JPS601889A - 回路基板製造方法 - Google Patents
回路基板製造方法Info
- Publication number
- JPS601889A JPS601889A JP10854183A JP10854183A JPS601889A JP S601889 A JPS601889 A JP S601889A JP 10854183 A JP10854183 A JP 10854183A JP 10854183 A JP10854183 A JP 10854183A JP S601889 A JPS601889 A JP S601889A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- conductor
- final
- circuit board
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回路基板製造方法に関し、詳召すれば極微細な
導体間隔を形成し得る回路基板製造方法に関するもので
ｋ）る。
導体間隔を形成し得る回路基板製造方法に関するもので
ｋ）る。
従来の回路基板製造方法は、回路基板の導体間隔は電気
的な必要性よりもむしろ基板の製造工程の限界により決
められ、したがって製造上許容されるならば更に狭い導
体間隔の回路基板が望まれている。
的な必要性よりもむしろ基板の製造工程の限界により決
められ、したがって製造上許容されるならば更に狭い導
体間隔の回路基板が望まれている。
このような状況下において従来の回路基板製造方法を第
１図（ａ）〜（ｄ）とともに説明′１−る。絶縁基板１
上に厚膜メツキレシスト３を塗イＤし、次いで導体パタ
ーン２を形成して、最後にノ♀Ｂｆ、！メツキレシスト
３全剥離除去して１．ｃる。このよ５なフルアディティ
ブ法によると、導体間ｉτｈは）す膜メツキレシストの
幅により？ｔ！１．ｌＯミクロンまでが限界である。
１図（ａ）〜（ｄ）とともに説明′１−る。絶縁基板１
上に厚膜メツキレシスト３を塗イＤし、次いで導体パタ
ーン２を形成して、最後にノ♀Ｂｆ、！メツキレシスト
３全剥離除去して１．ｃる。このよ５なフルアディティ
ブ法によると、導体間ｉτｈは）す膜メツキレシストの
幅により？ｔ！１．ｌＯミクロンまでが限界である。
また従来、第２図（ａ）〜（ｄ）に示すような方法も採
用されている。この方法は基板１上に導体２が形成さ」
１１、該導体表面にレジストパターン４が塗布されて、
次いで第２図（ｃｌ） Ｖｃ示すように不要な導体姉分
がエツチング除去され、最後に第２図（ｅＪに示す如く
レジストパターン４が剥離除去される。このようなエツ
チドフォイル法ではレジストパターンの限界の他に、さ
らにエツチング時にサイドエツチングが発生するので、
膜厚以下の溝加工葡高精度で行なうのはほとんど不可能
である。
用されている。この方法は基板１上に導体２が形成さ」
１１、該導体表面にレジストパターン４が塗布されて、
次いで第２図（ｃｌ） Ｖｃ示すように不要な導体姉分
がエツチング除去され、最後に第２図（ｅＪに示す如く
レジストパターン４が剥離除去される。このようなエツ
チドフォイル法ではレジストパターンの限界の他に、さ
らにエツチング時にサイドエツチングが発生するので、
膜厚以下の溝加工葡高精度で行なうのはほとんど不可能
である。
本発明は上述の従来方法における欠点を除去すべくなさ
れプこもので、その目的とするところは。
れプこもので、その目的とするところは。
例えば数ミクロンの導体間隔で且つ数十ミクロン−数百
ミクロンの導体厚荀有する回路基板を％妹でかつ高価な
装置を用いずに確実に作成することができる回路基板製
造方法を提供することにある。
ミクロンの導体厚荀有する回路基板を％妹でかつ高価な
装置を用いずに確実に作成することができる回路基板製
造方法を提供することにある。
次に本発明の実施例に係る製造工程を第３図（ａ）〜（
ｇ）に従い詳細に説明する。
ｇ）に従い詳細に説明する。
本発明に適用可能な絶縁基板１はその材質については特
に限定されるものではなく、例えは紙フェノール基板、
紙エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、セラミック基板
及び鉄芯等の金属芯入り基板、あるいはポリエステルフ
ィルムやポリイミドフィルムのごとき柔軟な拐料でも楢
わない。
に限定されるものではなく、例えは紙フェノール基板、
紙エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、セラミック基板
及び鉄芯等の金属芯入り基板、あるいはポリエステルフ
ィルムやポリイミドフィルムのごとき柔軟な拐料でも楢
わない。
絶縁基板１上には第３図（ａ）に示すように、最終間隔
Ｅ ［第３図（Ｅ）参照〕よりはるかに広い間隔Ｂ、及
び金属パターン幅Ｃを冶する金属パターン５．６を交互
に形成する。その金属パターン５．６は通常の金属ペー
ストスクリーン印刷法、蒸着法、無電解メッキ法あるい
はエツチング法等により形成することができる。金属パ
ターン５，６の材質については特に限定されるものでは
なく、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロム等
を必要に応じて用いる事ができる。又単一成分である必
要もなく合金を用いる事ができるのは云うまでもない。
Ｅ ［第３図（Ｅ）参照〕よりはるかに広い間隔Ｂ、及
び金属パターン幅Ｃを冶する金属パターン５．６を交互
に形成する。その金属パターン５．６は通常の金属ペー
ストスクリーン印刷法、蒸着法、無電解メッキ法あるい
はエツチング法等により形成することができる。金属パ
ターン５，６の材質については特に限定されるものでは
なく、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロム等
を必要に応じて用いる事ができる。又単一成分である必
要もなく合金を用いる事ができるのは云うまでもない。
金属パターン５．６の形成後、第３図（Ｃ１に示すとと
（、金属パターン５．６の一本毎である金属パターン５
に厚膜メツキレシスト７を最終作成導体パターン幅りま
で形成する。この厚膜メソキレシスト７は電解メッキを
した際に金Ｊ４ カ析出して来てパターンからはみ出１
−のを防ぐ為、当然なからメッキ膜厚より厚くする必要
がある。更にこのｔＶ−膜メツキレジスト７の形成は、
最終導体パターン精度に皇太な影４Ｉを与えるので精度
良く行なう必要があり、写真法が適している。写真法を
用いるレジストとしては、無光部分が不溶解化するネガ
ティブタイプが以後の取扱いが容易で好適である。
（、金属パターン５．６の一本毎である金属パターン５
に厚膜メツキレシスト７を最終作成導体パターン幅りま
で形成する。この厚膜メソキレシスト７は電解メッキを
した際に金Ｊ４ カ析出して来てパターンからはみ出１
−のを防ぐ為、当然なからメッキ膜厚より厚くする必要
がある。更にこのｔＶ−膜メツキレジスト７の形成は、
最終導体パターン精度に皇太な影４Ｉを与えるので精度
良く行なう必要があり、写真法が適している。写真法を
用いるレジストとしては、無光部分が不溶解化するネガ
ティブタイプが以後の取扱いが容易で好適である。
次に露出されている一方の金１１モバクーン６ｔ＊を極
として電解メッキを行ない、厚膜メンキレジスト７と隣
接″１−るまで第１導体パターン８會形成する〔第３図
（ｄ）参照〕。第１導体パターン８の材質は特に限定さ
れる必要はなく、ｍＪ記金金属パターン６同−材質であ
っても異種材質であってもかまわず、銅、銀、金、クロ
ム、ニッケル等を必要に応じて用いる事ができる。又単
一成分である必要もなく必要に応じて合金を用いてもか
まわない。
として電解メッキを行ない、厚膜メンキレジスト７と隣
接″１−るまで第１導体パターン８會形成する〔第３図
（ｄ）参照〕。第１導体パターン８の材質は特に限定さ
れる必要はなく、ｍＪ記金金属パターン６同−材質であ
っても異種材質であってもかまわず、銅、銀、金、クロ
ム、ニッケル等を必要に応じて用いる事ができる。又単
一成分である必要もなく必要に応じて合金を用いてもか
まわない。
第１導体パターン８ヶ所定の厚み形成した後、第３図（
ｅ）に示すように厚ＩＩ都メツキレシスト７ケ常法によ
り除去する。この厚１１％メツキレシスト７の除去は、
それに応じた適宜な溶剤音用いる事により容易に行なう
事ができる。
ｅ）に示すように厚ＩＩ都メツキレシスト７ケ常法によ
り除去する。この厚１１％メツキレシスト７の除去は、
それに応じた適宜な溶剤音用いる事により容易に行なう
事ができる。
ついで前記Ｈｉ導体パターン８σ）４に通電し、陽極酸
化法により第３ｖ（ｆ）に示す如く導体パターン８表面
にのみ絶縁皮膜９を形成する。絶縁皮膜９として緻密で
強固な膜が形成され且つ電解メッキが容易であるニッケ
ル、クロムは前記導体パターン金属材質として適してい
る。第１導体パターン８表面を絶縁皮膜９で完全に懐っ
たのち、金属が露出されている一方の金属パターン５に
のみ通電し、第２導体パターン１０を前記絶縁度）１愼
９に隣接するまで電解メッキにより形成１−る〔第３図
（ｇ）〕。
化法により第３ｖ（ｆ）に示す如く導体パターン８表面
にのみ絶縁皮膜９を形成する。絶縁皮膜９として緻密で
強固な膜が形成され且つ電解メッキが容易であるニッケ
ル、クロムは前記導体パターン金属材質として適してい
る。第１導体パターン８表面を絶縁皮膜９で完全に懐っ
たのち、金属が露出されている一方の金属パターン５に
のみ通電し、第２導体パターン１０を前記絶縁度）１愼
９に隣接するまで電解メッキにより形成１−る〔第３図
（ｇ）〕。
これによりパターン幅りを・角する最終作成パターンが
形成され、その導体間隔Ｅは金Ａ５ζパターン５゜６間
の間隔Ｂよりはるかに小さいものとなる。
形成され、その導体間隔Ｅは金Ａ５ζパターン５゜６間
の間隔Ｂよりはるかに小さいものとなる。
上記実施例では説明の便宜上基板の片面にのみ回路パタ
ーンを備えた回路基板に関連して説明したが、両面基板
およびスルーホール基板の作成においても有効である。
ーンを備えた回路基板に関連して説明したが、両面基板
およびスルーホール基板の作成においても有効である。
さらに本発明による方法は同一基板上に非常に接近した
２組の回路重合作成することができるので、各種トラン
スの製造方法としても適する。
２組の回路重合作成することができるので、各種トラン
スの製造方法としても適する。
以上のごとく、本発明によれば、斜上の各１程を実施す
ることにより、極微細な酸化皮膜の厚さだけの幅の導体
間隔を有する回路基板を高仙１でかつ特殊な装置を使用
することなく４１色実例製造できるという効果ケ奏１゛
る回路基板製造方法を提供することができる。
ることにより、極微細な酸化皮膜の厚さだけの幅の導体
間隔を有する回路基板を高仙１でかつ特殊な装置を使用
することなく４１色実例製造できるという効果ケ奏１゛
る回路基板製造方法を提供することができる。
第１図（ａ）〜（（１）および第２図（ａ）〜（ｅｌは
従来の回路基板製造方法を説明する断面図、第３図（ａ
）〜（ｇ）は本発明の実施例による回路基板製造方法を
示す断面図である。 １・・・・・・絶縁水根、５，６・・・・・・金属パタ
ーン、７・・・・・・厚膜メツキレシスト、８・・・・
・・第１導体パターン、９・・・・・・絶Ｐｄ皮膜、Ｉ
Ｏ・・・・・・第２導体パターン、Ａ・・・・・・最終
作成パターンピッチ、Ｂ・・・・・・全組パターン間隔
、Ｃ・・・・・・金篇パターン幅、Ｄ・・・・・Ｊ早）
換メツキレシスト幅、Ｅ・・・・・・最終作成纒体パタ
ーン間隔。 第１ 図 （ａ）
従来の回路基板製造方法を説明する断面図、第３図（ａ
）〜（ｇ）は本発明の実施例による回路基板製造方法を
示す断面図である。 １・・・・・・絶縁水根、５，６・・・・・・金属パタ
ーン、７・・・・・・厚膜メツキレシスト、８・・・・
・・第１導体パターン、９・・・・・・絶Ｐｄ皮膜、Ｉ
Ｏ・・・・・・第２導体パターン、Ａ・・・・・・最終
作成パターンピッチ、Ｂ・・・・・・全組パターン間隔
、Ｃ・・・・・・金篇パターン幅、Ｄ・・・・・Ｊ早）
換メツキレシスト幅、Ｅ・・・・・・最終作成纒体パタ
ーン間隔。 第１ 図 （ａ）
Claims (1)
- 絶縁基板表面に、最終作成パターンの導体間隔よりはる
かに広くかつ前記最終パターンと１＋１１−ピッチであ
る金属パターンを隔本毎に通電可能となるように形成し
、該金属パターンを隔本毎に前記最終作成パターン幅ま
で厚膜メツキレシストにより偉い、露出されている隔本
毎の前記金夙パターンに前記ｊ蓼脱メツキレシストと隣
接するまで電解メッキして導体パターン會形成して、次
いで前記厚膜メツキレシストを剥離除去し曲目（シ専体
パターンにのみ通電して陽極酸化により表面に絶縁皮膜
を形成せしめ、その後霧出された前記金属パターンに前
記絶縁皮１％により覆われた撓ず体パターンに接するま
で′電解メッキして極微卸１な導体間隔を有する最終作
成導体パターンとしてなること’ｒ： ｂ 徴とＪる回
路）、す板！Ｅ！造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10854183A JPS601889A (ja) | 1983-06-18 | 1983-06-18 | 回路基板製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10854183A JPS601889A (ja) | 1983-06-18 | 1983-06-18 | 回路基板製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS601889A true JPS601889A (ja) | 1985-01-08 |
Family
ID=14487431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10854183A Pending JPS601889A (ja) | 1983-06-18 | 1983-06-18 | 回路基板製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS601889A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008166390A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Tdk Corp | 導体パターンの形成方法および電子部品 |
-
1983
- 1983-06-18 JP JP10854183A patent/JPS601889A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008166390A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Tdk Corp | 導体パターンの形成方法および電子部品 |
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