TW450888B

TW450888B - Composite film for capacitor, method for manufacturing the same, and base film therefore

Info

Publication number: TW450888B
Application number: TW89110627A
Authority: TW
Inventors: Koji Furuya; Shinya Watanabe; Hiroshi Kusume; Akira Kameoka
Original assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1999-06-08
Filing date: 2000-05-31
Publication date: 2001-08-21
Also published as: US6432509B1; DE60034864T2; EP1113467A4; EP1796114A2; DE60034864D1; EP1796114B1; EP1113467A1; KR20010072340A; EP1796114A3; DE60041466D1; KR100607888B1; EP1113467B1; WO2000075939A1

Description

450888 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（1) 發明所屬的技術領域本發明係有關電容器用複合膜，其製造方法及其使用之基質薄膜。再詳細而言，係有關以聚伸乙基，6 -萘二羧酸酯爲主聚合物成分而予形成的雙軸定向薄膜爲基質薄膜，於其表面上形成有導電性金屬薄膜層之電容器用複合膜，其複合膜之製造方法，與該複合膜所使用的基質薄膜。習知技術以聚伸乙基- 2，6 -萘二羧酸酯爲主聚合物成分之雙軸定向薄膜，由於其具有優越的機械性質、熱性質及耐熱性，被使用作電容器用基質薄膜（介電材），其生產量亦正增加著。然而，近年隨著電器或電子電路之小型化要求，電容器之小型化及大容量化乃被要求著。因此成爲基質之介電材介電材之薄膜，乃被要求減薄厚度。於薄膜電容器’被謀求介電材之薄膜化的理由，係電容器之靜電容量係（a )需與介電材之介電係數及電極面積成比例’ （b)需與薄膜厚度成反比例，換言之，介電材料之每單位體積之靜電容量係與薄膜厚度之二次方成反比‘例，且與介電係數成比例一事，若使用相同介電常數之介電材並欲予謀求電容器之小型化或大容量化時，則由減薄薄膜厚度—事係不可或缺所致。如此，減薄薄膜之效果雖係明顯的，但單單僅減薄習 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -l· I L < 裝！ —訂!

I n I I t. 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） -4- 4508 8 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（2 ) 用的雙軸定向薄膜之厚度係新的問題，例如隨著薄膜之薄膜化，在蒸鍍電極於薄膜之際，或於細縫，元件捲取等的步驟之作業性變差的問題生成。此作業性主要係與薄膜之滑溜性有關者。至於改良此滑溜性之方法，已知有對薄膜表面賦與微小的凹凸之方法，且正被使用著。至於此方法，使於薄膜之原料的聚酯在聚合時或聚合後添加不活性無機微粒子（外部粒子添加方式），或於聚酯之聚合時使用的觸媒等之一部分或全部使在反應步驟中析出於聚合物中的（內部粒子析出方式）技術係爲人所知的。然而，在極薄薄膜之製造方法，若採用含有與製造中厚的薄膜之情形相同濃度的不活性無機粒子之聚合物時，則極薄薄膜之每單位面積的不活性無機微粒子之數減少，於薄膜表面之微粒子之間隔擴展，結果使薄膜表面平坦化、滑溜性降低。又，極薄薄膜係剛性小，且薄膜相互間容易附著，亦成爲使滑溜性降低的要因。因此，爲彌補伴隨著薄膜化之滑溜性的降低，若愈減薄薄膜厚度時，則提高經予含有的不活性無機微粒子之濃度，或有增大粒徑之必要。又將含有不活性無機粒子之聚合物熔融擠壓之際，提高牽引比之情形，或再予接伸之際，歸因於不活性無機微粒子及聚合物間之親和性缺乏，薄膜中，空洞容易發生於該不活性無機微粒子之周圍上，且其頻度亦變多。因此，不僅所得的薄膜之機械性質（例如裂斷強度、裂斷伸長率 (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂---------f. 本紙張尺度適用中國a家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -5- 4508 8 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（3 ) )或電氣性質（例如絕緣缺陷）降低，在製造薄膜之際亦變成容易發生裂斷，成爲生成生產性降低，欠缺製造條件之穩定性的問題。至於空洞之發生經予抑制的薄膜，於特開平1 -266145號（特公平7 - 47645琴j公報內，揭示有於構成薄膜之熱塑性聚合物中，使含有空隙率5 0〜 9 5%且平均粒徑〇 . 0 5〜5 /zm之多孔質不活性無機微粒子0 . 0 1〜3重量％，及平均粒徑較薄膜之厚度大且0 . 2〜4jum之球狀二氧化矽粒子0 . 005〜1重量％，作業性（處理性）優越且製膜性（非裂斷性）已改善的厚度4 以下之較薄的熱塑性薄膜。然而，至於於前述薄膜爲聚伸乙基—2，6 -萘二羧酸酯薄膜之情形，若依本發明人等的硏究時，則該薄膜並無機械性質降低，耐熱性，雷氣絕緣性優越，空洞較少等的優點者，但仍有製膜時常有裂斷，損及薄膜生產性之問題即成爲顯而可知的。聚伸乙基—2，6 -萘二羧酸酯薄膜，一般與聚對苯二甲酸乙二酯薄膜比較雖然具有耐撕裂性低劣的特性，然而此特性係成爲增加製膜時的裂斷困擾之主要原因，惟在製造聚伸乙基一 2，6 -萘二羧酸酯薄膜時即有成爲裂斷之原因。另一方面，已特定比率配合平均粒徑不同的二種型式之多孔質二氧化矽粒子的聚伸乙基一 2，6 -萘二羧酸酯薄膜係已予記載於日本特開平7 - 5 了 9 6 4號公報內。 -h , i--1-1111111!(' --------^illl — ιί^ιν. <靖先《讀背面之注$項再填寫本頁) 本紙張尺度適用t國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -6- 450888 A7 B7 經濟部^慧財產局員Η消费合作社印製五、發明說明（4 ) 然而此薄膜亦包含著製膜時常發生裂斷且生產性較低的問題。又，前述聚伸乙基-2，6 -萘二羧酸酯薄膜不論何者，由於表面之突起，在重疊薄膜時生成的空氣層較厚，絕緣特性及空間因子（space factor )並不可說是充分，因此以優越的作業性及空間因子及絕緣特性之同時成立，待解決課題仍殘存著則係顯而可知的。再者於薄膜電器之製造方面，爲迴避隨著介電體之薄膜之薄膜化的生產性，薄膜化薄膜之用於電容器的加工步驟之作業性（用作電極之對薄膜的金屬蒸鍍、細縫、元件捲取等）之惡化，在.日本特開平10 — 294237號公報內，提出著於聚伸乙基一 2，6 —萘二羧酸酯薄膜中添加不同的二種型式之不活性微粒子潤滑劑。然而，於此薄膜，薄膜之薄膜化及電容器之加工步驟的作業性雖然經予改善，但此薄膜係歸因於其中所含的添加物（尤指潤滑劑）之絕緣特性不良因會存在，故用作電容器用薄膜，尙有未令人滿意者。發明欲解決的誤顆本發明之第一目的，係提供由被使用作具有優越的物理特性及電氣特性之高品質薄膜電容器的衍生物之極薄的聚伸乙基- 2，6 -萘二羧酸酯而成的雙軸定向薄膜。本發明之第二目的，係提供即使爲極薄的雙軸定向薄膜’在展現薄膜電容器之加工性及薄膜電容器之電氣特性 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

^ 1 (K- 1« IL I 38^ ! ! I 1 訂·！ - · 本紙張尺度適用中a國家標準（CNS)A4規格（210 χ 297公釐）經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 45088 8 Α7 Β7 五、發明說明（5 ) 上合適的具有高度的表面特性之雙軸定向薄膜。本發明之第三目的，係提供薄膜電容器之加工步驟，在（金屬蒸鍍、元件捲取、切斷及金屬噴鍍等）方面，其作業性優越，且於此等步驟具有足夠的耐熱性及機械強度之雙軸定向薄膜。本發明之另外目的，係提供電氣特性尤其絕緣破壞電壓特性優越的薄膜電容器用複合膜及絕緣缺陷數極少的薄膜電容器複合膜。本發明之再一另外目的，係提供小型且高容量的薄膜電容器。解決課題而採的手段若依本發明人等的硏究時，則可發現前述本發明之目的可依下述（I )〜（IV)之發明予以達成。 (I )於以聚伸乙基一 2，6 -萘二羧酸酯薄膜爲主成分之聚合物成分予以形成的雙軸定向薄膜之表面上具有導電性金屬薄膜之薄膜電容器用複合膜，該雙軸定向薄膜係於其表面之平均粒徑6 0 以上的飛蚊斑之個數在 2 0個/ ηί以下，且該複合膜爲絕緣破壞電壓不滿足 2 0 0 之位置（絕緣缺陷）在2 0個/πί以下之薄膜電容器用複合膜。 (Π)於以聚伸乙基_2 ，6 —萘二羧酸酯薄膜爲主成分之聚合物成分予以形成的雙軸定向薄膜之表面上使蒸鍍導電性金屬，藉由使表面上具有所得的·導電性金屬薄膜本紙張尺度適用中困國家標準<CNS>A4規格（210 X 297公釐> ------------^裝----！訂- ------— ·镇〆 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -8 - 450888 A7 B7 五、發明說明（6 ) 層之複合膜層合多數片，製造薄膜電容器構件之方法，該雙軸定向薄膜係以使用滿足下述要件（1 )〜（3 ): C 1 )於表面之中心絲平均表面粗糙度（R a )爲 4 0 〜8 0 n m， (2 )於表面之平均徑爲6 0 以上的飛蚊斑之個數在2 0個/nf以下及 (3 )以使用在2 0 0°C處理1 0分鐘後的縱方向（ MD )及橫方向（TD )之熱收縮率之比値（MD/TD )係0 . 3 9〜0 . 8 2之薄膜爲特徵之薄膜電容器構件之製造方法。 (皿）將以聚伸乙基_ 2，6 —萘二羧酸酯薄膜爲主要聚合物成分予以形成的雙軸定向薄膜之表面上具有導電性金屬薄膜之複合膜層合多數片的層合複合體作爲構成構件之薄膜電容器，該雙軸定向薄膜係於其表面之平均徑 6 0 //m以上的飛蚊斑之個數爲2 0個/ηί以下’且薄膜電容器係絕緣破壞電壓不滿足2 0 0 V/jwm之比率在 1 0 %以下爲特徵之薄膜電容器。 (IV)以聚伸乙基一 2，6_萘二羧酸酯爲主要聚合物成分予以形成的雙軸定向薄膜，該薄膜係滿足下述要件 (1 )〜（3 ): (1 )於表面之中心線平均表面粗糙度（Ra )爲 4 0 〜8 Ο n m， (2 )於表面之平均徑爲6 0 //m以上的飛蚊斑之個數在2 0個/nf以下及本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） {諳先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝！11 訂---—^—v. 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 -9- 450888 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（7) (3 )以使用2 0 0°C處理1 0分鐘後的縱方向（ MD)及橫方向（TD)之熱收縮率之比値（MD/TD )係0.39〜0.82爲特徵之電容器用聚酯薄膜。以下詳細說明本發明。首先說明本發明之薄膜電容器用複合膜及其製造方法所使用的介電體之極薄的雙軸定向薄膜。於本發明將此雙軸定向薄膜簡稱作"基質薄膜# 。此基質薄膜係以聚伸乙基- 2，6 -萘二羧酸酯爲主要聚合物成分予以形成者。此聚伸乙基一 2，6 —萘二羧酸酯，係主要的二醇成分爲乙二醇的聚酯。在此「主要的」係意指構成聚酯之全部重複單位之9〇mo1%以上，宜爲95mo1%以上爲伸乙基一 2，6_萘二羧酸酯單位。本發明之聚伸乙基_ 2，6 -萘二羧酸酯係可爲共聚酯，惟此共聚酯爲在不極端的喪失聚伸乙基-2，6 -萘二羧酸酯（均聚物）薄膜本來的特性下，以可確保絕緣特性、機械特性及熱尺寸安定性爲宜。以可形成耐裂斷性、細縫性優越的薄膜之共聚酯爲更宜。共聚酯之情形，可採用分子內有二個聚酯形成性官能基之化合物爲2，6 -萘二羧酸成分及乙二醇成分以外的共聚合成分。至於相關的化合物，宜爲可舉出，例如草酸、己二酸、苯二甲酸、癸二酸、十二烷二羧酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、1，4_環己烷二羧酸、4，4 < —二苯基二羧酸、苯基茚基二羧酸、2，7 -萘二羧酸、1，本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） 111-— — lull — 111111 — — — — — — — —^—v i請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -10- 450888 A7 B7 五、發明說明（8 ) 5 _萘二羧酸、四氫化萘二羧酸、十氫萘二羧酸、二苯基醚二羧酸等二羧酸；p_氧基安息香酸、對一氧基乙氧基安息香酸等氧基羧酸；或丙二醇、三亞甲二醇、四亞甲二醇、六亞甲二醇、環己烷二亞甲二醇、新戊基二醇、雙酚碩之環氧乙烷加成物、雙酚A之環氧乙烷加成物、二乙二醇、聚環乙烷二醇等的二元醇。此等共聚合成分不僅一種亦可同時使用二種以上。又，此等之中更宜者爲酸成分之間苯二甲酸、對苯二甲酸、 4 ’ 4 二苯基二羧酸、2，7 —萘二羧酸、對一氧基安息香酸、二醇成分之三亞甲二醇、六亞甲二醇、新戊基二醇、雙酚磺之環氧乙烷加成物。又，聚伸乙基一 2，6 —萘二羧酸酯，係例示藉由安息香酸、甲氧基聚伸烷基二醇等之單官能性化合物，已封鎖終端之羥基及/或羧基之一部或全部者亦可，或在實質上可得線狀的聚合物之範圍內使例如極少量的丙三醇、季戊四醇等三官能以上的酯形成性化合物共聚合者亦可。本發明之聚伸乙基—2，6_萘二羧酸酯，係又以小比率混合其他有機高分子的組成物亦可。至於相關的其他之有機高分子，可例示出有：聚對苯二甲酸乙二酯、聚間苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丙二烯酯、聚伸乙基一 4，4 < —四亞甲二苯基二羧酸酯、聚伸乙基一 2，7 -萘二羧羧酸酯、聚三亞甲~2，6-萘二羧酸酯、聚伸新戊基-2，6 -萘二羧酸酯、聚（雙（ 4 一伸乙氧基苯基）硬）一2 ’ 6—蔡二竣酸醋等。此等本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 裝 ---I ---I--- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 -11 - | 450888 A7 i A7 ! B7 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製五、發明說明（9) 之中，宜爲聚間苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丙二烯酯、聚三亞甲—2 ，6_萘二羧酸酯、聚（雙（4 —亞乙氧基苯基）碣一 2，6_萘二羧酸酯。此等有機高分子不僅一種亦可爲二種。混合有機高分子之情形，其量係每單位已混合的組成物爲1 0重量％以下，宜爲5重量％以下較佳。此組成物係由聚伸乙基~ 2，6 -萘二羧酸酯之均聚物及其他有機高分子而成的組成物亦可，又由聚伸乙基- 2，6 -萘二羧酸酯之共聚物及其他的有機高分子而成的組成物亦可。若依本發明人等之硏究時，則將聚伸乙基-2，6_ 萘二羧酸酯熔融並予擠壓，使形成薄膜的情形，該薄膜之交流體積電阻係數之値會影製膜步驟之薄膜之裂斷或生產性，又可得知對電容器之絕緣特性亦有影響。亦即，薄膜之於3 0 0 °C溫度的交流體積電阻係（Z ) 可知以5 X 1 07Ω cm以上1 X I 〇9Ω cm以下的薄膜爲宜。此交流體積電阻係數之値若未滿5 X 1 07Ω cm時，則在7 0 °C以上之較高的溫度區域，電容器之絕緣特性降低，介電正切値變大，電容器特性惡化。另一方面，若超過lx 1 〇0Ω cm時，則依製膜條件，薄膜在製膜時會經常發生裂斷，可維持安定的生產之製膜條件之範圍變狹窄。製得具有此範圍之交流體積電阻係數的薄膜之方法並未予特別限定，惟於聚合物主鏈中使具有酯形成性官能基之磺酸四級鍈鹽共聚合的方法爲宜。此物係於聚合物鏈中 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 裝 • It II 訂·！本紙張尺度適用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -12- 450888 A7 B7 五、發明說明（1〇) (請先《讀背面之注$項再填寫本頁) 每單位重複單位含有0 . 1 mmol %以上10 mmol %以下爲宜。再者，具有酯形成性官能基之磺酸四級鳞鹽以下式表示的化合物爲宜。 X「A-X2

I (S03 .P —、-R2、—R3、-R4) η (其中，A爲（n + 2)價之碳數2〜1 8之脂肪族基或芳香族基，又1及又2可爲相同或不同的氫原子或酯形成性官能基，η爲1或2，且R!、R2、R3及R4可爲相同亦可爲不同，碳數1〜18之烷基、苄基或碳數6〜12之芳香基。惟XiSXs不可同時爲氫）。經濟邨智慧財產局貝工消費合作社印製至於上述磺酸四級鐵鹽之較佳的具體例，可舉出有： 3 ，5_二羧基苯磺酸四丁基鐵鹽、3，5 -二羧基苯磺酸乙基三丁基錢鹽、3，5-二羧基苯磺酸苄基三丁基銹鹽、3，5_二羧基苯磺酸苯基三丁基鱗鹽、3，5_二羧基苯磺酸四苯基鳞鹽、3，5_二羧基苯磺酸乙基三苯基鳞鹽、3，5 —二羧基苯磺酸丁基三苯基鐃鹽、3，5 一二羧基苯磺酸苄基三苯基鱗鹽、3 ，5—二羧甲氧基苯磺酸四丁基鍈鹽、3，5 —二羧甲氧基苯磺酸乙基三丁基鱗鹽、3，5 —二羧甲氧基苯磺酸苄基三丁基銹鹽、3， 5_二羧甲氧基苯磺酸苯基三丁基鱗鹽、3，5 —二羧甲氧基苯磺酸四苯基鍈鹽、3，5-二羧甲氧基苯磺酸乙基三苯基鳞鹽、3，5-二羧甲氧基苯磺酸丁基三苯基鱗鹽本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -13- 4 B 0 8 8 8 A7 B7 五、發明說明（11) 、3 -羧基苯磺酸四丁基鋳鹽、3 -羧基苯磺酸四苯基銹鹽、3—羧甲氧基苯磺酸四丁基鍈鹽、3-羧甲氧基苯磺酸四苯基鱗鹽、3，5 —二-羥基乙氧基羰基）苯磺酸四苯基鱗鹽、3-(θ -羥基乙氧基羰基）苯磺酸四丁基鐵鹽、3 —羥基乙氧基羰基）苯磺酸四苯基錢鹽、4 —羥基乙氧基苯磺酸四丁基銕鹽、雙酚Α~3，3 < —二（磺酸四丁基鱗鹽）、2，6 —二羧基萘一 4_磺酸四丁基鍈鹽）、2，6 -二羧基萘—4_磺酸四丁基銹鹽 )、2，6 —二羧基萘一4_磺酸四丁基鍈鹽、四丁基銹磺基琥珀酸等。上述磺酸四級鐄鹽可單獨僅使用一種，亦可合倂使用二種以上。此種磺酸四級鱗鹽，係一般藉由對應的磺酸及膦類之本身公知的反應，或對應的磺酸金屬鹽及鹵化四級鱗類之本身公知的反應可予容易製造。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (諳先《讜背面之注項再瑱窝本頁) 於本發明之雙軸定向薄膜，係於聚酯中對構成聚酯之全部重複單位含有上述的磺酸四級鱗鹽〇 . 1 mmol %以上 1 0 mmol % 以下，再者〇 . 2 mmol % 以上 1 〇 mmol % 以下爲宜。未滿0 · 1 mmol %時未能將3 0 0°C之交流體積電阻係數之値設成1 09Ω cm以下。另一方面若超過1 0 mmol %時，會生成在髙溫區域（7 0°C以上）之絕緣特性的降低或介電正切之增加。於本發明，至於使於薄膜中含有磺酸四級錢鹽之方法，可採用任意的方法，例如在聚合聚酯（P E N)時添加該四級錢鹽化合物並予共聚合的方法，在薄膜製膜時於聚本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -14- 450888 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（12) 酯內添加該四級辚鹽化合物之方法，製作含有高濃度該四級鳞鹽化合物之聚合物組成物（母體酯粒masterchip )，在熔融主原料之聚酯前以指定量混合的方法等。即何不論何種方法，若使磺酸四級鱗鹽最終以指定量含有於聚酯（ P E N )內時，則會顯現效果。聚伸乙基一 2，6 —萘二羧酸酯之製造法，係利用本身爲一般所公知的聚酯之製造方法可予實施。例如聚伸乙基—2，6 —萘二羧酸酯係使2，6 —萘二羧酸及乙二醇反應（酯化反應），或在酯交換觸媒之存在下使2，6-萘二羧酸之低級烷基酯及乙二醇反應（酯交換反應），接著在觸合觸媒之存在下使反應生成物聚合至所期待的分子量可予製造。至於前述酯交換觸媒，可採用公知的酯交換觸媒，例如含有鈉、鉀、鎂、鈣、鋅、緦、鈦、銷、錳或鈷之化合物之一種或二種以上。又，至於聚合觸媒宜爲可舉出有：三氧化二銻、五氧化銻類銻化合物；以二氧化鍺代表的鍺化合物；鈦酸四乙酯、鈦酸四丙酯、鈦酸四苯酯或此等之部分加水分解物、草酸鈦醯基銨、草酸鈦醯基鉀、鈦參乙醯基醱酮酸酯類鈦化合物。觸媒之使用量係可由向來即已知的量範圍選擇。經由酯交換反應進行聚合之情形，以在聚合反應前使酯交換觸媒失活之目的，添加磷酸三甲基酯、磷酸三乙酯、磷酸三正丁酯、正磷酸等的磷化合物爲宜。用作磷元素之聚伸乙基一 2，6 —萘二羧酸酯中的含有量爲2 0〜 1 0 0 p p m，惟由聚酯之熱安定性之點觀之係較佳的。本紙張尺度適用t國國家標準（CNS)A4規格（21〇χ 297公釐） Γ I I— ！ ΐ、裝！ — 訂·！ (請先《讀背面之注f項再填寫本頁) -15- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 450888 A7 __B7 五、發明說明（13) 且’聚伸乙基一2 ’ 6 —萘二羧酸酯係於熔融聚合後將之酯粒化’在加熱減壓下或氮等惰性氣流中亦可進行固相聚合。聚酯之固有黏度（鄰氯酚，25 °C)宜爲0 . 40 d Ι/g以上，更宜爲0 · 40dl/g以上，0 _ 90 d Ι/g以下’尤宜爲0 · 43d Ι/g以上0 · 80 d1/g以下。最佳的固有黏度爲〇.45d1/g以上 0 . 7〇d Ι/g以下。固有黏度未滿〇 . 40d 1/g ，則在製程中的薄膜會經常發生裂斷。另一方面，固有黏度較0.90dΙ/g高時，則聚酯之熔融黏度較高，故熔融擠壓變成困難，聚合時間長，生產性降低，並不佳。本發明之基質薄膜，係藉由以前述的聚伸乙基-2， 6 _萘二羧酸酯爲主要的聚酯成分並予製膜化而得。至於此製膜化之條件及手段則容後詳述。又在製膜化之際，雖有不活性粒子配合入聚酯中，惟該不活性粒子之較佳的性狀亦詳如後述。其次對用作本發明之電容器用基質薄膜之表面特性及物性予以說明。於本發明之基質薄膜之表面，其中心線平均粗糙度（ Ra)爲40〜8〇nm，較宜爲45〜8〇nm，尤宜爲5 0〜7 0 nm。基質薄膜表面之中心線平均粗糙度（ R a )若未滿4 0 n m時，則薄膜之滑溜性或排氣性低劣，欲將薄膜捲取成捲筒乃成爲非常困難的。又對中心線平均粗糙度（R a )設成8 0 nm時，則有增加粒徑較大的粒子之添加或粒子之添加量的必要，惟薄膜之厚度薄’因本紙張尺度遘用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） — ίιιιι — —— -ΐ.- - — — — 111— — — — — — — — (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) -16- 450888 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（14) 此薄膜在製膜時之裂斷頻度增加，生產性會顯著的降低。再者於基質薄膜之表面的十點平均粗糙度（Rz)，爲1 ，000〜1 ，800nm，較宜爲1 ，100〜 1，700nm，尤宜爲 1，200 〜1 ，70〇nm較有利的。十點平均粗糙度（Rz)若較1 ，OOOnm低時，則薄膜之滑溜性或排氣性變差，欲將薄膜均勻的捲取於捲筒上係成爲困難的。另一方面，十點平均粗糙度（R z ) 在設成超過1，8 0 0 nm時，有增加粒徑較大的粒子之添加或粒子之添加量的必要，惟薄膜之厚度薄，因此薄膜在製膜時之裂斷頻度增加，生產性會顯著降低。本發明之基質薄膜，係被要求於其表面之固定大小的飛蚊斑之數量需較少。亦即，於薄膜表面，平均粒徑超過6 0 之飛蚊斑之個數在2 0個/πί以下，較宜爲1 5個/πί以下，尤宜爲1 0個/ηί以下。在此，飛蚊斑係指以包含於聚合物中的聚合物中的添加劑（潤滑劑）或異物爲核並發生，形成可於核及其周圍的薄膜之聚合物之膜厚呈局部性變薄的部分（空洞）而構成者。此飛蚊斑若較大時，則膜厚之較薄的範圍會擴展的，故製膜時或對適當的寬度之細縫時，在電容器之加工步驟等有劇烈的拉力變動或劇烈的加熱之情形’由於應力集中會發生膜之破裂，使絕緣性能降低。又 ’即使不引起膜之破裂的情形，膜厚亦較薄，故絕緣性能亦有降低的傾向。又，使絕緣性能顯著降低的/係平均徑本紙張尺度遶用中國國家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） ------------(Μ * — — — — — — — a— — — — —— —— < (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) -17- 450888 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（15) (長徑與短徑之平均）超過6 0 者，且其存在的頻度若超過2 0個/πί時，則用作電容器之介電體的絕緣性能並不足。將尺度較大的飛蚊斑數設成上述範圍時，以儘可能減少聚合物中的粗大粒子之數目較重要。因此至於製膜時之濾網，以由線徑1 5 以下的不銹鋼細絲而成的平均開孔10〜30//m，宜爲1 5〜25vm之非織物型濾網，進行過濾聚合物爲宜。濾網之開孔若超過3 0 時，則無使熔融聚合物中的粗大粒子減少的效果，另一方面開孔未滿1 0 時會容易發生濾網之網孔阻塞的現象，在工業上欲予實用化係有困難的。至於濾網亦可採用其他網狀構造物或燒結金屬等者，惟與非織物型之濾網相比時，壽命會變短，有過濾效率稍低劣等的問題。再者，較具效果的係將尺度較大的飛蚊斑數控制成上述範圍內，使潤滑劑本身事先以指定的開孔之濾網過濾後添加入聚合物內爲宜。如此，本發明之基質薄膜中的粗大粒子之數目以較少爲佳。具體而言，最大徑超過3 5 之粗大粒子，係每 1 rri薄膜，爲1 0個以下，宜爲8個以下較有利，尤其以 5個以下爲佳。此最大徑超過3 5 /zm之粗大粒子的數量，如後述般，係採用萬能投影機觀察薄膜面並予測定。本發明之基質薄膜，係以在2 0 0°C處理1 〇分鐘後的縱方向（DM)及橫方向（TD)之熱收縮率；比（本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） Γ* ^ »1 I ^ /vv ϋ I I I ϋ ϋ I^8J I I I I ϋ I E I <請先M讀背面之注意事項再填寫本頁) -18- 4 5 08 8 8 A7 B7 五、發明說明（16) MD/TD)具有一定的範圍爲佳。 (諝先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 亦即，縱方向（MD)及橫方向（TD)之熱收縮率之比（MD/TD)爲〇 . 39〜0 . 82，較宜爲〇‘ 41〜0.80,尤宜爲0.42〜0-78。在 2 0 0°C處理1 〇分鐘後的縱方向（MD)及橫方向（ TD )之熱收縮率之比若超出上述範圍時，在電容器之加工步驟會發生蒸鍍時之熱收縮或蒸鍍後之薄膜上容易起皺紋等的問題，故並不適合。且，由加工適合性之點在 2 0 0°C處理1 〇分鐘後的縱方向（MD )之熱收縮率爲 0 . 9〜3%，宜爲1 · 0〜2 . 8%，橫方向（TD) 之熱收縮率爲2.0〜5.0%，宜爲2.2〜4·8% 較佳。本發明之基質薄膜之厚度宜爲0 · 5〜7 . 〇ym，較宜爲0 . 6〜6 , Οβπι，尤宜爲◦ . 7〜5 . 5//m。薄膜之厚度未滿0 . 5 時薄膜變極薄，故製膜容易發生裂斷，較難製膜，又薄膜之厚度超過7 . O/zm時，用作電容器用薄膜方面即成爲電氣特性令人不滿意者。經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 -J · 基質薄膜之厚度*以儘可能的均勻爲佳。厚度之分散性對薄膜厚度若爲2 5%以下則可予接受的。厚度之分散性對薄膜厚度宜爲在2 0%以下，尤宜爲1 5%以下。厚度對薄膜厚度之分散性若超過2 5%時，則電容器之介面體用基質薄膜不論若干層亦予層合使用時，由於厚度之分散性成爲用作電容器之性能之分散性的原因。薄膜之厚度及厚度之分散性係依後述的方法及定義可本紙張尺度適用中困S家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -19- 4 5 0888 A7 B7 五、發明說明（17) 予求得。 (請先閲讀背面之注意事項再填窝本頁) 本發明之基質薄膜宜爲密度1.338〜1.361 g/cm3。更宜爲 1 . 340 〜1 . 358g/cm3, 尤宜爲1 · 343〜1 _ 356g/cm3。密度者未滿 1 . 338g/cm3時，則成爲電容器性能之分散性的厚因，成爲引起加工良品率之降低的原因，並不適宜。又若超過1.361g/cm3時，則結晶性變成過高，薄膜之韌性會喪失，故成爲薄膜運送時之裂斷頻度增加。其次說明本發明之基質薄膜之製膜方法經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本發明之基質薄膜，係以聚伸乙基- 2，6 —萘二羧酸酯爲主要的聚合物成分之雙軸定向薄膜。此雙軸定向薄膜係以通常的方法，例如使該聚合物在熔點以上熔融，擠壓於由細縫經予冷卻的淋膜轉鼓上予以擠壓並予附著冷卻固定，而得以聚伸乙基一 2，6 _萘二羧酸酯爲主要的聚合物成分之未拉伸薄膜。於縱及橫方向將此未拉伸薄膜雙軸拉伸後，熱固定，視必要時於縱方向及/或橫方向上以鬆弛處理可予製造。薄膜之拉伸係採用公知的輥輪式縱拉伸機、紅外線加熱縱拉伸機、布鋏式拉幅機橫拉伸機，將此等拉伸分成複數段並進行的多段式拉伸機、管式拉伸機、爐式縱拉伸機，同時雙軸拉幅機拉伸機可予進行，惟並未予特別限定。其次再對本發明之基質薄膜之製造方法詳細說明。此並不一定受此本發明所限定者。如前述而得的未拉伸薄膜在120〜180 °C，較宜爲125〜170 °C，尤宜爲本紙張尺度適用中国國家標準娜魏格⑵㈣公爱） 2〇 — 4 5 Ofi 8 8 A7 B7 五、發明說明（18) 1 3 0〜1 6 0°C在縱方向以輥輪式縱拉伸機拉伸3 . 0 〜4 · 5倍，較宜爲3 . 3〜4 . 0倍。亦可採用紅外線加熱式縱拉伸機，惟對拉伸尤其薄的薄膜之情形，以均勻的加熱薄膜整體上較有利，以採用輥輪式縱拉伸機較佳。爲不使在縱拉伸任意拉伸，以分數次拉伸並多段拉伸爲宜。縱拉伸後再於拉幅機內於1 2 0〜1 8 Ot；，較宜爲 125〜1 70t：，尤宜爲1 30〜1 60°C在橫方向拉伸3.0〜4·5倍，較宜爲3·5〜4,3倍，在 195〜250 °C，較宜爲205〜245 °C，進行熱處理0 · 3〜5 0秒鐘，其後，在縱方向及/或橫方向以鬆弛率0 · 5〜1 5%之範圍進行熱鬆弛處理可得所期待的基質薄膜。且採用將橫方向之拉伸分割成多數階段的多段拉伸亦可。本發明之基質薄膜，因係具有前述表面特性且爲使物理特性顯現，可於聚合物中添加不活性粒子。因此所添加的不活性粒子，以組合二種不同形狀之粒子爲宜。又不活性粒子係其添加量亦影響表面特性。若依本發明人等之硏究時，則聚合物中所添加的不活性粒子之形狀、種類及配合比率，係如下述。發現出由粒子合形態（P_ 1 )〜（P — 4 )之任一者選擇係較有利的。 (1 )粒子配合形態此形態（P — 1)係組合平均粒徑爲0 . 5〜3 . 〇本紙張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） <請先閲讀背面之注意事項再瑱寫本頁) 裝------ 訂---ml! ^1..1 經濟部智慧財產局具工消费合作社印製 -21 - 450888 A7 B7 五、發明說明（19> 之球狀二氧化矽粒子（A) 0 · 03〜1 ，5重量％，及平均粒徑〇 . 〇 1〜1 _ 5从m之球狀二氧化矽粒子 (B)0.05〜2重量％而配合的組成。再者’爲安定薄膜而予製造’有較目的之薄膜厚度減少球狀二氧化砂粒子之平均粒徑的必要’以將平均粒徑設成薄膜厚度之8 0 %以下爲尤宜。且球狀二氧化矽（A)之平均粒徑較宜爲 0 · 7 〜2 · 5vm，尤宜爲 0 . 9 〜2 . 0/zm。又’ 球狀二氧化矽粒子（A)之添加量較宜爲0 . 0 6〜 1 . 2重量％，尤宜爲〇 . 1〜〇 · 8重量又，球狀二氧化矽粒子（B )之平均粒徑較宜爲 0 · 05 〜1 . 2j«m，尤宜爲 0 · 1 〜1 . 0//m。又，球狀二氧化矽粒子（B)之添加量較宜爲0 . 08〜 1，5重量％’尤宜爲〇 . 1〜1 _ 〇重量％。球狀二氧化矽粒子（A)，係使用平均粒徑亦較球狀二氧化矽粒子（B)大者，較宜爲平均粒徑〇 · l#m以上較大者。經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 至於在此所謂的球狀二氧化矽粒子，粒徑比（長徑/ 短徑）宜爲1 · 0〜1 . 2之球狀二氧化矽粒子，由製膜性，處理性及絕緣性之觀點係真球狀之二氧化矽粒子爲尤宜。 -J. (2 )粒子配合形態（P _ 2 )

此形態（P — 2)，係下述多孔質二氧化矽粒子（A )或此粒子（A)及下述球狀二氧化矽（B )之組合。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -22- A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 4&0888 五、發明說明（2〇> 多孔質二氧化矽粒子（A )係以由平均粒徑 0 . 00 1〜0 . lvm之一次粒子的凝集體所構成的爲宜·>多孔質二氧化矽粒子（A)對聚伸乙基_2，6-萘二羧酸酯顯示出高親和性，惟係由凝集體而成，大多存在粗大粒子，此粗大粒子若含於薄膜中時，則成爲引起電容器用聚酯薄膜之性能降低的原因。一次粒子之平均粒徑未滿〇 . OOlAm時，粒子表面積變大，粒子相互間變成容易凝集，變成容易生成粗大的凝集體，故並不適宜。又一次粒子之平均粒徑若超過0.Igm時，則成爲會喪失粒子之多孔質性，喪失對聚伸乙基一 2，6 —萘二羧酸酯之親和性，潤滑劑周圍變成容易發生空洞’絕緣特性惡化故並不佳。由薄膜之潤滑性’排氣性之點以多孔質二氧化矽粒子（A)之平均粒徑0 . 5〜5 Aim爲宜’較宜爲〇 · 7 〜4 . Oem’ 尤宜爲 1 · 0 〜3 . Oym。又，多孔質二氧化矽粒子（A)之添加量宜爲0 . 0 5〜2重量％，更宜爲0 . 07〜1 . 8重量％，尤宜爲〇，1〜 1 . 5重量％。多孔質二氧化矽（A)粒子之細孔容積宜爲0 5〜 2 . 〇ml/g，更宜爲〇 . 6 〜1 ./8ml/g ° 細孔容積爲未滿〇 · 5m Ι/g時’缺乏多孔質性’對聚伸乙基一 2，6 —萘二羧酸酯之親和性喪失。故並不適宜。又細孔容積超過2 · Om 1 /g時’則容易引起凝集粒徑之調整變成困難’故並不適宜。在此形態（p — 2 )，雖係使用前述多孔質二氧化砂本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐）

-23- 4 5 0 B 8 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印數五、發明說明（21 ) 粒子（A)惟以抑制隨著在薄膜製造之擠壓步驟或回收步驟的多孔質二氧化矽粒子（A )之解碎引起的粒徑降低之滑溜性惡化爲目的下，可合倂使用球狀二氧化矽粒子（B )予以添加。所添加的球狀二氧化矽粒子（B)宜爲平均粒徑 0 . 05〜1 . 5ym，爲使薄膜安定並製造時’亦有較薄膜厚度減小平均粒徑之必要。再者，平均粒徑宜爲薄膜厚度之9 0%以下，尤宜爲薄膜厚度之8 0%以下。又球狀二氧化矽（B )之添加量由薄膜之滑溜性，捲取性在電容器之製造步驟的處理性之點宜爲0 . 0 1〜1重量％ ’ 較宜爲0 . 03〜0 · 9重量％。球狀二氧化矽粒子（B )以粒徑比（長徑/短徑）更宜爲1 0〜1 · 2。此形態（P — 2)，以多孔質二氧化矽粒子（A)及球狀二氧化矽粒子（B)之組合爲尤宜。 (3)粒子配合形態（P-3) 此形態（P — 3)係下述碳酸鈣粒子（A)或此粒子 (A)與下述板狀矽酸鋁粒子（B)之組合。碳酸鈣粒子（A)係由薄膜之滑溜性，排氣性之點，平均粒徑宜爲0 · 2〜5ym。較宜爲〇 . 3〜4//Π1，尤宜爲0 . 5〜3 era。又碳酸鈣粒子（A)之添加量宜爲0 · 03〜2重量％，更宜爲〇，05〜1 . 5重量％，尤宜爲0.1〜1重量％。至於本發明所用的碳酸鈣粒子（A)，並未予特別限 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝，f- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -24- 450888 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製五、發明說明（22) 定，惟亦可例示有：天然產出的石灰石、白堊、及由石灰石以化學方法生成的沈降碳酸鈣等方解石結晶，在石灰乳內在高溫與二氧化碳反應而得的微晶砷銅礦結晶、斜銷石及組合此等者。亦可採用經機械性粉碎石灰石而得的重質碳酸鈣（方解石結晶）。在此形態（P - 3)，雖可使用前述碳酸鈣粒子（A )，惟可組合板狀矽酸鋁粒子（B)並予添加。此矽酸鋁粒子（B)宜爲平均粒徑0 _ 1〜2ym’ 較宜爲0 . 3〜1 . 7#m’尤宜爲0 . 5〜1 . 5em 。又，添加量由薄膜之滑溜性，在電容器之製造步驟的處理性之點宜爲0 . 03〜1重量％ ’較宜爲〇 . 06〜 0 . 8重量％，尤宜爲〇 . 1〜. 7重量％。板狀矽酸鋁粒子（Β )係稱作鋁矽酸鹽者’並未予特別限制，惟可例示有由天然產出的高嶺土礦物而成的高嶺土黏土等。再者高嶺土黏土係經予施加水洗等的精製處理者亦可。此形態（Ρ_ 3 )係以碳酸鈣粒子（Α)及矽酸錫粒子（Β)之組合爲尤宜。 (4)粒子配合形態（Ρ — 4) 此形態（Ρ — 4)，係二種型式之多孔質二氧化砂粒子Α)及（Β)之組合。此多孔質二氧化砂粒子（Α)及 (Β )，係不論何者平均粒徑係由0 . 01〜〇，1/zm 之一次粒子的凝集體所構成的粒子。 III— — — — — — — — rfA i — — — — — — ^* — — — — 1 — I — (請先明讀背面之注項再填窝本頁> 本紙張尺度適用t囲钃家標準（CNS)A4規格（210 * 297公« ) -25- 4 5 08 8 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（23) 多孔質二氧化矽粒子係對聚伸乙基一 2 ’ 6 —萘二羧酸酯（P E N)顯示出較高的親和性’惟因係由凝集體而成，故大多存在有粗大粒子，此粗大粒子若含於薄膜中’ 則成爲引起電容器用聚酯薄膜之性能降低的原因。一次粒子之平均粒徑未滿0·01時因粒子表面積變大’故粒子相互間變成容易凝集，形成會生成粗大的凝集體，故並不合適。又，一次粒子之平均粒徑超過〇 · 1 時，則變成粒子之多孔質性會喪失，對p EN之親和性喪失，於潤滑劑周圍變成容易發生空洞’絕緣特性惡化’故並不合適。於此形態（P - 4 )之多孔質二氧化矽粒子（A) ’ 由薄膜之滑溜性，排氣性之點，以其平均粒徑在〇，1 以上1 . 5/zm以下，尤宜爲〇 · 以上〇 . 9 //m以下。此多孔質二氧化矽粒子（A )係擔負著使以多孔質二氧化矽粒子（B )形成的比較大的突起之間之基底表面稍微粗面化的角色。粒子（A )之平均粒徑未滿〇 · 1 /zm時，使基底粗面化之效果減弱’較難確保滑溜性。另一方面，若超過1 . 5 //m時’則空間因子變成過大，容易變成容量不足，故並不適合。另一方面多孔質二氧化矽粒子（B)之平均粒徑爲〇 . 以上5 · Oem以下’尤宜爲1 . I'm以上 3 . 0/zm以下。未滿0 . 7μιη時排氣不足，且捲取姿勢惡劣，若超過5 /xm時’則粗大粒子增加，絕緣缺陷變多，空間因子變成過大，並不合適。多孔質二氧化砂粒子 — — — — — — — — — — — f ml— ^« — — — — 1 — I I _ (锖先閲讀背面之注$項再填窝本I> 本紙張尺度適用中圃國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -26- 450388 A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消費合作社印製五、發明說明（24) (B )，係使用平均粒徑較多孔質二氧化矽粒子大者，宜爲使用平均粒徑0 . l"m以上較大者。多孔質二氧化矽粒子之添加量係（A)及（B)均在 0.01重量％以上2.0重量％以下，（A)及（B) 之合計量爲0.1重量％以上2.0重量％以下’尤宜爲 0 . 5重量％以上1 . 5重量％以下。添加量未滿上述範圍時未能發揮潤滑劑作用，作業性惡劣未能使用。另一方面，添加量若超過上述範圍時，則空間因子變成過大’並不合適。多孔質二氧化矽粒子（A)及（B )之細孔容積不論者爲0 . 5ml/g以上2 · 〇ml/g以下，宜爲〇 . 6ml/g以上1 . 8ml/g以下。細孔容積未滿 0 . 5ml時，多孔質性缺乏，對PEN之親和性喪失’ 故並不合適。又，細孔容積若超過2 . 〇ni_l/ g時’則變成容易引起凝集，粒徑之調整變成困難’並不合適。在此「平均粒徑」係意指已測定的全粒子之5 0重量 %之點的粒子之「等價球形直徑」。「等價球形直徑」係意指具有與粒子相同的容積之想像上的球（理想球）之直徑，可由粒子之電子顯微鏡照相或通常的沈降法之測定予以計算。於添加此等多孔質二氧化矽粒子（A )及（B )之際，長徑超過3 5 之粗大粒子的個數以設在1 〇個/πί 以下，宜爲8個/πί以下，尤宜爲5個/πί以下較佳。若超過1 0個/iri時，則生產薄膜時經常發生裂斷而引起的 {請先閱讀背面之注意Ϋ項再填窝本頁> 裝 • H I» ^1 ----訂--------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公楚） -27- 4508 8 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（25) 生產性之降低，或招致電容器經常發生絕緣缺陷’並不合適。對將粗大粒子之個數設成上述範圍，在製膜時過濾聚合物並去除粗大粒子。該時以採用由絲徑1 5 以下之不銹鐧細線而成的平均開孔度1 〇〜3 5 yrn之非織物型濾網作爲濾網。由前述方法而得的本發明之基質薄膜’係藉由使於其單面或兩面上層合以導電性金屬薄膜，成爲電容器用複合膜。於基質薄膜之表面上層合導電性金屬薄膜時’宜爲蒸鍍法及濺鍍法，以蒸鍍法爲尤其適合。金屬薄膜之厚度爲0.01〜0·lem，宜爲 0 _ 03〜0 . 08μπι。至於金屬可舉出鋁、鋅或鍚’ 惟以鋁尤宜。本發明之鋁電容器用複合膜，因係在其基質薄膜之表面特性及物性上優越*故成爲絕緣缺陷極少的高品質之電容器組件。亦即，本發明之複合膜係絕緣破壞電壓不滿足2 0 0 V//zm之位置（絕緣缺陷）之數量爲2 0個/iri以下，宜爲1 5個/ πί以下者。又，本發明之複合膜，係顯示出作爲薄膜電容器組件之特性的C R値爲優越的。此C R値係如後述般以絕緣電阻値及靜電容量之積表示。本發明之複合膜係C R値具有 800QF以上，宜爲具有lOOOQF以上之値。此 CR値若未滿8 0 0DF時，則複合膜之絕緣電阻不足， — — — — — — — — 111 rv — — — — — — I— * — — — — — — 1 — (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 本紙張尺度遶用中固國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -28- 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印髮 ^ 450888 Δ7 Α7 Β7 五、發明說明（26) 成爲用作電容器組件並不適當者。本發明之複合膜係被使用作鋁電容器組件。例如複合膜係回捲作電容器使用亦可，又予層合並使用亦可。再者予以合並可使用作晶片電容器。不論如何’本發明之複合/，係絕緣特性優越而且極薄’故可被利用作小型的薄 /電容器之組件。 / |圖式之簡單說明 | 第1圖爲測定交流體積電阻係數之裝置的槪略圖。第1圖中之圖號係具有下述的意義。 1 ·’測定試樣 2 :下部電極 3 :上部電極 4 :加熱裝置 5 :溫度偵檢端 6 :電源 7 :讀取溫度計 8 :電源 9 :標準電阻 1 0 :電子計器 1 1 :保濕箱以下利用實施例再詳細說明本發明，惟本發明並非受以下的實施例所限定者。且，本發明之各種物性値及特定的測定方法，其定義係如下述般。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） — II — —— — —— — — { - I 1 I I I I I ^ · I — — —— — {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -29- 4 S 0 8 8 8 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（27) (1 )聚伸乙基一 2，6—萘二羧酸酯之成分量（主成分莫耳比：共聚合成分莫耳比）之算出將薄膜試樣溶解於測定溶劑（CDC 1 3 : C F 3 C 0 〇 D = 1 ： 1)後進行 1H_NMR 測定，以所得的各信號之積分比予以算出。 (2 )密度以已採用硝酸鈣水溶液之密度梯度管，利用在2 5 °C 之浮沈法予以測定。 (3 )固有黏度採用鄰氯酚作爲溶劑，在2 5 °C測定的値（單位： d 1 / g )。 (4 )表面粗糙度 (4 一 1)中心線表面粗糖度（Ra) 中心線表面粗糙度（R a )係以J I S B 0 6 0 1 定義的値。採用非接觸式三次元粗糙度計（小坂研究所製造， ET — 3 OHK)在波長7 8 0 nm之半導體雷射，以射束直徑1 . 之光觸針’測定長（Lx) 1mm，取樣節矩（smapling pitch ) 2 " m ’ 截流（〇ut-〇ff ) 0 , 2 5 iim，厚度方向放大倍率1萬倍，橫方向放大倍 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 1111111 — — — — — — — — _ —'1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -30 - 450888 a? B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（28) 率200倍，掃瞄線數1 00根（因此，Y方向之測定長 Ly = 〇 . 2mm)之條件測定薄膜表面之突起輪廓••以 Z=F(X·y)表示其粗糙度曲面時，將下式而得的値 (Ra，單位nm)定義成薄膜之表面粗粗度。 Ra = l/(LxLy) j J | f (x > y ) | d x d y o o (4 一 2) 10點平均粗糙度（Rz) 由波峰（Hp)之較高者自5點及波谷（Hv)之較低者採取5點以其平均粗糙度爲Rz。 ^ (+ Hpl + Hpi + HfA + )- (Hv\ + Hvl+Hvb + H\A + Ηή). 5 — (5 )飛蚊斑及粗大粒子之數量及大小。 (5 — 1 )飛蚊斑採用萬能投影機，在偏光透過照明放大5 0倍，觀察在測定面積1 m2存在的飛蚊斑並遮蔽薄膜表面。再者以光學顯微鏡觀察各自的飛蚊斑，包括飛蚊斑之核及於其周邊發生的空洞在內求取平均徑（（最大徑+最小徑）/2 ) ，計數超過60ym者。 (5 — 2 )粗大粒子採用萬能投影機，在透過照明放大5 0倍，觀察測定面積lm2，計數存在於薄膜中的粒子之中最大徑超過3 5 (請先W讀背面之注意事項再填寫本頁) f, 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 - 450888 A7 B7 五、發明說明（29) y m之粒子之數量。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (6 )薄膜厚度及厚度之分散性由已製膜的薄膜之任意位置，在縱、橫均隔1 0 cm 以上的間隔採取縱1 0 cmx橫1 0 cm之試樣5 0片。對各自的試樣，由寬度（cm)、長度（cm)、重量（ g)、密度（g/cm3)以下式算出厚度丁（/zm)，再者求出5 0試樣之平均厚度T a v作爲薄膜厚度。又，求取上述的5 0試樣之中的最大厚度Tm a X及最小厚度Tm i η之差，以下式算出對平均厚度T a v之比率，作爲厚度之分散性》

厚度丁（#m)=(重量/(寬度X長度X密度）X 1 0 0 0 0 平均厚度Tav (em) = (T1+T2+ …+ T 5 0 ) / 5 0 厚度之分散性（％ ) 經濟部智慧財產局負工消f合作社印製 =((最大厚度Tma X —最小厚度Tm i η) /平均厚度Tav)xl〇〇 (7 )熱收縮率及其比於徑予溫度設定在2 〇 o°c的烘箱之中在未拉伸狀態下保持薄膜10分鐘，對各自縱方向（MD)，橫方向（ TD)，依下式算出加熱處理前後的尺度變化作爲熱收縮率，以此等之値求出熱收縮率之比。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -32- 450888 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 A7 B7 五、發明說明（3〇) 熱收縮率％ = ( (L〇 — L)/(LO) X100 L 0 :熱處理前之標點間距離 L :熱處理後之標點間距離熱收縮率之比（MD/TD)=(縱方向之熱收縮率 /橫方向之熱收縮）^ (8 ) —次粒子之平均粒徑及不活性微粒子之粒徑比 (8 - 1 ) 一次粒子之平均粒徑使成爲試樣之粉體的各個粒子分散，利用金濺鍍裝置使於此表面上以厚度2 0 0〜3 Ο Ο A形成金靥蒸鍍膜，用掃瞄型電子顯微鏡以1〜3萬倍觀察，用日本regulator 股份有限公司製造的Luzex 5 0 0進行影像處理，求取 1 00個之面積相當粒徑（D i )。以下式表示的面積相當徑（D i )之數目平均値作爲平均粒徑（D)。 D= ( i ) /η 1=1 (8-2)不活性微粒子之粒徑比藉由與上述的粒子相同的方法，由成爲試樣之粒子 100個之長徑（D1 i)、短徑（Ds i)各自求取長徑（D1)、短徑（Ds)，由長徑（D1)及短徑（ Ds)之比（Dl/Ds)算出粒徑比。本紙張尺度適用肀國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公釐） !lf! 裝！ — 訂-! - _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -33- 450888 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（31) D 1 = ( 1 i ) /η ί = 1 Ds = ( i)/n 1 = 1 (9 )微粒子之平均粒徑 (9 _ 1 )粉體之平均粒徑採用島津製作所製C P 5 0型離心粒子尺度分析儀（ Centrifugal Particle Size Analyzer )予以測定。由以所得的離心沈降曲線爲基算出的各粒徑之粒子及其存在量間之累積曲線，讀取相當於5 0質量百分比之粒徑’以此値爲平均粒徑。（參閱「粒度測定技術」、日刊工業新聞社發行，1975 年，P. 242-247)。 (9 - 2 )薄膜中的微粒子之粒徑及粒徑比將試樣薄膜小片固定於掃瞄型電子顯微鏡用試樣台’ 採用日本電子股份有限公司製造的濺鍍裝置（J I S -1100型離子測鍍裝置），用0.13Pa之真空下以 0.25kV、 1.25mA之條件對薄膜表面進行離子蝕刻處理1 0分鐘。再者以相同裝置施行金濺鍍’採用掃瞄型電子顯微鏡並以1萬〜3萬倍観測，用日本regulator 股份有限公司製造的Luzex 5 0 0 ’求取至少1〇〇個之粒子之長徑（D1 i)，短徑（Ds 1 i)及面積相當粒徑（D i )。以下式表示的面積相當粒徑（D i )之數量平均値爲平均粒徑（D)。 (锖先W讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 * 297公« ) -34- 450888 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消费合作杜印製五、發明說明< 32) D= Σϋ i /η .1 = 1 - 以上述長徑之平均値爲，短徑之平均値爲Ds，粒徑比以D 1 /D s予以算出。 (1 0 )細孔容積以氮吸附脫附法測定，以B E T式算出。 (1 1 )絕緣破壞電壓（B D V ) 依JIS C2318表示的方法予以測定，以n= 10 0之最小値作爲絕緣破壞電壓（BDV)。於本發明，絕緣破壞電壓宜爲2 2 0 以上，尤宜爲2 4〇V/iim以上。 (1 2 )薄膜之製膜性觀察已2 4小時連續製膜出雙軸拉伸薄膜時的薄膜之製膜狀態，以下述基準予以評估。 ◎:裂斷次數爲0次/2 4小時，即使使繫線（ pinning wire )之電壓減半，亦不增加裂斷次數，以廣泛的製膜條件可得極安定的製膜。〇··裂斷次數爲0次/ 2 4小時，若將繫線之電壓減半時則裂斷次數會增加1〜3次/ 2 4小時，惟可得極安定的製膜。 △:裂斷次數爲1〜3次/2 4小時1可得安定的製 — lull — — — n i I I I I — I ^ ·111!111 . (锖先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -35- 450888 A7 B7 五、發明說明（33) 膜。 X :裂斷次數爲4次以上/2 4小時，製膜並不安定經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 (1 3 )薄膜捲筒之捲取姿態於製膜、細縫時及在電容器加工之蒸鍍後的各階段將寬度5 5 Ommx長度1〇，〇〇〇m薄膜各自捲取捲筒，以肉眼観察其狀態之捲取狀態，以下述基準評估。 ◎:於製膜、細縫時及蒸鍍後均無表面之皺紋或捲取偏差等的極良好的捲取狀態。〇：製膜、細縫時或蒸鍍後之任一者，雖被確認有輕度的表面之皺紋或捲取偏離等，但在實用上並不成爲問題之良好的捲取狀態。 X :製膜、細縫時或蒸鍍後之任一者，被確認有實用上成爲問題之程度的表面皺紋或捲取偏差等的不良捲取狀態。 (1 4 )交流體積電阻係數採用第1圖所示的裝置測定。測定試樣爲疊合薄膜之厚度成爲約150//m，於直徑20cm之圓柱狀下部電極2之上面，配以可保持1 5 0 之平行的間隙之直徑 5 _ 6cm，厚度〇 . 2cm之上部電極3，於其間插入測定試樣至成與電極附著。下部電極2係內藏著加熱裝置4及溫度偵檢端5，於 (請先閱讀背面之ii$項再填寫本頁) 裝 ----訂--------- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -36- ' 450888 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（34) 下部電極2之表面溫度的測定面之分散性在1°C以內，與偵檢端部分之溫度差在升溫速度8 °C/分鐘構成使成爲2 °C以內。且偵檢溫度用讀取溫度計7測定。電極之全體係配置於保溫箱11內。電源8係介由標準電阻9施加其發生電壓至兩電極間，惟該電源係發生100V，50Hz之電源。流於此電路之電流係以內部阻抗爲1 0 0ΜΩ以上的電子計1 0讀取標準電阻9之兩端發生的電壓。薄膜之熔融時的交流體積電阻係數之測定，係利用上述裝置，以下部電極之升溫速度8 °C/分鐘，測定溫度 3 ◦ 0t進行，交流體積電阻係數Z係由施加電壓E、電流I、電極面積S、電極間隔d，以下式求得。 Z = (E/I) X (S/d) (1 5 ) C R 値以JIS C 2318所示的方法爲準，將已細縫成1 2mm寬度的薄膜試樣及厚度7 Am、寬度1 4mm 之鋁箔作爲單側之邊緣寬度，維持2 . 5mm，同時經予疊合的狀態者準備2組，各自的邊緣係予配置成試料之兩端並製作捲取試料使有效面積成爲1 0，0 0 0mm2。在 1 2 0°C之溫度下，以5分鐘2MP a之壓力模壓試料。以股份有限公司卡托製造的Thermo keeper ( Τ Η K - 2 1 - 1 )保持此試料於1 0 0°C，使試料之兩端與安藤雷氣 Ι1ΙΓΙΙΙ1 — —— H ili — ^-1111111 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -37- 450888 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印裂五、發明說明（35) 股份有限公司製造的L CR計（AG — 4 3 0 1 )連接，以施加電壓1 0 〇測定絕緣電阻値（Ω ) ’其後測定在1 KHz之靜電容量（nF)。由所得的絕緣電阻値及靜電容量依下式算出CR値。 C R値=絕絕電阻値X靜電容量 (16)薄膜電容器用複合膜之絕緣缺陷的評估採用具有金屬薄膜之薄膜電容器用複合薄膜，以 JIS C 2151所示的方法爲準進行試驗。試驗電壓對複合薄膜之基質薄膜之厚度1 爲2 0 0V。對試片1 0 0個進行試驗’計數在試驗面積1 m2之缺陷數量，以缺陷數2 0個以下爲合格。 (1 7 )薄膜電容器之絕緣不良率於寬度12mmx長度1 ，0 0 0mm之薄膜之單面上於寬度方向上僅單側使寬度12mmx長度1，〇〇〇 mm之薄膜之單面使貼合成形成25mm之邊緣。在各自之寬度方向及長度方向上相同，各自的金屬薄膜不直接接觸，而且捲取此等薄膜以在疊合的狀態使能位於各自的邊緣不同的邊上。以在1 2 0°C之溫度下2MP a之壓力模壓5分鐘並製作1個測定試料。此試料係以]I S C 2318所示的方法爲準，測定破壞電壓（V)，以構成試料之基質薄膜除破壞電壓之値作爲絕緣 — II .--------tl - I I I I In — — — — — — — — (請先《讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公t) -38 - 450888 A7 B7 五、發明說明（36) 破壞電壓。絕緣破壞電壓不滿足2 0 〇V/j«m之試料的發生率對測定全數在1〇%次下爲合格。 t請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例實施例1 雙- 使用醋酸錳四水鹽〇 , 〇 3分作爲酯交換觸媒，依常法使2，6 —萘二羧酸二甲酯1〇〇分及乙二醇60分進行酯交換反應後，添加磷酸三甲酯〇 . 0 2 3分使酯交換反應實質上結果。接著添加三氧化二銻〇 · 0 2 4分，接著以高溫，高真空化在常法進行聚合反應，而得固有黏度 0 . 6 2 d Ι/g及玻璃轉移點溫度1 2 11之聚伸乙基 —2，6 —萘二羧酸酯（PEN)。且在添加酯交換觸媒之際，該PEN聚合物係以平均粒徑1·〇#m之碳酸鈣粒子及平均粒徑0.7之高嶺黏土粒子作爲潤滑劑’ 予以添加至各自於PEN聚合物中的比率成爲0 . 4 5重量％爲0.30重量％。經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製在1 7 0°C乾燥此P EN聚合物5小時後供給至擠壓機，於熔融溫度2 9 5 °C使成熔融狀態。因此將此熔融狀態之PEN聚合物以由線徑1 4 之不銹鋼細鋼線而成的平均開孔3 0 μπι之非織物型濾網過濾後，通過開度1 mm之細縫狀模頭並予擠壓，於表面加工0·3S之旋轉鼓上利用繫線（SUS線（Ο.1ΙΒΓΠ0)，施加電壓：直流3 k V )使附著固化而製作未拉伸薄膜。於此未拉伸薄膜依序雙軸拉伸於該薄膜之縱方向（機本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -39- 450888 A7 B7 經濟部智慧財產局霣工消费合作社印製五、發明說明（37) 械軸方向）及橫方向（寬度方向）（在13 5°C縱方向上拉伸1 . 7倍，接著在145它橫方向上拉伸2倍（總縱拉伸倍率3 . 4倍）後，在橫方向上140°C拉伸3 · 6 倍後，在2 3 2 t熱固定3秒鐘，捲取於捲筒上作爲厚度 2·〇Km之雙軸定向薄膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表1。實施例2 除實施例1之非織物型濾網之平均開孔爲3 5 Mm外，餘與實施例1同法實施，製作薄膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果τρ;於表1。奮施例3 在實施例1於聚合物之聚合階段事先以平均開孔爲4 0 //m之濾網過濾並添加潤滑劑後，聚合聚合物外，餘與實施例1同法，進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表1 ^ 實施例~ 4〜7 除變更添加的潤滑劑種類，粒徑|添加濃度成表1所示外，餘與實施例1同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表1。奮施例8 - ----I----1 ·11111--^ ·1!11 _ (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐〉 -40- A 5 Q 8 8 8 A7 B7 五、發明說明（38) 除縱方向（機械軸方向）之拉伸爲1 4 5r —次拉伸成3 . 2倍，其後的橫方向之拉伸倍率爲4倍，熱固定溫度爲2 2 5 °C外，餘與實施例1同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表1。實施例9 除縱方向（機械軸方向）之拉伸爲1 3 5°C 2倍，接著在135°C1 . 9倍（總縱拉伸倍率3 . 8倍），其後之橫向的拉伸倍率爲4.1倍外，餘與實施例1同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表1。實施例1 0 使用醋酸錳四水鹽0 . 0 3分作爲酯交換觸媒，使2 .6 -萘二羧酸二甲酯9 4分，對苯二甲酸（簡稱作TA )6分，乙二醇6 0分，添加潤滑劑使含有平均粒徑 1 . O/zm之碳酸鈣粒子0 . 45重量％及平均粒徑 0.7ym之高嶺土粒子0.30重量％，與實施例1同樣的進行酯交換反應，進行聚合反應，而得固有黏度 0 . 6〇d Ι/g 及 Tgl 1 6°C 之聚伸乙基一2，6-萘鹽共聚物（TA共聚合PEN)。使此TA共聚合P EN聚合物在1 5 0°C乾燥5小時後，供給至擠壓機，在熔融溫度2 8 5 °C熔融’與實施例 1同法製作未拉伸薄膜。因此，依序將該未拉伸薄膜雙軸拉伸（在1 3 0°C於縱向拉伸2倍，繼續在縱向於1 3 5 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） (請先閲讀背面之注意»項再填寫本頁)

1111111 · I I I I 雙— 經濟部智慧財產局霣工消费合作杜印製 _ 41 A7 450888 B7 五、發明說明（39 ) °C拉伸1 . 8倍（總縱拉伸倍率3 . 6倍後在1 3 5 °C橫方向上拉伸4倍）後，在2 2 5 °C熱固定3秒鐘，捲取於捲筒上成厚度2·Ovm之雙軸定向薄膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表1。 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印髮本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -42- 450888 A7 B7 五、發明說明（4〇) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 T 撇實施例10 PEN 92% ΤΑ 8% <〇 ψ~< 〇\ 碳酸鈣 1 0.45 高嶺土 0.7 0.3 實施例9 PEN 100% - __z___ 1 1 CS r^H a\ 碳酸鈣 1 0.45 高嶺土 0.7 0.3 實施例8 PEN 100% — i_z_ ON 碳酸鈣 1 0.45 高嶺土 0.7 0.3 實施例7 PEN 100% i_Z_ cs 碳酸鈣 1 0.35 高嶺土 0.1 0.8 實施例6 PEN 100% On 碳酸鈣 1 0.3 高嶺土 1 0.15 實施例5 PEN 100% 3 ON 碳酸鈣 1 0.15 高嶺土 0.6 0.75 實施例4 PEN 100% - 1 ... ΟΊ 1 < a\ «—H 碳酸鈣 1 0.7 高嶺土 0.6 0.1 實施例3 PEN 100% p—H CS 碳酸鈣 1 0.45 高嶺土 0.6 0.3 實施例2 PEN 100% - i — i—H CN ON 碳酸鈣 1 0.45 高嶺土 0.6 0.3 實施例1 PEN 100% t—^ cs On 碳酸鈣1 1 ^ 0.45 高嶺土 0.6 0.3 鬆承 M <n W Φ Φ: 嵌M链链 φ φ 4n 如交流體積電阻係數 (1080cm) 駿苢 m Qlu? 騷=1苢 1 g g m lUU9r m ----一--------裝--------訂--------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4現格（210 X 297公釐） -43- 450888 A7 B7 五、發明說明（41 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例10 CO CM <N OO \£D O Ο νο寸 1 4 0.51 1.347 S <] ◎〇 T-H 1實施例9 〇〇 «~η 3 CO (Ν] 卜〇 0.54 1.351 vq卜卜〇i cn Ο RO® Ο 瑕§議^ t-< 實施例8 ^ ^ « CO CN ι^Ί 〇 CO S \〇 cn 寸 VO CO O ,〇◎◎ 箱! §養〜 1〇丨實施例7 以器〇〇 Ο CN ν〇 r- to »-H 0.54 1.352 3寸g s〇◎ ◎ § 〇 r-Η 實施例6 3泛g Ό CO o V〇 in i™—1 0.54 1.352 3寸§ i〇◎◎ | - ϊ-< i實施例5 卜― 〇 8 卜Ό 0.54 1.352 δ < ® ο 題§ _ A τ-ί 實施例4 ΓΜ Ο 〇 cO 卜 1 0.54 1.352 ^ ^ ^ 〇 §〇◎ ◎ 毅 § - 實施例3 Ο Ο 〇 Oi 〇 CO 1-^ 0.54 1.352 S〇◎ ◎ §S 議0 1-ί 實施例2 οο寸 r- S VO iTi 0.54 1.352 8 ο® ο »〇實施例1 寸ο s_ 0.54 1.352 §〇◎ ◎ ®[ § § 01 mm M ^ S $；画 s m 厚度（em) 厚度之分散性(％) Ηε ^ Μ έ| 奧蠢 £ $ ^ ΔΗ- 银趑赵4< II Pi： teS la 撇 11 ig 画铂 1擊 2 Q 〇 | 1 1 褂 » 躍 m 1ΚΠ·χ iRTl·» m mm% _越通截銥扣担攆忉賴猛繼鼴鲣φ 繫載概_ _ N β驛 1 Ρ扫鹚=8湮 ^ ρ ^ tPft g 缴腓幾g鏨絕緣不良率(％) mm 鹅<!□鹤 ^ng (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 11 ί — 訂-J --- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -44- 450888 A7 _______B7__ 五、發明說明（42 ) 比較例1〜3 除添加的潤滑劑之種類、粒徑及添加濃度變更成表3 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 所示外，餘與實施例2同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表2。比較例4 除非織物型濾網之平均開孔設爲4 . 5 μ外，餘與實施例1同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表2。比較例5 除變更縱方向之拉伸在1 3 5°C拉伸2倍，繼續在 135 °C拉伸1 . 3倍（縱拉伸倍率2 . 6倍），其後的橫方向之拉伸倍率爲2.8倍外，餘與實施例1同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表2。比較例6 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製除縱拉伸溫度及橫拉伸溫度均設爲1 1 5°C，熱固定溫度設爲2 0 0°C外，餘與實施例1同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表2。比較例7

使用醋酸錳四水鹽0 . 0 3分作爲酯交換觸媒1使2 ，6 -萘二羧酸二甲酯8 9分，對苯二甲酸（簡稱作TA 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -45- 五、發明說明（43) )1 1分，乙二醇6 0分，添加潤滑劑使含有平均粒徑 1-0#111之碳酸鈣粒子〇.4 5重量％及平均粒徑〇 . 7νπι之高嶺土粒子〇 . 30重量％，與實施例1同樣的進行酯交換反應，進行聚合反應，而得固有黏度〇 · 58d Ι/g 及 Tgll3°C 之聚伸乙基，6-萘酸鹽共聚物（TA共聚合PEN)。使此TA共聚合 P E N聚合物在1 4 0°C乾燥5小時後，供給至擠壓機，在熔融溫度2 8 5 °C熔融，與實施例1同法製作未拉伸薄膜。因此依序將該未拉伸薄膜雙軸拉伸（在1 2 0°C縱方向（機械軸方向）拉伸1 . 8倍，繼續在縱向於1 3 0t 拉伸2倍（縱拉伸倍率3 . 6倍）後，在130 °C橫方向 (寬度方向）拉伸3 · 8倍，其後在220 °C熱固定3秒鐘，捲取於捲筒上使成厚度2Owm之雙袖定向薄膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表2 » <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ------I I I I I I I--- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製本紙張尺度適用中圉0家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -46- 450888 A7 B7 五、發明說明（44 ) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 Ζ 谳比較例7 PEN 85% ΤΑ 15% CO r Η τ—1 〇\ 碳酸鈣 1 0.45 高嶺土 0.7 0.3 比較例6 PEN 100% S σ\ 碳酸鈣Ί 1 0.45 筒嶺土 0.6 0.3 比較例5 PEN 100% CN ί—Η 碳酸鈣 1 0.45 高嶺土 0.6 0.3 比較例4 PEN 100% 1 - 1_二_ ίΝ —Η 〇\ ί—1 碳酸鈣 1 0.45 高嶺土 0.6 0.3 比較例3 PEN 100% ί - ι—Ι CN τ-Η ΟΝ 球狀二氧化砂 0.4 0,4 t 1 1 比較例2 PEN 100% f—t CN Γ'Ή Os 碳酸鈣 1 0.3 高嶺土 2 0.1 比較例1 PEN 100% — ψ ·Η CM σ\ 高嶺土 ! 0.6 0.3 高嶺土 0.6 0.3 时鬆承 Μ 如阮φ φ 鏃Μ链链 Φ Φ <π <π 链链踩嵌 +Η Ή ΪΚ 交流體積電阻係數 (108 Ω cm) e g 1 i 1 -5Γ ^ g㈣ Liur B g 1 β 1 ®趄_ -——ΙΓ1ΙΙΙ1Ι — n — — — — — — I— ΙΙΙΙΙΙΙΙ· (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -47- 經濟部智慧財產局員工消费合作社印紫 450888 A7 B7 五、發明說明（45 ) 比較例7 气^另 cn co Ό Ο S Ό ir\ 0.49 ,1.345 3 C S cn cn 6 § < χ χ ® § |寸 t—« |比較例6 ^ s S ο 〇〇\ vn ΐίη cn 0.54 1.342 § < ® X 瑕§雲5 1—1 I-· 比較例5 β ^泛 CS CO Ο ο o 卜in v〇 T—( 0.54 1.353 9 < χ χ SS § 雲0 I-^ 〇比較例4 寸寸 CO ·—' F： § t—^ 0.54 1.352 s寸§ S〇◎ X 題§謹?5 比較例3 ο ο 0.54 1.352 3寸§ § O X x 題§ , ° 〇比較例2 Ri ^ o C^· Ό 卜〇〇 t-· 0.54 1352 s寸s 名 <]◎ X ® Θ CS F t 比較例1 3戈g 'OJ CO o S 卜s 0.54 1.352 % c o S <1 © x ΙΤΊ ρ-Η 1拉伸倍率縱倍橫倍 .熱固定溫度厚度（iim) 厚度之分散性(％) f ο® "s ^ ^ cn S令表面粗糖度(Ra) (nm) (Rz) (nm) 固有粘度（dl/g) 密度（g/cm3) 〇 ^ | i ^ 8 a 掛賸 m 耀 u 婪逾漆 TISn、 Ί'ΪΠ'ι C 鹅 η % © 孽醚鉍埏担磨Ν聰瞌錕齡》蕖 gf 驟 ^酗 m p扫 _ tt 挪越絕緣不良率(％) _1 mm 鹚4π鲣 ----I — I I I ---rr — — — — — —II ^-----I I I I . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -48- yv 4&Ο888 A7 B7 五、發明說明（46) 甯施例11〜13 <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使用醋酸錳四水鹽〇 . 0 3分作爲酯交換觸媒’使2 ，6 —萘二羧酸二甲酯1 〇〇分及乙二醇6 0分’由 150 °C徐徐升溫至240 °C，同時進行酯交換反應。途中反應溫度到達1 7 〇 °C的時刻，添加三氧化二銻〇 . 024分，再以表3記載的量添加平均粒徑1 . 〇以 m之碳酸鈣潤滑劑。其次在反應溫度到達2 2 0°C時’添加5 —二羧基苯磺酸四丁基銹鹽0 . 〇 4 2分（相當於2 mmol % )，繼續進行酯交換反應，酯交換反應結束後添加磷酸三甲酯0.023分。其後，將反應生成物移入聚合反應器內，升溫至2 9 0°C爲止，在3 0 P a以下的高真空下進行縮聚合，在2 5 °C之鄰氯酚溶液測定的固有黏度爲0 . 6 1 d Ι/g及玻璃轉移溫度1 2 1°C之聚伸乙基一2，6—萘二羧酸酯（PEN)。經濟部智慧財產局貝工消费合作社印聚在1 7 0°C使此聚合物乾燥6小時後，供給至擠壓機內，在熔融溫度3 1 0°C熔融。因此以由線徑1 4ym之不銹鋼細線而成的平均開孔3 0 之非織物型濾網過濾此熔融狀態之P E N聚合物後，通過細縫狀模頭’於表面加上處理0 . 3 S之旋轉轉鼓上利用繫線（SUS絲（ 0 . 1 m m 0 )，施加電壓：直流3kV)使附著固化，而得未拉伸薄膜。將此未拉伸膜依序在該薄膜之縱方向及橫方向上雙軸拉伸（140°C於縱方向拉伸3 · 6倍，其次在140°C 於橫方向拉伸3 . 9倍）’再者在2 · 3 2 °C熱固定處理本紙張尺度適用中國S家標準<CNS)A4規格（210 X 297公釐） -49- 450888 A7 B7___五、發明說明（47) 5秒鐘，捲取捲筒成厚度2 Am之雙軸定向P EN薄膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表3。且，此等薄膜之空間因子爲4〜1 5%，並無問題。實施例1 4 除碳酸鈣變更平均粒徑爲0 . 8 ’其添加濃度變更成0 . 7 5重量％，且3，5 —二羧基苯磺酸四丁基銹鹽變更成3，5 -二羧基苯磺酸四苯基鱗鹽’其添加量變成2 mmol %以外，餘與實施例1 1同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表3。實施例1 5 除碳酸鈣變更平均粒徑爲1 . ’其添加濃度變更成0 . 5重量％，且2，6 —萘二羧酸二甲酯變更成 0 . 5重量％，且2，6_萘二羧酸二甲酯變更成2 ’ 6 —萘二羧酸二甲酯及間苯二甲酸（I A)之莫耳比9 5 : 5之混合物外，餘與實施例1 1同法進行製膜6雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表3。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝---- 訂--------- 經濟部智慧財產局負工消费合作社印製本紙張尺度適用+國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -50- ^50888 A7 _B7 五、發明說明（48) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 ε 0 實施例15 PEN 95% ΙΑ 5% 〇〇 Τ—Η ，4 U β oq 碳酸鈣 1.2 0.5 高嶺土實施例14 PEN 100% ί_-_ < Q <N CN cs 碳酸鈣 0.8 0.75 高嶺土 0.6 0.3 實施例13 PEN 100% 1 ί 1 〇 s oo 碳酸鈣' 1 0.45 高嶺土 0.6 0.3 實施例12 PEN 100% r~t CN i 1 u 碳酸鈣 1 0.45 高嶺土 0.6 0.3 實施例11 PEN 100% t-H <N CJ C<1 碳酸鈣 1 0.45 高嶺土 0.6 0.3 髮# Μ <α W φ φ 酴輙堪链 φ Φ <π Μ运齡無 4級銹鹽添加量（m m o 1 %) 交流體積電阻係數(1〇8Ω_ 宕i 1 g 1 p起_ *㈣ LuilJ1 | i 1 m μ m 喪 luiiir m= .---^--------1 裝--------訂---------MK. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -51 - 450888 A7 _B7五、發明說明（49) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製一 8寸 t SVO ◎ ◎ ◎ QSZ ςκιΌ 6 寸 e.I— 寸s §~ u ~5~~ 寸 ~^~~ L 0~~ 6_e 9.e i8 Z1 z 0~ 6.e 9·ε 寸1囊w (請先閱婧背面之注意事項再填寫本頁) 、裝 a震« 0 6·ε 9.ΓΠ

OJ Ο CO m v〇 cn ^4- CM 〇 . OJ c4 寸 ^§1 •SJ· π τ 6Έ 9Χ Π震舾猶)001¾ 寸6爱©◎◎題§,一S ^^1-1 〇 τ §1 009 ~~^~ ◎ ◎ QLZ 0SS 寸 ττ κη 寸SO οοει~ Is 寸一 0~ 6Έ 9X 1震艇 _(％)當IK-謹 (Έ/疆蠢蠢ffil (s ( P8IMS <Y讓 _ii's I 雲囊 18^» 霞/Λ (aioicqss 锴墨 (αι/ass躍驾藏 %^ ί §- ^ SS _(i 制？1 ί § f) (g姻麵ag I 鐘(lism <|"6/頃)看暑<)银囊 (％ls®ttl (m3glh 麗瑕画銳— 1 1 s*s mm 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -52- 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 450888 A7 _B7____五、發明說明（5〇) 實施例1 6 除添加的潤滑劑變更成平均粒徑1 . 3 //m之球狀二氧化矽粒子及平均粒徑0 . 2 //m之球狀二氧化矽粒子’ 各自的添加量變更成0 . 3 5重量％及0 . 2 5重量％，且非織物型濾網之平均開孔變更成2 5 外，餘與實施例1同法製作未拉伸薄膜。因此將此未拉伸薄膜依序雙軸拉伸（於縱方向130 °C拉伸1 . 4倍，接著在135 °C 於縱方向拉伸2 . 5倍（總縱拉伸倍率3 · 5倍）後’在 135 °C於横方向拉伸4.0倍），其後在230 °C熱固定3秒鐘，捲取捲筒成厚度2 . 5 //m之雙軸定向薄膜。雙軸定向薄膜之物性及其評估結果示於表4。實施例1 7 除使用平均開口 2 0 Am之燒結金屬型濾網外’餘與實施例1 6同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表4。奮施例1 8及比較例8 除添加的潤滑劑之平均粒徑及添加濃度變更成表4記載般外，餘與實施例1 6同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表4。實施例1 9 除添加的潤滑劑變更成平均粒徑1.3之球狀二 <請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） -53- 4508 8 8 a? ____________ B7 五、發明說明（51) (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁> 氧化矽粒子及平均粒徑〇·2之球狀二氧化矽粒子，各自的添加量變更成0 . 3 5重量％及0 . 2 5重量％，且非織物型濾網之平均開口變更成2 5 外，餘與實施例1 1同法製作未拉伸薄膜。因此將此未拉伸薄膜依序雙軸拉伸（於縱方向在1 3 0°C拉伸1 . 4倍，接著於 1 3 5°C縱方向拉伸2 · 5倍（總縱拉伸倍率3 . 5倍）後，於135 °C橫方向拉伸4.0倍），其後在230 °C 熱固定3秒鐘，捲取捲筒成厚度2.2之雙軸定向薄膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表4。實施例2 0 除添加的潤滑劑變更成平均粒徑0.6之球狀二氧化矽粒子及平均粒徑0.3之球狀二氧化矽粒子’ 各自的添加量變更成0.6重量％及0.5重量％’且3 ，5 -二羧基苯磺酸四丁基鐵鹽之添加量變更成9 mmol% 以外，餘與實施例1 9同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表4。經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例2 1 除3，5 —二羧基苯磺酸四丁基鍈鹽變更成3 ’ 5 — 二羧基苯磺酸四苯基鱗鹽外，餘與實施例1 9同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表4。本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -54- «5088® A7 B7 五、發明說明（52 ) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製寸 I—Η 闺 {ft PEN 100% 121 祕^ $ 1 1^0 龄 11°〇 η m (N CM — ο ο oo S νΊ CS 寸们 l〇 CO Or-： 2.4 43 0.558 璀 PEN 100% 121 球狀二氧化砂 0.6 0.6 球狀二氧化政 0.3 0.5 co m CS CN ^ ο ο 夺§ 1 Ή 寸 l/~J rn O r-ί 2.4 4.3 0.558 §◎〇◎ ON S 闺鲕 PEN 100% 121 〇 Οί 11^〇餃祕吨 1|^〇龄 ζ^~ι cn iNq tN 05 — οο οο S V"i 〇J 寸… in c〇 O-h' 2.4 4.3 0.558 §◎◎◎ 〇〇 JJ PEN 100% 121 I I ^ 祕m so 11“ 龄 I 齡 CO cs ^ CS CN — ο ο sg l〇 CO 2.1 4.1 0.512 Sox χ 〇〇 T—I 辱 m Μ PEN 100% 121 I I竺 ¢1 cs 1 龄 1 祕吨 1 1ώ〇 3寸§ VTJ CN (N — ο ο si i i ^ \n i〇 cn O '~1 2.1 4.1 0.512 §<]◎〇卜 g 闺 m PEN 100% 121 ! I S 礙 CO ίΐ 1 1^0 龄晡吨 1 !°〇龄 s寸3 。〇q (N — ο ο V^J 1 _ 寸W~i in cn O 11 2.1 4.1 0.512 §〇◎◎ VO S m PEN 100% 121 I I 2 祕 1 1—C5 龄 1 ] °〇餘 3寸§ ^ CN CN — ο ο s§ 1 f 寸tin ί〇 cn 2.1 4.1 0.512 _〇◎◎ 鬆β 如盹 κη φφ 1g1Sbi W州Η 4級辚鹽添加量（mmol%) 交流體積電阻係數(1〇8Ωαη) &I wum DuP _ P 赃 3ΙΰΓ m 拉伸倍率縱倍癀蓓 1熱固定溫度 _ 最震之趨w)___一 ^—S —.¾ Mag ιΐ 磁曰 s ^ m II 'W1 鹋 m m m 嗽画1粘度；一— 娜 I Q X % 运1 1 ^ 铣掛· m焉 m i tR»> twin $趙 Si pq 运 mmm 瓣鍪忉 ®·Ν 聰 S 袈鞭》繫账Φ鬆 mm (請先閲讀背面之注意1E項再填寫本頁) 裝 -SJ·- 本紙張尺度適用乍國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -55-

Mm β$ A7 __ B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製五、發明說明（53) 實施例2 2 除添加的潤滑劑變更成平均粒徑2 . Ojam之多孔質二氧化矽粒子及平均粒徑〇 · 6 ;zm之球狀二氧化矽粒子 ’各自的添加量變更成0 . 3 5重量％及〇 . 2 5重量％ ’且非織物型濾網之平均開口變更成2 8 "m外，餘與實施例1同法製作未拉伸薄膜。因此將此未拉伸薄膜依序雙軸拉伸（於縱方向在135 °C拉伸1 . 75倍，接著於 1 4 5 °C縱方向拉伸2倍（總縱拉伸倍率3 . 8倍）後，在1 50 °C橫方向拉伸3 · 8倍），其後在235 °C熱固定3秒鐘，捲取捲筒成厚度2.Owm之雙軸定向薄膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表5。實施例2 3 除在聚合物之聚合階段事先以平均開孔（3 0只m之濾網過濾後添加潤滑劑*聚合聚合物外，餘與實施例2 2 同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表5 實施例2 4 除添加的潤滑劑變更成平均粒徑1 . 7以111之多孔質二氧化矽粒子及平均粒徑0 . 4 //m之球狀二氧化矽粒子，各自的添加量均變更成0 . 4重量％外，餘與實施例2 2同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格<210 X 297公釐） {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -56- 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製 «50888 a? __B7__五、發明說明（54) 實施例2 5 除依序將雙軸拉伸之縱方向的拉伸變更成在1 4 5°C —次拉伸3 . 5倍的拉伸外，餘與實施例2 2同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表5。比較例9 除添加的潤滑劑變更成平均粒徑3 · 5 之多孔質二氧化矽粒子及平均粒徑0.6之球狀二氧化矽粒子，各自的添加量變更成0.2重量％及0·1重量％外，餘與混合物2 2同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表5。實施例2 6 除添加的潤滑劑變更成平均粒徑2 # m之多孔質二氧化矽粒子及平均粒徑0 . 6 /zm之球狀二氧化矽’各自的添加量變更成0 . 3 5重量％及0 . 2 5重量％ •且非織物型濾網之平均開孔變更成2 8 外，餘與實施例1 1 同法，製作未拉伸薄膜。因此將此未拉伸薄膜依序雙軸拉伸（於縱方向在140 °C拉伸3 · 6倍後’在140 °C橫方向拉伸3. 9倍），其後，在232 °C熱固定5秒鐘’ 捲取捲筒成厚度2 . 2 //m之雙軸定向薄膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表5。 (請先閱續背面之注$項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -57- <5〇8£§_ 五、發明說明（55) 實施例2 7 除多孔質二氧化矽粒子及球狀二氧化矽粒子之添加量各自變更成0 . 4重量％及0 . 2重量％ ’且3 ，5 —二羧基苯磺酸四丁基錢鹽變更爲3 ，5 —二羧基苯磺酸四苯基錢鹽外，餘與實施例2 6同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表5。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製本紙張尺度適用中國國家裸準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -58- 45〇888 at _；_B7 五、發明說明（56) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 LO谳實施例27 PEN 95% ΤΑ 5% 〇0 ί—1 Q CM 多孔質二氧化矽 1.2 0.05 2 0.4 球狀二氧化矽 0‘6 0,2 實施例26 PEN 100% s CJ <N rs 多孔質二氧化矽 1.2 0.05 2 0.35 球狀二氧化矽 0.6 0.25 比較例9 PEN 100% s 1 1 2 多孔質二氧化 0.4 0，1 3.5 , 0·2 球狀二氧化矽 0.6 0.1 實施例25 PEN 100% s 1 1 2 多孔質二氧化矽 1 0.06 2 0.35 球狀二氧化矽 0.6 0.25 實施例24 PEN 100% f-H CN i ( σ\ 多孔質二氧化矽 1.2 0.05 1.7 0.4 球狀二氧化矽, 0.4 0.4 實施例23 PEN 100% 1 1 1 2 多孔質二氧化砂 1 0.06 2 0.35 球狀二氧化矽 0,6 0.25 實施例22 PEN 100% 1 s i 1 On τΉ 多孔質二氧化矽| 1 1 0.06 ! 2 0.35 球狀二氧化矽 0·6 0.25 菘# 桃 <π [πϊ Φ Φ 联Μ链堪 Φ Φ 4π <π 链链嵌蘇州州铱铱 os H |4級鱗鹽 i添加量（mmol%) 交流體積電阻係數 (ΙΟ8 Ω cm) f S芎妥 i 1 3 3 1 m 1 ϋ m m u m smtfS m m ^ 鰾鏢1 ^N >~-s B ^ 腰a妄脚阖轾 ~餐I BEST 類= 嵌 4π 屋；---^---------^ 裝-------- 訂！I -線 K (請先閱讀背面之注恚事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -59- ^50880 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製五、發明說明（57) 實施例27 θ A沄 m cn ^ 〇 <N 一 <N cn o Ό卜 > \〇 »—1 0.49 1.348 2.3 4 0.575 ,◎ ◎ ◎ 鋁 600 2400 1 (N c5 實施例26 MD Ο 〇 ro co 〇3 cm cn 0 iN 一卜s〇 1 4 寸in l〇 ro O “ 2 3.8 0.526 ,◎ ◎ ◎ 鋁 600 2600 1 (N 比較例9 ^ ^ ^ r〇 ro csi 2 s -s 0.51 1.353 2 3.8 0.526 § X X X 1111 1 實施例25 ^ 〇〇 cn c^i CM S cn ro cs 2 卜Ό τ—Η 0.54 1.353 2.2 3.4 0.647 1111 1 實施例24 ^ CO cn CS O cs os ^ VO in 0.54 1.353 2 3.8 0.526 €〇◎ ◎ 1111 1 實施例23 Ό ^ <^> cn 〇q CS 2 〇〇〇 1-H 〇\ 0.54 1.353 2 3.8 0.526 ,〇◎ ◎ 1111 1 實施例22 ^ (ΤΊ m 〇J 0)2 CS c〇 Ol 2 0.54 1.353 2 3.8 0.526 ,〇◎ ◎ 1111 1 拉伸倍率縱倍丨播样 1熱固定溫度口厚度（ym) |厚度之分散性(％) f a M ψ. ^ 鐮宕 in ^ cn S令 mm ^K 1表面粗糙度(Ra) _) (Rz) (nm) 1Ϊ u 匦钥 |l ? | 8 S (N 4-? ¥ & m 躍蠢議 c 趟 S g PQ £i Btil 瓣豳w w銥钷担堪·Ν缠紘製賺jt_ 鹏 p赵鲣二g湮 -'til 1—· jj/ ifwi 舾1¾¾煺 »鹤6鏨絕緣不良率(％) 1 激S 戤ng — — — — — — — — 1— — — 〆- I I (諝先閱讀背面之注意^項再填寫本頁>

k5J 4 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -60- 450$$$ A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印製五、發明說明（58) 實施例2 8 除添加的潤滑劑變更爲細孔容積1 · 2ml/g ’一次粒子徑0 · 0 5//m及平均粒徑1 之多孔質二氧化矽粒子，其添加量變更爲0 · 5重量％外，餘與實施例1同法，製作未拉伸薄膜。因此將此未拉伸薄膜依序雙軸拉伸（於縱方向在1 40 °C拉伸3 . 6倍後’於橫方向在140 °C拉伸3.9倍），其後在232 °C固定5秒鐘，捲取捲筒成厚度2 · Ojum之雙軸定向薄膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表6。實施例2 9 除添加的潤滑劑變更成細孔容積1 * 2ml/g，一次粒子徑0 . 0 2θΐη及平均粒徑2 . 7#m之多孔質二氧化矽粒子，其添加量變更成0 . 3 5重量％外’餘與實施例2 8同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表6。實施例3 0 除多孔質二氧化矽粒子之平均粒徑變更成2 · 0#m ，其添加量變更成0 . 4 5重量％外，餘與實施例2 8同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表6。窨施例3 1 除添加的潤滑劑變更爲細孔容積1 · 2ml/g，一 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS>A4規格（210 X 297公釐） -61 - L^(foae§ A7 B7 經濟部智慧財產局貝工消费合作社印髮五、發明說明（59 ) 次粒子徑0 . 05#m及平均粒徑1 · 7//Π1之多孔質二氧化矽粒子其添加量變更爲0 . 5重量％外’餘與實施例 1 1同法製作未拉伸薄膜。因此，將此未拉伸薄膜依序雙軸拉伸（於縱方向1 40 t拉伸3 . 6倍後’於橫方向 140 t拉伸3. 9倍），其後在232 °C熱固定5秒’ 捲取捲軸成厚度爲2 . 0//m之雙軸定向薄膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表6。實施例3 2 除添加的潤滑劑變更成細孔容積1 . 2 m 1 / g ’ 一次粒子徑0 · 及平均粒徑2 · 7/zm之多孔質二氧化矽粒子’其添加量變更成〇 . 3 5重量％ ’且3 ’ 5 一二羧基苯磺酸四丁基鐵鹽之添加量變更成9 mmol %外’ 餘與實施例3 1同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表6。實施例3 3 除多孔質二氧化矽粒子之平均粒徑變更爲2 . 0#m ，其添加量變更爲0 · 4 5重量％，且3，5 —二殘基苯擴酸四丁基鱗鹽之添加量變更成9 mmol %外’餘與實施例 3 1同法進行製膜°雙軸定向'薄膜之物性及評估結果示於表6 。 (請先閱讀背面之注意事項再填窝本頁) 本纸張尺度適用令國國家標準（CNS)A4規格（210X 297公釐） 45〇888 A7 _B7 五、發明說明（6〇 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 9 嗽實施例33 PEN 100% 3 υ S OO 多孔質二氧化矽 1.2 0.05 2 0.45 實施例32 PEN 1 100% 1 Η U r-；多孔質二氧化矽 1.2 0.02 2,7 0,35 實施例31 PEN 100% s 〇 csi cS 多孔質二氧化矽 1.2 0.05 1.7 0.5 實施例30 PEN 100% CN 1 1 GT\ 多孔質二氧化矽 1.2 0.05 2 0.45 實施例29 PEN | 100% T—H I i On 多孔質二氧化砍 1.2 0.02 2J 0.35 實施例28 PEN i 100% s ! 1 〇\ 多孔質二氧化矽' 1.2 0.05 17 0.5 盹 m « 链怪州州 ^Jl |4級鱗鹽 .添加量（mmol%) 交流體積電阻係數 (108 Ω cm) > e s ^ 騷基a a妄 S簏w i侧 1 iiiuji HRs? 1 蝶鎖：1 镞如鬆；---l· - -------1 - I ------訂.------- (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -63- λ ST ^ ^ ^ W ο ^ ^ Α7 Β7 五、發明說明（61) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例33 ^ ^ S ¢0 ΓΛ 〇] Ο vn \〇寸 γ-< 0.54 1.352 〇〇 —· On CO rs5 h … Ο § ◎ ◎ ◎ 魂§猶〇 r—Η 〇實施例32 a q泛 ΓΟ 〇3 cn r- ? § 1—1 0.54 1.353 1.9 3.7 0.514 S ◎ ◎ ◎ <Ν 實施例31 cn cn 〇q CS 2 〇 Γ〇 δ 1 τΉ 0.54 1.352 2 3.8 0.526 赛◎ ◎ ◎ Si§ 1 〇 ι—Η Ο |實施例30 cjn £3 CO 〇3 CS 2 Ο ι〇 0.54 1.352 2.1 3.9 0.540 §〇〇〇 1 I 1 1 1 實施例29 ο σ\ r〇 r<S CS 2 OJ Γ- ? § fH 0.54 1.352 1.9 3.7 0.510 s〇◎ ◎ 1111 1 實施例28 ^ ^ S m cn cn3 〇 CO G I 0.54 1.352 2 3.8 0.526 §〇◎ ◎ 題11 ο I-· ο 拉伸倍率縱倍橫倍熱固定溫度厚度（ym) 厚度之分散性(％) ~6 苷雲 -5 Μ =4 θ S令镅龆盔+ΐ II 'w* "θ' ^ 苎5 m m m m m II 'w* '^· 画骺 s ^ 二 1 u Q 8 § S ^ 掛褂 m m m 婪 TRr* tKTV* > C 氍 Q g 蟛認輕担繼鹱鹊仞趣歡被_ gi 縣 A麵脚 P扫豳二8题挪鹚巴緹絕緣不良率(％) 概郵 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

ill — — —— ^iln--I 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -64- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明（62) 實施例3 4 除添加的潤滑劑變更成細孔容積1 . 2ml/g ’ 一次粒子徑0 . 05//Π1及平均粒徑〇 06jam之多孔質二氧化矽粒子及細孔容積1 . 2ml/g ’一次粒子徑 0·05em及平均粒徑2.Ovm之多孔質二氧化矽’ 各自的添加量設爲0 . 2 5重量％及0 . 3 5重量％外’ 餘與實施例1同法製作未拉伸薄膜。因此將此未拉伸薄膜依序雙軸拉伸（於縱方向140 °C拉伸3 . 6倍後’於橫方向140 t：拉伸3 . 9倍），其後在235 °C熱固定5 分鐘，捲取捲筒成厚度2 . 0//ιώ之雙軸定向薄膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表7 » 實施例3 5 除添加的潤滑劑變更成細孔容積1 . lml/g ’一次粒子徑0·06#m及平均粒徑0·3#m之多孔質二氧化矽粒子及細孔容積1 . 8ml/g ’ 一次粒子徑 0 . 02//m及平均粒徑2 . 7私111之多孔質二氧化矽粒子，各自的添加量設爲0 . 3 0重量％及〇 * 3 0重量％外，餘與實施例3 4同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表7。啻施例3 6 除添加的潤滑劑變更成細孔容積1 . 2ml/g ’一次粒子徑0 . 0 5/fm及平均粒徑0 . 4j«m之多孔質二本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 x 297公釐） I 1 I h I I I---- - I I I I I I I ^*1 — — — — — — — (請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) -65- B7 五、發明說明（63) 氧化矽粒子及細孔容積Ο . 9m l/g，一次粒子徑 0 · 05/zm及平均粒徑1 . 7em之多孔質二氧化矽粒子，各自的添加量設爲0.40重量％及0.40重量％外，餘與實施例3 4同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表7。實施例3 7 除添加的潤滑劑變更成細孔容積1 · 2m l/g ’ 一次粒子徑0 . 0 5//m及平均粒徑0 . 6em之多孔質二氧化矽粒子與細孔容積1 . 2m l/g，一次粒子徑 0 · 05i£m及平均粒徑2 . 0/zm之多孔質二氧化矽粒子，各自的添加量設爲〇 . 2 5重量％及0 . 3 5重量％外，餘與實施例1 1同法製作未拉伸薄膜。因此將此未拉伸薄膜依序雙軸拉伸（於縱方向1 4 0°C拉伸3 . 6倍後，於橫方向140 °C拉伸3 . 9倍）’其後在232 °C熱固定5秒，捲取捲筒成厚度2 . Oiim之雙軸定向薄膜° 雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表6 ° 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例3 8 除添加的潤滑劑變更成細孔容積1 · lml / g ’一次粒子徑0 . 06ym及平均粒徑0，之多孔質二氧化矽粒子與細孔容積1 . 8m l/g，一次粒子徑 0.02#111及平均粒徑2‘7^111之多孔質二氧化砂粒子，各自的添加量設成0.30重量％及〇·30重量％本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -66- 4 °®a8 A7 B7 五、發明說明（64 ) ，且3，5 —二羧基苯磺酸四丁基鱗鹽之添加量變更成9 mraol %外，餘與實施例3 8同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表6。實施例3 9 除添加的潤滑劑變更爲細孔容積1 · 2ml/g，一次粒子徑0 . 0 5ΜΠ1及平均粒徑〇 , 〇4//m之多孔質二氧化矽與細孔容積0 · 9ml/g，一次粒子徑 0 . 05/zm及平均粒徑1 . 之多孔質二氧化砂粒子，各自的添加量設爲0·40重量％及0.4〇重量％，且3，5 -二羧基苯磺酸四丁基锇鹽之添加量變更爲9 mmol %外，餘與實施例37同法進行製膜。雙軸定向薄膜之物性及評估結果示於表7。 {請先閱讀背面之注f項再填寫本頁) '裝 i I ! I I 訂-1 I--

n a— I 經濟部智慧財產局員Η消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -67- A7 B7 五、發明說明（65 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 L 撇實施例39 PEN 100% Γ—1 CN ^ S OO 多孔質二氧化矽 1.2 0,05 0.4 0.4 多孔質二氧化砍 0.9 0.05 1.7 0.4 實施例38 PEN 100% l-· CJ as 多孔質二氧化较 1.1 0.06 0.3 03 多孔質二氧化矽| 1.8 0.02 2,7 0,3 實施例37 PEN 100% s 〇 tN oi 多孔質二氧化矽 1.2 0.05 0.6 0.25 1 多孔質二氧化矽1 1.2 0Ό5 2 0.35 實施例36 PEN 100% π 1—1 1 ! Os 多孔質二氧化矽 L2 0.05 0.4 0-4」多孔質二氧化砂 0.9 0‘05 L7 0.4 實施例35 PEN 100% 3 1 1 2 多孔質二氧化砂 1.1 0Ό6 03 0.3 , 多孔質二氧化砂 L8 0Ό2 2,7 0.3 實施例34 PEN 100% 3 ! 1 2 多孔質二氧化矽 1.2 0.05 0.6 0.25 多孔質二氧化矽 1,2 0.05 2 0·35 <!〇 W 嵌砘 φ Φ 链链州州 4級鋳鹽添加量（mmol%) 交流體積電阻係數 (10eQcm) |芎B妥 Tffv BIT •w -w 娜f m m 苎糾® _ 8 S f f g囊έ 变架衫 ΙΕΠΤΡ Βϊ9 \ m m 1 f ?宕冢 μ | a a 1 m 1 靼《區i起+ ^ M W 1 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -68- 4^S8b A7 B7 五、發明說明（66 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製實施例39 ^ ^ CSJ O cn 〇〇 S 0.54 1.352 2.1 3.8 0.553 s ◎ ◎ ◎ τ—1 «—Η 實施例38 ^ ^ ^ cn CO CS Oi Γ' ,o CN 〇〇 r- 0.54 1.353 2 3.8 0.526 § ◎ ◎ ◎ 瑕 104 (Ν Ο 實施例37 ^ ^ CO CO CN Ο o S 卜12 0.54 1.352 2 3.8 0.526 § ◎ ◎ ◎ ® § § ° Τ-Η Ο :實施例36 m γ〇 Ο 〇Ί 〇 00 \〇 in 0.54 1.352 2 3.8 0.526 §〇〇〇 1111 1 丨實施例35 $⑼ c〇 cO 〇} CM 2 oo卜 r—1 0.54 1.352 2 3.8 1 0.526 i〇◎ ◎ 1111 1 實施例34 β A $ co cn cn Ο χτ\ o S 卜！Q 0.54 1.352 2 3.8 0.526 §〇◎ ◎ 瑞雲ο τ—ί ο 1拉伸倍率縱倍橫倍 1熱固定溫度丨厚度（"m) I厚度之分散性(％) f ^ Μ g層 £ ^ Δ 嵌趄表面粗糖度(Ra) (nm) (Rz) (nm) 固有粘度（dl/g) 密度（g/cm3) 承£ § ^ ^ | i 1 S a 榭撒 m m m 琴銳趣 wK =i. > | g 8 itil 瓣纏·Ν 瘩忉載S 熥鲣踏4π ®激被靈 M -¾ 1 p赵 ^ a ® ϋ耻g缴挪鲤絕緣不良率(％) 1 ! 1 被越韬Φ鹤 '---一--------t 褒--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂：本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -69 -

Claims

45〇sg A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 π、申請專利範圍 1 .—種薄膜電容器用複合膜，基—2 / ' ^κ ，6 —萘二羧酸酯爲主成分之聚合物成予以形成的雙軸 1 : .，一….〜.... ..'....〜― —-^· 定向薄膜之表面上具有導電性金屬薄膜之薄膜電声器用複、—— -—--------------—^------- -.....—一 --------一鹱軸宙向蒗腊I於其.表面H趋i徑皆0^+、m以上的飛蚊H腽屋.在上. XUS、/ nf以下’且該複合膜爲絕緣 I ------- --'· . — _ ...... . . .1 破壞電霉玉嚴屋麗丄里藶复陷j ϊ 2 0個/ma以下J ——- 2 .如申請專利範圍第1項之複合膜，其中CR値在 8 Ο Ο Ω F以上。 3 .如申請專利範圍第1項之複合膜，其中該導電性金屬薄膜爲鋁金屬薄膜。 4 .如申請專利範圍第1項之複合膜’其中該導電性金屬薄膜係具有0.01〜〇.lAm之厚度。 5 .如申請專利範圍第1項之複合膜，其中該薄膜係厚度0.5〜7em。 6 .如申請專利範圍第1項之複合膜，其中該薄膜係表面之中心.綠平均4&糙度（Ra)爲40〜8〇nme 7 .如申請專利概·^_弟1項之複合膜，其中該薄膜係粒徑超過3 5 之粗大粒子的個數在1 0個/试以下。 8 .如申請專利範圍第1項之複合膜，其中該薄膜係在2 0 〇°C已熱處理1 〇分鐘後的縱方向（MD)及橫方向（TD)之熱收縮率之比（MD/TD)爲滿足〇 . 3 9 〜〇 . 8 2。 9 ,如申請專利範圍第1項之複合膜，其中該薄膜係 (請先閲讀背面之注項再填寫本頁) '裝. 訂本纸張尺度適用中國國家標率（CNS > A4規格（210X297公釐） -70- w C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製六、申請專利範圍厚度之分散性在25%以下。 1 0 .如申請專利範圍第1項之複合膜，其中該薄膜係於表面之平均粒在6 0 以上的飛蚊斑之個數在1 5 個/ πί以下。 1 1 .如申請專利範圍第1項之複合膜，其中該薄膜係密度在1.338〜1,361g/cm3。 1 2 .如申請專利範圍第1項之複合膜，其中該薄膜係由固有黏度在0·40〜0.9〇dΙ/g之聚酯而形成者。 1 3 . —種薄膜電容器構件之製造方法，其特徵在於以聚伸乙基-2，6_萘二羧酸酯爲主成分之聚合物成分予以形成的雙軸定向薄膜之表面上使蒸鍍導電性金屬，藉由使表面上具有所得的導電性金屬薄膜層之複合膜層合多數片，製造薄膜電容器構件之方法，該雙軸定向薄膜係以使用滿足下述要件（1)〜（3): (1 )於表面之中心線平均表面粗糙度（Ra )爲 4 0 〜8 0 n m， (2 )於表面之平均徑爲6 0 以上的飛蚊斑個數在2 0個/πί以下及 (3 )使用在2 0 0°C處理1 0分鐘後的縱方向（ MD)及橫方向（TD)之熱收縮率之比値（MD/TD )係0.39〜0.82之薄膜。 1 4 . 一種薄膜電容器，其特徵在於以聚伸乙基一 2 ，6 -萘二羧酸酯爲主要聚合物成分予以形成的雙軸定向 (請先閲讀背面之注^^項再填寫本頁) 本紙張尺度逍用中圃两家樣準{ CNS > A4規格（210X297公釐） -71 - C8 DS 六、申請專利範圍 (讀先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 薄膜之表面上具有導電性金屬薄膜之複合膜層合多數片的層合複合體作爲構成構件之薄膜電容器’該雙軸定向薄膜係於其表面之平均徑6 0 /zm以上的飛蚊斑之個數爲2 〇個/ηί以下，且薄膜電容器係絕緣破壞電壓不滿足2 0 0 之比率在10%以下。 1 5 .—種電容器用聚酯薄膜，其特徵在於以聚伸乙基-2，6 —萘二羧酸酯爲主要聚合物成分予以形成的雙軸定向薄膜，該薄膜係滿足下述要件（1)〜（3): (1 )於表面之中心線平均表面粗糙度（Ra )爲 4 0 〜8 Ο n m， (2 )於表面之平均徑爲6 0 Aim以上的飛蚊斑之個數在2 0個/ma以下及 (3 )以使用2 0 0 °C處理1 0分鐘後的縱方向（ MD)及橫方向（TD)之熱收縮率之比値（MD/TD )係 0.39 〜0.82。 1 6 .如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜’其中該薄膜係厚度之分散性在2 5%以下。 1 7 .如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜，其中該經濟部智慧財是局員工消費合作社印製薄膜係厚度在0 . 5〜7//m。 1 8 *如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜’其中該薄膜係在表面之中心線平均粗糙度（R a )在4 5〜8 0 μ m ° 1 9 ·如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜’其中該薄膜係於表面之平均徑在6 0 以上的飛蚊斑之個數爲本紙張尺度速用中國國家標率（CNS ) A4規格{210X 297公釐） -72- 4^〇8§§ 六、申請專利範圍 1 5個/ πί以下。 2 0 .如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜，其中該薄膜係熱收縮率之比（MD/TD)在0 · 4 1〜 0.80。 2 1 .如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜，其中該薄膜係粒徑超過3 5 之粗大粒子的個數在1 0個以下。 2 2 .如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜’其中該薄膜係密度在1 . 338〜1 · 361g。 2 3 .如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜，其中該薄膜係由固有黏度在0 . 40〜0 · 9 0 d Ι/g之聚酯所形成的。 2 4，如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜’其中該薄膜係由含有平均粒徑〇.5〜3.之球狀二氧化砂粒子（A) 0.03〜1.5重量％及平均粒徑 0 . 01〜1 . 之球狀二氧化砂粒子（B) 0.05〜2重量％之聚酯所形成的。 2 5 .如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜，其中該薄膜係由含有平均粒徑〇 . 5〜之多孔質二氧化砂 (A) 〇 . 05〜2重量％及平均粒徑〇 · 〜1 . 5 "m之球狀二氧化砂粒子（B) 0，01〜1重量％之聚醋所形成的。 2 6 .如申請專利範圍第2 5項之聚酯薄膜’其中該多孔質二氧化矽粒子（A)係細孔容積在〇 . 5〜2 . 〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ':装- 订經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中®國家梯率（CNS > A4規格（2丨OX2W公嫠） -73- s〇e8§ A8 B8 CS D8 六、申請專利範園m 1 / g ° 2 7 .如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜’其中該薄膜係由含有平均粒徑〇 . 2〜5 之碳酸鈣粒子（A )0·03〜2重量％及平均粒徑〇·〇1〜2从m之砂酸鋁粒子（B)003〜1重量％之聚酯所形成的° 2 8 .如申請專利範圍第1 5項之聚酯薄膜’其中該薄膜係由含有平均粒徑〇 . 1〜1 . 5ίίπι之多孔質二氧化矽粒子（Α)0.01〜2.0重量％及平均粒徑〇 , 7〜5 . Oxim之多孔質二氧化矽粒子（Β) 0.01〜2.0重量％，粒子（Β)之平均粒徑亦較粒子（Α)者0· 1/zm以上大，且粒子（Α)及粒子（Β )合計含有0.1〜2.0重量％之聚酯所形成的- 2 9 .如申請專利範圍第2 8項之聚酯薄膜，其中該多孔質二氧化矽粒子（A)及（B)不論何者之細孔容積均在 0 . 5 〜2 . 。 (请先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製本紙張尺度適用中國國家棣率（CNS > A4規格（210X297公着） -74-