JP2684259B2 - クラッド材とその製造方法 - Google Patents
クラッド材とその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電子材料として使用
され基板表面にストライプ状にＡｇ等の金属または合金
条を圧接したクラッド材に係り、被着箔条の圧接予定面
に非接触式清浄方法を施すことにより、大気中の圧接圧
延後の被着箔条の厚みを例えば０．３μｍ〜０．１ｍｍ
の広範囲に設定でき、種々の用途の電子材料を容易に提
供できるクラッド材とその製造方法に関する。
され基板表面にストライプ状にＡｇ等の金属または合金
条を圧接したクラッド材に係り、被着箔条の圧接予定面
に非接触式清浄方法を施すことにより、大気中の圧接圧
延後の被着箔条の厚みを例えば０．３μｍ〜０．１ｍｍ
の広範囲に設定でき、種々の用途の電子材料を容易に提
供できるクラッド材とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】貴金属をストライプ状に被履した金属ま
たは合金クラッド条は、電子材料として接点、コネクタ
ー、リードフレーム等に用いられる。また、接点、コネ
クターでは、通常基板となる金属にはばね性の高い材
料、すなわちリン青銅、ベリリウム銅、黄銅、及びステ
ンレス系の材料が用いられ、電気的接触が必要な部分に
ＡｇまたはＡｇ合金等が被着されている。
たは合金クラッド条は、電子材料として接点、コネクタ
ー、リードフレーム等に用いられる。また、接点、コネ
クターでは、通常基板となる金属にはばね性の高い材
料、すなわちリン青銅、ベリリウム銅、黄銅、及びステ
ンレス系の材料が用いられ、電気的接触が必要な部分に
ＡｇまたはＡｇ合金等が被着されている。
【０００３】一方リードフレームにおいても、リードフ
レームを接続するワイヤーとしてＡｕが使用される場
合、リードフレームのワイヤーボンディング部にはＡｕ
またはＡｇが被着されている。
レームを接続するワイヤーとしてＡｕが使用される場
合、リードフレームのワイヤーボンディング部にはＡｕ
またはＡｇが被着されている。
【０００４】その他、接点材料として、Ｆｅ−Ｃｕ合金
にＮｉ−Ｃｕ合金をクラッドした構成が使用されてい
る。また、出願人はリードフレーム材料としてＣｕ合金
に高純度のＣｕをクラッドした構成を提案（特願平２−
８６３８０号）した。
にＮｉ−Ｃｕ合金をクラッドした構成が使用されてい
る。また、出願人はリードフレーム材料としてＣｕ合金
に高純度のＣｕをクラッドした構成を提案（特願平２−
８６３８０号）した。
【０００５】Ａｇをストライプ状に被履した金属または
合金クラッド条は、従来は電気めっき法により製造され
ている。一方、ロールによる圧接方法は、製造能率、コ
スト、精度の点で有利であるが、圧接前に素材の接着予
定面をワイヤーブラシ等で研摩する必要がある。しか
し、貴金属箔等は研摩時損傷するため研摩による表面清
浄化ができず、特に、Ａｇはその表面に硫化物、酸化物
を形成しやすく、大気中で保管されていたＡｇ箔の表面
には通常硫化物や酸化物が形成されており、そのままの
状態では圧接を行っても、接合界面では該硫化物や酸化
物が接合を疎外して十分な接合強度が得られない従っ
て、Ａｇ箔を冷間圧接で接合する場合、例えば出願人が
先に提案した特開昭６２−２６３８８０号の実施例１、
特開昭６３−１４１７３４号の実施例１に示す如く、Ａ
ｇ箔が汚染されていないことが不可欠であり、Ａｇ箔の
作製後直ちに圧接するか、またはＡｇ箔の作製後、一旦
Ａｒ雰囲気中に保管して、同雰囲気中あるいは雰囲気中
から取り出した直後に圧接する必要があった。このため
従来は、Ａｌ箔のような研摩が不要な箔条に限って冷間
圧接が行われており、それ以外では冷間圧接による方法
は実施されていなかった。
合金クラッド条は、従来は電気めっき法により製造され
ている。一方、ロールによる圧接方法は、製造能率、コ
スト、精度の点で有利であるが、圧接前に素材の接着予
定面をワイヤーブラシ等で研摩する必要がある。しか
し、貴金属箔等は研摩時損傷するため研摩による表面清
浄化ができず、特に、Ａｇはその表面に硫化物、酸化物
を形成しやすく、大気中で保管されていたＡｇ箔の表面
には通常硫化物や酸化物が形成されており、そのままの
状態では圧接を行っても、接合界面では該硫化物や酸化
物が接合を疎外して十分な接合強度が得られない従っ
て、Ａｇ箔を冷間圧接で接合する場合、例えば出願人が
先に提案した特開昭６２−２６３８８０号の実施例１、
特開昭６３−１４１７３４号の実施例１に示す如く、Ａ
ｇ箔が汚染されていないことが不可欠であり、Ａｇ箔の
作製後直ちに圧接するか、またはＡｇ箔の作製後、一旦
Ａｒ雰囲気中に保管して、同雰囲気中あるいは雰囲気中
から取り出した直後に圧接する必要があった。このため
従来は、Ａｌ箔のような研摩が不要な箔条に限って冷間
圧接が行われており、それ以外では冷間圧接による方法
は実施されていなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】Ａｇをストライプ状に
被履した金属または合金クラッド条は、電気めっき法に
より製造されているが、めっき法では不要な部分をマス
キングテープで履う必要があり、また、テープは使い捨
てのため余分な副資材を必要とするばかりでなく、貼り
付け位置合わせを精度良く行なうことが難しく、従って
被着部分の位置精度が悪いという問題がある。さらに、
基板材料がめっき液と化学反応を起こすような場合、中
間層を別にめっきする必要があるため、加工コストが高
価になる。
被履した金属または合金クラッド条は、電気めっき法に
より製造されているが、めっき法では不要な部分をマス
キングテープで履う必要があり、また、テープは使い捨
てのため余分な副資材を必要とするばかりでなく、貼り
付け位置合わせを精度良く行なうことが難しく、従って
被着部分の位置精度が悪いという問題がある。さらに、
基板材料がめっき液と化学反応を起こすような場合、中
間層を別にめっきする必要があるため、加工コストが高
価になる。
【０００７】従来からロールによる圧接方法を採用して
安定して被着されるＡｇ箔条の厚さは０．３ｍｍ程度が
限度であった。これ以上薄くすると清浄化のブラッシン
グ時に破れてしまい事実上圧接することはできなかっ
た。従来方法にて圧接した場合、最終製品のＡｇの厚さ
は０．１ｍｍ程度であった。また、圧延を何回も繰り返
すことが考えられるが極めて非効率的であり、工業的に
は実用化され難い。
安定して被着されるＡｇ箔条の厚さは０．３ｍｍ程度が
限度であった。これ以上薄くすると清浄化のブラッシン
グ時に破れてしまい事実上圧接することはできなかっ
た。従来方法にて圧接した場合、最終製品のＡｇの厚さ
は０．１ｍｍ程度であった。また、圧延を何回も繰り返
すことが考えられるが極めて非効率的であり、工業的に
は実用化され難い。
【０００８】Ａｇ材の場合、市販品として０．１８５ｍ
ｍの帯材がある。この材料をブラッシングにて研摩して
圧接する際には相当の注意を払うことが必要となる。特
にねじれによる最終製品における寸法精度への影響、破
れによるＡｇ材供給の停止等量産品を安定して提供する
ことが困難であった。特に、０．１ｍｍ以下になると殆
どブラッシングによる清浄化は不可能となる。そこで、
前述のＡｇ箔の作製後直ちに圧接することが考えられる
が、工業的生産ではＡｇ箔の作製と圧接を連続的に行う
ことは困難であり、またＡｒ保管雰囲気中から取り出し
直ちに圧接するにも、保管、取扱い等が煩雑となり、生
産性のよい方法とは言い難い。しかし、電子部品用の高
品位の合金箔クラッド条を得るためには、圧接前にＡｇ
箔などの被着材料箔の表面清浄化処理が必要となる。
ｍの帯材がある。この材料をブラッシングにて研摩して
圧接する際には相当の注意を払うことが必要となる。特
にねじれによる最終製品における寸法精度への影響、破
れによるＡｇ材供給の停止等量産品を安定して提供する
ことが困難であった。特に、０．１ｍｍ以下になると殆
どブラッシングによる清浄化は不可能となる。そこで、
前述のＡｇ箔の作製後直ちに圧接することが考えられる
が、工業的生産ではＡｇ箔の作製と圧接を連続的に行う
ことは困難であり、またＡｒ保管雰囲気中から取り出し
直ちに圧接するにも、保管、取扱い等が煩雑となり、生
産性のよい方法とは言い難い。しかし、電子部品用の高
品位の合金箔クラッド条を得るためには、圧接前にＡｇ
箔などの被着材料箔の表面清浄化処理が必要となる。
【０００９】電気めっき法ではＡｇの厚さは最大５μｍ
程度である。従って、電気めっき法による最大厚さ５μ
ｍとロール圧接方法による最小厚さ０．１ｍｍとの間の
厚さを有するＡｇクラッド材は得ることができなかっ
た。
程度である。従って、電気めっき法による最大厚さ５μ
ｍとロール圧接方法による最小厚さ０．１ｍｍとの間の
厚さを有するＡｇクラッド材は得ることができなかっ
た。
【００１０】一方、接点、コネクター等の用途において
は、Ａｇ被着部に流れる電流容量に応じて、またリード
フレーム等の用途においてはＡｇ被着部にボンディング
されるワイヤーの太さにより必然的に最も効率的なＡｇ
厚さ（量）が選定されるが、上記の製造方法による制限
から必ずしも適正の厚さとすることができなかった。
は、Ａｇ被着部に流れる電流容量に応じて、またリード
フレーム等の用途においてはＡｇ被着部にボンディング
されるワイヤーの太さにより必然的に最も効率的なＡｇ
厚さ（量）が選定されるが、上記の製造方法による制限
から必ずしも適正の厚さとすることができなかった。
【００１１】Ａｇと同様に圧接前に清浄化処理を必要と
する材料、例えば表面に酸化物を形成しやすいＣｕ、Ｎ
ｉ及びこれらの合金を被着材料とする用途においては、
いずれも上述の問題点を有している。
する材料、例えば表面に酸化物を形成しやすいＣｕ、Ｎ
ｉ及びこれらの合金を被着材料とする用途においては、
いずれも上述の問題点を有している。
【００１２】この発明は、電子材料として使用され基板
表面にストライプ状にＡｇ等の金属または合金条を圧接
したクラッド材の上述の問題点を解消し、大気中での取
扱い並びに圧接圧延法により、被着箔条の厚みを例えば
０．３μｍ〜０．１ｍｍの広範囲に自由に設定でき、種
々の用途の電子材料を容易に効率よく得ることができる
クラッド材とその製造方法の提供を目的としている。
表面にストライプ状にＡｇ等の金属または合金条を圧接
したクラッド材の上述の問題点を解消し、大気中での取
扱い並びに圧接圧延法により、被着箔条の厚みを例えば
０．３μｍ〜０．１ｍｍの広範囲に自由に設定でき、種
々の用途の電子材料を容易に効率よく得ることができる
クラッド材とその製造方法の提供を目的としている。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この発明は、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ｎｉまたはこれらの合金からなる少なくとも１種の
被着材料箔の非接触式清浄化処理された面と、基板材料
の清浄化処理された面とで圧接一体化され、前記箔厚み
が０．１ｍｍ以下であることを特徴とするクラッド材で
ある。
ｕ、Ｎｉまたはこれらの合金からなる少なくとも１種の
被着材料箔の非接触式清浄化処理された面と、基板材料
の清浄化処理された面とで圧接一体化され、前記箔厚み
が０．１ｍｍ以下であることを特徴とするクラッド材で
ある。
【００１４】また、この発明は、厚さ０．２ｍｍ以下の
Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉまたはこれらの合金からなる少なくと
も１種の被着材料箔の圧接予定面に非接触式清浄方法を
施し、基板材料の前記箔との圧接予定面に清浄化処理を
施した後、両者を圧接圧延して圧接された前記箔厚みを
０．１ｍｍ以下となしたことを特徴とするクラッド材の
製造方法である。
Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉまたはこれらの合金からなる少なくと
も１種の被着材料箔の圧接予定面に非接触式清浄方法を
施し、基板材料の前記箔との圧接予定面に清浄化処理を
施した後、両者を圧接圧延して圧接された前記箔厚みを
０．１ｍｍ以下となしたことを特徴とするクラッド材の
製造方法である。
【００１５】
【作用】この発明は、被着材料として、純ＡｇまたはＡ
ｇ合金（Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｃｄ等）の厚さ０．２ｍｍ
以下の箔の圧接予定面にＹＡＧレーザー等を照射して、
非接触式清浄化処理した後、基板材料として、Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合
金、純Ｃｕ、Ｃｒ合金等を軟化焼鈍後ワイヤーブラシ等
で清浄化処理を施し、箔の清浄化面を圧接界面側とし
て、圧接することを特徴とする。
ｇ合金（Ａｇ−Ｃｕ、Ａｇ−Ｃｄ等）の厚さ０．２ｍｍ
以下の箔の圧接予定面にＹＡＧレーザー等を照射して、
非接触式清浄化処理した後、基板材料として、Ｆｅ−Ｎ
ｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ合
金、純Ｃｕ、Ｃｒ合金等を軟化焼鈍後ワイヤーブラシ等
で清浄化処理を施し、箔の清浄化面を圧接界面側とし
て、圧接することを特徴とする。
【００１６】大気に晒されているＡｇ箔は表面に硫化物
を形成し易く、硫化物はポーラスなため成長が速く、ま
た水分等を吸着しているため、Ａｌ箔のように表面処理
なしで圧接することは不可能である。そこで、Ａｇ箔側
にレーザー照射等の非接触式清浄化処理を施し、基板側
は従来のワイヤーブラシを用いた清浄化処理を行なった
後、相互の清浄化面を突き合わせて冷間圧接するもの
で、被着材料箔への非接触式清浄化処理により、大気中
での取扱い並びに圧接圧延に際して、厚さ０．２ｍｍ以
下の被着材料箔を用いることができ、圧接後のＡｇ箔厚
みを０．３μｍ〜０．１ｍｍの広範囲に自由に設定でき
る冷間圧接が可能となった。また、被着材料への非接触
式清浄化処理は、ＡｇだけでなくＣｕ、Ｎｉ及びこれら
の合金においても同様の作用効果を奏する。
を形成し易く、硫化物はポーラスなため成長が速く、ま
た水分等を吸着しているため、Ａｌ箔のように表面処理
なしで圧接することは不可能である。そこで、Ａｇ箔側
にレーザー照射等の非接触式清浄化処理を施し、基板側
は従来のワイヤーブラシを用いた清浄化処理を行なった
後、相互の清浄化面を突き合わせて冷間圧接するもの
で、被着材料箔への非接触式清浄化処理により、大気中
での取扱い並びに圧接圧延に際して、厚さ０．２ｍｍ以
下の被着材料箔を用いることができ、圧接後のＡｇ箔厚
みを０．３μｍ〜０．１ｍｍの広範囲に自由に設定でき
る冷間圧接が可能となった。また、被着材料への非接触
式清浄化処理は、ＡｇだけでなくＣｕ、Ｎｉ及びこれら
の合金においても同様の作用効果を奏する。
【００１７】この発明は冷間圧接にて被着材料箔を直接
基板に圧接でき、材料を機械的なガイドリングにより供
給するため、被着材料箔の位置決め精度が良い。また、
被着材料箔には圧延された材料を用いるため、クラッド
厚さの幅方向、長手方向のばらつきが少ない。また、圧
接法で製造するため、めっき液の処理やテープ等の間接
資材が不要であり、工程が簡素化され、製造効率がよ
い。
基板に圧接でき、材料を機械的なガイドリングにより供
給するため、被着材料箔の位置決め精度が良い。また、
被着材料箔には圧延された材料を用いるため、クラッド
厚さの幅方向、長手方向のばらつきが少ない。また、圧
接法で製造するため、めっき液の処理やテープ等の間接
資材が不要であり、工程が簡素化され、製造効率がよ
い。
【００１８】この発明において、基板の圧接予定面もし
くは必要に応じて設けられる基板の溝部に施す清浄化処
理には、ワイヤーブラシによる研摩、バフ研摩のほか、
レーザー照射、電子ビーム照射、イオンスパッタリング
などを採用することができる。ワイヤーブラシの好まし
い適用条件は、０．１〜０．５ｍｍ径の炭素鋼線の回転
ブラシを用い、材料表面を研磨して所謂梨地状に仕上
げ、仕上がり表面粗度が１．５〜１０μｍの場合であ
る。
くは必要に応じて設けられる基板の溝部に施す清浄化処
理には、ワイヤーブラシによる研摩、バフ研摩のほか、
レーザー照射、電子ビーム照射、イオンスパッタリング
などを採用することができる。ワイヤーブラシの好まし
い適用条件は、０．１〜０．５ｍｍ径の炭素鋼線の回転
ブラシを用い、材料表面を研磨して所謂梨地状に仕上
げ、仕上がり表面粗度が１．５〜１０μｍの場合であ
る。
【００１９】この発明において、被着材料箔の非接触式
清浄化処理には、実施例に示すレーザー照射のほか、電
子ビーム照射、イオンスパッタリングなどを採用するこ
とができる。レーザー照射の雰囲気は、レーザースクラ
イバーのように温度上昇を伴わない場合は大気中でもよ
く、温度上昇を伴う場合は不活性ガス雰囲気、還元性雰
囲気などの非酸化性雰囲気が望ましい。ＹＡＧレーザー
の好ましい適用条件は、出力１００Ｗ、Ｑ−ＳＷ発振周
波数１０ｋＨｚを用いて、Ａｒ雰囲気中で照射する。な
お、レーザービームは材料を長手方向に移動させなが
ら、ガルバニックミラーを用いて板幅方向に走査し、被
着材料の圧接予定面に未走査部分が残らないように全面
に照射する。ガルバニックミラーの走査周波数および材
料の移動速度は材料幅、レーザービーム径等に応じて適
宜選定するとよい。
清浄化処理には、実施例に示すレーザー照射のほか、電
子ビーム照射、イオンスパッタリングなどを採用するこ
とができる。レーザー照射の雰囲気は、レーザースクラ
イバーのように温度上昇を伴わない場合は大気中でもよ
く、温度上昇を伴う場合は不活性ガス雰囲気、還元性雰
囲気などの非酸化性雰囲気が望ましい。ＹＡＧレーザー
の好ましい適用条件は、出力１００Ｗ、Ｑ−ＳＷ発振周
波数１０ｋＨｚを用いて、Ａｒ雰囲気中で照射する。な
お、レーザービームは材料を長手方向に移動させなが
ら、ガルバニックミラーを用いて板幅方向に走査し、被
着材料の圧接予定面に未走査部分が残らないように全面
に照射する。ガルバニックミラーの走査周波数および材
料の移動速度は材料幅、レーザービーム径等に応じて適
宜選定するとよい。
【００２０】この発明において、被着材料箔にはＡｇ、
Ｃｕ、Ｎｉまたはこれらの合金を用途等に応じて適宜選
定されるが、基板に圧接するパターン等に応じて、同種
あるいは異材質の複数箔条を用いることができる。圧接
前の被着材料箔の厚みは、０．２ｍｍ以下が好ましく、
厚みの下限については通常工業的に製造できる基板側の
溝深さが１０μｍ（０．０１ｍｍ）程度であり、薄すぎ
ると取扱いが困難になるため厚みの下限は０．０１ｍｍ
程度である。これより薄い材料が得られればそれを使用
してもよい。
Ｃｕ、Ｎｉまたはこれらの合金を用途等に応じて適宜選
定されるが、基板に圧接するパターン等に応じて、同種
あるいは異材質の複数箔条を用いることができる。圧接
前の被着材料箔の厚みは、０．２ｍｍ以下が好ましく、
厚みの下限については通常工業的に製造できる基板側の
溝深さが１０μｍ（０．０１ｍｍ）程度であり、薄すぎ
ると取扱いが困難になるため厚みの下限は０．０１ｍｍ
程度である。これより薄い材料が得られればそれを使用
してもよい。
【００２１】基板材料は電子材料としての用途に応じて
適宜選定されるが、リードフレーム用としては、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、及
びＦｅさらに銅系リードフレーム材料として、Ｃｕ−Ｆ
ｅ合金、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｎ−Ｐ合金を用い、接点、コネ
クター用としては、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ
合金、ステンレス鋼、黄銅、洋白を用いる。さらに装飾
品用として用いる場合は、Ｃｕ、洋白、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃ
ｕ合金、黄銅、青銅等を用いることができる。
適宜選定されるが、リードフレーム用としては、Ｆｅ−
Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｃｒ合金、及
びＦｅさらに銅系リードフレーム材料として、Ｃｕ−Ｆ
ｅ合金、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｎ−Ｐ合金を用い、接点、コネ
クター用としては、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃｒ
合金、ステンレス鋼、黄銅、洋白を用いる。さらに装飾
品用として用いる場合は、Ｃｕ、洋白、Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃ
ｕ合金、黄銅、青銅等を用いることができる。
【００２２】基板材料に施す軟化焼鈍は、基板材料が予
め軟化状態にあるものについて施こす必要はなく、また
基板材料によって焼鈍条件が異なるので、材料用途に応
じて温度や時間を選定する。
め軟化状態にあるものについて施こす必要はなく、また
基板材料によって焼鈍条件が異なるので、材料用途に応
じて温度や時間を選定する。
【００２３】この発明により得られるクラッド材は、圧
接後の被着材料箔厚みを０．３μｍ〜０．１ｍｍの広範
囲に自由に設定でき、ストライプの場合、被着材料箔が
基板材料にインレイ状に被着しその厚さが０．１ｍｍ以
下である。例えば、圧接前の被着材料箔厚さが０．１ｍ
ｍであった場合でも圧接されれば０．１ｍｍ未満とな
る。
接後の被着材料箔厚みを０．３μｍ〜０．１ｍｍの広範
囲に自由に設定でき、ストライプの場合、被着材料箔が
基板材料にインレイ状に被着しその厚さが０．１ｍｍ以
下である。例えば、圧接前の被着材料箔厚さが０．１ｍ
ｍであった場合でも圧接されれば０．１ｍｍ未満とな
る。
【００２４】
【実施例】実施例１ 図１に示す如く、板厚０．０１ｍｍ、板幅１０ｍｍの純
Ａｇ箔１コイルを巻戻し、Ａｒ雰囲気室２内で純Ａｇ箔
１表面にＹＡＧレーザーを照射して非接触式清浄化処理
し、また板厚０．７ｍｍ、板幅３０ｍｍのＣｕ板３コイ
ルを巻戻し、ワイヤーブラシ４で表面を清浄化した後、
前記Ａｇ箔１を清浄化面を突き合わせて冷間圧接し、ク
ラッド板厚みを０．３ｍｍとした後、５００℃×３分の
拡散焼鈍を施し、図２のＡに示す如き被着材料箔が基板
材料に１条インレイ状に被着しその厚さが３μｍのＡｇ
クラッドＣｕ板を得た。
Ａｇ箔１コイルを巻戻し、Ａｒ雰囲気室２内で純Ａｇ箔
１表面にＹＡＧレーザーを照射して非接触式清浄化処理
し、また板厚０．７ｍｍ、板幅３０ｍｍのＣｕ板３コイ
ルを巻戻し、ワイヤーブラシ４で表面を清浄化した後、
前記Ａｇ箔１を清浄化面を突き合わせて冷間圧接し、ク
ラッド板厚みを０．３ｍｍとした後、５００℃×３分の
拡散焼鈍を施し、図２のＡに示す如き被着材料箔が基板
材料に１条インレイ状に被着しその厚さが３μｍのＡｇ
クラッドＣｕ板を得た。
【００２５】実施例２ 図１に示す如く、板厚０．０１ｍｍ、板幅１０ｍｍの純
Ａｇ箔１コイルを２条巻戻し、Ａｒ雰囲気室２内で純Ａ
ｇ箔１表面にＹＡＧレーザーを照射して非接触式清浄化
処理し、また板厚０．７ｍｍ、板幅６０ｍｍのＣｕ板３
コイルを巻戻し、ワイヤーブラシ４で表面を清浄化した
後、前記２条のＡｇ箔１を清浄化面を突き合わせて冷間
圧接し、クラッド板厚みを０．３ｍｍとした後、、５０
０℃×３分の拡散焼鈍を施し、図２のＢに示す如き被着
材料箔が基板材料に２条インレイ状に被着しその厚さが
３μｍのＡｇクラッドＣｕ板を得た。
Ａｇ箔１コイルを２条巻戻し、Ａｒ雰囲気室２内で純Ａ
ｇ箔１表面にＹＡＧレーザーを照射して非接触式清浄化
処理し、また板厚０．７ｍｍ、板幅６０ｍｍのＣｕ板３
コイルを巻戻し、ワイヤーブラシ４で表面を清浄化した
後、前記２条のＡｇ箔１を清浄化面を突き合わせて冷間
圧接し、クラッド板厚みを０．３ｍｍとした後、、５０
０℃×３分の拡散焼鈍を施し、図２のＢに示す如き被着
材料箔が基板材料に２条インレイ状に被着しその厚さが
３μｍのＡｇクラッドＣｕ板を得た。
【００２６】実施例３ 板厚０．０３ｍｍ、板幅１０ｍｍの純Ａｇ箔表面にＹＡ
ＧレーザーをＡｒ雰囲気中で照射し、板厚１．０ｍｍ、
板幅３５ｍｍのＦｅ−４２％Ｎｉ合金板を焼鈍後ワイヤ
ーブラッシングし、前記Ａｇ箔のレーザー処理面を基板
側にして冷間圧接し、板厚０．２５ｍｍとした後拡散焼
鈍を施し、図２のＡに示す如きＡｇクラッドＦｅ−４２
％Ｎｉ合金板を得た。得られたＡｇ厚みが７μｍである
ＡｇクラッドＦｅ−４２％Ｎｉ合金板を用いて、図３に
示すごとく、突き合わせ先端部表面または裏面側にＡｇ
箔１が被着されたリードフレームに打ち抜き成型した。
また、比較のためＡｇをめっきによりストライプ状に５
μｍ厚み被着したＦｅ−４２％Ｎｉ合金板をリードフレ
ームに打ち抜き、Ａｇ面のはんだ濡れ性を調べたとこ
ろ、この発明によるクラッド材のＡｇは従来のめっきに
よるものと同等以上のはんだ濡れ性を示した。
ＧレーザーをＡｒ雰囲気中で照射し、板厚１．０ｍｍ、
板幅３５ｍｍのＦｅ−４２％Ｎｉ合金板を焼鈍後ワイヤ
ーブラッシングし、前記Ａｇ箔のレーザー処理面を基板
側にして冷間圧接し、板厚０．２５ｍｍとした後拡散焼
鈍を施し、図２のＡに示す如きＡｇクラッドＦｅ−４２
％Ｎｉ合金板を得た。得られたＡｇ厚みが７μｍである
ＡｇクラッドＦｅ−４２％Ｎｉ合金板を用いて、図３に
示すごとく、突き合わせ先端部表面または裏面側にＡｇ
箔１が被着されたリードフレームに打ち抜き成型した。
また、比較のためＡｇをめっきによりストライプ状に５
μｍ厚み被着したＦｅ−４２％Ｎｉ合金板をリードフレ
ームに打ち抜き、Ａｇ面のはんだ濡れ性を調べたとこ
ろ、この発明によるクラッド材のＡｇは従来のめっきに
よるものと同等以上のはんだ濡れ性を示した。
【００２７】実施例４ 板厚０．０４ｍｍ、板幅１０ｍｍの純Ａｇ箔表面にＹＡ
ＧレーザーをＡｒ雰囲気中で照射し、板厚１．０ｍｍ、
板幅３５ｍｍのＦｅ−４２％Ｎｉ合金板を焼鈍後ワイヤ
ーブラッシングし、前記Ａｇ箔のレーザー処理面を基板
側にして冷間圧接し、板厚０．２５ｍｍとした後拡散焼
鈍を施し、Ａｇ厚さが１０μｍのＡｇクラッドＦｅ−４
２％Ｎｉ合金板を得た。
ＧレーザーをＡｒ雰囲気中で照射し、板厚１．０ｍｍ、
板幅３５ｍｍのＦｅ−４２％Ｎｉ合金板を焼鈍後ワイヤ
ーブラッシングし、前記Ａｇ箔のレーザー処理面を基板
側にして冷間圧接し、板厚０．２５ｍｍとした後拡散焼
鈍を施し、Ａｇ厚さが１０μｍのＡｇクラッドＦｅ−４
２％Ｎｉ合金板を得た。
【００２８】実施例５ 板厚０．０３ｍｍ、板幅１０ｍｍのＮｉ−７０％Ｃｕ合
金箔表面にＹＡＧレーザーをＡｒ雰囲気中で照射し、板
厚１．０ｍｍ、板幅３５ｍｍのＦｅ−４２％Ｎｉ合金板
を焼鈍後ワイヤーブラッシングし、前記箔のレーザー処
理面を基板側にして冷間圧接し、板厚を０．３ｍｍとし
た後拡散焼鈍を施し、Ｎｉ−Ｃｕ合金厚さが７μｍのＮ
ｉ−Ｃｕ合金クラッドＦｅ−４２％Ｎｉ合金板を得た。
金箔表面にＹＡＧレーザーをＡｒ雰囲気中で照射し、板
厚１．０ｍｍ、板幅３５ｍｍのＦｅ−４２％Ｎｉ合金板
を焼鈍後ワイヤーブラッシングし、前記箔のレーザー処
理面を基板側にして冷間圧接し、板厚を０．３ｍｍとし
た後拡散焼鈍を施し、Ｎｉ−Ｃｕ合金厚さが７μｍのＮ
ｉ−Ｃｕ合金クラッドＦｅ−４２％Ｎｉ合金板を得た。
【００２９】実施例６ 板厚０．０２ｍｍ、板幅１０ｍｍの純Ｃｕ箔表面にＹＡ
ＧレーザーをＡｒ雰囲気中で照射し、板厚１．０ｍｍ、
板幅３５ｍｍのＣｕ−２％Ｆｅ合金板をワイヤーブラッ
シングし、前記箔のレーザー処理面を基板側にして冷間
圧接し、板厚を０．２５ｍｍとした後拡散焼鈍を施し、
純Ｃｕ厚さが５μｍの純ＣｕクラッドＣｕ−２％Ｆｅ合
金板を得た。
ＧレーザーをＡｒ雰囲気中で照射し、板厚１．０ｍｍ、
板幅３５ｍｍのＣｕ−２％Ｆｅ合金板をワイヤーブラッ
シングし、前記箔のレーザー処理面を基板側にして冷間
圧接し、板厚を０．２５ｍｍとした後拡散焼鈍を施し、
純Ｃｕ厚さが５μｍの純ＣｕクラッドＣｕ−２％Ｆｅ合
金板を得た。
【００３０】
【発明の効果】この発明は、Ａｇ箔などの被着材料箔側
をレーザー照射等の非接触式清浄化処理を施し、基板側
はワイヤーブラシ等の清浄化処理を行なった後、清浄化
面を突き合わせて冷間圧接するもので、被着材料への非
接触式清浄化処理により、大気中での取扱い並びに圧接
圧延が可能で、かつ厚さ０．２ｍｍ以下の被着材料箔を
用いることができ、実施例に示す如く、圧接後のＡｇ箔
厚みを０．３μｍ〜０．１ｍｍの広範囲に自由に設定で
きる冷間圧接が可能となった。
をレーザー照射等の非接触式清浄化処理を施し、基板側
はワイヤーブラシ等の清浄化処理を行なった後、清浄化
面を突き合わせて冷間圧接するもので、被着材料への非
接触式清浄化処理により、大気中での取扱い並びに圧接
圧延が可能で、かつ厚さ０．２ｍｍ以下の被着材料箔を
用いることができ、実施例に示す如く、圧接後のＡｇ箔
厚みを０．３μｍ〜０．１ｍｍの広範囲に自由に設定で
きる冷間圧接が可能となった。
【図１】この発明の製造方法を示す説明図である。
【図２】この発明によるクラッド板の斜視説明図であ
る。
る。
【図３】リードフレームの一例を示す斜視説明図であ
る。
る。
１ Ａｇ箔 ２ Ａｒ雰囲気室 ３ Ｃｕ板 ４ ワイヤーブラシ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｂ２３Ｋ 20/04 Ｂ２３Ｋ 20/04 Ｈ Ｂ３２Ｂ 15/01 Ｂ３２Ｂ 15/01 (56)参考文献 特開 昭62−212084（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−103815（ＪＰ，Ａ) 特開 昭50−15767（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−289986（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−183787（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−100887（ＪＰ，Ａ)
Claims (2)
- 【請求項１】 Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉまたはこれらの合金か
らなる少なくとも１種の被着材料箔の非接触式清浄化処
理された面と、基板材料の清浄化処理された面とで圧接
一体化され、前記箔厚みが０．１ｍｍ以下であることを
特徴とするクラッド材。 - 【請求項２】 厚さ０．２ｍｍ以下のＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ
またはこれらの合金からなる少なくとも１種の被着材料
箔の圧接予定面に非接触式清浄方法を施し、基板材料の
前記箔との圧接予定面に清浄化処理を施した後、両者を
圧接圧延して圧接された前記箔厚みを０．１ｍｍ以下と
なしたことを特徴とするクラッド材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119501A JP2684259B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | クラッド材とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3119501A JP2684259B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | クラッド材とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04322889A JPH04322889A (ja) | 1992-11-12 |
| JP2684259B2 true JP2684259B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=14762830
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3119501A Expired - Fee Related JP2684259B2 (ja) | 1991-04-22 | 1991-04-22 | クラッド材とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2684259B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW446627B (en) * | 1998-09-30 | 2001-07-21 | Toyo Kohan Co Ltd | A clad sheet for lead frame, a lead frame using thereof and a manufacturing method thereof |
| WO2005097396A1 (ja) * | 2004-04-08 | 2005-10-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 接合方法及びその装置 |
| CN100389005C (zh) * | 2005-09-21 | 2008-05-21 | 浙江大学 | 一种Cu/Ag双金属复合板制备方法 |
-
1991
- 1991-04-22 JP JP3119501A patent/JP2684259B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04322889A (ja) | 1992-11-12 |
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