TWI827303B - 發光元件基板 - Google Patents
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Abstract
一種發光元件基板包括暫時基板、多個發光元件、黏著層及遮光圖案層。這些發光元件設置在暫時基板上。黏著層連接暫時基板與這些發光元件。遮光圖案層設置在暫時基板上，且具有多個開口。這些發光元件分別對應這些開口設置。
Description
本發明是有關於一種元件基板，且特別是有關於一種發光元件基板。
近年來，微型發光二極體顯示器除了具備高色彩飽和度、應答速度快及高對比的優勢外，相較於有機發光二極體顯示器，還具有較低能耗、材料使用壽命較長等優點，因此吸引了許多市場投資。
為了取得較低的生產成本與較大的產品設計裕度，微型發光二極體顯示器的製造技術係採用晶粒轉移製程。具體來說，晶粒製造商需先將客戶所需的微型發光二極體晶粒製作（或放置）在暫時基板上，客戶再依據不同的應用需求將存放在暫時基板上的微型發光二極體晶粒轉移至不同產品的驅動電路板上。
然而，在晶粒的熱接合過程中所產生的熱能容易讓暫時基板上的黏著層發生翹曲而使晶粒的接合位置發生不可預期的偏移，並造成接合良率下降。
本發明提供一種發光元件基板，其接合良率較高。
本發明的發光元件基板，包括暫時基板、多個發光元件、黏著層及遮光圖案層。這些發光元件設置在暫時基板上。黏著層連接暫時基板與這些發光元件。遮光圖案層設置在暫時基板上，且具有多個開口。這些發光元件分別對應這些開口設置。
基於上述，在本發明的一實施例的發光元件基板中，多個發光元件經由黏著層暫時性地吸附在暫時基板上，且這些發光元件適於接合至一目標基板（例如電路板）上。在接合過程中，設置在暫時基板上的遮光圖案層遮擋了未設有發光元件的部分區域，大幅降低雷射光束照射到非接合區的機會。因此，可避免黏著層在發光元件的接合過程中接收到過多的熱能而發生翹曲，進而提升發光元件在目標基板上的接合精確度，並且有效改善發光元件的接合位置因黏著層翹曲而產生不規律偏移的現象。
本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依量測性質、切割性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」可為二元件間存在其它元件。
此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件的「下」側的元件將被定向在其它元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「上面」或「下面」可以包括上方和下方的取向。
本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或（and/or）公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制申請專利範圍。
現將詳細地參考本發明的示範性實施方式，示範性實施方式的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1是依照本發明的第一實施例的發光元件基板的俯視示意圖。圖2是圖1的發光元件基板的剖視示意圖。圖3A至圖3C是圖1的多個發光元件與電路板的接合流程的剖視示意圖。圖4是圖1中黏著層的穿透率對波長的分布圖。圖5是圖2的另一變形實施例的發光元件基板的剖視示意圖。為清楚呈現，圖1省略了圖2的黏著層120的繪示。
請參照圖1及圖2，發光元件基板10包括暫時基板100、多個發光元件110和黏著層120。這些發光元件110設置在暫時基板100上。在本實施例中，這些發光元件110可以排列成多個轉移單元TU。發光元件110例如是微型發光二極體（micro light emitting diode，micro-LED），且可包括磊晶結構層ES、第一電極E1和第二電極E2，其中磊晶結構層ES例如至少是第一型半導體層（未繪示）、發光層（未繪示）與第二型半導體層（未繪示）的層疊結構，且第一電極E1和第二電極E2分別電性連接第一型半導體層和第二型半導體層。
舉例來說，這些發光元件110包括多個發光元件111、多個發光元件112和多個發光元件113，且每一個轉移單元TU都設有一個發光元件111、一個發光元件112和一個發光元件113，但不以此為限。發光元件111、發光元件112和發光元件113可分別發出不同色光，例如紅光、綠光和藍光。亦即，本實施例的轉移單元TU在轉置到驅動電路板上後可構成顯示面板的一個顯示畫素。然而，本發明不限於此。在其他未繪示的實施例中，轉移單元TU內的發光元件110數量和發光顏色種類當可根據實際應用而調整。
另一方面，黏著層120設置在多個發光元件110與暫時基板100之間，並且連接這些發光元件110與暫時基板100。更具體地說，這些發光元件110是藉由黏著層120的黏取而附著在暫時基板100上。黏著層120的材料包括壓克力膠（Acrylic gel）、聚氨酯（PU）、環氧樹脂（Epoxy resin）、矽膠、或其他具有黏著性的有機材料。
特別注意的是，發光元件基板10還包括設置在暫時基板100上的遮光圖案層150。遮光圖案層150的材料可包括鉻、鉬、氮化鉬（MoN
x）、鈦、氮化鈦（TiN
x）、或其他具有抗紅外光穿透能力的金屬或多層膜。在本實施例中，暫時基板100具有相背離的表面100s1和表面100s2，其中多個發光元件110和黏著層120設置在暫時基板100的表面100s1上，而遮光圖案層150設置在暫時基板100的表面100s2上。然而，本發明不限於此。在另一變形實施例中，發光元件基板10A的遮光圖案層150A可設置在暫時基板100的表面100s1上，並且被黏著層120所覆蓋（如圖5所示）。在另一未繪示的實施例中，遮光圖案層也可形成在另一基板上，且該另一基板與暫時基板100重疊設置。
遮光圖案層150具有重疊多個發光元件110設置的多個開口OP。遮光圖案層150的多個開口OP分別對應多個轉移單元TU設置。更具體地說，每一個開口OP重疊於發光元件111、發光元件112和發光元件113。特別說明的是，在利用本實施例的發光元件基板10進行發光元件110與目標基板的接合製程中，遮光圖案層150的配置是用來定義接合時雷射光束在暫時基板100和目標基板上的可照射區域。
以下將針對發光元件基板10與電路板200（即目標基板）的接合製程進行示範性地說明。
請參照圖3A，首先，將發光元件基板10與電路板200進行對位，其中發光元件基板10上的多個發光元件110是朝向電路板200的多個接合墊擺放。在本實施例中，多個接合墊例如包括多個第一接合墊BP1與多個第二接合墊BP2，其中相鄰排列的一個第一接合墊BP1和一個第二接合墊BP2可組成用來接合一個發光元件110的接合墊組，但不以此為限。
舉例來說，在接合製程中，可將圖2的發光元件基板10進行反轉以形成圖3A中的擺設方式。然而，本發明不限於此。在其他實施例中，也可以是電路板200進行翻轉，使其上的接合墊與發光元件基板10上的發光元件110相向設置。對位後，令發光元件基板10靠近電路板200，使發光元件基板10上的多個發光元件110分別接觸電路板200上的多個接墊組（即第一接合墊BP1和第二接合墊BP2）。
接著，進行一雷射加熱步驟，如圖3B所示。舉例來說，在本實施例中，進行此步驟所使用的雷射光源300發出的雷射光束LB可以是紅外光雷射（infrared laser），但不以此為限。具紅外光波段的雷射光束LB在通過發光元件基板10後對發光元件110的電極與接合墊的區域進行加熱。為了減少雷射光束LB通過發光元件基板10後的光能損耗，黏著層120在紅外光波段需具備較佳的穿透率。如圖4所示，本實施例的黏著層120對於波長大於950nm的光線（即紅外光）的穿透率可大於98%。特別說明的是，此處的穿透率例如是黏著層120對於波長大於950nm且具有不同波長的光線的穿透率的平均值。
從另一觀點來說，黏著層120對於雷射光束LB具有較高的穿透率，還可避免雷射光束LB被黏著層120吸收而產生足以讓黏著層120發生翹曲的熱能。因此，可確保發光元件110在電路板200上的接合位置不會因黏著層120翹曲而發生偏移的現象，有助於確保發光元件110在電路板200上的接合精確度。
請參照圖3B，在本實施例中，雷射光源300可沿著至少一方向（例如方向X）對發光元件基板10與電路板200的相接處進行掃描式的加熱，讓依序被照射到的發光元件110的第一電極E1和第二電極E2能分別與第一接合墊BP1和第二接合墊BP2穩固地接合。特別注意的是，在雷射光束LB掃描加熱的過程中，遮光圖案層150的設置，可避免未設有發光元件110和接合墊的至少部分區域（即非接合區）被雷射光束LB照射。因此，可大幅降低在接合製程中，於非接合區所產生的熱能，進而避免黏著層120發生翹曲而影響鄰近發光元件110的接合精確度。
在雷射加熱步驟完成後，令暫時基板100遠離電路板200，如圖3C所示。由於發光元件110與相重疊的接合墊在雷射加熱製程後形成了穩固的接合關係，當暫時基板100遠離電路板200時，發光元件110會脫離暫時基板100上的黏著層120而留在電路板200上。舉例來說，在本實施例中，多個發光元件110在被轉移並接合至電路板200上後可形成一顯示面板，但不以此為限。
請參照圖1，在本實施例中，重疊於同一個開口OP的發光元件111、發光元件112和發光元件113可沿著方向X（即第一方向）依序排列，且重疊於不同開口OP的多個發光元件110分別沿著方向X和方向Y（即第二方向）間隔排列。舉例來說，重疊於不同開口OP的多個發光元件111可以第一節距P1沿著方向X間隔排列，並且以第二節距P2沿著方向Y間隔排列，其中方向X垂直於方向Y。重疊於不同開口OP的多個發光元件112或多個發光元件113也是以相似的方式進行排列，便不再贅述。
另一方面，遮光圖案層150還具有定義開口OP的開口邊緣OPe。多個發光元件111（即第一發光元件）各自與相重疊的開口OP的開口邊緣OPe沿著方向X和方向Y分別具有第一最短距離d1和第二最短距離d2。多個發光元件112（即第三發光元件）各自與相重疊的開口OP的開口邊緣OPe沿著方向X和方向Y分別具有第三最短距離d3和第二最短距離d2。多個發光元件113（即第二發光元件）各自與相重疊的開口OP的開口邊緣OPe沿著方向X和方向Y分別具有第一最短距離d1和第二最短距離d2。
在本實施例中，第一最短距離d1可等於第二最短距離d2，且第二最短距離d2不等於第三最短距離d3。特別說明的是，為了避免雷射光束LB（如圖3B所示）在通過遮光圖案層150的多個開口OP後發生繞射現象而有部分光束照射到遮光圖案層150欲遮擋的區域，遮光圖案層150的開口OP的開口面積對第一節距P1和第二節距P2的乘積值的百分比值較佳地要大於3%且小於46%。從另一觀點來說，透過上述對遮光圖案層150的開口OP大小的進一步界定，還能避免電路板200上位在遮光圖案層150的開口OP區以外的電路元件受到雷射光束LB的繞射分量的照射而影響其電性或損傷。
以下將列舉另一些實施例以詳細說明本發明，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。
圖6是依照本發明的第二實施例的發光元件基板的俯視示意圖。圖7是圖6的另一種變形實施例的發光元件基板的俯視示意圖。請參照圖7，本實施例的發光元件基板11與圖1的發光元件基板10的差異在於：同一開口內的多個發光元件的排列方式不同。具體而言，在本實施例中，發光元件112A（即第三發光元件）與發光元件113（即第二發光元件）是沿著方向Y（即第二方向）排列。也就是說，重疊於遮光圖案層150B的同一個開口OP-A的發光元件111、發光元件112A和發光元件113並非沿著單一方向排成一列或一行。然而，本發明不限於此。在另一實施例中，發光元件基板11A的發光元件112B沿著方向X和方向Y上都錯位於發光元件111和發光元件113（如圖7所示），例如呈現三角排列。
在本實施例中，多個發光元件111（即第一發光元件）各自與相重疊的開口OP-A的開口邊緣OPe-A沿著方向X和方向Y分別具有第一最短距離d1’和第二最短距離d2’。多個發光元件112A（即第三發光元件）各自與相重疊的開口OP-A的開口邊緣OPe-A沿著方向X和方向Y分別具有第一最短距離d1’和第二最短距離d2’。多個發光元件113（即第二發光元件）各自與相重疊的開口OP-A的開口邊緣OPe-A沿著方向X和方向Y分別具有第一最短距離d1’和第二最短距離d2’。第一最短距離d1’可等於第二最短距離d2’。
為了避免雷射光束在通過遮光圖案層150B的多個開口OP-A後發生繞射現象而有部分光束照射到遮光圖案層150B欲遮擋的區域，遮光圖案層150B的開口OP-A的開口面積對第一節距P1和第二節距P2的乘積值的百分比值較佳地要大於4%且小於66%。從另一觀點來說，透過上述對遮光圖案層150B的開口OP-A大小的進一步界定，還能避免電路板（如圖3B的電路板200）上位在遮光圖案層150B的開口OP-A區以外的電路元件受到雷射光束的繞射分量的照射而影響其電性或損傷。
圖8是依照本發明的第三實施例的發光元件基板的俯視示意圖。請參照圖8，本實施例的發光元件基板10B與圖1的發光元件基板10的差異在於：遮光圖案層的開口配置不同。具體而言，在本實施例中，重疊於遮光圖案層150C的同一開口OP-B的發光元件111和發光元件113各自與開口邊緣OPe-B沿著方向X（即第一方向）的第一最短距離d1不等於發光元件111、發光元件112和發光元件113各自與開口邊緣OPe-B沿著方向Y（即第二方向）的第二最短距離d2”，且發光元件113與開口邊緣OPe-B沿著方向X的第三最短距離d3不等於第二最短距離d2”。
為了避免雷射光束在通過遮光圖案層150C的多個開口OP-B後發生繞射現象而有部分光束照射到遮光圖案層150C欲遮擋的區域，遮光圖案層150C的開口OP-B的開口面積對第一節距P1和第二節距P2的乘積值的百分比值較佳地要大於3%且小於73%。從另一觀點來說，透過上述對遮光圖案層150C的開口OP-B大小的進一步界定，還能避免電路板（如圖3B的電路板200）上位在遮光圖案層150C的開口OP-B區以外的電路元件受到雷射光束的繞射分量的照射而影響其電性或損傷。
圖9是依照本發明的第四實施例的發光元件基板的俯視示意圖。請參照圖9，本實施例的發光元件基板11B與圖6的發光元件基板11的差異在於：遮光圖案層的開口配置不同。具體而言，在本實施例中，重疊於遮光圖案層150C的同一開口OP-B的發光元件111、發光元件112和發光元件113各自與開口邊緣OPe-B沿著方向X（即第一方向）的第一最短距離d1’不等於其沿著方向Y（即第二方向）的第二最短距離d2a。
為了避免雷射光束在通過遮光圖案層150C的多個開口OP-B後發生繞射現象而有部分光束照射到遮光圖案層150C欲遮擋的區域，遮光圖案層150C的開口OP-B的開口面積對第一節距P1和第二節距P2的乘積值的百分比值較佳地要大於4%且小於73%。從另一觀點來說，透過上述對遮光圖案層150C的開口OP-B大小的進一步界定，還能避免電路板（如圖3B的電路板200）上位在遮光圖案層150C的開口OP-B區以外的電路元件受到雷射光束的繞射分量的照射而影響其電性或損傷。
圖10是圖9的另一種變形實施例的發光元件基板的俯視示意圖。圖11是圖1的另一種變形實施例的發光元件基板的俯視示意圖。請參照圖10，不同於圖9的遮光圖案層150C的開口OP-B在暫時基板100上的正投影輪廓為矩形，本實施例的發光元件基板12的遮光圖案層150D的開口OP-C在暫時基板100上的正投影輪廓為圓形，但不以此為限。在另一實施例中，發光元件基板13的遮光圖案層150E的開口OP-D在暫時基板100上的正投影輪廓為橢圓形。
特別說明的是，在相同的開口面積下，遮光圖案層的開口輪廓若為圓形（如圖10的開口OP-C）或橢圓形（如圖11的開口OP-D），相較於開口輪廓為矩形的遮光圖案層（如圖9的遮光圖案層150C）來說，對於雷射光束的繞射效應可具有更好的抑制效果。
綜上所述，在本發明的一實施例的發光元件基板中，多個發光元件經由黏著層暫時性地吸附在暫時基板上，且這些發光元件適於接合至一目標基板（例如電路板）上。在接合過程中，設置在暫時基板上的遮光圖案層遮擋了未設有發光元件的部分區域，大幅降低雷射光束照射到非接合區的機會。因此，可避免黏著層在發光元件的接合過程中接收到過多的熱能而發生翹曲，進而提升發光元件在目標基板上的接合精確度，並且有效改善發光元件的接合位置因黏著層翹曲而產生不規律偏移的現象。
10、10A、10B、11、11A、11B、12、13:發光元件基板
100:暫時基板
100s1、100s2:表面
110、111、112、113、112A、112B:發光元件
120:黏著層
150、150A、150B、150C、150D、150E:遮光圖案層
200:電路板
300:雷射光源
BP1、BP2:接合墊
d1、d1’:第一最短距離
d2、d2’、d2”、d2a:第二最短距離
d3:第三最短距離
E1:第一電極
E2:第二電極
ES:磊晶結構層
LB:雷射光束
OP、OP-A、OP-B、OP-C、OP-D:開口
OPe、OPe-A、OPe-B:開口邊緣
P1:第一節距
P2:第二節距
TU:轉移單元
X、Y:方向
圖1是依照本發明的第一實施例的發光元件基板的俯視示意圖。
圖2是圖1的發光元件基板的剖視示意圖。
圖3A至圖3C是圖1的多個發光元件與電路板的接合流程的剖視示意圖。
圖4是圖1中黏著層的穿透率對波長的分布圖。
圖5是圖2的另一變形實施例的發光元件基板的剖視示意圖。
圖6是依照本發明的第二實施例的發光元件基板的俯視示意圖。
圖7是圖6的另一種變形實施例的發光元件基板的俯視示意圖。
圖8是依照本發明的第三實施例的發光元件基板的俯視示意圖。
圖9是依照本發明的第四實施例的發光元件基板的俯視示意圖。
圖10是圖9的另一種變形實施例的發光元件基板的俯視示意圖。
圖11是圖1的另一種變形實施例的發光元件基板的俯視示意圖。
10:發光元件基板
100:暫時基板
100s1、100s2:表面
110、111、112、113:發光元件
120:黏著層
150:遮光圖案層
E1:第一電極
E2:第二電極
ES:磊晶結構層
OP:開口
TU:轉移單元
Claims (10)
- 一種發光元件基板，包括：一暫時基板；多個發光元件，設置在該暫時基板的一表面上；一黏著層，連接該暫時基板與該些發光元件；以及一遮光圖案層，設置在該暫時基板上，且具有多個開口，其中該些發光元件分別對應該些開口設置，且該黏著層沿著該暫時基板的該表面的法線方向位在該些發光元件與該遮光圖案層之間。
- 如請求項1所述的發光元件基板，其中該黏著層的材料為有機材料。
- 如請求項1所述的發光元件基板，其中該遮光圖案層設置在該暫時基板設有該黏著層的一側表面。
- 如請求項1所述的發光元件基板，其中該遮光圖案層設置在該暫時基板背離該黏著層的一側表面。
- 如請求項1所述的發光元件基板，其中該遮光圖案層的各該些開口重疊於該些發光元件的一第一發光元件、一第二發光元件與一第三發光元件，分別重疊於該些開口的多個該第一發光元件以一第一節距沿著一第一方向間隔排列，並且以一第二節距沿著一第二方向間隔排列，該第一方向垂直於該第二方向，重疊於各該些開口的該第一發光元件、該第二發光元件與該第三發光元件沿著該第一方向依序排列，該遮光圖案層還具有定義各 該些開口的一開口邊緣，各該些第一發光元件與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有一第一最短距離與一第二最短距離，多個該第二發光元件各自與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有該第一最短距離與該第二最短距離，多個該第三發光元件各自與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有一第三最短距離與該第二最短距離，該第一最短距離等於該第二最短距離，該第三最短距離不等於該第二最短距離，其中該遮光圖案層的各該些開口的開口面積對該第一節距與該第二節距的乘積值的百分比值大於3%且小於46%。
- 如請求項1所述的發光元件基板，其中該遮光圖案層的各該些開口重疊於該些發光元件的一第一發光元件、一第二發光元件與一第三發光元件，分別重疊於該些開口的多個該第一發光元件以一第一節距沿著一第一方向間隔排列，並且以一第二節距沿著一第二方向間隔排列，該第一方向垂直於該第二方向，重疊於各該些開口的該第一發光元件與該第三發光元件沿著該第一方向排列，重疊於各該些開口的該第二發光元件與該第三發光元件沿著該第二方向排列，該遮光圖案層還具有定義各該些開口的一開口邊緣，各該些第一發光元件與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有一第一最短距離與一第二最短距離，多個該第二發光元件各自與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有該第一最短 距離與該第二最短距離，多個該第三發光元件各自與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有該第一最短距離與該第二最短距離，該第一最短距離等於該第二最短距離，其中該遮光圖案層的各該些開口的開口面積對該第一節距與該第二節距的乘積值的百分比值大於4%且小於66%。
- 如請求項1所述的發光元件基板，其中該遮光圖案層的各該些開口重疊於該些發光元件的一第一發光元件、一第二發光元件與一第三發光元件，分別重疊於該些開口的多個該第一發光元件以一第一節距沿著一第一方向間隔排列，並且以一第二節距沿著一第二方向間隔排列，該第一方向垂直於該第二方向，重疊於各該些開口的該第一發光元件、該第二發光元件與該第三發光元件沿著該第一方向依序排列，該遮光圖案層還具有定義各該些開口的一開口邊緣，各該些第一發光元件與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有一第一最短距離與一第二最短距離，多個該第二發光元件各自與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有該第一最短距離與該第二最短距離，多個該第三發光元件各自與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有一第三最短距離與該第二最短距離，該第一最短距離不等於該第二最短距離，該第三最短距離不等於該第二最短距離，其中該遮光圖案層的各該些開口的開口面積對該第一節距與 該第二節距的乘積值的百分比值大於3%且小於73%。
- 如請求項1所述的發光元件基板，其中該遮光圖案層的各該些開口重疊於該些發光元件的一第一發光元件、一第二發光元件與一第三發光元件，分別重疊於該些開口的多個該第一發光元件以一第一節距沿著一第一方向間隔排列，並且以一第二節距沿著一第二方向間隔排列，該第一方向垂直於該第二方向，重疊於各該些開口的該第一發光元件與該第三發光元件沿著該第一方向排列，重疊於各該些開口的該第二發光元件與該第三發光元件沿著該第二方向排列，該遮光圖案層還具有定義各該些開口的一開口邊緣，各該些第一發光元件與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有一第一最短距離與一第二最短距離，多個該第二發光元件各自與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有該第一最短距離與該第二最短距離，多個該第三發光元件各自與相重疊的一該開口的該開口邊緣沿著該第一方向與該第二方向分別具有該第一最短距離與該第二最短距離，該第一最短距離不等於該第二最短距離，其中該遮光圖案層的各該些開口的開口面積對該第一節距與該第二節距的乘積值的百分比值大於4%且小於73%。
- 如請求項1所述的發光元件基板，其中該黏著層對於波長大於950nm的光線的穿透率大於98%。
- 如請求項1所述的發光元件基板，其中該遮光圖案層的各該些開口在該暫時基板上的正投影輪廓為圓形或橢圓形。
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