JPH0681172A - 微細パターンの形成方法 - Google Patents
微細パターンの形成方法Info
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- JPH0681172A JPH0681172A JP23364192A JP23364192A JPH0681172A JP H0681172 A JPH0681172 A JP H0681172A JP 23364192 A JP23364192 A JP 23364192A JP 23364192 A JP23364192 A JP 23364192A JP H0681172 A JPH0681172 A JP H0681172A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】
【目的】リード強度や電気抵抗などの実用性を低下する
ことなく、微細配線パターンの形成を可能にする。 【構成】基板４上に積層した銅箔３をエッチングする前
に、予め銅箔３の表面に、ニッケルめっき２を行う。め
っき後、ニッケルめっき２の上にフォトレジストを用い
てエッチングレジストパターン１を形成する。パターン
形成後、塩化第二鉄水溶液からなるエッチング液を吹き
付けてエッチングを行い、微細配線パターンを形成す
る。ニッケルめっき２は銅箔３よりもエッチング速度が
遅いので、フォトレジスト下部のサイドエッチ量が抑制
される。
ことなく、微細配線パターンの形成を可能にする。 【構成】基板４上に積層した銅箔３をエッチングする前
に、予め銅箔３の表面に、ニッケルめっき２を行う。め
っき後、ニッケルめっき２の上にフォトレジストを用い
てエッチングレジストパターン１を形成する。パターン
形成後、塩化第二鉄水溶液からなるエッチング液を吹き
付けてエッチングを行い、微細配線パターンを形成す
る。ニッケルめっき２は銅箔３よりもエッチング速度が
遅いので、フォトレジスト下部のサイドエッチ量が抑制
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は微細パターンの形成方法
に係り、特にサイドエッチ量を改善したものに関する。
に係り、特にサイドエッチ量を改善したものに関する。
【０００２】
【従来の技術】微細パターンの要求は、例えばプリント
基板、ＴＡＢ用フィルムキャリア等の配線基板における
微細配線化の要求として現れる。従来この種の配線基板
における微細配線パターンの形成方法としては、図３に
示すように、絶縁性基板４上に積層した銅箔３の表面に
スクリーン印刷法、写真製版法などによりエッチングレ
ジストパターン１を形成し（Ａ）、塩化第二鉄、塩化第
二銅等の水溶液からなるエッチング液を吹き付けてレジ
ストパターン１より露出した不要部の銅箔３を溶解除去
する（Ｂ、Ｃ）エッチング法が用いられている。
基板、ＴＡＢ用フィルムキャリア等の配線基板における
微細配線化の要求として現れる。従来この種の配線基板
における微細配線パターンの形成方法としては、図３に
示すように、絶縁性基板４上に積層した銅箔３の表面に
スクリーン印刷法、写真製版法などによりエッチングレ
ジストパターン１を形成し（Ａ）、塩化第二鉄、塩化第
二銅等の水溶液からなるエッチング液を吹き付けてレジ
ストパターン１より露出した不要部の銅箔３を溶解除去
する（Ｂ、Ｃ）エッチング法が用いられている。
【０００３】この場合、銅箔３の溶解は同図（Ｂ）、
（Ｃ）に示すように厚み方向だけでなく、横方向にも進
行（サイドエッチング）し、レジストパターン下部が浸
食されるため、レジストパターン幅ｗは予めリード幅ｂ
よりも広く形成しておく必要がある。
（Ｃ）に示すように厚み方向だけでなく、横方向にも進
行（サイドエッチング）し、レジストパターン下部が浸
食されるため、レジストパターン幅ｗは予めリード幅ｂ
よりも広く形成しておく必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、微細狭ピッ
チリードを得るためには当然レジストパターン幅ｗおよ
びレジスト間隔ｔを狭くせざるを得ないが、銅箔のエッ
チング速度、特に厚み方向のエッチング速度はレジスト
間隔の減少とともに大きく低下するので、エッチングに
長時間を要する結果、相対的にサイドエッチングによる
リード幅の減少が大きくなるため、必要なリード幅を得
ることが困難となり、リード配線の微細化には限界があ
る。
チリードを得るためには当然レジストパターン幅ｗおよ
びレジスト間隔ｔを狭くせざるを得ないが、銅箔のエッ
チング速度、特に厚み方向のエッチング速度はレジスト
間隔の減少とともに大きく低下するので、エッチングに
長時間を要する結果、相対的にサイドエッチングによる
リード幅の減少が大きくなるため、必要なリード幅を得
ることが困難となり、リード配線の微細化には限界があ
る。
【０００５】このため、従来は使用する銅箔の厚さを低
減することにより、エッチングに要する時間を短縮して
サイドエッチ量を抑制する方法が用いられてきたが、こ
の場合、リード断面積の減少によるリード強度の低下や
電気抵抗の増大などの問題が避けられず、実使用に耐え
る配線基板を得ることが困難であった。これは配線基板
に限られず、広く微細パターンに共通する問題である。
減することにより、エッチングに要する時間を短縮して
サイドエッチ量を抑制する方法が用いられてきたが、こ
の場合、リード断面積の減少によるリード強度の低下や
電気抵抗の増大などの問題が避けられず、実使用に耐え
る配線基板を得ることが困難であった。これは配線基板
に限られず、広く微細パターンに共通する問題である。
【０００６】本発明の目的は、前記した従来技術の欠点
を解消し、強度等の実用性を低下することなく、微細パ
ターンの形成を可能にする新規な微細パターンの形成方
法を提供することにある。
を解消し、強度等の実用性を低下することなく、微細パ
ターンの形成を可能にする新規な微細パターンの形成方
法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の微細パターンの
形成方法は、金属材をエッチング加工して微細パターン
を形成するに際し、金属材の表面に金属材よりエッチン
グ速度が遅く、かつ金属材と同じエッチング液でエッチ
ング可能な被膜を設け、この被膜上にレジストパターン
を形成して被膜および金属材をエッチング加工するもの
である。
形成方法は、金属材をエッチング加工して微細パターン
を形成するに際し、金属材の表面に金属材よりエッチン
グ速度が遅く、かつ金属材と同じエッチング液でエッチ
ング可能な被膜を設け、この被膜上にレジストパターン
を形成して被膜および金属材をエッチング加工するもの
である。
【０００８】金属材は、一般的には金属箔として絶縁性
基板に貼り合わせられるが、この場合、配線基板として
は、紙−フェノール樹脂積層板、ガラス−エポキシ樹脂
積層板等の硬質基板、ガラスエポキシテープ、ポリイミ
ド樹脂フィルム、ポリエステル樹脂フィルム等を用いた
フレキシブル配線板、ＴＡＢ用フィルムキャリア等があ
る。
基板に貼り合わせられるが、この場合、配線基板として
は、紙−フェノール樹脂積層板、ガラス−エポキシ樹脂
積層板等の硬質基板、ガラスエポキシテープ、ポリイミ
ド樹脂フィルム、ポリエステル樹脂フィルム等を用いた
フレキシブル配線板、ＴＡＢ用フィルムキャリア等があ
る。
【０００９】これらの配線基板に使用する金属箔として
は銅または銅合金箔の他、用途に応じて鉄箔、鉄合金箔
等を用いることも可能であるが、エッチング加工性、電
気特性等の点から銅又は銅合金箔の使用が好ましい。
は銅または銅合金箔の他、用途に応じて鉄箔、鉄合金箔
等を用いることも可能であるが、エッチング加工性、電
気特性等の点から銅又は銅合金箔の使用が好ましい。
【００１０】また、被膜としては金属めっきが一般的で
あり、その場合、金属めっきの種類は金属箔と同じエッ
チング液でエッチングが可能であり、かつ金属箔よりエ
ッチング速度の遅いものであればよく、金属箔の材質に
応じて適宜選定することができる。例えば、銅または銅
合金箔を用いた場合、ニッケルめっき、ニッケル−リ
ン、ニッケル−スズ等のニッケル合金めっきが、めっき
作業性や経済性の点から特に好適である。
あり、その場合、金属めっきの種類は金属箔と同じエッ
チング液でエッチングが可能であり、かつ金属箔よりエ
ッチング速度の遅いものであればよく、金属箔の材質に
応じて適宜選定することができる。例えば、銅または銅
合金箔を用いた場合、ニッケルめっき、ニッケル−リ
ン、ニッケル−スズ等のニッケル合金めっきが、めっき
作業性や経済性の点から特に好適である。
【００１１】めっきの厚さとしては特に限定されない
が、通常は金属箔厚みの０〜２０％、好ましくは５〜２
０％の範囲で行う。５％未満ではサイドエッチング抑制
効果が不十分であり、２０％を越えるとめっき層部分の
エッチングが長時間となり、かえってサイドエッチ量の
増大を招く可能性がある他、経済性の点からも不利とな
る。
が、通常は金属箔厚みの０〜２０％、好ましくは５〜２
０％の範囲で行う。５％未満ではサイドエッチング抑制
効果が不十分であり、２０％を越えるとめっき層部分の
エッチングが長時間となり、かえってサイドエッチ量の
増大を招く可能性がある他、経済性の点からも不利とな
る。
【００１２】従って、金属材を絶縁性基板上に設けた銅
または銅合金箔で、被膜をニッケルまたはニッケル合金
めっきで構成し、かつニッケルまたはニッケル合金めっ
き厚を銅または銅合金箔厚の２０％以下とすることが好
ましい。
または銅合金箔で、被膜をニッケルまたはニッケル合金
めっきで構成し、かつニッケルまたはニッケル合金めっ
き厚を銅または銅合金箔厚の２０％以下とすることが好
ましい。
【００１３】
【作用】本発明では、金属材のエッチング加工に先立っ
て、予め金属材表面に金属材よりエッチング速度が遅
く、かつ金属材と同じエッチング液でエッチング可能な
被膜が設けられる。被膜は金属材よりもエッチング速度
が遅いので、それによりサイドエッチ量が抑制される。
そのため、レジストパターン幅およびレジスト間隔を狭
くした結果、エッチングに長時間を要することになった
としても、サイドエッチングによるパターン幅の減少が
小さいため、必要な微細パターン幅を得ることが容易と
なり、微細化の限界を広げることができる。
て、予め金属材表面に金属材よりエッチング速度が遅
く、かつ金属材と同じエッチング液でエッチング可能な
被膜が設けられる。被膜は金属材よりもエッチング速度
が遅いので、それによりサイドエッチ量が抑制される。
そのため、レジストパターン幅およびレジスト間隔を狭
くした結果、エッチングに長時間を要することになった
としても、サイドエッチングによるパターン幅の減少が
小さいため、必要な微細パターン幅を得ることが容易と
なり、微細化の限界を広げることができる。
【００１４】また、エッチングに要する時間を短縮する
必要がなくなるので、サイドエッチ量を抑制するために
金属材の厚さを低減する必要もなくなり、その結果、パ
ターン断面積の減少によるパターン強度の低下や電気抵
抗の増大などの問題を有効に回避でき、実使用に耐える
微細パターンを得ることが容易となる。
必要がなくなるので、サイドエッチ量を抑制するために
金属材の厚さを低減する必要もなくなり、その結果、パ
ターン断面積の減少によるパターン強度の低下や電気抵
抗の増大などの問題を有効に回避でき、実使用に耐える
微細パターンを得ることが容易となる。
【００１５】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１を用いて説明す
る。厚さ１２５μｍのポリイミドフィルムに厚さ２０μ
ｍのエポキシ樹脂接着剤を塗布した絶縁性基板４上に、
厚さ３５μｍの銅箔３を積層した基体を用意した。この
銅箔３の表面を脱脂、酸洗してから電解めっき法により
ニッケルめっき２を設けた。このニッケルめっき厚は
１、２、３．５、７μｍの４通り用意した（実施例１〜
４）。これらのニッケルめっき２の上にフォトレジスト
を用いてレジスト開口幅ｔ２５μｍ、レジスト幅ｗ７５
μｍのエッチングレジストパターン１を形成した
（Ａ）。
る。厚さ１２５μｍのポリイミドフィルムに厚さ２０μ
ｍのエポキシ樹脂接着剤を塗布した絶縁性基板４上に、
厚さ３５μｍの銅箔３を積層した基体を用意した。この
銅箔３の表面を脱脂、酸洗してから電解めっき法により
ニッケルめっき２を設けた。このニッケルめっき厚は
１、２、３．５、７μｍの４通り用意した（実施例１〜
４）。これらのニッケルめっき２の上にフォトレジスト
を用いてレジスト開口幅ｔ２５μｍ、レジスト幅ｗ７５
μｍのエッチングレジストパターン１を形成した
（Ａ）。
【００１６】パターン形成後、エッチング液として比重
４２°ボーメの塩化第二鉄水溶液を用い、温度５０℃、
スプレー圧２ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件でリード下面幅ｂが
ほぼ４６５μｍとなるようにエッチングを行った（Ｂ、
Ｃ）。
４２°ボーメの塩化第二鉄水溶液を用い、温度５０℃、
スプレー圧２ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件でリード下面幅ｂが
ほぼ４６５μｍとなるようにエッチングを行った（Ｂ、
Ｃ）。
【００１７】また、比較のために、ニッケルめっき厚ｄ
を０、１０μｍの２通り用意し（比較例１、２）、それ
以外は全て上記実施例と同じ条件で同様にエッチングを
行った。
を０、１０μｍの２通り用意し（比較例１、２）、それ
以外は全て上記実施例と同じ条件で同様にエッチングを
行った。
【００１８】このようにして得られた実施例、比較例の
リードの上面幅ａおよび下面幅ｂの寸法と、Ｅ＝ｈ／
｛（ｂ−ａ）／２｝（ｈ：リード厚）で規定されるエッ
チング率Ｅとを測定した結果を表１に示す。なお、ここ
で用いられるエッチングパラメータは図２に示す通りで
ある。
リードの上面幅ａおよび下面幅ｂの寸法と、Ｅ＝ｈ／
｛（ｂ−ａ）／２｝（ｈ：リード厚）で規定されるエッ
チング率Ｅとを測定した結果を表１に示す。なお、ここ
で用いられるエッチングパラメータは図２に示す通りで
ある。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１から明らかなように本実施例２〜４で
は、比較例１、２と比べてサイドエッチ量が少なく、リ
ード上面幅ａが大きくなっており、良好なリード断面形
状が得られることがわかる。
は、比較例１、２と比べてサイドエッチ量が少なく、リ
ード上面幅ａが大きくなっており、良好なリード断面形
状が得られることがわかる。
【００２１】なお、上記実施例では、片面エッチングに
よる片面パターン形成の場合について述べたが、本発明
は両面エッチングによる両面パターン形成についても適
用でき、また、絶縁性基板を有しない微細パターンにも
広く適用できる。
よる片面パターン形成の場合について述べたが、本発明
は両面エッチングによる両面パターン形成についても適
用でき、また、絶縁性基板を有しない微細パターンにも
広く適用できる。
【００２２】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば金属材表面に予めエッチング速度の遅い被膜を
設けたことにより金属材のサイドエッチ量が抑制され、
ファインピッチのパターンを容易に加工することができ
る。また、特に銅または銅合金箔上にニッケルまたはニ
ッケル合金めっきを設け、めっき厚を金属箔厚の２０％
以下とすると、微細狭ピッチリードを得ることができ
る。
によれば金属材表面に予めエッチング速度の遅い被膜を
設けたことにより金属材のサイドエッチ量が抑制され、
ファインピッチのパターンを容易に加工することができ
る。また、特に銅または銅合金箔上にニッケルまたはニ
ッケル合金めっきを設け、めっき厚を金属箔厚の２０％
以下とすると、微細狭ピッチリードを得ることができ
る。
【図１】本発明の実施例による微細配線パターンの形成
方法を説明する工程図。
方法を説明する工程図。
【図２】本実施例による各種エッチングパラメータの説
明図。
明図。
【図３】従来例による微細配線パターンの形成方法を説
明する工程図。
明する工程図。
１ エッチングレジストパターン ２ ニッケルめっき ３ 銅箔 ４ 基板
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年２月２４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１１】めっきの厚さとしては特に限定されない
が、通常は金属箔厚みの１〜２０％、好ましくは５〜２
０％の範囲で行う。５％未満ではサイドエッチング抑制
効果が不十分であり、２０％を越えるとめっき層部分の
エッチングが長時間となり、かえってサイドエッチ量の
増大を招く可能性がある他、経済性の点からも不利とな
る。
が、通常は金属箔厚みの１〜２０％、好ましくは５〜２
０％の範囲で行う。５％未満ではサイドエッチング抑制
効果が不十分であり、２０％を越えるとめっき層部分の
エッチングが長時間となり、かえってサイドエッチ量の
増大を招く可能性がある他、経済性の点からも不利とな
る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】パターン形成後、エッチング液として比重
４２°ボーメの塩化第二鉄水溶液を用い、温度５０℃、
スプレー圧２ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件でリード下面幅ｂが
ほぼ４５μｍとなるようにエッチングを行った（Ｂ、
Ｃ）。
４２°ボーメの塩化第二鉄水溶液を用い、温度５０℃、
スプレー圧２ｋｇｆ／ｃｍ2 の条件でリード下面幅ｂが
ほぼ４５μｍとなるようにエッチングを行った（Ｂ、
Ｃ）。
Claims (2)
- 【請求項１】金属材をエッチング加工して微細パターン
を形成するに際し、前記金属材の表面に該金属材よりエ
ッチング速度が遅く、かつ金属材と同じエッチング液で
エッチング可能な被膜を設け、該被膜上にレジストパタ
ーンを形成してエッチング加工することを特徴とする微
細パターンの形成方法。 - 【請求項２】前記金属材が絶縁性基板上に設けた銅また
は銅合金箔からなり、前記被膜がニッケルまたはニッケ
ル合金めっきからなり、かつ前記ニッケルまたはニッケ
ル合金めっき厚を前記銅または銅合金箔厚の２０％以下
としたことを特徴とする請求項１に記載の微細パターン
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23364192A JPH0681172A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 微細パターンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23364192A JPH0681172A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 微細パターンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0681172A true JPH0681172A (ja) | 1994-03-22 |
Family
ID=16958229
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23364192A Pending JPH0681172A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 微細パターンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0681172A (ja) |
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-
1992
- 1992-09-01 JP JP23364192A patent/JPH0681172A/ja active Pending
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