TWI688138B - 發光裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種在曲面上具有發光區域的輕量發光裝置的製造方法。在將撓性基板支撐為平板狀的狀態下形成發光元件,並藉由利用該基板的變形或恢復,在曲面上設置發光區域。

Description

發光裝置的製造方法
本發明係關於一種發光裝置的製造方法。特別關於一種在曲面上具有發光區域的發光裝置的製造方法。
已知在預先成型為彎曲形狀的非透濕基板的內側表面設置有電致發光元件(也稱為EL元件)的發光裝置(專利文獻1)。
另外,已知將在接合於可剝離的平板上的具有撓性的基板上製造有機EL元件,從平板剝離具有撓性的基板,並沿著容器等的形狀而彎曲的發光裝置的製造方法(專利文獻2)。
另外,已知在形成有曲面部分的內側形狀保持板和外側形狀保持板之間夾有撓性EL元件片的發光裝置(專利文獻3)。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2003-264084號公 報
[專利文獻2]日本專利申請公開第2000-311781號公報
[專利文獻3]日本專利申請公開第2006-39471號公報
有機EL元件在一對電極之間具備包含發光性有機化合物的層。該包含發光性有機化合物的層的厚度極薄即幾十nm至幾百nm左右。當該厚度不均勻時,可能發生亮度的不均勻或一對電極之間的短路等的故障。
由此,當將彎曲形狀的有機EL元件製造在預先成型為彎曲形狀的非透濕基板的內側表面時,需要以不會發生上述故障的方式形成包含發光性有機化合物的層的加工技術。
此外,具有回到平板狀的趨勢的彈性的有機EL元件有時不能隨具有複雜曲面(例如,其曲率變化的曲面等)的裝置的外殼形狀而彎曲。
雖然藉由採用將撓性有機EL元件夾在兩個形狀保持板之間而彎曲的方法能夠使其隨複雜曲面彎曲,但是由於使用兩片形狀保持板,所以導致重量增加或成本增高。
本發明的一個方式是鑒於上述技術背景而提供的。因此,本發明的一個方式的目的在於提供一種在曲面上具有發光區域的輕量發光裝置的製造方法。
為了解決上述課題,本發明的一個方式是著眼於如下方法而創作出的:即,在將撓性基板支撐為平板狀的狀態下,形成發光元件,並利用該基板的變形或恢復,來在曲面上設置發光區域。於是,想到具有在本說明書中示例的結構的發光裝置的製造方法。
就是說,本發明的一個方式是一種在曲面上具有發光區域的發光裝置的製造方法,其包括:第一步驟,其中準備預先設置有所希望的曲面的撓性基板;第二步驟,其中以與支撐為平板狀的該基板接觸的方式形成將包含發光性有機化合物的層設置於一對電極之間的發光元件;第三步驟,其中將該基板的設置有發光元件的發光區域的部分變形或恢復為具有曲面的形狀。
上述本發明的一個方式的發光裝置的製造方法包括如下步驟:在將預先設置有所希望的曲面的撓性基板支撐為平板狀的狀態下形成發光元件;將該基板的設置有發光元件的部分變形或恢復為具有曲面的形狀,來在曲面上設置發光區域。藉由上述方式,能夠在曲面上設置發光元件的發光區域,而不使用形狀保持板等,且不使其他構件由於變形與發光元件接觸。其結果,能夠提供在曲面上具有發光區域的輕量發光裝置的製造方法。
另外,本發明的一個方式是一種在曲面上具有發光區域的發光裝置的製造方法,其包括:第一步驟,其中以與支撐為平板狀的具有撓性的第一基板接觸的方式形成將包含發光性有機化合物的層設置於一對電極之間的 發光元件;第二步驟,其中以第一溫度T1將熱收縮性的第二基板設置在第一基板的沒有形成發光元件的一側;第三步驟,其中藉由使第二基板處於第二溫度T2將發光元件的發光區域設置在曲面上。
上述本發明的一個方式的發光裝置的製造方法包括如下步驟:在將撓性基板支撐為平板狀的狀態下形成發光元件;將熱收縮性基板黏合於該基板,使被黏合的熱收縮性基板變形,來在曲面上設置發光區域。藉由上述方式,能夠在曲面上設置發光元件的發光區域,既不使用形狀保持板等,又不使其他構件與發光元件接觸。其結果,能夠提供在曲面上具有發光區域的輕量發光裝置的製造方法。
另外,本發明的一個方式是一種在曲面上具有發光區域的發光裝置的製造方法,其包括:第一步驟,其中以與支撐為平板狀的具有撓性的第一基板接觸的方式形成將包含發光性有機化合物的層設置於一對電極之間的發光元件;第二步驟,其中以第一溫度T1將熱收縮性的第二基板設置在第一基板的形成有發光元件的一側;第三步驟,其中藉由使第二基板處於第二溫度T2將發光元件設置在曲面上。
上述本發明的一個方式的發光裝置的製造方法包括如下步驟:在將撓性基板支撐為平板狀的狀態下形成發光元件;將熱收縮性基板黏合於該基板,使被黏合的熱收縮性基板變形,來在曲面上設置發光區域。藉由上述 方式,能夠在曲面上設置發光元件的發光區域,而不使用形狀保持板等,且不使其他構件與發光元件接觸。其結果,能夠提供在曲面上具有發光區域的輕量發光裝置的製造方法。
另外,在本說明書中,EL層是指設置在發光元件的一對電極之間的層。因此,夾在電極之間的包含為發光物質的有機化合物的發光層是EL層的一個方式。
此外,在本說明書中,當將物質A分散在由其他物質B形成的基質(matrix)中時,將構成基質的物質B稱為主體材料,並且將分散在基質中的物質A稱為客體材料。注意,物質A和物質B可以分別是單一物質或者是兩種或更多種物質的混合物。
另外,在本說明書中,發光裝置是指影像顯示裝置或光源(包括照明設備)。而且,所述發光裝置包括任何下列模組:連接器如FPC(flexible printed circuit:軟性印刷電路)或者TCP(tape carrier package:帶載封裝)被安裝到發光裝置上的模組;在TCP的先端設有印刷線路板的模組;或者藉由COG(chip-on-glass:玻璃上晶片)法將IC(積體電路)直接安裝在形成有發光元件的基板上的模組。
根據本發明的一個方式,能夠提供在曲面上具有發光區域的輕量發光裝置的製造方法。
10‧‧‧基板支撐機構
100‧‧‧發光裝置
110‧‧‧基板
130‧‧‧發光元件
200‧‧‧發光裝置
210‧‧‧基板
220‧‧‧基板
220a‧‧‧基板
220b‧‧‧基板
230‧‧‧發光元件
280a‧‧‧端子部
280b‧‧‧端子部
300‧‧‧發光裝置
310‧‧‧基板
320‧‧‧基板
320a‧‧‧基板
320b‧‧‧基板
320c‧‧‧基板
320d‧‧‧基板
330‧‧‧發光元件
400‧‧‧發光裝置
450‧‧‧外裝
453‧‧‧電路
455‧‧‧內蓋
457‧‧‧二次電池
460‧‧‧外蓋
480‧‧‧端子部
490‧‧‧外殼
1101‧‧‧陽極
1102‧‧‧陰極
1103‧‧‧發光單元
1103a‧‧‧發光單元
1103b‧‧‧發光單元
1104‧‧‧中間層
1104a‧‧‧電子注入緩衝體
1104b‧‧‧電子中繼層
1104c‧‧‧電荷產生區域
1113‧‧‧電洞注入層
1114‧‧‧電洞傳輸層
1115‧‧‧發光層
1116‧‧‧電子傳輸層
1117‧‧‧電子注入層
7100‧‧‧可攜式顯示裝置
7101‧‧‧外殼
7102‧‧‧顯示部
7103‧‧‧操作按鈕
7104‧‧‧收發裝置
7200‧‧‧照明設備
7201‧‧‧底座
7202‧‧‧發光部
7203‧‧‧操作開關
7210‧‧‧照明設備
7212‧‧‧發光部
7220‧‧‧照明設備
7222‧‧‧發光部
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
圖1是說明根據實施方式的發光裝置的製造方法的流程圖;圖2A至2D是說明根據實施方式的發光裝置的製造方法的圖;圖3是說明根據實施方式的發光裝置的製造方法的流程圖;圖4A至4E是說明根據實施方式的發光裝置的製造方法的圖;圖5是說明根據實施方式的發光裝置的製造方法的流程圖;圖6A至6E是說明根據實施方式的發光裝置的製造方法的圖;圖7是說明容納根據實施方式的發光裝置的外殼的圖;圖8A至8E是說明能夠應用於根據實施方式的發光裝置的發光元件的圖;圖9A至9E是說明使用根據實施方式的發光裝置的電子裝置及照明設備的圖。
將參照圖式詳細地說明實施方式。但是,本發明不侷限於以下說明,而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫 離本發明的宗旨及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此,本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。注意,在下面說明的發明結構中,在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分,而省略反復說明。
實施方式1
在本實施方式中,參照圖1和圖2A至2D說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法。圖1示出用來說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的流程圖,圖2A至2D示出每一步驟的製程中的發光裝置的結構的示意圖。
本實施方式例示說明的在曲面上具有發光區域的發光裝置100的製造方法如下。
在第一步驟中,準備預先設置有所希望的曲面的撓性基板110(參照圖1(i1)及圖2A)。
在第二步驟中,以與支撐為平板狀的基板110接觸的方式形成將包含發光性有機化合物的層設置於一對電極之間的發光元件130(參照圖1(i2)、圖1(i3)、圖2B及圖2C)。
在第三步驟中,藉由將基板110變形或恢復為具有曲面的形狀,在曲面上設置發光裝置100的發光元件130的發光區域(參照圖1(i4)及圖2D)。
這裏,基板支撐機構10將基板110支撐為平 板狀。
本實施方式所例示的發光裝置的製造方法包括如下步驟:在將預先設置有所希望的曲面的撓性基板110支撐為平板狀的狀態下形成發光元件130;將該基板110變形為具有曲面的形狀或恢復為具有曲面的形狀,來在曲面上設置發光區域。藉由上述方式,能夠在曲面上設置發光元件130的發光區域,而不使用形狀保持板等,且不使其他構件由於變形與發光元件130接觸。其結果,能夠提供在曲面上具有發光區域的輕量發光裝置100的製造方法。
將對可用於本發明的一個方式的發光裝置的製造方法中的基板110及基板支撐機構10的結構進行說明。該基板110自發變形或恢復為具有曲面的形狀。該基板支撐機構10將該基板110固定為平板狀。
《自發變形或恢復為具有曲面的形狀的基板》
本實施方式所例示的基板110在形成發光元件130的步驟中藉由基板支撐機構支撐為平板狀,並在後面的步驟中離開基板支撐機構10而恢復具有曲面的形狀。
作為自發變形或恢復為具有曲面的形狀的基板110,例如可以舉出被成型加工為具有曲面的形狀的金屬板或塑膠板、或者板狀的複合材料等。
作為金屬板的具體例子,可以舉出片簧的材料諸如彈簧鋼、不鏽鋼、黃銅、德銀、磷青銅、鈹青銅 等、以及具有彈性的金屬板。
作為塑膠板的具體例子,可以舉出丙烯酸樹脂板、聚碳酸酯板等、以及各種工程塑膠等。
作為板狀的複合材料,可以舉出玻璃纖維和樹脂的複合材料、金屬板或塑膠板和其他材料的疊層材料等。
另外,基板110也可以包括其他材料,例如極薄玻璃板(例如,厚度為幾十μm的玻璃板)或防止雜質(例如,水或氧)透過的膜(例如,無機材料膜,具體是氧化矽、氮化矽等)。
另外,在從設置有基板110的一側提取發光元件130所發射的光的情況下,使用對可見光具有透光性的材料作為基板110及發光元件130的基板110一側的電極。
基板110所具有的曲面可以變形為平板狀。此外,也可以從變形為平板狀的狀態恢復為曲面。這樣的曲面可以稱為「可展曲面」。可展曲面是指在曲面上的任意點處可以繪製經過該點的至少一個直線的曲面。
這裏,基板110的厚度及基板110所具有的曲面的曲率半徑只要與形成在該基板110上的發光元件的結構相對應,即可。例如,藉由將基板110的厚度設定為40μm以上300μm以下,且將曲率半徑設定為20mm以上,能夠防止發光元件130在基板110恢復到具有曲面的形狀時發生故障。
《基板支撐機構》
基板支撐機構10將自發變形或恢復為具有曲面的形狀的基板110支撐為平板狀。圖2A示意性地示出基板支撐機構10以沿著其表面的方式支撐預先成型為向上凸狀的基板110而使基板110具有平板狀的情況。另外,也可以以與上述同樣的方式使預先成型為向下凸狀的形狀的基板具有平板狀。
作為將基板110支撐為平板狀的方法,例如可以採用夾緊機構,藉由該夾緊機構將基板110的邊緣夾緊,來沿著基板支撐機構10的表面將基板110支撐為平板狀。
此外,也可以利用磁力。利用磁力沿著基板支撐機構10的表面吸引基板110。或者,也可以藉由利用磁力將固定工具吸引到基板支撐機構10的表面,在固定工具和基板支撐機構10之間夾置基板110,來將基板110支撐為平板狀。
此外,也可以採用如下方法:使用可剝離的黏合劑將預先設置有曲面的基板110黏合到具有剛性的平板狀的製造用基板上,而形成平板狀的疊層板,並使用該疊層板形成發光元件130。藉由上述方法,基板支撐機構10可以以與平板狀的基板相同的方式對基板110進行處理。
以下,對本發明的一個方式的發光裝置的製 造方法的每一步驟進行說明。
《第一步驟》
將預先設置有所希望的曲面且自發變形或恢復為具有曲面的形狀的基板110沿著基板支撐機構10的表面支撐為平板狀(參照圖2A及2B)。
《第二步驟》
以與沿著基板支撐機構10的表面支撐為平板狀的基板110接觸的方式形成發光元件130(參照圖2C)。
這裏,發光元件130在第一電極和第二電極之間具備包含發光性有機化合物的層。在實施方式5中詳細說明發光元件130的結構。
作為發光元件130的形成方法,例如可以舉出如下方法:以與基板110接觸的方式形成一個電極,在該一個電極上形成包含發光性有機化合物的層,在該包含發光性有機化合物的層上層疊另一個電極。
另外,作為其他方法,有使用其表面上形成有可從在其上層疊的層剝離的層的製造用基板的方法。
在其表面上形成有可剝離的層的製造用基板的該可剝離的層上形成一個電極,在該一個電極上形成包含發光性有機化合物的層,在該包含發光性有機化合物的層上層疊另一個電極。
接著,使用黏合劑將平板狀的基板110黏合 於發光元件130的另一個電極的一側。再者,藉由從製造用基板的可剝離的層剝離發光元件130,將發光元件130轉置到支撐為平板狀的基板110上。可以藉由上述方法在基板110上形成發光元件130。
或者,使用黏合劑將具有撓性的第二基板黏合於發光元件130的另一個電極的一側。接著,藉由從製造用基板的可剝離的層剝離發光元件130,將發光元件130轉置到第二基板上。再者,使用黏合劑將平板狀的基板110黏合於發光元件130的一個電極的一側。可以藉由上述方法在基板110上形成發光元件130。
藉由採用在其表面上形成有可剝離的層的製造用基板上形成發光元件的方法,能夠將不能直接設置在具有撓性的基板110上的膜(例如,只能以超過基板110的耐熱性的溫度形成的膜)設置在基板110與發光元件130之間。
具體來說,可以將用來抑制雜質向發光元件130擴散的膜(例如,氧化膜或氮化膜等。具體來說,氧化矽膜或氮化矽膜等)設置在發光元件130與塑膠薄膜之間。
另外,可以以與上述可剝離的層重疊的方式形成電路諸如用來對發光元件130供應電力的佈線、用來驅動發光元件130的電晶體。藉由上述方式,能夠在基板110與發光元件130之間設置不能直接設置在基板110上的電路。例如,可以將主動矩陣型發光裝置(也可以稱為 顯示裝置)製造在基板110上。
由於雜質(例如,水或氧等),發光元件130的可靠性有可能會降低。為了抑制雜質向發光元件130擴散,較佳的是,在基板110與發光元件130之間設置具有氣體阻擋性和撓性的密封膜。
作為具有氣體阻擋性和撓性的密封膜,可以例示出厚度為幾十μm至幾百μm的玻璃板、金屬箔、形成有具有氣體阻擋性的無機膜的塑膠薄膜等。這裏,形成有具有氣體阻擋性的無機膜的塑膠薄膜可以藉由將在上述製造用基板的可剝離的層上形成的氣體阻擋性良好的膜轉置到塑膠薄膜上的方法而製造。
《第三步驟》
使基板支撐機構10離開基板110。預先設置有所希望的曲面的基板110自發變形或恢復為具有曲面的形狀。其結果,可以在曲面上設置發光元件130的發光區域(參照圖2D)。
當變形為平板狀的基板110自發恢復到曲面狀時,其表面伸縮而對發光元件130施加應力。為了抑制對發光元件130施加的應力,基板110的厚度較佳為40μm以上300μm以下。此外,基板110自發恢復的曲面的曲率半徑較佳為20mm以上。
在以形成有發光元件130的表面為凹狀的方式基板110自發變形或恢復的情況下,對發光元件130的 與基板110接觸的一側施加的壓縮應力比對發光元件130的不與基板110接觸的一側施加的壓縮應力大。
此外,在以形成有發光元件130的表面為凸狀的方式基板110自發變形或恢復的情況下,對發光元件130的與基板110接觸的一側施加的拉伸應力比對發光元件130的不與基板110接觸的一側施加的拉伸應力大。
如上所述,雖然發光元件130被施加不均勻的應力,但是由於發光元件130的厚度極薄(例如,可以為100nm以上600nm以下左右),所以在發光元件130的雙面產生的應力的差異很小。其結果,發光元件130不容易因基板110的自發變形或恢復而損壞。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中,參照圖3和圖4A至4E說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法。圖3示出用來說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的流程圖,圖4A至4E示出每一步驟的製程中的發光裝置的結構的示意圖。
本實施方式例示說明的在曲面上具有發光區域的發光裝置200的製造方法如下。
在第一步驟中,以與支撐為平板狀的具有撓性的第一基板210接觸的方式形成將包含發光性有機化合 物的層設置於一對電極之間的發光元件230(參照圖3(j2)及圖4A)。
在第二步驟中,以與發光元件230之間夾有第一基板210的方式以第一溫度T1設置熱收縮性的第二基板220(參照圖3(j2)及圖4B)。換言之,將第二基板220設置在第一基板210的沒有形成發光元件230的一側。
在第三步驟中,藉由使第二基板220的溫度為第二溫度T2,在曲面上設置發光元件230的發光區域(參照圖3(j3)及圖4C)。
這裏,基板支撐機構10將基板210支撐為平板狀。
本實施方式所例示的發光裝置200的製造方法包括如下步驟:在將撓性基板210支撐為平板狀的狀態下形成發光元件230;將熱收縮性基板220黏合於基板210,使被黏合的熱收縮性基板220變形,來在曲面上設置發光區域。藉由上述方式,能夠在曲面上設置發光元件230的發光區域,而不使用形狀保持板等,且不使其他構件由於變形與發光元件230接觸。其結果,能夠提供在曲面上具有發光區域的輕量發光裝置200的製造方法。
對可以用於本發明的一個方式的發光裝置200的製造方法中的熱收縮性基板220的結構進行說明。
熱收縮性基板220藉由將其溫度從第一溫度T1改變為第二溫度T2而發生收縮,從而其尺寸變化。例 如,可以使用收縮薄膜(單軸拉伸薄膜或雙軸拉伸薄膜等)。特別是,單軸拉伸薄膜由於能夠將收縮方向控制為一個方向,所以適合於可展曲面的形成。
作為可以適用於熱收縮性基板220的材料的例子,可以舉出聚氯乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚乙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜或聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜等、或者包含選自它們中的薄膜的疊層薄膜。這些薄膜由於高於常溫的溫度(例如80℃至120℃左右)的加熱而收縮。例如,將第一溫度T1設定為常溫,而將第二溫度T2設定為高於常溫的溫度。
另外,在從撓性基板210的黏合有熱收縮性基板220的一側提取發光元件230所發射的光的情況下,使用對可見光具有透光性的材料作為熱收縮性基板220、撓性基板210以及發光元件230的基板210一側的電極。
以下,對本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的每一步驟進行說明。
《第一步驟》
以與在基板支撐機構10上支撐為平板狀的具有撓性的第一基板210接觸的方式形成將包含發光性有機化合物的層設置於一對電極之間的發光元件230(參照圖4A)。
《第二步驟》
使基板支撐機構10離開設置有發光元件230的第一 基板220。接著,以第一溫度T1設置熱收縮性的第二基板220,以使第一基板210夾在第二基板220與發光元件230之間(參照圖4B)。換言之,將第二基板220設置在第一基板210的沒有形成發光元件230的一側。
《第三步驟》
藉由使第二基板220的溫度為第二溫度T2而使其收縮,在曲面上設置發光元件230的發光區域(參照圖4C)。這裏,作為對熱收縮性的基板進行加熱的方法,可以舉出向基板噴射加熱過的氣體的方法或在填充有加熱氣體的爐中傳送基板的方法等。
<變形例子>
在本實施方式的變形例子中,參照圖4D及4E對在發光區域中選擇性地設置有曲面的發光裝置200的製造方法進行說明。
在第一步驟中,以與支撐為平板狀的具有撓性的第一基板210接觸的方式形成將包含發光性有機化合物的層設置於一對電極之間的發光元件230。
在第二步驟中,以第一溫度T1選擇性地設置熱收縮性的第二基板220a及第二基板220b,以使第一基板210夾在第二基板220a及220b與發光元件230之間(參照圖4D)。
在第三步驟中,藉由使第二基板220a及第二 基板220b的溫度為第二溫度T2,在曲面上設置發光元件230的發光區域(參照圖4E)。
本實施方式所例示的發光裝置200的製造方法包括如下步驟:在將撓性基板210支撐為平板狀的狀態下形成發光元件230;藉由利用選擇性地與該基板210黏合的熱收縮性的第二基板220a及第二基板220b的變形或恢復,在曲面上設置發光區域。藉由上述方式,能夠將曲面設置在發光元件230的所要求的部分中,而不使用形狀保持板等,且不使其他構件由於變形與發光元件230接觸。其結果,能夠提供在曲面上具有發光區域的輕量發光裝置200的製造方法。
在此,圖4D所示的箭頭示出熱收縮性的第二基板220a及第二基板220b的收縮方向。以使要形成的曲面的棱線位置在曲面的中心的方式將熱收縮性的第二基板黏合在第一基板210上。藉由上述方式,能夠在所要求的部分中形成曲面。
此外,當在沒有形成發光裝置的曲面的部分中形成與發光元件230電連接的端子部280a及端子部280b時,由於端子部的撓性沒有受損,因此這是較佳的。藉由這樣的方式,能夠將端子部進一步彎折而連接到連接器等。與形成在形成有曲面的部分中的端子部相比,形成在平板狀的部分中的端子部與外部裝置之間的連接更容易實現。例如,容易實現與其端子配置為平板狀的連接器或撓性印刷基板之間的連接。此外,當將端子部設置在 形成曲面的部分時,可以對端子部賦予剛性。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中,參照圖5和圖6A至6E說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法。圖5示出用來說明本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的流程圖,圖6A至6E示出每一步驟的製程中的發光裝置的結構的示意圖。
本實施方式例示說明的在曲面上具有發光區域的發光裝置300的製造方法如下。
在第一步驟中,以與支撐為平板狀的具有撓性的第一基板310接觸的方式形成將包含發光性有機化合物的層設置於一對電極之間的發光元件330(參照圖5(k1)及圖6A)。
在第二步驟中,以第一溫度T1設置熱收縮性的第二基板320,以使發光元件330夾在第二基板320與第一基板310之間(參照圖5(k2)及圖6B)。換言之,將第二基板320設置在第一基板310的形成有發光元件330的一側。
在第三步驟中,藉由使第二基板320的溫度為第二溫度T2,在曲面上設置發光元件330的發光區域(參照圖5(k3)及圖6C)。
這裏,基板支撐機構10將基板310支撐為平板狀。
本實施方式所例示的發光裝置的製造方法包括如下步驟:在將撓性基板310支撐為平板狀的狀態下形成發光元件330;將熱收縮性基板320黏合於基板310,使被黏合的熱收縮性基板320變形,來在曲面上設置發光區域。藉由上述方式,能夠在曲面上設置發光元件330的發光區域,而不使用形狀保持板等,且不使其他構件由於變形與發光元件330接觸。其結果,能夠提供在曲面上具有發光區域的輕量發光裝置的製造方法。
作為可以用於本發明的一個方式的發光裝置300的製造方法中的熱收縮性基板320,可以應用與實施方式2例示說明的熱收縮性基板220相同的結構。
另外,在從熱收縮性基板320的一側提取發光元件330所發射的光的情況下,使用對可見光具有透光性的材料作為熱收縮性基板320以及發光元件330的基板320一側的電極。
以下,對本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的每一步驟進行說明。
《第一步驟》
以與在基板支撐機構10上支撐為平板狀的具有撓性的第一基板310接觸的方式形成將包含發光性有機化合物的層設置於一對電極之間的發光元件330(參照圖6A)。
《第二步驟》
使基板支撐機構10離開設置有發光元件330的第一基板310。接著,以第一溫度T1設置熱收縮性的第二基板320,以使發光元件330夾在第二基板320與第一基板310之間(參照圖6B)。換言之,將第二基板320設置在第一基板310的形成有發光元件330的一側。
《第三步驟》
藉由使第二基板320的溫度為第二溫度T2而使其收縮,在曲面上設置發光元件330的發光區域(參照圖6C)。
當熱收縮性的第二基板320收縮時,熱收縮性的第二基板320對與其接觸的發光元件330的表面施加應力。在發光元件330被該應力損壞的情況下,也可以設置與發光元件330重疊的保護層以防止該應力直接施加到發光元件330。特別是,將覆蓋發光元件330的保護層固定於基板310的結構是很有效的。
或者,也可以採用在設置有隔壁的基板310上形成發光元件330並將該隔壁與保護層或熱收縮性的第二基板320黏合的結構。由於該隔壁支撐熱收縮性的第二基板320收縮時的應力,可以防止發光元件330被損壞的現象。
這裏,作為可用於保護層的材料的例子,可 以舉出用黏合劑黏合的撓性薄膜、塗敷液狀材料而形成的樹脂層、藉由濺射法或化學氣相沉積法形成的薄膜。
此外,也可以將第二基板320或/及保護層兼作用來抑制雜質(例如,水或氧)向發光元件330擴散的現象的密封膜。
<變形例子>
在本實施方式的變形例子中,參照圖6D及6E對在發光區域中選擇性地設置有凸狀曲面及凹狀曲面的發光裝置300的製造方法進行說明。
在第一步驟中,以與支撐為平板狀的具有撓性的第一基板310接觸的方式形成將包含發光性有機化合物的層設置於一對電極之間的發光元件330。
在第二步驟中,以第一溫度T1設置熱收縮性的第二基板320a及第二基板320b,以使發光元件330夾在第二基板320a及320b與第一基板310之間。此外,選擇性地設置熱收縮性的第二基板320c及第二基板320d,以使第一基板310夾在第二基板320c及320d與發光元件330之間(參照圖6D)。
在第三步驟中,藉由使第二基板320a、第二基板320b、第二基板320c及第二基板320d的溫度為第二溫度T2,在曲面上設置發光元件330的發光區域(參照圖6E)。
本實施方式所例示的發光裝置300的製造方 法包括如下步驟:在將撓性基板310支撐為平板狀的狀態下形成發光元件330;藉由利用選擇性地與該基板310黏合的熱收縮性基板的變形,在曲面上設置發光區域。藉由上述方式,能夠將曲面設置在發光元件330的所要求的部分中,而不使用形狀保持板等,且不使其他構件由於變形與發光元件330接觸。其結果,能夠提供在曲面上具有發光區域的輕量發光裝置300的製造方法。
在此,圖6D所示的箭頭示出熱收縮性的第二基板320a、第二基板320b、第二基板320c及第二基板320d的收縮方向。以使要形成的曲面的棱線位置在曲面的中心的方式黏合熱收縮性的第二基板。藉由上述方式,能夠在所要求的部分中形成曲面。
此外,藉由沿虛線A-B折彎發光裝置300,能夠以使凸狀曲面與凹狀曲面重疊的方式將其折疊而實現小型化。這樣的發光裝置例如藉由容納在可折疊的資訊終端裝置的外殼內部而可以用作顯示部的背光。此外,可以用作主動矩陣型的顯示裝置。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中,參照圖7說明外殼結構的一個例子。該外殼能夠容納使用本發明的一個方式的發光裝置的製造方法來形成的發光裝置。
本實施方式所例示的外殼490具備外裝450、外蓋460及在外裝450與外蓋460之間的內蓋455。藉由黏結方式或密封結構(例如,O型圈)將內蓋455緊貼於外裝450,而在內蓋455和外裝450之間形成密閉空間。
在形成在內蓋455與外裝450之間的密閉空間中容納使用本發明的一個方式的製造方法來形成的發光裝置400。該發光裝置400的發光區域朝向外裝450一側。
內蓋455和外裝450都由抑制雜質(例如,水或氧)透過的材料構成。藉由採用上述結構,能夠防止雜質污染所導致的容納在密閉空間中的發光裝置400的可靠性降低。
作為可用於內蓋455和外裝450的材料,例如可以舉出金屬、玻璃或陶瓷板等的緻密無機材料。此外,還可以舉出利用用來抑制雜質透過的層(具體為上述緻密無機材料層或者包含類金剛石碳、氧化矽或氮化矽等的層)改性的塑膠等。
另外,也可以在形成在內蓋455與外裝450之間的密閉空間中容納捕獲雜質的材料(例如,乾燥劑及去氧劑等)。此外,也可以容納用來驅動發光裝置400的電路453等,並將其與發光裝置400的端子部480電連接。
發光裝置400在曲面上具有發光區域,能夠在該發光區域中顯示文字和影像。由於外裝450的透光性 區域配置在與發光裝置400重疊的位置,因此使用者能夠從外裝450的外側觀看該顯示。由於顯示部延伸到外殼的側面,所以能夠顯示的信息量很大。
此外,除了形成在內蓋455與外裝450之間的密閉空間以外,還可以在內蓋455與外蓋460之間形成其他空間。本實施方式所例示的外殼490在形成在內蓋455與外蓋460之間的空間中具備二次電池457。如此,藉由在與密閉空間不同的空間中配置需要進行保養和檢查的構件,可以減少密閉空間被雜質污染的次數。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式5
在本實施方式中,參照圖8A至8E對使用本發明的一個方式的發光裝置的製造方法以與支撐為平板狀的基板接觸的方式形成的發光元件的結構的一個例子。
本實施方式所例示的發光元件具備第一電極、第二電極及在第一電極和第二電極之間的包含發光性有機化合物的層(以下稱為EL層)。第一電極或第二電極的任一個用作陽極,而另一個用作陰極。EL層的結構根據第一電極和第二電極的極性及材料適當地選擇。
這裏,使用透過可見光的導電膜形成第一電極和第二電極中的至少一個。
作為透過可見光的導電膜,例如可以使用銦 錫氧化物、透過光的金屬薄膜(例如,厚度為5nm以上30nm以下左右的薄膜)。
<發光元件的結構例子1.>
圖8A示出發光元件的結構的一個例子。圖8A所示的發光元件在陽極1101和陰極1102之間夾有EL層。
當對陽極1101和陰極1102之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時,來自陽極1101一側的電洞以及來自陰極1102一側的電子注入到EL層中。被注入的電子和電洞在EL層中重新結合,於是,包含在EL層的發光物質發光。
在本說明書中,將具有從雙端注入的電子和電洞重新結合的一個區域的層或層疊體稱為發光單元。作為發光元件的結構例子1在圖8A中示出的發光元件可以記為具備一個發光單元。
發光單元1103只要具備至少一個以上的包含發光物質的發光層即可,也可以具有發光層與發光層以外的層的疊層結構。作為發光層以外的層,例如可以舉出包含高電洞注入性物質、高電洞傳輸性物質、低電洞傳輸性(阻擋電洞的)物質、高電子傳輸性物質、高電子注入性物質以及雙極性(高電子及電洞傳輸性)物質等的層。特別是,以與陽極接觸的方式設置的包含高電洞注入性物質的層以及以與陰極接觸的方式設置的包含高電子注入性物質的層降低與從電極向發光單元的載子注入有關的勢壘。 這些層可以稱為載子注入層。
圖8B示出發光單元1103的具體結構的一個例子。圖8B所示的發光單元1103從陽極1101一側依次層疊有電洞注入層1113、電洞傳輸層1114、發光層1115、電子傳輸層1116以及電子注入層1117。
<發光元件的結構例子2.>
圖8C示出發光元件的結構的另一個例子。圖8C例示的發光元件在陽極1101和陰極1102之間夾有包含發光單元1103的EL層。而且,在陰極1102和發光單元1103之間設置有中間層1104。注意,可以將與上述發光元件的結構例子1所具備的發光單元同樣的結構應用於該發光元件的結構例子2的發光單元1103。詳細內容可以參照發光元件的結構例子1的記載。
中間層1104至少包括電荷產生區域。例如,可以採用如下結構:從陰極1102一側依次層疊有第一電荷產生區域1104c、電子中繼層1104b及電子注入緩衝體1104a。
將對中間層1104中的電子和電洞的舉動進行說明。當對陽極1101和陰極1102之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時,在第一電荷產生區域1104c中產生電洞和電子,電洞向陰極1102移動,電子向電子中繼層1104b移動。
電子中繼層1104b具有高電子傳輸性,能夠 將在第一電荷產生區域1104c中產生的電子及時送達到電子注入緩衝體1104a中。電子注入緩衝體1104a緩和阻礙電子注入到發光單元1103的勢壘。
另外,電子中繼層1104b可以防止構成第一電荷產生區域1104c的物質和構成電子注入緩衝體1104a的物質在介面接觸而導致彼此的功能等損壞的相互作用。
可用於該發光元件的結構例子2的陰極的材料的選擇範圍比可用於結構例子1的陰極的材料的選擇範圍大。這是因為結構例子2的陰極只要接受中間層所產生的電洞即可,而可以採用功函數較大的材料的緣故。
<發光元件的結構例子3.>
圖8D示出發光元件的結構的另一個例子。圖8D所例示的發光元件具備在陽極1101和陰極1102之間設置有兩個發光單元的EL層。而且,第一發光單元1103a和第二發光單元1103b之間設置有中間層1104。
設置在陽極和陰極之間的發光單元的個數不限於兩個。圖8E所例示的發光元件具有包括n層(n是2以上的自然數)的發光單元1103的所謂串聯型的結構。在層疊的發光單元之間設置有中間層1104。
另外,發光元件的結構例子3的發光單元1103可以應用與發光元件的結構例子1的發光單元1103同樣的結構。此外,發光元件的結構例子3的中間層1104可以應用與發光元件的結構例子2的中間層1104同 樣的結構。
當對陽極1101和陰極1102之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時,在中間層1104中產生電洞和電子,電洞向設置在陰極1102一側的發光單元移動,電子向設置在陽極一側的發光單元移動。
注入到設置在陰極一側的發光單元的電洞與從該發光單元的陰極一側注入的電子重新結合,由此包含在該發光單元中的發光物質發光。因此,在中間層1104中產生的電洞和電子分別在不同的發光單元中發光。
另外,當藉由將發光單元設置為彼此接觸,在兩者之間形成與中間層同樣的結構時,可以將發光單元設置為彼此接觸。明確而言,當在發光單元的一個面形成有電荷產生區域時,因為該電荷產生區域用作中間層的第一電荷產生區域,所以可以將發光單元設置為彼此接觸。
此外,也可以在陰極和第n個發光單元之間設置中間層。
上述發光元件能夠從包含在發光單元中的發光性有機化合物中獲得發光,並且藉由改變發光性有機化合物的種類,可以選擇其發光顏色。
另外,藉由使用發光顏色不同的多個發光物質,可以擴大發光光譜的寬度。
例如,在要得到呈現白色的發光的情況下,例如採用具備至少兩個包含發光物質的層的結構,並使每個層分別發射呈現處於互補色關係的顏色的光,即可。作 為具體的互補色關係,例如可以舉出藍色與黃色、藍綠色與紅色等。
再者,在要得到演色性良好的白色發光的情況下,較佳的是,使用發光光譜擴大到可見光全區域的結構,例如,採用一個發光元件具備發射呈現藍色的光的層、發射呈現綠色的光的層及發射呈現紅色的光的層的結構,即可。
<發光元件的製造方法>
對發光元件的製造方法的一個方式進行說明。在第一電極上適當地組合上述層而形成EL層。在形成EL層時,根據用於EL層的材料可以採用各種方法(例如干處理或濕處理等)。例如,可以採用真空蒸鍍法、噴墨法、旋塗法等。或者,也可以分別採用不同的方法而形成每個層。在EL層上形成第二電極,來製造發光元件。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
實施方式6
在本實施方式中,參照圖9A至9E說明應用發光裝置的電子裝置及照明設備,其中該發光裝置使用本發明的一個方式的發光裝置的製造方法形成。
圖9A示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400包括組裝在外殼7401中的顯示部7402、操作按 鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外,藉由將發光裝置用於顯示部7402製造行動電話機7400。
圖9A所示的行動電話機7400藉由用手指等觸摸顯示部7402,可以輸入資訊。此外,藉由用手指等觸摸顯示部7402可以進行打電話或輸入文字等的所有操作。
此外,藉由進行操作按鈕7403的操作,可以切換電源的ON、OFF或顯示在顯示部7402的影像的種類。例如,可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
在此,在顯示部7402中組裝有藉由本發明的一個方式而製造的發光裝置。因此,可以提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的行動電話機。
圖9B是腕帶型的可攜式顯示裝置的一個例子。可攜式顯示裝置7100包括外殼7101、顯示部7102、操作按鈕7103以及收發裝置7104。
可攜式顯示裝置7100能夠由收發裝置7104接收影像信號,且可以將所接收的影像顯示在顯示部7102。此外,也可以向其他接收設備發送聲音信號。
此外,可以使用操作按鈕7103進行電源的ON、OFF工作或所顯示的影像的切換或者音量調整等。
在此,顯示部7102組裝有藉由本發明的一個方式而製造的發光裝置。因此,可以提供一種具備彎曲的 顯示部且可靠性高的可攜式顯示裝置。
圖9C至圖9E示出照明設備的一個例子。照明設備7200、7210、7220都包括具備操作開關7203的底座7201、以及由底座7201支撐的發光部。
圖9C所示的照明設備7200具備具有波狀的發光面的發光部7202。因此,提供一種設計性高的照明設備。
圖9D所示的照明設備7210所具備的發光部7212採用對稱地配置有彎曲為凸狀的兩個發光部的結構。因此,能夠以照明設備7210為中心全方位地照射光。
圖9E所示的照明設備7220具備彎曲為凹狀的發光部7222。因此,因為將來自發光部7222的發光聚集於照明設備7220的前面,所以適合於照亮特定範圍的情況。
此外,因為照明設備7200、照明設備7210、照明設備7220所具備的各發光部具有撓性,所以也可以採用如下結構:使用可塑性構件或可動框架等構件固定發光部,按照用途可以隨意彎曲發光部的發光面。
雖然在此例示了由底座支撐發光部的照明設備,但是也可以以具備有發光部的外殼固定在天花板或從天花板吊下的方式使用照明設備。由於能夠在發光面彎曲的狀態下使用照明設備,因此能夠將發光面以凹狀彎曲而照亮特定區域或者將發光面以凸狀彎曲而照亮全體房間。
本實施方式可以與本說明書所示的其他實施方式適當地組合。
本案基於2012年8月10日向日本專利局提出之日本專利申請案編號2012-178810,其整體內容援用於此。

Claims (11)

  1. 一種半導體裝置,包括:外裝;在該外裝上的發光裝置;在該發光裝置上的電路,該電路與該發光裝置電連接;在該電路上的第一蓋;以及在該第一蓋上的二次電池,其中該發光裝置包括發光元件,以及其中該發光裝置的發光區域的第一邊緣具有第一曲面。
  2. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該外裝包括金屬、玻璃和塑膠中的任一者。
  3. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該發光裝置包括金屬板或塑膠板。
  4. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該發光裝置包括單軸拉伸薄膜。
  5. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該第一蓋包括金屬元件。
  6. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,進一步包括在該二次電池上的第二蓋。
  7. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該發光元件包括在一對電極之間的有機層。
  8. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該 發光元件包括配置以發射藍色光的第一發光層、配置以發射綠色光的第二發光層、以及配置以發射紅色光的第三發光層。
  9. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該發光元件包括配置以發射藍色光的第一發光單元、以及配置以發射黃色光的第二發光單元。
  10. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該發光元件包括配置以發射藍綠色光的第一發光單元、以及配置以發射紅色光的第二發光單元。
  11. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置,其中該發光裝置的該發光區域的第二邊緣面對該發光區域的該第一邊緣,以及其中該發光區域的該第二邊緣具有第二曲面。
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014024900A1 (en) * 2012-08-10 2014-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
KR101404628B1 (ko) * 2013-05-29 2014-06-11 김선종 휘어짐이 가능한 전자기기
KR102315659B1 (ko) 2013-11-27 2021-10-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9229481B2 (en) 2013-12-20 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI524229B (zh) * 2014-03-04 2016-03-01 綠點高新科技股份有限公司 具有二維觸控結構的殼體及其製造方法
JP6381004B2 (ja) 2014-03-27 2018-08-29 インテル・コーポレーション マルチデバイスのフレキシブルエレクトロニクスシステムオンチップ(soc)のプロセス統合
KR102208992B1 (ko) * 2014-05-12 2021-01-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160000298A (ko) * 2014-06-24 2016-01-04 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
KR102034002B1 (ko) * 2014-08-26 2019-10-21 한국전자통신연구원 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN104794993B (zh) * 2015-03-02 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其制造方法
KR102294833B1 (ko) * 2015-05-08 2021-08-27 삼성디스플레이 주식회사 커브드 표시 장치
DE102015012278A1 (de) * 2015-09-24 2017-03-30 Audi Ag Dreidimensionale organische Leuchtdiodenvorrichtung
KR102480086B1 (ko) * 2016-01-11 2022-12-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US9837682B1 (en) * 2016-08-29 2017-12-05 Microsoft Technology Licensing, Llc Variable layer thickness in curved battery cell
KR20180030365A (ko) 2016-09-13 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180032742A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 패널 및 플렉시블 디스플레이 패널 벤딩 방법
WO2018138861A1 (ja) * 2017-01-27 2018-08-02 シャープ株式会社 表示装置
WO2018212035A1 (ja) * 2017-05-15 2018-11-22 パイオニア株式会社 発光装置
GB201714297D0 (en) * 2017-09-06 2017-10-18 Flexenable Ltd Curved display devices
KR102404974B1 (ko) * 2017-09-12 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
USD833996S1 (en) * 2017-09-20 2018-11-20 Dongguan Jianye Material Technology Co., Ltd. Cellphone
KR102536672B1 (ko) * 2017-11-06 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 구조체 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102452529B1 (ko) * 2017-12-12 2022-10-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108133668B (zh) * 2017-12-29 2021-05-11 广东长盈精密技术有限公司 一种基板的制备方法、基板及终端
US10916734B2 (en) 2018-02-07 2021-02-09 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method of manufacturing curved display, curved display and display
CN108400240B (zh) * 2018-02-07 2020-03-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 曲面显示器件的制作方法、曲面显示器件及显示装置
KR102494515B1 (ko) * 2018-07-09 2023-02-01 삼성전자주식회사 글래스 플레이트를 포함하는 전자 장치
KR20200058638A (ko) * 2018-11-19 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2020101642A (ja) * 2018-12-20 2020-07-02 シャープ株式会社 表示装置および電子機器
CN113631858B (zh) * 2019-04-01 2023-09-22 株式会社小糸制作所 车辆用灯具
KR20200124796A (ko) * 2019-04-24 2020-11-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 제조 방법, 표시 장치용 보호 필름, 및 이를 제조하는 벤딩 패널 제조장치
CN111129086A (zh) * 2019-12-13 2020-05-08 武汉华星光电技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN111355830A (zh) * 2020-02-24 2020-06-30 广州三星通信技术研究有限公司 电子装置以及外壳结构物
CN113826056B (zh) * 2020-03-20 2024-01-30 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其制备方法
US11858244B2 (en) 2020-09-15 2024-01-02 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Laminating device, laminating method thereof, flexible display module and display device
USD1003825S1 (en) * 2021-07-23 2023-11-07 Shenzhen R-TAX technology CO., LTD. Power bank

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060108588A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US20060192915A1 (en) * 2004-12-02 2006-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US20080062112A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US20080205066A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-28 Sony Corporation Optical element package
US20110062434A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof

Family Cites Families (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2742290B2 (ja) * 1989-03-24 1998-04-22 株式会社リコー 液晶表示素子
JPH06194680A (ja) * 1992-12-24 1994-07-15 Casio Comput Co Ltd 液晶フィルム基板
JPH07254488A (ja) 1994-03-16 1995-10-03 Eritsukusu:Kk エレクトロルミネッセントランプ
JPH1065357A (ja) * 1996-08-22 1998-03-06 Casio Comput Co Ltd 電子機器
JPH11109880A (ja) 1997-10-02 1999-04-23 Japan Aviation Electron Ind Ltd 表示装置
JP2000311781A (ja) 1999-04-28 2000-11-07 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機el素子とその製造方法
JP2001100641A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2002006769A (ja) * 2000-06-22 2002-01-11 Morio Taniguchi 有機エレクトロルミネッセンス発光表示装置
US6956324B2 (en) * 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US7030551B2 (en) 2000-08-10 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Area sensor and display apparatus provided with an area sensor
JP2002247164A (ja) 2001-02-14 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置
JP3758512B2 (ja) * 2001-03-02 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 電子機器
JP3747791B2 (ja) 2001-03-05 2006-02-22 セイコーエプソン株式会社 パネル駆動制御装置、腕時計型情報機器、携帯機器及びパネル駆動制御方法
JP2002350572A (ja) * 2001-05-28 2002-12-04 Seiko Instruments Inc 電子時計
TW558861B (en) * 2001-06-15 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP2003109773A (ja) * 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
JP5057619B2 (ja) 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
EP1448026A1 (en) 2001-10-25 2004-08-18 Harison Toshiba Lighting Corp. Light emitting apparatus
JP2003264084A (ja) 2002-03-11 2003-09-19 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置
US7042024B2 (en) 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
CN1639991B (zh) * 2001-12-12 2010-06-09 通用显示有限公司 智能多媒体显示通信系统
US7050835B2 (en) 2001-12-12 2006-05-23 Universal Display Corporation Intelligent multi-media display communication system
JP4567941B2 (ja) 2001-12-28 2010-10-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法及び表示装置の作製方法
US6953735B2 (en) * 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
JP2004070657A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Olympus Corp 携帯情報端末の筐体構造
JP2004077382A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Seiko Instruments Inc 電子時計
JP2004140267A (ja) 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
WO2004040648A1 (ja) 2002-10-30 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
WO2004040649A1 (ja) * 2002-11-01 2004-05-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. 半導体装置および半導体装置の作製方法
AU2003274539A1 (en) * 2002-11-22 2004-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a curved display
US20040099926A1 (en) 2002-11-22 2004-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same
KR101032337B1 (ko) 2002-12-13 2011-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
JP2005123012A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネセンス表示パネルとその製造方法
US7902747B2 (en) 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
TWI277042B (en) * 2003-10-28 2007-03-21 Seiko Epson Corp Electro-optical device, electronic equipment, and method of manufacturing electro-optical device
JP4007308B2 (ja) * 2003-10-28 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
US7746293B2 (en) 2004-03-09 2010-06-29 Senzo Kobayashi Information display apparatus
JP2006039471A (ja) 2004-07-30 2006-02-09 Dragon:Kk 遊技機用表示装置
JP4610975B2 (ja) 2004-09-08 2011-01-12 オリンパス株式会社 表示装置
US8772783B2 (en) * 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4807947B2 (ja) 2004-12-09 2011-11-02 アルパイン株式会社 表示装置
US7566633B2 (en) 2005-02-25 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7368307B2 (en) * 2005-06-07 2008-05-06 Eastman Kodak Company Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface
TWI321241B (en) * 2005-09-14 2010-03-01 Ind Tech Res Inst Flexible pixel array substrate and method of fabricating the same
TW200718264A (en) 2005-09-15 2007-05-01 Pioneer Corp Organic electroluminescent display panel and moisture-resistant substrate
JP2006091894A (ja) * 2005-09-26 2006-04-06 Seiko Epson Corp パネル駆動制御装置、腕時計型情報機器、携帯機器及びパネル駆動制御方法
US8900970B2 (en) * 2006-04-28 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a flexible substrate
JP4285504B2 (ja) * 2006-05-24 2009-06-24 ソニー株式会社 タッチパネルを有する表示装置
JP2007326259A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Yoshida Industry Co Ltd ディスプレイの製造方法及びディスプレイ
KR101186608B1 (ko) 2006-07-14 2012-09-27 엘지전자 주식회사 이동 통신 단말기
JP2008083645A (ja) * 2006-09-29 2008-04-10 Seiko Epson Corp 表示装置
WO2008126250A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Pioneer Corporation 発光装置
JP5542296B2 (ja) * 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
WO2008149768A1 (ja) * 2007-06-05 2008-12-11 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス発光素子および製造方法
JP5094250B2 (ja) * 2007-07-10 2012-12-12 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
JP5094310B2 (ja) * 2007-09-28 2012-12-12 京セラ株式会社 スライド式携帯電子機器
EP2071441A1 (en) * 2007-12-03 2009-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Mobile phone
JP2009170173A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Denso Corp El素子及びその製造方法
US8581292B2 (en) * 2008-03-26 2013-11-12 Koninklijke Philips N.V. Light emitting diode device
US7933123B2 (en) * 2008-04-11 2011-04-26 Apple Inc. Portable electronic device with two-piece housing
KR101588576B1 (ko) 2008-07-10 2016-01-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
WO2010004944A1 (en) 2008-07-10 2010-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
JP2010044156A (ja) 2008-08-11 2010-02-25 Kazuya Ohashi バックライト装置、表示装置及び水生動植物鑑賞装置
JP5216716B2 (ja) 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US8494021B2 (en) 2008-08-29 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic laser device
JP2011003522A (ja) 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
JP5323445B2 (ja) 2008-10-21 2013-10-23 富士フイルム株式会社 超音波診断装置
US8610155B2 (en) 2008-11-18 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone
KR101938125B1 (ko) 2008-12-17 2019-01-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
CN101800292A (zh) * 2009-02-11 2010-08-11 旭丽电子(广州)有限公司 形成发光外壳的方法及其相关发光模块
JP5219874B2 (ja) * 2009-02-12 2013-06-26 キヤノン株式会社 電子機器
US20100253902A1 (en) * 2009-04-07 2010-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
JP5265000B2 (ja) * 2009-04-30 2013-08-14 三菱電機株式会社 表示装置
US8911653B2 (en) 2009-05-21 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
KR101155907B1 (ko) * 2009-06-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4543120B1 (ja) 2009-07-13 2010-09-15 株式会社東芝 電子機器
KR101716918B1 (ko) * 2009-07-31 2017-03-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 그 제작 방법
US8593061B2 (en) 2009-08-25 2013-11-26 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
JP5444940B2 (ja) * 2009-08-25 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
JP5282706B2 (ja) * 2009-09-08 2013-09-04 カシオ計算機株式会社 電子機器
US8917262B2 (en) 2010-01-08 2014-12-23 Integrated Digital Technologies, Inc. Stylus and touch input system
EP2346108A1 (en) 2010-01-15 2011-07-20 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Foil shaped electro-optical product, semi-finished product and method and apparatus for manufacturing the same
US9000442B2 (en) 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
KR101113289B1 (ko) * 2010-03-04 2012-02-24 주식회사 토비스 곡면 디스플레이 패널 제조 방법, 이를 이용한 곡면 디스플레이 패널, 및 이를 이용한 다중 영상 표시 장치
KR101537438B1 (ko) * 2010-03-18 2015-07-16 노키아 코포레이션 휴대용 전자 디바이스를 위한 하우징
JP5516048B2 (ja) * 2010-05-12 2014-06-11 大日本印刷株式会社 デバイス装置及びディスプレイ装置
KR101845480B1 (ko) 2010-06-25 2018-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN106057144B (zh) * 2010-07-02 2019-03-12 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及驱动液晶显示装置的方法
KR101147988B1 (ko) 2010-07-13 2012-05-24 포항공과대학교 산학협력단 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
US8669702B2 (en) 2010-11-19 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
EP2456175B1 (en) 2010-11-19 2014-01-15 BlackBerry Limited Portable electronic device including flexible display
US8772795B2 (en) 2011-02-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
US8854326B2 (en) * 2011-03-10 2014-10-07 Wintek Corporation Touch panel and touch-sensitive display device
US9781783B2 (en) 2011-04-15 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, light-emitting system, and display system
US10061356B2 (en) * 2011-06-30 2018-08-28 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display panel and display apparatus including the flexible display panel
KR101320384B1 (ko) 2011-06-30 2013-10-23 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널을 포함하는 표시 장치
US9093397B2 (en) * 2011-07-06 2015-07-28 Panasonic Corporation Flexible device manufacturing method and flexible device
KR200471325Y1 (ko) * 2011-07-13 2014-02-19 모토로라 모빌리티 엘엘씨 강화된 공차 누적기를 구비하는 모바일 전자 장치
JP2013025015A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Mitsubishi Electric Corp 液晶パネル及び液晶パネルの製造方法
WO2013021560A1 (ja) * 2011-08-05 2013-02-14 パナソニック株式会社 フレキシブルデバイスの製造方法
US8929085B2 (en) * 2011-09-30 2015-01-06 Apple Inc. Flexible electronic devices
JP5907722B2 (ja) 2011-12-23 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
WO2014024900A1 (en) * 2012-08-10 2014-02-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
KR102122835B1 (ko) * 2012-09-03 2020-06-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060108588A1 (en) * 2004-11-19 2006-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
US20060192915A1 (en) * 2004-12-02 2006-08-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
US20080062112A1 (en) * 2006-08-31 2008-03-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
US20080205066A1 (en) * 2007-02-13 2008-08-28 Sony Corporation Optical element package
US20110062434A1 (en) * 2009-09-16 2011-03-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof

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