TWI612450B - 導電性膜、觸控面板以及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供通過規定第1電極圖形與第2電極圖形的交叉部分的面積以在檢測精度(S/N比)等方面適合使用於觸控面板的導電性膜、具有該導電性膜的觸控面板以及具有該觸控面板的顯示裝置。該導電性膜具有透明基體、2個以上的第1電極圖形和2個以上的第2電極圖形，第1電極圖形與第2電極圖形夾著透明基體而對置且交叉，第1電極圖形以及第2電極圖形分別是通過組合由金屬細線形成的多個單元來構成的，第1電極圖形與第2電極圖形的交叉部分的面積大於1mm2且小於20mm2。

Description

導電性膜、觸控面板以及顯示裝置
本發明係涉及一種導電性膜，例如涉及適合使用於觸控面板用電極的導電性膜。另外，本發明涉及具有該導電性膜的觸控面板和具有該觸控面板的顯示裝置。
最近，作為在顯示裝置中設置的導電性膜，尤其是在觸控面板中所使用的導電性膜備受關注。雖然觸控面板主要應用於PDA(Personal Digital Assistant個人數位助理)或行動電話等小尺寸設備，但在個人電腦用之顯示器等的大尺寸化觸控面板正在發展。
在這樣的未來動向中，因為現有的電極採用了ITO(氧化銦錫)(例如專利文獻1)，所以具有隨著電阻大、應用尺寸大而導致電極間的電流傳遞速度慢、回應速度(從指尖接觸到檢測該位置的時間)慢這樣的問題。
因此，考慮透過排列多個由金屬製細線(金屬細線)構成的格子來構成電極，從而降低表面電阻。作為形成金屬細線的方法，例如專利文獻2。另外，還提出了具有如專利文獻3導電圖形的觸控面板用的導電性膜，該導電圖形由組合多個小格子而成的多個大格子和使大格子之間電連接的中格子構成(參照專利文獻3)。在該專利文獻3中還記載了如下這樣的例子，使具有沿一個方向排列之導電圖形(第1導電圖形)的第1導電性膜和具有沿另一方向(與一個方向正交的方向)排列之導電圖形(第2導電圖形)的第2導電性膜層疊。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特開2009-259003號公報
專利文獻2：日本特開2004-221564號公報
專利文獻3：日本特開2012-163933號公報
因此，本發明所要解決的課題為：在應用於靜電電容方式的觸控面板的情況下，如專利文獻3所示，使第1導電性膜和第2導電性膜層疊是普遍的方式。在此情況下，第1導電圖形的大格子與第2導電圖形的大格子之間和第1導電圖形與第2導電圖形的交 叉部分分別成為觸摸位置的檢測部分，所以為了提高檢測精度還需要規定這些檢測部分的尺寸(面積等)。
但現狀是，沒有對這些檢測部分的尺寸、尤其關於第1導電圖形與第2導電圖形的交叉部分的尺寸進行驗證。
本發明是考慮這樣的課題而研發出來的，其目的是提供如下這樣的導電性膜，在使由金屬細線形成的多個單元構成的多個第1電極圖形與多個第2電極圖形交叉的導電性膜中，通過規定第1電極圖形與第2電極圖形的交叉部分的面積，來使導電性膜在檢測精度(S/N比)等方面適合使用於觸控面板。另外，本發明的目的是提供具有該導電性膜的觸控面板和具有該觸控面板的顯示裝置。
本發明的導電性膜具有基體、2個以上的第1電極圖形和2個以上的第2電極圖形，上述第1電極圖形與上述第2電極圖形夾著上述基體而對應設置且交叉，該導電性膜的特徵是：上述第1電極圖形以及上述第2電極圖形分別是通過組合由金屬細線形成的多個單元來構成的，上述第1電極圖形與上述第2電極圖形的交叉部分的面積大於1mm2且小於20mm2。這裡，所謂“單元”是指利用多個金屬細線二維地劃分為格子狀或升斗狀的形狀。
在本發明之導電性膜中，上述交叉部分優選的面積是2mm2以上，且16mm2以下。
在本發明之導電性膜中，上述導電性膜可以是從上面觀察時包含於1個上述交叉部分中且在上述第1電極圖形的延伸方向上排列的第2電極圖形的多個單元中的、位於一方端部的單元的末端與位於另一方端部單元的末端之間的距離是上述交叉部分的沿著上述第1電極圖形的第1寬度，在從上面觀察時，包含於1個上述交叉部分中且在上述第2電極圖形的延伸方向上排列的第1電極圖形的多個單元中的、位於一方端部的單元的末端與位於另一方端部的單元的末端之間的距離是上述交叉部分的沿著上述第2電極圖形的第2寬度，上述交叉部分的面積是上述第1寬度與上述第2寬度相乘而得的值。
在此情況下，優選地，在上述第1寬度內至少排列了4個單元，在上述第2寬度內至少排列了4個單元。在此情況下，能夠確保在第1電極圖形的交叉部分的導電性和在第2電極圖形的交叉部分的導電性。
關於上述交叉部分可以是，在從上面觀察時，上述第1電極圖形中的構成上述交叉部分的多個單元與上述第2電極圖形中的構成上述交叉部分的多個單元位置偏移。
在此情況下，優選地，構成上述第1電極圖形的單元與構成上述第2電極圖形的單元的各尺寸相同。
在本發明之導電性膜中，優選地，上述第1電極圖形的表面電阻與上述第2電極圖形的表面電阻是0.1歐姆/sq.以上，且300歐姆/sq.以下。
在此情況下，優選地，關於上述第1電極圖形以及上述第2電極圖形中的至少表面電阻高的一方的電極圖形，在假想地連結金屬細線的端部的包絡線的形狀中含有彎曲狀。
在本發明之導電性膜中，優選地，在從上面觀察時，在上述第1電極圖形中的上述交叉部分以外的部分與上述第2電極圖形中的上述交叉部分以外的部分之間至少具有單元的1個平均直徑的間隔。
或者優選地，在從上面觀察時，在上述第1電極圖形中的上述交叉部分以外的部分與上述第2電極圖形中的上述交叉部分以外的部分之間具有200μm以上的間隔。
另外，本發明的觸控面板的特徵是具有上述的導電性膜。
而且，本發明的顯示裝置的特徵是具有上述觸控面板。
根據本發明的導電性膜，在由金屬細線形成的多個單元構成的多個第1電極圖形與多個第2電極圖形交叉的導電性膜中，可透過規定第1電極圖形與第2電極圖形的交叉部分的面積，來獲得在檢測精度(S/N比)等方面適合使用於觸控面板的導電性膜。另外， 可獲得具有該導電性膜的觸控面板和具有該觸控面板的顯示裝置。
10‧‧‧觸控面板
12‧‧‧感測器主體
14‧‧‧控制電路
16A‧‧‧第1導電性膜
16B‧‧‧第2導電性膜
18‧‧‧層疊導電性膜
20‧‧‧蓋層
22‧‧‧顯示裝置
24‧‧‧顯示面板
24a‧‧‧顯示畫面
26A‧‧‧第1感測器區域
26B‧‧‧第2感測器區域
28A‧‧‧第1端子佈線區域
28B‧‧‧第2端子佈線區域
30A‧‧‧第1導電部
30B‧‧‧第2導電部
32A‧‧‧第1透明基體
32B‧‧‧第2透明基體
34A‧‧‧第1透明粘合劑層
34B‧‧‧第2透明粘合劑層
36A‧‧‧第1電極圖形
36B‧‧‧第2電極圖形
38‧‧‧單元
40‧‧‧網格圖形
42a‧‧‧第1接線部
44a‧‧‧第1端子佈線部
46a‧‧‧第1接地端子部
48a‧‧‧第1接地線
42b‧‧‧第2接線部
44b‧‧‧第2端子佈線部
46b‧‧‧第2接地端子部
50a‧‧‧第1端子部
50b‧‧‧第2端子部
52a、58a‧‧‧寬度最窄的部分
52b、58b‧‧‧寬度最寬的部分
52c、58c‧‧‧寬度緩緩變窄的部分
54、60‧‧‧包絡線
56‧‧‧電極膜
62‧‧‧交叉部分
64a‧‧‧第1定位標記
64b‧‧‧第2定位標記
66‧‧‧測定用端子
第一圖：是示出將本實施方式的導電性膜應用於觸控面板的結構例的分解立體圖
第二圖：示出層疊導電性膜的截面構造的一例與控制系統(自身電容方式)的一例的說明圖
第三圖：是從上方觀察第1導電性膜以及第2導電性膜的主要部分而示出的俯視圖
第四圖：是從上面觀察第1電極圖形的一例而示出的俯視圖
第五圖：是從上面觀察第2電極圖形的一例而示出的俯視圖
第六圖：是從上面觀察使第1電極圖形與第2電極圖形交叉而構成交叉部分的狀態而示出的俯視圖
第七圖：是示出層疊導電性膜的截面構造的一例與控制系統(相互電容方式)的一例的說明圖
第八圖：是示出層疊導電性膜的截面構造的其它例的說明圖
第九圖：是示出電極圖形間電阻的測定方法的說明圖
以下，參照第一圖~第九圖來說明將本發明的導電性膜例如應用於觸控面板的實施方式例。此外，在本說明書中表示數值範圍的“~”是指包含在其前後記載的數值作為下限值以及上限值。
如第一圖所示，應用本實施方式的導電性膜的觸控面板10具有感測器主體12和控制電路14(由IC電路等構成：參照第二圖)。 感測器主體12具有使第1導電性膜16A與第2導電性膜16B層疊構成的層疊導電性膜18和在其上層疊的例如玻璃製的蓋層20。例如，在液晶顯示器等顯示裝置22中的顯示面板24上配置層疊導電性膜18以及蓋層20。第1導電性膜16A以及第2導電性膜16B在從上面進行觀察時，具有與顯示面板24的顯示畫面24a對應的第1感測器區域26A以及第2感測器區域26B和與顯示面板24的外周部分對應的第1端子佈線區域28A以及第2端子佈線區域28B(所謂的額緣)。
如第二圖所示，第1導電性膜16A具備：第1透明基體32A、在該第1透明基體32A的表面上形成的上述第1導電部30A以及形成為覆蓋第1導電部30A的第1透明粘合劑層34A。
如第一圖以及第三圖所示，在第1感測器區域26A中形成有由金屬細線構成的基於透明導電層的多個第1電極圖形36A。第1電極圖形36A具有組合多個單元38(參照第三圖)而構成的網格圖形40(參照第三圖)，在第1方向(x方向)上延伸，而且在與第1方向正交的第2方向(y方向)上排列。
如上所述構成的第1導電性膜16A分別經由第1接線部42a使金屬佈線形成的第1端子佈線部44a與各第1電極圖形36A的一方端部電連接。
即，應用於觸控面板10的第1導電性膜16A如第三圖所示，在與第1感測器區域26A對應的部分排列有上述的多個第1電極圖形36A，在第1端子佈線區域28A內排列有從各第1接線部42a(在第三圖中未圖示)匯出的多個第1端子佈線部44a。另外，如第一圖以及第三圖所示，在第1端子佈線部44a的外側從一個第1接地端子部46a到另一個第1接地端子部46a以包圍第1感測器區域26A的方式形成以遮罩效果為目的的第1接地線48a。
在第一圖的例子中，第1導電性膜16A的外形從上面觀察具有長方形狀，第1感測器區域26A的外形也具有長方形狀。當然，外形不需要限定為長方形，可以如正方形、多邊形或圓形等那樣與各種形狀相對應。第1端子佈線區域28A中的第1導電性膜16A的一個長邊側的周緣部在其長度方向的中央部分，除了上述一對第1接地端子部46a之外，還沿著上述一個長邊的長度方向排列形成有多個第1端子部50a。另外，沿著第1感測器區域26A的一個長邊(與第1導電性膜16A的一個長邊最近的長邊：y方向)直線狀地排列有多個第1接線部42a。從各第1接線部42a匯出的第1端子佈線部44a向第1導電性膜16A的一個長邊的大致中央部走線，並分別與對應的第1端子部50a電連接。
如第四圖所示，第1電極圖形36A成為在第1方向(x方向)上延伸並且寬度最窄的部分52a以一定間隔出現、寬度最寬的部分52b也以一定間隔出現的形狀。另外，各第1電極圖形36A具有從寬度最寬的部分52b到寬度最窄的部分52a及其寬度緩緩變窄的部分52c。尤其，關於寬度緩緩變窄的部分52c，假想地連接金屬細線的端部的包絡線54的形狀成為彎曲狀。當然也可以階梯狀或者直線狀地變窄，但透過設為彎曲狀，可降低寬度緩緩變窄的部分52c的電阻值，從而能夠抑制導電性的極端下降。
此外，在第1電極圖形36A之間雖未圖示，但可在相同的第1透明基體32A的表面上形成與第1電極圖形36A電絕緣的虛設層。虛設層與第1電極圖形36A同樣是由金屬細線構成，虛設層是為了使第1電極圖形36A難以視覺識別而用於掩飾的層。不作為電極使用。當然，可不形成虛設層。另外，在上述的第1電極圖形36A中舉出了寬度變寬或變窄的圖形，但其不是必須要件，僅是一個優選的方式，例如，即使在大致長方形的電極圖形等中也優選進行應用。
同樣，如第二圖所示，第2導電性膜16B具有：第2透明基體32B、在該第2透明基體32B的表面上形成的上述第2導電部30B以及形成為覆蓋第2導電部30B的第2透明粘合劑層34B。
如第一圖以及第三圖所示，在第2感測器區域26B內形成有由金屬細線構成的基於透明導電層的多個第2電極圖形36B。第2 電極圖形36B具有組合多個單元38(參照第三圖)而構成的網格圖形40(參照第三圖)，在第2方向(y方向)上延伸，而且在第1方向(x方向)上排列。
如上所述構成的第2導電性膜16B中，金屬細線形成的第2端子佈線部44b分別經由第2接線部42b與第2電極圖形36B的各一方端部電連接。另外，在第2端子佈線區域28B中的與第1導電性膜16A的第1端子佈線部44a相對的位置形成電極膜56，使該電極膜56與第2接地端子部46b電連接。
如第五圖所示，第2電極圖形36B也成為在第2方向(y方向)上延伸並且寬度最窄的部分58a以一定間隔出現、寬度最寬的部分58b也以一定間隔出現的形狀。另外，各第2電極圖形36B具有從寬度最寬的部分58b到寬度最窄的部分58a與其寬度緩緩變窄的部分58c。尤其，關於寬度緩緩變窄的部分58c，假想地連結金屬細線的端部的包絡線60的形狀成為彎曲狀。
此外，在第2電極圖形36B之間雖未圖示，但也在相同的第2透明基體32B的表面上形成有與第2電極圖形36B電絕緣的虛設層。虛設層與第2電極圖形36B同樣是由金屬細線構成的，是為了使第2電極圖形36B難以視覺識別而用於掩飾的層。不作為電極進行使用。當然，可不形成虛設層。另外，在上述第2電極圖形36B中也舉出了寬度變寬或者變窄的圖形，但其不是必須要件，僅 是一個優選的方式，例如，即使在大致長方形的電極圖形等中也優選進行應用。
並且，例如在第2導電性膜16B上層疊第1導電性膜16A成為層疊導電性膜18時，如第三圖所示，成為第1電極圖形36A與第2電極圖形36B交叉配置的形態。具體地說，如第六圖所示，第1電極圖形36A中的寬度最窄的部分52a與第2電極圖形36B中的寬度最窄的部分58a成為在中間夾著第1透明基體32A(參照第二圖)相對的形態即交叉的形態。
尤其，在本實施方式中，第1電極圖形36A與第2電極圖形36B的交叉部分62構成用於檢測手指接近或者接觸的位置(稱為觸摸位置)的感知部。即，第1電極圖形36A中的寬度最窄的部分52a是用於構成交叉部分62的部位，寬度最寬的部分52b以及寬度緩緩變窄的部分52c是用於降低表面電阻的部位。這在第2電極圖形36B中也是同樣的。
交叉部分62的面積優選大於1mm2，且小於20mm2，進一步優選是2mm2以上，且16mm2以下。
可如以下這樣地求出交叉部分62的面積。即，從上面觀察時，包含於1個交叉部分而且在第1電極圖形36A的延伸方向上排列的第2電極圖形36B的多個單元38中的位於一方端部的單元38的末端與位於另一方端部的末端之間的距離L1是交叉部分62的沿著第1電極圖形36A的第1寬度L1。同樣，在從上面觀察時， 包含於1個交叉部分而且在第2電極圖形36B的延伸方向上排列的第1電極圖形36A的多個單元38中的位於一方端部的單元38的末端與位於另一方端部的末端之間的距離L2是交叉部分62的沿著第2電極圖形36B的第2寬度L2。並且，交叉部分62的面積是使第1寬度L1與第2寬度L2相乘所得的值。當第1電極圖形36A與第2電極圖形36B在多處形成交叉部分62時，設為多個交叉部分62中的利用上述計算方法計算多個交叉部分62的面積後取平均而得出的值，即使全部交叉部分62未進入範圍內，也能夠獲得本申請發明的效果。
當交叉部分62的面積過小時，第1電極圖形36A以及第2電極圖形36B的電阻有可能變高。在此情況下，例如第1電極圖形36A以及第2電極圖形36B的時間常數變大，結果具有觸摸位置的檢測精度劣化這樣的問題。相反，當交叉部分62的面積過大時，例如在應用於靜電電容方式的觸控面板的情況下具有如下這樣的問題：由於人的手指接近或接觸而導致的靜電電容的變化相對小，即檢測信號的S/N比變小，檢測精度劣化。
因此，可通過將交叉部分62的面積規定於上述範圍內，來提高觸摸位置的檢測精度，可成為適合應用於觸控面板10的導電性膜。
各單元38由多邊形構成。作為多邊形可舉出三角形、四邊形(正方形、長方形、平行四邊形、菱形等)、五邊形、六邊形等。 另外，形成多邊形的邊的一部分可由曲線構成。還可以由形狀相互不同的具有隨機形狀的單元38構成。單元38的一邊的長度優選是200~300μm。當一邊的長度過短時，開口率以及透射率降低，與其相伴，具有透明性劣化這樣的問題。相反，當一邊的長度過長時，開口率以及透射率提高，但具有第1電極圖形36A以及第2電極圖形3613的電阻變高、觸摸位置的檢測精度劣化這樣的問題。在單元38的一邊長度是上述範圍的情況下，還可以良好地保持透明性，在安裝到顯示裝置22的顯示面板24上時，可視覺識別顯示而無不協調感。
金屬細線的線寬優選是0.1μm以上，15μm以下，進一步優選是1μm以上，9μm以下，最好是2μm以上，7μm以下。 第1電極圖形36A以及第2電極圖形361B的表面電阻優選處於0.1~300歐姆/sq.的範圍內。下限值優選是1歐姆/sq.以上、3歐姆/sq.以上、5歐姆/sq.以上、10歐姆/sq.以上。上限值優選是200歐姆/sq.以下、100歐姆/sq.以下、70歐姆/sq.以下、50歐姆/sq.以下。
根據上述情況，優選在交叉部分62的第1寬度L1內，一邊長度是200~300μm的單元38至少排列4個，在交叉部分62的第2寬度L2內，一邊長度是200~300μm的單元38至少排列4個。由此，能夠共同實現開口率以及透射率的提高和第1電極圖形36A以及第2電極圖形36B的電阻的降低。
另外，當從上面觀察時，優選第1電極圖形36A中的構成交叉部分62的多個單元38與第2電極圖形36B中的構成交叉部分62的多個單元38位置偏移。在此情況下，優選構成第1電極圖形36A的單元38與構成第2電極圖形36B的單元38的各個尺寸(一邊的長度)相同。即，按照第1電極圖形36A、按照第2電極圖形36B排列尺寸一樣的單元，所以局部上沒有某電極圖形的電阻大幅變化的情況，因此在驅動觸控面板10的IC(驅動IC)中不需要用於抵消電阻或靜電電容的偏差的電路或者運算處理，並能夠降低對驅動IC的負荷。
另外，在從上面觀察時，交叉部分62優選成為如下形態：構成第2電極圖形36B的單元38的頂點(交點)位於構成第1電極圖形36A的單元38的中央、構成第1電極圖形36A的單元38的頂點(交點)位於構成第2電極圖形36B的單元38的中央、排列有構成第1電極圖形36A以及第2電極圖形36B的單元38的1/4尺寸的小單元。由此，沒有單元38在局部明顯這樣的情況，視覺識別性(金屬細線不明顯)良好。此外，也可成為如下形態：第1電極圖形36A以及第2電極圖形36B中的交叉部分62以外的部分在各單元38的開口部分形成十字狀的虛設圖形(與單元38電絕緣的圖形)，宛如單元38的1/4尺寸的小單元排列。因為單元38的密度在交叉部分62及其以外的部分沒有變化，所以能夠使視覺識別性良好。
另外，在從上面觀察時，優選在第1電極圖形36A的交叉部分62以外的部分與第2電極圖形36B的交叉部分62以外的部分之間至少具有單元38的一個平均直徑的間隔，作為尺寸具有200μm以上的間隔。當該間隔窄時，即使在交叉部分62以外的部分也能夠形成初始的靜電電容，所以具有由於人的手指接近或接觸而引起的靜電電容的變化相對小、檢測精度劣化這樣的問題。由此，可透過在上述範圍內規定上述間隔，使交叉部分62以外的部分不形成初始的靜電電容，提高觸摸位置的檢測精度。
並且，當使用該層疊導電性膜18作為觸控面板10時，在第1導電性膜16A上層疊蓋層20，使從第1導電性膜16A的多個第1電極圖形36A匯出的第1端子佈線部44a和從第2導電性膜16B的多個第2電極圖形36B匯出的第2端子佈線部44b與例如控制掃描的控制電路14(參照第二圖)連接。
作為觸摸位置的檢測方式，可優選採用自身電容方式或相互電容方式。
自身電容方式如第二圖所示，從控制電路14對第1端子佈線部44a順次供給用於檢測觸摸位置的第1脈衝信號P1，從控制電路14對第2端子佈線部44b順次供給用於檢測觸摸位置的第2脈衝信號P2。
由於指尖接觸或接近蓋層20的上表面，從而與觸摸位置相對的交叉部分62和GND(接地)之間的電容增加，所以來自與該交 叉部分62對應的第1電極圖形36A以及第2電極圖形36B的傳遞信號的波形不同於來自與其它交叉部分62對應的第1電極圖形36A以及第2電極圖形36B的傳遞信號的波形。因此，控制電路14根據來自與該交叉部分62對應的第1電極圖形36A以及第2電極圖形36B的傳遞信號，對觸摸位置進行運算。
另一方面，相互電容方式如第七圖所示，從控制電路14對第2電極圖形36B順次施加用於觸摸位置檢測的電壓信號S2，對第1電極圖形36A順次進行感測(傳遞信號S1的檢測)。由於指尖接觸或接近蓋層20的上表面，與和觸摸位置相對的交叉部分62處的寄生電容(初始的靜電電容)並列地加上手指的浮置電容，所以來自與該交叉部分62對應的第1電極圖形36A的傳遞信號S1的波形不同於來自與其它交叉部分62對應的第1電極圖形36A的傳遞信號S1的波形。因此，控制電路14根據供給有電壓信號S2的第2電極圖形36B的次序和被供給的來自第1電極圖形36A的傳遞信號S1，對觸摸位置進行運算。
通過採用這樣的自身電容方式或相互電容方式的觸摸位置檢測方法，即使2個指尖同時接觸或接近蓋層20的上表面，也能夠檢測各觸摸位置。
此外，作為與投影型靜電電容方式的檢測電路相關的現有技術文獻，有美國專利第4582955號說明書、美國專利第4686332號說明書、美國專利第4733222號說明書、美國專利第5374787 號說明書、美國專利第5543588號說明書、美國專利第7030860號說明書、美國專利申請公開第2004/0155871號說明書等。
接著，以下說明本實施方式的導電性膜的優選方式。
構成上述第1端子佈線部44a、第2端子佈線部44b、第1端子部50a、第2端子部50b、第1接地線48a、第2接地線48b、第1接地端子部46a以及第2接地端子部46b的金屬佈線和構成第1電極圖形36A以及第2電極圖形36B的金屬細線分別由單一的導電性材料構成。單一的導電性材料利用由銀、銅、鋁中的1種組成的金屬或者包含它們中的至少1種的合金構成。
本實施方式中的第1導電性膜16A以及第2導電性膜16B從可見光透射率這點來看，優選開口率是85%以上，進一步優選是90%以上，最好是95%以上。所謂開口率就是除了金屬細線之外的透光性部分占整體的比例，例如，線寬6μm、細線間距240μm的正方形格子狀的開口率是95%。
在上述層疊導電性膜18中，例如第二圖所示，在第1透明基體32A的正面形成第1導電部30A，在第2透明基體32B的正面形成第2導電部30B，但也可以如第八圖所示，在第1透明基體32A的正面形成第1導電部30A，在第1透明基體32A的背面形成第2導電部30B。在此情況下，成為不存在第2透明基體32B而是在第2導電部30B上層疊第1透明基體32A、在第1透明基體32A上層疊第1導電部30A的形態。在此情況下也可以以覆蓋第1 導電部30A的方式形成第1透明粘合劑層34A，以覆蓋第2導電部301B的方式形成第2透明粘合劑層34B。另外，可在第1導電性膜16A和第2導電性膜16B之間存在其它層，如果第1電極圖形36A和第2電極圖形36B是絕緣狀態，則可以對置地配置它們。
如第一圖所示，優選在第1導電性膜16A與第2導電性膜16B的例如各角部形成在第1導電性膜16A與第2導電性膜16B粘合時使用的定位用的第1定位標記64a以及第2定位標記64b。 在粘合第1導電性膜16A與第2導電性膜16B而成為層疊導電性膜18時，該第1定位標記64a以及第2定位標記64b成為新的複合定位標記，該複合定位標記還作為在顯示面板24上設置該層疊導電性膜18時使用的定位用的定位標記發揮功能。
在上述的例子中示出將第1導電性膜16A以及第2導電性膜16B應用於投影型靜電電容方式的觸控面板10的例子，另外也能夠應用於表面型靜電電容方式的觸控面板或電阻膜式的觸控面板。
此外，上述本實施方式的第1導電性膜16A以及第2導電性膜16B除了顯示裝置22的觸控面板用的導電性膜之外，還可以用作顯示裝置22的電磁波遮罩膜或在顯示裝置22的顯示面板24上設置的光學膜。作為顯示裝置22可舉出液晶顯示器、等離子顯示器、有機EL、無機FL等。
接著，代表性地簡單說明第1導電性膜16A的製造方法。在第2導電性膜16B中也是同樣的。
作為製造第1導電性膜16A的方法，例如可對在第1透明基體32A中具有包含感光性鹵化銀鹽的乳劑層的感光材料進行曝光，並實施顯影處理，由此在曝光部以及未曝光部中分別形成金屬銀部以及光透射性部，來形成第1導電部30A。此外，還可以通過對金屬銀部實施物理顯影以及/或鍍覆處理，在金屬銀部上保持導電性金屬。
或者，可以在第1透明基體32A上採用鍍覆前處理材料來形成感光性被鍍覆層，然後，在進行曝光、顯影處理之後實施鍍覆處理，由此能夠在曝光部以及未曝光部上分別形成金屬部以及光透射性部，來形成第1導電部30A。此外，還可以透過對金屬部實施物理顯影以及/或鍍覆處理，在金屬部上保持導電性金屬。
作為採用鍍覆前處理材料的方法的進一步優選方式，可舉出以下的兩個方式。此外，在日本特開2003-213437號公報、日本特開2006-64923號公報、日本特開2006-58797號公報、日本特開2006-135271號公報等中公開下述的更具體的內容。
方式(a)在第1透明基體32A上塗敷含有鍍覆觸媒或與其前體相互作用的官能團的被鍍覆層，然後，在進行曝光顯影之後實施鍍覆處理，使金屬部形成在被鍍覆材料上。
方式(b)在第1透明基體32A上依次層疊含有聚合物以及金屬氧化物的基底層和含有鍍覆觸媒或與其前體相互作用的官能團的被鍍覆層，然後，在進行曝光顯影之後實施鍍覆處理，使金屬部形成在被鍍覆材料上。
作為其它的方法，可以對在第1透明基體32A上形成的金屬箔上的光致抗蝕膜進行曝光、顯影處理來形成抗蝕圖形，對從抗蝕圖形露出的銅箔進行蝕刻，由此形成第1導電部30A。
或者，可以在第1透明基體32A上印刷包含金屬微粒子的漿料，對漿料進行金屬鍍覆，由此形成網格圖形。
或者，可以在第1透明基體32A上可通過絲網印刷版或凹印印刷版來印刷形成網格圖形。
或者，可以在第1透明基體32A上可通過噴墨來形成第1導電部30A。
接著，在本實施方式的第1導電性膜16A中，以採用鹵化銀照片感光材料的方法為中心作為特別優選方式進行敘述。該方法關於第2導電性膜16B也是同樣的。
本實施方式的第1導電性膜16A的製造方法根據感光材料和顯影處理的方式，包含以下的3個方式。
方式(1)對不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行化學顯影或熱顯影，使金屬銀部形成在該感光材料上。
方式(2)對在鹵化銀乳劑層中含有物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料進行溶解物理顯影，使金屬銀部形成在該感光材料上。
方式(3)使不包含物理顯影核的感光性鹵化銀黑白感光材料與具有包含物理顯影核的非感光性層的顯像片重合後進行擴散轉印顯影，使金屬銀部形成在非感光性顯像片上。
上述方式(1)是一體型黑白顯影類型，在感光材料上形成光透射性導電性膜等透光性導電性膜。獲得的顯影銀是化學顯影銀或熱顯影銀，在作為高比表面的纖維的點上，後續的鍍覆或物理顯影過程的活性高。
上述方式(2)也是一體型黑白顯影類型，在曝光部中溶解物理顯影核附近的鹵化銀粒子並沉積到顯影核上，由此在感光材料上形成光透射性導電性膜等透光性導電性膜。因為顯影作用是向物理顯影核上的析出所以活性高，不過顯影銀是比表面較小的球形。
關於上述方式(3)，在未曝光部中溶解鹵化銀粒子，在擴散後沉積到顯像片的顯影核上，由此在顯像片上形成光透射性導電性膜等透光性導電性膜。方式(3)是所謂的分離類型，從感光材料剝離顯像片進行使用。
所有方式都可以選擇負型顯影處理以及翻轉顯影處理中的任意一個的顯影(在擴散轉印方式的情況下，可採用自調底片型感光材料作為感光材料進行負型顯影處理)。
這裡所說的化學顯影、熱顯影、溶解物理顯影、擴散轉印顯影是指業界通常採用的用語，在照片化學的一般教科書、例如菊地真一著“照片化學”(共立出版社、1955年發行)、C.E.K.Mees編“The Theory of Photographic Processes，4th ed.”(Mcmillan公司、1977年發行)中進行解釋。本申請雖然是涉及液處理的發明，但也可以參考應用熱顯影方式作為其它顯影方式的技術。例如，可應用在日本特開2004-184693號、日本特開2004-334077號、日本特開2005-010752號的各個公報、日本特願2004-244080號、日本特願2004-085655號的各個說明書中記載的技術。
以下，詳細地說明本實施方式的第1導電性膜16A的各個層的結構。該結構關於第2導電性膜16B也是同樣的。
[第1透明基體32A]
作為第1透明基體32A可舉出塑膠膜、塑膠板、玻璃板等。作為上述塑膠膜以及塑膠板的原料例如可採用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯類、三乙醯纖維素(TAC)、聚碳酸酯、環狀烯烴(COP)等。作為第1透明基體32A，優選融點是約290℃以下的塑膠膜或塑膠板，尤其根據光透射性或加工性等的觀點優選PET。
[銀鹽乳劑層]
作為第1導電性膜16A的金屬細線的銀鹽乳劑層，除了銀鹽和粘合劑之外，還含有溶劑或染料等添加劑。
作為在本實施方式中採用的銀鹽可舉出鹵化銀等無機銀鹽以及醋酸銀等有機銀鹽。在本實施方式中，優選採用作為光感測器的特性優良的鹵化銀。
銀鹽乳劑層的塗敷銀量(銀鹽的塗敷量)換算為銀優選是1~30g/m2，進一步優選是1~25g/m2，最好是5~20g/m2。透過使該塗敷銀量處於上述範圍內，在成為第1導電性膜16A時可獲得期望的表面電阻。
作為在本實施方式中採用的粘合劑，例如可舉出明膠、聚乙烯基乙醇(PVA)、聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)、澱粉等多糖類、纖維素及其誘導體、聚氧化乙烯、聚乙烯胺、殼聚糖、聚賴氨酸、聚丙烯酸、聚海藻酸、聚透明質酸、羧基纖維素等。它們根據官能團的離子性而具有中性、陰離子性、陽離子性的性質。
對在本實施方式的銀鹽乳劑層中含有的粘合劑的含有量沒有特別限定，可在能夠發揮分散性與粘合性的範圍內適當決定。銀鹽乳劑層中的粘合劑的含有量根據銀/粘合劑體積比優選是1/4以上，進一步優選是1/2以上。銀/粘合劑體積比優選是100/1以下，進一步優選是50/1以下。另外，銀/粘合劑體積比再優選是1/1~4/1。最好是1/1~3/1。通過使銀鹽乳劑層中的銀/粘合劑體積比處於此範圍，即使在調整塗敷銀量時也能夠抑制電阻值的偏差，並獲得具有均勻的表面電阻的第1導電性膜16A。此外，可通過將原料的鹵化銀量/粘合劑量(重量比)轉換為銀量/粘合劑量(重量比)、而且 將銀量/粘合劑量(重量比)轉換為銀量/粘合劑量(體積比)，來求出銀/粘合劑體積比。
<溶劑>
對在銀鹽乳劑層的形成中採用的溶劑沒有特別限定，但例如可舉出水、有機溶劑(例如，甲醇等醇類、丙酮等酮類、甲醯胺等醯胺類、二甲基亞碸等亞碸類、醋酸乙酯等酯類、醚類等)、離子性液體以及它們的混合溶劑。
<其它添加劑>
關於在本實施方式中採用的各種添加劑沒有特別限制，可優選採用公知的添加劑。
[其它的層結構]
在銀鹽乳劑層上可設置未圖示的保護層。另外，在銀鹽乳劑層之下還可以設置例如下塗層。
接著，說明第1導電性膜16A的製作方法的各工序。
[曝光]
在本實施方式中包含利用印刷方式形成第1導電部30A的情況，但除了印刷方式以外，還可以利用曝光和顯影等來形成第1導電部30A。即，對具有在第1透明基體32A上設置的銀鹽含有層的感光材料或塗敷有光刻用光致聚合物的感光材料進行曝光。可採用電磁波進行曝光。作為電磁波例如可舉出可視光線、紫外線等的 光、X射線之類的放射線等。此外在曝光中可利用具有波長分佈的光源，可採用特定波長的光源。
[顯影處理]
在本實施方式中，在對乳劑層進行曝光之後還進行顯影處理。顯影處理可使用在銀鹽照片膜、印畫紙、印刷製版用膜或光掩模用乳膠掩模等中採用的通常的顯影處理的技術。本發明中的顯影處理可包含以去除未曝光部分的銀鹽使其穩定化為目的而進行的定影處理。本發明中的定影處理可使用在銀鹽照片膜、印畫紙、印刷製版用膜或光掩模用乳膠掩模等中採用的定影處理的技術。
對實施顯影、定影處理的感光材料優選實施清洗處理或穩定化處理。
顯影處理後的曝光部所包含的金屬銀部的品質相對於曝光前的曝光部所包含的銀的品質優選是50品質%以上的含有率，進一步優選是80品質%以上。如果曝光部所包含的銀的品質相對於曝光前的曝光部所包含的銀的品質是50品質%以上，則能夠獲得高導電性，因此優選。
經過以上的工序獲得第1導電性膜16A。針對顯影處理後的第1導電性膜16A還可以進行砑光處理，通過砑光處理可將各透明導電層的表面電阻調整為期望的表面電阻(0.1~100歐姆/sq.的範圍)。
[物理顯影以及鍍覆處理]
在本實施方式中，以提高經過上述曝光以及顯影處理形成的金屬銀部的導電性為目的，可對上述金屬銀部進行用於保持導電性金屬粒子的物理顯影以及/或鍍覆處理。在本發明中可僅利用物理顯影或鍍覆處理的任意一方使導電性金屬粒子保持在金屬銀部，可組合物理顯影與鍍覆處理使導電性金屬粒子保持在金屬銀部。此外，包括對金屬銀部實施物理顯影以及/或鍍覆處理的部件而稱為“導電性金屬部”。
本實施方式中的“物理顯影”是指，在金屬或金屬化合物的核上利用還原劑還原銀離子等金屬離子來使金屬粒子析出。在快速B&W膜、快速滑動膜或印刷版製造等中利用此物理現象，在本發明中可使用此技術。另外，物理顯影既可以與曝光後的顯影處理同時進行，也可以在顯影處理之後另外進行。
在本實施方式中，鍍覆處理可採用無電解鍍(化學還原鍍覆或置換鍍覆)、電解鍍、或無電解鍍和電解鍍雙方。本實施方式中的無電解鍍可採用公知的無電解鍍技術，例如，可採用在印製佈線板等中使用的無電解鍍技術，優選無電解鍍是無電解鍍銅。
[氧化處理]
在本實施方式中，優選對顯影處理後的金屬銀部和利用物理顯影以及/或鍍覆處理形成的導電性金屬部實施氧化處理。透過進 行氧化處理，例如在金屬稍微沉著於光透射性部時，可去除該金屬，使光透射性部的透射性大致成為100%。
[第1透明基體32A等的厚度]
本實施方式的第1導電性膜16A中的第1透明基體32A的厚度優選是5~350μm，進一步優選是30~150μm。只要是5~350μm的範圍就能夠獲得期望的可見光的透射率，而且使用也很容易。
可根據在第1透明基體32A上塗敷的銀鹽含有層用塗料的塗敷厚度來適當決定在第1透明基體32A上設置的金屬銀部的厚度。 雖然金屬銀部的厚度可從0.001mm~0.2mm中選擇，但優選是30μm以下，進一步優選是20μm以下，再優選是0.01~9μm，最好是0.05~5μm。另外，優選金屬銀部是圖形形狀。金屬銀部可以是1層，也可以是2層以上的多層結構。金屬銀部是圖形形狀，而且，在是2層以上的多層結構的情況下，為了能夠以不同的波長進行感光，可賦予不同的感色性。由此，當改變曝光波長進行曝光時，在各個層中可形成不同的圖形。
作為觸控面板10的用途，導電性金屬部的厚度越薄顯示面板24的視角越寬，所以優選，在提高視覺識別性這點上也需要薄膜化。根據這樣的觀點，由在導電性金屬部上保持的導電性金屬構成的層的厚度優選是小於9μm，進一步優選是0.1μm以上，且小於5μm，最好是0.1μm以上，且小於3μm。
在本實施方式中，透過控制上述銀鹽含有層的塗敷厚度來形成期望的厚度的金屬銀部，還可以透過物理顯影以及/或鍍覆處理來自如地控制由導電性金屬粒子構成的層的厚度，所以即使是具有小於5μm、優選小於3μm厚度的導電性膜也能夠容易地形成。
此外，在本實施方式的導電性膜的製造方法中，並非必須進行鍍覆等工序。這是因為，在本實施方式的導電性膜的製造方法中可通過調整銀鹽乳劑層的塗敷銀量、銀/粘合劑體積比來獲得期望的表面電阻。此外，可根據需要進行砑光處理等。
[顯影處理後的硬膜處理]
在對銀鹽乳劑層進行顯影處理之後，優選浸漬在硬膜劑中進行硬膜處理。作為硬膜劑例如可舉出戊二醛、己二醛、2,3-二羥基-1,4-二氧六環等二醛類以及硼酸等在日本特開平2-141279號公報中記載的硬膜劑。
對本實施方式的第1導電性膜16A可賦予反射防止層或硬膜層等功能層。
[砑光處理]
可對已完成顯影處理的金屬銀部實施砑光處理而進行平滑化。由此金屬銀部的導電性顯著增大。可利用砑光輥進行砑光處理。砑光輥由通常一對的輥構成。
作為在砑光處理中採用的輥可採用環氧樹脂、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺等的塑膠輥或金屬輥。尤其，當在雙面都具有乳劑層時，優選在金屬輥彼此之間進行處理。當在單面具有乳劑層時，從防止褶皺這一點出發，也可以設為金屬輥與塑膠輥的組合。 線壓力的上限值是1960N/cm(200kgf/cm，當換算為面壓時是699.4kgf/cm2)以上，進一步優選是2940N/cm(300kgf/cm，當換算為面壓時是935.8kgf/cm2)以上。線壓力的上限值是6880N/cm(700kgf/cm)以下。
以砑光輥為代表的平滑化處理的應用溫度優選是10℃(沒有調溫)~100℃，進一步優選的溫度根據金屬網格圖形或金屬佈線圖形的畫線密度、形狀或粘合劑類別而不同，但大致處於10℃(沒有調溫)~50℃的範圍內。
此外，本發明可與在下述表1以及表2中記載的公開公報以及國際公開小冊子的技術適當組合後進行使用。省略“日本特開”、“號公報”、“號小冊子”等的表述。
Figure TWI612450BD00001
Figure TWI612450BD00002
〔實施例1〕
以下，舉出本發明的實施例來進一步具體說明本發明。此外，只要不脫離本發明的主旨就能夠適當變更以下的實施例所示的材料、使用量、比例、處理內容、處理步驟等。因此，本發明的範圍不應該被以下所示的具體例限定地解釋。
關於實施例1~6、比較例1以及2，對導電性(表面電阻)以及觸摸位置的檢測誤差進行了確認。後述的表3示出實施例1~6、比較例1以及2的詳細內容和評價結果。
<實施例1~6、比較例1以及2>
(鹵化銀感光材料)
針對水介質中的Ag150g調製了包含明膠10.0g的、含有相當於球的平均直徑0.1μm的碘溴氯化銀粒子(I=0.2摩爾%、Br=40摩爾%)的乳劑。
另外，在該乳劑中為了使濃度成為10-7(摩爾/摩爾銀)而添加K3Rh2Br9(溴銠酸鉀)以及K2IrCl6(六氯銥(IV)酸鉀)，在溴化銀粒子中摻雜Rh離子和Ir離子。對該乳劑添加Na2PdCl4(四氯鈀酸鈉)，還採用氯化金酸和硫代硫酸鈉進行金硫黃增感，使該乳劑成為乳劑A。針對乳劑A減少K3Rh2Br9的量，調製使感光度提高至2倍的乳劑，成為乳劑B。
(感光層塗敷)
然後，與明膠硬膜劑一起塗敷到透明基體32(這裡是PET)的表面上，使銀的塗敷量成為10g/m2。此時，Ag/明膠體積比成為2/1。透明基體32的厚度成為100μm。進行多層塗敷，使乳劑B在下層成為5g/m2，使乳劑A在上層成為5g/m2，來獲得感光層的厚度是1.5μm的鹵化銀感光材料。
(曝光)
對已完成的鹵化銀感光材料進行曝光。關於第1導電性膜16A以第四圖所示的圖形，關於第2導電性膜16B以第五圖所示的圖形，對A4尺寸(210mm×297mm)的第1透明基體32A以及第2透明基體32B進行曝光。藉助於上述圖形的光掩模採用以高壓水銀燈為光源的平行光進行曝光。
(顯影處理)
．顯影液1L處方
對苯二酚 20g
亞硫酸鈉 50g
碳酸鉀 40g
乙二胺．四醋酸 2g
溴化鉀 3g
聚乙二醇2000 1g
氫氧化鉀 4g
pH 調整為10.3
．定影液1L處方
硫代硫酸氨液(75%) 300ml
亞硫酸氨．1水鹽 25g
1,3-丙二胺．四醋酸 8g
醋酸 5g
氨水(27%) 1g
pH 調整為6.2
對已完成曝光的感光材料採用上述顯影處理劑和富士膠片公司製造的自動顯影機FG-710PTS，在處理條件〔顯影：35℃ 30秒、定影：34℃ 23秒、清洗：流水(5L/分鐘)20秒〕下進行顯影處理來獲得第1導電性膜16A以及第2導電性膜16B。
(組裝)
層疊第1導電性膜16A以及第2導電性膜16B來製作層疊導電性膜18，採用該層疊導電性膜18來製作觸控面板10。
(實施例1)
在實施例1中，調整針對第1導電性膜16A以及第2導電性膜16B的曝光圖形、尤其第1電極圖形36A的作為寬度最窄的部分52a的圖形的寬度和第2電極圖形36B的作為寬度最窄的部分58a的圖形的寬度，使交叉部分62的面積成為1.6mm2。
(實施例2~6)
在實施例2~6中，除了使交叉部分62的面積分別成為2.0mm2、4.0mm2、8.0mm2、16.0mm2、18.0mm2以外，與實施例1同樣地進行製作。
(比較例1、2)
比較例1以及2除了使交叉部分62的面積分別成為1.0mm2、20.0mm2以外，與實施例1同樣地進行製作。
<評價>
(電極圖形間電阻)
如在第九圖中示意性示出的那樣，在電極圖形36的兩端設置測定用端子66，採用PICOTEST公司製作的數位萬用表(型號M3500A)，使探針接觸測定用端子66來測定電阻。關於實施例1~6、比較例1以及2，分別製作10個長度為270mm的電極圖形36，使其平均的電阻值成為電極圖形間電阻Rv。
並且，將電極圖形間電阻Rv的值是20k歐姆以上的設為“N”，將15k歐姆以上、且小於20k歐姆的設為“C”，將10k歐姆以上、且小於15k歐姆的設為“B”，將10k歐姆以下的設為“A”。
(檢測誤差)
一邊在觸控面板10的表面中的預先設定的1萬處的位置上順次使用探針機器人以直徑5mm的觸點進行接觸，一邊檢測出各 觸摸位置。然後，對1萬處的檢測結果和與該結果對應的設定值進行比較，從檢測位置與設定位置的差向量的絕對值少的一方開始數，將第9973個的值是2mm以上的情況設為“N”，將1.5mm以上、且小於2mm的情況設為“C”，將1.3mm以上、且小於1.5mm的情況設為“B”，將小於1.3mm的情況設為“A”。
(評價結果)
在下述表3中示出評價結果。
Figure TWI612450BD00003
由表3可知，優選交叉部分62的面積大於1.0mm2、且小於20.0mm2，進一步優選是2.0mm2以上、且16.0mm2以下。
此外，本發明的導電性膜不僅限於上述的實施方式，顯然只要不脫離本發明的主旨就可採用各種結構。
以上所舉者僅係本發明之部份實施例，並非用以限制本發明，致依本發明之創意精神及特徵，稍加變化修飾而成者，亦應包括在本專利範圍之內。
綜上所述，本發明實施例確能達到所預期之使用功效，又其所揭露之具體技術手段，不僅未曾見諸於同類產品中，亦未曾公開於申請前，誠已完全符合專利法之規定與要求，爰依法提出發明專利之申請，懇請惠予審查，並賜准專利，則實感德便。
38‧‧‧單元
36A‧‧‧第1電極圖形
36B‧‧‧第2電極圖形
52a、58a‧‧‧寬度最窄的部分
62‧‧‧交叉部分

Claims (12)

  1. 一種導電性膜，具有基體、2個以上的第1電極圖形和2個以上的第2電極圖形，所述第1電極圖形與所述第2電極圖形夾著所述基體而對置且交叉，該導電性膜的特徵在於：所述第1電極圖形以及所述第2電極圖形分別是通過組合由金屬細線形成的多個單元來構成的；所述第1電極圖形與所述第2電極圖形的交叉部分的面積大於1mm2、且小於20mm2。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電性膜，其中，所述交叉部分的面積是2mm2以上、且16mm2以下。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之導電性膜，其中，在從上面觀察時，包含於1個所述交叉部分且在所述第1電極圖形的延伸方向上排列的第2電極圖形的多個單元中的、位於一方端部的單元的末端與位於另一方端部的末端之間的距離是所述交叉部分的沿著所述第1電極圖形的第1寬度；在從上面觀察時，包含於1個所述交叉部分且在所述第2電極圖形的延伸方向上排列的第1電極圖形的多個單元中的、位於一方端部的單元的末端與位於另一方端部的單元的末端之間的距離是所述交叉部 分的沿著所述第2電極圖形的第2寬度；所述交叉部分的面積是所述第1寬度與所述第2寬度相乘而得的值。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之導電性膜，其中，在所述第1寬度內至少排列了4個單元，在所述第2寬度內至少排列了4個單元。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之導電性膜，其中，關於所述交叉部分，在從上面觀察時，所述第1電極圖形中的構成所述交叉部分的多個單元與所述第2電極圖形中的構成所述交叉部分的多個單元位置偏移。
  6. 如申請專利範圍第5項之導電性膜，其中，構成所述第1電極圖形的單元與構成所述第2電極圖形的單元的各個尺寸是相同的。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之導電性膜，其中，所述第1電極圖形的表面電阻和所述第2電極圖形的表面電阻是0.1歐姆/sq.以上、且300歐姆/sq.以下。
  8. 如申請專利範圍第7項之導電性膜，其中，關於所述第1電極圖形以及所述第2電極圖形中的至少表面電阻高的一方的電極圖形，在假想地連結金屬細線的端部的包絡線的形狀中含有彎曲狀。
  9. 如申請專利範圍第1或2項之導電性膜，其中，在從上面觀察時，在所述第1電極圖形中的所述交叉部分以外的部分與所述第2電極圖形中的所述交叉部分以外的部分之間至少具有單元的1個平均直徑的間隔。
  10. 如申請專利範圍第1或2項之導電性膜，其中，在從上面觀察時，在所述第1電極圖形中的所述交叉部分以外的部分與所述第2電極圖形中的所述交叉部分以外的部分之間具有200μm以上的間隔。
  11. 一種觸控面板，其具備如申請專利範圍第1或2項所述之導電性膜。
  12. 一種顯示裝置，其具備如申請專利範圍第11項所述的觸控面板。
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