JPS60173899A

JPS60173899A - 微細導体パタ−ンの形成法

Info

Publication number: JPS60173899A
Application number: JP2873984A
Authority: JP
Inventors: 尾島　信行; 中村　恒; 米本　克弥
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1984-02-20
Filing date: 1984-02-20
Publication date: 1985-09-07

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、プリント回路基板の々Ｉ休体路形成において
、高密度，微細な導体・ぐターンの形成方法に関するも
のである。

（従来例の構成と問題点）近年、プリント回路基板の導体回路形成において、その
多くは銅張絶縁基板を用い、銅箔を配線・Ｐターン状に
化学エツチングすることにより導体回路を形成している
。しかるに、昨今、基板上の高密度実装が要望されるに
至り、それにともなって基板自体の導体回路パターンも
導体幅，心体間隔共に狭い微細・ぐターンの形成が強く
望丑れるようになってきた。しかしながら、従来の化学
エツチングでば、前記の要望に応ぐーるに１は限界があ
った。以下に、図面を参照しながら、従来例について説
明する。

第１図は、銅張シ絶縁基板を示す断面図であり、１は絶
縁基板、２は銅箔、３は耐工，チング性のレジスト層で
ある。又第２図は、第Ｊ・図の銅箔２を化学エツチング
した時の状１態を示す断面図であり、／Ｉはエツチング
部分を示す。本来、レノスト層３のない部分の銅箔２が
、その銅箔面に対して垂直な方向のみにエツチングされ
ることが望ましいが、化学エツチングの場合、通常、銅
箔ｉｉ’ｉｉに灯してモ行方向（１Ｃもエツチングが進
む。この現象は、いわゆるサイドエツチングと呼ばれて
おり、このシーイト゛エノチンダ速度は垂直方向のエツ
チング速度と、はぼ等しい速度で進む。従って、銅箔が
厚い程、サイドエツチングの量も大きく、その結果、導
体・ヤターンはやせ細ると同時に、導体間隔が広がるた
め、特に厚い銅箔を用いた回路基板では、導体間隔が狭
く導体をやせ細らせずに、高密度で微卸ｊな・ぐターン
を形成するには、おのずと、限度があった。

（発明の目的）本発明の目的は、微＃ｌ）す体・やターンを高密度に形
成することができる微卸１導体パターンの形成法を提供
することにある□ （発明のす１１ν成）本発明の微細導体・ぐターンの形成法は、まず、被蝕刻
「イ・である銅箔巻曲（・τフォトレノスト所望の回路
パターンを形成したのち、その開口部を通して銅箔を所
定の深さ寸で化学エツチングする。次に、フォトマスク
を蒸着マスクとして、銅・以外の異１−Ｉ■金属を蒸着
し、エツチングで形成された四部のサイドエツチング部
分を除く底面部に金属蒸着層を形成する。続いて、サイ
ドエツチングされた部分の銅箔に、テトランアノキノジ
メタンのアセトニトリル浴液を作用させて、銅１１１体
を選択的に形成した後、その銅錯体をｉｉｉｊエツチン
グ性のレジス［・として再Ｏ・エツチングを行い、るン
属蒸着層及０・その下の銅箔部分を溶解除去すること特
徴とするものである。このような２段階方式を採用する
ことにより、サイドエツチングの拡大が防市され、微細
かつ高密度の導体・ぐターンを形成することが可能とな
る。

サイドエツチングきれた部分の９１１ｉ１表面（Ｃのみ
、耐エツチング性の銅錯体を形成するには、先ず、フォ
Ｉ・レノストを蒸着マスクとして、例えば、Ｎｉ。

Ｆｅ，　Ｚｎ，　Ａｔのような、テトランアノキノジメ
タンと容易に耐酸性の４１キ体を形成せず、しかも酸エ
ツチングが可能な金属を蒸着し、サイドエツチングされ
た部分を除いて凹部の底面部に金属膜を形成し、しかる
後に、０１〜２０％のテトランアノキノジメタンのアセ
トニトリル浴液を作用させると、サイドエツチングされ
た部分の銅表面に銅錯体を選択的に形成させることがで
きる。

（実施例の説明）以下に本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。第３図〜第７図は、本発明の一実施例の一連の
製造工程を示したものであり、５は絶縁基板、６は導体
、７は劇エツチング性のフォトレジスト層、８はエツチ
ングされた部分、９は蒸着金属層、１０は銅錯体である
。

次に、製造方法を順を追って説明する。先ず、第３図に
示したように、絶縁基板５上に、全面に形成されている
銅箔６があり、さらに、その上に酬エツチング性のフォ
トレジスト層７を形成する。

このフォトレノスト層７ば、例えば、液状でＱ」いネガ
タイツ０のイソノ０レンゴム系のコグ、り社のＫＭＲ　
−　７　５　２　、環化月？リプタジエン系の１４不合
成（（朱）７）ＳＢＲ　−　Ｍ９　０　］あるいは感光
１生のドライフィルム等が用いられるが、耐エツチング
性に優れたものであれは、その種類は限定されるもので
ハ／１い。次に、第４図して示したように、フォトレジ
スト層７をマスクとして＠ｉｌ箔６を、例えば塩化第２
鉄液を用いてその光面より半分程度の深さ丑でエツチン
グするとサイドエツチング部分が形成される。次に第５
図に示したように、フォトレジスト層７を蒸着マスクと
して、Ｎ１を真空蒸着すると、サイドエツチング部分を
除いて四部の底面部に金属蒸着層９が形成される。次い
で、得られた基板を、銅にのみ選択的に作用するテトラ
シアノキノジメタンのアセトニトリル溶液で処理すると
、ツ”イドエツチング部分に選択的に銅錯体１０が形成
される。尚、この時、溶液濃度が０１〜２０饅内のもの
を用いる。溶液濃度が０．１％以下になると緻密で面」
酸性の銅錯体１０が形成されに＜＜、又、２０％ｊン、
上になるとエツチング部分全体を銅ｉｉ′７４体１０で
ふさいでし甘うので適当でない。次に−１このようにし
て形成された銅錯体］０を耐エツチング性のレノストと
じて、再び、塩化第２鉄液を用いてエツチングすると、
第７図に示したように、金属蒸着層９とともに、その下
の鋳］箔６がエツチングされ、サイドエツチングの小さ
い導体パターンが得られる。

（発明の効果）以上の説明から明らかなように、本発明の微細・ぐター
ンの形成法によれば、先ず、銅箔厚みの半分程度をエツ
チングしたのち、サイドエツチングされた部分に耐エツ
チング性の銅錯体を形成し、再び残りの部分の銅箔をエ
ツチングするという２段階方法を採用しているので、−
挙にエツチングする従来の方法と較べて、サイドエツチ
ング部分が拡大されるのを防［ｌ二することができ、比
較的導体厚みの太きいものでも、導体幅、導体間隔共に
狭い高密度の微細導体パターンを形成することができる
。例えば、従来、導体厚み７０μｍで、設計樽体：ｌ腸
１．　（、）　０　／＃７１、’ｊ”＋’導体間隔　０
　ｔｒｍのパターンを一挙（・コニ、チングした１混合
、サイドエツチングのため？ｊ′１一体幅がやせ細って
５０　ｌＱ＋＋、　：程度となり、逆に導体間隔は」−
００μ７７７１で広かつてい／ζ。これに対し本発明に
よれは、サイドエツチング部分の拡大が防止され、導体
幅９０１１ｍ、Ｗ体間隔６０１１ｍのものか得られ、微
細導体・ぐターンを高密度に形成することができる。

【図面の簡単な説明】

２０１図および第２図は、従来の化学エツチング法によ
る導体パターンの形成方法を示す１頂面図、第３図〜第
７図は、本発明の一実Ｍ１１例の一連のＱｉ、７潰工程
を示す断面図である。５・・・絶縁基板、６・・・銅箔、７・・・）Ａトレソ
スト、８・・・エツチングされた部うγ、９・・・ぐ１
〉成魚Ａへ層、１　０　・・・　９同企ハ　体　。 −：、−’、を第１図／３第２図第３図　／７

Claims

【特許請求の範囲】

鋼箔表面にフォトレノストにより所望の回路・やターン
を形成する工程と、前記フォトレノスト開口部を通して
前記銅箔を所定の深さ寸で化学エツチングする工程と、
前記フォトレノストマスクとして、銅以外の異１手金属
を蒸着し、エツチングにより形成された凹ｉｌｌ≦のザ
イドエ，チング部分を除く底面部に金属蒸着層を形成す
る工程と、前記リーイドエッチングされた部分の！ＡＩ
′Ｊ箔にテトランアノキノジメタンのアセトニトリルを
答液を作用させて銅錯体を選択的に形成する工Ｓと、前
記銅錯体を旧エツチング性レノストとして丙度エツチン
グし、前記金属蒸着層及びその下の銅箔部分を溶解除去
する工程とを含むことを特徴とする微細導体・やターン
の形成法。