TWI670784B

TWI670784B - 真空吸取裝置

Info

Publication number: TWI670784B
Application number: TW106108614A
Authority: TW
Inventors: 吳炳昇; 吳昭文; 王宗仁
Original assignee: 啟端光電股份有限公司; 奇景光電股份有限公司
Priority date: 2016-10-05
Filing date: 2017-03-15
Publication date: 2019-09-01
Also published as: TW201824425A

Abstract

一種真空吸取裝置包含：半導體基板，其頂部具複數溝槽，且其底部具複數通孔，其中每ㄧ溝槽連通且相應於至少一通孔，溝槽的寬度大於通孔的寬度；及蓋板，設於半導體基板的頂面。真空吸取裝置的至少一側邊設有真空室，連通於該些溝槽。在另一實施例中，真空蓋取代蓋板，設於半導體基板上方，與半導體基板之間形成真空室。

Description

真空吸取裝置

本發明係有關一種真空吸取（vacuum suction）裝置，特別是關於一種用以轉移微發光二極體（microLED）的真空吸取裝置。

微發光二極體（microLED、mLED或μLED）顯示面板為平板顯示器（flat panel display）的一種，其係由尺寸等級為1~10微米之個別精微（microscopic）發光二極體所組成。相較於傳統液晶顯示面板，微發光二極體顯示面板具較大對比度及較快反應時間，且消耗較少功率。微發光二極體與有機發光二極體（OLED）雖然同樣具有低功耗的特性，但是，微發光二極體因為使用三-五族二極體技術（例如氮化鎵），因此相較於有機發光二極體具有較高的亮度（brightness）、較高的發光效能（luminous efficacy）及較長的壽命。

於製造微發光二極體顯示面板時，需要藉由磁力或真空吸力，以吸取個別的微發光二極體並轉移至顯示面板。以真空吸取裝置為例，真空吸嘴（suction nozzle）的高度與內徑的比值必須小於一臨界數值，才能確保吸取能力。由於微發光二極體的尺寸極小，需要內徑極小的真空吸嘴，使得真空吸嘴的高度（或厚度）也需跟著變小。因此，於操作時容易造成真空吸取裝置的變形而降低吸取效率，甚至造成真空吸取裝置的破裂。

因此亟需提出一種新穎的真空吸取裝置，以增強吸取效率並強化堅固性與可靠度。

鑑於上述，本發明實施例的目的之一在於提出一種真空吸取裝置，於操作時具可擴縮性，具增強的真空吸取能力以提高吸取效率，且能強化堅固性與可靠度。

根據本發明實施例，真空吸取裝置包含半導體基板及蓋板。半導體基板的頂部具複數溝槽，且其底部具複數通孔，其中每ㄧ溝槽連通且相應於至少一通孔，溝槽的寬度大於通孔的寬度。蓋板設於半導體基板的頂面。真空吸取裝置的至少一側邊設有真空室，連通於該些溝槽。在一實施例中，該些溝槽為連續溝槽，呈縱向排列，每ㄧ連續溝槽連通且相應於複數通孔。真空室垂直於該些連續溝槽的方向，且直接與該些連續溝槽直接連通。在另一實施例中，該些溝槽為非連續溝槽，呈矩陣排列，每ㄧ非連續溝槽連通且相應於一通孔。通道連通於相鄰的該非連續溝槽之間，真空室藉由通道而連通於該些非連續溝槽。

根據本發明另一實施例，真空吸取裝置包含半導體基板及真空蓋。半導體基板的頂部具複數第一溝槽，且其底部具複數通孔，其中每ㄧ第一溝槽連通且相應於至少一通孔，且第一溝槽的寬度大於通孔的寬度。真空蓋設於半導體基板上方，與半導體基板之間形成真空室。

第一A圖顯示本發明第一實施例之真空吸取（vacuum suction）裝置100的俯視圖，第一B圖顯示第一A圖之真空吸取裝置100的仰視圖，第一C圖顯示第一A圖之真空吸取裝置100的側視圖。本實施例之真空吸取裝置100可用以吸取微元件（miniature device），例如微發光二極體（microLED）。以微發光二極體為例，真空吸取裝置100可用以吸取微發光二極體（未顯示於圖式），再將微發光二極體轉移（transfer）接合至基板上，因而形成微發光二極體顯示面板。在本說明書中，微發光二極體的尺寸等級為1~10微米。然而，會因產品的應用領域或將來技術的發展而更小。

在本實施例中，真空吸取裝置100包含半導體基板11，例如矽晶圓（Si wafer）。真空吸取裝置100還包含蓋板12，設於半導體基板11的頂面。本實施例之蓋板12可包含矽晶圓、玻璃或藍寶石（sapphire），但不限定於此。例如，蓋板12的底面黏合於半導體基板11的頂面。第一A/一B圖所示的真空吸取裝置100係從晶圓裁切出來，然而在其他實施例中，並未裁切出真空吸取裝置100，而是和晶圓整合在一起。

根據本實施例的特徵之一，半導體基板11的頂部（亦即靠近頂面的部分）具複數連續溝槽（continuous groove）101。如第一A圖所例示，該些連續溝槽101呈縱向排列。如第一B圖所例示，半導體基板11的底部（亦即靠近底面的部分）具複數通孔（through hole）102，每ㄧ連續溝槽101連通且相應於複數通孔102，連續溝槽101的寬度遠大於通孔102的寬度。該些通孔102的位置分別相應於所要進行轉移的微元件，亦即，通孔102的間距（pitch）相同於轉移後之微元件的間距。再者，通孔102於半導體基板11的底面的開口尺寸小於微元件的尺寸，以達到氣密。在一例子中，通孔102的內徑小於10微米，而連續溝槽101的橫向寬度小於100微米。為簡化說明起見，圖式僅顯示出一些連續溝槽101與通孔102。雖然第一B圖所例示之通孔102於半導體基板11的底面的開口形狀為圓形，但不限定於此。

第二A圖顯示沿第一B圖之剖面線2A-2A’的橫向（lateral）剖視圖，該剖面線2A-2A’垂直於連續溝槽101的方向且穿過通孔102。在第二A圖所示的較佳實施例中，連續溝槽101具有V形橫向剖面，亦即，愈靠近半導體基板11的頂面則連續溝槽101的寬度愈大。然而在其他例子中，連續溝槽101可具有U形剖面，亦即，連續溝槽101的寬度不因所處位置而有不同。於第二A圖所示的較佳實施例中，通孔102具有U形剖面，亦即，通孔102的尺寸不因所處位置而有不同。然而在其他例子中，通孔102可具有V形剖面，也可具倒V形剖面。

第二B圖顯示沿第一B圖之剖面線2B-2B’的橫向剖視圖。由於剖面線2B-2B’垂直於連續溝槽101的方向但未穿過通孔102，因此僅看到連續溝槽101的橫向剖面形狀，但未看到通孔102。第二C圖顯示沿第一B圖之剖面線2C-2C’的縱向（longitudinal）剖視圖。由於剖面線2C-2C’平行於連續溝槽101的方向且穿過通孔102，因此看到縱向的連續溝槽101，且看到通孔102。第二D圖顯示沿第一B圖之剖面線2D-2D’的橫向剖視圖。由於剖面線2D-2D’穿過連續溝槽101以外的區域，因此未能看到連續溝槽101與通孔102。

上述的連續溝槽101與通孔102可使用傳統半導體製程或微製程（microfabrication）技術來達到，例如非等向性（anisotropic）蝕刻，其蝕刻速率取決於晶面（crystal face）的方向。值得注意的是，本實施例的連續溝槽101與通孔102可從同一方向（例如從半導體基板11的頂面往下）依序形成。然而，也可以從不同方向（例如分別從半導體基板11的頂面與底面）來分別形成。

回到第一A/一B圖，於真空吸取裝置100的半導體基板11中，垂直於連續溝槽101方向的至少一個側邊設有真空室（chamber）103，直接連通於該些連續溝槽101。當真空泵（未顯示於圖式中）進行抽真空時，使得真空室103的壓力小於大氣壓力，因而得以吸取微元件。

如前所述，本實施例之真空吸取裝置100可用以將微發光二極體轉移至顯示面板。因此，第一B圖所示通孔102的間距可根據轉移前微發光二極體的間距與顯示面板上的轉移後微發光二極體的間距來設計。第三A圖例示轉移前的微發光二極體31，第三B圖例示真空吸取裝置100的通孔102。在這個例子中，通孔102之間距為轉移前微發光二極體31之間距的二倍。如第三C圖所例示，真空吸取裝置100會吸取部分的微發光二極體31。經轉移後，如第三D圖例示，將真空吸取裝置100移位後，即可吸取其他的微發光二極體31。藉此，本實施例之真空吸取裝置100於操作時具可擴縮性（scalability）。

根據上述，本實施例使用不同尺寸與剖面形狀的連續溝槽101與通孔102。相較於傳統真空吸取裝置僅使用單一剖面形狀的通孔，本實施例具增強的真空吸取能力，因而得以提高吸取效率（efficiency）。

此外，根據上述，本實施例的真空室103設於真空吸取裝置100的側邊。相較於傳統真空吸取裝置的真空室設於上方或下方，容易造成真空吸取裝置的彎曲甚至破裂，本實施例的真空吸取裝置100因而得以強化堅固性（robustness）與可靠度（reliability）。

第四A圖顯示本發明第二實施例之真空吸取裝置400的俯視圖，第四B圖顯示第四A圖之真空吸取裝置400的仰視圖，第四C圖顯示第四A圖之真空吸取裝置400的側視圖。

在本實施例中，真空吸取裝置400包含半導體基板41，例如矽晶圓。真空吸取裝置400還包含蓋板42，例如玻璃蓋板，設於半導體基板41的頂面。例如，蓋板42的底面黏合於半導體基板41的頂面。第四A/四B圖所示的真空吸取裝置400係從晶圓裁切出來，然而在其他實施例中，並未裁切出真空吸取裝置400，而是和晶圓整合在一起。

根據本實施例的特徵之一，半導體基板41的頂部（亦即靠近頂面的部分）具複數非連續溝槽（discontinuous groove）401。如第四A圖所例示，該些非連續溝槽401呈矩陣排列。如第四B圖所例示，半導體基板41的底部（亦即靠近底面的部分）具複數通孔（through hole）402，每ㄧ非連續溝槽401連通且相應於一通孔402，非連續溝槽401的寬度遠大於通孔402的寬度。該些通孔402的位置分別相應於所要進行轉移的微元件，亦即，通孔402的間距相同於轉移後之微元件的間距。再者，通孔402於半導體基板41的底面的開口尺寸小於微元件的尺寸，以達到氣密。在一例子中，通孔402的內徑小於10微米，而非連續溝槽401的寬度小於100微米。為簡化說明起見，圖式僅顯示出一些非連續溝槽401與通孔402。雖然第四B圖所例示之通孔402於半導體基板41的底面的開口形狀為圓形，但不限定於此。

繼續參閱第四A圖，半導體基板41的頂部還具有複數通道（channel）404，連通於相鄰的非連續溝槽401之間。在本實施例中，該些通道404設於橫向與縱向，使得橫向與縱向的非連續溝槽401互相連通。在另一實施例中，該些通道404僅設於一個方向（例如縱向），使得縱向的非連續溝槽401互相連通，但是橫向的非連續溝槽401則互不連通。

第五A圖顯示沿第四A圖之剖面線5A-5A’的橫向剖視圖，該剖面線5A-5A’穿過非連續溝槽401、通道404與通孔402。在第五A圖所示的較佳實施例中，非連續溝槽401具有V形剖面，亦即，愈靠近半導體基板41的頂面則非連續溝槽401的寬度愈大。然而在其他例子中，非連續溝槽401可具有U形剖面，亦即，非連續溝槽401的寬度不因所處位置而有不同。於第五A圖所示的較佳實施例中，通孔402具有U形剖面，亦即，通孔402的尺寸不因所處位置而有不同。然而在其他例子中，通孔402可具有V形剖面，也可具倒V形剖面。如第五A圖所示，通道404的深度小於非連續溝槽401的深度。

第五B圖顯示沿第四A圖之剖面線5B-5B’的橫向剖視圖。由於剖面線5B-5B’穿過通道404，但未穿過通孔402與非連續溝槽401，因此僅看到通道404的橫向剖面形狀，但未看到通孔402與非連續溝槽401。第五B圖所示通道404的橫向剖面為V形，但在其他實施例中也可為其他形狀。第五C圖顯示沿第四A圖之剖面線5C-5C’的縱向剖視圖。由於剖面線5C-5C’穿過非連續溝槽401、通道404與通孔402，因此看到縱向的非連續溝槽401、通道404與通孔402。第五D圖顯示沿第四A圖之剖面線5D-5D’的橫向剖視圖。由於剖面線5D-5D’穿過非連續溝槽401與通道404以外的區域，因此未能看到非連續溝槽401、通道404與通孔402。

上述的非連續溝槽401、通道404與通孔402可使用傳統半導體製程或微製程技術來達到，例如非等向性蝕刻，其蝕刻速率取決於晶面的方向。值得注意的是，本實施例的通道404、非連續溝槽401與通孔402可從同一方向（例如從半導體基板41的頂面往下）依序形成。然而，也可以從不同方向（例如分別從半導體基板41的頂面與底面）來分別形成。

回到第四A/四B圖，於真空吸取裝置400的半導體基板41中，於至少一個側邊設有真空室403，藉由通道404而連通於該些非連續溝槽401。當真空泵（未顯示於圖式中）進行抽真空時，使得真空室403的壓力小於大氣壓力，因而得以吸取微元件。

第六A圖顯示本發明第三實施例之真空吸取裝置600的剖視圖。本實施例之真空吸取裝置600可用以吸取微元件，例如微發光二極體。

在本實施例中，真空吸取裝置600包含半導體基板61，例如矽晶圓。半導體基板61可從晶圓裁切出或者與晶圓整合在一起。半導體基板61的頂部（亦即靠近頂面的部分）具複數（第一）溝槽601，其可為第一實施例的連續溝槽101（第一A圖），或者為第二實施例的非連續溝槽401（第四A圖）。如第六A圖所例示，半導體基板61的底部（亦即靠近底面的部分）具複數通孔602，每ㄧ個（第一）溝槽601連通且相應於至少一通孔602，且（第一）溝槽601的寬度遠大於通孔602的寬度。該些通孔602的位置分別相應於所要進行轉移的微元件，亦即，通孔602的間距相同於轉移後之微元件的間距。再者，通孔602於半導體基板61的底面的開口尺寸小於微元件的尺寸，以達到氣密。在一例子中，通孔602的內徑小於10微米，而（第一）溝槽601的寬度小於100微米。為簡化說明起見，圖式僅顯示出一些（第一）溝槽601與通孔602。

本實施例之真空吸取裝置600還包含真空蓋62，設於半導體基板61上方。本實施例之真空蓋62可包含矽晶圓、玻璃或藍寶石（sapphire），但不限定於此。真空蓋62與半導體基板61之間形成真空室，且真空蓋的開口63可連接至真空泵（未顯示於圖式中）。當真空泵進行抽真空時，使得真空室的壓力小於大氣壓力，因而得以吸取微元件64。雖然圖示的開口63設於真空蓋62的頂部，但在其他實施例中，開口63也可設於真空蓋62的其他位置。

在一實施例中，真空吸取裝置600可包含至少一支柱65，設於真空蓋62的底面與半導體基板61的頂面之間，用以支撐真空蓋62，以避免真空蓋62於進行抽真空時造成倒塌。

在一實施例中，半導體基板61的底部可具複數第二溝槽603，位於相鄰通孔602之間。第二溝槽603的寬度大於微元件64的寬度。當真空吸取裝置600吸取微元件64並將其轉移至基板時，第二溝槽603可避免半導體基板61的底面碰觸到基板上其他已轉移的微元件。第二溝槽603可為連續溝槽，如第六B圖所示的仰視圖，其中連續的第二溝槽603縱向或/且橫向設於半導體基板61的底部。第二溝槽603也可為非連續溝槽，如第六C圖所示的仰視圖，其中非連續的第二溝槽603呈矩陣排列設於半導體基板61的底部。

上述的第一溝槽601、第二溝槽603與通孔602可使用傳統半導體製程或微製程技術來達到，例如非等向性蝕刻，其蝕刻速率取決於晶面的方向。值得注意的是，本實施例的第一溝槽601、第二溝槽603與通孔602可依任何順序依序或同時形成。

第六D圖顯示本發明第三實施例變化型之真空吸取裝置600的剖視圖。在本實施例中，形成一緩衝層66於半導體基板61的底面，例如使用塗佈技術。緩衝層66包含軟性材質，例如光阻。緩衝層66內具有第二溝槽603與通孔602。緩衝層66內通孔602的孔徑可相同或小於半導體基板61內通孔602的孔徑。相較於第六A圖，第六D圖所示的實施例若發生通孔602阻塞情形時，可以輕易更換緩衝層66，而非更換整個半導體基板61。

上述第二溝槽603可適用於本發明第一實施例。第七A圖顯示本發明第一實施例的橫向剖面圖，第二溝槽603位於相鄰通孔102之間，且第二溝槽603的寬度大於微元件的寬度。第二溝槽603可為連續溝槽，縱向或/且橫向設於半導體基板11的底部，類似於第六B圖所示的仰視圖。第二溝槽603也可為非連續溝槽，呈矩陣排列設於半導體基板41的底部，類似於第六C圖所示的仰視圖。第七B圖顯示本發明第一實施例變化型的橫向剖面圖。類似於第六D圖所示，在第七B圖所示實施例中，形成一緩衝層66於半導體基板11的底面。緩衝層66內具有第二溝槽603與通孔102。

上述第二溝槽603也可適用於本發明第二實施例。第八A圖顯示本發明第二實施例的橫向剖面圖，第二溝槽603位於相鄰通孔102之間，且第二溝槽603的寬度大於微元件的寬度。第二溝槽603可為連續溝槽，縱向或/且橫向設於半導體基板41的底部，類似於第六B圖所示的仰視圖。第二溝槽603也可為非連續溝槽，呈矩陣排列設於半導體基板41的底部，類似於第六C圖所示的仰視圖。第八B圖顯示本發明第二實施例變化型的橫向剖面圖。類似於第六D圖所示，在第八B圖所示實施例中，形成一緩衝層66於半導體基板41的底面。緩衝層66內具有第二溝槽603與通孔402。

以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用以限定本發明之申請專利範圍；凡其它未脫離發明所揭示之精神下所完成之等效改變或修飾，均應包含在下述之申請專利範圍內。

100‧‧‧真空吸取裝置

11‧‧‧半導體基板

12‧‧‧蓋板

31‧‧‧微發光二極體

101‧‧‧連續溝槽

102‧‧‧通孔

103‧‧‧真空室

400‧‧‧真空吸取裝置

41‧‧‧半導體基板

42‧‧‧蓋板

401‧‧‧非連續溝槽

402‧‧‧通孔

403‧‧‧真空室

404‧‧‧通道

600‧‧‧真空吸取裝置

61‧‧‧半導體基板

62‧‧‧真空蓋

63‧‧‧開口

64‧‧‧微元件

65‧‧‧支柱

66‧‧‧緩衝層

601‧‧‧第一溝槽

602‧‧‧通孔

603‧‧‧第二溝槽

第一A圖顯示本發明第一實施例之真空吸取裝置的俯視圖。第一B圖顯示第一A圖之真空吸取裝置的仰視圖。第一C圖顯示第一A圖之真空吸取裝置的側視圖。第二A圖至第二D圖顯示沿第一B圖之剖面線的剖視圖。第三A圖例示轉移前的微發光二極體。第三B圖例示真空吸取裝置的通孔。第三C圖至第三D圖例示真空吸取裝置吸取部分的微發光二極體。第四A圖顯示本發明第二實施例之真空吸取裝置的俯視圖。第四B圖顯示第四A圖之真空吸取裝置的仰視圖。第四C圖顯示第四A圖之真空吸取裝置的側視圖。第五A圖至第五D圖顯示沿第四A圖之剖面線的剖視圖。第六A圖顯示本發明第三實施例之真空吸取裝置的剖視圖。第六B圖顯示第六A圖之真空吸取裝置的仰視圖。第六C圖顯示第六A圖之真空吸取裝置的另一仰視圖。第六D圖顯示本發明第三實施例變化型之真空吸取裝置的剖視圖。第七A圖顯示本發明第一實施例的橫向剖面圖。第七B圖顯示本發明第一實施例變化型的橫向剖面圖。第八A圖顯示本發明第二實施例的橫向剖面圖。第八B圖顯示本發明第二實施例變化型的橫向剖面圖。

Claims

一種真空吸取裝置，包含：一半導體基板，其頂部具複數第一溝槽，且其底部具複數通孔，其中每一該第一溝槽連通且相應於至少一通孔，該第一溝槽的寬度大於該通孔的寬度；及一蓋板，設於該半導體基板的頂面；其中該真空吸取裝置的至少一側邊設有真空室，連通於該些第一溝槽；其中該半導體基板的底部具複數第二溝槽，位於相鄰通孔之間，該些第二溝槽的寬度大於微元件的寬度。
根據申請專利範圍第1項所述之真空吸取裝置，其中該半導體基板包含矽晶圓。
根據申請專利範圍第1項所述之真空吸取裝置，其中該些第一溝槽為連續溝槽，呈縱向排列，每一該連續溝槽連通且相應於複數通孔。
根據申請專利範圍第3項所述之真空吸取裝置，其中該連續溝槽具V形橫向剖面。
根據申請專利範圍第3項所述之真空吸取裝置，其中該真空室垂直於該些連續溝槽的方向，且直接與該些連續溝槽直接連通。
根據申請專利範圍第3項所述之真空吸取裝置，其中該通孔的內徑小於10微米，且該連續溝槽的橫向寬度小於100微米。
根據申請專利範圍第1項所述之真空吸取裝置，其中該些第一溝槽為非連續溝槽，呈矩陣排列，每一該非連續溝槽連通且相應於一通孔。
根據申請專利範圍第7項所述之真空吸取裝置，其中該非連續溝槽具V形剖面。
根據申請專利範圍第7項所述之真空吸取裝置，其中該通孔的內徑小於10微米，且該非連續溝槽的寬度小於100微米。
根據申請專利範圍第7項所述之真空吸取裝置，更包含複數通道，連通於相鄰的該非連續溝槽之間。
根據申請專利範圍第10項所述之真空吸取裝置，其中該些通道設於橫向與縱向，使得橫向與縱向的該些非連續溝槽互相連通。
根據申請專利範圍第10項所述之真空吸取裝置，其中該通道的深度小於該非連續溝槽的深度。
根據申請專利範圍第10項所述之真空吸取裝置，其中該通道具V形剖面。
根據申請專利範圍第10項所述之真空吸取裝置，其中該真空室藉由該通道而連通於該些非連續溝槽。
根據申請專利範圍第1項所述之真空吸取裝置，其中該些第二溝槽為連續溝槽，縱向或/且橫向設於該半導體基板的底部。
根據申請專利範圍第1項所述之真空吸取裝置，其中該些第二溝槽為非連續溝槽，呈矩陣排列設於該半導體基板的底部。
一種真空吸取裝置，包含：一半導體基板，其頂部具複數第一溝槽，且其底部具複數通孔，其中每一該第一溝槽連通且相應於至少一通孔，該第一溝槽的寬度大於該通孔的寬度；一蓋板，設於該半導體基板的頂面；其中該真空吸取裝置的至少一側邊設有真空室，連通於該些第一溝槽；及一緩衝層，形成於該半導體基板的底面，其中該些通孔貫通至該緩衝層，且該緩衝層具複數第二溝槽，位於相鄰通孔之間，該些第二溝槽的寬度大於微元件的寬度，其中該緩衝層內通孔的孔徑相同或小於該半導體基板內通孔的孔徑。
根據申請專利範圍第17項所述之真空吸取裝置，其中該蓋板包含矽晶圓。
根據申請專利範圍第17項所述之真空吸取裝置，其中該蓋板包含玻璃。
根據申請專利範圍第17項所述之真空吸取裝置，其中該蓋板包含藍寶石。
一種真空吸取裝置，包含：一半導體基板，其頂部具複數第一溝槽，且其底部具複數通孔，其中每一該第一溝槽連通且相應於至少一通孔，該第一溝槽的寬度大於該通孔的寬度；及一真空蓋，設於該半導體基板上方，與該半導體基板之間形成真空室；其中該半導體基板的底部具複數第二溝槽，位於相鄰通孔之間，該些第二溝槽的寬度大於微元件的寬度。
根據申請專利範圍第21項所述之真空吸取裝置，其中該真空蓋包含矽晶圓。
根據申請專利範圍第21項所述之真空吸取裝置，其中該真空蓋包含玻璃。
根據申請專利範圍第21項所述之真空吸取裝置，其中該真空蓋包含藍寶石。
根據申請專利範圍第21項所述之真空吸取裝置，更包含至少一支柱，設於該真空蓋的底面與該半導體基板的頂面之間，用以支撐該真空蓋。
根據申請專利範圍第21項所述之真空吸取裝置，其中該些第二溝槽為連續溝槽，縱向或/且橫向設於該半導體基板的底部。
根據申請專利範圍第21項所述之真空吸取裝置，其中該些第二溝槽為非連續溝槽，呈矩陣排列設於該半導體基板的底部。
一種真空吸取裝置，包含：一半導體基板，其頂部具複數第一溝槽，且其底部具複數通孔，其中每一該第一溝槽連通且相應於至少一通孔，該第一溝槽的寬度大於該通孔的寬度；一真空蓋，設於該半導體基板上方，與該半導體基板之間形成真空室；及一緩衝層，形成於該半導體基板的底面，其中該些通孔貫通至該緩衝層，且該緩衝層具複數第二溝槽，位於相鄰通孔之間，該些第二溝槽的寬度大於微元件的寬度，其中該緩衝層內通孔的孔徑相同或小於該半導體基板內通孔的孔徑。
根據申請專利範圍第28項所述之真空吸取裝置，其中該半導體基板包含矽晶圓。
根據申請專利範圍第28項所述之真空吸取裝置，其中該些第一溝槽為連續溝槽，呈縱向排列，每一該連續溝槽連通且相應於複數通孔。
根據申請專利範圍第28項所述之真空吸取裝置，其中該些第一溝槽為非連續溝槽，呈矩陣排列，每一該非連續溝槽連通且相應於一通孔。