JPS60107889A - 配線パタ−ンの形成方法 - Google Patents
配線パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS60107889A JPS60107889A JP21654883A JP21654883A JPS60107889A JP S60107889 A JPS60107889 A JP S60107889A JP 21654883 A JP21654883 A JP 21654883A JP 21654883 A JP21654883 A JP 21654883A JP S60107889 A JPS60107889 A JP S60107889A
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- etched
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は印刷配線の導体回路形成において、特に導体幅
および導体間隔の狭い、いわゆる導体密度の高い導体パ
ターンの形成に用いることのできる配線パターンの形成
方法に関するものである。
および導体間隔の狭い、いわゆる導体密度の高い導体パ
ターンの形成に用いることのできる配線パターンの形成
方法に関するものである。
従来例の構成とその問題点
近年、印刷配線板の導体回路形成において、その多くは
銅張り絶縁基板を化学エツチングにより作成しているが
、基板上の高密度実装が要望されるに伴い、基板自体の
配線密度が高まり、導体回路ピッチの狭い、高密度の配
線パターンの形成が要望されている。
銅張り絶縁基板を化学エツチングにより作成しているが
、基板上の高密度実装が要望されるに伴い、基板自体の
配線密度が高まり、導体回路ピッチの狭い、高密度の配
線パターンの形成が要望されている。
以下に、図面を参照しながら、従来の配線パタ図は銅張
シ絶縁基板を示す断面図であり、１は絶縁基板２は導体
、３は所望の回路パターンを得るだめの耐エツチング用
のレジスト層である。そのレジスト層３は、スクリーン
印刷法やフォトレジスト法によって形成される。また、
第２図は、上記の第１図を化学エツチングした時の状態
を示す断面図であり、４はエツチングされた加工部であ
る。本来、レジスト層３のない部分の導体２がその導体
面に対して垂直方向にのみエツチングされることが望ま
しいが、通常、第２図に示したように導体面に対して平
行方向にもエツチングされる。
シ絶縁基板を示す断面図であり、１は絶縁基板２は導体
、３は所望の回路パターンを得るだめの耐エツチング用
のレジスト層である。そのレジスト層３は、スクリーン
印刷法やフォトレジスト法によって形成される。また、
第２図は、上記の第１図を化学エツチングした時の状態
を示す断面図であり、４はエツチングされた加工部であ
る。本来、レジスト層３のない部分の導体２がその導体
面に対して垂直方向にのみエツチングされることが望ま
しいが、通常、第２図に示したように導体面に対して平
行方向にもエツチングされる。
この平行方向のエツチングはサイドエツチングまたは、
アンダーカットと呼ばれるものであり、このサイドエツ
チングは通常、垂直方向のエツチング速度と同じ速度で
進行する。従って、導体２が厚い程、サイドエツチング
が大きくなる傾向にあり、その結果、導体パターンを狭
くし、パターン間隔を狭くした高密度配線にも限界があ
った。
アンダーカットと呼ばれるものであり、このサイドエツ
チングは通常、垂直方向のエツチング速度と同じ速度で
進行する。従って、導体２が厚い程、サイドエツチング
が大きくなる傾向にあり、その結果、導体パターンを狭
くし、パターン間隔を狭くした高密度配線にも限界があ
った。
発明の目的
本発明は前記欠点に鑑み、配線パターンを高密度に形成
することを可能にする配線パターンの形成方法を提供す
ることである。
することを可能にする配線パターンの形成方法を提供す
ることである。
発明の構成
前記目的を達成するために本発明の配線パターンの形成
方法は被蝕刻体表面に所望の回路パターンを得る耐エツ
チング層として第１のフォトレジストを形成する工程と
、前記第１の７オトレジスト層を耐エツチング層として
、前記被蝕刻体を、所定の深さまで化学エツチングする
工程と、その被蝕刻体の化学エツチングされた表面に耐
エツチング層としてネガタイプの第２の７オトレジスト
層を形成する工程と、前記第１の７オトレジストを蒸着
用のマスクとして、サイドエツチングされた表面を残し
て、エツチング底辺部表面に光遮断用無反射用の金属蒸
着層を形成したのち露光する工程と、化学エツチングに
より、前記金属蒸着層を除去したのち現像して、前記被
蝕刻体のサイドエツチングされた表面のみに、第２のフ
ォトレジスト層を残す工程と、さらには、前記第１．第
２の７オトレジスト層を耐エツチング層として、上記被
蝕刻体を再度、化学エツチングする工程を含むことを特
徴とする微細パターンの形成方法であり、また、前記金
属蒸着層は化学エツチングにより除去できる金属層であ
ることを特徴としたものであり、この方法により一挙に
化学エツチングすることなく、半分程度エツチングした
後に、サイドエツチングされた部分に第２のフォトレジ
スト層を形成するので、サイドエツチングが大きくなる
ことが防止され、微細で高密度の導体ノ（ターンを形成
することが可能となる。
方法は被蝕刻体表面に所望の回路パターンを得る耐エツ
チング層として第１のフォトレジストを形成する工程と
、前記第１の７オトレジスト層を耐エツチング層として
、前記被蝕刻体を、所定の深さまで化学エツチングする
工程と、その被蝕刻体の化学エツチングされた表面に耐
エツチング層としてネガタイプの第２の７オトレジスト
層を形成する工程と、前記第１の７オトレジストを蒸着
用のマスクとして、サイドエツチングされた表面を残し
て、エツチング底辺部表面に光遮断用無反射用の金属蒸
着層を形成したのち露光する工程と、化学エツチングに
より、前記金属蒸着層を除去したのち現像して、前記被
蝕刻体のサイドエツチングされた表面のみに、第２のフ
ォトレジスト層を残す工程と、さらには、前記第１．第
２の７オトレジスト層を耐エツチング層として、上記被
蝕刻体を再度、化学エツチングする工程を含むことを特
徴とする微細パターンの形成方法であり、また、前記金
属蒸着層は化学エツチングにより除去できる金属層であ
ることを特徴としたものであり、この方法により一挙に
化学エツチングすることなく、半分程度エツチングした
後に、サイドエツチングされた部分に第２のフォトレジ
スト層を形成するので、サイドエツチングが大きくなる
ことが防止され、微細で高密度の導体ノ（ターンを形成
することが可能となる。
さて、サイドエツチングされた導体表面のみに耐エツチ
ング用の第２のフォトレジストを形成する方法としては
、サイドエツチング部分、第１の７オトレジスト層表面
を含めた全体に、ネガタイプのフォトレジストを形成し
たのち、第１のフォトレジスト層のサイドエツチングさ
れた部分を蒸着用のマスクとして利用して、反射率が高
く、容易に化学エツチングにより除去できる金属を真空
蒸着すると、サイドエツチングされた部分のみを残して
、第１のフォトレジスト層表面一およびエツチングされ
た底辺部表面に金属蒸着粒子を堆積させることができる
。そして、その後に全面露光すると、底辺部表面の金属
蒸着層は、その下の第２の７オトレジスト層に対しては
光遮断層として、またサイドエツチング部分に対しては
光反射層として働くので、金属蒸着層を化学エツチング
によシ除去したのちに現像するとサイドエツチングされ
た部分のみに、耐エツチング層、すなわち、ネガタイプ
の第２の７オトレジスト層を形成させることができる。
ング用の第２のフォトレジストを形成する方法としては
、サイドエツチング部分、第１の７オトレジスト層表面
を含めた全体に、ネガタイプのフォトレジストを形成し
たのち、第１のフォトレジスト層のサイドエツチングさ
れた部分を蒸着用のマスクとして利用して、反射率が高
く、容易に化学エツチングにより除去できる金属を真空
蒸着すると、サイドエツチングされた部分のみを残して
、第１のフォトレジスト層表面一およびエツチングされ
た底辺部表面に金属蒸着粒子を堆積させることができる
。そして、その後に全面露光すると、底辺部表面の金属
蒸着層は、その下の第２の７オトレジスト層に対しては
光遮断層として、またサイドエツチング部分に対しては
光反射層として働くので、金属蒸着層を化学エツチング
によシ除去したのちに現像するとサイドエツチングされ
た部分のみに、耐エツチング層、すなわち、ネガタイプ
の第２の７オトレジスト層を形成させることができる。
なお、従来の公知技術として第２の７オトレジストとし
て、ポジタイプの７オトレジストを作用させ、サイドエ
ツチングの部分の第１の７オトレジストに光遮断層を設
けたのち露光する方法が提案されているが、この方法の
場合、露光時に、基板に対して垂直で、しかも十分な平
行光線が必要であり、もし斜め光線あるいは、反射光線
が存在すれば、サイドエツチング部分も現像時に溶出さ
れ、耐エツチング層の形成が不完全となる。しかし、本
発明のようにネガタイプの第２の７オトレジストを使用
し、金属蒸着層を光遮断層および光反射層として利用す
る方法では、垂直かつ平行光線は特に必要ではなく、む
しろ、通常のＵＶ光照射で十分であり、耐エツチング層
の形成も容易で、かつ確実である。
て、ポジタイプの７オトレジストを作用させ、サイドエ
ツチングの部分の第１の７オトレジストに光遮断層を設
けたのち露光する方法が提案されているが、この方法の
場合、露光時に、基板に対して垂直で、しかも十分な平
行光線が必要であり、もし斜め光線あるいは、反射光線
が存在すれば、サイドエツチング部分も現像時に溶出さ
れ、耐エツチング層の形成が不完全となる。しかし、本
発明のようにネガタイプの第２の７オトレジストを使用
し、金属蒸着層を光遮断層および光反射層として利用す
る方法では、垂直かつ平行光線は特に必要ではなく、む
しろ、通常のＵＶ光照射で十分であり、耐エツチング層
の形成も容易で、かつ確実である。
実施例の説明
以下に本発明の実施例について、図面を参照しながら説
明する。第３図〜第８図は、それぞれ本発明を説明する
ための工程断面図を示すものである。
明する。第３図〜第８図は、それぞれ本発明を説明する
ための工程断面図を示すものである。
第３図〜第８図において、６は絶縁基板、６は被蝕刻体
あるいは導体パターン、７は耐エツチング用の第１のフ
ォトレジスト層、８はエツチングがされた部分、９はネ
ガタイプの耐エツチング用の第２のフォトレジスト層、
１０は金属蒸着層である。
あるいは導体パターン、７は耐エツチング用の第１のフ
ォトレジスト層、８はエツチングがされた部分、９はネ
ガタイプの耐エツチング用の第２のフォトレジスト層、
１０は金属蒸着層である。
本発明では、先ず、第３図に示したように絶縁基板６上
に、全面に形成されている導体層を被蝕刻体６として、
さらに、その実に耐エツチング用の第１のフォトレジス
ト層７を所望のパターン状に形成する。このフォトレジ
スト層７は、例えばネガタイプの液状レジストとして、
インプレンゴム系のＫＭＲ−７６２（コダック■製）２
合成樹脂系のＳＭＲ／ＳＮ（ソマール工業■製）、ある
いは、ネガタイプのドライフィルムとしてＥ−１６（厚
み、１６μ旭化成工業■製）等が用いられ、その厚みは
、６〜１６μが適当である。また、被蝕刻体６の厚みは
、例えば７０μである。次に、第４図に示したように第
１のフォトレジスト層７をマスクとして被蝕刻体６を、
その表面より、半分程度の深さまでエツチングしエツチ
ング部分８を形成するが、被蝕刻体６の表面に対して、
水平方向にもエツチングが進みいわゆるサイドエツチン
グの部分が形成される。次に、第６図に示したように、
浸漬引き上げ法により、液状のネガタイプの第２のフォ
トレジスト９を１〜３μ程度エツチング部分８にまで塗
布したのち、第１のフォトレジスト層７をサイドエツチ
ング部分に対する蒸着マスクとして利用して、金属を真
空蒸着すると、第６図に示したように、サイドエツチン
グ部分を残して、エツチング底辺部の表面と、第１のレ
ジスト層７土に金属蒸着層１０が形成される。なお蒸着
金属は、例えばアルミニウム、銅、ニッケル等のような
酸あるいはアルカリで化学エツチングできる金属であシ
、また、光の反射率の高いものが選ばれる。また、金属
蒸着層１０の厚みは、アルミニウムの場合には３０００
〜１０ｏｏＯ人が適当である。次にＵＶ露光機により、
全面露光すると、エツチング底辺部の表面に形成された
金属蒸着層１０で反射したＵＶ光により、サイドエツチ
ング部分のみが感光される。そのだめ続いて例えば、塩
化第２鉄エツチング液を用いて溶解除去後、所、定の現
像を行うと第７図に示したように、サイドエツチング部
分にのみに、耐エツチング用の第２のフォトレジスト層
９が形成される。なお、ここで用いるＵＶ光は、基板に
対して垂直で、かつ平行光である必要はなくむしろ通常
のランダム光が望ましい。以下、前述と同様に、第１お
よび第２のフォトレジスト７．９を、耐エツチング用レ
ジストとして、再度、被蝕刻体６を最後までエツチング
すると、第８図に示したようなサイドエツチングの少な
い導体パターンかえられる。
に、全面に形成されている導体層を被蝕刻体６として、
さらに、その実に耐エツチング用の第１のフォトレジス
ト層７を所望のパターン状に形成する。このフォトレジ
スト層７は、例えばネガタイプの液状レジストとして、
インプレンゴム系のＫＭＲ−７６２（コダック■製）２
合成樹脂系のＳＭＲ／ＳＮ（ソマール工業■製）、ある
いは、ネガタイプのドライフィルムとしてＥ−１６（厚
み、１６μ旭化成工業■製）等が用いられ、その厚みは
、６〜１６μが適当である。また、被蝕刻体６の厚みは
、例えば７０μである。次に、第４図に示したように第
１のフォトレジスト層７をマスクとして被蝕刻体６を、
その表面より、半分程度の深さまでエツチングしエツチ
ング部分８を形成するが、被蝕刻体６の表面に対して、
水平方向にもエツチングが進みいわゆるサイドエツチン
グの部分が形成される。次に、第６図に示したように、
浸漬引き上げ法により、液状のネガタイプの第２のフォ
トレジスト９を１〜３μ程度エツチング部分８にまで塗
布したのち、第１のフォトレジスト層７をサイドエツチ
ング部分に対する蒸着マスクとして利用して、金属を真
空蒸着すると、第６図に示したように、サイドエツチン
グ部分を残して、エツチング底辺部の表面と、第１のレ
ジスト層７土に金属蒸着層１０が形成される。なお蒸着
金属は、例えばアルミニウム、銅、ニッケル等のような
酸あるいはアルカリで化学エツチングできる金属であシ
、また、光の反射率の高いものが選ばれる。また、金属
蒸着層１０の厚みは、アルミニウムの場合には３０００
〜１０ｏｏＯ人が適当である。次にＵＶ露光機により、
全面露光すると、エツチング底辺部の表面に形成された
金属蒸着層１０で反射したＵＶ光により、サイドエツチ
ング部分のみが感光される。そのだめ続いて例えば、塩
化第２鉄エツチング液を用いて溶解除去後、所、定の現
像を行うと第７図に示したように、サイドエツチング部
分にのみに、耐エツチング用の第２のフォトレジスト層
９が形成される。なお、ここで用いるＵＶ光は、基板に
対して垂直で、かつ平行光である必要はなくむしろ通常
のランダム光が望ましい。以下、前述と同様に、第１お
よび第２のフォトレジスト７．９を、耐エツチング用レ
ジストとして、再度、被蝕刻体６を最後までエツチング
すると、第８図に示したようなサイドエツチングの少な
い導体パターンかえられる。
発明の効果
以上の説明から明らかなように、本発明の配線パターン
の形成法は、先ず、導体厚みの半分程度をエツチングし
たのち、現われたサイドエツチング部分に、耐エツチン
グ層として、ネガタイプのフォトレジスト層を形成し、
再び、エツチングを行うことにより、−挙にエツチング
する従来の方法と較べて、サイドエツチング部分が大き
くなるのを防止することができ、比較的、導体厚みの大
きいものでも導体幅、導体間隔、共に狭い高密度の配線
パターンを形成することができる。
の形成法は、先ず、導体厚みの半分程度をエツチングし
たのち、現われたサイドエツチング部分に、耐エツチン
グ層として、ネガタイプのフォトレジスト層を形成し、
再び、エツチングを行うことにより、−挙にエツチング
する従来の方法と較べて、サイドエツチング部分が大き
くなるのを防止することができ、比較的、導体厚みの大
きいものでも導体幅、導体間隔、共に狭い高密度の配線
パターンを形成することができる。
例えば、従来、導体厚み７０μで導体幅１００μ。
導体間隔５０μで第ルジストのみで、−挙にエツチング
した場合、サイドエツチングのため、導体幅が痩せ細り
、６０μ程度となり、まだ、場合によっては、エツチン
グ時に絶縁基板から欠落する場合があった。また、この
時、導体間隔は約１００μ程度まで広がっていた。しか
し、本発明によれば、サイドエツチング部分が大きくな
るの婦止でき、導体幅は９０μ、導体間隔は６０μ程度
のものが得られ一挙にエツチングした場合に較べて配線
パターンを高密度に形成することができる。さらに、本
発明はサイドエツチング部分の耐エツチング層の形成に
おいて、第２のフォトレジスト層としてネガタイプを用
い、金属蒸着層の反射光を利用するので、ＵＶ光は通常
のものでよく、配線板製造に当って設備コストが廉価で
あり生産性も良い。
した場合、サイドエツチングのため、導体幅が痩せ細り
、６０μ程度となり、まだ、場合によっては、エツチン
グ時に絶縁基板から欠落する場合があった。また、この
時、導体間隔は約１００μ程度まで広がっていた。しか
し、本発明によれば、サイドエツチング部分が大きくな
るの婦止でき、導体幅は９０μ、導体間隔は６０μ程度
のものが得られ一挙にエツチングした場合に較べて配線
パターンを高密度に形成することができる。さらに、本
発明はサイドエツチング部分の耐エツチング層の形成に
おいて、第２のフォトレジスト層としてネガタイプを用
い、金属蒸着層の反射光を利用するので、ＵＶ光は通常
のものでよく、配線板製造に当って設備コストが廉価で
あり生産性も良い。
第８図は本発明の一実施例における配線パターンの形成
方法を説明するだめの基板の断面図である。 ６・・・・・・絶縁基板、６・・・・・・導体すなわち
被蝕刻体、７・・・・・・耐エツチング用フォトレジス
ト、８・・・・・・エツチング部分、９・・・・・・ネ
ガタイプの７オトレジスト、１０・・・・・・金属蒸着
層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第５１！ｌ 凍
方法を説明するだめの基板の断面図である。 ６・・・・・・絶縁基板、６・・・・・・導体すなわち
被蝕刻体、７・・・・・・耐エツチング用フォトレジス
ト、８・・・・・・エツチング部分、９・・・・・・ネ
ガタイプの７オトレジスト、１０・・・・・・金属蒸着
層。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 第３図 第５１！ｌ 凍
Claims (2)
- （１）被蝕刻体表面に所望の回路パターンを得る耐エツ
チング層として第１の７オトレジスト層を形成する工程
と、前記第１の７オトレジスト層を耐エツチング層とし
て、前記被蝕刻体を所定の深さまで化学エツチングする
工程と、その被蝕刻体の化学エツチングされた表面に耐
エツチング層として、ネガタイプの第２の７オトレジス
ト層を形成する工程と、前記第１の７オトレジストを蒸
着用のマスクとして、サイドエツチングされた表面を残
して、エツチング底辺部の表面に光遮断用兼。 反射用の金属蒸着層を形成したのち露光する工程と、化
学エツチングによシ、前記金属蒸着層を除去したのち現
像して、前記被蝕刻体のサイドエツチングされた表面の
みに、第２の７オトレジスト層を残す工程と、さらには
、前記第１および第２記被蝕刻体を再度、化学エツチン
グする工程を含むことを特徴とするａ；ｉ、＠−：ター
ンの形成方法。 - （２）金属蒸着層は化学エツチングにより除去できる金
属層であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の配線パターンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21654883A JPS60107889A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 配線パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21654883A JPS60107889A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 配線パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60107889A true JPS60107889A (ja) | 1985-06-13 |
Family
ID=16690159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21654883A Pending JPS60107889A (ja) | 1983-11-17 | 1983-11-17 | 配線パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60107889A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018125557A (ja) * | 2018-04-11 | 2018-08-09 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-11-17 JP JP21654883A patent/JPS60107889A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018125557A (ja) * | 2018-04-11 | 2018-08-09 | Ｄｏｗａメタルテック株式会社 | 金属−セラミックス回路基板およびその製造方法 |
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