WO2000019533A1 - Substrat plaque, destine a des cadres de montage, cadre de montage mettant en oeuvre un tel substrat, et procede de fabrication de ce cadre - Google Patents

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WO2000019533A1
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nickel
lead frame
clad plate
copper
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PCT/JP1999/005230
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Kinji Saijo
Kazuo Yoshida
Sinji Ohsawa
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Toyo Kohan Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a lead frame, particularly to a lead frame that can be manufactured by using a clad plate formed by cold pressing.
  • a bump is formed at the tip of the lead, and is joined to the semiconductor chip via the bump. This also enables the package to be thinner.
  • Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-1115695 discloses a method for manufacturing a lead frame using such a three-layer clad plate.
  • a clad plate is prepared by sandwiching a high-hardness copper plate with a pure copper plate.
  • Also there is a method of manufacturing a lead frame using a three-layer clad plate using aluminum or an iron-based alloy as the etching stop layer. Since it is formed by the method, the rolling reduction must be high, which deteriorates the flatness of the joint surface. In addition, an alloy layer is formed at the interface between the copper plate and the etching stop layer during heat treatment. There was a problem that it was inferior to selective etching.
  • Another method of manufacturing a lead frame is to deposit a thin metal film if by vapor deposition. In this method, if the film is thin (several im), pores are likely to occur and the thickness is large ( In this case, the workability is poor and the cost is high.
  • the present invention is intended to solve such a problem, and a lead frame clad plate that can be manufactured at low cost and has good selective etching properties.
  • the clad plate for a lead frame according to claim 1 is manufactured by pressing a copper foil material and a nickel foil material at a rolling reduction of 0.1 to 3%.
  • the clad plate for a lead frame according to claim 2 is manufactured by pressing a copper foil material having nickel plating on one or both surfaces thereof with another copper foil material at a rolling reduction of 0.1 to 3%. It is characterized by.
  • the clad plate for a lead frame according to claim 3 is characterized by being manufactured by pressing an aluminum foil material and a Nigger foil material at a reduction ratio of 0.1 to 3%.
  • the clad plate for a lead frame according to claim 4 is manufactured by pressing a copper foil material provided with nickel plating on one surface and another aluminum foil material at a rolling reduction of 0.1 to 3%.
  • the clad plate for a lead frame according to claim 5 is characterized in that it is formed of three layers of copper, nickel, and Z copper.
  • the clad plate for a lead frame according to claim 6 is characterized in that it is formed of three layers of copper / nickel aluminum.
  • a lead frame according to a seventh aspect is characterized in that the clad plate according to any one of the first to sixth aspects is selectively etched to form a bump.
  • the lead frame manufacturing method wherein the copper foil material or the aluminum foil material and the nickel foil material forming the etch stop layer or the copper foil material laminated with nickel plating are reduced by 0.1 to 3%.
  • FIG. 1 is an explanatory process diagram of a method for manufacturing a lead frame according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a process explanatory diagram of a method for manufacturing a lead frame according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a process explanatory view of a method for manufacturing a lead frame according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a view showing the manufacture of a lead frame according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a process explanatory diagram of a method for manufacturing a lead frame according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 shows a lead according to an embodiment of the present invention. It is process explanatory drawing of the manufacturing method of a flame
  • FIG. 7 is a process explanatory diagram of a method for manufacturing a lead frame according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a cross-sectional front view of an apparatus for manufacturing a clad metal plate. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • one side of the outer lead layer 10 (thickness 10 to 100 m) consisting of copper foil material or aluminum foil material 20 has a nickel foil material (thickness 5 ID to 10 m) or Etching stop layer 1 1 with nickel plating (thickness 0.
  • nickel plating 21 (thickness 5 to 10), which serves as an etching stop layer 11, is formed on one side of a copper foil material 20 (thickness 100 to 100 fi m) that becomes the outer lead layer 10 when the lead frame is manufactured. 3 // m) to produce nickel-plated copper foil material 22 (see Fig. 1).
  • the nickel-plated copper foil material 22 is wound around the rewinding reel 23 in the clad plate manufacturing apparatus shown in FIG.
  • the copper foil material 24 serving as the inner lead layer is rewound and wound around the reel 25.
  • the nickel-plated copper foil material 22 and the copper foil material 24 are simultaneously rewound from the rewind reels 23, 25, and a part of them is fed to the electrode holes 27, 28 projecting into the etching chamber 26. It is wound and activated by a sputter etching process in the etching chamber 26.
  • a copper or aluminum foil material 20 (thickness 10 to 100 m) that becomes an outer lead layer 10 when a lead frame is manufactured.
  • the nickel foil material 21 (thickness 5 to 10 m) serving as the etching stop layer 11 is rewound on the reel 25.
  • the copper or aluminum foil material 20 and the nickel foil material 21 are rewound simultaneously from the rewind reels 23, 25, and a part of them is rolled to the electrode rolls 27, 28 projecting into the etching chamber 26.
  • a sputter etching process is performed to activate the bonding surface. Then, the activated surfaces are used as joining surfaces and cold pressed by a rolling unit 30 to form a copper foil with a nickel foil having a two-layer structure.
  • the clad plate having the two-layer structure is wound around a wind-up roll 32 to produce the clad plate.
  • the copper foil material with nickel foil or the aluminum foil material 22 having the two-layer structure is rewound and wound around the reel 23 again.
  • a copper foil material 24 serving as an inner lead layer is wound around a rewind reel 25.
  • Electrode rolls 27, 2 with copper foil material with nickel foil or aluminum foil material 22 and copper foil material 24 rewound from rewind reels 23, 25, respectively, and a part of which is projected into etching chamber 26 Then, it is sputter-etched and activated in the etching chamber 26.
  • the activation processing is performed in the same manner as (1) 1 X 10— :! 1 X 10—4 Torr, in an extremely low-pressure inert gas atmosphere, (2) Copper foil material with nickel foil or aluminum foil material 22 with a bonding surface and one electrode of copper foil material 24 grounded respectively. A, and an AC of 1 to 50 MHz is applied between it and another electrode B, which is supported insulated, to cause a glow discharge, and 3 is exposed to the plasma generated by the glow discharge.
  • the electrode area is 1 Z 3 or less of the area of the electrode B, and the etching is performed by sputtering.
  • the cladding plate 31 for a lead frame having a three-layer structure is formed as shown in FIG. To manufacture.
  • a clad plate having a multilayer structure can be manufactured by one press welding.
  • a photoresist is applied to the surface of the copper foil material 24, and then exposed and developed to form a photoresist film 40.
  • the copper foil material 24 is selectively etched using sulfuric acid + hydrogen peroxide, and the copper foil material 24 is removed while leaving the bumps 12 and the external terminals 13.
  • the etching time is, for example, about 4 minutes.
  • etching aluminum foil use sodium hydroxide solution.
  • a photoresist film 41 is formed on the surface of the bumps 12 and the external terminals 13, and a photoresist film is formed on the surface of the copper or aluminum foil material 20 to be the outer lead layer 10. Is applied, and exposed and developed to form a photoresist film 42.
  • the copper foil material 20 to be the outer lead layer 10 and the nickel plating or nickel foil material 21 are etched using ferric chloride or cupric chloride or the like. Thereafter, the photoresist films 41 and 42 are removed to form a conductor circuit 43.
  • 5% D sodium hydroxide or potassium hydroxide 50 ° C.
  • the etching time is, for example, about 2 minutes.
  • nickel plating or nickel foil material 21 is etched using ferric chloride or cupric chloride or the like to form conductor circuit 43.
  • bumps 12 and external I terminal The photoresist film 41 may be further formed on the surface of a copper foil material or an aluminum foil material 20 to be the outer lead layer 10.
  • nickel plating or etching may be performed from the nickel foil material 21 side to the copper foil material 20 on the outer lead layer side using ferric chloride or cupric chloride or the like.
  • nickel plating or nickel foil material 21 is first etched with ferric chloride or cupric chloride, etc., followed by 5% sodium hydroxide or potassium hydroxide. Etch the aluminum foil material 20 at (50 ° C).
  • a copper foil material or an aluminum foil material is pressed against a nickel foil material, or a copper foil having nickel plating on one surface or both surfaces. Since the clad plate for lead frames is manufactured by pressing the foil material and another copper foil material in a laminated state, the generation of pores in the vapor deposition method can be eliminated and the quality can be improved. At the same time, since it can be manufactured only by laminating and pressing, the manufacturing cost of the clad plate for a lead frame can be reduced.
  • a copper foil material or an aluminum foil material forming a lead layer and a nickel-plated or nickel foil material forming an etching stop layer are laminated. Since the lead frame is manufactured by forming a clad plate for a lead frame by pressing and pressing, and selectively etching the multilayer clad plate to form a bump made of copper or aluminum, the lead frame is manufactured uniformly. It is possible to efficiently and inexpensively manufacture a thin lead frame having such bumps.
  • the bonding surface between the copper foil material or the aluminum foil material and the nickel plating or the nickel foil material is preliminarily activated in a vacuum chamber.
  • the foil material and the nickel plating or the nickel foil material are formed by polymerizing and cold-welding at a reduction rate of 0.1 to 3%.
  • a lead frame excellent in selective etching properties can be manufactured by using.

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Description

明 細 書
リ一ドフレーム用クラッド板、 それを用いたリードフレーム及びその製造方法
if 技術分野
本発明は、 リードフレームの製造方法、 特に冷間圧接することによって形成さ れたクラッド板を用いることによって製造することができるリードフレームに関 する。
I ϋ 背景技術
近年、 半導体デバイスの高集積化、 多ピン化、 小型化、 また、 電子機器の小型
•軽量化に伴い、 高密度の実装基板が要求されるようになっている。
半導体チップとリードフレームとの接続にも、 従来のワイヤ一ボンディングより も組立工程、 パッケージサイズ、 コスト等を小とすることが可能なバンプ付き金 ^ 属リードに関する研究 ·開発が行われてきた。 つまり、 リードの先端に突起する バンプを形成し、 このバンプを介して半導体チップと接合するのである。 これに より、 パッケージの薄型化も可能となる。
そして、 バンプ形成の方式の一つとして、 3層クラッド板をリードフレーム製 造用の金属材料として使用することが試みられている。
0 特開平 9— 1 1 5 9 6 5号公報にこのような 3層クラッド板を用いてリ一ドフ レームを製造する方法が開示されている。 この製造方法では、 高硬度銅板を純銅 板ではさんでクラッド板を作成するものである。
しかし、 上記した方法においては、 クラッド板内部にエッチングストップ層が 存在しないため、 化学エッチングの制御が難しいという問題点があった。
( また、 エッチングストップ層として、 アルミニウムや鉄系合金を用いた 3層ク ラッド板によるリードフレームの製造方法もあるが、 これらは、 通常の冷間圧延 法により形成されるため、 圧下率が高くとらなければならず、 このため接合面の 平坦性が悪くなり、 また、 熱処理時に銅板とエッチングストップ層との界面に合 金層が生成してしまい、 選択エッチングに劣るという問題点があった。
さらに、 リードフレームを製造する他の方法として金属薄膜を蒸着法によって if 被着する方法があるが、 この方法では、 被膜の形成が薄い （数 i m ) 場合にはポ ァが生じやすく、 厚い （1 0 ^ m以上） 場合には作業性が悪く、 コストが高くな るという問題があった。
本発明は、 このような課題を解決しょうとするものであり、 安価に製造するこ とができかつ良好な選択エッチング性を有するリードフレーム用クラッド板、 そ
| 0 れを用いたリードフレーム及びその製造方法を提供することを目的とする。 発明の開示
請求項 1のリードフレーム用クラッド板は、 銅箔材とニッケル箔材を 0 . 1〜 3 %の圧下率で圧接して製造されることを特徴とする。
請求項 2のリードフレーム用クラッド板は、 片面又は両面にニッケルめっきを 具備する銅箔材と、 他の銅箔材とを、 0 . 1〜3 %の圧下率で圧接して製造され ることを特徴とする。
請求項 3のリードフレーム用クラッド板は、 アルミニウム箔材とニッゲル箔材 を 0 . 1〜3 %の圧下率で圧接して製造されることを特徴とする。
0 請求項 4のリードフレーム用クラッド板は、 片面にニッケルめっきを具備する 銅箔材と、 他のアルミニウム箔材とを、 0 . 1〜3 %の圧下率で圧接して製造さ れることを特徴とする。
請求項 5のリードフレーム用クラッド板は、 銅 ニッケル Z銅の 3層であるこ とを特徴とする。
^ 請求項 6のリードフレーム用クラッド板は、 銅/ニッケル アルミニウムの 3 層であることを特徴とする。 請求項 7のリードフレームは、 請求項 1〜6のいずれかに記載のクラッド板を 選択的にエッチングしてバンプを形成することを特徴とする。
請求項 8のリードフレームの製造方法は、 銅箔材又はアルミニウム箔材と、 ェ ッチンダストップ層を形成するニッケル箔材又はニッケルめっきを積層した銅箔 ケ 材とを 0 . 1〜3 %の圧下率で圧接してリードフレーム用クラッド板を形成し、 該多層クラッド板を選択的にエッチングして銅又はアルミニウムからなるバンプ を形成することを特徴とする。
請求項 9のリードフレームの製造方法は、 真空槽内で前記銅箔材又はアルミ二 ゥム箔材と前記ニッケル箔材又はニッケルめっきの接合面を予め活性化処理した | 0 後、 前記銅箔材又はアルミニウム箔材と前記ニッケル箔材又はニッケルめっきを 積層して 0 . 1〜3 %の圧下率で冷間圧接することによって形成し、 その際、 前 記活性化処理を、 ① 1 X 1 0— 1〜 1 X 1 0— 4 Torr の極低圧不活性ガス雰囲 気中で、 ②接合面を有する前記銅箔材又はアルミニウム箔材と前記ニッケル箔材 又はニッケルめっき面をそれぞれアース接地した一方の電極 Aとし、 絶縁支持さ \K れた他の電極 Βとの間に 1〜5 0 MHzの交流を印加してグロ一放電を行わせ、 ③ かつ、 前記グロ一放電によって生じたプラズマ中に露出される電極の面積が、 電 極 Bの面積の 1 Z 3以下で、 ④スパッ夕エッチング処理することによって行うよ うにしたことを特徴とする。
>0 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の一実施の形態に係るリードフレームの製造方法の工程説明図 である。 図 2は、 本発明の一実施の形態に係るリードフレームの製造方法の工程 説明図である。 図 3は、 本発明の一実施の形態に係るリードフレームの製造方法 の工程説明図である。 図 4は、 本発明の一実施の形態に係るリードフレームの製
^ 造方法の工程説明図である。 図 5は、 本発明の一実施の形態に係るリードフレー ムの製造方法の工程説明図である。 図 6は、 本発明の一実施の形態に係るリード フレームの製造方法の工程説明図である。 図 7は、 本発明の一実施の形態に係る リードフレームの製造方法の工程説明図である。 図 8は、 クラッド金属板の製造 装置の断面正面図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 添付図に示す一実施の形態を参照して、 本発明を具体的に説明する。 まず、 本発明の一実施の形態に係るリードフレームの構造について、 図 7を参 照して説明する。 図示するように、 銅箔材又はアルミニウム箔材 2 0からなるァ ウタ一リード層 1 0 (厚み 1 0〜 1 0 0 m ) の片面にはニッケル箔材 （厚み 5 I D 〜 1 0 m ) 又はニッケルめつきからなるエッチングストップ層 1 1 (厚み 0 .
5〜3 z m ) が接合され、 リードを形成している。 さらにインナ一リード層の銅 箔材 2 4からなるバンプ 1 2 (厚み 1 0〜 1 0 0 m ) 及び外部端子 1 3が形成 されている。 そして、 半導体チップ 1 4とバンプ 1 2と接合させることでリード フレームを形成している。
jl 次に、 上記したリードフレームの製造方法について説明する。 まず、 リードフ レームを製造した際にアウターリード層 1 0となる銅箔材 2 0 (厚み 1 0〜 1 0 0 fi m ) の片面にエッチングストップ層 1 1となるニッケルめっき 2 1 (厚み 5〜 3 // m ) を施してニッケルめっき銅箔材 2 2を製造する （図 1参照） 。 ニッケルめっき銅箔材 2 2を、 図 8に示すクラッド板製造装置における巻き戻 1 しリール 2 3に巻き付ける。 また、 インナ一リード層となる銅箔材 2 4を巻き戻 しリール 2 5に巻き付ける。
巻き戻しリール 2 3、 2 5からニッケルめっき銅箔材 2 2と銅箔材 2 4を同時 に巻き戻し、 その一部をエッチングチャンバ 2 6内に突出した電極口一ル 2 7、 2 8に巻き付け、 エッチングチャンバ 2 6内において、 スパッタエッチング処理 ^ して活性化する。
この際、 活性化処理は、 本出願人が先に特開平 1一 2 2 4 1 8 4号公報で開示 したように、 ① 1 X 1 0— 1〜 1 X 1 0 — 4 Torr の極低圧不活性ガス雰囲気中 で、 ②接合面を有するニッケルめっき銅箔材 2 2と銅箔材 2 4をそれぞれアース 接地した一方の電極 Aとし、 絶縁支持された他の電極 Bとの間に 1〜5 0 MHzの 交流を印加してグロ一放電を行わせ、 ③かつ、 前記グロ一放電によって生じたプ if ラズマ中に露出される電極の面積が、 電極 Bの面積の 1 3以下で、 ④スパッ夕 エッチング処理することによって行う。 その後、 真空槽 2 9内に設けた圧延ュニ ット 3 0によって冷間圧接し、 3層構造を有するリードフレーム用クラッド板 3 1を巻き取り口一ル 3 2に巻き取って製造する。
なお、 上記においては、 銅箔材に予めニッケルめっきをしたものを圧接する例
10 を説明したが、 ニッケルめっきに代えて上記設備を用いて銅箔材又はアルミニゥ ム箔材にニッケル箔材を圧接したものを用いることもできる。 この場合、 上記設 備を使用して圧接を繰返し行うことにより、 銅 ニッケル Z銅または銅 Zニッケ ル Zアルミニウムという順番で、 中間層にニッケル層を介した 3層のクラッド板 を製造することができる。
i この場合の製造法を述べる。 まず、 リードフレームを製造した際にアウターリ —ド層 1 0となる銅箔材又はアルミニウム箔材 2 0 (厚み 1 0〜 1 0 0 m )
(図 1参照） を、 図 8に示すクラッド板製造装置における巻き戻しリール 2 3に 巻き付ける。 また、 エッチングストップ層 1 1となるニッケル箔材 2 1 (厚み 5 〜 1 0 m ) を巻き戻しリール 2 5に巻き付ける。
0 巻き戻しリール 2 3、 2 5から銅箔材又はアルミニウム箔材 2 0とニッケル箔 材 2 1を同時に巻き戻し、 その一部をエッチングチャンバ 2 6内に突出した電極 ロール 2 7、 2 8に巻き付け、 エッチングチャンバ 2 6内において、 スパッタエ ツチング処理して接合面を活性化する。 その後、 この活性化面どうしを接合面と し圧延ュニット 3 0によって冷間圧接し、 2層構造を有するニッケル箔付き銅箔
>lf 材又はアルミニウム箔材 2 2とする。 その後この 2層構造を有するクラッド板を 巻き取りロール 3 2に巻き取って製造する。 次に、 この 2層構造を有するニッケル箔付き銅箔材又はアルミニウム箔材 2 2 を再度巻き戻しリール 2 3に巻き付ける。 また、 インナ一リード層となる銅箔材 2 4を巻戻しリール 2 5に巻き付ける。 巻き戻しリール 2 3、 2 5からニッケル 箔付き銅箔材又はアルミニウム箔材 2 2と銅箔材 2 4をそれぞれ巻き戻し、 その 一部をエッチングチャンバ 2 6内に突出した電極ロール 2 7、 2 8に巻き付け、 エッチングチャンバ 2 6内において、 スパッタエッチング処理し活性化する。 この場合も、 活性化処理は、 同様に、 ① 1 X 1 0—：！〜 1 X 1 0— 4 Torr の 極低圧不活性ガス雰囲気中で、 ②接合面を有するニッケル箔付き銅箔材又はアル ミニゥム箔材 2 2と銅箔材 2 4をそれぞれアース接地した一方の電極 Aとし、 絶 10 縁支持された他の電極 Bとの間に 1〜5 0 MHzの交流を印加してグロ一放電を行 わせ、 ③かつ、 前記グロ一放電によって生じたプラズマ中に露出される電極の面 積が、 電極 Bの面積の 1 Z 3以下で、 ④スパッ夕エッチング処理することによつ て行い、 図 1に示すように、 3層構造を有するリードフレーム用クラッド板 3 1 を製造する。
1^ さらに、 上記巻き戻しリ一ルを 3台以上設けこれらのリ一ルに銅箔材またはァ ルミニゥム箔材ゃニッケル箔材などを設置し、 3台以上のリールから箔材の供給 を同時に受けることにより、 1回の圧接で多層構造のクラッド板を製造すること ができる。
次に、 リードフレーム用クラッド板 3 1を所望の大きさに切断した後、 図 2〜 o 図 7を参照して説明する以下の工程を経てリ一ドフレーム及びバンプを製造する。
まず、 図 2に示すように、 銅箔材 2 4の表面にフォトレジストを塗布した後、 露光 ·現像を行い、 フォトレジスト膜 4 0を形成する。
図 3に示すように、 硫酸 +過酸化水素を用いて銅箔材 2 4の選択エッチングを 行い、 銅箔材 2 4をバンプ 1 2、 外部端子 1 3を残して除去する。 エッチング時 ^ 間は例えば 4分間程度である。 なお、 アルミニウム箔をエッチングする場合は、 水酸化ナトリウム液を用いる。 図 4に示すように、 ノ ンプ 1 2、 外部端子 1 3の表面にフォトレジスト膜 4 1 を、 さらに、 アウターリード層 1 0となる銅箔材又はアルミニウム箔材 2 0の表 面にフォトレジストを塗布し、 露光 ·現像を行い、 フォトレジスト膜 4 2を形成 する。
次に、 図 5に示すように、 塩化第二鉄又は塩化第二銅等を用いてアウターリー ド層 1 0となる銅箔材 2 0及びニッケルめっき又はニッケル箔材 2 1をエツチン グ処理し、 その後フォトレジスト膜 4 1、 4 2を除去して導体回路 4 3を形成す る。
また、 アルミニウム箔材 2 0をエッチングする場合には、 エッチング液に 5 % , D 水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム （5 0 °C) を用いる。 エッチング時間は、 例えば 2分間程度である。 さらに塩化第二鉄又は塩化第二銅等を用いてニッケル めっき又はニッケル箔材 2 1をエッチング処理して導体回路 4 3を形成する。 あるいは、 図 4に示すようなアウターリード層側からの選択ェッチングを行う 替わりに、 図 6に示すように、 バンプ間の谷底を避けるようにバンプ 1 2、 外部 I 端子 1 3の表面及び側面にフォトレジスト膜 4 1を、 さらに、 アウターリード層 1 0となる銅箔材又はアルミニウム箔材 2 0の表面にフォトレジスト膜 4 2を形 成してもよい。
この場合、 塩化第二鉄又は塩化第二銅等を用いてニッケルめっき又はニッケル 箔材 2 1側からアウターリード層側の銅箔材 2 0に向かってエッチング処理を行 0 つてもよい。
そして、 アルミニウム箔材 2 0が形成されている場合には、 まず塩化第二鉄又 は塩化第二銅等でニッケルめっき又はニッケル箔材 2 1をエッチング後、 5 %水 酸化ナトリウムまたは水酸化カリウム （5 0 °C) でアルミニウム箔材 2 0のエツ チングを行う。
?)f そして、 図 7に示すように、 半導体チップ 1 4をバンプ 1 2と接合させる。 産業上の利用可能性
以上説明してきたように、 請求項 1〜 6記載のリードフレーム用クラッド板に おいては、 銅箔材又はアルミニウム箔材とニッケル箔材を圧接したり、 片面又は 両面にニッケルめっきを具備する銅箔材と、 他の銅箔材を積層した状態で圧接す i ることによってリードフレーム用クラッド板を製造するようにしているので、 蒸 着法におけるポアの発生をなくすことができ品質を向上できると共に、 積層して 圧接するだけで製造できるのでリードフレーム用クラッド板の製造コストの低減 も図ることができる。
また、 0 . 1〜3 %の低圧下率で圧接するため、 接合界面のストレスを低く抑
1 0 えることによって接合界面の平坦度を保持でき、 かつ、 加工性回復のための熱処 理も不要であり界面に合金属は生成しないので、 このリードフレーム用クラッド 板を用いて選択エッチング性に優れたリードフレームを製造することができる。
求項 7記載のリードフレームにおいては、 上記したリードフレーム用クラッ ド板を選択的にエッチングしてバンプを形成するようにしているので、 薄型のリ f ードフレームを効率よくかつ安価に製造することができる。
請求項 8記載のリ一ドフレームの製造方法においては、 リ一ド層を形成する銅 箔材又はアルミニゥム箔材とエッチングストツプ層を形成する二ッケルめつきま たは二ッケル箔材を積層すると共に圧接してリードフレーム用クラッド板を形成 し、 多層クラッド板を選択的にエッチングして銅又はアルミニウム からなるバ 0 ンプを形成することによってリードフレームを製造するようにしているので、 均 一のバンプを有する薄型のリードフレームを効率よくかつ安価に製造することが できる。
請求項 9記載のリードフレームの製造方法においては、 真空槽内で銅箔材又は アルミニウム箔材とニッケルめっきまたはニッケル箔材の接合面を予め活性化処 )f 理した後、 銅箔材又はアルミニウム箔材と前記ニッケルめっきまたはニッケル箔 材を重合して 0 . 1〜 3 %の圧下率で冷間圧接することによって形成するように したので、 接合界面のストレスを低く抑えることによって接合界面の平坦度を保 持でき、 かつ、 加工性回復のための熱処理も不要であり界面に合金属は生成しな いので、 この多層クラッド板を用いて選択エッチング性に優れたリードフレーム を製造することができる。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 銅箔材とニッケル箔材を 0. 1〜3%の圧下率で圧接して製造されるリ一 ドフレーム用クラッド板。
2. 片面又は両面にニッケルめっきを具備する銅箔材と、 他の銅箔材とを、 0. 1〜 3 %の圧下率で圧接して製造されるリードフレーム用クラッド板。
3. アルミニウム箔材とニッケル箔材を 0. 1〜3 %の圧下率で圧接して製造 されるリードフレーム用クラッド板。
4. 片面にニッケルめっきを具備する銅箔材と、 他のアルミニウム箔材とを、 ID 0. ：!〜 3%の圧下率で圧接して製造されるリードフレーム用クラッド板。
5. 前記クラッド板が、 銅 Zニッケル 銅の 3層である請求項 1又は 2のクラ ッド板。
6. 前記クラッド板が、 銅/ニッケル アルミニウムの 3層である請求項 3又 は 4のクラッド板。
i 7. 請求項 1〜6のいずれかに記載のクラッド板を選択的にエッチングしてバ ンプを形成することを特徴とするリードフレーム。
8. 銅箔材又はアルミニウム箔材と、 エッチングストップ層を形成するニッケ ル箔材又はニッケルめっきを積層した銅箔材とを 0. 1〜3 %の圧下率で圧接し てリードフレーム用クラッド板を形成し、 該多層クラッド板を選択的にエツチン D グして銅又はアルミニウムのバンプを形成することを特徴とするリードフレーム を製造するリ一ドフレームの製造方法。
9. 前記リードフレーム用クラッド板は、 真空槽内で前記銅箔材又はアルミ二 ゥム箔材と前記ニッケル箔材又はニッケルめっきの接合面を予め活性化処理した 後、 前記銅箔材又はアルミニウム箔材と前記ニッケル箔材又はニッケルめっきを 1^積層して 0. 1〜3%の圧下率で冷間圧接することによって形成し、 その際、 前 記活性化処理を、 ① 1 X 1 0— 1〜 1 X 1 0— 4 Torr の極低圧不活性ガス雰囲 気中で、 ②接合面を有する前記銅箔材又はアルミニウム箔材と前記ニッケル箔材 又はニッケルめっき面をそれぞれアース接地した一方の電極 Aとし、 絶縁支持さ れた他の電極 Bとの間に 1〜5 0 MHzの交流を印加してグロ一放電を行わせ、 ③ かつ、 前記グロ一放電によって生じたプラズマ中に露出される電極の面積が、 電 極 Bの面積の 1 Z 3以下で、 ④スパッタエッチング処理することによって行うよ うにしたことを特徴とする請求項 7記載のリードフレームの製造方法。
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