JP2001250737A

JP2001250737A - コンデンサ用複合膜、その製造方法、フィルムコンデンサおよびそのためのベースフィルム

Info

Publication number: JP2001250737A
Application number: JP2000158030A
Authority: JP
Inventors: Koji Furuya; 幸治古谷; Hiroshi Kusume; 博楠目; Masaya Watanabe; 真哉渡辺; Akira Kameoka; 晃亀岡
Original assignee: Teijin Ltd
Current assignee: Teijin Ltd
Priority date: 1999-06-08
Filing date: 2000-05-29
Publication date: 2001-09-14

Abstract

(57)【要約】【課題】優れた物理的特性および電気的特性を有する
高品質のフィルムコンデンサ用複合膜、フィルムコンデ
ンサおよびそれらに使用される加工性および表面特性に
優れた極薄の二軸配向フィルムの提供。【解決手段】ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカ
ルボキシレートを主たるポリマー成分として形成された
二軸配向フィルムの表面に導電性金属薄膜を有するフィ
ルムコンデンサ用複合膜であって、該二軸配向フィルム
は、その表面における平均径が６０μｍ以上のフライス
ペックの個数は２０個／ｍ²以下であり、かつ該複合膜
は、絶縁破壊電圧が２００Ｖ／μｍを満足しない個所
（絶縁欠陥）が２０個／ｍ²以下であるフィルムコンデ
ンサ用複合膜およびそのための二軸配向フィルム。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コンデンサ用複合
膜、その製造方法、フィルムコンデンサおよびそれらの
ために使用するベースフィルムに関する。さらに詳しく
は、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレ
ートを主たるポリマー成分として形成された二軸配向フ
ィルムをベースフィルムとし、その表面に導電性金属薄
膜層を形成させたコンデンサ用複合膜、その複合膜の製
造方法、フィルムコンデンサおよび、その複合膜に使用
されるベースフィルムに関する。

【０００２】

【従来の技術】ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカ
ルボキシレートを主たるポリマー成分とする二軸配向フ
ィルムは、その優れた機械的性質、熱的性質および耐熱
性を有することから、コンデンサ用ベースフィルム（誘
電材）として使用され、その生産量も増大しつつある。

【０００３】ところで、近年、電気あるいは電子回路の
小型化要求に伴って、コンデンサの小型化および大容量
化が求められている。そのためべースとなる誘電材のフ
ィルムは、厚みを薄くすることが要求されている。フィ
ルムコンデンサにおいて、誘電材であるフィルムの薄膜
化が図られる理由は、コンデンサの静電容量が（ａ）誘
電材の誘電率および電極面積に比例すること、（ｂ）フ
ィルム厚みに反比例すること、言い換えると誘電材の単
位体積当りの静電容量はフィルム厚さの２乗に反比例
し、かつ誘電率に比例することから、同じ誘電率の誘電
材を使用してコンデンサの小型化または大容量化を図ろ
うとすれば、フィルム厚みを薄くすることが不可欠とな
るからである。

【０００４】このように、フィルムを薄くすることの効
果は明らかであるものの、従来の二軸配向フィルムの厚
みを単に薄くするだけでは新たな問題、例えばフィルム
の薄膜化に伴い、フィルムに電極を蒸着する際や、スリ
ット、素子巻き等の工程における作業性が悪くなる、と
いう問題が生じる。

【０００５】この作業性は主としてフィルムの滑り性に
係わるものである。この滑り性を改良する方法として
は、フィルム表面に微小な凹凸を与える方法が知られ、
かつ用いられている。この方法として、不活性無機微粒
子をフィルムの原料であるポリエステルの重合時、また
は重合後に添加したり（外部粒子添加方式）、あるいは
ポリエステルの重合時に使用する触媒等の一部または全
部を反応工程でポリマー中に析出させる（内部粒子析出
方式）技術が知られている。

【０００６】しかし、極薄フィルムの製造方法におい
て、中厚のフィルムを製造する場合と同じ濃度の不活性
無機粒子を含有するポリマーを用いると、極薄フィルム
の単位面積当りの不活性無機微粒子の数が減少し、フィ
ルム表面における微粒子の間隔が広がり、その結果、フ
ィルム表面が平坦化し、滑り性が低下する。また、極薄
フィルムは剛性が小さく、フィルム同士が容易に密着す
ることも、滑り性を低下させる要因となっている。従っ
て、薄膜化に伴う滑り性の低下を補うためには、フィル
ム厚みを薄くすればするほど、含有させる不活性無機微
粒子の濃度を高めるか、あるいは粒径を大きくする必要
があった。

【０００７】また不活性無機微粒子を含有するポリマー
を溶融押出しする際、ドラフト比を高くする場合や、さ
らに延伸の際に、不活性無機微粒子とポリマーとの親和
性が乏しいことに起因して、フィルム中にボイドが該不
活性無機微粒子の周りに発生しやすく、かつこの頻度も
多くなる。このため、得られたフィルムの機械的性質
（例えば破断強度、破断伸度）や電気的性質（例えば絶
縁欠陥）が低下するばかりでなく、フィルムを製造する
際にも破断が発生しやすくなり、生産性の低下、製造条
件の安定性に欠ける、という問題が生じることになる。

【０００８】ボイドの発生が抑制されたフィルムとし
て、特開平１−２６６１４５（特公平７−４７６４５）
には、フィルムを構成する熱可塑性重合体中に、空隙率
が５０〜９５％でありかつ平均粒径が０．０５〜５μｍ
である多孔質不活性無機粒子を０．０１〜３重量％、お
よび平均粒径がフィルムの厚みより大きくかつ０．２〜
４μｍである球状シリカ粒子を０．００５〜１重量％含
有せしめて、作業性（ハンドリング性）に優れ、かつ製
膜性（非破断性）を改善した厚みが４μｍ以下の薄い熱
可塑性フィルムが開示されている。

【０００９】しかし、前記フィルムとしてポリエチレン
−２，６−ナフタレンジカルボキシレートフィルムの場
合、本発明者らの研究によれば、該フィルムは機械的性
質の低下がなく、耐熱性、電気絶縁性に優れ、ボイドが
少ない等の利点を有するものの、未だ製膜時の破断は多
く、フィルム生産性が損われるという問題のあることが
明らかになった。

【００１０】ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカル
ボキシレートフィルムは、一般にポリエチレンテレフタ
レートフィルムに比して耐引裂き性に劣る特性を有する
が、この特性が製膜時の破断トラブルを多くする要因に
なっている。このため、ポリエチレンテレフタレートフ
ィルムの製造では問題にならなかった要因が、ポリエチ
レン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートフィルム
の製造では破断の原因になることがある。

【００１１】一方、平均粒径が異なる２つのタイプの多
孔質シリカ粒子を特定割合配合したポリエチレン−２，
６−ナフタレンジカルボキシレートフィルムが特開平７
−５７９６４号公報に記載されている。しかしこのフィ
ルムも製膜時の破断が多く生産性が低いという問題を含
んでいる。

【００１２】また、前記ポリエチレン−２，６−ナフタ
レンジカルボキシレートフィルムはいずれも、表面の突
起によりフィルムを重ねたときに生じる空気層が厚く、
絶縁特性およびスペースファクタが十分と云えないこ
と、このため、優れた作業性とスペースファクタおよび
絶縁特性の両立が依然として解決課題として残っている
ことが明らかになった。

【００１３】さらにフィルムコンデンサの製造におい
て、誘電体であるフィルムの薄膜化に伴う生産性と、薄
膜化フィルムのコンデンサへの加工工程での作業性（フ
ィルムへの電極としての金属蒸着、スリット、素子巻
等）の悪化を回避するために、特開平１０−２９４２３
７号公報ではポリエチレン−２，６−ナフタレートフィ
ルム中に滑剤として異なった２つのタイプの不活性微粒
子を添加することが提案されている。

【００１４】しかしながら、このフィルムにおいてフィ
ルムの薄膜化とコンデンサの加工工程での作業性は改善
されたものの、このフィルムはその中に含まれる添加物
（特に滑剤）に起因した絶縁特性不良が存在するためコ
ンデンサ用フィルムとしては、なお不満足なものであっ
た。

【００１５】

【発明が解決しようとする課題】本発明の第１の目的
は、優れた物理的特性および電気的特性を有する高品質
のフィルムコンデンサの誘導体として使用される極薄の
ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート
よりなる二軸配向フィルムを提供することにある。

【００１６】本発明の第２の目的は、極薄の二軸配向フ
ィルムであっても、フィルムコンデンサの加工性および
フィルムコンデンサの電気的特性を発現するに適した、
高度な表面特性を有する二軸配向フィルムを提供するこ
とにある。

【００１７】本発明の第３の目的は、フィルムコンデン
サの加工工程、（金属蒸着、素子巻、切断およびメタリ
コンなど）においてその作業性に優れ、かつこれらの工
程において十分な耐熱性および機械的強度を有する二軸
配向フィルムを提供することにある。

【００１８】本発明の他の目的は、電気的特性、ことに
絶縁破壊電圧特性に優れたフィルムコンデンサ用複合膜
および絶縁欠陥数が可及的に小さいフィルムコンデンサ
複合膜を提供することにある。本発明のさらに他の目的
は、小型で高容量のフィルムコンデンサを提供すること
にある。

【００１９】

【課題を解決するための手段】本発明者らの研究によれ
ば、前記本発明の目的は、下記（Ｉ）〜（ＩＶ）の発明
によって達成されることが見出された。

【００２０】（Ｉ）ポリエチレン−２，６−ナフタレン
ジカルボキシレートを主たるポリマー成分として形成さ
れた二軸配向フィルムの表面に導電性金属薄膜を有する
フィルムコンデンサ用複合膜であって、該二軸配向フィ
ルムは、その表面における平均径が６０μｍ以上のフラ
イスペックの個数は２０個／ｍ²以下であり、かつ該複
合膜は、絶縁破壊電圧が２００Ｖ／μｍを満足しない個
所（絶縁欠陥）が２０個／ｍ²以下であるフィルムコン
デンサ用複合膜。

【００２１】（ＩＩ）ポリエチレン−２，６−ナフタレ
ンジカルボキシレートを主たるポリマー成分として形成
された二軸配向フィルムの表面に導電性金属を蒸着さ
せ、得られた導電性金属薄膜層を表面に有する複合膜を
複数枚積層させることによりフィルムコンデンサ部材を
製造する方法において、該二軸配向フィルムとして、下
記要件（１）〜（３）（１）表面における中心線平均表面粗さ（Ｒａ）は４０
〜８０ｎｍ、（２）表面における平均径が６０μｍ以上
のフライスペックの個数は２０個／ｍ ²以下および
（３）２００℃で１０分間熱処理した後の縦方向（Ｍ
Ｄ）と横方向（ＴＤ）の熱収縮率の比（ＭＤ／ＴＤ）が
０．３９〜０．８２を満足するフィルムを使用すること
を特徴とするフィルムコンデンサ部材の製造方法。

【００２２】（ＩＩＩ）ポリエチレン−２，６−ナフタ
レンジカルボキシレートを主たるポリマー成分として形
成された二軸配向フィルムの表面に導電性金属薄膜を有
する複合膜を複数枚積層させた積層複合体を、構成部材
とするフィルムコンデンサであって、該二軸配向フィル
ムは、その表面における平均径が６０μｍ以上のフライ
スペックの個数は２０個／ｍ²以下であり、かつフィル
ムコンデンサは、絶縁破壊電圧が２００Ｖ／μｍを満足
しない割合が１０％以下であることを特徴とするフィル
ムコンデンサ。

【００２３】（ＩＶ）ポリエチレン−２，６−ナフタレ
ンジカルボキシレートを主たるポリマー成分として形成
された二軸配向フィルムであって、該フィルムは下記要
件（１）〜（３）（１）表面における中心線平均表面粗さ（Ｒａ）は４０
〜８０ｎｍ、（２）表面における平均径が６０μｍ以上
のフライスペックの個数は２０個／ｍ ²以下および
（３）２００℃で１０分間熱処理した後の縦方向（Ｍ
Ｄ）と横方向（ＴＤ）の熱収縮率の比（ＭＤ／ＴＤ）が
０．３９〜０．８２を満足することを特徴とするコンデ
ンサ用ポリエステルフィルム。

【００２４】以下本発明についてさらに詳細に説明す
る。まず、本発明のフィルムコンデンサ用複合膜および
その製造方法において使用される、誘電体としての極薄
の二軸配向フィルムについて説明する。

【００２５】この二軸配向フィルムを本発明において
“ベースフィルム”と略称することがある。このベース
フィルムは、ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカル
ボキシレートを主たるポリマー成分として形成されたも
のである。

【００２６】このポリエチレン−２，６−ナフタレンジ
カルボキシレートは、主たるジカルボン酸成分が２，６
−ナフタレンジカルボン酸であり、主たるグリコール成
分がエチレングリコールであるポリエステルである。こ
こで、「主たる」とは、ポリエステルを構成する全繰返
し単位の９０ｍｏｌ％以上、好ましくは９５ｍｏｌ％以
上がエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート
単位あることを意味する。

【００２７】本発明におけるポリエチレン−２，６−ナ
フタレンジカルボキシレートはコポリエステルであるこ
とができるが、このコポリエステルはポリエチレン−
２，６−ナフタレンジカルボキシレート（ホモポリマ
ー）フィルム本来の特性を極端に失うことがなく、絶縁
特性、機械特性および熱寸法安定性を確保すものが好ま
しい。さらに、耐破断性、スリット性に優れるフィルム
を形成することのできるコポリエステルが好ましい。

【００２８】コポリエステルである場合、２，６−ナフ
タレンジカルボン酸成分およびエチレングリコール成分
以外の共重合成分として、分子内に２つのエステル形成
性官能基を有する化合物を用いることができる。かかる
化合物としては例えば、蓚酸、アジピン酸、フタル酸、
セバシン酸、ドデカンジカルボン酸、イソフタル酸、テ
レフタル酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸、
４，４’−ジフェニルジカルボン酸、フェニルインダン
ジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、１，
５−ナフタレンジカルボン酸、テトラリンジカルボン
酸、デカリンジカルボン酸、ジフェニルエーテルジカル
ボン酸等のごときジカルボン酸；ｐ−オキシ安息香酸、
ｐ−オキシエトキシ安息香酸等のごときオキシカルボン
酸；あるいはプロピレングリコール、トリメチレングリ
コール、テトラメチレングリコール、ヘキサメチレング
リコール、シクロヘキサンジメチレングリコール、ネオ
ペンチルグリコール、ビスフェノールスルホンのエチレ
ンオキサイド付加物、ビスフェノールＡのエチレンオキ
サイド付加物、ジエチレングリコール、ポリエチレンオ
キシドグリコール等のごとき２価アルコールを好ましく
挙げることができる。

【００２９】これらの共重合成分は１種のみでなく２種
以上を同時に用いることができる。また、これらの中で
さらに好ましいものは、酸成分としてはイソフタル酸、
テレフタル酸、４，４’−ジフェニルジカルボン酸、
２，７−ナフタレンジカルボン酸、ｐ−オキシ安息香
酸、グリコール成分としてはトリメチレングリコール、
ヘキサメチレングリコール、ネオペンチルグリコール、
ビスフェノールスルホンのエチレンオキサイド付加物で
ある。

【００３０】また、ポリエチレン−２，６−ナフタレン
ジカルボキシレートは、例えば安息香酸、メトキシポリ
アルキレングリコールなどの一官能性化合物によって末
端の水酸基および／またはカルボキシル基の一部または
全部を封鎖したものであってもよく、あるいは例えば極
く少量のグリセリン、ペンタエリスリトール等のごとき
三官能以上のエステル形成性化合物を実質的に線状のポ
リマーが得られる範囲内で共重合したものであってもよ
い。

【００３１】本発明におけるポリエチレン−２，６−ナ
フタレンジカルボキシレートは、また、他の有機高分子
を小割合混合した組成物であってもよい。

【００３２】かかる他の有機高分子として、ポリエチレ
ンテレフタレート、ポリエチレンイソフタレート、ポリ
トリメチレンテレフタレート、ポリエチレン−４，４’
−テトラメチレンジフェニルジカルボキシレート、ポリ
エチレン−２，７−ナフタレンジカルボキシレート、ポ
リトリメチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレー
ト、ポリネオペンチレン−２，６−ナフタレンジカルボ
キシレート、ポリ（ビス（４一エチレンオキシフェニ
ル）スルホン）−２，６−ナフタレンジカルボキシレー
ト等を例示することができる。これらの中で、ポリエチ
レンイソフタレート、ポリトリメチレンテレフタレー
ト、ポリトリメチレン−２，６−ナフタレンジカルボキ
シレート、ポリ（ビス（４−エチレンオキシフェニル）
スルホン）−２，６−ナフタレンジカルボキシレートが
好ましい。

【００３３】これらの有機高分子は１種のみならず２種
以上であってもよい。

【００３４】有機高分子を混合する場合、その量は、混
合した組成物当り１０重量％以下好ましくは５重量％以
下であるのが好ましい。この組成物はポリエチレン−
２，６−ナフタレンジカルボキシレートのホモポリマー
と他の有機高分子からなる組成物であってもよく、また
ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート
のコポリマーと他の有機高分子からなる組成物であって
よい。

【００３５】本発明者らの研究によれば、ポリエチレン
−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを溶融して押
出しフィルムを形成させる場合、そのフィルムの交流体
積抵抗率の値が製膜工程のフィルムの破断や生産性に影
響し、またコンデンサの絶縁特性にも影響することが分
かった。

【００３６】すなわち、フィルムの３００℃の温度にお
ける交流体積抵抗率（Ｚ）が５×１０⁷Ωｃｍ以上１×
１０⁹Ωｃｍ以下であるフィルムが好ましいことが分か
った。この交流体積抵抗率の値が５×１０⁷Ωｃｍ未満
であると、７０℃以上の比較的高温域でコンデンサの絶
縁特性が低下し、誘電正接が大きくなり、コンデンサ特
性が悪化する。一方、１×１０⁹Ωｃｍを超えると、製
膜条件によっては、フィルムの製膜時の破断が頻繁に発
生し、安定な生産を維持し得る製膜条件の範囲が狭くな
る。

【００３７】この範囲の交流体積抵抗率を有するフィル
ムを得る方法は特に特定されないが、エステル形成性官
能基を有するスルホン酸４級ホスホニウム塩をポリマー
主鎖中に共重合させる方法が好ましい。このものはポリ
マー鎖中に全繰返し単位当り０．１ｍｍｏｌ％以上１０
ｍｍｏ１％以下含有させることが好ましい。さらに、エ
ステル形成性官能基を有するスルホン酸４級ホスホニウ
ム塩は下記式で表される化合物であることが好ましい。

【００３８】

【化１】

【００３９】（ここで、Ａは（ｎ＋２）価の炭素数２〜
１８の脂肪族基または芳香族基であり、Ｘ₁およびＸ
₂は、同一もしくは異なり、水素原子またはエステル形
成性官能基であり、ｎは１または２であり、そして、Ｒ
₁、Ｒ₂、Ｒ₃、およびＲ₄は、同一もしくは異なり、炭素
数１〜１８のアルキル基、ベンジル基または炭素数６〜
１２のアリール基である。ただし、Ｘ₁およびＸ₂が同時
に水素であることはない。）

【００４０】上記スルホン酸４級ホスホニウム塩の好ま
しい具体例としては、３，５−ジカルボキシベンゼンス
ルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、３，５−ジカル
ボキシベンゼンスルホン酸エチルトリブチルホスホニウ
ム塩、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸ベンジ
ルトリブチルホスホニウム塩、３，５−ジカルボキシベ
ンゼンスルホン酸フェニルトリブチルホスホニウム塩、
３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラフェニ
ルホスホニウム塩、３，５−ジカルボキシベンゼンスル
ホン酸エチルトリフェニルホスホニウム塩、３，５−ジ
カルボキシベンゼンスルホン酸ブチルトリフェニルホス
ホニウム塩、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸
ベンジルトリフェニルホスホニウム塩、３，５−ジカル
ボメトキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウ
ム塩、３，５−ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸エ
チルトリブチルホスホニウム塩、３，５−ジカルボメト
キシベンゼンスルホン酸ベンジルトリブチルホスホニウ
ム塩、３，５−ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸フ
ェニルトリブチルホスホニウム塩、３，５−ジカルボメ
トキシベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニウム
塩、３，５−ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸エチ
ルトリフェニルホスホニウム塩、３，５−ジカルボメト
キシベンゼンスルホン酸ブチルトリフェニルホスホニウ
ム塩、３，５−ジカルボメトキシベンゼンスルホン酸ベ
ンジルトリフェニルホスホニウム塩、３−カルボキシベ
ンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩、３−カ
ルボキシベンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニウ
ム塩、３−カルボメトキシベンゼンスルホン酸テトラブ
チルホスホニウム塩、３−カルボメトキシベンゼンスル
ホン酸テトラフェニルホスホニウム塩、３，５−ジ（β
−ヒドロキシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸
テトラブチルホスホニウム塩、３，５−ジ（β−ヒドロ
キシエトキシカルボニル）ベンゼンスルホン酸テトラフ
ェニルホスホニウム塩、３−（β−ヒドロキシエトキシ
カルボニル）ベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニ
ウム塩、３−（β−ヒドロキシエトキシカルボニル）ベ
ンゼンスルホン酸テトラフェニルホスホニウム塩、４−
ヒドロキシエトキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホ
スホニウム塩、ビスフェノールＡ−３，３’−ジ（スル
ホン酸テトラブチルホスホニウム塩）、２，６−ジカル
ボキシナフタレン−４−スルホン酸テトラブチルホスホ
ニウム塩、α−テトラブチルホスホニウムスルホコハク
酸等を挙げることができる。上記スルホン酸４級ホスホ
ニウム塩は１種のみを単独で用いても２種以上併用して
もよい。

【００４１】このようなスルホン酸４級ホスホニウム塩
は、一般に、対応するスルホン酸とホスフィン類とのそ
れ自体公知の反応、または対応するスルホン酸金属塩と
４級ホスホニウムハライド類とのそれ自体公知の反応に
よって容易に製造することができる。

【００４２】本発明における二軸配向フィルムは、ポリ
エステル中に上記のごときスルホン酸４級ホスホニウム
塩を、ポリエステルを構成する全繰返し単位に対し、
０．１ｍｍｏｌ％以上１０ｍｍｏｌ％以下、さらには
０．２ｍｍｏｌ％以上１０ｍｍｏｌ％以下で含有するこ
とが好ましい。０．１ｍｍｏｌ％未満では３００℃にお
ける交流体積抵抗率の値を１０⁹Ωｃｍ以下にできな
い。一方１０ｍｍｏｌ％を超えると、高温域（７０℃以
上）での絶縁特性の低下や誘電正接の増加が生ずること
がある。

【００４３】本発明において、フィルムにスルホン酸４
級ホスホニウム塩を含有させる方法としては、任意の方
法をとることができる。例えば、ポリエステル（ＰＥ
Ｎ）の重合時に該４級ホスホニウム塩化合物を添加し共
重合する方法、フィルム製膜前に該４級ホスホニウム塩
化合物をポリエステルに添加する方法、該４級ホスホニ
ウム塩化合物を高濃度含むポリマー組成物（マスターチ
ップ）を作成し、主原料のポリエステルを溶融する前に
所定量混合する方法などが挙げられる。いずれの方法に
よってもスルホン酸４級ホスホニウム塩を最終的にポリ
エステル（ＰＥＮ）に所定量含有させれば、効果は発現
する。

【００４４】ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカル
ボキシレートの製造法は、それ自体一般に知られたポリ
エステルの製造方法によって実施できる。例えば、ポリ
エチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートは、
２，６−ナフタレンジカルボン酸とエチレングリコール
を反応（エステル化反応）させ、あるいは２，６−ナフ
タレンジカルボン酸の低級アルキルエステルとエチレン
グリコールをエステル交換触媒の存在下反応（エステル
交換反応）させ、続いて反応生成物を重合触媒の存在下
で所望の分子量まで重合させて製造することができる。
前記エステル交換触媒としては、公知のエステル交換触
媒、例えばナトリウム、カリウム、マグネシウム、カル
シウム、亜鉛、ストロンチウム、チタン、ジルコニウ
ム、マンガン、またはコバルトを含む化合物の１種また
は２種以上を用いることができる。また、重合触媒とし
ては、三酸化アンチモン、五酸化アンチモンのようなア
ンチモン化合物；二酸化ゲルマニウムで代表されるよう
なゲルマニウム化合物；テトラエチルチタネート、テト
ラプロピルチタネート、テトラフェニルチタネートまた
はこれらの部分加水分解物、蓚酸チタニルアンモニウ
ム、蓚酸チタニルカリウム、チタントリスアセチルアセ
トネートのようなチタン化合物を好ましく挙げることが
できる。触媒の使用量は従来から知られている量範囲か
ら選ぶことができる。

【００４５】エステル交換反応を経由して重合を行う場
合は、重合反応前にエステル交換触媒を失活させる目的
で、トリメチルホスフェート、トリエチルホスフェー
ト、トリ−ｎ−ブチルホスフェート、正リン酸等のリン
化合物を添加するのが好ましい。リン元素としてのポリ
エチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート中の
含有量は２０〜１００ｐｐｍであることが、ポリエステ
ルの熱安定性の点から好ましい。

【００４６】なお、ポリエチレン−２，６−ナフタレン
ジカルボキシレートは溶融重合後これをチツプ化し、加
熱減圧下または窒素などの不活性気流中において固相重
合することもできる。

【００４７】ポリエステルの固有粘度（オルソクロロフ
ェノール、２５℃）は０．４０ｄｌ／ｇ以上であること
が好ましく、０．４０ｄｌ／ｇ以上０．９０ｄｌ／ｇ以
下であることがさらに好ましく、０．４３ｄｌ／ｇ以上
０．８０ｄｌ／ｇ以下であることが特に好ましい。最も
好ましい固有粘度は０．４５ｄｌ／ｇ以上０．７０ｄｌ
／ｇ以下である。固有粘度が０．４０ｄｌ／ｇ未満で
は、工程中でのフィルム破断が多発することがある。一
方、固有粘度が０．９０ｄｌ／ｇより高いと、ポリエス
テルの溶融粘度が高いため溶融押出しが困難になり、重
合時間が長く、生産性が低下し、好ましくない。

【００４８】本発明のベースフィルムは、前述したポリ
エチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを主
たるポリエステル成分として製膜化することにより得ら
れる。この製膜化の条件および手段については後に詳述
する。また製膜化に当ってはポリエステル中に不活性粒
子が配合されるが、その不活性粒子の好ましい性状につ
いても後で詳述する。

【００４９】次に本発明のコンデンサ用ベースフィルム
として表面特性および物性について説明する。本発明の
ベースフィルムの表面において、その中心線平均粗さ
（Ｒａ）が４０〜８０ｎｍであり、より好ましくは４５
〜８０ｎｍ、特に好ましくは５０〜７７ｎｍである。ベ
ースフィルム表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が４０ｎｍ
未満であるとフィルムの滑り性やエア抜け性が悪く、フ
ィルムをロールに巻き取ることが非常に困難となる。ま
た、中心線平均粗さ（Ｒａ）が８０ｎｍを超えるように
するには粒径の大きな粒子の添加あるいは粒子の添加量
を増やす必要があるが、フィルムの厚みが薄く、そのた
めフィルムの製膜時における破断頻度が増加し、生産性
が著しく低下する。

【００５０】さらにベースフィルムの表面における、１
０点平均粗さ（Ｒｚ）は、１，０００〜１，８００ｎ
ｍ、より好ましくは１，１００〜１，７００ｎｍ、特に
好ましくは１，２００〜１，７００ｎｍであるのが有利
である。

【００５１】１０点平均粗さ（Ｒｚ）が１，０００ｎｍ
より低いと、フィルムの滑り性やエア抜け性が悪くな
り、フィルムを均質にロールに巻き取ることが困難とな
る。一方１０点平均粗さ（Ｒｚ）が１，８００ｎｍを超
えるようにするには粒径の大きな粒子の添加あるいは粒
子の添加量を増やす必要があるが、フィルムの厚みが薄
く、そのためフィルムの製膜時における破断頻度が増加
し、生産性が著しく低下する。

【００５２】本発明のベースフィルムは、その表面にお
ける一定の大きさのフライスペックの数が少ないことが
要求される。

【００５３】すなわち、フィルム表面において、平均径
が６０μｍを超えるフライスペックの個数は２０個／ｍ
²以下であり、より好ましくは１５個／ｍ²以下、特に好
ましくは１０個／ｍ²以下である。ここで、フライスペ
ックとはポリマー中に含まれる添加剤（滑剤等）や異物
を核にして発生し、核とその周辺にできるフィルムを形
成するポリマーの膜厚みが局所的に薄くなった部分（ボ
イド）から構成されるものである。このフライスペック
が大きいと膜厚みの薄い範囲が広がるため、製膜時や適
当な巾へのスリット時、コンデンサの加工工程等で急激
な張力変動や急激な加熱があった場合に応力集中により
膜の破れが発生し、絶縁性能が低下する。また、膜の破
れが起こらなかった場合でも、膜厚みが薄いため、絶縁
性能が低下する傾向にある。また、絶縁性能を著しく低
下させるフライスペックは平均径（長径と短径の平均）
が６０μｍを超えるものであり、かつその存在する頻度
が２０個／ｍ²を超えるとコンデンサの誘電体としての
絶縁性能が不足する。

【００５４】サイズの大きなフライスペック数を上記範
囲にするには、ポリマー中の粗大粒子の数を可及的に減
少するのが肝要である。そのため製膜時のフィルターと
して線径１５μｍ以下のステンレス鋼細線よりなる平均
目開き１０〜３０μｍ、好ましくは１５〜２５μｍの不
織布型フィルターを用いてポリマーをろ過することが好
ましい。フィルターの目開きが３０μｍを超えると溶融
ポリマー中の粗大粒子を減少させる効果がなく、一方目
開きが１０μｍ未満ではフィルターの目詰まりが発生し
やすく工業上実用化が困難である。フィルターとしては
他に網状構造物や焼結金属等を用いたものもあるが、不
織布型のフィルターと比べると寿命が短い、ろ過効率が
やや劣る等の問題がある。さらに、より効果的にサイズ
の大きなフライスペック数を上記範囲に制御するには、
滑剤自体をあらかじめ所定の目開きのフィルターでろ過
した後にポリマー内に添加することが好ましい。

【００５５】かくして、本発明のベースフィルム中の粗
大粒子の数は、少ないことが望ましい。具体的には、最
大径が３５μｍを超える粗大粒子は、フィルム１ｍ²当
り、１０個以下、好ましくは８個以下が有利であり、特
に５個以下であるのが望ましい。

【００５６】この最大径が３５μｍを超える粗大粒子の
数は、後述するようにフィルム面を万能投影機を用いて
観察して測定される。

【００５７】本発明のベースフィルムは、２００℃で１
０分間処理した後の縦方向（ＭＤ）と横方向（ＴＤ）の
熱収縮率の比（ＭＤ／ＴＤ）が一定の範囲を有している
ことが望ましい。

【００５８】すなわち、縦方向（ＭＤ）と横方向（Ｔ
Ｄ）の熱収縮率の比（ＭＤ／ＴＤ）が０．３９〜０．８
２であり、より好ましくは０．４１〜０．８０、特に好
ましくは０．４２〜０．７８である。２００℃で１０分
間処理した後の縦方向と横方向の熱収縮率の比が上記範
囲から外れた場合、コンデンサの加工工程において蒸着
時の熱負けの発生や蒸着後のフィルムにシワが入りやす
くなる等の問題が発生するため好ましくない。なお、加
工適性の点から２００℃で１０分間処理された後の縦方
向（ＭＤ）の熱収縮率は０．９〜３％好ましくは１．０
〜２．８％、横方向（ＴＤ）の熱収縮率は２．０〜５．
０％好ましくは２．２〜４．８％であることが望まし
い。

【００５９】本発明のベースフィルムの厚みは０．５〜
７．０μｍであることが好ましく、より好ましくは０．
６〜６．０μｍ、特に好ましくは０．７〜５．５μｍで
ある。フィルムの厚みが０．５μｍ未満ではフィルムが
極めて薄くなるため、製膜での破断が多発し製膜が困難
である。また、フィルムの厚みが７．０μｍを超えると
コンデンサ用フィルムとしては電気特性が不満足なもの
となる。

【００６０】ベースフィルムの厚さは、可能な限り均一
であることが望ましい。厚みのバラツキはフィルム厚み
に対して２５％以下であれば許容される。厚みのバラツ
キはフィルム厚みに対して２０％以下が好ましく、１５
％以下が特に好ましい。フィルム厚みに対する厚みのバ
ラツキが２５％を超えるとコンデンサの誘電体用ベース
フィルムとして幾重にも積層して使用した場合、厚みの
バラツキによりコンデンサとしての性能のバラツキの原
因となるため好ましくない。

【００６１】フィルムの厚さおよび厚みのバラツキは後
述する方法および定義に従って求められる。

【００６２】本発明のベースフィルムは密度が１．３３
８〜１．３６１ｇ／ｃｍ³であることが好ましい。さら
に好ましくは１．３４０〜１．３５８ｇ／ｃｍ³、特に
好ましくは１．３４３〜１．３５６ｇ／ｃｍ³である。
密度が１．３３８ｇ／ｃｍ³未満であるとコンデンサ性
能のバラツキの原因となり、加工歩留りの低下を引き起
こす原因となるため好ましくない。また、１．３６１ｇ
／ｃｍ³を超えると結晶性が高くなり過ぎてフィルムの
靭性が失われるためフィルム搬送時の破断頻度が増加す
るようになる。

【００６３】次に本発明のベースフィルムの製膜方法に
ついて説明する。本発明のベースフィルムは、ポリエチ
レン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを主たる
ポリマー成分とする二軸配向フィルムである。この二軸
配向フィルムは通常の方法、例えば、該ポリマーを融点
以上で溶融させダイスリットから冷却されたキャスティ
ングドラム上に押出して密着冷却固化させ、ポリエチレ
ン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートを主たるポ
リマー成分とする未延伸フィルムを得る。この未延伸フ
ィルムを縦および横方向に二軸延伸した後、熱固定し、
必要に応じて縦方向および／または横方向に弛緩処理す
ることで製造することができる。フィルムの延伸は公知
のロール式縦延伸機、赤外線加熱縦延伸機、テンターク
リップ式横延伸機、これらの延伸を複数段階にわけて行
う多段式延伸機、チューブラ延伸機、オーブン式縦延伸
機、同時二軸テンター延伸機などを用いて行うことがで
きるが特に限定されるものではない。

【００６４】次にさらに詳しく本発明のベースフィルム
の製造方法について述べるが必ずしもこれに限定される
ものではない。前述したようにして得られた未延伸フィ
ルムを１２０〜１８０℃、より好ましくは１２５〜１７
０℃、特に好ましくは１３０〜１６０℃で縦方向にロー
ル式縦延伸機で３．０〜４．５倍、より好ましくは３．
３〜４．０倍延伸する。赤外線加熱式縦延伸機を用いて
もよいが、特に薄いフィルムを延伸する場合にはフィル
ム全体を均一に加熱するのに有利なためロール式縦延伸
機の方が好ましい。縦延伸で無理なく延伸するためには
延伸を複数回に分けて多段延伸することが好ましい。縦
延伸後さらにステンター内で１２０〜１８０℃、より好
ましくは１２５〜１７０℃、特に好ましくは１３０〜１
６０℃で横方向に３．０〜４．５倍、より好ましくは
３．５〜４．３倍延伸し、１９５〜２５０℃、より好ま
しくは２０５〜２４５℃で０．３〜５０秒間熱処理を行
い、その後、縦方向および／または横方向に弛緩率０．
５〜１５％の範囲で熱弛緩処理を行うことにより所望の
ベースフィルムを得ることができる。なお、横方向の延
伸を複数段階に分割する多段延伸を用いてもよい。

【００６５】本発明のベースフィルムは、前記表面特性
を有しかつ物理特性を発現させるために、不活性粒子が
ポリマー中に添加される。そのために添加される不活性
粒子は、２つの異なる形状の粒子を組合せであることが
望ましい。また不活性粒子は、その添加量も表面特性に
影響を与える。

【００６６】本発明者らの研究によれば、ポリマー中に
添加される不活性粒子の形状、種類および配合割合は、
下記に説明する、粒子配合態様（Ｐ−１）〜（Ｐ−４）
のいずれかから選択されることが有利であることが見出
された。

【００６７】（１）粒子配合態様（Ｐ−１）この態様（Ｐ−１）は平均粒径が０．５〜３．０μｍで
ある球状シリカ粒子（Ａ）を０．０３〜１．５重量％、
および平均粒径が０．０１〜１．５μｍである球状シリ
カ粒子（Ｂ）を０．０５〜２重量％を組合せて配合する
組成である。さらに、フィルムを安定して製造するため
に、目的とするフィルム厚みよりも球状シリカ粒子の平
均粒径を小さくすることが必要であり、平均粒径をフィ
ルム厚みの９０％以下にすることがより好ましく、平均
粒径をフィルム厚みの８０％以下にすることが特に好ま
しい。なお、球状シリカ粒子（Ａ）の平均粒径はより好
ましくは０．７〜２．５μｍであり、０．９〜２．０μ
ｍであることが特に好ましい。また、球状シリカ粒子
（Ａ）の添加量はより好ましくは０．０６〜１．２重量
％であり、０．１〜０．８重量％であることが特に好ま
しい。

【００６８】また、球状シリカ粒子（Ｂ）の平均粒径は
より好ましくは０．０５〜１．２μｍであり、０．１〜
１．０μｍであることが特に好ましい。また、球状シリ
カ粒子（Ｂ）の添加量はより好ましくは０．０８〜１．
５重量％であり、０．１〜１．０重量％であることが特
に好ましい。

【００６９】球状シリカ粒子（Ａ）は、球状シリカ粒子
（Ｂ）よりも平均粒径が大きいものが使用され、好まし
くは平均粒径が０．１μｍ以上大きいものが使用され
る。

【００７０】ここでいう球状シリカ粒子としては、粒径
比（長径／短径）が１．０〜１．２の球状シリカ粒子で
あることが好ましく、製膜性、ハンドリング性および絶
縁性の観点から真球状のシリカ粒子であることが特に好
ましい。

【００７１】（２）粒子配合態様（Ｐ−２）この態様（Ｐ−２）は、下記の多孔質シリカ粒子（Ａ）
あるいはこの粒子（Ａ）と下記球状シリカ（Ｂ）との組
合せである。

【００７２】多孔質シリカ粒子（Ａ）は平均粒径が０．
００１〜０．１μｍの一次粒子の凝集体から構成される
ことが好ましい。多孔質シリカ粒子（Ａ）はポリエチレ
ン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートに対して高
い親和性を示すが、凝集体からなるために粗大粒子が存
在することが多く、この粗大粒子がフィルム中に含まれ
るとコンデンサ用ポリエステルフィルムの性能低下を引
き起こす原因となる。一次粒子の平均粒径が０．００１
μｍ未満では粒子表面積が大きくなるため粒子同士が凝
集しやすくなり、粗大な凝集体を生成するようになるた
め好ましくない。また、一次粒子の平均粒径が０．１μ
ｍを超えると粒子の多孔質性が失われるようになり、ポ
リエチレン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートに
対する親和性が失われ、滑剤周辺にボイドが発生しやす
くなり、絶縁特性が悪化するため好ましくない。フィル
ムの滑り性、エア抜け性の点から多孔質シリカ粒子
（Ａ）の平均粒径は０．５〜５μｍであることが好まし
く、０．７〜４．０μｍであることがより好ましく、
１．０〜３．０μｍであることが特に好ましい。また、
多孔質シリカ粒子（Ａ）の添加量は０．０５〜２重量％
であることが好ましく、さらに好ましくは０．０７〜
１．８重量％、特に好ましくは０．１〜１．５重量％で
ある。

【００７３】多孔質シリカ（Ａ）粒子の細孔容積は０．
５〜２．０ｍｌ／ｇであることが好ましく、０．６〜
１．８ｍｌ／ｇであることがさらに好ましい。細孔容積
が０．５ｍｌ／ｇ未満では、多孔質性に乏しくポリエチ
レン−２，６−ナフタレンジカルボキシレートに対する
親和性が失われるため好ましくない。また、細孔容積が
２．０ｍｌ／ｇを超えると凝集が起りやすくなり粒径の
調整が困難になるため好ましくない。

【００７４】この態様（Ｐ−２）では、前記多孔質シリ
カ粒子（Ａ）が使用されるが、フィルム製造における押
出し工程や回収工程での多孔質シリカ粒子（Ａ）の解砕
による粒径低下に伴うフィルムの滑り性悪化を抑制する
目的で球状シリカ粒子（Ｂ）が併用して添加することが
できる。

【００７５】添加される球状シリカ粒子（Ｂ）は平均粒
径が０．０５〜１．５μｍであることが好ましく、フィ
ルムを安定して製造するために、フィルム厚みよりも平
均粒径を小さくすることが必要である。さらに、平均粒
径がフィルム厚みの９０％以下であることが好ましく、
フィルム厚みの８０％以下であることが特に好ましい。
また、球状シリカ粒子（Ｂ）の添加量はフィルムの滑り
性、巻取り性、コンデンサの製造工程での取扱い性の点
から０．０１〜１重量％であることが好ましく、０．０
３〜０．９重量％であることがより好ましい。さらに、
球状シリカ粒子（Ｂ）は粒径比（長径／短径）が１．０
〜１．２であることが好ましい。

【００７６】この態様（Ｐ−２）は、多孔質シリカ粒子
（Ａ）と、球状シリカ粒子（Ｂ）の組合せが特に好まし
い。

【００７７】（３）粒子配合態様（Ｐ−３）この態様（Ｐ−３）は、下記炭酸カルシウム粒子（Ａ）
あるいはこの粒子（Ａ）と下記板状ケイ酸アルミニウム
粒子（Ｂ）との組合せである。

【００７８】炭酸カルシウム粒子（Ａ）は、フィルムの
滑り性、エア抜け性の点から平均粒径は０．２〜５μｍ
であることが好ましく、０．３〜４μｍであることがよ
り好ましく、０．５〜３μｍであることが特に好まし
い。また炭酸カルシウム粒子（Ａ）の添加量は０．０３
〜２重量％であることが好ましく、さらに好ましくは
０．０５〜１．５重量％、特に好ましくは０．１〜１重
量％である。

【００７９】本発明に用いる炭酸カルシウム粒子（Ａ）
としては、特に限定はされないが、天然に産出する石灰
石、チョーク（白亜）、および石灰石から化学的方法に
よって生成される沈降炭酸カルシウム等のカルサイト結
晶、石灰乳に高温で炭酸ガスを反応させて得られるアル
ゴナイト結晶、バテライト結晶およびこれらを組合せた
ものが例示される。石灰石を機械的に粉砕して得られる
重質炭酸カルシウム（カルサイト結晶）も用いることが
できる。

【００８０】この態様（Ｐ−３）では、前記炭酸カルシ
ウム粒子（Ａ）が使用されるが、板状ケイ酸アルミニウ
ム粒子（Ｂ）を組合せて添加することができる。

【００８１】このケイ酸アルミニウム粒子（Ｂ）は平均
粒径が０．１〜２μｍであることが好ましく、０．３〜
１．７μｍであることがより好ましく、０．５〜１．５
μｍであることが特に好ましい。また、添加量はフィル
ムの滑り性、コンデンサの製造工程での取扱い性の点か
ら０．０３〜１重量％であることが好ましく、０．０６
〜０．８重量％であることがより好ましく、０．１〜
０．７重量％であることが特に好ましい。

【００８２】板状ケイ酸アルミニウム粒子（Ｂ）はアル
ミノケイ酸塩のことをいうものであり、特に限定はされ
ないが、天然に産出するカオリン鉱物からなるカオリン
クレー等が例示される。さらにカオリンクレーは水洗等
の精製処理を施されたものであってもよい。

【００８３】この態様（Ｐ−３）は、炭酸カルシウム粒
子（Ａ）とケイ酸アルミニウム粒子（Ｂ）の組合せが特
に好ましい。

【００８４】（４）粒子配合態様（Ｐ−４）この態様（Ｐ−４）は、２つのタイプの多孔質シリカ粒
子（Ａ）および（Ｂ）の組合せである。この多孔質シリ
カ粒子（Ａ）および（Ｂ）は、いずれも平均粒径が０．
０１〜０．１μｍの一次粒子の凝集体より構成される粒
子である。

【００８５】多孔質シリカ粒子はポリエチレン−２，６
−ナフタレンジカルボキシレート（ＰＥＮ）に対して高
い親和性を示すが、凝集体からなるために粗大粒子が存
在することが多く、この粗大粒子がフィルム中に含まれ
るとコンデンサ用ポリエステルフィルムの性能低下を引
き起こす原因となる。一次粒子の平均粒径が０．０１μ
ｍ未満では粒子表面積が大きくなるため粒子同士が凝集
しやすくなり、粗大な凝集体を生成するようになるため
好ましくない。また、一次粒子の平均粒径が０．１μｍ
を超えると粒子の多孔質性が失われるようになり、ＰＥ
Ｎに対する親和性が失われ、滑剤周辺にボイドが発生し
やすくなり、絶縁特性が悪化するため好ましくない。

【００８６】この態様（Ｐ−４）における多孔質シリカ
粒子（Ａ）は、フィルムの滑り性、エア抜け性の点から
その平均粒径は０．１μｍ以上１．５μｍ以下であり、
０．３μｍ以上０．９μｍ以下が特に好ましい。この多
孔質シリカ粒子（Ａ）は、多孔質シリカ粒子（Ｂ）で形
成される比較的大きい突起の間の地肌を細かく粗面化す
る役割を担う。粒子（Ａ）の平均粒径が０．１μｍ未満
では地肌を粗面化する効果が弱く、滑り性が確保し難
い。一方、１．５μｍを超えるとスペースファクタが過
大になり、容量不足になりやすく好ましくない。

【００８７】一方多孔質シリカ粒子（Ｂ）の平均粒径
は、０．７μｍ以上５．０μｍ以下であり、１．１μｍ
以上３．０μｍ以下であることが特に好ましい。０．７
μｍ未満ではエア抜けが不足して巻き姿が悪く、５μｍ
を超えると粗大粒子が増えて絶縁欠陥が多くなり、スペ
ースファクタが過大になり好ましくない。多孔質シリカ
粒子（Ｂ）は、多孔質シリカ粒子（Ａ）よりも平均粒径
が大きいものが使用され、好ましくは平均粒径が０．１
μｍ以上大きいものが使用される。

【００８８】多孔質シリカ粒子の添加量は（Ａ）および
（Ｂ）ともに０．０１重量％以上２．０重量％以下であ
り、（Ａ）および（Ｂ）の合計量は０．１重量％以上
２．０重量％以下、特に好ましくは０．５重量％以上
１．５重量％以下である。添加量が上記範囲未満では滑
剤作用が発揮されず、作業性が悪く使用できない。一
方、添加量が上記範囲を超えるとスペースファクタが過
大になり、好ましくない。

【００８９】多孔質シリカ粒子（Ａ）および（Ｂ）の細
孔容積はいずれも０．５ｍｌ／ｇ以上２．０ｍｌ／ｇ以
下であり、０．６ｍｌ／ｇ以上１．８ｍｌ／ｇ以下であ
ることが好ましい。細孔容積が０．５ｍｌ／ｇ未満で
は、多孔質性に乏しくＰＥＮに対する親和性が失われる
ため好ましくない。また、細孔容積が２．０ｍｌ／ｇを
超えると凝集が起りやすくなり、粒径の調整が困難にな
るため好ましくない。

【００９０】ここで「平均粒径」とは、測定した全粒子
の５０重量％の点にある粒子の「等価球形直径」を意味
する。「等価球形直径」とは粒子と同じ容積を有する想
像上の球（理想球）の直径を意味し、粒子の電子顕微鏡
写真または通常の沈降法による測定から計算することが
できる。

【００９１】これら多孔質シリカ粒子（Ａ）および
（Ｂ）の添加に際しては、長径が３５μｍを超える粗大
粒子の個数がフィルム中に１０個／ｍ²以下、より好ま
しくは８個／ｍ²以下、特に好ましくは５個／ｍ²以下と
なるようすることが望ましい。１０個／ｍ²を超える
と、フィルム生産時の破断頻発による生産性の低下や、
コンデンサの絶縁欠陥の多発を招き、好ましくない。

【００９２】粗大粒子の個数を上記範囲にするには、製
膜時にポリマーを濾過して粗大粒子を除去する。その際
フィルターとして線径１５μｍ以下のステンレス鋼細線
よりなる平均目開き１０〜３５μｍの不織布型フィルタ
ーを用いるのが好ましい。

【００９３】前述した方法により得られた本発明のベー
スフィルムは、その片面あるいは両面に導電性金属薄膜
を積層させることによって、コンデンサ用複合膜とな
る。ベースフィルムの表面に導電性金属薄膜を積層する
には、蒸着法およびスパッタリング法が望ましく、特に
蒸着法が好適である。

【００９４】金属薄膜の厚みは、０．０１〜０．１μｍ
好ましくは０．０３〜０．０８μｍである。金属として
はアルミニウム、亜鉛またはスズが挙げられるが、とり
わけアルミニウムが好ましい。

【００９５】本発明のフィルムコンデンサ用複合膜は、
そのベースフィルムの表面特性および物性が優れている
ので、絶縁欠陥が極めて少ない高品質のコンデンサ部材
となる。

【００９６】すなわち、本発明の複合膜は絶縁破壊電圧
が２００Ｖ／μｍを満足しない個所（絶縁欠陥）の数が
２０個／ｍ²以下、好ましくは１５個／ｍ²以下のものと
なる。

【００９７】また本発明の複合膜は、フィルムコンデン
サ部材としての特性を示すＣＲ値が優れている。このＣ
Ｒ値は後述するように絶縁抵抗値と静電容量との積で表
される。本発明の複合膜は、ＣＲ値が８００ΩＦ以上の
値を有し、好ましくは１，０００ΩＦ以上の値を有して
いる。このＣＲ値が８００ΩＦ未満になると、複合膜の
絶縁抵抗が不足し、フィルムコンデンサ部材として不適
当なものとなる。

【００９８】本発明の複合膜は、フィルムコンデンサ部
材として使用される。例えば複合膜は、巻回してコンデ
ンサとして使用してもよく、また積層して使用してもよ
い。さらに積層してチップコンデンサとしても使用する
ことができる。いずれにしても本発明の複合膜は、絶縁
特性に優れしかも極めて薄いので小形のフィルムコンデ
ンサの部材として利用される。

【００９９】

【実施例】以下実施例により本発明をさらに詳細に説明
するが、本発明は、以下の実施例のみに限定されるもの
ではない。なお、本発明における種々の物性値および特
性の測定方法、定義は以下の通りである。

【０１００】（１）ポリエチレン−２，６−ナフタレン
ジカルボキシレートの成分量（主成分モル比、共重合成
分モル比）の算出フィルムサンプルを測定溶媒（ＣＤＣｌ₃：ＣＦ₃ＣＯＯ
Ｄ＝１：１）に溶解後、¹Ｈ−ＮＭＲ測定を行い、得ら
れた各シグナルの積分比をもって算出する。

【０１０１】（２）密度硝酸カルシウム水溶液を用いた密度勾配管で、２５℃で
の浮沈法により測定する。

【０１０２】（３）固有粘度ｏ−クロロフェノールを溶媒として用い、２５℃で測定
した値（単位：ｄｌ／ｇ）である。

【０１０３】（４）表面粗さ（４−１）中心線表面粗さ（Ｒａ）中心線表面粗さ（Ｒａ）はＪＩＳＢ０６０１で定義
される値である。非接触式三次元粗さ計（小坂研究所
製、ＥＴ−３０ＨＫ）を用いて波長７８０ｎｍの半導体
レーザー、ビーム径１．６μｍの光触針で測定長（Ｌ
ｘ）１ｍｍ、サンプリングピッチ２μｍ、カットオフ
０．２５ｍｍ、厚み方向拡大倍率１万倍、横方向拡大倍
率２００倍、走査線数１００本（従って、Ｙ方向の測定
長Ｌｙ＝０．２ｍｍ）の条件にてフィルム表面の突起プ
ロファイルを測定する。その粗さ曲面をＺ＝Ｆ（ｘ，
ｙ）で表したとき、次の式で得られる値（Ｒａ、単位ｎ
ｍ）をフィルムの表面粗さとして定義する。

【０１０４】

【数１】

【０１０５】（４−２）１０点平均粗さ（Ｒｚ）ピーク（ＨＰ）の高い方から５点と谷（Ｈｖ）の低い方
から５点をとり、その平均粗さをＲｚとする。

【０１０６】

【数２】

【０１０７】（５）フライスペックおよび粗大粒子の数
と大きさ（５−１）フライスペックフィルム表面を万能投影機を用いて、偏光透過照明にて
５０倍に拡大して測定面積１ｍ²に存在するフライスペ
ックを観察、マーキングする。さらに光学顕微鏡で各々
のフライスペックを観察し、フライスペックの核および
その周辺に発生したボイドを含めて平均径（（最大径＋
最小径）／２）を求め、６０μｍを超えるものの数を数
えた。（５−２）粗大粒子フィルム表面を万能投影機を用いて、透過照明にて５０
倍に拡大して測定面積１ｍ²を観察し、フィルム中に存
在する粒子のうち最大径が３５μｍを超える粒子の数を
数えた。

【０１０８】（６）フィルム厚みおよび厚みのバラツキ製膜したフィルムの任意の場所から縦１０ｃｍ×横１０
ｃｍのサンプルを縦、横ともに１０ｃｍ以上の間隔をお
いて５０枚採取する。各々のサンプルについて幅（ｃ
ｍ）、長さ（ｃｍ）、重量（ｇ）、密度（ｇ／ｃｍ³）
から厚みＴ（μｍ）を下式で算出し、さらに５０サンプ
ルの平均厚みＴａｖを求めてフィルム厚みとする。ま
た、上述の５０サンプルの中の最大厚みＴｍａｘと最小
厚みＴｍｉｎの差を求め、平均厚みＴａｖに対する割合
を下式で算出して厚みのバラツキとする。

【０１０９】

【数３】

【０１１０】（７）熱収縮率およびその比２００℃に温度設定されたオーブンの中に無緊張状態で
１０分間フィルムを保持し、縦方向（ＭＤ）、横方向
（ＴＤ）各々につき加熱処理前後での寸法変化を熱収縮
率として下式により算出し、これらの値をもって熱収縮
率の比を求める。

【０１１１】

【数４】

【０１１２】（８）一次粒子の平均粒径および不活性微
粒子の粒径比（８−１）一次粒子の平均粒径サンプルとなる粉体の個々の粒子を散在させ、金スパッ
ター装置によりこの表面に金属蒸着膜を厚み２００〜３
００オングストロームで形成させ、走査型電子顕微鏡に
て１〜３万倍で観察し、日本レギュレター（株）製ルー
ゼックス５００にて画像処理し、１００個の面積相当粒
径（Ｄｉ）を求めた。下式で表される面積相当径（Ｄ
ｉ）の数平均値を平均粒径（Ｄ）とした。

【０１１３】

【数５】

【０１１４】（８−２）不活性微粒子の粒径比上記の粒径と同様な方法により、サンプルとなる粒子１
００個の長径（Ｄｌｉ）、短径（Ｄｓｉ）から長径（Ｄ
ｌ）、短径（Ｄｓ）を各々求め、長径（Ｄｌ）と短径
（Ｄｓ）との比（Ｄｌ／Ｄｓ）から粒径比を算出した。

【０１１５】

【数６】

【０１１６】（９）微粒子の平均粒径（９−１）粉体の平均粒径島津製作所製ＣＰ５０型セントリフュグルパーティク
ルサイズアナライザー（Ｃｅｎｔｒｉｆｕｇａｌ
ＰａｒｔｉｃｌｅＳｉｚｅＡｎａｌｙｓｅｒ）を用い
て測定した。得られた遠心沈降曲線を基に算出した各粒
径の粒子とその存在量との累積曲線から、５０マスパー
セント（ｍａｓｓｐｅｒｃｅｎｔ）に相当する粒径を
読み取り、この値を平均粒径とする。（「粒度測定技
術」、日刊工業新聞社発行、１９７５年、ｐ．２４２−
２４７参照）（９−２）フィルム中の微粒子の粒径および粒径比試料フィルム小片を走査型電子顕微鏡用試料台に固定
し、日本電子（株）製スパッタリング装置（ＪＩＳ−１
１００型イオンスパッタリング装置）を用いてフィルム
表面に、０．１３Ｐａの真空下で０．２５ｋＶ、１．２
５ｍＡの条件でイオンエッチング処理を１０分間施す。
さらに、同じ装置で金スパッターを施し、走査型電子顕
微鏡を用いて１万〜３万倍で観測し、日本レギュレータ
ー（株）製ルーゼックス５００にて、少なくとも１００
個の粒子の長径（Ｄｌｉ）、短径（Ｄｓｉ）および面積
相当粒径（Ｄｉ）を求める。下式で表される面積相当粒
径（Ｄｉ）の数平均値を平均粒径（Ｄ）とする。

【０１１７】

【数７】

【０１１８】上記長径の平均値をＤｌ、短径の平均値を
Ｄｓとし、粒径比はＤｌ／Ｄｓとして算出する。

【０１１９】（１０）細孔容積窒素吸脱着法で測定し、ＢＥＴ式で算出した。

【０１２０】（１１）絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）ＪＩＳＣ２３１８に示す方法に従って測定し、ｎ＝
１００の最小値を絶縁破壊電圧（ＢＤＶ）とした。本発
明において、絶縁破壊電圧は２２０Ｖ／μｍ以上である
ことが好ましく２４０Ｖ／μｍ以上であることが特に好
ましい。

【０１２１】（１２）フィルムの製膜性二軸延伸フィルムを２４時間連続で製膜したときのフィ
ルムの製膜状態を観察し、下記の基準で評価した。 ◎：破断回数は０回／２４時間であり、ピニングワイヤ
ーの電圧を半減しても破断回数は増加せず、広範な製膜
条件で極めて安定な製膜が可能。 ○：破断回数は０回／２４時間であり、ピニングワイヤ
ーの電圧を半減すると破断回数が１〜３回／２４時間増
えるが、極めて安定な製膜が可能。 △：破断回数は１〜３回／２４時間であり、安定な製膜
が可能。 ×：破断回数は４回以上／２４時間であり、製膜が不安
定。

【０１２２】（１３）フィルムロールの巻姿製膜・スリット時およびコンデンサ加工における蒸着後
の各段階において、幅５５０ｍｍ×長さ１０，０００ｍ
のフィルムをそれぞれロールに巻き取り、その状態の巻
姿を肉眼にて観察し、下記の基準で評価した。 ◎：製膜・スリット時および蒸着後ともに表面のシワや
巻ズレ等がない極めて良好な巻姿。 ○：製膜・スリット時または蒸着後のいずれかで、軽度
の表面のシワや巻ズレ等が確認されるが実用上は問題と
ならない良好な巻姿。 ×：製膜・スリット時または蒸着後のいずれかで、実用
上問題となる程度の表面のシワや巻ズレ等が確認される
不十分な巻姿。

【０１２３】（１４）交流体積抵抗率図１に示す装置を用いて測定する。測定サンプルは厚さ
が約１５０μｍになるようにフィルムを重ねる。直径２
０ｃｍの円柱状下部電極２の上面に、１５０μｍの平行
な間隙が保持できる直径５．６ｃｍ、厚さ０．２ｃｍの
上部電極３を配し、この間に測定サンプル１が電極と密
着するようにして挿入する。下部電極２は加熱装置４と
温度検出端５を内蔵し、下部電極２の表面温度の測定面
におけるバラツキが１℃以内、検出端部分との温度差が
昇温速度８℃／分において２℃以内となるように構成す
る。なお、検出温度は読取温度計７で測定する。電極の
全体は保温箱１１中に配置する。電源８はその発生電圧
を標準抵抗９を介して両電極間に印加するが、該電源は
１００ｖ、５０Ｈｚを発生する電源である。この回路に
流れる電流は標準抵抗９の両端に発生する電圧を、内部
インピーダンスが１００ＭΩ以上のエレクトロンメータ
ー１０で読取る。フィルムの溶融時の交流体積抵抗率の
測定は上記装置により、下部電極の昇温速度が８℃／
分、測定温度３００℃にて行い、交流体積抵抗率Ｚは、
印加電圧Ｅ、電流Ｉ、電極面積Ｓ、電極間隔ｄより、次
式で求められる。

【０１２４】

【数８】

【０１２５】（１５）ＣＲ値ＪＩＳＣ２３１８に示す方法に準じて、１２ｍｍ幅
にスリットしたフィルムサンプルと厚み７μｍ、幅１４
ｍｍのアルミニウム箔を片側のマージン幅として２．５
ｍｍを維持しながら重ね合わせた状態のものを２組用意
し、各々のマージンが試料の両端になるように配置して
有効面積が１０，０００ｍｍ²となるように巻取り試料
を作成する。試料を１２０℃の温度下で５分間２ＭＰａ
の圧力でプレスする。この試料を（株）カトー製サー
モキーパー（ＴＨＫ−２１−１）で１００℃に保ち、試
料の両端を安藤電気（株）製ＬＣＲメーター（ＡＧ−
４３０１）と接続し、印加電圧１００Ｖで絶縁抵抗値
（Ω）を測定し、その後１ｋＨｚにおける静電容量（ｎ
Ｆ）を測定する。得られた絶縁抵抗値および静電容量か
らＣＲ値を下記式により算出する。

【０１２６】

【数９】

【０１２７】（１６）フィルムコンデンサ用複合膜の絶
縁欠陥の評価金属薄膜を有するフィルムコンデンサ用複合フィルムを
用いてＪＩＳＣ２１５１に示す方法に準じて試験を
行う。ただし、試験電圧は複合フィルムのベースフィル
ムの厚み１μｍに対して２００Ｖとする。試験片１００
個について試験を行い、試験面積１ｍ²における欠陥数
を数える。欠陥数が２０個以下を合格とした。

【０１２８】（１７）フィルムコンデンサの絶縁不良率幅１２ｍｍ×長さ１，０００ｍｍのフィルムの片面に金
属薄膜を幅方向に片側のみ２．５ｍｍのマージンが形成
されるように貼り合わせた複合フィルムを２枚準備し
た。そして、これらのフィルムを、それぞれの幅方向と
長さ方向とが同じで、それぞれの金属薄膜が直接接触せ
ず、しかも、それぞれのマージンが異なる辺に位置する
ように重ね合せた状態で巻取った後、１２０℃の温度下
で５分間２ＭＰａの圧力でプレスして１個の測定試料を
作成する。この試料をＪＩＳＣ２３１８に示す方法に
準じて破壊電圧（Ｖ）を測定し、試料を構成するベース
フィルムの厚みで破壊電圧を除した値（Ｖ／μｍ）を絶
縁破壊電圧とした。絶縁破壊電圧が２００Ｖ／μｍを満
たさない試料の発生率が測定全数に対して１０％以下が
合格である。

【０１２９】［実施例１］２，６−ナフタレンジカルボ
ン酸ジメチル１００部およびエチレングリコール６０部
をエステル交換触媒として酢酸マンガン四水塩０．０３
部を使用し、常法に従ってエステル交換反応をさせた
後、トリメチルフォスフェート０．０２３部を添加して
実質的にエステル交換反応を終了させた。ついで、三酸
化アンチモン０．０２４部を添加し、引き続き高温、高
真空化で常法にて重合反応を行い、固有粘度０．６２ｄ
ｌ／ｇおよびガラス転移点温度１２１℃のポリエチレン
−２，６−ナフタレンジカルボキシレート（ＰＥＮ）を
得た。なお、エステル交換触媒を添加する際に、該ＰＥ
Ｎポリマーは、滑剤として平均粒径１．０μｍの炭酸カ
ルシウム粒子と平均粒径０．７μｍのカオリンクレー粒
子とを、それぞれＰＥＮポリマー中に占める割合が０．
４５重量％と０．３０重量％とになるように添加されて
いる。

【０１３０】このＰＥＮポリマーを、１７０℃で５時間
乾燥してから押出し機に供給し、溶融温度２９５℃で溶
融状態にした。そして、この溶融状態のＰＥＮポリマー
を、線径１４μｍのステンレス鋼細線からなる平均目開
き３０μｍの不織布型フィルターでろ過した後、開度１
ｍｍのスリット状ダイを通して押出し、表面仕上げ０．
３Ｓの回転ドラム上にピンニングワイヤー（ＳＵＳ線
（０．１ｍｍφ）、印加電圧：直流３ｋＶ）により密着
固化させて未延伸フィルムを作製した。

【０１３１】この未延伸フィルムを、該フィルムの縦方
向（機械軸方向）および横方向（幅方向）に逐次２軸延
伸（１３５℃で縦方向に１．７倍に延伸し、引続き１４
５℃で縦方向に２倍に延伸（総縦延伸倍率３．４倍）し
た後、横方向に１４０℃で３．６倍に延伸）した後、２
３２℃で３秒間熱固定して、厚みが２．０μｍの二軸配
向フィルムとして、ロールに巻き取った。二軸配向フィ
ルムの物性および評価結果を表１および表２に示す。

【０１３２】［実施例２］実施例１において不織布型フ
ィルターの平均目開きを３５μｍとした以外は同様にし
て製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結
果を表１および表２に示す。

【０１３３】［実施例３］実施例１においてポリマーの
重合段階で滑剤をあらかじめ平均目開きが４０μのフィ
ルターでろ過した後に添加してポリマーを重合した以外
は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性お
よび評価結果を表１および表２に示す。

【０１３４】［実施例４〜７］実施例１において添加す
る滑剤種類、粒径、添加濃度を表１および表２に示した
ように変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配
向フィルムの物性および評価結果を表１および表２に示
す。

【０１３５】［実施例８］実施例１において、縦方向
（機械軸方向）の延伸を１４５℃で一度に３．２倍と
し、その後の横方向の延伸倍率を４倍とし、熱固定温度
を２２５℃とした以外は同様にして製膜を行った。二軸
配向フィルムの物性および評価結果を表１および表２に
示す。

【０１３６】［実施例９］実施例１において、縦方向
（機械軸方向）の延伸を１３５℃で２倍、引続き１３５
℃で１．９倍（総縦延伸倍率３．８倍）とし、その後の
横方向の延伸倍率を４．１倍とした以外は同様にして製
膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を
表１および表２に示す。

【０１３７】［実施例１０］２，６−ナフタレンジカル
ボン酸ジメチル９４部、テレフタル酸（ＴＡと省略する
ことがある）６部、エチレングリコール６０部をエステ
ル交換触媒として酢酸マンガン四水塩０．０３部を使用
し、滑剤として平均粒径１．０μｍの炭酸カルシウム粒
子０．４５重量％および平均粒径０．７μｍのカオリン
クレー粒子を０．３０重量％含有するように添加して、
実施例１と同様にエステル交換反応、重合反応を行い、
固有粘度０．６０ｄｌ／ｇおよびＴｇ１１６℃のポリエ
チレン−２，６−ナフタレート共重合体（ＴＡ共重合Ｐ
ＥＮ）を得た。

【０１３８】このＴＡ共重合ＰＥＮポリマーを１５０℃
で５時間乾燥させた後、押出し機に供給し、溶融温度２
８５℃で溶融して実施例１と同様にして未延伸フィルム
を作製した。そして、該未延伸フィルムを、逐次２軸延
伸（１３０℃で縦方向に２倍に延伸し、引続き縦方向に
１３５℃で１．８倍（総縦延伸倍率３．６倍）に延伸し
た後、１３５℃で横方向に４倍に延伸）した後、２２５
℃で３秒間熱固定し、厚みが２．０μｍの二軸配向フィ
ルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィルムの物
性および評価結果を表１および表２に示す。

【０１３９】

【表１】

【０１４０】

【表２】

【０１４１】［比較例１〜３］実施例２において、添加
する滑剤の種類、粒径および添加濃度を表５および表６
に示したように変更した以外は同様にして製膜を行っ
た。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表３およ
び表４に示す。

【０１４２】［比較例４］実施例１において、不織布型
フィルターの平均目開きを４５μとした以外は同様にし
て製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結
果を表３および表４に示す。

【０１４３】［比較例５］実施例１において、縦方向の
延伸を１３０℃で２倍に延伸し、引続き１３５℃で１．
３倍（縦延伸倍率２．６倍）に延伸とし、その後の横方
向の延伸倍率を２．８倍に変更した以外は同様にして製
膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を
表３および表４に示す。

【０１４４】［比較例６］実施例１において、縦延伸温
度および横延伸温度を共に１１５℃とし、熱固定温度を
２００℃とした以外は同様にして製膜を行った。二軸配
向フィルムの物性および評価結果を表３および表４に示
す。

【０１４５】［比較例７］２，６−ナフタレンジカルボ
ン酸ジメチル８９部、テレフタル酸（ＴＡと省略するこ
とがある）１１部、エチレングリコール６０部をエステ
ル交換触媒として酢酸マンガン四水塩０．０３部を使用
し、滑剤として平均粒径１．０μｍの炭酸カルシウム粒
子０．４５重量％および平均粒径０．７μｍのカオリン
クレー粒子を０．３０重量％含有するように添加して、
実施例１と同様にしてエステル交換反応および重合反応
を行い、固有粘度０．５８ｄｌ／ｇおよびＴｇ１１３℃
のポリエチレン−２，６−ナフタレート共重合体（ＴＡ
共重合ＰＥＮ）を得た。このＴＡ共重合ＰＥＮポリマー
を１４０℃で５時間乾燥させた後、押出し機に供給し、
溶融温度２８５で溶融して実施例１と同様にして未延伸
フィルムを作製した。そして、該未延伸フィルムを逐次
２軸延伸（１２０℃で縦方向（機械軸方向）に１．８倍
に延伸し、引続き縦方向に１３０℃で２倍（縦延伸倍率
３．６倍）に延伸し、１３０℃で横方向（幅方向）に
３．８倍に延伸）し、その後２２０℃で３秒間熱固定
し、厚みが２．０μｍの二軸配向フィルムとしてロール
に巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果
を表３および表４に示す。

【０１４６】

【表３】

【０１４７】

【表４】

【０１４８】［実施例１１〜１３］２，６−ナフタレン
ジカルボン酸ジメチル１００部およびエチレングリコー
ル６０部を、エステル交換触媒として酢酸マンガン・４
水塩０．０３部を添加し、１５０℃から２４０℃に徐々
に昇温しながらエステル交換反応を行った。途中反応温
度が１７０℃に達した時点で三酸化アンチモン０．０２
４部を添加し、さらに滑剤として平均粒径１．０μｍの
炭酸カルシウムを表５および表６記載の量添加した。次
いで反応温度が２２０℃に達した時点で３，５−ジカル
ボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩
０．０４２部（２ｍｍｏｌ％に相当）を添加し、引き続
いてエステル交換反応を行い、エステル交換反応終了後
に燐酸トリメチル０．０２３部を添加した。その後反応
生成物を重合反応器に移し、２９０℃まで昇温し、３０
Ｐａ以下の高真空下にて重縮合反応を行い、２５℃のｏ
−クロロフェノール溶液で測定した固有粘度が０．６１
ｄｌ／ｇおよびガラス転移点温度が１２１℃のポリエチ
レン−２，６−ナフタレンジカルボキシレート（ＰＥ
Ｎ）を得た。

【０１４９】このポリマーを１７０℃において６時間乾
燥させた後、押出機に供給し、溶融温度３１０℃で溶融
した。そして、この溶融状態のＰＥＮポリマーを、線径
１４μｍのステンレス鋼細線からなる平均目開き３０μ
ｍの不織布型フィルターでろ過した後、スリット状のダ
イを通して、表面仕上げ０．３Ｓの回転ドラム上にピン
ニングワイヤー（ＳＵＳ線（０．１ｍｍφ）、印加電
圧：直流３ｋＶ）により密着固化させ未延伸フィルムを
得た。

【０１５０】この未延伸フィルムを、該フィルムの縦方
向と横方向に逐次２軸延伸（１４０℃で縦方向に３．６
倍に延伸し、次いで１４０℃で横方向に３．９倍延伸）
し、さらに２３２℃で５秒間熱固定処理し、厚みが２μ
ｍの二軸配向ＰＥＮフィルムとしてロールに巻き取っ
た。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表５およ
び表６に示す。なお、これらのフィルムのスペースファ
クタは４〜１５％で問題はなかった。

【０１５１】［実施例１４］実施例１１において、炭酸
カルシウムを、平均粒径０．８μｍにし、その添加濃度
を０．７５重量％に変更し、かつ、３，５−ジカルボキ
シベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩を
３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラフェニ
ルホスホニウム塩にし、その添加量を２ｍｍｏｌ％とし
た以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの
物性および評価結果を表５および表６に示す。

【０１５２】［実施例１５］実施例１１において、炭酸
カルシウムを、平均粒径１．２μｍにし、その添加濃度
を０．５重量％に変更し、かつ、２，６−ナフタレンジ
カルボン酸ジメチルを２，６−ナフタレンジカルボン酸
ジメチルとイソフタル酸（ＩＡ）とがモル比９５：５の
混合物に変更した以外は同様にして製膜を行った。二軸
配向フィルムの物性および評価結果を表５および表６に
示す。

【０１５３】

【表５】

【０１５４】

【表６】

【０１５５】［実施例１６］実施例１において、添加す
る滑剤を平均粒径１．３μｍの球状シリカ粒子および平
均粒径０．２μｍの球状シリカ粒子に変更し、それぞれ
の添加量を０．３５重量％および０．２５重量％に変更
し、かつ、不織布型フィルターの平均目開きを２５μｍ
に変更した以外は同様にして、未延伸フィルムを作製し
た。そして、この未延伸フィルムを、逐次２軸延伸（縦
方向に１３０℃で１．４倍に延伸し、引続き１３５℃で
縦方向に２．５倍に延伸（総縦延伸倍率３．５倍）した
後、１３５℃で横方向に４．０倍に延伸）し、その後２
３０℃で３秒間熱固定し、厚みが２．５μｍの二軸配向
フィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィルム
の物性および評価結果を表７に示す。

【０１５６】［実施例１７］実施例１６において、平均
目開きが２０μの焼結金属型フィルターを使用した以外
は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性お
よび評価結果を表７に示す。

【０１５７】［実施例１８および比較例８］実施例１６
において、添加する滑剤の平均粒径および添加濃度を表
７記載のように変更した以外は同様にして製膜を行っ
た。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表７に示
す。

【０１５８】［実施例１９］実施例１１において、添加
する滑剤を平均粒径１．３μｍの球状シリカ粒子および
平均粒径０．２μｍの球状シリカ粒子に変更し、それぞ
れの添加量を０．３５重量％および０．２５重量％に変
更し、かつ、不織布型フィルターの平均目開きを２５μ
ｍに変更した以外は同様にして、未延伸フィルムを作製
した。そして、この未延伸フィルムを、逐次２軸延伸
（縦方向に１３０℃で１．４倍に延伸し、引続き１３５
℃で縦方向に２．５倍に延伸（総縦延伸倍率３．５倍）
した後、１３５℃で横方向に４．０倍に延伸）し、その
後２３０℃で３秒間熱固定し、厚みが２．２μｍの二軸
配向フィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィ
ルムの物性および評価結果を表７に示す。

【０１５９】［実施例２０］実施例１９において、添加
する滑剤を平均粒径０．６μｍの球状シリカ粒子および
平均粒径０．３μｍの球状シリカ粒子に変更し、それぞ
れの添加量を０．６重量％および０．５重量％に変更
し、かつ、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テ
トラブチルホスホニウム塩の添加量を９ｍｍｏｌ％とし
た以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの
物性および評価結果を表７に示す。

【０１６０】［実施例２１］実施例１９において、３，
５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホス
ホニウム塩を３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸
テトラフェニルホスホニウム塩に変更した以外は同様に
して製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価
結果を表７に示す。

【０１６１】

【表７】

【０１６２】［実施例２２］実施例１において、添加す
る滑剤を平均粒径２．０μｍの多孔質シリカ粒子および
平均粒径０．６μｍの球状シリカ粒子に変更し、それぞ
れの添加量を０．３５重量％および０．２５重量％に変
更し、かつ、不織布型フィルターの平均目開きを２８μ
ｍに変更した以外は同様にして、未延伸フィルムを作製
した。そして、この未延伸フィルムを、逐次２軸延伸
（縦方向に１３５℃で１．７５倍に延伸し、引続き１４
５℃で縦方向に２倍に延伸（総縦延伸倍率３．５倍）し
た後、１５０℃で横方向に３．８倍に延伸）し、その後
２３５℃で３秒間熱固定し、厚みが２．０μｍの二軸配
向フィルムとしてロールに巻き取った。二軸配向フィル
ムの物性および評価結果を表８および表９に示す。

【０１６３】［実施例２３］実施例２２においてポリマ
ーの重合段階で滑剤をあらかじめ平均目開きが３０μの
フィルターでろ過した後に添加してポリマーを重合した
以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物
性および評価結果を表８および表９に示す。

【０１６４】［実施例２４］実施例２２において、添加
する滑剤を平均粒径１．７μｍの多孔質シリカ粒子およ
び平均粒径０．４μｍの球状シリカ粒子に変更し、それ
ぞれの添加量を共に０．４重量％に変更した以外は同様
にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評
価結果を表８および表９に示す。

【０１６５】［実施例２５］実施例２２において、逐次
２軸延伸における縦方向の延伸を、１４５℃で３．５倍
に一度での延伸に変更した以外は同様にして製膜を行っ
た。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表８およ
び表９に示す。

【０１６６】［比較例９］実施例２２において、添加す
る滑剤を平均粒径３．５μｍの多孔質シリカ粒子および
平均粒径０．６μｍの球状シリカ粒子に変更し、それぞ
れの添加量を０．２重量％および０．１重量％に変更し
た以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの
物性および評価結果を表８および表９に示す。

【０１６７】［実施例２６］実施例１１において、添加
する滑剤を平均粒径２μｍの多孔質シリカ粒子および平
均粒径０．６μｍの球状シリカ粒子に変更し、それぞれ
の添加量を０．３５重量％および０．２５重量％に変更
し、かつ、不織布型フィルターの平均目開きを２８μｍ
に変更した以外は同様にして、未延伸フィルムを作製し
た。そして、この未延伸フィルムを、逐次２軸延伸（縦
方向に１４０℃で３．６倍に延伸した後、１４０℃で横
方向に３．９倍に延伸）し、その後２３２℃で５秒間熱
固定し、厚みが２．２μｍの二軸配向フィルムとしてロ
ールに巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価
結果を表８および表９に示す。

【０１６８】［実施例２７］実施例２６において、多孔
質シリカ粒子と球状シリカ粒子との添加量を、それぞれ
０．４重量％と０．２重量％に変更し、かつ、３，５−
ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニ
ウム塩を３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テト
ラフェニルホスホニウム塩に変更した以外は同様にして
製膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果
を表８および表９に示す。

【０１６９】

【表８】

【０１７０】

【表９】

【０１７１】［実施例２８］実施例１において、添加す
る滑剤を細孔容積１．２ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０５
μｍおよび平均粒径１．７μｍの多孔質シリカ粒子に変
更し、その添加量を０．５重量％に変更した以外は同様
にして、未延伸フィルムを作製した。そして、この未延
伸フィルムを、逐次２軸延伸（縦方向に１４０℃で３．
６倍に延伸した後、１４０℃で横方向に３．９倍に延
伸）し、その後２３２℃で５秒間熱固定し、厚みが２．
０μｍの二軸配向フィルムとしてロールに巻き取った。
二軸配向フィルムの物性および評価結果を表１０および
表１１に示す。

【０１７２】［実施例２９］実施例２８において、添加
する滑剤を細孔容積１．２ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０
２μｍおよび平均粒径２．７μｍの多孔質シリカ粒子に
変更し、その添加量を０．３５重量％に変更した以外は
同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性およ
び評価結果を表１０および表１１に示す。

【０１７３】［実施例３０］実施例２８において、多孔
質シリカ粒子の平均粒径を２．０μｍに変更し、その添
加量を０．４５重量％に変更した以外は同様にして製膜
を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表
１０および表１１に示す。

【０１７４】［実施例３１］実施例１１において、添加
する滑剤を細孔容積１．２ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０
５μｍおよび平均粒径１．７μｍの多孔質シリカ粒子に
変更し、その添加量を０．５重量％に変更した以外は同
様にして、未延伸フィルムを作製した。そして、この未
延伸フィルムを、逐次２軸延伸（縦方向に１４０℃で
３．６倍に延伸した後、１４０℃で横方向に３．９倍に
延伸）し、その後２３２℃で５秒間熱固定し、厚みが
２．０μｍの二軸配向フィルムとしてロールに巻き取っ
た。二軸配向フィルムの物性および評価結果を表１０お
よび表１１に示す。

【０１７５】［実施例３２］実施例３１において、添加
する滑剤を細孔容積１．２ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０
２μｍおよび平均粒径２．７μｍの多孔質シリカ粒子に
変更し、その添加量を０．３５重量％に変更し、かつ、
３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テトラブチル
ホスホニウム塩の添加量を９ｍｍｏｌ％に変更した以外
は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの物性お
よび評価結果を表１０および表１１に示す。

【０１７６】［実施例３３］実施例３１において、多孔
質シリカ粒子の平均粒径を２．０μｍに変更し、その添
加量を０．４５重量％に変更し、かつ、３，５−ジカル
ボキシベンゼンスルホン酸テトラブチルホスホニウム塩
の添加量を９ｍｍｏｌ％に変更した以外は同様にして製
膜を行った。二軸配向フィルムの物性および評価結果を
表１０および表１１に示す。

【０１７７】

【表１０】

【０１７８】

【表１１】

【０１７９】［実施例３４］実施例１において、添加す
る滑剤を細孔容積１．２ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０５
μｍおよび平均粒径０．６μｍの多孔質シリカ粒子と細
孔容積１．２ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０５μｍおよび
平均粒径２．０μｍの多孔質シリカ粒子とに変更し、そ
れぞれの添加量を０．２５重量％と０．３５重量％にし
た以外は同様にして、未延伸フィルムを作製した。そし
て、この未延伸フィルムを、逐次２軸延伸（縦方向に１
４０℃で３．６倍に延伸した後、１４０℃で横方向に
３．９倍に延伸）し、その後２３５℃で５秒間熱固定
し、厚みが２．０μｍの二軸配向フィルムとしてロール
に巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果
を表１２および表１３に示す。

【０１８０】［実施例３５］実施例３４において、添加
する滑剤を細孔容積１．１ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０
６μｍおよび平均粒径０．３μｍの多孔質シリカ粒子と
細孔容積１．８ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０２μｍおよ
び平均粒径２．７μｍの多孔質シリカ粒子に変更し、そ
れぞれの添加量を０．３０重量％と０．３０重量％にし
た以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの
物性および評価結果を表１２および表１３に示す。

【０１８１】［実施例３６］実施例３４において、添加
する滑剤を細孔容積１．２ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０
５μｍおよび平均粒径０．４μｍの多孔質シリカ粒子と
細孔容積０．９ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０５μｍおよ
び平均粒径１．７μｍの多孔質シリカ粒子に変更し、そ
れぞれの添加量を０．４０重量％と０．４０重量％にし
た以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィルムの
物性および評価結果を表１２および表１３に示す。

【０１８２】［実施例３７］実施例１１において、添加
する滑剤を細孔容積１．２ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０
５μｍおよび平均粒径０．６μｍの多孔質シリカ粒子と
細孔容積１．２ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０５μｍおよ
び平均粒径２．０μｍの多孔質シリカ粒子とに変更し、
それぞれの添加量を０．２５重量％と０．３５重量％に
した以外は同様にして未延伸フィルムを作製した。そし
て、この未延伸フィルムを、逐次２軸延伸（縦方向に１
４０℃で３．６倍に延伸した後、１４０℃で横方向に
３．９倍に延伸）し、その後２３２℃で５秒間熱固定
し、厚みが２．０μｍの二軸配向フィルムとしてロール
に巻き取った。二軸配向フィルムの物性および評価結果
を表１２および表１３に示す。

【０１８３】［実施例３８］実施例３７において、添加
する滑剤を細孔容積１．１ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０
６μｍおよび平均粒径０．３μｍの多孔質シリカ粒子と
細孔容積１．８ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０２μｍおよ
び平均粒径２．７μｍの多孔質シリカ粒子に変更し、そ
れぞれの添加量を０．３０重量％と０．３０重量％に
し、かつ、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テ
トラブチルホスホニウム塩の添加量を９ｍｍｏｌ％に変
更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィル
ムの物性および評価結果を表１２および表１３に示す。

【０１８４】［実施例３９］実施例３７において、添加
する滑剤を細孔容積１．２ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０
５μｍおよび平均粒径０．４μｍの多孔質シリカ粒子と
細孔容積０．９ｍｌ／ｇ、一次粒子径０．０５μｍおよ
び平均粒径１．７μｍの多孔質シリカ粒子に変更し、そ
れぞれの添加量を０．４０重量％と０．４０重量％に
し、かつ、３，５−ジカルボキシベンゼンスルホン酸テ
トラブチルホスホニウム塩の添加量を９ｍｍｏｌ％に変
更した以外は同様にして製膜を行った。二軸配向フィル
ムの物性および評価結果を表１２および表１３に示す。

【０１８５】

【表１２】

【０１８６】

【表１３】

【図面の簡単な説明】

【図１】交流体積抵抗率を測定する装置の概略図であ
る。

【符号の説明】

１測定サンプル２下部電極３上部電極４加熱装置５温度検出端６電源７読取温度計８電源９標準抵抗１０エレクトロンメーター１１保湿箱

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ０８Ｋ 3/26 Ｃ０８Ｋ 3/34 3/34 Ｃ０８Ｌ 67/02 Ｃ０８Ｌ 67/02 Ｂ３２Ｂ 15/08 １０４ＺＨ０１Ｇ 4/015 Ｈ０１Ｇ 4/24 ３２１Ｃ // Ｂ３２Ｂ 15/08 １０４３０１Ｚ３２１Ｂ３３１Ｚ (72)発明者渡辺真哉神奈川県相模原市小山３丁目37番19号帝人株式会社相模原研究センター内 (72)発明者亀岡晃愛媛県松山市北吉田町77番地帝人株式会社松山事業所内Ｆターム(参考） 4F006 AA35 AB73 BA07 CA08 DA01 4F071 AA45 AA82 AA88 AB21 AB26 AE17 AF61Y AH15 BA01 BB06 BB08 BC01 BC11 BC12 BC16 4F100 AA03A AA08A AA20A AB01B AB10B AC10 AK41 AK41A AK41J AL01 BA02 BA04 BA05 BA08 CA19 DD07 DD07A DE01A DJ10A EH17 EH662 EJ38 EJ38A GB41 JA03A JA06A JA20A JA20B JG01B JG04 JM02B YY00 YY00A YY00B 4J002 CF081 DE236 DJ006 DJ016 FD016 GQ00 5E082 AB03 BC23 BC31 BC35 BC38 EE07 EE24 EE37 FG22 FG27 FG36 FG48 FG54 LL02 MM23 MM24 PP01 PP04 PP08 PP09 PP10

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカ
ルボキシレートを主たるポリマー成分として形成された
二軸配向フィルムの表面に導電性金属薄膜を有するフィ
ルムコンデンサ用複合膜であって、該二軸配向フィルム
は、その表面における平均径が６０μｍ以上のフライス
ペックの個数は２０個／ｍ²以下であり、かつ該複合膜
は、絶縁破壊電圧が２００Ｖ／μｍを満足しない個所
（絶縁欠陥）が２０個／ｍ²以下であることを特徴とす
るフィルムコンデンサ用複合膜。
【請求項２】ＣＲ値が８００ΩＦ以上である請求項１
記載の複合膜。
【請求項３】該導電性金属薄膜がアルミニウム金属薄
膜である請求項１記載の複合膜。
【請求項４】該導電性金属薄膜が０．０１〜０．１μ
ｍの厚みを有する請求項１記載の複合膜。
【請求項５】ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカ
ルボキシレートを主たるポリマー成分として形成された
二軸配向フィルムの表面に導電性金属を蒸着させ、得ら
れた導電性金属薄膜層を表面に有する複合膜を複数枚積
層させることによりフィルムコンデンサ部材を製造する
方法において、該二軸配向フィルムとして、下記要件
（１）〜（３）（１）表面における中心線平均表面粗さ（Ｒａ）は４０
〜８０ｎｍ、（２）表面における平均径が６０μｍ以上
のフライスペックの個数は２０個／ｍ ²以下および
（３）２００℃で１０分間熱処理した後の縦方向（Ｍ
Ｄ）と横方向（ＴＤ）の熱収縮率の比（ＭＤ／ＴＤ）が
０．３９〜０．８２を満足するフィルムを使用すること
を特徴とするフィルムコンデンサ部材の製造方法。
【請求項６】ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカ
ルボキシレートを主たるポリマー成分として形成された
二軸配向フィルムの表面に導電性金属薄膜を有する複合
膜を複数枚積層させた積層複合体を構成部材とするフィ
ルムコンデンサであって、該二軸配向フィルムは、その
表面における平均径が６０μｍ以上のフライスペックの
個数は２０個／ｍ²以下であり、かつフィルムコンデン
サは、絶縁破壊電圧が２００Ｖ／μｍを満足しない割合
が１０％以下であることを特徴とするフィルムコンデン
サ。
【請求項７】ポリエチレン−２，６−ナフタレンジカ
ルボキシレートを主たるポリマー成分として形成された
二軸配向フィルムであって、該フィルムは下記要件
（１）〜（３）（１）表面における中心線平均表面粗さ（Ｒａ）は４０
〜８０ｎｍ、（２）表面における平均径が６０μｍ以上
のフライスペックの個数は２０個／ｍ ²以下および
（３）２００℃で１０分間熱処理した後の縦方向（Ｍ
Ｄ）と横方向（ＴＤ）の熱収縮率の比（ＭＤ／ＴＤ）が
０．３９〜０．８２を満足することを特徴とするコンデ
ンサ用ポリエステルフィルム。
【請求項８】該フィルムは、厚みのバラツキが２５％
以下である請求項７記載のポリエステルフィルム。
【請求項９】該フィルムは、厚みが０．５〜７μｍで
ある請求項７記載のポリエステルフィルム。
【請求項１０】該フィルムは、粒径が３５μｍを超え
る粗大粒子の個数が１０個／ｍ²以下である請求項７記
載のポリエステルフィルム。
【請求項１１】該フィルムは、密度が１．３３８〜
１．３６１ｇ／ｃｍ³である請求項７記載のポリエステ
ルフィルム。
【請求項１２】該フィルムは、固有粘度が０．４０〜
０．９０ｄｌ／ｇのポリエステルから形成されている請
求項７記載のポリエステルフィルム。
【請求項１３】該フィルムは、平均粒径が０．５〜
３．０μｍの球状シリカ粒子（Ａ）を０．０３〜１．５
重量％および平均粒径が０．０１〜１．５μｍである球
状シリカ粒子（Ｂ）を０．０５〜２重量％含有するポリ
エステルから形成されている請求項７記載のポリエステ
ルフィルム。
【請求項１４】該フィルムは、平均粒径が０．５〜５
μｍの多孔質シリカ粒子（Ａ）を０．０５〜２重量％お
よび平均粒径が０．０５〜１．５μｍの球状シリカ粒子
（Ｂ）を０．０１〜１重量％含有するポリエステルから
形成されている請求項７記載のポリエステルフィルム。
【請求項１５】該フィルムは、平均粒径が０．２〜５
μｍの炭酸カルシウム粒子（Ａ）を０．０３〜２重量％
および平均粒径が０．０１〜２μｍのケイ酸アルミニウ
ム粒子（Ｂ）を０．０３〜１重量％含有するポリエステ
ルより形成されている請求項７記載のポリエステルフィ
ルム。
【請求項１６】該フィルムは、平均粒径が０．１〜
１．５μｍの多孔質シリカ粒子（Ａ）を０．０１〜２．
０重量％および平均粒径が０．７〜５．０μｍの多孔質
シリカ粒子（Ｂ）を０．０１〜２．０重量％含有し、粒
子（Ｂ）は粒子（Ａ）よりも平均粒径が０．１μｍ以上
大きく、かつ粒子（Ａ）と粒子（Ｂ）は合計で０．１〜
２．０重量％含有するポリエステルより形成されている
請求項７記載のポリエステルフィルム。