WO2000075939A1

WO2000075939A1 - Film composite pour condensateur, procede de fabrication de ce film, et film de base pour ce procede

Info

Publication number: WO2000075939A1
Application number: PCT/JP2000/003459
Authority: WO
Inventors: Koji Furuya; Shinya Watanabe; Hiroshi Kusume; Akira Kameoka
Original assignee: Teijin Limited
Priority date: 1999-06-08
Filing date: 2000-05-29
Publication date: 2000-12-14
Also published as: KR100607888B1; EP1796114A2; EP1113467A1; EP1113467A4; DE60034864D1; US6432509B1; DE60041466D1; EP1113467B1; EP1796114B1; EP1796114A3; KR20010072340A; DE60034864T2; TW450888B

Description

コンデンサ用複合膜、その製造方法およびそのためのべ一スフィルム

発明の詳細な説明

発明の属する技術分野

本発明は、コンデンサ用複合膜、その製造方法およびそれらのために使用する明

ベースフィルムに関する。さらに詳しくは、ポリエチレン一 2， 6—ナフ夕レン田

ジカルボキシレートを主たるポリマ一成分として形成された二軸配向フィルムをベースフィルムとし、その表面に導電性金属薄膜層を形成させたコンデンサ用複合膜、その複合膜の製造方法および、その複合膜に使用されるべ一スフイルムに関する。

従来の技術

ポリエチレン一 2， 6—ナフ夕レンジカルボキシレ一トを主たるポリマー成分とする二軸配向フィルムは、その優れた機械的性質、熱的性質および耐熱性を有することから、コンデンサ用ベースフィルム（誘電材）として使用され、その生産量も増大しつつある。

ところで、近年、電気あるいは電子回路の小型ィヒ要求に伴って、コンデンサの小型化および大容量化が求められている。そのためベースとなる誘電材のフィルムは、厚みを薄くすることが要求されている。フィルムコンデンサにおいて、誘電材であるフィルムの薄膜化が図られる理由は、コンデンサの静電容量が（a ) 誘電材の誘電率および電極面積に比例すること、（b ) フィルム厚みに反比例すること、言い換えると誘電材の単位体積当りの静電容量はフィルム厚さの 2乗に反比例し、かつ誘電率に比例することから、同じ誘電率の誘電材を使用してコンデンサの小型化または大容量化を図ろうとすれば、フィルム厚みを薄くすることが不可欠となるからである。

このように、フィルムを薄くすることの効果は明らかであるものの、従来の二軸配向フィルムの厚みを単に薄くするだけでは新たな問題、例えばフィルムの薄膜化に伴い、フィルムに電極を蒸着する際や、スリット、素子巻き等の工程における作業性が悪くなる、という問題が生じる。

この作業性は主としてフィルムの滑り性に係わるものである。この滑り性を改良する方法としては、フィルム表面に微小な凹凸を与える方法が知られ、かつ用いられている。この方法として、不活性無機微粒子をフィルムの原料であるポリエステルの重合時、または重合後に添加したり（外部粒子添加方式）、あるいはポリエステルの重合時に使用する触媒等の一部または全部を反応工程でポリマ一中に析出させる（内部粒子析出方式）技術が知られている。

しかし、極薄フィルムの製造方法において、中厚のフィルムを製造する場合と同じ濃度の不活性無機粒子を含有するポリマーを用いると、極薄フィルムの単位面積当りの不活性無機微粒子の数が減少し、フィルム表面における微粒子の間隔が広がり、その結果、フィルム表面が平坦ィヒし、滑り性が低下する。また、極薄フィルムは剛性が小さく、フィルム同士が容易に密着することも、滑り性を低下させる要因となっている。従って、薄膜ィ匕に伴う滑り性の低下を補うためには、フィルム厚みを薄くすればするほど、含有させる不活性無機微粒子の濃度を高めるか、あるいは粒径を大きくする必要があった。

また不活性無機微粒子を含有するポリマーを溶融押出しする際、ドラフト比を高くする場合や、さらに延伸の際に、不活性無機微粒子とポリマ一との親和性が乏しいことに起因して、フィルム中にボイドが該不活性無機微粒子の周りに発生しゃすく、かっこの頻度も多くなる。このため、得られたフィルムの機械的性質 (例えば破断強度、破断伸度）や電気的性質（例えば絶縁欠陥）が低下するばかりでなく、フィルムを製造する際にも破断が発生しやすくなり、生産性の低下、製造条件の安定性に欠ける、という問題が生じることになる。

ボイドの発生が抑制されたフィルムとして、特開平 1一 2 6 6 1 4 5 (特公平 7 - 4 7 6 4 5 ) には、フィルムを構成する熱可塑性重合体中に、空隙率が 5 0 〜 9 5 %でありかつ平均粒径が 0 . 0 5〜 5 / mである多孔質不活性無機粒子を 0 . 0 1〜3重量％、および平均粒径がフィルムの厚みより大きくかつ 0 . 2〜 4 である球状シリカ粒子を 0 . 0 0 5〜1重量％含有せしめて、作業性ンドリング性）に優れ、かつ製膜性（非破断性）を改善した厚みが 4 μ πΐ以下の薄い熱可塑性フィルムが開示されている。

しかし、前記フィルムとしてポリエチレン一 2 , 6—ナフ夕レンジカルボキシレートフィルムの場合、本発明者らの研究によれば、該フィルムは機械的性質の低下がなく、耐熱性、電気絶縁性に優れ、ボイドが少ない等の利点を有するものの、未だ製膜時の破断は多く、フィルム生産性が損われるという問題のあることが明らかになった。

ボリエチレン— 2， 6—ナフ夕レンジカルボキシレートフィルムは、一般にポリエチレンテレフ夕レートフィルムに比して耐引裂き性に劣る特性を有するが、この特性が製膜時の破断トラブルを多くする要因になっている。このため、ボリエチレンテレフ夕レートフィルムの製造では問題にならなかった要因が、ポリエチレン一 2 , 6—ナフ夕レンジカルボキシレートフィルムの製造では破断の原因になることがある。

一方、平均粒径が異なる 2つのタイプの多孔質シリ力粒子を特定割合配合したポリエチレン— 2， 6—ナフ夕レンジカルボキシレートフィルムが特開平 7— 5

7 9 6 4号公報に記載されている。しかしこのフィルムも製膜時の破断が多く生産性が低いという問題を含んでいる。

また、前記ポリエチレン一 2 , 6—ナフタレンジカルボキシレートフィルムはいずれも、表面の突起によりフィルムを重ねたときに生じる空気層が厚く、絶縁特性およびスペースファクタが十分と云えないこと、このため、優れた作業性とスペースファクタおよび絶縁特性の両立が依然として解決課題として残っていることが明らかになった。

さらにフィルムコンデンサの製造において、誘電体であるフィルムの薄膜化に伴う生産性と、薄膜ィヒフィルムのコンデンサへの加工工程での作業性（フィルムへの電極としての金属蒸着、スリット、素子巻等）の悪化を回避するために、特開平 1 0— 2 9 4 2 3 7号公報ではポリエチレン一 2， 6—ナフタレートフィルム中に滑剤として異なった 2つのタイプの不活性微粒子を添加することが提案されている。しかしな力ら、このフィルムにおいてフィルムの薄膜化とコンデンサの加工ェ程での作業性は改善されたものの、このフィルムはその中に含まれる添加物（特に滑剤）に起因した絶縁特性不良が存在するためコンデンサ用フィルムとしては、なお不満足なものであった。

発明が解決しょうとする課題

本発明の第 1の目的は、優れた物理的特性および電気的特性を有する高品質のフィルムコンデンサの誘導体として使用される極薄のポリエチレン— 2 , 6—ナフタレンジカルボキシレートよりなる二軸配向フィルムを提供することにある。本発明の第 2の目的は、極薄の二軸配向フィルムであっても、フィルムコンデンサの加工性およびフィルムコンデンサの電気的特性を発現するに適した、高度な表面特性を有する二軸配向フィルムを提供することにある。

本発明の第 3の目的は、フィルムコンデンサの加工工程、（金属蒸着、素子巻、切断およびメタリコンなど）においてその作業性に優れ、かつこれらの工程において十分な耐熱性および機械的強度を有する二軸配向フィルムを提供することにある。

本発明の他の目的は、電気的特性、ことに絶縁破壊電圧特性に優れたフィルムコンデンサ用複合膜および絶縁欠陥数が可及的に小さいフィルムコンデンサ複合膜を提供することにある。

本発明のさらに他の目的は、小型で高容量のフィルムコンデンサを提供することにある。

課題を解決するための手段

本発明者らの研究によれば、前記本発明の目的は、下記（1 ) 〜（IV) の発明によって達成されることが見出された。

( I ) ポリエチレン一 2 , 6—ナフ夕レンジカルボキシレートを主たるポリマー成分として形成されたニ軸配向フィルムの表面に導電性金属薄膜を有するフィルムコンデンサ用複合膜であって、該ニ軸配向フィルムは、その表面における平均径が 6 0 m以上のフライスペックの個数は 2 0個 Zm²以下であり、かつ該複合膜は、絶縁破壊電圧が 2 0 0 V/^ mを満足しない個所（絶縁欠陥）が 2 0個 Zm²以下' サ用複合膜。

(Π) ポリエチレン— 2， 6—ナフタレンジカルボキシレートを主たるポリマー成分として形成された二軸配向フィルムの表面に導電性金属を蒸着させ、得られた導電性金属薄膜層を表面に有する複合膜を複数枚積層させることによりフィルムコンデンサ部材を製造する方法において、該ニ軸配向フィルムとして、下記要件（1) 〜（3)

(1) 表面における中心線平均表面粗さ（Ra) tt40〜80 nm、

(2) 表面における平均径が 60 xm以上のフライスペックの個数は 20個ノ m ²以下および

(3) 200°Cで 10分間熱処理した後の縦方向（MD) と横方向（TD) の熱収縮率の比（MD/TD) が 0. 39〜0. 82を満足するフィルムを使用することを特徴とするフィルムコンデンサ部材の製造方法。

(Π) ポリエチレン一 2, 6—ナフ夕レンジカルボキシレートを主たるポリマー成分として形成された二軸配向フィルムの表面に導電性金属薄膜を有する複合膜を複数枚積層させた積層複合体を、構成部材とするフィルムコンデンサであつて、該ニ軸配向フィルムは、その表面における平均径が 60 m以上のフライスぺックの個数は 20個 Zm²以下であり、かつフィルムコンデンサは、絶縁破壊電圧が 20 OVZ imを満足しない割合が 10%以下であることを特徴とするフィルムコンデンサ。

(IV) ポリエチレン一 2， 6—ナフ夕レンジカルボキシレ一トを主たるポリマ一成分として形成された二軸配向フィルムであって、該フィルムは下記要件（1) 〜（3)

(1) 表面における中心線平均表面粗さ（Ra) は 40〜80 nm、

(2) 表面における平均径が 60 以上のフライスペックの個数は 20個 Zm 2以下および

(3) 200°Cで 10分間熱処理した後の縦方向（MD) と横方向（TD) の熱収縮率の比（MDZTD) が 0. 39〜0. 82を満足することを特徴とするコンデンサ用ポリエステルフィルム。以下本発明についてさらに詳細に説明する。

まず、本発明のフィルムコンデンサ用複合膜およびその製造方法において使用される、誘電体としての極薄の二軸配向フィルムについて説明する。

この二軸配向フィルムを本発明において "ベ一スフイルム" と略称することがある。このべ一スフイルムは、ポリエチレン一 2 , 6—ナフ夕レンジカルボキシレートを主たるポリマ一成分として形成されたものである。

このポリエチレン一 2， 6—ナフタレンジカルポキシレートは、主たるジカルボン酸成分が 2， 6 —ナフ夕レンジカルボン酸であり、主たるグリコール成分がエチレングリコールであるポリエステルである。ここで、「主たる」とは、ポリエステルを構成する全繰返し単位の 9 O m o 1 %以上、好ましくは 9 5 m o l % 以上がェチレン— 2 , 6 —ナフ夕レンジ力ルポキシレート単位あることを意味する。

本発明におけるポリエチレン— 2 , 6—ナフ夕レンジカルボキシレートはコポリエステルであることができるが、このコポリエステルはポリエチレン— 2 , 6 —ナフ夕レンジカルボキシレート（ホモポリマ一）フィルム本来の特性を極端に失うことがなく、絶縁特性、機械特性および熱寸法安定性を確保すものが好ましい。さらに、耐破断性、スリット性に優れるフィルムを形成することのできるコポリエステルが好ましい。

コポリエステルである場合、 2 , 6—ナフタレンジカルボン酸成分およびェチレンダリコール成分以外の共重合成分として、分子内に 2つのエステル形成性官能基を有する化合物を用いることができる。かかる化合物としては例えば、蓚酸、アジピン酸、フタル酸、セバシン酸、ドデカンジカルボン酸、イソフ夕ル酸、テレフタル酸、 1 , 4ーシクロへキサンジカルボン酸、 4， 4 ' —ジフエ二ルジカルボン酸、フエニルインダンジカルボン酸、 2， 7 —ナフ夕レンジカルボン酸、 1 , 5—ナフ夕レンジカルボン酸、テトラリンジカルボン酸、デカリンジカルボン酸、ジフエニルエーテルジカルボン酸等のごときジカルボン酸； p—ォキシ安息香酸、 p—ォキシエトキシ安息香酸等のごときォキシカルボン酸；あるいはプロピレングリコ一ル、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール、へキサメチレングリコール、シクロへキサンジメチレングリコール、ネオペンチルグリコ一ル、ビスフエノ一ルスルホンのエチレンオキサイド付加物、ビスフエノール Aのエチレンオキサイド付加物、ジエチレングリコール、ポリエチレンォキシドグリコール等のごとき 2価アルコールを好ましく挙げることができる。これらの共重合成分は 1種のみでなく 2種以上を同時に用いることができる。また、これらの中でさらに好ましいものは、酸成分としてはイソフ夕ル酸、テレフ夕ル酸、 4 , 4 ' ージフエニルジカルボン酸、 2， 7—ナフ夕レンジカルボン酸、 p—ォキシ安息香酸、グリコール成分としてはトリメチレングリコール、へキサメチレングリコール、ネオペンチルグリコ一ル、ビスフエノールスルホンのエチレンオキサイド付加物である。

また、ポリエチレン一 2， 6 _ナフ夕レンジカルボキシレートは、例えば安息香酸、メトキシポリアルキレングリコールなどの一官能性化合物によって末端の水酸基および,または力ルポキシル基の一部または全部を封鎖したものであってもよく、あるいは例えば極く少量のグリセリン、ペン夕エリスリ 1 ^一ル等のごとき三官能以上のエステル形成性ィヒ合物を実質的に線状のポリマーが得られる範囲内で共重合したものであってもよい。

本発明におけるポリエチレン一 2， 6—ナフ夕レンジカルボキシレートは、また、他の有機高分子を小割合混合した組成物であつてもよい。

かかる他の有機高分子として、ポリエチレンテレフ夕レート、ポリエチレンィソフタレート、ポリ卜リメチレンテレフ夕レート、ポリエチレン一 4， 4 ' —テトラメチレンジフエニルジカルポキシレート、ポリエチレン一 2， 7—ナフタレンジカルボキシレート、ポリトリメチレン一 2 , 6—ナフ夕レンジカルボキシレ一卜、ポリネオペンチレン一 2 , 6—ナフタレンジカルボキシレ一卜、ポリ（ビス（4一エチレンォキシフエニル）スルホン） —2 , 6—ナフ夕レンジカルポキシレート等を例示することができる。これらの中で、ポリエチレンイソフタレート、ポリ卜リメチレンテレフ夕レー卜、ポリトリメチレン一 2， 6—ナフ夕レンジカルボキシレート、ポリ（ビス（4—エチレンォキシフエニル）スルホン）一 2 , 6—ナフタレンジカルボキシレ一卜が好ましい。これらの有機高分子は 1種のみならず 2種以上であってもよい。

有機高分子を混合する場合、その量は、混合した組成物当り 10重量％以下好ましくは 5重量％以下であるのが好ましい。この組成物はポリエチレン— 2， 6 一ナフタレンジカルボキシレートのホモポリマ一と他の有機高分子からなる組成物であってもよく、またポリエチレン一 2， 6—ナフタレンジカルボキシレートのコポリマーと他の有機高分子からなる組成物であってよい。

本発明者らの研究によれば、ポリエチレン一 2， 6—ナフタレンジカルボキシレートを溶融して押出しフィルムを形成させる場合、そのフィルムの交流体積抵抗率の値が製膜工程のフィルムの破断や生産性に影響し、またコンデンサの絶縁特性にも影響することが分かつた。

すなわち、フィルムの 300°Cの温度における交流体積抵抗率（Z) が 5 X 1 0⁷Ω cm以上 1 X 10⁹Ω cm以下であるフィルムが好ましいことが分かった。この交流体積抵抗率の値が 5 X 10⁷ Ω c m未満であると、 70 °C以上の比較的高温域でコンデンサの絶縁特性が低下し、誘電正接が大きくなり、コンデンサ特性が悪化する。一方、 1 X 10⁹Qcmを超えると、製膜条件によっては、フィルムの製膜時の破断が頻繁に発生し、安定な生産を維持し得る製膜条件の範囲が狭くなる。

この範囲の交流体積抵抗率を有するフィルムを得る方法は特に特定されないが、エステル形成性官能基を有するスルホン酸 4級ホスホニゥム塩をポリマー主鎖中に共重合させる方法が好ましい。このものはポリマー鎖中に全繰返し単位当り 0. lmmo 1 %以上 1 Ommo 1 %以下含有させること力好ましい。さらに、エステル形成性官能基を有するスルホン酸 4級ホスホニゥム塩は下記式で表されるィ匕合物であることが好ましい。

X,-A-X₂

I

(S〇₃ · P-R_x, — R₂、一 R₃、 _R₄) _n

(ここで、 Aは（n + 2 )価の炭素数 2〜 18の脂肪族基または芳香族基であり、および X₂は、同一もしくは異なり、水素原子またはエステル形成性官能基であり、 nは 1または 2であり、そして、 R₂、 R₃、および R₄は、同一もしくは異なり、炭素数 1〜 1 8のアルキル基、ベンジル基または炭素数 6〜 1 2のァリール基である。ただし、ェおよび X ₂が同時に水素であることはない。）上記スルホン酸 4級ホスホニゥム塩の好ましい具体例としては、 3， 5—ジカルポキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩、 3 , 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸ェチルトリブチルホスホニゥム塩、 3 , 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸べンジルトリブチルホスホニゥム塩、 3 , 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸フエニルトリブチルホスホニゥム塩、 3， 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニゥム塩、 3， 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸ェチルトリフエニルホスホニゥム塩、 3， 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸ブチルトリフエニルホスホニゥム塩、 3， 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸べンジルトリフエニルホスホニゥム塩、 3 , 5—ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩、 3 , 5—ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸ェチルトリブチルホスホニゥム塩、 3， 5—ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸べンジルトリブチルホスホニゥム塩、 3， 5—ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸フエニルトリブチルホスホニゥム塩、 3 , 5—ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニゥム塩、 3 , 5—ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸ェチルトリフエニルホスホニゥム塩、 3 , 5—ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸ブチルトリフエニルホスホニゥム塩、 3 , 5 —ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸べンジルトリフエニルホスホニゥム塩、 3—カルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩、 3—カルボキシベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニゥム塩、 3—カルボメトキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩、 3—カルボメトキシベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニゥム塩、 3 , 5—ジ（ 3—ヒドロキシエトキシカルポニル）ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩、 3， 5—ジ（ 3— ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニゥム塩、 3 — （i3—ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩、 3 - ( 3—ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニゥム塩、 4—ヒド' ン酸テトラブチルホスホニゥム塩、ビスフエノール A— 3 , 3 ' ージ（スルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩）、 2 , 6—ジカルボキシナフ夕レン— 4ースルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩、 aーテトラブチルホスホニゥムスルホコハク酸等を挙げることができる。上記スルホン酸 4級ホスホニゥム塩は 1種のみを単独で用いても 2種以上併用してもよい。

このようなスルホン酸 4級ホスホニゥム塩は、一般に、対応するスルホン酸とホスフィン類とのそれ自体公知の反応、または対応するスルホン酸金属塩と 4級ホスホニゥムハライド類とのそれ自体公知の反応によって容易に製造することができる。

本発明における二軸配向フィルムは、ポリエステル中に上記のごときスルホン酸 4級ホスホニゥム塩を、ポリエステルを構成する全繰返し単位に対し、 0 . 1 mm o 1 %以上 1 O mm o 1 %以下、さらには 0 . 2 mm o 1 %以上 1 0 mm o 1 %以下で含有すること力 s好ましい。 0 . l mm o 1 %未満では 3 0 0 °Cにおける交流体積抵抗率の値を 1 0 ⁹ Ω c m以下にできない。一方 1 0 mm o 1 %を超えると、高温域（7 0 °C以上）での絶縁特性の低下や誘電正接の増加が生ずることがある。

本発明において、フィルムにスルホン酸 4級ホスホニゥム塩を含有させる方法としては、任意の方法をとることができる。例えば、ポリエステル（P E N) の重合時に該 4級ホスホニゥム塩化合物を添加し共重合する方法、フィルム製膜前に該 4級ホスホニゥム塩化合物をポリエステルに添加する方法、該 4級ホスホニゥム塩化合物を高濃度含むポリマ一組成物（マスターチップ）を作成し、主原料のポリエステルを溶融する前に所定量混合する方法など力 S挙げられる。いずれの方法によってもスルホン酸 4級ホスホニゥム塩を最終的にポリエステル（P E N) に所定量含有させれば、効果は発現する。

ポリエチレン一 2， 6—ナフ夕レンジカルポキシレートの製造法は、それ自体一般に知られたポリエステルの製造方法によって実施できる。例えば、ポリェチレン一 2 , 6—ナフ夕レンジカルボキシレートは、 2 , 6—ナフタレンジカルボン酸とエチレングリコールを反応（エステル化反応）させ、あるいは 2 , 6—ナフタレンジカルボン酸の低級アルキルエステルとエチレングリコールをエステル交換触媒の存在下反応（エステル交換反応）させ、続いて反応生成物を重合触媒の存在下で所望の分子量まで重合させて製造することができる。前記エステル交換触媒としては、公知のエステル交換触媒、例えばナトリウム、カリウム、マグネシゥム、カルシウム、亜鉛、ストロンチウム、チタン、ジルコニウム、マンガン、またはコバルトを含む化合物の 1種または 2種以上を用いることができる。また、重合触媒としては、三酸化アンチモン、五酸化アンチモンのようなアンチモン化合物；二酸化ゲルマニウムで代表されるようなゲルマニウム化合物；テトラエチルチタネート、テトラプロピルチタネート、テトラフエ二ルチ夕ネートまたはこれらの部分加水分解物、蓚酸チタ二ルアンモニゥム、蓚酸チタ二ルカリウム、チタントリスァセチルァセトネ一トのようなチタン化合物を好ましく挙げることができる。触媒の使用量は従来から知られている量範囲から選ぶことができる。

エステル交換反応を経由して重合を行う場合は、重合反応前にエステル交換触媒を失活させる目的で、トリメチルホスフェート、トリェチルホスフェート、トリ一 n—ブチルホスフエ一ト、正リン酸等のリン化合物を添加するのが好ましい。リン元素としてのポリエチレン一 2, 6一ナフ夕レンジカルボキシレート中の含有量は 20〜100 ppmであること力ポリエステルの熱安定性の点から好ましい。

なお、ポリエチレン— 2, 6—ナフ夕レンジカルポキシレートは溶融重合後これをチップ化し、加熱減圧下または窒素などの不活性気流中において固相重合することもできる。

ポリエステルの固有粘度（オルソクロロフエノール、 25°C) は 0. 40d l Zg以上であることが好ましく、 0. 40d lZg以上 0. 90d lZg以下であることがさらに好ましく、 0. 43 1 8以上0. 80d lZg以下であることが特に好ましい。最も好ましい固有粘度は 0. 45d lZg以上 0. 70d lZg以下である。固有粘度が 0. 40d lZg未満では、工程中でのフィルム破断が多発することがある。一方、固有粘度が 0. 90d lZgより高いと、ポリエステルの溶融粘度が高いため溶融押出しが困難になり、重合時間が長く、生産性が低下し、好ましくない。

本発明のベースフィルムは、前述したポリエチレン— 2， 6 _ナフ夕レンジ力ルポキシレートを主たるポリエステル成分として製膜ィヒすることにより得られる。この製膜化の条件および手段については後に詳述する。また製膜化に当ってはポリエステル中に不活性粒子が配合される力、その不活性粒子の好ましい性状についても後で詳述する。次に本発明のコンデンサ用ベースフィルムとして表面特性および物性について説明する。

本発明のベースフィルムの表面において、その中心線平均粗さ（Ra) が 40 〜80 nmであり、より好ましくは 45〜 80 nm、特に好ましくは 50〜77 nmである。ベ一スフイルム表面の中心線平均粗さ（Ra) が 40 nm未満であるとフィルムの滑り性やエア抜け性が悪く、フィルムをロールに巻き取ることが非常に困難となる。また、中心線平均粗さ（Ra) が 80 nmを超えるようにするには粒径の大きな粒子の添加あるいは粒子の添加量を増やす必要があるが、フイルムの厚みが薄く、そのためフィルムの製膜時における破断頻度が増加し、生産性が著しく低下する。

さらにべ一スフイルムの表面における、 10点平均粗さ（Rz) は、 1, 00 0〜1, 800 nm、より好ましくは 1, 100〜1, 700 nm、特に好ましくは 1, 200〜1, 700 nmであるのが有利である。

10点平均粗さ（Rz) が 1, O O Onmより低いと、フィルムの滑り性ゃェァ抜け性力悪くなり、フィルムを均質にロールに卷き取ることが困難となる。一方 10点平均粗さ（Rz) が 1, 800 nmを超えるようにするには粒径の大きな粒子の添加あるいは粒子の添加量を増やす必要があるが、フィルムの厚みが薄く、そのためフィルムの製膜時における破断頻度が増加し、生産性が著しく低下する。

本発明のベースフィルムは、その表面における一定の大きさのフライスペックの数が少ないことが要求される。

すなわち、フィルム表面において、平均径が 60 mを超えるフライスペックの個数は 2 0個 Zm²以下であり、より好ましくは 1 5個 Zm²以下、特に好ましくは 1 0個 Zm²以下である。ここで、フライスペックとはポリマー中に含まれる添加剤（滑剤等）や異物を核にして発生し、核とその周辺にできるフィルムを形成するポリマーの膜厚みが局所的に薄くなつた部分（ボイド）から構成されるものである。このフライスペックが大きいと膜厚みの薄い範囲が広がるため、製膜時や適当な巾へのスリット時、コンデンザの加工工程等で急激な張力変動や急激な加熱があった場合に応力集中により膜の破れが発生し、絶縁性能が低下する。また、膜の破れが起こらなかった場合でも、膜厚みが薄いため、絶縁性能が低下する傾向にある。また、絶縁性能を著しく低下させるフライスペックは平均径（長径と短径の平均）が 6 0 rnを超えるものであり、かつその存在する頻度が 2 0 個 Zm²を超えるとコンデンサの誘電体としての絶縁性能が不足する。

サイズの大きなフライスペック数を上記範囲にするには、ポリマ一中の粗大粒子の数を可及的に減少するのが肝要である。そのため製膜時のフィルタ一として線径 1 5 / m以下のステンレス鋼細線よりなる平均目開き 1 0〜3 0 好ましくは 1 5〜2 5 x mの不織布型フィル夕一を用いてポリマ一をろ過することが好ましい。フィル夕一の目開きが 3 0 imを超えると溶融ポリマー中の粗大粒子を減少させる効果がなく、一方目開きが 1 0 z m未満ではフィル夕一の目詰まりが発生しゃすく工業上実用化が困難である。フィルタ一としては他に網状構造物や焼結金属等を用いたものもあるが、不織布型のフィルターと比べると寿命が短い、ろ過効率がやや劣る等の問題がある。さらに、より効果的にサイズの大きなフライスペック数を上記範囲に制御するには、滑剤自体をあらかじめ所定の目開きのフィル夕一でろ過した後にポリマー内に添加することが ^/子ましい。

かくして、本発明のベースフィルム中の粗大粒子の数は、少ないことが望ましい。具体的には、最大径が 3 5 / mを超える粗大粒子は、フィルム l m²当り、 1 0個以下、好ましくは 8個以下が有利であり、特に 5個以下であるのが望ましい。

この最大径が 3 5 mを超える粗大粒子の数は、後述するようにフィルム面を万能投影機を用レ ^て観察して測定される。本発明のベースフィルムは、 200°Cで 10分間処理した後の縦方向（MD) と横方向（TD) の熱収縮率の比（MDZTD) が一定の範囲を有していることが望ましい。

すなわち、縦方向（MD) と横方向（TD) の熱収縮率の比（MDZTD) が 0. 39〜0. 82であり、より好ましくは 0. 41〜0. 80、特に好ましくは 0. 42〜 0. 78である。 200 °Cで 10分間処理した後の縦方向と横方向の熱収縮率の比が上記範囲から外れた場合、コンデンサの加工工程において蒸着時の熱負けの発生や蒸着後のフィルムにシヮが入りやすくなる等の問題が発生するため好ましくない。なお、加工適性の点から 200°Cで 10分間処理された後の縦方向（MD) の熱収縮率は 0. 9〜3%好ましくは 1. 0〜2. 8%、横方向（TD) の熱収縮率は 2. 0〜5. 0%好ましくは 2. 2〜4. 8%であることが望ましい。

本発明のベースフィルムの厚みは 0. 5〜7. 0 mであることが好ましく、より好ましくは 0. 6〜6. 0 m、特に好ましくは 0. 7〜5. 5 mである。フィルムの厚みが 0. 5 m未満ではフィルム力極めて薄くなるため、製膜での破断が多発し製膜が困難である。また、フィルムの厚みが 7. 0//mを超えるとコンデンサ用フィルムとしては電気特性が不満足なものとなる。

ベースフィルムの厚さは、可能な限り均一であることが望ましい。厚みのバラツキはフィルム厚みに対して 25%以下であれば許容される。厚みのバラツキはフィルム厚みに対して 20%以下が好ましく、 15%以下力 S特に好ましい。フィルム厚みに対する厚みのバラツキが 25%を超えるとコンデンサの誘電体用べ一スフイルムとして幾重にも積層して使用した場合、厚みのバラツキによりコンデンサとしての性能のバラツキの原因となるため好ましくない。

フィルムの厚さおよび厚みのバラツキは後述する方法および定義に従って求められる。

本発明のベ一スフイルムは密度が 1. 338〜1. 361 gZcm³であることが好ましい。さらに好ましくは 1. 340〜1. 358 gZcm³、特に好ましくは 1. 343〜1. 356 gZcm³である。密度が 1. S S SgZcm³未満であるとコンデンサ性能のバラツキの原因となり、加工歩留りの低下を引き起こす原因となるため好ましくない。また、 1 . 3 6 1 g Z c m³を超えると結晶性が高くなり過ぎてフィルムの靭性が失われるためフィルム搬送時の破断頻度が増加するようになる。

次に本発明のベースフィルムの製膜方法について説明する。

本発明のベ一スフイルムは、ポリエチレン一 2， 6 —ナフタレンジカルボキシレー卜を主たるポリマー成分とする二軸配向フィルムである。この二軸配向フィルムは通常の方法、例えば、該ポリマーを融点以上で溶融させダイスリットから冷却されたキャスティングドラム上に押出して密着冷却固化させ、ポリエチレン - 2 , 6—ナフ夕レンジカルボキシレートを主たるポリマー成分とする未延伸フイルムを得る。この未延伸フィルムを縦および横方向に二軸延伸した後、熱固定し、必要に応じて縦方向および Zまたは横方向に弛緩処理することで製造することができる。フィルムの延伸は公知のロール式縦延伸機、赤外線加熱縦延伸機、テン夕一クリップ式横延伸機、これらの延伸を複数段階にわけて行う多段式延伸機、チューブラ延伸機、オーブン式縦延伸機、同時二軸テン夕一延伸機などを用いて行うことができる力特に限定されるものではない。

次にさらに詳しく本発明のベースフィルムの製造方法について述べるが必ずしもこれに限定されるものではない。前述したようにして得られた未延伸フィルムを 1 2 0〜1 8 0 ° (：、より好ましくは 1 2 5〜： L 7 0 °C、特に好ましくは 1 3 0 〜 1 6 0 °Cで縦方向にロール式縦延伸機で 3 . 0〜4. 5倍、より好ましくは 3 . 3〜4. 0倍延伸する。赤外線加熱式縦延伸機を用いてもよいが、特に薄いフィルムを延伸する場合にはフィルム全体を均一に加熱するのに有利なためロール式縦延伸機の方が好ましい。縦延伸で無理なく延伸するためには延伸を複数回に分けて多段延伸することが好ましい。縦延伸後さらにステンター内で 1 2 0〜1 8 0 °C、より好ましくは 1 2 5〜1 7 0 °C、特に好ましくは 1 3 0〜1 6 0 °Cで横方向に 3 . 0〜4. 5倍、より好ましくは 3 . 5〜4. 3倍延伸し、 1 9 5〜2 5 0 °C, より好ましくは 2 0 5〜2 4 5 °Cで 0 . 3〜 5 0秒間熱処理を行い、その後、縦方向および Zまたは横方向に弛緩率 0 . 5〜： L 5 %の範囲で熱弛緩処理を行うことにより所望のベースフィルムを得ることができる。なお、横方向の延伸を複数段階に分割する多段延伸を用いてもよい。

本発明のベースフィルムは、前記表面特性を有しかつ物理特性を発現させるために、不活性粒子がポリマー中に添加される。そのために添加される不活性粒子は、 2つの異なる形状の粒子を組合せであること力 S望ましレ^また不活性粒子は、その添加量も表面特性に影響を与える。

本発明者らの研究によれば、ポリマ一中に添加される不活性粒子の形状、種類および配合割合は、下記に説明する、粒子配合態様（P— 1) 〜（P— 4) のいずれかから選択されることが有利であることが見出された。

(1) 粒子配合態様（P - 1 )

この態様（ P— 1 )は平均粒径が 0. 5〜 3. 0 L mである球状シリ力粒子 (A) を 0. 03〜1. 5重量％、および平均粒径が 0. 01〜1. 5 /zmである球状シリカ粒子（B)を 0. 05〜 2重量％を組合せて配合する組成である。さらに、フィルムを安定して製造するために、目的とするフィルム厚みよりも球状シリカ粒子の平均粒径を小さくすることが必要であり、平均粒径をフィルム厚みの 9 0%以下にすることがより好ましく、平均粒径をフィルム厚みの 80%以下にすること力特に好ましい。なお、球状シリカ粒子 (A) の平均粒径はより好ましくは 0. 7〜2. 5 mであり、 0. 9〜2. 0 mであることが特に好ましい。また、球状シリカ粒子 (A) の添加量はより好ましくは 0. 06〜1. 2重量％であり、 0. 1〜0. 8重量％であることが特に好ましい。

また、球状シリカ粒子 (B) の平均粒径はより好ましくは 0. 05〜1. 2 mであり、 0. 1〜1. 0 mであることが特に好ましい。また、球状シリカ粒子（B) の添加量はより好ましくは 0. 08〜1. 5重量％であり、 0. 1〜1. 0重量％であることが特に好ましい。

球状シリカ粒子 (A) は、球状シリカ粒子 (B) よりも平均粒径が大きいものが使用され、好ましくは平均粒径が 0. 1 m以上大きいものが使用される。ここでいう球状シリカ粒子としては、粒径比（長径短径）力 . 0〜1. 2 の球状シリ力粒子であることが好ましく、製膜性、ハンドリング性および絶縁性の観点から真球状のシリカ粒子であることが特に好ましい。

(2) 粒子配合態様（P - 2)

この態様（P— 2) は、下記の多孔質シリカ粒子 (A) あるいはこの粒子 (A) と下記球状シリカ（B) との組合せである。

多孔質シリカ粒子（A) は平均粒径が 0. 001〜0. 1 xmの一次粒子の凝集体から構成されることが好ましい。多孔質シリカ粒子 (A) はポリエチレン一 2, 6—ナフ夕レンジカルボキシレートに対して高い親和性を示すが、凝集体からなるために粗大粒子が存在することが多く、この粗大粒子がフィルム中に含まれるとコンデンサ用ポリエステルフィルムの性能低下を引き起こす原因となる。一次粒子の平均粒径が 0. 001 ^ m未満では粒子表面積が大きくなるため粒子同士が凝集しやすくなり、粗大な凝集体を生成するようになるため好ましくない。また、一次粒子の平均粒径が 0. 1 mを超えると粒子の多孔質性が失われるようになり、ポリエチレン一 2, 6 _ナフ夕レンジカルボキシレートに対する親和性が失われ、滑剤周辺にボイドが発生しやすくなり、絶縁特性が悪化するため好ましくない。フィルムの滑り性、エア抜け性の点から多孔質シリカ粒子 (A) の平均粒径は 0. 5〜 5 zmであることが好ましく、 0. 7〜4. であることがより好ましく、 1. 0〜3. 0 /imであること力 S特に好ましい。また、多孔質シリカ粒子 (A) の添加量は 0. 05〜2重量％であることが好ましく、さらに好ましくは 0. 07〜1. 8重量％、特に好ましくは 0. 1〜1. 5重量％である。

多孔質シリカ（A) 粒子の細孔容積は 0. 5〜2. OmlZgであることが好ましく、 0. 6〜1. 8m 1 Zgであることがさらに好ましい。細孔容積が 0. 5mlZg未満では、多孔質性に乏しくポリエチレン— 2， 6 _ナフ夕レンジ力ルポキシレートに対する親和性が失われるため好ましくない。また、細孔容積が 2. OmlZgを超えると凝集が起りやすくなり粒径の調整が困難になるため好この態様（P— 2) では、前記多孔質シリカ粒子 (A) が使用されるが、フィルム製造における押出し工程や回収工程での多孔質シリカ粒子 (A) の解碎による粒径低下に伴うフィルムの滑り性悪ィヒを抑制する目的で球状シリ力粒子 (B) が併用して添加することができる。

添加される球状シリカ粒子（B) は平均粒径が 0. 05〜1. であること力好ましく、フィルムを安定して製造するために、フィルム厚みよりも平均粒径を小さくすることが必要である。さらに、平均粒径がフィルム厚みの 90%以下であることが好ましく、フィルム厚みの 80 %以下であることが特に好ましい。また、球状シリカ粒子 (B) の添加量はフィルムの滑り性、巻取り性、コンデンザの製造工程での取扱い性の点から 0. 01〜1重量％であることが好ましく、 0. 03-0. 9重量％であることがより好ましい。さらに、球状シリカ粒子（B) は粒径比（長径 Z短径）力 U. 0〜1. 2であることが好ましい。

この態様（P— 2) は、多孔質シリカ粒子 (A) と、球状シリカ粒子 (B) の組合せが特に好ましい。

(3) 粒子配合態様 (P-3)

この態様 (P-3) は、下記炭酸カルシウム粒子 (A) あるいはこの粒子 (A) と下記板状ケィ酸アルミニウム粒子（B) との組合せである。

炭酸カルシウム粒子 (A) は、フィルムの滑り性、エア抜け性の点から平均粒径は 0. 2〜5 mであることが好ましく、 0. 3〜4 imであることがより好ましく、 0. 5〜3 mであることが特に好ましい。また炭酸カルシウム粒子（A) の添加量は 0. 03〜2重量％であること力好ましく、さらに好ましくは 0. 0 5〜1. 5重量％、特に好ましくは 0. 1〜1重量％である。

本発明に用いる炭酸カルシウム粒子 (A) としては、特に限定はされないが、天然に産出する石灰石、チョーク（白亜）、および石灰石から化学的方法によつて生成される沈降炭酸カルシウム等のカルサイト結晶、石灰乳に高温で炭酸ガスを反応させて得られるアルゴナィト結晶、パテライト結晶およびこれらを組合せたものが例示される。石灰石を機械的に粉碎して得られる重質炭酸力ルシゥム（力ルサイト結晶）も用いることができる。

この態様（P— 3) では、前記炭酸カルシウム粒子 (A) が使用されるが、板状ケィ酸アルミニウム粒子（B) を組合せて添加することができる。このケィ酸アルミニウム粒子（B) は平均粒径が 0. l〜2 xmであることが好ましく、 0. 3〜1. 7 xmであることがより好ましく、 0. 5〜1. 5 m であることが特に好ましい。また、添加量はフィルムの滑り性、コンデンサの製造工程での取扱い性の点から 0. 03〜1重量％であることが好ましく、 0. 0 6〜0. 8重量％であることがより好ましく、 0. 1〜0. 7重量％であることが特に好ましい。

板状ケィ酸アルミニウム粒子 (B) はアルミノケィ酸塩のことをいうものであり、特に限定はされないが、天然に産出するカオリン鉱物からなるカオリンクレ —等が例示される。さらに力オリンクレ一は水洗等の精製処理を施されたものであってもよい。

この態様（P— 3) は、炭酸カルシウム粒子 (A) とケィ酸アルミニウム粒子 (B) の組合せが特に好ましい。

(4) 粒子配合態様（P - 4)

この態様（P— 4) は、 2つのタイプの多孔質シリカ粒子 (A) および（B) の組合せである。この多孔質シリカ粒子 (A) および（B) は、いずれも平均粒径が 0. 01〜 0. 1 mの一次粒子の凝集体より構成される粒子である。多孔質シリカ粒子はポリエチレン一 2, 6—ナフ夕レンジカルポキシレート（P EN) に対して高い親和性を示す力凝集体からなるために粗大粒子が存在することが多く、この粗大粒子がフィルム中に含まれるとコンデンサ用ポリエステルフィルムの性能低下を引き起こす原因となる。一次粒子の平均粒径が 0. 01 x m未満では粒子表面積が大きくなるため粒子同士が凝集しやすくなり、粗大な凝集体を生成するようになるため好ましくない。また、一次粒子の平均粒径が 0. 1 mを超えると粒子の多孔質性が失われるようになり、 PENに対する親和性が失われ、滑剤周辺にボイドが発生しやすくなり、絶縁特性が悪化するため好まこの態様（P— 4) における多孔質シリカ粒子 (A) は、フィルムの滑り性、エア抜け性の点からその平均粒径は 0. 1 m以上 1. 5 m以下であり、 0. 3 m以上 0. 9 m以下が特に好ましい。この多孔質シリカ粒子 (A) は、多孔質シリカ粒子 (B) で形成される比較的大きい突起の間の地肌を細かく粗面化する役割を担う。粒子（A) の平均粒径が 0. 1 未満では地肌を粗面化する効果が弱く、滑り性が確保し難い。一方、 1. 5 zmを超えるとスペースファク夕が過大になり、容量不足になりやすく好ましくない。

一方多孔質シリカ粒子（B) の平均粒径は、 0. 7 wm以上 5. 0/ m以下であり、 1. l m以上 3. 0 m以下であること力特に好ましい。 0. 7 m未満ではエア抜けが不足して巻き姿力 S悪く、 5；を超えると粗大粒子が増えて絶緣欠陥が多くなり、スペースファクタが過大になり好ましくない。多孔質シリカ粒子（B)は、多孔質シリカ粒子（A)よりも平均粒径が大きいものが使用され、好ましくは平均粒径が 0. 1 m以上大きいものが使用される。

多孔質シリカ粒子の添加量は（A)および（B) ともに 0. 01重量％以上 2. 0重量％以下であり、（A) および（B) の合計量は 0. 1重量％以上 2. 0重量％以下、特に好ましくは 0. 5重量％以上 1. 5重量％以下である。添加量が上記範囲未満では滑剤作用が発揮されず、作業性が悪く使用できない。一方、添加量が上記範囲を超えるとスペースファクタが過大になり、好ましくない。多孔質シリカ粒子 (A) および（B) の細孔容積はいずれも 0. 5mlZg以上 2. Oml/g以下であり、 0. 6mlZg以上 1. 8mlZg以下であることが好ましい。細孔容積が 0. 5mlZg未満では、多孔質性に乏しく PENに対する親和性が失われるため好ましくない。また、細孔容積が 2. OmlZgを超えると凝集が起りやすくなり、粒径の調整が困難になるため好ましくない。ここで「平均粒径」とは、測定した全粒子の 50重量％の点にある粒子の「等価球形直径」を意味する。「等価球形直径」とは粒子と同じ容積を有する想像上の球（理想球）の直径を意味し、粒子の電子顕微鏡写真または通常の沈降法による測定から計算することができる。

これら多孔質シリカ粒子（A) および（B) の添加に際しては、長径が 35 μ mを超える粗大粒子の個数がフィルム中に 10個 Zm²以下、より好ましくは 8 個 Zm²以下、特に好ましくは 5個 m²以下となるようすることが望ましい。 1 0個 Zm²を超えると、フィルム生産時の破断頻発による生産性の低下や、コンデンサの絶縁欠陥の多発を招き、好ましくない。

粗大粒子の個数を上記範囲にするには、製膜時にポリマーを濾過して粗大粒子を除去する。その際フィル夕一として線径 1 5 At m以下のステンレス鋼細線よりなる平均目開き 1 0〜3 5 mの不織布型フィル夕一を用いるのが好ましい。前述した方法により得られた本発明のベースフィルムは、その片面あるいは両面に導電性金属薄膜を積層させることによって、コンデンサ用複合膜となる。ベ —スフイルムの表面に導電性金属薄膜を積層するには、蒸着法およびスパッタリング法が望ましく、特に蒸着法が好適である。

金属薄膜の厚みは、 0 . 0 1〜0 . 1 i mii子ましくは 0 . 0 3〜0 . 0 8 m である。金属としてはアルミニウム、亜鉛またはスズが挙げられるが、とりわけアルミニウムが好ましい。

本発明のフィルムコンデンサ用複合膜は、そのべ一スフィルムの表面特性および物性が優れているので、絶縁欠陥が極めて少ない高品質のコンデンサ部材となる。

すなわち、本発明の複合膜は絶縁破壊電圧が 2 0 O VZ mを満足しない個所 (絶縁欠陥）の数が 2 0個 Zm²以下、好ましくは 1 5個 Zm²以下のものとなる。また本発明の複合膜は、フィルムコンデンサ部材としての特性を示す C R値が優れている。この C R値は後述するように絶縁抵抗値と静電容量との積で表される。本発明の複合膜は、 C R値が 8 0 0 以上の値を有し、好ましくは 1 , 0 0 0 以上の値を有している。この C R値が 8 0 0 未満になると、複合膜の絶縁抵抗が不足し、フィルムコンデンサ部材として不適当なものとなる。本発明の複合膜は、フィルムコンデンサ部材として使用される。例えば複合膜は、巻回してコンデンサとして使用してもよく、また積層して使用してもよい。さらに積層してチップコンデンサとしても使用することができる。いずれにしても本発明の複合膜は、絶緣特性に優れしかも極めて薄いので小形のフィルムコンデンサの部材として利用される。

図面の簡単な説明

図 1は交流体積抵抗率を測定する装置の概略図である。図 1中の番号は下記の意味を有する。

1 ：測定サンプル

2 ：下部電極

3 ：上部電極

4 ：加熱装置

5 ：温度検出端

6 ：電源

7 ：読取温度計

8 ：電源

9 ：標準抵抗

10 ：エレク卜ロンメーター

11 ：保湿箱

以下実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例のみに限定されるものではない。なお、本発明における種々の物性値および特性の測定方法、定義は以下の通りである。

(1) ポリエチレン一 2, 6—ナフ夕レンジカルボキシレートの成分量（主成分モル比、共重合成分モル比）の算出

フィルムサンプルを測定溶媒（CDC 13： CF₃COOD= 1 : 1)に溶解後、 ¹H— NMR測定を行い、得られた各シグナルの積分比をもって算出する。

(2) 密度

硝酸カルシウム水溶液を用いた密度勾配管で、 25 °Cでの浮沈法により測定する。

(3) 固有粘度

0—クロ口フエノールを溶媒として用い、 25°Cで測定した値（単位： d 1 / g) である。

(4) 表面粗さ

(4- 1) 中心線表面粗さ（Ra)

中心線表面粗さ（Ra) は J I S B 0601で定義される値である。非接触式三次元粗さ計（小坂研究所製、 ET— 30HK) を用いて波長 780 nmの半導体レーザー、ビーム径 1. 6 mの光触針で測定長（Lx) lmm、サンプリングピッチ 2 / m、カツ卜オフ 0. 25mm,厚み方向拡大倍率 1万倍、横方向拡大倍率 200倍、走査線数 100本（従って、 Y方向の測定長 L y = 0. 2mm) の条件にてフィルム表面の突起プロファイルを測定する。その粗さ曲面を Z = F (x， y) で表したとき、次の式で得られる値（Ra、単位 nm) をフィルムの表面粗さとして定義する。

Ra=l/(LxLy) V V |f (x_fy) | dxdy

0 0

(4-2) 10点平均粗さ（R z)

ピーク（HP) の高い方から 5点と谷（Hv) の低い方から 5点をとり、その平均粗さを R ζとする。

_D (Hpl+Hp2+Hp3+Hp4+Hp5) - (Hvl+Hv2+Hv3+Hv4+Hv5)

(5) フライスペックおよび粗大粒子の数と大きさ

(5— 1) フライスペック

フィルム表面を万能投影機を用いて、偏光透過照明にて 50倍に拡大して測定面積 lm²に存在するフライスペックを観察、マ一キングする。さらに光学顕微鏡で各々のフライスペックを観察し、フライスペックの核およびその周辺に発生したボイドを含めて平均径（（最大径 +最小径） Z2) を求め、 60 imを超えるものの数を数えた。

(5-2) 粗大粒子

フィルム表面を万能投影機を用いて、透過照明にて 50倍に拡大して測定面積 lm²を観察し、フィルム中に存在する粒子のうち最大径が 35 mを超える粒子の数を数えた。

(6) フィルム厚みおよび厚みのバラツキ

製膜したフィルムの任意の場所から縦 10 cmx横 10 cmのサンプルを縦、横ともに 1 0 cm以上の間隔をおいて 50枚採取する。各々のサンプルについて幅（cm) 、長さ（cm) 、重量（g) 、密度（gZcm³) から厚み T (tim) を下式で算出し、さらに 50サンプルの平均厚み T a Vを求めてフィルム厚みとする。

また、上述の 50サンプルの中の最大厚み Tm a xと最小厚み Tm i nの差を求め、平均厚み T a Vに対する割合を下式で算出して厚みのバラツキとする。厚み T ( m) = (重量 Z (幅 X長さ X密度）） X 1 0, 00 0

平均厚み T a v C zm) = (Τ 1 +Τ 2 + · · · +T 5 0) / 5 0 厚みのバラツキ（％)

= ( (最大厚み Tma X—最小厚み Tm i η) Ζ平均厚み T a v) X 1 0 0 ( 7) 熱収縮率およびその比

20 0°Cに温度設定されたオーブンの中に無緊張状態で 1 0分間フィルムを保持し、縦方向（MD) 、横方向（TD) 各々にっき加熱処理前後での寸法変化を熱収縮率として下式により算出し、これらの値をもって熱収縮率の比を求める。

熱収縮率 ( (L 0— L) ZL 0) X 1 00

L 0 ：熱処理前の標点間距離

L ：熱処理後の漂点間距離

熱収縮率の比（MDZTD) = (縦方向の熱収縮率/横方向の熱収縮率） ( 8 ) 一次粒子の平均粒径および不活性微粒子の粒径比

(8 - 1) 一次粒子の平均粒径

サンプルとなる粉体の個々の粒子を散在させ、金スパッター装置によりこの表面に金属蒸着 J3莫を厚み 2 00〜300オングストロームで形成させ、走査型電子顕微鏡にて 1〜 3万倍で観察し、日本レギユレター（株）製ル一ゼックス 5 00 にて画像処理し、 1 00個の面積相当粒径 (D i ) を求めた。下式で表される面積相当径（D i ) の数平均値を平均粒径（D) とした。

D=(∑Di)Zn

(8 - 2) 不活性微粒子の粒径比上記の粒径と同様な方法により、サンプルとなる粒子 100個の長径（D 1 i)、短径（Ds i) から長径（D 1) 、短径（Ds) を各々求め、長径（D 1) と短径（D s) との比（D lZD s) から粒径比を算出した。

n

Dl=(∑Dli)/n

Ds=(∑Dsi)Zn

(9) 微粒子の平均粒径

(9- 1) 粉体の平均粒径

島津製作所製 CP 50型セントリフユダルパーティクルサイズアナライサ一 (Ce n t r i f uga l P a r t i c l e S i z e An a l y s e r) を用いて測定した。得られた遠心沈降曲線を基に算出した各粒径の粒子とその存在量との累積曲線から、 50マスパーセント（ma s s p e r c e n t ) に相当する粒径を読み取り、この値を平均粒径とする。（「粒度測定技術」、日刊工業新聞社発行、 1975年、 p. 242- 247参照）

(9-2) フィルム中の微粒子の粒径および粒径比

試料フィルム小片を走査型電子顕微鏡用試料台に固定し、日本電子（株）製スパッ夕リング装置（J I S— 1100型イオンスパッタリング装置）を用いてフイルム表面に、 0. 13Paの真空下で 0. 25 kV、 1. 25mAの条件でィオンエッチング処理を 10分間施す。さらに、同じ装置で金スパッ夕一を施し、走査型電子顕微鏡を用いて 1万〜 3万倍で観測し、日本レギユレ一夕一（株）製ルーゼックス 500にて、少なくとも 100個の粒子の長径（D 1 i ) 、短径（D s i) および面積相当粒径（D i) を求める。下式で表される面積相当粒径 (D i) の数平均値を平均粒径 (D) とする。

D= ∑ Di n

上記長径の平均値を D 1、短径の平均値を D sとし、粒径比は D 1 ZD sとして算出する。 (10) 細孔容積

窒素吸脱着法で測定し、 BET式で算出した。

(1 1) 絶縁破壊電圧（BDV)

J I S C 2318に示す方法に従って測定し、 n = 100の最小値を絶縁破壊電圧（BDV) とした。

本発明において、絶縁破壊電圧は 220VZ m以上であることが好ましく 2

40 VZ zm以上であることが特に好ましい。

(12) フィルムの製膜性

二軸延伸フィルムを 24時間連続で製膜したときのフィルムの製膜状態を観察し、下記の基準で評価した。

◎：破断回数は 0回 / 24時間であり、ピニングワイヤーの電圧を半減しても破断回数は増加せず、広範な製膜条件で極めて安定な製膜が可能。

〇：破断回数は 0回 Z 24時間であり、ピニングワイヤーの電圧を半減すると破断回数が 1〜3回 Z24時間増えるが、極めて安定な製膜が可能。

Δ：破断回数は 1〜 3回 Z 24時間であり、安定な製膜が可能。

X ：破断回数は 4回以上 Z24時間であり、製膜が不安定。

(13) フィルムロールの巻姿

製膜 ·スリット時およびコンデンサ加工における蒸着後の各段階において、幅

55 OmmX長さ 10, 00 Omのフィルムをそれぞれロールに巻き取り、その状態の巻姿を肉眼にて観察し、下記の基準で評価した。

◎：製膜 ·スリット時および蒸着後ともに表面のシヮゃ巻ズレ等がない極めて良好な巻姿。

〇：製膜 ·スリット時または蒸着後のいずれかで、軽度の表面のシヮゃ巻ズレ等が確認されるが実用上は問題とならない良好な巻姿。

X：製膜 ·スリット時または蒸着後のいずれかで、実用上問題となる程度の表面のシヮゃ巻ズレ等が確認される不十分な巻姿。

(14) 交流体積抵抗率

図 1に示す装置を用いて測定する。測定サンプルは厚さが約 150 になるようにフィルムを重ねる。直径 20 cmの円柱状下部電極 2の上面に、 150 mの平行な間隙が保持できる直径 5. 6 c m、厚さ 0. 2 c mの上部電極 3を配し、この間に測定サンプル 1が電極と密着するようにして挿入する。

下部電極 2は加熱装置 4と温度検出端 5を内蔵し、下部電極 2の表面温度の測定面におけるバラツキが 1°C以内、検出端部分との温度差が昇温速度 8 °CZ分において 2°C以内となるように構成する。なお、検出温度は読取温度計 7で測定する。電極の全体は保温箱 1 1中に配置する。

電源 8はその発生電圧を標準抵抗 9を介して両電極間に印加するが、該電源は 100 v、 50Hzを発生する電源である。この回路に流れる電¾£は標準抵抗 9 の両端に発生する電圧を、内部インピーダンスが 100ΜΩ以上のエレクトロンメ一夕一 10で読取る。

フィルムの溶融時の交流体積抵抗率の測定は上記装置により、下部電極の昇温速度が 8 °CZ分、測定温度 300 °Cにて行い、交流体積抵抗率 Zは、印加電圧 E、電流し電極面積 S、電極間隔 dより、次式で求められる。

Z= (EZI) X (SZd)

(15) CR値

J I S C 2318に示す方法に準じて、 12 mm幅にスリツトしたフィルムサンプルと厚み 7 rn, 幅 14mmのアルミニウム箔を片側のマージン幅として 2. 5 mmを維持しながら重ね合わせた状態のものを 2組用意し、各々のマ一ジンが試料の両端になるように配置して有効面積が 10, 000mm²となるように巻取り試料を作成する。試料を 120 °Cの温度下で 5分間 2 M P aの圧力でプレスする。この試料を（株）力] 製サーモキーパ一（THK— 21— 1) で 100°Cに保ち、試料の両端を安藤電気（株）製 LCRメーター（AG— 4 301) と接続し、印加電圧 100 Vで絶縁抵抗値（Ω) を測定し、その後 l k Hzにおける静電容量（nF) を測定する。得られた絶縁抵抗値および静電容量から C R値を下記式により算出する。

C尺値=絶縁抵抗値 X静電容量

(16) フィルムコンデンサ用複合膜の絶縁欠陥の評価金属薄膜を有するフィルムコンデンサ用複合フィルムを用いて J I S C 2 151に示す方法に準じて試験を行う。ただし、試験電圧は複合フィルムのべ一スフイルムの厚み 1 に対して 200 Vとする。試験片 100個について試験を行い、試験面積 lm²における欠陥数を数える。欠陥数が 20個以下を合格とした。

(17) フィルムコンデンサの絶縁不良率

幅 12mmX長さ 1, 000 mmのフィルムの片面に金属薄膜を幅方向に片側のみ 2. 5 mmのマージンが形成されるように貼り合わせた複合フィルムを 2枚準備した。そして、これらのフィルムを、それぞれの幅方向と長さ方向とが同じで、それぞれの金属薄膜が直接接触せず、しかも、それぞれのマ一ジンが異なる辺に位置するように重ね合せた状態で巻取った後、 120°Cの温度下で 5分間 2 MP aの圧力でプレスして 1個の測定試料を作成する。この試料を J I S C 2318に示す方法に準じて破壊電圧（V) を測定し、試料を構成するべ一スフイルムの厚みで破壊電圧を除した値（VZwm) を絶縁破壊電圧とした。絶縁破壊電圧が 200 V//xmを満たさない試料の発生率が測定全数に対して 10 %以下が合格である。実施例

実施例 1

2, 6—ナフ夕レンジカルボン酸ジメチル 100部およびエチレングリコール 60部をエステル交換触媒として酢酸マンガン四水塩 0. 03部を使用し、常法に従ってエステル交換反応をさせた後、トリメチルフォスフェート 0. 023部を添加して実質的にエステル交換反応を終了させた。ついで、三酸化アンチモン 0. 024部を添加し、引き続き高温、高真空化で常法にて重合反応を行い、固有粘度 0. 62 d 1 /gおよびガラス転移点温度 121°Cのポリエチレン一 2， 6—ナフ夕レンジカルボキシレート（PEN) を得た。なお、エステル交換触媒を添加する際に、該 PENポリマーは、滑剤として平均粒径 1. 0 mの炭酸力ルシゥム粒子と平均粒径 0. のカオリンクレー粒子とを、それぞれ PEN ポリマ一中に占める割合が 0. 45重量％と0. 30重量％とになるように添加されている。

この PENポリマーを、 170°Cで 5時間乾燥してから押出し機に供給し、溶融温度 295 °Cで溶融状態にした。そして、この溶融状態の PENポリマーを、線径 14 のステンレス鋼細線からなる平均目開き 30 mの不織布型フィル夕一でろ過した後、開度 1 mmのスリット状ダイを通して押出し、表面仕上げ 0. 3 Sの回転ドラム上にピンニングワイヤ一（SUS線（0. Ιππηφ) 、印加電圧：直流 3 k V) により密着固化させて未延伸フィルムを作製した。

この未延伸フィルムを、該フィルムの縦方向（機械軸方向）および横方向（幅方向）に逐次 2軸延伸（135°Cで縦方向に 1. 7倍に延伸し、引続き 145°C で縦方向に 2倍に延伸（総縦延伸倍率 3. 4倍）した後、横方向に 140°Cで 3. 6倍に延伸）した後、 232°Cで 3秒間熱固定して、厚みが 2. 0 xmの二軸配向フィルムとして、ロールに巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 1に示す。

実施例 2

実施例 1において不織布型フィルターの平均目開きを 35； mとした以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 1に示す。実施例 3

実施例 1においてポリマーの重合段階で滑剤をあらかじめ平均目開きが 40 のフィルターでろ過した後に添加してポリマーを重合した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 1に示す。

実施例 4〜 7

実施例 1において添加する滑剤種類、粒径、添加濃度を表 1に示したように変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 1に示す。

実施例 8

実施例 1において、縦方向（機械軸方向）の延伸を 145°Cで一度に 3. 2倍とし、その後の横方向の延伸倍率を 4倍とし、熱固定温度を 225°Cとした以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 1に示す。

実施例 9

実施例 1において、縦方向（機械軸方向）の延伸を 135°Cで 2倍、引続き 1 35でで1. 9倍（総縦延伸倍率 3. 8倍）とし、その後の横方向の延伸倍率を 4. 1倍とした以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 1に示す。

実施例 10

2, 6—ナフタレンジカルボン酸ジメチル 94部、テレフタル酸（TAと省略することがある） 6部、エチレングリコール 60部をエステル交換触某として酢酸マンガン四水塩 0. 03部を使用し、滑剤として平均粒径 1. 0 xmの炭酸力ルシゥム粒子 0. 45重量％ぉよび平均粒径 0. 7 mのカオリンクレ一粒子を 0. 30重量％含有するように添加して、実施例 1と同様にエステル交換反応、重合反応を行い、固有粘度 0. 60 d 1 Zgおよび Tg 1 16°Cのポリエチレン一 2， 6—ナフ夕レート共重合体（TA共重合 PEN) を得た。

この TA共重合 PENポリマ一を 150°Cで 5時間乾燥させた後、押出し機に供給し、溶融温度 285°Cで溶融して実施例 1と同様にして未延伸フィルムを作製した。そして、該未延伸フィルムを、逐次 2軸延伸（130°Cで縦方向に 2倍に延伸し、引続き縦方向に 135°Cで 1. 8倍（総縦延伸倍率 3. 6倍）に延伸した後、 135°Cで横方向に 4倍に延伸）した後、 225°Cで 3秒間熱固定し、厚みが 2. 0 mの二軸配向フィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 1に示す。実施例 1 実施例 2 実施例 3 実施例 4 実施例 5 実施例 6 実施例 7 実施例 8 実施例 9 ¾5®夕 ϋ 1 υ 主成分ポリマー PEN PEN PEN PEN PEN PEN PEN PEN PEN r b IN ホ圆瞧 92¾ リ主成分モ W 画画謹顏 ■ 画瞧

共重合成分 ― 一 ― 一 T A

―

I 共重合成分モ《 ― 一 —

一

Tg 121 121 121 121 121 121 121 121 121 116 交流体積抵抗率 19 19 19 19 19 19 19 19 19 19

(10⁸Qcm)

滑剤（1) 種類炭藝シゥム炭動ルシゥム炭戲ルシゥム炭動ルシゥム炭翻ルシゥム炭藝シゥム炭翻ルシゥム炭藝シゥム炭藝シゥム炭動ルシゥム平均粒径 ( ϊΏ) 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 添加濃度 (wt¾) 0.45 0.45 0.45 0.7 0.15 0.3 0.35 0.45 0.45 0.45 滑剤（2) 種類カオリンクレ- カオリンクレ- カオリンクレ- カオリンクレ- カ才リンクレ- カ才リンクレ- 球状シリカカ才リンクレ- カオリンクレ- カ才リンクレ- 平均粒径（ im) 0.6 0.6 0.6 0.6 0.6 1 0.1 0.7 0.7 0.7 添加濃度 (wt¾) 0.3 0.3 0.3 0.1 0.75 0.15 0.8 0.3 0.3 0.3

表 1 (続き）

比較例 1〜 3

実施例 2において、添加する滑剤の種類、粒径および添加濃度を表 3に示したように変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 2に示す。

比較例 4

実施例 1において、不織布型フィル夕一の平均目開きを 45 とした以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 2に示す。比較例 5

実施例 1において、縦方向の延伸を 130°Cで 2倍に延伸し、弓 I続き 135°C で 1. 3倍（縦延伸倍率 2. 6倍）に延伸とし、その後の横方向の延伸倍率を 2. 8倍に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 2に示す。

比較例 6

実施例 1において、縦延伸温度および横延伸温度を共に 115°Cとし、熱固定温度を 200°Cとした以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 2に示す。

比較例 7

2, 6—ナフ夕レンジカルボン酸ジメチル 89部、テレフタル酸（TAと省略することがある） 1 1部、エチレングリコール 60部をエステル交換触媒として酢酸マンガン四水塩 0. 03部を使用し、滑剤として平均粒径 1. 0 mの炭酸カルシウム粒子 0. 45重量％および平均粒径 0. 7 mのカオリンクレー粒子を 0. 30重量％含有するように添加して、実施例 1と同様にしてエステル交換反応および重合反応を行い、固有粘度 0. 58 d lZgおよび Tg 1 13°Cのポリエチレン一 2， 6—ナフ夕レー卜共重合体（TA共重合 PEN) を得た。この T A共重合 PENポリマーを 140°Cで 5時間乾燥させた後、押出し機に供給し、溶融温度 285で溶融して実施例 1と同様にして未延伸フィルムを作製した。そして、該未延伸フィルムを逐次 2軸延伸（120°Cで縦方向（機械軸方向）に 1. 8倍に延伸し、引続き縦方向に 130°Cで 2倍（縦延伸倍率 3. 6倍）に延伸し、 130°Cで横方向（幅方向）に 3. 8倍に延伸）し、その後 220°Cで 3秒間熱固定し、厚みが 2. 0 /mの二軸配向フィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 2に示す。

表 2 比較例 1 比較例 2 比.較例 3 比較例 4 比較例 5 比較例 6 比較例 7 主成分ポリマー PEN PEN PEN PEN PEN PEN PEN 小

主成分モ½ 画 100% 讓 100% 薩讓 85¾ マ共重合成分 ― ― 一 ― ― ― TA

1 共重合成分モ W ― ― ― 一 ― 一 15¾

Tg 121 121 121 121 121 121 113 交流体積抵抗率（10⁸Qcm) 19 19 19 19 19 19 19 滑剤（1) 種類カ才リンクレ- 炭藝シゥム球状シリカ炭動ルシゥム炭麵シゥム炭シゥム炭藝シゥム平均粒径（im) 0.6 1 0.4 1 1 1 1 添加濃度（w ） 0.3 0.3 0.4 0.45 0.45 0.45 0.45 滑剤（2) 種類カオリンクレ- カオリンクレ- カオリンクレ- カオリンクレ- カオリンクレ- カオリンクレ- 平均粒径（zm) 0.6 2 0.6 0.6 0.6 0.7 添加濃度（W ） 0.3 0.1 0.3 0.3 0.3 0.3

表 2 (続き）職怖 Itt顿 7 延伸倍率夕丁倍 3.4 3.4 3.4 3.4 2.6 3.4 3.4 ョコ倍 o · u 3 6 3.6 3.6 3.6 3.6 3.6 熱固定温度 232 232 232 232 232 200 220 フ厚み（/·ίπτ) 2 2 2 2 2 2 2 ィ厚みのバラツキ（％) 1 15 31 10 28 ルフライスへ °ック Οβθμπύ 数（gtf) 31 27 0 34 0 24 6 ム粗大粒子 035 m) \m (W 12 2 0 14 0 0 0 表面粗さ（Ra) (nm) 70 77 38 71 67 59 65

(R z) (nm) 1 Qc:n qnn 1 finn 1 1500 固有粘度（dl/g) 0.54 0.54 0.54 0.54 0.54 0.54 0.49 密度（g/cm³) 1.352 1.352 1.352 1.352 1.353 1.342 1.345 熱収縮率（200°CX10分）夕テ％ 2.2 2.2 2.2 2.2 2 2.8 3.4

33% 4. 4 ? 9 4, 4

熱収縮率比 (MD/1D 0.55 0.55 0.55 0.55 0.91 0.64 0.92 絶縁破壊電圧（BDV) V/ m 225 1 0 230 フィルムの製膜性 Δ Δ 〇〇 Δ Δ △ フィルムロールの巻姿 ◎ ◎ X ◎ X ◎ X 総合評価 X X X X X X X 導電性膜種類アルミニウムアルミニウムアルミニウムアルミニウムアルミニウムアルミニウムアルミニウム膜厚（オングストローム） 600 600 600 600 600 600 600

O

膜 CR値（100°C) (QF) 800 600 700 1600 1600 1000 1300 絶縁欠陥箇所（個/ m²) 26 22 0 28 0 21 4 絶縁不良率（％) 15 12 0.1 17 0.1 11 1 口

PP

実施例 1 1〜 13

2, 6—ナフタレンジカルボン酸ジメチル 100部およびエチレングリコール 60部を、エステル交換触媒として酢酸マンガン · 4水塩 0. 03部を添加し、 150°Cから 240°Cに徐々に昇温しながらエステル交換反応を行った。途中反応温度が 170°Cに達した時点で三酸化アンチモン 0. 024部を添加し、さらに滑剤として平均粒径 1. 0 mの炭酸カルシウムを表 3記載の量添加した。次いで反応温度が 220°Cに達した時点で 3, 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩 0. 042咅 (2mmo 1 %に相当）を添加し、引き続いてエステル交換反応を行い、エステル交換反応終了後に燐酸トリメチル 0. 023部を添加した。その後反応生成物を重合反応器に移し、 290°Cまで昇温し、 30 P a以下の高真空下にて重縮合反応を行い、 25°Cの o—クロロフェノール溶液で測定した固有粘度が 0. 61 d 1 Zgおよびガラス転移点温度が 121°Cのポリエチレン一 2， 6_ナフ夕レンジカルポキシレート（PEN) を得た。

このポリマーを 170°Cにおいて 6時間乾燥させた後、押出機に供給し、溶融温度 310°Cで溶融した。そして、この溶融状態の PENポリマーを、線径 14 mのステンレス鋼細線からなる平均目開き 30 mの不織布型フィルタ一でろ過した後、スリット状のダイを通して、表面仕上げ 0. 3 Sの回転ドラム上にピンニングワイヤー（SUS線（0. lmrnc 、印加電圧：直流 3 kV) により密着固化させ未延伸フィルムを得た。

この未延伸フィルムを、該フィルムの縦方向と横方向に逐次 2軸延伸（140°C で縦方向に 3. 6倍に延伸し、次いで 140°Cで横方向に 3. 9倍延伸）し、さらに 232 °Cで 5秒間熱固定処理し、厚みが 2 Aimの二軸配向 PENフィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 3に示す。なお、これらのフィルムのスペースファクタは 4〜 15 %で問題はなかった。実施例 14

実施例 11において、炭酸カルシウムを、平均粒径 0. 8 mにし、その添加濃度を 0. 75重量％に変更し、かつ、 3， 5 - 酸テトラブチルホスホニゥム塩を 3， 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニゥム塩にし、その添加量を 2mmo 1 %とした以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 3に示す。実施例 15

実施例 11において、炭酸カルシウムを、平均粒径 1. 2 zmにし、その添加濃度を 0. 5重量％に変更し、かつ、 2， 6—ナフ夕レンジカルボン酸ジメチルを 2， 6—ナフタレンジカルボン酸ジメチルとイソフタル酸 ( I A) とがモル比 95 ： 5の混合物に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 3に示す。

表 3

»iJl 1 u2 »ijl3 »!J14 W15 主成分ポリマー PEN PEN PEN PEN PEN ポ

11 主成分モ醒讓

'ソ ■ 讓 95¾ マ共重合成分 ― ― ― 一 I A

1 共重合成分モ ½ ― ― 一一 5%

Tg 121 121 121 121 118

4級ホスホニゥム塩 C C C D C 添加量（mmol%) 2 9 0.2 2 2 交流体積抵抗率（10⁸Qcm) 2 0.7 8 2.2 1.8 滑剤（1) 種類炭麵シゥム炭歸シゥム炭藝シゥム炭シゥム炭翻ルシゥム平均粒径 m) 1 1 1 0.8 1.2 添加濃度（wt%) 0.45 0.45 0.45 0.75 0.5 滑剤（2) 種類カオリンクレ- カオリンクレ- カ才リンクレ- カオリンクレ- カオリンクレ- 平均粒径（//m) 0.6 0.6 0.6 0.6

添加濃度（w ） 0.3 0.3 0.3 0.3

表 3 (続き）

実施例 16

実施例 1において、添加する滑剤を平均粒径 1. 3 imの球状シリ力粒子および平均粒径 0. 2 U mの球状シリ力粒子に変更し、それぞれの添加量を 0. 35 重量％および 0. 25重量％に変更し、かつ、不織布型フィル夕一の平均目開きを 25 mに変更した以外は同様にして、未延伸フィルムを作製した。そして、この未延伸フィルムを、逐次 2軸延伸（縦方向に 130°Cで 1. 4倍に延伸し、引続き 135°Cで縦方向に 2. 5倍に延伸（総縦延伸倍率 3. 5倍）した後、 1 35 °Cで横方向に 4. 0倍に延伸）し、その後 230°Cで 3秒間熱固定し、厚みが 2. 5 mの二軸配向フィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 4に示す。

実施例 17

実施例 16において、平均目開きが 20 の焼結金属型フィルターを使用した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 4 に示す。

実施例 18および比較例 8

実施例 16において、添加する滑剤の平均粒径および添加濃度を表 4記載のように変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 4に示す。

実施例 19

実施例 11において、添加する滑剤を平均粒径 1. 3 mの球状シリ力粒子および平均粒径 0. 2 wmの球状シリカ粒子に変更し、それぞれの添加量を 0. 3 5重量％および 0. 25重量％に変更し、かつ、不織布型フィルターの平均目開きを 25 zmに変更した以外は同様にして、未延伸フィルムを作製した。そして、この未延伸フィルムを、逐次 2軸延伸（縦方向に 130°Cで 1. 4倍に延伸し、引続き 135°Cで縦方向に 2. 5倍に延伸（総縦延伸倍率 3. 5倍）した後、 1 35 °Cで横方向に 4. 0倍に延伸）し、その後 230°Cで 3秒間熱固定し、厚みカ^. 2 mの二軸配向フィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 4に示す。実施例 2 0

実施例 1 9において、添加する滑剤を平均粒径 0 . 6 mの球状シリ力粒子および平均粒径 0 . 3 /i mの球状シリカ粒子に変更し、それぞれの添加量を 0 . 6 重量％および 0 . 5重量％に変更し、かつ、 3， 5 —ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩の添加量を 9 mm o 1 %とした以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 4に示す。実施例 2 1

実施例 1 9において、 3 , 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩を 3， 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニゥム塩に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 4に示す。

表 4

実施例 22

実施例 1において、添加する滑剤を平均粒径 2. 0 111の多^^質シリ力粒子および平均粒径 0. 6 /imの球状シリカ粒子に変更し、それぞれの添加量を 0. 3 5重量％および 0. 25重量％に変更し、かつ、不織布型フィル夕一の平均目開きを 28 mに変更した以外は同様にして、未延伸フィルムを作製した。そして、この未延伸フィルムを、逐次 2軸延伸（縦方向に 135°Cで 1. 75倍に延伸し、弓 I続き 145 °Cで縦方向に 2倍に延伸（総縦延伸倍率 3. 5倍）した後、 150°C で横方向に 3. 8倍に延伸）し、その後 235 °Cで 3秒間熱固定し、厚みが 2. 0 の二軸配向フィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 5に示す。

実施例 23

実施例 22においてポリマーの重合段階で滑剤をあらかじめ平均目開きが 30 ^のフィルターでろ過した後に添加してポリマ一を重合した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 5に示す。

実施例 24

実施例 22において、添加する滑剤を平均粒径 1. 7 mの多孔質シリ力粒子および平均粒径 0. 4 z mの球状シリカ粒子に変更し、それぞれの添加量を共に 0. 4重量％に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 5に示す。

実施例 25

実施例 22において、逐次 2軸延伸における縦方向の延伸を、 145°Cで 3. 5倍に一度での延伸に変更した以外は同様にして製膜を行つた。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 5に示す。

比較例 9

実施例 22において、添加する滑剤を平均粒径 3. 5 の多孔質シリカ粒子および平均粒径 0.ら mの球状シリ力粒子に変更し、それぞれの添加量を 0. 2重量％および 0. 1重量％に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 5に示す。実施例 26

実施例 1 1において、添加する滑剤を平均粒径 2 mの多孔質シリカ粒子および平均粒径 0. 6 xmの球状シリカ粒子に変更し、それぞれの添加量を 0. 35 重量％および 0. 25重量％に変更し、かつ、不織布型フィルタ一の平均目開きを 28 に変更した以外は同様にして、未延伸フィルムを作製した。そして、この未延伸フィルムを、逐次 2軸延伸（縦方向に 140°Cで 3. 6倍に延伸した後、 140°Cで横方向に 3. 9倍に延伸）し、その後 232 °Cで 5秒間熱固定し、厚みが 2. 2 μηιの二軸配向フィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 5に示す。

実施例 27

実施例 26において、多孔質シリカ粒子と球状シリカ粒子との添加量を、それぞれ 0. 4重量％と 0. 2重量％に変更し、かつ、 3， 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩を 3， 5ージカルボキシベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニゥム塩に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 5に示す。

表 5

表 5 (続き）

実施例 28

実施例 1において、添加する滑剤を細孔容積 1. 2ml/g、一次粒子径 0. 05 imおよび平均、粒径 1. 7 の多孔質シリ力粒子に変更し、その添加量を 0. 5重量％に変更した以外は同様にして、未延伸フィルムを作製した。そして、この未延伸フィルムを、逐次 2軸延伸（縦方向に 140°Cで 3. 6倍に延伸した後、 140°Cで横方向に 3. 9倍に延伸）し、その後 232 °Cで 5秒間熱固定し、厚みが 2. 0 /mの二軸配向フィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 6に示す。

実施例 29

実施例 28において、添加する滑剤を細孔容積 1. 2 m 1 、一次粒子径 0. 02 /mおよび平均粒径 2. 7 mの多孔質シリカ粒子に変更し、その添加量を 0. 35重量％に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 6に示す。

実施例 30

実施例 28において、多孔質シリカ粒子の平均粒径を 2. 0/imに変更し、その添加量を 0. 45重量％に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 6に示す。

実施例 31

実施例 1 1において、添加する滑剤を細孔容積 1. 21111 ^、ー次粒子径0. 05 mおよび平均粒径 1. 7 / mの多孔質シリカ粒子に変更し、その添加量を 0. 5重量％に変更した以外は同様にして、未延伸フィルムを作製した。そして、この未延伸フィルムを、逐次 2軸延伸（縦方向に 140°Cで 3. 6倍に延伸した後、 140°Cで横方向に 3. 9倍に延伸）し、その後 232 °Cで 5秒間熱固定し、厚みが 2. 0 mの二軸配向フィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 6に示す。

実施例 32

実施例 31において、添加する滑剤を細孔容積 1. 2 m 1 Z g、一次粒子径 0. 02 xmおよび平均粒径 2. 7 mの多孔質シリカ粒子に変更し、その添加量を 0. 35重量％に変更し、かつ、 3, 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩の添加量を 9mmo 1 %に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 6に示す。

実施例 33

実施例 31において、多孔質シリカ粒子の平均粒径を 2. 0 mに変更し、その添加量を 0. 45重量％に変更し、かつ、 3， 5—ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩の添加量を 9 mmo 1 %に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 6に示す。

表 6

表 6 (続き）

C

実施例 34

実施例 1において、添加する滑剤を細孔容積 1. 2mlZg、一次粒子径 0. 05 M mおよび平均粒径 0. 6 mの多孔質シリ力粒子と細孔容積 1. 2 m 1 Z g、一次粒子径 0. 05 Z mおよび平均粒径 2. 0 mの多孑し質シリ力粒子とに変更し、それぞれの添加量を 0. 25重量％と0. 35重量％にした以外は同様にして、未延伸フィルムを作製した。そして、この未延伸フィルムを、逐次 2軸延伸（縦方向に 140°Cで 3. 6倍に延伸した後、 140°Cで横方向に 3. 9倍に延伸）し、その後 235°Cで 5秒間熱固定し、厚みが 2. 0 xmの二軸配向フィルムとしてロールに巻き取つた。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 7に示す。

実施例 35

実施例 34において、添加する滑剤を細孔容積 1. 1 m 1 Z g、一次粒子径 0. 06 Aimおよび平均粒径 0. 3 Atmの多孔質シリ力粒子と細孔容積 1. 8 m 1 Z g、一次粒子径 0. 02 mおよび平均粒径 2. 7 pi mの多孔質シリ力粒子に変更し、それぞれの添加量を 0. 30重量％と0. 30重量％にした以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 7に示す。実施例 36

実施例 34において、添加する滑剤を細孔容積 1. 2 m 1 Z g、一次粒子径 0. 05 mおよび平均粒径 0. 4 Atmの多孔質シリカ粒子と細孔容積 0. 9mlZ g、一次粒子径 0. 05 mおよび平均粒径 1. 7 a mの多孔質シリ力粒子に変更し、それぞれの添加量を 0. 40重量％と 0. 40重量％にした以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 7に示す。実施例 37

実施例 11において、添加する滑剤を細孔容積 1. 2 m 1 / g、一次粒子径 0. 05 imおよび平均粒径 0. 6 mの多孔質シリカ粒子と細孔容積 1. 2m 1Z g、一次粒子径 0. 05/i mおよび平均粒径 2. 0 n mの多孔質シリ力粒子とに変更し、それぞれの添加量を 0. 25重量％と0. 35重量％にした以外は同様にして未延伸フィルムを作製した。そして、この未延伸フィルムを、逐次 2軸延伸（縦方向に 140 °Cで 3. 6倍に延伸した後、 140 °Cで横方向に 3. 9倍に延伸）し、その後 232 °Cで 5秒間熱固定し、厚みが 2. 0 mの二軸配向フィルムとしてロールに巻き取つた。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 6 に示す。

実施例 38

実施例 37において、添加する滑剤を細孔容積 1. 1 m 1 / g、一次粒子径 0. 06 および平均粒径 0. 3 imの多孔質シリ力粒子と細孔容積 1. 8ml / g、一次粒子径 0. 02/i mおよび平均粒径 2. 7 mの多孔質シリ力粒子に変更し、それぞれの添加量を 0. 30重量％と 0. 30重量％にし、かつ、 3， 5 —ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩の添加量を 9 m mo 1 %に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 6に示す。

実施例 39

実施例 37において、添加する滑剤を細孔容積 1. 2 m 1 Z g、一次粒子径 0. 05 および平均粒径 0. 4 mの多孔質シリカ粒子と細孔容積 0. 9ml / g、一次粒子径 0. 05 / mおよび平均粒径 1. Ί mの多孔質シリ力粒子に変更し、それぞれの添加量を 0. 40重量％と0. 40重量％にし、かつ、 3, 5 —ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニゥム塩の添加量を 9m mo 1 %に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表 7に示す。

表 7 删34 纖列 35 »J36 綱37 i38 l»J39 主成分ポリマー PEN PEN PEN PEN PEN PEN 主成分モル¾ 謹瞧 100% 100% 謹 100% ポマリ Tg 121 121 121 121 121 121

4級ホスホニゥム塩一一一 C C C 添加量（ramo ） ― 一 ― 2 9 0.2 交流体積抵抗率 (1 0⁸Qcm) 19 19 19 2 0.7 8 滑剤（1) 種類多飾リカ多韻シリカ多?し質シリカ多? シリカ多孔質シリカ多孔質シリカ滑剤細孔容積（ml/g) 1.2 1.1 1.2 1.2 1.1 1.2 一次粒子径（ m) 0.05 0.06 0.05 0.05 0.06 0.05 平均粒径 (ιιντύ 0.6 0.3 0.4 0.6 0.3 0.4 添加濃度 (wt¾) 0.25 0.3 0.4 0.25 0.3 0.4 滑剤（2) 種類多? シリカ多孔質シリカ多孔質シリカ多? LHシリカ多孔質シリカ多孔質シリカ滑剤細孔容積（ml/g) 1.2 1.8 0.9 1.2 1.8 0.9 一次粒子径（ m) 0.05 0.02 0.05 0.05 0.02 0.05 平均粒径（ ΠΤ) 2 2.7 1.7 2 2.7 1.7 添加濃度（w ） 0.35 0.3 0.4 0.35 0.3 0.4

表 7 (続き）

Claims

請求の範囲

1. ポリエチレン一 2， 6—ナフタレンジカルボキシレートを主たるポリマ一成分として形成された二軸配向フィルムの表面に導電性金属薄膜を有するフィルムコンデンサ用複合膜であって、該ニ軸配向フィルムは、その表面における平均径が 60 m以上のフライスペックの個数は 20個 Zm²以下であり、かつ該複合膜は、絶縁破壊電圧が 200 VZ xmを満足しない個所（絶縁欠陥）が 20個 Z m²以下であるフィルムコンデンサ用複合膜。

2. C R値が 800 Ω F以上である請求項 1記載の複合膜。

3. 該導電性金属薄膜がアルミニウム金属薄膜である請求項 1記載の複合膜。

4. 該導電性金属薄膜が 0. 01〜 0. 1 mの厚みを有する請求項 1記載の複合膜。

5. 該フィルムは、厚みが 0. 5〜7 である請求項 1記載の複合膜。

6. 該フィルムは、表面における中心線平均粗さ（Ra) が 40〜80nmである請求項 1記載の複合膜。

7. 該フィルムは、粒径が 35 imを超える粗大粒子の個数が 10個/ m ²以下である請求項 1記載の複合膜。

8. 該フィルムは、 200°Cで 10分間熱処理した後の縦方向（MD) と横方向 (TD) の熱収縮率の比（MDZTD) が 0. 39〜0. 82を満足する請求項 1記載の複合膜。

9. 該フィルムは、厚みのバラツキが 25%以下である請求項 1記載の複合膜。

10. 該フィルムは、表面における平均径が 60 m以上のフライスペックの個数が 1 5個/ m²以下である請求項 1記載の複合膜。

1 1. 該フィルムは、密度が 1. 338〜1. 361 gZcm³である請求項 1 記載の複合膜

12. 該フィルムは、固有粘度が 0. 40〜0. 90 d 1 Zgのポリエステルから形成されている請求項 1記載の複合膜。

13. ポリエチレン一 2, 6—ナフ夕レンジカルポキシレートを主たるポリマー成分として形成された二軸配向フィルムの表面に導電性金属を蒸着させ、得られた導電性金属薄膜層を表面に有する複合膜を複数枚積層させることによりフィルムコンデンサ部材を製造する方法において、該ニ軸配向フィルムとして、下記要件（1) 〜（3)

(1) 表面における中心線平均表面粗さ（Ra) tt40〜80nm、

(2) 表面における平均径が 60 m以上のフライスペックの個数は 20個 Zm ²以下および

14. ポリエチレン一 2， 6—ナフ夕レンジカルボキシレートを主たるポリマー成分として形成された二軸配向フィルムの表面に導電性金属薄膜を有する複合膜を複数枚積層させた積層複合体を構成部材とするフィルムコンデンサであつて、該ニ軸配向フィルムは、その表面における平均径が 60 zm以上のフライスぺックの個数は 20個/ m²以下であり、かつフィルムコンデンサは、絶縁破壊電圧が 200 VZ zmを満足しない割合が 10 %以下であることを特徴とするフィルムコンデンサ。

15. ポリエチレン一 2， 6 _ナフ夕レンジカルポキシレートを主たるポリマー成分として形成された二軸配向フィルムであって、該フィルムは下記要件（1)

〜（3)

(1) 表面における中心線平均表面粗さ（Ra) tt40〜80nm、

(3) 200°Cで 10分間熱処理した後の縦方向（MD) と横方向（TD) の熱収縮率の比（MDZTD) が 0. 39〜0. 82を満足することを特徴とするコンデンサ用ポリエステルフィルム。

16. 該フィルムは、厚みのバラツキが 25 %以下である請求項 15記載のポリ

17. 該フィルムは、厚みが 0. 5〜7 mである請求項 15記載のポリエステ

18. 該フィルムは、表面における中心線平均粗さ（Ra) が 45〜80 mである請求項 15記載（

19. 該フィルムは、表面における平均径が 60

数が 15個 /m²以下である請求項 15記載（

20. 該フィルムは、熱収縮率の比（MD/TD) が 0. 41〜0. 80である請求項 15記載（

21. 該フィルムは、粒径が 35 を超える粗大粒子の個数が 10個 Zm²以下である請求項 15記載のポリエステルフィルム。

22. 該フィルムは、密度が 1. 338〜1. 361 gZcm³である請求項 1

23. 該フィルムは、固有粘度が 0. 40〜0. 90 d 1 /gのポリエステルから形成されている請求項 1 5記載のポリエステルフィルム。

24. 該フィルムは、平均粒径が 0. 5〜3. Owmの球状シリカ粒子 (A) を 0. 03〜1. 5重量％および平均粒径が 0. 01〜1. 5 である球状シリ力粒子 (B) を 0. 05〜2重量％含有するポリエステルから形成されている請求項 1 5記載のポリエステルフィルム。

25. 該フィルムは、平均粒径が 0. 5〜 5 mの多孔質シリ力粒子（A) を 0. 05〜2重量％および平均粒径が 0. 05〜 5 mの球状シリカ粒子 (B) を〇. 01〜1重量％含有するポリエステルから形成されている請求項 15記載

26. 該多孔質シリカ粒子 (A) は、細孔容積が 0. 5〜2. OmlZgである請求項 25記載（

27. 該フィルムは、平均粒径が 0. 2〜5 xmの炭酸カルシウム粒子（A) を 0. 03〜2重量％および平均粒径が 0. 01〜2 mのケィ酸アルミニウム粒子（B) を 0. 03〜1重量％含有するポリエステルより形成されている請求項 15記載のポリエステルフィルム。

28. 該フィルムは、平均粒径が 0. 1〜1. 5 mの多孔質シリカ粒子 (A) を 0. 0 1〜2. 0重量％および平均粒径が 0. 7〜5. Ο ΙΏの多孔質シリカ粒子（Β) を 0. 0 1〜2. 0重量％含有し、粒子 (Β) は粒子 (Α) よりも平均粒径が 0. 1 ^xm以上大きく、かつ粒子 (A) と粒子 (B) は合計で 0. 1〜 2. 0重量％含有するポリエステルより形成されている請求項 1 5記載のポリエ

2 9. 該多孔質シリカ粒子 (A) および（B) は、いずれも細孔容積が 0. 5 2. Om 1 Zgである請求項 2 8記載（