TW202341540A - 轉移模組 - Google Patents
轉移模組 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202341540A TW202341540A TW111125232A TW111125232A TW202341540A TW 202341540 A TW202341540 A TW 202341540A TW 111125232 A TW111125232 A TW 111125232A TW 111125232 A TW111125232 A TW 111125232A TW 202341540 A TW202341540 A TW 202341540A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- adhesive layer
- sub
- substrate
- optical layers
- transfer module
- Prior art date
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 129
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 126
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 103
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 5
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 210000004508 polar body Anatomy 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
- Road Signs Or Road Markings (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)
- Die Bonding (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Mounting Of Printed Circuit Boards And The Like (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Gloves (AREA)
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
一種轉移模組包含基板、黏著層以及複數個電子元件。基板具有複數個畫素區。黏著層黏附於基板，黏著層包含複數個第一光學層，第一光學層埋置於黏著層內，第一光學層朝向基板的垂直投影位於兩相鄰之畫素區之間。複數個電子元件黏附於黏著層遠離基板之一側，電子元件朝向基板的垂直投影位於對應之畫素區內。
Description
本發明是關於一種轉移模組，且特別是關於一種用以轉移微發光二極體（microscopic light-emitting diode；micro-LED）的轉移模組。
隨著現今科技的進步，各種類型的顯示器已經大幅度地融入了消費者的日常生活中。為要滿足消費者的需求以把握這個龐大的商機，廠商紛紛致力在更佳的成本控制下，提高顯示器的出廠品質。
因此，在微發光二極體顯示器的生產過程中，如何在低成本下有效提高生產的良率，無疑是業界是一個非常重視的發展方向。
本發明之目的之一在於提供一種轉移模組，其能防止電子元件黏著層受熱膨脹而出現非預期的位移。
根據本發明的一實施方式，一種轉移模組包含基板、黏著層以及複數個電子元件。基板具有複數個畫素區。黏著層黏附於基板，黏著層包含複數個第一光學層，第一光學層埋置於黏著層內，第一光學層朝向基板的垂直投影位於兩相鄰之畫素區之間。複數個電子元件黏附於黏著層遠離基板之一側，電子元件朝向基板的垂直投影位於對應之畫素區內。
在本發明一或多個實施方式中，上述之黏著層包含第一子黏著層以及第二子黏著層。第一子黏著層黏附於基板。第一光學層夾置於第一子黏著層與第二子黏著層之間，電子元件黏附於第二子黏著層，第二子黏著層的黏性弱於第一子黏著層的黏性。
在本發明一或多個實施方式中，上述之第一光學層沿第一方向排列並分別沿第二方向延伸，第一方向與第二方向彼此相交。
在本發明一或多個實施方式中，上述之黏著層更包含複數個第二光學層。第二光學層夾置於第一子黏著層與第二子黏著層之間，且沿第二方向排列並分別沿第一方向延伸，第二光學層與第一光學層彼此連接，第二光學層朝向基板的垂直投影位於至少兩相鄰之畫素區之間。
在本發明一或多個實施方式中，上述之第二光學層為金屬材料。
在本發明一或多個實施方式中，上述之第二光學層的透光率小於20％。
在本發明一或多個實施方式中，上述之第二光學層具有可變化的透光率。
在本發明一或多個實施方式中，上述之第二光學層的材質相同於第一光學層的材質。
在本發明一或多個實施方式中，上述之第一光學層為金屬材料。
在本發明一或多個實施方式中，上述之第一光學層的透光率小於20％。
在本發明一或多個實施方式中，上述之第一光學層具有可變化的透光率。
在本發明一或多個實施方式中，上述之電子元件包含複數個微發光二極體。
本發明上述實施方式至少具有以下優點：
（1）由於受到第一光學層及第二光學層遮擋的第二子黏著層没有直接被雷射光束照射，因此，被遮擋的第二子黏著層不會因吸收過高的能量而受熱膨脹，而附近黏附於第二子黏著層的電子元件（即微發光二極體）也不會因被遮擋的第二子黏著層受熱膨脹而出現非預期的位移，故第一光學層及第二光學層能有助於提升把微發光二極體結合於目標基板上的成效。
（2）由於第一光學層及第二光學層皆夾置於第一子黏著層與第二子黏著層之間，亦即第一光學層及第二光學層並不位於黏著層的表面，因此，第一光學層及第二光學層不會降低黏著層對基板的黏附力，也不會阻礙到電子元件於黏著層上的排列。
（3）由於第一光學層及第二光學層相較基板更接近電子元件，因此，當以自動化光學系統對電子元件（即微發光二極體）進行辨識時，自動化光學系統能獲得更清楚的影像。
以下將以圖式揭露本發明之複數個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式繪示之，而在所有圖式中，相同的標號將用於表示相同或相似的元件。且若實施上為可能，不同實施例的特徵係可以交互應用。
除非另有定義，本文所使用的所有詞彙（包括技術和科學術語）具有其通常的意涵，其意涵係能夠被熟悉此領域者所理解。更進一步的說，上述之詞彙在普遍常用之字典中之定義，在本說明書的內容中應被解讀為與本發明相關領域一致的意涵。除非有特別明確定義，這些詞彙將不被解釋為理想化的或過於正式的意涵。
請參照第1圖。第1圖為繪示依照本發明一實施方式之轉移模組100的側視圖。在本實施方式中，如第1圖所示，轉移模組100包含基板110、黏著層120以及複數個電子元件200。基板110具有複數個畫素區PA。實際上，基板110包含第一子基板111以及疊置於第一子基板111上的第二子基板112，第一子基板111例如可為晶粒暫存基板（Chip on Carrier ；COC），而第二子基板112則例如可為石英基板。黏著層120黏附於基板110的第一子基板111，且黏著層120包含複數個第一光學層121，第一光學層121埋置於黏著層120內，亦即第一光學層121並不位於黏著層120的表面，因此，第一光學層121不會降低黏著層120對基板110的黏附力，也不會阻礙到電子元件200於黏著層120上的排列。再者，複數個電子元件200黏附於黏著層120遠離基板110之一側。實際上，每個電子元件200包含複數個微發光二極體（microscopic light-emitting diode；micro-LED）210。
請參照第2圖。第2圖為繪示沿第1圖之線段A-A的剖面圖。值得注意的是，在本實施方式中，如第2圖所示，第一光學層121朝向基板110的垂直投影位於兩相鄰之畫素區PA之間。更具體而言，第一光學層121朝向基板110的垂直投影，位於兩相鄰之畫素區PA中最接近的微發光二極體210之間。再者，電子元件200朝向基板110的垂直投影位於對應之畫素區PA內，亦即微發光二極體210朝向基板110的垂直投影位於對應之畫素區PA內。
進一步而言，第一光學層121沿第一方向D1排列並分別沿第二方向D2延伸，第一方向D1與第二方向D2彼此相交。在實務的應用中，第一方向D1與第二方向D2可彼此垂直，也可根據實際狀況，第一方向D1與第二方向D2彼此傾斜若干角度。
請參照第3圖。第3圖為繪示沿第2圖之線段B-B的剖面圖。在本實施方式中，如第1、3圖所，黏著層120包含第一子黏著層122以及第二子黏著層123。第一子黏著層122黏附於基板110的第一子基板111，而第一光學層121夾置於第一子黏著層122與第二子黏著層123之間，且電子元件200的微發光二極體210黏附於第二子黏著層123。具體而言，第二子黏著層123的黏性弱於第一子黏著層122的黏性，因此，當黏附於第二子黏著層123的微發光二極體210抵接並固定於目標基板300（目標基板300請見第5圖）後，微發光二極體210可易於從第二子黏著層123脫離。
請參照第4圖。第4圖為繪示沿第2圖之線段C-C的剖面圖。在本實施方式中，如第1～2、4圖所，黏著層120更包含複數個第二光學層124。第二光學層124夾置於第一子黏著層122與第二子黏著層123之間，亦即第二光學層124並不位於黏著層120的表面，因此，相似地，第二光學層124不會降低黏著層120對基板110的黏附力，也不會阻礙到電子元件200於黏著層120上的排列。再者，第二光學層124沿第二方向D2排列並分別沿第一方向D1延伸。而且，如第2圖所示，第二光學層124與第一光學層121彼此連接，而第二光學層124朝向基板110的垂直投影位於至少兩相鄰之畫素區PA之間。更具體而言，第二光學層124朝向基板110的垂直投影，位於兩相鄰之畫素區PA中最接近的微發光二極體210之間。
在實務的應用中，第二光學層124的材質相同於第一光學層121的材質，且第一光學層121以及第二光學層124能發揮遮光的效果。舉例而言，第一光學層121以及第二光學層124可皆為金屬材料。當雷射光束（請見第5～6圖所繪示之雷射光束LB）照向第一光學層121以及第二光學層124時，雷射光束會被第一光學層121以及第二光學層124遮擋。
在其他實施方式中，第一光學層121以及第二光學層124的透光率可小於20％。當雷射光束照向第一光學層121以及第二光學層124時，超過80％的強度會被第一光學層121以及第二光學層124遮擋。
在其他實施方式中，第一光學層121以及第二光學層124皆具有可變化的透光率。舉例而言，在受到雷射光束照射前，第一光學層121以及第二光學層124的透光率可大於20％，而在受到雷射光束照射的時候，第一光學層121以及第二光學層124的透光率則產生變化而降低為小於20％，此時，雷射光束超過80％的強度會被透光率變化後的第一光學層121以及第二光學層124遮擋。
請參照第5～6圖。第5圖為繪示第1圖之轉移模組100的作業示意剖面圖。第6圖為繪示沿第5圖之線段D-D的剖面圖。在本實施方式中，如第5圖所示，電子元件200已抵接目標基板300，而轉移模組100上方設置有雷射光源400，雷射光源400配置以朝向微發光二極體210射出雷射光束LB，以使微發光二極體210a結合於目標基板300上。如第6圖所示，雷射光束LB之投射範圍呈線狀，且沿第一方向D1延伸。也就是說，雷射光束LB同時對沿第一方向D1排列的微發光二極體210a進行照射，以使這些微發光二極體210a結合於目標基板300上。在實務的應用中，雷射光束LB之投射範圍超過至少一個畫素區PA的寬度。舉例而言，如第6圖所示，雷射光束LB之投射範圍超過兩個畫素區PA的寬度。再者，在作業過程中，雷射光源400相對轉移模組100沿第二方向D2移動。也就是說，雷射光束LB呈線狀之投射範圍會逐漸相對轉移模組100沿第二方向D2移動，以沿第二方向D2順序對電子元件200進行照射。
綜上所述，由於第一光學層121能發揮遮光的效果，因此，位於第一光學層121遠離基板110一側的第二子黏著層123可受到第一光學層121的遮擋，使得照射到被遮擋的第二子黏著層123的雷射光束LB之強度大幅降低。如上所述，第一光學層121的透光率可小於20％。也就是說，經過第一光學層121的遮擋，照射到第二子黏著層123的雷射光束LB之強度可降低至原來強度的20％以下。如此一來，由於受到第一光學層121遮擋的第二子黏著層123没有直接被雷射光束LB照射，因此，被遮擋的第二子黏著層123不會因吸收過高的能量而受熱膨脹，而附近黏附於第二子黏著層123的電子元件200也不會因被遮擋的第二子黏著層123受熱膨脹而出現非預期的位移，故第一光學層121能有助於提升把微發光二極體210結合於目標基板300上的成效。
相似地，由於第二光學層124能發揮遮光的效果，因此，位於第二光學層124遠離基板110一側的第二子黏著層123可受到第二光學層124的遮擋，使得照射到被遮擋的第二子黏著層123的雷射光束LB之強度大幅降低。如上所述，第二光學層124的透光率可小於20％。也就是說，經過第二光學層124的遮擋，照射到第二子黏著層123的雷射光束LB之強度可降低至原來強度的20％以下。如此一來，由於受到第二光學層124遮擋的第二子黏著層123没有直接被雷射光束LB照射，因此，被遮擋的第二子黏著層123不會因吸收過高的能量而受熱膨脹。具體而言，如第6圖所示，當微發光二極體210a被雷射光束LB照射時，未被雷射光束LB照射的微發光二極體210b不會因為位於微發光二極體210a及微發光二極體210b之間的第二子黏著層123受熱膨脹而出現非預期的位移。故此，第二光學層124能有助於提升把電子元件200結合於目標基板300上的成效。
再者，值得注意的是，由於第一光學層121及第二光學層124相較基板110更接近電子元件200，因此，當以自動化光學系統對電子元件200進行辨識時，自動化光學系統能獲得更清楚的影像。
綜上所述，本發明上述實施方式所揭露的技術方案至少具有以下優點：
（1）由於受到第一光學層及第二光學層遮擋的第二子黏著層没有直接被雷射光束照射，因此，被遮擋的第二子黏著層不會因吸收過高的能量而受熱膨脹，而附近黏附於第二子黏著層的電子元件（即微發光二極體）也不會因被遮擋的第二子黏著層受熱膨脹而出現非預期的位移，故第一光學層及第二光學層能有助於提升把微發光二極體結合於目標基板上的成效。
（2）由於第一光學層及第二光學層皆夾置於第一子黏著層與第二子黏著層之間，亦即第一光學層及第二光學層並不位於黏著層的表面，因此，第一光學層及第二光學層不會降低黏著層對基板的黏附力，也不會阻礙到電子元件於黏著層上的排列。
（3）由於第一光學層及第二光學層相較基板更接近電子元件，因此，當以自動化光學系統對電子元件（即微發光二極體）進行辨識時，自動化光學系統能獲得更清楚的影像。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:轉移模組
110:基板
111:第一子基板
112:第二子基板
120:黏著層
121:第一光學層
122:第一子黏著層
123:第二子黏著層
124:第二光學層
200:電子元件
210,210a,210b:微發光二極體
300:目標基板
400:雷射光源
A-A,B-B,C-C,D-D:線段
D1:第一方向
D2:第二方向
LB:雷射光束
PA:畫素區
第1圖為繪示依照本發明一實施方式之轉移模組的側視圖。
第2圖為繪示沿第1圖之線段A-A的剖面圖。
第3圖為繪示沿第2圖之線段B-B的剖面圖。
第4圖為繪示沿第2圖之線段C-C的剖面圖。
第5圖為繪示第1圖之轉移模組的作業示意剖面圖。
第6圖為繪示沿第5圖之線段D-D的剖面圖。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記)
無
國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記)
無
100:轉移模組
110:基板
111:第一子基板
112:第二子基板
120:黏著層
122:第一子黏著層
123:第二子黏著層
124:第二光學層
200:電子元件
210a,210b:微發光二極體
300:目標基板
400:雷射光源
D-D:線段
D1:第一方向
D2:第二方向
LB:雷射光束
PA:畫素區
Claims (12)
- 一種轉移模組，包含： 一基板，具有複數個畫素區； 一黏著層，黏附於該基板，該黏著層包含複數個第一光學層，該些第一光學層埋置於該黏著層內，每一該些第一光學層朝向該基板的垂直投影位於兩相鄰之該些畫素區之間；以及 複數個電子元件，黏附於該黏著層遠離該基板之一側，每一該些電子元件朝向該基板的垂直投影位於對應之該畫素區內。
- 如請求項1所述之轉移模組，其中該黏著層包含： 一第一子黏著層，黏附於該基板；以及 一第二子黏著層，該些第一光學層夾置於該第一子黏著層與該第二子黏著層之間，該些電子元件黏附於該第二子黏著層，該第二子黏著層的黏性弱於該第一子黏著層的黏性。
- 如請求項2所述之轉移模組，其中該些第一光學層沿一第一方向排列並分別沿一第二方向延伸，該第一方向與該第二方向彼此相交。
- 如請求項3所述之轉移模組，其中該黏著層更包含： 複數個第二光學層，夾置於該第一子黏著層與該第二子黏著層之間，且沿該第二方向排列並分別沿該第一方向延伸，該些第二光學層與該些第一光學層彼此連接，每一該些第二光學層朝向該基板的垂直投影位於至少兩相鄰之該些畫素區之間。
- 如請求項4所述之轉移模組，其中該些第二光學層為金屬材料。
- 如請求項4所述之轉移模組，其中該些第二光學層的透光率小於20％。
- 如請求項4所述之轉移模組，其中該些第二光學層具有可變化的透光率。
- 如請求項4所述之轉移模組，其中該些第二光學層的材質相同於該些第一光學層的材質。
- 如請求項1所述之轉移模組，其中該些第一光學層為金屬材料。
- 如請求項1所述之轉移模組，其中該些第一光學層的透光率小於20％。
- 如請求項1所述之轉移模組，其中該些第一光學層具有可變化的透光率。
- 如請求項1所述之轉移模組，其中每一該些電子元件包含複數個微發光二極體。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US202263326437P | 2022-04-01 | 2022-04-01 | |
| US63/326,437 | 2022-04-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TWI804377B TWI804377B (zh) | 2023-06-01 |
| TW202341540A true TW202341540A (zh) | 2023-10-16 |
Family
ID=86949010
Family Applications (14)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111121512A TWI814434B (zh) | 2022-04-01 | 2022-06-09 | 發光二極體陣列基板 |
| TW111122930A TWI800409B (zh) | 2022-04-01 | 2022-06-20 | 轉移設備 |
| TW111122967A TWI815512B (zh) | 2022-04-01 | 2022-06-21 | 發光元件移轉設備及發光面板的製造方法 |
| TW111125232A TWI804377B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-05 | 轉移模組 |
| TW111125175A TWI817597B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-05 | 發光面板 |
| TW111125211A TWI820785B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-05 | 發光元件面板 |
| TW111125231A TWI845978B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-05 | 轉移設備以及電子元件的轉移方法 |
| TW111127574A TWI816478B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-22 | 顯示裝置及其製造方法 |
| TW111128220A TWI817630B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-27 | 發光元件陣列基板及其製造方法 |
| TW111128633A TWI807946B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-29 | 顯示面板及其製造方法 |
| TW111128632A TWI817633B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-29 | 顯示面板 |
| TW111129479A TWI812386B (zh) | 2022-04-01 | 2022-08-05 | 發光元件陣列基板及其製造方法 |
| TW111131950A TWI806750B (zh) | 2022-04-01 | 2022-08-24 | 發光裝置 |
| TW111138374A TWI827303B (zh) | 2022-04-01 | 2022-10-11 | 發光元件基板 |
Family Applications Before (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111121512A TWI814434B (zh) | 2022-04-01 | 2022-06-09 | 發光二極體陣列基板 |
| TW111122930A TWI800409B (zh) | 2022-04-01 | 2022-06-20 | 轉移設備 |
| TW111122967A TWI815512B (zh) | 2022-04-01 | 2022-06-21 | 發光元件移轉設備及發光面板的製造方法 |
Family Applications After (10)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111125175A TWI817597B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-05 | 發光面板 |
| TW111125211A TWI820785B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-05 | 發光元件面板 |
| TW111125231A TWI845978B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-05 | 轉移設備以及電子元件的轉移方法 |
| TW111127574A TWI816478B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-22 | 顯示裝置及其製造方法 |
| TW111128220A TWI817630B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-27 | 發光元件陣列基板及其製造方法 |
| TW111128633A TWI807946B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-29 | 顯示面板及其製造方法 |
| TW111128632A TWI817633B (zh) | 2022-04-01 | 2022-07-29 | 顯示面板 |
| TW111129479A TWI812386B (zh) | 2022-04-01 | 2022-08-05 | 發光元件陣列基板及其製造方法 |
| TW111131950A TWI806750B (zh) | 2022-04-01 | 2022-08-24 | 發光裝置 |
| TW111138374A TWI827303B (zh) | 2022-04-01 | 2022-10-11 | 發光元件基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| TW (14) | TWI814434B (zh) |
Family Cites Families (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7910395B2 (en) * | 2006-09-13 | 2011-03-22 | Helio Optoelectronics Corporation | LED structure |
| CN102709199B (zh) * | 2011-03-28 | 2015-04-01 | 华东科技股份有限公司 | 包覆基板侧边的模封阵列处理方法 |
| CN102738353A (zh) * | 2011-04-12 | 2012-10-17 | 国碁电子(中山)有限公司 | Led封装结构 |
| TWI549283B (zh) * | 2011-12-29 | 2016-09-11 | 三星顯示器有限公司 | 有機發光二極體顯示器以及製造其之方法 |
| KR102027301B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2019-10-01 | 서울바이오시스 주식회사 | 광추출 효율이 향상된 발광다이오드 |
| TW201436295A (zh) * | 2013-03-06 | 2014-09-16 | Innolux Corp | 發光二極體裝置及使用其之顯示裝置 |
| TWI540766B (zh) * | 2013-07-10 | 2016-07-01 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體封裝結構 |
| KR102075713B1 (ko) * | 2013-07-15 | 2020-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
| US9153548B2 (en) * | 2013-09-16 | 2015-10-06 | Lux Vue Technology Corporation | Adhesive wafer bonding with sacrificial spacers for controlled thickness variation |
| KR102143890B1 (ko) * | 2013-10-15 | 2020-08-12 | 온세미컨덕터코리아 주식회사 | 파워 모듈 패키지 및 이의 제조 방법 |
| KR101661948B1 (ko) * | 2014-04-08 | 2016-10-04 | 엘지전자 주식회사 | 태양 전지 및 이의 제조 방법 |
| TW201613130A (en) * | 2014-09-26 | 2016-04-01 | High Power Optoelectronics Inc | LED with reflective mirror protective layer and manufacturing method of the reflective mirror protective layer |
| DE102015207124B3 (de) * | 2015-04-20 | 2016-07-07 | Trumpf Sachsen Gmbh | Maschinelle Anordnung zum Bearbeiten von plattenartigen Werkstücken, insbesondere von Blechen sowie Verfahren zum Handling von Bearbeitungsprodukten an einer derartigen maschinellen Anordnung |
| CN111430519A (zh) * | 2015-04-22 | 2020-07-17 | 新世纪光电股份有限公司 | 发光二极管 |
| WO2017028206A1 (en) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | Goertek.Inc | Repairing method, manufacturing method, device and electronic apparatus of micro-led |
| CN113421839B (zh) * | 2015-12-23 | 2022-03-18 | 歌尔股份有限公司 | 微发光二极管转移方法及制造方法 |
| US10586886B2 (en) * | 2016-01-20 | 2020-03-10 | Goertek, Inc. | Micro-LED transfer method and manufacturing method |
| EP3435150A4 (en) * | 2016-03-24 | 2019-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | ELECTROBREATING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING AN ELECTROBREATING DEVICE |
| KR102543179B1 (ko) * | 2016-08-22 | 2023-06-14 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 모듈 제조방법 |
| TWI670784B (zh) * | 2016-10-05 | 2019-09-01 | 啟端光電股份有限公司 | 真空吸取裝置 |
| TWI681472B (zh) * | 2017-04-10 | 2020-01-01 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 傳輸微小元件的方法 |
| JP6915054B2 (ja) * | 2017-05-10 | 2021-08-04 | シャープ株式会社 | 光電変換装置およびそれを備える太陽電池モジュール |
| TWI625871B (zh) * | 2017-07-24 | 2018-06-01 | 友達光電股份有限公司 | 微型發光元件及其製造方法及其應用之顯示裝置與過渡載板裝置 |
| US20190043843A1 (en) * | 2017-08-01 | 2019-02-07 | Innolux Corporation | Methods for manufacturing a display device |
| JP6839143B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-03-03 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 素子実装装置、素子実装方法及び素子実装基板製造方法 |
| TWI699870B (zh) * | 2018-06-14 | 2020-07-21 | 啟端光電股份有限公司 | 發光二極體之承載結構及其製造方法 |
| WO2019246366A1 (en) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | Veeco Instruments Inc. | Micro-led transfer methods using light-based debonding |
| CN108962789A (zh) * | 2018-06-25 | 2018-12-07 | 开发晶照明（厦门）有限公司 | 微器件转移方法和微器件转移设备 |
| TWI688933B (zh) * | 2018-07-16 | 2020-03-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
| CN109445649B (zh) * | 2018-10-08 | 2020-11-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种触控显示面板及绑定方法 |
| CN111146132A (zh) * | 2018-11-06 | 2020-05-12 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种微元件的转移装置及转移方法 |
| TWI676286B (zh) * | 2018-12-05 | 2019-11-01 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示裝置及其製作方法 |
| TWI688809B (zh) * | 2019-02-01 | 2020-03-21 | 友達光電股份有限公司 | 發光模組與顯示模組 |
| TWI706537B (zh) * | 2019-05-28 | 2020-10-01 | 友達光電股份有限公司 | 自發光元件及發光裝置的製造方法 |
| US20200395232A1 (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-17 | Brooks Automation, Inc. | Substrate process apparatus |
| KR20210004029A (ko) * | 2019-07-03 | 2021-01-13 | 삼성전자주식회사 | 엘이디 패널의 제조 방법 및 제조 장치 |
| CN110676268B (zh) * | 2019-09-29 | 2022-02-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板 |
| JP2023509343A (ja) * | 2019-12-11 | 2023-03-08 | ナノシス， インコーポレイテッド | ダイ転送中の部分レーザリフトオフプロセス、および、それによって形成される構造 |
| US11239397B2 (en) * | 2019-12-11 | 2022-02-01 | Mikro Mesa Technology Co., Ltd. | Breathable and waterproof micro light emitting diode display |
| KR20210077097A (ko) * | 2019-12-16 | 2021-06-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
| TWI726648B (zh) * | 2020-03-09 | 2021-05-01 | 友達光電股份有限公司 | 畫素陣列基板及其製造方法 |
| WO2021201037A1 (ja) * | 2020-03-30 | 2021-10-07 | Tdk株式会社 | スタンプツール、搬送装置および素子アレイの製造方法 |
| TWI740438B (zh) * | 2020-03-31 | 2021-09-21 | 聚積科技股份有限公司 | 微型發光二極體的轉移方法 |
| TWM602722U (zh) * | 2020-05-06 | 2020-10-11 | 群越材料股份有限公司 | 微型發光二極體巨量轉移治具 |
| KR20210140886A (ko) * | 2020-05-14 | 2021-11-23 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법 |
| TWI736334B (zh) * | 2020-06-23 | 2021-08-11 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體 |
| TWI737520B (zh) * | 2020-08-14 | 2021-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
| US20220059394A1 (en) * | 2020-08-24 | 2022-02-24 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Method and device to reduce epitaxial defects due to contact stress upon a semicondcutor wafer |
| US11990499B2 (en) * | 2020-08-24 | 2024-05-21 | PlayNitride Display Co., Ltd. | Display apparatus and method of fabricating the same |
-
2022
- 2022-06-09 TW TW111121512A patent/TWI814434B/zh active
- 2022-06-20 TW TW111122930A patent/TWI800409B/zh active
- 2022-06-21 TW TW111122967A patent/TWI815512B/zh active
- 2022-07-05 TW TW111125232A patent/TWI804377B/zh active
- 2022-07-05 TW TW111125175A patent/TWI817597B/zh active
- 2022-07-05 TW TW111125211A patent/TWI820785B/zh active
- 2022-07-05 TW TW111125231A patent/TWI845978B/zh active
- 2022-07-22 TW TW111127574A patent/TWI816478B/zh active
- 2022-07-27 TW TW111128220A patent/TWI817630B/zh active
- 2022-07-29 TW TW111128633A patent/TWI807946B/zh active
- 2022-07-29 TW TW111128632A patent/TWI817633B/zh active
- 2022-08-05 TW TW111129479A patent/TWI812386B/zh active
- 2022-08-24 TW TW111131950A patent/TWI806750B/zh active
- 2022-10-11 TW TW111138374A patent/TWI827303B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW202341112A (zh) | 2023-10-16 |
| TWI845978B (zh) | 2024-06-21 |
| TWI817630B (zh) | 2023-10-01 |
| TW202341333A (zh) | 2023-10-16 |
| TW202340822A (zh) | 2023-10-16 |
| TWI817597B (zh) | 2023-10-01 |
| TWI816478B (zh) | 2023-09-21 |
| TW202341109A (zh) | 2023-10-16 |
| TWI812386B (zh) | 2023-08-11 |
| TWI814434B (zh) | 2023-09-01 |
| TW202341122A (zh) | 2023-10-16 |
| TW202341411A (zh) | 2023-10-16 |
| TW202341332A (zh) | 2023-10-16 |
| TW202341515A (zh) | 2023-10-16 |
| TWI806750B (zh) | 2023-06-21 |
| TW202341460A (zh) | 2023-10-16 |
| TW202341110A (zh) | 2023-10-16 |
| TWI817633B (zh) | 2023-10-01 |
| TW202341461A (zh) | 2023-10-16 |
| TWI815512B (zh) | 2023-09-11 |
| TWI800409B (zh) | 2023-04-21 |
| TW202341412A (zh) | 2023-10-16 |
| TWI807946B (zh) | 2023-07-01 |
| TWI820785B (zh) | 2023-11-01 |
| TWI827303B (zh) | 2023-12-21 |
| TW202341329A (zh) | 2023-10-16 |
| TWI804377B (zh) | 2023-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100645707B1 (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR102694326B1 (ko) | 디스플레이 모듈 및 이의 제조 방법 | |
| CN109860226B (zh) | 显示装置 | |
| US20190049794A1 (en) | Backlight module and liquid crystal display device | |
| KR102659865B1 (ko) | 디스플레이 모듈 및 디스플레이 모듈의 제조 방법 | |
| KR102562291B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
| TW201310137A (zh) | 光學構件及具有其之顯示裝置 | |
| US10539736B2 (en) | Light source module and backlight unit including the same | |
| US20210096424A1 (en) | Electronic device | |
| US20110122336A1 (en) | Multi-layer printed circuit board and liquid crystal display device having the same | |
| US8853726B2 (en) | Light emitting device package and lighting system having the same | |
| US20190013335A1 (en) | Display Substrate, Method of Fabricating the Same, Display Panel and Pressure Welding Device | |
| KR20090079568A (ko) | 광원 유닛, 그 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치 | |
| KR20230019404A (ko) | 면상 광원 및 그 제조 방법 | |
| WO2022170658A1 (zh) | 背光模组及其制作方法、液晶显示装置 | |
| TW202341540A (zh) | 轉移模組 | |
| CN102878482A (zh) | 背光模块及使用此背光模块的显示装置 | |
| KR20210066181A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20210000778A (ko) | 표시 장치 | |
| TWI751848B (zh) | 電子元件的接合方法 | |
| US10748848B2 (en) | Electronic device | |
| KR102652441B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| TWI739611B (zh) | 顯示裝置 | |
| TWI842387B (zh) | 次毫米發光二極體背光板的製法及其製品 | |
| US11652073B2 (en) | Light source unit and display device including the same |