JPS63153889A - プリント基板のパタ−ン形成方法 - Google Patents
プリント基板のパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS63153889A JPS63153889A JP30104086A JP30104086A JPS63153889A JP S63153889 A JPS63153889 A JP S63153889A JP 30104086 A JP30104086 A JP 30104086A JP 30104086 A JP30104086 A JP 30104086A JP S63153889 A JPS63153889 A JP S63153889A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- layer
- etched
- pattern
- photoresist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 82
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 18
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 1,1-Dichloroethane Chemical compound CC(Cl)Cl SCYULBFZEHDVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000026610 Cynodon dactylon var. affinis Species 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N chembl1095986 Chemical compound C1[C@@H](N)[C@@H](O)[C@H](C)O[C@H]1O[C@@H]([C@H]1C(N[C@H](C2=CC(O)=CC(O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)=C2C=2C(O)=CC=C(C=2)[C@@H](NC(=O)[C@@H]2NC(=O)[C@@H]3C=4C=C(C(=C(O)C=4)C)OC=4C(O)=CC=C(C=4)[C@@H](N)C(=O)N[C@@H](C(=O)N3)[C@H](O)C=3C=CC(O4)=CC=3)C(=O)N1)C(O)=O)=O)C(C=C1)=CC=C1OC1=C(O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](O)[C@H](CO[C@@H]5[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](C)O5)O)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O3)O[C@@H]3[C@H]([C@H](O)[C@@H](CO)O3)O)C4=CC2=C1 BGTFCAQCKWKTRL-YDEUACAXSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003280 cupric chloride Drugs 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;sulfuric acid Chemical compound OO.OS(O)(=O)=O XEMZLVDIUVCKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分骨〕
この発明はプリント配線板（以下プリント基板という）
のパターン形成方法に係り、特にサイドエツチングの発
生を防止して高密度配線を可能にするプリント基板のパ
ターン形成方法に関する。
のパターン形成方法に係り、特にサイドエツチングの発
生を防止して高密度配線を可能にするプリント基板のパ
ターン形成方法に関する。
従来、ウェットエツチングによって、プリント基板のパ
ターン形成を行う場合には、第２図に示すように、絶縁
基材３の上にあるパターンとして残したい被エツチング
層２の上にエツチングレジスト１をフォトリングラフィ
技術を用いて形成し、これをエツチング液中に浸し、か
つそれにより不要部を除去して所望のパターンを得てい
る。ウェットエツチングにおいては、エツチングは等方
的に進行するので、エツチング終了時点では、第６図に
示すごとく、被エツチング層２の厚さｔと等しいだけ横
方向にもエツチング（サイドエツチングまたはオーバエ
ツチング）されるため、パターン幅ｄが小さくなる（微
細パターン）と、被エツチング層２の厚さｔが保てなく
なり微細パターン形成ができなくなる欠点があった。
ターン形成を行う場合には、第２図に示すように、絶縁
基材３の上にあるパターンとして残したい被エツチング
層２の上にエツチングレジスト１をフォトリングラフィ
技術を用いて形成し、これをエツチング液中に浸し、か
つそれにより不要部を除去して所望のパターンを得てい
る。ウェットエツチングにおいては、エツチングは等方
的に進行するので、エツチング終了時点では、第６図に
示すごとく、被エツチング層２の厚さｔと等しいだけ横
方向にもエツチング（サイドエツチングまたはオーバエ
ツチング）されるため、パターン幅ｄが小さくなる（微
細パターン）と、被エツチング層２の厚さｔが保てなく
なり微細パターン形成ができなくなる欠点があった。
この発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、サ
イドエツチングを極力押えて、高密度配線を可能にする
プリント基板のパターン形成方法ｔｌ−提供するＫある
。
イドエツチングを極力押えて、高密度配線を可能にする
プリント基板のパターン形成方法ｔｌ−提供するＫある
。
この発明は、エツチングを被エツチング層の厚さの中間
部まで行って一旦中止し、サイドエツチング部に耐エツ
チング層を被覆した後、エツチングを再開して被エツチ
ング層の底部まで行うことにより、サイドエツチングの
発生量を減少させて高密度配”線を可能としたものであ
る。
部まで行って一旦中止し、サイドエツチング部に耐エツ
チング層を被覆した後、エツチングを再開して被エツチ
ング層の底部まで行うことにより、サイドエツチングの
発生量を減少させて高密度配”線を可能としたものであ
る。
この発明によるプリント基板のパター７形成方法の第１
の実施例を説明する。第２図に示すよ５に１例えば、絶
縁基材３の上に全面に形成されている導体の被エツチン
グＲ２に、エツチングレジスト層ｌを所定パター／とじ
て、フォトリングラフィ技術を用いて形成する。このエ
ツチングレジスト層ｌは、例えばデュポンのりスト／ｌ
ｚｚ。
の実施例を説明する。第２図に示すよ５に１例えば、絶
縁基材３の上に全面に形成されている導体の被エツチン
グＲ２に、エツチングレジスト層ｌを所定パター／とじ
て、フォトリングラフィ技術を用いて形成する。このエ
ツチングレジスト層ｌは、例えばデュポンのりスト／ｌ
ｚｚ。
であり、これは、ネガタイプの感光性樹脂で光が当ると
、その当った所が硬化し、溶剤（例えば１．１．１−）
リクロロエタン）に溶けなくなる。
、その当った所が硬化し、溶剤（例えば１．１．１−）
リクロロエタン）に溶けなくなる。
このようなエツチングレジスト層１によって所定パター
ンに形成される。エツチングレジスト層１をマスクとし
て被エツチング６２をエラチンクシ、そのエツチング深
さは、例えば被エツチング層２の厚さの２／３程度まで
行う。その状態を第３図に示す。このエツチングにより
サイト１工ツチング部４が形成される。次いで第４図に
示すように、被エツチング層２に、エツチング液に吋し
て溶解速度の小さい保護膜（耐エツチング層）５を形成
する。
ンに形成される。エツチングレジスト層１をマスクとし
て被エツチング６２をエラチンクシ、そのエツチング深
さは、例えば被エツチング層２の厚さの２／３程度まで
行う。その状態を第３図に示す。このエツチングにより
サイト１工ツチング部４が形成される。次いで第４図に
示すように、被エツチング層２に、エツチング液に吋し
て溶解速度の小さい保護膜（耐エツチング層）５を形成
する。
この保１膜５は例えば、アル゛キルイミダゾールー銅キ
レート被膜である。このアルキルイミダゾール−銅キレ
ート被膜は、アルカリ性エツチング液には溶解しないが
、酸性エツチング液（例えば塩化第二鉄液、塩化第二銅
液、過酸化水素−硫酸液、過硫酸アンモニウム液）には
溶解する。次に第５図に示すようにスプレー状のエツチ
ング液６を上部より吹きつげると、保護膜５は溶解する
がサイドエツチング部４の保護膜５は、エツチングレジ
スト層１が笠となるため、スプレー状のエツチング液６
を直接受ける他の保護膜より溶解速度が小さくなる。そ
の結果、スプレー状のエツチング液６を直接受ける保ａ
ｌ’Ｉ５および被エツチング層２が先に溶解し、＃終的
に形成した被エツチング層のパター７２が第１図に示す
ように得られる・以上述べ【きたようにこの発明によれ
ば、微細パター／の形成が可能となる。
レート被膜である。このアルキルイミダゾール−銅キレ
ート被膜は、アルカリ性エツチング液には溶解しないが
、酸性エツチング液（例えば塩化第二鉄液、塩化第二銅
液、過酸化水素−硫酸液、過硫酸アンモニウム液）には
溶解する。次に第５図に示すようにスプレー状のエツチ
ング液６を上部より吹きつげると、保護膜５は溶解する
がサイドエツチング部４の保護膜５は、エツチングレジ
スト層１が笠となるため、スプレー状のエツチング液６
を直接受ける他の保護膜より溶解速度が小さくなる。そ
の結果、スプレー状のエツチング液６を直接受ける保ａ
ｌ’Ｉ５および被エツチング層２が先に溶解し、＃終的
に形成した被エツチング層のパター７２が第１図に示す
ように得られる・以上述べ【きたようにこの発明によれ
ば、微細パター／の形成が可能となる。
例えばエツチングレジスト幅７０μｍ１エツチングレジ
スト間隔７０〜１００μｍを形成する場合、被エツチン
グ／！！２の厚さが７０μｍのものを、先の実施例のよ
うに、２回に分けてエツチングすることにより、従来１
回のみでエッチフグ形成しり場合に比べて、被エツチン
グ層２の抵抗値をｉｈ程度にすることができた。
スト間隔７０〜１００μｍを形成する場合、被エツチン
グ／！！２の厚さが７０μｍのものを、先の実施例のよ
うに、２回に分けてエツチングすることにより、従来１
回のみでエッチフグ形成しり場合に比べて、被エツチン
グ層２の抵抗値をｉｈ程度にすることができた。
第２の実施例は被エツチング層を所定量までエツチング
するとともに、エツチングレジスト層で覆われた被エツ
チング層の側面をサイドエツチングし、この後エツチン
グを停止し、被エツチング層及びレジスト層全面にネガ
タイプのフォトレジストを形成させ、露光現像し、次い
でサイドエツチングされた側面に耐エツチング層を形成
し、その後、ネガタイプのフォトレジストを剥離し、こ
の剥離した部分を再びエツチングするようにしたもので
ある。
するとともに、エツチングレジスト層で覆われた被エツ
チング層の側面をサイドエツチングし、この後エツチン
グを停止し、被エツチング層及びレジスト層全面にネガ
タイプのフォトレジストを形成させ、露光現像し、次い
でサイドエツチングされた側面に耐エツチング層を形成
し、その後、ネガタイプのフォトレジストを剥離し、こ
の剥離した部分を再びエツチングするようにしたもので
ある。
先ず、第２図に示すように、例えば絶Ｒ基材３の上に全
面に形成されている導体の被エツチング層２にエツチン
グレジ・スト層１を所定パターンとしてフォトリングラ
フィ技術を用いて形成する。
面に形成されている導体の被エツチング層２にエツチン
グレジ・スト層１を所定パターンとしてフォトリングラ
フィ技術を用いて形成する。
このエツチングレジスト層１は例えば、デュボ／のリス
トア１２２０であり、これは、ネガタイプの感光性樹脂
で光が当るとその当った所が硬化し、溶剤（例えば１．
１．１−）リフロールエタン）に溶けなくなる。
トア１２２０であり、これは、ネガタイプの感光性樹脂
で光が当るとその当った所が硬化し、溶剤（例えば１．
１．１−）リフロールエタン）に溶けなくなる。
このレジストは硬化後は、硬化前に比べ紫外線光をｌ／
［００〜１／３００ Ｌか透さなくなる。このようなエ
ツチングレジストｎによって所定パター７に形成され、
その厚さは約５０μｍである。被エツチング層２の厚さ
も５０μｍである。
［００〜１／３００ Ｌか透さなくなる。このようなエ
ツチングレジストｎによって所定パター７に形成され、
その厚さは約５０μｍである。被エツチング層２の厚さ
も５０μｍである。
エツチングレジスト層ｌをマスクとして被エツチング層
２をエツチングし、そのエツチング深さは例えば、被エ
ツチング層２の厚さの半分程度まで行う。その状態を第
７図に示す。このエツチングにより、サイドエツチング
部４が形成される。
２をエツチングし、そのエツチング深さは例えば、被エ
ツチング層２の厚さの半分程度まで行う。その状態を第
７図に示す。このエツチングにより、サイドエツチング
部４が形成される。
次いで第８図に示すように液状あるいはコロイド状のネ
ガタイプのフォトレジストアを全面に９＜塗布する。こ
の時場合によってはエアナイフ等のスプレーや熱風を吹
き付けて乾燥してもよい。その後被エツチング層２に対
して垂直に平行光を照射して、フォトレジストアを露光
し、光が当った部分を硬化させて残し、光が当っていな
いサイドエツチング部４の露光されていないフォトレジ
スト７を溶かし去る。この状態を第９図に示す。次に、
第１０図に示すようにサイドエツチング部４に耐エツチ
ング層８を形成する。この耐エツチング層８は例えば特
公昭５０−２７０３３号公報に示されるアルキルイミダ
ゾールと銅との被膜などである。次いで第１１図に示す
ように、第９図で形成したフォトレジストアを剥離液で
剥離し、再びエツチングする。最終的に形成した被エツ
チング層のパターン２が第８図に示すように得られる。
ガタイプのフォトレジストアを全面に９＜塗布する。こ
の時場合によってはエアナイフ等のスプレーや熱風を吹
き付けて乾燥してもよい。その後被エツチング層２に対
して垂直に平行光を照射して、フォトレジストアを露光
し、光が当った部分を硬化させて残し、光が当っていな
いサイドエツチング部４の露光されていないフォトレジ
スト７を溶かし去る。この状態を第９図に示す。次に、
第１０図に示すようにサイドエツチング部４に耐エツチ
ング層８を形成する。この耐エツチング層８は例えば特
公昭５０−２７０３３号公報に示されるアルキルイミダ
ゾールと銅との被膜などである。次いで第１１図に示す
ように、第９図で形成したフォトレジストアを剥離液で
剥離し、再びエツチングする。最終的に形成した被エツ
チング層のパターン２が第８図に示すように得られる。
第２の実施例によるパターン形成方法によれば微細パタ
ーンの形成が可能となる。例えば、エツチングレジスト
Ｉｇｌｏｏμｍ、エツチングレジストの間隔！００μｍ
を形成する場合、被加工物２の厚さを５０μｍのものを
２回に分けて、エツチングすることにより、従来１回の
入でエッチジグ形成した場合に比べて、被加工物２の抵
抗値をＡ程度にすることができた。
ーンの形成が可能となる。例えば、エツチングレジスト
Ｉｇｌｏｏμｍ、エツチングレジストの間隔！００μｍ
を形成する場合、被加工物２の厚さを５０μｍのものを
２回に分けて、エツチングすることにより、従来１回の
入でエッチジグ形成した場合に比べて、被加工物２の抵
抗値をＡ程度にすることができた。
第３の実施例は被エツチング層を所定量までエツチング
すると共に、エツチングレジスト層で覆われた被エツチ
ング層の側面をサイドエツチングし、この後エツチング
を停止し、被エツチング層及びエツチングレジスト眉全
面にネガタイプのフォトレジスト層を形成させ、露光現
像し、次いで前記エツチングレジスト層を剥離し、前記
フォトレジスト層で覆われていない面に耐エツチング層
を形成した後前記フォトレジスト層を剥離し、前記耐エ
ツチング層が形成されていない被エツチングＷｔヲ再び
エツチングするようにしたものである。
すると共に、エツチングレジスト層で覆われた被エツチ
ング層の側面をサイドエツチングし、この後エツチング
を停止し、被エツチング層及びエツチングレジスト眉全
面にネガタイプのフォトレジスト層を形成させ、露光現
像し、次いで前記エツチングレジスト層を剥離し、前記
フォトレジスト層で覆われていない面に耐エツチング層
を形成した後前記フォトレジスト層を剥離し、前記耐エ
ツチング層が形成されていない被エツチングＷｔヲ再び
エツチングするようにしたものである。
第２の実施例の第７図から第９図までの工程は共通であ
る。次に第１３図に示すように前記エツチングレジスト
層ｌを溶剤例えば、リストン１２２０の場合は塩化メチ
レンを用いて剥離除去する。次いで第１４図に示すよう
に、前記フォトレジスト′ 層７で覆われていない被エ
ツチング層２の全面に耐エツチング層８を形成する。こ
の耐エツチング層８は、例えば特公昭５０−２７０３３
号公報に記載されるアルキルイミダゾールと雫の被膜な
どである。次いで第１５図に示すように第９図で形成し
たフォトレジスト層７を剥離液例えば、フォトレジスト
層７が爪クロム酸アンモニウムとポリビニルアルコール
によるものであれば、水酸化ナトリウムＢ液等を用いて
剥離し、再びエツチングする。最終的に形成した被エツ
チング層２のパターンが第１６図に示すように得られる
。第３の実施例によれば、微細パターンの形成が可能と
なる。
る。次に第１３図に示すように前記エツチングレジスト
層ｌを溶剤例えば、リストン１２２０の場合は塩化メチ
レンを用いて剥離除去する。次いで第１４図に示すよう
に、前記フォトレジスト′ 層７で覆われていない被エ
ツチング層２の全面に耐エツチング層８を形成する。こ
の耐エツチング層８は、例えば特公昭５０−２７０３３
号公報に記載されるアルキルイミダゾールと雫の被膜な
どである。次いで第１５図に示すように第９図で形成し
たフォトレジスト層７を剥離液例えば、フォトレジスト
層７が爪クロム酸アンモニウムとポリビニルアルコール
によるものであれば、水酸化ナトリウムＢ液等を用いて
剥離し、再びエツチングする。最終的に形成した被エツ
チング層２のパターンが第１６図に示すように得られる
。第３の実施例によれば、微細パターンの形成が可能と
なる。
例えば、エツチングレジスト幅７０μｍ１エツチングレ
ジスト間隔１００μｍを形成する場合、被エツチング層
２の厚さを７０μｍのものを２回に分けてエツチングす
ることにより従来１回のみでエツチング形成した場合に
比べて、被エツチングＭＩ２の抵抗値をｈ ａ Ｋにす
ることができた。
ジスト間隔１００μｍを形成する場合、被エツチング層
２の厚さを７０μｍのものを２回に分けてエツチングす
ることにより従来１回のみでエツチング形成した場合に
比べて、被エツチングＭＩ２の抵抗値をｈ ａ Ｋにす
ることができた。
この発明によれば−、エツチング途中で、サイドエツチ
ングされた被エツチング層の側面を耐エツチング層で覆
い、この後再びレジストが形成されていない被エツチン
グ層をエツチングするので、サイドエツチングを小さく
することができそれにより高密度配線の微細パターンを
形成できるパターン形成方法を提供することができる。
ングされた被エツチング層の側面を耐エツチング層で覆
い、この後再びレジストが形成されていない被エツチン
グ層をエツチングするので、サイドエツチングを小さく
することができそれにより高密度配線の微細パターンを
形成できるパターン形成方法を提供することができる。
第１図はこの発明に係るプリント基板のパターン形成方
法の第１の実施例の最終断面図、第２図は最初の断面図
、第３図は第１の実施例において最初のエツチングをし
た状態を示す断面図、第４図は第３図に対して被エツチ
ング層にのみ保護膜を形成した状態を示す断面図、第５
図は第４図に対してスプレーエツチングをしている状態
を示す断面図、第６図は従来のプリント基板のパターン
形成方法の最終断面図、第７図は第２の実施例および第
３の実施例において最初のエツチングした状態を示す断
面図、第８図はネガタイプのフォトレジストを塗布した
断面図、第９図は第８図のフォトレジストを露光、現像
した後の断面図、第１０図はサイドエツチング部に耐エ
ツチング層を被覆した時の断面図、第１１図は第８図で
形成したフォトレジストを剥離した時の断面図、第１２
図は第１１図に対して２回目のエツチング処理した状態
を示す断面図、第１３図は第９図に対してエツチングレ
ジストを剥離した断面図、第１４図は耐エツチング層を
形成した断面図、第１５図は第１４図に対して、フォト
レジストを剥離した断面図、第１６図は第１５図に対し
て、２回目のエツチング処理した状態を示す断面図であ
る。 １・・・エツチングレジスト層、２・・・被エツチング
層。 ３・・・絶縁基材、 ４・・・サイドエツ
チング部。 ５・・・耐エツチング層、 ７・・・フォトレジス
ト層。 ８・・・耐エツチング層。 第１図 第２図 第３図 第５図 第６図 第７図
法の第１の実施例の最終断面図、第２図は最初の断面図
、第３図は第１の実施例において最初のエツチングをし
た状態を示す断面図、第４図は第３図に対して被エツチ
ング層にのみ保護膜を形成した状態を示す断面図、第５
図は第４図に対してスプレーエツチングをしている状態
を示す断面図、第６図は従来のプリント基板のパターン
形成方法の最終断面図、第７図は第２の実施例および第
３の実施例において最初のエツチングした状態を示す断
面図、第８図はネガタイプのフォトレジストを塗布した
断面図、第９図は第８図のフォトレジストを露光、現像
した後の断面図、第１０図はサイドエツチング部に耐エ
ツチング層を被覆した時の断面図、第１１図は第８図で
形成したフォトレジストを剥離した時の断面図、第１２
図は第１１図に対して２回目のエツチング処理した状態
を示す断面図、第１３図は第９図に対してエツチングレ
ジストを剥離した断面図、第１４図は耐エツチング層を
形成した断面図、第１５図は第１４図に対して、フォト
レジストを剥離した断面図、第１６図は第１５図に対し
て、２回目のエツチング処理した状態を示す断面図であ
る。 １・・・エツチングレジスト層、２・・・被エツチング
層。 ３・・・絶縁基材、 ４・・・サイドエツ
チング部。 ５・・・耐エツチング層、 ７・・・フォトレジス
ト層。 ８・・・耐エツチング層。 第１図 第２図 第３図 第５図 第６図 第７図
Claims (1)
- １、プリント基板のパターン形成方法において、エッチ
ングを被エッチング層の厚さの中間部まで行つて一旦中
止し、サイドエッチング部に耐エッチング層を被覆した
後、エッチングを被エッチング層の底部まで行うことを
特徴とするプリント基板のパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30104086A JPS63153889A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | プリント基板のパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30104086A JPS63153889A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | プリント基板のパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63153889A true JPS63153889A (ja) | 1988-06-27 |
Family
ID=17892132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30104086A Pending JPS63153889A (ja) | 1986-12-17 | 1986-12-17 | プリント基板のパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63153889A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5707037A (en) * | 1995-12-22 | 1998-01-13 | County Line Limited, L.L.C. | Tree stand |
| US5858257A (en) * | 1995-11-28 | 1999-01-12 | International Business Machines Corporation | Method for wet etching and device used therein |
| JP2007023338A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 金属板パターン及び回路基板の形成方法 |
| JP2007051336A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 金属板パターン及び回路基板の形成方法 |
| JP2007063655A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Toyo Aluminium Kk | エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 |
| JP2010521587A (ja) * | 2007-03-13 | 2010-06-24 | テッセラ，インコーポレイテッド | 微細ピッチのマイクロ接点及びその成形方法 |
| US9633971B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-04-25 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| JP2019125709A (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置 |
| US10535626B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-01-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| CN113194621A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-07-30 | 湖南好易佳电路板有限公司 | 一种电路板精细线宽/间隙多次光刻-蚀刻的加工方法 |
| US11973056B2 (en) | 2016-10-27 | 2024-04-30 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Methods for low temperature bonding using nanoparticles |
-
1986
- 1986-12-17 JP JP30104086A patent/JPS63153889A/ja active Pending
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5858257A (en) * | 1995-11-28 | 1999-01-12 | International Business Machines Corporation | Method for wet etching and device used therein |
| US5707037A (en) * | 1995-12-22 | 1998-01-13 | County Line Limited, L.L.C. | Tree stand |
| JP2007023338A (ja) * | 2005-07-15 | 2007-02-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 金属板パターン及び回路基板の形成方法 |
| JP2007051336A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 金属板パターン及び回路基板の形成方法 |
| JP2007063655A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Toyo Aluminium Kk | エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 |
| JP4606277B2 (ja) * | 2005-09-02 | 2011-01-05 | 東洋アルミニウム株式会社 | エッチング用金属箔積層体及びエッチド金属箔の製造方法 |
| JP2010521587A (ja) * | 2007-03-13 | 2010-06-24 | テッセラ，インコーポレイテッド | 微細ピッチのマイクロ接点及びその成形方法 |
| US9818713B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-11-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US9633971B2 (en) | 2015-07-10 | 2017-04-25 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US10535626B2 (en) | 2015-07-10 | 2020-01-14 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US10886250B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-05 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US10892246B2 (en) | 2015-07-10 | 2021-01-12 | Invensas Corporation | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US11710718B2 (en) | 2015-07-10 | 2023-07-25 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Structures and methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US11973056B2 (en) | 2016-10-27 | 2024-04-30 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Methods for low temperature bonding using nanoparticles |
| US12027487B2 (en) | 2016-10-27 | 2024-07-02 | Adeia Semiconductor Technologies Llc | Structures for low temperature bonding using nanoparticles |
| JP2019125709A (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板及びその製造方法と電子部品装置 |
| CN113194621A (zh) * | 2021-05-13 | 2021-07-30 | 湖南好易佳电路板有限公司 | 一种电路板精细线宽/间隙多次光刻-蚀刻的加工方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63153889A (ja) | プリント基板のパタ−ン形成方法 | |
| KR20080030396A (ko) | 등방성 에칭을 이용한 미세 패턴 형성방법 | |
| JP3186256B2 (ja) | Ｔａｂ用フレキシブル回路基板の製造方法 | |
| EP0088869B1 (en) | Thin film techniques for fabricating narrow track ferrite heads | |
| JP2004221450A (ja) | プリント配線板およびその製造方法 | |
| JP2002076575A (ja) | 半導体装置用基板の製造方法 | |
| JP3395222B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP3804534B2 (ja) | リードフレームの製造方法 | |
| JPH1115150A (ja) | 多層構造を有するドライフィルムレジスト | |
| JP3493671B2 (ja) | フィルム配線基板の製造方法 | |
| JPH01188700A (ja) | 高密度パターン形成方法 | |
| JPS63255995A (ja) | 高密度パタ−ン形成方法 | |
| GB2230871A (en) | Making metal patterns. | |
| JPH0353587A (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
| JPH04258194A (ja) | プリント配線板とその製造方法 | |
| JPS61139089A (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JP2005264283A (ja) | 金属エッチング製品及びその製造方法 | |
| JPH06132629A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2004063643A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JPH04326588A (ja) | 印刷配線板の製造方法 | |
| JP2903268B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
| JP2518249B2 (ja) | スル−ホ−ル基板の製法 | |
| JPH05327179A (ja) | プリント配線基板の製造方法 | |
| JP2001226785A (ja) | パターニング方法、薄膜デバイスの製造方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JP2517277B2 (ja) | プリント配線板の製造方法 |