TWI812386B

TWI812386B - 發光元件陣列基板及其製造方法

Info

Publication number: TWI812386B
Application number: TW111129479A
Authority: TW
Inventors: 賴世倫
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2022-04-01
Filing date: 2022-08-05
Publication date: 2023-08-11
Also published as: TWI827303B; TWI820785B; TWI814434B; TW202341412A; TW202340822A; TWI817633B; TW202341109A; TWI815512B; TWI816478B; TWI804377B; TW202341110A; TW202341122A; TWI817597B; TW202341112A; TWI807946B; TW202341515A; TW202341329A; TW202341333A; TW202341540A; TW202341460A

Abstract

一種發光元件陣列基板，包括：載板、多個黏著圖案以及多個發光元件。多個黏著圖案陣列排列於載板上。多個發光元件分別設置於多個黏著圖案中的第一黏著圖案上，其中第一黏著圖案的鄰接發光元件的第一表面的面積小於或等於發光元件的鄰接第一黏著圖案的第二表面的面積。此外，還提出一種發光元件陣列基板的製造方法。

Description

發光元件陣列基板及其製造方法

本發明是有關於一種發光元件陣列基板及其製造方法。

由於微型發光二極體的尺寸極小，目前製作微型發光二極體發光元件陣列基板的方法是採用多次的巨量轉移（Mass Transfer）技術，以逐步將微型發光二極體晶粒轉移到具有畫素電路的驅動基板上，其中微型發光二極體晶粒藉由黏著材料暫時固定於不同的暫時載板。

在將晶粒轉移至目標載板的過程中，可以使用雷射轉移技術來實現晶粒的分離，同時產生的衝擊力或驅動力可使晶粒脫離，並推動晶粒朝目標載板轉移，進而附著於目標載板的黏著材料上。然而，由於衝擊力或驅動力分布不均，造成晶粒無法被準確地轉移至目標載板的預定位置上，甚至出現歪斜或晶裂等缺陷。由於此等缺陷會影響後續的焊接製程，目前需另外採用自動光學檢測儀進行全面掃描找出缺陷，再使用雷射將缺陷移除，造成製造工時增長且成本提高。

本發明提供一種發光元件陣列基板，具有降低的成本。

本發明提供一種發光元件陣列基板的製造方法，具有縮短的製造工時。

本發明的一個實施例提出一種發光元件陣列基板，包括：載板；多個黏著圖案，陣列排列於載板上；以及多個發光元件，分別設置於多個黏著圖案中的第一黏著圖案上，其中第一黏著圖案的鄰接發光元件的第一表面的面積小於或等於發光元件的鄰接第一黏著圖案的第二表面的面積。

在本發明的一實施例中，上述的第一表面的面積大於或等於第二表面的面積的4%。

在本發明的一實施例中，上述的黏著圖案的對稱中心與發光元件的幾何中心之間的間距不大於發光元件的長度的10%。

在本發明的一實施例中，上述的多個黏著圖案之間彼此分離。

在本發明的一實施例中，上述的黏著圖案具有開口。

在本發明的一實施例中，上述的黏著圖案具有溝槽。

在本發明的一實施例中，上述的多個黏著圖案中的第二黏著圖案上不存在發光元件。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件陣列基板還包括黏著材，且黏著材覆蓋發光元件。

本發明的一個實施例提出一種發光元件陣列基板的製造方法，包括：提供第一載板，且第一載板上配置有多個發光元件；提供第二載板，且第二載板上配置有陣列排列的多個黏著圖案；以及將多個發光元件從第一載板轉移至第二載板，且使多個發光元件中的第一發光元件分別設置於多個黏著圖案中的第一黏著圖案上，其中第一黏著圖案的鄰接第一發光元件的第一表面的面積小於或等於第一發光元件的鄰接第一黏著圖案的第二表面的面積。

在本發明的一實施例中，上述的多個發光元件藉由黏著材設置於第一載板。

在本發明的一實施例中，上述的發光元件陣列基板的製造方法還包括在將多個發光元件從第一載板轉移至第二載板之後移除黏著材。

在本發明的一實施例中，在移除黏著材的過程中同時移除黏著圖案的部分。

在本發明的一實施例中，在移除黏著材之後，第一表面的面積減小5%至50%。

在本發明的一實施例中，在移除黏著材的過程中同時移除第一發光元件中的第二發光元件。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反地，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦接」可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的第一「元件」、「部件」、「區域」、「層」或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」、「一個」和「該」旨在包括複數形式，包括「至少一個」或表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包含」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一個或多個其它特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下」或「下方」可以包括上方和下方的取向。

考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制），本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」、「近似」、或「實質上」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。

圖1至圖6是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板10的製造方法的步驟流程的局部剖面示意圖。以下，配合圖1至圖6說明發光元件陣列基板10的製造方法。

請參照圖1，將發光元件LD從生長基板GS轉移至第一載板C1上的黏著材AM上，使得發光元件LD藉由黏著材AM固定於第一載板C1，以提供其上設置有多個發光元件LD的第一載板C1，如圖2所示。

第一載板C1上可以預先形成一層黏著材AM。第一載板C1可以是剛性基板，例如玻璃基板、石英基板或陶瓷基板，但本發明不限於此。黏著材AM可以藉由塗布的方式形成於第一載板C1上，但本發明不以此為限。黏著材AM可以包括例如壓克力系樹脂等具有黏著性的材料。

在一些實施例中，可以先將發光元件LD貼附於黏著材AM，以使發光元件LD位於生長基板GS與第一載板C1之間。接著，移除生長基板GS而露出發光元件LD的半導體疊層ES。移除生長基板GS的方式可以採用例如雷射剝離（Laser Lift Off）製程，但本發明不以此為限。請參照圖2，在發光元件LD轉移至第一載板C1之後，發光元件LD的第一接墊PD1以及第二接墊PD2可黏附於黏著材AM，且第一接墊PD1以及第二接墊PD2可位於半導體疊層ES與黏著材AM之間。

詳細而言，發光元件LD可以形成於生長基板GS上。生長基板GS例如藍寶石基板，但本發明不限於此。在一些實施例中，形成發光元件LD的方法可以包括使用適當的反應物進行磊晶製程，以沉積所需薄膜，隨後藉由微影製程以及蝕刻製程對前述薄膜進行圖案化，以形成發光元件LD的各個子層。在某些實施例中，還可以選擇性地對發光元件LD的部分子層進行摻雜製程。

舉例而言，在一些實施例中，發光元件LD可以包括半導體疊層ES、第一接墊PD1、第二接墊PD2以及絕緣層EU，其中第一接墊PD1以及第二接墊PD2分別電性連接至半導體疊層ES中的不同子層，且絕緣層EU可以位於第一接墊PD1的一部分與半導體疊層ES之間以及第二接墊PD2的一部分與半導體疊層ES之間，但不影響第一接墊PD1以及第二接墊PD2與半導體疊層ES的不同子層的電性連接。在本實施例中，發光元件LD的第一接墊PD1以及第二接墊PD2位於半導體疊層ES的同一側，但本發明不以此為限。在一些實施例中，第一接墊PD1以及第二接墊PD2可以位於半導體疊層ES的不同側。

舉例而言，半導體疊層ES可以包括P型摻雜半導體層、多層量子井結構（Multiple Quantum Well, MQW）以及N型摻雜半導體層的疊層，其中多層量子井結構可以位於P型摻雜半導體層與N型摻雜半導體層之間。P型摻雜半導體層的材料例如是P型Ⅱ-Ⅵ族材料（例如：鋅化硒（ZnSe））、P型Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料（例如：氮化鎵（GaN）、氮化鋁（AlN）、氮化銦（InN）、氮化銦鎵（InGaN）、氮化鋁鎵（AlGaN）或氮化鋁銦鎵（AlInGaN））或其疊層。N型摻雜半導體層的材料例如是N型Ⅱ-Ⅵ族材料、N型Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料或其疊層。多重量子井結構可以包括交替堆疊的多層Ⅱ-Ⅵ族材料以及多層Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料，但本發明不以此為限。第一接墊PD1以及第二接墊PD2的材質例如可以包括金屬（例如錫）、合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、石墨稀、金屬材料的堆疊層或是其它導電材料的堆疊層。

請參照圖3，提供第二載板C2，且第二載板C2上配置有多個黏著圖案AP。第二載板C2可以是玻璃基板、石英基板或陶瓷基板，但本發明不限於此。多個黏著圖案AP可以呈陣列排列，且多個黏著圖案AP之間可以彼此分離。舉例而言，多個黏著圖案AP之間的橫向間距或直向間距可以相等。

多個黏著圖案AP的形成方式並無特殊限制。舉例而言，可先於第二載板C2上塗布一層毯覆的黏著層，接著對毯覆的黏著層進行圖案化，以形成多個黏著圖案AP。在一些實施例中，毯覆的黏著層可以藉由旋塗（Spin coating）的方式形成，而圖案化可以藉由曝光及顯影製程進行。黏著圖案AP可以包括例如壓克力系樹脂等具有黏著性的材料。

請參照圖4，將多個發光元件LD從第一載板C1轉移至第二載板C2，且使多個發光元件LD中的大多數發光元件LD分別設置於黏著圖案AP上，以形成如圖5所示的發光元件陣列基板10。舉例而言，可以採用雷射剝離（Laser Lift Off）製程來使發光元件LD脫離第一載板C1，進而使發光元件LD轉移至黏著圖案AP上。

請參照圖5，在雷射剝離製程之後，附著於發光元件LD的黏著材AM可能隨著發光元件LD一起脫離第一載板C1，因此，自第一載板C1脫離的發光元件LD上可覆蓋有黏著材AM。

在本實施例中，發光元件LD中的發光元件LD1可以黏附於黏著圖案AP中的黏著圖案AP1上，且黏著圖案AP1的鄰接發光元件LD1的表面F1的面積可以小於或等於發光元件LD1的鄰接黏著圖案AP1的表面F2的面積。在一些實施例中，黏著圖案AP1的表面F1的面積可以大於或等於發光元件LD1的表面F2的面積的4%。在一些實施例中，黏著圖案AP1的對稱中心（symmetrical center）CS與發光元件LD1的幾何中心（geometric center）CG之間的間距S1不大於發光元件LD1的長度L1的10%。在一些實施例中，黏著圖案AP1的對稱中心CS與發光元件LD1的幾何中心CG之間的間距不大於5μm。如此一來，黏著圖案AP1能夠以足夠的穩定度支撐發光元件LD1，藉以確保發光元件LD1的對位精準度。

另外，在轉移之後，發光元件LD中的發光元件LD2、LD3可能有些許偏移，導致黏著圖案AP2的對稱中心與發光元件LD2的幾何中心之間的間距大於發光元件LD2或發光元件LD3的長度的10%，甚至發光元件LD3的偏移幅度還大於發光元件LD2的偏移幅度，且發光元件LD3無法完全覆蓋黏著圖案AP3。然而，黏著圖案AP2、AP3仍能夠將發光元件LD2、LD3分別支撐於其上。

此外，發光元件LD中的發光元件LD4可能因為生長缺陷而無法承受雷射剝離製程的衝擊力，因此在轉移之後發生晶裂而無法被支撐於黏著圖案AP4上。至於發光元件LD中的發光元件LD5，由於其偏移幅度過大，重疊黏著圖案AP5的比例過小，在轉移之後可能歪斜地落於黏著圖案AP5的一側。因此，發光元件LD4、LD5無法藉由黏著圖案AP4、AP5設置於第二載板C2，且黏著圖案AP4、AP5上不存在任何發光元件LD。換句話說，藉由使黏著圖案AP的表面F1的面積小於或等於發光元件LD的表面F2的面積，能夠篩選掉例如具有缺陷的發光元件LD4以及偏移幅度過大的發光元件LD5。

在一些實施例中，在將多個發光元件LD從第一載板C1轉移至第二載板C2之後，還可以移除發光元件LD上的黏著材AM，以形成如圖6所示的發光元件陣列基板10’。

在一些實施例中，在移除黏著材AM的過程中同時還可移除各黏著圖案AP的一部分，例如，請同時參照圖5及圖6，在移除發光元件LD上的黏著材AM的過程中，黏著圖案AP1、AP2、AP3、AP4、AP5皆各自被移除一部分，而成為黏著圖案AP1’、AP2’、AP3’、AP4’、AP5’。舉例而言，黏著圖案AP1的表面F1的面積可被移除5%至50%，而成為黏著圖案AP1’。換句話說，黏著圖案AP1’的表面F1’的面積可以佔黏著圖案AP1的表面F1的面積的50%至95%。類似地，黏著圖案AP2’、AP3’、AP4’、AP5’的表面F3’、F4’、F5’、F6’的面積可以分別佔黏著圖案AP2、AP3、AP4、AP5的表面F3、F4、F5、F6的面積的50%至95%。例如，黏著圖案AP1’、AP2’、AP3’、AP4’、AP5’的表面F1’、F3’、F4’、F5’、F6’的面積可以分別是黏著圖案AP1、AP2、AP3、AP4、AP5的表面F1、F3、F4、F5、F6的面積的70%、80%或90%。如此一來，由於黏著圖案AP2’、AP3’的支撐表面F3’、F4’的面積減小，發光元件LD2、LD3無法再被支撐於黏著圖案AP2’、AP3’的表面F3’、F4’上。換句話說，在移除黏著材AM的過程中可同時移除發光元件LD2、LD3。最後，發光元件陣列基板10’只包括具有高轉移精準度的發光元件LD1，且黏著圖案AP2’、AP3’、AP4’、AP5’上皆不存在任何發光元件LD。因此，藉由在移除黏著材AM的過程中同時將黏著圖案AP縮小，能夠在不需額外製程的情況下進一步移除偏移較大的發光元件LD2、LD3，僅留下具有高轉移精準度而可被縮小後的黏著圖案AP1’支撐的發光元件LD1。

以下，使用圖7A至圖11B繼續說明本發明的其他實施例，並且，沿用圖1至圖6的實施例的元件標號與相關內容，其中，採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明，可參考圖1至圖6的實施例，在以下的說明中不再重述。

圖7A是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板20的局部上視示意圖。圖7B是沿圖7A的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。請參照圖7A至圖7B，發光元件陣列基板20包括：載板C2、多個黏著圖案AP7以及多個發光元件LD。多個黏著圖案AP7陣列排列於載板C2上。多個發光元件LD分別設置於多個黏著圖案AP7上，其中黏著圖案AP7的鄰接發光元件LD的表面F1的面積小於或等於發光元件LD的鄰接黏著圖案AP7的表面F2的面積。

與如圖5所示的發光元件陣列基板10相比，圖7A至圖7B所示的發光元件陣列基板20的不同之處在於：發光元件陣列基板20的黏著圖案AP7的鄰接發光元件LD的表面F1的面積小於黏著圖案AP7的鄰接載板C2的表面F7的面積。換句話說，黏著圖案AP7的表面F1的面積可以不同於表面F7的面積。另外，黏著圖案AP7於載板C2的正投影完全重疊發光元件LD於載板C2的正投影，且黏著圖案AP7的對稱中心CS與發光元件LD的幾何中心CG之間的間距S2可以約為發光元件LD的長度L1的5%，因此，黏著圖案AP7能夠穩定支撐發光元件LD。

圖8A是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板30的局部上視示意圖。圖8B是沿圖8A的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。請參照圖8A至圖8B，發光元件陣列基板30包括：載板C2、多個黏著圖案AP8以及多個發光元件LD。多個黏著圖案AP8陣列排列於載板C2上。多個發光元件LD分別設置於多個黏著圖案AP8上，其中黏著圖案AP8的鄰接發光元件LD的表面F1的面積小於或等於發光元件LD的鄰接黏著圖案AP8的表面F2的面積。

與如圖5所示的發光元件陣列基板10相比，圖8A至圖8B所示的發光元件陣列基板30的不同之處在於：發光元件陣列基板30的黏著圖案AP8可以具有開口O1，且開口O1貫穿可以黏著圖案AP8，而將黏著圖案AP8分離成第一部分AP81及第二部分AP82。如此一來，當黏著圖案AP8的對稱中心CS與發光元件LD的幾何中心CG之間的間距不大於發光元件LD的長度L1的10%時，黏著圖案AP8仍然能夠穩定地支撐發光元件LD。在一些實施例中，黏著圖案AP8的第一部分AP81與第二部分AP82各自鄰接發光元件LD的表面的面積可以近似或相等。在一些實施例中，黏著圖案AP8的對稱中心CS可以重疊發光元件LD的幾何中心CG，且黏著圖案AP8於載板C2的正投影可以完全重疊發光元件LD於載板C2的正投影。

圖9A是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板40的局部上視示意圖。圖9B是沿圖9A的剖面線C-C’所作的剖面示意圖。請參照圖9A至圖9B，發光元件陣列基板40包括：載板C2、多個黏著圖案AP9以及多個發光元件LD。多個黏著圖案AP9陣列排列於載板C2上。多個發光元件LD分別設置於多個黏著圖案AP9上，其中黏著圖案AP9的鄰接發光元件LD的表面F1的面積小於或等於發光元件LD的鄰接黏著圖案AP9的表面F2的面積。

與如圖5所示的發光元件陣列基板10相比，圖9A至圖9B所示的發光元件陣列基板40的不同之處在於：發光元件陣列基板40的黏著圖案AP9可以具有封閉開口O2，且黏著圖案AP9可以環繞開口O2。另外，在本實施例中，黏著圖案AP9的表面F1的面積可以大於封閉開口O2於載板C2的投影面積，以確保在後續移除黏著材AM的過程中黏著圖案AP9不會被完全移除。

圖10A是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板50的局部上視示意圖。圖10B是沿圖10A的剖面線D-D’所作的剖面示意圖。請參照圖10A至圖10B，發光元件陣列基板50包括：載板C2、多個黏著圖案AP10以及多個發光元件LD。多個黏著圖案AP10陣列排列於載板C2上。多個發光元件LD分別設置於多個黏著圖案AP10上，其中黏著圖案AP10的鄰接發光元件LD的表面F1的面積小於或等於發光元件LD的鄰接黏著圖案AP10的表面F2的面積。

與如圖5所示的發光元件陣列基板10相比，圖10A至圖10B所示的發光元件陣列基板50的不同之處在於：發光元件陣列基板50的黏著圖案AP10可以具有開放式溝槽TO，且開放式溝槽TO可以將黏著圖案AP10分離為多個部分，例如，8個區塊，如圖10A所示。

圖11A是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板60的局部上視示意圖。圖11B是沿圖11A的剖面線E-E’所作的剖面示意圖。請參照圖11A至圖11B，發光元件陣列基板60包括：載板C2、多個黏著圖案AP11以及多個發光元件LD。多個黏著圖案AP11陣列排列於載板C2上。多個發光元件LD分別設置於多個黏著圖案AP11上，其中黏著圖案AP11的鄰接發光元件LD的表面F1的面積小於或等於發光元件LD的鄰接黏著圖案AP11的表面F2的面積。

與如圖5所示的發光元件陣列基板10相比，圖11A至圖11B所示的發光元件陣列基板60的不同之處在於：發光元件陣列基板60的黏著圖案AP11可以具有封閉式溝槽TC，且封閉式溝槽TC可以將黏著圖案AP11分離為兩個部分，例如，內部PI以及外部PO。如此一來，在後續移除黏著材AM的過程中，僅將外部PO完全移除即可留下更小的內部PI，進而提高黏著圖案AP11對於發光元件LD的篩選標準。

綜上所述，本發明的發光元件陣列基板及其製造方法藉由使黏著圖案的鄰接發光元件的表面的面積小於或等於發光元件的鄰接黏著圖案的表面的面積，能夠篩選掉具有缺陷的發光元件以及偏移幅度過大的發光元件。另外，本發明的發光元件陣列基板的製造方法還能夠藉由在移除黏著材的過程中將黏著圖案縮小，能夠在不需額外製程的情況下進一步移除偏移較大的發光元件，僅留下具有高轉移精準度的發光元件。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10~60,10’:發光元件陣列基板

A-A’,B-B’,C-C’,D-D’,E-E’:剖面線

AM:黏著材

AP,AP1~AP5,AP1’~AP5’,AP7~AP11:黏著圖案

AP81:第一部分

AP82:第二部分

C1:第一載板

C2:第二載板

CG:幾何中心

CS:對稱中心

ES:半導體疊層

EU:絕緣層

F1~F5,F1’~ F5’,F7:表面

GS:生長基板

L1:長度

LD,LD1~LD5:發光元件

O1:開口

O2:封閉開口

PD1:第一接墊

PD2:第二接墊

PI:內部

PO:外部

S1,S2:間距

TC:封閉式溝槽

TO:開放式溝槽

圖1至圖6是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板10的製造方法的步驟流程的局部剖面示意圖。圖7A是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板20的局部上視示意圖。圖7B是沿圖7A的剖面線A-A’所作的剖面示意圖。圖8A是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板30的局部上視示意圖。圖8B是沿圖8A的剖面線B-B’所作的剖面示意圖。圖9A是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板40的局部上視示意圖。圖9B是沿圖9A的剖面線C-C’所作的剖面示意圖。圖10A是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板50的局部上視示意圖。圖10B是沿圖10A的剖面線D-D’所作的剖面示意圖。圖11A是依照本發明一實施例的發光元件陣列基板60的局部上視示意圖。圖11B是沿圖11A的剖面線E-E’所作的剖面示意圖。

10:發光元件陣列基板

AM:黏著材

AP,AP1~AP5:黏著圖案

C2:第二載板

CG:幾何中心

CS:對稱中心

F1~F6:表面

L1:長度

LD,LD1~LD5:發光元件

S1:間距

Claims

一種發光元件陣列基板，包括：載板；多個黏著圖案，陣列排列於所述載板上；以及多個發光元件，分別設置於所述多個黏著圖案中的第一黏著圖案上，其中所述第一黏著圖案的鄰接所述發光元件的第一表面的面積小於或等於所述發光元件的鄰接所述第一黏著圖案的第二表面的面積，所述多個發光元件中的第一發光元件的幾何中心與鄰接的所述第一黏著圖案的對稱中心之間的間距不同於所述多個發光元件中的第二發光元件的幾何中心與鄰接的所述第一黏著圖案的對稱中心之間的間距。
如請求項1所述的發光元件陣列基板，其中所述第一表面的面積大於或等於所述第二表面的面積的4%。
如請求項1所述的發光元件陣列基板，其中所述黏著圖案的對稱中心與所述發光元件的幾何中心之間的間距不大於所述發光元件的長度的10%。
如請求項1所述的發光元件陣列基板，其中所述多個黏著圖案之間彼此分離。
如請求項1所述的發光元件陣列基板，其中所述黏著圖案具有開口。
如請求項1所述的發光元件陣列基板，其中所述黏著圖案具有溝槽。
如請求項1所述的發光元件陣列基板，其中所述多個黏著圖案中的第二黏著圖案上不存在所述發光元件。
如請求項1所述的發光元件陣列基板，還包括黏著材，且所述黏著材覆蓋所述發光元件。
一種發光元件陣列基板的製造方法，包括：提供第一載板，且所述第一載板上配置有多個發光元件，所述多個發光元件藉由黏著材設置於所述第一載板；提供第二載板，且所述第二載板上配置有陣列排列的多個黏著圖案；以及將所述多個發光元件從所述第一載板轉移至所述第二載板，且使所述多個發光元件中的第一發光元件分別設置於所述多個黏著圖案中的第一黏著圖案上，其中所述第一黏著圖案的鄰接所述第一發光元件的第一表面的面積小於或等於所述第一發光元件的鄰接所述第一黏著圖案的第二表面的面積，在將所述多個發光元件從所述第一載板轉移至所述第二載板之後移除所述黏著材，且在移除所述黏著材的過程中同時移除所述黏著圖案的部分。
如請求項9所述的發光元件陣列基板的製造方法，其中在移除所述黏著材之後，所述第一表面的面積減小5%至50%。
如請求項9所述的發光元件陣列基板的製造方法，其中在移除所述黏著材的過程中同時移除所述第一發光元件中的第二發光元件。