JPS6062188A - 回路基板の形成方法 - Google Patents

回路基板の形成方法

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JPS6062188A
JPS6062188A JP16936983A JP16936983A JPS6062188A JP S6062188 A JPS6062188 A JP S6062188A JP 16936983 A JP16936983 A JP 16936983A JP 16936983 A JP16936983 A JP 16936983A JP S6062188 A JPS6062188 A JP S6062188A
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JP
Japan
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pattern
metal
circuit board
conductor pattern
conductor
Prior art date
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Pending
Application number
JP16936983A
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English (en)
Inventor
英夫 黒川
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Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS6062188A publication Critical patent/JPS6062188A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は回路基板製造方法に関し、詳言すれは極微細な
導体パターン間隔を形成し得る回路基板製造方法に関す
るものである。
従来の回路基板製造方法においては、該回路基板の導体
パターン間隔は電気的な必要性よりもむしろ基板の製造
工程の限界により決められ、したがって製造上許容され
るならば更に狭い導体パターン間隔の回路基板が望まれ
ている。
このような状況下において従来の回路基板製造方法は第
1図(a)〜(d)に示すごとく、絶縁基板1上゛に厚
膜メツキレジス)3′?r:塗布し、次いで導体パター
ン2を形成して最後に厚膜メツキレシスト3を剥離除去
してなる。このようなフルアディティブ法によると導体
パターン2の間隔は厚膜メツキレシスト30幅により数
1(1μm≠≠までが限界である。さらに第2図(a)
〜(e)に示す方法では基板1上に導体パターン2が形
成され、■導体パターン2の表面にレジストパターン4
が塗布され、次いで不要な導体パターン2の部分がエツ
チング除去され(第2図(d) ) 、最後にレジスト
パターン4が剥離除去される(第2図(e))。このよ
うなエッチドフオイル法ではレジストパタ、−ン4の限
界の他に、さらにエツチング時にサイドエツチングが発
生するので膜厚以下の溝加工を高精度で行なうのはほと
んど不可能であるという欠点を有t、ている。
本発明は上述の従来方法における欠点を除去すべくなさ
れたもので、その目的とするところ(工、数μ蝋′念≠
の導体間隔で、且つ数十μmチテ〜数百477i?9=
の厚みを有する導体パターン【櫓する回路基板を高価で
かつ特殊な装置を用いずに、確実に作成することができ
る回路基板の製造方法葡提供せんとするものである。
以下に、本発明の目的を達成するための工程を第3図(
a)〜(g)に従い説明する。
図面において5は絶縁基板で、その材質については特に
限定されるものではなく、例えば、紙フエノール基板2
紙エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、セラミック基板
、及び鉄芯等金属芯入り基板、或はポリエステルフィル
ム又はポリイミドフィルムの如き柔軟な材料でもよい。
先づ該絶縁基板5上に、第3図(b)に示す如く、幅C
を有する第1.第2の金属パターン6.7をピッチAで
間隔Bを以て等間隔に多数本形成する。
そして、第1と第2の金属パターン6.7は互いに隔本
毎に位置し、且つ第1の金属パターン6・・・同志は互
いに導通可能であるように形成され、第2の金属パター
ン7・・・同志も互いに導通可能であるように形成され
ている。また、上記間隔Bは後述する最終導体パターン
間の間隔Eよりもはるかに広く形成されている。該第1
.第2の金属パターン6.7は通常の金属ペーストスク
リーン印刷法、蒸着法、無電解メッキ法、或はエツチン
グ法等により形成することが可能である。第1.第2の
金属パターン6.7の材質については特に限定されるも
のではなく、銅、銀、金、アルミニウムニッケル、クロ
ム等を必要に応じて用いることが出来る。又、単一成分
である必要もなく、合金を用いることができることは言
うまでもない。
次に同図(C)に示す如く、隔本毎に位置した第1の金
属パターン6上のみに厚膜メツキレシスト8を、第1の
金属パターン6上に形成される最終導体パターンの幅に
見合う幅りまで形成する。該厚膜メツキレシスト8は、
後述する電解メッキをした際に金属が析出してきて第1
の金属パターン6からはみ出すのを防ぐため、第1の金
属パターン6の膜厚より厚くされている。更にとの厚膜
メツキレシスト8の形成は、後述する導体パターン精度
に重大な影響を与えるので、精度よ(行なう必要があり
、写真法が適している。なお、写真法に用いるレジスト
としては、露光部分が不溶解化するネガティブタイプが
以後の取扱いか容易で適している。
次に、同図(d)に示す如(、露出されている第2の金
属パターン7を電極として電解メッキにより厚膜メツキ
レシスト8と接するまで第2の導体パターン9を形成す
る。この第2の等体パターン9の材質は特に限定される
必要はなく、前記8I!2の金属パターン7と同一材質
であっても、異種材質であってもかまわず、銅、銀、金
、ニッケ/L/j クロム、等を必要に応じて用いるこ
とができる。また単一成分である必要もなく、心安に応
じて合金を用いてもかまわない。
次に同図(e)に示す如く、第1の金属パターン60表
面に形成した厚膜メツキレシスト8を常法により除去す
る。この厚膜メツキレシスト8の除去は、それに応じた
適宜な俗剤を用いることにより容易に行うことができる
次に同図(f)に示す如く、第2の導体パターン9のみ
に通電し、電着塗層法を用い、第2の導体パターン9の
表面にのみ電着絶縁塗膜10を形成する。
該電着塗料は特に限定されるものではなく、通常用いら
れているマレイン化油糸、ポリブタジェン系、アルキド
樹脂系、アクリル樹′Bば系等より選ばれる。次に同図
億)に示す如く、露出されている巣1の金属パターン6
にのみ通電して第1の導体パターン11を前記電着絶縁
塗膜10に接して幅りに渉って電解メッキにより形成す
る。
なお、上記の実施例では、第1と第2の金属パターン6
.7と第1と第2の導体パターン11,9のピッチは略
同−ピッチに設定されている。
本発明の回路基板の製造方法は上述の如き工程よりなり
、最終的に作成された第1.第2の導体パターン11,
9は厚さが数十μmから数百μmとすることが出来、そ
の間隔は、数μmの電着絶縁塗膜10の厚さEで構成さ
れ、第1.第2の金属パターン6.7の間隔Bより遥か
に小さいものとなる。
なお、上記実施例では、第1.第2の導体パターン11
,9のピッチ會、第1.第2の金属パターン6.7のピ
ッチAに一致させであるが、異っても良く、また、第1
.第2の金属パターン6.70幅と、第1.第2の導体
パターン11,9の幅が等しくなくても良い。
上記実施例では説明の便宜上基板の片面にのみ導体パタ
ーンを備えた回路基板に関連して説明されたが、両面基
板およびスルーホール基板の作成においても有効である
。さらに本発明による方法は同一基板上に非常に接近し
た2組の回路系全作成することができるので各柚トラン
スの製造方法としても適する。
以上のごとく、本発明によれば、紙上の各工程を実施す
ることにより、極微細な電着絶縁塗膜の厚さだけの幅の
導体パターン間隔を有する回路基板を高価でかつ特殊な
装置を使用することなく確実に製造できるという効果を
奏する回路基板製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図(a) 〜(d) 、及び第2図(a) 〜(e
)は従来の回路基板の形成方法を示す説明図、第3図(
a)〜(g)は本発明の回路基板の形成方法を示す説明
図である。 5・・・・・・絶縁基板、6・・・・・・第1の金鵬パ
ターン。 7・・・・・・第2の金属パターン、8・・・・・・厚
膜メツキレシスト、9・・・・・・第2の導体パターン
、10・・・・・・電着絶縁塗膜、11・・・・・・第
1の導体パターン。 オ 1 口 ) ? 2 図 (2) (C) rd) (eン 73 因 1311ii:l (Q) (f)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 絶縁基板の表面に、第1と第2の金属パターンを形成し
    、第1の金稿パターンの表面を厚膜メツキレシストにて
    覆い、第2の金属パターンの表面には、前記厚膜メツキ
    レシストに接するように電解メッキにより第2の導体パ
    ターンを形成し、次に第1の金属パターン上の厚膜メソ
    キレシストを剥離し、次に前記第2の導体パターンに通
    ′屯して電着塗層により表面に電着絶縁塗膜を形成し、
    更に、第1の金属パターンの表面に、第2の金属パター
    ンに形成された前記電着絶縁塗膜に接1−る様に電解メ
    ッキにて第1の導体パターンを形成し、第1の導体パタ
    ーンと第2の導体パターン間に前記電着絶縁塗膜全介在
    させたことを特徴とする回路基板の形成方法。
JP16936983A 1983-09-16 1983-09-16 回路基板の形成方法 Pending JPS6062188A (ja)

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