JPS59220990A - 回路基板製造方法 - Google Patents
回路基板製造方法Info
- Publication number
- JPS59220990A JPS59220990A JP9503383A JP9503383A JPS59220990A JP S59220990 A JPS59220990 A JP S59220990A JP 9503383 A JP9503383 A JP 9503383A JP 9503383 A JP9503383 A JP 9503383A JP S59220990 A JPS59220990 A JP S59220990A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- resist
- metal
- conductor
- final
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は回路基板製造方法に関し、詳“１゛すれば極微
細な導体間隔を形成し得る回路基板製造方法に関するも
のである。
細な導体間隔を形成し得る回路基板製造方法に関するも
のである。
従来の回路基板は、該回路基板の導体間隔をま′電気的
な必要性よりもむしろ基板の製造工程の限界により決め
られ、したがって製造上許容されるならば更に狭い導体
間隔の回路基板が望まノ１ている。
な必要性よりもむしろ基板の製造工程の限界により決め
られ、したがって製造上許容されるならば更に狭い導体
間隔の回路基板が望まノ１ている。
このような状況下において従来の回路基板製造方法は第
１図（ａ）〜（ｄ） Ｋ示すごとく、絶縁基＆１上に厚
膜メツキレシスト３を塗布し、次いで等体パターン２を
形成して最後に厚膜メツキレシストを剥離除去してなる
。このようなフ′ルアデイテイブ法によると導体間隔は
、厚膜メツキレシストの幅により数１０ミクロンまでが
限界である。さらに第２図（ａ）〜（ｄ）に示す方法で
は基板１上に導体２が形成され、該導体２表面にレジス
トパターンｌＯが塗布され、次いで不要な導体部分がエ
ツチング除去され（第２図（ｄ） ） 、最後にレジス
トパターンＩＯが剥離除去される（第２図（ｅ））。こ
のようなエツチドフォイル法ではレジストパターンの限
界の他に。
１図（ａ）〜（ｄ） Ｋ示すごとく、絶縁基＆１上に厚
膜メツキレシスト３を塗布し、次いで等体パターン２を
形成して最後に厚膜メツキレシストを剥離除去してなる
。このようなフ′ルアデイテイブ法によると導体間隔は
、厚膜メツキレシストの幅により数１０ミクロンまでが
限界である。さらに第２図（ａ）〜（ｄ）に示す方法で
は基板１上に導体２が形成され、該導体２表面にレジス
トパターンｌＯが塗布され、次いで不要な導体部分がエ
ツチング除去され（第２図（ｄ） ） 、最後にレジス
トパターンＩＯが剥離除去される（第２図（ｅ））。こ
のようなエツチドフォイル法ではレジストパターンの限
界の他に。
さらにエツチング時にサイドエツチングが発生するので
膜厚以下の溝加工を高４′＃度で行なうのはほとんど不
可能であるという欠点を有している。
膜厚以下の溝加工を高４′＃度で行なうのはほとんど不
可能であるという欠点を有している。
本発明は上述の従来方法における欠点を除去すべくなさ
れたもので、その目的とするところ（ま、数ミクロンの
導体間隔で且つ数十ミクロン−数６ミクロンの纏体厚を
有する回路基板を高価でかつ特殊な装置を用いずに確実
に作成することができる回路基板製造方法を提供するこ
とにある。
れたもので、その目的とするところ（ま、数ミクロンの
導体間隔で且つ数十ミクロン−数６ミクロンの纏体厚を
有する回路基板を高価でかつ特殊な装置を用いずに確実
に作成することができる回路基板製造方法を提供するこ
とにある。
次に本発明の実施例を第３図（ａ）〜（ｉ）とともに説
明する。
明する。
本発明で用いられる絶縁基板１はその材質については１
ＦｊＫ限定されるものではなく、例えば紙フェノール基
板、紙エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、セラミック
基板、及び鉄芯等金属芯入り基板、あるいはポリエステ
ルフィルム又はポリイミドフィルムのごとき柔軟な材料
でも構わない。この絶縁基板１上には第３図（ｂ）に示
すように、最終作成パターンと同一ピッチＡ、最終作成
パターン間隔Ｆ（第３図（ｉ）参照〕よりはるかに広い
間隔Ｂ及び金属パターン幅Ｃを有す志金属パターン５が
形成される。この金属パターン５は通常の金属ペースト
スクリーン印刷法、蒸着法、無電解メッキ法あルイハエ
ッチング法等により形成することができる。金属パター
ン５の材質については特に限定されるものではなく、銅
、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロムもしくはこ
れらの合金等が用いられる。次に第３図（Ｃ）に示すよ
うに金属パターン５を前記最終作成パターン幅Ｅより狭
く且つ初期形成金属パターン５を完全に覆う幅１〕まで
第一レジスト６により隔本毎に覆い後述する酸化雰囲気
より隔本毎の金属パターン５を保護するそのに、 −レ
ジスト６はスクリーン印桐法あるいは写真法等の通常の
方法で形成される。
ＦｊＫ限定されるものではなく、例えば紙フェノール基
板、紙エポキシ基板、ガラスエポキシ基板、セラミック
基板、及び鉄芯等金属芯入り基板、あるいはポリエステ
ルフィルム又はポリイミドフィルムのごとき柔軟な材料
でも構わない。この絶縁基板１上には第３図（ｂ）に示
すように、最終作成パターンと同一ピッチＡ、最終作成
パターン間隔Ｆ（第３図（ｉ）参照〕よりはるかに広い
間隔Ｂ及び金属パターン幅Ｃを有す志金属パターン５が
形成される。この金属パターン５は通常の金属ペースト
スクリーン印刷法、蒸着法、無電解メッキ法あルイハエ
ッチング法等により形成することができる。金属パター
ン５の材質については特に限定されるものではなく、銅
、銀、金、アルミニウム、ニッケル、クロムもしくはこ
れらの合金等が用いられる。次に第３図（Ｃ）に示すよ
うに金属パターン５を前記最終作成パターン幅Ｅより狭
く且つ初期形成金属パターン５を完全に覆う幅１〕まで
第一レジスト６により隔本毎に覆い後述する酸化雰囲気
より隔本毎の金属パターン５を保護するそのに、 −レ
ジスト６はスクリーン印桐法あるいは写真法等の通常の
方法で形成される。
写真法により第一レジスト６を形成する場合は、以後の
工程との関係よりネガティブタイプのレジストつまり露
光される部分が不溶解化する夕′イブのレジストを用い
る必要がある。
工程との関係よりネガティブタイプのレジストつまり露
光される部分が不溶解化する夕′イブのレジストを用い
る必要がある。
第一レジ２１６０表面をそれとは全く化学的に影響のな
い現鍬液、剥離液を用いる第二メツキレシスト７により
第３図（ｄ）に示す如く最終作成パターン幅Ｅまで覆う
。そのメツキレジスドアによるパターン作成は、最終作
成パターン精度に直接影響を与える為要求される精度を
実現可能な工程を用いる必要かあり、一般的には写真法
が適している。又その第二メツキレシスト７は後で形成
する第一導体パターン８の輪郭を直接規整する為、該導
体パターン８よりもμｌく形成する必要がある。
い現鍬液、剥離液を用いる第二メツキレシスト７により
第３図（ｄ）に示す如く最終作成パターン幅Ｅまで覆う
。そのメツキレジスドアによるパターン作成は、最終作
成パターン精度に直接影響を与える為要求される精度を
実現可能な工程を用いる必要かあり、一般的には写真法
が適している。又その第二メツキレシスト７は後で形成
する第一導体パターン８の輪郭を直接規整する為、該導
体パターン８よりもμｌく形成する必要がある。
この第二メツキレシスト７を形成する際、前記第一レジ
スト６に化学的影響を与えない材料、工程を用いる必要
がある。第二メツキレシスト７の形成法として写真法を
用いる場合、現像液、剥離液が第一レジスト６に影響を
およばず事が有ってはならない。又第二メツキレシスト
７を硬化する為の露光工程如より給−レジスト６が影響
を受叶てはならない。この為第−レジス）６Ｇ’！、前
述したように露光により溶解化するアディティブタイプ
ではなく、露光により不溶解化するネガティブタイプの
レジストを用いる必要がある。尚第二メツキレシスト７
は、アディティブタイプ、ネガティブタイプのどちらも
使用可能である。
スト６に化学的影響を与えない材料、工程を用いる必要
がある。第二メツキレシスト７の形成法として写真法を
用いる場合、現像液、剥離液が第一レジスト６に影響を
およばず事が有ってはならない。又第二メツキレシスト
７を硬化する為の露光工程如より給−レジスト６が影響
を受叶てはならない。この為第−レジス）６Ｇ’！、前
述したように露光により溶解化するアディティブタイプ
ではなく、露光により不溶解化するネガティブタイプの
レジストを用いる必要がある。尚第二メツキレシスト７
は、アディティブタイプ、ネガティブタイプのどちらも
使用可能である。
ついで、第３図（ｅ）に下すように前記金桓パターン５
の露光している隔本毎にメッキ等により必要な厚さの第
一導体パターン８を作成する。ｗ＝−ｅ体ハターン８の
作成は、露出している金属パターン５を電極として電解
メッキにより第二メツキレシスト７に接し、必要な厚さ
となるまで行なう◇このとき導体パターン８が所定の部
分からは４出さないように規整するため、第二メンキレ
ジ７ト７は十分な厚さを必要とず”ｏ ｋ ４体パタ
ーン８の材質は特に限定される必要はなく、又前記金属
パターン５と同一材質であっても異イ申材質であっても
構わず１例えば銅、銀、金、クロム、ニッケル等を必要
に応じて用いることができる。又単−成分である必要は
なく必要に応じて合金を用いることもある。
の露光している隔本毎にメッキ等により必要な厚さの第
一導体パターン８を作成する。ｗ＝−ｅ体ハターン８の
作成は、露出している金属パターン５を電極として電解
メッキにより第二メツキレシスト７に接し、必要な厚さ
となるまで行なう◇このとき導体パターン８が所定の部
分からは４出さないように規整するため、第二メンキレ
ジ７ト７は十分な厚さを必要とず”ｏ ｋ ４体パタ
ーン８の材質は特に限定される必要はなく、又前記金属
パターン５と同一材質であっても異イ申材質であっても
構わず１例えば銅、銀、金、クロム、ニッケル等を必要
に応じて用いることができる。又単−成分である必要は
なく必要に応じて合金を用いることもある。
第一４体パターン８を所定の厚みに形成した後。
第３図（ｆ）に示すように第二メツキレシスト７を剥離
する。この時の剥離液は前記したように第一レジスト６
に影響を与える事かあってはならない。
する。この時の剥離液は前記したように第一レジスト６
に影響を与える事かあってはならない。
第二メツキレシスト７だけを除去する事により第一導体
パターン８はそれの土面と両側面かともに露出され、又
隔本毎の金属パターン５は依然として第一レジ７）６に
より横われている。
パターン８はそれの土面と両側面かともに露出され、又
隔本毎の金属パターン５は依然として第一レジ７）６に
より横われている。
第二メソギレジスト７の剥離後、全体を酸化葵囲気中に
放ｂ： シｓ ４出している第−畳体パターン８０表面
をｒ貸化させて第３図（ｇ）に示すように絶縁皮膜４を
形成する。酸化工程として過酸化物溶液中への浸漬又は
陽極ｒ夜化法を用いれば、緻そで密着性の良好な絶縁皮
膜４を作成することができる。
放ｂ： シｓ ４出している第−畳体パターン８０表面
をｒ貸化させて第３図（ｇ）に示すように絶縁皮膜４を
形成する。酸化工程として過酸化物溶液中への浸漬又は
陽極ｒ夜化法を用いれば、緻そで密着性の良好な絶縁皮
膜４を作成することができる。
次に金檎パターン５表面の第一レジスト６を剥離し、金
属パターン５を露出させる〔第３図（ｈ）参照〕。その
後ＦＪ、３図（１）に示す如（露出した金属パターン５
を電極としてＢ１．解メッキにより酸化絶縁皮膜４で棲
われた第−導体パターン８に１冴接するまで第二導体パ
ターン９を形成する。
属パターン５を露出させる〔第３図（ｈ）参照〕。その
後ＦＪ、３図（１）に示す如（露出した金属パターン５
を電極としてＢ１．解メッキにより酸化絶縁皮膜４で棲
われた第−導体パターン８に１冴接するまで第二導体パ
ターン９を形成する。
第−導体パターン９の材ＩＮは特に限定される必要はな
く、又金属パターン５、第一４１１体パターン８と同−
材質であっても異利ｌ拐賀であっても栴わず、銅、銀、
金、クロム、ニッケル等を必要に応じて用いる事ができ
る。又単一成分である必要もなく必要に応じ合金を坩い
てもかまわない。
く、又金属パターン５、第一４１１体パターン８と同−
材質であっても異利ｌ拐賀であっても栴わず、銅、銀、
金、クロム、ニッケル等を必要に応じて用いる事ができ
る。又単一成分である必要もなく必要に応じ合金を坩い
てもかまわない。
これによりパターン幅Ｅを何する最終作成パターンが形
成されその導体間隔Ｆは無′〜、 ｐ＋’ｅメッキによ
り形成された金属パターン間の間ｆ４３８ Ｋよりはる
かに小さいものとなる。
成されその導体間隔Ｆは無′〜、 ｐ＋’ｅメッキによ
り形成された金属パターン間の間ｆ４３８ Ｋよりはる
かに小さいものとなる。
上記実施例では説明の便宜上基板の片面にの吟、回路パ
ターンを備えた回路基板について説明したが、両面基板
およびスルーホール４版の作成においても有効である。
ターンを備えた回路基板について説明したが、両面基板
およびスルーホール４版の作成においても有効である。
さらに本’Ａ Ｑｌｊによる方法は同一基板上に非常に
接近したニホ１１の回路系を作成することができるので
各種トランスσｅ製造方法としても適する。
接近したニホ１１の回路系を作成することができるので
各種トランスσｅ製造方法としても適する。
以上のごとく、本発明によハば、叙上の各工程を実施す
ることにより、極微細な酸化皮膜の厚さだけの幅の導体
間隔を有する回路基板を高価でかつ特殊な装置負を使用
することなく、確実に製造できるという効果を伏する回
路基板製造方法を提供することかできる。
ることにより、極微細な酸化皮膜の厚さだけの幅の導体
間隔を有する回路基板を高価でかつ特殊な装置負を使用
することなく、確実に製造できるという効果を伏する回
路基板製造方法を提供することかできる。
第１図ｆ、＋ｊ〜（ｄ）および第２図（ａ）〜（ｅ）は
従来の回路基板製造方法な説明するための断面図、第３
図（ａ）〜（ｉ）は本発明の実広暁しｌに１糸る回路基
板製造方法を説明するための断聞図である。 １・・・・・・絶縁基４収、４・・・・・・威化杷緑皮
１１り、５・・・・・・金属パターン、６・・・・・・
吊−レシスト、７・旧・・第二メツキレシスト、８・・
・・・・夷−導体パターン、９・・・・・・第二導体パ
ターン、Ａ・・・・・・最終作成パターンピッチ、Ｂ・
・・・・・金１：）ｉ ハターン間隔、Ｃ・・曲・金１
７＜パターン幅、Ｄ・・・・・・第一レシスト幅、Ｅ・
・・・・・舘二メツキレシスト幅、Ｆ・・・・・・最終
作成パターン間隔。 第１図 第２図 （ａ） （ｅ） 第３図
従来の回路基板製造方法な説明するための断面図、第３
図（ａ）〜（ｉ）は本発明の実広暁しｌに１糸る回路基
板製造方法を説明するための断聞図である。 １・・・・・・絶縁基４収、４・・・・・・威化杷緑皮
１１り、５・・・・・・金属パターン、６・・・・・・
吊−レシスト、７・旧・・第二メツキレシスト、８・・
・・・・夷−導体パターン、９・・・・・・第二導体パ
ターン、Ａ・・・・・・最終作成パターンピッチ、Ｂ・
・・・・・金１：）ｉ ハターン間隔、Ｃ・・曲・金１
７＜パターン幅、Ｄ・・・・・・第一レシスト幅、Ｅ・
・・・・・舘二メツキレシスト幅、Ｆ・・・・・・最終
作成パターン間隔。 第１図 第２図 （ａ） （ｅ） 第３図
Claims (1)
- 絶縁基板上に、最終作成パターンの導体間隔よりはるか
に広くかつその最終作成パターンとほぼ同一ピッチであ
る金属パターンを形成し、該金属パターンを隔本毎に最
終作成パターン幅より狭くかつその金属パターンを完全
に覆う幅まで第一レシストで稼い、その第一レシストの
表面を第一レシストには全く影響を与えない現像液、剥
離ｌＫを用いる第二メツキレシストにより最終作成パタ
ーン幅まで檜って、露出されている隔本毎の前記金属パ
ターンに最終作成パターン用金属を用いて前記第二メツ
キレシストと隣接するまで第−導体パターンを形成し、
次いで前記第二メツキレシストのみを剥離除去して第一
導体パターンの側面を露出させた後、第一導体パターン
の表面に酸化絶縁皮膜を形成せしめ、その後前記記−レ
シストを剥離除去し金属パターンを露出させ、該金相パ
ターンに前記最終作成パターン用金属を用いて前記酸化
絶縁皮膜に覆われた第一導体パターンと接するまで第二
導体パターンを形成し極微細なｇＩ導体間隔有する最終
作成導体パターンとすることを特徴とする回路基板製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9503383A JPS59220990A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 回路基板製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9503383A JPS59220990A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 回路基板製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59220990A true JPS59220990A (ja) | 1984-12-12 |
Family
ID=14126770
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9503383A Pending JPS59220990A (ja) | 1983-05-31 | 1983-05-31 | 回路基板製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59220990A (ja) |
-
1983
- 1983-05-31 JP JP9503383A patent/JPS59220990A/ja active Pending
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