KR20210157944A - 전자 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 표시층 및 전극 과 교차 전극을 포함하는 센서층을 포함할 수 있다. 상기 전극은 제1 방향을 따라 이격된 복수의 제1 부분들, 상기 복수의 제1 부분들 사이에 각각 배치된 복수의 제2 부분들을 포함하고, 상기 제2 부분은 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 패턴 부분 및 상기 제1 패턴 부분으로부터 상기 제2 방향을 따라 연장되는 복수의 제2 패턴 부분들을 포함하고, 상기 복수의 제1 부분들 각각에는 제1 개구가 정의되고, 상기 제1 패턴 부분에는 제2 개구가 정의되며, 상기 제1 개구의 크기는 상기 제2 개구의 크기보다 클 수 있다.

Description

전자 장치{ELECTRONIC DEVICE}
본 발명은 센싱 감도가 향상된 전자 장치에 관한 것이다.
전자 장치는 전자 장치의 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 외부 입력은 사용자의 입력일 수 있다. 사용자의 입력은 사용자 신체의 일부, 광, 열, 펜, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다. 전자 장치는 전자기 공명(electromagnetic resonance, EMR) 방식을 이용하여 펜의 좌표를 인식하거나, 능동 정전기(active electrostatic, AES) 방식을 이용하여 펜의 좌표를 인식할 수 있다.
본 발명은 센싱 감도가 향상된 전자 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 표시층 및 상기 표시층 위에 배치되고, 전극 및 상기 전극과 교차하는 교차 전극을 포함하는 센서층을 포함할 수 있다. 상기 전극은 제1 방향을 따라 이격된 복수의 제1 부분들, 상기 복수의 제1 부분들 사이에 각각 배치된 복수의 제2 부분들을 포함하고, 상기 교차 전극은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이격된 복수의 제1 교차 부분들, 상기 복수의 제1 교차 부분들 사이에 각각 배치된 복수의 제2 교차 부분들을 포함하며, 상기 복수의 제2 부분들 각각은 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 패턴 부분 및 상기 제2 방향을 따라 연장되는 복수의 제2 패턴 부분들을 포함하고, 상기 복수의 제1 부분들 각각에는 제1 개구가 정의되고, 상기 제1 패턴 부분에는 제2 개구가 정의되며, 상기 제1 개구의 크기는 상기 제2 개구의 크기보다 클 수 있다.
상기 복수의 제1 부분들, 상기 복수의 제2 부분들, 상기 복수의 제1 교차 부분들, 및 상기 복수의 제2 교차 부분들은 메쉬 구조를 가질 수 있다.
상기 복수의 제2 교차 부분들 각각은 상기 복수의 제1 교차 부분들 중 하나의 일측과 인접하고 상기 제2 방향을 따라 연장되는 복수의 제1 교차 패턴 부분들 및 상기 복수의 제1 교차 부분들 중 다른 하나의 타측과 인접하고 상기 제2 방향을 따라 연장되는 복수의 제2 교차 패턴 부분들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 제1 교차 패턴 부분들 및 상기 복수의 제2 패턴 부분들은 상기 제1 방향을 따라 교대로 배열되고, 상기 복수의 제2 교차 패턴 부분들 및 상기 복수의 제2 패턴 부분들은 상기 제1 방향을 따라 교대로 배열될 수 있다.
상기 교차 전극은 상기 복수의 제1 교차 부분들 및 상기 제2 교차 부분과 상이한 층에 배치되는 브릿지 패턴을 더 포함하고, 평면 상에서 보았을 때, 상기 브릿지 패턴은 상기 제1 패턴 부분과 중첩할 수 있다.
상기 복수의 제1 교차 패턴 부분들에는 복수의 제1 패턴 개구들이 각각 정의되고, 상기 복수의 제1 패턴 개구들 각각의 크기는 서로 상이할 수 있다.
상기 복수의 제1 교차 패턴 부분들 및 상기 제2 교차 패턴 부분들은 상기 제1 방향으로 연장되는 축을 기준으로 대칭된 형상을 가질 수 있다.
상기 복수의 제2 교차 부분들 각각은 상기 복수의 제2 패턴 부분들과 맞물리는 형상을 가질 수 있다.
상기 복수의 제2 패턴 부분들은 상기 제2 방향으로 연장되는 축을 기준으로 대칭된 형상을 가질 수 있다.
상기 복수의 제2 교차 부분들 각각은 상기 복수의 제2 패턴 부분들 중 하나를 사이에 두고 이격된 제1 교차 패턴 부분 및 제2 교차 패턴 부분을 포함하고, 상기 제1 교차 패턴 부분 및 상기 제2 교차 패턴 부분 각각의 형상은 서로 상이할 수 있다.
상기 표시층은 복수의 발광 영역들을 포함하고, 평면 상에서 보았을 때, 상기 제2 개구는 적어도 4개 이상의 복수의 발광 영역들과 중첩할 수 있다.
평면 상에서 보았을 때, 상기 복수의 제2 교차 부분들은 상기 제2 개구와 비중첩할 수 있다.
상기 복수의 제2 교차 부분들 각각에는 제3 개구가 정의되고, 평면 상에서 보았을 때, 상기 복수의 제2 부분들은 상기 제3 개구와 비중첩할 수 있다.
상기 복수의 제2 패턴 부분들 각각은 상기 제1 패턴 부분으로부터 상기 제2 방향으로 돌출될 수 있다.
상기 전극은 상기 제1 부분들 각각으로부터 분기되는 복수의 가지 부분들을 더 포함하고, 상기 복수의 가지 부분들은 상기 복수의 제2 부분들을 사이에 두고 각각 이격될 수 있다.
상기 전극은 상기 복수의 제1 부분들을 사이에 두고 상기 복수의 제2 부분들과 각각 이격된 복수의 제3 부분들을 더 포함하고, 상기 복수의 제3 부분들 각각의 폭은 상기 복수의 가지 부분들 각각의 폭과 동일할 수 있다.
상기 전극은 상기 복수의 제1 부분들을 사이에 두고 상기 복수의 제2 부분들과 각각 이격된 복수의 제3 부분들을 더 포함하고, 상기 복수의 제3 부분들 각각의 폭은 상기 복수의 제1 부분들 각각의 폭보다 작을 수 있다.
상기 교차 전극은 상기 제1 교차 부분 각각으로부터 분기되는 복수의 제1 교차 가지 부분들, 상기 복수의 제2 교차 부분들 사이에 배치된 복수의 제2 교차 가지 부분들, 및 상기 복수의 제2 교차 가지 부분들 사이에 배치된 복수의 제3 교차 가지 부분들을 더 포함할 수 있다.
상기 복수의 제3 교차 가지 부분들은 상기 복수의 가지 부분들과 인접할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치는 표시층 및 상기 표시층 위에 배치되고, 전극 및 상기 전극과 교차하는 교차 전극을 포함하는 센서층을 포함할 수 있다. 상기 센서층에는 상기 전극 및 상기 교차 전극이 절연 교차하는 제1 영역, 상기 제1 영역과 제1 방향으로 인접한 제2 영역, 상기 제1 영역과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 인접한 제3 영역이 정의되고, 상기 제1 영역에 배치된 상기 전극의 제1 부분에는 제1 개구가 정의되고, 상기 제2 영역에 배치된 상기 전극의 제2 부분에는 상기 제1 개구보다 큰 크기의 제2 개구가 정의될 수 있다.
상기 제1 영역에 배치된 상기 교차 전극의 제3 부분에는 제3 개구가 정의되고, 상기 제3 영역에 배치된 상기 교차 전극의 제4 부분에는 상기 제3 개구보다 큰 크기의 제4 개구가 정의될 수 있다.
상기 제1 영역에 배치된 상기 전극의 상기 제1 부분은 상기 제1 방향으로 연장되는 제1 패턴 부분 및 상기 제1 패턴 부분으로부터 상기 제2 방향을 따라 연장되는 복수의 제2 패턴 부분들을 포함할 수 있다.
상기 제1 영역에 배치된 상기 교차 전극의 상기 제3 부분은 상기 제3 영역에 배치된 상기 교차 전극과 인접하고, 상기 제2 방향을 따라 연장되는 복수의 제1 교차 패턴 부분들 및 상기 복수의 제1 교차 패턴 부분들과 상기 제1 패턴 부분을 사이에 두고 제2 방향으로 이격된 복수의 제2 교차 패턴 부분들을 포함할 수 있다.
상기 복수의 제1 교차 패턴 부분들은 상기 복수의 제2 패턴 부분들을 사이에 두고 상기 제1 방향으로 각각 이격되고, 상기 복수의 제2 교차 패턴 부분들은 상기 복수의 제2 패턴 부분들을 사이에 두고 상기 제1 방향으로 각각 이격될 수 있다.
상기 제1 영역에 배치된 상기 교차 전극의 상기 제3 부분은 상기 복수의 제1 교차 부분들 및 상기 복수의 제2 교차 부분들과 상이한 층에 배치되는 브릿지 패턴을 더 포함하고, 평면 상에서 보았을 때, 상기 브릿지 패턴은 상기 제1 패턴 부분과 중첩할 수 있다.
평면 상에서 보았을 때, 상기 제1 영역에 배치되는 교차 전극의 상기 제3 부분은 상기 제1 개구와 비중첩할 수 있다.
본 발명에 따르면, 전극과 교차 전극이 절연 교차하는 영역과 인접한 영역에서 전극 및 교차 전극 각각에 정의된 개구의 크기는 전극과 교차 전극이 절연 교차하는 영역에서 전극 및 교차 전극 각각에 정의된 개구의 크기보다 클 수 있다. 전극과 교차 전극이 절연 교차하는 영역과 인접한 영역에서 개구의 크기를 증가시킴에 따라 전극 및 교차 전극 각각에 형성되는 기생 정전 용량 값이 감소될 수 있다. 따라서, 기준 값 대비 정전 용량의 변화량의 비율이 커질 수 있고, 정전 용량의 변화량에 대한 센서층의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
본 발명에 따르면, 전극과 교차 전극이 절연 교차하는 영역에서 전극 및 교차 전극은 서로 인접하게 배치될 수 있다. 전극 및 교차 전극 사이의 상호 정전 용량이 증가될 수 있다. 상호 정전 용량이 증가됨에 따라 상호 정전 용량의 변화량이 증가될 수 있다. 따라서, 센서층의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층을 도시한 평면도이다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5a의 I-I'를 따라 절단한 단면도이다.
도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5a의 AA' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다.
도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 7a의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U1 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다.
도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U1 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다.
도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 8a의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다.
도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 9a의 DD' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 10 내지 도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도들이다.
본 명세서에서, 어떤 구성요소(또는 영역, 층, 부분 등)가 다른 구성요소 "상에 있다", "연결 된다", 또는 "결합된다"고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 배치/연결/결합될 수 있거나 또는 그들 사이에 제3의 구성요소가 배치될 수도 있다는 것을 의미한다.
동일한 도면부호는 동일한 구성요소를 지칭한다. 또한, 도면들에 있어서, 구성요소들의 두께, 비율, 및 치수는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다.
"및/또는"은 연관된 구성들이 정의할 수 있는 하나 이상의 조합을 모두 포함한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
또한, "아래에", "하측에", "위에", "상측에" 등의 용어는 도면에 도시된 구성들의 연관관계를 설명하기 위해 사용된다. 상기 용어들은 상대적인 개념으로, 도면에 표시된 방향을 기준으로 설명된다.
다르게 정의되지 않는 한, 본 명세서에서 사용된 모든 용어 (기술 용어 및 과학 용어 포함)는 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 갖는다. 또한, 일반적으로 사용되는 사전에서 정의된 용어와 같은 용어는 관련 기술의 맥락에서 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하고, 이상적인 또는 지나치게 형식적인 의미로 해석되지 않는 한, 명시적으로 여기에서 정의될 수 있다.
"포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 사시도이다.
도 1을 참조하면, 전자 장치(1000)는 전기적 신호에 따라 활성화되는 장치일 수 있다. 예를 들어, 전자 장치(1000)는 휴대폰, 태블릿, 자동차 내비게이션, 게임기, 또는 웨어러블 장치일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 도 1에서는 전자 장치(1000)가 휴대폰인 것을 예시적으로 도시하였다.
전자 장치(1000)는 액티브 영역(1000A)을 통해 영상을 표시할 수 있다. 액티브 영역(1000A)은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)에 의해 정의된 면을 포함할 수 있다. 전자 장치(1000)의 두께 방향은 제1 방향(DR1) 및 제2 방향(DR2)과 교차하는 제3 방향(DR3)과 나란할 수 있다. 따라서, 전자 장치(1000)를 구성하는 부재들의 전면(또는 상면)과 배면(또는 하면)은 제3 방향(DR3)을 기준으로 정의될 수 있다.
전자 장치(1000)는 전자 장치(1000)의 외부에서 인가되는 입력들을 감지할 수 있다. 상기 외부 입력들은 사용자의 입력일 수 있다. 상기 사용자의 입력은 사용자의 신체의 일부, 액티브 펜(2000), 광, 열, 또는 압력 등 다양한 형태의 외부 입력들을 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 전자 장치(1000)는 사용자의 터치에 의한 입력 및 액티브 펜(2000)에 의한 입력을 감지할 수 있다. 전자 장치(1000) 및 액티브 펜(2000)은 양방향 통신이 가능할 수 있다. 전자 장치(1000)는 액티브 펜(2000)으로 업 링크 신호를 제공할 수 있다. 예를 들어, 상기 업 링크 신호는 동기화 신호 또는 전자 장치(1000)의 정보를 포함할 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다. 액티브 펜(2000)은 전자 장치(1000)로 다운 링크 신호를 제공할 수 있다. 상기 다운 링크 신호는 동기화 신호 또는 액티브 펜(2000)의 상태 정보를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 다운 링크 신호는 액티브 펜(2000)의 좌표 정보, 액티브 펜(2000)의 배터리 정보, 액티브 펜(2000)의 기울기 정보, 및/또는 액티브 펜(2000)에 저장된 다양한 정보 등을 포함할 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치 및 액티브 펜을 개략적으로 도시한 블록도이다.
도 2를 참조하면, 전자 장치(1000)는 표시층(100) 및 센서층(200)을 포함할 수 있다.
표시층(100)은 영상을 실질적으로 생성하는 구성일 수 있다. 표시층(100)은 발광형 표시층일 수 있으며, 예를 들어, 표시층(100)은 유기 발광 표시층, 퀀텀닷 표시층, 마이크로 엘이디 표시층, 또는 나노 엘이디 표시층일 수 있다.
센서층(200)은 표시층(100) 위에 배치될 수 있다. 센서층(200)은 외부에서 인가되는 외부 입력을 감지할 수 있다. 센서층(200)은 사용자의 신체(3000)에 의한 입력 및 액티브 펜(2000)에 의한 입력을 모두 센싱할 수 있다.
센서층(200)은 시분할 구동되어 동작할 수 있다. 예를 들어, 센서층(200)은 제1 모드 및 제2 모드로 교대로 반복되어 구동될 수 있다. 상기 제1 모드는 사용자의 신체(3000)에 의한 입력을 감지하는 모드일 수 있고, 상기 제2 모드는 액티브 펜(2000)에 의한 입력을 감지하는 모드일 수 있다.
상기 제2 모드가 시작될 때, 센서층(200)은 액티브 펜(2000)으로 업 링크 신호(ULS)를 제공할 수 있다. 액티브 펜(2000)이 업 링크 신호(ULS)를 수신하여 전자 장치(1000)와 동기화되는 경우, 액티브 펜(2000)은 센서층(200)을 향해 다운 링크 신호(DLS)를 제공할 수 있다.
액티브 펜(2000)은 전원(2100), 메모리(2200), 제어부(2300), 송신부(2400), 수신부(2500), 및 전극(2600)을 포함할 수 있다. 다만 액티브 펜(2000)을 구성하는 구성 요소들이 상기 나열된 구성 요소들에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 액티브 펜(2000)은 전극(2600)을 신호 송신 모드 또는 신호 수신 모드로 전환하는 전극 스위치, 압력을 감지하는 압력 센서, 또는 회전을 감지하는 회전 센서 등을 더 포함할 수 있다.
전원(2100)은 액티브 펜(2000)에 전원을 공급하는 배터리 또는 고용량 커패시터를 포함할 수 있다. 메모리(2200)는 액티브 펜(2000)의 기능 정보를 저장할 수 있다. 제어부(2300)는 액티브 펜(2000)의 동작을 제어할 수 있다. 송신부(2400) 및 수신부(2500) 각각은 전극(2600)을 통해 전자 장치(1000)와 통신할 수 있다. 송신부(2400)는 신호 발생기 또는 송신 회로로 지칭될 수 있고, 수신부(2500)는 신호 수신기 또는 수신 회로로 지칭될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 전자 장치의 단면도이다.
도 3을 참조하면, 표시층(100)은 베이스층(110), 회로층(120), 발광 소자층(130), 및 봉지층(140)을 포함할 수 있다.
베이스층(110)은 회로층(120)이 배치되는 베이스 면을 제공하는 부재일 수 있다. 베이스층(110)은 유리 기판, 금속 기판, 또는 고분자 기판 등일 수 있다. 하지만, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니며, 베이스층(110)은 무기층, 유기층, 또는 복합 재료층일 수 있다.
베이스층(110)은 다층 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)은 제1 합성 수지층, 상기 제1 합성 수지층 위에 배치된 실리콘 옥사이드(SiOx)층, 상기 실리콘 옥사이드층 위에 배치된 아몰퍼스 실리콘(a-Si)층, 및 상기 아몰퍼스 실리콘층 위에 배치된 제2 합성 수지층을 포함할 수 있다. 상기 실리콘 옥사이드층 및 상기 아몰퍼스 실리콘층은 베이스 배리어층이라 지칭될 수 있다. 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 폴리이미드(polyimide)계 수지를 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 제1 및 제2 합성 수지층들 각각은 아크릴(acrylate)계 수지, 메타크릴(methacrylate)계 수지, 폴리아이소프렌(polyisoprene)계 수지, 비닐(vinyl)계 수지, 에폭시(epoxy)계 수지, 우레탄(urethane)계 수지, 셀룰로오스(cellulose)계 수지, 실록산(siloxane)계 수지, 폴리아미드(polyamide)계 수지 및 페릴렌(perylene)계 수지 중 적어도 하나를 포함하는 것일 수 있다. 한편, 본 명세서에서 "~~" 계 수지는 "~~" 의 작용기를 포함하는 것을 의미한다.
회로층(120)은 베이스층(110) 위에 배치될 수 있다. 회로층(120)은 절연층, 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인 등을 포함할 수 있다. 코팅, 증착 등의 방식으로 절연층, 반도체층, 및 도전층이 베이스층(110) 위에 형성되고, 이후, 복수 회의 포토리소그래피 공정을 통해 절연층, 반도체층, 및 도전층이 선택적으로 패터닝될 수 있다. 이 후, 회로층(120)에 포함된 반도체 패턴, 도전 패턴, 및 신호 라인이 형성될 수 있다.
베이스층(110)의 상면에 적어도 하나의 무기층이 형성될 수 있다. 무기층은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 무기층은 다층으로 형성될 수 있다. 다층의 무기층들은 배리어층 및/또는 버퍼층을 구성할 수 있다. 본 실시예에서 표시층(100)은 버퍼층(BFL)을 포함하는 것으로 도시되었다.
버퍼층(BFL)은 베이스층(110)과 반도체 패턴 사이의 결합력을 향상시킬 수 있다. 버퍼층(BFL)은 실리콘옥사이드층 및 실리콘나이트라이드층을 포함할 수 있으며, 실리콘옥사이드층과 실리콘나이트라이드층은 교대로 적층될 수 있다.
반도체 패턴은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 폴리실리콘을 포함할 수 있다. 그러나 이에 제한되지 않고, 반도체 패턴은 비정질실리콘 또는 금속 산화물을 포함할 수도 있다.
도 3은 일부의 반도체 패턴을 도시한 것일 뿐이고, 다른 영역에 반도체 패턴이 더 배치될 수 있다. 반도체 패턴은 화소들에 걸쳐 특정한 규칙으로 배열될 수 있다. 반도체 패턴은 도핑 여부에 따라 전기적 성질이 다를 수 있다. 반도체 패턴은 전도율이 높은 제1 영역과 전도율이 낮은 제2 영역을 포함할 수 있다. 제1 영역은 N형 도판트 또는 P형 도판트로 도핑될 수 있다. P타입의 트랜지스터는 P형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함하고, N타입의 트랜지스터는 N형 도판트로 도핑된 도핑영역을 포함할 수 있다. 제2 영역은 비도핑영역이거나, 제1 영역 대비 낮은 농도로 도핑될 수 있다.
제1 영역의 전도성은 제2 영역보다 크고, 실질적으로 전극 또는 신호 라인의 역할을 할 수 있다. 제2 영역은 실질적으로 트랜지스터의 액티브(또는 채널)에 해당할 수 있다. 다시 말해, 반도체 패턴의 일부분은 트랜지스터의 액티브일수 있고, 다른 일부분은 트랜지스터의 소스 또는 드레인일 수 있고, 또 다른 일부분은 연결 전극 또는 연결 신호라인일 수 있다.
화소들 각각은 7개의 트랜지스터들, 하나의 커패시터, 및 발광 소자를 포함하는 등가회로를 가질 수 있으며, 화소의 등가회로도는 다양한 형태로 변형될 수 있다. 도 3에서는 화소에 포함되는 하나의 트랜지스터(100PC) 및 발광 소자(100PE)를 예시적으로 도시하였다.
트랜지스터(100PC)의 소스(SC1), 액티브(A1), 및 드레인(D1)이 반도체 패턴으로부터 형성될 수 있다. 소스(SC1) 및 드레인(D1)은 단면 상에서 액티브(A1)로부터 서로 반대 방향으로 연장될 수 있다. 도 3에는 반도체 패턴으로부터 형성된 연결 신호 라인(SCL)의 일부분을 도시하였다. 별도로 도시하지 않았으나, 연결 신호 라인(SCL)은 평면 상에서 트랜지스터(100PC)의 드레인(D1)에 전기적으로 연결될 수 있다.
제1 절연층(10)은 버퍼층(BFL) 위에 배치될 수 있다. 제1 절연층(10)은 복수 개의 화소들에 공통으로 중첩하며, 반도체 패턴을 커버할 수 있다. 제1 절연층(10)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 제1 절연층(10)은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 실시예에서 제1 절연층(10)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다. 제1 절연층(10)뿐만 아니라 후술하는 회로층(120)의 절연층은 무기층 및/또는 유기층일 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 무기층은 상술한 물질 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
트랜지스터(100PC)의 게이트(G1)는 제1 절연층(10) 위에 배치된다. 게이트(G1)는 금속 패턴의 일부분일 수 있다. 게이트(G1)는 액티브(A1)에 중첩한다. 반도체 패턴을 도핑하는 공정에서 게이트(G1)는 마스크로 기능할 수 있다.
제2 절연층(20)은 제1 절연층(10) 위에 배치되며, 게이트(G1)를 커버할 수 있다. 제2 절연층(20)은 화소들에 공통으로 중첩할 수 있다. 제2 절연층(20)은 무기층 및/또는 유기층일 수 있으며, 단층 또는 다층 구조를 가질 수 있다. 본 실시예에서 제2 절연층(20)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다.
제3 절연층(30)은 제2 절연층(20) 위에 배치될 수 있으며, 본 실시예에서 제3 절연층(30)은 단층의 실리콘옥사이드층일 수 있다.
제1 연결 전극(CNE1)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제1 연결 전극(CNE1)은 제1, 제2, 및 제3 절연층(10, 20, 30)을 관통하는 컨택홀(CNT-1)을 통해 연결 신호 라인(SCL)에 접속될 수 있다.
제4 절연층(40)은 제3 절연층(30) 위에 배치될 수 있다. 제4 절연층(40)은 단층의 실리콘 옥사이드층일 수 있다. 제5 절연층(50)은 제4 절연층(40) 위에 배치될 수 있다. 제5 절연층(50)은 유기층일 수 있다.
제2 연결 전극(CNE2)은 제5 절연층(50) 위에 배치될 수 있다. 제2 연결 전극(CNE2)은 제4 절연층(40) 및 제5 절연층(50)을 관통하는 컨택홀(CNT-2)을 통해 제1 연결 전극(CNE1)에 접속될 수 있다.
제6 절연층(60)은 제5 절연층(50) 위에 배치되며, 제2 연결 전극(CNE2)을 커버할 수 있다. 제6 절연층(60)은 유기층일 수 있다. 발광 소자층(130)은 회로층(120) 위에 배치될 수 있다. 발광 소자층(130)은 발광 소자를 포함할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자층(130)은 유기 발광 물질, 퀀텀닷, 퀀텀 로드, 마이크로 엘이디, 또는 나노 엘이디를 포함할 수 있다. 발광 소자(100PE)는 제1 전극(AE), 발광층(EL), 및 제2 전극(CE)을 포함할 수 있다.
제1 전극(AE)은 제6 절연층(60) 위에 배치될 수 있다. 제1 전극(AE)은 제6 절연층(60)이 관통하는 컨택홀(CNT-3)을 통해 제2 연결 전극(CNE2)에 연결될 수 있다.
화소 정의막(70)은 제6 절연층(60) 위에 배치되며, 제1 전극(AE)의 일부분을 커버할 수 있다. 화소 정의막(70)에는 개구부(70-OP)가 정의될 수 있다. 화소 정의막(70)의 개구부(70-OP)는 제1 전극(AE)의 적어도 일부분을 노출시킬 수 있다. 본 실시예에서 발광 영역(PXA)은 개구부(70-OP)에 의해 노출된 제1 전극(AE)의 일부 영역에 대응하게 정의되었다. 비발광 영역(NPXA)은 발광 영역(PXA)을 에워쌀 수 있다.
발광층(EL)은 제1 전극(AE) 위에 배치될 수 있다. 발광층(EL)은 개구부(70-OP)에 배치될 수 있다. 즉, 발광층(EL)은 화소들 각각에 분리되어 형성될 수 있다. 발광층(EL)이 화소들 각각에 분리되어 형성된 경우, 발광층들(EL) 각각은 청색, 적색, 및 녹색 중 적어도 하나의 색의 광을 발광할 수 있다. 다만, 이에 제한되는 것은 아니며, 발광층(EL)은 화소들에 연결되어 공통으로 제공될 수도 있다. 이 경우, 발광층(EL)은 청색 광을 제공하거나, 백색 광을 제공할 수도 있다.
제2 전극(CE)은 발광층(EL) 위에 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)은 일체의 형상을 갖고, 복수 개의 화소들에 공통적으로 배치될 수 있다. 제2 전극(CE)에는 공통 전압이 제공될 수 있으며, 제2 전극(CE)은 공통 전극으로 지칭될 수 있다.
도시되지 않았으나, 제1 전극(AE)과 발광층(EL) 사이에는 정공 제어층이 배치될 수 있다. 정공 제어층은 발광 영역(PXA)과 비발광 영역(NPXA)에 공통으로 배치될 수 있다. 정공 제어층은 정공 수송층을 포함하고, 정공 주입층을 더 포함할 수 있다. 발광층(EL)과 제2 전극(CE) 사이에는 전자 제어층이 배치될 수 있다. 전자 제어층은 전자 수송층을 포함하고, 전자 주입층을 더 포함할 수 있다. 정공 제어층과 전자 제어층은 오픈 마스크를 이용하여 복수 개의 화소들에 공통으로 형성될 수 있다.
봉지층(140)은 발광 소자층(130) 위에 배치될 수 있다. 봉지층(140)은 순차적으로 적층된 무기층, 유기층, 및 무기층을 포함할 수 있으나, 봉지층(140)을 구성하는 층들이 이에 제한되는 것은 아니다.
무기층들은 수분 및 산소로부터 발광 소자층(130)을 보호하고, 유기층은 먼지 입자와 같은 이물질로부터 발광 소자층(130)을 보호할 수 있다. 무기층들은 실리콘나이트라이드층, 실리콘옥시나이트라이드층, 실리콘옥사이드층, 티타늄옥사이드층, 또는 알루미늄옥사이드층 등을 포함할 수 있다. 유기층은 아크릴 계열 유기층을 포함할 수 있고, 이에 제한되지 않는다.
센서층(200)은 연속된 공정을 통해 표시층(100) 위에 형성될 수 있다. 이 경우, 센서층(200)은 표시층(100) 위에 직접 배치된다고 표현될 수 있다. 직접 배치된다는 것은 센서층(200)과 표시층(100) 사이에 제3 의 구성 요소가 배치되지 않는 것을 의미할 수 있다. 즉, 센서층(200)과 표시층(100) 사이에는 별도의 접착 부재가 배치되지 않을 수 있다. 이 경우, 전자 장치(1000)의 두께는 더 얇아질 수 있다.
센서층(200)은 베이스 절연층(201), 제1 도전층(202), 감지 절연층(203), 제2 도전층(204), 및 커버 절연층(205)을 포함할 수 있다.
베이스 절연층(201)은 실리콘나이트라이드, 실리콘옥시나이트라이드, 및 실리콘옥사이드 중 어느 하나를 포함하는 무기층일 수 있다. 또는 베이스 절연층(201)은 에폭시 수지, 아크릴 수지, 또는 이미드 계열 수지를 포함하는 유기층일 수도 있다. 베이스 절연층(201)은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
제1 도전층(202) 및 제2 도전층(204) 각각은 단층 구조를 갖거나, 제3 방향(DR3)을 따라 적층된 다층 구조를 가질 수 있다.
단층 구조의 도전층은 금속층 또는 투명 도전층을 포함할 수 있다. 금속층은 몰리브덴, 은, 티타늄, 구리, 알루미늄, 또는 이들의 합금을 포함할 수 있다. 투명 도전층은 인듐주석산화물(indium tin oxide, ITO), 인듐아연산화물(indium zinc oxide, IZO), 산화아연(zinc oxide, ZnO), 인듐아연주석산화물(indium zinc tin oxide, IZTO) 등과 같은 투명한 전도성산화물을 포함할 수 있다. 그밖에 투명 도전층은 PEDOT과 같은 전도성 고분자, 금속 나노 와이어, 그라핀 등을 포함할 수 있다.
다층 구조의 도전층은 금속층들을 포함할 수 있다. 금속층들은 예컨대 티타늄/알루미늄/티타늄의 3층 구조를 가질 수 있다. 다층 구조의 도전층은 적어도 하나의 금속층 및 적어도 하나의 투명 도전층을 포함할 수 있다.
감지 절연층(203) 및 커버 절연층(205) 중 적어도 어느 하나는 무기막을 포함할 수 있다. 무기막은 알루미늄옥사이드, 티타늄옥사이드, 실리콘옥사이드, 실리콘옥시나이트라이드, 지르코늄옥사이드, 및 하프늄옥사이드 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
센서층(200)과 제2 전극(CE) 사이에는 기생 정전 용량(Cb)이 발생될 수 있다. 센서층(200)과 제2 전극(CE)의 거리가 가까워짐에 따라 기생 정전 용량(Cb) 값은 증가될 수 있다. 기생 정전 용량(Cb)이 커지면 커질수록 기준 값 대비 정전 용량의 변화량의 비율이 작아질 수 있다. 정전 용량의 변화량은 입력 수단, 예를 들어, 액티브 펜(2000, 도 2 참조) 또는 사용자의 신체(3000, 도 3 참조)에 의한 입력 전과 입력 후 사이에 발생하는 정전 용량의 변화를 의미할 수 있다.
센서층(200)으로부터 감지된 신호를 처리하는 구동칩은 감지된 신호에서 기생 정전 용량(Cb)에 대응하는 값을 제거하는 레벨링 동작을 수행할 수 있다. 상기 레벨링 동작에 의해 기준 값 대비 정전 용량의 변화량의 비율은 증가되어 센싱 감도가 향상될 수 있다.
하지만, 구동칩의 스펙에 따라 기생 정전 용량(Cb)에 대응하는 값을 제거하는 능력에 차이가 있을 수 있다. 예를 들어, 최대 기생 정전 용량(Cb)이 500피코페럿이고, 상기 구동칩이 센서층(200)으로부터 감지된 신호로부터 제거할 수 있는 정전 용량 값이 200피코페럿이라면, 상기 구동칩에 의해 기준 값은 충분히 낮아지지 않을 수 있다. 이 경우, 기준 값에 비해 정전 용량의 변화량의 비율은 미미하여, 상기 구동칩이 정전 용량의 변화량을 노이즈로 인식하거나, 인식하지 못하여 터치 좌표를 감지하지 못하는 오동작이 발생될 수 있다. 본 발명에 따르면, 센서층(200)의 전극 구조를 변형하여, 기생 정전 용량(Cb)의 최대 값을 소정 값 이하로 제공할 수 있다. 이 경우, 상기 구동칩의 성능이 비교적 낮은 경우에도 좌표 인식 정확도가 향상될 수 있다. 상기 소정 값은 200피코페럿일 수 있으나, 특별히 이에 제한되는 것은 아니다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 센서층을 도시한 평면도이다.
도 4를 참조하면, 센서층(200)은 감지 영역(200A) 및 주변 영역(200N)을 포함할 수 있다. 감지 영역(200A)은 전기적 신호에 따라 활성화되는 영역일 수 있다. 예를 들어, 감지 영역(200A)은 입력을 감지하는 영역일 수 있다. 주변 영역(200N)은 감지 영역(200A)을 에워쌀 수 있다.
센서층(200)은 베이스 절연층(201), 복수의 전극들(210), 복수의 교차 전극들(220), 및 복수의 감지 배선들(230)을 포함할 수 있다. 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)은 감지 영역(200A)에 배치될 수 있다. 복수의 감지 배선들(230)은 주변 영역(200N)에 배치될 수 있다.
센서층(200)은 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 사이의 상호 정전 용량의 변화를 통해 외부 입력에 대한 정보를 획득하는 제1 모드, 또는 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 각각의 정전 용량의 변화를 통해 액티브 펜(2000, 도 2 참조)에 의한 입력을 감지하는 제2 모드로 동작할 수 있다.
센서층(200)으로부터 감지된 신호를 처리하는 구동칩은 상기 제1 모드에서 터치가 인가되었을 때, 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 사이의 상호 정전 용량의 변화를 감지할 수 있다.
복수의 전극들(210) 각각은 제1 방향(DR1)으로 연장될 수 있다. 복수의 전극들(210)은 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배열될 수 있다. 복수의 교차 전극들(220) 각각은 제2 방향(DR2)으로 연장될 수 있다. 복수의 교차 전극들(220)은 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배열될 수 있다. 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)은 서로 교차할 수 있다.
센서층(200)에는 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)이 각각 절연 교차하는 제1 영역(AR1), 제1 영역(AR1)과 제1 방향(DR1)으로 인접한 제2 영역(AR2), 및 제1 영역(AR1)과 제2 방향(DR2)으로 인접한 제3 영역(AR3)이 정의될 수 있다. 제2 영역(AR2)에는 복수의 전극들(210)이 중첩하고, 복수의 교차 전극들(220)이 비중첩할 수 있다. 제3 영역(AR3)에는 복수의 교차 전극들(220)이 중첩하고, 복수의 전극들(210)이 비중첩할 수 있다.
도 5a는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역을 확대하여 도시한 평면도이고, 도 5b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5a의 I-I'를 따라 절단한 단면도이며, 도 5c는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 5a의 AA' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 복수의 전극들(210) 각각은 복수의 제1 부분들(210P1) 및 제2 부분(210P2)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 부분들(210P1)은 제1 방향(DR1)을 따라 이격될 수 있다. 복수의 제1 부분들(210P1)은 제2 영역(AR2, 도 4 참조)에 배치될 수 있다.
제2 부분(210P2)은 복수의 제1 부분들(210P1) 사이에 배치될 수 있다. 제2 부분(210P2)은 제1 영역(AR1, 도 4 참조)에 배치될 수 있다.
복수의 제1 부분들(210P1) 및 제2 부분(210P2)은 메쉬 구조를 가질 수 있다. 복수의 제1 부분들(210P1) 및 제2 부분(210P2)은 일체로 제공될 수 있다.
제2 부분(210P2)은 제1 패턴 부분(210PP1) 및 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2)을 포함할 수 있다. 제1 패턴 부분(210PP1)은 제1 방향(DR1)을 따라 연장될 수 있다. 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2)은 제1 패턴 부분(210PP1)으로부터 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다.
복수의 제1 부분들(210P1) 각각에는 제1 개구(HA1)가 정의될 수 있다. 제1 패턴 부분(210PP1)에는 제2 개구(HA2)가 정의될 수 있다. 제1 개구(HA1)의 크기는 제2 개구(HA2)의 크기보다 클 수 있다.
복수의 교차 전극들(220) 각각은 복수의 제1 교차 부분들(220P1), 제2 교차 부분(220P2), 및 브릿지 패턴(220B)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 교차 부분들(220P1)은 제2 방향(DR2)을 따라 이격될 수 있다. 복수의 제1 교차 부분들(220P1)은 제3 영역(AR3, 도 4 참조)에 배치될 수 있다. 복수의 제1 교차 부분들(220P1)은 복수의 교차 전극들(220) 각각의 제3 부분(220P1)으로 지칭될 수도 있다.
제2 교차 부분(220P2)은 복수의 제1 교차 부분들(220P1) 사이에 배치될 수 있다. 평면 상에서 보았을 때, 제2 교차 부분(220P2)은 제2 개구(HA2)와 비중첩할 수 있다.
복수의 제1 교차 부분들(220P1) 및 제2 교차 부분(220P2)은 메쉬 구조를 가질 수 있다.
제2 교차 부분(220P2)은 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1)은 복수의 제1 교차 부분들(220P1) 중 하나의 일측과 인접하고, 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다. 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 복수의 제1 교차 부분들(220P1) 중 다른 하나의 타측과 인접하고, 제2 방향(DR2)을 따라 연장될 수 있다.
복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1) 및 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2)은 제1 방향(DR1)을 따라 교대로 배열될 수 있다. 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1)은 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)을 사이에 두고 제1 방향(DR1)으로 각각 이격될 수 있다.
복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2) 및 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2)은 제1 방향(DR1)을 따라 교대로 배열될 수 있다. 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2)을 사이에 두고 제1 방향(DR1)으로 각각 이격될 수 있다.
제1 영역(AR1, 도 4 참조)에서 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)은 서로 인접하게 배치될 수 있다. 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)이 서로 마주하는 경계의 길이가 증가할 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 사이의 상호 정전 용량이 증가할 수 있다. 상호 정전 용량이 증가됨에 따라 상호 정전 용량의 변화량이 증가될 수 있다. 따라서, 센서층(200, 도 4 참조)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
제2 교차 부분(220P2)에는 제3 개구(HA3)가 정의될 수 있다. 평면 상에서 보았을 때, 제2 부분(210P2)은 제3 개구(HA3)와 비중첩할 수 있다. 복수의 제1 교차 부분들(220P1) 각각에는 제4 개구(HA4)가 정의될 수 있다. 제4 개구(HA4)의 크기는 제3 개구(HA3)보다 클 수 있다.
센서층(200, 도 4 참조)의 제2 영역(AR2, 도 4 참조)에 정의된 제1 개구(HA1) 및 제3 영역(AR3, 도 4 참조)에 정의된 제4 개구(HA4) 각각의 크기는 제2 개구(HA2) 및 제3 개구(HA3) 각각의 크기보다 클 수 있다. 평면 상에서 보았을 때, 복수의 제1 부분들(210P1) 및 복수의 제1 교차 부분들(220P1)이 제2 전극(CE, 도 3 참조)과 중첩하는 면적이 감소될 수 있다. 따라서, 기생 정전 용량(Cb, 도 3 참조) 값이 감소될 수 있다. 본 발명에 따르면, 센서층(200, 도 4 참조)은 기생 정전 용량(Cb, 도 3 참조)의 최대 값을 소정 값 이하로 제공할 수 있다. 기준 값 대비 정전 용량의 변화량의 비율이 커질 수 있다. 따라서, 정전 용량의 변화량에 대한 센서층(200, 도 4 참조)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
브릿지 패턴(220B)은 복수의 제1 부분들(210P1), 제2 부분(210P2), 복수의 제1 교차 부분들(220P1), 및 제2 교차 부분(220P2)과 상이한 층에 배치될 수 있다. 브릿지 패턴(220B)은 복수의 제1 부분들(210P1), 제2 부분(210P2), 복수의 제1 교차 부분들(220P1), 및 제2 교차 부분(220P2)과 절연 교차될 수 있다.
베이스 절연층(201) 위에 브릿지 패턴(220B)이 배치될 수 있다. 감지 절연층(203)은 브릿지 패턴(220B) 위에 배치될 수 있다. 감지 절연층(203)은 브릿지 패턴(220B)을 커버할 수 있다. 감지 절연층(203)은 무기물, 유기물, 또는 복합 재료를 포함할 수 있다.
복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1), 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2), 제1 패턴 부분(210PP1)은 감지 절연층(203) 위에 배치될 수 있다.
복수의 컨택홀들(CNT)은 감지 절연층(203)이 제3 방향(DR3)으로 관통되어 형성될 수 있다. 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 복수의 컨택홀들(CNT)을 통해 브릿지 패턴(220B)과 전기적으로 연결될 수 있다.
커버 절연층(205)은 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1), 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2), 제1 패턴 부분(210PP1) 위에 배치될 수 있다. 커버 절연층(205)은 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1), 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2), 제1 패턴 부분(210PP1)을 커버할 수 있다. 커버 절연층(205)은 무기물, 유기물, 또는 복합 재료를 포함할 수 있다.
도 5b에서는 예시적으로 브릿지 패턴(220B)이 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1), 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2), 제1 패턴 부분(210PP1) 아래에 배치되는 바텀 브릿지 구조를 도시하였으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 감지층(200, 도 4 참조)의 구조는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 일 실시예에 따른 감지층(200, 도 4 참조)은 브릿지 패턴(220B)이 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1), 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2), 제1 패턴 부분(210PP1) 위에 배치되는 탑 브릿지 구조를 가질 수 있다.
평면 상에서 보았을 때, 브릿지 패턴(220B)은 제1 패턴 부분(210PP1)과 중첩할 수 있다.
센서층(200, 도 4 참조)의 제1 영역(AR1, 도 4 참조)에서 브릿지 패턴(220B)은 복수로 제공될 수 있다. 복수의 브릿지 패턴들(220B)의 개수는 50 개 이하로 제공될 수 있다. 복수의 브릿지 패턴들(220B)의 개수가 50 개 이상으로 제공되는 경우, 복수의 브릿지 패턴들(220B)이 외부에서 시인될 수 있다. 하지만, 본 발명에 따르면, 복수의 브릿지 패턴들(220B)의 개수는 50 개 이하로 제공되어, 외부에서 복수의 브릿지 패턴들(220B)이 시인되는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 복수의 브릿지 패턴들(220B)의 개수는 4 개일 수 있다.
또한, 복수의 브릿지 패턴들(220B)의 개수는 50 개 이하로 제공되어, 콘택홀(CNT)의 개수를 감소시킬 수 있다. 따라서, 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 제공하기 위한 콘택홀(CNT)을 형성할 때 발생할 수 있는 공정 상의 로스(loss)를 감소시킬 수 있다.
제2 개구(HA2)는 복수로 제공될 수 있다. 복수의 제2 개구들(HA21, HA22) 각각은 서로 상이한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 하나의 제2 개구(HA21)의 크기는 다른 제2 개구(HA22)의 크기보다 작을 수 있다.
표시층(100, 도 2 참조)에 정의된 복수의 발광 영역들(PXA)은 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1), 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2), 제1 패턴 부분(210PP1), 및 브릿지 패턴(220B)과 비중첩할 수 있다. 복수의 발광 영역들(PXA) 중 일부는 복수의 제2 개구들(HA21, HA22)과 중첩할 수 있다.
제2 개구(HA21)에는 하나의 발광 영역(PXA)이 중첩할 수 있다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 개구(HA21)에 중첩하는 발광 영역(PXA)의 개수는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제2 개구(HA21)에는 4 개의 발광 영역들(PXA)이 중첩할 수 있다.
제2 개구(HA22)에는 적어도 4 개 이상의 발광 영역들(PXA)이 중첩할 수 있다. 예를 들어, 도 5c에서는 제2 개구(HA22)에 4 개의 발광 영역들(PXA)이 중첩하는 것을 도시하였다. 다만, 이는 예시적인 것으로 본 발명의 일 실시예에 따른 제2 개구(HA22)에 중첩하는 발광 영역들(PXA)의 개수는 이에 제한되지 않는다. 예를 들어, 제2 개구(HA22)에는 9 개의 발광 영역들(PXA)이 중첩할 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다.
도 4 및 도 6을 참조하면, 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 제1 방향(DR1)으로 연장되는 축(AX1)을 기준으로 대칭된 형상을 가질 수 있다.
하나의 제1 교차 패턴 부분(220PP1) 및 하나의 제2 교차 패턴 부분(220PP2)은 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 교차 패턴 부분(220PP1) 및 하나의 제2 교차 패턴 부분(220PP2)은 4 개의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 영역(AR1)에는 20 개의 브릿지 패턴들(220B)이 배치될 수 있다.
평면 상에서 보았을 때, 브릿지 패턴(220B)은 제1 패턴 부분(210PP1)과 중첩할 수 있다. 브릿지 패턴(220B)은 메쉬 구조를 가질 수 있다. 브릿지 패턴(220B)에는 개구(HAB)가 정의될 수 있다. 제1 패턴 부분(210PP1)은 개구(HAB)와 중첩할 수 있다. 개구(HAB)의 크기는 제2 개구(HA2)의 크기보다 클 수 있다.
복수의 제2 패턴 부분들(210PP2) 각각에는 제5 개구(HA5)가 정의될 수 있다. 제5 개구(HA5)의 크기는 제1 개구(HA1) 및 제4 개구(HA4) 각각의 크기보다 작을 수 있다.
제1 영역(AR1)에서 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)은 서로 인접하게 배치될 수 있다. 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)이 서로 마주하는 경계의 길이가 증가할 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 사이의 상호 정전 용량이 증가할 수 있다. 상호 정전 용량이 증가됨에 따라 상호 정전 용량의 변화량이 증가될 수 있다. 따라서, 센서층(200)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
센서층(200)의 제2 영역(AR2)에 정의된 제1 개구(HA1) 및 제3 영역(AR3)에 정의된 제4 개구(HA4) 각각의 크기는 제2 개구(HA2), 제3 개구(HA3), 및 제5 개구(HA5) 각각의 크기보다 클 수 있다. 평면 상에서 보았을 때, 복수의 제1 부분들(210P1) 및 복수의 제1 교차 부분들(220P1)이 제2 전극(CE, 도 3 참조)과 중첩하는 면적이 감소될 수 있다. 본 발명에 따르면, 기생 정전 용량(Cb, 도 3 참조) 값이 감소될 수 있다. 따라서, 센서층(200)의 정전 용량의 변화량에 대한 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 7a는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이고, 도 7b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 7a의 BB' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 4, 도 7a, 및 도 7b를 참조하면, 복수의 전극들(210) 각각은 복수의 제1 부분들(210P1), 복수의 제2 부분들(210P2), 및 복수의 가지 부분들(210BR)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 부분들(210P1) 각각은 복수의 가지 부분들(210BR)로 분기될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 부분(210P1)은 3 개의 가지 부분들로 분기될 수 있다. 복수의 가지 부분들(210BR) 사이에는 갭이 정의될 수 있다. 복수의 가지 부분들(210BR)은 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배열될 수 있다.
복수의 가지 부분들(210BR)은 복수의 제2 부분들(210P2)으로 각각 연장될 수 있다.
복수의 교차 전극들(220) 각각은 복수의 제1 교차 부분들(220P1), 복수의 제2 교차 부분들(220P2), 복수의 교차 가지 부분들(220BR), 및 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 교차 부분들(220P1) 각각은 복수의 교차 가지 부분들(220BR)로 분기될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 교차 부분(220P1)은 3 개의 교차 가지 부분들로 분기될 수 있다. 복수의 교차 가지 부분들(220BR) 사이에는 갭이 정의될 수 있다. 복수의 교차 가지 부분들(220BR)은 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배열될 수 있다.
복수의 교차 가지 부분들(220BR) 각각은 복수의 제2 교차 부분들(220P2)로 분기될 수 있다. 예를 들어, 하나의 교차 가지 부분(220BR)은 3 개의 제2 교차 부분들(220P2)로 분기될 수 잇다. 복수의 제2 부분들(220P2) 사이에는 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2)이 각각 배치될 수 있다.
복수의 제2 부분들(210P2) 및 복수의 제2 교차 부분들(220P2)은 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)이 각각 교차하는 교차 영역에 배치될 수 있다. 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)이 각각 교차하는 상기 교차 영역은 복수로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 교차 영역들은 9 개로 제공될 수 있다.
복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 4 개의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 영역(AR1)에는 36 개의 브릿지 패턴들(220B)이 배치될 수 있다.
제1 영역(AR1)에서 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)은 서로 교대로 배열될 수 있다. 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)은 서로 인접하게 배치될 수 있다. 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)이 서로 마주하는 경계의 길이가 증가할 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 사이의 상호 정전 용량이 증가할 수 있다. 상호 정전 용량이 증가됨에 따라 상호 정전 용량의 변화량이 증가될 수 있다. 따라서, 센서층(200)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
센서층(200)의 제2 영역(AR2)에 정의된 제1 개구(HA1) 및 제3 영역(AR3)에 정의된 제4 개구(HA4) 각각의 크기는 제2 개구(HA2), 제3 개구(HA3), 및 제5 개구(HA5) 각각의 크기보다 클 수 있다. 평면 상에서 보았을 때, 복수의 제1 부분들(210P1) 및 복수의 제1 교차 부분들(220P1)이 제2 전극(CE, 도 3 참조)과 중첩하는 면적이 감소될 수 있다. 본 발명에 따르면, 기생 정전 용량(Cb, 도 3 참조) 값이 감소될 수 있다. 따라서 정전 용량의 변화량에 대한 센서층(200)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 7c는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U1 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다. 도 7c를 설명함에 있어서, 도 7a를 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 4 및 도 7c를 참조하면, 전극(210a)은 제1 부분(210P1)을 사이에 두고 제2 부분(210P2)과 이격된 제3 부분(210P3a)을 더 포함할 수 있다. 제3 부분(210P3a)은 복수의 제1 부분들(210P1) 사이에 배치될 수 있다. 제3 부분(210P3a)은 제2 영역(AR2)에 배치될 수 있다. 제3 부분(210P3a)의 폭(WD2a)은 제1 부분(210P1)의 폭(WD1)과 동일할 수 있다.
도 7d는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U1 영역에 대응하는 영역을 도시하 평면도이다. 도 7d를 설명함에 있어서, 도 7a를 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 4 및 도 7d를 참조하면, 전극(210b)은 제1 부분(210P1)을 사이에 두고 제2 부분(210P2)과 이격된 제3 부분(210P3b)을 더 포함할 수 있다. 제3 부분(210P3b)은 복수의 제1 부분들(210P1) 사이에 배치될 수 있다. 제3 부분(210P3b)은 제2 영역(AR2)에 배치될 수 있다. 제3 부분(210P3b)의 폭(WD2b)은 제1 부분(210P1)의 폭(WD1)보다 작을 수 있다. 예를 들어, 제3 부분(210P3b)의 폭(WD2b)은 복수의 가지 부분들(210BR) 각각의 폭(WD3)과 동일할 수 있다.
도 7b 및 도 7d 각각은 도 7a의 패턴을 예시적으로 도시하였으나, 본 발명의 일 실시예에 따른 전극(210) 및 교차 전극(220)의 패턴 형상은 이에 제한되지 않고, 본 발명의 다른 실시예들의 패턴 형상을 가질 수도 있다.
도 8a는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이고, 도 8b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 8a의 CC' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 4, 도 8a, 및 도 8b를 참조하면, 복수의 전극들(210) 각각은 복수의 제1 부분들(210P1), 복수의 제2 부분들(210P2), 및 복수의 가지 부분들(210BR)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 부분들(210P1) 각각은 복수의 가지 부분들(210BR)로 분기될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 부분(210P1)은 2 개의 가지 부분들로 분기될 수 있다. 복수의 가지 부분들(210BR) 사이에는 갭이 형성될 수 있다. 복수의 가지 부분들(210BR)은 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배열될 수 있다.
복수의 가지 부분들(210BR)은 복수의 제2 부분들(210P2)으로 각각 연장될 수 있다.
복수의 교차 전극들(220) 각각은 복수의 제1 교차 부분들(220P1), 복수의 제2 교차 부분들(220P2), 복수의 교차 가지 부분들(220BR), 및 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 교차 부분들(220P1) 각각은 복수의 교차 가지 부분들(220BR)로 분기될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 교차 부분(220P1)은 2 개의 교차 가지 부분들로 분기될 수 있다. 복수의 교차 가지 부분들(220BR) 사이에는 갭이 정의될 수 있다. 복수의 교차 가지 부분들(220BR)은 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배열될 수 있다.
복수의 교차 가지 부분들(220BR) 각각은 복수의 제2 교차 부분들(220P2)로 분기될 수 있다. 예를 들어, 하나의 교차 가지 부분(220bR)은 6 개의 제2 교차 부분들(220P2)로 분기될 수 있다. 복수의 제2 부분들(220P2) 사이에는 복수의 제2 패턴 부분들(220PP2)이 각각 배치될 수 있다.
복수의 제2 부분들(210P2) 및 복수의 제2 교차 부분들(220P2)은 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)이 각각 교차하는 교차 영역에 배치될 수 있다. 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)이 각각 교차하는 상기 교차 영역은 복수로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 교차 영역들을 4 개로 제공될 수 있다.
복수의 제2 교차 부분들(220P2) 각각은 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2)과 맞물리는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 복수의 제2 교차 부분들(220P2) 각각은 지그재그 형상을 가질 수 있다. 제1 영역(AR1)에서 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)은 서로 인접하게 배치될 수 있다. 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)이 서로 마주하는 경계의 길이가 증가할 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 사이의 상호 정전 용량이 증가할 수 있다. 상호 정전 용량이 증가됨에 따라 상호 정전 용량의 변화량이 증가될 수 있다. 따라서 센서층(200)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 4 개의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 브릿지 패턴들(220B) 각각은 지그재그 형상을 가질 수 있다. 제1 영역(AR1)에는 16 개의 브릿지 패턴들(220B)이 배치될 수 있다.
센서층(200)의 제2 영역(AR2)에 정의된 제1 개구(HA1) 및 제3 영역(AR3)에 정의된 제4 개구(HA4) 각각의 크기는 제2 개구(HA2) 및 제5 개구(HA5) 각각의 크기보다 클 수 있다. 평면 상에서 보았을 때, 복수의 제1 부분들(210P1) 및 복수의 제1 교차 부분들(220P1)이 제2 전극(CE, 도 3 참조)과 중첩하는 면적이 감소될 수 있다. 본 발명에 따르면, 기생 정전 용량(Cb, 도 3 참조) 값이 감소될 수 있다. 따라서, 정전 용량의 변화량에 대한 센서층(200)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 9a는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이고, 도 9b는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 9a의 DD' 영역을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 4, 도 9a, 및 도 9b를 참조하면, 복수의 전극들(210) 각각은 복수의 제1 부분들(210P1), 복수의 제2 부분들(210P2), 및 복수의 가지 부분들(210BR)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 부분들(210P1) 각각은 복수의 가지 부분들(210BR)로 분기될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 부분(210P1)은 3 개의 가지 부분들로 분기될 수 있다. 복수의 가지 부분들(210BR) 사이에는 갭이 정의될 수 있다. 복수의 가지 부분들(210BR)은 제2 방향(DR2)으로 이격되어 배열될 수 있다.
복수의 가지 부분들(210BR)은 복수의 제2 부분들(210P2)으로 각각 연장될 수 있다.
복수의 교차 전극들(220) 각각은 복수의 제1 교차 부분들(220P1), 복수의 제2 교차 부분들(220P2), 복수의 교차 가지 부분들(220BR), 및 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 포함할 수 있다.
복수의 제2 교차 부분들(220P2a)은 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1a) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2a)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1a) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2a)은 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2)을 사이에 두고 각각 이격될 수 있다.
복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1a) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2a) 각각의 형상은 서로 상이할 수 있다. 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1a) 각각에는 제3 개구(HA3)가 정의될 수 있다.
복수의 제1 교차 부분들(220P1) 각각은 복수의 교차 가지 부분들(220BR)로 분기될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 교차 부분(220P1)은 3 개의 교차 가지 부분들로 분기될 수 있다. 복수의 교차 가지 부분들(220BR) 사이에는 갭이 정의될 수 있다. 복수의 교차 가지 부분들(220BR)은 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배열될 수 있다.
복수의 교차 가지 부분들(220BR) 각각은 복수의 제2 교차 부분들(220P2)로 분기될 수 있다. 예를 들어, 하나의 교차 가지 부분(220BR)은 2 개의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2a) 및 하나의 제1 교차 패턴 부분(220PP1a)으로 분기될 수 있다. 복수의 제2 부분들(220P2) 사이에는 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2)이 각각 배치될 수 있다.
복수의 제2 부분들(210P2) 및 복수의 제2 교차 부분들(220P2)은 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)이 각각 교차하는 교차 영역에 배치될 수 있다. 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)이 각각 교차하는 상기 교차 영역은 복수로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 교차 영역들은 9 개로 제공될 수 있다.
복수의 제2 패턴 부분들(210PP2) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 제2 방향(DR2)으로 연장되는 축(AX2)을 기준으로 대칭된 형상을 가질 수 있다. 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 서로 맞물린 형상을 가질 수 있다. 제1 영역(AR1)에서 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)은 서로 인접하게 배치될 수 있다. 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)이 서로 마주하는 경계의 길이가 증가할 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 사이의 상호 정전 용량이 증가할 수 있다. 상호 정전 용량이 증가됨에 따라 상호 정전 용량의 변화량이 증가될 수 있다. 따라서 센서층(200)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 4 개의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 영역(AR1)에는 36 개의 브릿지 패턴들(220B)이 배치될 수 있다.
센서층(200)의 제2 영역(AR2)에 정의된 제1 개구(HA1) 및 제3 영역(AR3)에 정의된 제4 개구(HA4) 각각의 크기는 제2 개구(HA2) 및 제3 개구(HA3) 각각의 크기보다 클 수 있다. 평면 상에서 보았을 때, 복수의 제1 부분들(210P1) 및 복수의 제1 교차 부분들(220P1)이 제2 전극(CE, 도 3 참조)과 중첩하는 면적이 감소될 수 있다. 본 발명에 따르면, 기생 정전 용량(Cb, 도 3 참조) 값이 감소될 수 있다. 따라서 정전 용량의 변화량에 대한 센서층(200)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 10은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다. 도 10을 설명함에 있어서 도 7a를 통해 설명된 구성 요소들에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 4 및 도 10을 참조하면, 복수의 교차 전극들(220) 각각은 복수의 제1 교차 부분들(220P1), 복수의 제2 교차 부분들(220P2), 복수의 제1 교차 가지 부분들(220BR1), 복수의 제2 교차 가지 부분들(220BR2), 복수의 제3 교차 가지 부분들(220BR3), 및 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 교차 부분들(220P1) 각각은 복수의 제1 교차 가지 부분들(220BR1)로 분기될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 교차 부분(220P1)은 3 개의 교차 가지 부분들로 분기될 수 있다. 복수의 제1 교차 가지 부분들(220BR1) 사이에는 갭이 정의될 수 있다. 복수의 제1 교차 가치 부분들(220BR1)은 제1 방향(DR1)으로 이격되어 배열될 수 있다.
복수의 제2 교차 가지 부분들(220BR2)은 복수의 제2 교차 부분들(220P2) 사이에 배치될 수 있다.
복수의 제3 교차 가지 부분들(220BR3)은 제1 방향(DR1)으로 인접한 두 개의 제2 교차 가지 부분들(220BR2) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 제3 교차 가지 부분들(220BR3)은 복수의 가지 부분들(210BR) 중 하나를 사이에 두고 제2 방향(DR2)으로 이격될 수 있다. 복수의 제3 교차 가지 부분들(220BR3)은 복수의 가지 부분들(210BR)과 인접하게 배치될 수 있다. 제1 영역(AR1)에서 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)이 서로 마주하는 경계의 길이가 증가할 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 사이의 상호 정전 용량이 증가할 수 있다. 상호 정전 용량이 증가됨에 따라 상호 정전 용량의 변화량이 증가될 수 있다. 따라서 센서층(200)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
복수의 제2 부분들(210P2) 및 복수의 제2 교차 부분들(220P2)은 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)이 각각 교차하는 교차 영역에 배치될 수 있다. 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)이 각각 교차하는 상기 교차 영역은 복수로 제공될 수 있다. 예를 들어, 상기 복수의 교차 영역들은 9 개로 제공될 수 있다.
복수의 제1 교차 가지 부분들(220BR1), 복수의 제2 교차 가지 부분들(220BR2), 및 복수의 제3 교차 가지 부분들(220BR3)은 메쉬 구조를 가질 수 있다.
도 11은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다. 도 11을 설명함에 있어서, 도 7a를 통해 설명된 구성 요소들에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 4 및 도 11을 참조하면, 복수의 교차 전극들(220) 각각은 복수의 제1 교차 부분들(220P1), 복수의 제2 교차 부분들(220P2), 복수의 제1 교차 가지 부분들(220BR1a), 복수의 제2 교차 가지 부분들(220BR2a), 복수의 제3 교차 가지 부분들(220BR3a), 및 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 포함할 수 있다.
복수의 제1 교차 부분들(220P1) 각각은 복수의 제1 교차 가지 부분들(220BR1a)로 분기될 수 있다. 예를 들어, 하나의 제1 교차 부분(220P1)은 3 개의 교차 가지 부분들로 분기될 수 있다. 복수의 제1 교차 가지 부분들(220BR1a) 사이에는 갭이 정의될 수 있다.
복수의 제2 교차 가지 부분들(220BR2a)은 복수의 제2 교차 부분들(220P2) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 제1 교차 가지 부분들(220BR1a) 및 복수의 제2 교차 가지 부분들(220BR2a)은 메쉬 구조를 가질 수 있다.
복수의 제3 교차 가지 부분들(220BR3a)은 제1 방향(DR1)으로 인접한 두 개의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2) 사이에 배치될 수 있다. 복수의 제3 교차 가지 부분들(220BR3a)은 복수의 가지 부분들(210BR)과 인접하게 배치될 수 있다. 복수의 제3 교차 가지 부분들(220BR3a) 각각은 지그재그 형상을 가질 수 있다. 복수의 제3 교차 가지 부분들(220BR3a)은 복수의 가지 부분들(210BR)과 인접하게 배치될 수 있다. 제1 영역(AR1)에서 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220)이 서로 마주하는 경계의 길이가 증가할 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 사이의 상호 정전 용량이 증가할 수 있다. 상호 정전 용량이 증가됨에 따라 상호 정전 용량의 변화량이 증가될 수 있다. 따라서 센서층(200)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
센서층(200)의 제1 영역(AR1)에 정의된 제2 개구(HA2), 제3 개구(HA3), 및 제5 개구(HA5) 각각의 크기는 제1 개구(HA1) 및 제4 개구(HA4) 각각의 크기보다 작을 수 있다. 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)은 서로 인접하게 배치될 수 있다. 복수의 제3 교차 가지 부분들(220BR3a)은 복수의 가지 부분들(210BR)과 맞물리는 형상을 가질 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 사이의 상호 정전 용량의 변화량이 증가할 수 있다. 따라서, 센서층(200)의 상호 정전 용량의 변화량에 대한 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 12는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다.
도 4 및 도 12를 참조하면, 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2) 각각에는 제5 개구(HA5a)가 정의될 수 있다. 제5 개구(HA5a)의 크기는 제1 개구(HA1) 및 제4 개구(HA4) 각각의 크기보다 작을 수 있다. 제5 개구(HA5)는 제1 패턴 개구(HA5a)로 지칭될 수 있다. 제5 개구(HA5a)는 복수로 제공될 수 있다. 제5 개구들(HA51a, HA52a, HA53a) 각각은 서로 상이한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 하나의 제5 개구(HA51a)의 크기는 다른 제5 개구(HA52a)의 크기보다 작고, 또 다른 제5 개구(HA53a)의 크기보다 클 수 있다.
제1 영역(AR1)에서 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)은 서로 인접하게 배치될 수 있다. 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)이 서로 마주하는 경계의 길이가 증가할 수 있다. 본 발명에 따르면, 복수의 전극들(210) 및 복수의 교차 전극들(220) 사이의 상호 정전 용량이 증가할 수 있다. 상호 정전 용량이 증가됨에 따라 상호 정전 용량의 변화량이 증가될 수 있다. 따라서, 센서층(200)의 센싱 감도가 향상될 수 있다.
도 13는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역들 도시한 평면도이다.
도 4 및 도 13을 참조하면, 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2) 각각에는 제5 개구(HA5b)가 정의될 수 있다. 제5 개구(HA5b)의 크기는 제1 개구(HA1) 및 제4 개구(HA4) 각각의 크기보다 작을 수 있다. 제5 개구(HA5b)는 복수로 제공될 수 있다. 제5 개구들(HA51b, HA52b, HA53b) 각각은 서로 상이한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 하나의 제5 개구(HA51b)의 크기는 다른 제5 개구(HA52b)의 크기보다 작고, 다른 제5 개구(HA52b)의 크기는 또 다른 제5 개구(HA53b)의 크기보다 작을 수 있다.
복수의 제2 교차 부분들(220P2) 각각은 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2)과 맞물리는 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 복수의 제2 교차 부분들(220P2) 각각은 지그재그 형상을 가질 수 있다. 제2 부분(210P2) 및 제2 교차 부분(220P2)은 서로 인접하게 배치될 수 있다.
복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 예를 들어, 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 12 개의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 브릿지 패턴들(220B) 각각은 지그재그 형상을 가질 수 있다. 제1 영역(AR1)에는 12 개의 브릿지 패턴들(220B)이 배치될 수 있다.
도 14는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다. 도 14를 설명함에 있어서, 도 13을 통해 설명된 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하고 이에 대한 설명은 생략된다.
도 4 및 도 14를 참조하면, 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2) 각각에는 제5 개구(HA5c)가 정의될 수 있다. 제5 개구(HA5c)의 크기는 제1 개구(HA1) 및 제4 개구(HA4) 각각의 크기보다 작을 수 있다. 제5 개구(HA5c)는 복수로 제공될 수 있다. 제5 개구들(HA51c, HA52c, HA53c) 각각은 서로 상이한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 하나의 제5 개구(HA51c)의 크기는 다른 제5 개구(HA52c)의 크기보다 작고, 다른 제5 개구(HA52c)의 크기는 또 다른 제5 개구(HA53c)의 크기보다 작을 수 있다. 제5 개구(HA51c)에는 하나의 발광 영역(PXA, 도 5c 참조)이 중첩할 수 있다.
복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2)은 10 개의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 브릿지 패턴들(220B) 각각은 지그재그 형상을 가질 수 있다. 제1 영역(AR1)에는 10 개의 브릿지 패턴들(220B)이 배치될 수 있다.
도 15는 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다.
도 4 및 도 15를 참조하면, 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2) 각각에는 제5 개구(HA5d)가 정의될 수 있다. 제5 개구(HA5d)의 크기는 제1 개구(HA1) 및 제4 개구(HA4) 각각의 크기보다 작을 수 있다. 제5 개구(HA5d)는 복수로 제공될 수 있다. 제5 개구들(HA51d, HA52d) 각각은 서로 상이한 크기를 가질 수 있다. 예를 들어, 하나의 제5 개구(HA51d)의 크기는 다른 제5 개구(HA52d)의 크기보다 작을 수 있다. 제5 개구(HA51d)에는 하나의 발광 영역(PXA, 도 5c 참조)이 중첩할 수 있다.
복수의 제2 교차 부분들(220P2b)은 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1b) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2b)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1b) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2b)은 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2)을 사이에 두고 각각 이격될 수 있다.
복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1b) 및 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2b) 각각의 형상은 서로 상이할 수 있다. 복수의 제2 패턴 부분들(210PP21, 210PP22)은 서로 상이한 형상을 가질 수 있다.
복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1b) 각각에는 제3 개구(HA3)가 정의될 수 있다. 제3 개구(HA3)에는 하나의 발광 영역(PXA, 도 5c 참조)이 중첩할 수 있다. 복수의 제1 교차 패턴 부분들(220PP1b)은 복수의 제2 패턴 부분들(210PP21)과 맞물리는 형상을 가질 수 있다. 복수의 제2 패턴 부분들(210PP21)은 지그재그 형상을 가질 수 있다.
복수의 제2 패턴 부분들(210PP22) 각각에는 제5 개구(HA5)가 정의될 수 있다. 제5 개구(HA5)에는 하나의 발광 영역(PXA, 도 5c 참조)이 중첩할 수 있다. 복수의 제2 패턴 부분들(210PP22)은 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2b)과 맞물리는 형상을 가질 수 있다. 복수의 제2 교차 패턴 부분들(220PP2b)은 지그재그 형상을 가질 수 있다.
도 16은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 4의 200U 영역에 대응하는 영역을 도시한 평면도이다.
도 4 및 도 16을 참조하면, 복수의 제2 부분들(210P2a)은 복수의 제1 패턴 부분들(210PP1a) 및 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2a)을 포함할 수 있다. 복수의 제1 패턴 부분들(210PP1a) 및 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2a)은 복수의 제2 교차 부분들(220P2)을 사이에 두고 각각 이격될 수 있다.
복수의 제1 패턴 부분들(210PP1a) 및 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2a) 각각의 형상은 서로 상이할 수 있다. 복수의 제1 패턴 부분들(210PP1a) 각각에는 제5 개구(HA5)가 정의될 수 있다. 제5 개구(HA5)의 크기는 제1 개구(HA1) 및 제4 개구(HA4) 각각의 크기보다 작을 수 있다. 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2a)은 복수의 제2 부분들(220P2)과 맞물리는 형상을 가질 수 있다. 복수의 제2 부분들(220P2)은 복수의 제2 패턴 부분들(210PP2a)을 에워쌀 수 있다.
복수의 제1 교차 부분들(220P1) 및 복수의 제2 교차 부분들(220P2)은 복수의 브릿지 패턴들(220B)을 통해 전기적으로 연결될 수 있다. 복수의 브릿지 패턴들(220B)은 복수의 제1 교차 부분들(220P1) 중 하나의 일측과 인접하게 배치되고, 복수의 제1 교차 부분들(220P1) 중 다른 하나의 타측과 이격되어 배치될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술 분야에 통상의 지식을 갖는 자라면, 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
1000: 전자 장치 2000: 액티브펜
100: 표시층 200: 센서층
210: 전극 220: 교차 전극
HA1: 제1 개구 HA2: 제2 개구

Claims (26)

  1. 표시층; 및
    상기 표시층 위에 배치되고, 전극 및 상기 전극과 교차하는 교차 전극을 포함하는 센서층을 포함하고,
    상기 전극은 제1 방향을 따라 이격된 복수의 제1 부분들, 상기 복수의 제1 부분들 사이에 각각 배치된 복수의 제2 부분들을 포함하고,
    상기 교차 전극은 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향을 따라 이격된 복수의 제1 교차 부분들, 상기 복수의 제1 교차 부분들 사이에 각각 배치된 복수의 제2 교차 부분들을 포함하며,
    상기 복수의 제2 부분들 각각은 상기 제1 방향을 따라 연장되는 제1 패턴 부분 및 상기 제2 방향을 따라 연장되는 복수의 제2 패턴 부분들을 포함하고,
    상기 복수의 제1 부분들 각각에는 제1 개구가 정의되고, 상기 제1 패턴 부분에는 제2 개구가 정의되며, 상기 제1 개구의 크기는 상기 제2 개구의 크기보다 큰 전자 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 부분들, 상기 복수의 제2 부분들, 상기 복수의 제1 교차 부분들, 및 상기 복수의 제2 교차 부분들은 메쉬 구조를 갖는 전자 장치.
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 제2 교차 부분들 각각은,
    상기 복수의 제1 교차 부분들 중 하나의 일측과 인접하고 상기 제2 방향을 따라 연장되는 복수의 제1 교차 패턴 부분들; 및
    상기 복수의 제1 교차 부분들 중 다른 하나의 타측과 인접하고 상기 제2 방향을 따라 연장되는 복수의 제2 교차 패턴 부분들을 포함하는 전자 장치.
  4. 제3 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 교차 패턴 부분들 및 상기 복수의 제2 패턴 부분들은 상기 제1 방향을 따라 교대로 배열되고,
    상기 복수의 제2 교차 패턴 부분들 및 상기 복수의 제2 패턴 부분들은 상기 제1 방향을 따라 교대로 배열되는 전자 장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 교차 전극은 상기 복수의 제1 교차 부분들 및 상기 제2 교차 부분과 상이한 층에 배치되는 브릿지 패턴을 더 포함하고,
    평면 상에서 보았을 때, 상기 브릿지 패턴은 상기 제1 패턴 부분과 중첩하는 전자 장치.
  6. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 교차 패턴 부분들에는 복수의 제1 패턴 개구들이 각각 정의되고,
    상기 복수의 제1 패턴 개구들 각각의 크기는 서로 상이한 전자 장치.
  7. 제4 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 교차 패턴 부분들 및 상기 제2 교차 패턴 부분들은 상기 제1 방향으로 연장되는 축을 기준으로 대칭된 형상을 갖는 전자 장치.
  8. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 제2 교차 부분들 각각은 상기 복수의 제2 패턴 부분들과 맞물리는 형상을 갖는 전자 장치.
  9. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 제2 패턴 부분들은 상기 제2 방향으로 연장되는 축을 기준으로 대칭된 형상을 갖는 전자 장치.
  10. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 제2 교차 부분들 각각은 상기 복수의 제2 패턴 부분들 중 하나를 사이에 두고 이격된 제1 교차 패턴 부분 및 제2 교차 패턴 부분을 포함하고,
    상기 제1 교차 패턴 부분 및 상기 제2 교차 패턴 부분 각각의 형상은 서로 상이한 전자 장치.
  11. 제1 항에 있어서,
    상기 표시층은 복수의 발광 영역들을 포함하고,
    평면 상에서 보았을 때, 상기 제2 개구는 적어도 4개 이상의 복수의 발광 영역들과 중첩하는 전자 장치.
  12. 제1 항에 있어서,
    평면 상에서 보았을 때, 상기 복수의 제2 교차 부분들은 상기 제2 개구와 비중첩하는 전자 장치.
  13. 제12 항에 있어서,
    상기 복수의 제2 교차 부분들 각각에는 제3 개구가 정의되고,
    평면 상에서 보았을 때, 상기 복수의 제2 부분들은 상기 제3 개구와 비중첩하는 전자 장치.
  14. 제1 항에 있어서,
    상기 복수의 제2 패턴 부분들 각각은 상기 제1 패턴 부분으로부터 상기 제2 방향으로 돌출된 전자 장치.
  15. 제1 항에 있어서,
    상기 전극은 상기 제1 부분들 각각으로부터 분기되는 복수의 가지 부분들을 더 포함하고,
    상기 복수의 가지 부분들은 상기 복수의 제2 부분들을 사이에 두고 각각 이격된 전자 장치.
  16. 제15 항에 있어서,
    상기 전극은 상기 복수의 제1 부분들을 사이에 두고 상기 복수의 제2 부분들과 각각 이격된 복수의 제3 부분들을 더 포함하고,
    상기 복수의 제3 부분들 각각의 폭은 상기 복수의 가지 부분들 각각의 폭과 동일한 전자 장치.
  17. 제15 항에 있어서,
    상기 전극은 상기 복수의 제1 부분들을 사이에 두고 상기 복수의 제2 부분들과 각각 이격된 복수의 제3 부분들을 더 포함하고,
    상기 복수의 제3 부분들 각각의 폭은 상기 복수의 제1 부분들 각각의 폭보다 작은 전자 장치.
  18. 제15 항에 있어서,
    상기 교차 전극은 상기 제1 교차 부분 각각으로부터 분기되는 복수의 제1 교차 가지 부분들, 상기 복수의 제2 교차 부분들 사이에 배치된 복수의 제2 교차 가지 부분들, 및 상기 복수의 제2 교차 가지 부분들 사이에 배치된 복수의 제3 교차 가지 부분들을 더 포함하는 전자 장치.
  19. 제18 항에 있어서,
    상기 복수의 제3 교차 가지 부분들은 상기 복수의 가지 부분들과 인접한 전자 장치.
  20. 표시층; 및
    상기 표시층 위에 배치되고, 전극 및 상기 전극과 교차하는 교차 전극을 포함하는 센서층을 포함하고,
    상기 센서층에는 상기 전극 및 상기 교차 전극이 절연 교차하는 제1 영역, 상기 제1 영역과 제1 방향으로 인접한 제2 영역, 상기 제1 영역과 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향으로 인접한 제3 영역이 정의되고,
    상기 제1 영역에 배치된 상기 전극의 제1 부분에는 제1 개구가 정의되고,
    상기 제2 영역에 배치된 상기 전극의 제2 부분에는 상기 제1 개구보다 큰 크기의 제2 개구가 정의된 전자 장치.
  21. 제20 항에 있어서,
    상기 제1 영역에 배치된 상기 교차 전극의 제3 부분에는 제3 개구가 정의되고,
    상기 제3 영역에 배치된 상기 교차 전극의 제4 부분에는 상기 제3 개구보다 큰 크기의 제4 개구가 정의된 전자 장치.
  22. 제21 항에 있어서,
    상기 제1 영역에 배치된 상기 전극의 상기 제1 부분은,
    상기 제1 방향으로 연장되는 제1 패턴 부분; 및
    상기 제1 패턴 부분으로부터 상기 제2 방향을 따라 연장되는 복수의 제2 패턴 부분들을 포함하는 전자 장치.
  23. 제22 항에 있어서,
    상기 제1 영역에 배치된 상기 교차 전극의 상기 제3 부분은,
    상기 제3 영역에 배치된 상기 교차 전극과 인접하고, 상기 제2 방향을 따라 연장되는 복수의 제1 교차 패턴 부분들; 및
    상기 복수의 제1 교차 패턴 부분들과 상기 제1 패턴 부분을 사이에 두고 제2 방향으로 이격된 복수의 제2 교차 패턴 부분들을 포함하는 전자 장치.
  24. 제23 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 교차 패턴 부분들은 상기 복수의 제2 패턴 부분들을 사이에 두고 상기 제1 방향으로 각각 이격되고,
    상기 복수의 제2 교차 패턴 부분들은 상기 복수의 제2 패턴 부분들을 사이에 두고 상기 제1 방향으로 각각 이격된 전자 장치.
  25. 제23 항에 있어서,
    상기 제1 영역에 배치된 상기 교차 전극의 상기 제3 부분은 상기 복수의 제1 교차 부분들 및 상기 복수의 제2 교차 부분들과 상이한 층에 배치되는 브릿지 패턴을 더 포함하고,
    평면 상에서 보았을 때, 상기 브릿지 패턴은 상기 제1 패턴 부분과 중첩하는 전자 장치.
  26. 제21 항에 있어서,
    평면 상에서 보았을 때, 상기 제1 영역에 배치되는 교차 전극의 상기 제3 부분은 상기 제1 개구와 비중첩하는 전자 장치.

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