JP6757427B2 - 電子機器の作製方法 - Google Patents

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Description

本発明は、発光装置の作製方法に関する。特に、発光領域を曲面に有する発光装置の作製
方法に関する。
あらかじめ湾曲した形状に成型された非透湿性基板の内側表面に、エレクトロルミネッセ
ンス発光素子（ＥＬ素子ともいう）が設けられた発光装置が知られている（特許文献１）
。
また、剥離可能な平板上に接合された可撓性を有する基板上に有機ＥＬ素子を作成し、可
撓性を有する基板を平板から剥離して、容器等の形状に沿わせて湾曲させる発光装置の製
造方法が知られている（特許文献２）。
また、可撓性のＥＬ素子シートが、曲面部分が形成された内外の形状保持板の間に挟持さ
れた発光装置が知られている（特許文献３）。
特開２００３−２６４０８４号公報 特開２０００−３１１７８１号公報 特開２００６−３９４７１号公報
有機ＥＬ素子は、発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備える。当該発光性の
有機化合物を含む層の厚さは、数十ｎｍから数百ｎｍ程度の極めて薄いものである。その
厚さが不均一だと、輝度にムラが生じる不具合や、一対の電極が短絡する不具合等が発生
する場合がある。
従って、湾曲した形状の有機ＥＬ素子をあらかじめ湾曲した形状に成型された非透湿性基
板の内側表面に作製しようとする場合、発光性の有機化合物を含む層を上述の不具合が発
生しないように形成する加工技術が要求される。
また、平板状に戻ろうとする弾性を有する有機ＥＬ素子は、複雑な曲面（例えば曲率が変
化する曲面など）を有する機器の筐体の形状に追従して湾曲できない場合がある。
可撓性の有機ＥＬ素子を２つの形状保持板の間に挟持して湾曲する方法によれば、複雑な
曲面に追従することができるが、形状保持板を２枚使うため、重量またはコストが増加し
てしまう。
本発明の一態様は、このような技術的背景のもとでなされたものである。したがって、発
光領域を曲面に有する軽量な発光装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
上記課題を解決するために、本発明の一態様は、可撓性の基板を平板状に支持した状態で
発光素子を形成し、当該基板の変形または回復により、発光領域を曲面に設ける方法に着
眼して創作されたものである。そして、本明細書に例示される構成を備える発光装置の作
製方法に想到した。
すなわち、本発明の一態様は、あらかじめ所望の曲面が設けられた可撓性の基板を準備す
る第１のステップと、発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備える発光素子を
、平板状に支持された当該基板に接して形成する第２のステップと、当該基板の発光素子
の発光領域が設けられた部分を、曲面を有する形状に変形または回復させる第３のステッ
プと、を具備する、発光領域を曲面に有する発光装置の作製方法である。
上記本発明の一態様の発光装置の作製方法は、あらかじめ所望の曲面が設けられた可撓性
の基板を平板状に支持した状態で発光素子を形成するステップと、当該基板の発光素子が
設けられた部分を、曲面を有する形状に変形または回復させることにより、発光領域を曲
面に設けるステップとを含んで構成される。これにより、発光素子の発光領域を、形状保
持板などを用いることなく、また変形のために他の部材を発光素子に接することなく、曲
面に設けることができる。その結果、発光領域を曲面に有する軽量な発光装置の作製方法
を提供することができる。
また、本発明の一態様は、発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備える発光素
子を、平板状に支持された可撓性を有する第１の基板に接して形成する第１のステップと
、第１の温度Ｔ１で熱収縮性の第２の基板を、第１の基板の発光素子が形成されていない
側に設ける第２のステップと、第２の基板を第２の温度Ｔ２にすることで、発光素子の発
光領域を曲面に設ける第３のステップと、を具備する、発光領域を曲面に有する発光装置
の作製方法である。
上記本発明の一態様の発光装置の作製方法は、可撓性の基板を平板状に支持した状態で発
光素子を形成するステップと、熱収縮性の基板を当該基板に貼り合わせ、貼り合わされた
熱収縮性の基板を変形させることにより、発光領域を曲面に設けるステップとを含んで構
成される。これにより、発光素子の発光領域を、形状保持板などを用いることなく、また
他の部材を発光素子に接することなく、曲面に設けることができる。その結果、発光領域
を曲面に有する軽量な発光装置の作製方法を提供することができる。
また、本発明の一態様は、発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備える発光素
子を、平板状に支持された可撓性を有する第１の基板に接して形成する第１のステップと
、第１の温度Ｔ１で熱収縮性の第２の基板を、第１の基板の発光素子が形成された側に設
ける第２のステップと、第２の基板を第２の温度Ｔ２にすることで、発光素子を曲面に設
ける第３のステップと、を具備する、発光領域を曲面に有する発光装置の作製方法である
。
上記本発明の一態様の発光装置の作製方法は、可撓性の基板を平板状に支持した状態で発
光素子を形成するステップと、熱収縮性の基板を当該基板に貼り合わせ、貼り合わされた
熱収縮性の基板を変形させることにより、発光領域を曲面に設けるステップとを含んで構
成される。これにより、発光素子の発光領域を、形状保持板などを用いることなく、また
他の部材を発光素子に接することなく、曲面に設けることができる。その結果、発光領域
を曲面に有する軽量な発光装置の作製方法を提供することができる。
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すもの
とする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一
態様である。
また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マ
トリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲス
ト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても
良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイスもしくは光源（照明装置含む
）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔ
ｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）
が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、ま
たは発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ
（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
本発明の一態様によれば、発光領域を曲面に有する軽量な発光装置の作製方法を提供でき
る。
実施の形態に係る発光装置の作製方法を説明するフロー図。 実施の形態に係る発光装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る発光装置の作製方法を説明するフロー図。 実施の形態に係る発光装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る発光装置の作製方法を説明するフロー図。 実施の形態に係る発光装置の作製方法を説明する図。 実施の形態に係る発光装置を収納する筐体を説明する図。 実施の形態に係る発光装置に適用可能な発光素子を説明する図。 実施の形態に係る発光装置を用いた電子機器および照明装置を説明する図。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図１および図２を参
照しながら説明する。図１に、本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明するためのフ
ローチャートを示し、図２に各ステップの作製工程中の発光装置の構成を模式図で示す。
本実施の形態で例示して説明する発光領域を曲面に有する発光装置１００の作製方法は以
下の通りである。
第１のステップにおいて、あらかじめ所望の曲面が設けられた可撓性の基板１１０を準備
する（図１（ｉ１）および図２（Ａ）参照）。
第２のステップにおいて、発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備える発光素
子１３０を、平板状に支持された基板１１０に接して形成する（図１（ｉ２）、図１（ｉ
３）、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）参照）。
第３のステップにおいて、曲面を有する形状に基板１１０を変形または回復させることに
より、発光装置１００の発光素子１３０の発光領域を曲面に設ける（図１（ｉ４）および
図２（Ｄ）参照）。
なお、基板支持機構１０は、基板１１０を平板状に支持する。
本実施の形態で例示する発光装置の作製方法は、あらかじめ所望の曲面が設けられた可撓
性の基板１１０を平板状に支持した状態で発光素子１３０を形成するステップと、当該基
板１１０が曲面を有する形状に変形すること、または曲面を有する形状を回復することに
より、発光領域を曲面に設けるステップとを含んで構成される。これにより、発光素子１
３０の発光領域を、形状保持板などを用いることなく、また変形のために他の部材を発光
素子１３０に接することなく、曲面に設けることができる。その結果、発光領域を曲面に
有する軽量な発光装置１００の作製方法を提供することができる。
本発明の一態様の発光装置の作製方法に用いることができる、曲面を有する形状に自発的
に変形または回復する基板１１０と、当該基板１１０を平板状に固定する基板支持機構１
０の構成について説明する。
《曲面を有する形状に自発的に変形または回復する基板》
本実施の形態で例示する基板１１０は、発光素子１３０を形成する工程において、基板支
持機構１０に平板状に支持され、後の工程において基板支持機構１０から解放されること
により、曲面を有する形状を回復する。
曲面を有する形状に自発的に変形または回復する基板１１０としては、例えば、曲面を有
するように成型加工を施された金属板またはプラスチック板、または板状の複合材料など
を挙げることができる。
金属板の具体例としては、ばね鋼、ステンレス鋼、真鍮、洋白、リン青銅、ベリリウム青
銅など板ばねの材料の他、弾性を有する金属板が挙げられる。
プラスチック板の具体例としては、アクリル板、ポリカーボネート板などの他、各種エン
ジニアリングプラスチックなどが挙げられる。
板状の複合材料としては、ガラス繊維と樹脂の複合材料、金属板またはプラスチック板と
他の材料の積層材料、などが挙げられる。
なお、基板１１０は、他の材料、例えば極薄のガラス板（例えば、厚さが数十μｍのもの
）や不純物（例えば水や酸素）の透過を防ぐ膜（例えば無機材料膜、具体的には酸化珪素
、窒化珪素など）を含んでいても良い。
また、発光素子１３０が発する光を基板１１０が設けられた側に取り出す場合、可視光に
対して透光性を有する材料を、基板１１０および発光素子１３０の基板１１０側の電極に
用いる。
基板１１０が有する曲面は、平板状に変形することができる。また、平板状に変形された
状態から曲面を回復することが可能である。このような曲面は、「可展面」ということが
できる。可展面とは、曲面上の任意の点において、その点を通る少なくとも１本の直線を
引くことができる曲面をいう。
なお、基板１１０の厚さおよび基板１１０が有する曲面の曲率半径は、そこに形成する発
光素子の構成に応じたものとすればよい。例えば、基板１１０の厚さを４０μｍ以上３０
０μｍ以下とし、曲率半径を２０ｍｍ以上とすれば、基板１１０が曲面を有する形状を回
復する際に、発光素子１３０が壊れてしまう不具合を防止できる。
《基板支持機構》
基板支持機構１０は、曲面を有する形状に自発的に変形または回復する基板１１０を平板
状に支持する。図２（Ａ）に、あらかじめ上に凸状に成型された基板１１０を、基板支持
機構１０がその表面に沿わせるように支持することにより平板状に準備する様子が、模式
的に示されている。なお、あらかじめ下に凸に成型された基板を同様に平板状に準備する
こともできる。
基板１１０を平板状に支持する方法としては、例えばクランプ機構を用いて、基板１１０
の端部を当該クランプでくわえることにより、基板１１０を基板支持機構１０の表面に沿
わせて平板状に支持してもよい。
また、磁力を利用してもよい。基板１１０を、磁力を用いて基板支持機構１０の表面に沿
うように吸い寄せる。または、磁力が固定具を基板支持機構１０の表面に吸い寄せ、基板
１１０を固定具と基板支持機構１０の間に挟み込むことにより、基板１１０を平板状に支
持してもよい。
なお、あらかじめ曲面が設けられた基板１１０を、剥離可能な接着材を用いて剛性のある
平板状の作製用基板に接着し、平板状の積層板とし、当該積層板を用いて発光素子１３０
を形成する方法であってもよい。この方法によれば、基板支持機構１０は、基板１１０を
平板状の基板と同様に扱うことができる。
以下に、本発明の一態様の発光装置の作製方法の各ステップについて説明する。
《第１のステップ》
あらかじめ所望の曲面が設けられ、曲面を有する形状に自発的に変形または回復する基板
１１０を、基板支持機構１０の表面に沿わせて、平板状に支持する（図２（Ａ）および図
２（Ｂ）参照）。
《第２のステップ》
発光素子１３０を、基板支持機構１０の表面に沿わせて平板状に支持された基板１１０に
接して形成する（図２（Ｃ）参照）。
なお、発光素子１３０は、第１の電極と第２の電極の間に発光性の有機化合物を含む層を
備える。発光素子１３０の構成は実施の形態５で詳細に説明する。
発光素子１３０の形成方法としては、例えば、基板１１０に接して一方の電極を形成し、
当該一方の電極上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、当該発光性の有機化合物を含
む層の上に他方の電極を積層する方法が挙げられる。
また、他の方法としては、表面に、その上に積層される層から剥離可能な層が形成された
作製用基板を用いる方法がある。
表面に剥離可能な層が形成された作製用基板の当該剥離可能な層上に、一方の電極を形成
し、当該一方の電極の上に発光性の有機化合物を含む層を形成し、当該発光性の有機化合
物を含む層の上に他方の電極を積層する。
次いで、平板状に準備された基板１１０を発光素子１３０の他方の電極の側に接着剤を用
いて接着する。さらに、作製用基板の剥離可能な層から発光素子１３０を剥離することに
より、発光素子１３０を平板状に支持された基板１１０上に転載する。以上の方法により
、発光素子１３０を基板１１０上に形成してもよい。
または、可撓性を有する第２の基板を、発光素子１３０の他方の電極の側に接着剤を用い
て接着する。次いで、作製用基板の剥離可能な層から発光素子１３０を剥離することによ
り、発光素子１３０を第２の基板に転載する。さらに、平板状に準備された基板１１０を
発光素子１３０の一方の電極の側に接着剤を用いて接着する。以上の方法により、発光素
子１３０を基板１１０上に形成してもよい。
表面に剥離可能な層が形成された作製用基板に発光素子を形成する方法によれば、可撓性
を有する基板１１０上に直接設けることができない膜（例えば、基板１１０の耐熱性を越
える温度でのみ成膜可能な膜）を、基板１１０と発光素子１３０の間に設けることができ
る。
具体的には、発光素子１３０への不純物の拡散を抑制する膜（例えば、酸化膜や窒化膜等
、具体的には酸化珪素膜や窒化珪素膜等）を発光素子１３０とプラスチックフィルムの間
に設けることができる。
また、上述の剥離可能な層に重ねて回路、例えば発光素子１３０に電力を供給するための
配線、発光素子１３０を駆動するためのトランジスタを形成できる。これにより、基板１
１０上に直接設けることができない回路を、基板１１０と発光素子１３０の間に設けるこ
とができる。例えば、アクティブマトリクス型の発光装置（表示装置ともいえる）を基板
１１０上に作製できる。
発光素子１３０の信頼性は、不純物（例えば水や酸素など）により損なわれる場合がある
。発光素子１３０への不純物の拡散を抑制するために、ガスバリア性と可撓性を備える封
止膜を基板１１０と発光素子１３０の間に設けるとよい。
ガスバリア性と可撓性を備える封止膜としては、厚さが数十μｍから数百μｍのガラス板
、金属箔、ガスバリア性を有する無機膜が形成されたプラスチックフィルムなどをその例
に挙げることができる。なお、ガスバリア性を有する無機膜が形成されたプラスチックフ
ィルムは、上述した作製用基板の剥離可能な層上に形成された良好なガスバリア性の膜を
プラスチックフィルムに転載する方法により作製できる。
《第３のステップ》
基板１１０を、基板支持機構１０から解放する。あらかじめ所望の曲面が設けられている
基板１１０は、曲面を有する形状に自発的に変形または回復する。その結果、発光素子１
３０の発光領域を曲面に設けることができる（図２（Ｄ）参照）。
なお、平板状に変形された基板１１０が自発的に曲面を回復するとその表面が伸縮し、応
力が発光素子１３０に加わる。発光素子１３０に加わる応力を抑制するため、基板１１０
の厚さは４０μｍ以上３００μｍ以下が好ましい。また、基板１１０が自発的に回復する
曲面の曲率半径は２０ｍｍ以上が好ましい。
発光素子１３０が形成された面が凹になるように、基板１１０が自発的に変形または回復
する場合、発光素子１３０の基板１１０に接する側に加わる圧縮応力は、基板１１０に接
しない側に加わる圧縮応力に比べ大きい。
また、発光素子１３０が形成された面が凸になるように、基板１１０が自発的に変形また
は回復する場合、発光素子１３０の基板１１０に接する側に加わる引っ張り応力は、基板
１１０に接しない側に加わる引っ張り応力に比べ大きい。
このように不均一な応力が発光素子１３０に加わるが、発光素子１３０の厚さは極めて薄
い（例えば１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下程度とすることができる）ため、発光素子１３
０の両面に生じる応力の差は小さい。その結果、発光素子１３０は、基板１１０の自発的
な変形または回復により破壊されにくい。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図３および図４を参
照しながら説明する。図３に、本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明するためのフ
ローチャートを示し、図４に各ステップの作製工程中の発光装置の構成を模式図で示す。
本実施の形態で例示して説明する発光領域を曲面に有する発光装置２００の作製方法は以
下の通りである。
第１のステップにおいて、発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備える発光素
子２３０を、平板状に支持された可撓性を有する第１の基板２１０に接して形成する（図
３（ｊ１）および図４（Ａ）参照）。
第２のステップにおいて、発光素子２３０との間に第１の基板２１０を挟むように、熱収
縮性の第２の基板２２０を第１の温度Ｔ１で設ける（図３（ｊ２）および図４（Ｂ）参照
）。言い換えると、第２の基板２２０を第１の基板２１０の発光素子２３０が形成されて
いない側に設ける。
第３のステップにおいて、第２の基板２２０を第２の温度Ｔ２にすることで、発光素子２
３０の発光領域を曲面に設ける（図３（ｊ３）および図４（Ｃ）参照）。
なお、基板支持機構１０は、基板２１０を平板状に支持する。
本実施の形態で例示する発光装置２００の作製方法は、可撓性の基板２１０を平板状に支
持した状態で発光素子２３０を形成するステップと、熱収縮性の基板２２０を基板２１０
に貼り合わせ、貼り合わされた熱収縮性の基板２２０を変形させることにより、発光領域
を曲面に設けるステップとを含んで構成される。これにより、発光素子２３０の発光領域
を、形状保持板などを用いることなく、また変形のために他の部材を発光素子２３０に接
することなく、曲面に設けることができる。その結果、発光領域を曲面に有する軽量な発
光装置２００の作製方法を提供することができる。
本発明の一態様の発光装置２００の作製方法に用いることができる、熱収縮性の基板２２
０の構成について説明する。
熱収縮性の基板２２０は、第１の温度Ｔ１から第２の温度Ｔ２にすることにより収縮し、
その寸法を変化する。例えば、シュリンクフィルム（一軸延伸フィルムまたは二軸延伸フ
ィルム等）を用いることができる。特に、一軸延伸フィルムは、収縮方向を一方向に制御
できるため、可展面の形成に好適である。
熱収縮性の基板２２０に適用可能な材料は、ポリ塩化ビニルフィルム、ポリプロピレンフ
ィルム、ポリエチレンフィルム、ポリスチレンフィルム若しくはポリエチレンテレフタレ
ートフィルム等またはこれらから選ばれたフィルムを含む積層フィルムをその例に挙げる
ことができる。これらのフィルムは、常温より高い温度（例えば８０℃から１２０℃程度
）に加熱することにより収縮する。例えば、第１の温度Ｔ１を常温とし、第２の温度Ｔ２
を常温より高い温度にすることができる。
また、発光素子２３０が発する光を、可撓性の基板２１０の熱収縮性の基板２２０が貼り
合わされた側に取り出す場合、可視光に対して透光性を有する材料を、熱収縮性の基板２
２０、可撓性の基板２１０および発光素子２３０の基板２１０側の電極に用いる。
以下に、本発明の一態様の発光装置の作製方法の各ステップについて説明する。
《第１のステップ》
発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備える発光素子２３０を、基板支持機構
１０に平板状に支持された可撓性を有する第１の基板２１０に接して形成する（図４（Ａ
）参照）。
《第２のステップ》
発光素子２３０が設けられた第１の基板２２０を、基板支持機構１０から解放する。次い
で、第１の温度Ｔ１で熱収縮性の第２の基板２２０を、発光素子２３０との間に第１の基
板２１０を挟むように設ける（図４（Ｂ）参照）。言い換えると、第２の基板２２０を第
１の基板２１０の発光素子２３０が形成されていない側に設ける。
《第３のステップ》
第２の基板２２０を第２の温度Ｔ２にすることで収縮し、発光素子２３０の発光領域を曲
面に設ける（図４（Ｃ）参照）。なお、熱収縮性の基板を加熱する方法としては、熱した
気体を吹きつける方法や、熱した気体が満たされた炉の中を搬送する方法などが挙げられ
る。
＜変形例＞
本実施の形態の変形例では、発光領域に曲面が選択的に設けられた発光装置２００の作製
方法について、図４（Ｄ）および図４（Ｅ）を参照しながら説明する。
第１のステップにおいて、発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備える発光素
子２３０を、平板状に支持された可撓性を有する第１の基板２１０に接して形成する。
第２のステップにおいて、第１の温度Ｔ１で熱収縮性の第２の基板２２０ａおよび第２の
基板２２０ｂを、発光素子２３０との間に第１の基板２１０を挟むように選択的に設ける
（図４（Ｄ）を参照）。
第３のステップにおいて、第２の基板２２０ａおよび第２の基板２２０ｂを第２の温度Ｔ
２にすることで、発光素子２３０の発光領域を曲面に設ける（図４（Ｅ）を参照）。
本実施の形態で例示する発光装置２００の作製方法は、可撓性の基板２１０を平板状に支
持した状態で発光素子２３０を形成するステップと、当該基板２１０に選択的に貼り合わ
せた熱収縮性の第２の基板２２０ａおよび第２の基板２２０ｂの変形または回復により、
発光領域を曲面に設けるステップとを含んで構成される。これにより、曲面を、形状保持
板などを用いることなく、また変形のために他の部材を発光素子２３０に接することなく
、発光素子２３０の意図した部分に設けることができる。その結果、発光領域を曲面に有
する軽量な発光装置２００の作製方法を提供することができる。
なお、図４（Ｄ）に示す矢印は、熱収縮性の第２の基板２２０ａおよび第２の基板２２０
ｂが収縮する方向を示す。熱収縮性の第２の基板を第１の基板２１０に、形成したい曲面
の稜線がその中央に位置するように貼る。これにより、意図した部分に曲面を形成できる
。
また、発光素子２３０と電気的に接続される端子部２８０ａおよび端子部２８０ｂを、発
光装置の曲面が形成されない部分に設けると、端子部の可撓性が損なわれないため好まし
い。これにより、端子部をさらに折り曲げてコネクター等に接続することが可能である。
平板状の部分に形成された端子部は、曲面が形成された部分に形成された端子部に比べ、
外部機器との接続が容易である。例えば、端子が平板状に配置されたコネクターや、フレ
キシブルプリント基板との接続が容易である。なお、端子部を曲面が形成される部分に設
けると、剛性を端子部に付与することができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法について、図５および図６を参
照しながら説明する。図５に、本発明の一態様の発光装置の作製方法を説明するためのフ
ローチャートを示し、図６に各ステップの作製工程中の発光装置の構成を模式図で示す。
本実施の形態で例示して説明する発光領域を曲面に有する発光装置３００の作製方法は以
下の通りである。
第１のステップにおいて、発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備える発光素
子３３０を、平板状に支持された可撓性を有する第１の基板３１０に接して形成する（図
５（ｋ１）および図６（Ａ）参照）。
第２のステップにおいて、第１の温度Ｔ１で熱収縮性の第２の基板３２０を、第１の基板
３１０との間に発光素子３３０を挟むように設ける（図５（ｋ２）および図６（Ｂ）参照
）。言い換えると、第２の基板３２０を第１の基板３１０の発光素子３３０が形成された
側に設ける。
第３のステップにおいて、第２の基板３２０を第２の温度Ｔ２にすることで、発光素子３
３０の発光領域を曲面に設ける（図５（ｋ３）および図６（Ｃ）参照）。
なお、基板支持機構１０は、基板３１０を平板状に支持する。
本実施の形態で例示する発光装置の作製方法は、可撓性の基板３１０を平板状に支持した
状態で発光素子３３０を形成するステップと、熱収縮性の基板３２０を基板３１０に貼り
合わせ、貼り合わされた熱収縮性の基板３２０を変形させることにより、発光領域を曲面
に設けるステップとを含んで構成される。これにより、発光素子３３０の発光領域を、形
状保持板などを用いることなく、また変形のために他の部材を発光素子３３０に接するこ
となく、曲面に設けることができる。その結果、発光領域を曲面に有する軽量な発光装置
の作製方法を提供することができる。
本発明の一態様の発光装置３００の作製方法に用いることができる、熱収縮性の基板３２
０は、実施の形態２で例示して説明した熱収縮性の基板２２０と同様の構成を適用できる
。
なお、発光素子３３０が発する光を、熱収縮性の基板３２０側に取り出す場合、可視光に
対して透光性を有する材料を、熱収縮性の基板３２０および発光素子３３０の基板３２０
側の電極に用いる。
以下に、本発明の一態様の発光装置の作製方法の各ステップについて説明する。
《第１のステップ》
発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備える発光素子３３０を、基板支持機構
１０に平板状に支持された可撓性を有する第１の基板３１０に接して形成する（図６（Ａ
）参照）。
《第２のステップ》
発光素子３３０が設けられた第１の基板３１０を、基板支持機構１０から解放する。次い
で、第１の温度Ｔ１で熱収縮性の第２の基板３２０を、第１の基板３１０との間に発光素
子３３０を挟むように設ける（図６（Ｂ）参照）。言い換えると、第２の基板３２０を第
１の基板３１０の発光素子３３０が形成された側に設ける。
《第３のステップ》
第２の基板３２０を第２の温度Ｔ２にすることで収縮させ、発光素子３３０の発光領域を
曲面に設ける（図６（Ｃ）参照）。
熱収縮性の第２の基板３２０が収縮する際、熱収縮性の第２の基板３２０は、それが接す
る発光素子３３０の表面に応力を加える。この応力により発光素子３３０が破壊されてし
まう場合は、発光素子３３０に重ねて保護層を設けて、その応力が直接、発光素子３３０
に加わらないようにしてもよい。特に、発光素子３３０を覆う保護層を基板３１０に固定
する構成が効果的である。
または、隔壁が設けられた基板３１０上に発光素子３３０を形成し、当該隔壁が保護層ま
たは熱収縮性の第２の基板３２０と接着する構成としてもよい。当該隔壁が、熱収縮性の
第２の基板３２０が収縮する際の応力を支えることにより、発光素子３３０が破壊されて
しまう現象を防ぐことができる。
なお、保護層に適用可能な材料としては、接着剤を用いて貼り合わせた可撓性のフィルム
、液状の材料を塗布してできる樹脂層、スパッタリング法や化学気相成長法を用いてでき
る膜をその例として挙げることができる。
また、第２の基板３２０または／および保護層が、不純物（例えば水や酸素）が発光素子
３３０に拡散する現象を抑制する封止膜を兼ねる構成とすることもできる。
＜変形例＞
本実施の形態の変形例では、凸状の曲面および凹状の曲面が発光領域に選択的に設けられ
た発光装置３００の作製方法について、図６（Ｄ）および図６（Ｅ）を参照しながら説明
する。
第１のステップにおいて、発光性の有機化合物を含む層を一対の電極の間に備える発光素
子３３０を、平板状に支持された可撓性を有する第１の基板３１０に接して形成する。
第２のステップにおいて、第１の温度Ｔ１で熱収縮性の第２の基板３２０ａおよび第２の
基板３２０ｂを、第１の基板３１０との間に発光素子３３０を挟むように設ける。また、
熱収縮性の第２の基板３２０ｃおよび第２の基板３２０ｄを発光素子３３０との間に第１
の基板３１０を挟むように選択的に設ける（図６（Ｄ）を参照）。
第３のステップにおいて、第２の基板３２０ａ、第２の基板３２０ｂ、第２の基板３２０
ｃおよび第２の基板３２０ｄを第２の温度Ｔ２にすることで、発光素子３３０の発光領域
を曲面に設ける（図６（Ｅ）を参照）。
本実施の形態で例示する発光装置３００の作製方法は、可撓性の基板３１０を平板状に支
持した状態で発光素子３３０を形成するステップと、当該基板３１０に選択的に貼り合わ
せた熱収縮性の基板の変形により、発光領域を曲面に設けるステップとを含んで構成され
る。これにより、曲面を、形状保持板などを用いることなく、また変形のために他の部材
を発光素子３３０に接することなく、発光素子３３０の意図した部分に設けることができ
る。その結果、発光領域を曲面に有する軽量な発光装置３００の作製方法を提供すること
ができる。
なお、図６（Ｄ）に示す矢印は、熱収縮性の第２の基板３２０ａ、第２の基板３２０ｂ、
第２の基板３２０ｃおよび第２の基板３２０ｄが収縮する方向を示す。熱収縮性の第２の
基板を、形成したい曲面の稜線がその中央に位置するように貼る。これにより、意図した
部分に曲面を形成できる。
また、発光装置３００は、破線Ａ−Ｂで折り曲げることにより、凸状の曲面と凹状の曲面
を重ね合わせてコンパクトに折り畳むことができる。このような発光装置は、例えば折り
畳み可能な情報端末機器の筐体の内部に収納し、表示部のバックライトに適用できる。ま
たは、アクティブマトリクス型の表示装置とすることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法を用いて形成された発光装置を
収納することができる筐体の構成の一例について、図７を参照しながら説明する。
本実施の形態で例示する筐体４９０は、外装４５０、外蓋４６０および外装４５０と外蓋
４６０の間に内蓋４５５を備える。内蓋４５５は、接着またはシール構造（例えば、Ｏリ
ング）を介して外装４５０に密着し、密閉された空間が内蓋４５５と外装４５０の間に形
成される。
本発明の一態様の作製方法を用いて形成された発光装置４００が、内蓋４５５と外装４５
０の間に形成される密閉された空間に、その発光領域を外装４５０側に向けて収納されて
いる。
内蓋４５５と外装４５０は、いずれも不純物（例えば、水や酸素）の透過が抑制された材
料で構成される。このような構成とすることで、密閉された空間に収納される発光装置４
００が、不純物に汚染されて信頼性が損なわれてしまう現象の発生を防止できる。
内蓋４５５と外装４５０に適用可能な材料としては、例えば、金属、ガラスまたはセラミ
ックス板などの緻密な無機材料の他、不純物の透過を抑制するための層（具体的には、上
記の緻密な無機材料層またはダイヤモンドライクカーボン、酸化珪素若しくは窒化珪素な
どを含む層）で改質されたプラスチックなどが挙げられる。
なお、内蓋４５５と外装４５０の間に形成される密閉された空間に、不純物を捕獲する材
料（例えば、乾燥剤や脱酸素剤など）を収納してもよい。また、発光装置４００を駆動す
るための回路４５３などを収納し、発光装置４００の端子部４８０と電気的に接続しても
よい。
なお、発光装置４００は、発光領域を曲面に有し、文字や画像をその発光領域に表示でき
る。そして、外装４５０は、透光性の領域を発光装置４００と重なる位置に備え、使用者
がその表示を外装４５０の外側から視認できる。筐体の側面にまで表示部が広がるため、
表示可能な情報量が多い。
また、内蓋４５５と外装４５０の間に形成される密閉された空間とは別に、内蓋４５５と
外蓋４６０の間に他の空間を形成してもよい。本実施の形態で例示する筐体４９０は、内
蓋４５５と外蓋４６０の間に形成された空間に二次電池４５７を備える。このように、密
閉された空間とは別の空間に保守や点検を要する部品を配置することにより、密閉された
空間が不純物で汚染される頻度を低減できる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法を用いて平板状に支持された基
板に接して形成する発光素子の構成の一例について、図８を参照しながら説明する。
本実施の形態で例示する発光素子は、第１の電極、第２の電極及びその間に発光性の有機
化合物を含む層（以下ＥＬ層という）を備える。第１の電極または第２の電極のいずれか
一方は陽極、他方が陰極として機能し、ＥＬ層の構成は第１の電極と第２の電極の極性お
よび材質に合わせて適宜選択する。
なお、第１の電極または第２の電極のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電膜を
用いて形成する。
可視光を透過する導電膜としては、例えばインジウム錫酸化物、光を透過する金属薄膜（
例えば、厚さが５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度の薄膜）を用いることもできる。
＜発光素子の構成例１．＞
発光素子の構成の一例を図８（Ａ）に示す。図８（Ａ）に示す発光素子は、陽極１１０１
と陰極１１０２の間にＥＬ層が挟まれている。
陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、Ｅ
Ｌ層に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。
注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する
。
本明細書においては、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層ま
たは積層体を発光ユニットという。発光素子の構成例１として図８（Ａ）に示す発光素子
は発光ユニットを１つ備えるということができる。
発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を１つ以上備えていればよく
、他の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性
の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電
子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送
性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。特に、陽極に接して設けられる正孔注入性の
高い物質を含む層および陰極に接して設けられる電子注入性の高い物質を含む層は、電極
から発光ユニットへのキャリアの注入に係る障壁を低減する。これらの層はキャリア注入
層ということができる。
発光ユニット１１０３の具体的な構成の一例を図８（Ｂ）に示す。図８（Ｂ）に示す発光
ユニット１１０３は、正孔注入層１１１３、正孔輸送層１１１４、発光層１１１５、電子
輸送層１１１６並びに電子注入層１１１７が、陽極１１０１側からこの順に積層されてい
る。
＜発光素子の構成例２．＞
発光素子の構成の他の例を図８（Ｃ）に示す。図８（Ｃ）に例示する発光素子は、陽極１
１０１と陰極１１０２の間に発光ユニット１１０３を含むＥＬ層が挟まれている。さらに
、陰極１１０２と発光ユニット１１０３との間には中間層１１０４が設けられている。な
お、当該発光素子の構成例２の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１が
備える発光ユニットと同様の構成が適用可能であり、詳細については、発光素子の構成例
１の記載を参酌できる。
中間層１１０４は少なくとも電荷発生領域を含む。例えば、第１の電荷発生領域１１０４
ｃ、電子リレー層１１０４ｂ及び電子注入バッファ１１０４ａが、陰極１１０２側から順
次積層された構造を適用することができる。
中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０
２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、正孔と電子が第１の電荷発生
領域１１０４ｃに発生し、正孔は陰極１１０２へ、電子は電子リレー層１１０４ｂへそれ
ぞれ移動する。
電子リレー層１１０４ｂは電子輸送性が高く、第１の電荷発生領域１１０４ｃで生じた電
子を電子注入バッファ１１０４ａに速やかに受け渡す。電子注入バッファ１１０４ａは、
電子の発光ユニット１１０３への注入を阻害する障壁を緩和する。
また、電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃを構成する物質と電子
注入バッファ１１０４ａを構成する物質が界面で接することにより、互いの機能が損なわ
れてしまう等の相互作用を防ぐことができる。
当該発光素子の構成例２の陰極に用いることができる材料の選択の幅は、構成例１の陰極
に用いることができる材料の選択の幅に比べて広い。なぜなら、構成例２の陰極は中間層
が発生する正孔を受け取ればよく、仕事関数が比較的大きな材料を適用できるからである
。
＜発光素子の構成例３．＞
発光素子の構成の他の一例を図８（Ｄ）に示す。図８（Ｄ）に例示する発光素子は、陽極
１１０１と陰極１１０２の間に２つの発光ユニットが設けられたＥＬ層を備える。また、
第１の発光ユニット１１０３ａと、第２の発光ユニット１１０３ｂとの間には中間層１１
０４が設けられている。
陽極と陰極の間に設ける発光ユニットの数は２つに限定されない。図８（Ｅ）に例示する
発光素子は、発光ユニット１１０３をｎ（ｎは２以上の自然数）層備える、所謂タンデム
型の構成を備える。なお、積層される発光ユニットの間には中間層１１０４を備える。
また、発光素子の構成例３の発光ユニット１１０３は、発光素子の構成例１の発光ユニッ
ト１１０３と同様の構成を適用できる。また、発光素子の構成例３の中間層１１０４は、
発光素子の構成例２の中間層１１０４と同様の構成が適用できる。
陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、中
間層１１０４において正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２側に設けられた発光ユニ
ットへ移動し、電子は陽極側に設けられた発光ユニットへ移動する。
陰極側に設けられた発光ユニットに注入された正孔は、当該発光ユニットの陰極側から注
入された電子と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。よって、中
間層１１０４において発生した正孔と電子は、それぞれ異なる発光ユニットにおいて発光
に至る。
なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成され
る場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの
一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第１の電荷発
生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。
また、陰極とｎ番目の発光ユニットの間に、中間層を設けることもできる。
上述の発光素子は、発光ユニットに含まれる発光性の有機化合物から発光が得られ、その
発光色は発光性の有機化合物の種類を変えることにより選択できる。
また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げる
ことができる。
例えば、白色を呈する発光を得る場合には、例えば、発光物質を含む層を少なくとも２つ
備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈する光を発するように構
成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、あるいは青緑色と赤色
等が挙げられる。
さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるも
のが好ましく、例えば、一つの発光素子が青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光を
発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。
＜発光素子の作製方法＞
発光素子の作製方法の一態様について説明する。第１の電極上にこれらの層を適宜組み合
わせてＥＬ層を形成する。ＥＬ層は、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾
式法や湿式法等）を用いることができ、例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはス
ピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよ
い。ＥＬ層上に第２の電極を形成し、発光素子を作製する。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の作製方法を用いて形成された発光装置が
適用された電子機器および照明装置について、図９を参照しながら説明する。
図９（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に
組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピ
ーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装
置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
図９（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報
を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操
作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
また操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦや、表示部７４０２に表示さ
れる画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュ
ー画面に切り替えることができる。
ここで、表示部７４０２には、本発明の一態様の方法で作製された発光装置が組み込まれ
ている。したがって、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機とすることが
できる。
図９（Ｂ）は、リストバンド型の表示装置の一例を示している。携帯表示装置７１００は
、筐体７１０１、表示部７１０２、操作ボタン７１０３、及び送受信装置７１０４を備え
る。
携帯表示装置７１００は、送受信装置７１０４によって映像信号を受信可能で、受信した
映像を表示部７１０２に表示することができる。また、音声信号を他の受信機器に送信す
ることもできる。
また、操作ボタン７１０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
、または音声のボリュームの調整などを行うことができる。
ここで、表示部７１０２には、本発明の一態様の方法で作製された発光装置が組み込まれ
ている。したがって、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯表示装置とすること
ができる。
図９（Ｃ）〜（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、７２１０、７
２２０はそれぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２０１と、台部７２０１に支持
される発光部を有する。
図９（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備える。
したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
図９（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つの発
光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に全方
位を照らすことができる。
図９（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。したが
って、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定の範
囲を明るく照らす場合に適している。
また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０の備える各々の発光部
はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を
備える筐体を天井に固定する、または天井からつり下げるように用いることもできる。発
光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明る
く照らす、または発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。
１０ 基板支持機構
１００ 発光装置
１１０ 基板
１３０ 発光素子
２００ 発光装置
２１０ 基板
２２０ 基板
２２０ａ 基板
２２０ｂ 基板
２３０ 発光素子
２８０ａ 端子部
２８０ｂ 端子部
３００ 発光装置
３１０ 基板
３２０ 基板
３２０ａ 基板
３２０ｂ 基板
３２０ｃ 基板
３２０ｄ 基板
３３０ 発光素子
４００ 発光装置
４５０ 外装
４５３ 回路
４５５ 内蓋
４５７ 二次電池
４６０ 外蓋
４８０ 端子部
４９０ 筐体
１１０１ 陽極
１１０２ 陰極
１１０３ 発光ユニット
１１０３ａ 発光ユニット
１１０３ｂ 発光ユニット
１１０４ 中間層
１１０４ａ 電子注入バッファ
１１０４ｂ 電子リレー層
１１０４ｃ 電荷発生領域
１１１３ 正孔注入層
１１１４ 正孔輸送層
１１１５ 発光層
１１１６ 電子輸送層
１１１７ 電子注入層
７１００ 携帯表示装置
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 送受信装置
７２００ 照明装置
７２０１ 台部
７２０２ 発光部
７２０３ 操作スイッチ
７２１０ 照明装置
７２１２ 発光部
７２２０ 照明装置
７２２２ 発光部
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク

Claims (3)

  1. 電子機器の長軸側で湾曲した外装と、外蓋との間に、前記外装側から発光パネルと、回路と、内蓋と、二次電池と、が順に配置されて固定された電子機器の作製方法であって、
    前記外装と前記内蓋とによって封止される空間に、前記発光パネルと前記回路とを収納する工程と、
    前記内蓋と前記外蓋との間の空間に、前記二次電池を収納する工程とを有し、
    前記発光パネルは、
    可撓性を有する基板と、
    発光素子と、
    前記可撓性を有する基板の突出領域に設けられた端子部と、を有する、電子機器の作製方法。
  2. 電子機器の長軸側で湾曲した外装と、外蓋との間に、発光パネルと、回路と、内蓋と、二次電池と、が順に配置されて固定された電子機器の作製方法であって、
    前記外装と前記内蓋とによって封止される空間に、前記発光パネルと前記回路とを収納する工程と、
    前記内蓋と前記外蓋との間の空間に、前記二次電池を収納する工程とを有し、
    前記発光パネルは、
    可撓性を有する基板と、
    発光素子と、
    前記可撓性を有する基板の突出領域に設けられた端子部と、を有し、
    前記突出領域は、前記外装の湾曲と重なる、電子機器の作製方法。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記外装と前記内蓋とによって封止される空間に、乾燥剤又は脱酸素剤を収納する工程を有する電子機器の作製方法。
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102481056B1 (ko) * 2012-08-10 2022-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 장치
KR101404628B1 (ko) * 2013-05-29 2014-06-11 김선종 휘어짐이 가능한 전자기기
KR102315659B1 (ko) 2013-11-27 2021-10-20 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
US9229481B2 (en) 2013-12-20 2016-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI524229B (zh) * 2014-03-04 2016-03-01 綠點高新科技股份有限公司 具有二維觸控結構的殼體及其製造方法
WO2015147835A1 (en) * 2014-03-27 2015-10-01 Intel Corporation Multi-device flexible electronics system on a chip (soc) process integration
KR102208992B1 (ko) * 2014-05-12 2021-01-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160000298A (ko) * 2014-06-24 2016-01-04 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
KR102034002B1 (ko) * 2014-08-26 2019-10-21 한국전자통신연구원 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
CN104794993B (zh) * 2015-03-02 2018-09-04 京东方科技集团股份有限公司 一种显示装置及其制造方法
KR102294833B1 (ko) * 2015-05-08 2021-08-27 삼성디스플레이 주식회사 커브드 표시 장치
DE102015012278A1 (de) * 2015-09-24 2017-03-30 Audi Ag Dreidimensionale organische Leuchtdiodenvorrichtung
KR102480086B1 (ko) 2016-01-11 2022-12-23 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US9837682B1 (en) * 2016-08-29 2017-12-05 Microsoft Technology Licensing, Llc Variable layer thickness in curved battery cell
KR20180030365A (ko) 2016-09-13 2018-03-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20180032742A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 삼성디스플레이 주식회사 플렉시블 디스플레이 패널 및 플렉시블 디스플레이 패널 벤딩 방법
WO2018138861A1 (ja) * 2017-01-27 2018-08-02 シャープ株式会社 表示装置
WO2018212035A1 (ja) * 2017-05-15 2018-11-22 パイオニア株式会社 発光装置
GB201714297D0 (en) * 2017-09-06 2017-10-18 Flexenable Ltd Curved display devices
KR102404974B1 (ko) * 2017-09-12 2022-06-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
USD833996S1 (en) * 2017-09-20 2018-11-20 Dongguan Jianye Material Technology Co., Ltd. Cellphone
KR102536672B1 (ko) * 2017-11-06 2023-05-25 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 구조체 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102452529B1 (ko) * 2017-12-12 2022-10-11 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 기판 및 이를 포함하는 표시 장치
CN108133668B (zh) * 2017-12-29 2021-05-11 广东长盈精密技术有限公司 一种基板的制备方法、基板及终端
US10916734B2 (en) 2018-02-07 2021-02-09 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Method of manufacturing curved display, curved display and display
CN108400240B (zh) * 2018-02-07 2020-03-10 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 曲面显示器件的制作方法、曲面显示器件及显示装置
KR102494515B1 (ko) * 2018-07-09 2023-02-01 삼성전자주식회사 글래스 플레이트를 포함하는 전자 장치
KR20200058638A (ko) * 2018-11-19 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2020101642A (ja) * 2018-12-20 2020-07-02 シャープ株式会社 表示装置および電子機器
WO2020203120A1 (ja) * 2019-04-01 2020-10-08 株式会社小糸製作所 車輌用灯具
KR20200124796A (ko) * 2019-04-24 2020-11-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 제조 방법, 표시 장치용 보호 필름, 및 이를 제조하는 벤딩 패널 제조장치
CN111129086A (zh) * 2019-12-13 2020-05-08 武汉华星光电技术有限公司 柔性显示面板及其制作方法
CN111355830A (zh) * 2020-02-24 2020-06-30 广州三星通信技术研究有限公司 电子装置以及外壳结构物
US20220115621A1 (en) * 2020-03-20 2022-04-14 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display device and method for manufacturing the same
CN114730533B (zh) 2020-09-15 2023-08-15 京东方科技集团股份有限公司 贴合装置、其贴合方法及柔性显示模组、显示装置
USD1003825S1 (en) * 2021-07-23 2023-11-07 Shenzhen R-TAX technology CO., LTD. Power bank

Family Cites Families (113)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2742290B2 (ja) * 1989-03-24 1998-04-22 株式会社リコー 液晶表示素子
JPH06194680A (ja) * 1992-12-24 1994-07-15 Casio Comput Co Ltd 液晶フィルム基板
JPH07254488A (ja) 1994-03-16 1995-10-03 Eritsukusu:Kk エレクトロルミネッセントランプ
JPH1065357A (ja) * 1996-08-22 1998-03-06 Casio Comput Co Ltd 電子機器
JPH11109880A (ja) 1997-10-02 1999-04-23 Japan Aviation Electron Ind Ltd 表示装置
JP2000311781A (ja) 1999-04-28 2000-11-07 Hokuriku Electric Ind Co Ltd 有機ｅｌ素子とその製造方法
JP2001100641A (ja) * 1999-09-29 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2002006769A (ja) * 2000-06-22 2002-01-11 Morio Taniguchi 有機エレクトロルミネッセンス発光表示装置
US6956324B2 (en) * 2000-08-04 2005-10-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
US7030551B2 (en) 2000-08-10 2006-04-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Area sensor and display apparatus provided with an area sensor
JP2002247164A (ja) 2001-02-14 2002-08-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 表示装置
JP3758512B2 (ja) * 2001-03-02 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 電子機器
JP3747791B2 (ja) 2001-03-05 2006-02-22 セイコーエプソン株式会社 パネル駆動制御装置、腕時計型情報機器、携帯機器及びパネル駆動制御方法
JP2002350572A (ja) * 2001-05-28 2002-12-04 Seiko Instruments Inc 電子時計
TW558861B (en) * 2001-06-15 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Laser irradiation stage, laser irradiation optical system, laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and method of manufacturing semiconductor device
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP2003109773A (ja) * 2001-07-27 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置、半導体装置およびそれらの作製方法
JP5057619B2 (ja) 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
KR20040048429A (ko) 2001-10-25 2004-06-09 하리슨 도시바 라이팅 가부시키가이샤 발광장치
JP2003264084A (ja) 2002-03-11 2003-09-19 Harison Toshiba Lighting Corp 発光装置
US7042024B2 (en) 2001-11-09 2006-05-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting apparatus and method for manufacturing the same
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
AU2002360518A1 (en) 2001-12-12 2003-06-23 Universal Display Corporation Intelligent multi-media display communication system
US7050835B2 (en) 2001-12-12 2006-05-23 Universal Display Corporation Intelligent multi-media display communication system
US6953735B2 (en) * 2001-12-28 2005-10-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature
JP4567941B2 (ja) 2001-12-28 2010-10-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法及び表示装置の作製方法
JP2004070657A (ja) * 2002-08-06 2004-03-04 Olympus Corp 携帯情報端末の筐体構造
JP2004077382A (ja) * 2002-08-21 2004-03-11 Seiko Instruments Inc 電子時計
JP2004140267A (ja) 2002-10-18 2004-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
CN100391004C (zh) 2002-10-30 2008-05-28 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及半导体装置的制作方法
AU2003275615A1 (en) * 2002-11-01 2004-05-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device
AU2003274539A1 (en) 2002-11-22 2004-06-18 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a curved display
US20040099926A1 (en) 2002-11-22 2004-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same
KR101032337B1 (ko) 2002-12-13 2011-05-09 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 그의 제조방법
JP2005123012A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネセンス表示パネルとその製造方法
US7902747B2 (en) 2003-10-21 2011-03-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide
TWI277042B (en) * 2003-10-28 2007-03-21 Seiko Epson Corp Electro-optical device, electronic equipment, and method of manufacturing electro-optical device
JP4007308B2 (ja) * 2003-10-28 2007-11-14 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電子機器、および電気光学装置の製造方法
US7746293B2 (en) 2004-03-09 2010-06-29 Senzo Kobayashi Information display apparatus
JP2006039471A (ja) 2004-07-30 2006-02-09 Dragon:Kk 遊技機用表示装置
JP4610975B2 (ja) 2004-09-08 2011-01-12 オリンパス株式会社 表示装置
US8772783B2 (en) * 2004-10-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
TWI411349B (zh) * 2004-11-19 2013-10-01 Semiconductor Energy Lab 顯示裝置及電子裝置
US7916263B2 (en) * 2004-12-02 2011-03-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4807947B2 (ja) 2004-12-09 2011-11-02 アルパイン株式会社 表示装置
US7566633B2 (en) 2005-02-25 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7368307B2 (en) * 2005-06-07 2008-05-06 Eastman Kodak Company Method of manufacturing an OLED device with a curved light emitting surface
TWI321241B (en) * 2005-09-14 2010-03-01 Ind Tech Res Inst Flexible pixel array substrate and method of fabricating the same
JPWO2007032515A1 (ja) 2005-09-15 2009-03-19 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネセンス表示パネルおよび防湿基板
JP2006091894A (ja) * 2005-09-26 2006-04-06 Seiko Epson Corp パネル駆動制御装置、腕時計型情報機器、携帯機器及びパネル駆動制御方法
US8900970B2 (en) * 2006-04-28 2014-12-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device using a flexible substrate
JP4285504B2 (ja) * 2006-05-24 2009-06-24 ソニー株式会社 タッチパネルを有する表示装置
JP2007326259A (ja) * 2006-06-07 2007-12-20 Yoshida Industry Co Ltd ディスプレイの製造方法及びディスプレイ
KR101186608B1 (ko) * 2006-07-14 2012-09-27 엘지전자 주식회사 이동 통신 단말기
EP1895545B1 (en) * 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP2008083645A (ja) * 2006-09-29 2008-04-10 Seiko Epson Corp 表示装置
JP4148299B1 (ja) * 2007-02-13 2008-09-10 ソニー株式会社 光学包装体およびその製造方法、照明装置、ならびに表示装置
WO2008126250A1 (ja) * 2007-03-30 2008-10-23 Pioneer Corporation 発光装置
JP5542296B2 (ja) * 2007-05-17 2014-07-09 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置、表示モジュール及び電子機器
WO2008149768A1 (ja) * 2007-06-05 2008-12-11 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス発光素子および製造方法
JP5094250B2 (ja) * 2007-07-10 2012-12-12 株式会社ジャパンディスプレイイースト 表示装置
JP5094310B2 (ja) * 2007-09-28 2012-12-12 京セラ株式会社 スライド式携帯電子機器
EP2420913B1 (en) * 2007-12-03 2017-09-06 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Mobile phone
JP2009170173A (ja) * 2008-01-11 2009-07-30 Denso Corp Ｅｌ素子及びその製造方法
CN102027615A (zh) * 2008-03-26 2011-04-20 皇家飞利浦电子股份有限公司 发光二极管器件
US7933123B2 (en) * 2008-04-11 2011-04-26 Apple Inc. Portable electronic device with two-piece housing
KR101925772B1 (ko) 2008-07-10 2018-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR101811782B1 (ko) 2008-07-10 2018-01-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광장치 및 전자기기
JP2010044156A (ja) 2008-08-11 2010-02-25 Kazuya Ohashi バックライト装置、表示装置及び水生動植物鑑賞装置
JP5216716B2 (ja) 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US8494021B2 (en) 2008-08-29 2013-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic laser device
JP2011003522A (ja) 2008-10-16 2011-01-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器及びフレキシブル発光装置の作製方法
JP5323445B2 (ja) 2008-10-21 2013-10-23 富士フイルム株式会社 超音波診断装置
US8610155B2 (en) 2008-11-18 2013-12-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, method for manufacturing the same, and cellular phone
KR101824425B1 (ko) 2008-12-17 2018-02-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
CN101800292A (zh) * 2009-02-11 2010-08-11 旭丽电子(广州)有限公司 形成发光外壳的方法及其相关发光模块
JP5219874B2 (ja) * 2009-02-12 2013-06-26 キヤノン株式会社 電子機器
US20100253902A1 (en) * 2009-04-07 2010-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US8657456B2 (en) * 2009-04-30 2014-02-25 Mitsubishi Electric Corporation Display device and method for manufacturing the same
US8911653B2 (en) * 2009-05-21 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing light-emitting device
KR101155907B1 (ko) 2009-06-04 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
US8576209B2 (en) 2009-07-07 2013-11-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
JP4543120B1 (ja) * 2009-07-13 2010-09-15 株式会社東芝 電子機器
CN103489871B (zh) * 2009-07-31 2016-03-23 株式会社半导体能源研究所 半导体装置及其制造方法
CN101996535A (zh) 2009-08-25 2011-03-30 精工爱普生株式会社 电光学装置和电子设备
JP5444940B2 (ja) * 2009-08-25 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
JP5282706B2 (ja) * 2009-09-08 2013-09-04 カシオ計算機株式会社 電子機器
KR102236140B1 (ko) 2009-09-16 2021-04-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 이의 제조 방법
EP2343629A3 (en) 2010-01-08 2015-01-21 Integrated Digital Technologies, Inc. Stylus and touch input system
EP2346108A1 (en) 2010-01-15 2011-07-20 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Foil shaped electro-optical product, semi-finished product and method and apparatus for manufacturing the same
US9000442B2 (en) 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
KR101113289B1 (ko) * 2010-03-04 2012-02-24 주식회사 토비스 곡면 디스플레이 패널 제조 방법, 이를 이용한 곡면 디스플레이 패널, 및 이를 이용한 다중 영상 표시 장치
KR101537438B1 (ko) * 2010-03-18 2015-07-16 노키아 코포레이션 휴대용 전자 디바이스를 위한 하우징
JP5516048B2 (ja) * 2010-05-12 2014-06-11 大日本印刷株式会社 デバイス装置及びディスプレイ装置
KR101845480B1 (ko) 2010-06-25 2018-04-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치의 제작 방법
CN102971784B (zh) * 2010-07-02 2016-08-03 株式会社半导体能源研究所 液晶显示装置及驱动液晶显示装置的方法
KR101147988B1 (ko) 2010-07-13 2012-05-24 포항공과대학교 산학협력단 물리적 박리 방법을 이용한 플렉서블 전자소자의 제조방법, 플렉서블 전자소자 및 플렉서블 기판
EP2456175B1 (en) 2010-11-19 2014-01-15 BlackBerry Limited Portable electronic device including flexible display
US8669702B2 (en) 2010-11-19 2014-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lighting device
US8772795B2 (en) 2011-02-14 2014-07-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and lighting device
US8854326B2 (en) * 2011-03-10 2014-10-07 Wintek Corporation Touch panel and touch-sensitive display device
US9781783B2 (en) 2011-04-15 2017-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, light-emitting system, and display system
KR101320384B1 (ko) 2011-06-30 2013-10-23 삼성디스플레이 주식회사 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널을 포함하는 표시 장치
US10061356B2 (en) * 2011-06-30 2018-08-28 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display panel and display apparatus including the flexible display panel
JP6068338B2 (ja) * 2011-07-06 2017-01-25 パナソニック株式会社 フレキシブルデバイスの製造方法及びフレキシブルデバイス
KR200471325Y1 (ko) * 2011-07-13 2014-02-19 모토로라 모빌리티 엘엘씨 강화된 공차 누적기를 구비하는 모바일 전자 장치
JP2013025015A (ja) * 2011-07-20 2013-02-04 Mitsubishi Electric Corp 液晶パネル及び液晶パネルの製造方法
WO2013021560A1 (ja) * 2011-08-05 2013-02-14 パナソニック株式会社 フレキシブルデバイスの製造方法
US8929085B2 (en) * 2011-09-30 2015-01-06 Apple Inc. Flexible electronic devices
JP5907722B2 (ja) 2011-12-23 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
KR102481056B1 (ko) * 2012-08-10 2022-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 전자 장치
KR102136192B1 (ko) * 2012-09-03 2020-07-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 전자 기기

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