KR102338612B1

KR102338612B1 - 도전성 부재 및 터치 패널

Info

Publication number: KR102338612B1
Application number: KR1020197025511A
Authority: KR
Inventors: 마사야 나카야마; 레오나 이케다
Original assignee: 후지필름 가부시키가이샤
Priority date: 2017-03-06
Filing date: 2018-01-17
Publication date: 2021-12-13
Also published as: JP6799140B2; JP2021036465A; US20200233534A1; JP7038784B2; TW201833747A; KR20190110607A; JP2022071158A; WO2018163603A1; US20210117044A1; TWI746775B; JPWO2018163603A1; US10908755B2; US11137864B2; CN110383222A; US11392256B2; CN117908710A; CN108536329A; US10649606B2; US20190377457A1; CN208000557U

Abstract

검출 감도의 향상을 도모하면서 우수한 시인성을 갖고 무아레의 발생을 저감시킬 수 있는 도전성 부재 및 터치 패널을 제공한다. 투명 절연 부재의 제1 면(5A) 상의 제1 전극(11)은, 제1 메시 패턴(MP1)을 갖는 제1 검출 전극부(11A)와, 제1 메시 패턴(MP1)을 형성하는 제1 메시 셀(C1) 내에 제1 검출 전극부(11A)와 절연하여 배치된 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)를 갖고, 투명 절연 부재의 제2 면 상의 제2 전극(21)은, 제2 메시 패턴(MP2)을 갖는 제2 검출 전극부(21A)와, 제2 메시 패턴(MP2)을 형성하는 제2 메시 셀(C2) 내에 제2 검출 전극부(21B)와 절연하여 배치된 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)를 가지며, 제1 검출 전극부(11A)와 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)와 제2 검출 전극부(21A)와 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)가 조합되어 제3 메시 패턴(MP3)을 형성한다.

Description

도전성 부재 및 터치 패널

이 발명은, 도전성 부재에 관한 것이며, 특히 터치 패널로서 이용되는 도전성 부재에 관한 것이다.

또, 이 발명은, 도전성 부재를 이용한 터치 패널에도 관한 것이다.

최근, 태블릿형 컴퓨터 및 스마트폰 등의 휴대 정보 기기를 비롯한 각종 전자 기기에 있어서, 액정 표시 장치 등의 표시 장치와 조합하여 이용되고, 손가락, 스타일러스 펜 등의 손가락보다 가는 선단을 갖는 부재를 화면에 접촉 또는 근접시킴으로써 전자 기기에 대한 입력 조작을 행하는 터치 패널의 보급이 진행되고 있다.

터치 패널에는, 투명 기판 상에, 손가락, 스타일러스 펜 등의 손가락보다 가는 선단을 갖는 부재의 접촉 또는 근접에 의한 터치 조작을 검출하기 위한 검출부가 형성된 도전성 부재가 이용된다.

검출부는, ITO(Indium Tin Oxide) 등의 투명 도전성 산화물로 형성되지만, 투명 도전성 산화물 이외에 금속으로도 형성된다. 금속은 상술한 투명 도전성 산화물에 비하여, 패터닝이 하기 쉽고, 굴곡성이 우수하며, 저항이 보다 낮은 등의 이점이 있기 때문에, 터치 패널 등에 있어서 구리 또는 은 등의 금속이 도전성 세선에 이용되고 있다.

특허문헌 1에는, 금속 세선을 이용한 터치 패널이 기재되어 있다. 특허문헌 1의 터치 패널은, 제1 기체 상에 복수의 제1 전극 패턴이 형성된 제1 도전성 부재와, 제2 기체 상에 복수의 제2 전극 패턴이 형성된 제2 도전성 부재를 갖는 정전 용량 센서이다. 제1 전극 패턴 및 제2 전극 패턴은, 각각 대략 능형(菱形) 형상의 복수의 셀에 의하여 구성되고, 제1 도전성 부재 상 및 제2 도전성 부재 상에 일 방향을 따라 배열되어 있다. 또, 복수의 제1 전극 패턴과 복수의 제2 전극 패턴이 서로 다른 방향으로 배열되도록, 제1 도전성 부재가 제2 도전성 부재 상에 적층되어 있다.

특허문헌 1: 국제 특허공보 제2015/060059호

이와 같은 금속 세선에 의하여 형성되는 메시 패턴을 이용한 터치 패널에서는, 메시 피치를 작은 값으로 설정하면, 전극의 기생 용량이 증대하여, 그 결과, 터치 위치의 검출 감도가 저하된다.

한편, 검출 감도를 향상시키기 위하여 금속 세선의 메시 피치를 크게 하면, 인접하는 금속 세선의 간격이 넓어져, 금속 세선이 눈에 띄기 쉬워지고, 시인성이 저하된다는 문제가 발생한다. 또한, 금속 세선의 메시 피치를 확대함으로써, 터치 패널과 조합하여 사용되는 표시 장치의 주기적인 화소 패턴과 금속 세선이 간섭하여 발생하는 무아레가 눈에 띈다는 문제가 발생한다.

이 발명은, 이와 같은 종래의 문제점을 해소하기 위하여 이루어진 것으로, 기생 용량이 작고 검출 감도가 높은 광(廣)피치의 메시 패턴을 가진 검출 전극부를 이용해도, 시인성을 향상시킴과 함께, 무아레의 발생을 억제할 수 있는 도전성 부재를 제공하는 것을 목적으로 한다.

또, 이 발명은, 이와 같은 도전성 부재를 구비하는 터치 패널을 제공하는 것도 목적으로 한다.

이 발명에 관한 도전성 부재는, 투과 영역을 갖는 도전성 부재로서, 투명 절연 부재와, 각각 제1 방향으로 뻗고 또한 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 병렬 배치된 복수의 제1 전극과, 각각 제2 방향으로 뻗고 또한 제1 방향으로 병렬 배치된 복수의 제2 전극을 구비하고, 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극은, 투명 절연 부재를 통하여 배치되며, 제1 전극은, 금속 세선에 의하여 형성되는 복수의 제1 메시 셀이 전기적으로 접속되어 구성된 제1 메시 패턴을 갖는 제1 검출 전극부와, 제1 검출 전극부로부터 절연되도록 제1 메시 패턴의 제1 메시 셀의 내부에 배치된 금속 세선에 의하여 형성되는 제1 전극 내 더미 패턴부를 갖고, 제2 전극은, 금속 세선에 의하여 형성되는 복수의 제2 메시 셀이 전기적으로 접속되어 구성된 제2 메시 패턴을 갖는 제2 검출 전극부와, 제2 검출 전극부로부터 절연되도록 제2 메시 패턴의 제2 메시 셀의 내부에 배치된 금속 세선에 의하여 형성되는 제2 전극 내 더미 패턴부를 가지며, 제1 전극과 제2 전극이 중첩되는 영역에 있어서, 제1 검출 전극부와 제1 전극 내 더미 패턴부와 제2 검출 전극부와 제2 전극 내 더미 패턴부가 조합되어 형성된 복수의 제3 메시 셀에 의하여 구성되는 제3 메시 패턴을 갖는 것이다.

제1 메시 패턴은, 제1 방향으로 서로 인접하는 제1 메시 셀의 무게중심 간의 제1 방향에 있어서의 거리의 평균값에 의하여 정해지는 제1 메시 피치를 갖고, 제2 메시 패턴은, 제1 방향으로 서로 인접하는 제2 메시 셀의 무게중심 간의 제1 방향에 있어서의 거리의 평균값에 의하여 정해지는 제2 메시 피치를 가지며, 제1 메시 패턴의 금속 세선과 제2 메시 패턴의 금속 세선은, 점상으로 중첩되도록 배치되고, 제3 메시 패턴은, 제1 방향으로 인접하는 제3 메시 셀의 무게중심 간의 제1 방향에 있어서의 거리의 평균값에 의하여 정해지는 제3 메시 피치를 가지며, 제3 메시 피치는, 제1 메시 피치의 1/4 이하이고, 또한 제2 메시 피치의 1/4 이하인 것이 바람직하다.

제1 메시 셀, 제2 메시 셀 및 제3 메시 셀은, 각각 다각형상인 것이 바람직하다.

제1 메시 패턴과 제2 메시 패턴은, 제1 메시 셀의 무게중심과 제2 메시 셀의 정점이 서로 다른 위치가 되도록 배치되어 있는 것이 바람직하다.

제1 메시 패턴과 제2 메시 패턴은, 제1 메시 셀의 무게중심과 제2 메시 셀의 무게중심이 서로 다른 위치가 되도록 배치되어 있는 것이 바람직하다.

제1 메시 패턴과 제2 메시 패턴은, 제1 메시 셀의 정점과 제2 메시 셀의 무게중심이 서로 다른 위치가 되도록 배치되어 있는 것이 바람직하다.

제1 메시 피치 및 제2 메시 피치가 500μm 이상인 것이 바람직하다.

제1 메시 피치와 제2 메시 피치는, 서로 동일해도 된다.

제1 메시 셀, 제2 메시 셀 및 제3 메시 셀은, 각각 사각형상인 것이 바람직하다.

제1 메시 패턴은, 동일 형상의 복수의 제1 메시 셀에 의하여 구성되고, 제2 메시 패턴은, 동일 형상의 복수의 제2 메시 셀에 의하여 구성되며, 제3 메시 패턴은, 동일 형상의 복수의 제3 메시 셀에 의하여 구성되고, 사각형상은, 능형 형상인 것이 바람직하다.

제1 메시 셀과 제2 메시 셀은, 동일 형상을 갖는 것이 바람직하다.

제3 메시 셀의 변의 길이는, 제3 메시 패턴을 구성하는 복수의 제3 메시 셀의 변의 길이의 평균값에 대하여, -10% 이상 +10% 이하의 불규칙한 값을 갖고 있어도 된다.

제1 메시 패턴 및 제2 메시 패턴은, 각각의 전극 내 더미 패턴부를 형성하는 금속 세선의 단부와 각각의 메시 셀을 형성하는 금속 세선의 사이에 150μm 이상의 갭을 갖는 것이 바람직하다.

제1 메시 패턴 및 제2 메시 패턴은, 각각의 전극 내 더미 패턴부를 형성하는 금속 세선의 단부와 각각의 메시 셀을 형성하는 금속 세선의 사이에, 각각의 메시 셀 중 어느 한 변의 길이의 1/4 이상의 갭을 갖는 것이 바람직하다.

제1 전극 내 더미 패턴부 및 제2 전극 내 더미 패턴부는, 십자상으로 교차하는 금속 세선을 포함하지 않는 것이 바람직하다.

이 발명에 관한 터치 패널은, 상기의 도전성 부재를 이용한 것이다.

이 발명에 의하면, 투명 절연 기판의 제1 면 상에 배치되는 제1 전극이, 제1 메시 패턴을 갖는 제1 검출 전극부와, 제1 검출 전극부와 절연되어, 제1 메시 패턴의 제1 메시 셀의 내부에 배치된 제1 전극 내 더미 패턴부를 갖고, 투명 절연 기판의 제2 면 상에 배치되는 제2 전극이, 제2 메시 패턴을 갖는 제2 검출 전극부와, 제2 검출 전극부와 절연되어, 제2 메시 패턴의 제2 메시 셀의 내부에 배치된 제2 전극 내 더미 패턴부를 가지며, 제1 검출 전극부와 제1 전극 내 더미 패턴부와 제2 검출 전극부와 제2 전극 내 더미 패턴부가 조합되어 제3 메시 패턴을 형성한다. 이로 인하여, 기생 용량이 작고 검출 감도가 높은 광피치의 메시 패턴을 가진 검출 전극부를 이용해도, 시인성을 향상시킴과 함께, 터치 패널과 표시 장치를 조합했을 때의 무아레의 발생을 억제할 수 있다.

도 1은 이 발명의 실시형태 1에 관한 도전성 부재를 이용한 터치 패널을 나타내는 부분 단면도이다.
도 2는 실시형태 1에 관한 도전성 부재를 나타내는 평면도이다.
도 3은 실시형태 1에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극만을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 4는 실시형태 1에 있어서의 제1 전극의 제1 메시 패턴의 각 메시 셀의 내부에 배치된 제1 전극 내 더미 패턴부를 시인 측에서 본 평면도이다.
도 5는 제1 전극의 제1 검출 전극부를 형성하는 금속 세선과 제1 전극 내 더미 패턴부를 형성하는 금속 세선을 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 6은 실시형태 1에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제2 전극만을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 7은 실시형태 1에 있어서의 제2 전극의 제2 메시 패턴의 각 메시 셀의 내부에 배치된 제2 전극 내 더미 패턴부를 시인 측에서 본 평면도이다.
도 8은 제2 전극의 제2 검출 전극부를 형성하는 금속 세선과 제2 전극 내 더미 패턴부를 형성하는 금속 세선을 나타내는 부분 확대 평면도이다.
도 9는 실시형태 1에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극과 제2 전극에 의하여 형성된 제3 메시 패턴을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 10은 실시형태 2에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극만을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 11은 실시형태 2에 있어서의 제1 전극의 제1 메시 패턴의 각 메시 셀의 내부에 배치된 제1 전극 내 더미 패턴부를 시인 측에서 본 평면도이다.
도 12는 실시형태 2에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제2 전극만을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 13은 실시형태 2에 있어서의 제2 전극의 제2 메시 패턴의 각 메시 셀의 내부에 배치된 제2 전극 내 더미 패턴부를 시인 측에서 본 평면도이다.
도 14는 실시형태 2에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극과 제2 전극에 의하여 형성된 제3 메시 패턴을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 15는 실시형태 3에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극만을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 16은 실시형태 3에 있어서의 제1 전극의 제1 메시 패턴의 각 메시 셀의 내부에 배치된 제1 전극 내 더미 패턴부를 시인 측에서 본 평면도이다.
도 17은 실시형태 3에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제2 전극만을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 18은 실시형태 3에 있어서의 제2 전극의 제2 메시 패턴의 각 메시 셀의 내부에 배치된 제2 전극 내 더미 패턴부를 시인 측에서 본 평면도이다.
도 19는 실시형태 3에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극과 제2 전극에 의하여 형성된 제3 메시 패턴을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 20은 실시형태 4에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극 및 제1 더미 전극을 시인 측에서 본 평면도이다.
도 21은 실시형태 4에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제2 전극 및 제2 더미 전극을 시인 측에서 본 평면도이다.
도 22는 실시형태 4에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극과 제2 전극에 의하여 형성된 제3 메시 패턴을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 23은 비교예 1에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극만을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 24는 비교예 1에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제2 전극만을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 25는 비교예 1에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극과 제2 전극에 의하여 형성된 제3 메시 패턴을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 26은 비교예 2에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극만을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 27은 비교예 2에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제2 전극만을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.
도 28은 비교예 2에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극과 제2 전극에 의하여 형성된 제3 메시 패턴을 시인 측에서 본 부분 평면도이다.

이하에, 첨부의 도면에 나타내는 적합한 실시형태에 근거하여, 이 발명에 관한 도전성 부재 및 터치 패널을 상세히 설명한다.

또한, 이하에 있어서, 수치 범위를 나타내는 표기 "~"는, 양측에 기재된 수치를 포함하는 것으로 한다. 예를 들면, "s가 수치 t1~수치 t2이다"란, s의 범위는 수치 t1과 수치 t2를 포함하는 범위이며, 수학 기호를 이용하여 나타내면 t1≤s≤t2이다.

"직교" 및 "평행" 등을 포함하여 각도는, 특별히 기재가 없으면, 기술 분야에 있어서 일반적으로 허용되는 오차 범위를 포함하는 것으로 한다.

"투명"이란, 광투과율이, 파장 400~800nm의 가시광 파장역에 있어서, 적어도 40% 이상인 것이며, 바람직하게는 75% 이상이고, 보다 바람직하게는 80% 이상, 보다 더 바람직하게는 90% 이상이다. 광투과율은, JIS K 7375:2008에 규정되는 "플라스틱--전체 광선 투과율 및 전체 광선 반사율을 구하는 법"을 이용하여 측정되는 것이다.

실시형태 1

도 1에, 이 발명의 실시형태 1에 관한 도전성 부재(1)를 이용한 터치 패널(2)의 구성을 나타낸다.

터치 패널(2)은, 표면(2A)과 이면(2B)을 갖고, 이면(2B) 측에 액정 표시 장치 등의 도시하지 않는 표시 장치가 배치된 상태에 있어서 사용된다. 터치 패널(2)의 표면(2A)은, 터치 검출면이며, 터치 패널(2)의 조작자가, 터치 패널(2)을 통하여 표시 장치의 화상을 관찰하는 시인 측이 된다.

터치 패널(2)은, 표면(2A) 측에 배치되고 또한 평판 형상을 갖는 투명한 절연성의 커버 패널(3)을 가지며, 표면(2A)과는 반대 측의 커버 패널(3)의 면 상에 도전성 부재(1)가 투명한 접착제(4)에 의하여 접합되어 있다.

도전성 부재(1)는, 투명 절연 부재인 투명 절연 기판(5)의 양면 상에 금속 세선(6A) 및 금속 세선(6B)이 각각 형성된 것이다. 즉, 도전성 부재(1)에 있어서, 금속 세선(6A)에 의하여 형성되는 복수의 제1 전극(11)과 금속 세선(6B)에 의하여 형성되는 복수의 제2 전극(21)이 절연 상태로 대향하여 배치되어 있다.

투명 절연 기판(5)은, 터치 패널(2)의 표면(2A) 측으로 향해지는 제1 면(5A)과 터치 패널(2)의 이면(2B) 측으로 향해지는 제2 면(5B)을 갖고, 제1 면(5A) 상에 금속 세선(6A)이 형성되며, 제2 면(5B) 상에 금속 세선(6B)이 형성되어 있다. 도 1에 나타나는 바와 같이, 평탄화 또는 금속 세선(6A) 및 금속 세선(6B)을 보호할 목적으로, 금속 세선(6A) 및 금속 세선(6B)을 덮도록 투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 및 제2 면(5B) 상에, 각각 투명한 보호층(7A 및 7B)이 배치되어 있어도 된다.

도 2에 나타나는 바와 같이, 도전성 부재(1)에는, 투과 영역(S1)이 구획됨과 함께, 투과 영역(S1)의 외측에 주변 영역(S2)이 구획되어 있다.

투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상에는, 금속 세선(6A)에 의하여 구성되어, 각각 제1 방향(D1)을 따라 뻗고 또한 제1 방향(D1)에 직교하는 제2 방향(D2)으로 병렬 배치된 복수의 제1 전극(11)이 형성되며, 투명 절연 기판(5)의 제2 면(5B) 상에는, 금속 세선(6B)에 의하여 구성되어, 각각 제2 방향(D2)을 따라 뻗고 또한 제1 방향(D1)으로 병렬 배치된 복수의 제2 전극(21)이 형성되어 있다. 이와 같이, 복수의 제1 전극(11)과 복수의 제2 전극(21)은, 투명 절연 기판(5)을 통하여 배치되어 있다.

투과 영역(S1) 내에는, 투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상(시인 측)에 형성된 제1 전극(11)과 투명 절연 기판(5)의 제2 면(5B) 상(표시 장치 측)에 형성된 제2 전극(21)이 평면에서 보았을 때에 서로 교차하여 중첩되도록 배치되어 있다.

한편, 주변 영역(S2)에 있어서의 투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상에, 복수의 제1 전극(11)에 접속된 복수의 제1 주변 배선(12)이 형성되어 있다. 투명 절연 기판(5)의 가장자리부에 복수의 제1 외부 접속 단자(13)가 배열 형성되고, 각각의 제1 전극(11)의 단부에 제1 커넥터부(14)가 형성되어 있다. 제1 커넥터부(14)에, 대응하는 제1 주변 배선(12)의 일단부가 접속되고, 제1 주변 배선(12)의 타단부는, 대응하는 제1 외부 접속 단자(13)에 접속되어 있다. 여기에서, 제1 전극(11)에 있어서 제1 주변 배선(12)이 접속되어 있지 않은 타단부에도 제1 커넥터부를 형성해도 된다. 제1 전극(11)의 타단부에 형성된 제1 커넥터부는, 제1 주변 배선(12)을 접속하는 단자로서 사용할 수 있고, 또 제1 전극(11)의 도통(導通) 검사용 단자로서도 사용할 수 있다.

마찬가지로, 주변 영역(S2)에 있어서의 투명 절연 기판(5)의 제2 면(5B) 상에, 복수의 제2 전극(21)에 접속된 복수의 제2 주변 배선(22)이 형성되어 있다. 투명 절연 기판(5)의 가장자리부에 복수의 제2 외부 접속 단자(23)가 배열 형성되고, 각각의 제2 전극(21)의 단부에 제2 커넥터부(24)가 형성되어 있다. 제2 커넥터부(24)에, 대응하는 제2 주변 배선(22)의 일단부가 접속되고, 제2 주변 배선(22)의 타단부는, 대응하는 제2 외부 접속 단자(23)에 접속되어 있다. 여기에서, 제2 전극(21)에 있어서 제2 주변 배선(22)이 접속되어 있지 않은 타단부에도 제2 커넥터부를 형성해도 된다. 제2 전극(21)의 타단부에 형성된 제2 커넥터부는, 제2 주변 배선(22)을 접속하는 단자로서 사용할 수 있고, 또 제2 전극(21)의 도통 검사용 단자로서도 사용할 수 있다.

제1 전극(11)과 제2 전극(21)이 중첩되는 전극 교차부 내의 영역 R0에 있어서의 제1 전극(11)만을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 3에 나타낸다. 전극 교차부 내의 영역 R0이란, 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 직교하는 방향에서 도전성 부재(1)를 보았을 때에, 제1 전극(11)과 제2 전극(21)이 중첩되는 영역이다.

제1 전극(11)은, 도 3에 비교적 굵은 선으로 그려진 제1 검출 전극부(11A)와, 도 3에 비교적 가는 선으로 그려진 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)를 갖고 있다. 제1 검출 전극부(11A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)는, 각각 금속 세선(M1A) 및 금속 세선(M1B)으로 형성되어 있고, 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)는, 제1 검출 전극부(11A)에 전기적으로 접속되어 있지 않으며, 제1 검출 전극부(11A)로부터 절연되도록 배치되어 있다.

제1 검출 전극부(11A)는, 제1 메시 패턴(MP1)을 형성하고 있다. 제1 메시 패턴(MP1)은, 능형의 제1 메시 셀(C1)을 구성 단위로 하고, 복수의 제1 메시 셀(C1)이 전기적으로 접속됨으로써 형성된 제1 메시 피치(PA1)를 갖는 메시 패턴이다. 여기에서, 제1 메시 피치(PA1)는, 제1 방향(D1)에 있어서 서로 인접하는 제1 메시 셀(C1)의 무게중심 간의 제1 방향(D1)에 있어서의 거리 P1의 평균값으로서 정의되는 것으로 한다. 도 3에 나타나는 바와 같이, 제1 메시 패턴(MP1)이, 동일 형상의 제1 메시 셀(C1)에 의하여 구성된 패턴인 경우에, PA1=P1이 된다. 또한, 제1 메시 피치(PA1)는, 제1 검출 전극부(11A)의 기생 용량을 저감시키고, 터치 패널의 감도를 향상시킨다는 관점에서 500μm 이상인 것이 바람직하다.

도 4에 나타나는 바와 같이, 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 셀(C1)의 내부에, 적어도 하나의 제1 더미 단위 패턴(T1B)을 갖는 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)가 배치되어 있다. 제1 더미 단위 패턴(T1B)은, 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)를 형성하는, 교점을 갖지 않는 복수의 금속 세선(M1B)이 서로 떨어져 배치된 패턴으로 이루어지고, 즉 십자상으로 교차하는 금속 세선(M1B)을 포함하지 않는 패턴이다. 또한, 도 3과 같이, 모든 제1 메시 셀(C1)의 내부에, 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)가 배치되어 있는 것이 바람직하다.

도 5에 나타나는 바와 같이, 제1 검출 전극부(11A)를 형성하는 금속 세선(M1A)의 선폭(W1A)과, 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)를 형성하는 금속 세선(M1B)의 선폭(W1B)은, 시인성을 확보하기 위하여, 예를 들면 0.5μm~5μm의 범위 내로 설정되는 것이 바람직하다. 본 명세서에 있어서, "시인성을 확보한다"란, 도전성 부재(1)를 도 1에 나타낸 터치 패널(2)에 사용했을 때에, 육안에 의하여 금속 세선(M1A 및 M1B)의 존재가 눈에 띄지 않고, 도전성 부재(1)를 통하여, 도시하지 않는 표시 장치의 화상을 명료하게 확인할 수 있는 것을 말하는 것으로 한다.

또한, 제1 검출 전극부(11A)를 형성하는 금속 세선(M1A)의 선폭(W1A)과, 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)를 형성하는 금속 세선(M1B)의 선폭(W1B)은, 서로 동일한 값으로 하는 것이 바람직하지만, 서로 달라도 된다.

또, 도 3에 있어서는, 제1 검출 전극부(11A)를 형성하는 금속 세선(M1A)과 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)를 형성하는 금속 세선(M1B)이 서로 교차하는 듯이 보이는 개소인 가짜 교차 개소가, 다수 존재하지만, 도 4 및 도 5에 나타나는 바와 같이, 가짜 교차 개소에 있어서도, 금속 세선(M1A)과 금속 세선(M1B)은, 서로의 절연성을 확보하기 위하여, 제1 갭(G1A)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있고, 서로 접촉하는 일은 없다. 이로 인하여, 제1 검출 전극부(11A)를 형성하는 금속 세선(M1A)과 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)를 형성하는 금속 세선(M1B)은, 투명 절연 기판(5)의 동일면(제1 면(5A)) 상에 형성되어 있지만, 서로 전기적으로 절연된 상태에 있다. 또, 도 4에 나타나는 바와 같이, 제1 전극(11)은, 금속 세선(M1A)과 금속 세선(M1B)이 제1 갭(G1A)보다 큰 제2 갭(G1B)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있는 개소를 갖는다. 또한, 금속 세선(M1A)과 금속 세선(M1B)의 사이의 제1 갭(G1A)은, 예를 들면 0.5μm 이상의 길이를 갖고 있는 것이 바람직하고, 5μm 이상 25μm 이하의 길이를 갖고 있는 것이 보다 바람직하다. 혹은, 제1 갭(G1A)은, 제1 메시 셀(C1)의 한 변의 길이의 1/2000 이상의 길이를 갖고 있는 것이 바람직하고, 1/200~1/40의 길이를 갖고 있는 것이 보다 바람직하다. 여기에서, 제1 갭(G1A)의 길이란, 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)를 형성하는 금속 세선(M1B)을, 금속 세선(M1B)의 단부로부터 직선상으로 연장한 선이 제1 검출 전극부(11A)를 형성하는 금속 세선(M1A)과 교차할 때까지의 거리로서 정의한다. 또, 제2 갭(G1B)은, 100μm 이상의 길이를 갖고 있는 것이 바람직하고, 150μm 이상의 길이를 갖고 있는 것이 보다 바람직하다. 혹은, 제2 갭(G1B)은, 제1 메시 셀(C1)의 한 변의 길이의 1/10 이상의 길이를 갖고 있는 것이 바람직하고, 1/5 이상의 길이를 갖고 있는 것이 보다 바람직하며, 1/4 이상의 길이를 갖고 있는 것이 더 바람직하다. 이와 같이, 제2 갭(G1B)이 150μm 이상의 길이를 가짐으로써, 제1 검출 전극부(11A)와 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)와의 추가적인 절연성을 확보할 수 있어, 도전성 부재(1)를 터치 패널(2)에 이용했을 때의 검출 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 갭(G1B)의 길이도 제1 갭(G1A)의 길이와 동일하게 정의한다.

제1 전극(11)과 제2 전극(21)이 중첩되는 전극 교차부 내의 영역 R0에 있어서의 제2 전극(21)만을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 6에 나타낸다.

제2 전극(21)은, 도 6에 비교적 굵은 파선으로 그려진 제2 검출 전극부(21A)와, 도 6에 비교적 가는 파선으로 그려진 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)를 갖고 있다. 제2 검출 전극부(21A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)는, 각각 금속 세선(M2A) 및 금속 세선(M2B)으로 형성되어 있고, 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)는, 제2 검출 전극부(21A)에 전기적으로 접속되어 있지 않으며, 제2 검출 전극부(21A)로부터 절연되도록 배치되어 있다.

제2 검출 전극부(21A)는, 제2 메시 패턴(MP2)을 형성하고 있다. 제2 메시 패턴(MP2)은, 제1 메시 패턴(MP1)과 동일하게, 능형의 제2 메시 셀(C2)을 구성 단위로 하고, 복수의 능형의 제2 메시 셀(C2)이 전기적으로 접속되어 형성된 제2 메시 피치(PA2)를 갖는 메시 패턴이다. 여기에서, 제2 메시 피치(PA2)는, 제1 방향(D1)에 서로 인접하는 제2 메시 셀(C2)의 무게중심 간의 제1 방향(D1)에 있어서의 거리 P2의 평균값으로서 정의되는 것으로 한다. 도 6에 나타나는 바와 같이, 제2 메시 패턴(MP2)이, 동일 형상의 제2 메시 셀(C2)에 의하여 구성된 패턴인 경우에, PA2=P2가 된다. 또한, 제2 메시 피치(PA2)는, 제2 검출 전극부(21A)의 기생 용량을 저감시키고, 터치 패널의 감도를 향상시킨다는 관점에서 500μm 이상인 것이 바람직하다.

또한, 제2 메시 피치(PA2)는, 제1 메시 피치(PA1)와는 다른 값으로 설정될 수 있지만, 이하에 있어서는, 제2 메시 피치(PA2)는, 제1 메시 피치(PA1)와 동일한 것이, 제1 전극(11)과 제2 전극(12)의 검출 감도를 동일한 정도로 할 수 있어, 터치 패널의 검출 감도를 균일화할 수 있다는 관점에서 바람직하고, 그 형태하, 이후의 설명을 행한다.

도 7에 나타나는 바와 같이, 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 셀(C2) 내에, 제2 더미 단위 패턴(T2B)을 갖는 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)가 배치되어 있다. 제2 더미 단위 패턴(T2B)은, 십자상으로 교차하는 금속 세선(M2B)을 포함하지 않는 패턴이다. 또한, 도 6과 같이, 모든 제2 메시 셀(C2)의 내부에, 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)가 배치되어 있는 것이 바람직하다.

도 8에 나타나는 바와 같이, 제2 검출 전극부(21A)를 형성하는 금속 세선(M2A)의 선폭(W2A)과, 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)를 형성하는 금속 세선(M2B)의 선폭(W2B)은, 시인성을 확보하기 위하여, 예를 들면 0.5μm~5μm의 범위 내로 설정되는 것이 바람직하다.

또한, 제2 검출 전극부(21A)를 형성하는 금속 세선(M2A)의 선폭(W2A)과, 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)를 형성하는 금속 세선(M2B)의 선폭(W2B)은, 서로 동일한 값으로 하는 것이 바람직하지만, 서로 달라도 된다.

또, 도 6에 있어서는, 제2 검출 전극부(21A)를 형성하는 금속 세선(M2A)과 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)를 형성하는 금속 세선(M2B)이 서로 교차하는 듯이 보이는 개소인 가짜 교차 개소가, 다수 존재하지만, 도 7 및 도 8에 나타나는 바와 같이, 가짜 교차 개소에 있어서도, 금속 세선(M2A)과 금속 세선(M2B)은, 서로의 절연성을 확보하기 위하여, 제1 갭(G2A)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있고, 서로 접촉하는 일은 없다. 이로 인하여, 제2 검출 전극부(21A)를 형성하는 금속 세선(M2A)과 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)를 형성하는 금속 세선(M2B)은, 투명 절연 기판(5)의 동일면(제2 면(5B)) 상에 형성되어 있지만, 서로 전기적으로 절연된 상태에 있다. 또, 도 7에 나타나는 바와 같이, 금속 세선(M2A)과 금속 세선(M2B)은, 제1 갭(G2A)보다 큰 제2 갭(G2B)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있는 개소를 갖는다. 또한, 금속 세선(M2A)과 금속 세선(M2B)의 사이의 제1 갭(G2A)은, 예를 들면 0.5μm 이상의 길이를 갖고 있는 것이 바람직하고, 5μm 이상 25μm 이하의 길이를 갖고 있는 것이 보다 바람직하다. 혹은, 제1 갭(G2A)은, 제2 메시 셀(C2)의 한 변의 길이의 1/2000 이상의 길이를 갖고 있는 것이 바람직하고, 1/200~1/40의 길이를 갖고 있는 것이 보다 바람직하다. 여기에서, 제1 갭(G2A)의 길이란, 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)를 형성하는 금속 세선(M2B)을, 금속 세선(M2B)의 단부로부터 직선상으로 연장한 선이 제2 검출 전극부(21A)를 형성하는 금속 세선(M2A)과 교차할 때까지의 거리로서 정의한다. 또, 제2 갭(G2B)은, 100μm 이상의 길이를 갖고 있는 것이 바람직하고, 150μm 이상의 길이를 갖고 있는 것이 보다 바람직하다. 혹은, 제2 갭(G2B)은, 제2 메시 셀(C2)의 한 변의 길이의 1/10 이상의 길이를 갖고 있는 것이 바람직하고, 1/5 이상의 길이를 갖고 있는 것이 보다 바람직하며, 1/4 이상의 길이를 갖고 있는 것이 더 바람직하다. 이와 같이, 제2 갭(G2B)이 150μm 이상의 길이를 가짐으로써, 제2 검출 전극부(21A)와 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)와의 추가적인 절연성을 확보할 수 있어, 도전성 부재(1)를 터치 패널(2)에 사용했을 때의 검출 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 갭(G2B)의 길이도 제1 갭(G2A)의 길이와 동일하게 정의한다.

여기에서, 제2 메시 패턴(MP2)은, 제1 메시 패턴(MP1)에 대하여, 제1 메시 셀(C1)의 무게중심과 제2 메시 셀(C2)의 정점이 중첩되지 않도록, 제1 메시 셀(C1)의 정점과 제2 메시 셀(C2)의 정점이 제1 방향(D1)에 제1 메시 피치(PA1)의 1/4만큼 어긋난 위치에 배치되어 있다. 이로써, 전극 교차부 내의 영역 R0에 있어서, 투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상에 형성된 제1 전극(11)과 투명 절연 기판(5)의 제2 면(5B) 상에 형성된 제2 전극(21)을 시인 측에서 보았을 때에, 도 9에 나타나는 바와 같이, 제1 전극(11)의 제1 검출 전극부(11A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)와 제2 전극(21)의 제2 검출 전극부(21A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)가 서로 조합되어, 능형의 제3 메시 셀(C3)에 의하여 구성된 제3 메시 패턴(MP3)이 형성되어 있다. 구체적으로는, 제1 메시 패턴(MP1)을 형성하는 금속 세선과 제2 메시 패턴(MP2)을 형성하는 금속 세선은, 점상으로 중첩되도록 배치되어 있다. 즉, 제1 메시 패턴(MP1)과 제2 메시 패턴(MP2)은 선상으로는 중첩되지 않는다. 점상으로 중첩되도록 배치함으로써, 전극 교차부에 있어서의 기생 용량을 저하시킬 수 있어, 터치 패널(2)의 검출 감도를 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 메시 패턴(MP2)은, 제1 메시 패턴(MP1)에 대하여, 제1 방향(D1)에 거리 ΔL만큼 어긋난 위치에 배치될 수 있다. 특히, 제1 메시 셀(C1)의 무게중심과 제2 메시 셀(C2)의 정점이 서로 다른 위치가 되도록 배치되는 것이 바람직하다. 이 배치에 의하여, 전극 교차부에 있어서의 기생 용량을 보다 저하시킬 수 있어, 터치 패널의 검출 감도를 향상시킬 수 있다. 또, 도 9에 나타나는 바와 같이, 제2 메시 패턴(MP2)을 형성하는 금속 세선과, 이 금속 세선에 인접하고 또한 제1 메시 패턴(MP1)을 형성하는 금속 세선과의 간격이, 제1 메시 피치(PA1)의 1/4이 되도록, 제1 메시 패턴(MP1)과 제2 메시 패턴(MP2)과의 상대 위치가 설정되어 있는 것이 바람직하다. 이로써, 전극 교차부에 있어서의 기생 용량을 보다 효과적으로 저감시킬 수 있음과 함께 시인성의 향상이 가능하여, 도전성 부재(1)를 이용했을 때의 터치 패널(2)의 검출 감도의 향상과 시인성의 향상이 가능하다.

제3 메시 패턴(MP3)은, 능형의 제3 메시 셀(C3)을 구성 단위로 하고, 제3 메시 피치(PA3)를 갖는 메시 패턴이다. 또한, 제3 메시 셀(C3)은 완전히 닫힌 셀 형상이 아니어도 되고, 셀의 일부에 갭(간격)을 갖는 구조여도 된다. 이 갭의 길이는 0.5~30μm이다.

여기에서, 제3 메시 피치(PA3)는, 제1 방향(D1)에 서로 인접하는 제3 메시 셀(C3)의 무게중심 간의 제1 방향(D1)에 있어서의 거리 P3의 평균값으로서 정의되는 것으로 한다. 제3 메시 피치(PA3)는, 제1 메시 패턴(MP1) 및 제2 메시 패턴(MP2)의 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 메시 피치(PA2)의 1/4의 값을 갖고 있다. 제3 메시 피치(PA3)는, 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 메시 피치(PA2)의 1/4 이하로 할 수 있다. 이 경우에, 제3 메시 피치(PA3)는, 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 메시 피치(PA2)의 1/4, 1/6, 또는 1/8인 것이 바람직하다. 특히 금속 세선의 시인성 및 터치 패널의 검출 감도의 관점에서, 제3 메시 피치(PA3)는, 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 메시 피치(PA2)의 1/4인 것이 바람직하다.

이와 같이, 투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상에 형성된 제1 전극(11)의 제1 검출 전극부(11A)가 제1 메시 패턴(MP1)을 형성하여, 제1 메시 패턴(MP1)을 구성하는 각각의 제1 메시 셀(C1) 내에 제1 검출 전극(11A)과 절연된 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)가 배치되고, 투명 절연 기판(5)의 제2 면(5B) 상에 형성된 제2 전극(21)의 제2 검출 전극부(21A)가 제2 메시 패턴(MP2)을 형성하여, 제2 메시 패턴(MP2)을 구성하는 각각의 제2 메시 셀(C2) 내에 제2 검출 전극부(21A)와 절연된 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)가 배치되며, 제1 전극(11)의 제1 검출 전극부(11A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)와 제2 전극(21)의 제2 검출 전극부(21A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)가 서로 조합되어 제3 메시 셀(C3)에 의하여 구성되는 제3 메시 패턴(MP3)을 형성하고 있다.

이로 인하여, 터치 조작을 검출하기 위하여 사용되는 제1 전극(11)의 제1 검출 전극부(11A)가 형성하는 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 전극(21)의 제2 검출 전극부(21A)가 형성하는 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 피치(PA2)를, 제3 메시 패턴(MP3)의 제3 메시 피치(PA3)에 비하여, 크게 설정할 수 있다. 이 실시형태 1에 있어서는, 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 메시 피치(PA2)는, 제3 메시 피치(PA3)의 4배의 크기를 갖고 있다.

따라서, 시인 측에서 보았을 때에, 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)의 존재가 눈에 띄기 어려워지도록, 서로 인접하는 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)의 간격이 좁혀지고, 또한 터치 패널(2)과 조합하여 도시하지 않는 표시 장치를 사용했을 때에 무아레의 발생이 저감되도록, 제3 메시 셀(C3)의 크기 및 각도를 선택하여 제3 메시 패턴(MP3)을 설계할 수 있기 때문에, 제1 검출 전극부(11A) 및 제2 검출 전극부(21A)의 기생 용량을 작게 억제할 수 있다. 이와 같이, 기생 용량이 작고 검출 감도가 높은 광피치, 예를 들면 500μm 이상의 광피치의 메시 패턴을 가진 검출 전극부를 이용해도, 시인성을 향상시킴과 함께, 터치 패널(2)과 표시 장치를 조합했을 때의 무아레의 발생을 억제할 수 있다.

또한, 도시하지 않지만, 투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상에 병렬 배치된 서로 인접하는 제1 전극(11)의 사이의 영역에, 이들 제1 전극(11)의 제1 검출 전극부(11A)로부터 전기적으로 절연된 더미 전극을 갖고, 투명 절연 기판(5)의 제2 면(5B) 상에 병렬 배치된 서로 인접하는 제2 전극(21)의 사이의 영역에, 이들 제2 전극(21)의 제2 검출 전극부(21A)로부터 전기적으로 절연된 더미 전극을 갖는 구성으로 할 수 있다. 또, 이때에, 제1 전극(11)은, 제1 검출 전극부(11A)와 더미 전극을 절연하기 위한 단선부를 가질 수 있고, 제2 전극(21)은, 제2 검출 전극부(21A)와 더미 전극을 절연하기 위한 단선부를 가질 수 있다.

서로 인접하는 제1 전극(11)의 사이에 위치하는 더미 전극은, 도 3에 나타낸 제1 전극(11)의 제1 검출 전극부(11A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)의 쌍방에 의한 패턴을 갖도록 금속 세선으로 형성된다. 복수의 제2 전극(21)의 사이에 위치하는 더미 전극은, 도 6에 나타낸 제2 전극(21)의 제2 검출 전극부(21A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)의 쌍방에 의한 패턴을 갖도록 금속 세선으로 형성된다.

제1 검출 전극(11A)과 더미 전극을 절연하기 위한 단선부, 및 제2 검출 전극부(21A)와 더미 전극을 절연하기 위한 단선부의 단선폭은, 각각 0.5~30μm인 것이 바람직하다. 또, 더미 전극 내부의 금속 세선에, 추가로 단선 부분을 마련해도 된다. 예를 들면, 더미 전극을 구성하는 메시 셀의 각 변에 각각 1개 이상의 단선 부분을 마련해도 된다.

투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상 및 제2 면(5B) 상에 각각 이와 같은 더미 전극을 형성함으로써, 시인 측에서 보았을 때에, 제1 전극(11)과 제2 전극(21)이 중첩되는 전극 교차부뿐만 아니라, 투과 영역(S1)의 전체 면에 걸쳐 도 9에 나타나는 제3 메시 패턴(MP3)이 형성되게 되어, 제1 전극(11)과 제2 전극(21)의 패턴 보임을 방지할 수 있고, 또한 시인성의 향상 및 무아레 발생의 저감을 실현할 수 있다.

또, 이상에서는, 도 1에 나타내는 투명 절연 기판(5)의 양면에 금속 세선에 의하여 형성되는 제1 전극(11)과 제2 전극(21)이 배치된 구성으로 설명했지만, 이와 같은 구성에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은, 제1 전극(11)과 제2 전극(21)이 투명 절연 부재를 통하여 절연되어 있는 구성이면 되고, 예를 들면 일본 공개특허공보 2016-126731호의 도 11에 나타나는 바와 같이, 2매의 전극 기판이 투명 점착층을 통하여 첩합된 구성으로 해도 되고, 혹은 일본 공개특허공보 2010-097536호의 도 4에 나타나는 바와 같이, 투명 기판 상에 열배선과 행배선을 층간 절연막을 통하여 마련하는 구조여도 된다. 전자의 경우는, 전극 기판과 투명 점착층이 투명 절연 부재를 구성하고, 후자의 경우는, 층간 절연층이 투명 절연 부재에 상당한다.

이하, 도전성 부재(1)를 구성하는 각 부재에 대하여 설명한다.

<투명 절연 기판>

투명 절연 기판(5)은, 투명하고 전기 절연성을 가지며, 제1 전극(11) 및 제2 전극(21)을 지지할 수 있으면, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 투명 절연 기판(5)을 구성하는 재료로서, 예를 들면 유리, 강화 유리, 무알칼리 유리, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET: polyethylene terephthalate), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN: polyethylene naphthalate), 사이클로올레핀 폴리머(COP: cyclo-olefin polymer), 환상 올레핀·코폴리머(COC: cyclic olefin copolymer), 폴리카보네이트(PC: polycarbonate), 아크릴 수지, 폴리에틸렌(PE: polyethylene), 폴리프로필렌(PP: polypropylene), 폴리스타이렌(PS: polystylene), 폴리 염화 바이닐(PVC: polyvinyl chloride), 폴리 염화 바이닐리덴(PVDC: polyvinylidene chloride), 트라이아세틸셀룰로스(TAC: cellulose triacetate) 등을 사용할 수 있다. 투명 절연 기판(5)의 두께는, 예를 들면 20~1000μm이며, 특히 30~100μm가 바람직하다.

투명 절연 기판(5)의 전체 광선 투과율은, 40%~100%인 것이 바람직하다. 전체 광선 투과율은, 예를 들면 JIS K 7375:2008에 규정되는 "플라스틱--전체 광선 투과율 및 전체 광선 반사율을 구하는 법"을 이용하여 측정되는 것이다.

투명 절연 기판(5)의 적합 양태 중 하나로서는, 대기압 플라즈마 처리, 코로나 방전 처리 및 자외선 조사 처리로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 처리가 실시된 처리 완료 기판을 들 수 있다. 상술한 처리가 실시됨으로써, 처리된 투명 절연 기판(5)의 표면에 OH기 등의 친수성기가 도입되어, 제1 전극(11) 및 제2 전극(21)과의 밀착성이 향상된다. 상술한 처리 중에서도, 제1 전극(11) 및 제2 전극(21)과의 밀착성이 보다 향상되는 점에서, 대기압 플라즈마 처리가 바람직하다.

투명 절연 기판(5)의 다른 적합 양태로서는, 제1 전극(11)이 형성되는 제1 면(5A) 및 제2 전극(21)이 형성되는 제2 면(5B) 상에, 고분자를 포함하는 언더코팅층을 갖는 것이 바람직하다. 이 언더코팅층 상에, 제1 전극(11) 및 제2 전극(21)을 형성하기 위한 감광성층이 형성됨으로써, 제1 전극(11)과 제1 면(5A) 및 제2 전극(21)과 제2 면(5B)과의 밀착성이 보다 향상된다.

언더코팅층의 형성 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 고분자를 포함하는 언더코팅층 형성용 조성물을 기판 상에 도포하고, 필요에 따라 가열 처리를 실시하는 방법을 들 수 있다. 언더코팅층 형성용 조성물에는, 필요에 따라, 용매가 포함되어 있어도 된다. 용매의 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 후술하는 감광성층 형성용 조성물에 있어서 사용되는 용매가 예시된다. 또, 고분자를 포함하는 언더코팅층 형성용 조성물로서, 고분자의 미립자를 포함하는 라텍스를 사용해도 된다. 또, 언더코팅층의 굴절률을 조정하여, 언더코팅층을 투명 절연 기판(5)의 반사를 저감시키기 위한 굴절률 조정층으로서도 이용할 수 있다.

언더코팅층의 두께는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 제1 전극(11) 및 제2 전극(21)의 투명 절연 기판(5)과의 밀착성이 보다 우수한 점에 있어서, 0.02~0.3μm가 바람직하고, 0.03~0.2μm가 보다 바람직하다.

또한, 필요에 따라, 도전성 부재(1)는, 투명 절연 기판(5)과 제1 전극(11) 및 제2 전극(21)의 사이에 다른 층으로서, 상술한 언더코팅층 이외에, 예를 들면 안티 헐레이션층을 구비하고 있어도 된다.

<금속 세선>

도 5 및 도 8을 참조하여 상술한 바와 같이, 제1 전극(11)의 제1 검출 전극부(11A)를 형성하는 금속 세선(M1A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)를 형성하는 금속 세선(M1B)과, 제2 전극(21)의 제2 검출 전극부(21A)를 형성하는 금속 세선(M2A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)를 형성하는 금속 세선(M2B)은, 시인성을 확보하기 위하여, 예를 들면 0.5~5μm의 범위 내로 설정된 선폭을 갖는 것이 바람직하다. 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)이, 이와 같은 선폭을 갖고 있으면, 저저항의 제1 검출 전극부(11A) 및 제2 검출 전극부(21A)를 비교적 용이하게 형성할 수 있다.

금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 0.01~200μm가 바람직하고, 30μm 이하인 것이 보다 바람직하며, 20μm 이하인 것이 더 바람직하고, 0.01~9μm인 것이 특히 바람직하며, 0.05~5μm인 것이 가장 바람직하다. 이로써, 제1 검출 전극부(11A) 및 제2 검출 전극부(21A)의 저저항화와, 제1 검출 전극부(11A), 제1 전극 내 더미 패턴부(11B), 제2 검출 전극부(21A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)의 내구성의 향상을 비교적 용이하게 실현할 수 있다.

금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)은, 금속 또는 합금을 형성 재료로 하여, 예를 들면 구리, 알루미늄 또는 은으로 형성할 수 있다. 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)에는, 금속 은이 포함되는 것이 바람직하지만, 금속 은 이외의 금속, 예를 들면 금, 구리 등이 포함되어 있어도 된다. 또, 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)은, 메시 패턴의 형성에 적합한, 금속 은, 및 젤라틴 및 아크릴·스타이렌계 라텍스 등의 고분자 바인더가 함유된 것이 바람직하다. 또, 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)의 재료로서, 구리, 알루미늄, 은, 몰리브데넘 혹은 타이타늄 등의 금속, 또는 이들을 함유하는 합금을 이용하는 것도 바람직하다. 또, 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)은, 이들 금속 재료의 적층 구조를 갖고 있어도 되고, 예를 들면 몰리브데넘/알루미늄/몰리브데넘의 적층 구조의 금속 세선 또는 몰리브데넘/구리/몰리브데넘의 적층 구조의 금속 세선을 사용할 수 있다.

또한, 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)은, 예를 들면 금속 산화물 입자, 은페이스트 및 구리 페이스트 등의 금속 페이스트와 은 나노 와이어 및 구리 나노 와이어 등의 금속 나노 와이어 입자를 포함하는 것이어도 된다.

또, 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)의 시인성을 향상시키기 위하여, 적어도 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)의 시인 측 면에 흑화층을 형성해도 된다. 흑화층으로서는, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산질화물 및 금속 황화물 등이 사용되고, 대표적으로는, 산질화 구리, 질화 구리, 산화 동 및 산화 몰리브데넘 등을 사용할 수 있다.

제1 전극(11)의 제1 검출 전극부(11A)를 형성하는 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 전극(21)의 제2 검출 전극부(21A)를 형성하는 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 피치(PA2)의 크기는, 특별히 제한되지 않지만, 제1 전극(11) 및 제2 전극(21)의 기생 용량을 저감시킬 수 있고 검출 감도를 향상시킬 수 있다는 관점에서, 500μm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 600μm 이상, 더 바람직하게는 800μm 이상이다. 제1 메시 피치(PA1)와 제2 메시 피치(PA2)의 상한값은 제1 전극의 폭과 제2 전극의 폭이며, 바람직하게는 1600μm 이하이다. 상한값을 초과하지 않는 범위이면, 터치 패널로서의 전극의 도통을 충분히 확보할 수 있기 때문에 바람직하다. 또, 제1 전극(11)의 제1 검출 전극부(11A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)와 제2 전극(21)의 제2 검출 전극부(21A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)가 서로 조합되어 형성되는 제3 메시 패턴(MP3)의 제3 메시 피치(PA3)의 크기도, 특별히 제한되지 않지만, 시인성을 고려하여, 50~400μm인 것이 바람직하고, 150~300μm인 것이 더 바람직하다.

제1 메시 패턴(MP1)의 구성 단위가 되는 제1 메시 셀(C1), 제2 메시 패턴(MP2)의 구성 단위가 되는 제2 메시 셀(C2), 및 제3 메시 패턴(MP3)의 구성 단위가 되는 제3 메시 셀(C3)은, 표시 장치와의 무아레를 억제한다는 관점에서 사각형이 바람직하고, 특히 능형이 바람직하다. 이 능형의 예각의 크기는, 예를 들면 20도~88도로 할 수 있다. 또, 이 능형의 예각의 크기는, 바람직하게는 30도~85도이고, 보다 바람직하게는 50도~80도이다. 또한, 제1 메시 셀(C1), 제2 메시 셀(C2) 및 제3 메시 셀(C3)을, 능형 이외의 정육각형, 정삼각형 및 그 외의 다각형으로 할 수도 있다. 제1 메시 패턴(MP1), 제2 메시 패턴(MP2), 및 제3 메시 패턴(MP3)은, 각각 동일 형상의 복수의 제1 메시 셀(C1), 동일 형상의 복수의 제2 메시 셀(C2), 및 동일 형상의 복수의 제3 메시 셀(C3)에 의하여 구성되는 것이, 전극의 메시 패턴의 설계가 용이해져, 바람직하다. 또한, 제1 메시 셀(C1)과 제2 메시 셀(C2)이 동일 형상인 것이, 전극의 메시 패턴의 설계가 더 용이해져, 특히 바람직하다.

또, 도 9에 나타나는 제3 메시 패턴(MP3)은, 다수의 동일 형상의 제3 메시 셀(C3)이 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 각각 반복하여 배열된 정형의 규칙적인 패턴이지만, 이에 한정하는 것은 아니고, 불규칙한 형상의 제3 메시 셀(C3)에 의하여 구성된 불규칙한 패턴으로 해도 된다.

또, 제3 메시 패턴(MP3)은, 제3 메시 패턴(MP3)을 구성하는 복수의 제3 메시 셀(C3)의 변의 길이의 평균값에 대하여, -10%~+10%의 불규칙한 변의 길이를 갖는 다각형상, 특히 사각형상의 제3 메시 셀에 의하여 구성된 불규칙한 패턴이어도 된다. 본 구성에 의하여, 표시 장치와 조합했을 때의 무아레 억제와 컬러 노이즈 저감과의 양립이 가능해진다.

또, 복수의 제3 메시 셀(C3)의 변의 길이의 평균값을 산출할 때에는, 정해진 면적을 갖는 영역 내에 배치되어 있는 복수의 제3 메시 셀(C3)에 대하여 변의 길이의 평균값을 산출할 수 있다. 예를 들면, 10mm×10mm의 영역 내에 배치되어 있는 복수의 제3 메시 셀(C3)에 대하여 변의 길이의 평균값을 산출하는 것이 바람직하다.

제3 메시 패턴(MP3)을 이와 같은 불규칙한 패턴으로 하기 위해서는, 불규칙한 형상을 갖는 복수의 제1 메시 셀(C1)에 의하여 형성된 제1 메시 패턴(MP1) 및 불규칙한 형상을 갖는 복수의 제2 메시 셀(C2)에 의하여 형성된 제2 메시 패턴(MP2)을 이용하여 제3 메시 패턴(MP3)을 형성할 수도 있다. 이 경우에는, 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 피치(PA1)는, 제1 방향에 있어서 서로 인접하는 2개의 제1 메시 셀(C1)의 무게중심 간의 제1 방향에 있어서의 거리의 평균값에 의하여 정의될 수 있다. 또, 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 피치(PA2)도, 제1 방향에 있어서 서로 인접하는 2개의 제2 메시 셀(C2)의 무게중심 간의 제1 방향에 있어서의 거리의 평균값에 의하여 정의될 수 있다.

또, 서로 인접하는 메시 셀의 무게중심 간의 거리의 평균값을 산출할 때에는, 정해진 면적을 갖는 영역 내에 배치되어 있는 복수의 제1 메시 셀(C1) 및 복수의 제2 메시 셀(C2)에 대하여, 서로 인접하는 메시 셀의 무게중심 간의 거리의 평균값을 산출할 수 있다. 예를 들면, 10mm×10mm의 영역 내에 배치되어 있는 복수의 제1 메시 셀(C1) 및 제2 메시 셀(C2)에 대하여 인접하는 메시 셀의 무게중심 간의 거리의 평균값을 산출하는 것이 바람직하다.

또한, 제1 메시 패턴(MP1)의 구성 단위가 되는 제1 메시 셀(C1)과 제2 메시 패턴(MP2)의 구성 단위가 되는 제2 메시 셀(C2)의 크기 또는 형상(각도를 포함함)을, 서로 다르게 함으로써도, 불규칙한 형상을 갖는 복수의 제3 메시 셀(C3)에 의하여 형성된 제3 메시 패턴(MP3)을 구성할 수 있다.

다음으로, 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)의 형성 방법에 대하여 설명한다. 이들 금속 세선의 형성 방법으로서, 예를 들면 도금법, 은염법, 증착법 및 인쇄법 등이 적절히 이용 가능하다.

도금법에 의한 금속 세선의 형성 방법에 대하여 설명한다. 예를 들면, 금속 세선은, 무전해 도금 하지층에 무전해 도금을 실시함으로써 하지층 상에 형성되는 금속 도금막을 이용하여 구성할 수 있다. 이 경우, 금속 세선은, 적어도 금속 미립자를 함유하는 촉매 잉크를 기재 상에 패턴상으로 형성한 후에, 기재를 무전해 도금욕에 침지하고, 금속 도금막을 형성함으로써 형성된다. 보다 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2014-159620호에 기재된 금속 피막 기재의 제조 방법을 이용할 수 있다. 또, 금속 세선은, 적어도 금속 촉매 전구체와 상호 작용할 수 있는 관능기를 갖는 수지 조성물을 기재 상에 패턴상으로 형성한 후, 촉매 또는 촉매 전구체를 부여하여, 기재를 무전해 도금욕에 침지하고, 금속 도금막을 형성함으로써 형성된다. 보다 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2012-144761호에 기재된 금속 피막 기재의 제조 방법을 응용할 수 있다.

은염법에 의한 금속 세선의 형성 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 할로젠화 은이 포함되는 은염 유제층에, 금속 세선이 되는 노광 패턴을 이용하여 노광 처리를 실시하고, 그 후 현상 처리를 행함으로써, 금속 세선을 형성할 수 있다. 보다 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2012-006377호, 일본 공개특허공보 2014-112512호, 일본 공개특허공보 2014-209332호, 일본 공개특허공보 2015-022397호, 일본 공개특허공보 2016-192200호 및 국제 공개공보 제2016/157585호에 기재된 금속 세선의 제조 방법을 이용할 수 있다.

증착법에 의한 금속 세선의 형성 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 증착에 의하여, 구리박층을 형성하고, 포토리소그래피법에 의하여 구리박층으로부터 구리 배선을 형성함으로써, 금속 세선을 형성할 수 있다. 구리박층은, 증착 구리박 이외에도, 전해 구리박이 이용 가능하다. 보다 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2014-029614호에 기재된 구리 배선을 형성하는 공정을 이용할 수 있다.

인쇄법에 의한 금속 세선의 형성 방법에 대하여 설명한다. 먼저, 도전성 분말을 함유하는 도전성 페이스트를 금속 세선과 동일한 패턴이 되도록 기판에 도포하고, 그 후, 가열 처리를 실시함으로써 금속 세선을 형성할 수 있다. 도전성 페이스트를 이용한 패턴 형성은, 예를 들면 잉크젯법 또는 스크린 인쇄법을 이용할 수 있다. 도전성 페이스트로서는, 보다 구체적으로는, 일본 공개특허공보 2011-028985호에 기재된 도전성 페이스트를 이용할 수 있다.

<보호층>

투명한 보호층(7A 및 7B)으로서는, 젤라틴, 아크릴 수지, 유레테인 수지 등의 유기막, 및 이산화 실리콘 등의 무기막을 사용할 수 있고, 막두께는, 10nm 이상 100nm 이하인 것이 바람직하다.

또 필요에 따라, 보호층 상에 투명 코트층을 형성해도 된다. 투명 코트층으로서는, 아크릴 수지, 유레테인 수지 등의 유기막이 사용되고, 막두께는 1μm 이상 100μm 이하가 바람직하다.

또, 터치 패널(2)을 구성하는 커버 패널(3)의 재질로서는, 강화 유리, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리메타크릴산 메틸 수지(PMMA: polymethyl methacrylate) 등을 사용할 수 있고, 커버 패널(3)의 두께는 0.1~1.5mm가 바람직하다. 또, 커버 패널(3)에는, 주변 영역(S2)을 차광하는 가식층(加飾層)을 형성해도 된다.

또한, 커버 패널(3)에 도전성 부재(1)를 접합하기 위한 투명한 접착제(4)로서는, 광학 투명 점착 시트(OCA: Optical Clear Adhesive) 또는 광학 투명 점착 수지(OCR: Optical Clear Resin)를 사용할 수 있고, 바람직한 막두께는, 10μm 이상 200μm 이하이다. 광학 투명 점착 시트로서는, 예를 들면 3M사제의 8146 시리즈의 사용이 가능하다.

<주변 배선 절연막>

도 2에 나타내는 제1 주변 배선(12), 제2 주변 배선(22) 상에, 주변 배선 간의 쇼트 및 주변 배선의 부식을 방지할 목적으로, 주변 배선 절연막을 형성해도 된다. 주변 배선 절연막으로서는, 아크릴 수지, 유레테인 수지 등의 유기막이 사용되고, 막두께는 1μm 이상 30μm 이하가 바람직하다. 주변 배선 절연막은, 제1 주변 배선(12), 제2 주변 배선(22) 중 어느 한쪽에만 형성해도 된다.

실시형태 2

상술한 실시형태 1에 있어서는, 제1 검출 전극부(11A)에 의하여 형성되는 제1 메시 패턴(MP1)의 각 메시의 내부에, 도 4에 나타나는 바와 같은 제1 더미 단위 패턴(T1B)을 갖는 제1 전극 내 더미 패턴부(11B)가 배치되고, 제2 검출 전극부(21A)에 의하여 형성되는 제2 메시 패턴(MP2)의 각 메시의 내부에, 도 7에 나타나는 바와 같은 제2 더미 단위 패턴(T2B)을 갖는 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)가 배치되어 있었지만, 제1 더미 단위 패턴(T1B) 및 제2 더미 단위 패턴(T2B)은, 도 4 및 도 7에 나타내는 것에 한정되지 않는다.

실시형태 2에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극(31)만을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 10에 나타낸다. 제1 전극(31)은, 도 1에 나타나는 투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상에 형성된 것이다.

제1 전극(31)은, 도 10에 비교적 굵은 선으로 그려진 제1 검출 전극부(31A)와, 도 10에 비교적 가는 선으로 그려진 제1 전극 내 더미 패턴부(31B)를 갖고 있다. 제1 검출 전극부(31A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(31B)는, 각각 금속 세선(M1A) 및 금속 세선(M1B)으로 형성되어 있고, 제1 전극 내 더미 패턴부(31B)는, 제1 검출 전극부(31A)에 전기적으로 접속되어 있지 않으며, 제1 검출 전극부(31A)로부터 절연되도록 배치되어 있다.

제1 검출 전극부(31A)는, 실시형태 1에 있어서의 제1 검출 전극부(11A)와 동일하게, 능형의 제1 메시 셀(C1)을 구성 단위로 하여, 복수의 제1 메시 셀(C1)이 전기적으로 접속된 제1 메시 피치(PA1)를 갖는 제1 메시 패턴(MP1)을 형성하고 있다.

그리고, 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 셀(C1)의 내부에, 도 11에 나타나는 바와 같은 적어도 하나의 제3 더미 단위 패턴(T3B)을 갖는 제1 전극 내 더미 패턴부(31B)가 배치되어 있다. 또, 제1 전극 내 더미 패턴부(31B)를 구성하는 금속 세선(M1B)과 제1 메시 셀(C1)을 구성하는 금속 세선(M1A)은, 제1 갭(G1A) 및 제1 갭(G1A)보다 큰 제2 갭(G1B)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있다.

또, 실시형태 2에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제2 전극(41)만을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 12에 나타낸다. 제2 전극(41)은, 도 1에 나타나는 투명 절연 기판(5)의 제2 면(5B) 상에 형성된 것이다.

제2 전극(41)은, 도 12에 비교적 굵은 파선으로 그려진 제2 검출 전극부(41A)와, 도 12에 비교적 가는 파선으로 그려진 제2 전극 내 더미 패턴부(41B)를 갖고 있다. 제2 검출 전극부(41A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(41B)는, 각각 금속 세선(M2A) 및 금속 세선(M2B)으로 형성되어 있고, 제2 전극 내 더미 패턴부(41B)는, 제2 검출 전극부(41A)에 전기적으로 접속되어 있지 않으며, 제2 검출 전극부(41A)로부터 절연되도록 배치되어 있다.

제2 검출 전극부(41A)는, 제1 메시 패턴(MP1)과 동일하게, 능형의 제2 메시 셀(C2)을 구성 단위로 하고 또한 제2 메시 피치(PA2)를 갖는 제2 메시 패턴(MP2)을 형성하고 있다.

그리고, 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 셀(C2)의 내부에, 도 13에 나타나는 바와 같은 제4 더미 단위 패턴(T4B)을 갖는 제2 전극 내 더미 패턴부(41B)가 배치되어 있다. 또, 제2 전극 내 더미 패턴부(41B)를 구성하는 금속 세선(M2B)과 제2 메시 셀(C2)을 구성하는 금속 세선(M2A)은 제1 갭(G2A) 및 제1 갭(G2A)보다 큰 제2 갭(G2B)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있다.

또한, 이 실시형태 2에 있어서 이용되는 제3 더미 단위 패턴(T3B) 및 제4 더미 단위 패턴(T4B)은, 도 4 및 도 7에 나타낸 실시형태 1에 있어서의 제1 더미 단위 패턴(T1B) 및 제2 더미 단위 패턴(T2B)과 다른 패턴 형상을 갖고 있다. 제3 더미 단위 패턴(T3B)은, 제1 전극 내 더미 패턴부(31B)를 형성하는 금속 세선(M1B)이 십자상으로 교차하는 일이 없는 패턴이지만, 제4 더미 단위 패턴(T4B)은, 제2 전극 내 더미 패턴부(41B)를 형성하는 금속 세선(M2B)이 십자상으로 교차하는 점을 갖고 있다.

이 실시형태 2에 있어서도, 실시형태 1과 동일하게, 제2 메시 패턴(MP2)은, 제1 메시 패턴(MP1)에 대하여, 제1 메시 셀(C1)의 무게중심과 제2 메시 셀(C2)의 정점이 중첩되지 않도록, 제1 메시 피치(PA1)의 1/4만큼 어긋난 위치에 배치되어 있다. 이로써, 전극 교차부 내의 영역 R0에 있어서, 제1 전극(31)과 제2 전극(41)을 시인 측에서 보았을 때에, 도 14에 나타나는 바와 같이, 제1 전극(31)의 제1 검출 전극부(31A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(31B)와 제2 전극(41)의 제2 검출 전극부(41A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(41B)가 서로 조합되어, 실시형태 1과 동일하게, 능형의 제3 메시 셀(C3)에 의하여 구성된 제3 메시 패턴(MP3)이 형성되어 있다. 제2 메시 피치(PA2)는, 제1 메시 패턴(MP1) 및 제2 메시 패턴(MP2)의 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 메시 피치(PA2)의 1/4의 값을 갖고 있다.

이와 같이, 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 셀(C1)의 내부에, 도 11에 나타나는 제3 더미 단위 패턴(T3B)을 갖는 제1 전극 내 더미 패턴부(31B)가 배치되고, 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 셀(C2)의 내부에, 도 13에 나타나는 제4 더미 단위 패턴(T4B)을 갖는 제2 전극 내 더미 패턴부(41B)가 배치되어 있어도, 제3 메시 피치(PA3)를 갖는 제3 메시 패턴(MP3)을 형성할 수 있다.

이로 인하여, 터치 조작을 검출하기 위하여 사용되는 제1 전극(31)의 제1 검출 전극부(31A)가 형성하는 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 전극(41)의 제2 검출 전극부(41A)가 형성하는 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 피치(PA2)를, 제3 메시 패턴(MP3)의 제3 메시 피치(PA2)의 4배의 크기로 설정할 수 있다.

따라서, 실시형태 1과 동일하게, 시인 측에서 보았을 때에, 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)의 존재가 눈에 띄기 어렵고, 또한 터치 패널(2)과 조합하여 표시 장치를 사용했을 때에 무아레의 발생을 저감시키도록, 제3 메시 셀(C3)의 크기 및 각도를 선택하여 제3 메시 패턴(MP3)을 설계할 수 있기 때문에, 제1 검출 전극부(31A) 및 제2 검출 전극부(41A)의 기생 용량을 작게 억제할 수 있으며, 기생 용량이 작고 검출 감도가 높은 광피치의 큰 메시 패턴을 갖는 검출 전극부를 이용해도, 시인성을 향상시킬 수 있음과 함께, 터치 패널(2)과 표시 장치를 조합하여 사용했을 때에 무아레의 발생을 억제할 수 있다.

실시형태 3

실시형태 3에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극(51)만을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 15에 나타낸다. 제1 전극(51)은, 도 1에 나타나는 투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상에 형성된 것이다.

제1 전극(51)은, 도 15에 비교적 굵은 선으로 그려진 제1 검출 전극부(51A)와, 도 15에 비교적 가는 선으로 그려진 제1 전극 내 더미 패턴부(51B)를 갖고 있다. 제1 검출 전극부(51A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(51B)는, 각각 금속 세선(M1A) 및 금속 세선(M1B)으로 형성되어 있고, 제1 전극 내 더미 패턴부(51B)는, 제1 검출 전극부(51A)에 전기적으로 접속되어 있지 않으며, 제1 검출 전극부(51A)로부터 절연되도록 배치되어 있다.

제1 검출 전극부(51A)는, 실시형태 1에 있어서의 제1 검출 전극부(11A)와 동일하게, 능형의 제1 메시 셀(C1)을 구성 단위로 하여, 복수의 제1 메시 셀(C1)이 전기적으로 접속됨으로써 제1 메시 피치(PA1)를 갖는 제1 메시 패턴(MP1)을 형성하고 있다.

그리고, 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 셀(C1)의 내부에, 도 16에 나타나는 바와 같은 제5 더미 단위 패턴(T5B)을 갖는 제1 전극 내 더미 패턴부(51B)가 배치되어 있다. 또, 제1 전극 내 더미 패턴부(51B)를 구성하는 금속 세선(M1B)은, 제1 메시 셀(C1)을 구성하는 금속 세선(M1A)과는 제1 갭(G1A)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있다.

또, 실시형태 3에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제2 전극(61)만을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 17에 나타낸다. 제2 전극(61)은, 도 1에 나타나는 투명 절연 기판(5)의 제2 면(5B) 상에 형성된 것이다.

제2 전극(61)은, 도 17에 비교적 굵은 파선으로 그려진 제2 검출 전극부(61A)와, 도 17에 비교적 가는 파선으로 그려진 제2 전극 내 더미 패턴부(61B)를 갖고 있다. 제2 검출 전극부(61A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(61B)는, 각각 금속 세선(M2A) 및 금속 세선(M2B)으로 형성되어 있고, 제2 전극 내 더미 패턴부(61B)는, 제2 검출 전극부(61A)에 전기적으로 접속되어 있지 않으며, 제2 검출 전극부(61A)로부터 절연되도록 배치되어 있다.

제2 검출 전극부(61A)는, 제1 메시 패턴(MP1)과 동일하게, 능형의 제2 메시 셀(C2)을 구성 단위로 하여, 복수의 제2 메시 셀(C2)이 전기적으로 접속됨으로써 제2 메시 피치(PA2)를 갖는 제2 메시 패턴(MP2)을 형성하고 있다.

그리고, 제2 메시 패턴(MP2)의 각 메시의 내부에, 도 18에 나타나는 바와 같은 제6 더미 단위 패턴(T6B)을 갖는 제2 전극 내 더미 패턴부(61B)가 배치되어 있다. 또, 제2 전극 내 더미 패턴부(61B)를 구성하는 금속 세선(M2B)은, 제2 메시 셀(C2)을 구성하는 금속 세선(M2A)과는 제1 갭(G2A)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있다.

또한, 이 실시형태 3에 있어서 이용되는 제5 더미 단위 패턴(T5B) 및 제6 더미 단위 패턴(T6B)은, 도 4 및 도 7에 나타낸 실시형태 1에 있어서의 제1 더미 단위 패턴(T1B) 및 제2 더미 단위 패턴(T2B)과 다른 패턴 형상을 갖고 있다. 제5 더미 단위 패턴(T5B) 및 제6 더미 단위 패턴(T6B)은, 서로 동일한 형상을 갖고 있고, 제1 전극 내 더미 패턴부(51B)를 형성하는 금속 세선(M1B) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(61B)를 형성하는 금속 세선(M2B)은, 각각 십자상으로 교차하는 점을 갖고 있다.

이 실시형태 3에 있어서도, 실시형태 1과 동일하게, 제2 메시 패턴(MP2)은, 제1 메시 패턴(MP1)에 대하여, 제1 메시 피치(PA1)의 1/4만큼 어긋난 위치에 배치되어 있다. 이로써, 전극 교차부 내의 영역 R0에 있어서, 제1 전극(51)과 제2 전극(61)을 시인 측에서 보았을 때에, 도 19에 나타나는 바와 같이, 제1 전극(51)의 제1 검출 전극부(51A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(51B)와 제2 전극(61)의 제2 검출 전극부(61A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(61B)가 서로 조합되어, 실시형태 1과 동일하게, 능형의 제3 메시 셀(C3)을 구성 단위로 하고 또한 제3 메시 피치(PA3)를 갖는 제3 메시 패턴(MP3)이 형성되어 있다. 제3 메시 피치(PA3)는, 제1 메시 패턴(MP1) 및 제2 메시 패턴(MP2)의 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 메시 피치(PA2)의 1/4의 값을 갖고 있다.

이와 같이, 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 셀(C1)의 내부에, 도 16에 나타나는 제5 더미 단위 패턴(T5B)을 갖는 제1 전극 내 더미 패턴부(51B)가 배치되고, 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 셀(C2)의 내부에, 도 18에 나타나는 제6 더미 단위 패턴(T6B)을 갖는 제2 전극 내 더미 패턴부(61B)가 배치되어 있어도, 제3 메시 피치(PA3)를 갖는 제3 메시 패턴(MP3)을 형성할 수 있다.

이로 인하여, 터치 조작을 검출하기 위하여 사용되는 제1 전극(51)의 제1 검출 전극부(51A)가 형성하는 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 전극(61)의 제2 검출 전극부(61A)가 형성하는 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 피치(PA2)를, 제3 메시 패턴(MP3)의 제3 메시 피치(PA3)의 4배의 크기로 설정할 수 있다.

따라서, 실시형태 1과 동일하게, 시인 측에서 보았을 때에, 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)의 존재가 눈에 띄기 어렵고, 또한 터치 패널(2)과 조합하여 표시 장치를 사용했을 때에 무아레의 발생을 저감시키도록, 제3 메시 셀(C3)의 크기 및 각도를 선택하여 제3 메시 패턴(MP3)을 설계할 수 있기 때문에, 제1 검출 전극부(51A) 및 제2 검출 전극부(61A)의 기생 용량을 작게 억제할 수 있으며, 기생 용량이 작고 검출 감도가 높은 광피치의 큰 메시 패턴을 갖는 검출 전극부를 이용해도, 시인성을 향상시킴과 함께, 터치 패널(2)과 표시 장치를 조합하여 사용했을 때에 무아레의 발생을 억제할 수 있다.

실시형태 4

실시형태 4에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극(71) 및 제1 더미 전극(72)을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 20에 나타낸다. 제1 전극(71) 및 제1 더미 전극(72)은, 도 1에 나타나는 투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상에 형성된 것이다.

또, 제1 전극(71)은, 제1 방향(D1)을 따라 형성된 영역 R1A에 배치되고, 제1 더미 전극(72)은, 영역 R1A에 인접하는 영역 R1B에 배치되어 있다. 즉, 제1 더미 전극(72)은 인접하는 제1 전극(71) 간에 배치되어 있다. 이 제1 전극(71)과 제1 더미 전극(72)은, 서로 절연되도록 배치되어 있다.

제1 전극(71)은, 도 20에 비교적 굵은 선으로 그려진 제1 검출 전극부(71A)와, 도 20에 비교적 가는 선으로 그려진 제1 전극 내 더미 패턴부(71B)를 갖고 있다. 제1 검출 전극부(71A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(71B)는, 각각 금속 세선(M1A) 및 금속 세선(M1B)으로 형성되어 있고, 제1 전극 내 더미 패턴부(71B)는, 제1 검출 전극부(71A)에 전기적으로 접속되어 있지 않으며, 제1 검출 전극부(71A)로부터 절연되도록 배치되어 있다.

또, 제1 더미 전극(72)은, 제1 전극(71)이 갖는 패턴과 동일한 패턴을 갖고 있지만, 플로팅된 전극이며, 터치 패널(2)에 있어서 센서로서 기능하지 않는다.

제1 검출 전극부(71A)는, 실시형태 1에 있어서의 제1 검출 전극부(11A)와 동일하게, 능형의 제1 메시 셀(C1)을 구성 단위로 하여, 복수의 제1 메시 셀(C1)이 전기적으로 접속됨으로써 제1 메시 피치(PA1)를 갖는 제1 메시 패턴(MP1)을 형성하고 있다.

그리고, 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 셀(C1)의 내부에, 제7 더미 단위 패턴(T7B)을 갖는 제1 전극 내 더미 패턴부(71B)가 배치되어 있다. 또, 제1 전극 내 더미 패턴부(71B)를 구성하는 금속 세선(M1B)은, 제1 메시 셀(C1)을 구성하는 금속 세선(M1A)과는 제1 갭(G1A)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있다. 또, 제1 전극(71)은, 금속 세선(M1A)과 금속 세선(M1B)이 제1 갭(G1A)보다 큰 제2 갭(G1B)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있는 개소를 갖는다.

또, 실시형태 4에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제2 전극(81) 및 제2 더미 전극(82)을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 21에 나타낸다. 제2 전극(81) 및 제2 더미 전극(82)은, 도 1에 나타나는 투명 절연 기판(5)의 제2 면(5B) 상에 형성된 것이다. 또, 제2 전극(81)은, 제2 방향(D2)을 따라 형성된 영역 R2A에 배치되고, 제2 더미 전극(82)은, 영역 R2A와 인접하는 영역 R2B에 배치되어 있다. 즉, 제2 더미 전극(82)은 인접하는 제2 전극(81) 간에 배치되어 있다. 이 제2 전극(81)과 제2 더미 전극(82)은, 서로 절연되도록 배치되어 있다.

제2 전극(81)은, 도 21에 비교적 굵은 파선으로 그려진 제2 검출 전극부(81A)와, 도 21에 비교적 가는 파선으로 그려진 제2 전극 내 더미 패턴부(81B)를 갖고 있다. 제2 검출 전극부(81A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(81B)는, 각각 금속 세선(M2A) 및 금속 세선(M2B)으로 형성되어 있고, 제2 전극 내 더미 패턴부(81B)는, 제2 검출 전극부(81A)에 전기적으로 접속되어 있지 않으며, 제2 검출 전극부(81A)로부터 절연되도록 배치되어 있다.

또, 제2 더미 전극(82)은, 제2 전극(81)과 동일한 구성을 갖고 있지만, 플로팅된 전극이며, 터치 패널(2)에 있어서 센서로서 기능하지 않는다.

제2 검출 전극부(81A)는, 제1 메시 패턴(MP1)과 동일하게, 능형의 제2 메시 셀(C2)을 구성 단위로 하여, 복수의 제2 메시 셀(C2)이 전기적으로 접속됨으로써 제2 메시 피치(PA2)를 갖는 제2 메시 패턴(MP2)을 형성하고 있다.

그리고, 제2 메시 패턴(MP2)의 각 메시의 내부에, 제8 더미 단위 패턴(T8B)을 갖는 제2 전극 내 더미 패턴부(81B)가 배치되어 있다. 또, 제2 전극 내 더미 패턴부(81B)를 구성하는 금속 세선(M2B)은, 제2 메시 셀(C2)을 구성하는 금속 세선(M2A)과는 제1 갭(G2A)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있다. 또, 제2 전극(81)은, 금속 세선(M2A)과 금속 세선(M2B)이 제1 갭(G2A)보다 큰 제2 갭(G2B)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있는 개소를 갖는다.

이 실시형태 4에 있어서 이용되는 제7 더미 단위 패턴(T7B)은, 도 4에 나타낸 실시형태 1에 있어서의 제1 더미 단위 패턴(T1B)과는 다른 패턴 형상을 갖고 있다. 도 20에 나타나는 바와 같이, 제7 더미 단위 패턴(T7B)은, 금속 세선(M1B)이 십자상으로 교차하는 금속 세선을 포함하지 않고, 전혀 교차하는 일이 없는 패턴이며, 또 금속 세선(M1B)이 단선되는 단선부(B1)를 갖는다. 단선부(B1)의 길이는 0.5μm 이상 30μm 이하이며, 바람직하게는 5μm 이상 20μm 이하이다.

또, 제1 메시 셀(C1)에, 제1 전극 내 더미 패턴부(71B)를 형성하는 금속 세선(M1B)의 단부와 맞닿도록 제1 메시 셀(C1)의 한 변으로부터 돌출되는 돌기부(J1)가 형성되어 있다. 금속 세선(M1B)의 단부와 돌기부(J1)의 단부는, 서로 제1 갭(G1A)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있다. 또, 제1 전극(71)은, 금속 세선(M1A)과 금속 세선(M1B)이 제1 갭(G1A)보다 큰 제2 갭(G1B)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있는 개소를 갖는다. 돌기부(J1)의 길이는, 전극의 기생 용량을 저하시킨다는 관점에서, 50μm 이하가 바람직하고, 특히 10μm 이상 30μm 이하가 바람직하다. 혹은, 돌기부(J1)의 길이는, 제1 메시 셀(C1)의 한 변의 길이의 1/10 이하가 바람직하고, 1/100~1/20의 길이를 갖고 있는 것이 보다 바람직하다.

또, 이 실시형태 4에 있어서 이용되는 제8 더미 단위 패턴(T8B)은, 제7 더미 단위 패턴(T7B)과 동일하게, 금속 세선(M2B)이 십자상으로 교차하는 금속 세선을 포함하지 않고, 전혀 교차하는 일이 없는 패턴이며, 금속 세선(M2B)이 단선되는 단선부(B2)를 갖는다. 단선부(B2)의 길이는 0.5μm 이상 30μm 이하이며, 바람직하게는 5μm 이상 20μm 이하이다.

또, 제2 메시 셀(C2)에, 제2 전극 내 더미 패턴부(81B)를 형성하는 금속 세선(M2B)의 단부와 맞닿도록 제2 메시 셀(C2)의 한 변으로부터 돌출되는 돌기부(J2)가 형성되어 있다. 금속 세선(M2B)의 단부와 돌기부(J2)의 단부는, 서로 제1 갭(G2A)을 사이에 두고 떨어져 있고 떨어져 있다. 돌기부(J2)의 길이는, 전극의 기생 용량을 저하시킨다는 관점에서, 50μm 이하가 바람직하고, 특히 10μm 이상 30μm 이하가 바람직하다. 혹은, 돌기부(J2)의 길이는, 제2 메시 셀(C2)의 한 변의 길이의 1/10 이하가 바람직하고, 1/100~1/20의 길이를 갖고 있는 것이 보다 바람직하다.

이 실시형태 4에 있어서도, 실시형태 1과 동일하게, 제2 메시 패턴(MP2)은, 제1 메시 패턴(MP1)에 대하여, 제1 메시 피치(PA1)의 1/4만큼 어긋난 위치에 배치되어 있다. 이로써, 전극 교차부 내에 있어서, 제1 전극(71)과 제2 전극(81)을 시인 측에서 보았을 때에, 도 22에 나타나는 바와 같이, 제1 전극(71)의 제1 검출 전극부(71A) 및 제1 전극 내 더미 패턴부(71B)와 제2 전극(81)의 제2 검출 전극부(81A) 및 제2 전극 내 더미 패턴부(81B)가 서로 조합되어, 실시형태 1과 동일하게, 능형의 제3 메시 셀(C3)을 구성 단위로 하고 또한 제3 메시 피치(PA3)를 갖는 제3 메시 패턴(MP3)이 형성되어 있다. 제3 메시 피치(PA3)는, 제1 메시 패턴(MP1) 및 제2 메시 패턴(MP2)의 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 메시 피치(PA2)의 1/4의 값을 갖고 있다.

이와 같이, 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 셀(C1)의 내부에, 도 20에 나타나는 제7 더미 단위 패턴(T7B)을 갖는 제1 전극 내 더미 패턴부(71B)가 배치되고, 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 셀(C2)의 내부에, 도 21에 나타나는 제8 더미 단위 패턴(T8B)을 갖는 제2 전극 내 더미 패턴부(81B)가 배치되어 있어도, 제3 메시 피치(PA3)를 갖는 제3 메시 패턴(MP3)을 형성할 수 있다.

이로 인하여, 터치 조작을 검출하기 위하여 사용되는 제1 전극(71)의 제1 검출 전극부(71A)가 형성하는 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 전극(81)의 제2 검출 전극부(81A)가 형성하는 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 피치(PA2)를, 제3 메시 패턴(MP3)의 제3 메시 피치(PA3)의 4배의 크기로 설정할 수 있다.

따라서, 실시형태 1과 동일하게, 시인 측에서 보았을 때에, 금속 세선(M1A, M1B, M2A 및 M2B)의 존재가 눈에 띄기 어렵고, 또한 터치 패널(2)과 조합하여 표시 장치를 사용했을 때에 무아레의 발생을 저감시키도록, 제3 메시 셀(C3)의 크기 및 각도를 선택하여 제3 메시 패턴(MP3)을 설계할 수 있기 때문에, 제1 검출 전극부(71A) 및 제2 검출 전극부(81A)의 기생 용량을 작게 억제할 수 있으며, 기생 용량이 작고 검출 감도가 높은 광피치의 큰 메시 패턴을 갖는 검출 전극부를 이용해도, 시인성을 향상시킴과 함께, 터치 패널(2)과 표시 장치를 조합하여 사용했을 때에 무아레의 발생을 억제할 수 있다.

본 발명은, 기본적으로 이상과 같이 구성되는 것이다. 이상, 본 발명의 도전성 부재 및 터치 패널에 대하여 상세히 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시형태에 한정되지 않고, 본 발명의 주지를 벗어나지 않는 범위에 있어서, 다양한 개량 또는 변경을 해도 되는 것은 물론이다.

실시예

이하에 실시예에 근거하여 본 발명을 더 상세히 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 절차 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한 적절히 변경할 수 있고, 본 발명의 범위는, 이하의 실시예에 의하여 한정적으로 해석되어야 하는 것은 아니다.

<터치 패널의 제작>

노광 패턴이 다른 각종 포토마스크를 준비하고, 투명 절연 기판의 양면 상에 금속 세선으로 구성된 제1 전극 및 제2 전극을 각각 형성하여 도전성 부재를 제작했다. 또한, 투명 절연 기판으로서, 두께 38μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 이용하여, 금속 세선을 은선에 의하여 형성했다.

또한, 제작된 도전성 부재를, 3M사제 8146-4(제품 번호)의 두께 75μm의 광학 투명 점착 시트를 이용하여, 커버 패널로서의 두께 1.1mm의 강화 유리에 접합함으로써, 도 1에 나타나는 구조의 터치 패널을 제작했다.

<터치 감도 평가>

제작한 터치 패널에 대하여, 선단 부분의 외경이 1.0mm인 터치 펜의 선단 부분을 접촉시켜, 터치 패널의 감도 평가를 행했다. 이때에, 터치 패널의 표면과 터치 펜의 선단 부분과의 접촉 위치에 대한 위치 검출 정밀도에 의하여, 하기와 같이 A~C의 평가 기준을 정했다. 평가가 A 또는 B이면, 실용상의 문제가 없는 검출 정밀도인 것으로 했다.

A: 위치 검출 정밀도가 1.0mm 미만이며, 정확한 위치 검출을 할 수 있다.

B: 위치 검출 정밀도가 1.0mm 이상 2.0mm 미만이며, 실용상의 문제가 없다.

C: 위치 검출 정밀도가 2.0mm 이상이며, 정확한 위치 검출을 할 수 없다.

<시인성 평가>

제작한 터치 패널을, 터치 패널의 표면으로부터 5cm 떨어진 위치에 있어서, 10인의 관찰자의 육안에 의하여 관찰하고, 금속 세선이 시인되는지 여부를 평가했다. 시인성에 대하여, 하기와 같이 A~C의 평가 기준을 정하고, 10인의 관찰자의 평가 결과 중 가장 많은 평가 결과를, 터치 패널에 대한 최종적인 평가 결과로 했다. 평가가 A 또는 B이면, 실용상의 문제가 없는 시인성인 것으로 했다.

A: 금속 세선이 전혀 시인되지 않는다.

B: 금속 세선이 다소 시인되지만, 실용상의 문제가 없다.

C: 금속 세선이 분명하게 시인된다.

<무아레 평가>

제작한 터치 패널을 액정 표시 모듈 상에 배치하고 또한 액정 표시 모듈에 전체면 가장자리의 화상 표시를 행하게 한 상태에 있어서 표시된 화상을, 10인의 관찰자의 육안에 의하여 관찰하고, 표시된 화상 상에 발생한 무아레가 시인되는지 여부를 평가했다. 무아레의 발생에 대하여, 하기와 같이 A~C의 평가 기준을 정하고, 10인의 관찰자의 평가 결과 중 가장 많은 평가 결과를, 터치 패널에 대한 최종적인 평가 결과로 했다. 평가가 A 또는 B이면, 실용상의 문제가 없다고 했다.

A: 무아레가 시인되지 않는다.

B: 무아레가 다소 시인되지만, 실용상의 문제가 없다.

C: 무아레가 눈에 띈다.

여기에서, 도전성 부재를 제작하는 방법을 구체적으로 설명한다.

(할로젠화 은 유제의 조제)

온도 38℃, pH(potential of hydrogen)4.5로 유지된 하기 1액에, 하기 2액 및 3액의 각각 90%에 상당하는 양을 교반하면서 동시에 20분간에 걸쳐 첨가하여, 0.16μm의 핵입자를 형성했다. 계속해서 하기의 4액 및 5액을 8분간에 걸쳐 첨가하고, 하기의 2액 및 3액의 남은 10%의 양을 2분간에 걸쳐 더 첨가하여, 입자를 0.21μm까지 성장시켰다. 추가로, 아이오딘화 칼륨 0.15g을 첨가하고, 5분간 숙성하여 입자 형성을 종료했다.

1액:

물…750ml

젤라틴…9g

염화 나트륨…3g

1,3-다이메틸이미다졸리딘-2-싸이온…20mg

벤젠싸이오설폰산 나트륨…10mg

시트르산…0.7g

2액:

물…300ml

질산 은…150g

3액:

물…300ml

염화 나트륨…38g

브로민화 칼륨…32g

헥사클로로이리듐(III)산 칼륨(0.005% KCl 20% 수용액)…8ml

헥사클로로로듐산 암모늄(0.001% NaCl 20% 수용액)…10ml

4액:

물…100ml

질산 은…50g

5액:

물…100ml

염화 나트륨…13g

브로민화 칼륨…11g

황혈염…5mg

그 후, 통상의 방법에 따라, 플로큘레이션법에 따라 수세했다. 구체적으로는, 온도를 35℃로 낮추고, 3리터의 증류수를 첨가하며, 황산을 이용하여 할로젠화 은이 침강할 때까지 pH를 낮췄다(pH3.6±0.2의 범위였다). 다음으로, 상등액을 약 3리터 제거했다(제1 수세). 3리터의 증류수를 더 첨가하고 나서, 할로젠화 은이 침강할 때까지 황산을 첨가했다. 다시, 상등액을 3리터 제거했다(제2 수세). 제2 수세와 동일한 조작을 추가로 1회 반복하고(제3 수세), 수세-탈염 공정을 종료했다. 수세-탈염 후의 유제를 pH6.4, pAg7.5로 조정하고, 젤라틴 3.9g, 벤젠싸이오설폰산 나트륨 10mg, 벤젠싸이오설핀산 나트륨 3mg, 싸이오황산 나트륨 15mg 및 염화 금산 10mg을 첨가하여 55℃에서 최적 감도를 얻도록 화학 증감을 실시하며, 안정제로서 1,3,3a,7-테트라아자인덴 100mg, 및 방부제로서 프록셀(상품명, ICI Co., Ltd.제) 100mg을 첨가했다. 최종적으로 얻어진 유제는, 아이오딘화 은을 0.08몰% 포함하고, 염 브로민화 은의 비율을 염화 은 70몰%, 브로민화 은 30몰%로 하는, 평균 입자경 0.22μm, 변동 계수 9%의 아이오딘염 브로민화 은 입방체 입자 유제였다.

(감광성층 형성용 조성물의 조제)

상술한 유제에 1,3,3a,7-테트라아자인덴 1.2×10^-4몰/몰Ag, 하이드로퀴논 1.2×10^-2몰/몰Ag, 시트르산 3.0×10^-4몰/몰Ag, 2,4-다이클로로-6-하이드록시-1,3,5-트라이아진나트륨염 0.90g/몰Ag, 및 미량의 경막제를 첨가하고, 시트르산을 이용하여 도포액 pH를 5.6으로 조정했다.

상술한 도포액에, 함유하는 젤라틴에 대하여, (P-1)로 나타나는 폴리머와 분산제로서의 다이알킬페닐 PEO 황산 에스터를 함유하는 폴리머 라텍스(분산제/폴리머의 질량비가 2.0/100=0.02)를 폴리머/젤라틴(질량비)=0.5/1이 되도록 첨가했다.

또한, 가교제로서 EPOXY RESIN DY 022(상품명, 나가세 켐텍스사제)를 첨가했다. 또한, 가교제의 첨가량은, 후술하는 감광성층 중에 있어서의 가교제의 양이 0.09g/m²가 되도록 조정했다.

이상과 같이 하여 감광성층 형성용 조성물을 조제했다.

또한, 상술한 (P-1)로 나타나는 폴리머는, 일본 특허공보 제3305459호 및 일본 특허공보 제3754745호를 참조하여 합성했다.

(감광성층 형성 공정)

투명 절연 기판의 양면에, 상술한 폴리머 라텍스를 도포하여, 두께 0.05μm의 언더코팅층을 마련했다. 투명 절연 기판에는, 38μm의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(후지필름사제)을 이용했다.

다음으로, 언더코팅층 상에, 상술한 폴리머 라텍스와 젤라틴, 및 광학 농도가 약 1.0이고 현상액의 알칼리에 의하여 탈색하는 염료의 혼합물에 의하여 형성되는 안티 헐레이션층을 마련했다. 또한, 안티 헐레이션층에 있어서의 폴리머와 젤라틴과의 혼합 질량비(폴리머/젤라틴)는 2/1이며, 폴리머의 함유량은 0.65g/m²였다.

상술한 안티 헐레이션층의 위에, 상술한 감광성층 형성용 조성물을 도포하고, 추가로 상기 폴리머 라텍스와 젤라틴과 에포크로스 K-2020E(상품명, 닛폰 쇼쿠바이 주식회사제, 옥사졸린계 가교 반응성 폴리머 라텍스(가교성기: 옥사졸린기)), 스노텍스 C(등록 상표, 상품명, 닛산 가가쿠 고교 주식회사제, 콜로이달 실리카)를 고형분 질량비(폴리머/젤라틴/에포크로스 K-2020E/스노텍스 C(등록 상표)) 1/1/0.3/2로 혼합한 조성물을, 젤라틴양이 0.08g/m²가 되도록 도포하여, 양면에 감광성층이 형성된 지지체를 얻었다. 양면에 감광성층이 형성된 지지체를 필름 A로 한다. 형성된 감광성층은, 은량 6.2g/m², 젤라틴양 1.0g/m²였다.

(노광 현상 공정)

예를 들면 도 3에 나타내는 바와 같은 패턴을 갖는 제1 전극 형성용의 제1 포토마스크 및 도 6에 나타내는 바와 같은 패턴을 갖는 제2 전극 형성용의 제2 포토마스크를 각각 준비해 두고, 필름 A의 양면에, 각각 제1 포토마스크 및 제2 포토마스크를 배치하며, 고압 수은 램프를 광원으로 한 평행광을 이용하여 양면 동시 노광을 행했다.

노광 후, 하기의 현상액으로 현상하고, 또한 정착액(상품명, CN16X용 N3X-R, 후지필름사제)을 이용하여 현상 처리를 행했다. 또한, 순수로 린스하고, 건조함으로써, 양면에 Ag(은)으로 이루어지는 금속 세선과 젤라틴층이 형성된 지지체를 얻었다. 젤라틴층은 금속 세선 간에 형성되어 있었다. 얻어진 필름을 필름 B로 한다.

(현상액의 조성)

현상액 1리터(L) 중에, 이하의 화합물이 포함된다.

하이드로퀴논…0.037mol/L

N-메틸아미노페놀…0.016mol/L

붕산 나트륨…0.140mol/L

수산화 나트륨…0.360mol/L

브로민화 나트륨…0.031mol/L

메타중아황산 칼륨…0.187mol/L

(젤라틴 분해 처리)

필름 B에 대하여, 단백질 분해 효소(나가세 켐텍스사제 비오프라제 AL-15FG)의 수용액(단백질 분해 효소의 농도: 0.5질량%, 액온: 40℃)에 대한 침지를 120초간 행했다. 필름 B를 수용액으로부터 취출하여, 온수(액온: 50℃)에 120초간 침지하고, 세정했다. 젤라틴 분해 처리 후의 필름을 필름 C로 한다.

<저저항화 처리>

필름 C에 대하여, 금속제 롤러를 구비한 캘린더 장치를 이용하여, 30kN의 압력으로 캘린더 처리를 행했다. 이때, 선 조도 Ra=0.2μm, Sm=1.9μm(주식회사 키엔스제 형상 해석 레이저 현미경 VK-X110으로 측정(JIS-B-0601-1994))의 조면 형상을 갖는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 2매를, 이들 조면이 필름 C의 표면 및 이면과 마주보도록 모두 반송하고, 필름 C의 표면 및 이면에 조면 형상을 전사 형성했다.

캘린더 처리 후, 필름 C를 온도 150℃의 과열 증기조(槽)에 120초간 동안 통과시켜, 가열 처리를 행했다. 가열 처리 후의 필름을 필름 D로 한다. 이 필름 D가 도전성 부재이다.

다음으로, 실시예 1~3, 비교예 1 및 비교예 2에 대하여 설명한다.

(실시예 1)

실시예 1은, 도 1~도 9에 나타내는 실시형태 1의 도전성 부재(1)와 동일한 형상의 도전성 부재를 갖는 터치 패널이다. 제1 메시 패턴(MP1) 및 제2 메시 패턴(MP2)에 있어서 제1 메시 셀(C1) 및 제2 메시 셀(C2)의 능형의 예각을 72도, 제1 메시 셀(C1) 및 제2 메시 셀(C2)의 한 변의 길이를 696μm(예각 72도에서, 메시 피치(PA1 및 PA2)는, 818μm에 상당함)로 했다. 모든 금속 세선의 선폭은, 4μm로 했다. 또한, 금속 세선(M1A)과 금속 세선(M1B)의 사이의 제2 갭(G1B) 및 금속 세선(M2A)과 금속 세선(M2B)의 사이의 제2 갭(G2B)은, 각각의 메시 셀(C1 및 C2)의 변의 길이의 1/4 이상, 즉 174μm 이상의 길이를 갖고 있다. 또, 금속 세선(M1A)과 금속 세선(M1B)의 사이의 비교적 작은 제1 갭(G1A) 및 금속 세선(M2A)과 금속 세선(M2B)의 사이의 비교적 작은 제1 갭(G2A)의 길이는, 10μm로 설정했다. 또, 복수의 제1 전극(11)의 배열 피치를 4.5mm, 각각의 제1 전극(11)의 폭을 4.1mm로 했다. 또, 복수의 제2 전극(21)의 배열 피치를 4.5mm, 각각의 제2 전극(21)의 폭을 2.25mm로 했다. 또, 인접하는 제1 전극(11) 간 및 인접하는 제2 전극(21) 간에는, 더미 전극을 배치했다.

(실시예 2)

실시예 2는, 도전성 부재가 도 10~도 14에 나타내는 실시형태 2의 도전성 부재와 동일한 형상을 갖는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 금속 세선(M1A)과 금속 세선(M1B)의 사이의 제2 갭(G1B) 및 금속 세선(M2A)과 금속 세선(M2B)의 사이의 제2 갭(G2B)은, 각각의 메시 셀(C1 및 C2)의 변의 길이의 1/4 이상, 즉 174μm 이상의 길이를 갖고 있다. 또, 금속 세선(M1A)과 금속 세선(M1B)의 사이의 비교적 작은 제1 갭(G1A) 및 금속 세선(M2A)과 금속 세선(M2B)의 사이의 비교적 작은 제1 갭(G2A)의 길이는, 10μm로 설정했다.

(실시예 3)

실시예 3은, 도전성 부재가 도 15~도 19에 나타내는 실시형태 3의 도전성 부재와 동일한 형상을 갖는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하다. 즉, 실시예 3의 도전성 부재는, 비교적 큰 갭인 제2 갭(G1B 및 G2B)은 갖지 않는다. 한편, 제1 갭(G1A 및 G2A)의 길이는, 10μm로 설정했다.

(실시예 4)

실시예 4는, 도전성 부재가 도 20~도 22에 나타내는 실시형태 4의 도전성 부재와 동일한 형상을 갖는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하다. 또한, 실시예 1과 동일하게, 금속 세선(M1A)과 금속 세선(M1B)의 사이의 제2 갭(G1B) 및 금속 세선(M2A)과 금속 세선(M2B)의 사이의 제2 갭(G2B)은, 각각의 메시 셀(C1 및 C2)의 변의 길이의 1/4 이상, 즉 174μm 이상의 길이를 갖고 있다. 또, 금속 세선(M1A)과 금속 세선(M1B)의 사이의 비교적 작은 제1 갭(G1A) 및 금속 세선(M2A)과 금속 세선(M2B)의 사이의 비교적 작은 제1 갭(G2A)의 길이는, 10μm로 설정했다. 또, 돌기부(J1 및 J2)의 길이는 20μm로 설정했다.

(비교예 1)

비교예 1은, 도 1~도 9에 나타내는 실시형태 1의 도전성 부재(1)에 있어서의 제1 전극(11)의 제1 전극 내 더미 패턴부(11B) 및 제2 전극(21)의 제2 전극 내 더미 패턴부(21B)를 갖지 않는 것을 제외하고, 실시예 1과 동일하다.

비교예 1에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극(91)만을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 23에 나타낸다. 제1 전극(91)은, 도 1에 나타나는 투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상에 형성된 것이다.

제1 전극(91)은, 전극 내 더미 패턴부를 갖지 않고, 도 23에 그려진 제1 검출 전극부(91A)만을 갖고 있다. 제1 검출 전극부(91A)는, 금속 세선(M1A)으로 형성되어 있다.

제1 검출 전극부(91A)는, 실시형태 1에 있어서의 제1 검출 전극부(11A)와 동일하게, 능형의 제1 메시 셀(C1)을 구성 단위로 하여, 복수의 제1 메시 셀(C1)이 전기적으로 접속된 제1 메시 피치(PA1)를 갖는 제1 메시 패턴(MP1)을 형성하고 있다.

또, 비교예 1에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제2 전극(92)만을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 24에 나타낸다. 제2 전극(92)은, 도 1에 나타나는 투명 절연 기판(5)의 제2 면(5B) 상에 형성된 것이다.

제2 전극(92)은, 제1 전극(91)과 동일하게 전극 내 더미 패턴부를 갖지 않고, 도 24에 그려진 제2 검출 전극부(92A)만을 갖고 있다. 제2 검출 전극부(92A)는, 금속 세선(M2A)으로 형성되어 있다.

제2 검출 전극부(92A)는, 제1 메시 패턴(MP1)과 동일하게, 능형의 제2 메시 셀(C2)을 구성 단위로 하여, 복수의 제2 메시 셀(C2)이 전기적으로 접속된 제2 메시 피치(PA2)를 갖는 제2 메시 패턴(MP2)을 형성하고 있다.

이 비교예 1에 있어서, 제2 메시 패턴(MP2)은, 제1 메시 패턴(MP1)에 대하여, 제1 메시 피치(PA1)의 1/2만큼 어긋난 위치에 배치되어 있다. 이로써, 전극 교차부 내의 영역 R0에 있어서, 제1 전극(91)과 제2 전극(92)을 시인 측에서 보았을 때에, 도 25에 나타나는 바와 같이, 제1 전극(91)의 제1 검출 전극부(91A)와 제2 전극(92)의 제2 검출 전극부(92A)가 서로 조합되어, 능형의 제4 메시 셀(C4)을 구성 단위로 하고 또한 제4 메시 피치(PA4)를 갖는 제4 메시 패턴(MP4)이 형성되어 있다. 제4 메시 피치(PA4)는, 제1 메시 패턴(MP1) 및 제2 메시 패턴(MP2)의 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 메시 피치(PA2)의 1/2의 값을 갖고 있다.

(비교예 2)

비교예 2에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제1 전극(101)만을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 26에 나타낸다. 제1 전극(101)은, 도 1에 나타나는 투명 절연 기판(5)의 제1 면(5A) 상에 형성된 것이다.

제1 전극(101)은, 비교예 1과 동일하게 전극 내 더미 패턴부를 갖지 않고, 도 26에 그려진 제1 검출 전극부(101A)만을 갖고 있다. 제1 검출 전극부(101A)는, 금속 세선(M1A)으로 형성되어 있다.

제1 검출 전극부(101A)는, 능형의 제4 메시 셀(C4)을 구성 단위로 하여, 복수의 제4 메시 셀(C4)이 전기적으로 접속된 제4 메시 피치(PA4)를 갖는 제5 메시 패턴(MP5)을 형성하고 있다. 제4 메시 피치(PA4)는, 비교예 1에 있어서의 제1 메시 패턴(MP1) 및 제2 메시 패턴(MP2)의 제1 메시 피치(PA1) 및 제2 메시 피치(PA2)의 1/2의 값을 갖고 있다.

또, 비교예 2에 관한 도전성 부재의 전극 교차부에 있어서의 제2 전극(102)만을 시인 측에서 본 부분 평면도를 도 27에 나타낸다. 제2 전극(102)은, 도 1에 나타나는 투명 절연 기판(5)의 제2 면(5B) 상에 형성된 것이다.

제2 전극(102)은, 제1 전극(101)과 동일하게 전극 내 더미 패턴부를 갖지 않고, 도 27에 그려진 제2 검출 전극부(102A)만을 갖고 있다. 제2 검출 전극부(102A)는, 금속 세선(M2A)으로 형성되어 있다.

제2 검출 전극부(102A)는, 제5 메시 패턴(MP5)과 동일하게, 능형의 제4 메시 셀(C4)을 구성 단위로 하여, 복수의 제4 메시 셀(C4)이 전기적으로 접속된 제4 메시 피치(PA4)를 갖는 제6 메시 패턴(MP6)을 형성하고 있다.

이 비교예 2에 있어서, 제6 메시 패턴(MP6)은, 제5 메시 패턴(MP5)에 대하여, 제4 메시 피치(PA4)의 1/2만큼 어긋난 위치에 배치되어 있다. 이로써, 전극 교차부 내의 영역 R0에 있어서, 제1 전극(101)과 제2 전극(102)을 시인 측에서 보았을 때에, 도 28에 나타나는 바와 같이, 제1 전극(101)의 제1 검출 전극부(101A)와 제2 전극(102)의 제2 검출 전극부(102A)가 서로 조합되어, 능형의 제3 메시 셀(C3)을 구성 단위로 하고 또한 제3 메시 피치(PA3)를 갖는 제3 메시 패턴(MP3)이 형성되어 있다. 제3 메시 피치(PA3)는, 제5 메시 패턴(MP5) 및 제6 메시 패턴(MP6)의 제4 메시 피치(PA4)의 1/2의 값을 갖고 있다.

이와 같이, 비교예 2는, 제1 검출 전극부(101A)에 의하여 형성되는 제5 메시 패턴(MP5) 및 제2 검출 전극부(102A)에 의하여 형성되는 제6 메시 패턴(MP6)의 구성 단위가 되는 능형의 제4 메시 셀(C4)의 한 변의 길이를, 비교예 1에 있어서의 제1 메시 패턴(MP1) 및 제2 메시 패턴(MP2)의 제1 메시 셀(C1) 및 제2 메시 셀(C2)의 한 변의 길이(696μm)에 비하여 1/2인 348μm(예각 72도에서 메시 피치(PA4)는, 409μm에 상당함)로 한 것을 제외하고, 비교예 1과 동일하다.

실시예 1~실시예 4, 비교예 1 및 비교예 2의 평가 결과를 하기 표에 나타낸다.

[표 1]

표 1에 나타내는 바와 같이, 실시예 1~4는, 감도 평가, 시인성 평가 및 무아레 평가가 모두 "A" 또는 "B"이며, 검출 감도의 향상을 도모하면서도 우수한 시인성을 갖고, 무아레의 발생을 저감시킬 수 있었다. 특히, 실시예 1 및 4는, 감도 평가, 시인성 평가 및 무아레 평가가 모두 "A"이며, 우수한 검출 감도를 갖고, 시인성을 향상시켜, 무아레의 발생을 저감시킬 수 있었다.

한편, 비교예 1은, 감도 평가는 "A"였지만, 시인성 평가 및 무아레 평가는 "C"였다. 또, 비교예 2는, 시인성 평가 및 무아레 평가는 "A"였지만, 감도 평가는 "C"였다. 이와 같이, 비교예 1 및 비교예 2는, 감도, 시인성 및 무아레 모두에 대하여 동시에 고평가를 얻을 수 없었다.

실시예 3에 있어서는, 제1 전극 내 더미 패턴부(51B)의 존재에 의하여, 제1 검출 전극부(51A)의 제1 메시 패턴(MP1)의 제1 메시 셀(C1) 내에, 제1 메시 피치(PA1)의 절반의 피치를 갖는 4개의 셀이 형성되고, 동일하게 제2 전극 내 더미 패턴부(61B)의 존재에 의하여, 제2 검출 전극부(61A)의 제2 메시 패턴(MP2)의 제2 메시 셀(C2) 내에, 제2 메시 피치(PA2)의 절반의 피치를 갖는 4개의 셀이 형성되어 있기 때문에, 실시예 1 및 2에 비하여, 제1 검출 전극부(51A) 및 제2 검출 전극부(61A)의 기생 용량이 증가하여, 감도 평가가 "B"로 되었다고 생각된다.

제2 전극 내 더미 패턴부가 십자상으로 교차하는 점을 갖는 실시예 2 및 실시예 3에 있어서는, 시인성 평가 및 무아레 평가가 "B"라고 되어 있지만, 이는, 도전성 부재의 제작 시의 노광 현상 공정에 있어서, 포토마스크 가장자리부로부터의 회절광에 기인하여, 제2 전극 내 더미 패턴부가 십자상으로 교차하는 점이 설계값보다 굵게 형성되었기 때문이라고 생각된다.

비교예 1은, 제1 전극(91)과 제2 전극(92)이, 모두 제1 메시 피치(PA1)를 갖고 있기 때문에, 감도 평가가 "A"로 되었지만, 제1 전극(91)과 제2 전극(92)이 서로 중첩되어 형성되는 제4 메시 패턴(MP4)의 메시 피치(제4 메시 피치(PA4))가, 실시예 1~3에 있어서의 제3 메시 패턴(MP3)의 메시 피치(제3 메시 피치(PA3))의 2배로, 메시 피치가 넓기 때문에, 시인성 평가 및 무아레 평가가 "C"가 되었다고 생각된다.

비교예 2는, 전극 내 더미 패턴부를 갖지 않지만, 제1 전극(101)과 제2 전극(102)이 서로 중첩되어, 실시예 1과 동일한 제3 메시 피치(PA3)를 갖는 제3 메시 패턴(MP3)을 형성하고 있기 때문에, 시인성 평가 및 무아레 평가가 "A"가 되었다고 생각된다. 한편, 터치 조작을 검출하기 위하여 사용되는 제1 전극(101)의 제1 검출 전극부(101A)에 의하여 형성되는 제5 메시 패턴(MP5) 및 제2 전극(102)의 제2 검출 전극부(102A)에 의하여 형성되는 제6 메시 패턴(MP6)이, 각각 실시예 1에 있어서의 제1 메시 피치(PA1)의 절반의 피치(제4 메시 피치(PA4))를 갖기 때문에, 제1 검출 전극부(101A) 및 제2 검출 전극부(102A)의 기생 용량이 증가하여, 감도 평가가 "C"가 되었다고 생각된다.

또한, 다른 양태를 부기하면 이하와 같다.

각각 제1 방향으로 뻗고 또한 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 병렬 배치된 복수의 제1 전극과,

각각 상기 제2 방향으로 뻗고 또한 상기 제1 방향으로 병렬 배치된 복수의 제2 전극을 구비한 도전성 부재로서,

상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극은, 절연 상태로 대향하여 배치되며,

상기 제1 전극은, 금속 세선에 의하여 형성되는 복수의 제1 메시 셀이 전기적으로 접속되어 구성된 제1 메시 패턴을 갖는 제1 검출 전극부와, 상기 제1 검출 전극부로부터 절연되도록 상기 제1 메시 패턴의 제1 메시 셀의 내부에 배치된 금속 세선에 의하여 형성되는 제1 전극 내 더미 패턴부를 갖고,

상기 제2 전극은, 금속 세선에 의하여 형성되는 복수의 제2 메시 셀이 전기적으로 접속되어 구성된 제2 메시 패턴을 갖는 제2 검출 전극부와, 상기 제2 검출 전극부로부터 절연되도록 상기 제2 메시 패턴의 제2 메시 셀의 내부에 배치된 금속 세선에 의하여 형성되는 제2 전극 내 더미 패턴부를 가지며,

상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 중첩되는 영역에 있어서, 상기 제1 검출 전극부와 상기 제1 전극 내 더미 패턴부와 상기 제2 검출 전극부와 상기 제2 전극 내 더미 패턴부가 조합되어 형성된 복수의 제3 메시 셀에 의하여 구성되는 제3 메시 패턴을 갖는 도전성 부재.

1 도전성 부재
2 터치 패널
2A 표면
2B 이면
3 커버 패널
4 접착제
5 투명 절연 기판
5A 제1 면
5B 제2 면
7A, 7B 보호층
11, 31, 51, 71, 91, 101 제1 전극
11A, 31A, 51A, 71A, 91A, 101A 제1 검출 전극부
11B, 31B, 51B, 71B 제1 전극 내 더미 패턴부
12 제1 주변 배선
13 제1 외부 접속 단자
14 제1 커넥터부
21, 41, 61, 81, 92, 102 제2 전극
21A, 41A, 61A, 72A, 81A, 92A, 102A 제2 검출 전극부
21B, 41B, 61B, 81B 제2 전극 내 더미 패턴부
22 제2 주변 배선
23 제2 외부 접속 단자
24 제2 커넥터부
72 제1 더미 전극
82 제2 더미 전극
S1 투과 영역
S2 주변 영역
D1 제1 방향
D2 제2 방향
6A, 6B, M1A, M1B, M2A, M2B 금속 세선
G1A, G2A 제1 갭
G1B, G2B 제2 갭
W1A, W1B, W2A, W2B 선폭
R0, R1A, R1B, R2A, R2B 영역
T1A 제1 검출 단위 패턴
T1B 제1 더미 단위 패턴
T2B 제2 더미 단위 패턴
T3B 제3 더미 단위 패턴
T4B 제4 더미 단위 패턴
T5B 제5 더미 단위 패턴
T6B 제6 더미 단위 패턴
T7B 제7 더미 단위 패턴
T8B 제8 더미 단위 패턴
MP1 제1 메시 패턴
MP2 제2 메시 패턴
MP3 제3 메시 패턴
MP4 제4 메시 패턴
MP5 제5 메시 패턴
MP6 제6 메시 패턴
C1 제1 메시 셀
C2 제2 메시 셀
C3 제3 메시 셀
C4 제4 메시 셀
PA1 제1 메시 피치
PA2 제2 메시 피치
PA3 제3 메시 피치
PA4 제4 메시 피치
J1, J2 돌기부
B1, B2 단선부
ΔL 거리

Claims

투과 영역을 갖는 도전성 부재로서,
투명 절연 부재와,
각각 제1 방향으로 뻗고 또한 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 병렬 배치된 복수의 제1 전극과,
서로 인접하는 상기 복수의 제1 전극의 사이에 배치되는 제1 더미 전극과,
각각 상기 제2 방향으로 뻗고 또한 상기 제1 방향으로 병렬 배치된 복수의 제2 전극과,
서로 인접하는 상기 복수의 제2 전극의 사이에 배치되는 제2 더미 전극을 구비하고,
상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극은, 상기 투명 절연 부재에 의해 절연된 상태가 되도록 배치되며,
상기 제1 전극은, 금속 세선에 의하여 형성되는 복수의 제1 메시 셀이 전기적으로 접속되어 구성된 제1 메시 패턴을 갖는 제1 검출 전극부와, 상기 제1 검출 전극부로부터 절연되도록 상기 제1 메시 패턴의 제1 메시 셀의 내부에 배치된 금속 세선에 의하여 형성되는 제1 전극 내 더미 패턴부를 갖고,
상기 제1 더미 전극은 상기 제1 검출 전극부 및 상기 제1 전극 내 더미 패턴부의 쌍방에 의한 패턴과 동일한 패턴을 갖도록 금속 세선에 의해 형성되고,
상기 제2 전극은, 금속 세선에 의하여 형성되는 복수의 제2 메시 셀이 전기적으로 접속되어 구성된 제2 메시 패턴을 갖는 제2 검출 전극부와, 상기 제2 검출 전극부로부터 절연되도록 상기 제2 메시 패턴의 제2 메시 셀의 내부에 배치된 금속 세선에 의하여 형성되는 제2 전극 내 더미 패턴부를 가지며,
상기 제2 더미 전극은 상기 제2 검출 전극부 및 상기 제2 전극 내 더미 패턴부의 쌍방에 의한 패턴과 동일한 패턴을 갖도록 금속 세선에 의해 형성되고,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 중첩되는 영역에 있어서, 상기 제1 검출 전극부와 상기 제1 전극 내 더미 패턴부와 상기 제2 검출 전극부와 상기 제2 전극 내 더미 패턴부가 조합되어 형성된 복수의 제3 메시 셀에 의하여 구성되는 제3 메시 패턴을 갖는 도전성 부재.
청구항 1에 있어서,
상기 제1 메시 패턴은, 상기 제1 방향으로 서로 인접하는 상기 제1 메시 셀의 무게중심 간의 상기 제1 방향에 있어서의 거리의 평균값에 의하여 정해지는 제1 메시 피치를 갖고,
상기 제2 메시 패턴은, 상기 제1 방향으로 서로 인접하는 상기 제2 메시 셀의 무게중심 간의 상기 제1 방향에 있어서의 거리의 평균값에 의하여 정해지는 제2 메시 피치를 가지며,
상기 제1 메시 패턴의 금속 세선과 상기 제2 메시 패턴의 금속 세선은, 점상으로 중첩되도록 배치되고,
상기 제3 메시 패턴은, 상기 제1 방향으로 인접하는 상기 제3 메시 셀의 무게중심 간의 상기 제1 방향에 있어서의 거리의 평균값에 의하여 정해지는 제3 메시 피치를 가지며,
상기 제3 메시 피치는, 상기 제1 메시 피치의 1/4 이하이고, 또한 상기 제2 메시 피치의 1/4 이하인 도전성 부재.
청구항 2에 있어서,
상기 제1 메시 패턴과 상기 제2 메시 패턴은, 상기 제1 메시 셀의 무게중심과 상기 제2 메시 셀의 정점이 서로 다른 위치가 되도록 배치되어 있는 도전성 부재.
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 제1 메시 피치 및 상기 제2 메시 피치가 500μm 이상인 도전성 부재.
청구항 2 또는 청구항 3에 있어서,
상기 제1 메시 피치와 상기 제2 메시 피치는, 서로 동일한 도전성 부재.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 메시 셀, 상기 제2 메시 셀 및 상기 제3 메시 셀은, 각각 사각형상인 도전성 부재.
청구항 6에 있어서,
상기 제1 메시 패턴은, 동일 형상의 복수의 상기 제1 메시 셀에 의하여 구성되고, 상기 제2 메시 패턴은, 동일 형상의 복수의 상기 제2 메시 셀에 의하여 구성되며, 상기 제3 메시 패턴은, 동일 형상의 복수의 상기 제3 메시 셀에 의하여 구성되고, 상기 사각형상은, 능형 형상인 도전성 부재.
청구항 7에 있어서,
상기 제1 메시 셀과 상기 제2 메시 셀은, 동일 형상을 갖는 도전성 부재.
청구항 6에 있어서,
상기 제3 메시 셀의 변의 길이는, 상기 제3 메시 패턴을 구성하는 복수의 상기 제3 메시 셀의 변의 길이의 평균값에 대하여, -10% 이상 +10% 이하의 불규칙한 값을 갖는 도전성 부재.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 메시 패턴 및 상기 제2 메시 패턴은, 각각의 전극 내 더미 패턴부를 형성하는 상기 금속 세선의 단부와 각각의 메시 셀을 형성하는 상기 금속 세선의 사이에 150μm 이상의 갭을 갖는 도전성 부재.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 전극 내 더미 패턴부 및 상기 제2 전극 내 더미 패턴부는, 십자상으로 교차하는 금속 세선을 포함하지 않는 도전성 부재.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 도전성 부재를 이용한 터치 패널.
투과 영역을 갖는 도전성 부재로서,
투명 절연 부재와,
각각 제1 방향으로 뻗고 또한 제1 방향에 직교하는 제2 방향으로 병렬 배치된 복수의 제1 전극과,
각각 제2 방향으로 뻗고 또한 제1 방향으로 병렬 배치된 복수의 제2 전극을 구비하고,
상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극은, 상기 투명 절연 부재에 의해 절연된 상태가 되도록 배치되며,
상기 제1 전극은, 금속 세선에 의하여 형성되는 복수의 제1 메시 셀이 전기적으로 접속되어 구성된 제1 메시 패턴을 갖는 제1 검출 전극부와, 상기 제1 검출 전극부로부터 절연되도록 상기 제1 메시 패턴의 제1 메시 셀의 내부에 배치된 금속 세선에 의하여 형성되는 제1 전극 내 더미 패턴부를 갖고,
상기 제2 전극은, 금속 세선에 의하여 형성되는 복수의 제2 메시 셀이 전기적으로 접속되어 구성된 제2 메시 패턴을 갖는 제2 검출 전극부와, 상기 제2 검출 전극부로부터 절연되도록 상기 제2 메시 패턴의 제2 메시 셀의 내부에 배치된 금속 세선에 의하여 형성되는 제2 전극 내 더미 패턴부를 가지며,
상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 중첩되는 영역에 있어서, 상기 제1 검출 전극부와 상기 제1 전극 내 더미 패턴부와 상기 제2 검출 전극부와 상기 제2 전극 내 더미 패턴부가 조합되어 형성된 복수의 제3 메시 셀에 의하여 구성되는 제3 메시 패턴을 갖고,
상기 제1 전극 내 더미 패턴부 또는 상기 제2 전극 내 더미 패턴부는 교점을 갖는 금속 세선을 갖는 도전성 부재.
청구항 13에 있어서,
상기 제1 전극 내 더미 패턴부 및 상기 제2 전극 내 더미 패턴부는 교점을 갖는 금속 세선을 갖는 도전성 부재.
청구항 13 또는 청구항 14에 있어서,
상기 제1 전극 내 더미 패턴부 및 상기 제2 전극 내 더미 패턴부는 십자상으로 교차하는 금속 세선을 갖는 도전성 부재.