体素子の封止用離型フィルムは、 以下 に述べる材料から製造するのが好ましい。
まず、 本発明の半導体素子の封止用離型フィルムは、 少なくとも表面層が、 （
A) フッ素系樹脂、 （B) 主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系 重合体又は （C) 主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を 含む樹脂組成物であることが好ましい。
すなわち、 単層の離型フィルムにする場合は上記 （A) 〜 (C) のいずれかの 樹脂又は樹脂組成物を用いればよい。 また、 多層の離型フィルムにする場合は、
(A) 〜 （C) のうちの 2以上を用いるか、 又は （A) 〜 (C) のいずれか 1以 上と （D) それら以外の熱可塑性樹脂とを積層し、 表面層 （最外層） に （A) 〜
(C) のいずれか 1以上の樹脂又は樹脂組成物を使用すればよい。
本発明で用いる （A) 〜 （C) の材料と （D) それら以外の熱可塑性樹脂は、 以下のものが挙げられる。
(A) フッ素樹脂
本発明で用いるフッ素樹脂は、 フッ素を含むォレフィンの重合体により得られ る合成樹脂であり、 例えばポリテトラフルォロェチェレン、 エチレンーテトラフ ルォロエチレン共重合体、 プロピレン一テトラフルォロエチレン共重合体、 ポリ クロ口トリフルォロエチレン、 ポリジクロロジフルォロエチレン、 ポリフツイ匕ビ ニリデンなどが挙げられる。
(B) 主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体
本発明で用いるシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体 （以下、 S
P Sと略称することがある） におけるシンジオタクチック構造とは、 立体化学構 造がシンジオタクチック構造、 即ち炭素—炭素結合から形成される主鎖に対して 側鎖であるフ ニル基が交互に反対方向に位置する立体構造を有するものであり
、 そのタクティシティ一は同位体炭素による核磁気共鳴法 （1 3 C— N M R ) によ り定量される。 1 3 C— N M R法により測定されるタクティシティ一は、 連続する 複数個の構成単位の存在割合、 例えば 2個の場合はダイァッ ド、 3個の場合はト リアツ ド、 5個の場合はペンタツ ドによって示すことができるが、 本発明に言う シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体とは、 通常はラセミダイアツ ドで 7 5 %以上、 好ましくは 8 5 %以上、 若しくはラセミペンタッ ドで 3 0 %以 上、 好ましくは 5 0 %以上のシンジオタクティシティ一を有するポリスチレン、 ポリ （アルキルスチレン） 、 ポリ（ ハロゲン化スチレン） 、 ポリ（ ハロゲン化ァ ルキルスチレン） 、 ポリ （アルコキシスチレン） 、 ポリ （ビュル安息香酸エステ ル） 、 これらの水素化重合体およびこれらの混合物、 あるいはこれらを主成分と する共重合体を指称する。 なお、 ここでポリ （アルキルスチレン） としては、 ポ リ （メチルスチレン） 、 ポリ （ェチルスチレン） 、 ポリ （イソプロピルスチレン ) 、 ポリ （ t e r t—ブチルスチレン） 、 ボリ （フエニルスチレン） 、 ポリ （ビ 二ルナフタレン） 、 ポリ （ビュルスチレン） などがあり、 ポリ （ハロゲン化スチ レン） としては、 ポリ （クロロスチレン） 、 ポリ （プロモスチレン） 、 ポリ （フ ルォロスチレン） などがある。 また、 ポリ ひ、ロゲン化アルキルスチレン） とし ては、 ポリ （クロロメチルスチレン） など、 またポリ （アルコキシスチレン） と しては、 ポリ （メ トキシスチレン） 、 ポリ （ェトキシスチレン） などがある。 なお、 これらのうち特に好ましいスチレン系重合体としては、 ポリスチレン、 ポリ （p—メチルスチレン） 、 ポリ （m—メチルスチレン） 、 ポリ （p—ターシ ャリープチルスチレン） 、 ポリ （p—クロロスチレン） 、 ポリ （m—クロロスチ レン） 、 ポリ （p—フルォロスチレン） 、 水素化ポリスチレン及びこれらの構造 単位を含む共重合体が挙げられる。
このようなシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体は、 例えば不活 性炭化水素溶媒中または溶媒の不存在下に、 チタン化合物及び水と トリアルキル アルミニウムの縮合生成物を触媒として、 スチレン系単量体（ 上記スチレン系重 合体に対応する単量体） を重合することにより製造することができる（ 特開昭 6 2— 1 8 7 7 0 8号公報） 。 また、 ポリ （ハロゲン化アルキルスチレン） につい ては特開平 1 一 4 6 9 1 2号公報、 これらの水素化重合体は特開平 1 一 1 7 8 5 0 5号公報記載の方法などにより得ることができる。
なお、 これらのシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体は 1種のみ を単独で、 または、 2種以上を組み合わせて用いることができる。
( C ) 主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含む樹脂組 成物
本発明で用いる主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を 含む樹脂組成物とは、 主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合 体の他に （ C— 1 ) ゴム状弾性体、 （ C一 2 ) シンジオタクチックポリスチレン 以外の熱可塑性樹脂及び （ C一 3 ) 樹脂組成物用添加剤のうち、 少なくとも一成 分を配合したものである。 樹脂組成物用添加剤としては、 例えば、 アンチブロッ キング剤、 酸化防止剤、 核剤、 帯電防止剤、 プロセスオイル、 可塑剤、 離型剤、 難燃剤、 難燃助剤、 顔料が含まれる。
以下、 シンジオタクチック構造を有するスチレン系樹脂組成物に用いる各成分 について説明する。
( C - 1 ) ゴム状弾性体
ゴム状弾性体の具体例としては、 例えば、 天然ゴム、 ポリブタジエン、 ポリイ ソフ。レン、 ポリイソブチレン、 ネオプレン、 ポリスルフィ ドゴム、 チォコールゴ ム、 アクリルゴム、 ウレタンゴム、 シリコーンゴム、 ェピクロロヒ ドリ ンゴム、 スチレン一ブタジエンブロック共重合体 （S B R ) 、 水素添加スチレン一ブ夕ジ ェンブロック共重合体 （ S E B ) 、 スチレン一ブタジエン一スチレンブロック共
重合体 （SB S) 、 水素添加スチレン一ブタジエン一スチレンブロック共重合体 (S EB S) 、 スチレン一イソプレンブロック共重合体 （S I R) 、 水素添加ス チレン一イソプレンブロック共重合体 （S EP) 、 スチレン一イソプレン一スチ レンブロック共重合体 （S I S) 、 水素添加スチレン一イソプレン一スチレンブ ロック共重合体 （S EF S) 、 またはエチレンプロピレンゴム （EPM) 、 ェチ レンプロピレンジェンゴム （EPDM) 、 直鎖状低密度ポリエチレン系エラスト マー等のォレフィ ン系ゴム、 あるいはブタジエン一ァクリロニト リルースチレン 一コアシヱルゴム （AB S ) 、 メチルメ夕クリ レート一ブタジエン一スチレン一 コアシェルゴム （MB S ) 、 メチルメ タクリ レート一ブチルァクリ レートースチ レン一コアシェルゴム （MAS) 、 ォクチルァクリ レート一ブタジエンースチレ ンーコアシェルゴム （MAB S) 、 アルキルァクリ レートーブタジエン一アタ リ ロニト リル一スチレン一コアシェルゴム （AAB S) 、 ブタジエン一スチレン一 コアシェルゴム （SBR) 、 メチルメタクリ レートーブチルァクリ レートーシロ キサンをはじめとするシロキサン含有コアシェルゴム等のコアシェルタイプの粒 子状弾性体、 またはこれらを変性したゴム等が挙げられる。
このうち、 本発明の目的であるぬれ指数及びフィルムィンパク トを達成する上 で、 SBR, S EB， S B S, S EB S, S I R, S EP, S I S, S EP S， コアシヱルゴム， E PMS, E P DM, 直鎖状低密度ポリエチレン系エラス トマ 一又はこれらを変性したゴムが好ましく用いられる。
(C- 2) シンジオタクチックポリスチレン以外の熱可塑性樹脂
シンジオタクチックポリスチレン以外の熱可塑性樹脂としては、 直鎖状高密度 ポリエチレン、 直鎖状低密度ポリエチレン、 高圧法低密度ポリエチレン、 ァイソ タクチックポリプロピレン、 シンジオタクチックポリプロピレン、 ブロックボリ プロピレン、 ランダムポリプロピレン、 ボリブテン、 し 2—ボリブタジエン、 4ーメチルペンテン、 環状ボリオレフィ ン及びこれらの共重合体に代表されるポ リオレフイン系樹脂、 ァタクチックポリスチレン、 アイソ夕クチックポリスチレ
ン、 耐衝撃性ポリスチレン （H I PS) 、 ABS樹脂、 AS樹脂、 スチレンーメ 夕クリル酸共重合体、 スチレンーメタクリル酸 ·アルキルエステル共重合体、 ス チレン一メタクリル酸 · グリシジルエステル共重合体、 スチレンーァクリル酸共 重合体、 スチレン一アクリル酸 · アルキルエステル共重合体、 スチレン一マレイ ン酸共重合体、 スチレンーフマル酸共重合体に代表されるはじめとするポリスチ レン系樹脂、 ポリカーボネート、 ポリエチレンテレフタレート、 ポリブチレンテ レフ夕レートをはじめとするポリエステル系樹脂、 ナイロン 6、 ナイロン 6， 6 をはじめとするポリアミ ド系樹脂、 ポリフエニレンエーテル、 ポリフエ二レンス ルフィ ド （PPS) 等公知のものから任意に選択して用いることができる。 なお 、 これらの熱可塑性樹脂は 1種のみを単独で、 または、 2種以上を組み合わせて 用いることができる。
尚、 シンジオタクチックポリスチレン以外の熱可塑性樹脂を 2種以上用いる場 合のこれらの配合量については特に問わず、 目的に応じて適宜決めればよい。 (C一 3)樹脂組成物用添加剤
本発明の樹脂組成物には、 以下に例示する各種の添加剤を通常の比率において 配合することができる。
①アンチブロッキング剤 （AB剤）
ァンチブ口ッキング剤としては、 以下のような無機粒子又は有機粒子が挙げら れる。
無機粒子としては、 I A族、 11 A族、 1VA族、 VI A族、 VII A族、 VI 11族、 I B族、 I1B族、 II IB族、 IVB族元素の酸化物、 水酸化物、 硫化物、 窒素化物、 ハロゲン化物、 炭酸塩、 硫酸塩、 酢酸塩、 燐酸塩、 亜燐酸塩、 有機カルボン酸塩 、 珪酸塩、 チタン酸塩、 硼酸塩及びそれらの含水化合物、 それらを中心とする複 合化合物及び天然鉱物粒子が挙げられる。
具体的には、 弗化リチウム、 ホウ砂 （硼酸ナトリウム含水塩） 等の I A族元素 化合物、 炭酸マグネシウム、 燐酸マグネシウム、 酸化マグネシウム （マグネシア
) 、 塩化マグネシウム、 酢酸マグネシウム、 弗化マグネシウム、 チタン酸マグネ シゥム、 珪酸マグネシゥム、 珪酸マグネシゥム含水塩 （タルク） 、 炭酸力ルシゥ ム、 燐酸カルシウム、 亜燐酸カルシウム、 硫酸カルシウム （石膏） 、 酢酸カルシ ゥム、 テレフタル酸カルシウム、 水酸化カルシウム、 珪酸カルシウム、 弗化カル シゥム、 チタン酸カルシウム、 チタン酸スト口ンチウム、 炭酸バリゥム、 燐酸バ リウム、 硫酸バリウム、 亜硫酸バリウム等の I I A族元素化合物、 二酸化チタン （ チタニア） 、 一酸化チタン、 窒化チタン、 二酸化ジルコニウム （ジルコニァ） 、 一酸化ジルコニウム等の iVA族元素化合物、 二酸化モリブデン、 三酸化モリブデ ン、 硫化モリブデン等の VI A族元素化合物、 塩化マンガン、 酢酸マンガン等の VI 1 A族元素化合物、 塩化コバルト、 酢酸コバルト等の VI H族元素化合物、 沃化第 一銅等の I B族元素化合物、 酸化亜鉛、 酢酸亜鉛等の 1 1 B族元素化合物、 酸化ァ ルミニゥム （アルミナ） 、 水酸化アルミニウム、 弗化アルミニム、 アルミナシリ ゲート （珪酸アルミナ、 カオリン、 カオリナイ ト） 等の I I I B族元素化合物、 酸 化珪素 （シリカ、 シリカゲル） 、 石墨、 カーボン、 グラフアイト、 ガラス等の IV B族元素化合物、 カーナル石、 カイナイ 卜、 雲母 （マイ力、 キンゥンモ） 、 バイ ロース鉱等の天然鉱物の粒子が挙げられる。
有機粒子としては、 フッ素樹脂、 メラミン系樹脂、 スチレン ' ジビュルべンゼ ン共重合体、 ァクリル系レジンシリコーン及びおよびそれらの架橋体が挙げられ る。
ここで、 用いる無機粒子の平均粒径は 0 . 1〜 1 0 m、 添加量は 0 . 0 1〜 1 5重量％が好ましい。
なおこれらの無機充填材は 1種のみを単独または 2種以上を組み合わせて用い ることができる。
②酸化防止剤
酸化防止剤としてはリン系、 フヱノール系、 ィォゥ系等公知のものから任意に 選択して用いることができる。 なお、 これらの酸化防止剤は一種のみを単独で、
または、 2種以上を組み合わせて用いることができる。 さらに好適なものとして 、 1一 〔 1—ヒドロキシ— 3， 5—ジ一 t一ペンチルフエ二ル） ェチル〕 一 4， 6ージー t—ペンチルフエ二ルァクリレートが挙げられる。
③核剤
核剤としてはアルミニウムジ （p— t —ブチルベンゾェ一ト） をはじめとする カルボン酸の金属塩、 メチレンビス （ 2 , 4 —ジ一 t —ブチルフエノール） ァシ ッ ドホスフェートナトリウムをはじめとするリン酸の金属塩、 タルク、 フタロシ ァニン誘導体等、 公知のものから任意に選択して用いることができる。 なお、 こ れらの核剤は 1種のみを単独で、 または、 2種以上を組み合わせて用いることが できる
④可塑剤
可塑剤としてはポリエチレングリコール、 ポリアミ ドォリゴマ一、 ェチレンビ スステアロアマイ ド、 フタル酸エステル、 ポリスチレンオリゴマー、 ポリエチレ ンワックス、 流動パラフィ ン、 シリコーンオイル等公知のものから任意に選択し て用いることができる。 なお、 これらの可塑剤は 1種のみを単独で、 または、 2 種以上を組み合わせて用いることができる。
⑤離型剤
離型剤としてはポリエチレンワックス、 シリコーンオイル、 長鎖カルボン酸、 長鎖カルボン酸金属塩等公知のものから任意に選択して用いることができる。 な お、 これらの離型剤は 1種のみを単独で、 または、 2種以上を組み合わせて用い ることができる。
本発明の半導体素子封止用離型フィルムの製造に用いるシンジオタクチック構 造を有するスチレン系樹脂組成物は、 上記 （C一 1 ) 〜 ( C一 3 ) の成分のうち 少なく とも一つを、 主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系樹脂と ともに配合して製造されるが、 その配合割合は、 主としてシンジオタクチック構 造を有するスチレン系重合体 5 0〜 1 0 0重量％ ( 1 0 0重量％は含まず） 、 さ
らには、 5 0〜 9 8重量％， 特に 5 5〜 9 5重量0 /0が好ましく、 （C一 1 ) 、 ( C一 2 ) 及び （C— 3 ) のうちの少なく とも一の成分を 5 0〜0重量％ ( 0重量 %は含まず） 、 さらには 5 0〜 2重量0 /o、 特に 4 5〜 5重量％であることが好ま しい。
主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体 5 0重量0 /0未満で あれば、 圧縮成形時に耐熱性不足の現象や離型性不良の現象が生ずる場合があり 好ましくない。
また上記各成分の混練方法については、 ①シンジオタクチックポリスチレン製 造工程のいずれかの段階においてプレンドし溶融混練する方法や、 ②組成物を構 成する各成分をプレンドし溶融混練する方法や、 ③フィルム成形時にドライブレ ンドし、 成形機の押出機中で混練するなど様々な方法で行なえばよい。
( D ) ( A ) 〜 （ C ) 以外の熱可塑性樹脂
本発明の半導体素子の封止用離型フィルムに用いる （A ) 〜 （C ) 以外の熱可 塑性樹脂としては、 特に制限はないが、 例えば、 ポリエチレンテレフ夕レー ト、 ポリェチレンナフ夕レー ト、 ポリイミ ド （ナイ口ン） 、 ポリ （ 4 —メチルペンテ ンー 1 ) などの樹脂が挙げられる。 これらの （A ) 〜 （C ) 以外の熱可塑性樹脂 は、 離型フィルムの表面層ではなく、 内部層として用いるのが好ましい。
次に、 上記の様にして得られた樹脂や樹脂組成物を用いて本発明の半導体素子 の封止用離型フィルムの製造方法については、 特に制限はないが、 例えば、 キヤ スト成形、 イ ンフレーショ ン成形、 あるいは二軸延伸成形によって製造すればよ い。 この場合、 弾性率を本発明の範囲に調製するために、 延伸倍率を調製するこ と好ましい場合がある。 また、 熱収縮率を調製するために熱処理を施してもよい 上記の本発明の離型フィルムは、 圧縮成形法による半導体素子の封止用離型フ イルムに適するものである。 特に、 チップサイズパッケージ構造を有する半導体 素子の樹脂封止工程に用いる離型フィルムに適するものである。
〔半導体素子の封止方法〕
次に本発明の半導体素子の封止方法について説明する。
本発明は、 離型フィルムを配置した半導体製造用金型に、 突起電極を形成した 半導体素子を有する半導体基盤を配置した後、 封止樹脂を供給して圧縮成形する 半導体素子の封止方法において、 離型フィルムとして上述した本発明に係る半導 体素子の封止用離型フィルムを用いる半導体素子の封止方法である。
通常、 半導体の製造工程は、 半導体素子形成、 突起電極 （バンプ） 形成、 樹脂 封止、 突起電極露出、 分離の各工程を要するが、 この中の樹脂封止は基盤装着、 樹脂層形成、 離型の工程からなっており、 この樹脂封止工程の代表例を図を用い て説明する。
図 1は、 本発明の製造方法に使用できるの半導体素子の封止用金型の概念図 （ 断面図） である。
図 1 において、 1は上型、 2 a， 2 bは下型、 3は半導体基盤、 4は突起電極 (バンプ） 、 5は封止樹脂、 6 a， 6 bは半導体素子の離型フィルムである。 但 し 6 bの離型フィルムは必ずしも必要ではない。 下型は 2 aの下型基体と 2 の 下型側体から構成されており、 1の上型とともにいずれも上下移動可能になつて いる。 また、 上型と下型には、 共にヒータ一が内設されている。
上記の半導体素子封止用金型を用いて、 次のように樹脂封止工程が行われる。 先ず、 半導体素子形成工程及びバンプ形成工程を経た多数の半導体素子が形成 された半導体基板 3 (ウェハ一） を半導体装置製造用金型の下型 2 a上に図の様 に， 突起電極 4を上側にして装着する。 次いで、 上型 1の下面に上述した本発明 の半導体素子封止用離型フィルム 6 aを取り付ける。 その後、 封止樹脂 5を半導 体基盤 3の中央に配置する。 以上で基盤装着工程が終了する。 図 1は基盤装着工 程が終了した状態を示している。
次いで、 樹脂層形成工程に入る。 上型 1は下方に、 下型側体 2 bに接触するま で移動する。 それにともなって半導体素子の封止用離型フイルム 6 aも下降し、
封止樹脂 5を圧縮する。 下型基体 2 aは移動せず、 上型 1は下型側体 2 bと共に さらに下降する。 したがって、 封止樹脂 5は押し広げられて基盤 3の外周に進ん でゆき、 半導体基盤 3全体が樹脂により封止される。 その後、 金型内は加熱され 、 封止樹脂 5は硬化する。 樹脂層が形成された状態では、 半導体素子の封止用離 型フィルム 6 aは、 封止樹脂 5を圧接するとともに、 基板 3の表面にある突起電 極 4の先端がのめり込んだ状態になっている。
次いで、 離型工程が行われる。 まず、 上型 1を上昇させて、 上型 1 を半導体素 子の封止用離型フィルム 6 aから離脱させる。 続いて、 下型基体 2 aは移動させ ず下型側体 2 bをわずかに下降させて、 樹脂層を下型側体 2 bから離脱させる。 その後、 下型側体 2 bを上昇させる。 これによつて、 半導体素子の封止用離型フ イルム 6 aとともに樹脂層が形成された基盤 3が下型基体 2 aから離脱する。 こ れで離型工程が終了し、 その後の突起電極露出工程、 分離の各工程に進む。 これ らは公知の方法で行えばよい。 - なお、 上記の例では離型フィルムを上型 1の下面にのみ配置したが、 さらに下 型基体 2 aと半導体基盤 3 との間にも離型フィルム 6 bを配置してもよい。 これ により、 半導体素子の封止用離型フイルム 6 aとともに樹脂層が形成された半導 体基盤 3が下型基体 2 aから離脱する工程がより容易になる効果がある。 本発明について、 更に、 実施例を用いて詳細に説明する。
なお、 実施例， 比較例で用いた評価方法， 実験方法は以下のとおりである。 〔評価方法〕
( 1 ) ぬれ指数
ぬれ指数標準液 （和光純薬社製） を用い、 J I S K 6 7 6 8に規定する方法 により測定した。
( 2 ) 熱収縮率
フィルムを無荷重下で 1 7 5 tのオーブン内で 1 5 0分間放置し、 その後の熱
収縮率を測定した。
( 3 ) 弾性率
1 7 5°C雰囲気下でフィルム引張り測定を実施し、 その弾性率を測定した。 〔半導体素子の封止実験〕
図 1に示す金型を用い、 1 7 5°Cで 1 5 0分間プレスした後、 離型フィルムが 密着した状態でウェハーを取り出し、 室温に冷却した後、 該離型フィルムを引き 剥がし、 その離型性及び、 ウェハー上に形成されているバンプ （突起電極） の変 形を観察した。
〔離型フィルムの製造〕
使用した原料
( 1 ) シンジオタクチックポリスチレン①
Mw= 2 70 , 0 0 0， Mw/Mn= 2. 2 0 ( 1 , 2 , 4—ト リ ク ロロベンゼンを溶媒とし、 1 5 0°Cで GPC法にて測定した。 以下， 同様）
( 2 ) シンジオタクチックポリスチレン②
Mw= 1 0 0 , 0 0 0、 Mw/Mn= 2. 2 0
( 3 ) ポリスチレン （GPP S)
出光石油化学製 HH 3 0
( 4 ) ゴム弾性体①
S E P Sタイプエラストマ一 ： クラレ社製 セプトン 2 1 0 4 ( 5 ) ゴム弾性体②
エチレン' ォクテン共重合体系エラス トマ一 ： デュポン · ダウエラ ス トマ一社製 E NGAGE 8 1 5 0
( 6 ) 熱可塑性樹脂①
ポリ （ 4ーメチルペンテン一 1 ) ：三井化学製 MX 0 0 0 2 ( 7 ) 酸化防止剤①
チバガイギ一社製 I r g a n o x l O l O
( 8 ) 酸化防止剤②
旭デンカ社製 PEP 3 6
〔実施例 1〕
シンジオタクチックポリスチレン①を 8 0重量部、 ゴム弾性体①を 4重量部、 ゴム弾性体②を 1 6重量部、 酸化防止剤①を 0. 1重量部、 酸化防止剤②を◦ . 1重量部を配合したシンジオタクチック構造を有するスチレン重合体組成物 （ S P S組成物） をドライブレンドし、 6 5 mm ø二軸押出機にて溶融混練してぺレ ッ トを得た。 このペレッ トを用い、 5 0 mm0単軸押出機に 5 0 0 mm幅のコー トハンガーダイを取り付け押出し量 2 0 k g/h rにて 3 0 0 °Cで溶融押出し、 1 0 0〃mの厚みのフィルムを得た。 この離型フィルムを用いて、 上記フィルム 評価、 及び封止実験を行った。 評価結果を表 1に纏めて示した。
〔実施例 2 ]
実施例 1に記載した S P S組成物と熱可塑性樹脂① ( 「TRX」 と略称する） を共押出して， 厚さの割合が S P S/TPX/S P S = 2 5 / 5 0 / 2 5の 1 ◦ 0 mのフィルムを得た。 これを実施例 1 と同様な評価を行った。 結果を表 1に まとめて示した。
〔実施例 3 )
フッ素樹脂系であるポリテトラフルォロェチレン樹脂 （旭硝子社製ァフロン C OP) の 1 0 0〃mフィルムを離型フィルムとして用い、 実施例 1 と同様な評価 を行った。 評価結果を表 1に纏めて示した。
〔比較例 1：]
実施例 1で用いた離型フィルムをコロナ処理を施した離型フィルムについて、 実施例 1 と同様の評価を行った。 評価結果を表 1に纏めて示した。
〔比較例 2〕
実施例 1で得られたフィルムをテーブルテンターで 1 2 0°C雰囲気下で MD方
向、 T D方向に各 1 . 1倍二軸延伸を行ったフィルムを離型フィルムを用いて、 実施例 1 と同様の評価を行った。 評価結果を表 1に纏めて示した。
〔比較例 3〕
シンジオタクチックポリスチレン②を 5 0重量部、 ポリスチレン （ G P P S ) を 1 0重量部、 ゴム弾性体①を 2 0重量部、 ゴム弾性体②を 2 0重量部， 酸化防 止剤①を 0 . 1重量部、 酸化防止剤②を 0 . 1重量部を配合後ドライブレンドし 、 6 5 mm ¾ 二軸押出機にて溶融混練してペレツトを得た。 このペレツ トを用い て実施例 1と同様の評価を行った。 評価結果を表 1に纏めて示した。
〔比較例 4〕
厚さ 1 0 0 u mのポリィミ ドフィルム （デュポン製カプトン H ) を用いたて、 実施例 1 と同様の評価を行った。 評価結果を表 1に纏めて示した。
本発明の半導体素子封止用離型フィルムは、 半導体素子封止工程において、 半 導体の端子を変形させたり、 離型フィルムを変形させず、 離型性にも優れた半導 体素子封止用離型フィルムであり、 それを用いて半導体を製造すると、 半導体の
製造効率を高めることができる'
Claims
1 . 熱可塑性樹脂を含む単層又は多層からなり、 以下の （ 1 ) 〜 （ 4 ) の要件を 満たす半導体素子の封止用離型フィルム。
( 1 ) 表面層のぬれ指数が 3 6以下
( 2 ) 1 7 5 °Cにおける熱収縮率が 3 %未満
( 3 ) 1 7 5 °Cにおける弾性率が 1 0〜 5 0 0 M P a
( 4 ) 離型フィルムの厚さが 1 0〜 3 0 ◦ m
2 . 離型フィルムの少なく とも表面層が、 （A ) フッ素系樹脂、 （B ) 主として シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体または （C ) 主としてシンジ オタクチック構造を有するスチレン系重合体を含む樹脂組成物からなる請求項 1 に記載の半導体素子の封止用離型フィルム。
3 . ( C ) 主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体を含む樹 脂組成物が、 主としてシンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体 5 0〜
1 0 0重量0 /0 ( 1 0 0重量0 /0は含まず） と、 （C一 1 ) ゴム状弾性体， （C一 2 ) シンジオタクチック構造を有するスチレン系重合体以外の熱可塑性樹脂及び （ C一 3 ) 樹脂組成物用添加剤のうちの少なくとも一成分 5 0〜 0重量％ ( 0重量 %は含まず） とからなる請求項 2に記載の半導体素子の封止用離型フィルム。
4 . 離型フィルムを配置した半導体製造用金型に、 突起電極を形成した半導体素 子を有する半導体基盤を配置した後、 封止樹脂を供給して圧縮成形する半導体素 子の封止方法において、 離型フィルムとして請求項 1 〜 3のいずれかに記載の半 導体素子の封止用離型フィルムを用いる半導体素子の封止方法。
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