TWI817597B - 發光面板 - Google Patents

Abstract

一種發光面板包括暫存基板、支撐圖案層、黏著圖案層及多個發光元件。支撐圖案層設置於暫存基板上且具有多個開口。黏著圖案層設置於支撐圖案層上且具有多個開口。黏著圖案層的多個開口分別重疊於支撐圖案層的多個開口。多個發光元件分別設置於黏著圖案層的多個開口。每一發光元件包括第一半導體層、第二半導體層、設置於第一半導體層與第二半導體層之間的主動層及分別電性連接至第一半導體層及第二半導體層的多個電極，多個電極位於主動層與暫存基板之間，且多個電極與暫存基板之間存在空氣間隙。此外，其他的多種發光面板也被提出。

Description

發光面板

本發明是有關於一種發光面板。

發光二極體顯示面板包括驅動背板及轉置於驅動背板上的多個發光二極體元件。繼承發光二極體的特性，發光二極體顯示面板具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。此外，相較於有機發光二極體顯示面板，發光二極體顯示面板還具有色彩易調校、發光壽命長、無影像烙印等優勢。因此，發光二極體顯示面板被視為下一世代的顯示技術。

在發光二極體顯示面板的製造過程中，須將暫存基板上的多個發光二極體元件巨量轉移至驅動背板，且使發光二極體元件的電極與驅動背板的接墊電性連接。在巨量轉移多個發光二極體元件至驅動背板前，須清除發光二極體元件上的黏著結構，以露出發光二極體元件的電極。然而，黏著結構易殘留在發光二極體元件上，進而造成發光二極體元件與驅動背板的接合不良。若為了清除乾淨黏著結構而使用較嚴苛的乾式蝕刻製程條件，則會使得發光二極體元件在乾式蝕刻製程受損而出現裂縫。

本發明提供一種發光面板，製造良率高。

本發明提供另一種發光面板，製造良率高。

本發明提供又一種發光面板，製造良率高。

本發明一實施例的發光面板包括暫存基板、支撐圖案層、黏著圖案層以及多個發光元件。支撐圖案層設置於暫存基板上且具有多個開口。黏著圖案層設置於支撐圖案層上且具有多個開口。黏著圖案層的多個開口分別重疊於支撐圖案層的多個開口。多個發光元件分別設置於黏著圖案層的多個開口。每一發光元件包括第一半導體層、第二半導體層、設置於第一半導體層與第二半導體層之間的主動層以及分別電性連接至第一半導體層及第二半導體層的多個電極，多個電極位於主動層與暫存基板之間，且多個電極與暫存基板之間存在空氣間隙。

本發明另一實施例的發光面板包括暫存基板、黏著層、多個發光元件以及多個黏著圖案。黏著層設置於暫存基板上。多個發光元件設置於黏著層上。多個黏著圖案彼此分離且分別設置於多個發光元件上。每一發光元件包括第一半導體層、第二半導體層、設置於第一半導體層與第二半導體層之間的主動層以及分別電性連接至第一半導體層及第二半導體層的多個電極，主動層位於多個電極與多個黏著圖案的一者之間，每一黏著圖案具有開口，且開口重疊於多個發光元件之一者的多個電極。

本發明又一實施例的發光面板包括驅動背板、多個發光元件以及多個黏著圖案。驅動背板具有多個接墊組。每一發光元件包括第一半導體層、第二半導體層、設置於第一半導體層與第二半導體層之間的主動層以及分別電性連接至第一半導體層及第二半導體層的多個電極，且多個發光元件的多個電極電性連接至驅動背板的多個接墊組。多個黏著圖案彼此分離，分別設置於多個發光元件上，且位於多個發光元件與驅動背板之間。每一黏著圖案具有開口，且開口重疊於多個發光元件的一者的多個電極。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。

本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1A至圖1G為本發明一實施例之發光面板的製造流程的剖面示意圖。

請參照圖1A，首先，提供暫存基板110、支撐圖案層120及黏著圖案層130。支撐圖案層120設置於暫存基板110上且具有多個開口124。黏著圖案層130設置於支撐圖案層120上且具有多個開口134。黏著圖案層130的多個開口134分別重疊於支撐圖案層120的多個開口124。

詳細而言，在本實施例中，支撐圖案層120具有實體122，實體122的側壁122s定義支撐圖案層120的開口124；黏著圖案層130具有實體132，實體132的側壁132s定義黏著圖案層130的開口134；黏著圖案層130的實體132設置於支撐圖案層120的實體122上且略微超出支撐圖案層120的實體122，且黏著圖案層130的開口134略小於支撐圖案層120的開口124。

從另一角度而言，在本實施例中，黏著圖案層130的實體132包括錨部132a及多個繫部132b，錨部132a與繫部132b的交界I實質上切齊於支撐圖案層120的側壁122s，錨部132a固定於支撐圖案層120的實體122上，多個繫部132b連接於錨部132a且分別懸掛於支撐圖案層120的多個開口124上。舉例而言，在本實施例中，黏著圖案層130的繫部132b可為重疊於支撐圖案層120之開口124周邊的環狀黏著圖案，但本發明不以此為限。

圖2A至圖2D為本發明一實施例之支撐圖案層及黏著圖案層的製造流程的剖面示意圖。以下搭配圖2A至圖2D舉例說明本發明一實施例之支撐圖案層120及黏著圖案層130的製造過程。

請參照圖2A，首先，提供暫存基板110。舉例而言，在本實施例中，暫存基板110可為藍寶石基板，但本發明不以此為限。接著，在暫存基板110上形成支撐材料層120’，其中支撐材料層120’具有一第一區122’及多個第二區124’，且每一第二區124’被第一區122’圍繞。

請參照圖2B，接著，在支撐材料層120’上形成黏著材料層130’。黏著材料層130’整面性覆蓋支撐材料層120’。請參照圖2B及圖2C，接著，圖案化黏著材料層130’，以形成黏著圖案層130。黏著圖案層130的實體132的錨部132a設置於支撐材料層120’的第一區122’上。黏著圖案層130的實體132的多個繫部132b連接於錨部132a且分別設置於支撐材料層120’的多個第二區124’的周邊上。黏著圖案層130具有多個開口134，分別重疊於支撐材料層120’的多個第二區124’。在本實施例中，可使用微影製程圖案化黏著材料層130’，但本發明不以此為限。

請參照圖2C及圖2D，接著，移除支撐材料層120’的多個第二區124’並保留第一區122’，以形成支撐圖案層120，其中支撐材料層120’的多個第二區124’被移除後形成支撐圖案層120的多個開口124，而被保留的支撐材料層120’的第一區122’則形成支撐圖案層120的實體122。

在本實施例中，可選擇性地使用濕式蝕刻製程圖案化支撐材料層120’，以形成支撐圖案層120，其中支撐材料層120’的第一區122’與第二區124’的材質性質不同，而濕式蝕刻製程所使用的蝕刻液會侵蝕第二區124’但不易侵蝕第一區122’。舉例而言，在本實施例中，支撐材料層120’之第一區122’的材質可為矽(111)，而支撐材料層120’之第二區124’的材質可為矽(110)，但本發明不以此為限。

請參照圖1A，接著，提供生長基板200及形成於生長基板200上的多個發光元件300。每一發光元件300包括第一半導體層310、第二半導體層320、設置於第一半導體層310與第二半導體層320之間的主動層330以及分別電性連接至第一半導體層310及第二半導體層320的多個電極340、350。

在本實施例中，每一發光元件300還可選擇性地包括外延層360，第一半導體層310形成在外延層360上，外延層360位於生長基板200與第一半導體層310之間，且第一半導體層310位於外延層360與主動層330之間。舉例而言，在本實施例中，生長基板200可為藍寶石，外延層360可為未摻雜的氮化鎵，第一半導體層310可為n型的氮化鎵，主動層330可為多重量子井層，第二半導體層320可為p型的氮化鎵，但本發明不以此為限。

在本實施例中，每一發光元件300還可包括絕緣層370，絕緣層370設置於第二半導體層320上且具有分別重疊於第一半導體層310與第二半導體層320的多個接觸窗372、374，多個電極340、350透過絕緣層370的多個接觸窗372、374分別電性連接至第一半導體層310及第二半導體層320。

圖3為本發明一實施例的發光元件、黏著圖案層及支撐圖案層的上視示意圖。圖3的發光元件300、黏著圖案層130及支撐圖案層120可對應圖1A的發光元件300、黏著圖案層130及支撐圖案層120。

請參照圖1A至圖1C及圖3，接著，將發光元件300從生長基板200上轉置於暫存基板110的黏著圖案層130上，以形成發光面板10-1。請參照圖1A、圖1B及圖3，詳細而言，可先將多個發光元件300分別設置於黏著圖案層130的多個開口134上，以使多個發光元件300分別與黏著圖案層130的多個錨部132a連接；請參照圖1B及圖1C，然後，再使多個發光元件300與生長基板200分離。舉例而言，在本實施例中，可使用雷射剝離工序使發光元件300與生長基板200分離；雷射剝離工序所使用之雷射L1的中心波長例如是266nm；但本發明不以此為限。

請參照圖1C，發光面板10-1除了包括前述的暫存基板110、支撐圖案層120及黏著圖案層130外，發光面板10-1還包括分別設置於黏著圖案層130的多個開口134的多個發光元件300，其中每一發光元件300的多個電極340、350位於主動層330與暫存基板110之間。特別是，發光元件300的多個電極340、350與暫存基板110之間存在空氣間隙AG。也就是說，發光元件300是黏在黏著圖案層130的繫部132b上而懸掛在支撐圖案層120的開口124上。黏著圖案層130的繫部132b連接於發光元件300與黏著圖案層130的錨部132a之間。在本實施例中，黏著圖案層130的繫部132b可環繞發光元件300的多個電極340、350。

在本實施例中，每一發光元件300的多個電極340、350接觸於空氣間隙AG。也就是說，每一發光元件300的多個電極340、350是被裸露於黏著圖案層130外。在本實施例中，每一發光元件300的絕緣層370包括第一部分371，絕緣層370的括第一部分371設置於第二半導體層320上且位於多個電極340、350之間，且絕緣層370的第一部分371可接觸於空氣間隙AG。在本實施例中，每一發光元件300的絕緣層370還包括第二部分373，第一半導體層310、主動層330及第二半導體層320堆疊成半導體結構S，絕緣層370的第二部分373設置於半導體結構S的側壁Sa上，且絕緣層370的第二部分373接觸於黏著圖案層130。

在本實施例中，每一發光元件300的外延層360的側壁360s包括第一部分360s-1及第二部分360s-2，其中外延層360的側壁360s的第一部分360s-1位於外延層360的側壁360s的第二部分360s-2與暫存基板110之間。在本實施例中，外延層360的側壁360s的第一部分360s-1接觸於黏著圖案層130，而外延層360的側壁360s的第二部分360s-2則凸出於黏著圖案層130外。

在本實施例中，每一發光元件300在垂直於暫存基板110的方向z上具有最大高度H1，接觸於發光元件300的黏著圖案層130在垂直於暫存基板110的方向z上具有最大厚度H2，且0.06≦(H2/H1)≦0.83。在本實施例中，每一發光元件300的最大高度H1可指外延層360之背向暫存基板110的外表面360a到電極350之面向暫存基板110的外表面350a的距離。在本實施例中，黏著圖案層130的最大厚度H2可指設置於絕緣層370的第二部分373及外延層360之側壁360s的第一部分360s-1上之黏著圖案層130的厚度。

請參照圖1D，接著，提供另一暫存基板400及設置於暫存基板400上的黏著層500。在本實施例中，黏著層500可整面性地覆蓋暫存基板400，但本發明不以此為限。請參照圖1D及圖1E，接著，將暫存基板110上的發光元件300轉置於黏著層500上，以形成另一發光面板10-2。

圖4為本發明一實施例之遮罩的上視示意圖。請參照圖1D、圖1E、圖3及圖4，在本實施例中，可將遮罩M設置於雷射L2傳向黏著圖案層130的路徑上，遮罩M具有遮光部Ma及遮光部Ma外的透光部Mb，雷射L2穿過遮罩M的透光部Mb而照射黏著圖案層130之錨部132a與繫部132b的交界I，以使繫部132b與錨部132a分離。繫部132b與錨部132a分離後，繫部132b及與繫部132b連接的發光元件300便可被轉置於黏著層500上，其中與錨部132a分離的黏著圖案層130的繫部132b形成發光面板10-2的黏著圖案136。

在本實施例中，在利用雷射L2分離錨部132a與繫部132b時，遮罩M的遮光部Ma可遮蔽發光元件300，避免雷射L2損傷發光元件300。在本實施例中，雷射L2的中心波長例如是248nm，但本發明不以此為限。

請參照圖1E，發光面板10-2包括暫存基板400、設置於暫存基板400上的黏著層500、設置於黏著層500上的多個發光元件300以及彼此分離且分別設置於多個發光元件300上的多個黏著圖案136。每一發光元件300的主動層330位於多個電極340、350與對應的一個黏著圖案136之間。每一黏著圖案136具有開口134，且開口134重疊於對應的一個發光元件300的多個電極340、350。

在本實施例中，每一黏著圖案136可環繞對應的一個發光元件300的多個電極340、350。在本實施例中，絕緣層370的第一部分371重疊於黏著圖案136的開口134。在本實施例中，發光元件300的外延層360的側壁360s的第一部分360s-1接觸於黏著圖案136，外延層360的側壁360s的第二部分360s-2位於外延層360的側壁360s的第一部分360s-1與暫存基板400之間，且外延層360的側壁360s的第二部分360s-2凸出於黏著圖案136外。

在本實施例中，每一發光元件300在垂直於暫存基板400的方向z上具有最大高度H1，接觸於發光元件300的黏著圖案136在垂直於暫存基板400的方向z上具有最大厚度H2，且0.06≦(H2/H1)≦0.83。在本實施例中，每一發光元件300的最大高度H1可指外延層360之面向暫存基板400的外表面360a到電極350之背向暫存基板400的外表面350a的距離。在本實施例中，黏著圖案136的最大厚度H2可指設置於絕緣層370的第二部分373及外延層360之側壁360s的第一部分360s-1上之黏著圖案136的厚度。

請參照圖1F及圖1G，接著，將暫存基板400上的多個發光元件300轉置於驅動背板600上，且使多個發光元件300的多個電極340、350電性連接至驅動背板600的多個接墊組610，以形成發光面板10-3。接墊組610包括多個接墊612、614，與多個發光元件300的多個電極340、350電性連接。在本實施例中，可使用雷射接合工序電性連接發光元件300的電極340、350與接墊612、614。舉例而言，在本實施例中，雷射接合工序所使用的雷射L3的中心波長可為1064nm，但本發明不以此為限。

請參照圖1G，發光面板10-3包括驅動背板600、多個發光元件300及多個黏著圖案136。驅動背板600具有多個接墊組610。多個發光元件300的多個電極340、350電性連接至驅動背板600的多個接墊組610。多個黏著圖案136彼此分離，分別設置於多個發光元件300上，且位於多個發光元件300與驅動背板600之間。每一黏著圖案136具有開口134，且開口134重疊於對應的一個發光元件300的多個電極340、350。

在本實施例中，每一發光元件300在垂直於驅動背板600的方向z上具有最大高度H1，接觸於發光元件300的黏著圖案136在垂直於驅動背板600的方向z上具有最大厚度H2，且0.06≦(H2/H1)≦0.83。在本實施例中，每一發光元件300的最大高度H1可指外延層360之背面向驅動背板600的外表面360a到電極350之面向驅動背板600的外表面350a的距離。在本實施例中，黏著圖案136的最大厚度H2可指設置於絕緣層370的第二部分373及外延層360之側壁360s的第一部分360s-1上之黏著圖案136的厚度。

值得一提的是，如圖1C所示，發光元件300的電極340、350與暫存基板110之間存在空氣間隙AG。也就是說，發光元件300是懸掛在黏著圖案層130的繫部132b上，而發光元件300的電極340、350不被黏著圖案層130所覆蓋。因此，如圖1C至圖1E所示，當發光元件300被轉置於另一暫存基板400上時，黏著圖案層130不會殘留在發光元件300的電極340、350上。如圖1E至圖1G所示，即使，選擇性地不去除設置於發光元件300周邊的黏著圖案136，發光元件300的電極340、350仍會被裸露，進而能良好地與驅動背板600的接墊612、614接合。藉此，發光面板10-3的製造良率可顯著提升。

10-1、10-2、10-3:發光面板

110、400:暫存基板

120:支撐圖案層

120’:支撐材料層

122、132:實體

122’:第一區

122s、132s、360s:側壁

124、134:開口

124’:第二區

130:黏著圖案層

130’:黏著材料層

132a:錨部

132b:繫部

136:黏著圖案

200:生長基板

300:發光元件

310:第一半導體層

320:第二半導體層

330:主動層

340、350:電極

350a、360a:外表面

360:外延層

360s、Sa:側壁

360s-1、371:第一部分

360s-2、373:第二部分

370:絕緣層

372、374:接觸窗

500:黏著層

600:驅動背板

610:接墊組

612、614:接墊

AG:空氣間隙

H1:最大高度

H2:最大厚度

L1、L2、L3:雷射

M:遮罩

Ma:遮光部

Mb:透光部

S:半導體結構

I:交界

z:方向

圖1A至圖1G為本發明一實施例之發光面板的製造流程的剖面示意圖。 圖2A至圖2D為本發明一實施例之支撐圖案層及黏著圖案層的製造流程的剖面示意圖。 圖3為本發明一實施例的發光元件、黏著圖案層及支撐圖案層的上視示意圖。 圖4為本發明一實施例之遮罩的上視示意圖。

10-1:發光面板

110:暫存基板

120:支撐圖案層

122、132:實體

124、134:開口

130:黏著圖案層

132a:錨部

132b:繫部

300:發光元件

310:第一半導體層

320:第二半導體層

330:主動層

340、350:電極

350a、360a:外表面

360:外延層

360s、Sa:側壁

360s-1、371:第一部分

360s-2、373:第二部分

370:絕緣層

372、374:接觸窗

AG:空氣間隙

H1:最大高度

H2:最大厚度

S:半導體結構

I:交界

z:方向

Claims (20)

1. 一種發光面板，包括：一暫存基板；一支撐圖案層，設置於該暫存基板上，且具有多個開口；一黏著圖案層，設置於該支撐圖案層上，且具有多個開口，其中該黏著圖案層的該些開口分別重疊於該支撐圖案層的該些開口；以及多個發光元件，分別設置於該黏著圖案層的該些開口，其中每一發光元件包括一第一半導體層、一第二半導體層、設置於該第一半導體層與該第二半導體層之間的一主動層以及分別電性連接至該第一半導體層及該第二半導體層的多個電極，該些電極位於該主動層與該暫存基板之間，且該些電極與該暫存基板之間存在一空氣間隙。
2. 如請求項1所述的發光面板，其中每一該發光元件的該些電極接觸於該空氣間隙。
3. 如請求項1所述的發光面板，其中每一該發光元件更包括一絕緣層，該絕緣層設置於該第二半導體層上且具有分別重疊於該第一半導體層與該第二半導體層的多個接觸窗，該些電極透過該絕緣層的該些接觸窗分別電性連接至該第一半導體層及該第二半導體層；該絕緣層具有一第一部分，設置於該第二半導體層上且位於該些電極之間；該絕緣層的該第一部分接觸於該空氣間隙。
4. 如請求項1所述的發光面板，其中每一該發光元件還包括一外延層，該第一半導體層位於該外延層與該主動層之間，該外延層的一側壁的一第一部分接觸於該黏著圖案層。
5. 如請求項4所述的發光面板，其中該外延層的該側壁的該第一部分位於該外延層的該側壁的一第二部分與該暫存基板之間，且該外延層的該側壁的該第二部分凸出於該黏著圖案層外。
6. 如請求項1所述的發光面板，其中每一該發光元件在垂直於該暫存基板的一方向上具有一最大高度H1，接觸於該發光元件的該黏著圖案層在垂直於該暫存基板的該方向上具有一最大厚度H2，且0.06≦(H2/H1)≦0.83。
7. 如請求項1所述的發光面板，其中該支撐圖案層更具有一實體，該支撐圖案層的該實體的一側壁定義該支撐圖案層的該些開口；該黏著圖案層更具有一錨部，固定於該支撐圖案層的該實體上；該黏著圖案層更具有多個繫部，連接於該錨部且分別懸掛於該支撐圖案層的該些開口上；該黏著圖案層的該些繫部連接於該些發光元件與該黏著圖案層的該錨部之間。
8. 如請求項7所述的發光面板，其中該黏著圖案層的該些繫部的每一者環繞該些發光元件之一者的該些電極。
9. 一種發光面板，包括：一暫存基板；一黏著層，設置於該暫存基板上； 多個發光元件，設置於該黏著層上；以及多個黏著圖案，彼此分離且分別設置於該些發光元件上，其中每一發光元件包括一第一半導體層、一第二半導體層、設置於該第一半導體層與該第二半導體層之間的一主動層以及分別電性連接至該第一半導體層及該第二半導體層的多個電極，該主動層位於該些電極與該些黏著圖案的一者之間，每一黏著圖案具有一開口，且該開口重疊於該些發光元件之一者的該些電極。
10. 如請求項9所述的發光面板，其中該黏著圖案環繞該些發光元件之該者的該些電極。
11. 如請求項9所述的發光面板，其中每一該發光元件更包括一絕緣層，該絕緣層設置於該第二半導體層上且具有分別重疊於該第一半導體層與該第二半導體層的多個接觸窗，該些電極透過該絕緣層的該些接觸窗分別電性連接至該第一半導體層及該第二半導體層；該絕緣層具有一第一部分，設置於該第二半導體層上且位於該些電極之間；該絕緣層的該第一部分重疊於該些黏著圖案的一者的該開口。
12. 如請求項9所述的發光面板，其中每一該發光元件還包括一外延層，該第一半導體層位於該外延層與該主動層之間，且該外延層的一側壁的一第一部分接觸於該些黏著圖案的一者。
13. 如請求項12所述的發光面板，其中該外延層的該側壁的一第二部分位於該外延層的該側壁的該第一部分與該暫 存基板之間，且該外延層的該側壁的該第二部分凸出於該些黏著圖案的該者外。
14. 如請求項9所述的發光面板，其中每一該發光元件在垂直於該暫存基板的一方向上具有一最大高度H1，接觸於該發光元件的該些黏著圖案的一者在垂直於該暫存基板的該方向上具有一最大厚度H2，且0.06≦(H2/H1)≦0.83。
15. 一種發光面板，包括：一驅動背板，具有多個接墊組；多個發光元件，其中每一發光元件包括一第一半導體層、一第二半導體層、設置於該第一半導體層與該第二半導體層之間的一主動層以及分別電性連接至該第一半導體層及該第二半導體層的多個電極，且該些發光元件的該些電極電性連接至該驅動背板的該些接墊組；以及多個黏著圖案，彼此分離，分別設置於該些發光元件上，且位於該些發光元件與該驅動背板之間，其中每一黏著圖案具有一開口，且該開口重疊於該些發光元件的一者的該些電極。
16. 如請求項15所述的發光面板，其中該黏著圖案環繞該些發光元件之該者的該些電極。
17. 如請求項15所述的發光面板，其中每一該發光元件更包括一絕緣層，該絕緣層設置於該第二半導體層上且具有分別重疊於該第一半導體層與該第二半導體層的多個接觸窗，該些電極透過該絕緣層的該些接觸窗分別電性連接至該第一半導體 層及該第二半導體層；該絕緣層具有一第一部分，設置於該第二半導體層上且位於該些電極之間；該絕緣層的該第一部分重疊於該些黏著圖案的一者的該開口。
18. 如請求項15所述的發光面板，其中每一該發光元件還包括一外延層，該第一半導體層位於該外延層與該主動層之間，且該外延層的一側壁的一第一部分接觸於該些黏著圖案的一者。
19. 如請求項18所述的發光面板，其中該外延層的該側壁的一第二部分位於該外延層的該側壁的該第一部分與該驅動背板之間，且該外延層的該側壁的該第二部分凸出於該些黏著圖案的該者外。
20. 如請求項15所述的發光面板，其中每一該發光元件在垂直於該驅動背板的一方向上具有一最大高度H1，接觸於該發光元件的該些黏著圖案的一者在垂直於該驅動背板的該方向上具有一最大厚度H2，且0.06≦(H2/H1)≦0.83。

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