KR100537322B1 - 다층 금속 적층판 및 그 제조 방법 - Google Patents

다층 금속 적층판 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100537322B1
KR100537322B1 KR10-2003-7005397A KR20037005397A KR100537322B1 KR 100537322 B1 KR100537322 B1 KR 100537322B1 KR 20037005397 A KR20037005397 A KR 20037005397A KR 100537322 B1 KR100537322 B1 KR 100537322B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal
thin film
plate
foil
metal plate
Prior art date
Application number
KR10-2003-7005397A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20030044011A (ko
Inventor
사이조긴지
요시다가즈오
오까모또히로아끼
오사와신지
Original Assignee
도요 고한 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도요 고한 가부시키가이샤 filed Critical 도요 고한 가부시키가이샤
Publication of KR20030044011A publication Critical patent/KR20030044011A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100537322B1 publication Critical patent/KR100537322B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H05K3/025—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates by transfer of thin metal foil formed on a temporary carrier, e.g. peel-apart copper
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/04—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating by means of a rolling mill
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061—Etching masks
    • H05K3/062—Etching masks consisting of metals or alloys or metallic inorganic compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0361—Etched tri-metal structure, i.e. metal layers or metal patterns on both sides of a different central metal layer which is later at least partly etched
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0384—Etch stop layer, i.e. a buried barrier layer for preventing etching of layers under the etch stop layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/06—Lamination
    • H05K2203/068—Features of the lamination press or of the lamination process, e.g. using special separator sheets
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils
    • Y10T428/12438—Composite
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12896—Ag-base component
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
    • Y10T428/12771—Transition metal-base component
    • Y10T428/12861—Group VIII or IB metal-base component
    • Y10T428/12951—Fe-base component
    • Y10T428/12972—Containing 0.01-1.7% carbon [i.e., steel]
    • Y10T428/12979—Containing more than 10% nonferrous elements [e.g., high alloy, stainless]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Abstract

표면에 금속 박막을 형성한 금속판과 금속박을, 접착제를 사용하지 않고 접합하고, 소정의 두께를 갖는 접착제 없는 다층 금속 적층판 및 그 제조를 연속화한 방법을 제공한다. 이 방법은, 금속판을 금속판 풀기 릴에 설치하는 공정과, 금속박을 금속박 풀기 릴에 설치하는 공정과, 금속판을 금속판 풀기 릴로부터 풀고 금속판 표면을 활성화하여 금속판 표면에 제 1 금속 박막을 형성하는 공정과, 금속박을 금속박 풀기 릴로부터 풀고 금속박 표면을 활성화하여 금속판 표면에 제 2 금속 박막을 형성하는 공정과, 활성화한 제 1 금속 박막면과 제 2 금속 박막면을 압접하여, 금속판 표면에 형성된 제 1 금속 박막면이 금속박 표면에 형성된 제 2 금속 박막면과 접하도록 적층하는 공정을 포함한다.

Description

다층 금속 적층판 및 그 제조 방법 {MULTILAYERED METAL LAMINATE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME}
본 발명은, 금속판과 금속박을 접착제를 사용하지 않는 방법으로 적층한 다층 금속 적층판 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래, 금속판과 금속판을 적층한 금속판 적층체가 많이 제안되어 있다. 종래의 금속판 적층체의 용도는 주로 구조재였다.
최근, 금속판 적층체의 용도도 여러 방면으로 다양해져서, 에칭하여 미세한 형상을 형성하기 위한 용도에 사용되는 특수한 재료의 공급이 요망되고 있다.
에칭 용도의 재료에서는, 에칭으로 미세한 형상을 형성하기 위해, 에칭층 / 에칭 스톱층 / 에칭층과 같이, 에칭층과 에칭 스톱층을 번갈아 적층해야 한다.
종래, 이러한 에칭 스톱층의 형성은, 습식 도금 기술이나, 열간 압연ㆍ냉간 압연 후에 열확산 처리를 행하는 클래드 (clad) 기술 등으로 행해져 왔다.
그러나, 이러한 기술은 공정이 번잡해지고, 또한 미세하고 정밀도를 필요로 하는 금속판 적층체에는 적합하지 않다는 문제가 있다.
도 1 은 다층 금속 적층판의 단면도이다.
도 2 는 금속 박막 적층판의 단면도이다.
도 3 은 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
도 4 는 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
도 5 는 본 발명의 제조 방법을 나타내는 개략도이다.
본 발명의 제 1 과제는, 미리 진공 증착, 스퍼터링 등의 박막 형성 방법에 의해 표면에 금속 박막을 형성한 금속판과, 소정 두께를 갖는 금속박을 접착제를 사용하지 않고 접합하여, 소정의 두께를 갖는 접착제 없는 다층 금속 적층판을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 제 2 과제는, 금속판상으로의 박막 형성과 금속박을 접합하는 다층 금속 적층판의 제조를 연속화한 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
발명의 개시
본 발명의 다층 금속 적층판은, 금속판 표면에 형성된 제 1 금속 박막면이, 금속박 표면에 형성된 제 2 금속 박막면과 접하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 다층 금속 적층판은, 금속판이 동판이고, 제 1 금속 박막이 니켈이고, 금속박이 동박이고, 제 2 금속 박막이 니켈인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 다층 금속 적층판은, 금속판 표면에 형성된 제 1 금속 박막면이, 금속박 표면과 접하도록 적층되어 있는 것을 특징으로 한다.
이러한 다층 금속 적층판은, 금속판이 동판이고, 제 1 금속 박막이 알루미늄이고, 금속박이 동박인 것이 바람직하다.
이러한 다층 금속 적층판은, 금속판이 스테인레스판이고, 제 1 금속 박막이 은이고, 금속박이 스테인레스인 것이 바람직하다.
본 발명의 다층 금속 적층판의 제조 방법은, 금속판을 금속판 풀기 릴에 설치하는 공정과, 금속박을 금속박 풀기 릴에 설치하는 공정과, 금속판을 금속판 풀기 릴로부터 풀고 금속판 표면을 활성화하여 금속판 표면에 제 1 금속 박막을 형성하는 공정과, 금속박을 금속박 풀기 릴로부터 풀고 금속박 표면을 활성화하여 금속판 표면에 제 2 금속 박막을 형성하는 공정과, 활성화한 제 1 금속 박막면과 제 2 금속 박막면을 압접하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다층 금속 적층판의 제조 방법은, 금속판을 금속판 풀기 릴에 설치하는 공정과, 금속박을 금속박 풀기 릴에 설치하는 공정과, 금속판을 금속판 풀기 릴로부터 풀고 금속판 표면을 활성화하여 금속판 표면에 제 1 금속 박막을 형성하는 공정과, 금속박을 금속박 풀기 릴로부터 풀고 금속박 표면을 활성화하는 공정과, 활성화한 제 1 금속 박막면과 금속박면을 압접하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.
도 1 은 본 발명의 다층 금속 적층판의 단면 구조를 나타내는 개략도이다.
도 1 에서, 금속판 (22) 은 제 1 금속 박막 (24) 을 개재하여 금속박 (26) 에 적층되어 있다. 금속판 (22) 의 재질로서는, 금속판상에 박막 형성이 가능한 소재이면 특별히 그 종류는 한정되지 않는다. 본 발명의 다층 금속 적층판의 용도에 따라 적절히 선택하여 사용한다.
예컨대, 본 발명의 다층 금속 적층판이 실장용 프린트 기판 용도이면, 금속판의 소재로서는 동판, 티탄판, 스테인레스판, 알루미늄판 등이 바람직하게 적용된다.
금속판 (22) 의 두께는 용도에 따라 달라지지만, 실장용 프린트 기판 용도이면, 10 ∼ 200㎛ 가 바람직하게 적용된다. 25 ∼ 150㎛ 의 범위인 것이 더욱 바람직하게 적용된다.
제 1 또는 제 2 금속 박막 (23,24) 의 재질로서는, 기재 (base) 가 되는 금속판과의 밀착성이 양호한 재질의 것이면 특별히 그 종류는 한정되지 않는다.
예컨대, 금속판 (22) 이 동판이나 스테인레스판인 경우이면, 제 1 또는 제 2 금속 박막 (23,24) 으로서는 Fe, Ni, Cr, Pd, Zr, Co, Au, Ag, Sn, Cu, Al 등이 바람직하게 적용된다. 또한, 이들 금속을 복층으로 한 금속 박막이어도 좋다. 또한, 이들 금속의 합금도 박막으로서 적용된다.
두께는 용도에 따라 달라지지만, 실장용 프린트 기판 용도이면, 0.01 ∼ 1㎛ 가 바람직하게 적용된다. 0.1 ∼ 0.5㎛ 의 범위인 것이 더욱 바람직하게 적용된다.
금속박 (26) 의 재질로서는, 예컨대 동박, 니켈박, 알루미늄박, 철박 등의 단층박, 및 이들의 적층박 (클래드재), 합금박, 압연 박판 등을 적용할 수 있다. 또한, 이들 표면에 도금을 실시한 도금박 등의 적용도 가능하다. 두께는 용도에 따라 달라지지만, 예컨대 실장용 프린트 기판 용도이면, 3 ∼ 100㎛ 가 바람직하게 적용된다. 10 ∼ 35㎛ 의 범위가 더욱 바람직하게 적용된다.
또한, 본 발명의 다층 금속 적층판을 방열판 용도에 적용하는 경우에는, 전열성을 향상시키기 위해 조금 두꺼운 50 ∼ 1000㎛ 의 범위인 것이 바람직하게 적용된다.
다음에, 본 발명의 다층 금속 적층판의 제조 방법을 설명한다.
먼저, 제 1 제조 방법으로서는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 금속판 (22) 을 풀기 릴 (62) 에 설치하고, 그 금속판 (22) 의 표면을 다층 금속 적층판 제조 장치 (50) 중에 설치한 활성화 처리 장치 (70) 를 사용하여 활성화한다.
여기서 말하는 활성화란, 금속판상의 금속 박막 표면에 부착되어 있는 금속 산화물이나 먼지 흡착물, 오일 등의 이물을 제거하여 후공정에서의 금속박과의 밀착성을 향상시키기 위한 표면 처리를 말한다. 동일하게, 금속박 (26) 의 표면도 활성화 처리 장치 (80) 를 사용하여 활성화된다.
활성화 처리 장치 (70,80) 는 표면을 청정하게 할 수 있는 기구이면 바람직하게 채용할 수 있지만, 본 발명의 실시예에서는, 압접하고자 하는 재료의 각각의 접합면을 스퍼터 에칭 처리하는 장치를 적용한다.
즉, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 스퍼터 에칭 처리하여 활성화 처리하는 방법은, 본 출원인이 앞서 일본 공개 특허 공보 평1-224184호에 개시한 바와 같이, (1) 1 ×101 ∼ 1 ×10－3 Pa 의 극저압 불활성 가스 분위기 중에서, (2) 금속판 (22) 과 금속박 (26) 을 각각 어스 접지한 일방의 전극 A (72) 로 하고, 절연 지지된 다른 전극 B (74) 와의 사이에 1 ∼ 50㎒ 의 교류를 인가하여 글로 (glow) 방전을 행하고, (3) 또한, 상기 글로 방전에 의해 발생된 플라즈마 중에 노출되는 전극 롤 (72,82) 의 면적 a 가 전극 (74,84) 의 면적 b 의 각각 1/3 이하이고, (4) 스퍼터 에칭 처리함으로써 행하는 것이, 고속으로 표면 활성화할 수 있으므로 바람직하다. 상기와 같은 구조로 함으로써, 이온 충격은 피에칭재인 전극 A 측에서 우선적으로 일어나고, 전극 B 측에서 일어나는 경우는 거의 없다.
또, 표면 활성화 처리는 고속으로 표면 활성화가 얻어지는 이온 건 등을 이용하여 행할 수도 있다.
다음에, 상기 금속판 (22) 의 표면에 제 1 금속 박막 (24) 을 형성하고, 금속박 (26) 의 표면에 제 2 금속 박막 (23) 을 형성하는 방법을 설명한다.
따라서, 금속판 (22) 에 제 1 금속 박막 (24) 을 형성하는 박막 형성 유닛 (90) 을 진공 용기 (52) 내에, 활성화 처리 장치 (70) 의 후공정에 설치한다.
즉, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 상기 어스 접지한 일방의 전극 A (전극 롤 (72)) 와, 절연 지지된 다른 전극 B (76) 와의 사이에, 1 ∼ 50㎒ 의 교류를 인가하여 글로 방전을 행하게 한다.
이 경우, 글로 방전에 의해 발생한 플라즈마 중에 노출되는 전극 롤 (72) 의 면적 a 를 전극 (76) 의 면적 b 의 3 배 이상으로 함으로써, 금속판 (22) 의 표면은 에칭 처리되지 않고, 표면에 제 1 금속 박막 (24) 이 형성된다.
즉, 박막 형성을 행하는 스퍼터 유닛은, 활성화 처리의 경우와 전극 a 와 전극 b 가 대항하는 면적비를 반대로 한다. 그럼으로써 타겟측에 이온 충격을 부여할 수 있고, 금속판상에 박막이 형성된다.
본 발명에서 사용하는 박막 형성 유닛 (90) 의 일례로서 사용하는 스퍼터 유닛을 도 4 를 이용하여 설명한다.
스퍼터 유닛 (90) 은, 전기적으로 플로팅된 타겟 전극 (94) 과, 어스 접지된 수냉의 전극 롤 (72) 과의 조합으로 구성된다. 타겟 전극 (94) 에는 제 1 금속 박막 (24) 을 형성하는 타겟 (92) 이 설치되고, 또한, 마그넷 (98) 을 설치하여 자장에 의해 스퍼터링의 효율을 향상시키고 있다. 또한, 타겟 (92) 의 이상 가열을 방지하기 위해, 타겟 전극 (94) 을 수냉할 수 있도록 하고 있다.
스퍼터 처리를 행하는 경우에는, 1 ×10－3 Pa 이하로 유지한 후, 진공 용기 (52) 내에 아르곤, 네온, 크세논, 크립톤 등의 불활성 가스 이외에, 산소 등의 가스를 도입하여, 1 ×101 ∼ 1 ×10－3 Pa 정도의 가스 분위기로 한다.
그 후, 타겟 전극 (94) 에 고주파 전원 (96) 을 부하함으로써, 타겟 전극 (94) 과 전극 롤 (72) 사이에 플라즈마를 발생시켜, 타겟 (92) 에 이온 충격을 부여한다.
그럼으로써 방출된 타겟 원자를, 금속판 (22) 상에 제 1 금속 박막 (24) 을 형성한다.
마찬가지로, 적층하는 금속박 (26) 에 대해서도, 활성화 처리 장치 (80) 를 이용하여 활성화 처리를 행하고, 상기 박막 형성 유닛 (90) 과 동일한 박막 형성 유닛 (95) 을 이용하여, 금속박 (26) 의 표면에 제 2 금속 박막 (23) 을 형성한다.
또한, 도 5 에 나타내는 바와 같이, 전극 (76) 을 복수개 설치하고 박막 형성 유닛 (91) 을 복수대 나열함으로써, 제 2 금속 박막 (23) 을 다층화할 수도 있다. 이러한 금속 박막은 같은 종류여도 되고, 다른 종류여도 된다. 또한, 이 같이 전극 (76) 을 다수 설치해도, 이 전극의 전원을 꺼 둠으로써, 금속 박막을 전혀 형성시키지 않도록 할 수도 있다. 또한, 몇 대의 전원을 꺼 둠으로써, 임의의 층수의 박막을 형성할 수도 있다.
제 1 및 제 2 금속 박막의 형성 방법으로서는, 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법 등의 공지된 방법 (일본 공개 특허 공보 평8-231717호 참조) 을 이용할 수 있다.
또한, 금속판 (22) 이나 금속박 (26) 의 표면을 조면화해 두면 금속 박막과의 밀착 강도가 향상되어 바람직하다.
다음에, 상기 활성화 처리면 끼리를 겹쳐, 압접 유닛 (60) 에 의해 압접함으로써 접합시켜, 다층 금속 적층판 (20) 을 동일 진공 용기내에서 일 공정으로 제조한다.
압접은 금속박이나 금속 박막을 손상시키지 않는 경압접이 바람직하다. 예컨대 압하율로 수치화하면, 0.1 ∼ 10% 정도로 하는 것이 바람직하다.
실시예
이하, 실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
(실시예 1)
금속판으로서 100㎛ 두께의 동판을 사용하였다. 또한, 금속박으로서 18㎛ 두께의 동박을 사용하였다.
① 활성화 처리
금속판 풀기 릴 (62) 로부터 풀려나온 동판 (22), 및 금속박 풀기 릴 (64) 로부터 풀려나온 동박 (26) 은, 진공 용기 (52) 내의 수냉의 전극 롤 (72,82) 에 각각 감고, 활성화 처리 유닛 (70) 내에서 스퍼터 에칭법에 의해 활성화 처리하였다.
② 금속 박막 형성
동판 (22) 을 활성화 처리한 후에, 수냉의 전극 롤 (72) 에 감은 채로 스퍼터 유닛 (90) 에 보내어, 금속 박막 (24) 으로서 0.2㎛ 두께의 니켈 박막을 형성하였다.
또한, 동박 (26) 을 활성화 처리한 후에, 수냉의 전극 롤 (82) 에 감은 채로 스퍼터 유닛 (95) 에 보내어, 금속 박막 (23) 으로서 0.2㎛ 두께의 니켈 박막을 형성하였다.
③ 압접
표면에 니켈의 금속 박막 (24) 이 형성된 동판 (22) 과, 표면에 니켈의 금속 박막 (23) 이 형성된 동박 (26) 의 접합면 끼리를 겹쳐, 0.5% 정도의 저압하율로 냉간 압접하고, 동판, 니켈 박막, 니켈 박막, 동박의 4 층으로 이루어지는 다층 금속 적층판을 제조하였다.
(실시예 2)
금속판으로서 100㎛ 두께의 동판을 사용하였다. 또한, 금속박으로서 35㎛ 두께의 동박을 사용하였다.
① 활성화 처리
금속판 풀기 릴 (62) 로부터 풀려나온 동판 (22), 및 금속박 풀기 릴 (64) 로부터 풀려나온 동박 (26) 은, 진공 용기 (52) 내의 수냉의 전극 롤 (72,82) 에 각각 감고, 활성화 처리 유닛 (70) 내에서 스퍼터 에칭법에 의해 활성화 처리하였다.
② 금속 박막 형성
동판 (22) 을 활성화 처리한 후에, 수냉의 전극 롤 (72) 에 감은 채로 스퍼터 유닛 (90) 에 보내어, 금속 박막 (24) 으로서 0.5㎛ 두께의 알루미늄 박막을 형성하였다.
또한, 동박 (26) 을 활성화 처리한 후에, 수냉의 전극 롤 (82) 에 감은 채로 스퍼터 유닛 (95) 을 통과시켰으나, 전원을 꺼서, 금속 박막은 형성하지 않았다.
③ 압접
표면에 알루미늄 박막의 금속 박막 (24) 이 형성된 동판 (22) 과, 표면의 활성화 처리를 행한 동박 (26) 의 접합면 끼리를 겹쳐, 0.5% 정도의 저압하율로 냉간 압접하고, 동판, 알루미늄 박막, 동박의 3 층으로 이루어지는 다층 금속 적층판을 제조하였다.
본 발명의 다층 금속 적층판은, 접착제를 사용하지 않고 진공 용기내에서 압접한 것이므로, 금속박과 금속판을 균일한 두께로 제조할 수 있다.
또한, 일 공정으로, 표면 활성화 처리, 금속 박막 형성, 압접을 행하므로, 다층 금속 적층판을 용이하게 얻을 수 있다. 또한, 표면 활성화 처리와 금속 박막 형성을 동일한 전극 롤에 대하여 행하므로, 장치를 컴팩트하게 할 수 있다.

Claims (7)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 금속판을 금속판 풀기 릴에 설치하는 공정과,
    금속박을 금속박 풀기 릴에 설치하는 공정과,
    상기 금속판을 금속판 풀기 릴로부터 풀고 금속판 표면을 활성화처리장치(70)에 의해 활성화하고 금속판 표면에 스퍼터 유닛(90)에 의해 제 1 금속 박막을 형성하는 공정과,
    상기 금속박을 금속박 풀기 릴로부터 풀고 금속박 표면을 활성화처리장치(80)에 의해 활성화하고 금속박 표면에 스퍼터 유닛(90)에 의해 제 2 금속 박막을 형성하는 공정과,
    상기 활성화한 제 1 금속 박막면과 제 2 금속 박막면을 압접하는 공정을 갖는 다층 금속 적층판의 제조 방법.
  7. 금속판을 금속판 풀기 릴에 설치하는 공정과,
    금속박을 금속박 풀기 릴에 설치하는 공정과,
    상기 금속판을 금속판 풀기 릴로부터 풀고 금속판 표면을 활성화처리장치(70)에 의해 활성화하고 금속판 표면에 스퍼터 유닛(90)에 의해 제 1 금속 박막을 형성하는 공정과,
    상기 금속박을 금속박 풀기 릴로부터 풀고 금속박 표면을 활성화처리장치(80)에 의해 활성화하는 공정과,
    상기 활성화한 제 1 금속 박막면과 금속박면을 압접하는 공정을 갖는 다층 금속 적층판의 제조 방법.
KR10-2003-7005397A 2000-10-18 2001-10-04 다층 금속 적층판 및 그 제조 방법 KR100537322B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2000-00318626 2000-10-18
JP2000318626A JP4447762B2 (ja) 2000-10-18 2000-10-18 多層金属積層板及びその製造方法
PCT/JP2001/008756 WO2002032660A1 (fr) 2000-10-18 2001-10-04 Lamine metallique multicouche et procede d'elaboration

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030044011A KR20030044011A (ko) 2003-06-02
KR100537322B1 true KR100537322B1 (ko) 2005-12-16

Family

ID=18797218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-7005397A KR100537322B1 (ko) 2000-10-18 2001-10-04 다층 금속 적층판 및 그 제조 방법

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7175919B2 (ko)
EP (1) EP1342564A4 (ko)
JP (1) JP4447762B2 (ko)
KR (1) KR100537322B1 (ko)
CN (1) CN1275764C (ko)
AU (1) AU2001292353A1 (ko)
WO (1) WO2002032660A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101306181B1 (ko) 2008-11-12 2013-09-09 도요 고한 가부시키가이샤 반도체 소자 형성의 에피택셜 성장막 형성용 금속 적층 기판의 제조 방법 및 반도체 소자 형성의 에피택셜 성장막 형성용 금속 적층 기판

Families Citing this family (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060115672A1 (en) * 2003-02-20 2006-06-01 N.V. Bekaert S.A. Method of manufacturing a laminated structure
CN100440585C (zh) * 2005-01-14 2008-12-03 谢振华 电池内部的极耳或电池之间导电金属片的加工方法
JP4579705B2 (ja) * 2005-02-02 2010-11-10 日本製箔株式会社 クラッド材とその製造方法
JP4640802B2 (ja) 2005-07-07 2011-03-02 日東電工株式会社 回路付サスペンション基板
KR100773391B1 (ko) 2005-09-01 2007-11-05 한국전기연구원 박판 접합 장치 및 이를 이용한 박판 접합 방법
US20070243451A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Chao-Yi Yuh Anode support member and bipolar separator for use in a fuel cell assembly and for preventing poisoning of reforming catalyst
JP4865453B2 (ja) 2006-08-30 2012-02-01 日東電工株式会社 配線回路基板およびその製造方法
JP2008282995A (ja) 2007-05-10 2008-11-20 Nitto Denko Corp 配線回路基板
JP5411573B2 (ja) * 2009-05-20 2014-02-12 中部電力株式会社 表面活性化接合による金属クラッド帯の製造方法及びその装置
DE102010037005B3 (de) * 2010-08-16 2011-11-03 Alinox Ag Metallplatte mit eingebettetem Heizelement und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102010054016A1 (de) * 2010-12-10 2012-06-14 Ziemek Cable Technology Gmbh Verfahren zum Verbinden eines Aluminiumbandes mit einem Kupferband
KR20140103257A (ko) 2011-10-24 2014-08-26 릴라이언스 인더스트리즈 리미티드 박막 및 박막 제조 방법
CN102489816A (zh) * 2011-12-23 2012-06-13 山东大学 超级镍叠层复合材料与Cr18-Ni8不锈钢的非晶钎焊工艺
EP2608255A1 (en) * 2011-12-23 2013-06-26 Micronit Microfluidics B.V. Method of bonding two substrates and device manufactured thereby
US9656246B2 (en) * 2012-07-11 2017-05-23 Carbice Corporation Vertically aligned arrays of carbon nanotubes formed on multilayer substrates
CN102774071A (zh) * 2012-08-10 2012-11-14 昆山乔锐金属制品有限公司 一种不锈钢为基材的复合涂层
JP6100605B2 (ja) * 2013-05-17 2017-03-22 昭和電工株式会社 多層クラッド材の製造方法
KR101707042B1 (ko) * 2013-06-19 2017-02-17 일진머티리얼즈 주식회사 도전성 방열(放熱)시트, 이를 포함하는 전기부품 및 전자제품
WO2015191897A1 (en) 2014-06-11 2015-12-17 Georgia Tech Research Corporation Polymer-based nanostructured materials with tunable properties and methods of making thereof
US9889632B2 (en) 2014-10-09 2018-02-13 Materion Corporation Metal laminate with metallurgical bonds and reduced density metal core layer and method for making the same
CN106042583A (zh) * 2015-08-13 2016-10-26 徐仕坚 一种复合材料生产线及工艺
CN105172308B (zh) * 2015-09-28 2017-09-22 昆明理工大学 一种钛‑铝‑不锈钢复合板的制备方法
US10791651B2 (en) 2016-05-31 2020-09-29 Carbice Corporation Carbon nanotube-based thermal interface materials and methods of making and using thereof
CN106064516B (zh) * 2016-06-01 2018-05-15 广东谷菱电气有限公司 一种将铜箔加工成铜板的压融工艺
CN106364956B (zh) * 2016-10-25 2019-11-19 珠海亚泰电子科技有限公司 卷覆装置
CN117798187A (zh) * 2017-02-07 2024-04-02 东洋钢钣株式会社 轧制接合体及其制造方法
TWI755492B (zh) 2017-03-06 2022-02-21 美商卡爾拜斯有限公司 基於碳納米管的熱界面材料及其製造和使用方法
CN108287093B (zh) * 2018-01-19 2021-01-01 李佳若 一种铜镍复合工艺
WO2019176937A1 (ja) * 2018-03-14 2019-09-19 東洋鋼鈑株式会社 圧延接合体及びその製造方法
JP7085419B2 (ja) * 2018-03-14 2022-06-16 東洋鋼鈑株式会社 圧延接合体及びその製造方法
US10707596B2 (en) 2018-09-21 2020-07-07 Carbice Corporation Coated electrical connectors and methods of making and using thereof
CN110113880A (zh) * 2018-12-29 2019-08-09 广东生益科技股份有限公司 金属基覆铜箔层压板及其制备方法
USD904322S1 (en) 2019-08-28 2020-12-08 Carbice Corporation Flexible heat sink
USD903610S1 (en) 2019-08-28 2020-12-01 Carbice Corporation Flexible heat sink
USD906269S1 (en) 2019-08-28 2020-12-29 Carbice Corporation Flexible heat sink
US20210063099A1 (en) 2019-08-28 2021-03-04 Carbice Corporation Flexible and conformable polymer-based heat sinks and methods of making and using thereof
BR202020011262U2 (pt) * 2020-06-04 2021-12-14 Diego Wesley Mazali Disposição construtiva aplicada em pelicula adesiva de cobre
CN114980582B (zh) * 2022-07-13 2023-10-27 常州澳弘电子股份有限公司 一种多层薄介质厚铜板的压合方法

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE401931C (de) * 1923-05-13 1924-09-11 Hugo Lohmann Plattieren von Blechen
US2484118A (en) * 1944-09-22 1949-10-11 Reynolds Metals Co Method of bonding aluminum to steel
US3251128A (en) * 1963-06-18 1966-05-17 Allis Chalmers Mfg Co Method of applying a low resistance contact to a bus
GB1046798A (en) * 1963-08-23 1966-10-26 S W Farber Inc A method of bonding together pieces of preformed metal
US3970237A (en) * 1972-11-07 1976-07-20 Borg-Warner Corporation Method of brazing aluminum parts
JPS6024750B2 (ja) 1977-09-05 1985-06-14 三菱重工業株式会社 銅とステンレス鋼の拡散溶接法
JPH07115213B2 (ja) * 1984-06-22 1995-12-13 株式会社化繊ノズル製作所 金属複合材の製造方法
US4705207A (en) * 1986-10-16 1987-11-10 Rohr Industries, Inc. Method of brazing columbium to itself using low bonding pressures and temperatures
JPH01127184A (ja) * 1987-11-10 1989-05-19 Kawasaki Steel Corp 溶射複合型制振鋼板の製造方法
US4896813A (en) * 1989-04-03 1990-01-30 Toyo Kohan Co., Ltd. Method and apparatus for cold rolling clad sheet
DE3927762A1 (de) * 1989-08-23 1991-02-28 Risse Gmbh Geb Verfahren zur herstellung von aluminium-edelstahl-plattierten baendern
JP2543429B2 (ja) * 1990-06-04 1996-10-16 東洋鋼鈑株式会社 アルミニウム箔積層鋼板の製造法
JPH0491872A (ja) * 1990-08-07 1992-03-25 Nisshin Steel Co Ltd 加工性に優れたアルミニウムクラッド鋼板の製造方法
US5153050A (en) * 1991-08-27 1992-10-06 Johnston James A Component of printed circuit boards
JPH10296080A (ja) * 1997-04-30 1998-11-10 Hino Motors Ltd 排ガス浄化触媒及びその組合せ触媒系
TW585813B (en) * 1998-07-23 2004-05-01 Toyo Kohan Co Ltd Clad board for printed-circuit board, multi-layered printed-circuit board, and the fabrication method
IT1305116B1 (it) * 1998-09-14 2001-04-10 Zincocelere Spa Componente per circuito stampato multistrato, metodo per la suafabbricazione e relativo circuito stampato multiuso.
TW446627B (en) * 1998-09-30 2001-07-21 Toyo Kohan Co Ltd A clad sheet for lead frame, a lead frame using thereof and a manufacturing method thereof
KR20000071383A (ko) * 1999-02-26 2000-11-25 마쯔노고오지 배선층 전사용 복합재와 그 제조방법 및 장치
AU5246600A (en) * 1999-06-10 2001-01-02 Toyo Kohan Co. Ltd. Clad plate for forming interposer for semiconductor device, interposer for semiconductor device, and method of manufacturing them
DE60027976T2 (de) * 1999-09-22 2007-06-06 Hitachi Metals, Ltd. Laminiertes Band und Verfahren und Vorrichtung zu seiner Herstellung
US6454878B1 (en) * 2000-11-01 2002-09-24 Visteon Global Technologies, Inc. Cladded material construction for etched-tri-metal circuits

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101306181B1 (ko) 2008-11-12 2013-09-09 도요 고한 가부시키가이샤 반도체 소자 형성의 에피택셜 성장막 형성용 금속 적층 기판의 제조 방법 및 반도체 소자 형성의 에피택셜 성장막 형성용 금속 적층 기판

Also Published As

Publication number Publication date
EP1342564A1 (en) 2003-09-10
JP2002127298A (ja) 2002-05-08
CN1275764C (zh) 2006-09-20
JP4447762B2 (ja) 2010-04-07
US20060163329A1 (en) 2006-07-27
CN1469805A (zh) 2004-01-21
EP1342564A4 (en) 2010-03-03
WO2002032660A1 (fr) 2002-04-25
US7175919B2 (en) 2007-02-13
US20040065717A1 (en) 2004-04-08
KR20030044011A (ko) 2003-06-02
AU2001292353A1 (en) 2002-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100537322B1 (ko) 다층 금속 적층판 및 그 제조 방법
KR100514208B1 (ko) 다층금속 적층필름 및 그 제조방법
KR100615382B1 (ko) 프린트회로기판용 클래드판, 이를 사용한 다층프린트회로기판 및 그의 제조방법
TW202116119A (zh) 附載體層金屬層積基材及其製造方法、金屬層積基材及其製造方法以及印刷線路板
WO2000019533A1 (fr) Substrat plaque, destine a des cadres de montage, cadre de montage mettant en oeuvre un tel substrat, et procede de fabrication de ce cadre
JP2003094589A (ja) 積層材の製造方法及び積層材の製造装置
WO2002074531A1 (fr) Plaque de haut polymere et corps de connexion de plaque conductrice et partie utilisant cette plaque de connexion
JP2003154537A (ja) 銅箔張基板の畳合製造方法及びそれに用いられる銅箔張基板畳合用中間体
JP2002178165A (ja) プリント配線基板用積層金属箔の製造方法及びプリント配線基板用積層金属箔
JP2000312066A (ja) 転写法用複合材及びその製造方法
JP3339632B2 (ja) 積層金属帯の製造方法および積層金属帯
JP2004034125A (ja) 金属板接合体、および金属板接合体を用いた積層成形体、および積層成形体を用いた部品
JP2004074219A (ja) 積層帯材の製造方法
KR20240093456A (ko) 금속 적층재 및 그 제조 방법, 및 프린트 배선판
JP2005074913A (ja) 軽重積層材の製造方法および軽重積層材を用いた部品の製造方法
JP4190955B2 (ja) 選択エッチング加工用導電板積層材の製造方法
JP2001323363A (ja) 板材および印刷配線板用金属箔およびそれらの製造方法
JP2001087872A (ja) 積層金属板の製造方法
JP2002346765A (ja) 積層金属帯の製造方法
JP2002110880A (ja) リードフレーム用積層帯材の製造方法
JP2000246462A (ja) 積層金属板の製造方法
JP2003103381A (ja) 金属積層帯の製造方法
JP2002110748A (ja) Ｔａｂ用積層帯の製造方法及びｔａｂ用積層帯
JP2003158359A (ja) 銅箔張基板の転写製造方法及びそれに用いられる銅箔転写材
JP2005074912A (ja) 軽重積層材および軽重積層材を用いた部品

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121107

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131024

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141128

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151204

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161205

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171201

Year of fee payment: 13